KR102414594B1 - Light Emitting Display Device and Driving Method thereof - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 표시 패널, 서브 픽셀 및 전압 전달부를 포함하는 전계발광표시장치를 제공한다. 표시 패널은 영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는다. 서브 픽셀은 표시영역에 위치한다. 전압 전달부는 비표시영역에 위치하고 외부로부터 인가된 신호 또는 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달한다.The present specification provides an electroluminescent display device including a display panel, a sub-pixel, and a voltage transfer unit. The display panel has a display area that displays an image and a non-display area that does not display an image. The sub-pixel is located in the display area. The voltage transfer unit is located in the non-display area and transmits the reference voltage to the sub-pixels in response to a signal applied from the outside or a signal generated on the display panel.

Description

전계발광표시장치 및 이의 구동방법{Light Emitting Display Device and Driving Method thereof}Electroluminescent display device and driving method thereof

본 명세서는 전계발광표시장치 및 이의 구동방법에 관한 것이다.The present specification relates to an electroluminescent display device and a driving method thereof.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보 간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 전계발광표시장치, 액정표시장치 및 양자점표시장치 등과 같은 다양한 형태의 표시장치에 대한 사용이 증가하고 있다.As information technology develops, the market for display devices, which is a connection medium between users and information, is growing. Accordingly, the use of various types of display devices such as an electroluminescent display device, a liquid crystal display device, and a quantum dot display device is increasing.

표시장치에는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시 패널, 표시 패널을 구동하는 구동부 및 표시 패널에 전원을 공급하는 전원 공급부 등이 포함된다. 구동부에는 표시 패널에 스캔신호(또는 게이트신호)를 공급하는 스캔구동부 및 표시 패널에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부 등이 포함된다.The display device includes a display panel including a plurality of sub-pixels, a driving unit for driving the display panel, and a power supply unit for supplying power to the display panel. The driver includes a scan driver that supplies a scan signal (or a gate signal) to the display panel and a data driver that supplies a data voltage to the display panel.

전계발광표시장치는 서브 픽셀들에 스캔신호 및 데이터전압 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀의 발광다이오드가 빛을 발광하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있게 된다. 발광다이오드는 유기물을 기반으로 구현되거나 무기물을 기반으로 구현된다.In the electroluminescent display device, when a scan signal and a data voltage are supplied to the sub-pixels, the light emitting diodes of the selected sub-pixels emit light, so that an image can be displayed. The light emitting diode is implemented based on an organic material or is implemented based on an inorganic material.

전계발광표시장치는 서브 픽셀 내부에 포함된 발광다이오드로부터 생성된 빛을 기반으로 영상을 표시하므로 차세대 표시장치로 각광받는 등 다양한 장점을 지니고 있다. 그러나 전계발광표시장치는 서브 픽셀에 포함된 소자의 문턱전압이 변하는 시변 특성(또는 경시변화)을 가지고 있어 이를 보상할 필요가 있다.The electroluminescent display device has various advantages such as being in the spotlight as a next-generation display device because it displays an image based on the light generated from the light emitting diode included in the sub-pixel. However, since the electroluminescent display device has a time-varying characteristic (or time-dependent change) in which the threshold voltage of an element included in the sub-pixel changes, it is necessary to compensate for this.

그 결과, 전계발광표시장치의 시변 특성을 보상할 수 있는 다양한 보상 방식이 제안되어 왔다. 하지만, 일반적으로 제시된 보상 방식 중 일부는 전압 강하분이 고려되지 않아 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등 화질 이슈를 초래하고 있어 개선이 필요하다.As a result, various compensation schemes capable of compensating for the time-varying characteristics of the electroluminescent display device have been proposed. However, some of the compensation schemes generally suggested require improvement because voltage drop is not taken into account, resulting in image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on the display panel.

이에 본 명세서의 발명자들은 위에서 언급한 문제점들을 인식하고, 전압인가 배선에 대한 전압 강하를 최소화하기 위한 표시 패널을 고안하고, 이를 적용한 표시장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present specification have recognized the above-mentioned problems, devised a display panel for minimizing the voltage drop on the voltage applying wiring, and invented a display device to which the same is applied.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 명세서는 전압 강하분을 고려한 시변 특성 보상으로 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등의 화질 이슈가 초래되는 현상을 방지 또는 개선하는 것이다.The present specification for solving the problems of the above-mentioned background technology is to prevent or improve the phenomenon of causing image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on a display panel by compensating for time-varying characteristics in consideration of voltage drop. will be.

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present specification are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 과제 해결 수단으로 본 명세서는 표시 패널, 서브 픽셀 및 전압 전달부를 포함하는 전계발광표시장치를 제공한다. 표시 패널은 영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는다. 서브 픽셀은 표시영역에 위치한다. 전압 전달부는 비표시영역에 위치하고 외부로부터 인가된 신호 또는 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달한다.As a means of solving the above problems, the present specification provides an electroluminescent display device including a display panel, a sub-pixel, and a voltage transmitting unit. The display panel has a display area that displays an image and a non-display area that does not display an image. The sub-pixel is located in the display area. The voltage transfer unit is located in the non-display area and transmits the reference voltage to the sub-pixels in response to a signal applied from the outside or a signal generated on the display panel.

다른 측면에서 본 명세서는 영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는 표시 패널, 표시영역에 위치하는 서브 픽셀, 및 비표시영역에 위치하고 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달하는 전압 전달부를 포함하는 전계발광표시장치의 구동방법을 제공한다. 전계발광표시장치의 구동방법은 서브 픽셀을 초기화하기 위한 초기화 단계, 및 서브 픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 샘플링 단계를 포함한다. 샘플링 단계 동안 전압 전달부는 표시 패널의 외부로부터 인가된 신호 또는 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 동작한다.In another aspect, the present specification provides a display panel having a display area for displaying an image and a non-display area for non-displaying an image, a sub-pixel located in the display area, and voltage transfer for transferring a reference voltage to the sub-pixel located in the non-display area It provides a method of driving an electroluminescent display device including a unit. A driving method of an electroluminescent display device includes an initialization step for initializing a sub-pixel, and a sampling step for compensating for a threshold voltage of a driving transistor of the sub-pixel. During the sampling step, the voltage transfer unit operates in response to a signal applied from the outside of the display panel or a signal generated on the display panel.

본 명세서는 제1전원전압의 전압 강하분을 고려한 시변 특성(또는 경시변화) 보상으로 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등 화질 이슈가 초래되는 현상을 방지 또는 개선할 수 있는 효과가 있다.The present specification provides compensation for time-varying characteristics (or changes over time) in consideration of the voltage drop of the first power supply voltage, thereby preventing or improving a phenomenon that causes image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on the display panel. there is an effect

또한, 본 명세서는 레퍼런스전압을 서브 픽셀에 전달하기 위한 회로를 비표시영역에 배치함으로써, 서브 픽셀 내의 전극이나 배선의 콘택 수를 절감할 수 있음은 물론 고집적에 유리하여 표시 패널의 대화면 및 고해상도 구현 시, 개구율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present specification, by arranging a circuit for transmitting the reference voltage to the sub-pixel in the non-display area, the number of contacts of electrodes or wires in the sub-pixel can be reduced, and it is advantageous for high integration to realize a large screen and high resolution of the display panel. In this case, there is an effect of preventing a decrease in the aperture ratio.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the specification described in the problems, problem solving means, and effects to be solved above do not specify essential features of the claims, the scope of the claims is not limited by the matters described in the contents of the specification.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 개략적인 블록도.
도 3은 도 1에 도시된 스캔 구동부의 배치 예시도.
도 4는 실험예에 따른 유기전계발광표시장치를 설명하기 위한 서브 픽셀 회로 구성도.
도 5는 도 4에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도.
도 6은 본 명세서의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 표시 패널의 구성도.
도 7은 도 6에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도.
도 8은 본 명세서의 제1실시예에 따라 제N전압 전달부의 구성을 더욱 상세히 나타낸 도면.
도 9 내지 16은 도 8의 구성에 따른 구동방법을 더욱 상세히 설명하기 위한 도면들.
도 17은 본 명세서의 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 표시 패널의 구성도.
도 18은 도 17에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도.
도 19는 본 명세서의 제3실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 표시 패널의 구성도.
도 20은 도 19에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도.
1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device;
Fig. 2 is a schematic block diagram of the sub-pixel shown in Fig. 1;
FIG. 3 is an exemplary arrangement view of the scan driver shown in FIG. 1 ;
4 is a block diagram of a sub-pixel circuit for explaining an organic light emitting display device according to an experimental example;
FIG. 5 is a waveform diagram for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 4;
6 is a configuration diagram of a display panel schematically illustrating an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present specification;
FIG. 7 is a waveform diagram for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 6;
8 is a diagram illustrating in more detail the configuration of an Nth voltage transmitting unit according to the first embodiment of the present specification.
9 to 16 are diagrams for explaining a driving method according to the configuration of FIG. 8 in more detail;
17 is a configuration diagram of a display panel schematically illustrating an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present specification;
FIG. 18 is a waveform diagram for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 17;
19 is a configuration diagram of a display panel for schematically explaining an organic light emitting display device according to a third exemplary embodiment of the present specification;
FIG. 20 is a waveform diagram for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 19;

이하, 본 명세서의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, specific details for carrying out the present specification will be described with reference to the accompanying drawings.

이하에서 설명되는 전계발광표시장치는 텔레비젼, 영상 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈시어터, 스마트폰, 가상현실기기(VR) 등으로 구현될 수 있다. 이하에서 설명되는 전계발광표시장치는 유기발광다이오드(발광소자)를 기반으로 구현된 유기전계발광표시장치를 일례로 설명한다. 그러나 이하에서 설명되는 전계발광표시장치는 무기발광다이오드를 기반으로 구현될 수도 있다.The electroluminescent display device described below may be implemented as a TV, an image player, a personal computer (PC), a home theater, a smart phone, a virtual reality device (VR), and the like. An electroluminescent display device to be described below will be described as an organic light emitting display device implemented based on an organic light emitting diode (light emitting device) as an example. However, the electroluminescent display device to be described below may be implemented based on an inorganic light emitting diode.

또한, 이하에서 설명되는 유기전계발광표시장치는 P타입 트랜지스터 또는 N타입 트랜지스터 중 하나 이상을 기반으로 구현된다. P타입 트랜지스터와 N타입 트랜지스터의 경우, 게이트전극을 제외하고 타입에 따라 소오스전극과 드레인전극의 위치가 다를 수 있는바, 이를 한정하지 않기 위해 이들을 제1전극과 제2전극으로 명명한다.In addition, the organic light emitting display device to be described below is implemented based on at least one of a P-type transistor and an N-type transistor. In the case of the P-type transistor and the N-type transistor, the positions of the source electrode and the drain electrode may be different depending on the type except for the gate electrode, and so as not to limit the position of the source electrode and the drain electrode, they are referred to as a first electrode and a second electrode.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 개략적인 블록도이며, 도 3은 도 1에 도시된 스캔 구동부의 배치 예시도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device, FIG. 2 is a schematic block diagram of a sub-pixel illustrated in FIG. 1 , and FIG. 3 is an exemplary arrangement diagram of the scan driver illustrated in FIG. 1 .

도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계발광표시장치에는 영상 처리부(110), 타이밍 제어부(120), 데이터 구동부(140), 스캔 구동부(130), 표시 패널(150) 및 전원 공급부(180)가 포함된다.1 , the organic light emitting display device includes an image processing unit 110 , a timing control unit 120 , a data driving unit 140 , a scan driving unit 130 , a display panel 150 , and a power supply unit 180 . Included.

영상 처리부(110)는 외부로부터 공급된 영상 데이터와 더불어 각종 장치를 구동하기 위한 구동신호 등을 출력한다. 영상 처리부(110)로부터 출력되는 구동신호에는 데이터 인에이블 신호, 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호가 포함될 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다.The image processing unit 110 outputs driving signals for driving various devices along with image data supplied from the outside. The driving signal output from the image processing unit 110 may include a data enable signal, a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal, but these signals are omitted for convenience of description.

타이밍 제어부(120)는 영상 처리부(110)로부터 영상 데이터와 더불어 구동신호 등을 공급받는다. 타이밍 제어부(120)는 구동신호에 기초하여 스캔 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다.The timing controller 120 receives a driving signal and the like along with image data from the image processing unit 110 . The timing controller 120 includes a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver 130 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 140 based on the driving signal. to output

데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터전압을 출력한다. 데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 디지털 형태의 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압에 기초한 아날로그 형태의 데이터전압으로 변환한다. 데이터 구동부(140)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터전압을 출력한다. 데이터 구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다.The data driver 140 outputs a data voltage in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 120 . The data driver 140 samples and latches the digital data signal DATA supplied from the timing controller 120 to convert it into an analog data voltage based on the gamma reference voltage. The data driver 140 outputs a data voltage through the data lines DL1 to DLn. The data driver 140 may be formed in the form of an integrated circuit (IC).

스캔 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(130)는 스캔라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(130)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다.The scan driver 130 outputs a scan signal in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120 . The scan driver 130 outputs a scan signal through the scan lines GL1 to GLm. The scan driver 130 may be formed in the form of an integrated circuit (IC).

전원 공급부(180)는 고전위전압과 저전위전압 등을 출력한다. 전원 공급부(180)로부터 출력된 고전위전압과 저전위전압 등은 표시 패널(150)에 공급된다. 고전위전압은 제1전원라인(EVDD)을 통해 표시 패널(150)에 공급되고 저전위전압은 제2전원라인(EVSS)을 통해 표시 패널(150)에 공급된다. 전원 공급부(180)로부터 출력된 전압은 데이터 구동부(140)나 스캔 구동부(130)에서 이용되기도 한다.The power supply unit 180 outputs a high potential voltage, a low potential voltage, and the like. The high potential voltage and low potential voltage output from the power supply unit 180 are supplied to the display panel 150 . The high potential voltage is supplied to the display panel 150 through the first power line EVDD, and the low potential voltage is supplied to the display panel 150 through the second power line EVSS. The voltage output from the power supply unit 180 is also used by the data driver 140 or the scan driver 130 .

표시 패널(150)은 데이터 구동부(140) 및 스캔 구동부(130)로부터 공급된 데이터전압 및 스캔신호 그리고 전원 공급부(180)로부터 공급된 전원에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(150)은 영상을 표시할 수 있도록 동작하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.The display panel 150 displays an image corresponding to the data voltage and scan signal supplied from the data driver 140 and the scan driver 130 , and power supplied from the power supply unit 180 . The display panel 150 includes sub-pixels SP that operate to display an image.

서브 픽셀들(SP)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함하거나 백색 서브 픽셀, 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함한다. 서브 픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.The sub-pixels SP include a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, or include a white sub-pixel, a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel. The sub-pixels SP may have one or more different emission areas according to emission characteristics.

도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브 픽셀(SP)은 스캔라인(GL1), 데이터라인(DL1), 제1전원라인(EVDD) 및 제2전원라인(EVSS)과 연결된다. 서브 픽셀(SP)은 픽셀 회로의 구성에 따라 트랜지스터와 커패시터의 개수는 물론 구동 방법이 결정된다.As shown in FIG. 2 , one sub-pixel SP is connected to a scan line GL1 , a data line DL1 , a first power line EVDD, and a second power line EVSS. The number of transistors and capacitors as well as a driving method of the sub-pixel SP are determined according to the configuration of the pixel circuit.

도 3에 도시된 바와 같이, 표시 패널(150)은 서브 픽셀들(SP)을 기반으로 영상을 표시하는 표시영역(AA)과 신호라인이나 구동회로 등이 위치하며 영상을 표시하지 않는 비표시영역(NA)을 포함한다.As shown in FIG. 3 , the display panel 150 has a display area AA for displaying an image based on the sub-pixels SP, and a non-display area for displaying an image in which signal lines or driving circuits are located. (NA).

스캔 구동부(130)는 표시 패널(150)의 비표시영역(NA)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다. 스캔 구동부(130)는 표시 패널(150)의 좌우측에 각각 배치되거나 어느 일측에 배치될 수 있다. 스캔 구동부(130)는 다수의 스테이지들로 이루어진다. 예컨대, 스캔 구동부(130)의 제1스테이지는 표시 패널(150)의 제1스캔라인을 구동하기 위한 제1스캔신호를 출력한다.The scan driver 130 is formed in the non-display area NA of the display panel 150 in a gate-in-panel method. The scan driver 130 may be disposed on the left and right sides of the display panel 150 , or may be disposed on either side of the display panel 150 . The scan driver 130 includes a plurality of stages. For example, the first stage of the scan driver 130 outputs a first scan signal for driving the first scan line of the display panel 150 .

한편, 유기전계발광표시장치는 서브 픽셀 내부에 포함된 유기발광다이오드로부터 생성된 빛을 기반으로 영상을 표시하므로 차세대 표시장치로 각광받는 등 다양한 장점을 지니고 있다. 그러나 유기전계발광표시장치는 서브 픽셀에 포함된 소자(예컨대, 구동 트랜지스터 등)의 문턱전압이 변하는 시변 특성(또는 경시변화)을 가지고 있어 이를 보상할 필요가 있다.On the other hand, the organic light emitting display device has various advantages such as being in the spotlight as a next-generation display device because it displays an image based on the light generated from the organic light emitting diode included in the sub-pixel. However, the organic light emitting display device has a time-varying characteristic (or time-dependent change) in which a threshold voltage of an element (eg, a driving transistor, etc.) included in a sub-pixel changes, and it is necessary to compensate for this.

그 결과, 유기전계발광표시장치의 시변 특성을 보상할 수 있는 다양한 보상 방식이 제안되어 왔다. 하지만, 보상 방식 중 일부는 전압 강하분이 고려되지 않아 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등 화질 이슈를 초래하고 있어 개선이 필요하다.As a result, various compensation methods capable of compensating for the time-varying characteristics of the organic light emitting display device have been proposed. However, some of the compensation schemes do not consider the voltage drop, which causes image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on the display panel, and thus needs to be improved.

이하, 유기전계발광표시장치 중 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등 화질 이슈를 초래하고 있는 실험예의 문제를 고찰하고 이를 개선하기 위한 본 명세서의 실시예를 설명한다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위해 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들이 모두 P타입인 것을 일례로 설명하지만, 본 명세서의 실시예는 N타입에도 적용 가능하다.Hereinafter, the problems of the experimental examples that cause image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on a display panel among organic light emitting display devices will be considered, and embodiments of the present specification for improving the problems will be described. However, hereinafter, for convenience of explanation, all transistors included in the sub-pixel are described as P-type as an example, but the embodiment of the present specification is also applicable to N-type transistors.

<실험예><Experimental example>

도 4는 실험예에 따른 유기전계발광표시장치를 설명하기 위한 서브 픽셀 회로 구성도이고, 도 5는 도 4에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도이다.FIG. 4 is a configuration diagram of a sub-pixel circuit for explaining an organic light emitting display device according to an experimental example, and FIG. 5 is a waveform diagram for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 4 .

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 실험예에 따른 제N서브 픽셀은 제1 내지 제6트랜지스터(T1 ~ T6), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함한다.4 and 5, the N-th sub-pixel according to the experimental example includes first to sixth transistors T1 to T6, a driving transistor DT, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode (OLED). include

제1 내지 제6트랜지스터(T1 ~ T6)와 구동 트랜지스터(DT)는 P타입 트랜지스터로 구성된다. 제3트랜지스터(T3)와 제4트랜지스터(T4)는 듀얼 트랜지스터(두 개의 트랜지스터가 직렬 연결되고, 게이트 전극이 서로 연결되어 한 쌍을 이루도록 배치된 구조) 형태로 배치된다.The first to sixth transistors T1 to T6 and the driving transistor DT are configured as P-type transistors. The third transistor T3 and the fourth transistor T4 are disposed in the form of a dual transistor (a structure in which two transistors are connected in series and a gate electrode is connected to each other to form a pair).

실험예에 따른 제N서브 픽셀은 제N발광제어신호(Em[n])가 인가되지 않는 기간 동안(로직하이를 유지하는 기간), 제1초기화 기간(INI)과 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM)을 가지게 됨에 따라 내부 회로 기반의 보상이 이루어진다. 이 기간들 동안의 동작 특성을 간략히 설명하면 다음과 같다.The N-th sub-pixel according to the experimental example includes a first initialization period (INI), a sampling and a second initialization period ( SAM), compensation based on the internal circuit is made. The operating characteristics during these periods are briefly described as follows.

제1초기화 기간(INI) 동안 제4트랜지스터(T4)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 이때, 초기화라인(VINI)에는 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압보다 낮은 초기화전압이 인가된다. 이와 같은 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.During the first initialization period INI, the fourth transistor T4 has an N-1 th scan signal Scan[n-1] of a logic low applied through an N-1 th scan line SCAN[n-1]. is turned on in response to In this case, an initialization voltage lower than the first power voltage applied through the first power line EVDD is applied to the initialization line VINI. By this operation, the gate node DTG of the driving transistor DT is initialized based on the initialization voltage.

샘플링 및 제2초기화 기간(SAM) 동안 제1트랜지스터(T1), 제3트랜지스터(T3) 및 제6트랜지스터(T6)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제N스캔라인(SCAN[n])은 제N스캔라인(SCAN[n])에 위치하는 제N서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N스캔신호를 전달하는 스캔라인이다. 그리고 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])은 제N스캔라인(SCAN[n])의 전단에 위치하는 제N-1서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N-1스캔신호를 전달하는 스캔라인이다.During the sampling and second initialization period SAM, the first transistor T1 , the third transistor T3 , and the sixth transistor T6 have the Nth logic low applied through the Nth scan line SCAN[n]. It is turned on in response to the scan signal Scan[n]. The N-th scan line SCAN[n] is a scan line that transmits an N-th scan signal for driving the N-th sub-pixels located in the N-th scan line SCAN[n]. And the N-1th scan line SCAN[n-1] transmits an N-1th scan signal for driving the N-1th sub-pixels positioned at the front end of the Nth scan line SCAN[n]. scan line.

제1트랜지스터(T1)의 턴온 동작에 의해 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압은 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 인가된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압은 샘플링된다. 그리고 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 인가된 데이터전압은 제3트랜지스터(T3)를 거쳐 게이트 노드(DTG)에 충전된다. 제6트랜지스터(T6)의 턴온 동작에 의해 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.The data voltage applied through the first data line DL1 by the turn-on operation of the first transistor T1 is applied to the first electrode of the driving transistor DT. By the turn-on operation of the third transistor T3 , the driving transistor DT is in a diode-connected state. By the turn-on operation of the third transistor T3 , the threshold voltage of the driving transistor DT is sampled. And the data voltage applied to the first electrode of the driving transistor DT is charged in the gate node DTG through the third transistor T3. By the turn-on operation of the sixth transistor T6 , the organic light emitting diode OLED is initialized based on the initialization voltage.

실험예에 따른 서브 픽셀의 보상 개념을 전류 수식으로 표현하면 다음과 같다.The compensation concept of the sub-pixel according to the experimental example is expressed as a current equation as follows.

Ioled = K(Vsg - Vth)² = K{(VDD-(Vdata-|Vth|) - |Vth| }² = K(VDD-Vdata)²Ioled = K(Vsg - Vth)² = K{(VDD-(Vdata-|Vth|) - |Vth| }² = K(VDD-Vdata)²

위의 식에서, Ioled는 유기 발광다이오드(OLED)를 통해 흐르는 전류, K는 상수, Vsg는 구동 트랜지스터(DT)의 소스전극과 게이트전극 간의 전압, Vth는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압, VDD는 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가된 제1전원전압, Vdata는 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압을 의미한다.In the above equation, Ioled is the current flowing through the organic light emitting diode (OLED), K is a constant, Vsg is the voltage between the source electrode and the gate electrode of the driving transistor DT, Vth is the threshold voltage of the driving transistor DT, and VDD is The first power voltage Vdata applied through the first power line EVDD means the data voltage applied through the first data line DL1.

그런데 실험예에 따른 서브 픽셀은 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가된 제1전원전압 조건이 고려되지 않은바, 제1전원전압의 전압 강하(IR 드랍; IR-Drop)로부터 기인되는 불량 이슈가 존재하는 것으로 나타났다. 제1전원전압의 전압 강하분은 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등 화질 이슈를 초래하므로 이를 다음의 실시예와 같이 개선한다.However, in the sub-pixel according to the experimental example, the condition of the first power voltage applied through the first power line EVDD is not taken into account, so a defect issue resulting from the IR drop (IR-Drop) of the first power voltage appeared to exist. Since the voltage drop of the first power voltage causes image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on the display panel, this is improved as in the following embodiment.

<제1실시예><First embodiment>

도 6은 본 명세서의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 표시 패널의 구성도이고, 도 7은 도 6에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도이다.6 is a configuration diagram of a display panel for schematically explaining an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present specification, and FIG. 7 is a waveform for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 6 . It is also

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 제N서브 픽셀(SP)에 인가되는 제1전원전압의 전압 강하분을 상쇄시킬 수 있도록 외부로부터 인가된 전압을 서브 픽셀에 전달하기 위한 동작을 수행하는 제N전압 전달부(VRD)를 포함한다. 여기서, 외부는 표시영역(AA)의 외부를 의미한다.As shown in FIGS. 6 and 7 , in the organic light emitting display device according to the first embodiment, the voltage drop applied from the outside is applied to offset the voltage drop of the first power voltage applied to the N-th sub-pixel SP. and an Nth voltage transfer unit VRD that performs an operation for transferring a voltage to the sub-pixel. Here, the outside means the outside of the display area AA.

제N전압 전달부(VRD)는 비표시영역(NA)에 배치된다. 예컨대, 제N전압 전달부(VRD)는 표시 패널의 비표시영역(NA)에 배치된 스캔 구동부(130)와 표시영역(AA)에 배치된 서브 픽셀(SP) 사이에 배치될 수 있다.The Nth voltage transfer unit VRD is disposed in the non-display area NA. For example, the Nth voltage transfer unit VRD may be disposed between the scan driver 130 disposed in the non-display area NA of the display panel and the sub-pixel SP disposed in the display area AA.

스캔 구동부(130)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 배치된 제N서브 픽셀(SP)을 구동하는 제N스테이지(STG[G]) 등을 포함한다. 제N스테이지(STG[G])는 제N서브 픽셀(SP)을 구동하기 위한 제N발광제어신호(Em[n])와 제N스캔신호(Scan[n])를 출력한다. 제N전압 전달부(VRD)는 제N스캔라인(SCAN[n])뿐만 아니라 모든 스캔라인에 대응하여 배치된다. 즉, 제N전압 전달부(VRD)는 다수로 구성된다. 그리고 제N전압 전달부(VRD)를 비표시영역(NA)에 배치함으로써, 제 N 전압 전달부(VRD)를 표시영역(AA)에 배치된 복수의 서브 픽셀(SP) 마다 배치하는 것보다 서브 픽셀(SP)을 고집적화할 수 있으므로 고해상도 표시 패널의 구현이 가능하다.The scan driver 130 includes an N-th stage STG[G] for driving the N-th sub-pixel SP disposed on the N-th scan line SCAN[n]. The N-th stage STG[G] outputs an N-th emission control signal Em[n] and an N-th scan signal Scan[n] for driving the N-th sub-pixel SP. The N-th voltage transfer unit VRD is disposed to correspond to all scan lines as well as the N-th scan line SCAN[n]. That is, the N-th voltage transfer unit VRD is configured in plurality. In addition, by arranging the N-th voltage transfer unit VRD in the non-display area NA, it is lower than disposing the N-th voltage transfer unit VRD in each of the plurality of sub-pixels SP in the display area AA. Since the pixels SP can be highly integrated, a high-resolution display panel can be realized.

제N전압 전달부(VRD)는 레퍼런스전압라인(VREF)을 통해 인가되는 레퍼런스전압을 특정 기간 동안 제N서브 픽셀(SP)의 전압전달 노드(VDN)에 전달하는 역할을 한다. 레퍼런스전압은 제1전원라인(EVDD)과 제2전원라인(EVSS) 사이의 전압레벨 또는 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압에 준하는 레벨을 가질 수 있다.The N-th voltage transfer unit VRD serves to transfer the reference voltage applied through the reference voltage line VREF to the voltage transfer node VDN of the N-th sub-pixel SP for a specific period. The reference voltage may have a voltage level between the first power line EVDD and the second power line EVSS or a level corresponding to the first power voltage applied through the first power line EVDD.

제N전압 전달부(VRD)는 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 구성된다. 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)는 외부로부터 인가된 제어신호 또는 스캔 구동부(130)로부터 출력된 스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 외부로부터 인가된 제어신호란 예컨대 타이밍 제어부 또는 전원 공급부로부터 출력된 제어신호를 의미할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The Nth voltage transfer unit VRD includes at least one switching transistor VT. At least one switching transistor VT is turned on or off in response to a control signal applied from the outside or a scan signal output from the scan driver 130 . The externally applied control signal may mean, for example, a control signal output from a timing controller or a power supply, but is not limited thereto.

제1실시예에서는 제N전압 전달부(VRD)가 스캔 구동부(130)와 구분되어 독립적으로 배치되는 것을 일례로 하였다. 하지만, 제N전압 전달부(VRD)는 스캔 구동부(130)의 내부에 포함될 수도 있다.In the first embodiment, as an example, the N-th voltage transfer unit VRD is separately disposed from the scan driver 130 . However, the Nth voltage transfer unit VRD may be included in the scan driver 130 .

그리고 제1실시예와 같이 제N전압 전달부(VRD)를 비표시영역(NA)에 배치하면, 레퍼런스전압 인가를 위해 동작하는 회로를 제N서브 픽셀(SP)의 내부에 배치할 때보다 공정상의 이점을 가질 수 있다. 공정상의 이점을 설명하면 다음과 같다. 첫째, 서브 픽셀 내부에 전압 전달에 필요한 회로를 배치하지 않아도 전압 전달이 가능함은 물론 전압 전달 회로의 외부 배치로 인하여 서브 픽셀 내의 전극이나 배선의 콘택 수를 절감할 수 있다. 둘째, 서브 픽셀의 공간 제약으로부터 벗어날 수 있어 고집적에 유리함은 물론 표시 패널의 대화면 및 고해상도 구현 시, 개구율 저하를 방지할 수 있다.And as in the first embodiment, when the N-th voltage transfer unit VRD is disposed in the non-display area NA, it is more process than when the circuit operating for applying the reference voltage is disposed inside the N-th sub-pixel SP. may have advantages. The advantages of the process are explained as follows. First, voltage transmission is possible without disposing a circuit necessary for voltage transmission inside the sub-pixel, and the number of contacts of electrodes or wires in the sub-pixel can be reduced due to the external arrangement of the voltage transmission circuit. Second, since it is possible to escape from the space constraint of the sub-pixel, it is advantageous for high integration, and it is possible to prevent a decrease in the aperture ratio when realizing a large screen and high resolution of a display panel.

제1실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제1 내지 제7트랜지스터(T1 ~ T7), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 제1실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 총 8개의 트랜지스터를 기반으로 구현된 것을 일례로 도시 및 설명하나 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 이하, 제1실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)의 구성 및 접속 관계를 설명하면 다음과 같다.The N-th sub-pixel SP according to the first embodiment includes first to seventh transistors T1 to T7 , a driving transistor DT, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. The N-th sub-pixel SP according to the first embodiment is illustrated and described as an example implemented based on a total of eight transistors, but the embodiment of the present specification is not limited thereto. Hereinafter, the configuration and connection relationship of the N-th sub-pixel SP according to the first embodiment will be described.

제1트랜지스터(T1)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되고 제2트랜지스터(T2)의 제1전극 및 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제1트랜지스터(T1)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제1트랜지스터(T1)가 턴온되면, 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압은 제1트랜지스터(T1)의 제2전극(또는 제1트랜지스터와 제2트랜지스터 사이)에 충전된다.The first transistor T1 has a gate electrode connected to an N-th scan line SCAN[n], a first electrode connected to a first data line DL1, and a first electrode and a driving transistor of the second transistor T2. The second electrode is connected to the first electrode of (DT). The first transistor T1 is turned on in response to the N-th scan signal Scan[n] of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. When the first transistor T1 is turned on, the data voltage applied through the first data line DL1 is charged in the second electrode (or between the first transistor and the second transistor) of the first transistor T1 .

제2트랜지스터(T2)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터(T2)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD) 및 제7트랜지스터(T7)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제2트랜지스터(T2)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제2트랜지스터(T2)가 턴온되면, 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된 데이터전압은 제7트랜지스터(T7)를 거쳐 커패시터(Cst)의 일단에 전달된다.The second transistor T2 has a gate electrode connected to an Nth emission control signal line EM[n], a first electrode connected to a second electrode of the first transistor T2, and a first power line EVDD and The second electrode is connected to the first electrode of the seventh transistor T7. The second transistor T2 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the second transistor T2 is turned on, the data voltage charged in the second electrode of the first transistor T1 is transferred to one end of the capacitor Cst through the seventh transistor T7.

제3트랜지스터(T3)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 제3트랜지스터(T3)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제3트랜지스터(T3)가 턴온되면, 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 된다.The third transistor T3 has a gate electrode connected to the Nth scan line SCAN[n], a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor DT, and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor DT. The electrode is connected. The third transistor T3 is turned on in response to the N-th scan signal Scan[n] of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. When the third transistor T3 is turned on, the driving transistor DT is in a diode connection state.

제4트랜지스터(T4)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트전극이 연결되고 초기화라인(VINI)에 제1전극이 연결되고 커패시터(Cst)의 타단, 제3트랜지스터(T3)의 제2전극 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 제4트랜지스터(T4)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 제4트랜지스터(T4)가 턴온되면, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.The fourth transistor T4 has a gate electrode connected to an N-1th scan line SCAN[n-1], a first electrode connected to an initialization line VINI, the other end of the capacitor Cst, and a third transistor ( The second electrode is connected to the second electrode of T3 and the gate electrode of the driving transistor DT. The fourth transistor T4 is turned on in response to the N-1th scan signal Scan[n-1] of the logic low applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. When the fourth transistor T4 is turned on, the gate node DTG of the driving transistor DT is initialized based on the initialization voltage.

제5트랜지스터(T5)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제5트랜지스터(T5)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제5트랜지스터(T5)가 턴온되면, 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 발생된 구동전류에 대응하여 빛을 발광하게 된다.The fifth transistor T5 has a gate electrode connected to the Nth emission control signal line EM[n], a first electrode connected to the second electrode of the driving transistor DT, and an anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The second electrode is connected to The fifth transistor T5 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the fifth transistor T5 is turned on, the organic light emitting diode OLED emits light in response to the driving current generated through the driving transistor DT.

제6트랜지스터(T6)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 초기화라인(VINI)에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극 및 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제6트랜지스터(T6)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제6트랜지스터(T6)가 턴온되면 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.The sixth transistor T6 has a gate electrode connected to an N-th scan line SCAN[n], a first electrode connected to an initialization line VINI, a second electrode of the driving transistor DT, and an organic light emitting diode OLED ), the second electrode is connected to the anode electrode. The sixth transistor T6 is turned on in response to the N-th scan signal Scan[n] of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. When the sixth transistor T6 is turned on, the organic light emitting diode OLED is initialized based on the initialization voltage.

제7트랜지스터(T7)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD) 및 제2트랜지스터(T2)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 커패시터(Cst)의 일단에 제2전극이 연결된다. 제7트랜지스터(T7)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제7트랜지스터(T7)가 턴온되면, 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된 데이터전압은 제2트랜지스터(T2)를 거친 후 커패시터(Cst)의 일단에 전달된다.The seventh transistor T7 has a gate electrode connected to the N-th emission control signal line EM[n] and a first electrode connected to the second electrode of the first power line EVDD and the second transistor T2, A second electrode is connected to one end of the capacitor Cst. The seventh transistor T7 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the seventh transistor T7 is turned on, the data voltage charged in the second electrode of the first transistor T1 passes through the second transistor T2 and then is transferred to one end of the capacitor Cst.

커패시터(Cst)는 제7트랜지스터(T7)의 제2전극에 일단이 연결되고 제4트랜지스터(T4)의 제2전극에 타단이 연결된다. 제7트랜지스터(T7)의 제2전극과 커패시터(Cst)의 일단에 마련된 노드는 레퍼런스전압이 전달되는 전압전달 노드(VDN)로 정의된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 제5트랜지스터(T5)의 제2전극에 애노드전극이 연결되고, 제2전원라인(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다.The capacitor Cst has one end connected to the second electrode of the seventh transistor T7 and the other end connected to the second electrode of the fourth transistor T4. A node provided at one end of the second electrode of the seventh transistor T7 and the capacitor Cst is defined as a voltage transfer node VDN to which the reference voltage is transmitted. The organic light emitting diode OLED has an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor T5 and a cathode electrode connected to the second power line EVSS.

제1실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제1초기화 기간(INI), 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM), 유지 기간(HLD) 및 발광 기간(EMI)의 순으로 동작한다. 제1초기화 기간(INI)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)를 초기화시키는 기간이다. 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM)은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 샘플링하면서 유기 발광다이오드(OLED)를 초기화하는 기간이다. 유지 기간(HLD)은 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압을 특정 노드에 유지시키는 기간이다. 발광 기간(EMI)은 데이터전압을 기반으로 생성된 구동전류를 기반으로 유기 발광다이오드(OLED)를 발광시키는 기간이다.The N-th sub-pixel SP according to the first embodiment operates in the order of a first initialization period INI, a sampling and second initialization period SAM, a sustain period HLD, and an emission period EMI. The first initialization period INI is a period for initializing the gate node DTG of the driving transistor DT. The sampling and second initialization period SAM is a period in which the organic light emitting diode OLED is initialized while sampling the threshold voltage of the driving transistor DT. The sustain period HLD is a period in which the data voltage applied through the first data line DL1 is maintained at a specific node. The emission period EMI is a period in which the organic light emitting diode OLED emits light based on a driving current generated based on the data voltage.

제1실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제N발광제어신호(Em[n])가 인가되지 않는 기간 동안(로직하이를 유지하는 기간), 제1초기화 기간(INI)과 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM)을 가지게 됨에 따라 내부 회로 기반의 보상이 이루어진다. 이 기간들 동안의 동작 특성을 간략히 설명하면 다음과 같다. 다만, 제N-1스캔신호(Scan[n-1])와 제N스캔신호(Scan[n])는 1 수평시간(1H) 동안 로직로우로 인가되는 것을 일례로 한다. 또한, 제1초기화 기간(INI)과 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM)은 각각 1 수평시간(1H) 동안 이루어지는 것을 일례로 한다.The N-th sub-pixel SP according to the first embodiment includes a first initialization period INI, sampling and As the second initialization period (SAM) is provided, compensation based on the internal circuit is made. The operating characteristics during these periods are briefly described as follows. However, it is assumed that the N-1th scan signal Scan[n-1] and the Nth scan signal Scan[n] are applied at logic low for one horizontal time period 1H. In addition, it is assumed that the first initialization period INI and the sampling and second initialization period SAM are performed for one horizontal time period (1H), respectively.

제1초기화 기간(INI) 동안 제4트랜지스터(T4)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 이때, 초기화라인(VINI)에는 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압보다 낮은 초기화전압이 인가된다. 이와 같은 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.During the first initialization period INI, the fourth transistor T4 has an N-1 th scan signal Scan[n-1] of a logic low applied through an N-1 th scan line SCAN[n-1]. is turned on in response to In this case, an initialization voltage lower than the first power voltage applied through the first power line EVDD is applied to the initialization line VINI. By this operation, the gate node DTG of the driving transistor DT is initialized based on the initialization voltage.

샘플링 및 제2초기화 기간(SAM) 동안 제1트랜지스터(T1), 제3트랜지스터(T3) 및 제6트랜지스터(T6)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제1트랜지스터(T1)의 턴온 동작에 의해 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압은 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 인가된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압은 샘플링된다. 그리고 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 인가된 데이터전압은 제3트랜지스터(T3)를 거쳐 게이트 노드(DTG)에 충전된다. 제6트랜지스터(T6)의 턴온 동작에 의해 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.During the sampling and second initialization period SAM, the first transistor T1 , the third transistor T3 , and the sixth transistor T6 have the Nth logic low applied through the Nth scan line SCAN[n]. It is turned on in response to the scan signal Scan[n]. The data voltage applied through the first data line DL1 by the turn-on operation of the first transistor T1 is applied to the first electrode of the driving transistor DT. By the turn-on operation of the third transistor T3 , the driving transistor DT is in a diode-connected state. By the turn-on operation of the third transistor T3 , the threshold voltage of the driving transistor DT is sampled. And the data voltage applied to the first electrode of the driving transistor DT is charged in the gate node DTG through the third transistor T3. By the turn-on operation of the sixth transistor T6 , the organic light emitting diode OLED is initialized based on the initialization voltage.

제1실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제1초기화 기간(INI)과 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM) 동안 제1전원전압의 전압 강하분이 고려되도록 제N전압 전달부(VRD)로부터 레퍼런스전압을 인가받게 되는바, 이에 따른 제N서브 픽셀(SP)의 보상 개념을 전류 수식으로 표현하면 다음과 같다.The N-th sub-pixel SP according to the first embodiment has an N-th voltage transfer unit VRD such that a voltage drop of the first power voltage is considered during the first initialization period INI and the sampling and second initialization period SAM. Since the reference voltage is applied from

Ioled = K(Vsg - Vth)² = K{(VDD-(Vdata-|Vth|+VDD-Vref) - |Vth| }² = K(Vref-Vdata)²Ioled = K(Vsg - Vth)² = K{(VDD-(Vdata-|Vth|+VDD-Vref) - |Vth| }² = K(Vref-Vdata)²

위의 식에서, Ioled는 유기 발광다이오드(OLED)를 통해 흐르는 전류, K는 상수, Vsg는 구동 트랜지스터(DT)의 소스전극과 게이트전극 간의 전압, Vth는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압, VDD는 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가된 제1전원전압, Vref는 레퍼런스라인(VREF)을 통해 인가된 레퍼런스전압, Vdata는 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압을 의미한다.In the above equation, Ioled is the current flowing through the organic light emitting diode (OLED), K is a constant, Vsg is the voltage between the source electrode and the gate electrode of the driving transistor DT, Vth is the threshold voltage of the driving transistor DT, and VDD is The first power voltage applied through the first power line EVDD, Vref is the reference voltage applied through the reference line VREF, and Vdata is the data voltage applied through the first data line DL1.

위의 식에서 알 수 있듯이, K는 레퍼런스전압과 데이터전압 간의 차에 의해 결정된다. 즉, 식에 따르면, 제1실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제1초기화 기간(INI)과 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM) 동안에 걸쳐 인가된 레퍼런스전압에 의해 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압의 전압 강하분이 보상될 수 있음을 알 수 있다.As can be seen from the above equation, K is determined by the difference between the reference voltage and the data voltage. That is, according to the equation, the N-th sub-pixel SP according to the first embodiment has the first power line ( It can be seen that the voltage drop of the first power voltage applied through EVDD) can be compensated.

이하, 제N전압 전달부(VRD)가 두 개의 스위칭 트랜지스터로 구성되는 것을 일례로 제1실시예와 관련된 설명을 더 구체화하면 다음과 같다.Hereinafter, when the Nth voltage transfer unit VRD is configured of two switching transistors as an example, the description related to the first embodiment will be further detailed as follows.

도 8은 본 명세서의 제1실시예에 따라 제N전압 전달부의 구성을 더욱 상세히 나타낸 도면이고, 도 9 내지 16은 도 8의 구성에 따른 구동방법을 더욱 상세히 설명하기 위한 도면들이다.8 is a diagram illustrating in more detail the configuration of an Nth voltage transmitting unit according to the first embodiment of the present specification, and FIGS. 9 to 16 are diagrams for explaining in more detail a driving method according to the configuration of FIG. 8 .

도 8에 도시된 바와 같이, 제N전압 전달부(VT)는 제1스위칭 트랜지스터(VTa)와 제2스위칭 트랜지스터(VTb)를 포함한다. 제1스위칭 트랜지스터(VTa)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 제N-1스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다. 제2스위칭 트랜지스터(VTb)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 제N스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다.As shown in FIG. 8 , the Nth voltage transfer unit VT includes a first switching transistor VTa and a second switching transistor VTb. The first switching transistor VTa is turned on or off in response to the N-1th scan signal applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. The second switching transistor VTb is turned on or off in response to the N-th scan signal applied through the N-th scan line SCAN[n].

제1스위칭 트랜지스터(VTa)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 제7트랜지스터(T7)의 제2전극 및 커패시터(Cst)의 일단인 전압전달 노드(VDN)에 제2전극이 연결된다. 제2스위칭 트랜지스터(VTb)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 제7트랜지스터(T7)의 제2전극 및 커패시터(Cst)의 일단인 전압전달 노드(VDN)에 제2전극이 연결된다. 즉, 제1스위칭 트랜지스터(VTa)과 제2스위칭 트랜지스터(VTb)의 경우 게이트전극은 각기 다른 스캔라인에 연결되지만 제1전극은 제1전극끼리 그리고 제2전극은 제2전극끼리 공통으로 연결된다.The first switching transistor VTa has a gate electrode connected to an N-1th scan line SCAN[n-1], a first electrode connected to a reference voltage line VREF, and a second electrode of the seventh transistor T7 A second electrode is connected to the voltage transfer node VDN, which is one end of the electrode and the capacitor Cst. The second switching transistor VTb has a gate electrode connected to the N-th scan line SCAN[n], a first electrode connected to a reference voltage line VREF, and a second electrode and a capacitor ( Cst), the second electrode is connected to the voltage transfer node VDN. That is, in the case of the first switching transistor VTa and the second switching transistor VTb, the gate electrodes are connected to different scan lines, but the first electrode is connected to the first electrodes and the second electrode is connected to the second electrodes in common. .

이하, 제N전압 전달부(VT)와 제N서브 픽셀(SP)을 결부하여 제1실시예에 따른 구동방법을 설명하면 다음과 같다. 이하의 설명에서 대각선의 빗금이 쳐진 트랜지스터는 턴오프된 상태이고 빗금이 쳐지지 않은 트랜지스터는 턴온 상태임을 의미한다.Hereinafter, a driving method according to the first embodiment will be described in connection with the Nth voltage transfer unit VT and the Nth subpixel SP. In the following description, a diagonally hatched transistor means a turned-off state, and a non-slashed transistor is a turned-on state.

도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제1초기화 기간(INI) 동안 제1스위칭 트랜지스터(VTa)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 이때, 레퍼런스라인(VREF)을 통해 전달되는 레퍼런스전압은 턴온된 제1스위칭 트랜지스터(VTa)를 통해 제N서브 픽셀(SP)에 인가된다. 이와 같은 동작에 의해, 레퍼런스전압은 커패시터(Cst)의 일단에 충전된다.As shown in FIGS. 9 and 10 , during the first initialization period INI, the first switching transistor VTa has an Nth logic low applied through an N−1th scan line SCAN[n−1]. It is turned on in response to the -1 scan signal Scan[n-1]. At this time, the reference voltage transferred through the reference line VREF is applied to the N-th sub-pixel SP through the turned-on first switching transistor VTa. By this operation, the reference voltage is charged to one end of the capacitor Cst.

덧붙여, 제1초기화 기간(INI) 동안 제4트랜지스터(T4)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 이때, 초기화라인(VINI)에는 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압보다 낮은 초기화전압이 인가된다. 이와 같은 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)는 초기화전압을 기반으로 초기화(또는 잔류 전압 방전)된다.In addition, during the first initialization period INI, the fourth transistor T4 receives the N-1th scan signal Scan[n-1] of the logic low applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. ]) is turned on. In this case, an initialization voltage lower than the first power voltage applied through the first power line EVDD is applied to the initialization line VINI. By this operation, the gate node DTG of the driving transistor DT is initialized (or discharged with a residual voltage) based on the initialization voltage.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM) 동안 제2스위칭 트랜지스터(VTb)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 이때, 레퍼런스라인(VREF)을 통해 전달되는 레퍼런스전압은 턴온된 제2스위칭 트랜지스터(VTb)를 통해 제N서브 픽셀(SP)에 인가된다. 이와 같은 동작에 의해, 레퍼런스전압은 커패시터(Cst)의 일단에 지속적으로 충전된다.11 and 12 , during the sampling and second initialization period SAM, the second switching transistor VTb receives an N-th scan signal of logic low applied through an N-th scan line SCAN[n]. It is turned on in response to (Scan[n]). At this time, the reference voltage transferred through the reference line VREF is applied to the N-th sub-pixel SP through the turned-on second switching transistor VTb. By this operation, the reference voltage is continuously charged to one end of the capacitor Cst.

덧붙여, 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM) 동안 제1트랜지스터(T1), 제3트랜지스터(T3) 및 제6트랜지스터(T6)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제1트랜지스터(T1)의 턴온 동작에 의해 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압은 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 인가된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압은 샘플링된다. 그리고 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 인가된 데이터전압은 제3트랜지스터(T3)를 거쳐 게이트 노드(DTG)에 충전된다. 제6트랜지스터(T6)의 턴온 동작에 의해 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.In addition, during the sampling and second initialization period (SAM), the first transistor T1, the third transistor T3, and the sixth transistor T6 are of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. It is turned on in response to the N-th scan signal Scan[n]. The data voltage applied through the first data line DL1 by the turn-on operation of the first transistor T1 is applied to the first electrode of the driving transistor DT. By the turn-on operation of the third transistor T3 , the driving transistor DT is in a diode-connected state. By the turn-on operation of the third transistor T3 , the threshold voltage of the driving transistor DT is sampled. And the data voltage applied to the first electrode of the driving transistor DT is charged in the gate node DTG through the third transistor T3. By the turn-on operation of the sixth transistor T6 , the organic light emitting diode OLED is initialized based on the initialization voltage.

도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 유지 기간(HLD) 동안 제1스위칭 트랜지스터(VTa)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직하이의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴오프된다. 제2스위칭 트랜지스터(VTb)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직하이의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴오프된다.13 and 14 , during the sustain period HLD, the first switching transistor VTa has a logic high N-1 applied through the N-1 th scan line SCAN[n-1]. It is turned off in response to the scan signal Scan[n-1]. The second switching transistor VTb is turned off in response to the logic-high N-th scan signal Scan[n] applied through the N-th scan line SCAN[n].

덧붙여, 유지 기간(HLD) 동안 제1 내지 제7트랜지스터(T1 ~ T7)는 로직하이의 제N-1스캔신호(Scan[n-1]), 로직하이의 제N스캔신호(Scan[n]) 및 로직하이의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴오프된다. 이와 같은 동작에 의해, 커패시터(Cst)는 양단 전압차를 기반으로 데이터전압을 충전 및 유지하게 된다.In addition, during the sustain period HLD, the first to seventh transistors T1 to T7 provide a logic-high N-1 th scan signal Scan[n-1] and a logic high N-th scan signal Scan[n]. ) and the Nth light emission control signal Em[n] of logic high is turned off. By this operation, the capacitor Cst charges and maintains the data voltage based on the voltage difference between both ends.

도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 발광 기간(EMI) 동안 제1스위칭 트랜지스터(VTa)와 제2스위칭 트랜지스터(VTb)는 이전과 동일하게 턴오프된 상태를 유지한다.15 and 16 , during the light emission period EMI, the first switching transistor VTa and the second switching transistor VTb maintain the same turned-off state as before.

덧붙여, 발광 기간(EMI) 동안 제2트랜지스터(T2), 제5트랜지스터(T5) 및 제7트랜지스터(T7)는 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제2트랜지스터(T2), 제5트랜지스터(T5) 및 제7트랜지스터(T7)의 턴온 동작에 의해 구동 트랜지스터(DT)는 문턱전압이 보상된 데이터전압에 기초한 구동전류를 생성하며 턴온된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 전달된 구동전류를 기반으로 빛을 발광한다.In addition, during the emission period EMI, the second transistor T2 , the fifth transistor T5 , and the seventh transistor T7 are turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of logic low. By the turn-on operation of the second transistor T2 , the fifth transistor T5 , and the seventh transistor T7 , the driving transistor DT is turned on while generating a driving current based on the data voltage for which the threshold voltage is compensated. The organic light emitting diode OLED emits light based on a driving current transmitted from the driving transistor DT.

제1초기화 기간(INI) 내지 발광 기간(EMI) 동안의 전압전달 노드의 전압, 구동 트랜지스터의 게이트 노드, 소오스 노드, 드레인 노드 및 문턱전압(Vth), 및 유기 발광다이오드를 통해 흐르는 구동전류(Ioled)의 변화를 표로 도시하면 다음과 같다. 이하의 표 1에서 제1전원전압은 VDD로 레퍼런스전압은 Vref로 표기한다.The voltage of the voltage transfer node, the gate node, the source node, the drain node, and the threshold voltage Vth of the driving transistor during the first initialization period INI to the light emission period EMI, and the driving current Ioled flowing through the organic light emitting diode ) is shown in a table as follows. In Table 1 below, the first power voltage is denoted as VDD and the reference voltage is denoted as Vref.

제1초기화 기간(INI)First initialization period (INI) 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM)Sampling and Second Initialization Period (SAM) 유지 기간(HLD)retention period (HLD) 발광 기간(EMI)Luminescence Period (EMI) 전압전달 노드voltage transfer node VrefVref VrefVref VrefVref VDDVDD 구동 트랜지스터의 게이트 노드gate node of the driving transistor ViniVini Vdata-|Vth|Vdata-|Vth| 전과 동일same as before Vdata-|Vth|+
(VDD-Vref)
Vdata-|Vth|+
(VDD-Vref)
구동 트랜지스터의 소오스 노드source node of the driving transistor -- VdataVdata 전과 동일same as before VDDVDD 구동 트랜지스터의 드레인 노드Drain node of the driving transistor -- Vdata-|Vth|Vdata-|Vth| 전과 동일same as before -- 구동전류drive current Ioled = K(Vsg - Vth)² = K{ VDD-(Vdata-|Vth|+VDD-Vref)-Vth)}²
= K(Vref-Vdata)²
Ioled = K(Vsg - Vth)² = K{ VDD-(Vdata-|Vth|+VDD-Vref)-Vth)}²
= K(Vref-Vdata)²

이상의 설명을 통해 알 수 있듯이, 제1실시예는 제1전원전압의 전압 강하로부터 기인되는 불량 이슈를 예방 또는 해소할 수 있으므로 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등 화질 이슈가 초래되는 현상을 방지 또는 개선할 수 있는 효과가 있다. 또한, 제1실시예는 레퍼런스전압을 서브 픽셀에 전달하기 위한 회로를 비표시영역에 배치함으로써, 서브 픽셀 내의 전극이나 배선의 콘택 수를 절감할 수 있음은 물론 고집적에 유리하여 표시 패널의 대화면 및 고해상도 구현 시, 개구율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.As can be seen from the above description, since the first embodiment can prevent or solve a defect issue caused by a voltage drop of the first power voltage, image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on the display panel There is an effect that can prevent or improve the phenomenon caused. In addition, in the first embodiment, by disposing a circuit for transmitting the reference voltage to the sub-pixel in the non-display area, it is possible to reduce the number of contacts of electrodes or wires in the sub-pixel, as well as advantageous to high integration, so that the display panel has a large screen and When implementing a high resolution, there is an effect of preventing a decrease in the aperture ratio.

<제2실시예><Second embodiment>

도 17은 본 명세서의 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 표시 패널의 구성도이고, 도 18은 도 17에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도이다. 본 명세서에 따른 제2 실시예는 제1 실시예의 변형예이므로, 제1 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나, 간략하게 설명할 수 있다.17 is a configuration diagram of a display panel for schematically explaining an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present specification, and FIG. 18 is a waveform for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 17 . It is also Since the second embodiment according to the present specification is a modification of the first embodiment, the description overlapping with the first embodiment may be omitted or briefly described.

도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 제N서브 픽셀(SP)에 인가되는 제1전원전압의 전압 강하분을 상쇄시킬 수 있도록 외부로부터 인가된 전압을 서브 픽셀에 전달하기 위한 동작을 수행하는 제N전압 전달부(VRD)를 포함한다. 여기서, 외부는 표시영역(AA)의 외부를 의미한다.17 and 18 , in the organic light emitting display device according to the second embodiment, the voltage drop applied from the outside is applied to offset the voltage drop of the first power voltage applied to the N-th sub-pixel SP. and an Nth voltage transfer unit VRD that performs an operation for transferring a voltage to the sub-pixel. Here, the outside means the outside of the display area AA.

제N전압 전달부(VRD)는 비표시영역(NA)에 배치된다. 제N전압 전달부(VRD)는 레퍼런스전압라인(VREF)을 통해 인가되는 레퍼런스전압을 특정 기간 동안 제N서브 픽셀(SP)에 전달하는 역할을 한다. 제N전압 전달부(VRD)는 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 구성된다.The Nth voltage transfer unit VRD is disposed in the non-display area NA. The N-th voltage transfer unit VRD serves to transfer the reference voltage applied through the reference voltage line VREF to the N-th sub-pixel SP for a specific period. The Nth voltage transfer unit VRD includes one switching transistor VT.

스위칭 트랜지스터(VT)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 제7트랜지스터(T7)의 제2전극 및 커패시터(Cst)의 일단에 제2전극이 연결된다. 스위칭 트랜지스터(VT)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다.The switching transistor VT has a gate electrode connected to an N-th scan line SCAN[n], a first electrode connected to a reference voltage line VREF, and a second electrode and a capacitor Cst of the seventh transistor T7. A second electrode is connected to one end of the The switching transistor VT is turned on or off in response to the N-th scan signal Scan[n] applied through the N-th scan line SCAN[n].

제2실시예와 같이, 전단의 스캔신호와 현재의 스캔신호 간에 적어도 1 수평시간(1H) 로직로우 구간이 중첩하도록 신호를 구성하면 제1초기화 기간(INI)과 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM)을 충분하게 확보할 수 있다. 그러므로 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])과 제N스캔라인(SCAN[n])의 로직로우 구간이 중첩하도록 구성하면, 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 제N전압 전달부(VRD)를 구성할 수 있다.As in the second embodiment, if the signal is configured so that a logic low period of at least one horizontal time (1H) overlaps between the previous scan signal and the current scan signal, the first initialization period (INI) and the sampling and second initialization period (SAM) ) can be sufficiently obtained. Therefore, if the N-1th scan line SCAN[n-1] and the logic low section of the Nth scan line SCAN[n] are configured to overlap, the Nth voltage transfer unit ( VRD) can be configured.

제2실시예는 전단의 스캔신호와 현재의 스캔신호가 중첩하며 인가되므로 제N전압 전달부(VRD)가 특정 기간 동안 턴오프에서 턴온 상태로 변경되지 않고 적어도 2 수평시간 동안 턴온 상태를 이어갈 수 있어 레퍼런스전압 전달 시 전압 공급이 끊기거나 노드가 전기적으로 플로팅되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 제2실시예는 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 제N전압 전달부(VRD)를 구성하므로 표시 패널의 비표시영역(또는 베젤영역)을 더욱 축소할 수 있을 만큼 회로를 간소화할 수 있다.In the second embodiment, since the previous scan signal and the current scan signal overlap and are applied, the N-th voltage transfer unit VRD does not change from the turn-off to the turn-on state for a specific period, and the turn-on state can be maintained for at least 2 horizontal times. Therefore, it is possible to prevent the voltage supply from being cut off or the node from electrically floating when the reference voltage is transferred. In addition, in the second embodiment, since the N-th voltage transfer unit VRD is configured with one switching transistor VT, the circuit can be simplified enough to further reduce the non-display area (or bezel area) of the display panel. .

1 수평 시간의 캔신호와 달리, 2 수평 시간의 스캔신호는 펄스들 간의 중첩 구동에서만 보상 시간을 마련할 수 있다. 따라서, 초기화 기간(INI)에서 레퍼런스 전압이 서브 픽셀에 인가되는 이유는 스캔 신호들 간의 중첩 구동에 따라 필연적이며, 초기화 기간(INI)부터 레퍼런스전압을 인가하면 레퍼런스전압 전달 시 전압 공급이 끊기거나 노드가 전기적으로 플로팅(floating)되는 현상을 방지할 수 있다.Unlike the 1 horizontal time can signal, the 2 horizontal time scan signal can provide a compensation time only in the overlapping driving between pulses. Therefore, the reason why the reference voltage is applied to the sub-pixels in the initialization period INI is inevitable due to overlapping driving between scan signals. It is possible to prevent the phenomenon of electrically floating (floating).

제2실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제1 내지 제7트랜지스터(T1 ~ T7), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 제2실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제1실시예와 달리 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 의해 구동 트랜지스터(DT)와 유기 발광다이오드(OLED)가 동시에 초기화된다. 이하, 제2실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)의 구성 및 접속 관계를 설명하면 다음과 같다.The N-th sub-pixel SP according to the second exemplary embodiment includes first to seventh transistors T1 to T7 , a driving transistor DT, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. Unlike the first embodiment, in the N-th sub-pixel SP according to the second embodiment, the driving transistor DT and the organic light emitting diode OLED are simultaneously operated by the N-1 th scan signal Scan[n-1]. is initialized Hereinafter, the configuration and connection relationship of the N-th sub-pixel SP according to the second embodiment will be described.

제1트랜지스터(T1)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되고 제2트랜지스터(T2)의 제1전극 및 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제1트랜지스터(T1)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제1트랜지스터(T1)가 턴온되면, 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압은 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된다.The first transistor T1 has a gate electrode connected to an N-th scan line SCAN[n], a first electrode connected to a first data line DL1, and a first electrode and a driving transistor of the second transistor T2. The second electrode is connected to the first electrode of (DT). The first transistor T1 is turned on in response to the N-th scan signal Scan[n] of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. When the first transistor T1 is turned on, the data voltage applied through the first data line DL1 is charged to the second electrode of the first transistor T1 .

제2트랜지스터(T2)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터(T2)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD) 및 제7트랜지스터(T7)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제2트랜지스터(T2)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제2트랜지스터(T2)가 턴온되면, 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된 데이터전압은 제7트랜지스터(T7)를 거쳐 커패시터(Cst)의 일단에 전달된다.The second transistor T2 has a gate electrode connected to an Nth emission control signal line EM[n], a first electrode connected to a second electrode of the first transistor T2, and a first power line EVDD and The second electrode is connected to the first electrode of the seventh transistor T7. The second transistor T2 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the second transistor T2 is turned on, the data voltage charged in the second electrode of the first transistor T1 is transferred to one end of the capacitor Cst through the seventh transistor T7.

제3트랜지스터(T3)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 제3트랜지스터(T3)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제3트랜지스터(T3)가 턴온되면, 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 된다.The third transistor T3 has a gate electrode connected to the Nth scan line SCAN[n], a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor DT, and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor DT. The electrode is connected. The third transistor T3 is turned on in response to the N-th scan signal Scan[n] of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. When the third transistor T3 is turned on, the driving transistor DT is in a diode connection state.

제4트랜지스터(T4)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트전극이 연결되고 초기화라인(VINI)에 제1전극이 연결되고 커패시터(Cst)의 타단, 제3트랜지스터(T3)의 제2전극 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 제4트랜지스터(T4)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 제4트랜지스터(T4)가 턴온되면, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.The fourth transistor T4 has a gate electrode connected to an N-1th scan line SCAN[n-1], a first electrode connected to an initialization line VINI, the other end of the capacitor Cst, and a third transistor ( The second electrode is connected to the second electrode of T3 and the gate electrode of the driving transistor DT. The fourth transistor T4 is turned on in response to the N-1th scan signal Scan[n-1] of the logic low applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. When the fourth transistor T4 is turned on, the gate node DTG of the driving transistor DT is initialized based on the initialization voltage.

제5트랜지스터(T5)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제5트랜지스터(T5)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제5트랜지스터(T5)가 턴온되면, 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 발생된 구동전류에 대응하여 빛을 발광하게 된다.The fifth transistor T5 has a gate electrode connected to the Nth emission control signal line EM[n], a first electrode connected to the second electrode of the driving transistor DT, and an anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The second electrode is connected to The fifth transistor T5 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the fifth transistor T5 is turned on, the organic light emitting diode OLED emits light in response to the driving current generated through the driving transistor DT.

제6트랜지스터(T6)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트전극이 연결되고 초기화라인(VINI)에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극 및 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제6트랜지스터(T6)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 제6트랜지스터(T6)가 턴온되면 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.The sixth transistor T6 has a gate electrode connected to an N-1 th scan line SCAN[n-1], a first electrode connected to an initialization line VINI, and a second electrode and organic element of the driving transistor DT. A second electrode is connected to the anode electrode of the light emitting diode (OLED). The sixth transistor T6 is turned on in response to the N-1th scan signal Scan[n-1] of the logic low applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. When the sixth transistor T6 is turned on, the organic light emitting diode OLED is initialized based on the initialization voltage.

제7트랜지스터(T7)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD) 및 제2트랜지스터(T2)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 커패시터(Cst)의 일단에 제2전극이 연결된다. 제7트랜지스터(T7)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제7트랜지스터(T7)가 턴온되면, 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된 데이터전압은 제2트랜지스터(T2)를 거친 후 커패시터(Cst)의 일단에 전달된다.The seventh transistor T7 has a gate electrode connected to the N-th emission control signal line EM[n] and a first electrode connected to the second electrode of the first power line EVDD and the second transistor T2, A second electrode is connected to one end of the capacitor Cst. The seventh transistor T7 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the seventh transistor T7 is turned on, the data voltage charged in the second electrode of the first transistor T1 passes through the second transistor T2 and then is transferred to one end of the capacitor Cst.

커패시터(Cst)는 제7트랜지스터(T7)의 제2전극에 일단이 연결되고 제4트랜지스터(T4)의 제2전극에 타단이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 제5트랜지스터(T5)의 제2전극에 애노드전극이 연결되고, 제2전원라인(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다.The capacitor Cst has one end connected to the second electrode of the seventh transistor T7 and the other end connected to the second electrode of the fourth transistor T4. The organic light emitting diode OLED has an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor T5 and a cathode electrode connected to the second power line EVSS.

제2실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 초기화 기간(INI), 샘플링 기간(SAM), 유지 기간(HLD) 및 발광 기간(EMI)의 순으로 동작한다. 초기화 기간(INI)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)와 유기 발광다이오드(OLED)를 동시에 초기화시키는 기간이다. 샘플링 기간(SAM)은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 샘플링하는 기간이다. 유지 기간(HLD)은 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압을 특정 노드에 유지시키는 기간이다. 발광 기간(EMI)은 데이터전압을 기반으로 생성된 구동전류를 기반으로 유기 발광다이오드(OLED)를 발광시키는 기간이다.The N-th sub-pixel SP according to the second exemplary embodiment operates in the order of the initialization period INI, the sampling period SAM, the sustain period HLD, and the light emission period EMI. The initialization period INI is a period in which the gate node DTG of the driving transistor DT and the organic light emitting diode OLED are simultaneously initialized. The sampling period SAM is a period for sampling the threshold voltage of the driving transistor DT. The sustain period HLD is a period in which the data voltage applied through the first data line DL1 is maintained at a specific node. The emission period EMI is a period in which the organic light emitting diode OLED emits light based on a driving current generated based on the data voltage.

제2실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제N발광제어신호(Em[n])가 인가되지 않는 기간 동안(로직하이를 유지하는 기간), 초기화 기간(INI)과 샘플링 기간(SAM)을 가지게 됨에 따라 내부 회로 기반의 보상이 이루어진다. 이 기간들 동안의 동작 특성을 간략히 설명하면 다음과 같다. 제N-1스캔신호(Scan[n-1])와 제N스캔신호(Scan[n])는 2 수평시간(2H) 동안 로직로우로 인가되고, 1 수평 시간(1H) 동안 두 신호가 중첩하는 것을 일례로 한다. The N-th sub-pixel SP according to the second exemplary embodiment includes a period in which the N-th emission control signal Em[n] is not applied (a period in which a logic high is maintained), an initialization period INI, and a sampling period SAM ), compensation based on the internal circuit is made. The operating characteristics during these periods are briefly described as follows. The N-1th scan signal Scan[n-1] and the Nth scan signal Scan[n] are applied as logic low for 2 horizontal times (2H), and the two signals overlap for 1 horizontal time (1H) Take as an example

초기화 기간(INI) 동안 제4트랜지스터(T4) 및 제6트랜지스터(T6)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 동시에 턴온된다. 이때, 초기화라인(VINI)에는 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압보다 낮은 초기화전압이 인가된다. 이와 같은 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 노드(DTG)와 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.During the initialization period INI, the fourth transistor T4 and the sixth transistor T6 receive the N-1th scan signal Scan[ n-1]) and are simultaneously turned on. In this case, an initialization voltage lower than the first power voltage applied through the first power line EVDD is applied to the initialization line VINI. By this operation, the gate node DTG of the driving transistor DT and the organic light emitting diode OLED are initialized based on the initialization voltage.

샘플링 기간(SAM) 동안 제1트랜지스터(T1)와 제3트랜지스터(T3)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제1트랜지스터(T1)의 턴온 동작에 의해 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압은 제N서브 픽셀(SP)에 전달된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 된다. 제3트랜지스터(T3)의 턴온 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압은 샘플링된다.During the sampling period SAM, the first transistor T1 and the third transistor T3 correspond to the N-th scan signal Scan[n] of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. is turned on The data voltage applied through the first data line DL1 by the turn-on operation of the first transistor T1 is transferred to the N-th sub-pixel SP. The driving transistor DT is in a diode connection state by the turn-on operation of the third transistor T3 . By the turn-on operation of the third transistor T3 , the threshold voltage of the driving transistor DT is sampled.

제2실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP) 또한 초기화 기간(INI)과 샘플링 기간(SAM) 동안 제1전원전압의 전압 강하분이 고려되도록 제N전압 전달부(VRD)로부터 레퍼런스전압을 인가받게 된다. 따라서, 제2실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP) 또한 레퍼런스전압에 의해 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압의 전압 강하분이 보상될 수 있다.The N-th sub-pixel SP according to the second embodiment also receives the reference voltage from the N-th voltage transfer unit VRD such that the voltage drop of the first power voltage is taken into account during the initialization period INI and the sampling period SAM. do. Accordingly, the N-th sub-pixel SP according to the second exemplary embodiment may also compensate for the voltage drop of the first power voltage applied through the first power line EVDD by the reference voltage.

그러므로 제2실시예는 초기화 기간(INI)과 샘플링 기간(SAM) 동안 레퍼런스전압을 인가할 수 있는 제N전압 전달부(VRD)를 가지므로, 제1실시예와 같은 효과를 발현할 수 있다. 또한, 제2실시예는 레퍼런스전압 전달 시 전압 공급이 끊기거나 노드가 전기적으로 플로팅되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 제2실시예는 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 제N전압 전달부(VRD)를 구성하므로 표시 패널의 비표시영역(또는 베젤영역)을 더욱 축소할 수 있을 만큼 회로를 간소화할 수 있다.Therefore, since the second embodiment has the Nth voltage transfer unit VRD that can apply the reference voltage during the initialization period INI and the sampling period SAM, the same effect as the first embodiment can be achieved. In addition, the second embodiment can prevent the voltage supply from being cut off or the node from electrically floating when the reference voltage is transmitted. In addition, in the second embodiment, since the N-th voltage transfer unit VRD is configured with one switching transistor VT, the circuit can be simplified enough to further reduce the non-display area (or bezel area) of the display panel. .

<제3실시예><Third embodiment>

도 19는 본 명세서의 제3실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 설명하기 위한 표시 패널의 구성도이고, 도 20은 도 19에 도시된 서브 픽셀 회로의 일부 구동 특성을 설명하기 위한 파형도이다. 본 명세서에 따른 제3 실시예는 제1 실시예 및 제2 실시예의 변형예이므로, 제1 실시예 및 제2 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나, 간략하게 설명할 수 있다.19 is a configuration diagram of a display panel for schematically explaining an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present specification, and FIG. 20 is a waveform for explaining some driving characteristics of the sub-pixel circuit shown in FIG. 19 . It is also Since the third embodiment according to the present specification is a modification of the first and second embodiments, the description overlapping with the first and second embodiments may be omitted or briefly described.

도 19 및 도 20에 도시된 바와 같이, 제3실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 제N서브 픽셀(SP)에 인가되는 제1전원전압의 전압 강하분을 상쇄시킬 수 있도록 외부로부터 인가된 전압을 서브 픽셀에 전달하기 위한 동작을 수행하는 제N전압 전달부(VRD)를 포함한다. 여기서, 외부는 표시영역(AA)의 외부를 의미한다.19 and 20 , in the organic light emitting display device according to the third embodiment, the voltage drop applied from the outside is applied to offset the voltage drop of the first power voltage applied to the N-th sub-pixel SP. and an Nth voltage transfer unit VRD that performs an operation for transferring a voltage to the sub-pixel. Here, the outside means the outside of the display area AA.

제N전압 전달부(VRD)는 비표시영역(NA)에 배치된다. 제N전압 전달부(VRD)는 레퍼런스전압라인(VREF)을 통해 인가되는 레퍼런스전압을 특정 기간 동안 제N서브 픽셀(SP)에 전달하는 역할을 한다. 제N전압 전달부(VRD)는 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 구성된다.The Nth voltage transfer unit VRD is disposed in the non-display area NA. The N-th voltage transfer unit VRD serves to transfer the reference voltage applied through the reference voltage line VREF to the N-th sub-pixel SP for a specific period. The Nth voltage transfer unit VRD includes one switching transistor VT.

스위칭 트랜지스터(VT)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 제7트랜지스터(T7)의 제2전극 및 커패시터(Cst)의 일단인 전압전달노드(VDN)에 제2전극이 연결된다. 스위칭 트랜지스터(VT)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온 또는 턴오프된다.The switching transistor VT has a gate electrode connected to an N-1 th scan line SCAN[n-1], a first electrode connected to a reference voltage line VREF, a second electrode of a seventh transistor T7, and The second electrode is connected to the voltage transfer node VDN, which is one end of the capacitor Cst. The switching transistor VT is turned on or off in response to the N-1 th scan signal Scan[n-1] applied through the N-1 th scan line SCAN[n-1].

제3실시예와 같이, 전단의 스캔신호와 현재의 스캔신호 간에 적어도 1 수평시간(1H) 로직로우 구간이 중첩하도록 신호를 구성하면 제1초기화 기간(INI)과 샘플링 및 제2초기화 기간(SAM)을 가질 수 있을 만큼 충분한 시간을 가질 수 있다. 그러므로 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])과 제N스캔라인(SCAN[n])의 로직로우 구간이 중첩하도록 구성하면, 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 제N전압 전달부(VRD)를 구성할 수 있다.As in the third embodiment, if the signal is configured so that a logic low period of at least one horizontal time (1H) overlaps between the previous scan signal and the current scan signal, the first initialization period (INI) and the sampling and second initialization period (SAM) ) to have enough time to have Therefore, if the N-1th scan line SCAN[n-1] and the logic low section of the Nth scan line SCAN[n] are configured to overlap, the Nth voltage transfer unit ( VRD) can be configured.

제N서브 픽셀(SP)은 제1 내지 제3트랜지스터(T1 ~ T3), 제5 내지 제7트랜지스터(T5 ~ T7), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함한다. 제3실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제2실시예 대비 제4트랜지스터(T4)를 삭제한 구조이다.The N-th sub-pixel SP includes first to third transistors T1 to T3, fifth to seventh transistors T5 to T7, a driving transistor DT, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. include The N-th sub-pixel SP according to the third embodiment has a structure in which the fourth transistor T4 is deleted compared to the second embodiment.

제3실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제1실시예와 달리 구동 트랜지스터(DT)가 다이오드 커넥션과 유기 발광다이오드(OLED)의 초기화가 동시에 이루어진다. 구체적으로, 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 의해 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 되고, 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화된다. 덧붙여, 제5트랜지스터(T5)는 제N+1 발광제어신호(Em[n+1])에 의해 턴온되어 구동 트랜지스터(DT)를 통해 발생된 구동전류를 유기 발광다이오드(OLED)에 전달하게 된다. 이하, 제3실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)의 구성 및 접속 관계를 설명하면 다음과 같다.Unlike the first embodiment, in the N-th sub-pixel SP according to the third embodiment, the diode connection of the driving transistor DT and the initialization of the organic light emitting diode OLED are simultaneously performed. Specifically, the driving transistor DT enters a diode connection state by the N-1 th scan signal Scan[n-1], and the organic light emitting diode OLED is initialized. In addition, the fifth transistor T5 is turned on by the N+1th emission control signal Em[n+1] to transmit the driving current generated through the driving transistor DT to the organic light emitting diode OLED. . Hereinafter, the configuration and connection relationship of the N-th sub-pixel SP according to the third embodiment will be described.

제1트랜지스터(T1)는 제N스캔라인(SCAN[n])에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되고 제2트랜지스터(T2)의 제1전극 및 구동 트랜지스터(DT)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제1트랜지스터(T1)는 제N스캔라인(SCAN[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N스캔신호(Scan[n])에 대응하여 턴온된다. 제1트랜지스터(T1)가 턴온되면, 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압은 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된다.The first transistor T1 has a gate electrode connected to an N-th scan line SCAN[n], a first electrode connected to a first data line DL1, and a first electrode and a driving transistor of the second transistor T2. The second electrode is connected to the first electrode of (DT). The first transistor T1 is turned on in response to the N-th scan signal Scan[n] of the logic low applied through the N-th scan line SCAN[n]. When the first transistor T1 is turned on, the data voltage applied through the first data line DL1 is charged to the second electrode of the first transistor T1 .

제2트랜지스터(T2)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터(T2)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD) 및 제7트랜지스터(T7)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제2트랜지스터(T2)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제2트랜지스터(T2)가 턴온되면, 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된 데이터전압은 제7트랜지스터(T7)를 거쳐 커패시터(Cst)의 일단에 전달된다.The second transistor T2 has a gate electrode connected to an Nth emission control signal line EM[n], a first electrode connected to a second electrode of the first transistor T2, and a first power line EVDD and The second electrode is connected to the first electrode of the seventh transistor T7. The second transistor T2 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the second transistor T2 is turned on, the data voltage charged in the second electrode of the first transistor T1 is transferred to one end of the capacitor Cst through the seventh transistor T7.

제3트랜지스터(T3)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 제2전극이 연결된다. 제3트랜지스터(T3)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 제3트랜지스터(T3)가 턴온되면, 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 된다.The third transistor T3 has a gate electrode connected to the N-1th scan line SCAN[n-1], a first electrode connected to the second electrode of the driving transistor DT, and a gate of the driving transistor DT. A second electrode is connected to the electrode. The third transistor T3 is turned on in response to the N-1th scan signal Scan[n-1] of the logic low applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. When the third transistor T3 is turned on, the driving transistor DT is in a diode connection state.

제5트랜지스터(T5)는 제N+1발광제어신호라인(EM[n+1])에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제5트랜지스터(T5)는 제N+1발광제어신호라인(EM[n+1])을 통해 인가된 로직로우의 제N+1발광제어신호(Em[n+1])에 대응하여 턴온된다. 제5트랜지스터(T5)가 턴온되면, 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 발생된 구동전류에 대응하여 빛을 발광하게 된다.The fifth transistor T5 has a gate electrode connected to an N+1th emission control signal line EM[n+1], a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor DT, and an organic light emitting diode OLED ), the second electrode is connected to the anode electrode. The fifth transistor T5 is turned on in response to the N+1th emission control signal Em[n+1] of the logic low applied through the N+1th emission control signal line EM[n+1]. . When the fifth transistor T5 is turned on, the organic light emitting diode OLED emits light in response to the driving current generated through the driving transistor DT.

제6트랜지스터(T6)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])에 게이트전극이 연결되고 초기화라인(VINI)에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극 및 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제6트랜지스터(T6)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 턴온된다. 제6트랜지스터(T6)가 턴온되면 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.The sixth transistor T6 has a gate electrode connected to an N-1 th scan line SCAN[n-1], a first electrode connected to an initialization line VINI, and a second electrode and organic element of the driving transistor DT. A second electrode is connected to the anode electrode of the light emitting diode (OLED). The sixth transistor T6 is turned on in response to the N-1th scan signal Scan[n-1] of the logic low applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. When the sixth transistor T6 is turned on, the organic light emitting diode OLED is initialized based on the initialization voltage.

제7트랜지스터(T7)는 제N발광제어신호라인(EM[n])에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD) 및 제2트랜지스터(T2)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 커패시터(Cst)의 일단에 제2전극이 연결된다. 제7트랜지스터(T7)는 제N발광제어신호라인(EM[n])을 통해 인가된 로직로우의 제N발광제어신호(Em[n])에 대응하여 턴온된다. 제7트랜지스터(T7)가 턴온되면, 제1트랜지스터(T1)의 제2전극에 충전된 데이터전압은 제2트랜지스터(T2)를 거친 후 커패시터(Cst)의 일단에 전달된다.The seventh transistor T7 has a gate electrode connected to the N-th emission control signal line EM[n] and a first electrode connected to the second electrode of the first power line EVDD and the second transistor T2, A second electrode is connected to one end of the capacitor Cst. The seventh transistor T7 is turned on in response to the Nth emission control signal Em[n] of the logic low applied through the Nth emission control signal line EM[n]. When the seventh transistor T7 is turned on, the data voltage charged in the second electrode of the first transistor T1 passes through the second transistor T2 and then is transferred to one end of the capacitor Cst.

커패시터(Cst)는 제7트랜지스터(T7)의 제2전극에 일단이 연결되고 제4트랜지스터(T4)의 제2전극에 타단이 연결된다. 제7트랜지스터(T7)의 제2전극과 커패시터(Cst)의 일단에 마련된 노드는 레퍼런스전압이 전달되는 전압전달노드(VDN)로 정의된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 제5트랜지스터(T5)의 제2전극에 애노드전극이 연결되고, 제2전원라인(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다.The capacitor Cst has one end connected to the second electrode of the seventh transistor T7 and the other end connected to the second electrode of the fourth transistor T4. A node provided at one end of the second electrode of the seventh transistor T7 and the capacitor Cst is defined as a voltage transfer node VDN to which the reference voltage is transmitted. The organic light emitting diode OLED has an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor T5 and a cathode electrode connected to the second power line EVSS.

제3실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 초기화 & 샘플링 기간(INI & SAM), 유지 기간(HLD) 및 발광 기간(EMI)의 순으로 동작한다. 초기화 & 샘플링 기간(INI & SAM)은 유기 발광다이오드(OLED)를 초기화하면서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 샘플링하는 기간이다. 유지 기간(HLD)은 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압을 특정 노드에 유지시키는 기간이다. 발광 기간(EMI)은 데이터전압을 기반으로 생성된 구동전류를 기반으로 유기 발광다이오드(OLED)를 발광시키는 기간이다. 발광 기간(EMI)은 제N발광제어신호(Em[n])가 아닌 제N+1발광제어신호(Em[n+1])에 의해 이루어진다.The N-th sub-pixel SP according to the third exemplary embodiment operates in the order of the initialization & sampling period INI & SAM, the sustain period HLD, and the light emission period EMI. The initialization & sampling period INI & SAM is a period of sampling the threshold voltage of the driving transistor DT while initializing the organic light emitting diode OLED. The sustain period HLD is a period in which the data voltage applied through the first data line DL1 is maintained at a specific node. The emission period EMI is a period in which the organic light emitting diode OLED emits light based on a driving current generated based on the data voltage. The emission period EMI is made by the N+1th emission control signal Em[n+1] instead of the Nth emission control signal Em[n].

제3실시예와 같이 전단의 스캔신호와 현재의 스캔신호가 중첩되는 형태로 제N서브 픽셀(SP)을 구동할 경우 발광제어신호가 인가되는 기간을 3 수평시간보다 길게, 예를 들어, 4 수평시간까지 연장한 후 후단의 발광제어신호를 기반으로 발광을 하도록 구동 방식을 변경할 수 있다. 즉, 후단의 발광제어신호인 제N+1발광제어신호(Em[n+1])를 기반으로 현재단인 제N서브 픽셀(SP)을 발광시키는 방식은 발광 기간(EMI)을 형성하기 위한 신호 선택을 자유롭게 할 수 있음을 의미한다. 이와 같은 방식은 서브 픽셀의 레이아웃 설계 또는 변경시 공간 제약을 회피(신호라인의 배치에 대한 자유도가 높기 때문)할 수 있는 이점이 있다.When the N-th sub-pixel SP is driven in such a manner that the previous scan signal and the current scan signal overlap as in the third embodiment, the period during which the emission control signal is applied is longer than 3 horizontal times, for example, 4 After extending to the horizontal time, the driving method can be changed to emit light based on the light emission control signal of the rear stage. That is, the method of emitting light of the Nth sub-pixel SP, which is the current stage, based on the N+1th emission control signal Em[n+1], which is the emission control signal of the subsequent stage, is used to form the emission period EMI. This means that you are free to choose the signal. This method has an advantage in that it is possible to avoid space restrictions when designing or changing the layout of sub-pixels (because the degree of freedom for arrangement of signal lines is high).

제3실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP)은 제N발광제어신호(Em[n])가 인가되지 않는 기간 동안(로직하이를 유지하는 기간), 초기화 & 샘플링 기간(INI & SAM)을 가지게 됨에 따라 내부 회로 기반의 보상이 이루어진다. 이 기간 동안의 동작 특성을 간략히 설명하면 다음과 같다. 다만, 제N-1스캔신호(Scan[n-1])와 제N스캔신호(Scan[n])는 2 수평시간(2H) 동안 로직로우로 인가되고, 1 수평 시간(1H) 동안 두 신호가 중첩하는 것을 일례로 한다.The N-th sub-pixel SP according to the third exemplary embodiment performs an initialization & sampling period (INI & SAM) during a period in which the N-th emission control signal Em[n] is not applied (a period in which a logic high is maintained). Compensation based on the internal circuit is made as it has. The operating characteristics during this period are briefly described as follows. However, the N-1th scan signal Scan[n-1] and the Nth scan signal Scan[n] are applied at logic low for 2 horizontal time (2H), and both signals for 1 horizontal time (1H) Take, for example, the overlapping of .

초기화 & 샘플링 기간(INI & SAM) 동안 제3트랜지스터(T3)와 제6트랜지스터(T6)는 제N-1스캔라인(SCAN[n-1])을 통해 인가된 로직로우의 제N-1스캔신호(Scan[n-1])에 대응하여 동시에 턴온된다. 제3트랜지스터(T3)와 제6트랜지스터(T6)의 턴온 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압은 샘플링되고 유기 발광다이오드(OLED)는 초기화전압을 기반으로 초기화된다.During the initialization & sampling period (INI & SAM), the third transistor T3 and the sixth transistor T6 perform the N-1th scan of the logic low applied through the N-1th scan line SCAN[n-1]. It is simultaneously turned on in response to the signal Scan[n-1]. By the turn-on operation of the third transistor T3 and the sixth transistor T6 , the threshold voltage of the driving transistor DT is sampled and the organic light emitting diode OLED is initialized based on the initialization voltage.

제3실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP) 또한 초기화 & 샘플링 기간(INI & SAM) 동안 제1전원전압의 전압 강하분이 고려되도록 제N전압 전달부(VRD)로부터 레퍼런스전압을 인가받게 된다. 따라서, 제3실시예에 따른 제N서브 픽셀(SP) 또한 초기화 & 샘플링 기간(INI & SAM) 동안에 걸쳐 인가된 레퍼런스전압에 의해 제1전원라인(EVDD)을 통해 인가되는 제1전원전압의 전압 강하분이 보상될 수 있다.The N-th sub-pixel SP according to the third embodiment also receives the reference voltage from the N-th voltage transfer unit VRD so that the voltage drop of the first power voltage is taken into account during the initialization & sampling period INI & SAM. Accordingly, the N-th sub-pixel SP according to the third embodiment is also the voltage of the first power voltage applied through the first power line EVDD by the reference voltage applied during the initialization & sampling period INI & SAM. The drop can be compensated.

그러므로 제3실시예는 초기화 & 샘플링 기간(INI & SAM) 동안 레퍼런스전압을 인가할 수 있는 제N전압 전달부(VRD)를 가지므로, 제1실시예와 같은 효과를 발현할 수 있다. 또한, 제3실시예는 레퍼런스전압 전달 시 전압 공급이 끊기거나 노드가 전기적으로 플로팅되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 제3실시예는 하나의 스위칭 트랜지스터(VT)로 제N전압 전달부(VRD)를 구성하므로 표시 패널의 비표시영역(또는 베젤영역)을 더욱 축소할 수 있을 만큼 회로를 간소화할 수 있다. 또한, 제3실시예는 신호라인의 배치에 대한 자유도가 높기 때문에 서브 픽셀의 레이아웃 설계 또는 변경시 공간 제약 사항을 극복할 수 있다.Therefore, since the third embodiment has the Nth voltage transfer unit VRD that can apply the reference voltage during the initialization & sampling period INI & SAM, the same effect as the first embodiment can be expressed. In addition, the third embodiment can prevent the voltage supply from being cut off or the node from electrically floating when the reference voltage is transmitted. In addition, in the third embodiment, since the N-th voltage transfer unit VRD is configured with one switching transistor VT, the circuit can be simplified enough to further reduce the non-display area (or bezel area) of the display panel. . In addition, since the third embodiment has a high degree of freedom for the arrangement of signal lines, it is possible to overcome the space constraint when designing or changing the layout of the sub-pixels.

이상 본 명세서는 제1전원전압의 전압 강하분을 고려한 시변 특성(또는 경시변화) 보상으로 표시 패널 상에서의 상하 휘도 불균일이나 크로스토크(Cross-talk) 등 화질 이슈가 초래되는 현상을 방지 또는 개선할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 명세서는 레퍼런스전압을 서브 픽셀에 전달하기 위한 회로를 비표시영역에 배치함으로써, 서브 픽셀 내의 전극이나 배선의 콘택 수를 절감할 수 있음은 물론 고집적에 유리하여 표시 패널의 대화면 및 고해상도 구현 시, 개구율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present specification provides a method to prevent or improve a phenomenon that causes image quality issues such as vertical luminance non-uniformity or cross-talk on the display panel by compensating for time-varying characteristics (or change over time) in consideration of the voltage drop of the first power supply voltage. can have an effect. In addition, according to the present specification, by arranging a circuit for transmitting the reference voltage to the sub-pixel in the non-display area, the number of contacts of electrodes or wires in the sub-pixel can be reduced, and it is advantageous for high integration to realize a large screen and high resolution of the display panel. In this case, there is an effect of preventing a decrease in the aperture ratio.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광표시장치 및 이의 구동방법은 다음과 같이 설명될 수 있다.An electroluminescent display device and a driving method thereof according to an embodiment of the present specification may be described as follows.

본 명세서의 일 실시예에 따른 전계발광표시장치에 있어서, 전계발광표시장치는 영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는 표시패널, 표시영역에 위치하는 서브 픽셀, 및 비표시영역에 위치하고 표시 패널의 외부로부터 인가된 신호 또는 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달하는 전압 전달부를 포함한다.In the electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification, the electroluminescent display device includes a display panel having a display area for displaying an image and a non-display area for not displaying an image, sub-pixels positioned in the display area, and a ratio and a voltage transfer unit located in the display area and transmitting a reference voltage to the sub-pixels in response to a signal applied from the outside of the display panel or a signal generated on the display panel.

표시 패널은 서브 픽셀이 복수 개 연결된 스캔라인을 포함하고, 전압 전달부는 비표시영역의 스캔라인마다 배치될 수 있다.The display panel may include a scan line to which a plurality of sub-pixels are connected, and a voltage transfer unit may be disposed for each scan line of the non-display area.

전압 전달부는 서브 픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하기 위한 샘플링 기간 동안 레퍼런스전압을 출력하기 위해 동작할 수 있다.The voltage transfer unit may operate to output the reference voltage during a sampling period for sampling the threshold voltage of the driving transistor of the sub-pixel.

전압 전달부는 제N-1스캔라인의 제N-1서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N-1스캔신호 또는 제N스캔라인의 제N서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프되는 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.The voltage transfer unit is turned on or turned in response to the N-1th scan signal for driving the N-1th subpixels of the N-1th scan line or the Nth scan signal for driving the Nth subpixels of the Nth scan line It may include at least one switching transistor that is turned off.

전압 전달부는 제N-1스캔라인의 제N-1서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N-1스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프되는 제1스위칭 트랜지스터와, 제N스캔라인의 제N서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프되는 제2스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.The voltage transfer unit transmits the first switching transistor turned on or off in response to the N-1th scan signal for driving the N-1th subpixels of the N-1th scan line and the Nth subpixels of the Nth scan line. It may include a second switching transistor that is turned on or turned off in response to the N-th scan signal for driving.

제1스위칭 트랜지스터는 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압을 전달하는 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 서브 픽셀에 포함된 커패시터의 일단에 제2전극이 연결되며, 제2스위칭 트랜지스터는 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 서브 픽셀에 포함된 커패시터의 일단에 제2전극이 연결될 수 있으며, 커패시터의 타단은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터이 게이트전극에 연결될 수 있다.In the first switching transistor, a gate electrode is connected to an N-1th scan line, a first electrode is connected to a reference voltage line that transmits a reference voltage, a second electrode is connected to one end of a capacitor included in the sub-pixel, and the second The switching transistor may have a gate electrode connected to the N-th scan line, a first electrode connected to a reference voltage line, and a second electrode connected to one end of a capacitor included in the sub-pixel, and the other end of the capacitor is driving included in the sub-pixel A transistor may be connected to the gate electrode.

전압 전달부는 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압을 전달하는 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 서브 픽셀에 포함된 커패시터의 일단에 제2전극이 연결된 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있고, 커패시터의 타단은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 게이트전극에 연결될 수 있다.The voltage transfer unit may include a switching transistor having a gate electrode connected to the N-th scan line, a first electrode connected to a reference voltage line transmitting a reference voltage, and a second electrode connected to one end of a capacitor included in the sub-pixel, The other end of the capacitor may be connected to a gate electrode of a driving transistor included in the sub-pixel.

전압 전달부는 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스전압을 전달하는 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 서브 픽셀에 포함된 커패시터의 일단에 제2전극이 연결된 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있고, 커패시터의 타단은 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 게이트전극에 연결될 수 있다.The voltage transfer unit may include a switching transistor having a gate electrode connected to the N-1th scan line, a first electrode connected to a reference voltage line transmitting a reference voltage, and a second electrode connected to one end of a capacitor included in the sub-pixel. and the other end of the capacitor may be connected to a gate electrode of a driving transistor included in the sub-pixel.

서브 픽셀은 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와, 게이트 노드에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극 및 제2트랜지스터의 제1전극에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와, 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 제3트랜지스터의 제2전극 및 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제5트랜지스터와, 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인 및 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제7트랜지스터와, 제7트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결되고 제4트랜지스터의 제2전극에 타단이 연결된 커패시터와, 제5트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The sub-pixel includes a first transistor having a gate electrode connected to an Nth scan line and a first electrode connected to a first data line, a gate electrode connected to an Nth emission control signal line, and a first transistor connected to a second electrode of the first transistor. A driving transistor with a second transistor connected to an electrode and a second electrode connected to a first power line, a gate electrode connected to a gate node, and a second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the first electrode of the second transistor and a third transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line, a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor, and a gate electrode connected to the N-1th scan line A fourth transistor connected to this, the first electrode connected to the initialization line, the second electrode of the third transistor and the second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and the gate electrode connected to the Nth emission control signal line, the driving transistor a fifth transistor having a first electrode connected to the second electrode of , a seventh transistor having a gate electrode connected to the Nth emission control signal line and a first electrode connected to a first power line and a second electrode of the second transistor, and a fourth transistor having one end connected to the second electrode of the seventh transistor It may include a capacitor connected to the second electrode of the transistor, and an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor and a cathode electrode connected to a second power line.

서브 픽셀은 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와, 게이트 노드에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극 및 제2트랜지스터의 제1전극에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와, 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 제3트랜지스터의 제2전극 및 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제5트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인 및 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제7트랜지스터와, 제7트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결되고 제4트랜지스터의 제2전극에 타단이 연결된 커패시터와, 제5트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The sub-pixel includes a first transistor having a gate electrode connected to an Nth scan line and a first electrode connected to a first data line, a gate electrode connected to an Nth emission control signal line, and a first transistor connected to a second electrode of the first transistor. A driving transistor with a second transistor connected to an electrode and a second electrode connected to a first power line, a gate electrode connected to a gate node, and a second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the first electrode of the second transistor and a third transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line, a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor, and a gate electrode connected to the N-1th scan line A fourth transistor connected to this, the first electrode connected to the initialization line, the second electrode of the third transistor and the second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and the gate electrode connected to the Nth emission control signal line, the driving transistor a fifth transistor having a first electrode connected to the second electrode of A transistor, a gate electrode connected to the N-th light emission control signal line, a seventh transistor having a first electrode connected to a first power line and a second electrode of the second transistor, and one end connected to a second electrode of the seventh transistor, It may include a capacitor connected to the second electrode of the fourth transistor, and an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor and a cathode electrode connected to a second power line.

서브 픽셀은 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와, 게이트 노드에 게이트전극이 연결되고 제1트랜지스터의 제2전극 및 제2트랜지스터의 제1전극에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와, 제N+1발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제5트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터와, 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인 및 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제7트랜지스터와, 제7트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결되고 제3트랜지스터의 제2전극에 타단이 연결된 커패시터와, 제5트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The sub-pixel includes a first transistor having a gate electrode connected to an Nth scan line and a first electrode connected to a first data line, a gate electrode connected to an Nth emission control signal line, and a first transistor connected to a second electrode of the first transistor. A driving transistor with a second transistor connected to an electrode and a second electrode connected to a first power line, a gate electrode connected to a gate node, and a second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the first electrode of the second transistor and a third transistor having a gate electrode connected to an N-1th scan line, a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor, and an N+1th emission control signal A fifth transistor having a gate electrode connected to the line and a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor, a gate electrode connected to an N-1th scan line, a first electrode connected to an initialization line, and a second electrode connected to the driving transistor A sixth transistor having a second electrode connected to the electrode, a seventh transistor having a gate electrode connected to an Nth emission control signal line, and a first electrode connected to a second electrode of the first power line and the second transistor, and a seventh transistor an organic light emitting diode having one end connected to the second electrode of the can do.

본 명세서의 일 실시예에 따른 전계발광표시장치의 구동방법은 영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는 표시 패널, 표시영역에 위치하는 서브 픽셀, 및 비표시영역에 위치하고 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달하는 전압 전달부를 포함하는 전계발광표시장치의 구동방법에 있어서, 전계발광표시장치의 구동방법은 서브 픽셀을 초기화하기 위한 초기화 단계, 및 서브 픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 샘플링 단계를 포함한다. 샘플링 단계 동안 전압 전달부는 표시 패널의 외부로부터 인가된 신호 또는 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 동작한다.A method of driving an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification includes a display panel having a display area for displaying an image and a non-display area for not displaying an image, a sub-pixel positioned in the display area, and a sub-pixel positioned in the non-display area A driving method of an electroluminescent display device comprising a voltage transfer unit that transmits a reference voltage to a subpixel, the driving method of the electroluminescent display device comprising: an initialization step for initializing a subpixel; and a threshold voltage of a driving transistor of the subpixel and a sampling step to compensate. During the sampling step, the voltage transfer unit operates in response to a signal applied from the outside of the display panel or a signal generated on the display panel.

제N-1스캔라인의 제N-1서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N-1스캔신호를 기반으로 전압 전달부를 제1구간 동안 턴온하고, 제N스캔라인의 제N서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N스캔신호를 기반으로 전압 전달부를 제1구간에 이은 제2구간 동안 턴온하고, 제1구간 및 제2구간에서 제N서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달할 수 있다.The voltage transfer unit is turned on during the first period based on the N-1th scan signal for driving the N-1th subpixels of the N-1th scan line, and the Nth subpixels for driving the Nth subpixels of the Nth scan line are turned on during the first period. Based on the N scan signal, the voltage transfer unit may be turned on during a second period following the first period, and the reference voltage may be transferred to the N-th sub-pixel in the first period and the second period.

표시 패널의 제N서브 픽셀은 적어도 1 수평시간 동안 중첩하는 제N스캔신호와 제N-1스캔신호를 기반으로 초기화 단계와 샘플링 단계가 구분되어 구동될 수 있다.The N-th sub-pixel of the display panel may be driven by being divided into an initialization step and a sampling step based on the N-th scan signal and the N-1th scan signal overlapping for at least one horizontal time.

제N서브 픽셀에 레퍼런스전압이 전달되도록 제N서브 픽셀을 구동하기 위한 제N스캔신호를 기반으로 전압 전달부를 턴온할 수 있다.The voltage transfer unit may be turned on based on an N-th scan signal for driving the N-th sub-pixel so that the reference voltage is transmitted to the N-th sub-pixel.

표시 패널의 제N서브 픽셀은 적어도 1 수평시간 동안 중첩하는 제N스캔신호와 제N-1스캔신호를 기반으로 초기화 단계와 샘플링 단계가 동시에 이루질 수 있다.In the N-th sub-pixel of the display panel, the initialization step and the sampling step may be simultaneously performed based on the N-th scan signal and the N-1th scan signal overlapping for at least one horizontal time.

제N서브 픽셀에 레퍼런스전압이 전달되도록 제N-1서브 픽셀을 구동하기 위한 제N-1스캔신호를 기반으로 전압 전달부를 턴온할 수 있다.The voltage transfer unit may be turned on based on an N-1 th scan signal for driving the N-1 th sub-pixel so that the reference voltage is transmitted to the N-th sub-pixel.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 명세서의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 명세서의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 명세서의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 명세서의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present specification have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the above-described specification can be changed to other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing the technical spirit or essential features of the present specification. It will be appreciated that this may be practiced. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. In addition, the scope of the present specification is indicated by the following claims rather than the above detailed description. In addition, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present specification.

VRD: 제N전압 전달부 VREF: 레퍼런스전압라인
NA: 비표시영역 AA: 표시영역
SP: 서브 픽셀(들), 제N서브 픽셀 T1 ~ T7: 제1 내지 제7트랜지스터
DT: 구동 트랜지스터 Cst: 커패시터
OLED: 유기 발광다이오드
VRD: Nth voltage transfer unit VREF: Reference voltage line
NA: Non-display area AA: Display area
SP: sub-pixel(s), N-th sub-pixels T1 to T7: first to seventh transistors
DT: driving transistor Cst: capacitor
OLED: organic light emitting diode

Claims (17)

영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는 표시 패널;
상기 표시영역에 위치하는 서브 픽셀; 및
상기 비표시영역에 위치하고 상기 표시 패널의 외부로부터 인가된 신호 또는 상기 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 상기 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달하는 전압 전달부를 포함하고,
상기 서브 픽셀은
제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와,
제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와,
게이트 노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극 및 상기 제2트랜지스터의 제1전극에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와,
상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와,
제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 상기 제3트랜지스터의 제2전극 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와,
상기 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제5트랜지스터와,
상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 초기화라인에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터와,
상기 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인 및 상기 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제7트랜지스터와,
상기 제7트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결되고 상기 제4트랜지스터의 제2전극에 타단이 연결된 커패시터와,
상기 제5트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함하는 전계발광표시장치.
a display panel having a display area for displaying an image and a non-display area for not displaying an image;
a sub-pixel positioned in the display area; and
and a voltage transfer unit located in the non-display area and transmitting a reference voltage to the sub-pixels in response to a signal applied from outside the display panel or a signal generated on the display panel;
The sub-pixel is
a first transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line and a first electrode connected to a first data line;
a second transistor having a gate electrode connected to an Nth emission control signal line, a first electrode connected to a second electrode of the first transistor, and a second electrode connected to a first power supply line;
a driving transistor having a gate electrode connected to a gate node and a second electrode connected to the second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the first electrode of the second transistor;
a third transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line, a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor;
a fourth transistor having a gate electrode connected to an N-1th scan line, a first electrode connected to an initialization line, and a second electrode connected to a second electrode of the third transistor and a gate electrode of the driving transistor;
a fifth transistor having a gate electrode connected to the Nth emission control signal line and a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor;
a sixth transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line, a first electrode connected to the initialization line, and a second electrode connected to a second electrode of the driving transistor;
a seventh transistor having a gate electrode connected to the Nth emission control signal line and a first electrode connected to a first power line and a second electrode of the second transistor;
a capacitor having one end connected to the second electrode of the seventh transistor and the other end connected to the second electrode of the fourth transistor;
and an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor and a cathode electrode connected to a second power line.
제1항에 있어서,
상기 표시패널은 상기 서브 픽셀이 복수 개 연결된 스캔라인을 포함하고,
상기 전압 전달부는 상기 비표시영역의 상기 스캔라인마다 배치되는 전계발광표시장치.
According to claim 1,
the display panel includes a scan line to which a plurality of sub-pixels are connected;
The voltage transfer unit is disposed for each scan line of the non-display area.
제1항에 있어서,
상기 전압 전달부는
상기 서브 픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 샘플링하기 위한 샘플링 기간 동안 상기 레퍼런스전압을 출력하기 위해 동작하는 전계발광표시장치.
According to claim 1,
The voltage transfer unit
An electroluminescent display device operable to output the reference voltage during a sampling period for sampling a threshold voltage of the driving transistor of the sub-pixel.
제2항에 있어서,
상기 전압 전달부는
상기 제N-1스캔라인의 제N-1서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N-1스캔신호 또는 상기 제N스캔라인의 제N서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프되는 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터를 포함하는 전계발광표시장치.
3. The method of claim 2,
The voltage transfer unit
Turn on or turn off in response to an N-1th scan signal for driving the N-1th subpixels of the N-1th scan line or an Nth scan signal for driving the Nth subpixels of the Nth scan line An electroluminescent display device comprising at least one switching transistor.
제2항에 있어서,
상기 전압 전달부는
상기 제N-1스캔라인의 제N-1서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N-1스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프되는 제1스위칭 트랜지스터와,
상기 제N스캔라인의 제N서브 픽셀들을 구동하기 위한 제N스캔신호에 대응하여 턴온 또는 턴오프되는 제2스위칭 트랜지스터를 포함하는 전계발광표시장치.
3. The method of claim 2,
The voltage transfer unit
a first switching transistor turned on or off in response to an N-1 th scan signal for driving the N-1 th sub-pixels of the N-1 th scan line;
and a second switching transistor turned on or off in response to an N-th scan signal for driving the N-th sub-pixels of the N-th scan line.
제5항에 있어서,
상기 제1스위칭 트랜지스터는 상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 레퍼런스전압을 전달하는 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 서브 픽셀에 포함된 커패시터의 일단에 제2전극이 연결되며,
상기 제2스위칭 트랜지스터는 상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 커패시터의 일단에 제2전극이 연결되며,
상기 커패시터의 타단은 상기 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 전계발광표시장치.
6. The method of claim 5,
In the first switching transistor, a gate electrode is connected to the N-1th scan line, a first electrode is connected to a reference voltage line that transmits the reference voltage, and a second electrode is connected to one end of a capacitor included in the sub-pixel. becomes,
In the second switching transistor, a gate electrode is connected to the Nth scan line, a first electrode is connected to the reference voltage line, and a second electrode is connected to one end of the capacitor,
The other end of the capacitor is connected to a gate electrode of a driving transistor included in the sub-pixel.
제5항에 있어서,
상기 전압 전달부는
상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 레퍼런스전압을 전달하는 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 서브 픽셀에 포함된 커패시터의 일단에 제2전극이 연결된 스위칭 트랜지스터를 포함하고,
상기 커패시터의 타단은 상기 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 전계발광표시장치.
6. The method of claim 5,
The voltage transfer unit
a switching transistor having a gate electrode connected to the N-th scan line, a first electrode connected to a reference voltage line transmitting the reference voltage, and a second electrode connected to one end of a capacitor included in the sub-pixel,
The other end of the capacitor is connected to a gate electrode of a driving transistor included in the sub-pixel.
제5항에 있어서,
상기 전압 전달부는
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 레퍼런스전압을 전달하는 레퍼런스전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 서브 픽셀에 포함된 커패시터의 일단에 제2전극이 연결된 스위칭 트랜지스터를 포함하고,
상기 커패시터의 타단은 상기 서브 픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 전계발광표시장치.
6. The method of claim 5,
The voltage transfer unit
a switching transistor having a gate electrode connected to the N-1th scan line, a first electrode connected to a reference voltage line transmitting the reference voltage, and a second electrode connected to one end of a capacitor included in the sub-pixel,
The other end of the capacitor is connected to a gate electrode of a driving transistor included in the sub-pixel.
삭제delete 영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는 표시 패널;
상기 표시영역에 위치하는 서브 픽셀; 및
상기 비표시영역에 위치하고 상기 표시 패널의 외부로부터 인가된 신호 또는 상기 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 상기 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달하는 전압 전달부를 포함하고,
상기 서브 픽셀은
제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와,
제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와,
게이트 노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극 및 상기 제2트랜지스터의 제1전극에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와,
상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와,
제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 상기 제3트랜지스터의 제2전극 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제4트랜지스터와,
상기 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제5트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 초기화라인에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터와,
상기 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인 및 상기 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제7트랜지스터와,
상기 제7트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결되고 상기 제3트랜지스터의 제2전극에 타단이 연결된 커패시터와,
상기 제5트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함하는 전계발광표시장치.
a display panel having a display area for displaying an image and a non-display area for not displaying an image;
a sub-pixel positioned in the display area; and
and a voltage transfer unit located in the non-display area and transmitting a reference voltage to the sub-pixels in response to a signal applied from outside the display panel or a signal generated on the display panel;
The sub-pixel is
a first transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line and a first electrode connected to a first data line;
a second transistor having a gate electrode connected to an Nth emission control signal line, a first electrode connected to a second electrode of the first transistor, and a second electrode connected to a first power supply line;
a driving transistor having a gate electrode connected to a gate node and a second electrode connected to the second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the first electrode of the second transistor;
a third transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line, a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor;
a fourth transistor having a gate electrode connected to an N-1th scan line, a first electrode connected to an initialization line, and a second electrode connected to a second electrode of the third transistor and a gate electrode of the driving transistor;
a fifth transistor having a gate electrode connected to the Nth emission control signal line and a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor;
a sixth transistor having a gate electrode connected to the N-1th scan line, a first electrode connected to the initialization line, and a second electrode connected to a second electrode of the driving transistor;
a seventh transistor having a gate electrode connected to the Nth emission control signal line and a first electrode connected to a first power line and a second electrode of the second transistor;
a capacitor having one end connected to the second electrode of the seventh transistor and the other end connected to the second electrode of the third transistor;
and an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor and a cathode electrode connected to a second power line.
영상을 표시하는 표시영역과 영상을 비표시하는 비표시영역을 갖는 표시 패널;
상기 표시영역에 위치하는 서브 픽셀; 및
상기 비표시영역에 위치하고 상기 표시 패널의 외부로부터 인가된 신호 또는 상기 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 상기 서브 픽셀에 레퍼런스전압을 전달하는 전압 전달부를 포함하고,
상기 서브 픽셀은
제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와,
제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 제1전원라인에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와,
게이트 노드에 게이트전극이 연결되고 상기 제1트랜지스터의 제2전극 및 상기 제2트랜지스터의 제1전극에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와,
제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와,
제N+1발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제5트랜지스터와,
제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화라인에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제6트랜지스터와,
상기 제N발광제어신호라인에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인 및 상기 제2트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제7트랜지스터와,
상기 제7트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결되고 상기 제3트랜지스터의 제2전극에 타단이 연결된 커패시터와,
상기 제5트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함하는 전계발광표시장치.
a display panel having a display area for displaying an image and a non-display area for not displaying an image;
a sub-pixel positioned in the display area; and
and a voltage transfer unit located in the non-display area and transmitting a reference voltage to the sub-pixels in response to a signal applied from outside the display panel or a signal generated on the display panel;
The sub-pixel is
a first transistor having a gate electrode connected to the Nth scan line and a first electrode connected to a first data line;
a second transistor having a gate electrode connected to an Nth emission control signal line, a first electrode connected to a second electrode of the first transistor, and a second electrode connected to a first power supply line;
a driving transistor having a gate electrode connected to a gate node and a second electrode connected to the second electrode of the first transistor and a first electrode connected to the first electrode of the second transistor;
a third transistor having a gate electrode connected to an N-1th scan line, a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor;
a fifth transistor having a gate electrode connected to an N+1th emission control signal line and a first electrode connected to a second electrode of the driving transistor;
a sixth transistor having a gate electrode connected to an N-1th scan line, a first electrode connected to an initialization line, and a second electrode connected to a second electrode of the driving transistor;
a seventh transistor having a gate electrode connected to the Nth emission control signal line and a first electrode connected to a first power line and a second electrode of the second transistor;
a capacitor having one end connected to the second electrode of the seventh transistor and the other end connected to the second electrode of the third transistor;
and an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the second electrode of the fifth transistor and a cathode electrode connected to a second power line.
상기 청구항 제1항에 의해 제작된 전계발광표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 서브 픽셀을 초기화하기 위한 초기화 단계; 및
상기 서브 픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 샘플링 단계를 포함하고,
상기 샘플링 단계 동안 상기 전압 전달부는 상기 표시 패널의 외부로부터 인가된 신호 또는 상기 표시 패널 상에서 생성된 신호에 대응하여 동작하는 전계발광표시장치의 구동방법.
In the driving method of the electroluminescent display device manufactured according to claim 1,
an initialization step for initializing the sub-pixels; and
a sampling step for compensating for a threshold voltage of a driving transistor of the sub-pixel;
During the sampling step, the voltage transfer unit operates in response to a signal applied from the outside of the display panel or a signal generated on the display panel.
제12항에 있어서,
상기 제N-1스캔라인의 제N-1서브 픽셀을 구동하기 위한 제N-1스캔신호를 기반으로 상기 전압 전달부를 제1구간 동안 턴온하고,
상기 제N스캔라인의 제N서브 픽셀을 구동하기 위한 제N스캔신호를 기반으로 상기 전압 전달부를 상기 제1구간에 이은 제2구간 동안 턴온하고,
상기 제1구간 및 상기 제2구간에서 상기 제N서브 픽셀에 상기 레퍼런스전압을 전달하는 전계발광표시장치의 구동방법.
13. The method of claim 12,
turning on the voltage transfer unit for a first period based on an N-1th scan signal for driving an N-1th sub-pixel of the N-1th scan line;
turning on the voltage transfer unit during a second period following the first period based on an N-th scan signal for driving the N-th sub-pixel of the N-th scan line;
A driving method of an electroluminescent display device for transferring the reference voltage to the N-th sub-pixel in the first period and the second period.
제12항에 있어서,
상기 표시 패널의 제N서브 픽셀은
적어도 1 수평시간 동안 중첩하는 제N스캔신호와 제N-1스캔신호를 기반으로 상기 초기화 단계와 상기 샘플링 단계가 구분되어 구동되는 전계발광표시장치의 구동방법.
13. The method of claim 12,
The N-th sub-pixel of the display panel is
A driving method of an electroluminescent display device in which the initialization step and the sampling step are separately driven based on an Nth scan signal and an N−1th scan signal that overlap for at least one horizontal time.
제14항에 있어서,
상기 제N서브 픽셀에 상기 레퍼런스전압이 전달되도록 상기 제N서브 픽셀을 구동하기 위한 상기 제N스캔신호를 기반으로 상기 전압 전달부를 턴온하는 전계발광표시장치의 구동방법.
15. The method of claim 14,
A driving method of an electroluminescent display device of turning on the voltage transmitting unit based on the N-th scan signal for driving the N-th sub-pixel so that the reference voltage is transmitted to the N-th sub-pixel.
제12항에 있어서,
상기 표시 패널의 제N서브 픽셀은
적어도 1 수평시간 동안 중첩하는 제N스캔신호와 제N-1스캔신호를 기반으로 상기 초기화 단계와 상기 샘플링 단계가 동시에 이루어지는 전계발광표시장치의 구동방법.
13. The method of claim 12,
The N-th sub-pixel of the display panel is
A method of driving an electroluminescent display device in which the initialization step and the sampling step are simultaneously performed based on the Nth scan signal and the N−1th scan signal overlapping for at least one horizontal time.
제16항에 있어서,
상기 제N서브 픽셀에 상기 레퍼런스전압이 전달되도록 제N-1서브 픽셀을 구동하기 위한 제N-1스캔신호를 기반으로 상기 전압 전달부를 턴온하는 전계발광표시장치의 구동방법.
17. The method of claim 16,
A driving method of an electroluminescent display device of turning on the voltage transmitting unit based on an N-1th scan signal for driving an N-1th subpixel so that the reference voltage is transmitted to the Nth subpixel.
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