KR102485810B1 - 화학적 기계적 연마 장치의 리테이너 링 - Google Patents

화학적 기계적 연마 장치의 리테이너 링 Download PDF

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Abstract

화학적 기계적 연마장치에 장착되어 반도체 웨이퍼의 위치를 유지하는 리테이너 링(retainer ring)에 있어서, 리테이너 링은 상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마패드와 접촉되는 바닥면을 구비하여 상기 반도체 웨이퍼를 둘러싸는 환형 몸체를 포함한다. 또한, 상기 환형 몸체에는 외주면 및 상기 외주면보다 상기 반도체 웨이퍼에 인접한 내주면이 정의되고, 상기 외주면과 상기 바닥면이 연결된 부분은 라운드 형상을 갖는다.

Description

화학적 기계적 연마 장치의 리테이너 링{RETAINER RING OF CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING APPARATUS}
본 발명은 화학적 기계적 연마 장치의 리테이너 링에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼를 연마하는 화학적 기계적 연마 장치에 장착되어 연마 공정 동안에 반도체 웨이퍼의 위치를 유지하는 리테이너 링에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 위에 반도체 소자를 제조하기 이전에, 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing) 장치를 이용하여 웨이퍼 표면의 산화막을 제거하고 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 공정을 진행한다.
일반적으로 반도체 웨이퍼를 연마하는 화학적 기계적 연마장치(Chemical Mechanical Polishing, CMP)는 연마 헤드, 연마 패드, 슬러리 제공유닛 및 리테이너 링을 포함한다. 연마 헤드는 반도체 웨이퍼를 척킹(chucking)하여 연마 패드 측으로 반도체 웨이퍼를 가압하며, 연마 패드는 반도체 웨이퍼와 접촉되어 반도체 웨이퍼를 연마하며, 슬러리 제공유닛은 반도체 웨이퍼 측으로 슬러리를 제공한다. 또한, 리테이너 링은 반도체 웨이퍼의 외측 둘레를 둘러싸도록 설계되어 연마 공정 동안에 반도체 웨이퍼가 연마 헤드가 연마하는 공간 외부로 이탈되는 것을 방지한다.
한국등록특허 제10-1722555호
본 발명의 목적은 화학적 기계적 연마 장치에 있어서 반도체 웨이퍼의 연마 품질을 향상시킬 수 있는 리테이너 링을 제공하는 데 있다.
화학적 기계적 연마장치에 장착되어 반도체 웨이퍼의 위치를 유지하는 리테이너 링(retainer ring)에 있어서, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 리테이너 링은 상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마패드와 접촉되는 바닥면을 구비하여 상기 반도체 웨이퍼를 둘러싸는 환형 몸체를 포함한다. 또한, 상기 환형 몸체에는 외주면 및 상기 외주면보다 상기 반도체 웨이퍼에 인접한 내주면이 정의되고, 상기 외주면과 상기 바닥면이 연결된 부분은 라운드 형상을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 환형 몸체의 일 부분이 상기 바닥면으로부터 일 깊이로 제거되어 슬러리(slurry)가 유동하는 리세스(recess)가 정의된다. 상기 바닥면은 상기 리세스에 라운드 형상으로 연결된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 리세스는 상기 외주면을 상기 내주면에 연결한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 리세스는 기저면, 제1 측면 및 제2 측면으로 정의된다. 상기 기저면은 상기 바닥면으로부터 일 깊이에 정의된다. 상기 제1 측면은 상기 리세스의 일 측에서 상기 기저면과 상기 바닥면을 연결한다. 상기 제2 측면은 상기 리세스의 타 측에서 상기 기저면과 상기 바닥면을 연결하여 상기 제1 측면에 대향한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 측면과 상기 제2 측면의 각각은 상기 바닥면에 라운드 형상으로 연결된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 환형 몸체는 제1 환형부 및 제2 환형부를 포함한다. 상기 제1 환형부는 상기 연마 패드에 접촉되어 상기 제1 환형부에는 상기 바닥면이 정의된다. 상기 제2 환형부는 상기 제1 환형부의 내부에 배치되어 상기 제1 환형부에 의해 둘러싸인다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 환형 몸체는 상기 연마 패드에 접촉되어 상기 바닥면이 정의된 제1 환형부 및 상기 제1 환형부 위에 적층된 제2 환형부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 환형부의 구성물질은 플라스틱을 포함하고, 상기 제2 환형부의 구성물질은 금속을 포함한다.
본 발명에 따르면, 리테이너 링의 연마패드에 접촉되는 바닥면을 부분적으로 라운딩 형상을 가지므로 리테이너 링에 의해 연마패드의 소정영역에 국부적으로 압력이 집중되는 것이 방지될 수 있다. 이에 따라, 연마 공정 중에 반도체 웨이퍼의 가장자리가 연마패드와 이격되어 반도체 웨이퍼의 가장자리의 연마 품질이 저하되는 것이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 연마 헤드의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 I-I`을 따라 절취된 부분을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 리테이너 링의 바닥면을 도시한 평면도이다.
도 5a는 도 4의 제1 부분을 확대하여 나타낸 부분 사시도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 II-II`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 리테이너 링, 연마패드, 반도체 웨이퍼 및 멤브레인의 부분 확대도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리테이너 링, 연마패드, 반도체 웨이퍼 및 멤브레인의 부분 확대도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 도면과 관련된 실시예들을 통해서 이해될 수 있을 것이다. 다만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 후술될 본 발명의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고, 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 후술될 실시예들에 의해 한정되는 것으로 해석되어서는 안될 것이다. 한편, 하기 실시예와 도면 상에 동일한 참조 번호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다.
또한, 본 명세서에서 '제1' 및 '제2'등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 '위에' 또는 '상에'있다고 할 때, 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마장치(300)의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 연마 헤드(100)의 분해 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 I-I`을 따라 절취된 부분을 나타내는 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 화학적 기계적 연마장치(이하 "연마장치", 300)는 반도체 웨이퍼(WF)에 대해 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)를 수행하는 장치이다. 반도체 웨이퍼(WF) 위에 반도체 소자들을 제조하기 이전에, 연마장치(300)를 이용하여 반도체 웨이퍼(WF)에 대해 화학적 기계적 연마 공정을 수행하여 반도체 웨이퍼(WF)의 표면에 형성된 산화막을 제거하거나, 반도체 웨이퍼(WF)의 표면이 평탄화 될 수 있다.
이 실시예에서는, 연마장치(300)는 연마패드(50), 슬러리 제공 유닛(30), 및 연마헤드(100)를 포함한다.
연마패드(50)는 반도체 웨이퍼(WF)와 접촉되는 연마면을 갖는다. 슬러리 제공 유닛(30)은 노즐(32)을 통해 연마패드(50)의 상기 연마면 측으로 슬러리를 제공하며, 연마패드(50)는 일 회전 방향으로 자전함에 따라 상기 슬러리가 연마패드(50)의 상기 연마면에 균일하게 제공될 수 있다.
연마헤드(100)는 진공 흡착과 같은 방법으로 반도체 웨이퍼(WF)를 척킹한다. 또한, 연마헤드(100)는 척킹된 반도체 웨이퍼(WF)를 연마패드(50)의 상기 연마면에 가압함과 동시에 회전할 수 있고, 이에 따라 연마패드(50)의 상기 연마면에 접촉되는 반도체 웨이퍼(WF)의 일 면에 대해 연마 공정이 수행될 수 있다.
이 실시예에서는, 연마헤드(100)는 캐리어(80), 회전 구동부(55), 멤브레인(60) 및 리테이너링(10)을 포함한다.
캐리어(80)는 멤브레인(60) 및 리테이너링(10)과 결합되고, 캐리어(80)는 회전 구동부(55)와 결합되어 회전 구동부(55)의 회전력에 의해 회전할 수 있다. 멤브레인(60)은 진공유로(50)를 통해 외부로부터 제공되는 진공압을 이용하여 반도체 웨이퍼(WF)를 흡착한다.
리테이너 링(10)은 환형의 형상을 갖는다. 리테이너 링(10)에는 외주면(C1) 및 내주면(C2)이 정의된다. 외주면(C1)은 리테이너 링(10)의 외측 둘레를 따라 정의되고, 내주면(C2)은 리테이너 링(10)의 내측 둘레를 따라 정의된다.
평면상에서 볼 때 리테이너 링(10)의 내부 또는 리테이너 링(10)의 내주면 (C1)의 내측에 반도체 웨이퍼(WF)가 수용된다. 따라서, 연마장치(300)가 구동되어 반도체 웨이퍼(WF)에 대해 연마 공정이 진행되는 동안에, 리테이너 링(10)은 반도체 웨이퍼(WF)의 위치를 유지한다. 즉, 상기 연마 공정이 진행되는 동안에, 반도체 웨이퍼(WF)의 위치는 리테이너 링(10)에 의해 리테이너 링(10)의 내부로 유지되어, 리테이너 링(10)에 의해 반도체 웨이퍼(WF)가 연마 헤드(100)가 연마하는 공간 외부로 이탈되는 것이 방지될 수 있다.
이 실시예에서는, 리테이너 링(10)은 환형의 형상을 갖는 환형 몸체(10)를 포함하고, 도 5a에 도시된 바와 같이 환형 몸체(10)는 제1 환형부(도 5a의 31) 및 제1 환형부(도 5a의 31)의 내부에 배치된 제2 환형부(도 5a의 32)를 포함할 수 있다.
환형 몸체(10)에 연마패드(50)와 접촉되는 바닥면(S11) 및 바닥면(S11)에 대향하는 상부면(S12)이 정의된다. 상부면(S12)에는 다수의 체결홀(13)이 형성된다. 이 실시예에서는, 다수의 체결홀(13)의 각각의 내면에는 나사산들이 형성되어 스크류(미도시)를 통해 리테이너 링(10)이 캐리어(80)에 고정될 수 있다.
또한, 환형 몸체(10)의 연마 패드(50)와 접촉되는 바닥면(S11)에는 다수의 리세스(도 4의 40)가 형성된다. 다수의 리세스(도 4의 40)는 슬러리가 유동하는 유로의 역할을 한다. 따라서, 반도체 웨이퍼(WF)에 대한 연마 공정 시에, 리테이너 링(10)의 내측에 위치한 슬러리는 다수의 리세스를 통해 리테이너 링(10)의 외측으로 유동할 수 있고, 이와 반대로 리테이너 링(10)의 외측에 위치한 슬러리는 다수의 리세스를 통해 리테이너 링(10)의 내측으로 유동할 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 리테이너 링(10)의 바닥면(S11)을 도시한 평면도이고, 도 5a는 도 4의 제1 부분(A1)을 확대하여 나타낸 부분 사시도이고, 도 5b는 도 5a에 도시된 II-II`을 따라 절취된 부분을 나타낸 단면도이다.
도 4, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 리테이너 링(10)은 환형 몸체(30)를 포함하고, 환형 몸체(30)의 바닥면(S11)에는 다수의 리세스(40)가 형성된다.
이 실시예에서는 환형 몸체(30)는 제1 환형부(31) 및 제2 환형부(32)를 포함하고, 제2 환형부(32)는 제1 환형부(31)의 내측에 배치되어 제1 환형부(31)에 의해 둘러싸인다.
이 실시예에서는, 제2 환형부(32)의 단위 부피당 무게는 제1 환형부(31)의 단위 부피당 무게보다 클 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 환형부(32)의 구성 물질은 스테인레스 강, 강철, 알루미늄, 황동 등과 같은 금속을 포함할 수 있고, 상기 제1 환형부(31)의 구성 물질은 엔지니어링 플라스틱을 포함할 수 있다. 따라서, 제2 환형부(32)에 의해 리테이너 링(10)의 휨 증상이 방지될 수 있고, 리테이너 링(10)에서 연마패드(50)에 접촉되는 제1 환형부(31)의 소모성 교체가 용이할 수 있다.
다수의 리세스(40)의 각각은 슬러리 제공 유닛(도 1의 30)으로부터 제공되는 슬러리가 유동하는 유로일 수 있다. 이 실시예에서는 다수의 리세스(40)는 서로 유사한 구조를 가질 수 있으므로, 다수의 리세스(40) 중 하나의 리세스(40)의 구조에 대해 설명하고, 나머지 리세스(40)에 대한 구조의 설명은 생략된다.
전술한 바와 같이, 리테이너 링(10)에 내주면(C1) 및 외주면(C2)이 정의되고, 평면상에서 볼 때 내주면(C1) 또는 외주면(C2) 상에 가상의 접선이 정의되면, 이 실시예에서는 평면상에서 볼 때 리세스(40)는 상기 접선에 대해 기울어진 방향으로 연장될 수 있다.
이 실시예에서는 외주면(C2)과 바닥면(S11)이 연결된 부분은 라운드 형상을 갖고, 외주면(C2)과 바닥면(S11)이 연결된 부분의 곡률 반경은 약 1.5mm일 수 있다. 외주면(C2)이 바닥면(S11)에 라운드 형상으로 연결된 경우에, 반도체 웨이퍼(WF)의 가장 자리가 연마패드(50)로부터 이격되어 반도체 웨이퍼(WF)의 가장 자리에 대한 연마품질이 저하되는 것이 방지될 수 있다. 이에 대해서는 도 6을 참조하여 보다 상세히 설명된다.
리세스(40)는 환형 몸체(30)의 일 부분이 바닥면(S11)으로부터 일 깊이로 제거되어 정의되고, 리세스(40)는 외주면(C2)을 내주면(C1)에 연결한다. 이 실시예에서는 바닥면(S11)과 리세스(40)는 라운드 형상으로 연결된다.
보다 상세하게는, 리세스(40)는 기저면(S1), 제1 측면(S2) 및 제2 측면(S3)으로 정의될 수 있다. 기저면(S1)은 환형 몸체(30)의 바닥면(S11)으로부터 일 깊이에 정의되고, 제1 측면(S2)은 리세스(40)의 일 측에서 기저면(S1)을 바닥면(S11)에 연결하고, 제2 측면(S3)은 리세스(40)의 타 측에서 기저면(S1)을 바닥면(S11)에 연결하여 제1 측면(S2)에 대향한다.
전술한 바와 같이, 리세스(40)를 정의하는 기저면(S1), 제1 측면(S2) 및 제2 측면(S3)이 정의되면, 제1 측면(S2)은 바닥면(S11)에 라운드 형상으로 연결되고, 제2 측면(S3)은 바닥면(S11)에 라운드 형상으로 연결된다.
이 실시예에서는, 제1 측면(S2) 및 제2 측면(S3)의 각각과 바닥면(S11)이 연결된 부분의 곡률 반경은 약 1.5mm일 수 있다.
도 6은 도 3에 도시된 리테이너 링(10), 연마패드(50), 반도체 웨이퍼(WF) 및 멤브레인(60)의 부분 확대도이다.
도 6을 참조하면, 리테이너 링(10)에 의해 연마패드(50)에 제1 압력이 전달되며, 멤브레인(60) 및 반도체 웨이퍼(WF)에 의해 연마패드(50)에 제2 압력이 전달된다. 이 경우에, 상기 제1 압력은 리테이너 링(10)과 접촉된 연마패드(50)의 제1 부분에 전달되고, 상기 제2 압력은 반도체 웨이퍼(WF)와 접촉된 연마패드(50)의 제2 부분에 전달된다.
한편, 상기 제1 부분에 전달되는 상기 제1 압력의 크기가 상기 제2 부분에 전달되는 상기 제2 압력의 크기와 실질적으로 동일한 경우에, 연마 패드(50)의 상단면(S4)의 프로파일은 평탄하게 유지될 수 있다. 이와 반대로, 상기 제1 압력의 크기가 상기 제2 압력의 크기보다 크면, 연마패드(50)의 상단면(S4-1)의 프로파일은 리테이너 링(10)의 위치에 대응하여 아래로 꺼진 형상으로 변화될 수 있다. 그 결과, 연마패드(50)에서 리테이너 링(10)에 의해 가압된 부분과 연마패드(50)에서 반도체 웨이퍼(WF)가 안착된 부분의 높이 차이에 의해, 연마 패드(50)의 제1 영역(L1)에서 반도체 웨이퍼(WF)의 가장자리는 연마패드(50)와 이격될 수 있고, 이에 따라 제1 영역(L1)에 대응하는 반도체 웨이퍼(WF)의 가장자리에 대한 연마품질이 저하될 수 있다.
하지만, 전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 환형 몸체(30)의 외주면(C2)이 바닥면(S11)과 라운드 형상으로 연결된다. 즉, 외주면(C2)이 바닥면(S11)과 각진 형상으로 연결되는 구조 대비 외주면(C2)이 바닥면(S11)과 라운드 형상으로 연결되는 구조인 경우에, 리테이너 링(10)의 바닥면(S11) 및 외주면(C2)에 의해 정의되는 모서리를 통해 연마패드(50)에 압력이 집중되어 가해지는 정도가 저감될 수 있다. 즉, 리테이너 링(10)이 외주면(C2) 및 바닥면(S11)간에 라운드 형상으로 연결된 구조를 갖는 경우에, 리테이너 링(10)을 통해 연마 패드(50)의 소정 부분에 압력이 국부적으로 집중되는 것이 방지될 수 있는 것으로, 그 결과 연마 패드(50)의 제1 영역(L1)에서 반도체 웨이퍼(WF)의 가장자리가 연마패드(50)와 이격되어 반도체 웨이퍼(WF)의 가장자리의 연마 품질이 저하되는 것이 방지될 수 있다.
마찬가지로, 리세스(40)의 제1 측면(S2) 및 제2 측면(S3)의 각각은 바닥면(S11)에 라운드 형상으로 연결되므로, 리테이너 링(10)을 통해 연마 패드(50)에 가해지는 압력이 분산되는 효과 발생될 수 있다. 이에 따라, 리테이너 링(10)에 의해 연마 패드(50)의 소정 부분에 국부적으로 압력이 집중되는 것이 방지될 수 있고, 그 결과 상술한 이유에 의해 반도체 웨이퍼(WF)의 가장자리의 연마 품질이 향상될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리테이너 링(10-1), 연마패드(50), 반도체 웨이퍼(WF) 및 멤브레인(60)의 부분 확대도이다. 도 7을 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.
도 7을 참조하면, 이 실시예에서는 리테이너 링(10-1)은 환형 몸체(30-1)을 포함하고, 환형 몸체(30-1)는 제1 환형부(31-1) 및 제2 환형부(32-1)를 포함한다. 제1 환형부(31-1)는 연마 패드(50)에 접촉되는 바닥면(S11)을 갖고, 제2 환형부(32-1)는 제1 환형부(31-1) 위에 적층된다. 또한, 제1 환형부(31-1)와 제2 환형부(32-1)의 사이에는 에폭시 레진과 같은 접착제가 제공되어 제1 환형부(31-1) 및 제2 환형부(32-1)가 서로 결합될 수 있다.
앞서 도 6을 참조하여 설명된 바와 동일하게, 리테이너 링(10-1)의 외주면(C2)과 바닥면(S11)은 라운드 형상으로 연결되어 반도체 웨이퍼(WF)의 가장 자리가 연마패드(50)로부터 이격되는 현상이 최소화될 수 있다. 따라서, 연마 장치에 의해 연마되는 반도체 웨이퍼(WF)의 면적이 최대화되어 반도체 웨이퍼(WF)의 연마 품질이 향상될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 리테이너 링 30: 환형 몸체
31: 제1 환형부 32: 제2 환형부
50: 연마 패드 60: 멤브레인
80: 캐리어 100: 연마 헤드
S11: 바닥면 40: 리세스
S1: 기저면 S2: 제1 측면
S2: 제2 측면

Claims (9)

  1. 화학적 기계적 연마장치에 장착되어 반도체 웨이퍼의 위치를 유지하는 리테이너 링(retainer ring)에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마패드와 접촉되는 바닥면을 구비하여 상기 반도체 웨이퍼를 둘러싸는 환형 몸체를 포함하고,
    상기 환형 몸체에는 외주면 및 상기 외주면보다 상기 반도체 웨이퍼에 인접한 내주면이 정의되되,
    상기 환형 몸체의 외주면과 상기 바닥면이 연결된 부분은 라운드 형상을 가지며,
    상기 환형 몸체의 내주면과 바닥면은 상호 직각을 이루며 연결되고, 상기 환형 몸체의 내주면과 바닥면의 연결부위 단면이 직각 형태의 모서리를 갖도록 형성된 , 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 환형 몸체의 일 부분이 상기 바닥면으로부터 일 깊이로 제거되어 슬러리(slurry)가 유동하는 리세스(recess)가 정의되고, 상기 바닥면은 상기 리세스에 라운드 형상으로 연결된 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 리세스는 상기 외주면을 상기 내주면에 연결하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 리세스는,
    상기 바닥면으로부터 일 깊이에 정의된 기저면, 상기 리세스의 일 측에서 상기 기저면과 상기 바닥면을 연결하는 제1 측면, 및 상기 리세스의 타 측에서 상기 기저면과 상기 바닥면을 연결하여 상기 제1 측면에 대향하는 제2 측면으로 정의되고,
    상기 제1 측면과 상기 제2 측면의 각각은 상기 바닥면에 라운드 형상으로 연결된 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 측면과 상기 제2 측면의 각각과 상기 바닥면이 연결된 부분의 곡률 반경은 1.5mm인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 환형 몸체는,
    상기 연마 패드에 접촉되어 상기 바닥면이 정의된 제1 환형부; 및
    상기 제1 환형부의 내부에 배치되어 상기 제1 환형부에 의해 둘러싸이는 제2 환형부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 환형 몸체는,
    상기 연마 패드에 접촉되어 상기 바닥면이 정의된 제1 환형부; 및
    상기 제1 환형부 위에 적층된 제2 환형부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제1 환형부의 구성물질은 플라스틱을 포함하고, 상기 제2 환형부의 구성물질은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 외주면과 상기 바닥면이 연결된 부분의 곡률 반경은 1.5mm인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치의 리테이너 링.
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