KR20150066186A - Light emitting device and backlight unit having the same - Google Patents

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KR20150066186A
KR20150066186A KR1020130151437A KR20130151437A KR20150066186A KR 20150066186 A KR20150066186 A KR 20150066186A KR 1020130151437 A KR1020130151437 A KR 1020130151437A KR 20130151437 A KR20130151437 A KR 20130151437A KR 20150066186 A KR20150066186 A KR 20150066186A
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박상신
정승호
남기범
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서울반도체 주식회사
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Abstract

Disclosed is a light emitting device which is thin and has superior light efficiency. The light emitting device includes a a light emitting diode chip which includes at least one growth substrate and a semiconductor stack part located on a side of the growth substrate, a wavelength conversion part which covers the light emitting diode chip, and a second reflection layer which is located on the light emitting diode chip and the first semiconductor layer covering the wavelength conversion part. The present invention can be made with a thin type and can improve light efficiency by locating a second reflection layer on the light emitting diode chip and reflecting light condensed on the upper part of the light emitting diode chip.

Description

발광 디바이스 및 이를 구비한 백라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device and a backlight unit having the light emitting device.

본 발명은 발광 디바이스에 관한 것으로, 특히 슬림화 구현뿐만 아니라 광 효율이 우수한 발광 디바이스 및 이를 구비한 백라이트 유닛에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having excellent light efficiency as well as a slimness realization and a backlight unit having the light emitting device.

일반적인 백라이트 유닛은 액정표시장치에 광을 제공하기 위한 디스플레이용이나 면 조명 장치용으로 널리 사용되고 있다.A general backlight unit is widely used for a display or a surface illuminator for providing light to a liquid crystal display.

액정표시장치에 구비된 백라이트 유닛은 발광 소자의 위치에 따라 직하방식 또는 에지방식으로 구분된다.BACKGROUND ART [0002] A backlight unit included in a liquid crystal display device is classified into a direct-down type or an edge type according to the position of a light-emitting device.

상기 직하방식은 액정표시장치의 크기가 20인치 이상으로 대형화되기 시작하면서 중점적으로 개발되기 시작한 것으로, 확산판의 하부면에 복수개의 광원을 배치하여 액정표시패널의 전면으로 빛을 직접 조광하는 것이다. 이러한, 직하 방식의 백라이트 유닛은 에지 방식에 비해 광의 이용 효율이 높기 때문에 고휘도를 요구하는 대화면 액정표시장치에 주로 사용된다.The direct-type liquid crystal display device has begun to be developed mainly as the size of the liquid crystal display device starts to be enlarged to 20 inches or more, and a plurality of light sources are disposed on the lower surface of the diffusion plate to directly illuminate light to the front surface of the liquid crystal display panel. Such a direct-type backlight unit is mainly used for a large-screen liquid crystal display device which requires a high luminance because the utilization efficiency of light is higher than that of the edge type.

상기 에지방식은 주로 랩탑형 컴퓨터 및 데스크탑형 컴퓨터의 모니터와 같이 비교적 크기가 작은 액정표시장치에 적용되는 것으로 빛의 균일성이 좋고, 수명이 길며, 액정표시장치의 박형화에 유리한 장점을 갖는다.The edge method is applied to a relatively small-sized liquid crystal display device such as a monitor of a laptop type computer and a desktop type computer, and has advantages of good uniformity of light, long life, and advantageous in thinning of a liquid crystal display device.

최근 들어 에지방식의 백라이트 유닛은 보다 슬림화가 요구되어 발광 디바이스의 박형화 구조가 제안되고 있으나, 구조적인 한계와 박형화에 의해 원하는 영역으로 광을 집중시키기 어려운 문제가 있었고, 광 손실이 많은 문제가 있었다.
In recent years, a backlight unit of an edge type has been required to be made thinner, and a thinning structure of a light emitting device has been proposed. However, due to its structural limitations and thinness, it has been difficult to concentrate light to a desired area.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 박형화 및 우수한 광 효율을 갖는 발광 디바이스를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device which is thin and has excellent light efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 슬림화를 구현함과 동시에 광 손실을 줄여 고효율의 발광 디바이스 및 이를 구비한 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a light emitting device with high efficiency and a backlight unit including the light emitting device by reducing light loss while realizing slimming.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 디바이스는 적어도 하나 이상의 성장기판과 상기 성장기판의 일면에 위치한 반도체 적층부를 포함하는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환부; 상기 파장변환부를 덮는 제1 반사층; 및 상기 발광 다이오드 칩 상에 위치한 제2 반사층을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting diode chip including at least one growth substrate and a semiconductor stacked portion disposed on one surface of the growth substrate; A wavelength converter for covering the light emitting diode chip; A first reflective layer covering the wavelength conversion portion; And a second reflective layer disposed on the light emitting diode chip.

본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은 회로기판 상에 플립칩 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 실장되는 적어도 하나 이상의 발광 디바이스; 및 상기 발광 디바이스와 나란하게 위치하는 도광판을 포함하고,A backlight unit according to another embodiment of the present invention includes at least one light emitting device mounted on a circuit board by flip chip bonding or SMT (Surface Mount Technology); And a light guide plate disposed side by side with the light emitting device,

상기 발광 디바이스는 적어도 하나 이상의 성장기판과 상기 성장기판의 일면에 위치한 반도체 적층부를 포함하는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환부; 상기 파장변환부를 덮는 제1 반사층; 및 상기 발광 다이오드 칩 상에 위치한 제2 반사층을 포함한다.Wherein the light emitting device comprises at least one growth substrate and a semiconductor stacked portion located on one side of the growth substrate; A wavelength converter for covering the light emitting diode chip; A first reflective layer covering the wavelength conversion portion; And a second reflective layer disposed on the light emitting diode chip.

본 발명은 박형화를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 발광 다이오드 칩 상에 제2 반사층이 위치하여 발광 다이오드 칩의 상부방향으로 집중되는 광을 반사시켜 광 효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.The present invention has the advantage of being able to realize thinning and also to improve the light efficiency by reflecting the light concentrated on the upper side of the LED chip with the second reflective layer positioned on the LED chip.

상기 제2 반사층은 굴절률이 상이한 복수의 층을 포함한다.The second reflective layer includes a plurality of layers having different refractive indices.

상기 제2 반사층은 상기 성장기판과 상기 파장변환부 사이에 위치하고, 상기 성장 기판의 타면 상에 한정적으로 형성된다.The second reflective layer is positioned between the growth substrate and the wavelength conversion portion and is formed on the other surface of the growth substrate.

상기 제2 반사층은 서로 상이한 굴절률을 갖는 복수의 제1 및 제2 층과, 최상부에 위치하는 금속층을 포함한다.The second reflective layer includes a plurality of first and second layers having refractive indices different from each other and a metal layer positioned at the top.

상기 복수의 제1 및 제2 층은 서로 교대로 증착되고, 상기 복수의 제1 및 제2 층의 전체 두께는 1.0㎛ 내지 1.5㎛ 일 수 있다.The plurality of first and second layers may be alternately deposited and the total thickness of the plurality of first and second layers may be between 1.0 탆 and 1.5 탆.

상기 금속층의 두께는 100㎚ 내지 510㎚ 일 수 있다.The thickness of the metal layer may be 100 nm to 510 nm.

상기 제2 반사층의 두께는 1.1㎛ 내지 2.5㎛ 일 수 있다.The thickness of the second reflective layer may be 1.1 탆 to 2.5 탆.

상기 제2 반사층은 상기 파장변환부와 상기 제1 반사층 사이에 위치하고, 상기 파장변환부의 상부면상에 한정적으로 형성된다.The second reflective layer is located between the wavelength conversion portion and the first reflective layer, and is formed on the upper surface of the wavelength conversion portion.

상기 제2 반사층은 단일 금속층일 수 있다.The second reflective layer may be a single metal layer.

상기 성장기판은 경사진 측면을 갖는다.The growth substrate has an inclined side surface.

상기 성장기판의 일측에는 요철패턴이 형성된다.
An uneven pattern is formed on one side of the growth substrate.

본 발명은 박형화를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 발광 다이오드 칩 상에 제2 반사층이 위치하여 발광 다이오드 칩의 상부방향으로 집중되는 광을 반사시켜 광 효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.
The present invention has the advantage of being able to realize thinning and to improve the light efficiency by reflecting the light concentrated on the upper side of the LED chip with the second reflective layer positioned on the LED chip.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 단면도이다.
도 2a는 도 1의 발광 디바이스의 구성을 구체적으로 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 제2 반사층을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 소형 백라이트 유닛이 구비된 표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 사시도이다.
도 7은 도 6의 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2A is a plan view specifically showing a configuration of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a light emitting device cut along a line I-I 'of FIG. 2A.
3 is a cross-sectional view showing the second reflective layer of FIG.
4 is an exploded perspective view illustrating a display device having a small backlight unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a display device cut along the line II-II 'of FIG.
6 is a perspective view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention shown in FIG.
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 형상 등이 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 본 발명의 기술 사상 범위를 벗어나지 않는 정도의 구성요소들의 변경은 한정적인 의미를 포함하지 않으며 본 발명의 기술 사상을 명확하게 표현하기 위한 설명으로 청구항에 기재된 내용에 의해서만 한정될 수 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the shapes of components and the like can be exaggeratedly expressed. Like reference numerals designate like elements throughout the specification. Modifications of the components that do not depart from the technical scope of the present invention are not limited thereto and can be defined only by the description of the claims in order to clearly describe the technical idea of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(100)은 발광 디바이스(110) 및 회로기판(140)을 포함한다.1, a light source module 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a light emitting device 110 and a circuit board 140.

상기 회로기판(140)은 상기 발광 디바이스(110)와 전기적으로 연결되는 기판 패드들(141a, 141b)을 포함하고, 상기 기판 패드들(141a, 141b) 상에는 범프들(150a, 150b)이 위치한다. 상기 회로기판(140)은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 방열에 유리한 메탈PCB일 수 있다. 상기 회로기판(140)은 장축 및 단축을 갖는 바타입일 수 있다.The circuit board 140 includes substrate pads 141a and 141b electrically connected to the light emitting device 110 and the bumps 150a and 150b are located on the substrate pads 141a and 141b . The circuit board 140 is not particularly limited, but may be, for example, a metal PCB favoring heat dissipation. The circuit board 140 may be a bar type having a major axis and a minor axis.

상기 발광 디바이스(110)는 발광 다이오드 칩(111), 상기 발광 다이오드 칩(111)을 덮는 파장변환층(120), 상기 파장변환층(120)을 덮는 제1 반사층(121) 및 상기 발광 다이오드 칩(111) 상에 위치한 제2 반사층(200)을 포함한다.The light emitting device 110 includes a light emitting diode chip 111, a wavelength conversion layer 120 covering the light emitting diode chip 111, a first reflective layer 121 covering the wavelength conversion layer 120, And a second reflective layer 200 positioned on the first reflective layer 111.

상기 발광 다이오드 칩(111)은 성장기판(112)과 반도체 적층부(113)를 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩(111)은 상기 회로기판(140) 상에 직접 플립 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 상기 회로기판(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 발광 다이오드 칩(111)의 하부면에 노출된 전극 패드들(37a, 37b)과 상기 기판 패드들(141a, 141b)은 상기 범프들(150a, 150b)에 의해 서로 전기적으로 연결된다. 본 발명의 광원 모듈(100)은 와이어를 사용하지 않기 때문에, 와이어를 보호하기 위한 몰딩부를 필요로 하지 않으며, 본딩 패드를 노출하기 위해 파장변환층(120)의 일부를 제거할 필요도 없다. 따라서, 본 발명은 플립칩 타입 발광 다이오드 칩(111)을 채택함으로써 본딩 와이어를 사용하는 발광 다이오드 칩을 사용하는 것에 비해 색편차나 휘도 얼룩 현상을 제거하고, 모듈 제조 공정을 단순화할 수 있다.The light emitting diode chip 111 includes a growth substrate 112 and a semiconductor stacking unit 113. The light emitting diode chip 111 may be electrically connected to the circuit board 140 directly by flip bonding or SMT (Surface Mount Technology). The electrode pads 37a and 37b exposed on the lower surface of the LED chip 111 and the substrate pads 141a and 141b are electrically connected to each other by the bumps 150a and 150b. Since the light source module 100 of the present invention does not use a wire, a molding part for protecting the wire is not required, and it is not necessary to remove a part of the wavelength conversion layer 120 to expose the bonding pad. Accordingly, by adopting the flip chip type light emitting diode chip 111, the present invention can eliminate the color deviation and luminance unevenness, and simplify the module manufacturing process, as compared with the light emitting diode chip using the bonding wire.

상기 발광 다이오드 칩(111)은 광 추출을 향상시키는 요철패턴(SP)을 포함한다. 상기 요철패턴(SP)은 상기 성장기판(112)의 일측에 위치한다. 즉, 상기 요철패턴(SP)은 발광 방출되는 출사면(EP)과 대응되는 영역에 위치한다. 상기 요철패턴(SP)은 상기 반도체 적층부(113)로부터 생성된 광을 외부로 산란시키는 기능을 갖는다. 상기 요철패턴(SP)은 적외선 소스를 이용한 펨토초 레이저 또는 피코초 레이저를 이용하여 형성될 수 있다.The light emitting diode chip 111 includes a concavo-convex pattern SP for improving light extraction. The concavo-convex pattern SP is located on one side of the growth substrate 112. That is, the concavo-convex pattern SP is located in a region corresponding to the emission surface EP where light is emitted. The concavo-convex pattern SP has a function of scattering light generated from the semiconductor laminated portion 113 to the outside. The concavo-convex pattern SP may be formed using a femtosecond laser or a picosecond laser using an infrared light source.

상기 파장변환층(120)은 상기 발광 다이오드 칩(111)을 덮는다. 상기 파장변환층(120)은 상기 발광 다이오드 칩(111)의 상부면 및 측면들을 모두 감싸고, 상기 파장변환층(120)은 형광체를 포함한다. 상기 형광체는 상기 발광 다이오드 칩(111)에서 방출된 광을 파장변환할 수 있다. 상기 파장변환층(120)은 발광 다이오드 칩(111)에 코팅되며, 발광 다이오드 칩(111)의 상부면 및 측면들을 일정 두께로 덮을 수 있다. 상기 파장변환층(120)은 상기 발광 다이오드 칩(111)의 상부면을 덮는 영역과, 상기 발광 다이오드 칩(111)의 측면들을 덮는 영역이 동일한 두께일 수 있고, 서로 상이한 두께일 수 있다. 또한, 상기 파장변환층(120)은 광이 출사하는 출사면(EA)을 덮는 영역과, 상기 출사면(EA)을 제외한 측면들 및 상부면을 덮는 영역이 상이한 두께를 가질 수 있다. 여기서, 상기 출사면(EA)은 발광 다이오드 칩(111)의 서로 인접한 두 개의 측면(120a, 120b)과 대응될 수 있다.The wavelength conversion layer 120 covers the light emitting diode chip 111. The wavelength conversion layer 120 surrounds the upper surface and side surfaces of the LED chip 111, and the wavelength conversion layer 120 includes a phosphor. The phosphor may convert the wavelength of light emitted from the light emitting diode chip 111. The wavelength conversion layer 120 is coated on the light emitting diode chip 111 and covers the upper surface and side surfaces of the light emitting diode chip 111 with a predetermined thickness. The wavelength conversion layer 120 may have the same thickness as the region covering the upper surface of the light emitting diode chip 111 and the region covering the side surfaces of the light emitting diode chip 111 and may have different thicknesses. In addition, the wavelength conversion layer 120 may have a thickness different from a region covering the emission surface EA from which light is emitted, and a region covering the side surfaces and the top surface excluding the emission surface EA. Here, the emitting surface EA may correspond to two adjacent side surfaces 120a and 120b of the light emitting diode chip 111.

상기 제1 반사층(121)은 상기 출사면(EA)으로 정의되는 상기 발광 다이오드 칩(111)의 서로 접하는 3개의 측면들을 제외한 상기 파장변환층(120)의 상부면 및 측면을 덮는다. 상기 제1 반사층(121)은 상기 파장변환층(120)에 의해 파장변환된 광을 출사면으로 반사시키는 기능을 갖는다. 즉, 상기 제1 반사층(121)은 상기 광원 모듈(100)의 3개의 측면으로 광이 출사되도록 가이드하는 기능을 갖는다. 본 발명의 제1 실시예의 발광 디바이스(110)는 파장변환층(120)의 서로 접하는 3개의 측면들을 노출시키는 제1 반사층(121)의 구성을 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 파장변환층(120)의 일측면을 노출시키는 구조를 더 포함할 수 있다.The first reflective layer 121 covers the upper surface and the side surface of the wavelength conversion layer 120 except for three side surfaces of the light emitting diode chip 111 which are defined as the emission surface EA. The first reflective layer 121 has a function of reflecting the wavelength-converted light by the wavelength conversion layer 120 to the emission surface. That is, the first reflective layer 121 has a function of guiding light to three side surfaces of the light source module 100. The light emitting device 110 of the first embodiment of the present invention has been described by limiting the configuration of the first reflective layer 121 that exposes three side surfaces of the wavelength conversion layer 120 that are in contact with each other, And may expose one side of the layer 120. [

상기 제2 반사층(200)은 상기 발광 다이오드 칩(111)의 상부면 상에 위치한다. 보다 구체적으로 상기 제2 반사층(200)은 상기 성장기판(112) 상에 위치한다. 상기 제2 반사층(200)은 상기 성장기판(112)과 상기 파장변환층(120) 상에 위치하되 상기 성장기판(112)의 상부면 상에 한정된다. 상기 제2 반사층(200)은 상기 발광 다이오드 칩(111)의 상부방향으로 진행하는 광을 상기 출사면(EA) 방향으로 반사시킨다. 즉, 상기 제2 반사층(200)은 상기 제1 반사층(121)을 투과하여 손실되는 광을 방지하기 위한 기능을 갖는다. 상기 제2 반사층(200)은 다수의 층으로 구성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 상기 제2 반사층(200)이 상기 발광 다이오드 칩(111) 및 상기 파장변환층(120) 사이에 위치한 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 파장변환층(120)과 제1 반사층(121) 사이에 위치할 수 있다. 이 경우, 제2 반사층은 상기 파장변환층(120)의 상부면 상에 한정적으로 위치할 수 있고, 단일 금속층으로 형성될 수 있다. The second reflective layer 200 is positioned on the upper surface of the light emitting diode chip 111. More specifically, the second reflective layer 200 is positioned on the growth substrate 112. The second reflective layer 200 is located on the growth substrate 112 and the wavelength conversion layer 120 and is defined on the upper surface of the growth substrate 112. The second reflective layer 200 reflects light traveling in an upward direction of the light emitting diode chip 111 toward the emission surface EA. That is, the second reflective layer 200 has a function to prevent light that is transmitted through the first reflective layer 121 and is lost. The second reflective layer 200 may include a plurality of layers. The structure in which the second reflective layer 200 is positioned between the light emitting diode chip 111 and the wavelength conversion layer 120 is described in the embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited thereto, May be positioned between the first reflective layer 120 and the first reflective layer 121. In this case, the second reflective layer may be located on the upper surface of the wavelength conversion layer 120, and may be formed of a single metal layer.

본 발명의 광원 모듈(100)은 일반적인 패키지 형태의 광원 모듈과 대비하여 박형화에 유리할 뿐만 아니라 광 효율이 우수한 장점을 갖는다.The light source module 100 of the present invention is advantageous in that it is thinner than the light source module of the general package type and has excellent light efficiency.

도 2a 및 도 2b를 참조하여 상기 발광 다이오드 칩(111)의 구조를 보다 상세히 설명하도록 한다.The structure of the light emitting diode chip 111 will be described in more detail with reference to FIGS. 2A and 2B.

도 2a는 도 1의 발광 디바이스의 구성을 구체적으로 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.FIG. 2A is a plan view specifically showing a configuration of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a light emitting device cut along a line I-I 'of FIG. 2A.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 발광 다이오드 칩은 성장 기판(112)과 반도체 적층부(113) 및 제2 반사층(200)을 포함한다. 상기 반도체 적층부(113)는 상기 성장 기판(112)의 일면 상에 형성되고, 상기 제2 반사층(200)은 상기 성장 기판(112)의 타면 상에 형성된다. 2A and 2B, the light emitting diode chip of the present invention includes a growth substrate 112, a semiconductor stacking portion 113, and a second reflective layer 200. The semiconductor stack 113 is formed on one surface of the growth substrate 112 and the second reflective layer 200 is formed on the other surface of the growth substrate 112.

상기 반도체 적층부(113)는 상기 성장기판(112) 상에 형성된 제1 도전형 반도체층(23), 제1 도전형 반도체층(23) 상에 서로 이격된 복수의 메사들(M)을 포함한다.The semiconductor stacking part 113 includes a first conductivity type semiconductor layer 23 formed on the growth substrate 112 and a plurality of mesas M spaced from each other on the first conductivity type semiconductor layer 23 do.

상기 복수의 메사들(M)은 각각 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 활성층(25)이 제1 도전형 반도체층(23)과 제2 도전형 반도체층(27) 사이에 위치한다. 한편, 복수의 메사들(M) 상에는 각각 반사 전극들(30)이 위치한다.The plurality of mesas M include an active layer 25 and a second conductivity type semiconductor layer 27, respectively. The active layer 25 is located between the first conductivity type semiconductor layer 23 and the second conductivity type semiconductor layer 27. [ On the other hand, the reflective electrodes 30 are positioned on the plurality of mesas M, respectively.

상기 복수의 메사들(M)은 도시한 바와 같이 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있다. 이러한 형상은 성장기판(112) 상에서 복수의 칩 영역에 동일한 형상의 복수의 메사들(M)을 형성하는 것을 단순화시킨다.The plurality of mesas M may have an elongated shape extending parallel to each other in one direction as illustrated. This shape simplifies the formation of a plurality of mesas M of the same shape in a plurality of chip regions on the growth substrate 112.

한편, 반사 전극들(30)은 복수의 메사(M)들이 형성된 후, 각 메사(M) 상에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 도전형 반도체층(27)을 성장시키고 메사(M)들을 형성하기 전에 제2 도전형 반도체층(27) 상에 미리 형성될 수도 있다. 반사 전극(30)은 메사(M)의 상면을 대부분 덮으며, 메사(M)의 평면 형상과 대체로 동일한 형상을 갖는다.The reflective electrodes 30 may be formed on each of the mesas M after the plurality of mesas M are formed. However, the present invention is not limited thereto, and the second conductivity type semiconductor layer 27 may be grown, May be previously formed on the second conductivity type semiconductor layer 27 before forming the second conductivity type semiconductor layers M. The reflective electrode 30 covers most of the upper surface of the mesa M and has substantially the same shape as the planar shape of the mesa M. [

상기 반사전극들(30)은 반사층(28)을 포함하며, 나아가 장벽층(29)을 포함할 수 있다. 장벽층(29)은 반사층(28)의 상면 및 측면을 덮을 수 있다. 예컨대, 반사층(28)의 패턴을 형성하고, 그 위에 장벽층(29)을 형성함으로써, 장벽층(29)이 반사층(28)의 상면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사층(28)은 Ag, Ag 합금, Ni/Ag, NiZn/Ag, TiO/Ag층을 증착 및 패터닝하여 형성될 수 있다. 한편, 장벽층(29)은 Ni, Cr, Ti, Pt, Rd, Ru, W, Mo, TiW 또는 그 복합층으로 형성될 수 있으며, 반사층의 금속 물질이 확산되거나 오염되는 것을 방지한다.The reflective electrodes 30 may include a reflective layer 28 and may further include a barrier layer 29. The barrier layer 29 may cover the top and side surfaces of the reflective layer 28. For example, the barrier layer 29 may be formed to cover the upper surface and the side surface of the reflective layer 28 by forming a pattern of the reflective layer 28 and forming a barrier layer 29 thereon. For example, the reflective layer 28 may be formed by depositing and patterning Ag, Ag alloy, Ni / Ag, NiZn / Ag, and TiO / Ag layers. The barrier layer 29 may be formed of Ni, Cr, Ti, Pt, Rd, Ru, W, Mo, TiW or a composite layer thereof to prevent the metal material of the reflection layer from being diffused or contaminated.

상기 복수의 메사들(M)이 형성된 후, 제1 도전형 반도체층(23)의 가장자리 또한 식각될 수 있다. 이에 따라, 성장기판(112)의 상부면이 노출될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(23)의 측면 또한 경사지게 형성될 수 있다.After the plurality of mesas M are formed, the edges of the first conductivity type semiconductor layer 23 may also be etched. Thus, the upper surface of the growth substrate 112 can be exposed. The side surfaces of the first conductivity type semiconductor layer 23 may also be inclined.

본 발명의 발광 다이오드 칩(111)은 복수의 메사들(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는 하부 절연층(31)을 더 포함한다. 상기 하부 절연층(31)은 특정 영역에서 제1 도전형 반도체층(23) 및 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적 접속을 허용하기 위한 개구부들을 갖는다. 예컨대, 하부 절연층(31)은 제1 도전형 반도체층(23)을 노출시키는 개구부들과 반사전극들(30)을 노출시키는 개구부들을 가질 수 있다.The light emitting diode chip 111 of the present invention further includes a lower insulating layer 31 covering the plurality of mesas M and the first conductivity type semiconductor layer 23. The lower insulating layer 31 has openings for allowing electrical connection to the first conductivity type semiconductor layer 23 and the second conductivity type semiconductor layer 27 in a specific region. For example, the lower insulating layer 31 may have openings for exposing the first conductivity type semiconductor layer 23 and openings for exposing the reflective electrodes 30.

상기 개구부들은 메사들(M) 사이의 영역 및 기판(21) 가장자리 근처에 위치할 수 있으며, 메사들(M)을 따라 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있다. 한편, 개구부들은 메사(M) 상부에 한정되어 위치하며, 메사들의 동일 단부 측에 치우쳐 위치한다.The openings may be located near the area between the mesas M and the edge of the substrate 21 and may have an elongated shape extending along the mesas M. [ On the other hand, the openings are located on the upper portion of the mesa M and are biased to the same end side of the mesa.

본 발명의 발광 다이오드 칩(111)은 상기 하부 절연층(31) 상에 형성된 전류 분산층(33)을 포함한다. 상기 전류 분산층(33)은 복수의 메사들(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는다. 또한, 전류 분산층(33)은 각각의 메사(M) 상부 영역 내에 위치하고 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 갖는다. 상기 전류 분산층(33)은 하부 절연층(31)의 개구부들을 통해 제1 도전형 반도체층(23)에 오믹콘택할 수 있다. 전류 분산층(33)은 하부 절연층(31)에 의해 복수의 메사들(M) 및 반사 전극들(30)로부터 절연된다.The light emitting diode chip 111 of the present invention includes a current dispersion layer 33 formed on the lower insulating layer 31. The current spreading layer 33 covers the plurality of mesas M and the first conductivity type semiconductor layer 23. In addition, the current-spreading layer 33 has openings located in the respective upper regions of the mesa M and exposing the reflective electrodes. The current spreading layer 33 may be in ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 23 through the openings of the lower insulating layer 31. The current spreading layer 33 is insulated from the plurality of mesas M and the reflective electrodes 30 by the lower insulating layer 31.

상기 전류 분산층(33)의 개구부들은 전류 분산층(33)이 반사 전극들(30)에 접속하는 것을 방지하도록 각각 하부 절연층(31)의 개구부들보다 더 넓은 면적을 갖는다.The openings of the current spreading layer 33 have a larger area than the openings of the lower insulating layer 31 to prevent the current spreading layer 33 from connecting to the reflective electrodes 30. [

상기 전류 분산층(33)은 개구부들을 제외한 기판(31)의 거의 전 영역 상부에 형성된다. 따라서, 전류 분산층(33)을 통해 전류가 쉽게 분산될 수 있다. 전류 분산층(33)은 Al층과 같은 고반사 금속층을 포함할 수 있으며, 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 또한, 고반사 금속층 상에 Ni, Cr, Au 등의 단층 또는 복합층 구조의 보호층이 형성될 수 있다. 전류 분산층(33)은 예컨대, Ti/Al/Ti/Ni/Au의 다층 구조를 가질 수 있다. The current spreading layer 33 is formed on almost the entire region of the substrate 31 except for the openings. Therefore, the current can be easily dispersed through the current dispersion layer 33. [ The current spreading layer 33 may include a highly reflective metal layer such as an Al layer and the highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer such as Ti, Cr, or Ni. Further, a protective layer of a single layer or a multiple layer structure such as Ni, Cr, Au or the like may be formed on the highly reflective metal layer. The current-spreading layer 33 may have a multilayer structure of Ti / Al / Ti / Ni / Au, for example.

본 발명의 발광 다이오드 칩은 전류 분산층(33) 상에 형성된 상부 절연층(35)이 형성된다. 상부 절연층(35)은 전류 분산층(33)을 노출시키는 개구부와 함께, 반사 전극들(30)을 노출시키는 개구부들을 갖는다.In the light emitting diode chip of the present invention, the upper insulating layer 35 formed on the current spreading layer 33 is formed. The upper insulating layer 35 has openings for exposing the reflective electrodes 30 together with openings for exposing the current-spreading layer 33.

상기 상부 절연층(35)은 산화물 절연층, 질화물 절연층, 이들 절연층의 혼합층 또는 교차층, 또는 폴리이미드, 테플론, 파릴렌 등의 폴리머를 이용하여 형성될 수 있다.The upper insulating layer 35 may be formed using an oxide insulating layer, a nitride insulating layer, a mixed layer or a cross layer of these insulating layers, or a polymer such as polyimide, Teflon, or parylene.

상기 상부 절연층(35) 상에 제1 전극패드(37a) 및 제2 전극패드(37b)가 형성된다. 제1 전극패드(37a)는 상부 절연층(35)의 개구부를 통해 전류 분산층(33)에 접속되고, 제2 전극패드(37b)는 상부 절연층(35)의 개구부들을 통해 반사 전극들(30)에 접속한다. 제1 전극패드(37a) 및 제2 전극패드(37b)는 발광 다이오드를 회로 기판 등에 실장하기 위해 범프를 접속하거나 SMT를 위한 패드로 사용될 수 있다.A first electrode pad 37a and a second electrode pad 37b are formed on the upper insulating layer 35. [ The first electrode pad 37a is connected to the current spreading layer 33 through the opening of the upper insulating layer 35 and the second electrode pad 37b is connected to the reflective electrodes 30). The first electrode pad 37a and the second electrode pad 37b may be used as a pad for connecting a bump or a pad for SMT to mount a light emitting diode on a circuit board or the like.

제1 및 제2 전극패드(37a, 37b)는 동일 공정으로 함께 형성될 수 있으며, 예컨대 사진 및 식각 기술 또는 리프트 오프 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극패드(37a, 37b)는 예컨대 Ti, Cr, Ni 등의 접착층과 Al, Cu, Ag 또는 Au 등의 고전도 금속층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극패드(37a, 37b)는 끝 단부가 동일 평면상에 위치하도록 형성될 수 있으며, 따라서 발광 다이오드 칩이 회로기판상에 동일한 높이로 형성된 도전 패턴 상에 플립 본딩될 수 있다.The first and second electrode pads 37a and 37b may be formed together in the same process and may be formed using, for example, a photo and etch technique or a lift-off technique. The first and second electrode pads 37a and 37b may include an adhesive layer of, for example, Ti, Cr, Ni, or the like and a high-conductivity metal layer of Al, Cu, Ag, or Au. The first and second electrode pads 37a and 37b may be formed so that their end portions are located on the same plane, so that the light emitting diode chip can be flip-bonded onto a conductive pattern formed at the same height on the circuit board.

그 후, 성장 기판(112)을 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할함으로써 발광 다이오드 칩이 완성된다. 성장 기판(112)은 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할되기 전 또는 후에 발광 다이오드 칩에서 제거될 수도 있다.Thereafter, the light emitting diode chip is completed by dividing the growth substrate 112 into individual light emitting diode chip units. The growth substrate 112 may be removed from the light emitting diode chips before or after being divided into individual light emitting diode chip units.

이상에서와 같이, 회로기판에 직접 플립 본딩되는 본 발명의 발광 다이오드 칩(111)은 일반적인 패키지 형태의 발광 소자와 대비하여 고효율 및 소형화를 구현할 수 있는 장점을 가진다.As described above, the light emitting diode chip 111 according to the present invention, which is directly flip-bonded to the circuit board, has advantages of high efficiency and miniaturization compared with the light emitting device of the general package type.

도 3은 도 1의 제2 반사층을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the second reflective layer of FIG.

도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 반사층(200)은 다수의 층으로 구성된다. 상기 제2 반사층(200)은 복수의 제1 층(211)과, 복수의 제2 층(213) 및 금속층(250)을 포함한다.As shown in FIGS. 1 and 3, the second reflective layer 200 of the present invention is composed of a plurality of layers. The second reflective layer 200 includes a plurality of first layers 211 and a plurality of second layers 213 and a metal layer 250.

상기 복수의 제1 및 제2 층(211, 213)은 서로 상이한 굴절률을 갖는다. 상기 복수의 제1 및 제2 층(211, 213)은 예컨대 SiO2, TiO2 일 수 있다. 상기 제1 및 제2 층(211, 213)은 교대로 증착될 수 있고, 상기 복수의 제1 및 제2 층(211, 213)의 전체 두께는 1.6㎛ 이하일 수 있다. 예컨대 상기 복수의 제1 및 제2 층(211, 213)의 전체 두께는 1.0㎛ 내지 1.5㎛로 설계될 수 있다. 서로 상이한 굴절률을 갖는 상기 제1 및 제2 층(211, 213)은 교대로 증착되어 입사되는 광을 반사시키는 기능을 갖는다.The plurality of first and second layers 211 and 213 have different refractive indices from each other. The plurality of first and second layers 211 and 213 may be, for example, SiO2 or TiO2. The first and second layers 211 and 213 may be alternately deposited and the total thickness of the first and second layers 211 and 213 may be less than or equal to 1.6 탆. For example, the total thickness of the first and second layers 211 and 213 may be designed to be 1.0 탆 to 1.5 탆. The first and second layers 211 and 213 having different refractive indices are alternately deposited and have a function of reflecting incident light.

상기 금속층(250)은 반사율이 높은 금속일 수 있다. 상기 금속층(250)은 제2 반사층(200)의 최상부에 위치한다. 예컨대 상기 금속층(250)은 Al, Ag 등일 수 있다. 상기 금속층(250)의 두께는 550㎚ 이하일 수 있다. 예컨대 상기 금속층(250)의 두께는 100㎚ 내지 510㎚로 설계될 수 있다.The metal layer 250 may be a metal having high reflectance. The metal layer 250 is located at the top of the second reflective layer 200. For example, the metal layer 250 may be Al, Ag, or the like. The thickness of the metal layer 250 may be 550 nm or less. For example, the thickness of the metal layer 250 may be designed to be 100 nm to 510 nm.

이상에서와 같이, 상기 제2 반사층(200)은 전체 두께가 2.5㎛로 설계되므로 상기 제2 반사층(200)을 포함하는 발광 디바이스(110)는 박형화를 구현함과 동시에 광 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, since the second reflective layer 200 is designed to have a total thickness of 2.5 탆, the light emitting device 110 including the second reflective layer 200 can be thinned to improve light efficiency .

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 소형 백라이트 유닛이 구비된 표시장치를 도시한 분해 사시도이고, 도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 표시장치를 도시한 단면도이다.FIG. 4 is an exploded perspective view illustrating a display device having a small backlight unit according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a display device cut along a line II-II 'of FIG.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 표시장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(DP:Display Panel)과, 상기 표시패널(DP)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU: Backlight Unit)과, 상기 표시패널(DP)과 상기 백라이트 유닛(BLU)을 결합시키고, 가장자리 빛샘을 방지하는 차광 테이프(ST)을 포함한다.4 and 5, the display device of the present invention includes a display panel (DP) on which an image is displayed, a backlight unit (BLU) disposed on the back surface of the display panel (DP) And a light shielding tape ST which combines the display panel DP and the backlight unit BLU and prevents edge light leakage.

상기 표시패널(DP)은 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판을 포함한다. 상기 표시패널(DP)은 종류에 따라 상기 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판 사이에 액정층을 더 포함할 수 있다. 상기 표시패널(DP)은 패널 구동을 위해 일측에 구동 드라이버(DI)를 포함한다.The display panel DP includes a color filter substrate and a thin film transistor substrate bonded together so as to maintain a uniform cell gap. The display panel DP may further include a liquid crystal layer between the color filter substrate and the thin film transistor substrate depending on the type thereof. The display panel DP includes a driving driver DI on one side for panel driving.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 박막 트랜지스터 기판은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT: thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터 기판은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다. 여기서, 상기 공통전극은 박막 트랜지스터 기판에 형성될 수도 있다.Though not shown in detail in the figure, the thin film transistor substrate defines pixels by intersecting a plurality of gate lines and data lines, and thin film transistors (TFTs) are provided for each crossing region, One-to-one correspondence with the pixel electrodes. The color filter substrate includes color filters of R, G and B colors corresponding to the respective pixels, a black matrix for covering the gate lines, the data lines and the thin film transistors and the like, and a common electrode covering both of them. Here, the common electrode may be formed on a thin film transistor substrate.

상기 표시패널(DP)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU)은 점광을 면광으로 변환하는 도광판(160)과, 상기 도광판(160)의 적어도 일측에 배치된 광원 모듈(100)과, 상기 도광판(160) 상에 위치한 광학시트들(150)과, 상기 도광판(160)의 하부에 위치한 반사시트(170)를 포함한다.A backlight unit BLU for providing light to the display panel DP includes a light guide plate 160 for converting light into light to light, a light source module 100 disposed on at least one side of the light guide plate 160, And a reflective sheet 170 disposed under the light guide plate 160. The optical sheet 150 is disposed on the light guide plate 160,

상기 광원 모듈(100)은 회로기판(140), 발광 디바이스(110)를 포함한다.The light source module 100 includes a circuit board 140 and a light emitting device 110.

상기 발광 디바이스(110)는 상기 회로기판(140) 상에 일정 간격 이격되게 실장된다. 상기 발광 디바이스(110)는 제2 반사층(200)에 의해 상부방향으로 진행하는 광을 반사시켜 도광판(160)으로 가이드한다. The light emitting device 110 is mounted on the circuit board 140 at a predetermined interval. The light emitting device 110 reflects upward light by the second reflective layer 200 and guides the light to the light guide plate 160.

본 발명은 발광 디바이스(110)의 두께에 의해 박형화에 유리한 장점을 갖고, 발광 디바이스(110)의 상부방향으로 집중되는 광을 측방향으로 반사시키는 제2 반사층(200)을 포함하여 발광 디바이스(110)의 상부방향으로 투과되어 손실되는 광을 도광판(160)으로 입사시켜 우수한 광 효율을 갖는 백라이트 유닛(BLU)을 제공할 수 있다.The present invention is advantageous in that it is thinner due to the thickness of the light emitting device 110 and includes a second reflective layer 200 that laterally reflects the light concentrated in the upper direction of the light emitting device 110, The incident light is incident on the light guide plate 160 to provide a backlight unit BLU having excellent light efficiency.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 사시도이고, 도 7은 도 6의 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a perspective view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention shown in FIG.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 디바이스(210)는 성장기판(112) 및 반도체 적층부(113)를 포함하는 복수의 발광 다이오드 칩과, 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층(120), 상기 파장변환층(120)을 덮는 제1 반사층(121) 및 상기 발광 다이오드 칩 상에 위치한 제2 반사층(200)을 포함한다.6 and 7, a light emitting device 210 according to another embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting diode chips including a growth substrate 112 and a semiconductor stacking unit 113, A first reflective layer 121 covering the wavelength conversion layer 120, and a second reflective layer 200 disposed on the light emitting diode chip.

상기 발광 디바이스(210)는 일 방향으로 복수의 발광 다이오드 칩이 배열되어 고휘도를 구현할 수 있다. 상기 복수의 발광 다이오드 칩의 개수는 특별히 한정하지 않고 다양하게 변경될 수 있다.The light emitting device 210 may have a plurality of light emitting diode chips arranged in one direction to realize high brightness. The number of the plurality of light emitting diode chips is not particularly limited and may be variously changed.

상기 제2 반사층(200)은 상기 발광 다이오드 칩의 성장기판(112) 상에 위치한다. 상기 제2 반사층(200)은 상기 발광 다이오드 칩의 상부방향으로 진행하는 광을 출사면(EA) 방향으로 반사시킨다. 즉, 상기 제2 반사층(200)은 상기 제1 반사층(121)을 투과하여 손실되는 광을 방지하기 위한 기능을 갖는다. 상기 제2 반사층(200)은 다수의 층으로 구성될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 제2 반사층(200)이 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 파장변환층(121) 사이에 위치한 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 파장변환층(120)과 제1 반사층(121) 사이에 위치할 수 있다. 이 경우, 제2 반사층은 상기 파장변환층(120)의 상부면 상에 한정적으로 위치할 수 있고, 단일 금속층으로 형성될 수 있다.The second reflective layer 200 is positioned on the growth substrate 112 of the light emitting diode chip. The second reflective layer 200 reflects light traveling in an upward direction of the light emitting diode chip toward the emission surface EA. That is, the second reflective layer 200 has a function to prevent light that is transmitted through the first reflective layer 121 and is lost. The second reflective layer 200 may include a plurality of layers. The wavelength conversion layer 120 may be formed on the second reflective layer 200. The second reflective layer 200 may be disposed between the light emitting diode chip and the wavelength conversion layer 121. However, And the first reflective layer 121, as shown in FIG. In this case, the second reflective layer may be located on the upper surface of the wavelength conversion layer 120, and may be formed of a single metal layer.

본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 발광 디바이스(210)는 일측으로 광이 출사되는 일측 출사면(EA) 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 서로 인접한 3개의 측면으로 광이 출사되는 구조도 포함될 수 있다.The light emitting device 210 according to another embodiment of the present invention has a structure in which one side emission surface (EA) through which light is emitted to one side is limited. However, the present invention is not limited thereto, Structure may also be included.

상기 제2 반사층(200)의 세부 구성은 도 3을 참조하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.The detailed structure of the second reflective layer 200 will not be described in detail with reference to FIG.

본 발명은 발광 디바이스(210)의 두께에 의해 박형화에 유리한 장점을 갖고, 복수의 발광 다이오드 칩이 일방향으로 모듈화된 구조에 의해 고휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 제2 반사층(200)을 포함하여 발광 디바이스(210)의 상부방향으로 투과되어 손실되는 광을 줄여 우수한 광 효율을 갖는다.The present invention is advantageous in that it is thin in thickness due to the thickness of the light emitting device 210. In addition to being able to realize a high brightness by a structure in which a plurality of light emitting diode chips are modularly unidirectional, Which is transmitted in the upward direction of the light guide plate 210 to reduce the loss of light.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 디바이스(310)는 성장기판(312) 및 반도체 적층부(313)를 포함하는 복수의 발광 다이오드 칩과, 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층(320), 상기 파장변환층(320)을 덮는 제1 반사층(121) 및 상기 발광 다이오드 칩 상에 위치한 제2 반사층(200)을 포함한다.8, a light emitting device 310 according to another embodiment of the present invention includes a plurality of light emitting diode chips including a growth substrate 312 and a semiconductor stacked portion 313, A wavelength conversion layer 320, a first reflective layer 121 covering the wavelength conversion layer 320, and a second reflective layer 200 disposed on the light emitting diode chip.

상기 발광 디바이스(310)는 일 방향으로 복수의 발광 다이오드 칩이 배열되어 고휘도를 구현할 수 있다. 상기 복수의 발광 다이오드 칩의 개수는 특별히 한정하지 않고 다양하게 변경될 수 있다.In the light emitting device 310, a plurality of light emitting diode chips are arranged in one direction to realize high brightness. The number of the plurality of light emitting diode chips is not particularly limited and may be variously changed.

상기 성장기판(312)은 경사진 측면을 갖고, 상기 반도체 적층부(313)는 상기 성장기판(312)의 일면에 형성되어 평평한 구조를 갖는다. 상기 성장기판(312)은 경사진 측면을 가지므로 경사진 측면을 따라 굴절된 광에 의해 발광 디바이스(310)의 상부방향으로 집중되는 광을 측방향으로 굴절시킬 수 있다.The growth substrate 312 has an inclined side surface, and the semiconductor stacked portion 313 is formed on one surface of the growth substrate 312 and has a flat structure. Since the growth substrate 312 has a sloped side surface, the growth substrate 312 can refract sidewise light concentrated in the upward direction of the light emitting device 310 by the light refracted along the inclined side surface.

상기 제2 반사층(200)은 상기 발광 다이오드 칩의 성장기판(312) 상에 위치한다. 상기 제2 반사층(200)은 상기 발광 다이오드 칩의 상부방향으로 진행하는 광을 출사면 방향으로 반사시킨다. 즉, 상기 제2 반사층(200)은 상기 제1 반사층(121)을 투과하여 손실되는 광을 방지하기 위한 기능을 갖는다. 상기 제2 반사층(200)은 다수의 층으로 구성될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 제2 반사층(200)이 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 파장변환층(320) 사이에 위치한 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 파장변환층(320)과 제1 반사층(121) 사이에 위치할 수 있다. 이 경우, 제2 반사층은 상기 파장변환층(320)의 상부면 상에 한정적으로 위치할 수 있고, 단일 금속층으로 형성될 수 있다.The second reflective layer 200 is positioned on the growth substrate 312 of the light emitting diode chip. The second reflective layer 200 reflects light traveling in an upward direction of the light emitting diode chip toward the emitting surface. That is, the second reflective layer 200 has a function to prevent light that is transmitted through the first reflective layer 121 and is lost. The second reflective layer 200 may include a plurality of layers. The wavelength conversion layer 320 may be formed on the second reflective layer 200. In other embodiments of the present invention, the second reflective layer 200 is disposed between the light emitting diode chip and the wavelength conversion layer 320. However, And the first reflective layer 121, as shown in FIG. In this case, the second reflective layer may be located on the upper surface of the wavelength conversion layer 320, and may be formed of a single metal layer.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 발광 디바이스(310)는 일측으로 광이 출사되는 일측 출사면 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 서로 인접한 3개의 측면으로 광이 출사되는 구조도 포함될 수 있다.The light emitting device 310 according to another embodiment of the present invention is limited to one light emitting surface structure in which light is emitted to one side of the light emitting device 310. However, .

상기 제2 반사층(200)의 세부 구성은 도 3을 참조하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.The detailed structure of the second reflective layer 200 will not be described in detail with reference to FIG.

본 발명은 발광 디바이스(310)의 두께에 의해 박형화에 유리한 장점을 갖고, 복수의 발광 다이오드 칩이 일방향으로 모듈화된 구조에 의해 고휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 경사진 측면을 갖는 성장기판(312) 및 상기 성장기판(312)상에 위치한 제2 반사층(200)에 의해 발광 디바이스(310)의 상부방향으로 집중되어 손실되는 광을 줄여 우수한 광 효율을 갖는다.The present invention is advantageous in terms of thinness due to the thickness of the light emitting device 310, and can be applied to a growth substrate 312 and a light emitting device 310, which not only can realize a high luminance by a structure in which a plurality of light emitting diode chips are modularized in one direction, The second reflective layer 200 located on the growth substrate 312 reduces the loss of light concentrated in the upward direction of the light emitting device 310 and has excellent optical efficiency.

이상에서 다양한 실시예들에 대해 설명하였지만, 본 발명은 특정 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한 특정 실시예에서 설명한 구성요소는 본원 발명의 사상을 벗어나지 않는 한 다른 실시예에서 동일하거나 유사하게 적용될 수 있다.Although various embodiments have been described above, the present invention is not limited to the specific embodiments. In addition, the elements described in the specific embodiments may be applied to the same or similar elements in other embodiments without departing from the spirit of the present invention.

110, 210, 310: 발광 디바이스 200: 제2 반사층110, 210, 310: light emitting device 200: second reflective layer

Claims (24)

성장기판과 상기 성장기판의 일면에 위치한 반도체 적층부를 포함하는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환부;
상기 파장변환부를 덮는 제1 반사층; 및
상기 발광 다이오드 칩 상에 위치한 제2 반사층을 포함하는 발광 디바이스.A light emitting diode chip including a growth substrate and a semiconductor stacked portion located on one side of the growth substrate;
A wavelength converter for covering the light emitting diode chip;
A first reflective layer covering the wavelength conversion portion; And
And a second reflective layer disposed on the light emitting diode chip. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 반사층은 굴절률이 상이한 복수의 층을 포함하는 발광 디바이스.The method according to claim 1,
Wherein the second reflective layer comprises a plurality of layers having different refractive indices. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 반사층은 상기 성장기판과 상기 파장변환부 사이에 위치하고, 상기 성장기판의 타면 상에 한정적으로 위치한 발광 디바이스.The method according to claim 1,
And the second reflective layer is positioned between the growth substrate and the wavelength conversion portion and is defined on the other surface of the growth substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 반사층은 서로 상이한 굴절률을 갖는 복수의 제1 및 제2 층과, 최상부에 위치하는 금속층을 포함하는 발광 디바이스.The method according to claim 1,
Wherein the second reflective layer comprises a plurality of first and second layers having refractive indices different from each other, and a metal layer positioned at the top. 청구항 4에 있어서,
상기 복수의 제1 및 제2 층은 서로 교대로 증착되고, 상기 복수의 제1 및 제2 층의 전체 두께는 1.0㎛ 내지 1.5㎛ 인 발광 디바이스.The method of claim 4,
Wherein the plurality of first and second layers are alternately deposited and the total thickness of the plurality of first and second layers is from 1.0 占 퐉 to 1.5 占 퐉. 청구항 4에 있어서,
상기 금속층의 두께는 100㎚ 내지 510㎚ 인 발광 디바이스.The method of claim 4,
Wherein the thickness of the metal layer is 100 nm to 510 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 반사층의 두께는 1.1㎛ 내지 2.5㎛ 인 발광 디바이스.The method according to claim 1,
And the thickness of the second reflective layer is 1.1 to 2.5 占 퐉. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 반사층은 상기 파장변환부와 상기 제1 반사층 사이에 위치하고, 상기 파장변환부의 상부면 상에 한정적으로 위치하는 발광 디바이스.The method according to claim 1,
Wherein the second reflective layer is positioned between the wavelength conversion portion and the first reflective layer, and is located on the upper surface of the wavelength conversion portion. 청구항 8에 있어서,
상기 제2 반사층은 단일 금속층인 발광 디바이스.The method of claim 8,
Wherein the second reflective layer is a single metal layer. 청구항 1에 있어서,
상기 성장기판은 경사진 측면을 갖는 발광 디바이스.The method according to claim 1,
Wherein the growth substrate has a sloped side. 청구항 1에 있어서,
상기 성장기판의 일측에는 요철패턴이 형성된 발광 디바이스.The method according to claim 1,
And a concave-convex pattern is formed on one side of the growth substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩은 일방향으로 복수개 배열된 발광 디바이스.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the light emitting diode chips are arranged in one direction. 회로기판 상에 플립칩 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 실장되는 적어도 하나 이상의 발광 디바이스; 및
상기 발광 디바이스와 나란하게 위치하는 도광판을 포함하고,
상기 발광 디바이스는 적어도 하나 이상의 성장기판과 상기 성장기판의 일면에 위치한 반도체 적층부를 포함하는 발광 다이오드 칩와, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환부와, 상기 파장변환부를 덮는 제1 반사층 및 상기 발광 다이오드 칩 상에 위치한 제2 반사층을 포함하는 백라이트 유닛.At least one light emitting device mounted on a circuit board by flip chip bonding or SMT (Surface Mount Technology); And
And a light guide plate disposed side by side with the light emitting device,
The light emitting device includes a light emitting diode chip including at least one growth substrate and a semiconductor stacked portion disposed on one surface of the growth substrate, a wavelength conversion portion covering the light emitting diode chip, a first reflection layer covering the wavelength conversion portion, And a second reflective layer disposed on the second reflective layer. 청구항 13에 있어서,
상기 제2 반사층은 굴절률이 상이한 복수의 층을 포함하는 백라이트 유닛.14. The method of claim 13,
And the second reflective layer includes a plurality of layers having different refractive indices. 청구항 13에 있어서,
상기 제2 반사층은 상기 성장기판과 상기 파장변환부 사이에 위치하고, 상기 성장기판의 타면 상에 한정적으로 위치한 백라이트 유닛.14. The method of claim 13,
Wherein the second reflective layer is positioned between the growth substrate and the wavelength conversion unit and is located on the other surface of the growth substrate. 청구항 13에 있어서,
상기 제2 반사층은 서로 상이한 굴절률을 갖는 복수의 제1 및 제2 층과, 최상부에 위치하는 금속층을 포함하는 백라이트 유닛.14. The method of claim 13,
Wherein the second reflective layer comprises a plurality of first and second layers having refractive indices different from each other, and a metal layer located at the top. 청구항 16에 있어서,
상기 복수의 제1 및 제2 층은 서로 교대로 증착되고, 상기 복수의 제1 및 제2 층의 전체 두께는 1.0㎛ 내지 1.5㎛ 인 백라이트 유닛.18. The method of claim 16,
Wherein the plurality of first and second layers are alternately deposited and the total thickness of the plurality of first and second layers is from 1.0 m to 1.5 m. 청구항 16에 있어서,
상기 금속층의 두께는 100㎚ 내지 510㎚ 인 백라이트 유닛.18. The method of claim 16,
Wherein the metal layer has a thickness of 100 nm to 510 nm. 청구항 13에 있어서,
상기 제2 반사층의 두께는 1.1㎛ 내지 2.5㎛ 인 백라이트 유닛.14. The method of claim 13,
And the thickness of the second reflective layer is 1.1 to 2.5 占 퐉. 청구항 13에 있어서,
상기 제2 반사층은 상기 파장변환부와 상기 제1 반사층 사이에 위치하고, 상기 파장변환부의 상부면 상에 한정적으로 위치하는 백라이트 유닛.14. The method of claim 13,
Wherein the second reflective layer is positioned between the wavelength conversion portion and the first reflective layer, and is located on the upper surface of the wavelength conversion portion. 청구항 20에 있어서,
상기 제2 반사층은 단일 금속층인 백라이트 유닛.The method of claim 20,
Wherein the second reflective layer is a single metal layer. 청구항 13에 있어서,
상기 성장기판은 경사진 측면을 갖는 백라이트 유닛.14. The method of claim 13,
Wherein the growth substrate has an inclined side surface. 청구항 13에 있어서,
상기 성장기판의 일측에는 요철패턴이 형성된 백라이트 유닛.14. The method of claim 13,
And a concavo-convex pattern is formed on one side of the growth substrate. 청구항 13에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩은 일방향으로 복수개 배열된 백라이트 유닛.



14. The method of claim 13,
Wherein a plurality of the light emitting diode chips are arranged in one direction.



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