KR102371290B1 - Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same - Google Patents

Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same Download PDF

Info

Publication number
KR102371290B1
KR102371290B1 KR1020150113323A KR20150113323A KR102371290B1 KR 102371290 B1 KR102371290 B1 KR 102371290B1 KR 1020150113323 A KR1020150113323 A KR 1020150113323A KR 20150113323 A KR20150113323 A KR 20150113323A KR 102371290 B1 KR102371290 B1 KR 102371290B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
reflective
light source
disposed
Prior art date
Application number
KR1020150113323A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170019551A (en
Inventor
조정일
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150113323A priority Critical patent/KR102371290B1/en
Publication of KR20170019551A publication Critical patent/KR20170019551A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102371290B1 publication Critical patent/KR102371290B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K2/00Non-electric light sources using luminescence; Light sources using electrochemiluminescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Abstract

본 발명은 광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것으로서, 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부로 구성되는 광원 패키지에서, 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 일정 두께의 반사투과형 광부재를 배치함으로써, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면에 고른 광확산이 가능하다. The present invention relates to a light source package and a backlight unit including the same, comprising: a light emitting part including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers; In a light source package comprising both sides and a light conversion sealing unit surrounding the upper surface of the light transmitting layer, by disposing a reflective transmissive light member of a certain thickness between the upper portion of the light transmitting layer and the light conversion sealing unit or above the light conversion sealing unit, light diffusion Even light diffusion is possible on the front of the display device without a lens.

Description

광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛 {Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same}Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same}

본 발명은 광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛, 더 구체적으로는 반사투과형 광부재를 포함하는 광원 패키지 및 그를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. The present invention relates to a light source package and a backlight unit including the same, and more particularly, to a light source package including a reflective light member and a backlight unit including the same.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기전계발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode Display Device)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Various display devices such as an organic light emitting diode display device (OLED) are being used.

이러한 표시장치 중 액정 표시장치(LCD)는 화소영역 각각을 온(on)/오프(off) 제어하기 위한 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판과, 컬러필터 및/또는 블랙매트릭스 등을 구비한 상부기판과, 그 사이에 형성되는 액정물질층을 포함하는 표시패널과, 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 구동부와, 표시패널로 광을 제공하는 백라이트 유닛(Back Light Unit; BLU) 등을 포함하여 구성되며, 화소 영역에 구비된 화소(Pixel; PXL) 전극 및 공통 전압(Vcom) 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 액정층의 배열 상태가 조절되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다.Among these display devices, a liquid crystal display (LCD) includes an array substrate including a thin film transistor as a switching element for on/off control of each pixel region, a color filter and/or a black matrix, and the like. It consists of an upper substrate, a display panel including a liquid crystal material layer formed therebetween, a driving unit for controlling the thin film transistor, and a backlight unit (BLU) providing light to the display panel. , a device that displays an image by adjusting the arrangement of the liquid crystal layer according to the electric field applied between the pixel (PXL) electrode and the common voltage (Vcom) electrode provided in the pixel area, and the transmittance of light is adjusted accordingly.

이러한 액정 표시장치의 경우에는 외부에서 광을 제공하는 백라이트 장치가 있어야 하며, 백라이트 유닛 중에서 광원이 표시패널의 직하부에 배치되어 광을 직접 표시패널로 인가하는 직하형(Direct Type) 백라이트 유닛이 사용될 수 있으며, 이러한 직하형 백라이트 유닛은 표시장치의 하부 지지구조인 커버 버텀(Cover Bottom) 등의 상부에 배치되는 광원 모듈과, 광원 모듈 상부에 배치되는 확산판(Duffuser Plate; DP)과, 확산판 상부에 배치되는 1 이상의 광학시트 등을 포함하여 구성될 수 있다.In the case of such a liquid crystal display device, there must be a backlight device that provides light from the outside, and among the backlight units, a direct type backlight unit in which a light source is disposed directly under the display panel to directly apply light to the display panel will be used. The direct type backlight unit includes a light source module disposed on an upper portion of a cover bottom, etc., which is a lower support structure of the display device, a diffuser plate (DP) disposed on the light source module, and a diffusion plate It may be configured to include one or more optical sheets disposed thereon.

이러한 직하형 백라이트 유닛의 광원 모듈은 LED 패키지와 같은 광원 패키지와 그 상부에 배치되어 광원 표시장치 전체에 걸쳐 고르게 확산하기 위한 광확산 렌즈와, 광학산 렌즈 상부에 배치되는 확산판 또는 확산플레이트를 포함한다. The light source module of such a direct type backlight unit includes a light source package such as an LED package, a light diffusion lens disposed on the light source package to evenly spread over the entire light source display device, and a diffusion plate or diffusion plate disposed on the optical lens lens. do.

한편, 직하형 백라이트 유닛에 사용되는 광확산 렌즈는 일정 부피를 차지하므로 장착에 일정한 크기 이상의 공간이 필요할 뿐 아니라, 광확산 렌즈의 재료 특성상 광원으로부터의 광의 파장을 일정 크기만큼 변경시킴으로써, 원하지 않은 색수차 현상이 발생되는 문제가 있었다.On the other hand, since the light-diffusing lens used in the direct-type backlight unit occupies a certain volume, a space of a certain size or more is required for mounting. There was a problem that the phenomenon occurred.

이러한 광확산 렌즈의 문제 때문에 최근 이러한 광확산 렌즈의 구조를 변경하거나 렌즈를 대체하기 위한 여러 방안이 제시되고 있으나, 직하형 백라이트 유닛에 사용되는 점광원의 광을 표시장치 전면에 고르게 확산시키는데는 어느 정도 한계가 있다.
Due to the problem of the light-diffusion lens, various methods have been recently proposed to change the structure of the light-diffusion lens or to replace the lens. There is some limit.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 직하형 백라이트 유닛의 광원 패키지에 있어서, 상부에 반사투과형 부재를 포함하는 광원 패키지와 그를 포함하는 백라이트 유닛 등을 제공하는 것이다.Against this background, it is an object of the present invention to provide a light source package including a reflective member on an upper portion of a light source package of a direct type backlight unit, a backlight unit including the same, and the like.

본 발명의 다른 목적은, 플립칩(Flip-chip) 또는 칩스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP) 형태의 발광 패키지 상부에 반사투과 특성을 가지는 반사투과층을 형성함으로써, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면에 고른 광확산이 가능한 광원 패키지와 그를 포함하는 백라이트 유닛 등을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to form a reflective and transmissive layer having reflective and transmissive properties on an upper portion of a flip-chip or Chip Scale Package (CSP) type light emitting package, thereby providing a front surface of a display device without a light diffusing lens. To provide a light source package capable of evenly diffusing light and a backlight unit including the same.

본 발명의 다른 목적은 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부로 구성되는 광원 패키지에서, 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 일정 두께의 반사투과형 광부재를 배치함으로써, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면에 고른 광확산이 가능한 광원 패키지와 그를 포함하는 백라이트 유닛 등을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to surround a light emitting unit including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers, a light transmitting layer disposed on the light emitting unit, both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer and the upper surface of the light transmitting layer In a light source package consisting of a light conversion sealing part, by arranging a reflective transmissive optical member of a certain thickness between the upper part of the light transmitting layer and the light conversion sealing part or on the upper part of the light conversion sealing part, even light diffusion over the entire surface of the display device without a light diffusion lens It is to provide a light source package capable of this and a backlight unit including the same.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는, 2개의 전극층과 상기 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와,상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 상기 광투과층의 상면과 상기 광변환 밀봉부의 하면 사이에 제1두께의 층상 구조로 배치되는 반사투과형 광부재를 포함하는 백라이트 유닛용 광원 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, an embodiment of the present invention provides a light emitting unit comprising two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layer, and a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting unit, The light emitting unit and the light-transmitting sealing portion surrounding both sides of the light-transmitting layer and the upper surface of the light-transmitting layer, and the reflective transmission type light disposed in a layered structure of a first thickness between the upper surface of the light-transmitting layer and the lower surface of the light-conversion sealing part Provided is a light source package for a backlight unit including a member.

본 발명의 다른 실시예에서는, 2개의 전극층과 상기 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 상기 광변환 밀봉부 상면 상에 배치되고, 제2두께와 제2크기를 가지는 필름 구조의 반사투과형 광부재를 포함하는 백라이트 유닛용 광원 패키지를 제공한다.In another embodiment of the present invention, a light emitting unit including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers, a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting unit, and both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer A light source package for a backlight unit, comprising: a light conversion sealing unit surrounding an upper surface of the light transmitting layer; provides

본 발명의 또다른 실시예에서는, 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 상기 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 배치되고 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 반사투과형 광부재를 포함하는 다수의 광원 패키지와; 상기 다수의 광원 패키지를 장착하기 위한 기판과; 상기 다수의 광원 패키지와 이격되어 상기 다수의 광원 패키지 상부에 배치되는 확산판과; 상기 확산판 상에 배치되는 1 이상의 광학시트를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.
In another embodiment of the present invention, a light emitting unit including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers, a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting unit, and both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer and a light conversion sealing unit surrounding the upper surface of the light transmitting layer, and an optical characteristic of 90 to 99% reflectance and 1 to 10% light transmittance, which is disposed between the upper portion of the light transmitting layer and the light conversion sealing unit or above the light conversion sealing unit A plurality of light source packages including a transflective light member having a; a substrate for mounting the plurality of light source packages; a diffusion plate spaced apart from the plurality of light source packages and disposed on the plurality of light source packages; Provided is a backlight unit including one or more optical sheets disposed on the diffusion plate.

본 발명의 일실시예에 의하면, 직하형 백라이트 유닛의 광원 패키지에 있어서, 상부에 반사투과형 광부재를 포함함으로써, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면으로 고른 광확산이 가능한 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention, in the light source package of the direct type backlight unit, by including the reflective and transmissive light member on the upper portion, there is an effect that even light diffusion is possible to the entire surface of the display device without a light diffusion lens.

더 구체적으로, 플립칩(Flip-chip) 또는 칩스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP) 형태의 광원 패키지 상부에 반사투과 특성을 가지는 반사투과 광부재를 일정 크기로 형성함으로써, 광확산 렌즈 없이도 점광원으로부터의 광을 표시장치 전면에 고르게 분포시킬 수 있는 효과가 있다.More specifically, by forming a reflective and transmissive optical member having reflective and transmissive characteristics on the upper portion of a light source package in the form of a flip-chip or a chip scale package (CSP) to a predetermined size, a point light source without a light diffusion lens There is an effect of evenly distributing the light from the display device over the entire surface of the display device.

또한, 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부로 구성되는 발광 패키지에서, 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 일정 두께의 반사투과형 광부재를 배치함으로써, LED 패키지에 의한 점광원을 면광원으로 사용할 수 있는 효과가 있다.
In addition, a light-emitting unit including two electrode layers and a blue light-emitting layer disposed between the electrode layers, a light-transmitting layer disposed on the light-emitting unit, and light conversion surrounding both sides of the light-emitting unit and the light-transmitting layer and the upper surface of the light-transmitting layer In a light emitting package composed of a sealing part, by disposing a reflective transmissive light member of a certain thickness between the upper portion of the light transmitting layer and the light conversion sealing portion or on the upper portion of the light conversion sealing portion, the point light source by the LED package can be used as a surface light source there is

도 1은 2가지 형태의 백라이트 유닛의 단면도로서, 도 1의 (a)는 엣지형(Edge-type) 백라이트 유닛이고, 도 1의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 직하형 백라이트 유닛을 도시한다.
도 2는 직하형 백라이트 유닛에서 사용되는 개별 광원 패키지와 그 상부에 배치되는 광확산 렌즈의 구조를 도시하는 것으로서, 도 2의 (a)는 몰드 프레임을 포함하는 LED 패키지이고, 도 2의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 플립칩 구조의 LED 패키지이다.
도 3은 종래의 광원 패키지와 광확산 렌즈 구조의 단점을 도시하기 위한 것이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.
도 5는 도 4의 실시예에 의한 광원 패키지를 제조하는 공정을 도시한다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.
도 7은 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재의 형성 크기를 광원 패키지의 칩 크기와 비교하여 도시한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 의한 광원 패키지가 사용된 백라이트 유닛 및 표시장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛의 평면도이고, 도 10은 본 실시예에 의한 백라이트 유닛이 사용된 경우의 광분포를 종래 구성과 비교하여 도시한다.
1 is a cross-sectional view of two types of backlight units. FIG. 1 (a) is an edge-type backlight unit, and FIG. 1 (b) shows a direct backlight unit to which the present invention can be applied. do.
FIG. 2 shows the structure of an individual light source package used in a direct type backlight unit and a light diffusion lens disposed thereon. FIG. 2 (a) is an LED package including a mold frame, and FIG. 2 (b) ) is a flip-chip structure LED package to which the present invention can be applied.
3 is for illustrating the disadvantages of the conventional light source package and the light diffusing lens structure.
4 is a cross-sectional view of a light source package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 5 illustrates a process of manufacturing the light source package according to the embodiment of FIG. 4 .
6 is a cross-sectional view of a light source package according to a second embodiment of the present invention.
7 is a view showing the formation size of the reflective light member according to the present embodiment compared with the chip size of the light source package.
8 is a cross-sectional view of a backlight unit and a display device using a light source package according to an embodiment of the present invention.
9 is a plan view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 shows a light distribution when the backlight unit according to this embodiment is used compared with the conventional configuration.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, order, or number of the elements are not limited by the terms. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but other components may be interposed between each component. It should be understood that each component may be “interposed” or “connected”, “coupled” or “connected” through another component.

도 1은 2가지 형태의 백라이트 유닛의 단면도로서, 도 1의 (a)는 엣지형(Edge-type) 백라이트 유닛이고, 도 1의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 직하형 백라이트 유닛을 도시한다. 1 is a cross-sectional view of two types of backlight units. FIG. 1 (a) is an edge-type backlight unit, and FIG. 1 (b) shows a direct backlight unit to which the present invention can be applied. do.

도 1과 같이, 본 발명의 실시예가 적용될 수 있는 표시장치는 액정 표시패널 등의 표시패널(140)과 그 하부에 배치되어 표시패널에 광을 조사하는 백라이트 유닛(120, 160)을 포함하며, 백라이트 유닛을 지지하고 표시장치의 후면 전체에 걸쳐 연장되는 금속 또는 플라스틱 재질의 커버 버텀(Cover Bottom; 110) 등을 포함한다.1, a display device to which an embodiment of the present invention can be applied includes a display panel 140 such as a liquid crystal display panel, and backlight units 120 and 160 disposed below the display panel to irradiate light to the display panel, and a cover bottom 110 made of metal or plastic that supports the backlight unit and extends over the entire rear surface of the display device.

또한, 액정표시장치는 측면에서 백라이트 유닛을 구성하는 광원 하우징(127)을 지지하면서 상부에서는 표시패널(140)을 지지하기 위한 가이드 패널(Guide Panel; 130)과, 커버 버텀 또는 가이트 패널의 측면을 둘러싸되 표시패널의 전면부 일부까지 연장되어 배치되는 케이스탑(Case Top; 150) 등을 추가로 포함할 수 있다.In addition, the liquid crystal display device supports the light source housing 127 constituting the backlight unit from the side and a guide panel 130 for supporting the display panel 140 from the top, and the cover bottom or the side of the guide panel. It may further include a case top (Case Top; 150), etc. which is surrounded and arranged to extend to a portion of the front portion of the display panel.

이러한 액정 표시장치에서는 표시패널로 광을 제공하기 위한 백라이트 유닛이 포함되며, 백라이트 유닛은 광원의 배치 및 광의 전달 형태에 따라서 엣지형(Edge-Type) 또는 직하형(Direct-Type) 등으로 구분될 수 있다.In such a liquid crystal display device, a backlight unit for providing light to the display panel is included, and the backlight unit may be classified into an edge-type or a direct-type depending on the arrangement of the light source and the light transmission type. can

도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 엣지형 백라이트 유닛(120)은 LED 등의 광원(128)과 광원을 고정하기 위한 홀더 또는 하우징과 광원 구동 회로 등을 포함하는 광원 모듈(127)이 표시장치의 일측에 배치되며, 광을 패널 영역 전체로 확산시키기 위한 도광판(124; Light Guide Plate; LGP)과, 빛을 표시패널 방향으로 반사하기 위한 반사판(122)과, 도광판 상부에 배치되어 휘도 향상, 광의 확산 및 보호 등의 용도로 배치되는 1 이상의 광학시트(126) 등을 포함할 수 있다.As shown in (a) of Figure 1, the edge-type backlight unit 120 is a light source module 127 including a light source 128 such as an LED and a holder or a housing for fixing the light source, and a light source driving circuit, etc. A light guide plate (LGP) 124 disposed on one side of the display device to diffuse light to the entire panel area, a reflection plate 122 for reflecting light toward the display panel, and a luminance disposed on the light guide plate It may include one or more optical sheets 126 disposed for purposes such as enhancement, light diffusion and protection, and the like.

이러한 엣지형 백라이트 유닛에서는 광원으로부터의 광이 도광판 인입부로 입사된 후, 도광판에서 전반사되면서 표시장치의 전면으로 퍼지면서 표시패널 방향으로 출광하게 된다.In such an edge-type backlight unit, after light from the light source is incident on the light guide plate inlet, it is totally reflected by the light guide plate, spreads to the front of the display device, and exits in the direction of the display panel.

한편, 본 발명이 적용될 수 있는 직하형 백라이트 유닛은, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 커버버텀(110)의 상부에 배치되는 광원 PCB(161)와, 광원 PCB 상부에 일정 거리 이격되어 배치되어 광원으로부터 광을 확산시키는 확산판(165)과, 확산판 상부에 배치되는 1 이상의 광학 시트(166)을 포함할 수 있으며, 광원 PCB(161)에는 확산판의 처짐을 방지하기 위한 다수의 확산판 서포트(164; DPS)가 배치되어 있다.On the other hand, the direct backlight unit to which the present invention can be applied, as shown in FIG. It may include a diffusion plate 165 for diffusing light from the light source and one or more optical sheets 166 disposed on the diffusion plate, and the light source PCB 161 includes a plurality of diffusion plates for preventing sagging of the diffusion plate. of the diffuser plate support 164 (DPS) is disposed.

광원 PCB(161)는 표시장치의 전면에 걸쳐서 배치되며, 광원 PCB 상부에는 다수의 광원인 LED칩(162)과, 각 광원으로부터 광을 확산시키기 위한 광확산 렌즈(163) 등이 포함된다.The light source PCB 161 is disposed over the entire surface of the display device, and the light source PCB includes a plurality of light sources, such as LED chips 162 , and a light diffusion lens 163 for diffusing light from each light source.

통상적으로, 엣지형 백라이트 유닛은 도광판의 두께만큼의 공간만 있으면 되기 때문에 10mm 이하의 슬림화가 가능하다는 장점이 있으나, 광이 측면에서만 제공되므로 고휘도 구현이 어렵고, 도광판 등의 부품으로 인하여 제조비용이 높으며, 표시장치의 국부적인 영역만 광을 조사하는 로컬 디밍(Local Dimming) 기능의 구현이 어렵다는 단점이 있다.In general, edge-type backlight units have the advantage that they can be slimmed down to 10 mm or less because only a space equal to the thickness of the light guide plate is required. , there is a disadvantage in that it is difficult to implement a local dimming function in which only a local area of the display device is irradiated with light.

한편, 직하형 백라이트 유닛은, 표시장치 전면에 배치되는 다수의 광원으로부터의 광을 직접 표시패널로 조사하므로 고휘도가 가능하고 제조비용이 낮으며 로컬 디밍 구현이 용이하다는 장점이 있으나, 다수의 점광원인 LED로부터의 광이 표시패널 충분히 확산될 수 있도록 하기 위하여 광원과 확산판 사이의 간극인 광학갭(Optical Gap; OG)이 일정 이상이어야 하므로 두께가 비교적 커서 슬림화에 한계가 있다는 단점이 있다.On the other hand, the direct backlight unit directly irradiates light from a plurality of light sources disposed on the front surface of the display device to the display panel, so that high brightness is possible, manufacturing cost is low, and local dimming is easy. In order to allow the light from the phosphor LED to be sufficiently diffused in the display panel, the optical gap (OG), which is a gap between the light source and the diffusion plate, must be at least a certain amount, so that the thickness is relatively large, so there is a limitation in slimming.

특히, 직하형 백라이트 유닛에서는 LED 패키지 등으로 구성되는 발광소자가 일종의 점광원의 역할을 하므로, 그를 고르게 확산시키기 위하여 광확산 렌즈가 사용되는데, 이러한 광확산 렌즈는 일정한 크기를 가질 뿐 아니라 각 LED 패키지 상부에 설치하여야 하므로 설치 공간이 필요하다는 단점이 있었다.In particular, in the direct type backlight unit, since a light emitting element composed of an LED package serves as a kind of point light source, a light diffusing lens is used to evenly diffuse it. Since it had to be installed on the upper part, there was a disadvantage that an installation space was required.

도 2는 직하형 백라이트 유닛에서 사용되는 개별 광원 패키지와 그 상부에 배치되는 광확산 렌즈의 구조를 도시하는 것으로서, 도 2의 (a)는 몰드 프레임을 포함하는 LED 패키지이고, 도 2의 (b)는 본 발명이 적용될 수 있는 플립칩 구조의 LED 패키지이다.FIG. 2 shows the structure of an individual light source package used in a direct type backlight unit and a light diffusion lens disposed thereon. FIG. 2 (a) is an LED package including a mold frame, and FIG. 2 (b) ) is a flip-chip structure LED package to which the present invention can be applied.

도 2의 (a)에 의한 LED 패키지는 인쇄회로기판(210)과, 인쇄회로기판(210) 상에 장착된 LED칩(240)을 포함하며, 인쇄회로기판(210)은 인쇄회로기판베이스(211), 절연층(213) 및 전원배선층(215)으로 이루어질 수 있다.The LED package according to (a) of FIG. 2 includes a printed circuit board 210 and an LED chip 240 mounted on the printed circuit board 210, and the printed circuit board 210 is a printed circuit board base ( 211 ), an insulating layer 213 , and a power wiring layer 215 .

또한, LED칩(240)이 장착된 인쇄회로기판(210) 상에는 인쇄회로기판(210)으로부터 돌출되어, LED칩(240)에서 측방으로 발생되는 광을 차단하거나, 차단된 광을 전방으로 반사시키기 위해 LED칩(100)의 가장자리를 두르는 측벽(220)이 포함되며, 측벽 상부의 개구 영역에는 광변환층(250) 또는 확산층이 배치될 수 있다.In addition, on the printed circuit board 210 on which the LED chip 240 is mounted, it protrudes from the printed circuit board 210 to block the light generated laterally from the LED chip 240 or to reflect the blocked light forward. For this purpose, the sidewall 220 surrounding the edge of the LED chip 100 may be included, and the light conversion layer 250 or the diffusion layer may be disposed in the opening region of the upper sidewall.

도 2의 (a)에 의한 LED 패키지에서의 LED 칩(240)은 2개 전극 사이에 배치되어 청색(Blue)광을 방출하는 청색 LED일 수 있으며, 발광된 청색광은 격벽(220)에서 반사된 후 광변환층(250)에서 R, G, Y 등의 광으로 변환됨으로써 최종적으로 화이트(White)광이 방출된다.The LED chip 240 in the LED package according to (a) of FIG. 2 may be a blue LED that is disposed between two electrodes to emit blue light, and the emitted blue light is reflected from the barrier rib 220 . After being converted into R, G, Y light in the light conversion layer 250 , white light is finally emitted.

도 2의 (a) 구조의 LED 패키지(200)에서 방출되는 광은 통상 120도 정도의 지향각 또는 확산각을 가지는데, 전술한 바와 같이 광원과 확산판 사이의 간극인 광학갭(Optical Gap; OG)이 작아지는 경우 120도 정도의 방사각으로는 표시장치의 전면에 광을 분포시키기 어렵다.The light emitted from the LED package 200 of the structure of (a) of FIG. 2 has a directivity or diffusion angle of about 120 degrees, and as described above, an optical gap, which is a gap between the light source and the diffusion plate; When OG) is reduced, it is difficult to distribute light over the entire surface of the display device at an radiation angle of about 120 degrees.

따라서, LED 패키지(200) 상부에는 LED 패키지로부터의 광을 더 넓게 확산시키기 위한 광확산 렌즈(300)가 사용되어야 한다. 이러한 광확산 렌즈(300)를 사용하는 경우 광의 방사각 또는 지향각을 160~170도까지 증가시킬 수 있다.Therefore, the light diffusion lens 300 for spreading the light from the LED package more widely on the LED package 200 should be used. When such a light-diffusion lens 300 is used, the radiation or directivity angle of light may be increased to 160 to 170 degrees.

도 2의 (b)는 표면실장기술(surface mount technology : SMT)에 의하여 도 2의 (a)와 같은 몰드 프레임 또는 리드 프레임 없이 바로 LED 칩을 기판 상에 형성시키는 형태의 LED 패키지를 도시한다.FIG. 2(b) shows an LED package in which an LED chip is directly formed on a substrate without a mold frame or lead frame as in FIG. 2(a) by surface mount technology (SMT).

도 2의 (b)와 같은 LED는 소위 칩온보드(Chip-On-Board; COB) 또는 칩스케일 패키지(Chip Scale Package; CSP)으로 표현되는 광원 패키지로서, 그에 포함되는 LED 패키지(200')는 광투과성을 가지는 성장 기판층(270)상에 2개의 전극층과 그 사이에 배치되는 발광층으로 구성되는 발광부(260)를 형성하고, 그 주위에 형광체 밀봉층(280)을 형성하는 구조로 되어 있다.The LED as shown in (b) of FIG. 2 is a light source package expressed as a so-called Chip-On-Board (COB) or Chip Scale Package (CSP), and the LED package 200' included therein is It has a structure in which a light emitting part 260 composed of two electrode layers and a light emitting layer disposed therebetween is formed on a growth substrate layer 270 having a light transmittance, and a phosphor sealing layer 280 is formed around it. .

도 2의 (b)에 의한 LED 칩은 일명 플립칩(Flip-Chip)으로 불리는 것으로서, 발광층에서 생성된 청색광이 성장 기판층(270)과 형광체 밀봉층(280)을 통과하면서 백색광으로 변환되어 출사되며, LED 칩의 측방향으로도 광이 출사되는 것이 특징이다.The LED chip shown in FIG. 2B is a so-called flip-chip, and the blue light generated in the light emitting layer is converted into white light while passing through the growth substrate layer 270 and the phosphor sealing layer 280 and emitted. It is characterized in that light is also emitted in the lateral direction of the LED chip.

도 2의 (b)와 같은 플립칩 구조의 광원 패키지도 주된 출사광은 패키지의 상부로 향하게 되며, 따라서 도 2의 (a)와 마찬가지로 광의 방사각 또는 지향각을 증가시키기 위하여 LED 패키지(200') 상부에 광확산 렌즈를 배치하는 것이 일반적이다.In the light source package having a flip-chip structure as shown in FIG. 2(b), the main output light is directed to the upper portion of the package, and thus, as in FIG. ) It is common to place a light-diffusing lens on top.

광확산 렌즈(300)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate : PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethylmethacrylate : PMMA), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리올레핀(polyolefine), 셀룰로스 아세테이트(cellulose acetate), 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride) 등과 같은 합성수지재로 제조되는 것으로서, 광확산을 위하여 상면이 곡선 형상을 가지도록 형성된다.The light diffusing lens 300 is polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (polyethylene naphthalate), polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (polycarbonate), polystyrene (polystyrene), polyolefin (polyolefine) ), cellulose acetate, polyvinyl chloride, etc., which is made of a synthetic resin material, and the upper surface is formed to have a curved shape for light diffusion.

도 3은 종래의 광원 패키지와 광확산 렌즈 구조의 단점을 도시하기 위한 것이다.3 is for illustrating the disadvantages of the conventional light source package and the light diffusing lens structure.

전술한 바와 같이, 종래에 사용되던 광확산 렌즈(300)는 광확산을 위하여 일정한 크기와 외부 곡면 프로파일을 가져야 하고, 따라서 일정한 공간을 차지하게 된다. As described above, the conventionally used light diffusion lens 300 must have a certain size and an external curved profile for light diffusion, and thus occupy a certain space.

즉, 도 3의 (a)와 같이, 광확산 렌즈(300)는 일정한 폭(W)과 일정한 두께(T)를 가지는 구조이므로 렌즈의 두께만큼의 광학갭이 필요하고, 렌즈의 폭만큼의 기판 영역이 더 필요하게 된다.That is, as shown in (a) of FIG. 3 , since the light diffusion lens 300 has a structure having a constant width W and a constant thickness T, an optical gap equal to the thickness of the lens is required, and a substrate equal to the width of the lens is required. more area is needed.

또한, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 광확산 렌즈(300)를 LED 패키지 상부에 고정하기 위한 고정부(310)가 더 필요한 단점이 있으며, 광확산 렌즈는 모든 LED 패키지에 구비되어야 하므로 이러한 광확산 렌즈의 설치 공간 및 고정부에 의한 손실이 더 커질 수 있다.In addition, as shown in (a) of Figure 3, there is a disadvantage that the fixing part 310 for fixing the light-diffusion lens 300 to the upper part of the LED package is more required, and the light-diffusion lens must be provided in all LED packages. Therefore, the loss due to the installation space and the fixing part of the light-diffusing lens may be larger.

또한, 도 3의 (b)와 같이, 광확산 렌즈는 일정한 굴절율을 가지는 합성수지재료로 형성되어 광을 굴절/확산시키는데, 그 과정에서 LED 패키지로부터의 출사광의 최초 파장(λ0)를 일부 변화시켜 변화된 파장(λ1)으로 출광한다.In addition, as shown in (b) of FIG. 3, the light diffusion lens is formed of a synthetic resin material having a constant refractive index to refract/diffuse light, and in the process, the initial wavelength (λ 0) of the emitted light from the LED package is partially changed Light is emitted with a wavelength (λ1).

이러한 파장 변화로 인하여 원하지 않는 색수차 현상이 발생하고, 그로 인하여 백라이트 유닛의 성능이 떨어지게 된다.Undesirable chromatic aberration occurs due to the change in wavelength, and thus the performance of the backlight unit is deteriorated.

본 발명은 이러한 점에 착안한 것으로서, 기존의 광원 패키지 상부에 배치되는 광확산 렌즈를 제거하고, 대신 광원 패키지를 구성하는 일부 영역에 얇은 두께를 가지는 반사투과층을 배치시킴으로써 광확산 렌즈 없이도 LED 패키지로부터의 광을 표시장치 전체에 고르게 확산시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention is focused on this point, by removing the light-diffusing lens disposed on the existing light source package and arranging a reflective/transmissive layer having a thin thickness in some regions constituting the light source package instead of the light-diffusion lens, without the LED package. This is so that the light from the light can be evenly spread over the entire display device.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light source package according to a first embodiment of the present invention.

제1실시예에 의한 광원 패키지(400)는 2개의 전극층(412, 414)과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층(430)을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층(440)과, 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부(450)와, 광투과층(440)의 상면과 광변환 밀봉부(450) 하면 사이에 제1두께의 층상 구조로 배치되는 반사투과형 광부재(460)을 포함하여 구성될 수 있다.The light source package 400 according to the first embodiment includes a light emitting part including two electrode layers 412 and 414 and a blue light emitting layer 430 disposed between the electrode layers, and a light transmission as a growth substrate layer disposed on the light emitting part. Between the layer 440, the light-emitting part and the light-conversion sealing part 450 surrounding both sides of the light-emitting part and the light-transmitting layer and the upper surface of the light-transmitting layer, and the upper surface of the light-transmitting layer 440 and the lower surface of the light conversion sealing part 450 It may be configured to include a reflective transmissive light member 460 disposed in a layered structure having a first thickness.

반사투과형 광부재(460)는 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%인 광학특성을 가지는 층상 구조로서, 층의 두께는 약 1~20um로 형성될 수 있다The reflective transmissive optical member 460 has a layered structure having optical characteristics of about 90 to 99% reflectance and about 1 to 10% transmittance, and the thickness of the layer may be about 1 to 20 μm.

더 바람직하게는 반사투과형 광부재(460)는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가질 수 있다.More preferably, the reflective transmissive optical member 460 may have optical characteristics of a reflectance of 91 to 95% and a light transmittance of 5 to 9%.

한편, 반사투과형 광부재(460)는 광투명 재료와 반사특성을 가지는 금속 재료의 혼합 재료를 광투과층(440)의 상면에 스퍼터링 등의 공정에 의하여 증착함으로써 형성될 수 있다.Meanwhile, the reflective light member 460 may be formed by depositing a mixed material of a light transparent material and a metal material having reflective properties on the upper surface of the light transmitting layer 440 by a process such as sputtering.

더 구체적으로, 반사투과형 광부재(460)를 형성하기 위한 재료는 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료일 수 있다.More specifically, the material for forming the reflective light member 460 is a mixed material in which a light transmitting material selected from at least one of SiO2 and TiO2 and a reflective material selected from at least one of Al, Au, and Ag is mixed. can

또한, 반사 투과형 광부재(460)의 제1두께는 약1~20um일 수 있다.In addition, the first thickness of the reflective transmissive light member 460 may be about 1 to 20 μm.

이러한 본 발명의 제1실시예에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 발광부의 발광층(430)에서 생성되는 청색 출사광(Ls) 중 90%이상의 광이 반사투과형 광부재(460)에서 반사되어 반사광(Lr)을 이루며, 청색 출사광(Ls) 중 약10% 미만의 광이 반사투과형 광부재(460)를 관통하여 광원 패키지 상부로 향하는 투과광(Lt)을 형성한다.According to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4 , more than 90% of the blue output light Ls generated in the light emitting layer 430 of the light emitting unit is reflected by the reflective and transmissive light member 460 . The reflected light Lr is formed, and less than about 10% of the blue output light Ls passes through the reflective light member 460 to form the transmitted light Lt directed toward the upper portion of the light source package.

반사광(Lr)은 광원 패키지가 장착되는 서브 마운트 기판(470)의 상부에 배치되는 기저반사부(480)에서 다시 재반사되어 광원 패키지의 상부로 향하게 되며, 따라서 이러한 반사광(Lr)과 투과광(Lt)에 의하여 광원 패키지로부터의 광이 주위에 고르게 확산될 수 있는 것이다.The reflected light Lr is re-reflected from the base reflector 480 disposed on the upper portion of the sub-mount substrate 470 on which the light source package is mounted and is directed to the upper portion of the light source package, and thus the reflected light Lr and the transmitted light Lt ) so that the light from the light source package can be evenly spread around.

이로써, 점광원 형태인 광원 패키지의 발광층으로부터의 광원 패키지의 주위로 고르게 확산되고, 이러한 광원 패키지가 어레이 형태로 배치되는 백라이트 유닛은 표시장치의 전체에 걸쳐 고르게 광을 분포시켜 일종의 면광원으로 기능하게 되는 것이다.Accordingly, the light source package in the form of a point light source is evenly spread around the light source package, and the backlight unit in which the light source package is arranged in an array form distributes light evenly over the entire display device to function as a kind of surface light source. will become

한편, 반사광(Lr) 및 투과광(Lt)은 청색광으로서 각각 반사투과형 광부재(460)에서 반사 및 투과된 후 광변환 밀봉부(450)를 통과하면서 적색광(R), 녹색광(G), 황색광(Y)으로 변환되며, 따라서 광원 패키지에서 최종적으로 출사되는 광은 백색광(White)이 된다.On the other hand, the reflected light Lr and the transmitted light Lt are blue light, respectively, after being reflected and transmitted by the reflective and transmissive optical member 460 , and passing through the light conversion sealing unit 450 , red light (R), green light (G), and yellow light is converted to (Y), and thus the light finally emitted from the light source package becomes white light.

도 5는 도 4의 제1실시예에 의한 광원 패키지(400)를 제조하는 공정을 도시한다.FIG. 5 illustrates a process of manufacturing the light source package 400 according to the first embodiment of FIG. 4 .

도 5의 (a)와 같이, 우선 광투과 특성을 가지는 사파이어 재료 등으로 구성되는 성장 기판 상에 SMT 기법에 의하여 제1전극층(412), 발광층(430), 및 제2전극층(422)을 각각 형성한다. 성장 기판은 추후 LED 패키지가 제조된 이후에는 본 실시예에 의한 광투과층(440)을 형성하게 된다.As shown in FIG. 5A , first, a first electrode layer 412 , a light emitting layer 430 , and a second electrode layer 422 are respectively formed on a growth substrate made of a sapphire material having light transmission characteristics by SMT technique. to form The growth substrate forms the light-transmitting layer 440 according to the present embodiment after the LED package is manufactured later.

또한, 제1전극층(412)는 발광층(430) 및 제2전극층(422)을 관통하는 컨택홀을 통해 광원 패키지의 하면에 형성되는 제1전극(414)와 전기적으로 연결되며, 제2전극층(422)은 역시 광원 패키지의 하면에 형성되는 제2전극(424)와 전기적으로 연결된다. 제1전극층(412)와 제1전극(414)은 제1전극부(410)을 이루며, 제2전극층(422)와 제2전극(424)은 제2전극부(420)를 구성하게 된다.In addition, the first electrode layer 412 is electrically connected to the first electrode 414 formed on the lower surface of the light source package through a contact hole penetrating the light emitting layer 430 and the second electrode layer 422, and the second electrode layer ( 422 is also electrically connected to the second electrode 424 formed on the lower surface of the light source package. The first electrode layer 412 and the first electrode 414 constitute the first electrode part 410 , and the second electrode layer 422 and the second electrode 424 constitute the second electrode part 420 .

광투과층(440)을 이루는 성장 기판은 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며, 사파이어 외에도 징크 옥사이드(zinc oxide : ZNO), 갈륨 나이트라이드(hallium nitride : GaN), 실리콘 카비이드(silicon carbide : SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수도 있다. The growth substrate constituting the light-transmitting layer 440 is formed using a transparent material including sapphire, and in addition to sapphire, zinc oxide (ZNO), gallium nitride (GaN), silicon carbide : SiC) and aluminum nitride (AlN) may be formed.

제1전극층(412) 및 제2전극층(422)는 각각 p형 반도체층과 n형 반도체층으로 형성되며, 제1전극(414) 및 제2전극(424)는 각각 p형 전극 및 n형 전극으로 구성될 수 있다. The first electrode layer 412 and the second electrode layer 422 are formed of a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, respectively, and the first electrode 414 and the second electrode 424 are a p-type electrode and an n-type electrode, respectively. can be composed of

한편, 도시하지는 않았지만, 서브마운트 기판(440')과 n형 반도체층인 제2전극(424) 사이에는 격자정합을 향상시키기 위한 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 버퍼층(미도시)은 GaN 또는 AlN/GaN 등으로 형성될 수 있다. Meanwhile, although not shown, a buffer layer (not shown) for improving lattice matching may be formed between the submount substrate 440 ′ and the second electrode 424 , which is an n-type semiconductor layer. It may be formed of GaN or AlN/GaN.

이때, n형 반도체층인 제2전극층(422) 제2전극(424)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 일예로 Si, Ge 및 Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. At this time, the second electrode layer 422 and the second electrode 424 of the n-type semiconductor layer may be made of GaN or GaN/AlGaN doped with n-type impurities, and the n-type impurities include Si, Ge, for example. and Sn, and preferably Si is mainly used.

또한, p형 반도체층인 제1전극층(412) 및 제1전극(414)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 일예로 Mg, Zn 및 Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. In addition, the first electrode layer 412 and the first electrode 414, which are the p-type semiconductor layers, may be made of GaN or GaN/AlGaN doped with a p-type conductivity type impurity. Zn and Be are used, and preferably Mg is mainly used.

이러한 광원 패키지의 제작 공정에서 n형 반도체층인 제2전극층(422)의 일부가 노출되도록 p형 반도체층인 제1전극층(412) 및 발광층(230)의 일부가 메사식각(mesa etching)으로 제거되는데, 이에 따라 p형 반도체층인 제1전극층(412)과 활성층으로서의 발광층(230)이 n형 반도체층인 제2전극층(422) 상의 일부분에 형성된다. In the manufacturing process of the light source package, parts of the first electrode layer 412 and the light emitting layer 230 that are the p-type semiconductor layers are removed by mesa etching so that a part of the second electrode layer 422, which is the n-type semiconductor layer, is exposed. Accordingly, the first electrode layer 412 as the p-type semiconductor layer and the light emitting layer 230 as the active layer are formed on a portion of the second electrode layer 422 as the n-type semiconductor layer.

이 때, n형 전극인 제2전극(424)은 노출된 제2전극층(422)의 일 모서리에 구성되며, p형 전극인 제1전극(414)은 제1전극층(412) 상에 구성되는 "Top-Top"방법으로 전극이 배치되는, 수평형 LED칩을 이루게 된다. At this time, the second electrode 424 , which is an n-type electrode, is configured at one corner of the exposed second electrode layer 422 , and the first electrode 414 , which is a p-type electrode, is configured on the first electrode layer 412 . In the "Top-Top" method, the electrodes are arranged to form a horizontal LED chip.

발광층(430)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(single quantum well : SQW)나 다중 양자 우물구조(multi quantum well : MQW)일 수 있으며 또한 이들의 초격자(supper lattice : SL) 등의 양자구조로, 이와 같은 발광층(430)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고 일예로 AlGaN, AlNGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다. The light emitting layer 430 may be a GaN-based single quantum well structure (single quantum well: SQW) or a multi quantum well structure (MQW), and also a quantum structure such as their super lattice (SL), The quantum structure of the light emitting layer 430 may be formed by combining various GaN-based materials, and for example, AlGaN, AlNGaN, InGaN, or the like may be used.

이러한 발광층(430)에 전계가 인가되었을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다When an electric field is applied to the light emitting layer 430 , light is generated by the electron-hole pair bonding.

따라서, 이러한 광원 패키지는 제1전극층(412)과 제2전극층(422) 사이에 전압이 인가되면, P형 반도체층인 제1전극층(412)과 n형 반도체층인 제2전극층(422)으로 각각 정공과 전자가 주입되고, 발광층(230)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 성장 기판층(400') 또는 광투과층(440)을 통하여 외부로 방출하게 된다.Accordingly, in this light source package, when a voltage is applied between the first electrode layer 412 and the second electrode layer 422, the first electrode layer 412, which is a P-type semiconductor layer, and the second electrode layer 422, which is an n-type semiconductor layer. Holes and electrons are respectively injected, and as holes and electrons recombine in the emission layer 230 , excess energy is converted into light and emitted to the outside through the growth substrate layer 400 ′ or the light transmission layer 440 .

도 5의 (a)와 같이, 성장 기판층(440') 일측에 제1전극부(410)와 제2전극부(420) 및 발광층(430)을 형성한 후, 성장 기판층인 광투과층(440)의 타측면에 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재를 증착한다.As shown in (a) of FIG. 5 , after forming the first electrode part 410 , the second electrode part 420 , and the light emitting layer 430 on one side of the growth substrate layer 440 ′, a light transmitting layer as a growth substrate layer A reflective transmissive optical member according to the present embodiment is deposited on the other side of 440 .

즉, 도 5의 (b)와 같이, 광투과층(440)의 상면에 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료를 스퍼터링 등의 공법에 의하여 증착하여, 약1~20um 두께를 가지는 반사투과층인 반사투과형 광부재(460)의 레이어를 형성한다.That is, as shown in (b) of FIG. 5, a light transmitting material selected as at least one of SiO2 and TiO2 and a reflective material selected as at least one of Al, Au, and Ag are mixed on the upper surface of the light transmitting layer 440. The mixed material is deposited by a method such as sputtering to form a layer of the reflective and transmissive optical member 460, which is a reflective and transmissive layer having a thickness of about 1 to 20 μm.

이 때, 반사투과형 광부재(460)는 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가져야 하므로, 스퍼터링 되는 혼합재료는 그러한 광학특성을 가질 수 있도록 SiO2, TiO2 등과 같은 광투과 재료와 Al, Au, Ag 등과 같은 반사 재료의 조성비를 적절하게 조절하여야 한다.At this time, the reflective transmissive light member 460 should have optical properties of about 90 to 99% reflectance, about 1 to 10% transmittance, more preferably 91 to 95% reflectance, and 5 to 9% light transmittance, so that the sputtered The composition ratio of the light-transmitting material such as SiO2 and TiO2 and the reflective material such as Al, Au, Ag, etc. must be appropriately adjusted so that the mixed material can have such optical properties.

이와 같이, 반사투과형 광부재(460)가 약90% 이상의 반사율과 약10% 이하의 광투과율을 가짐으로써, 발광부(430)에서 생성된 광중 대부분이 반사되어 광원 패키지 주변으로 확산될 수 있고, 일부만이 광원 패키지 상부로 투과됨으로써, 전체적으로 광원 패키지에 의한 광확산 및 광분포가 균일하게 된다. As such, since the reflective light member 460 has a reflectance of about 90% or more and a light transmittance of about 10% or less, most of the light generated by the light emitting unit 430 is reflected and diffused around the light source package, As only a portion is transmitted through the upper portion of the light source package, light diffusion and light distribution by the light source package as a whole are uniform.

또한, 제1실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)의 형성 두께를 약1~20um 으로 형성함으로써, 반사투과형 광부재의 필요한 광학특성(즉, 90% 이상의 반사율과 10% 이하의 투과율)을 가지면서도 최대한 얇은 구조로 반사투과층을 형성할 수 있게 된다. In addition, by forming the thickness of the reflective optical member 460 according to the first embodiment to be about 1 to 20 μm, the necessary optical properties of the reflective optical member (that is, reflectance of 90% or more and transmittance of 10% or less) can be obtained. It is possible to form the reflective and transmissive layer with the thinnest structure possible while still having the same.

본 실시예에 의한 이러한 효과는 여러 실험에 의하여 증명되었으며, 이에 대해서는 도 9 이하를 참고하여 아래에서 더 상세하게 설명한다.This effect according to the present embodiment has been proven by several experiments, which will be described in more detail below with reference to FIG. 9 or less.

본 실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)를 광투과층(440) 상부에 형성한 다음, 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부(450)를 형성한다.After the reflective light member 460 according to the present embodiment is formed on the light transmitting layer 440, the light emitting unit and the light conversion sealing unit 450 surrounding both sides of the light transmitting layer and the upper surface of the light transmitting layer are formed. do.

광변환 밀봉부(450)는 발광부(430)로부터 생성된 청색광을 R, G, Y 광으로 파장 변환하는 광변환 기능과, 광원 패키지의 주위를 실링하는 밀봉 기능을 위한 것이다.The light conversion sealing unit 450 serves for a light conversion function of wavelength converting the blue light generated from the light emitting unit 430 into R, G, and Y light, and a sealing function for sealing the periphery of the light source package.

광변환 밀봉부(450)는 실리콘(Si)과 형광체를 혼합한 후 디스펜싱(dispensing)방식 또는 트랜스퍼몰딩(transfer molding) 공법에 의한 형성할 수 있으나 그에 한정되는 것은 아니다.The light conversion sealing part 450 may be formed by mixing silicon (Si) and a phosphor and then using a dispensing method or a transfer molding method, but is not limited thereto.

광변환 밀봉부(450)를 구성하는 형광체는 발광부에서 출사되는 광이 청색광(Blue)인 경우에는 황색형광체(Y)를 사용할 수 있으며, 발광부에서 출사되는 광이 UV 광인 경우 형광체는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 삼색의 형광체로 이루어지며, 적(R), 녹(G), 청색(B)의 형광체의 배합비를 조절함으로써 발광색을 선택할 수 있다.The phosphor constituting the light conversion sealing unit 450 may use a yellow phosphor (Y) when the light emitted from the light emitting unit is blue light, and when the light emitted from the light emitting unit is UV light, the phosphor is red ( It consists of phosphors of three colors: R), green (G), and blue (B), and the emission color can be selected by adjusting the mixing ratio of the phosphors of red (R), green (G), and blue (B).

황색형광체는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체를 사용하거나 실리케이트(silicate)계열의 황색형광체를 사용하는 것이 바람직하다.For the yellow phosphor, a YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)-based phosphor that is yttrium (Y) aluminum (Al) garnet doped with cerium (Ce) having a wavelength of 530 to 570 nm is used or a silicate-based yellow phosphor is used. It is preferable to use

적색(R)의 형광체는 611nm 파장을 주파장으로 하는 산화이트륨(Y2O3)과 유로피움(EU)의 화합물로 이루어진 YOX(Y2O3:EU)계열 형광체이며, 녹색(G)의 형광체는 544nm 파장을 주파장으로 하는 인산(Po4)과 란탄(La)과 테르븀(Tb)의 화합물인 LAP(LaPo4:Ce,Tb)계열 형광체이며, 청색(B)의 형광체는 450nm 파장을 주파장으로 하는 바륨(Ba)과 마그네슘(Mg)과 산화알루미늄 계열의 물질과 유로피움(EU)의 화합물인 BAM blue(BaMgAl10O17:EU)계열 형광체를 사용하는 것이 바람직하다. The red (R) phosphor is a YOX (Y2O3:EU)-based phosphor composed of a compound of yttrium oxide (Y2O3) and europium (EU) having a wavelength of 611 nm as the dominant wavelength, and the phosphor of green (G) has a wavelength of 544 nm It is a LAP (LaPo4:Ce,Tb)-based phosphor, which is a compound of phosphoric acid (Po4), lanthanum (La), and terbium (Tb) with a wavelength, and the blue (B) phosphor is barium (Ba) with a main wavelength of 450nm. It is preferable to use a BAM blue (BaMgAl10O17:EU)-based phosphor, which is a compound of magnesium (Mg) and aluminum oxide and europium (EU).

이에, 발광층(430)에 전류 또는 전압이 인가되어 광이 방출되며, 출사광(Ls) 중 반사투과형 광부재(460)에서 반사된 반사광(Lr) 및 반사투과형 광부재(460)을 투과한 투과광(Lt)은 광변환 밀봉부(450)에 포함된 형광체를 여기시키고, 형광체에 의해 파장 변환된 광들이 혼합되어 백색광을 최종 출사하게 된다. Accordingly, a current or voltage is applied to the light emitting layer 430 to emit light, and among the emitted light Ls, the reflected light Lr reflected from the reflective light member 460 and the transmitted light transmitted through the reflective light member 460 . (Lt) excites the phosphor included in the light conversion sealing unit 450, and the wavelength-converted lights by the phosphor are mixed to finally emit white light.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 광원 패키지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a light source package according to a second embodiment of the present invention.

제2실시예에 의한 광원 패키지(600)는 2개의 전극층(412, 422)과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층(430)을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층(440)과, 발광부 및 광투과층 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부(450)를 포함하며, 광변환 밀봉부 상면 상에 배치되고, 제2두께와 제2크기를 가지는 필름 구조의 반사투과형 광부재(660)를 추가로 포함하여 구성된다.The light source package 600 according to the second embodiment includes a light emitting part including two electrode layers 412 and 422 and a blue light emitting layer 430 disposed between the electrode layers, and a light transmission as a growth substrate layer disposed on the light emitting part. It includes a layer 440, and a light conversion sealing unit 450 surrounding both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer and the upper surface of the light transmitting layer, disposed on the upper surface of the light conversion sealing unit, and having a second thickness and a second size. The branch is configured to further include a reflective transmissive light member 660 having a film structure.

즉, 도 4의 제1실시예에서는 반사투과형 광부재가 광투과층(440) 상면과 광변환 밀봉부(450)의 하면 사이에 스퍼터링 증착층으로 형성하는데 비하여, 도 6과 같은 제2실시예에서는 별도의 필름 형태로 형성되는 반사투과형 광부재(660)를 광원 패키지의 외부 상측, 즉 광변환 밀봉부(450)의 상면 상에 직접 배치하는 것이다. That is, in the first embodiment of FIG. 4 , the reflective light member is formed as a sputtering deposition layer between the upper surface of the light transmitting layer 440 and the lower surface of the light conversion sealing unit 450 , whereas in the second embodiment as shown in FIG. 6 , The reflective transmissive light member 660 formed in the form of a separate film is directly disposed on the outer upper side of the light source package, that is, on the upper surface of the light conversion sealing unit 450 .

제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660) 역시 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가질 수 있다.The reflective transmissive light member 660 according to the second embodiment may also have optical characteristics of 90 to 99% reflectance, 1 to 10% light transmittance, more preferably 91 to 95% reflectance, and 5 to 9% light transmittance. .

제1실시예와 마찬가지로, 제2실시예에 의한 광원 패키지(600)를 이용하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 발광부의 발광층(430)에서 생성되는 청색 출사광(Ls) 중 90%이상의 광이 반사투과형 광부재(660)에서 반사되어 반사광(Lr)을 이루며, 청색 출사광(Ls) 중 약10% 미만의 광이 반사투과형 광부재(660)를 관통하여 광원 패키지 상부로 향하는 투과광(Lt)을 형성한다.As in the first embodiment, when the light source package 600 according to the second embodiment is used, as shown in FIG. 6 , more than 90% of the blue output light Ls generated in the light emitting layer 430 of the light emitting unit is light. The reflective light member 660 is reflected to form the reflected light Lr, and less than about 10% of the blue output light Ls passes through the reflective light member 660 and the transmitted light Lt is directed toward the upper part of the light source package. ) to form

반사광(Lr)은 기저반사부(480)에서 다시 재반사되어 광원 패키지의 상부로 향하게 되며, 따라서 이러한 반사광(Lr)과 투과광(Lt)에 의하여 광원 패키지로부터의 광이 주위에 고르게 확산될 수 있고, 따라서 점광원 형태인 광원 패키지의 발광층으로부터의 광원 패키지의 주위로 고르게 확산될 수 있는 것이다. The reflected light Lr is reflected again by the base reflector 480 and is directed to the upper portion of the light source package, so the light from the light source package can be evenly spread around by the reflected light Lr and the transmitted light Lt. , so that it can be evenly diffused around the light source package from the light emitting layer of the light source package in the form of a point light source.

한편, 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 제2-1두께를 가지는 광투과성 모필름층(662)과, 모필름층의 적어도 일면에 배치되고 제2-2두께를 가지는 반사투과 코팅층(664)을 포함하도록 제작될 수 있다.On the other hand, the reflective transmissive optical member 660 according to the second embodiment includes a light-transmitting parent film layer 662 having a thickness of 2-1, and a reflective layer disposed on at least one surface of the parent film layer and having a thickness of 2-2. It may be manufactured to include a transmission coating layer 664 .

이 때, 모필름층(622)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate:PMMA), MS(methlystylene)수지, 폴리스티렌(polystyrene:PS), 폴리프로필렌(Polypropylene:PP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate:PET) 및 폴리카보네이트(polycarbonate:PC), 글래스 등과 같은 광투과성 재료로 형성되며, 모필름층(622)의 제2-1두께는 약0.75~1.25mm인 것이 바람직하다.At this time, the parent film layer 622 is polymethyl methacrylate (PMMA), MS (methlystylene) resin, polystyrene (PS), polypropylene (Polypropylene: PP), polyethylene terephthalate (polyethylene terephthalate: PET) and polycarbonate (PC), it is formed of a light-transmitting material such as glass, and it is preferable that the second-first thickness of the parent film layer 622 is about 0.75 to 1.25 mm.

또한, 반사투과 코팅층(664)은 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료를 모필름층(622)의 적어도 일면에 코팅함으로써 형성될 수 있다.In addition, the reflective coating layer 664 is a mixture of a light-transmitting material selected from one or more of SiO2 and TiO2 and a reflective material selected from one or more of Al, Au, and Ag at least of the parent film layer 622. It may be formed by coating on one surface.

이 때, 반사투과 코팅층(664)의 제2-2두께는 약20~60um인 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the second-second thickness of the reflective coating layer 664 is about 20 to 60 μm.

반사투과형 광부재(660)는 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가져야 하므로, 반사트과 코팅층 형성에 사용되는 혼합재료는 그러한 광학특성을 가질 수 있도록 SiO2, TiO2 등과 같은 광투과 재료와 Al, Au, Ag 등과 같은 반사 재료의 조성비를 적절하게 조절하여야 한다.The reflective transmissive light member 660 should have optical characteristics of about 90 to 99% reflectance, about 1 to 10% transmittance, more preferably 91 to 95% reflectance, and 5 to 9% light transmittance, so it is useful for forming a reflective coating layer. The composition ratio of the light-transmitting material such as SiO2, TiO2, etc. and the reflective material such as Al, Au, Ag, etc. must be appropriately adjusted so that the mixed material used may have such optical properties.

이와 같이, 본 발명의 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)를 별도의 필름 형태로 형성하여 광원 패키지의 상측 외부에 배치하기 때문에, 제1실시예보다 제작이 용이하며, 반사투과형 광부재를 구성하는 반사투과 코팅층의 두께를 약20~60um 으로 형성함으로써, 반사투과형 광부재의 필요한 광학특성(즉, 90% 이상의 반사율과 10% 이하의 투과율)을 가지면서도 최대한 얇은 구조로 반사투과형 광부재를 형성할 수 있게 된다.As described above, since the reflective light member 660 according to the second embodiment of the present invention is formed in a separate film form and disposed outside the upper side of the light source package, it is easier to manufacture than the first embodiment, and the transflective light By forming the thickness of the reflective coating layer constituting the member to be about 20 to 60 μm, the reflective transmissive light has the necessary optical properties (ie, 90% or more reflectance and 10% or less transmittance) of the reflective transmissive optical member and has the thinnest structure possible. member can be formed.

또한, 반사투과형 광부재(660)의 제2크기는 광변환 밀봉부 상면 넓이의 100~200%인 것이 바람직하다. In addition, the second size of the reflective light member 660 is preferably 100 to 200% of the upper surface area of the light conversion sealing unit.

제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 광원 패키지의 상부를 모두 커버하되, 그보다 더 넓은 영역을 차지하도록 배치하는 것이다.The reflective transmissive light member 660 according to the second embodiment covers the entire upper portion of the light source package, but is disposed to occupy a wider area than that.

이와 같이, 필름 형태의 반사투과형 광부재(660)의 크기를 광원 패키지의 상면 크기보다 더 크게 함으로써, 도 6에 도시된 바와 같이, 더 넓은 지향각을 가지며 출사되는 광을 반사 및 투과시킴으로써, 광확산 효과를 더 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As such, by making the size of the reflective transmissive light member 660 in the form of a film larger than the size of the top surface of the light source package, as shown in FIG. There is an effect that can further improve the diffusion effect.

한편, 반사투과형 광부재(660)의 제2크기는 광원 패키지에 의한 출사광의 지향각 또는 방사각도 등에 따라서 광변환 밀봉부 상면 넓이, 즉 광원패키지의 상부 영역의 100~200% 중 최적인 값으로 결정될 수 있다.On the other hand, the second size of the reflective and transmissive light member 660 is the optimal value among 100 to 200% of the upper surface area of the light conversion sealing unit, that is, the upper area of the light source package, depending on the directivity or radiation angle of the emitted light by the light source package. can be decided.

예를 들면, 광원 패키지가 플립칩(flip-chip) 형태이어서 출사광의 방사각도가 넓은 경우에는 반사투과형 광부재(660)의 제2크기를 상대적으로 더 크게하고, 반대로 광원 패키지의 방사각도 또는 지향각이 좁은 경우에는 반사투과형 광부재(660)의 제2크기를 상대적으로 더 작게 하는 것이다.For example, when the light source package has a flip-chip shape and the radiation angle of the emitted light is wide, the second size of the reflective and transmissive light member 660 is relatively larger, and conversely, the radiation angle or direction of the light source package is larger. When the angle is narrow, the second size of the reflective transmissive light member 660 is made relatively smaller.

한편, 제2실시예에서 반사투과형 광부재(660)를 광원 패키지 외측에 형성함에 있어서, 제1실시예에서와 같은 스퍼터링 공법을 이용하기 어려운 것은, 광변환 밀봉부(450)가 열에 취약하여 스퍼터링 공정에서 손상될 수 있기 때문이다.On the other hand, in forming the reflective light member 660 on the outside of the light source package in the second embodiment, it is difficult to use the sputtering method as in the first embodiment, the light conversion sealing unit 450 is vulnerable to heat, so sputtering It may be damaged in the process.

제1실시예에서는 반사투과형 광부재를 성장 기판층 상에 형성하는데, 성장 기판층을 이루는 주재료인 사파이어 등을 열에 강하기 때문에 스퍼터링 공법을 이용하여도 무방하다.In the first embodiment, a reflective optical member is formed on the growth substrate layer. Since sapphire, which is a main material constituting the growth substrate layer, is strong against heat, a sputtering method may be used.

그러나, 제2실시예와 같이 광원 패키지의 최외곽, 즉 광변환 밀봉부(450) 상에 반사투과형 광부재의 혼합재료를 스퍼터링 하게 되면, 수백도의 고온에 노출되는데, 광변환 밀봉부는 형광체와 실리콘(Si)으로 이루어져 있어서 100도 이상의 고온에서는 녹게 된다.However, as in the second embodiment, when the mixed material of the reflective and transmissive light member is sputtered on the outermost part of the light source package, that is, on the light conversion sealing part 450, it is exposed to a high temperature of several hundred degrees. Since it is made of silicon (Si), it melts at a high temperature of 100 degrees or more.

따라서, 제2실시예에서는 별도의 필름 형태로 반사투과형 광부재(660)를 제작한 후 광원 패키지 상부에 접착 또는 배치하는 것이다.Accordingly, in the second embodiment, the reflective and transmissive light member 660 is manufactured in the form of a separate film and then adhered or disposed on the light source package.

도 7은 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재의 형성 크기를 광원 패키지의 칩 크기와 비교하여 도시한다.7 is a view showing the formation size of the reflective light member according to the present embodiment compared with the chip size of the light source package.

도 7의 (a)와 같이, 본 발명의 제1실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)는 광투과층(440)의 상면 전체에 걸쳐 형성되며 따라서, 반사투과형 광부재(460)의 폭(W1) 또는 길이는 광원 패키지의 크기 또는 LED 칩의 크기(Wc)보다 작게 된다. As shown in (a) of FIG. 7 , the reflective light member 460 according to the first embodiment of the present invention is formed over the entire upper surface of the light transmission layer 440 , and thus the width of the reflective light member 460 . (W1) or the length becomes smaller than the size of the light source package or the size (Wc) of the LED chip.

만일, 광원 패키지가 가로, 세로 길이가 각각 Wc인 정방형 형태이고, 광변환 밀봉부(450)의 형성 두께가 t인 경우, 제1실시예에 의한 반사투과형 광부재(460)의 가로, 세로 길이(W1)는 광원 패키지의 길이(Wc)에서 광변환 밀봉부의 두께의 2배(2t)를 뺀 것과 동일하게 된다.If the light source package has a square shape with horizontal and vertical lengths of Wc, respectively, and the thickness of the light conversion sealing part 450 is t, the horizontal and vertical lengths of the transflective light member 460 according to the first embodiment (W1) is equal to the length (Wc) of the light source package minus twice the thickness of the light conversion seal (2t).

반면, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 광변환 밀봉부의 상측에 배치되되 광원 패키지의 크기보다 더 넓은 영역을 커버하도록 배치되며, 따라서 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)의 가로, 세로 길이(W2)는 광원 패키지의 가로 세로 길이(Wc)와 같거나 더 크게 형성된다. On the other hand, as shown in (b) of FIG. 7, the reflective light member 660 according to the second embodiment is disposed on the upper side of the light conversion sealing part and is disposed to cover a wider area than the size of the light source package, Therefore, the horizontal and vertical lengths W2 of the reflective light member 660 according to the second embodiment are equal to or greater than the horizontal and vertical lengths Wc of the light source package.

만일, 광원 패키지가 가로, 세로 길이가 각각 Wc인 정방형 형태인 경우, 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)는 광원 패키지의 넓이, 즉 광변환 밀봉부 상면 넓이의 1~2배로 형성되어야 하므로, 반사투과형 광부재(660)의 가로, 세로 길이(W2)는 광원 패키지의 길이(Wc)의 약1~1.414배가 되는 것이 바람직하다.If the light source package has a square shape with width and length Wc, respectively, the reflective and transmissive light member 660 according to the second embodiment is formed to have an area of the light source package, that is, 1 to 2 times the area of the upper surface of the light conversion sealing unit. Therefore, it is preferable that the horizontal and vertical lengths W2 of the reflective light member 660 be about 1 to 1.414 times the length Wc of the light source package.

도 8은 본 발명의 실시예에 의한 광원 패키지가 사용된 백라이트 유닛 및 표시장치의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of a backlight unit and a display device using a light source package according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛은 전술한 바와 같은 제1실시예 및 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(460, 660)를 포함하는 다수의 광원 패키지(400, 600)와, 다수의 광원 패키지를 장착하기 위한 기판(805)과, 다수의 광원 패키지와 이격되어 상기 다수의 광원 패키지 상부에 배치되는 확산판(820) 및 확산판 상에 배치되는 1 이상의 광학시트(830)을 포함하여 구성될 수 있다.A backlight unit according to an embodiment of the present invention includes a plurality of light source packages 400 and 600 including the reflective and transmissive light members 460 and 660 according to the first and second embodiments as described above, and a plurality of A substrate 805 for mounting a light source package, a diffusion plate 820 spaced apart from the plurality of light source packages and disposed on the plurality of light source packages, and one or more optical sheets 830 disposed on the diffusion plate. can be configured.

또한, 기판(805) 상부에는 광원 패키지(400, 600)의 반사투과형 광부재로부터 반사된 광을 재반사하는 기저반사부(810)가 추가로 포함될 수 있다.In addition, a base reflector 810 for re-reflecting light reflected from the transmissive light member of the light source packages 400 and 600 may be additionally included on the upper portion of the substrate 805 .

광원 패키지(400, 600)는 2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 청색 발광층을 포함하는 발광부와, 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 발광부 및 광투과층 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 배치되고 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 반사투과형 광부재를 포함하여 구성된다.The light source packages 400 and 600 include a light emitting unit including two electrode layers and a blue light emitting layer disposed between the electrode layers, a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting unit, and both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer and light A reflective transmissive type having a light conversion sealing unit surrounding the upper surface of the transmitting layer, and an optical characteristic of a reflectance of 90 to 99% and a light transmittance of 1 to 10%, disposed between the upper portion of the light transmitting layer and the light conversion sealing unit or above the light conversion sealing unit Consists of a light member.

광원 패키지(400, 600)는 기판(805) 상에 어레이 또는 격자 형태로 복수개가 배치되며, 도 8에 도시된 바와 같이, 광원 패키지의 발광층으로부터 출사된 광중에서 반사투과형 광부재에서 반사된 반사광(Lr)은 주위로 확산되어 기판 상에 있는 기저반사부(810)에서 재반사되어 표시패널(840)측으로 향하게 되고, 광원 패키지의 발광층으로부터 출사된 광중에서 반사투과형 광부재를 투과한 투과광(Lt)은 바로 표시패널 측으로 향하게 된다.A plurality of light source packages 400 and 600 are disposed on the substrate 805 in an array or grid form, and as shown in FIG. 8 , among the light emitted from the light emitting layer of the light source package, the reflected light ( Lr) diffuses to the surroundings, is reflected again by the base reflector 810 on the substrate, is directed toward the display panel 840, and among the light emitted from the light emitting layer of the light source package, transmitted light Lt that has passed through the reflective transmissive light member is directed toward the display panel.

이 때, 반사투과형 광부재의 반사율이 90% 이상이므로 광원 패키지의 발광층으로부터 출사된 광의 대부분은 반사 및 재반사되어 주위로 확산되면서 표시패널측으로 향하게 되고, 출사광 중 일부가 반사투과형 광부재를 통과하여 바로 표시패널측으로 향하게 된다. At this time, since the reflectance of the transflective light member is 90% or more, most of the light emitted from the light emitting layer of the light source package is reflected and re-reflected and diffused around the display panel, and some of the emitted light passes through the transflective light member to directly face the display panel side.

따라서, 다수의 광원 패키지로부터의 광이 백라이트 유닛의 전체에 걸쳐 고르게 확산되므로, 백라이트 유닛이 면광원과 유사하게 표시패널로 균일한 광을 조사하게 된다. Accordingly, since the light from the plurality of light source packages is evenly spread over the entire backlight unit, the backlight unit irradiates uniform light to the display panel similarly to the surface light source.

아래에서는 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛 및 표시패널의 나머지 구성요소의 세부 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, detailed configurations of the backlight unit and the remaining components of the display panel according to an embodiment of the present invention will be described.

기판(805)는 본 발명에 의한 광원 패키지를 실장하기 위한 것으로서, 일반적인 인쇄회로기판(PCB)나 플렉스블 회로기판(FPCB) 형태일 수 있으며, 서브 마운트 기판으로 표현될 수 있다.The board 805 is for mounting the light source package according to the present invention, and may be in the form of a general printed circuit board (PCB) or flexible circuit board (FPCB), and may be expressed as a sub-mount board.

기저 반사부(810)는 반사투과형 광부재로부터 반산된 광을 표시패널쪽으로 재반사시키기 위하여 기판(805) 상부에 배치되는 것으로서 이러한 기저반사부(810)는 다수의 광원 패키지(400, 600) 각각을 제외한 기판 전면과 백라이트 유닛을 지지하는 커버버텀 내면 전체를 커버하는 백색 또는 은색의 판상 부재일 수 있다.The base reflector 810 is disposed on the substrate 805 to re-reflect light reflected from the reflective transmissive light member toward the display panel, and the base reflector 810 includes each of the plurality of light source packages 400 and 600 , respectively. It may be a white or silver plate-shaped member that covers the entire inner surface of the cover bottom supporting the backlight unit and the front surface of the substrate except for .

도시하지는 않았지만, 이러한 기저 반사부(810)에는 다수의 광원 패키지(400, 600)에 대응되어 광원 패키지 각각이 통과할 수 있도록 하는 관통홀이 형성될 수 있다. 따라서, 각 광원 패키지는 기저 반사부(810)에 형성된 관통홀을 통과해서 반사판 외부로 노출될 수 있다.Although not shown, a through hole may be formed in the base reflector 810 to correspond to the plurality of light source packages 400 and 600 and to allow each of the light source packages to pass therethrough. Accordingly, each light source package may pass through a through hole formed in the base reflector 810 to be exposed to the outside of the reflector.

백라이트 유닛에 포함되는 확산판(820)은 광원 패키지로부터 확산되어 입사되는 광을 표시패널 전체에 걸쳐 고르게 분포되도록 확산시키는 기능을 한다.The diffusion plate 820 included in the backlight unit functions to diffuse the light that is diffused from the light source package to be evenly distributed over the entire display panel.

이러한 확산판(820)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate:PMMA), MS(methlystylene)수지, 폴리스티렌(polystyrene:PS), 폴리프로필렌(Polypropylene:PP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate:PET) 및 폴리카보네이트(polycarbonate:PC) 중 선택된 1종 이상의 광투과성 재료로 형성된다.The diffusion plate 820 includes polymethyl methacrylate (PMMA), methlystylene (MS) resin, polystyrene (PS), polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET) and It is formed of at least one light-transmitting material selected from polycarbonate (PC).

또한, 확산판(820)의 광확산 특성을 향상시키기 위하여 확산판의 표면 일부에는 다수의 확산패턴이 형성될 수 있으며, 이러한 확산패턴은 광원에 대응되는 일부 영역에만 형성될 수도 있고, 확산판 배면 전체에 걸쳐 형성될 수도 있다.In addition, in order to improve the light diffusion characteristics of the diffusion plate 820 , a plurality of diffusion patterns may be formed on a portion of the surface of the diffusion plate, and these diffusion patterns may be formed only in a partial region corresponding to the light source, or the rear surface of the diffusion plate. It may be formed over the whole.

또한, 확산판(820)의 내부에는 입사된 광을 널리 확산시키기 위하여 다수의 산란입자를 포함할 수 있다. 이러한 산란입자는 비드(Bead) 형상일 수 있으며, 산란입자의 형상, 크기 및 분포는 규칙적 또는 불규칙적일 수 있다.In addition, a plurality of scattering particles may be included in the diffusion plate 820 to widely diffuse the incident light. These scattering particles may have a bead shape, and the shape, size and distribution of the scattering particles may be regular or irregular.

확산판(820) 상부에는 확산판을 통과한 광을 집광하여 표시패널(840)로 보다 균일한 면광원이 입사되도록 하는 다수의 광학시트(830)들이 배치될 수 있다.A plurality of optical sheets 830 may be disposed on the diffuser plate 820 to condense the light passing through the diffuser plate so that a more uniform surface light source is incident on the display panel 840 .

이러한 광학시트(830)는 집광 기능을 하는 집광시트 또는 프리즘 시트(Prism Sheet; PS)와, 광을 확산시키는 확산시트(Diffusing Sheet; DS)와, DBEF(dual brightness enhancement film)라 불리는 반사형 편광필름 등 각종 기능성 시트 들이 조합되어 구성될 수 있다.The optical sheet 830 includes a light collecting sheet or prism sheet (PS) having a light collecting function, a diffusing sheet (DS) for diffusing light, and a reflective polarization type called DBEF (dual brightness enhancement film). Various functional sheets such as a film may be combined and configured.

본 실시예에 의한 백라이트 유닛에 의하여 광을 제공받는 표시패널(840)은 액정 표시패널인 경우에는 다시 다수의 게이트 라인과 데이터 라인 및 그 교차 영역에 정의되는 픽셀(Pixel)과, 각 픽셀에서의 광투과도를 조절하기 위한 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판과, 컬러필터 및/또는 블랙매트릭스 등을 구비한 상부기판과, 그 사이에 형성되는 액정물질층을 포함하여 구성될 수 있다.In the case of a liquid crystal display panel, the display panel 840 receiving light by the backlight unit according to the present exemplary embodiment includes pixels defined in a plurality of gate lines and data lines and intersecting regions thereof, and in each pixel. It may be configured to include an array substrate including a thin film transistor as a switching element for controlling light transmittance, an upper substrate including a color filter and/or a black matrix, and a liquid crystal material layer formed therebetween.

한편, 본 발명이 적용될 수 있는 표시패널은 이러한 액정표시패널에 한정되는 것은 아니며, 백라이트 유닛이 필요한 다른 형태의 표시장치까지 포함할 수 있을 것이다.Meanwhile, the display panel to which the present invention can be applied is not limited to such a liquid crystal display panel, and may include other types of display devices requiring a backlight unit.

또한, 도시하지는 않았지만, 본 실시예에 의한 백라이트 유닛을 지지하기 위한 구조로서, 표시장치의 후면 및 측면 일부를 커버하는 금속 또는 플라스틱 재질의 백커버인 커버 버텀(Cover Bottom)과, 표시패널을 하부에서 지지하는 가이드 패널(Guide Panel)과, 표시장치의 최외곽 측면과 표시패널의 상면 가장자리를 커버하는 케이스탑(Case Top) 등이 추가로 구비될 수 있다.In addition, although not shown, as a structure for supporting the backlight unit according to the present embodiment, a cover bottom, which is a metal or plastic back cover for partially covering the rear surface and side surfaces of the display device, and the display panel are disposed on the lower part of the display panel. A guide panel supported by the , and a case top covering the outermost side of the display device and the upper edge of the display panel may be additionally provided.

즉, 본 실시예에 의한 다수의 광학 패키지를 장착한 기판(805)이 커버 버텀 또는 플레이트 버텀의 내면에 장착될 수 있다.That is, the substrate 805 on which the plurality of optical packages according to the present embodiment are mounted may be mounted on the inner surface of the cover bottom or the plate bottom.

도 9는 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛의 평면도이도, 도 10은 본 실시예에 의한 백라이트 유닛이 사용된 경우의 광분포를 종래 구성과 비교하여 도시한다.9 is a plan view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 shows a light distribution when the backlight unit according to this embodiment is used compared with the conventional configuration.

도 9와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 백라이트 유닛에는 다수의 광원 패키지(400, 600)이 어레이 형태로 배치될 수 있으며, 도 9에서는 백라이트 유닛의 가로, 세로 길이가 각각 964mm, 533mm이고, 가로 10개, 세로 5개로서 총 50개의 광원 패키지가 배치된 예를 도시한다. 따라서, 도 9의 예에서, 각 광원 패키지(400, 600)는 약100mm 간격으로 배치될 수 있다.As shown in FIG. 9 , a plurality of light source packages 400 and 600 may be arranged in an array form in the backlight unit according to the embodiment of the present invention, and in FIG. 9 , the horizontal and vertical lengths of the backlight unit are 964 mm and 533 mm, respectively, It shows an example in which a total of 50 light source packages are arranged as 10 horizontally and 5 vertically. Accordingly, in the example of FIG. 9 , each of the light source packages 400 and 600 may be disposed at intervals of about 100 mm.

이때, 각 광원 패키지의 가로, 세로 길이(Wc)는 각각 10mm인 것으로 가정하고, 전술한 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)의 크기는 가로 세로 길이가 W2인 것으로 가정한다.In this case, it is assumed that the horizontal and vertical lengths Wc of each light source package are 10 mm, respectively, and the size of the reflective transmissive light member 660 according to the second embodiment is assumed to be W2.

도 10의 (a)는 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재가 없는 광원 패키지가 도 9와 같이 배치된 경우의 광분포를 도시하며, 도 10의 (b)는 광학 패키지의 크기와 동일하게 10*10mm의 크기를 가지는 완전 반사타입의 광부재가 광학 패키지 상부에 배치된 경우의 광분포를 도시하며, 도 10의 (c)는 반사율 약91%, 투과율 약9%이고 광학패키지 크기(Wc)의 1.3배 크기를 가지는 본 발명의 제2실시예에 의한 반사투과형 광부재(660)가 사용된 경우의 광분포를 도시한다.FIG. 10 (a) shows the light distribution when the light source package without the reflective and transmissive optical member according to the present embodiment is arranged as shown in FIG. 9, and FIG. 10 (b) is 10* equal to the size of the optical package. Shows the light distribution when a fully reflective type optical member having a size of 10 mm is disposed on the upper part of the optical package, and FIG. The light distribution in the case where the reflective and transmissive optical member 660 according to the second embodiment of the present invention having a double size is used is shown.

도 10에서와 같이, 반사투과형 광부재가 없는 일반적인 LED 칩을 배치한 경우에는 광원 패키지(LED 칩) 상부에만 강한 광이 원형으로 조사되며, 광원 패키지 사이의 공간에서는 거의 광이 조사되지 않음을 알 수 있다.(도 10의 (a))As shown in FIG. 10, when a general LED chip without a reflective light member is disposed, strong light is irradiated in a circular shape only on the upper portion of the light source package (LED chip), and it can be seen that almost no light is irradiated in the space between the light source packages. (Fig. 10 (a))

또한, 광학 패키지의 크기와 동일하게 10*10mm의 크기를 가지는 완전 반사타입의 광부재가 광학 패키지 상부에 배치된 경우(도 10의 (b))에는 도 10의 (a)에 비하여 광분포가 조금 고르게 되기는 하지만, 여전히 광원 패키지 영역과 광원 패키지 사이의 공간에서의 광강도의 차이가 크다.In addition, when a fully reflective type optical member having the same size of 10*10 mm as the size of the optical package is disposed on the optical package (FIG. 10(b)), the light distribution is slightly smaller than that of FIG. 10(a). Although even, there is still a large difference in light intensity in the space between the light source package area and the light source package.

반면, 도 10의 (c)와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 반사투과형 광부재를 사용한 경우에는, 광원 패키지 부분의 광강도와 광원 패키지 사이 공간의 광강도가 거의 균일해 짐을 알 수 있다.On the other hand, as shown in (c) of FIG. 10 , it can be seen that when the reflective light member according to the embodiment of the present invention is used, the light intensity of the light source package portion and the light intensity of the space between the light source packages are almost uniform.

이와 같이, 본 실시예에 의한 반사투과형 광부재를 포함하는 광원 패키지를 사용하면, 광확산 렌즈 없이도 표시장치 전면으로 고른 광확산이 가능하며, 광원(LED) 패키지에 의한 점광원을 면광원으로 사용할 수 있는 효과가 있다.In this way, when the light source package including the reflective light member according to the present embodiment is used, even light diffusion is possible to the front surface of the display device without a light diffusion lens, and a point light source by the light source (LED) package can be used as a surface light source. can have an effect.

특히, 각 광원 패키지에 포함되는 반사투과형 광부재가 반사율 약90~99%, 투과율 약1~10%, 더 바람직하게는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가지도록 함으로써, 발광부의 출사광(Ls) 중 90%이상의 광이 반사투과형 광부재에서 반사되어 반사광(Lr)을 이루어 광원 패키지 주위로 확산되며, 출사광(Ls) 중 약10% 미만의 광이 반사투과형 광부재를 관통하여 광원 패키지 상부로 향하는 투과광(Lt)을 형성하며, 이러한 반사광(Lr)과 투과광(Lt)에 의하여 광원 패키지로부터의 광이 주위에 고르게 확산될 수 있고, 따라서 점광원 형태인 광원 패키지의 발광층으로부터의 광원 패키지의 주위로 고르게 확산될 수 있는 효과가 있다. In particular, the reflective transmissive optical member included in each light source package has an optical characteristic of about 90 to 99% reflectance, about 1 to 10% transmittance, more preferably 91 to 95% reflectance, and 5 to 9% light transmittance, More than 90% of the emitted light (Ls) from the light emitting unit is reflected from the reflective and transmissive light member to form reflected light (Lr) and diffused around the light source package, and less than about 10% of the outgoing light (Ls) is reflected by the reflective and transmissive light member Penetrates to form transmitted light Lt directed to the upper portion of the light source package, and the light from the light source package can be evenly diffused around by these reflected light Lr and transmitted light Lt, and thus the light source package in the form of a point light source There is an effect that the light emitting layer can be evenly diffused around the light source package.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can combine configurations within a range that does not depart from the essential characteristics of the present invention. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

412, 422 : 제1전극층, 제2전극층 414, 424 : 제1전극, 제2전극
430 : 발광층(활성층) 440 : 광투과층(성장 기판층)
450 : 광변환 밀봉부 460, 660 : 반사투과형 광부재
662 : 모필름층 664 : 반사투과 코팅층
412, 422: first electrode layer, second electrode layer 414, 424: first electrode, second electrode
430: light-emitting layer (active layer) 440: light-transmitting layer (growth substrate layer)
450: light conversion sealing part 460, 660: reflective light member
662: parent film layer 664: reflective coating layer

Claims (12)

2개의 전극층과 상기 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부;
상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층;
상기 발광부 및 광투과층의 양측면과 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부; 및
상기 광투과층의 상면과 상기 광변환 밀봉부의 하면 사이에 제1두께의 층상 구조로 배치되는 반사투과형 광부재;
를 포함하고,
상기 반사투과형 광부재는 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지며,
상기 반사투과형 광부재는 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료로 이루어지는, 백라이트 유닛용 광원 패키지.
a light emitting unit including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers;
a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting part;
a light conversion sealing unit surrounding both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer and an upper surface of the light transmitting layer; and
a reflective light member disposed in a layered structure having a first thickness between the upper surface of the light transmitting layer and the lower surface of the light conversion sealing unit;
including,
The reflective transmissive optical member has optical characteristics of 90 to 99% reflectance and 1 to 10% light transmittance,
The reflective light member is a light source package for a backlight unit, comprising a mixture of a light transmitting material selected from at least one of SiO2 and TiO2, and a reflective material selected from at least one of Al, Au, and Ag.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 반사투과형 광부재는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.
The method of claim 1,
The reflective transmissive light member is a light source package for a backlight unit having optical characteristics of a reflectance of 91 to 95% and a light transmittance of 5 to 9%.
제3항에 있어서,
상기 제1두께는 1~20um인 백라이트 유닛용 광원 패키지.
4. The method of claim 3,
The first thickness is a light source package for a backlight unit of 1 ~ 20um.
발광층, 상기 발광층의 상면에 배치되는 제1전극층, 상기 발광층의 하면에 배치되는 제2전극층, 상기 발광층의 하면에 배치되며 상기 제2전극층과 전기적으로 연결되는 제2전극, 및 상기 발광층의 하면에 배치되며 상기 제2전극층과 상기 발광층을 관통하는 컨택홀을 통하여 상기 제1전극층과 전기적으로 연결되는 제1전극을 포함하는 발광부;
상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층;
상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부; 및
상기 광변환 밀봉부 상면 상에 배치되고, 밑면이 상기 밀봉부의 상면의 넓이보다 큰 넓이를 가지는 필름 구조의 반사투과형 광부재;
를 포함하는 백라이트 유닛용 광원 패키지.
The light emitting layer, the first electrode layer disposed on the upper surface of the light emitting layer, the second electrode layer disposed on the lower surface of the light emitting layer, the second electrode disposed on the lower surface of the light emitting layer and electrically connected to the second electrode layer, and on the lower surface of the light emitting layer a light emitting unit disposed and including a first electrode electrically connected to the first electrode layer through a contact hole penetrating the second electrode layer and the light emitting layer;
a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting part;
a light conversion sealing unit surrounding both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer and an upper surface of the light transmitting layer; and
a reflective transmissive light member disposed on an upper surface of the light conversion sealing unit and having a bottom surface having an area greater than an area of the upper surface of the sealing unit;
A light source package for a backlight unit comprising a.
제5항에 있어서,
상기 반사투과형 광부재는 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.
6. The method of claim 5,
The reflective transmissive light member is a light source package for a backlight unit having optical characteristics of 90 to 99% reflectance and 1 to 10% light transmittance.
제5항에 있어서,
상기 반사투과형 광부재는 반사율 91~95%, 광투과율 5~9%의 광학특성을 가지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.
6. The method of claim 5,
The reflective transmissive light member is a light source package for a backlight unit having optical characteristics of a reflectance of 91 to 95% and a light transmittance of 5 to 9%.
제7항에 있어서,
상기 반사투과형 광부재는 제2-1두께를 가지는 광투과성 모필름층과, 상기 광투과성 모필름층의 적어도 일면에 배치되고 제2-2두께를 가지는 반사투과 코팅층을 포함하며, 상기 반사투과 코팅층은 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료로 이루어지는 백라이트 유닛용 광원 패키지.
8. The method of claim 7,
The reflective light member includes a light-transmitting parent film layer having a thickness of 2-1, and a reflective-transmitting coating layer disposed on at least one surface of the light-transmitting parent film layer and having a thickness of 2-2, the reflective coating layer comprising: A light source package for a backlight unit comprising a mixture of a light transmitting material selected from at least one of SiO2 and TiO2, and a reflective material selected from at least one of Al, Au, and Ag.
제8항에 있어서,
상기 광투과성 모필름층의 제2-1두께는 0.75~1.25mm이고, 상기 반사투과 코팅층의 제2-2 두께는 20~60um인 백라이트 유닛용 광원 패키지.
9. The method of claim 8,
A light source package for a backlight unit, wherein the second-first thickness of the light-transmitting parent film layer is 0.75 to 1.25 mm, and the second-2 thickness of the reflective coating layer is 20 to 60 μm.
제9항에 있어서,
상기 반사투과형 광부재의 밑면의 넓이는 상기 광변환 밀봉부 상면 넓이의 100%를 초과하고, 200% 이하인 백라이트 유닛용 광원 패키지.
10. The method of claim 9,
An area of a bottom surface of the reflective light member is greater than 100% of an area of an upper surface of the light conversion sealing unit, and is 200% or less of a light source package for a backlight unit.
2개의 전극층과 전극층 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 발광부와, 상기 발광부 상부에 배치되는 성장 기판층으로서의 광투과층과, 상기 발광부 및 광투과층 양측면과 상기 광투과층 상면을 둘러싸는 광변환 밀봉부와, 상기 광투과층 상부와 광변환 밀봉부 사이 또는 광변환 밀봉부 상부에 배치되고 반사율 90~99%, 광투과율 1~10%의 광학특성을 가지는 반사투과형 광부재를 포함하는 다수의 광원 패키지;
상기 다수의 광원 패키지를 장착하기 위한 기판;
상기 다수의 광원 패키지와 이격되어 상기 다수의 광원 패키지 상부에 배치되는 확산판; 및
상기 확산판 상에 배치되는 1 이상의 광학시트;
를 포함하고,
상기 반사투과형 광부재는 SiO2, TiO2 중 하나 이상으로 선택되는 광투과 재료와, Al, Au, Ag 중 하나 이상으로 선택되는 반사 재료가 혼합된 혼합재료로 이루어지는, 백라이트 유닛.
A light emitting unit including two electrode layers and a light emitting layer disposed between the electrode layers, a light transmitting layer as a growth substrate layer disposed on the light emitting unit, both sides of the light emitting unit and the light transmitting layer and the upper surface of the light transmitting layer A light conversion sealing unit and a reflective transmissive optical member disposed between the upper portion of the light transmitting layer and the light conversion sealing unit or on the light conversion sealing unit and having optical characteristics of 90 to 99% reflectance and 1 to 10% light transmittance a plurality of light source packages;
a substrate for mounting the plurality of light source packages;
a diffusion plate spaced apart from the plurality of light source packages and disposed on the plurality of light source packages; and
at least one optical sheet disposed on the diffusion plate;
including,
The reflective light member is made of a mixture of a light-transmitting material selected from at least one of SiO2 and TiO2, and a reflective material selected from at least one of Al, Au, and Ag, the backlight unit.
제11항에 있어서,
상기 기판 상에는 상기 반사투과형 광부재로부터 반사된 광을 재반사하는 기저반사부가 배치되는 백라이트 유닛.
12. The method of claim 11,
A backlight unit having a base reflector disposed on the substrate to re-reflect the light reflected from the reflective transmissive light member.
KR1020150113323A 2015-08-11 2015-08-11 Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same KR102371290B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150113323A KR102371290B1 (en) 2015-08-11 2015-08-11 Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150113323A KR102371290B1 (en) 2015-08-11 2015-08-11 Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170019551A KR20170019551A (en) 2017-02-22
KR102371290B1 true KR102371290B1 (en) 2022-03-08

Family

ID=58315109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150113323A KR102371290B1 (en) 2015-08-11 2015-08-11 Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102371290B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108767100A (en) * 2018-05-04 2018-11-06 惠州市华瑞光源科技有限公司 Backlight module and preparation method thereof
EP3790062A4 (en) * 2018-07-12 2022-01-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device, light emitting diode package, backlight unit, and liquid crystal display
CN110676364A (en) * 2018-08-03 2020-01-10 海迪科(南通)光电科技有限公司 Four-side light-emitting blue light waveguide surface light-emitting structure
TW202010150A (en) * 2018-08-17 2020-03-01 新世紀光電股份有限公司 Light emitting device and manufacturing method thereof
KR20220086802A (en) * 2020-12-17 2022-06-24 삼성전자주식회사 Led chip and display apparatus including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013089645A (en) * 2011-10-13 2013-05-13 Citizen Electronics Co Ltd Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same
JP2015111636A (en) * 2013-12-06 2015-06-18 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device, and method of manufacturing the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150066186A (en) * 2013-12-06 2015-06-16 서울반도체 주식회사 Light emitting device and backlight unit having the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013089645A (en) * 2011-10-13 2013-05-13 Citizen Electronics Co Ltd Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same
JP2015111636A (en) * 2013-12-06 2015-06-18 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device, and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170019551A (en) 2017-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101111751B1 (en) Backlight unit
KR101785642B1 (en) color filter and display apparatus using the same
EP2214038B1 (en) Light emitting diode backlight unit and liquid crystal display device having the same
KR101908651B1 (en) Back light unit
US10054733B2 (en) Light emitting device package and display device including the same
KR102371290B1 (en) Light-Emitting Package and Backlight Unit having the same
KR101948137B1 (en) Back light unit
KR102392698B1 (en) Light-Emitting Module and Display Device having the same, and Manufacturing Method of Light-Emitting Module
KR20130070043A (en) Light emitting diode and liquid crystal display device using the same
KR102344303B1 (en) Light Conversion Sheet and Backlight Unit having the same
TWI539621B (en) Led package and backlight unit having the same
KR20170033972A (en) Light-Emitting Apparatus and Backlight Unit having the same
KR102355584B1 (en) Backlight Unit and Display Device having the same
KR102398384B1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same, backlight unit and liquid crystal display device using the same
KR101888603B1 (en) Light emitting device package and display device
KR20170036969A (en) Light-Emitting Apparatus and Backlight Unit having the same
KR102425618B1 (en) Light-Emitting Package for Display Device and Backlight Unit having the same
KR101667791B1 (en) Light emitting diode and liquid crystal display device including the same
KR101928358B1 (en) Light emitting device package
KR102394423B1 (en) Light-Emitting Package and Display Device having the same
KR20140092088A (en) Light emittintg device package
KR101992368B1 (en) Light emitting module and backlight unit including the same
KR20130121204A (en) Led package and liquid crystal display device having the same
KR20130114872A (en) Light emitting device package
KR20130039405A (en) Light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant