KR102451366B1 - 좁은 녹색 발광을 갖는 인광체 - Google Patents

좁은 녹색 발광을 갖는 인광체 Download PDF

Info

Publication number
KR102451366B1
KR102451366B1 KR1020197034174A KR20197034174A KR102451366B1 KR 102451366 B1 KR102451366 B1 KR 102451366B1 KR 1020197034174 A KR1020197034174 A KR 1020197034174A KR 20197034174 A KR20197034174 A KR 20197034174A KR 102451366 B1 KR102451366 B1 KR 102451366B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
sample
hours
composition according
eual
Prior art date
Application number
KR1020197034174A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190137162A (ko
Inventor
에반 토마스
크리스틴 바로우디
용복 고
로버트 노젤
조나단 멜만
Original Assignee
커런트 라이팅 솔루션즈, 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 커런트 라이팅 솔루션즈, 엘엘씨 filed Critical 커런트 라이팅 솔루션즈, 엘엘씨
Publication of KR20190137162A publication Critical patent/KR20190137162A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102451366B1 publication Critical patent/KR102451366B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/30—Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00—Compounds of aluminium
    • C01F7/68—Aluminium compounds containing sulfur
    • C01F7/74—Sulfates
    • C01F7/76—Double salts, i.e. compounds containing, besides aluminium and sulfate ions, only other cations, e.g. alums
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7701—Chalogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7784—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/886—Chalcogenides with rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N2021/6417—Spectrofluorimetric devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 조성물은 화학식 REM2+xEy를 특징으로 하며, 상기 화학식에서 RE는 하나 이상의 희토류 원소(예를 들어, Eu 또는 Gd)이고, M은 Al, Ga, B, In, Sc, Lu, 및 Y의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고, E는 S, Se, O, 및 Te의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고, x는 0보다 크고, y는 E가 -2의 전하를 갖는다고 가정할 때 상기 화학식에서 전하 균형을 달성하는 값을 갖는다.

Description

좁은 녹색 발광을 갖는 인광체
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017년 4월 28일에 제출된 미국 가출원 제62/491,552호 제목 "좁은 녹색 발광을 갖는 인광체", 및 2017년 5월 10일에 제출된 미국 특허 출원 제15/591,629호 제목 "좁은 녹색 발광을 갖는 인광체"에 대한 우선권의 이익을 주장하며, 이들 모두는 그 전체가 참조에 의해 본원에 포함되어 있다.
발명의 분야
본 발명은 일반적으로 좁은 녹색 발광을 갖는 인광체에 관한 것이다.
유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 티오갈레이트 및 알칼리 토류 티오알루미네이트 인광체는 전계발광 시스템 및 인광체 변환 LED 시스템 둘 다에 대해 당업계에 공지되어 있다. 이들 물질은 청색, 보라색, 또는 흔한 InGaN 발광 다이오드와 같은 근자외선 방출 광원으로부터의 발광을 쉽게 흡수할 수 있다. 이러한 통상적인 녹색 인광체 물질은 독립적으로 사용되어 녹색 광을 생성할 수 있거나, 다른 인광체 물질과 조합되어 백색 또는 다른 색상의 광을 생성할 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어, 디스플레이용 백라이팅 유닛, 예컨대 휴대폰, 태블릿, 랩탑, 모니터, 또는 텔레비전을 생성하기 위해, 이들 녹색 인광체 물질은 청색 또는 다른 LED 및 적색 인광체와 조합될 수 있다.
일반적인 조명에서, 연색 평가 지수, 또는 CQS 또는 TM-30-15와 같은 다른 광 계량의 품질을 개선하기 위해 넓은 발광 스펙트럼을 갖는 것이 종종 바람직하다. 그러나, 조명에 있어서, 때때로 특정한 특징을 강조하기 위해 특정 파장 영역의 추가 광을 제공하는 것이 바람직하다; 예를 들어, 쇠고기 식료품점 진열장은 스펙트럼의 적색 영역의 추가 광을 포함할 수 있고, 마찬가지로, 조명이 특정 녹색 파장의 추가 광을 제공할 경우 시금치 또는 녹색 종이가 더 좋아보일 수 있다.
디스플레이 백라이팅에서, 색상이 (a) 더 포화되어 색 영역의 녹색 정점을 넓히고, (b) 통상적인 LCD 필터 시스템의 녹색 필터를 통과할 때 더 적은 손실을 유지하도록 좁은 발광 파장을 갖는 것이 더 바람직한데, 강도의 대부분은 필터의 최고 투과율과 잘 맞춰져 있기 때문이다.
본 발명의 인광체는 조명 응용분야에 대하여 발광 스펙트럼의 특정 녹색 영역을 우선적으로 포화시키는 것을 돕는 과제를 다루고, 비교적 좁은 녹색 발광 스펙트럼을 갖는 인광체 조성물을 제공함으로써 디스플레이 백라이트 유닛의 녹색 영역 포인트를 개선시킨다.
도 1은 상업적으로 이용가능한 예시적 인광체의 CIE xy 색상 포인트, NTSC 색상 영역 및 DCI-P3 색상 영역으로부터의 녹색 영역 포인트, 및 530 nm 및 537 nm에서 피크를 갖는 본 발명의 예시적 인광체로부터의 발광을 나타내는 플롯이다.
도 2a 내지 2c는 각각 EuAl2.133B0.567S5.05에 대한 발광 스펙트럼, 여기 스펙트럼, 및 분말 엑스레이 회절 패턴을 도시한다.
도 3a 및 3b는 각각 EuAl2.322Lu0.378S5.05에 대한 발광 스펙트럼 및 여기 스펙트럼을 도시한다.
도 4a 및 4c는 각각 Eu(Al0.4Ga0.6)2+xSy(x = 0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 및 0.9)에 대한 발광 스펙트럼, 여기 스펙트럼, 및 분말 엑스레이 회절 패턴을 도시한다.
도 5a 및 5b는 각각 EuAl2Se4, EuAl2.4Se4.6, EuAl2.4Se3.6S, 및 EuAl2.7Se5.05에 대한 발광 스펙트럼 및 여기 스펙트럼을 도시한다.
도 6은 EuAl2.07In0.23S4.45에 대한 발광 스펙트럼을 도시한다.
도 7은 EuAl1.84In0.46S4.45에 대한 발광 스펙트럼을 도시한다.
도 8은 EuAl1.61Ga0.23In0.46S4.45에 대한 발광 스펙트럼을 도시한다.
도 9는 예시적 인광체 변환 LED에 대한 발광 스펙트럼을 도시한다.
도 10은 다른 예시적 인광체 변환 LED에 대한 발광 스펙트럼을 도시한다.
도 11은 또 다른 예시적 인광체 변환 LED에 대한 발광 스펙트럼을 도시한다.
도 12는 예시적 색상 필터로 오버레이된 도 11의 예시적 인광체 변환 LED에 대한 발광 스펙트럼을 도시한다.
이하의 상세한 설명은 선택적인 실시양태를 도시하고 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는 도면을 참조하여 이해되어야 한다. 상세한 설명은 본 발명의 원리를 제한이 아니라 예시에 의해 설명한다. 이 설명은 당업계의 숙련가가 본 발명을 분명하게 실시하고 사용할 수 있게 할 것이고, 현재 본 발명을 수행하는 최선의 방식이라고 여겨지는 것을 포함하여, 본 발명의 여러 실시양태, 적용, 변형, 대안 및 용도를 기술한다. 이 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같이, 문맥이 명백히 달리 지시하지 않는 한 단수형은 복수 지시자를 포함한다.
본 발명의 인광체는 예를 들어 자외선, 보라색, 청색, 또는 단파장 녹색 광에 의한 여기에 대응하여 비교적 좁은 범위의 발광 파장에 걸쳐 녹색 광을 방출한다. 이의 좁은 발광은 상업적으로 이용가능한 녹색 인광체와 비교하여 색 영역의 녹색 정점을 더 포화시키고 넓힐 수 있다. 이러한 이점의 예로서, 도 1은 LuAG, 및 525 nm, 530 nm, 및 540 nm에서 피크를 갖는 실리케이트(예컨대 캐나다 프레몬트 Intematix Corporation의 제품번호 GAL525, GAL530, GAL540, EG2762, EG3261, 및 EG3759)와 같은 상업적으로 이용가능한 예시적 인광체의 CIE xy 색상 포인트, NTSC 색상 영역 및 DCI-P3 색상 영역으로부터의 녹색 영역 포인트, 및 530 nm 및 537 nm에서 피크를 갖는 본 발명의 예시적 인광체로부터의 발광을 도시한다.
본 발명의 인광체는 실험적 조성 REM2+xEy를 가지며, 여기에서 RE는 하나 이상의 희토류 원소(예를 들어, Eu 또는 Gd)일 수 있으며, M은 Al, Ga, B, In, Sc, Lu 또는 Y의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소일 수 있고, E는 S, Se, O, 또는 Te의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소일 수 있고, x는 0 초과, 또는 0.1 이상, 또는 0.3 이상, 또는 0.7 이상이다. x의 값은 또한 예를 들어 0.9 이하일 수 있다. 아래첨자 y는 E가 -2의 전하를 갖는 것으로 가정할 때, 식에서 전하 균형을 달성하는 값을 갖는다. (본 명세서에 기술된 실험예에서, 반응은 항상 과량의 칼코겐으로 수행되어, 반응이 전하 균형 조성을 형성하는 데 필요한 것을 이용할 수 있게 한다). AlCl3 또는 I2를 포함하지만 이에 한정되지 않는 반응 프로모터를 사용하여 일부 작은 조성 치환이 또한 일어날 수 있다. 인광체는 REM2E4(예를 들어, EuGa2S4)와 동일한 기본 유사 사방정계(pseudoorthorhombic) 결정 구조를 가질 수 있다. 인광체는 REM2E4 결정상, 및 M2E3(예를 들어, Ga2S3) 결정상 또는 ME(예를 들어, GaS) 결정상과 같은 하나 이상의 이원 칼코게타이드 결정상의 혼합물을 포함할 수 있다. 일부 변형에서, 조성은 화학식 Eu(Al,Ga)2+xSy를 특징으로 하며, Al 대 Ga의 비는 약 1:3 내지 약 2:1이다.
본 발명의 인광체는 최신 티오갈레이트 인광체에 의해 제공되는 것보다 더 좁은 발광 스펙트럼을 제공함으로써, 공지된 알칼리 토류 티오갈레이트 인광체에 비해 개선된 것을 나타낼 수 있다. 본 발명의 인광체는 문헌 [Thi et al. Materials Science & Engineering B14 (1992), No 4, pp. 393-397], Donohue의 미국 특허 제3,801,702호(1974년 4월 2일에 발행됨), 및 문헌 [Donohue and Hanlon, Journal of the Electrochemical Society: Solid-State Science and Technology (1974), Vol. 121, No. 1, pp. 137-142]에 의해 개시된 EuAl2S4, EuAl2Se4, 및 EuGa2S4와 같은 EuM2E4 조성에 비해 휘도에서 개선을 나타낼 수 있다.
특히, 앞서 기술된 x > 0인 실험식 REM2+xEy를 갖는 인광체는, REM2E4의 조성을 갖는 인광체와 비교하여, 인광체의 발광 피크의 상대 강도에서 일부 경우에 2배를 초과하는 상당한 증가를 제공할 수 있다. x의 최적 값은 시스템의 정확한 조성에 따라 달라질 수 있다. 그러나, x = 0.7이 RE = Eu 및 M = 1/3 Al, 2/3 Ga와 같은 M의 많은 선택에 대한 최적의 값 또는 그 근처의 값으로 보인다.
본 발명의 인광체는 조성물의 M 및 E 성분을 변화시킴으로써 적용 요건에 기초한 파장 범위를 통해 조정될 수 있다. 예를 들어, 실험식 Eu(Al,Ga)2+x(S,Se)y를 갖는 인광체에 대하여, 발광 파장 범위는 예를 들어 EuAl2+xSey에 대하여 약 490 nm의 피크 발광 파장에서 EuGa2+xSy에 대하여 약 550 nm의 피크 발광 파장까지 확장될 수 있다. 인듐 또는 산소를 혼입함으로써 보다 긴 발광 파장을 얻을 수 있다. 실험식 Eu(Al,Ga)2+xSy를 갖는 인광체에 대하여, 피크 발광 파장은 대략 다음과 같은 Ga의 백분율에 따라 달라질 수 있다: 0% Ga, 505 nm; 5% Ga, 509 nm; 14% Ga, 512 nm; 25% Ga, 517 nm; 50% Ga, 527 nm; 55% Ga, 530 nm; 60% Ga, 533 nm; 65% Ga, 533 nm; 70% Ga, 535 nm; 75% Ga, 541 nm; 100% Ga, 545 nm. 실험식 Eu(Al,Ga)2+x(S,Se)y를 갖는 인광체에 대하여, Ga의 백분율은, 예를 들어, ≥ 0%, ≥ 5%, ≥ 10%, ≥ 15%, ≥ 20%, ≥ 25%, ≥ 30%, ≥ 35%, ≥ 40%, ≥ 45%, ≥ 50%, ≥ 55%, ≥ 60%, ≥ 65%, ≥ 70%, ≥ 75%, ≥ 80%, ≥ 85%, ≥ 90%, ≥ 95%, 0% 내지 5%, 5% 내지 10%, 10% 내지 15%, 15% 내지 20%, 20% 내지 25%, 25% 내지 30%, 30% 내지 35%, 35% 내지 40%, 40% 내지 45%, 45% 내지 50%, 50% 내지 55%, 55% 내지 60%, 60% 내지 65%, 65% 내지 70%, 70% 내지 75%, 75% 내지 80%, 80% 내지 85%, 85% 내지 90%, 90% 내지 95%, 95% 내지 100%, 또는 50% 내지 75%일 수 있다.
I2, AlF3, AlCl3, AlBr3, GaCl3, GaBr3, BaF2, EuCl3, EuI2, 및 Na2S와 같은 많은 플럭스/반응 프로모터가 조사되었다. 목표로 하는 최종 생성물(예를 들어, Ba 및 Na)에서 그러한 것들 이외의 양이온을 갖는 프로모터를 사용하면 대안적인 상이 형성되었지만, 이는 본 발명의 원하는 특성을 충족시키지 않았다.
본 발명의 인광체는 임의의 종래의 방식으로 여기 소스(excitation source)와 광학적으로 커플링될 수 있다. 가장 일반적인 방법 중 하나는 인광체를 결합하는 것, 예컨대 본원에 개시된 녹색 인광체와, 적색 인광체 및 경우에 따라 청색 및/또는 황색 인광체를 결합하는 것이다. 인광체는 함께 결합된 후 실리콘, 에폭시, 또는 일부 다른 중합체와 같은 캡슐화제에 첨가될 수 있거나, 인광체를 캡슐화제에 첨가하는 도중에 인광체가 결합될 수 있다. 그 후 인광체가 로딩된 캡슐화제는 여기 소스의 광학적 경로에 배치될 수 있다. 하나의 일반적인 방법은 인광체의 슬러리 또는 인광체를 LED(발광 다이오드) 다이(die)를 함유하는 LED 패키지에 증착시키는 것이다. 그 후 슬러리가 경화되어 캡슐화된 LED 패키지를 형성한다. 다른 방법은 캡슐화제를 형상으로 형성하는 것, 또는 이미 특정 형상으로 있거나 이후에 특정 형상으로 형성될 수 있는 기판 상에 캡슐화제를 코팅하는 것을 포함한다. 또한, 캡슐화제를 함유하는 인광체는 도광체(light guide)의 인커플링 영역, 또는 도광체의 아웃커플링 영역, 예컨대 디스플레이에 사용하기 위한 도광체 상에 코팅될 수 있다. 여기 소스 및 본 발명의 인광체의 조합은 일반 조명, 틈새 조명 응용분야, 디스플레이 백라이팅, 또는 다른 조명 응용분야에 사용될 수 있다.
본 출원인은 앞서 기술된 실험적 조성 REM2+xEy를 갖는 다수의 예시적인 인광체 샘플을 제조하고 특징지었다. 이들 샘플의 제조 및 특징화는 아래에 기술되어 있고 표 1에 요약되어 있다. 일부 샘플에 대하여, 실험적 조성 외에도 분말 엑스레이 회절에 의해 관찰된 하나 이상의 결정상이 보고된다. 크세논 램프가 있는 Fluorolog-3 분광형광계, 또는 외부 청색 또는 보라색 LED 여기 소스와 함께 사용되는 Ocean Optics 분광계를 사용하여 발광 스펙트럼을 측정하였다. 크세논 램프를 갖는 Fluorolog-3 분광형광계를 사용하여 여기 스펙트럼을 측정하였다. Rigaku MiniFlex600을 사용하여 분말 엑스레이 회절 스펙트럼을 측정하였다.
실시예 1 EuAl 2.133 B 0.567 S 5.05 (샘플 번호 KB3-063-406), x = 0.7
1 : 2.133 : 0.567 : 4.4 비의 Eu : Al : B : S를 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 6시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 800℃에서 12시간 동안 유지시켰다. 샘플을 약 130℃/시로 상온으로 냉각시켰다. 샘플을 아르곤 충전 글로브박스에서 열고, 추가 10 중량%의 황과 함께 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하고 동일한 가열 프로파일로 두 번째로 가열하였다.
도 2a는 395 nm에서 여기된 이 샘플의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 2b는 510 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플의 여기 스펙트럼을 도시한다. 도 2c는 EuAl2S4(표준 PDF # 01-081-2821)에 대한 XRD 패턴과 일치하는 이 샘플의 분말 엑스레이 회절(XRD) 측정을 도시한다. 이는 과량의 Al, 과량의 B, 및 과량의 S 중 일부가 하나 이상의 이원 칼코게나이드 상에 존재할 수 있음을 시사한다.
실시예 2 EuAl 2.322 Lu 0.378 S 5.05 (샘플 번호 KB3-059-399), x = 0.7
1 : 2.322 : 0.378 : 4.4 비의 Eu : Al : Lu : S를 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 6시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 800℃에서 12시간 동안 유지시켰다. 샘플을 약 130℃/시로 상온으로 냉각시켰다. 샘플을 아르곤 충전 글로브박스에서 열고, 추가 10 중량%의 황과 함께 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하고 동일한 가열 프로파일로 두 번째로 가열하였다.
도 3a는 395 nm에서 여기된 이 샘플의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 3b는 505 nm에서 발광이 검출된 이 샘플의 여기 스펙트럼을 도시한다.
실시예 3 EuAl 0.8 Ga 1.2 S 4 , (샘플 번호 KB3-125-488), x = 0, 비교예
Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하고 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlCl3를 첨가하였다(0.116 g Eu, 0.046 g Al2S3, 0.108 g Ga2S3, 0.031 g S, 0.023 g AlCl3). 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 4a는 395 nm에서 여기된 이 샘플(x = 0으로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 4b는 535 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플(x = 0으로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다. 도 4c는 x = 0으로 라벨링된 이 샘플의 분말 엑스레이 회절(XRD) 측정을 도시한다.
실시예 4 EuAl 0.84 Ga 1.26 S 4.15 , (샘플 번호 KB3-125-489), x= 0.1
Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하고 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlCl3를 첨가하였다(0.113 g Eu, 0.047 g Al2S3, 0.110 g Ga2S3, 0.030 g S, 0.023 g AlCl3). 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 4a는 395 nm에서 여기된 이 샘플(x = 0.1로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 4b는 535 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플(x = 0.1로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다. 도 4c는 x = 0.1로 라벨링된 이 샘플의 분말 엑스레이 회절(XRD) 측정을 도시한다.
실시예 5 EuAl 0.92 Ga 1.38 S 4.45 , (샘플 번호 KB3-125-490), x = 0.3
Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하고 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlCl3를 첨가하였다(0.108 g Eu, 0.049 g, Al2S3, 0.115 g Ga2S3, 0.028 g S, 0.023 g AlCl3). 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 4a는 395 nm에서 여기된 이 샘플(x = 0.3으로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 4b는 535 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플(x = 0.3으로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다. 도 4c는 x = 0.3으로 라벨링된 이 샘플의 분말 엑스레이 회절(XRD) 측정을 도시한다.
실시예 6 EuAlGa 1.5 S 4.75 , (샘플 번호 KB3-125-491), x = 0.5
Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하고 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlCl3를 첨가하였다(0.103 g Eu, 0.051 g Al2S3, 0.120 g Ga2S3, 0.027 g S, 0.023 g AlCl3). 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 4a는 395 nm에서 여기된 이 샘플(x = 0.5로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 4b는 535 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플(x = 0.5로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다. 도 4c는 x = 0.5로 라벨링된 이 샘플의 분말 엑스레이 회절(XRD) 측정을 도시한다.
실시예 7 EuAl 1.08 Ga 1.62 S 5.05 , (샘플 번호 KB3-126-492), x = 0.7
Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하고 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlCl3를 첨가하였다(0.098 g Eu, 0.052 g Al2S3, 0.124 g Ga2S3, 0.026 g S, 0.023 g AlCl3). 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 4a는 395 nm에서 여기된 이 샘플(x = 0.7로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 4b는 535 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플(x = 0.7로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다. 도 4c는 x = 0.7로 라벨링된 이 샘플의 분말 엑스레이 회절(XRD) 측정을 도시한다.
실시예 8 EuAl 1.16 Ga 1.74 S 5.35 (샘플 번호 KB3-126-493), x = 0.9
Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하고 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlCl3를 첨가하였다(0.094 g Eu, 0.054 g Al2S3, 0.127 g Ga2S3, 0.025 g S, 0.023 g AlCl3). 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 4a는 395 nm에서 여기된 이 샘플(x = 0.9로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 4b는 535 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플(x = 0.9로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다. 도 4c는 x = 0.9로 라벨링된 이 샘플의 분말 엑스레이 회절(XRD) 측정을 도시한다.
실시예 3 내지 8에 대한 XRD 데이터
도 4c에서 각 XRD 패턴의 주요 상은 EuGa2S4(표준 PDF# 01-071-0588)와 일치한다. Ga2S3(PDF # 00-054-0415) 또한 존재하며(피크를 별표로 표시함), "x"가 증가함에 따라 그 양이 증가한다. 두 상 모두에 대한 피크는 데이터베이스 패턴보다 약간 더 높은 각도로 이동하는데, 알루미늄의 혼입으로 인한 것 같다.
실시예 9 EuAl 1.08 Ga 1.62 S 5.05 (샘플 번호 KB3-132-506), x = 0.7
실시예 7에서와 같은 AlCl3 플럭스 대신 AlF3 플럭스를 사용하여 이 샘플을 제조하였다. Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하였다. 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlF3를 첨가하였다. 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 탄소 코팅된 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 800℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
실시예 10 EuAl 0.8 Ga 1.2 S 4 (샘플 번호 KB3-133-507), x = 0
실시예 3에서와 같은 AlCl3 플럭스 대신 AlF3 플럭스를 사용하여 이 샘플을 제조하였다. Eu, Al2S3, Ga2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하였다. 추가로 화학식 단위당 0.25의 황을 첨가하고 7.5 중량%의 AlF3를 첨가하였다. 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 탄소 코팅된 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 증가시키고 800℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
실시예 11 EuAl 2 Se 4 , (샘플 번호 YBG-170419-1), x = 0, 비교예
Eu, Al, 및 Se의 화학양론적 양을 글로브박스에서 막자사발과 막자로 완전히 분쇄하였다. 혼합물을, 비워지고 약 5 인치의 길이로 밀봉된, 건조되고 탄소 코팅된 실리카 튜브에 넣었다. 박스 퍼네스에서 반응을 수행하였다. 온도를 400℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 다시 800℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 그 후 6시간 동안 상온으로 냉각시켰다.
도 5a는 395 nm에서 여기된 이 샘플("a"로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 발광 피크의 상대 강도는 이 도면의 다른 발광 스펙트럼과 비교하여 100%이다. 도 5b는 490 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플("a"로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다.
실시예 12 EuAl 2 . 4 Se 4 . 6 (샘플 번호 YBG-170419-2), x = 0.4
Eu, Al, 및 Se의 화학양론적 양을 글로브박스에서 막자사발과 막자로 완전히 분쇄하였다. 혼합물을, 비워지고 약 5 인치의 길이로 밀봉된, 건조되고 탄소 코팅된 실리카 튜브에 넣었다. 박스 퍼네스에서 반응을 수행하였다. 온도를 400℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 다시 800℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 그 후 6시간 동안 상온으로 냉각시켰다.
도 5a는 395 nm에서 여기된 이 샘플("b"로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 발광 피크의 상대 강도는 이 도면의 다른 발광 스펙트럼과 비교하여 144%이다. 도 5b는 490 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플("b"로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다.
실시예 13 EuAl 2 . 4 Se 3 . 6 S (샘플 번호 YBG-170419-4), x = 0.4
Eu, Al, Se, 및 S의 화학양론적 양을 글로브박스에서 막자사발과 막자로 완전히 분쇄하였다. 혼합물을, 비워지고 약 5 인치의 길이로 밀봉된, 건조되고 탄소 코팅된 실리카 튜브에 넣었다. 박스 퍼네스에서 반응을 수행하였다. 온도를 400℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 다시 800℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 그 후 6시간 동안 상온으로 냉각시켰다.
도 5a는 395 nm에서 여기된 이 샘플("c"로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 발광 피크의 상대 강도는 이 도면의 다른 발광 스펙트럼과 비교하여 117%이다. 도 5b는 490 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플("c"로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다.
실시예 14 EuAl 2 . 7 Se 5 . 05 (샘플 번호 YBG-170419-5), x = 0.7
Eu, Al, 및 Se의 화학양론적 양을 글로브박스에서 막자사발과 막자로 완전히 분쇄하였다. 혼합물을, 비워지고 약 5 인치의 길이로 밀봉된, 건조되고 탄소 코팅된 실리카 튜브에 넣었다. 박스 퍼네스에서 반응을 수행하였다. 온도를 400℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 다시 800℃로 상승시키고 6시간 동안 유지시키고, 그 후 6시간 동안 상온으로 냉각시켰다.
도 5a는 395 nm에서 여기된 이 샘플("d"로 라벨링됨)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 발광 피크의 상대 강도는 이 도면의 다른 발광 스펙트럼과 비교하여 224%이다. 도 5b는 490 nm에서 검출된 발광을 갖는 이 샘플("d"로 라벨링됨)의 여기 스펙트럼을 도시한다.
실시예 15 EuAl 2.07 In 0.23 S 4.45 (샘플 번호 KB3-132-503)
Eu, Al2S3, In2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하였다. 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 상승시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 6은 405 nm에서 여기된 이 샘플의 발광 스펙트럼을 도시한다.
실시예 16 EuAl 1.84 In 0.46 S 4.45 (샘플 번호 KB3-132-504)
Eu, Al2S3, In2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하였다. 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 상승시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 7은 405 nm에서 여기된 이 샘플의 발광 스펙트럼을 도시한다.
실시예 17 EuAl 1.61 Ga 0.23 In 0.46 S 4.45 (샘플 번호 KB3-132-505)
Eu, Al2S3, Ga2S3, In2S3, 및 S를 화학양론적 비로 혼합하였다. 혼합물을 아르곤 충전 글로브박스에서 분쇄하고 용융 실리카 튜브에 밀봉하였다. 샘플을 400℃에서 1시간 동안 가열하고, 이어서 온도를 상승시키고 900℃에서 6시간 동안 유지시켰다. 샘플을 50℃/시로 상온으로 냉각시켰다.
도 8은 405 nm에서 여기된 이 샘플의 발광 스펙트럼을 도시한다.
실시예 18 EuAlGa 1.5 S 4.75 (샘플 번호 ELTAlS-056A)
Eu, Al2S3, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양의 혼합물 1.2 g을 Ar 하에서 제조하였다. 혼합물을 20 중량% 과량의 S와 합치고, 이 실시예 및 실시예 19 내지 22에서 사용하기 위해 5개의 200 mg 부분으로 나누었다. 이 실시예에서 혼합물의 하나의 200 mg 부분을 AlBr3 플럭스 30 mg(15 중량%)과 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 2시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 1시간 동안 유지시키고, 그 후 1.5시간 동안 900℃로 가열시키고 이 온도에서 6시간 동안 유지시킨 후, 50℃/시로 상온으로 천천히 냉각시켰다.
실시예 19 EuAlGa 1.5 S 4.75 (샘플 번호 ELTAlS-056B)
실시예 18에서 제조한 Eu, Al2S3, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양의 혼합물 1.2 g의 200 mg 부분을 GaBr3 플럭스 30 mg(15 중량%)과 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 2시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 1시간 동안 유지시키고, 그 후 1.5시간 동안 900℃로 가열시키고 이 온도에서 6시간 동안 유지시킨 후, 50℃/시로 상온으로 천천히 냉각시켰다.
실시예 20 EuAlGa 1.5 S 4.75 (샘플 번호 ELTAlS-056C)
실시예 18에서 제조한 Eu, Al2S3, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양의 혼합물 1.2 g의 200 mg 부분을 GaCl3 플럭스 30 mg(15 중량%)과 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 2시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 1시간 동안 유지시키고, 그 후 1.5시간 동안 900℃로 가열하고 이 온도에서 6시간 동안 유지시킨 후, 50℃/시로 상온으로 천천히 냉각시켰다.
실시예 21 EuAlGa 1.5 S 4.75 (샘플 번호 ELTAlS-056D)
실시예 18에서 제조한 Eu, Al2S3, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양의 혼합물 1.2 g의 200 mg 부분을 EuCl3 플럭스 30 mg(15 중량%)과 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 2시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 1시간 동안 유지시키고, 그 후 1.5시간 동안 900℃로 가열시키고 이 온도에서 6시간 동안 유지시킨 후, 50℃/시로 상온으로 천천히 냉각시켰다.
실시예 22 EuAlGa 1.5 S 4.75 (샘플 번호 ELTAlS-056E)
실시예 18에서 제조한 Eu, Al2S3, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양의 혼합물 1.2 g의 200 mg 부분을 EuI2 플럭스 30 mg(15 중량%)과 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 2시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 1시간 동안 유지시키고, 그 후 1.5시간 동안 900℃로 가열시키고 이 온도에서 6시간 동안 유지시킨 후, 50℃/시로 상온으로 천천히 냉각시켰다.
실시예 23 Eu 0.97 Gd 0.03 Al 0.92 Ga 1.38 S 4.45 (샘플 번호 YBG-170424-2)
Eu, Al, Ga2S3, Gd2O3, S의 화학양론적 양, 및 5 중량%의 과잉 S를 글로브박스에서 막자사발과 막자로 완전히 분쇄하였다. 혼합물을, 비워지고 약 5 인치의 길이로 밀봉된, 건조된 실리카 튜브에 넣었다. 박스 퍼네스에서 반응을 수행하였다. 온도를 4시간 동안 900℃로 상승시키고 12시간 동안 유지시키고, 그 후 6시간 동안 상온으로 냉각시켰다.
실시예 24 EuAl 2 S 4 (샘플 번호 ELTAlS-006C), 비교예
Eu, Al, S의 화학양론적 양의 혼합물, 및 수 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 6시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 6시간 동안 유지시키고, 그 후 800℃로 가열시키고 이 온도에서 24시간 동안 유지시킨 후, 9시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 샘플을 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 가열 단계를 반복하였다.
실시예 25 EuAl 2.33 S 4.28 (샘플 번호 ELTAlS-016C)
Eu, Al, S의 화학양론적 양의 혼합물, 및 수 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 6시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 6시간 동안 유지시키고, 그 후 800℃로 가열시키고 이 온도에서 24시간 동안 유지시킨 후, 6시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 샘플을 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 가열 단계를 반복하였다.
실시예 26 EuAl 2.7 S 5.05 (샘플 번호 ELTAlS-016E)
Eu, Al, S의 화학양론적 양의 혼합물, 및 수 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 6시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 6시간 동안 유지시키고, 그 후 800℃로 가열시키고 이 온도에서 120시간 동안 유지시킨 후, 6시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 샘플을 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 800℃에서의 유지 단계를 48시간으로 하여 가열 단계를 반복하였다.
실시예 27 EuAl 2.9 S 5.35 (샘플 번호 ELTAlS-016F)
Eu, Al, S의 화학양론적 양의 혼합물, 및 수 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 앰풀을 6시간 동안 400℃로 가열하고, 이 온도에서 6시간 동안 유지시키고, 그 후 800℃로 가열시키고 이 온도에서 48시간 동안 유지시킨 후, 6시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 샘플을 아르곤 하에서 완전히 혼합하고 비워진 석영 튜브에 밀봉하였다. 가열 단계를 반복하였다.
395 nm 여기를 사용하여 EuAl2S4, EuAl2.33S4.28, EuAl2.7S5.05, 및 EuAl2.9S5.35에 대한 상대 광발광 강도를 비교하였다. EuAl2S4를 100%로 설정하였을 때, EuAl2.33S4.28은 109%로 더 강했고, EuAl2.7S5.05는 378%로 가장 강했으며, EuAl2.9S5.35 또한 292%로 비교예보다 더 강했다.
실시예 28 EuGa 2 S 4 (샘플 번호 ELTAlS-062A), 비교예
Eu, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양과 20 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 균질화하였다. 대략 8 인치의 비워진 석영 튜브에 밀봉하기 전에 혼합물을 136 mg(6 mg/cm3)의 I2와 합하였다. 앰풀을 자연 경사를 갖는 수평 튜브 퍼네스에 넣고 6시간에 걸쳐 400℃로 가열하고, 6시간 동안 유지시키고, 그 후 2.5시간에 걸쳐 900℃로 가열하고 72시간 동안 유지시킨 후 24시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 인광체 분말은 LED로부터의 405 nm의 광으로 여기될 때 피크 발광 파장이 549 nm이고 반치전폭이 43 nm이었다.
실시예 29 EuGa 2 S 4 (샘플 번호 ELTAlS-062B), 비교예
Eu, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양과 20 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 균질화하였다. 대략 8 인치의 비워진 석영 튜브에 밀봉하기 전 혼합물을 60 mg(15 중량%)의 GaCl3와 합하였다. 앰풀을 자연 경사를 갖는 수평 튜브 퍼네스에 넣고 6시간에 걸쳐 400℃로 가열하고, 6시간 동안 유지시키고, 그 후 2.5시간에 걸쳐 900℃로 가열하고 72시간 동안 유지시킨 후 24시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 인광체 분말은 LED로부터의 405 nm의 광으로 여기될 때 피크 발광 파장이 551 nm이고 반치전폭이 39 nm이었다.
실시예 30 EuGa 2.7 S 5.05 (샘플 번호 ELTAlS-063A)
Eu, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양, 및 20 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 균질화하였다. 대략 8 인치의 비워진 석영 튜브에 밀봉하기 전에 혼합물을 136 mg(6 mg/cm3)의 I2와 합하였다. 앰풀을 자연 경사를 갖는 수평 튜브 퍼네스에 넣고 6시간에 걸쳐 400℃로 가열하고, 6시간 동안 유지시키고, 그 후 2.5시간에 걸쳐 900℃로 가열하고 72시간 동안 유지시킨 후 24시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 인광체 분말은 LED로부터의 405 nm의 광으로 여기될 때 피크 발광 파장이 549 nm이고 반치전폭이 41 nm이었고, 비교예 28보다 눈에 띄게 더 밝게 보였다.
실시예 31 EuGa 2.7 S 5.05 (샘플 번호 ELTAlS-063B)
Eu, Ga2S3 및 S의 화학양론적 양, 및 20 중량%의 과잉 S를 아르곤 하에서 균질화하였다. 대략 8 인치의 비워진 석영 튜브에 밀봉하기 전에 혼합물을 60 mg(15 중량%)의 GaCl3와 합하였다. 앰풀을 자연 경사를 갖는 수평 튜브 퍼네스에 넣고 6시간에 걸쳐 400℃로 가열하고, 6시간 동안 유지시키고, 그 후 2.5시간에 걸쳐 900℃로 가열하고 72시간 동안 유지시킨 후 24시간에 걸쳐 상온으로 천천히 냉각시켰다. 인광체 분말은 LED로부터의 405 nm의 광으로 여기될 때 피크 발광 파장이 550 nm이고 반치전폭이 39 nm이었고, 비교예 29보다 눈에 띄게 더 밝게 보였다.
인광체 변환 LED 실시예
Dow Corning OE-6550 2액형 실리콘 21.40 mg, 적색 인광체 0.98 mg, BR101J 및 본 발명의 녹색 인광체(실시예 5, EuAl0.92Ga1.38S4.45, x = 0.3)를 합하여 인광체 슬러리를 제조하였다. 이 슬러리의 일부를 사용하여 인광체 변환 LED 1 내지 3(아래 실시예 24 내지 26)을 제작하였고, 이들은 LED 상에 증착된 슬러리의 양만 달랐다.
실시예 32 인광체 변환 LED 1
Power Opto Co.의 2835 PLCC 패키지에 장착된 청색 발광 InGaN 기반 LED의 상부에 앞서 기술된 인광체 슬러리를 적용하고, 실리콘을 약 100℃에서 밤새 경화시켰다. Ocean Optics 분광계로 도 9에 도시된 바와 같이 이 LED의 발광 스펙트럼을 측정하였다. 이 실시예의 인광체 변환 LED는 중성 백색에 대응하여 상관 색상 온도(CCT)가 4,625 K, duv가 0.0046, 및 CRI가 83인 것으로 측정되었다.
실시예 33 인광체 변환 LED 2
Power Opto Co.의 2835 PLCC 패키지에 장착된 청색 발광 InGaN 기반 LED의 상부에 앞서 기술된 인광체 슬러리를 적용하고, 실리콘을 약 100℃에서 밤새 경화시켰다. Ocean Optics 분광계로 도 10에 도시된 바와 같이 이 LED의 발광 스펙트럼을 측정하였다. 이 실시예의 LED 상의 슬러리의 경화된 층은 실시예 25(인광체 변환 LED 1)에서의 LED 상의 슬러리의 경화된 층보다 더 얇았다. 이 실시예의 인광체 변환 LED는 차가운 백색에 대응하여 상관 색상 온도(CCT)가 6,575 K, duv가 0.0045, 및 CRI가 85인 것으로 측정되었다.
실시예 34 인광체 변환 LED 3
Power Opto Co.의 2835 PLCC 패키지에 장착된 청색 발광 InGaN 기반 LED의 상부에 앞서 기술된 인광체 슬러리를 적용하고, 실리콘을 약 100℃에서 밤새 경화시켰다. Ocean Optics 분광계로 도 11에 도시된 바와 같이 이 LED의 발광 스펙트럼을 측정하였다. 이 실시예의 LED 상의 슬러리의 경화된 층은 실시예 26(인광체 변환 LED 2)에서의 LED 상의 슬러리의 경화된 층보다 더 얇았다. 이 실시예의 인광체 변환 LED는 백라이팅 응용분야에 적합한 0.253, 0.250의 CIE xy 좌표를 갖는 것으로 측정되었다. 도 12는 LCD 색상 필터의 예시 세트가 오버레이된 이 인광체 변환 LED로부터의 발광을 도시한다: 청색(긴 파선), 녹색(교대로 나타나는 파선 및 점선), 및 적색(짧은 파선). 발광 스펙트럼은 상기 도면에 도시된 예시 색상 필터와 잘 일치한다.
다양한 실시양태들이 다음 조항들에서 기술된다.
조항 1. 화학식 REM2+xEy를 특징으로 하는 발광 조성물로서, 상기 화학식에서
RE는 하나 이상의 희토류 원소이고,
M은 Al, Ga, B, In, Sc, Lu, 및 Y의 군으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이고,
E는 S, Se, O, 및 Te의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
x는 0보다 크고,
y는 E가 -2의 전하를 갖는다고 가정할 때 화학식에서 전하 균형을 달성하는 값을 갖는 것인 발광 조성물.
조항 2. 조항 1에 있어서, RE가 Eu인 발광 조성물.
조항 3. 조항 1에 있어서, RE가 Eu 및 Gd를 포함하는 발광 조성물.
조항 4. 조항 1에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조만을 갖는 발광 조성물.
조항 5. 조항 1에 있어서, 주로 EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조와 하나 이상의 이원 칼코게나이드 결정 구조의 혼합물을 갖는 발광 조성물.
조항 6. 조항 1 내지 조항 5 중 어느 하나에 있어서, 화학식 Eu(Al0.4Ga0.6)2+xSy를 특징으로 하며, 여기서 x는 0보다 큰 것인 발광 조성물.
조항 7. 조항 1 내지 조항 5 중 어느 하나에 있어서,
M이 Al이고,
E가 S, Se, 또는 S 및 Se의 혼합물인 것인 발광 조성물.
조항 8. 조항 1 내지 조항 7 중 어느 하나에 있어서, x가 0.5 이상인 발광 조성물.
조항 9. 조항 1 내지 조항 8 중 어느 하나에 있어서, x가 0.7 이상인 발광 조성물.
조항 10. 조항 1 내지 조항 5 중 어느 하나에 있어서, 화학식 EuAl1.08Ga1.62S5.05를 특징으로 하는 발광 조성물.
조항 11. 조항 1 내지 조항 10 중 어느 하나의 인광체를 포함하는 발광 디바이스.
조항 12.
제1 파장 범위에 걸쳐 광을 방출하는 발광 다이오드, 및
발광 다이오드로부터의 발광에 의해 여기되고 이에 대응하여 제2 파장 범위에 걸쳐 광을 방출하도록 배열된 조항 1 내지 조항 10 중 어느 하나의 인광체
를 포함하는 인광체 변환 발광 다이오드.
본 발명은 예시적인 것이며 제한적인 것이 아니다. 본 발명을 고려하여 추가 변형이 당업계의 숙련가에게 명백할 것이며, 첨부된 청구범위의 범위 내에 있도록 의도된다.
Figure 112019118929565-pct00001

Claims (30)

  1. 화학식 REM2+xEy를 특징으로 하는 발광 조성물로서, 상기 화학식에서
    RE는 Eu 또는 Eu 및 Gd이고,
    M은 Al, Ga, B, In, 및 Lu의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
    E는 S, 및 Se의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
    x는 0.1 내지 0.9 이고,
    y는 4 내지 5.35인 발광 조성물.
  2. 제1항에 있어서, x가 0.3 이상인 발광 조성물.
  3. 제1항에 있어서, x가 0.7 이상인 발광 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계(pseudoorthorhombic) 결정 구조만을 갖는 발광 조성물.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조와 하나 이상의 이원 칼코게나이드 결정 구조의 혼합물을 갖는 발광 조성물.
  6. 제1항에 있어서, RE가 Eu인 발광 조성물.
  7. 제6항에 있어서, x가 0.3 이상인 발광 조성물.
  8. 제6항에 있어서, x가 0.7 이상인 발광 조성물.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조만을 갖는 발광 조성물.
  10. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조와 하나 이상의 이원 칼코게나이드 결정 구조의 혼합물을 갖는 발광 조성물.
  11. 제1항에 있어서, RE가 Eu 및 Gd를 포함하는 것인 발광 조성물.
  12. 제11항에 있어서, x가 0.3 이상인 발광 조성물.
  13. 제11항에 있어서, x가 0.7 이상인 발광 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 화학식 Eu(Al,Ga)2+xSy를 특징으로 하는 발광 조성물.
  15. 제14항에 있어서, Al 대 Ga의 몰비가 1:3 내지 2:1인 발광 조성물.
  16. 제14항에 있어서, x가 0.3 이상인 발광 조성물.
  17. 제14항에 있어서, x가 0.7 이상인 발광 조성물.
  18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조만을 갖는 발광 조성물.
  19. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조와 하나 이상의 이원 칼코게나이드 결정 구조의 혼합물을 갖는 발광 조성물.
  20. 제17항에 있어서, 화학식 EuAl1.08Ga1.62S5.05를 특징으로 하는 발광 조성물.
  21. 제1항에 있어서, 화학식 EuAl2+xEy를 특징으로 하며, 여기서 E는 S 및 Se의 군으로부터 선택되는 것인 발광 조성물.
  22. 제21항에 있어서, x가 0.3 이상인 발광 조성물.
  23. 제21항에 있어서, x가 0.7 이상인 발광 조성물.
  24. 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조만을 갖는 발광 조성물.
  25. 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, EuM2E4 유사 사방정계 결정 구조와 하나 이상의 이원 칼코게나이드 결정 구조의 혼합물을 갖는 발광 조성물.
  26. 제21항에 있어서, 화학식 EuAl2.7Se5.05를 특징으로 하는 발광 조성물.
  27. 제21항에 있어서, 화학식 EuAl2.7S5.05를 특징으로 하는 발광 조성물.
  28. 제1 파장 범위에 걸쳐 광을 방출하는 발광 다이오드, 및
    발광 다이오드로부터의 발광에 의해 여기되고 이에 대응하여 제2 파장 범위에 걸쳐 광을 방출하도록 배치된 발광 조성물
    을 포함하는 발광 디바이스로서,
    상기 발광 조성물은 화학식 REM2+xEy를 특징으로 하며, 상기 화학식에서
    RE는 Eu 또는 Eu 및 Gd이고,
    M은 Al, Ga, B, In, 및 Lu의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
    E는 S, 및 Se의 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소이고,
    x는 0.1 내지 0.9 이고,
    y는 4 내지 5.35인 발광 디바이스.
  29. 제28항에 있어서, RE가 Eu이고 x가 0.3 이상인 발광 디바이스.
  30. 제28항에 있어서, RE가 Eu이고 x가 0.7 이상인 발광 디바이스.
KR1020197034174A 2017-04-28 2018-03-05 좁은 녹색 발광을 갖는 인광체 KR102451366B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762491552P 2017-04-28 2017-04-28
US62/491,552 2017-04-28
US15/591,629 US10017396B1 (en) 2017-04-28 2017-05-10 Phosphors with narrow green emission
US15/591,629 2017-05-10
PCT/US2018/020914 WO2018200074A1 (en) 2017-04-28 2018-03-05 Phosphors with narrow green emission

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190137162A KR20190137162A (ko) 2019-12-10
KR102451366B1 true KR102451366B1 (ko) 2022-10-06

Family

ID=62750362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197034174A KR102451366B1 (ko) 2017-04-28 2018-03-05 좁은 녹색 발광을 갖는 인광체

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10017396B1 (ko)
EP (1) EP3615633B1 (ko)
JP (1) JP7228526B2 (ko)
KR (1) KR102451366B1 (ko)
CN (1) CN110914380B (ko)
MY (1) MY192956A (ko)
TW (1) TWI794225B (ko)
WO (1) WO2018200074A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10177287B1 (en) * 2017-09-19 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Gamut broadened displays with narrow band green phosphors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001303049A (ja) 2000-04-17 2001-10-31 Tdk Corp 蛍光体薄膜とその製造方法およびｅｌパネル
JP2003003161A (ja) * 2001-04-19 2003-01-08 Tdk Corp 蛍光体薄膜とその製造方法およびｅｌパネル
US20120319049A1 (en) 2010-03-01 2012-12-20 Zhengwei Pan Eu2+-activated aluminates nanobelts, whiskers, and powders, methods of making the same, and uses thereof

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3639254A (en) 1969-07-01 1972-02-01 Gte Laboratories Inc Alkaline earth thiogallate phosphors
US3801702A (en) * 1971-04-30 1974-04-02 Du Pont Semiconducting europium-and/or ytterbium-containing sulfides and selenides of pseudo-orthorhombic crystal structure
US4441046A (en) 1981-12-28 1984-04-03 General Electric Company Incandescent lamps with neodymium oxide vitreous coatings
JPS59128211A (ja) * 1983-01-13 1984-07-24 Matsushita Electronics Corp 螢光体
JP2858397B2 (ja) 1994-09-07 1999-02-17 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP3704057B2 (ja) 2000-07-07 2005-10-05 ザ ウエステイム コーポレイション 蛍光体薄膜その製造方法、およびｅｌパネル
US6417019B1 (en) 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US7005198B2 (en) 2001-04-19 2006-02-28 The Westaim Corporation Phosphor thin film, preparation method, and EL panel
US6656610B2 (en) * 2001-04-19 2003-12-02 Tdk Corporation Phosphor thin film, preparation method, and EL panel
US6627251B2 (en) 2001-04-19 2003-09-30 Tdk Corporation Phosphor thin film, preparation method, and EL panel
FR2826016B1 (fr) 2001-06-13 2004-07-23 Rhodia Elect & Catalysis Compose a base d'un alcalino-terreux, de soufre et d'aluminium, de gallium ou d'indium, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore
JP3704068B2 (ja) 2001-07-27 2005-10-05 ザ ウエステイム コーポレイション Ｅｌパネル
US6806642B2 (en) 2001-09-04 2004-10-19 Durel Corporation Light source with cascading dyes and BEF
US7768189B2 (en) 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
EP1599560A4 (en) 2003-03-04 2007-09-26 Sarnoff Corp EFFICIENT, GREEN-SELECTED GREEN-MOLDING FLUORESCENT
US7368179B2 (en) 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7125501B2 (en) 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
JP4740582B2 (ja) 2004-03-19 2011-08-03 富士フイルム株式会社 電界発光装置
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US7427366B2 (en) 2004-07-06 2008-09-23 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US7427367B2 (en) * 2004-08-06 2008-09-23 Ifire Technology Corp. Barium thioaluminate phosphor materials with novel crystal structures
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
JP2007056235A (ja) 2005-07-28 2007-03-08 Sony Corp 蛍光体、光学装置、及び表示装置
WO2010029654A1 (ja) 2008-09-11 2010-03-18 三井金属鉱業株式会社 緑色蛍光体
JP5127965B2 (ja) * 2010-09-02 2013-01-23 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
US8921875B2 (en) 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
US9607821B2 (en) 2011-09-13 2017-03-28 Osram Sylvania Inc. Modified spectrum incandescent lamp
US8786179B2 (en) 2012-09-17 2014-07-22 Universal Display Corporation Light emitting device comprising phosphorescent materials for white light generation
US9243777B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Cree, Inc. Rare earth optical elements for LED lamp
JP6167913B2 (ja) 2013-04-26 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
EP3770493B1 (en) 2013-09-09 2023-06-07 Savant Technologies LLC Enhanced color-preference lights sources
KR101467808B1 (ko) 2014-07-14 2014-12-03 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
CN104241507B (zh) 2014-09-18 2017-12-01 广东晶科电子股份有限公司 广色域led发光器件及其背光组件
US9219201B1 (en) 2014-10-31 2015-12-22 Cree, Inc. Blue light emitting devices that include phosphor-converted blue light emitting diodes
US9530944B2 (en) 2015-01-27 2016-12-27 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices with enhanced long wavelength illumination

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001303049A (ja) 2000-04-17 2001-10-31 Tdk Corp 蛍光体薄膜とその製造方法およびｅｌパネル
JP2003003161A (ja) * 2001-04-19 2003-01-08 Tdk Corp 蛍光体薄膜とその製造方法およびｅｌパネル
US20120319049A1 (en) 2010-03-01 2012-12-20 Zhengwei Pan Eu2+-activated aluminates nanobelts, whiskers, and powders, methods of making the same, and uses thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN110914380A (zh) 2020-03-24
EP3615633A4 (en) 2020-12-30
US10017396B1 (en) 2018-07-10
CN110914380B (zh) 2023-10-17
MY192956A (en) 2022-09-19
EP3615633B1 (en) 2023-11-29
WO2018200074A1 (en) 2018-11-01
JP2020517766A (ja) 2020-06-18
EP3615633A1 (en) 2020-03-04
JP7228526B2 (ja) 2023-02-24
TW201843296A (zh) 2018-12-16
TWI794225B (zh) 2023-03-01
KR20190137162A (ko) 2019-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5150631B2 (ja) ニトリドシリケート種の蛍光体およびその蛍光体を有する光源
US9217105B2 (en) Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same
US8829781B2 (en) Light-emitting device
TWI510599B (zh) 以碳氮化物為主之磷光體及利用其之發光裝置
KR20090121207A (ko) 형광체 및 그 제조 방법과 형광체를 이용한 발광 디바이스 및 표시 디바이스
JP7050774B2 (ja) 蛍光体、照明装置および照明装置の使用
JP6718991B2 (ja) 窒化ルテチウム蛍光粉末、及びその蛍光粉末を有する発光装置
US10340426B2 (en) Phosphor and illumination device utilizing the same
Xiaoming et al. Preparation and luminescence properties of the red-emitting phosphor (Sr1–xCax) 2Si5N8: Eu2+ with different Sr/Ca ratios
TWI418610B (zh) 螢光材料、及包含其之發光裝置
KR102451366B1 (ko) 좁은 녹색 발광을 갖는 인광체
TWI638879B (zh) Red light phosphor and manufacturing method thereof
JP7428465B2 (ja) 赤色蛍光体及び発光装置
TWI820134B (zh) 具有窄綠光發射之磷光體
JP2019137792A (ja) 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、及び液晶表示装置
Xie et al. Phosphors and white LED packaging
KR100735314B1 (ko) 스트론튬 및 칼슘 티오갈레이트 형광체 및 이를 이용한발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right