KR102478902B1 - Substrate disposition apparatus - Google Patents

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구분회
박광수
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Abstract

기판 처리장치의 일 실시예는, 제1챔버; 상기 제1챔버 내부에 배치되고, 내부에 기판이 배치되는 제2챔버; 및 상기 기판이 안착하고, 상측에 상기 제2챔버가 배치되는 안착부를 포함하고, 상기 제2챔버는, 회전가능 하도록 구비되고, 회전함에 따라 상기 제2챔버 내부를 개폐하는 상부판을 포함할 수 있다.One embodiment of the substrate processing apparatus, the first chamber; a second chamber disposed inside the first chamber and having a substrate disposed therein; and a seating portion on which the substrate is seated and the second chamber disposed thereon, wherein the second chamber may include an upper plate that is provided to be rotatable and opens and closes the inside of the second chamber as it rotates. there is.

Description

기판 처리장치{Substrate disposition apparatus}Substrate disposition apparatus {Substrate disposition apparatus}

실시예는, 이물질을 신속하고 효과적으로 클리닝 할 수 있는 구조를 가진 기판 처리장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a substrate processing apparatus having a structure capable of quickly and effectively cleaning foreign substances.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The contents described in this part simply provide background information on the embodiments and do not constitute prior art.

일반적으로 반도체 메모리 소자, 액정표시장치, 유기발광장치 등은 기판상에 복수회의 반도체 공정을 실시하여 원하는 형상의 구조물을 적층하여 제조한다.In general, a semiconductor memory device, a liquid crystal display device, an organic light emitting device, and the like are manufactured by laminating a structure having a desired shape by performing a plurality of semiconductor processes on a substrate.

반도체 제조공정은 기판상에 소정의 박막을 증착하는 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 포함한다.A semiconductor manufacturing process includes a process of depositing a predetermined thin film on a substrate, a photolithography process of exposing a selected region of the thin film, and an etching process of removing the thin film of the selected region.

이러한 반도체를 제조하는 기판 처리공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 공정챔버를 포함하는 기판 처리장치에서 진행된다.A substrate processing process for manufacturing such a semiconductor is performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in which an optimal environment is created for the corresponding process.

높은 품질의 기판을 제조하기 위해서는, 기판이 배치되는 공간에 존재하여 기판의 품질을 저하시킬 수 있는 이물질을 신속하고 효과적으로 클리닝 할 필요가 있다.In order to manufacture a high-quality substrate, it is necessary to quickly and effectively clean foreign substances that may degrade the quality of the substrate existing in a space where the substrate is disposed.

따라서, 실시예는, 이물질을 신속하고 효과적으로 클리닝 할 수 있는 구조를 가진 기판 처리장치에 관한 것이다.Accordingly, the embodiment relates to a substrate processing apparatus having a structure capable of quickly and effectively cleaning foreign substances.

실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the embodiment is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

기판 처리장치의 일 실시예는, 제1챔버; 상기 제1챔버 내부에 배치되고, 내부에 기판이 배치되는 제2챔버; 및 상기 기판이 안착하고, 상측에 상기 제2챔버가 배치되는 안착부를 포함하고, 상기 제2챔버는, 회전가능 하도록 구비되고, 회전함에 따라 상기 제2챔버 내부를 개폐하는 상부판을 포함할 수 있다.One embodiment of the substrate processing apparatus, the first chamber; a second chamber disposed inside the first chamber and having a substrate disposed therein; and a seating portion on which the substrate is seated and the second chamber disposed thereon, wherein the second chamber may include an upper plate that is provided to be rotatable and opens and closes the inside of the second chamber as it rotates. there is.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제1챔버를 관통하도록 배치되고, 상기 제1챔버 내부에 클리닝 가스를 분사하는 제1분사관; 및 상기 제1챔버와 상기 제2챔버를 관통하도록 배치되고, 상기 제2챔버 내부에 소스가스를 분사하는 제2분사관을 더 포함하는 것일 수 있다.An embodiment of the substrate processing apparatus may include a first injection pipe disposed to pass through the first chamber and spraying a cleaning gas into the first chamber; and a second injection pipe disposed to pass through the first chamber and the second chamber and to inject a source gas into the second chamber.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제2챔버를 관통하도록 배치되고, 상기 제2챔버 내부에 존재하는 가스를 배기하는 제1배기관을 더 포함하는 것일 수 있다.An embodiment of the substrate processing apparatus may further include a first exhaust pipe disposed to pass through the second chamber and exhaust gas existing in the second chamber.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제1배기관에 배치되는 압력조절 밸브를 더 포함하는 것일 수 있다.One embodiment of the substrate processing apparatus may further include a pressure control valve disposed in the first exhaust pipe.

상기 압력조절 밸브는, 상기 제2챔버 내부압력이 상기 제1챔버 내부를 형성하고 상기 제2챔버 외부를 형성하는 제1공간의 압력보다 크도록, 상기 제2챔버 내부압력을 조절하는 것일 수 있다.The pressure regulating valve may adjust the pressure inside the second chamber so that the pressure inside the second chamber is greater than the pressure in the first space forming the inside of the first chamber and the outside of the second chamber. .

상기 제1챔버를 관통하도록 배치되고, 상기 제1배기관과 연통되도록 구비되며, 상기 제1챔버 및 제2챔버 내부에 존재하는 가스를 배기하는 제2배기관을 더 포함하는 것일 수 있다.It may further include a second exhaust pipe disposed to pass through the first chamber, provided to communicate with the first exhaust pipe, and exhaust gas existing inside the first and second chambers.

상기 제2챔버는, 상기 상부판; 상기 제1배기관이 관통하는 제1측판; 상기 제2분사관이 관통하는 제2측판; 상기 제1측판과 상기 제2측판에 각각 결합하는 제3측판; 및 상기 제1측판과 상기 제2측판에 각각 결합하는 제4측판을 포함하는 것일 수 있다.The second chamber may include: the upper plate; a first side plate through which the first exhaust pipe passes; a second side plate through which the second injection pipe passes; a third side plate coupled to the first side plate and the second side plate, respectively; and a fourth side plate coupled to the first side plate and the second side plate, respectively.

상기 제2챔버는, 상기 제1측판 및 상기 제2측판은 서로 대향되도록 배치되고, 상기 제3측판 및 상기 제4측판은 서로 대향되도록 배치되는 것일 수 있다.In the second chamber, the first side plate and the second side plate may be disposed to face each other, and the third side plate and the fourth side plate may be disposed to face each other.

상기 상부판, 상기 제3측판 및 상기 제4측판은, 상기 제1측판 및 상기 제2측판에 대하여 회전하도록 구비되는 것일 수 있다.The upper plate, the third side plate, and the fourth side plate may be provided to rotate with respect to the first side plate and the second side plate.

상기 제3측판과 상기 제4측판은 회전하여 상기 제2챔버 내부를 개폐하는 것The third side plate and the fourth side plate are rotated to open and close the inside of the second chamber.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 안착부 하측에 배치되는 가열부를 더 포함하는 것일 수 있다.One embodiment of the substrate processing apparatus may further include a heating unit disposed below the seating unit.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제2챔버가 폐쇄되는 경우, 상기 제2챔버 내부압력은 상기 제1챔버 내부를 형성하고 상기 제2챔버 외부를 형성하는 제1공간의 압력보다 크게 구비되는 것일 수 있다.In one embodiment of the substrate processing apparatus, when the second chamber is closed, the pressure inside the second chamber is greater than the pressure in the first space forming the inside of the first chamber and forming the outside of the second chamber. it could be

실시예에서, 제2챔버의 상부판, 제1측판 및 제2측판이 회전하는 구조로 구비됨으로써, 상부판, 제1측판 및 제2측판을 클리닝 하는 공정과 기판에 박막을 증착 또는 성장시키는 공정이 동시에 진행될 수 있다.In an embodiment, the top plate, the first side plate, and the second side plate of the second chamber are provided in a rotating structure, so that the process of cleaning the top plate, the first side plate, and the second side plate and the process of depositing or growing a thin film on the substrate This can happen simultaneously.

이로 인해, 높은 품질의 기판을 제작함과 동시에 기판 제조공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.Due to this, there is an effect that can shorten the substrate manufacturing process time at the same time as manufacturing a high-quality substrate.

도 1은 실시예의 기판 처리장치를 나타낸 개략적인 측면 단면도이다.
도 2는 도 1에서 A-A방향으로 본 모습을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에서 B-B방향으로 본 모습을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에서 일부 구성을 제거한 모습을 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6은 실시예의 제2챔버의 작동을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic side cross-sectional view showing a substrate processing apparatus of an embodiment.
FIG. 2 is a view showing a state viewed in an AA direction in FIG. 1 .
FIG. 3 is a view showing a state viewed in the BB direction in FIG. 2 .
4 is a view showing a state in which some components are removed from FIG. 3 .
5 and 6 are views for explaining the operation of the second chamber of the embodiment.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments can apply various changes and can have various forms, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the embodiments to a specific form disclosed, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the embodiments.

"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.Terms such as "first" and "second" may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are used for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, terms specifically defined in consideration of the configuration and operation of the embodiment are only for describing the embodiment, and do not limit the scope of the embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment, in the case where it is described as being formed on "upper (above)" or "lower (on or under)" of each element, on or under (on or under) ) includes both elements formed by directly contacting each other or by indirectly placing one or more other elements between the two elements. In addition, when expressed as “up (up)” or “down (down) (on or under)”, it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element.

또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "upper/upper/upper" and "lower/lower/lower" used below do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements, It may also be used to distinguish one entity or element from another entity or element.

도 1은 실시예의 기판 처리장치를 나타낸 개략적인 측면 단면도이다. 실시예의 기판 처리장치는 지지부, 제1챔버(100), 제2챔버(200), 제1분사관(300), 제2분사관(400), 제1배기관(500), 제2배기관(600) 및 가열부(700)를 포함할 수 있다.1 is a schematic side cross-sectional view showing a substrate processing apparatus of an embodiment. The substrate processing apparatus of the embodiment includes a support unit, a first chamber 100, a second chamber 200, a first injection pipe 300, a second injection pipe 400, a first exhaust pipe 500, a second exhaust pipe 600 ) and a heating unit 700.

제1챔버(100)는 반응공간이 구비될 수 있고 상기 반응공간 내부에 제2챔버(200)가 배치될 수 있다. 제1챔버(100)는 내부에 기판(10)의 증착을 위한 상기 반응공간이 구비되는 통 형상으로 형성될 수 있다.The first chamber 100 may be provided with a reaction space, and the second chamber 200 may be disposed inside the reaction space. The first chamber 100 may be formed in a cylindrical shape having the reaction space for depositing the substrate 10 therein.

상기 제1챔버(100)는 기판(10)의 형상에 따라 다양한 형상으로 구비될 수 있다. 즉, 상기 제1챔버(100)는 상측에서 보아 그 단면이 원형, 타원형, 다각형 기타 다양한 형상으로 구비될 수 있다.The first chamber 100 may be provided in various shapes according to the shape of the substrate 10 . That is, the cross section of the first chamber 100 when viewed from the top may be provided in various shapes such as circular, elliptical, polygonal, and the like.

또한, 제1챔버(100)에는 기판(10)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(미도시)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판 출입구는 제1챔버(100)의 측벽에 기판(10)이 출입할 수 있는 정도의 크기로 구비될 수 있다.In addition, the first chamber 100 may be provided with a substrate entrance (not shown) through which the substrate 10 is drawn in and out. For example, the substrate entrance may be provided on the sidewall of the first chamber 100 with a size sufficient to allow the substrate 10 to enter and exit.

또한, 도시되지는 않았으나, 상기 기판(10)을 제1챔버(100)에 인입하거나 제1챔버(100)로부터 인출하는데 필요한 기판 로딩장치, 기판 이송장치 등이 상기 제1챔버(100) 내부 및/또는 외부에 설치될 수 있다.In addition, although not shown, a substrate loading device, a substrate transfer device, etc. required to introduce or withdraw the substrate 10 into or out of the first chamber 100 are installed inside and outside the first chamber 100. / or can be installed externally.

기판 안착부(20)는 상기 제1챔버(100) 내부 하측에 배치되고 상면에 기판(10)이 안착할 수 있다. 상기 기판 안착부(20)는 상기 제1챔버(100) 내부로 유입되는 적어도 하나의 기판(10)이 안착할 수 있다. 또한, 상기 기판 안착부(20)의 상측에는 제2챔버(200)가 장착될 수 있다.The substrate seating part 20 is disposed on the inside lower side of the first chamber 100 and the substrate 10 can be seated on the upper surface. At least one substrate 10 introduced into the first chamber 100 may be seated in the substrate seating part 20 . In addition, the second chamber 200 may be mounted on the upper side of the substrate seating part 20 .

기판 안착부(20) 하부에는 기판 안착부(20)를 상하로 이동시키는 승강장치(21)가 구비될 수 있다. 승강장치(21)는 기판 안착부(20)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙부를 지지하도록 구비되고, 기판 안착부(20) 상에 기판(10)이 안착되면 기판 안착부(20)를 제2챔버(200)와 근접하도록 이동시킬 수 있다.An elevating device 21 for moving the substrate seating portion 20 up and down may be provided below the substrate seating portion 20 . The lifting device 21 is provided to support at least one region of the substrate seating portion 20, for example, the central portion, and removes the substrate seating portion 20 when the substrate 10 is seated on the substrate seating portion 20. It can be moved to be close to the second chamber (200).

따라서, 상기 승강장치(21)가 승강하여 상기 기판 안착부(20)가 제2챔버(200)와 접촉 또는 근접하게 되면, 상기 기판 안착부(20)는 상기 제2챔버(200)의 하부를 폐쇄하고, 상기 기판(10)은 상기 제2챔버(200)의 내부공간에 배치될 수 있다.Therefore, when the lifting device 21 moves up and down and the substrate receiving part 20 comes into contact with or comes close to the second chamber 200, the substrate receiving part 20 lifts the lower part of the second chamber 200. When closed, the substrate 10 may be placed in the inner space of the second chamber 200 .

제2챔버(200)는 상기 제1챔버(100) 내부에 배치되고, 내부에 기판(10)이 배치될 수 있다. 즉, 상기한 바와 같이, 기판(10)이 안착된 상기 기판 안착부(20)가 상승하여 상기 제2챔버(200)의 하부를 폐쇄하면서, 상기 기판(10)은 제2챔버(200)의 내부에 배치될 수 있다.The second chamber 200 is disposed inside the first chamber 100, and the substrate 10 may be disposed therein. That is, as described above, while the substrate receiving portion 20 on which the substrate 10 is seated rises and closes the lower portion of the second chamber 200, the substrate 10 is moved to the second chamber 200. Can be placed inside.

상기 제2챔버(200)는 상부판(210), 제1측판(220) 내지 제4측판(250)을 구비하고, 상기 기판 안착부(20)를 포함하여 내부공간을 형성할 수 있다. 이때, 상기 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)은 회전하도록 구비될 수 있다. 이러한 제2챔버(200)의 회전하는 구조를 포함한 보다 자세한 구조는 하기에 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.The second chamber 200 may include an upper plate 210 , first side plates 220 to fourth side plates 250 , and an inner space including the substrate receiving part 20 . At this time, the upper plate 210, the third side plate 240 and the fourth side plate 250 may be provided to rotate. A more detailed structure including the rotating structure of the second chamber 200 will be described in detail with reference to the drawings below.

제1분사관(300)은 상기 제1챔버(100)를 관통하도록 배치되고, 상기 제1챔버(100) 내부에 클리닝 가스를 분사하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 실시예로 상기 기판(10)은 그래핀(graphene)이 증착 및 형성되고, 이러한 그래핀 제조를 위한 기판 처리장치에서는 예를 들어, 산소(O2)를 클리닝 가스로 사용할 수 있다.The first injection pipe 300 may be disposed to pass through the first chamber 100 and may serve to inject cleaning gas into the first chamber 100 . For example, in an embodiment, graphene is deposited and formed on the substrate 10, and oxygen (O 2 ) may be used as a cleaning gas in a substrate processing apparatus for manufacturing such graphene. .

제1분사관(300)은 일단은 외부의 클리닝가스 공급부와 연결되고, 타단은 상기 제1챔버(100) 내부에 위치하여, 클리닝가스는 상기 제1분사관(300)을 통해 제1챔버(100) 내부로 공급될 수 있다.The first injection pipe 300 has one end connected to an external cleaning gas supply unit and the other end located inside the first chamber 100, so that the cleaning gas passes through the first injection pipe 300 to the first chamber ( 100) can be supplied internally.

제1챔버(100) 내부로 공급된 클리닝가스는 제1챔버(100) 내부에 존재하는 기판 처리공정 중 발생하는 부산물, 잔류 소스물질 기타 이물질 등을 제2배기관(600)을 통해 제1챔버(100) 외부로 내보내는 역할을 할 수 있다.The cleaning gas supplied into the first chamber 100 removes by-products, residual source materials and other foreign substances generated during the substrate processing process inside the first chamber 100 through the second exhaust pipe 600 to the first chamber ( 100) It can play a role in exporting to the outside.

제2분사관(400)은 상기 제1챔버(100)와 상기 제2챔버(200)를 관통하도록 배치되고, 상기 제2챔버(200) 내부에 소스가스를 분사하는 역할을 할 수 있다. 상기 소스가스는 기판 처리공정에 필요한 기판(10)의 증착물질, 식각물질 등의 소스물질을 포함할 수 있다.The second injection pipe 400 is disposed to pass through the first chamber 100 and the second chamber 200 and may serve to inject source gas into the second chamber 200 . The source gas may include a source material such as a deposition material and an etching material of the substrate 10 necessary for a substrate treatment process.

예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제2분사관(400)은 제1챔버(100)의 측벽과 제2챔버(200)의 제2측판(230)을 관통하여 제1챔버(100)의 외부와 제2챔버(200) 내부를 서로 연통시키도록 구비될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1 , the second injection pipe 400 passes through the sidewall of the first chamber 100 and the second side plate 230 of the second chamber 200 to pass through the first chamber ( 100) and the inside of the second chamber 200 may be provided to communicate with each other.

이때, 예를 들어, 실시예로 그래핀 제조를 위한 기판 처리장치인 경우, 상기 소스가스는 메탄(CH4)를 포함할 수 있다. 제2분사관(400)은 일단은 외부의 소스가스 공급부와 연결되고, 타단은 상기 제2챔버(200) 내부에 위치하여, 소스가스는 제2분사관(400)을 통해 제2챔버(200) 내부로 공급될 수 있다.In this case, for example, in the case of a substrate processing apparatus for producing graphene as an example, the source gas may include methane (CH 4 ) . The second injection pipe 400 has one end connected to an external source gas supply unit and the other end located inside the second chamber 200, so that the source gas passes through the second injection pipe 400 to the second chamber 200. ) can be supplied internally.

제2챔버(200) 내부로 공급된 소스가스는 제2챔버(200) 내부에 배치되는 기판(10)에 분사되어 기판 처리공정이 진행될 수 있다. 실시예의 기판 처리장치가 그래핀을 제조하는 경우, 제2챔버(200) 내부로 공급된 메탄은 고열에 의해 분해되고, 메탄에 함유된 탄소(C)는 상기 기판(10)에 증착되어 그래핀이 되고, 상기 그래핀은 계속적으로 성장하여 그래핀 필름이 될 수 있다.The source gas supplied into the second chamber 200 may be sprayed onto the substrate 10 disposed inside the second chamber 200 so that a substrate treatment process may be performed. When the substrate processing apparatus of the embodiment produces graphene, methane supplied into the second chamber 200 is decomposed by high heat, and carbon (C) contained in the methane is deposited on the substrate 10 to form graphene. Then, the graphene may continuously grow to become a graphene film.

제1배기관(500)은 상기 제2챔버(200)를 관통하도록 배치되고, 상기 제2챔버(200) 내부에 존재하는 가스를 제2챔버(200) 외부로 배기하는 역할을 할 수 있다. 상기 제2챔버(200)를 통해 외부로 배기되는 가스는 예를 들어, 소스가스 중 기판 처리에 사용되지 않은 가스, 메탄으로부터 분해되었으나 기판 처리에 사용되지 않은 가스 등이 있다.The first exhaust pipe 500 is disposed to pass through the second chamber 200 and may serve to exhaust gas existing inside the second chamber 200 to the outside of the second chamber 200 . The gas exhausted to the outside through the second chamber 200 includes, for example, a gas not used for substrate processing among source gases, a gas decomposed from methane but not used for substrate processing, and the like.

제1배기관(500)은 일단은 상기 제2챔버(200) 내부와 연통되고, 타단은 제2배기관(600)과 연통될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1배기관(500)의 일단은 제1측판(220)을 관통하여 상기 제2챔버(200)의 내부와 연통될 수 있다.The first exhaust pipe 500 may have one end in communication with the inside of the second chamber 200 and the other end in communication with the second exhaust pipe 600 . For example, as shown in FIG. 1 , one end of the first exhaust pipe 500 may pass through the first side plate 220 and communicate with the inside of the second chamber 200 .

따라서, 상기 제2챔버(200)에 존재하는 가스는 상기 제1배기관(500)과 제2배기관(600)을 통해 제1챔버(100) 외부로 배기될 수 있다.Thus, the gas existing in the second chamber 200 can be exhausted to the outside of the first chamber 100 through the first exhaust pipe 500 and the second exhaust pipe 600 .

상기 제1배기관(500)에는 압력조절 밸브(510)가 구비될 수 있다. 상기 압력조절 밸브(510)는 상기 제1배기관(500)을 통해 제2챔버(200) 외부로 배기되는 가스의 배기량을 조절할 수 있고, 상기 제2챔버(200) 내부의 압력을 조절하는 역할을 할 수 있다.A pressure control valve 510 may be provided in the first exhaust pipe 500 . The pressure control valve 510 can control the exhaust amount of gas exhausted to the outside of the second chamber 200 through the first exhaust pipe 500 and serves to control the pressure inside the second chamber 200. can do.

한편, 기판 처리공정 중에는 상기 제2챔버(200)가 폐쇄될 수 있다. 상기 제2챔버(200)가 폐쇄되는 경우, 상기 제2챔버(200) 내부압력은 상기 제1챔버(100) 내부를 형성하고 상기 제2챔버(200) 외부를 형성하는 제1공간(S)의 압력보다 크게 구비될 수 있다.Meanwhile, during the substrate processing process, the second chamber 200 may be closed. When the second chamber 200 is closed, the pressure inside the second chamber 200 is applied to the first space S forming the inside of the first chamber 100 and the outside of the second chamber 200 It may be provided greater than the pressure of.

즉, 상기 제2챔버(200) 내부압력이 제1공간(S)의 압력보다 크도록 하여 제1공간(S)에 존재하는 클리닝 가스, 기타 이물질이 제2챔버(200) 내부로 유입되는 것을 억제하는 것이 적절하다. That is, the internal pressure of the second chamber 200 is greater than the pressure of the first space S, so that the cleaning gas and other foreign substances present in the first space S are prevented from flowing into the second chamber 200. It is appropriate to suppress

기판 제조공정이 진행되는 동안 상기 제2챔버(200)의 내부는 폐쇄되지만 완전히 밀폐되지는 않으므로, 상기 제2챔버(200)에 발생하는 틈새를 통해 제1공간(S)에 존재하는 물질이 제2챔버(200) 내부로 유입될 수 있다. 이러한 경우, 제1공간(S)에 존재하는 클리닝 가스, 기타 이물질은 제조되는 기판(10)의 품질을 저하시킬 우려가 있기 때문이다.While the substrate manufacturing process is in progress, the inside of the second chamber 200 is closed but not completely sealed. It may be introduced into the second chamber 200. This is because, in this case, the cleaning gas and other foreign substances present in the first space S may deteriorate the quality of the substrate 10 to be manufactured.

이러한 압력조절은 압력조절 밸브(510)가 담당할 수 있다. 즉, 상기 압력조절 밸브(510)는 상기 제1배기관(500)을 통해 배기되는 제2챔버(200) 내부에 존재하는 가스의 배기량, 압력을 조절하여, 제2챔버(200) 내부압력이 제1공간(S)의 압력보다 크게 유지되도록 할 수 있다.The pressure control valve 510 may be in charge of such pressure control. That is, the pressure control valve 510 adjusts the exhaust amount and pressure of the gas existing inside the second chamber 200 exhausted through the first exhaust pipe 500 so that the internal pressure of the second chamber 200 is controlled. It can be maintained higher than the pressure of 1 space (S).

다른 실시예로, 클리닝 가스의 제1공간(S) 유입량보다 소스가스의 제2챔버(200) 유입량을 크게 하여 제2챔버(200) 내부압력이 제1공간(S)의 압력보다 크게 유지되도록 할 수 있다.In another embodiment, the inflow amount of the source gas into the second chamber 200 is greater than the inflow amount of the cleaning gas into the first space S, so that the internal pressure of the second chamber 200 is maintained higher than the pressure in the first space S. can do.

또 다른 실시예로, 제1분사관(300)과 제2분사관(400)의 단위면적당 유량이 동일한 경우, 제2분사관(400)의 직경을 제1분사관(300)의 직경보다 크게 형성하여, 제2챔버(200) 내부압력이 제1공간(S)의 압력보다 크게 유지되도록 할 수 있다.In another embodiment, when the flow rates per unit area of the first injection pipe 300 and the second injection pipe 400 are the same, the diameter of the second injection pipe 400 is greater than that of the first injection pipe 300. By forming, the internal pressure of the second chamber 200 can be maintained higher than the pressure in the first space (S).

제2배기관(600)은 상기 제1챔버(100)를 관통하도록 배치되고, 상기 제1배기관(500)과 연통되도록 구비되며, 상기 제1챔버(100) 및 제2챔버(200) 내부에 존재하는 가스를 배기하는 역할을 할 수 있다.The second exhaust pipe 600 is disposed to pass through the first chamber 100, is provided to communicate with the first exhaust pipe 500, and exists inside the first chamber 100 and the second chamber 200. It can play a role in exhausting the gas that does.

이때, 제2배기관(600)을 통해 제1챔버(100) 외부로 배기되는 가스는 제2챔버(200)로부터 배기되는 가스, 제1챔버(100)로부터 배기되는 클리닝 가스와 기타 이물질 등을 포함하는 가스일 수 있다.At this time, the gas exhausted to the outside of the first chamber 100 through the second exhaust pipe 600 includes gas exhausted from the second chamber 200, cleaning gas exhausted from the first chamber 100, and other foreign substances. It may be a gas that

예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2배기관(600)은 제1챔버(100)의 측벽을 관통하여 배치되고, 일단은 상기 제1공간(S)에 배치되고, 타단은 제1챔버(100) 외부에 배치될 수 있고, 제1배관은 상기 제2배관과 연통될 수 있다. 따라서, 제1챔버(100) 및 제2챔버(200) 내부에 존재하는 가스는 제2배관을 통해 제1챔버(100) 외부로 배기될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the second exhaust pipe 600 is disposed through the sidewall of the first chamber 100, one end is disposed in the first space (S), and the other end is disposed in the first space (S). It may be disposed outside the chamber 100, and the first pipe may communicate with the second pipe. Accordingly, the gas existing inside the first chamber 100 and the second chamber 200 may be exhausted to the outside of the first chamber 100 through the second pipe.

가열부(700)는 상기 기판 안착부(20)의 하측에 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 상기 가열부(700)는 상기 기판 안착부(20)의 내부 또는 하측 표면에 배치될 수도 있다.The heating unit 700 may be disposed below the substrate mounting unit 20 . However, the present invention is not limited thereto, and the heating part 700 may be disposed inside or on the lower surface of the substrate receiving part 20 .

가열부(700)는 특히, 상기 기판(10)과 상기 제2챔버(200)의 내부를 가열하여 기판 처리공정이 진행될 수 있는 높은 온도를 제공할 수 있다. 상기 가열부(700)는 전기저항식, 유도가열식 기타 다양한 방식의 가열장치로 구비될 수 있다.In particular, the heating unit 700 may heat the inside of the substrate 10 and the second chamber 200 to provide a high temperature at which the substrate processing process may proceed. The heating unit 700 may be provided with a heating device of an electric resistance type, an induction heating type, and other various types.

한편, 상기 제2챔버(200)의 내부에서 발생하는 반응 부산물, 이물질 등은 상기 제2챔버(200)의 내측 표면 즉, 상부판(210) 각 측판들에 부착될 수 있다. 이러한 부착물들은 일부가 상기 기판(10)에 내려앉아 제조되는 기판(10)에 함유되고, 이는 제품의 품질을 저하시키거나 품질불량을 초래할 수 있다.Meanwhile, reaction by-products and foreign substances generated inside the second chamber 200 may adhere to the inner surface of the second chamber 200 , that is, to each side plate of the upper plate 210 . Some of these attachments fall on the substrate 10 and are contained in the manufactured substrate 10, which may deteriorate the quality of the product or cause poor quality.

따라서, 상기 제2챔버(200) 내측 표면에 부착되는 부착물들은 제거될 필요가 있다. 만약, 제2챔버(200)의 각 측판과 상부판(210)이 개별적으로 개폐되는 구조가 아닌 경우, 부착물 제거공정은 다음과 같은 절차에 따라 제거될 수 있다.Therefore, the attachments attached to the inner surface of the second chamber 200 need to be removed. If each side plate and the top plate 210 of the second chamber 200 are not individually opened and closed, the attachment removal process may be removed according to the following procedure.

먼저, 제2챔버(200)의 상기 부착물 제거를 위해, 기판 제조공정을 중단하고, 각 챔버에 클리닝 가스와 소스가스의 공급을 중단한다. 다음으로, 기판 안착부(20)를 하강시켜 제2챔버(200)를 개방하고, 상기 제2챔버(200)의 부착물을 제거한다.First, in order to remove the deposit on the second chamber 200, the substrate manufacturing process is stopped, and the supply of cleaning gas and source gas to each chamber is stopped. Next, the substrate seating part 20 is lowered to open the second chamber 200 and the deposits on the second chamber 200 are removed.

부착물의 제거가 완료되면, 다음으로, 상기한 각 공정들을 역으로 진행하여 다시 기판 제조공정을 진행한다.When the removal of the deposit is completed, the substrate manufacturing process is performed again by reversing each of the above processes.

즉, 제2챔버(200)의 부착물 제거를 위해 적어도 기판(10)에 예를 들어 그래핀을 생성 또는 성장시키는 공정이 중단될 수밖에 없다. 이러한 제2챔버(200)의 부착물 제거공정은 많은 시간과 비용의 낭비를 초래할 수 있다.That is, the process of generating or growing graphene, for example, on at least the substrate 10 in order to remove the deposits of the second chamber 200 has no choice but to be stopped. This process of removing deposits from the second chamber 200 may result in a lot of time and money being wasted.

따라서, 기판 처리공정의 시간과 비용을 절약하기 위해 기판 제조공정과 제2챔버(200)의 부착물 제거공정을 동시에 수행할 수 있는 본 실시예에 따른 구조를 이하에서 상세히 설명한다.Therefore, in order to save time and cost of the substrate processing process, a structure according to the present embodiment capable of simultaneously performing the substrate manufacturing process and the deposit removal process of the second chamber 200 will be described in detail below.

도 2는 도 1에서 A-A방향으로 본 모습을 나타낸 도면이다. 도 3은 도 2에서 B-B방향으로 본 모습을 나타낸 도면이다. 도 4는 도 3에서 일부 구성을 제거한 모습을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a view showing a state seen in the direction A-A in FIG. 1 . FIG. 3 is a view showing a state viewed in the B-B direction in FIG. 2; 4 is a view showing a state in which some components are removed from FIG. 3 .

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 실시예에서 제2챔버(200)는 상부판(210), 제1측판(220), 제2측판(230), 제3측판(240) 및 제4측판(250)을 포함할 수 있다.2 to 4, in the embodiment, the second chamber 200 includes a top plate 210, a first side plate 220, a second side plate 230, a third side plate 240 and a fourth A side plate 250 may be included.

상부판(210)은 기판(10) 및 기판 안착부(20)와 상하방향으로 대향되도록 배치될 수 있다. 이때, 상기 상부판(210)은 양측에 돌출형성되는 제1회전축(211)이 상기 제1측판(220)과 제2측판(230)에 형성되는 관통구에 삽입되고, 따라서 상기 상부판(210)은 제1측판(220)과 제2측판(230)에 결합할 수 있다.The upper plate 210 may be disposed to face the substrate 10 and the substrate mounting portion 20 in a vertical direction. At this time, the upper plate 210 is inserted into the through-holes formed in the first side plate 220 and the second side plate 230, the first rotary shaft 211 protruding from both sides, and thus the top plate 210 ) may be coupled to the first side plate 220 and the second side plate 230.

제1측판(220)에는 상기 제1배기관(500)이 관통하여 배치될 수 있다. 제2측판(230)에는 제2분사관(400)이 관통하여 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1측판(220)과 제2측판(230)은 서로 대향하여 배치될 수 있다.The first exhaust pipe 500 may be disposed through the first side plate 220 . The second injection pipe 400 may be disposed through the second side plate 230 . At this time, the first side plate 220 and the second side plate 230 may be disposed to face each other.

제3측판(240)은 상기 제1측판(220)과 상기 제2측판(230)에 각각 결합할 수 있다. 결합을 위해, 상기 제3측판(240)은 양측에 돌출형성되는 제2회전축(241)이 상기 제1측판(220)과 제2측판(230)에 형성되는 관통구에 삽입될 수 있다.The third side plate 240 may be coupled to the first side plate 220 and the second side plate 230 , respectively. For coupling, the third side plate 240 may be inserted into through-holes formed in the first side plate 220 and the second side plate 230 through which the second rotary shaft 241 protrudes from both sides.

제4측판(250)은 상기 제1측판(220)과 상기 제2측판(230)에 각각 결합할 수 있다. 결합을 위해, 상기 제4측판(250)은 양측에 돌출형성되는 제3회전축(251)이 상기 제1측판(220)과 제2측판(230)에 형성되는 관통구에 삽입될 수 있다.The fourth side plate 250 may be coupled to the first side plate 220 and the second side plate 230 , respectively. For coupling, the fourth side plate 250 may be inserted into through-holes formed in the first side plate 220 and the second side plate 230 through which the third rotary shaft 251 protrudes from both sides.

상기 제1측판(220) 및 상기 제2측판(230)은 서로 대향되도록 배치되고, 또한 상기 제3측판(240) 및 상기 제4측판(250)은 서로 대향되도록 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1측판(220) 및 상기 제2측판(230)과, 상기 제3측판(240) 및 상기 제4측판(250)은 서로 대략 수직이 되도록 배치될 수 있다.The first side plate 220 and the second side plate 230 may be disposed to face each other, and the third side plate 240 and the fourth side plate 250 may be disposed to face each other. In this case, the first side plate 220 and the second side plate 230, the third side plate 240 and the fourth side plate 250 may be disposed to be substantially perpendicular to each other.

상기 상부판(210)은 회전가능 하도록 구비되고, 회전함에 따라 상기 제2챔버(200) 내부를 개폐할 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부판(210)은 상기 제1회전축(211)을 중심으로 상기 제1측판(220) 및 상기 제2측판(230)에 대하여 회전하도록 구비될 수 있다.The upper plate 210 is provided to be rotatable, and can open and close the inside of the second chamber 200 as it rotates. That is, as shown in FIG. 4 , the top plate 210 may be provided to rotate with respect to the first side plate 220 and the second side plate 230 around the first rotation shaft 211 .

또한, 상기 제3측판(240) 및 상기 제4측판(250)은 상기 제2챔버(200)에 대하여 회전가능 하도록 구비되고, 상기 제2챔버(200) 내부를 개폐할 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 제3측판(240)은 상기 제2회전축(241)을 중심으로, 제4측판(250)은 상기 제3회전축(251)을 중심으로, 각각 상기 제1측판(220) 및 상기 제2측판(230)에 대하여 회전하도록 구비될 수 있다.In addition, the third side plate 240 and the fourth side plate 250 are provided to be rotatable with respect to the second chamber 200 and can open and close the inside of the second chamber 200 . That is, as shown in FIG. 4 , the third side plate 240 is centered around the second rotation axis 241 and the fourth side plate 250 is centered around the third rotation axis 251, respectively. It may be provided to rotate with respect to the side plate 220 and the second side plate 230 .

즉, 상기 상부판(210), 제3측판(240) 및 상기 제4측판(250)은 회전하여 사기 제2챔버(200) 내부를 개폐할 수 있다. 한편, 도시하지 않았으나, 상기 상부판(210), 제3측판(240) 및 상기 제4측판(250)의 회전을 위한 구동장치, 상기 구동장치의 제어장치 등이 상기 제1챔버(100) 내부 및/또는 외부에 구비될 수 있다.That is, the upper plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250 can rotate to open and close the inside of the second chamber 200. Meanwhile, although not shown, driving devices for rotating the top plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250, a control device of the driving device, and the like are inside the first chamber 100. And / or may be provided externally.

이하에서는 상기 상부판(210), 제3측판(240) 및 상기 제4측판(250)의 작동에 의한 제2챔버(200) 내벽에 부착된 부착물을 클리닝하는 과정을 구체적으로 설명한다. 간명한 설명을 위해 그래핀을 제조하는 기판 처리장치를 예를 들어 설명한다.Hereinafter, a process of cleaning deposits attached to the inner wall of the second chamber 200 by the operation of the upper plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250 will be described in detail. For concise description, a substrate processing apparatus for manufacturing graphene will be described as an example.

다시 도 1을 참조하면, 그래핀을 제조하기 위한 소스물질인 메탄을 포함하는 소스가스는 제2분사관(400)을 통해 제2챔버(200)로 유입될 수 있다. 제2챔버(200)로 유입된 메탄은 분해되고, 메탄에 분해되어 나온 탄소는 상기 기판(10)에 증착되어 그래핀을 형성할 수 있다.Referring back to FIG. 1 , a source gas containing methane, which is a source material for producing graphene, may flow into the second chamber 200 through the second injection pipe 400 . Methane introduced into the second chamber 200 is decomposed, and carbon decomposed into methane is deposited on the substrate 10 to form graphene.

그러나, 상기 탄소 중 일부는 제2챔버(200) 내벽에 흡착될 수 있고, 상기한 바와 같이, 이러한 탄소 흡착물, 예를 들어 검댕(soot), 은 기판(10)에 내려앉아 그래핀의 품질을 저하시키거나, 제품불량을 초래할 수 있다.However, some of the carbon may be adsorbed on the inner wall of the second chamber 200, and as described above, such carbon adsorbed material, for example, soot, settles on the silver substrate 10, thereby reducing the quality of graphene. may deteriorate or cause product defects.

도 1을 참조하면, 제2분사관(400)의 출구는 제2측판(230)과 반대방향으로 향하고, 따라서 소스가스는 직접 제2측판(230)을 향하여 분출되지 않는다. 또한, 제2분사관(400)의 출구를 제2측판(230)으로부터 적절히 돌출시켜 소스가스가 분해되어 탄소가 발생하는 영역을 제2측판(230)의 내벽으로부터 이격시킬 수도 있다.Referring to FIG. 1 , the outlet of the second injection pipe 400 is directed in the opposite direction to the second side plate 230 , and thus the source gas is not directly ejected toward the second side plate 230 . In addition, the outlet of the second injection pipe 400 may be appropriately protruded from the second side plate 230 so that a region where carbon is generated by decomposing the source gas may be spaced apart from the inner wall of the second side plate 230 .

이러한 구조로 인해, 상기 탄소 흡착물은, 상기 제2측판(230)에 흡착되지 않거나, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 비해 제2측판(230)에서 비교적 작은 양이 발생할 수 있다.Due to this structure, the carbon adsorbate is not adsorbed on the second side plate 230, or the second side plate 230 is not absorbed compared to the upper plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250. may occur in relatively small amounts.

또한, 탄소는 제2측판(230)에서 제1측판(220) 방향으로 유동하면서 대부분이 기판(10)에 증착되거나, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 흡착될 수 있다. 따라서, 상기 탄소 흡착물은, 상기 제1측판(220)에 흡착되지 않거나, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 비해 제1측판(220)에서 비교적 작은 양이 발생할 수 있다.In addition, most of the carbon is deposited on the substrate 10 while flowing from the second side plate 230 to the first side plate 220, or the upper plate 210, the third side plate 240 and the fourth side plate 250 can be adsorbed on Therefore, the carbon adsorbate is not adsorbed on the first side plate 220 or is relatively small on the first side plate 220 compared to the top plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250. quantity can occur.

따라서, 탄소 흡착물은 실시예의 제2챔버(200) 내부에서 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 주로 흡착될 수 있다. 따라서, 실시예에서는 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 흡착되는 탄소 흡착물을 제거함으로써, 상기 제2챔버(200) 내벽을 효과적으로 클리닝할 수 있다.Accordingly, the carbon adsorbate may be mainly adsorbed on the upper plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250 inside the second chamber 200 according to the embodiment. Accordingly, in the embodiment, the inner wall of the second chamber 200 can be effectively cleaned by removing the carbon adsorbate adsorbed on the upper plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250.

도 5 및 도 6은 실시예의 제2챔버(200)의 작동을 설명하기 위한 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 그래핀 제조공정이 계속적으로 진행되는 경우, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 탄소 흡착물이 흡착될 수 있다.5 and 6 are views for explaining the operation of the second chamber 200 of the embodiment. As shown in FIG. 5 , when the graphene manufacturing process continues, carbon adsorbates may be adsorbed on the upper plate 210 , the third side plate 240 and the fourth side plate 250 .

도 5의 경우, 그래핀 제조공정이 진행되는 상태이고, 이때, 제2챔버(200) 내부압력이 제1공간(S)의 압력보다 높게 유지될 수 있다.In the case of FIG. 5 , the graphene manufacturing process is in progress, and at this time, the internal pressure of the second chamber 200 may be maintained higher than the pressure of the first space (S).

제2챔버(200)에서 탄소 흡착물을 클리닝 하기 위해, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)을 제1측판(220) 및 제2측판(230)에 대하여 회전시켜, 도 6에 도시된 바와 같이, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)의 내벽을 제1공간(S)으로 노출시킬 수 있다.In order to clean the carbon adsorbate in the second chamber 200, the upper plate 210, the third side plate 240 and the fourth side plate 250 are applied relative to the first side plate 220 and the second side plate 230. By rotating, as shown in FIG. 6 , inner walls of the upper plate 210 , the third side plate 240 and the fourth side plate 250 may be exposed to the first space S.

이때, 제2챔버(200) 내부압력이 제1공간(S)의 압력보다 높은 상태가 유지되거나, 이러한 압력상태가 해제되는 시간을 최소화하도록, 상기 상부판(210), 제1측판(220) 및 제2측판(230)을 순간적으로 회전시키는 것이 적절할 수 있다.At this time, the upper plate 210 and the first side plate 220 maintain a state in which the internal pressure of the second chamber 200 is higher than the pressure in the first space S, or minimize the time during which this pressure state is released. And it may be appropriate to rotate the second side plate 230 instantaneously.

도 5에 도시된 바와 같은 상태에서, 제1공간(S)으로 유입되는 클리닝 가스는 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 부착된 탄소 부착물을 제거할 수 있다. 이러한 클리닝 공정이 진행되는 경우에도 기판(10)에 그래핀이 증착 및 성장하는 공정은 계속 진행될 수 있다.In the state shown in FIG. 5, the cleaning gas flowing into the first space S can remove carbon deposits attached to the top plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250. there is. Even when such a cleaning process is performed, the process of depositing and growing graphene on the substrate 10 may continue.

상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 부착된 탄소 부착물 제거가 완료된 후, 다시 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)을 제1측판(220) 및 제2측판(230)에 대하여 회전시켜 원래의 상태로 되돌아갈 수 있다.After the carbon deposits attached to the top plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250 are removed, the top plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250 are removed again. By rotating with respect to the first side plate 220 and the second side plate 230 can be returned to the original state.

이때에도, 제2챔버(200) 내부압력이 제1공간(S)의 압력보다 높은 상태가 유지되거나, 이러한 압력상태가 해제되는 시간을 최소화하도록, 상기 상부판(210), 제1측판(220) 및 제2측판(230)을 순간적으로 회전시키는 것이 적절할 수 있다.Even at this time, the upper plate 210 and the first side plate 220 minimize the time when the internal pressure of the second chamber 200 is maintained higher than the pressure in the first space (S) or when this pressure state is released. ) and momentarily rotating the second side plate 230 may be appropriate.

한편, 도 6의 상태에서, 상부판(210), 제1측판(220) 및 제2측판(230) 중 제2챔버(200)의 내벽이 되는 부위는 깨끗한 상태이다. 따라서, 이러한 부위들에 다시 탄소 흡착물이 과도하게 흡착되어 다시 클리닝을 진행할 필요가 있을 경우, 상부판(210), 제1측판(220) 및 제2측판(230)을 다시 회전시키는 것이 적절하다.Meanwhile, in the state of FIG. 6 , the inner wall of the second chamber 200 among the top plate 210, the first side plate 220, and the second side plate 230 is clean. Therefore, if the carbon adsorbate is excessively adsorbed on these areas again and cleaning needs to be performed again, it is appropriate to rotate the top plate 210, the first side plate 220, and the second side plate 230 again. .

따라서, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)에 부착된 탄소 부착물 제거가 완료된 후, 곧바로 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)을 제1측판(220)을 다시 회전시켜 원래의 상태로 되돌아갈 필요는 없다.Therefore, immediately after the carbon deposits attached to the top plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250 are removed, the top plate 210, the third side plate 240, and the fourth side plate 250 ) does not need to return to its original state by rotating the first side plate 220 again.

실시예에서, 상기한 방식으로, 상부판(210), 제3측판(240) 및 제4측판(250)의 양면을 모두 제2챔버(200)의 내측부위로 사용하여 제2챔버(200)의 클리닝 횟수, 시간을 줄여 더욱 효과적으로 그래핀 제조공정을 진행할 수 있다.In the embodiment, both sides of the top plate 210, the third side plate 240 and the fourth side plate 250 are used as the inner portion of the second chamber 200 in the above manner, so that the second chamber 200 is formed. By reducing the number of cleaning times and time, the graphene manufacturing process can be performed more effectively.

실시예에서, 제2챔버(200)의 상부판(210), 제1측판(220) 및 제2측판(230)이 회전하는 구조로 구비됨으로써, 상부판(210), 제1측판(220) 및 제2측판(230)을 클리닝 하는 공정과 기판(10)에 박막을 증착 또는 성장시키는 공정이 동시에 진행될 수 있다.In the embodiment, the top plate 210, the first side plate 220, and the second side plate 230 of the second chamber 200 are provided in a rotating structure, so that the top plate 210 and the first side plate 220 A process of cleaning the second side plate 230 and a process of depositing or growing a thin film on the substrate 10 may be performed simultaneously.

이로 인해, 높은 품질의 기판(10)을 제작함과 동시에 기판 제조공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.Due to this, there is an effect of shortening the substrate manufacturing process time while manufacturing the substrate 10 of high quality.

실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.Although only a few have been described as described above in relation to the embodiments, various other forms of implementation are possible. The technical contents of the above-described embodiments may be combined in various forms unless they are incompatible with each other, and through this, may be implemented in a new embodiment.

100: 제1챔버
200: 제2챔버
210: 상부판
220: 제1측판
230: 제2측판
240: 제3측판
250: 제4측판
300: 제1분사관
400: 제2분사관
500: 제1배기관
510: 압력조절 밸브
600: 제2배기관
700: 가열부100: first chamber
200: second chamber
210: top plate
220: first side plate
230: second side plate
240: third side plate
250: fourth side plate
300: first injection pipe
400: second injection pipe
500: first exhaust pipe
510: pressure control valve
600: second exhaust pipe
700: heating unit

Claims (12)

제1챔버;
상기 제1챔버 내부의 제1공간(S)에 배치되는 제2챔버; 및
기판이 안착하고, 상측에 상기 제2챔버가 배치되는 안착부
를 포함하고,
상기 제2챔버는,
상기 기판 및 상기 안착부와 상하방향으로 대향되도록 배치되는 상부판과 복수의 측판을 구비하고,
상기 상부판과 상기 복수의 측판과 상기 안착부를 포함하여 내부공간을 형성하며,
상기 상부판은 회전가능 하도록 구비되고, 회전함에 따라 상기 제2챔버 내부를 개폐하는 상부판을 포함하는 기판 처리장치.a first chamber;
a second chamber disposed in the first space (S) inside the first chamber; and
A seating portion in which a substrate is seated and the second chamber is disposed on the upper side
including,
The second chamber,
An upper plate and a plurality of side plates disposed to face the substrate and the mounting portion in a vertical direction,
Forming an inner space including the upper plate, the plurality of side plates, and the seating part,
The upper plate is provided to be rotatable and includes an upper plate that opens and closes the inside of the second chamber as it rotates. 제1항에 있어서,
상기 제1챔버를 관통하도록 배치되고, 상기 제1챔버 내부에 클리닝 가스를 분사하는 제1분사관; 및
상기 제2챔버 내부에 소스가스를 분사하는 제2분사관
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.According to claim 1,
a first injection pipe disposed to pass through the first chamber and to spray a cleaning gas into the first chamber; and
A second injection pipe for injecting source gas into the second chamber
Substrate processing apparatus further comprising a. 제2항에 있어서,
상기 제2챔버 내부에 존재하는 가스를 배기하는 제1배기관; 및
상기 제1챔버 내부의 상기 제1공간(S)을 배기하는 제2배기관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.According to claim 2,
a first exhaust pipe for exhausting gas present in the second chamber; and
The substrate processing apparatus further comprising a second exhaust pipe for exhausting the first space (S) inside the first chamber. 제3항에 있어서,
상기 제1배기관에 배치되는 압력조절 밸브를 더 포함하고,
상기 압력조절밸브는 상기 제2챔버 내부 압력이 상기 제1공간의 압력보다 크도록 상기 제2챔버의 내부압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.According to claim 3,
Further comprising a pressure control valve disposed in the first exhaust pipe,
The pressure regulating valve controls the internal pressure of the second chamber so that the internal pressure of the second chamber is greater than the pressure of the first space. 제2항에 있어서,
상기 제1공간(S)으로 유입되는 클리닝 가스는 상기 상부판과 상기 복수의 측판에 부착된 부착물을 제거하는 클리닝 공정을 진행하고,
상기 제2챔버의 내부에 분사되는 소스가스는 상기 기판을 처리하는 기판 처리공정을 진행하며,
상기 클리닝 공정이 진행되는 경우에도 상기 기판 처리공정이 계속 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.According to claim 2,
The cleaning gas flowing into the first space (S) performs a cleaning process of removing deposits attached to the upper plate and the plurality of side plates,
The source gas injected into the second chamber proceeds with a substrate processing process for processing the substrate,
The substrate processing apparatus, characterized in that the substrate processing process continues even when the cleaning process proceeds. 제5항에 있어서,
상기 제2챔버의 내벽에 흡착된 흡착물을 클리닝하기 위해 상기 상부판을 회전시켜 상기 상부판의 내벽을 상기 제1공간(S)으로 노출시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.According to claim 5,
The substrate processing apparatus characterized in that exposing the inner wall of the upper plate to the first space (S) by rotating the upper plate in order to clean the adsorbed material adsorbed on the inner wall of the second chamber. 제1항에 있어서,
상기 복수의 측판은 제1측판과 제2측판과 제3측판과 제4측판을 포함하고,
상기 상부판, 상기 제3측판 및 상기 제4측판은,
상기 제1측판 및 상기 제2측판에 대하여 회전하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.According to claim 1,
The plurality of side plates include a first side plate, a second side plate, a third side plate, and a fourth side plate,
The upper plate, the third side plate and the fourth side plate,
A substrate processing apparatus characterized in that provided to rotate with respect to the first side plate and the second side plate. 제1항에 있어서,
상기 제2챔버가 폐쇄되는 경우, 상기 제2챔버 내부압력은 상기 제1공간(S)의 압력보다 크게 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.According to claim 1,
When the second chamber is closed, the substrate processing apparatus, characterized in that the pressure inside the second chamber is greater than the pressure in the first space (S). 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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