KR102383695B1 - 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 절연막 - Google Patents

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 절연막 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예들은 바인더 수지, 2관능 에폭시계 화합물을 포함하는 산화 방지제, 광산 발생제 및 용제를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. 바인더 수지 및 산화 방지제의 상호 작용을 통해 투과율 및 신뢰성이 향상된 절연막을 형성할 수 있다.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 절연막{POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND INSULATION LAYER FORMED FROM THE SAME}
본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 감광성 수지 및 광산발생제를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막에 관한 것이다.
예를 들면, 디스플레이 기기의 포토레지스트, 절연막, 보호막, 블랙 매트릭스, 컬럼 스페이서 등의 다양한 광경화 절연 패턴을 형성하기 위해 감광성 수지 조성물이 사용된다. 예를 들면, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기 절연막은 유전율이 높아, 저유전 유기 절연막에 대한 수요가 증가하고 있으며, 상기 유기 절연막 형성을 위해 상기 감광성 수지 조성물이 사용될 수 있다.
상기 유기 절연막은 상기 감광성 수지 조성물을 코팅한 후, 예비 열처리를 통해 경화시킨 후 노광 및 현상 공정을 통해 소정의 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 현상 공정에 의해 제거되는 부분에 따라 포지티브형 및 네가티브형으로 분류된다. 포지티브형 조성물에서는, 노광된 부분이 현상액에 의해 용해되며, 네가티브형 조성물에서는 노광되지 않은 부분이 용해되어 패턴이 형성될 수 있다.
상기 유기 절연막의 경우 우수한 절연성과 함께 내열성 등과 같은 기계적 특성을 갖도록 형성될 필요가 있으며, 상기 노광 공정에 대한 우수한 감도를 갖도록 상기 감광성 수지 조성물이 제조될 필요가 있다.
또한, 상기 열처리에 의해 상기 유기 절연막의 광학적 특성이 변형되어 투과율 저하가 초래되어 디스플레이 장치의 이미지 품질을 열화시킬 수 있다. 따라서, 상기 유기 절연막의 광학적 특성 역시 고려하여 상기 감광성 수지 조성물을 설계할 필요가 있다.
예를 들면, 한국공개특허 제2013-0021324호에서 포지티브형 레지스트 조성물을 개시하고 있으나, 상술한 기계적, 광학적 특성 향상을 위한 대안을 제공하지는 못하고 있다.
한국공개특허 제10-2013-0021324호
본 발명의 일 과제는 우수한 화학적, 광학적, 기계적 특성을 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성되어 우수한 투과도, 신뢰성을 갖는 절연막을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 상기 감광성 수지 조성물로 형성된 제조된 절연막을 포함하는 화상표시장치를 제공하는 것이다.
1. 바인더 수지; 2관능 에폭시계 화합물을 포함하는 산화 방지제; 광산 발생제; 및 용제를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 바인더 수지는 산분해성기로 보호된 페놀 단위가 함유된 제1 수지를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. 위 1에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112018012995492-pat00001
(화학식 1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
R3은 상기 산분해성기를 나타내며, 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 혹은 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 테트라하이드로피라닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 혹은 탄소수 4 내지 8의 시클로알콕시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임).
4. 위 3에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1-1로 표시되는 구조단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1-1]
Figure 112018012995492-pat00002
(화학식 1-1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임).
5. 위 2에 있어서, 상기 바인더 수지는 에폭시기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제2 수지 또는 옥세탄기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제3 수지 중 적어도 하나를 더 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
6. 위 5에 있어서, 상기 제2 수지는 하기의 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체들 중 적어도 하나로부터 유래하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure 112018012995492-pat00003
[화학식 3]
Figure 112018012995492-pat00004
(화학식 2 및 3 중, Z1은 수소 또는 메틸기이며, Z2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이거나, 서로 연결되어 탄소수 3 내지 8의 고리를 형성하며,
m은 1 내지 6의 정수임).
7. 위 5에 있어서, 상기 제3 수지는 하기의 화학식 4로 표시되는 단량체로부터 유래하는 구조 단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 4]
Figure 112018012995492-pat00005
(화학식 4 중, Ra는 수소 또는 메틸기이고, Rb는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이며, Rc는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).
8. 위 5에 있어서, 상기 바인더 수지 총 100중량부 중 상기 제1 수지 약 30 내지 55중량부, 상기 제2 수지 약 30 내지 60중량부 및 상기 제3 수지 약 1 내지 25중량부를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
9. 위 1에 있어서, 상기 산화 방지제는 하기의 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 5]
Figure 112018012995492-pat00006
(화학식 5 중, R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬렌기임).
10. 위 9에 있어서, 상기 산화 방지제는 하기의 화학식 5-1로 표시되는 화합물을 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 5-1]
Figure 112018012995492-pat00007
11. 위 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 상기 바인더 수지의 함량은 5 내지 50중량%이며, 상기 산화 방지제는 상기 바인더 수지 100중량부 중 1 내지 10중량부로 포함되는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
12. 위 1에 있어서, 상기 광산발생제는 디아조늄염계, 포스포늄염계, 술포늄염계, 요오드늄염계, 이미드술포네이트계, 옥심술포네이트계, 디아조디술폰계, 디술폰계, 오르소-니트로벤질술포네이트계 및 트라아진계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
13. 위 1 내지 12 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성된 절연막.
14. 위 13에 있어서, 화상 표시 장치의 층간 절연막 또는 비아 절연막으로 사용되는, 절연막.
15. 위 13의 절연막을 포함하는 화상표시장치.
예시적인 실시예들에 따른 감광성 수지 조성물은 2관능 에폭시계 화합물을 포함하는 산화 방지제를 포함하며, 예를 들면 포스트 베이킹(Post-Baking)과 같은 열처리에 의해 페놀기의 산화가 방지되어 황변 현상이 방지될 수 있다. 따라서, 경화 후에도 우수한 투과도가 유지되는 절연막이 형성될 수 있다.
또한, 상기 산화 방지제에 의해 상기 절연막의 밀착성, 코팅성 등과 같은 막 특성이 추가적으로 향상될 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물의 바인더 수지는 히드록실기 및 보호기를 포함하는 제1 수지를 포함하며, 에폭시기를 함유하는 제2 수지 및/또는 옥세탄기를 함유하는 제3 수지를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 수지에 의해 노광 공정의 감도, 현상 공정의 해상도가 확보되며, 상기 제2 수지 및/또는 제3 수지에 의해 절연막의 경화 특성, 기계적 특성이 향상될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
본 발명의 실시예들은 바인더 수지, 2관능 에폭시 계열 화합물을 포함하는 산화 방지제, 광산 발생제 및 용매를 포함하며, 우수한 투과도, 막 형성 신뢰성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. 또한, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성된 절연막 및 상기 절연막을 포함하는 화상 표시 장치가 제공된다.
이하, 본 발명의 실시예들에 대해 보다 상세히 설명한다.
<포지티브형 감광성 수지 조성물>
본 발명의 실시예들에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물(이하, 감광성 조성물로 약칭될 수도 있다)은 바인더 수지, 산화방지제, 광산 발생제 및 용매를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 감광성 조성물은 예를 들면 노광 공정에 의해 발생하는 산(acid)에 의해 용해도 차이가 발생하는 화학증폭형 레지스트(Chemically Amplified Resist: CAR) 조성물로 제공될 수 있다. 따라서, 예를 들면 퀴논디아지드와 같은 광활성 화합물(Photo Active Compound: PAC) 기반의 조성물에 비해 향상된 감도 및 해상도로 절연막 또는 절연 패턴이 형성될 수 있다.
바인더 수지
예시적인 실시예들에 따른 감광성 조성물은 베이스 성분으로 바인더 수지를 포함할 수 있다. 상기 바인더 수지는 상기 감광성 조성물로부터 형성된 절연막의 기본 골격을 제공하며, 노광 공정에 의한 용해도 차이를 제공할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 바인더 수지는 페놀 계(또는 노볼락 계) 수지를 포함하는 제1 수지를 포함하며, 에폭시기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제2 수지 및/또는 옥세탄기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제3 수지를 더 포함할 수도 있다.
상기 제1 수지는 복수의 히드록실기들을 포함하며, 상기 히드록실기들 중 적어도 일부는 산분해성기로 보호될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 수지의 포함된 페놀 단위들 중, 적어도 일부의 페놀 단위에 포함된 히드록실기가 상기 산분해성기로 보호될 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1로 표시되는 구조 단위(예를 들면, 반복 단위)를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112018012995492-pat00008
화학식 1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기를 나타낼 수 있다. R3은 상기 산분해성기를 나타내며, 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 테트라하이드로피라닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 또는 탄소수 4 내지 8의 시클로알콕시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낼 수 있다.
p 및 q는 각각 페놀 단위 및 산분해성기로 보호된 페놀 단위의 몰비를 나타낼 수 있다. 예를 들면, p는 약 40 내지 80몰%, q는 약 20 내지 60몰%일 수 있다. p와 q는 상기 페놀 단위 및 산분해성기로 보호된 페놀 단위의 상대적 몰비를 나타내며, 다른 단위의 추가를 배제하는 것은 아니다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1-1로 표시되는 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112018012995492-pat00009
R1, R2, p 및 q는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다. R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타낼 수 있다.
예를 들면, 상기 페놀 단위는 제1 단량체로서 히드록시 스티렌으로부터 유래할 수 있다. 상기 산분해성기로 보호된 페놀 단위는 하기의 화학식 1-2, 일 실시예에 있어서 화학식 1-3으로 표시되는 제2 단량체로부터 유래할 수 있다.
[화학식 1-2]
Figure 112018012995492-pat00010
[화학식 1-3]
Figure 112018012995492-pat00011
화학식 1-2 및 1-3 중, R3, R4 및 R5는 상기 화학식 1 및 1-1에서 정의된 바와 같다.
상기 제1 수지는 상기 제1 단량체 및 상기 제2 단량체의 공중합반응을 통해 제조될 수 있으며, 원하는 p 및 q로 표시되는 몰비에 대응하도록 상기 제1 단량체 및 상기 제2 단량체의 몰수를 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제1 수지는 히드록실기가 잔류하는 페놀 단위 및 히드록실기가 산분해성기로 보호된 페놀 단위를 함께 포함함으로써, 노광 공정에 대한 감도 및 기재와의 밀착성을 함께 구현할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 수지는 상기 제1 및 제2 단량체 외에 제3 단량체로부터 유래한 단위를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 단량체는 예를 들면, (메타)아크릴레이트 계열 단량체를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제3 단량체의 비제한적인 예로서 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, i-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트류; 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트 등의 지환족(메타)아크릴레이트류; 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등의 아릴(메타)아크릴레이트류 등을 들 수 있다.
상기 제3 단량체는 히드록실기 포함 단량체를 포함할 수도 있다. 이 경우, 제3 단량체는 예를 들면 아크릴산과 같은 카르복시기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체, 히드록시 메틸스티렌 등을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 수지의 중량평균분자량은 5,000 내지 35,000, 바람직하게는 5,000 내지 20,000일 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 감광성 조성물의 잔막율이 효과적으로 개선되며, 막 잔사가 감소될 수 있다.
상기 바인더 수지는 에폭시기 함유 아크릴계 수지를 상기 제2 수지로서 더 포함할 수 있다. 상기 제2 수지가 포함됨에 따라, 예를 들면, 포스트-베이킹(Post-Baking)과 같은 열처리 공정에서 열경화성이 향상되어, 절연막의 내열성, 내충격성과 같은 기계적 특성이 보다 향상될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 수지는 하기의 화학식 2로 표시되는 단량체로부터 유래할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112018012995492-pat00012
화학식 2 중, Z1은 수소 또는 메틸기이며, Z2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기일 수 있다. Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기일 수 있으며, 서로 연결되어 탄소수 3 내지 8의 고리를 형성할 수 있다. m은 1 내지 6의 정수일 수 있다,
상기 화학식 2로 표시되는 단량체는 Z2는 인접한 산소 원자를 통해 에테르 결합을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 에테르 결합을 통한 회전이 가능하므로, 유리전이온도가 감소되어 감광성 조성물의 흐름성이 개선될 수 있다.
또한 상기 화학식 2에서 m의 조정을 통해 단량체 길이가 조절될 수 있다. 상기 단량체 길이 조절을 통해 현상 공정 이후 생성되는 절연 패턴의 측벽 기울기가 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 측벽 기울기를 감소시켜 투명전극과 같은 후속 도전 패턴 형성시, 상기 절연 패턴의 손상, 도전 패턴의 탈락을 방지할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 수지는 하기의 화학식 3으로 표시되는 단량체로부터 유래될 수도 있다.
[화학식 3]
Figure 112018012995492-pat00013
화학식 3 중, Z1, Z3, Z3 및 Z4는 상기 화학식 2에서 정의된 바와 같다.
상기 화학식 3으로 표시되는 단량체를 통해 상기 제2 수지의 투과율이 보다 향상될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 수지는 화학식 2의 단량체 또는 화학식 3의 단량체 중 적어도 하나를 사용하여 제조될 수 있다.
상기 제2 수지는 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체 외에 아크릴계 수지를 형성할 수 있는 당해 기술분야에서 상용되는 기타 단량체들을 공중합시켜 제조될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 기타 단량체는 현상성 및 기재와의 밀착성 향상을 위해 카르복시기 함유 에틸렌성 불포화 단량체를 포함할 수 있다. 상기 카르복시기 함유 에틸렌성 불포화 단량체의 예로서, 아크릴산, 메타아크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산류; 푸마르산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산류 및 이들의 무수물 등을 들 수 있다.
상기 기타 단량체의 추가적인 비제한적인 예로서, 스티렌, 비닐톨루엔, 메틸스티렌, p-클로로스티렌, o-메톡시스티렌, m-메톡시스티렌, p-메톡시스티렌, o-비닐벤질메틸에테르, m-비닐벤질메틸에테르, p-비닐벤질메틸에테르 등의 방향족 비닐 화합물; N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, N-o-히드록시페닐말레이미드, N-m-히드록시페닐말레이미드, N-p-히드록시페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드, N-o-메톡시페닐말레이미드, N-m-메톡시페닐말레이미드, N-p-메톡시페닐말레이미드 등의 N-치환 말레이미드계 화합물; 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, i-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, i-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트 등의 알킬(메타)아크릴레이트류; 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메타)아크릴레이트, , 2-디시클로펜타닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트 등의 지환족(메타)아크릴레이트류; 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등의 아릴(메타)아크릴레이트류; 3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-트리플루오로메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-4-트리플루오로메틸옥세탄 등의 불포화 옥세탄 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
예를 들면, 상기 제2 수지는 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체 및 상술한 기타 단량체들중 적어도 하나를 공중합시켜 제조될 수 있다. 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체의 몰비는 총 단량체 중 약 5 내지 60몰%일 수 있다. 이 경우, 상기 제2 수지를 통한 현상성, 투명성, 패턴 기울기 등의 개선을 효과적으로 구현할 수 있다.
상기 제2 수지의 중량평균분자량은 5,000 내지 40,000, 바람직하게는 15,000 내지 30,000일 수 있다. 상기 범위에서 현상성이 보다 개선되고 및 막 잔사가 감소할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제3 수지는 옥세탄기 함유 아크릴계 수지(예를 들면, 제3 수지)를 더 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 옥세탄기를 통해 가교반응에 의해 열 결화 공정이 촉진될 수 있다.
상기 제3 수지는 예를 들면, 하기의 화학식 4로 표시되는 단량체로부터 유래하는 구조 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112018012995492-pat00014
화학식 4 중, Ra는 수소 또는 메틸기일 수 있다. Rb는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이며, Rc는 탄소수 1 내지 6의 알킬기일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제3 수지는 하기의 식 (1) 내지 (3)으로 표시되는 단량체들 중 적어도 하나로부터 유래한 구조 단위를 더 포함할 수도 있다.
Figure 112018012995492-pat00015
Figure 112018012995492-pat00016
Figure 112018012995492-pat00017
일부 실시예들에 있어서, 상기 제3 수지는 (메타)아크릴산, 2-(메타)아크릴로일록시에틸석시네이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸프탈레이트 또는 2-(메타)아크릴로일옥시에틸석시네이트 중 적어도 하나로부터 유래한 구조 단위를 더 포함할 수도 있다.
상기 제3 수지의 중량평균분자량은 5,000 내지 30,000, 바람직하게는 8,000 내지 20,000일 수 있으며, 상기 범위 내에서 현상성 및 경시 안정성이 향상되고, 현상 후 막 잔사가 감소될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 바인더 수지는 상술한 제1 수지, 제2 수지 및 제3 수지의 혼합물을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 바인더 수지 100중량부에 대해 상기 제1 수지 약 30 내지 55중량부, 상기 제2 수지 약 30 내지 60중량부 및 상기 제3 수지 약 1 내지 25중량부를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 감광성 조성물 총 중량 중, 상기 바인더 수지는 약 5 내지 50중량%, 바람직하게는 약 바람직하게는 10 내지 40중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 노광 공정에 대한 감도 및 현상 공정에 대한 해상도가 함께 향상될 수 있다.
산화 방지제
상기 감광성 조성물은 산화 방지제를 포함하며, 상기 바인더 수지의 산화에 의한 변성, 산화를 억제할 수 있다.
상기 산화 방지제는 모노머 형태로 포함될 수 있으며, 상기 바인더 수지에 포함된 페놀 단위 또는 히드록실기의 보호제 로서 기능할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 산화 방지제는 2관능 에폭시 계 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 방지제는 말단에 에폭시기들이 링커기에 의해 결합된 구조를 가질 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 산화 방지제는 하기의 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112018012995492-pat00018
화학식 5 중, R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬렌기를 나타낼 수 있다. R1이 알킬렌기인 경우 선형 또는 분지형일 수 있으며, 분지형인 경우 탄소수는 3 내지 6일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 산화 방지제는 하기의 화학식 5-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 5-1]
Figure 112018012995492-pat00019
상기 산화 방지제는 예를 들면, 노광 및 현상 공정 이후 포스트 베이킹 공정 또는 그 이후의 후속 열처리 공정에서 페놀 단위 혹은 산분해성기가 이탈되어 생성된 페놀 단위가 산화되어 예를 들면, 퀴논(quinone)으로 변성되는 것을 방지할 수 있다. 상기 바인더 수지가 퀴논을 포함하도록 변성되는 경우, 절연막의 황변(yellowish) 현상이 야기되어 절연막의 투과도가 저하될 수 있다.
예를 들면, 상기 산화 방지제는 에폭시기를 통해 상기 노광 및 현상 공정 이후, 상기 페놀 단위에 노출된 히드록실기와 결합하여 상기 퀴논 단위로의 산화 변성을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 절연막의 원하는 투명도, 투과도가 상기 포스트 베이킹 또는 후속 열처리 공정 이후에도 유지될 수 있다.
상기 산화 방지제는 예를 들면 선형 링커를 통해 말단에 각각 에폭시기가 포함되므로, 인접한 바인더 수지의 히드록실기와 입체 장애 없이 용이하게 만날 수 있다. 상기 선형 링커의 길이가 지나치게 증가되는 경우, 분자 폴딩 등으로 인해 상기 히드록실기와의 반응 또는 상호작용 가능성이 감소될 수 있다. 또한, 상기 산화 방지제의 에폭시 관능수가 3이상인 경우 분자 구조가 벌키(bulky) 해짐에 따라 오히려 상기 바인더 수지의 히드록실기와의 결합 가능성이 낮아질 수 있다.
상기 산화 방지제는 상술한 바와 같이 바인더 수지에 포함된 히드록실기와 상호 작용하여 조성물의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 화학식 5에 표시된 바와 같이 예를 들면, 에틸렌 옥사이드(EO) 기와 같은 에테르 결합의 회전 가능 구조를 통해 조성물의 흐름성이 향상되고, 이에 따라 코팅성, 평탄성과 같은 막 형성 특성이 함께 증진될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 산화 방지제의 함량은 상기 바인더 수지 100중량부에 대하여 약 1 내지 30중량부, 바람직하게는 약 1 내지 10중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서 절연막의 상술한 투과율 및 밀착성 향상이 효과적으로 구현될 수 있다,
광산발생제(C)
예시적인 실시예들에 따른 감광성 조성물은 광산 발생제를 포함하는 CAR 타입 조성물일 수 있다.
상기 광산 발생제는 자외선 또는 방사선을 활용한 노광 공정에 의해 산(예를 들면, 프로톤(H+))을 발생시키는 화합물로서, 감광성 조성물 분야에서 공지된 화합물을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다.
예를 들면, 상기 광산발생제는 디아조늄염계, 포스포늄염계, 술포늄염계, 요오드늄염계, 이미드술포네이트계, 옥심술포네이트계, 디아조디술폰계, 디술폰계, 오르소-니트로벤질술포네이트계, 트라아진계 화합물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 광산 발생제의 함량은 예를 들면, 상기 바인더 수지 100중량부에 대하여 약 0.1 내지 20중량부일 수 있으며, 바람직하게는 0.5 내지 10중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서 상기 바인더 수지 및 상기 산화 방지제를 통한 투과율 및 기계적 특성의 저해 없이 노광 공정에 대한 충분한 감도를 획득할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 노광 공정의 감도 향상을 위해 증감제가 상기 광산 발생제와 함께 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 증감제에 의해 상기 광산 발생제로부터의 산 생성이 증폭될 수 있다.
예를 들면, 상기 증감제는 다핵 방향족류, 크산텐류, 크산톤류, 시아닌류, 옥소놀류, 티아진류, 아크리딘류, 아크리돈류, 안트라퀴논류, 스쿠알륨류, 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류, 안트라센류 화합물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 증감제는 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112018012995492-pat00020
화학식 6 중, L1 및 L2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기일 수 있다.
예를 들면, 상기 증감제는 하기 화학식 6-1 내지 6-3으로 표시되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 6-1]
Figure 112018012995492-pat00021
[화학식 6-2]
Figure 112018012995492-pat00022
[화학식 6-3]
Figure 112018012995492-pat00023
예를 들면, 증감제의 함량은 상기 바인더 수지 100중량부에 대하여 약 0.01 내지 60중량부일 수 있으며, 바람직하게는 약 0.5 내지 10중량부일 수 있다. 상기 범위 내에서, 예를 들면 상기 산화 방지제를 통한 투과도 향상 효과를 저해하지 않으면서 노광 공정에 대한 감도를 향상시킬 수 있다.
용매
상기 감광성 조성물은 용매로서 상술한 바인더 수지, 산화 방지제와 같은 유기 성분에 대해 충분한 용해도를 갖는 유기 용매를 사용할 수 있다.
예를 들면, 에테르류, 아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 용매를 사용할 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
에테르류 용매의 예로서 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르, 디프로필렌글리콜디알킬에테르 등을 들 수 있다.
아세테이트류 용매의 예로서 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜 모노알킬 에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 디알킬 아세테이트 등을 들 수 있다.
에스테르류의 용매의 예로서 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피르브산메틸, 피르브산에틸, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에스테르 등을 들 수 있다.
케톤류 용매의 예로서 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로헥산온 등을 들 수 있다.
아미드류 용매의 예로서 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 락톤류 용매의 예로서 γ-부티로락톤을 들 수 있다.
바람직하게는 도포성 및 절연막의 두께 균일성 측면에서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸에틸에스테르 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 용매의 함량은 상술한 성분들 및 후술하는 첨가제를 제외한 잔량으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 상기 용매의 함량은 상기 감광성 조성물 총 중량 중 약 40 내지 90중량%일 수 있으며, 바람직하게는 약 50 내지 80중량%일 수 있다. 상기 범위 내에서 고형분의 함량 및 점도를 적절히 유지하여 조성물의 코팅성을 증진시킬 수 있다.
첨가제
상기 감광성 조성물은 예를 들면, 상술한 바인더 수지, 선형 비닐 에테르 화합물 및 광산 발생제의 상호 작용을 저해하지 않는 범위 내에서 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 첨가제는 염기성 화합물, 계면활성제, 커플링제, 열가교제, 광안정제, 광경화촉진제, 레벨링제, 소포제 등을 포함할 수 있으며, 감광성 조성물 분야에서 상용되는 화합물들이 사용될 수 있다.
예를 들면, 상기 염기성 화합물은 예를 들면, 현상성 조절을 위해 포함될 수 있으며, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 기재와 감광성 조성물의 밀착성을 개선시킬 수 있다.
상기 계면활성제는 당해 기술분야에 널리 알려진 불소계 계면활성제, 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 실리콘 계 계면활성제 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
상기 커플링제는 상기 감광성 조성물과 무기물을 포함하는 기판과의 밀착성을 향상시키고, 절연 패턴의 테이퍼각 조절을 위해 포함될 수 있다.
상기 커플링제는 예를 들면, 실란 커플링제 또는 티올계 화합물을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 실란 커플링제가 사용될 수 있다.
상기 실란 커플링제의 예로서 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란 등을 들 수 있다.
열가교제는 조성물로서 포스트 베이킹과 같은 열처리 공정을 통해 절연막의 가교도를 추가적으로 향상시켜, 경도 및 내열성을 향상시킬 수 있다.
상기 열가교제는 예를 들면, 폴리아크릴레이트 수지, 에폭시 수지, 페놀수지, 멜라민 수지, 유기산, 아민 화합물, 무수 화합물 등을 포함할 수 있다.
상기 광안정제는 상기 감광성 조성물의 내광성을 개선시킬 수 있다. 상기 광안정제는 예를 들면, 벤조트리아졸계, 트리아진계, 벤조페논계, 힌더드아미노에테르(hindered aminoether)계, 힌더드아민계 화합물 등을 포함할 수 있다.
상술한 첨가제들의 함량은 공정 조건을 고려하여 적절히 변경될 수 있으며, 예를 들면 각각 바인더 수지 100중량부에 대하여 0.01 내지 10중량부로 포함될 수 있고, 바람직하게는 0.1 내지 5중량부의 함량으로 포함될 수 있다.
<절연막 및 화상표시 장치>
본 발명의 실시예들은 상술한 감광성 조성물로부터 형성된 절연막 및 이의 제조 방법을 제공한다.
도 1 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 제1 도전 패턴(110)을 형성할 수 있다.
기판(100)은 예를 들면, 글래스 기판 또는 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함하는 수지 기판일 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 화상 표시 장치의 디스플레이 패널 기판일 수 있다.
제1 도전 패턴(110)은 금속 또는 ITO와 같은 투명 도전성 산화물을 증착하여 제1 도전막을 형성한 후, 이를 식각하여 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 도전 패턴(110)을 형성하기 전에 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함하는 배리어막을 기판(100) 상면 상에 형성할 수 있다.
제1 도전 패턴(110)은 예를 들면, 화상 표시 장치에 포함되는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극, 소스 전극 또는 드레인 전극 등과 같은 전극으로 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 도전 패턴(110)은 화상 표시 장치의 스캔 라인, 데이터 라인, 전원 라인 등과 같은 배선으로 제공될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 도전 패턴(110)을 덮는 예비 절연막(120)을 형성할 수 있다. 예비 절연막(120)은 상술한 감광성 조성물을 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 롤 코팅 공정 등을 통해 도포한 후, 건조 및/또는 소프트 베이킹(Soft Baking) 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 소프트 베이킹 공정은 약 60 내지 150℃ 온도 범위에서 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 감광성 조성물은 산화 방지제로서 2관능 에폭시 화합물을 포함하므로, 조성물의 흐름성이 증진되어 막 평탄성, 코팅성이 보다 향상될 수 있다. 또한, 상술한 제1 수지 내지 제3 수지의 조합을 통해 기판(100)과의 밀착성이 보다 증진될 수 있다.
도 3을 참조하면, 노광 공정을 통해 예비 절연막(120)을 노광부(123) 및 비노광부(125)를 포함하는 절연막으로 변환할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 예비 절연막(120) 위로 차광부 및 투과부를 포함하는 마스크를 배치한 후, 상기 마스크를 통해 엑시머 레이저, 원자외선, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 또는 g-선(파장 436nm), i-선(파장 365nm), h-선(파장 405nm) 등의 광을 조사할 수 있다.
예를 들면, 상기 마스크의 투과부는 제1 도전 패턴(110)과 중첩될 수 있으며, 상기 투과부를 통해 광을 조사받은 예비 절연막(120) 부분이 노광부(123)로 변환될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 노광 공정에 의해 상기 감광성 조성물에 포함된 광산 발생제로부터 산이 발생되어 바인더 수지(예를 들면, 제1 수지)에 포함된 산분해성기를 이탈시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 산분해성기로 보호된 페놀 단위의 히드록실기가 노출되어, 노광부(123)의 현상액에 대한 용해도가 증가할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 노광 공정 이후 발생된 산의 확산을 방지하기 위해 노광후 베이킹(Post Exposure Baking: PEB) 공정을 더 수행할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 현상 공정을 수행하여 노광부(123)를 제거할 수 있다. 이에 따라, 잔류하는 비노광부(125)에 의해 절연 패턴이 정의될 수 있다. 상기 현상 공정은 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH)과 같은 알칼리 현상액을 사용하여 수행될 수 있다.
상기 현상 공정에 의해 노광부(123)가 제거된 공간에는 예를 들면, 제1 도전 패턴(110)을 적어도 부분적으로 노출시키는 개구부(127)가 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 현상 공정 이후 절연 패턴(예를 들면, 잔류한 비노광부(125))의 추가 경화를 통한 기계적 특성 향상을 위해 포스트 베이킹 공정을 더 수행할 수 있다. 상기 포스트 베이킹 공정은 약 150 내지 350℃ 온도에서 수행될 수 있다.
상기 포스트 베이킹 공정과 같은 고온 열처리가 수행되는 경우, 상기 바인더 수지에 포함된 페놀 단위가 산화되어(예를 들면, 퀴논 단위로) 상기 절연 패턴의 황변이 초래될 수 있다.
그러나, 예시적인 실시예들에 따르면 상기 2관능 에폭시계 화합물에 의해 상기 페놀 단위가 보호되어 황변을 억제하여 상기 절연 패턴의 투과율을 유지할 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 4에 도시된 개구부(127) 내에 제2 도전 패턴(130)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 개구부(127)를 충분히 채우며 금속 또는 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 비노광부(125) 상에 형성한 후, 상기 제2 도전막을 패터닝하여 제2 도전 패턴(130)이 형성될 수 있다,
상기 제2 도전막 형성을 위해 고온 증착 공정과 같은 열 처리 공정이 수행되는 경우에도, 상술한 2관능 에폭시계 화합물의 작용을 통해 비노광부(125)의 황변, 탈락 등을 억제할 수 있다.
제2 도전 패턴(130)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 화소 전극으로 제공될 수 있으며, 각종 배선 구조물로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 제2 도전 패턴(130)은 제1 도전 패턴(110)과 전기적으로 연결되기 위해 상기 절연 패턴을 관통하는 비아(via) 구조를 포함하는 화소 전극으로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 도전 패턴(110)은 상기 화소 전극과 연결되는 드레인 전극으로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 상술한 절연막 혹은 절연 패턴을 포함하는 화상 표시 장치를 제공한다. 상기 절연막은 상기 화상 표시 장치의 게이트 절연막, 층간 절연막, 비아(via) 절연막 등으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 도 5에 도시된 제2 도전 패턴(130)이 화소 전극으로 제공되며, 제2 도전 패턴(130) 상에 액정층 또는 유기 발광층 등을 포함하는 표시층이 형성되어 LCD 장치 또는 OLED 장치 등이 구현될 수 있다.
상기 표시층 상에는 상기 화소 전극과 마주보는 대향 전극(예를 들면, 음극)이 배치될 수 있으며, 상기 대향 전극 상에 인캡슐레이션 층, 하드 코팅 층, 윈도우 기판 등과 같은 추가적인 구조물들이 적층될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 절연막은 열처리에 의한 황변 현상이 억제되어 우수한 투명도를 가지므로, 화상 표시 장치의 이미지 품질을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 및 비교예
하기 표 1에 기재된 조성 및 함량(중량부)을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
하기 표 1에 기재된 조성 및 함량(중량부)을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
구분 바인더 수지(A) 산화 방지제(B) 광산발생제
(C1)/
증감제(C2)		 용매
(D)		 커플링제(F) 계면
활성제
(G)
실시예 1 A1-1/A2-1/A3-1 50/15/30 B1 1.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 2 A1-2/A2-1/A3-1 50/15/30 B1 1.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 3 A1-1/A2-2/A3-1 50/15/30 B1 1.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 4 A1-2/A2-2/A3-1 50/15/30 B1 1.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 5 A1-1/A2-1/A3-2 50/15/30 B1 1.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 6 A1-2/A2-2/A3-2 50/15/30 B1 1.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 7 A1-1/A2-1/A3-1 50/15/30 B1 5.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 8 A1-2/A2-1/A3-1 50/15/30 B1 5.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 9 A1-1/A2-2/A3-1 50/15/30 B1 5.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 10 A1-2/A2-2/A3-1 50/15/30 B1 5.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 11 A1-1/A2-1/A3-2 50/15/30 B1 5.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 12 A1-2/A2-2/A3-2 50/15/30 B1 5.0 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 13 A1-1/A2-1/A3-1 50/15/30 B1 0.1 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
실시예 14 A1-1/A2-1/A3-1 50/15/30 B1 10 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
비교예 1 A1-1/A2-1/A3-1 50/15/30 B1 - 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
비교예 2 A1-1/A2-1/A3-1 50/15/30 B2 3 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
비교예 3 A1-1/A2-1/A3-1 50/15/30 B3 3 1.0/0.5 D1/D2 120/80 1.0 0.1
구체적인 성분들은 아래와 같다. 바인더 수지(A)에 포함된 각 단위의 수치는 몰%를 의미한다.
A1-1, A1-2
Figure 112018012995492-pat00024
A1-1) p/q = 60/40, Mw=12,000
A2-2) p/q = 70/30, Mw=12,000
A2-1, A2-2
Figure 112018012995492-pat00025
A2-1) (a)/(b)/(c) = 60/20/20, Mw =8,000
A2-2) (a)/(b)/(c) = 60/10/30, Mw =8,000
A3-1, A3-2
Figure 112018012995492-pat00026
A3-1: (a)/(b)/(c)/(d) = 15/10/50/25, Mw =25,000
A3-2: (a)/(b)/(c)/(d) = 25/15/30/30, Mw =25,000
B-1)
Figure 112018012995492-pat00027
(ED-523T, Adeka사 제조)
B-2)
Figure 112018012995492-pat00028
(Epolight 100MF, kyoeisha사 제조)
B-3)
Figure 112018012995492-pat00029
(S-400, Synasia사 제조)
C-1)
Figure 112018012995492-pat00030
C-2)
Figure 112018012995492-pat00031
D1) 프로필렌 글리콜 메틸 에틸 아세테이트
D2) 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에스테르
F) γ-글리시독시프로필트리알콕시실란
G) SH-8400(다우코닝사)
실험예
표 1의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 김광성 조성물에 대하여 하기와 같은 평가를 진행하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
(1) 감도 측정
0.7mm 두께의 유리 기판(코닝1737, 코닝사 제조) 위에, 스피너로 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 각각 도포하고, 100℃의 핫플레이트 상에서 125초간 가열하여 용매를 휘발시켜, 두께 4.0㎛의 예비 절연층을 형성하였다.
이후, 직경 10㎛의 콘택트 홀 패턴을 얻기 위해, 노광부가 10㎛의 변을 갖는 사각 패턴 개구부를 갖는 마스크를 이용하여 i선 스텝퍼(NSR-205i11D, 니콘(주))로 노광을 실시하였다.
노광 후의 기판을 2.38% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 현상액으로 23℃에서 40초 동안 퍼들 현상을 행하고, 230℃의 오븐에서 30분간 가열하여 경화된 절연 패턴을 형성하였다.
이후에 기판을 수직으로 절삭하고 각 절연 패턴에 10㎛ 콘택트 홀이 형성되는데 소요된 노광량을 측정하여 감도를 평가하였다.
(2) 잔막율
0.7mm 두께의 유리 기판(코닝1737, 코닝社 제조) 위에 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 스피너로 도포하고, 100℃의 핫플레이트 상에서 125초간 가열하여 용매를 휘발시킨 후 막두께(A)를 측정하였다. 이후, 2.38% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 현상액으로 23℃에서 40초 동안 퍼들 현상을 행하고, 230℃의 오븐에서 30분간 가열하여 절연패턴을 형성한 후 막두께(B)를 측정하고, 하기 수학식 1에 따라 잔막율을 산출하였다.
[수학식 1]
잔막율(%) = B / A * 100
(3) 패턴 각도
감도 측정을 위해 형성된 절연 패턴들을 수직으로 절삭하고, 기판과의 각도를 광학 사진으로부터 산출하였다.
(4) 밀착성
실리콘 질화막(SiNx)가 증착된 글래스 기판 상에 직접 스피너로 실시예 및 비교예의 감광성 조성물들을 각각 도포하고, 100℃의 핫플레이트 상에서 125초간 가열하여 용제를 휘발시켜, 두께 4.0㎛의 예비 절연막을 형성하였다. 이후에 5-20㎛ 범위의 홀 패턴이 포함된 마스크를 사용하여, i선 스텝퍼(NSR-205i11D, 니콘(주))로 노광을 실시하였다. 노광 후의 기판을 2.38% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 현상액으로 23℃에서 40초 동안 퍼들 현상을 수행하고 패턴의 박리 여부를 확인하였다. 평가기준은 아래와 같다.
◎: 패턴이 전 영역에서 전혀 박리되지 않음
○: 패턴이 일부 영역에서 미세하게 박리됨
△: 상당 부분의 패턴이 박리됨
X: 패턴 전 영역이 박리됨
(5) 투과율 측정
감도 측정을 위해 형성된 절연 패턴들에 대해 400nm에서의 투과율을 분광광도계로 측정하였다.
(6) 추가 베이킹 후 투과율
(5)에서와 같이 투과율 측정 후, 오븐에서 230℃에서 30분 동안 추가 베이킹을 실시하고, 400nm에서의 투과율을 분광광도계로 재측정하였다.
구분 감도
(mJ/cm2)		 잔막율
(%)		 패턴각도(o) 밀착성 투과율(%) 추가 베이킹후
투과율(%)
실시예 1 24 72 50 ◎ 97 95
실시예 2 24 72 51 ◎ 97 94
실시예 3 24 72 53 △ 97 94
실시예 4 25 73 52 ◎ 96 94
실시예 5 27 74 51 ○ 96 94
실시예 6 27 74 52 ○ 96 94
실시예 7 26 73 53 ◎ 96 94
실시예 8 27 74 50 ◎ 96 94
실시예 9 25 73 53 ◎ 96 94
실시예 10 30 76 52 ◎ 96 94
실시예 11 29 75 51 ○ 96 94
실시예 12 23 71 51 △ 96 94
실시예 13 23 74 52 △ 96 92
실시예 14 21 69 51 X 96 94
비교예 1 33 77 53 ○ 96 91
비교예 2 35 76 54 ○ 96 92
비교예 3 40 77 56 X 96 91
표 2를 참고하면, 산화 방지제로서 2관능 에폭시계 화합물이 바인더 수지와 함께 포함된 실시예들은 비교예들에 비해 전체적으로 우수한 감도 및 패턴 특성을 나타내면서, 추가 베이킹 이후에도 우수한 투과율이 확보되었다. 산화 방지제의 다소 감소된 실시예 13의 경우, 추가 베이킹 이후 투과율이 다소 저하되었다. 산화 방지제의 양이 다소 과다한 실시예 14의 경우, 패턴 밀착성이 열화되었다.
산화방지제가 결여된 비교예 1의 경우 감도가 저하되면서 투과도 역시 베이킹 공정 이후 현저히 열화되었다. 3관능 또는 4관능 에폭시계 화합물이 포함된 비교예 2 및 3역시 산화 방지제 내의 입체 장애에 의해 원하는 투과율 향상 효과가 구현되지 않았다.
100: 기판 110: 제1 도전 패턴
120: 예비 절연막 123: 노광부
125: 비노광부 127: 개구부
130: 제2 도전 패턴

Claims (15)

  1. 산분해성기로 보호된 페놀 단위가 함유된 제1 수지, 에폭시기를 포함하고 옥세탄기는 포함하지 않는 아크릴계 수지를 포함하는 제2 수지, 및 옥세탄기 함유 아크릴계 수지를 포함하는 제3 수지를 포함하는 바인더 수지;
    2관능 에폭시계 화합물을 포함하는 산화 방지제;
    광산 발생제; 및
    용제를 포함하고,
    상기 바인더 수지 총 100중량부 중 상기 제1 수지 30 내지 55중량부, 상기 제2 수지 30 내지 60중량부 및 상기 제3 수지 1 내지 25중량부를 포함하며,
    상기 제2 수지는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 단량체들 중 적어도 하나로부터 유래하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure 112021142694159-pat00044

    [화학식 3]
    Figure 112021142694159-pat00045

    (화학식 2 및 3 중, Z1은 수소 또는 메틸기이며, Z2는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고, Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이거나, 서로 연결되어 탄소수 3 내지 8의 고리를 형성하며,
    m은 1 내지 6의 정수임).
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112018012995492-pat00032

    (화학식 1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
    R3은 상기 산분해성기를 나타내며, 탄소수 1 내지 6의 알킬기로 치환 혹은 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 테트라하이드로피라닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 혹은 탄소수 4 내지 8의 시클로알콕시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고,
    p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임).
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 제1 수지는 하기의 화학식 1-1로 표시되는 구조단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1-1]
    Figure 112018012995492-pat00033

    (화학식 1-1 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
    R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,
    p는 40 내지 80몰%, q는 20 내지 60몰%임).
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제3 수지는 하기의 화학식 4로 표시되는 단량체로부터 유래하는 구조 단위를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    [화학식 4]
    Figure 112021069834962-pat00036

    (화학식 4 중, Ra는 수소 또는 메틸기이고, Rb는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이며, Rc는 탄소수 1 내지 6의 알킬기임).
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 산화 방지제는 하기의 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    [화학식 5]
    Figure 112018012995492-pat00037

    (화학식 5 중, R1은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬렌기임).
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 산화 방지제는 하기의 화학식 5-1로 표시되는 화합물을 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    [화학식 5-1]
    Figure 112018012995492-pat00038

  11. 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 상기 바인더 수지의 함량은 5 내지 50중량%이며, 상기 산화 방지제는 상기 바인더 수지 100중량부 중 1 내지 10중량부로 포함되는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 광산발생제는 디아조늄염계, 포스포늄염계, 술포늄염계, 요오드늄염계, 이미드술포네이트계, 옥심술포네이트계, 디아조디술폰계, 디술폰계, 오르소-니트로벤질술포네이트계 및 트라아진계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  13. 청구항 1의 포지티브형 감광성 수지 조성물로부터 형성된 절연막.
  14. 청구항 13에 있어서, 화상 표시 장치의 층간 절연막 또는 비아 절연막으로 사용되는, 절연막.
  15. 청구항 13의 절연막을 포함하는 화상표시장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014010382A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Fujifilm Corp 感光性転写材料、硬化膜およびその製造方法、有機ｅｌ表示装置、液晶表示装置並びに静電容量型入力装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5417422B2 (ja) * 2010-12-13 2014-02-12 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP5377597B2 (ja) 2011-08-22 2013-12-25 富士フイルム株式会社 レジストパターン形成方法、ナノインプリント用モールドの製造方法、及びフォトマスクの製造方法
JP5550693B2 (ja) * 2011-12-12 2014-07-16 富士フイルム株式会社 電子部材用ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜および表示装置
KR101629780B1 (ko) * 2011-12-12 2016-06-13 후지필름 가부시키가이샤 전자부재용 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막 및 표시 장치
KR101364229B1 (ko) * 2012-12-20 2014-02-17 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조되는 절연막
WO2014200013A1 (ja) * 2013-06-11 2014-12-18 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、有機ｅｌ表示装置または液晶表示装置の製造方法、および硬化膜
KR20160091648A (ko) * 2015-01-26 2016-08-03 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물, 이로부터 형성된 경화막 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
KR102157641B1 (ko) * 2015-03-06 2020-09-18 동우 화인켐 주식회사 화학증폭형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막
KR20170033022A (ko) * 2015-09-16 2017-03-24 동우 화인켐 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막
JP2017173526A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 三菱ケミカル株式会社 絶縁膜用感光性樹脂組成物、絶縁膜、および画像表示装置
KR102635564B1 (ko) * 2016-05-03 2024-02-08 동우 화인켐 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 절연막

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014010382A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Fujifilm Corp 感光性転写材料、硬化膜およびその製造方法、有機ｅｌ表示装置、液晶表示装置並びに静電容量型入力装置

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