KR102246646B1 - Light source module and backlight unit having the same - Google Patents

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Abstract

슬림화 구현 및 외관품질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 광 효율이 우수한 광원 모듈이 개시된다.
개시된 광원 모듈은 회로기판과, 회로기판 상에 플립칩 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 실장되는 적어도 하나 이상의 발광 디바이스 및 회로기판 상에 형성되어 상기 발광 디바이스를 감싸는 반사부를 포함한다.
본 발명은 회로기판 상에 형성된 반사부에 의해 발광 디바이스로부터 발광된 광을 일방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.Disclosed is a light source module having excellent light efficiency as well as being able to implement slimmer and improve appearance quality.
The disclosed light source module includes a circuit board, at least one light emitting device mounted on the circuit board by flip chip bonding or surface mount technology (SMT), and a reflective portion formed on the circuit board to surround the light emitting device.
The present invention has an advantage of minimizing light loss and concentrating light in a desired direction by reflecting light emitted from a light emitting device in one direction by a reflecting portion formed on a circuit board.

Description

광원 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛{LIGHT SOURCE MODULE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}Light source module and backlight unit having the same {LIGHT SOURCE MODULE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}

본 발명은 광원 모듈에 관한 것으로, 특히 슬림화 구현 및 외관품질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 광 효율이 우수한 광원 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a light source module, and in particular, to a light source module having excellent light efficiency and a backlight unit having the same as well as being able to implement slimming and improve appearance quality.

일반적인 백라이트 유닛은 액정표시장치에 광을 제공하기 위한 디스플레이용이나 면 조명 장치용으로 널리 사용되고 있다.A general backlight unit is widely used for a display or a surface lighting device to provide light to a liquid crystal display device.

액정표시장치에 구비된 백라이트 유닛은 발광 소자의 위치에 따라 직하방식 또는 에지방식으로 구분된다.The backlight unit provided in the liquid crystal display device is classified into a direct type or an edge type according to the position of the light emitting element.

상기 직하방식은 액정표시장치의 크기가 20인치 이상으로 대형화되기 시작하면서 중점적으로 개발되기 시작한 것으로, 확산판의 하부면에 복수개의 광원을 배치하여 액정표시패널의 전면으로 빛을 직접 조광하는 것이다. 이러한, 직하 방식의 백라이트 유닛은 에지 방식에 비해 광의 이용 효율이 높기 때문에 고휘도를 요구하는 대화면 액정표시장치에 주로 사용된다.The direct-down method has begun to develop intensively as the size of the liquid crystal display device starts to increase to 20 inches or more, and a plurality of light sources are arranged on the lower surface of the diffusion plate to directly dim the light to the front surface of the liquid crystal display panel. Such a direct-type backlight unit is mainly used in a large-screen liquid crystal display device that requires high luminance because the use efficiency of light is higher than that of the edge method.

상기 에지방식은 주로 랩탑형 컴퓨터 및 데스크탑형 컴퓨터의 모니터와 같이 비교적 크기가 작은 액정표시장치에 적용되는 것으로 빛의 균일성이 좋고, 수명이 길며, 액정표시장치의 박형화에 유리한 장점을 갖는다.The edge method is mainly applied to a relatively small liquid crystal display device, such as a monitor of a laptop computer and a desktop computer, and has good uniformity of light, a long lifespan, and advantageous for thinning a liquid crystal display device.

최근들어 에지방식의 백라이트 유닛은 저소비전력 및 슬림화에 유리한 발광 다이오드 패키지가 기판상에 실장되어 백라이트 유닛의 내측면에 구비된 구조가 제시되었다.In recent years, the edge-type backlight unit has a structure in which a light emitting diode package, which is advantageous for low power consumption and slimming, is mounted on a substrate, and is provided on the inner side of the backlight unit.

그러나, 발광 다이오드 패키지를 구비한 에지방식의 백라이트 유닛은 사용자에 의해 점차 슬림화가 요구되면서 발광 다이오드 패키지화에 의한 백라이트 유닛의 슬림화에 한계가 있었고, 상기 발광 다이오드 패키지화에 의한 방열 특성 저하에 의해 고효율의 발광 다이오드 칩을 사용함에 어려움이 있었다.
However, as the edge-type backlight unit with the LED package is gradually required to be slimmer by the user, there is a limit to the slimming of the backlight unit by the LED package, and high-efficiency light emission due to the decrease in heat dissipation characteristics due to the LED packaging. There was a difficulty in using a diode chip.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고효율 및 박형화에 유리한 광원 모듈을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a light source module that is advantageous for high efficiency and thinness.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 슬림화를 구현함과 동시에 고효율 발광 디바이스를 적용할 수 있는 새로운 구조의 광원 모듈을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a light source module having a new structure capable of applying a high-efficiency light emitting device while implementing slimming.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 백라이트 유닛을 슬림화 및 비표시 영역을 줄여 외관 품질을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a technology capable of improving appearance quality by making a backlight unit slim and reducing a non-display area.

본 발명의 제1 실시예에 따른 광원 모듈은 회로기판; 상기 회로기판 상에 플립칩 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 실장되는 적어도 하나 이상의 발광 디바이스; 및 상기 회로기판 상에 형성되어 상기 발광 디바이스를 감싸는 반사부를 포함한다.The light source module according to the first embodiment of the present invention includes a circuit board; At least one light emitting device mounted on the circuit board by flip chip bonding or surface mount technology (SMT); And a reflective portion formed on the circuit board and surrounding the light emitting device.

본 발명은 회로기판 상에 형성된 반사부에 의해 발광 디바이스로부터 발광된 광을 일방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.The present invention has an advantage of minimizing light loss and concentrating light in a desired direction by reflecting light emitted from a light emitting device in one direction by a reflecting portion formed on a circuit board.

상기 발광 디바이스를 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함한다.And a wavelength conversion layer covering the light emitting device and a reflective layer covering a part of the wavelength conversion layer.

적어도 2 이상의 상기 발광 디바이스를 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함한다.And a wavelength conversion layer covering at least two or more of the light emitting devices and a reflective layer covering a portion of the wavelength conversion layer.

상기 반사층은 상기 파장변환층의 일측면을 노출시키거나, 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면을 노출시킨다.The reflective layer exposes one side of the wavelength conversion layer or three adjacent sides of the wavelength conversion layer.

상기 반사부는 상기 발광 디바이스를 수용하는 수용홈을 포함한다.The reflective portion includes a receiving groove for accommodating the light emitting device.

상기 반사부는 상기 수용홈에 의해 형성되는 내측면을 포함하고, 상기 수용홈은 상기 발광 디바이스의 상부면을 노출시키고, 상기 수용홈은 일측이 개방되어 광이 방출되는 광 방출부를 갖는다.The reflective portion includes an inner surface formed by the receiving groove, the receiving groove exposes an upper surface of the light emitting device, and the receiving groove has a light emitting portion whose one side is open to emit light.

상기 내측면은 상기 발광 디바이스의 측면들과 수평 구조를 갖는다.The inner surface has a horizontal structure with the side surfaces of the light emitting device.

상기 내측면은 경사 구조를 갖는다.The inner surface has an inclined structure.

상기 내측면은 곡면 구조를 갖는다.The inner surface has a curved structure.

상기 발광 디바이스의 높이는 상기 반사부의 높이와 동일하거나 낮게 설계될 수 있다.The height of the light emitting device may be designed equal to or lower than the height of the reflective part.

상기 반사층은 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면 및 상부면을 노출시킨다.The reflective layer exposes three adjacent side surfaces and upper surfaces of the wavelength conversion layer.

상기 발광 디바이스 상에 위치하고, 상기 반사부를 덮는 반사 덮개를 더 포함한다.It is located on the light emitting device, and further includes a reflective cover covering the reflective portion.

본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은 도광판; 및 상기 도광판의 적어도 일측에 구비된 광원 모듈을 포함하고, 상기 광원 모듈은 회로기판; 상기 회로기판 상에 플립칩 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 실장되는 적어도 하나 이상의 발광 디바이스; 및 상기 회로기판 상에 형성되어 상기 발광 디바이스를 감싸는 반사부를 포함한다.A backlight unit according to another embodiment of the present invention includes a light guide plate; And a light source module provided on at least one side of the light guide plate, wherein the light source module includes a circuit board; At least one light emitting device mounted on the circuit board by flip chip bonding or surface mount technology (SMT); And a reflective portion formed on the circuit board and surrounding the light emitting device.

본 발명은 회로기판 상에 형성된 반사부에 의해 발광 디바이스로부터 발광된 광을 도광판 방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.The present invention has an advantage of minimizing light loss by reflecting light emitted from a light-emitting device by a reflecting portion formed on a circuit board in the direction of a light guide plate, and concentrating light in a desired direction.

또한, 상기 회로기판 상에 일체형으로 형성된 반사부에 의해 도광판으로 광을 집중하기 위한 반사 하우징 등의 별도의 구성이 생략되므로 조립성이 개선되고, 점차 박형화되는 발광 디바이스와 함께 광원 모듈의 박형화 및 백라이트 유닛의 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.In addition, since a separate configuration such as a reflective housing for concentrating light to the light guide plate is omitted by the reflective unit integrally formed on the circuit board, the assembling property is improved, and the light source module is thinned and the backlight is made thinner along with a light emitting device that is gradually thinner. It has the advantage of making the unit slimmer.

상기 발광 디바이스는 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함한다.The light emitting device includes a light emitting diode chip, a wavelength converting layer covering the light emitting diode chip, and a reflective layer covering a part of the wavelength converting layer.

상기 발광 디바이스는 적어도 2 이상의 발광 다이오드 칩과, 적어도 2 이상의 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함한다.The light emitting device includes at least two light emitting diode chips, a wavelength conversion layer covering at least two light emitting diode chips, and a reflective layer covering a portion of the wavelength conversion layer.

상기 반사층은 상기 파장변환층의 일측면을 노출시키거나, 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면을 노출시킨다.The reflective layer exposes one side of the wavelength conversion layer or three adjacent sides of the wavelength conversion layer.

상기 반사부는 상기 발광 디바이스를 수용하는 수용홈을 포함한다.The reflective portion includes a receiving groove for accommodating the light emitting device.

상기 반사부는 상기 수용홈에 의해 형성되는 내측면을 포함하고, 상기 수용홈은 상기 발광 디바이스의 상부면을 노출시키고, 상기 수용홈은 상기 도광판과 대면되는 일측이 개방되어 광이 방출되는 광 방출부를 갖는다.The reflective portion includes an inner surface formed by the receiving groove, the receiving groove exposes an upper surface of the light emitting device, and the receiving groove has a light emitting portion through which light is emitted by opening one side facing the light guide plate. Have.

상기 내측면은 상기 발광 디바이스의 측면들과 수평 구조를 갖는다.The inner surface has a horizontal structure with the side surfaces of the light emitting device.

상기 내측면은 경사 구조를 갖는다.The inner surface has an inclined structure.

상기 내측면은 곡면 구조를 갖는다.The inner surface has a curved structure.

상기 발광 디바이스의 높이는 상기 반사부의 높이와 동일하거나 낮게 설계될 수 있다.The height of the light emitting device may be designed equal to or lower than the height of the reflective part.

상기 반사층은 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면 및 상부면을 노출시킨다.The reflective layer exposes three adjacent side surfaces and upper surfaces of the wavelength conversion layer.

상기 발광 디바이스 상에 위치하고, 상기 반사부를 덮는 반사 덮개를 더 포함한다.It is located on the light emitting device, and further includes a reflective cover covering the reflective portion.

상기 도광판은 광이 입사되는 입사 영역과 광이 출사되는 출사 영역을 포함하고, 상기 도광판의 상부면은 단차구조를 갖고, 상기 입사 영역이 상기 출사 영역보다 두꺼운 두께를 갖고, 상기 단차구조는 경사면을 포함한다.
The light guide plate includes an incident area through which light is incident and an emission area through which light is emitted, the upper surface of the light guide plate has a step structure, the incident area has a thickness greater than the emission area, and the step structure has an inclined surface. Includes.

본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈은 회로기판 상에 형성된 반사부에 의해 발광 디바이스로부터 발광된 광을 일방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.The light source module according to an embodiment of the present invention has the advantage of minimizing light loss and concentrating light in a desired direction by reflecting light emitted from a light emitting device in one direction by a reflecting unit formed on a circuit board. .

본 발명의 백라이트 유닛은 회로기판 상에 형성된 반사부에 의해 발광 디바이스로부터 발광된 광을 도광판 방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.The backlight unit of the present invention has an advantage of minimizing light loss and concentrating light in a desired direction by reflecting light emitted from a light emitting device by a reflecting portion formed on a circuit board in a direction of a light guide plate.

또한, 상기 회로기판 상에 일체형으로 형성된 반사부에 의해 도광판으로 광을 집중하기 위한 반사 하우징 등의 별도의 구성이 생략되므로 조립성이 개선되고, 점차 박형화되는 발광 디바이스와 함께 광원 모듈의 박형화 및 백라이트 유닛의 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.
In addition, since a separate configuration such as a reflective housing for concentrating light to the light guide plate is omitted by the reflective unit integrally formed on the circuit board, assembly is improved, and the light source module is thinner and backlight It has the advantage of making the unit slimmer.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 단면도이다.
도 2a는 도 1의 발광 디바이스의 구성을 구체적으로 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 소형 백라이트 유닛이 구비된 표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 광원 모듈을 도시한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 사시도이다.
도 9는 도 8의 발광 디바이스를 포함하는 광원 모듈을 도시한 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 사시도이다.
도 11은 도 10의 광원 모듈을 포함하는 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제6 실시예에 따른 광원 모듈을 포함한 표시장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light source module according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2A is a plan view specifically showing the configuration of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the light emitting device taken along line I-I' of FIG. 2A.
3 is an exploded perspective view illustrating a display device including a small backlight unit according to a first exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a display device cut along the line II-II' of FIG. 3.
5 is a perspective view illustrating the light source module of FIG. 3.
6 is a plan view showing a light source module according to a second embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing a light source module according to a third embodiment of the present invention.
8 is a perspective view showing a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
9 is a plan view illustrating a light source module including the light emitting device of FIG. 8.
10 is a perspective view showing a light source module according to a fifth embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a display device including the light source module of FIG. 10.
12 is a cross-sectional view illustrating a display device including a light source module according to a sixth embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 형상 등이 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. 본 발명의 기술 사상 범위를 벗어나지 않는 정도의 구성요소들의 변경은 한정적인 의미를 포함하지 않으며 본 발명의 기술 사상을 명확하게 표현하기 위한 설명으로 청구항에 기재된 내용에 의해서만 한정될 수 있다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples in order to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In addition, in the drawings, the shape of the component may be exaggerated and expressed. The same reference numbers throughout the specification indicate the same elements. Changes of components to a degree not departing from the scope of the technical idea of the present invention do not include a limiting meaning and may be limited only by the contents described in the claims as a description for clearly expressing the technical idea of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those of ordinary skill in the art to easily implement the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light source module according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광원 모듈(100)은 발광 디바이스(110) 및 회로기판(140)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the light source module 100 according to the first embodiment of the present invention includes a light emitting device 110 and a circuit board 140.

상기 회로기판(140)은 상기 발광 디바이스(110)와 전기적으로 연결되는 기판 패드들(141a, 141b)을 포함하고, 상기 기판 패드들(141a, 141b) 상에는 범프들(150a, 150b)이 위치한다. 상기 회로기판(140)은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 방열에 유리한 메탈PCB일 수 있다. 상기 회로기판(140)은 장축 및 단축을 갖는 바타입일 수 있다.The circuit board 140 includes substrate pads 141a and 141b electrically connected to the light emitting device 110, and bumps 150a and 150b are positioned on the substrate pads 141a and 141b. . The circuit board 140 is not particularly limited, but may be, for example, a metal PCB advantageous for heat dissipation. The circuit board 140 may be a bar type having a long axis and a short axis.

상기 발광 디바이스(110)는 발광 다이오드 칩(111), 상기 발광 다이오드 칩(111)을 덮는 파장변환층(120) 및 상기 파장변환층(120)을 덮는 반사층(121)을 포함한다.The light emitting device 110 includes a light emitting diode chip 111, a wavelength converting layer 120 covering the light emitting diode chip 111, and a reflective layer 121 covering the wavelength converting layer 120.

상기 발광 다이오드 칩(111)은 성장기판(112)과 반도체 적층부(113)를 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩(111)은 상기 회로기판(140) 상에 직접 플립 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 상기 회로기판(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 발광 다이오드 칩(111)의 하부면에 노출된 전극 패드들(37a, 37b)과 상기 기판 패드들(141a, 141b)은 상기 범프들(150a, 150b)에 의해 서로 전기적으로 연결된다. 본 발명의 광원 모듈(100)은 와이어를 사용하지 않기 때문에, 와이어를 보호하기 위한 몰딩부를 필요로 하지 않으며, 본딩 패드를 노출하기 위해 파장변환층(120)의 일부를 제거할 필요도 없다. 따라서, 본 발명은 플립칩 타입 발광 다이오드 칩(111)을 채택함으로써 본딩 와이어를 사용하는 발광 다이오드 칩을 사용하는 것에 비해 색편차나 휘도 얼룩 현상을 제거하고, 모듈 제조 공정을 단순화할 수 있다.The light emitting diode chip 111 includes a growth substrate 112 and a semiconductor stacking portion 113. The light emitting diode chip 111 may be directly connected to the circuit board 140 by flip bonding or surface mount technology (SMT) on the circuit board 140. In this case, the electrode pads 37a and 37b exposed on the lower surface of the LED chip 111 and the substrate pads 141a and 141b are electrically connected to each other by the bumps 150a and 150b. Since the light source module 100 of the present invention does not use a wire, it does not require a molding part to protect the wire, and it is not necessary to remove a part of the wavelength conversion layer 120 to expose the bonding pad. Accordingly, according to the present invention, by adopting the flip-chip type light emitting diode chip 111, color deviation or luminance unevenness can be eliminated and the module manufacturing process can be simplified compared to the use of a light emitting diode chip using a bonding wire.

상기 파장변환층(120)은 상기 발광 다이오드 칩(111)을 덮는다. 상기 파장변환층(120)은 상기 발광 다이오드 칩(111)의 상부면 및 측면들을 모두 감싸고, 상기 파장변환층(120)은 형광체를 포함한다. 상기 형광체는 상기 발광 다이오드 칩(111)에서 방출된 광을 파장변환할 수 있다. 상기 파장변환층(120)은 발광 다이오드 칩(111)에 코팅되며, 발광 다이오드 칩(111)의 상부면 및 측면들을 일정 두께로 덮을 수 있다. 상기 파장변환층(120)은 상기 발광 다이오드 칩(111)의 상부면을 덮는 영역과, 상기 발광 다이오드 칩(111)의 측면들을 덮는 영역이 동일한 두께일 수 있고, 서로 상이한 두께일 수 있다. 또한, 상기 파장변환층(120)은 광이 출사하는 출사면을 덮는 영역과, 상기 출사면을 제외한 측면들 및 상부면을 덮는 영역이 상이한 두께를 가질 수 있다. 여기서, 상기 출사면은 발광 다이오드 칩(111)의 서로 인접한 두 개의 측면(120a, 120b)과 대응될 수 있다.The wavelength conversion layer 120 covers the light emitting diode chip 111. The wavelength conversion layer 120 covers both upper and side surfaces of the light emitting diode chip 111, and the wavelength conversion layer 120 includes a phosphor. The phosphor may convert light emitted from the light emitting diode chip 111 into wavelength. The wavelength conversion layer 120 is coated on the light emitting diode chip 111 and may cover the upper surface and side surfaces of the light emitting diode chip 111 with a predetermined thickness. The wavelength conversion layer 120 may have a region covering the upper surface of the LED chip 111 and a region covering the side surfaces of the LED chip 111 having the same thickness or different thicknesses. In addition, the wavelength conversion layer 120 may have different thicknesses in a region covering an emission surface from which light is emitted, and a region covering side surfaces and an upper surface excluding the emission surface. Here, the emission surface may correspond to two adjacent side surfaces 120a and 120b of the light emitting diode chip 111.

상기 반사층(121)은 상기 출사면(EA)으로 정의되는 상기 발광 다이오드 칩(111)의 서로 접하는 3개의 측면들을 제외한 상기 파장변환층(120)의 상부면 및 측면을 덮는다. 상기 반사층(121)은 상기 파장변환층(120)에 의해 파장변환된 광을 출사면으로 반사시키는 기능을 갖는다. 즉, 상기 반사층(121)은 상기 광원 모듈(100)의 3개의 측면으로 광이 출사되도록 가이드하는 기능을 갖는다. 본 발명의 제1 실시예의 발광 디바이스(110)는 파장변환층(120)의 서로 접하는 3개의 측면들을 노출시키는 반사층(121)의 구성을 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 파장변환층(120)의 일측면을 노출시키는 구조를 더 포함할 수 있다.The reflective layer 121 covers the upper and side surfaces of the wavelength conversion layer 120 except for three side surfaces of the light emitting diode chip 111 defined as the emission surface EA. The reflective layer 121 has a function of reflecting the light converted by the wavelength conversion layer 120 to an emission surface. That is, the reflective layer 121 has a function of guiding light to be emitted to three side surfaces of the light source module 100. In the light emitting device 110 of the first embodiment of the present invention, the configuration of the reflective layer 121 exposing the three sides in contact with each other of the wavelength conversion layer 120 is limited, but the configuration is not limited thereto, and the wavelength conversion layer ( A structure for exposing one side of 120) may be further included.

상기 광원 모듈(100)은 상기 회로기판(140) 상에 형성되어 상기 발광 디바이스(110)를 감싸는 반사부(130)를 포함한다.The light source module 100 includes a reflective part 130 formed on the circuit board 140 and surrounding the light emitting device 110.

상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(110)를 수용하는 수용홈(131)을 갖고, 상기 수용홈(130)에 의해 형성되는 내측면들을 갖는다. 상기 수용홈(131)은 상기 발광 디바이스(110)의 상부면이 노출되고, 상기 수용홈은 일측이 개방되어 광 방출부(137)를 갖는다.The reflective portion 130 has a receiving groove 131 for receiving the light emitting device 110 and has inner side surfaces formed by the receiving groove 130. The receiving groove 131 has an upper surface of the light emitting device 110 exposed, and one side of the receiving groove is open to have a light emitting portion 137.

상기 반사부(130)는 몰드수지의 도포 및 경화 공정을 통해서 상기 회로기판(140)에 직접 형성될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상기 반사부(130)는 별도의 접착부재(미도시)에 의해 상기 회로기판(140)상에 위치할 수 있다. 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(110)로부터 출사된 광을 광 방출부(137) 방항으로 반사시키는 기능을 갖고, 발광 디바이스(110)를 보호하는 기능을 갖는다. 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(110)의 설계에 따라 단면 높이를 변경할 수 있다. 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(110) 보다 높거나 같은 높이를 갖는다.The reflective part 130 may be directly formed on the circuit board 140 through a process of applying and curing a mold resin. The present invention is not limited thereto, and the reflective part 130 may be positioned on the circuit board 140 by a separate adhesive member (not shown). The reflective portion 130 has a function of reflecting the light emitted from the light emitting device 110 toward the light emitting portion 137 and has a function of protecting the light emitting device 110. The height of the cross section of the reflector 130 may be changed according to the design of the light emitting device 110. The reflective part 130 has a height equal to or higher than that of the light emitting device 110.

이상에서와 같이, 본 발명의 광원 모듈(100)은 상기 발광 다이오드 칩(110)이 상기 회로기판(140)에 직접 플립 본딩 또는 SMT되어 와이어를 이용하는 일반적인 패키지 형태의 광원 모듈과 대비하여 고효율 및 소형화를 구현할 수 있는 장점을 가진다.As described above, in the light source module 100 of the present invention, the light emitting diode chip 110 is directly flip-bonded or SMT on the circuit board 140 to be highly efficient and compact compared to a light source module in a general package type using a wire. It has the advantage of being able to implement.

더욱이, 본 발명의 광원 모듈(100)은 일반적인 패키지 형태의 광원 모듈과 대비하여 박형화에 유리한 장점을 갖는다.Moreover, the light source module 100 of the present invention has an advantage of being thinner compared to a general package type light source module.

또한, 본 발명의 광원 모듈(100)은 회로기판(140) 상에 반사부(130)가 상기 발광 디바이스(110)를 감싸도록 형성되어 광원 모듈(100)의 일측방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.In addition, the light source module 100 of the present invention is formed on the circuit board 140 so that the reflective part 130 surrounds the light emitting device 110 so that light can be concentrated in one direction of the light source module 100. Has an advantage.

도 2a 및 도 2b를 참조하여 상기 발광 다이오드 칩(111)의 구조를 보다 상세히 설명하도록 한다.The structure of the light emitting diode chip 111 will be described in more detail with reference to FIGS. 2A and 2B.

도 2a는 도 1의 발광 디바이스의 구성을 구체적으로 도시한 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 디바이스를 도시한 단면도이다.FIG. 2A is a plan view specifically showing the configuration of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the light emitting device taken along line I-I' of FIG. 2A.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 발광 다이오드 칩은 성장 기판(112)과 반도체 적층부(113)를 포함한다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the light emitting diode chip of the present invention includes a growth substrate 112 and a semiconductor stacking portion 113.

상기 반도체 적층부(113)는 상기 성장기판(112) 상에 형성된 제1 도전형 반도체층(23), 제1 도전형 반도체층(23) 상에 서로 이격된 복수의 메사들(M)을 포함한다.The semiconductor stacking part 113 includes a first conductivity type semiconductor layer 23 formed on the growth substrate 112 and a plurality of mesas M spaced apart from each other on the first conductivity type semiconductor layer 23 do.

상기 복수의 메사들(M)은 각각 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 활성층(25)이 제1 도전형 반도체층(23)과 제2 도전형 반도체층(27) 사이에 위치한다. 한편, 복수의 메사들(M) 상에는 각각 반사 전극들(30)이 위치한다.Each of the mesas M includes an active layer 25 and a second conductivity type semiconductor layer 27. The active layer 25 is positioned between the first conductivity type semiconductor layer 23 and the second conductivity type semiconductor layer 27. Meanwhile, reflective electrodes 30 are respectively positioned on the plurality of mesas M.

상기 복수의 메사들(M)은 도시한 바와 같이 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있다. 이러한 형상은 성장기판(112) 상에서 복수의 칩 영역에 동일한 형상의 복수의 메사들(M)을 형성하는 것을 단순화시킨다.As shown, the plurality of mesas M may have an elongated shape extending parallel to each other in one direction. This shape simplifies forming a plurality of mesas M having the same shape in a plurality of chip regions on the growth substrate 112.

한편, 반사 전극들(30)은 복수의 메사(M)들이 형성된 후, 각 메사(M) 상에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 도전형 반도체층(27)을 성장시키고 메사(M)들을 형성하기 전에 제2 도전형 반도체층(27) 상에 미리 형성될 수도 있다. 반사 전극(30)은 메사(M)의 상면을 대부분 덮으며, 메사(M)의 평면 형상과 대체로 동일한 형상을 갖는다.Meanwhile, the reflective electrodes 30 may be formed on each mesa M after the plurality of mesas M are formed, but are not limited thereto, and the second conductivity type semiconductor layer 27 is grown and the mesas It may be formed in advance on the second conductivity type semiconductor layer 27 before forming the (M)s. The reflective electrode 30 covers most of the upper surface of the mesa M, and has substantially the same shape as the planar shape of the mesa M.

상기 반사전극들(30)은 반사층(28)을 포함하며, 나아가 장벽층(29)을 포함할 수 있다. 장벽층(29)은 반사층(28)의 상면 및 측면을 덮을 수 있다. 예컨대, 반사층(28)의 패턴을 형성하고, 그 위에 장벽층(29)을 형성함으로써, 장벽층(29)이 반사층(28)의 상면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사층(28)은 Ag, Ag 합금, Ni/Ag, NiZn/Ag, TiO/Ag층을 증착 및 패터닝하여 형성될 수 있다. 한편, 장벽층(29)은 Ni, Cr, Ti, Pt, Rd, Ru, W, Mo, TiW 또는 그 복합층으로 형성될 수 있으며, 반사층의 금속 물질이 확산되거나 오염되는 것을 방지한다.The reflective electrodes 30 may include a reflective layer 28 and further include a barrier layer 29. The barrier layer 29 may cover the top and side surfaces of the reflective layer 28. For example, by forming a pattern of the reflective layer 28 and forming the barrier layer 29 thereon, the barrier layer 29 may be formed to cover the top and side surfaces of the reflective layer 28. For example, the reflective layer 28 may be formed by depositing and patterning Ag, Ag alloy, Ni/Ag, NiZn/Ag, and TiO/Ag layers. Meanwhile, the barrier layer 29 may be formed of Ni, Cr, Ti, Pt, Rd, Ru, W, Mo, TiW, or a composite layer thereof, and prevents diffusion or contamination of the metallic material of the reflective layer.

상기 복수의 메사들(M)이 형성된 후, 제1 도전형 반도체층(23)의 가장자리 또한 식각될 수 있다. 이에 따라, 성장기판(112)의 상부면이 노출될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(23)의 측면 또한 경사지게 형성될 수 있다.After the plurality of mesas M are formed, an edge of the first conductivity type semiconductor layer 23 may also be etched. Accordingly, the upper surface of the growth substrate 112 may be exposed. The side surface of the first conductivity type semiconductor layer 23 may also be formed to be inclined.

본 발명의 발광 다이오드 칩(111)은 복수의 메사들(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는 하부 절연층(31)을 더 포함한다. 상기 하부 절연층(31)은 특정 영역에서 제1 도전형 반도체층(23) 및 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적 접속을 허용하기 위한 개구부들을 갖는다. 예컨대, 하부 절연층(31)은 제1 도전형 반도체층(23)을 노출시키는 개구부들과 반사전극들(30)을 노출시키는 개구부들을 가질 수 있다.The light emitting diode chip 111 of the present invention further includes a lower insulating layer 31 covering the plurality of mesas M and the first conductivity type semiconductor layer 23. The lower insulating layer 31 has openings for allowing electrical connection to the first conductivity type semiconductor layer 23 and the second conductivity type semiconductor layer 27 in a specific region. For example, the lower insulating layer 31 may have openings exposing the first conductivity type semiconductor layer 23 and openings exposing the reflective electrodes 30.

상기 개구부들은 메사들(M) 사이의 영역 및 기판(21) 가장자리 근처에 위치할 수 있으며, 메사들(M)을 따라 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있다. 한편, 개구부들은 메사(M) 상부에 한정되어 위치하며, 메사들의 동일 단부 측에 치우쳐 위치한다.The openings may be located in a region between the mesas M and near an edge of the substrate 21, and may have an elongated shape extending along the mesas M. On the other hand, the openings are limitedly located above the mesa (M), and are located biased toward the same end side of the mesas.

본 발명의 발광 다이오드 칩(111)은 상기 하부 절연층(31) 상에 형성된 전류 분산층(33)을 포함한다. 상기 전류 분산층(33)은 복수의 메사들(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는다. 또한, 전류 분산층(33)은 각각의 메사(M) 상부 영역 내에 위치하고 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 갖는다. 상기 전류 분산층(33)은 하부 절연층(31)의 개구부들을 통해 제1 도전형 반도체층(23)에 오믹콘택할 수 있다. 전류 분산층(33)은 하부 절연층(31)에 의해 복수의 메사들(M) 및 반사 전극들(30)로부터 절연된다.The light emitting diode chip 111 of the present invention includes a current distribution layer 33 formed on the lower insulating layer 31. The current spreading layer 33 covers the plurality of mesas M and the first conductivity type semiconductor layer 23. In addition, the current spreading layer 33 is located in the upper region of each mesa (M) and has openings exposing the reflective electrodes. The current spreading layer 33 may make ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 23 through openings of the lower insulating layer 31. The current dispersing layer 33 is insulated from the plurality of mesas M and the reflective electrodes 30 by the lower insulating layer 31.

상기 전류 분산층(33)의 개구부들은 전류 분산층(33)이 반사 전극들(30)에 접속하는 것을 방지하도록 각각 하부 절연층(31)의 개구부들보다 더 넓은 면적을 갖는다.Each of the openings of the current distribution layer 33 has a larger area than the openings of the lower insulating layer 31 to prevent the current distribution layer 33 from connecting to the reflective electrodes 30.

상기 전류 분산층(33)은 개구부들을 제외한 기판(31)의 거의 전 영역 상부에 형성된다. 따라서, 전류 분산층(33)을 통해 전류가 쉽게 분산될 수 있다. 전류 분산층(33)은 Al층과 같은 고반사 금속층을 포함할 수 있으며, 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 또한, 고반사 금속층 상에 Ni, Cr, Au 등의 단층 또는 복합층 구조의 보호층이 형성될 수 있다. 전류 분산층(33)은 예컨대, Ti/Al/Ti/Ni/Au의 다층 구조를 가질 수 있다. The current spreading layer 33 is formed on almost the entire area of the substrate 31 except for the openings. Accordingly, current can be easily dispersed through the current dispersing layer 33. The current dispersion layer 33 may include a highly reflective metal layer such as an Al layer, and the highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer such as Ti, Cr, or Ni. In addition, a protective layer having a single layer structure or a composite layer structure such as Ni, Cr, or Au may be formed on the highly reflective metal layer. The current dispersing layer 33 may have a multilayer structure of, for example, Ti/Al/Ti/Ni/Au.

본 발명의 발광 다이오드 칩은 전류 분산층(33) 상에 형성된 상부 절연층(35)이 형성된다. 상부 절연층(35)은 전류 분산층(33)을 노출시키는 개구부와 함께, 반사 전극들(30)을 노출시키는 개구부들을 갖는다.In the light emitting diode chip of the present invention, the upper insulating layer 35 formed on the current dispersing layer 33 is formed. The upper insulating layer 35 has openings exposing the current spreading layer 33 and openings exposing the reflective electrodes 30.

상기 상부 절연층(35)은 산화물 절연층, 질화물 절연층, 이들 절연층의 혼합층 또는 교차층, 또는 폴리이미드, 테플론, 파릴렌 등의 폴리머를 이용하여 형성될 수 있다.The upper insulating layer 35 may be formed of an oxide insulating layer, a nitride insulating layer, a mixed or cross layer of these insulating layers, or a polymer such as polyimide, Teflon, or parylene.

상기 상부 절연층(35) 상에 제1 전극패드(37a) 및 제2 전극패드(37b)가 형성된다. 제1 전극패드(37a)는 상부 절연층(35)의 개구부를 통해 전류 분산층(33)에 접속되고, 제2 전극패드(37b)는 상부 절연층(35)의 개구부들을 통해 반사 전극들(30)에 접속한다. 제1 전극패드(37a) 및 제2 전극패드(37b)는 발광 다이오드를 회로 기판 등에 실장하기 위해 범프를 접속하거나 SMT를 위한 패드로 사용될 수 있다.A first electrode pad 37a and a second electrode pad 37b are formed on the upper insulating layer 35. The first electrode pad 37a is connected to the current distribution layer 33 through an opening of the upper insulating layer 35, and the second electrode pad 37b is provided with reflective electrodes ( Connect to 30). The first electrode pad 37a and the second electrode pad 37b may connect bumps to mount a light emitting diode on a circuit board, or may be used as pads for SMT.

제1 및 제2 전극패드(37a, 37b)는 동일 공정으로 함께 형성될 수 있으며, 예컨대 사진 및 식각 기술 또는 리프트 오프 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극패드(37a, 37b)는 예컨대 Ti, Cr, Ni 등의 접착층과 Al, Cu, Ag 또는 Au 등의 고전도 금속층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극패드(37a, 37b)는 끝 단부가 동일 평면상에 위치하도록 형성될 수 있으며, 따라서 발광 다이오드 칩이 회로기판상에 동일한 높이로 형성된 도전 패턴 상에 플립 본딩될 수 있다.The first and second electrode pads 37a and 37b may be formed together by the same process, and may be formed using, for example, a photo and etching technique or a lift-off technique. The first and second electrode pads 37a and 37b may include, for example, an adhesive layer such as Ti, Cr, or Ni, and a high-conductivity metal layer such as Al, Cu, Ag, or Au. The first and second electrode pads 37a and 37b may be formed such that their end ends are on the same plane, and thus the light emitting diode chip may be flip-bonded on a conductive pattern formed at the same height on the circuit board.

그 후, 성장 기판(112)을 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할함으로써 발광 다이오드 칩이 완성된다. 성장 기판(112)은 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할되기 전 또는 후에 발광 다이오드 칩에서 제거될 수도 있다.Thereafter, the light emitting diode chip is completed by dividing the growth substrate 112 into individual light emitting diode chips units. The growth substrate 112 may be removed from the LED chip before or after being divided into individual LED chips.

이상에서와 같이, 회로기판에 직접 플립 본딩되는 본 발명의 발광 다이오드 칩(111)은 일반적인 패키지 형태의 발광 소자와 대비하여 고효율 및 소형화를 구현할 수 있는 장점을 가진다.As described above, the light emitting diode chip 111 of the present invention, which is directly flip-bonded to a circuit board, has an advantage of implementing high efficiency and miniaturization compared to a general package type light emitting device.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 소형 백라이트 유닛이 구비된 표시장치를 도시한 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 절단한 표시장치를 도시한 단면도이고, 도 5는 도 3의 광원 모듈을 도시한 사시도이다.3 is an exploded perspective view illustrating a display device including a small backlight unit according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the display device taken along line II-II' of FIG. 3; 5 is a perspective view illustrating the light source module of FIG. 3.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 표시장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(DP:Display Panel)과, 상기 표시패널(DP)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU: Backlight Unit)과, 상기 표시패널(DP)과 상기 백라이트 유닛(BLU)을 결합시키고, 가장자리 빛샘을 방지하는 차광 테이프(ST)을 포함한다.3 to 5, the display device of the present invention includes a display panel (DP) on which an image is displayed, and a backlight unit (BLU) disposed on the rear surface of the display panel DP to irradiate light. : A backlight unit, and a light shielding tape ST that couples the display panel DP and the backlight unit BLU, and prevents edge light leakage.

상기 표시패널(DP)은 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판을 포함한다. 상기 표시패널(DP)은 종류에 따라 상기 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판 사이에 액정층을 더 포함할 수 있다. 상기 표시패널(DP)은 패널 구동을 위해 일측에 구동 드라이버(DI)를 포함한다.The display panel DP includes a color filter substrate and a thin film transistor substrate that are bonded to each other to maintain a uniform cell gap. The display panel DP may further include a liquid crystal layer between the color filter substrate and the thin film transistor substrate according to the type. The display panel DP includes a driving driver DI at one side for driving the panel.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 박막 트랜지스터 기판은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT: thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터 기판은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다. 여기서, 상기 공통전극은 박막 트랜지스터 기판에 형성될 수도 있다.Although not shown in detail in the drawing, the thin film transistor substrate defines a pixel by crossing a plurality of gate lines and data lines, and a thin flim transistor (TFT) is provided for each crossing region to be mounted on each pixel. The pixel electrode is connected in a one-to-one correspondence. The color filter substrate includes a color filter of R, G, and B color corresponding to each pixel, a black matrix bordering each of them and covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and a common electrode covering all of them. Here, the common electrode may be formed on the thin film transistor substrate.

상기 표시패널(DP)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU)은 점광을 면광으로 변환하는 도광판(160)과, 상기 도광판(160)의 적어도 일측에 배치된 광원 모듈(100)과, 상기 도광판(160) 상에 위치한 광학시트들(150)과, 상기 도광판(160)의 하부에 위치한 반사시트(170)를 포함한다.The backlight unit BLU providing light to the display panel DP includes a light guide plate 160 that converts point light into surface light, a light source module 100 disposed on at least one side of the light guide plate 160, and the light guide plate ( It includes optical sheets 150 located on 160 and a reflective sheet 170 located under the light guide plate 160.

상기 광원 모듈(100)은 회로기판(140), 발광 디바이스(110) 및 반사부(130)를 포함한다.The light source module 100 includes a circuit board 140, a light emitting device 110, and a reflector 130.

상기 발광 디바이스(110)는 상기 회로기판(140) 상에 일정 간격 이격되게 실장된다. 상기 발광 디바이스(110)는 반사층(도1의 121)에 의해 서로 접하는 3개의 측면으로 광이 출사된다.The light emitting devices 110 are mounted on the circuit board 140 at a predetermined interval. The light emitting device 110 emits light to three side surfaces that are in contact with each other by a reflective layer (121 in Fig. 1).

상기 반사부(130)는 상기 회로기판(140) 상에 위치하고, 상기 발광 디바이스(110)를 수용한 수용홈(131)을 포함한다. 상기 반사부(130)는 상기 수용홈(131)에 의해 상기 발광 디바이스(110)의 상부면을 노출시키고, 상기 수용홈(131)은 일측이 개방된 광 방출부(137)를 갖는다. 여기서, 상기 광 방출부(137)는 상기 수용홈(131)의 개방된 일측과 대응되고, 광이 방출되는 영역으로 정의된다.The reflective part 130 is located on the circuit board 140 and includes a receiving groove 131 accommodating the light emitting device 110. The reflective portion 130 exposes the upper surface of the light emitting device 110 by the receiving groove 131, and the receiving groove 131 has a light emitting portion 137 whose one side is open. Here, the light emitting part 137 corresponds to an open side of the receiving groove 131 and is defined as a region from which light is emitted.

상기 수용홈(131)은 상기 광 방출부(137)와 접하는 내측면들(133, 135)을 포함하고, 상기 내측면들(133, 135)은 상기 발광 디바이스(110)의 측면들과 수평 구조를 갖는다. 즉, 상기 내측면들(133, 135)은 대응되는 발광 디바이스(110)의 측면들과 서로 수평하고, 상기 발광 디바이스(110)의 측면으로 출사되는 광을 상기 광 방출부(137) 방향으로 반사시키는 기능을 갖는다.The receiving groove 131 includes inner surfaces 133 and 135 in contact with the light emitting portion 137, and the inner surfaces 133 and 135 have a horizontal structure with the side surfaces of the light emitting device 110. Has. That is, the inner surfaces 133 and 135 are parallel to the side surfaces of the corresponding light emitting device 110 and reflect light emitted to the side of the light emitting device 110 in the direction of the light emitting unit 137 It has a function to let you know.

상기 반사부(130)는 몰드수지의 도포 및 경화 공정을 통해서 상기 회로기판(140)에 직접 형성될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상기 반사부(130)는 별도의 접착부재(미도시)에 의해 상기 회로기판(140)상에 위치할 수도 있다. 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(110)의 설계에 따라 단면 높이를 변경할 수 있다. 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(110) 보다 높거나 같은 높이를 갖는다.The reflective part 130 may be directly formed on the circuit board 140 through a process of applying and curing a mold resin. The present invention is not limited thereto, and the reflective part 130 may be positioned on the circuit board 140 by a separate adhesive member (not shown). The height of the cross section of the reflector 130 may be changed according to the design of the light emitting device 110. The reflective part 130 has a height equal to or higher than that of the light emitting device 110.

이상에서와 같이, 본 발명은 회로기판(140) 상에 형성된 반사부(130)에 의해 발광 디바이스(110)로부터 발광된 광을 도광판(160) 방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.As described above, the present invention minimizes light loss by reflecting light emitted from the light emitting device 110 in the direction of the light guide plate 160 by the reflecting unit 130 formed on the circuit board 140 and minimizes the desired direction. It has the advantage of being able to concentrate light.

또한, 본 발명은 상기 회로기판(140) 상에 일체형으로 형성된 반사부(130)에 의해 도광판(160)으로 광을 집중하기 위한 반사 하우징 등의 별도의 구성이 생략되므로 조립성이 개선되고, 점차 박형화되는 발광 디바이스(110)와 함께 광원 모듈(100)의 박형화 및 백라이트 유닛(BLU)의 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.In addition, in the present invention, since a separate configuration such as a reflective housing for concentrating light to the light guide plate 160 is omitted by the reflective unit 130 integrally formed on the circuit board 140, assembling property is improved, and gradually In addition to the thinner light emitting device 110, the light source module 100 may be thinned and the backlight unit BLU may be slimmed.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 평면도이고, 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 평면도이다.6 is a plan view illustrating a light source module according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a plan view illustrating a light source module according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 6 및 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 광원 모듈(200, 300)은 반사부(230, 330)를 제외한 모든 구성이 본 발명의 제1 실시예에 따른 광원 모듈과 동일하므로 동일한 부호를 병기하고 상세한 설명은 생략하기로 한다.6 and 7, in the light source modules 200 and 300 according to the second and third embodiments of the present invention, all configurations except for the reflectors 230 and 330 are in accordance with the first embodiment of the present invention. Since it is the same as the light source module, the same reference numerals are used and detailed descriptions thereof will be omitted.

본 발명의 제2 실시예에 따른 광원 모듈(200)의 반사부(230)는 상기 회로기판(140) 상에 위치하고, 상기 발광 디바이스(110)를 수용한 수용홈(231)을 포함한다. 상기 반사부(230)는 상기 수용홈(231)에 의해 상기 발광 디바이스(110)의 상부면을 노출시키고, 상기 수용홈(231)은 일측이 개방된 광 방출부(237)를 갖는다. 여기서, 상기 광 방출부(237)는 상기 수용홈(231)의 개방된 일측과 대응되고, 광이 방출되는 영역으로 정의된다.The reflective part 230 of the light source module 200 according to the second embodiment of the present invention is located on the circuit board 140 and includes a receiving groove 231 accommodating the light emitting device 110. The reflective portion 230 exposes the upper surface of the light emitting device 110 by the receiving groove 231, and the receiving groove 231 has a light emitting portion 237 whose one side is open. Here, the light emitting part 237 corresponds to an open side of the receiving groove 231 and is defined as a region from which light is emitted.

상기 수용홈(231)은 상기 광 방출부(237)와 접하는 내측면들(233, 235)을 포함하고, 상기 내측면들(233, 235)은 서로 대칭되는 경사구조를 갖는다. 즉, 상기 내측면들(233, 235)은 상기 광 방출부(237)가 위치한 방향으로 갈수록 서로 멀어지는 구조를 갖는다. 상기 내측면들(233, 235)은 상기 발광 디바이스(110)의 측면으로 출사되는 광을 상기 광 방출부(237) 방향으로 반사시키는 기능을 갖는다.The receiving groove 231 includes inner surfaces 233 and 235 in contact with the light emitting portion 237, and the inner surfaces 233 and 235 have an inclined structure symmetrical to each other. That is, the inner surfaces 233 and 235 have a structure that increases in the direction in which the light emission part 237 is located, and is further separated from each other. The inner surfaces 233 and 235 have a function of reflecting light emitted to the side of the light emitting device 110 toward the light emitting portion 237.

상기 반사부(230)는 몰드수지의 도포 및 경화 공정을 통해서 상기 회로기판(140)에 직접 형성될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상기 반사부(230)는 별도의 접착부재(미도시)에 의해 상기 회로기판(140)상에 위치할 수도 있다. 상기 반사부(230)는 상기 발광 디바이스(110)의 설계에 따라 단면 높이를 변경할 수 있다. 상기 반사부(230)는 상기 발광 디바이스(110) 보다 높거나 같은 높이를 갖는다.The reflective part 230 may be directly formed on the circuit board 140 through a process of applying and curing a mold resin. The present invention is not limited thereto, and the reflective part 230 may be positioned on the circuit board 140 by a separate adhesive member (not shown). The height of the cross section of the reflective part 230 may be changed according to the design of the light emitting device 110. The reflective part 230 has a height equal to or higher than that of the light emitting device 110.

본 발명의 제3 실시예에 따른 광원 모듈(300)의 반사부(330)는 상기 회로기판(140) 상에 위치하고, 상기 발광 디바이스(110)를 수용한 수용홈(331)을 포함한다. 상기 반사부(330)는 상기 수용홈(331)에 의해 상기 발광 디바이스(110)의 상부면을 노출시키고, 상기 수용홈(331)은 일측이 개방된 광 방출부(337)를 갖는다. 여기서, 상기 광 방출부(337)는 상기 수용홈(331)의 개방된 일측과 대응되고, 광이 방출되는 영역으로 정의된다.The reflective part 330 of the light source module 300 according to the third embodiment of the present invention is located on the circuit board 140 and includes a receiving groove 331 accommodating the light emitting device 110. The reflective portion 330 exposes the upper surface of the light emitting device 110 by the receiving groove 331, and the receiving groove 331 has a light emitting portion 337 whose one side is open. Here, the light emitting part 337 corresponds to an open side of the receiving groove 331 and is defined as a region from which light is emitted.

상기 수용홈(331)은 상기 광 방출부(337)와 접하는 내측면들(333, 335)을 포함하고, 상기 내측면들(333, 335)은 곡면 구조를 갖는다. 즉, 상기 내측면들(333, 335)은 상기 광 방출부(337)가 위치한 방향으로 갈수록 서로 멀어지는 구조를 갖는다. 상기 내측면들(333, 335)은 상기 발광 디바이스(110)의 측면으로 출사되는 광을 상기 광 방출부(337) 방향으로 반사시키는 기능을 갖는다.The receiving groove 331 includes inner surfaces 333 and 335 in contact with the light emitting portion 337, and the inner surfaces 333 and 335 have a curved structure. That is, the inner surfaces 333 and 335 have a structure that increases in a direction in which the light emission part 337 is located, and is further away from each other. The inner surfaces 333 and 335 have a function of reflecting light emitted toward the side of the light emitting device 110 toward the light emitting portion 337.

상기 반사부(330)는 몰드수지의 도포 및 경화 공정을 통해서 상기 회로기판(140)에 직접 형성될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상기 반사부(330)는 별도의 접착부재(미도시)에 의해 상기 회로기판(140)상에 위치할 수도 있다. 상기 반사부(330)는 상기 발광 디바이스(110)의 설계에 따라 단면 높이를 변경할 수 있다. 상기 반사부(330)는 상기 발광 디바이스(110) 보다 높거나 같은 높이를 갖는다.The reflective part 330 may be formed directly on the circuit board 140 through a process of applying and curing a mold resin. The present invention is not limited thereto, and the reflective part 330 may be positioned on the circuit board 140 by a separate adhesive member (not shown). The height of the cross section of the reflector 330 may be changed according to the design of the light emitting device 110. The reflective part 330 has a height equal to or higher than that of the light emitting device 110.

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 디바이스를 도시한 사시도이고, 도 9는 도 8의 발광 디바이스를 포함하는 광원 모듈을 도시한 평면도이다.8 is a perspective view illustrating a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a plan view illustrating a light source module including the light emitting device of FIG. 8.

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 광원 모듈(500)은 적어도 2 이상의 발광 다이오드 칩(410a, 410b)을 포함하는 발광 디바이스(410)를 포함한다.8 and 9, the light source module 500 according to the fourth embodiment of the present invention includes a light emitting device 410 including at least two light emitting diode chips 410a and 410b.

파장변환층(420)은 적어도 2 이상의 발광 다이오드 칩(410a, 410b)은 덮고, 반사층(421)은 상기 파장변환층(420)의 상부면 및 일측면을 덮는다.The wavelength conversion layer 420 covers at least two or more LED chips 410a and 410b, and the reflective layer 421 covers the upper surface and one side of the wavelength conversion layer 420.

본 발명에서는 2개의 발광 다이오드 칩(410a, 410b)을 포함하는 발광 디바이스(410)를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 발광 다이오드 칩(410a, 410b)의 개수는 얼마든지 변경될 수 있다.In the present invention, the light emitting device 410 including the two light emitting diode chips 410a and 410b is limited and described, but the present invention is not limited thereto, and the number of the light emitting diode chips 410a and 410b may be changed as much as possible. .

상기 광원 모듈(500)은 회로기판(140) 상에 적어도 2 이상의 발광 다이오드 칩(410a, 410b)을 포함하는 발광 디바이스(410) 및 반사부(530)가 위치한다.The light source module 500 includes a light-emitting device 410 including at least two light-emitting diode chips 410a and 410b and a reflector 530 on a circuit board 140.

상기 반사부(530)는 상기 발광 디바이스(410)를 수용한 수용홈(531)을 포함한다. 상기 반사부(530)는 상기 수용홈(531)에 의해 상기 발광 디바이스(410)의 상부면을 노출시키고, 상기 수용홈(531)은 일측이 개방된 광 방출부(537)를 갖는다. 여기서, 상기 광 방출부(537)는 상기 수용홈(531)의 개방된 일측과 대응되고, 광이 방출되는 영역으로 정의된다.The reflective part 530 includes a receiving groove 531 accommodating the light emitting device 410. The reflective portion 530 exposes the upper surface of the light emitting device 410 by the receiving groove 531, and the receiving groove 531 has a light emitting portion 537 with one side open. Here, the light emitting part 537 corresponds to an open side of the receiving groove 531 and is defined as a region from which light is emitted.

상기 수용홈(531)은 상기 광 방출부(537)와 접하는 내측면들(533, 535)을 포함하고, 상기 내측면들(533, 535)은 경사 구조를 갖는다. 즉, 상기 내측면들(533, 535)은 상기 광 방출부(537)가 위치한 방향으로 갈수록 서로 멀어지는 구조를 갖는다. 상기 내측면들(533, 535)은 상기 발광 디바이스(410)의 측면으로 출사되는 광을 상기 광 방출부(537) 방향으로 반사시키는 기능을 갖는다.The receiving groove 531 includes inner surfaces 533 and 535 in contact with the light emitting portion 537, and the inner surfaces 533 and 535 have an inclined structure. That is, the inner surfaces 533 and 535 have a structure that increases in the direction in which the light emission part 537 is located, so that they are separated from each other. The inner surfaces 533 and 535 have a function of reflecting light emitted toward the side of the light emitting device 410 toward the light emitting portion 537.

상기 반사부(530)는 몰드수지의 도포 및 경화 공정을 통해서 상기 회로기판(140)에 직접 형성될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상기 반사부(530)는 별도의 접착부재(미도시)에 의해 상기 회로기판(140)상에 위치할 수도 있다. 상기 반사부(530)는 상기 발광 디바이스(410)의 설계에 따라 단면 높이를 변경할 수 있다. 상기 반사부(530)는 상기 발광 디바이스(410) 보다 높거나 같은 높이를 갖는다.The reflective part 530 may be directly formed on the circuit board 140 through a process of applying and curing a mold resin. The present invention is not limited thereto, and the reflective part 530 may be positioned on the circuit board 140 by a separate adhesive member (not shown). The height of the cross section of the reflector 530 may be changed according to the design of the light emitting device 410. The reflective part 530 has a height equal to or higher than that of the light emitting device 410.

본 발명의 광원 모듈(500)은 회로기판(140) 상에 반사부(530)가 상기 발광 디바이스(410)를 감싸도록 형성되어 광원 모듈(500)의 일측방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.The light source module 500 of the present invention has the advantage of being able to concentrate light in one direction of the light source module 500 by being formed so that the reflective portion 530 on the circuit board 140 surrounds the light emitting device 410. Have.

도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 광원 모듈을 도시한 사시도이고, 도 11은 도 10의 광원 모듈을 포함하는 표시장치를 도시한 단면도이다.10 is a perspective view illustrating a light source module according to a fifth exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a display device including the light source module of FIG. 10.

도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제5 실시예에 따른 광원 모듈(600)은 회로기판(140), 발광 디바이스(610), 반사 덮개(690) 및 반사부(130)를 포함한다.10 and 11, the light source module 600 according to the fifth embodiment of the present invention includes a circuit board 140, a light emitting device 610, a reflective cover 690, and a reflective part 130. Includes.

상기 광원 모듈(600)은 발광 디바이스(610) 및 반사 덮개(690)를 제외한 구성은 본 발명의 제1 일 실예의 광원 모듈(도5의 100)과 동일하므로 동일한 부호를 병기하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다. The configuration of the light source module 600 except for the light emitting device 610 and the reflective cover 690 is the same as the light source module (100 in FIG. 5) of the first exemplary embodiment of the present invention, so that the same reference numerals are used, and the detailed description is I will omit it.

상기 발광 디바이스(610)는 적어도 하나 이상 상기 회로기판(140) 상에 실장되고, 서로 일정 간격 이격된다. 상기 발광 디바이스(610)는 반사층(621)에 의해 서로 접하는 상부면 및 3개의 측면으로 광이 출사된다. 즉, 상기 반사층(621)은 상기 발광 디바이스(610)의 일측면에 위치한다.At least one light emitting device 610 is mounted on the circuit board 140 and spaced apart from each other by a predetermined distance. The light emitting device 610 emits light to the top surface and three side surfaces in contact with each other by the reflective layer 621. That is, the reflective layer 621 is located on one side of the light emitting device 610.

상기 반사 덮개(690) 및 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(610)로부터 출사된 광을 반사시키는 기능을 갖는다. 상기 반사 덮개(690)는 상기 반사부(130) 상에 위치한다. 보다 구체적으로 상기 반사 덮개(690)는 상기 발광 디바이스(610)가 수용되는 상기 반사부(130)를 덮는다. 즉, 상기 반사 덮개(690)는 상기 발광 디바이스(610)의 상부면으로부터 출사된 광을 반사시킬 수 있다.The reflective cover 690 and the reflective portion 130 have a function of reflecting light emitted from the light emitting device 610. The reflective cover 690 is positioned on the reflective part 130. More specifically, the reflective cover 690 covers the reflective portion 130 in which the light emitting device 610 is accommodated. That is, the reflective cover 690 may reflect light emitted from the upper surface of the light emitting device 610.

상기 반사부(130)는 몰드수지의 도포 및 경화 공정을 통해서 상기 회로기판(140)에 직접 형성될 수 있다. 이에 한정되지 않고, 상기 반사부(130)는 별도의 접착부재(미도시)에 의해 상기 회로기판(140)상에 위치할 수도 있다. 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(610)의 설계에 따라 단면 높이를 변경할 수 있다. 상기 반사부(130)는 상기 발광 디바이스(610) 보다 높거나 같은 높이를 갖는다.The reflective part 130 may be directly formed on the circuit board 140 through a process of applying and curing a mold resin. The present invention is not limited thereto, and the reflective part 130 may be positioned on the circuit board 140 by a separate adhesive member (not shown). The height of the cross section of the reflector 130 may be changed according to the design of the light emitting device 610. The reflective part 130 has a height equal to or higher than that of the light emitting device 610.

상기 광원 모듈(600)을 포함하는 표시장치는 표시패널(DP) 및 백라이트 유닛(BLU)를 포함한다. A display device including the light source module 600 includes a display panel DP and a backlight unit BLU.

상기 백라이트 유닛(BLU)는 점광을 면광으로 변환하는 도광판(660)과, 상기 도광판(660)의 적어도 일측에 배치된 광원 모듈(600)과, 상기 도광판(660) 상에 위치한 광학시트들(150)과, 상기 도광판(660)의 하부에 위치한 반사시트(170)를 포함한다.The backlight unit (BLU) includes a light guide plate 660 that converts point light into surface light, a light source module 600 disposed on at least one side of the light guide plate 660, and optical sheets 150 positioned on the light guide plate 660. ) And a reflective sheet 170 positioned under the light guide plate 660.

상기 도광판(660)은 발광 디바이스(610)와 인접한 일측 영역의 두께가 광이 출사되는 영역의 두께보다 두꺼운 구조를 갖는다. 구체적으로 상기 도광판(660)은 단차구조의 상부면을 갖는다. 상기 단차구조는 상기 광 입사 영역과 광 방출 영역 사이의 경사면을 포함한다. 본 발명의 도광판(660)은 단차구조에 의해 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.The light guide plate 660 has a structure in which a thickness of a region adjacent to the light emitting device 610 is thicker than a thickness of a region from which light is emitted. Specifically, the light guide plate 660 has an upper surface of a stepped structure. The stepped structure includes an inclined surface between the light incidence region and the light emission region. The light guide plate 660 of the present invention has an advantage of being slimmer due to a stepped structure.

상기 광원 모듈(600)은 상기 도광판(660)의 적어도 일측에 나란하게 배치된다. 상기 광원 모듈(600)은 반사시트(170) 상에 회로기판(140)이 접촉되는 구조를 갖는다.The light source module 600 is disposed parallel to at least one side of the light guide plate 660. The light source module 600 has a structure in which the circuit board 140 is in contact with the reflective sheet 170.

상기 반사 덮개(690)는 상기 반사부(130)를 덮고, 상기 광 입사 영역의 상부면까지 연장될 수 있다. 본 발명에서는 반사 덮개(690)가 상기 반사부(130)를 덮고, 상기 광 입사 영역의 상부면까지 연장된 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 반사 덮개(690)는 상기 도광판(660)의 경사면까지 연장될 수도 있다.The reflective cover 690 may cover the reflective part 130 and extend to an upper surface of the light incident area. In the present invention, a structure in which the reflective cover 690 covers the reflective part 130 and extends to the upper surface of the light incidence region is limited and described, but the present invention is not limited thereto, and the reflective cover 690 is the light guide plate. It may extend to the slope of 660.

이상에서와 같이, 본 발명은 회로기판(140) 상에 형성된 반사부(130) 및 상기 반사부(130) 상에 위치한 반사 덮개(690)에 의해 발광 디바이스(610)로부터 발광된 광을 도광판(660) 방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.As described above, in the present invention, the light emitted from the light emitting device 610 by the reflective portion 130 formed on the circuit board 140 and the reflective cover 690 positioned on the reflective portion 130 is transmitted to the light guide plate ( It has the advantage of being able to focus light in a desired direction while minimizing light loss by reflecting it in the 660) direction.

또한, 본 발명은 상기 회로기판(140) 상에 일체형으로 형성된 반사부(130) 및 상기 반사부(130)를 덮는 반사 덮개(690)를 갖는 간소화된 구성으로 일반적인 백라이트 유닛에 구비되는 반사 하우징 등의 구성이 생략되므로 조립성이 개선되고, 점차 박형화되는 발광 디바이스(610)와 함께 광원 모듈의 박형화 및 백라이트 유닛(BLU)의 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.In addition, the present invention has a simplified configuration having a reflective unit 130 integrally formed on the circuit board 140 and a reflective cover 690 covering the reflective unit 130, such as a reflective housing provided in a general backlight unit. Since the configuration of is omitted, assembling property is improved, and together with the light emitting device 610 that is gradually thinned, it has advantageous advantages in reducing the thickness of the light source module and the slimming of the backlight unit (BLU).

도 12는 본 발명의 제6 실시예에 따른 광원 모듈을 포함한 표시장치를 도시한 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a display device including a light source module according to a sixth embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제6 실시예에 따른 표시장치는 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시장치와 광원 모듈을 제외한 구성들은 동일하므로 동일한 부호를 병기하고, 상세한 설명은 생략하기로 한다.As shown in FIG. 12, since the display device according to the sixth embodiment of the present invention has the same configurations except for the display device and the light source module according to the fifth embodiment of the present invention, the same reference numerals are used, and detailed descriptions are omitted. I will do it.

상기 광원 모듈은 회로기판(140)이 표시패널(DP) 방향으로 위치하고, 반사부(130)의 상부면은 반사시트(170)와 접촉된다. 상기 회로기판(140)의 일면에는 상기 반사부(130) 및 발광 디바이스(610)가 위치하고, 상기 회로기판(140)의 타면에는 반사 덮개(790)가 위치한다.In the light source module, the circuit board 140 is positioned in the direction of the display panel DP, and the upper surface of the reflective unit 130 is in contact with the reflective sheet 170. The reflective part 130 and the light emitting device 610 are located on one surface of the circuit board 140, and a reflective cover 790 is located on the other surface of the circuit board 140.

상기 반사 덮개(790)는 상기 회로기판(140)을 덮고, 도광판(660)의 광 입사 영역의 상부면까지 연장될 수 있다. 본 발명에서는 반사 덮개(790)가 상기 회로기판(140)을 덮고, 상기 광 입사 영역의 상부면까지 연장된 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 상기 도광판(660)의 경사면까지 연장될 수도 있다.The reflective cover 790 may cover the circuit board 140 and extend to an upper surface of the light incident area of the light guide plate 660. In the present invention, a structure in which the reflective cover 790 covers the circuit board 140 and extends to the upper surface of the light incidence area is described, but is not limited thereto, and extends to the inclined surface of the light guide plate 660 It could be.

이상에서와 같이, 본 발명은 회로기판(140) 상에 위치한 반사 덮개(790)에 의해 발광 디바이스(610)로부터 발광된 광을 도광판(660) 방향으로 반사시켜 광 손실을 최소화함과 동시에 원하는 방향으로 광을 집중시킬 수 있는 장점을 갖는다.As described above, the present invention minimizes light loss by reflecting light emitted from the light emitting device 610 in the direction of the light guide plate 660 by the reflective cover 790 located on the circuit board 140 It has the advantage of being able to concentrate light.

또한, 본 발명은 상기 회로기판(140)의 일면 상에 일체형으로 형성된 반사부(130) 및 상기 회로기판(140)의 타면 상에 위치한 반사 덮개(790)를 갖는 간소화된 구성으로 일반적인 백라이트 유닛에 구비되는 반사 하우징 등의 구성이 생략되므로 조립성이 개선되고, 점차 박형화되는 발광 디바이스(610)와 함께 광원 모듈의 박형화 및 백라이트 유닛(BLU)의 슬림화에 유리한 장점을 갖는다.In addition, the present invention is a simplified configuration having a reflective part 130 integrally formed on one surface of the circuit board 140 and a reflective cover 790 located on the other surface of the circuit board 140, and is used in a general backlight unit. Since the configuration of the reflective housing provided is omitted, assembling property is improved, and the light source module is thinned and the backlight unit (BLU) is slimmed together with the light emitting device 610 that is gradually thinner.

이상에서 다양한 실시예들에 대해 설명하였지만, 본 발명은 특정 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한 특정 실시예에서 설명한 구성요소는 본원 발명의 사상을 벗어나지 않는 한 다른 실시예에서 동일하거나 유사하게 적용될 수 있다.Although various embodiments have been described above, the present invention is not limited to specific embodiments. In addition, components described in a specific embodiment may be applied identically or similarly in other embodiments without departing from the spirit of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500, 600: 광원 모듈 110, 410, 610: 발광 디바이스
130, 230, 330, 530: 반사부 131, 231, 331, 531: 수용홈
133, 135, 233, 235, 333, 335, 533, 535: 내측면
137, 237, 337, 537: 광 방출부100, 200, 300, 400, 500, 600: light source module 110, 410, 610: light emitting device
130, 230, 330, 530: reflection part 131, 231, 331, 531: receiving groove
133, 135, 233, 235, 333, 335, 533, 535: inner side
137, 237, 337, 537: light emitting unit

Claims (27)

회로기판;
상기 회로기판 상에 플립칩 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 실장되는 복수의 발광 디바이스; 및
상기 회로기판 상에 형성되어 상기 발광 디바이스를 감싸는 반사부를 포함하며,
상기 반사부는 상기 복수의 발광 디바이스 각각을 수용하는 복수의 수용홈을 포함하고,
상기 발광 디바이스는 상기 수용홈에 의해 형성된 상기 반사부의 내측면과 이격되도록 배치된 광원 모듈.Circuit board;
A plurality of light emitting devices mounted on the circuit board by flip chip bonding or surface mount technology (SMT); And
And a reflective portion formed on the circuit board and surrounding the light emitting device,
The reflective portion includes a plurality of receiving grooves for accommodating each of the plurality of light emitting devices,
The light-emitting device is a light source module disposed to be spaced apart from an inner surface of the reflective portion formed by the receiving groove. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 디바이스는 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함하는 광원 모듈.The method according to claim 1,
The light emitting device includes a light emitting diode chip, a wavelength converting layer covering the light emitting diode chip, and a reflective layer covering a part of the wavelength converting layer. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 디바이스는 적어도 2 이상의 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함하는 광원 모듈.The method according to claim 1,
The light emitting device includes at least two light emitting diode chips, a wavelength converting layer covering the light emitting diode chip, and a reflective layer covering a portion of the wavelength converting layer. 청구항 2 또는 3에 있어서,
상기 반사층은 상기 파장변환층의 일측면을 노출시키는 광원 모듈.The method according to claim 2 or 3,
The reflective layer is a light source module for exposing one side of the wavelength conversion layer. 청구항 2 또는 3에 있어서,
상기 반사층은 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면을 노출시키는 광원 모듈.The method according to claim 2 or 3,
The reflective layer is a light source module for exposing three adjacent side surfaces of the wavelength conversion layer. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 반사부의 상기 복수의 수용홈은 상기 발광 디바이스의 상부면을 노출시키고,
상기 복수의 수용홈은 일측이 개방되어 광이 방출되는 광 방출부를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
The plurality of receiving grooves of the reflective portion expose the upper surface of the light emitting device,
A light source module having a light emitting portion through which light is emitted by opening one side of the plurality of receiving grooves. 청구항 7에 있어서,
상기 내측면은 상기 발광 디바이스의 측면들과 수평 구조를 갖는 광원 모듈.The method of claim 7,
The light source module having the inner surface and a horizontal structure with the side surfaces of the light emitting device. 청구항 7에 있어서,
상기 내측면은 경사 구조를 갖는 광원 모듈.The method of claim 7,
The inner surface of the light source module having an inclined structure. 청구항 7에 있어서,
상기 내측면은 곡면 구조를 갖는 광원 모듈.The method of claim 7,
The inner surface of the light source module having a curved structure. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 디바이스는 상기 반사부와 동일하거나 낮게 높이를 갖는 광원 모듈.The method according to claim 1,
The light emitting device is a light source module having a height equal to or lower than that of the reflective portion. 청구항 2 또는 3에 있어서,
상기 반사층은 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면 및 상부면을 노출시키는 광원 모듈.The method according to claim 2 or 3,
The reflective layer is a light source module for exposing three adjacent side surfaces and upper surfaces of the wavelength conversion layer. 청구항 12에 있어서,
상기 발광 디바이스 상에 위치하고, 상기 반사부를 덮는 반사 덮개를 더 포함하는 광원 모듈.The method of claim 12,
A light source module positioned on the light emitting device and further comprising a reflective cover covering the reflective portion. 도광판; 및
상기 도광판의 적어도 일측에 구비된 광원 모듈을 포함하고,
상기 광원 모듈은 회로기판과, 상기 회로기판 상에 플립칩 본딩 또는 SMT(Surface Mount Technology)에 의해 실장되는 복수의 발광 디바이스 및 상기 회로기판 상에 형성되어 상기 복수의 발광 디바이스를 감싸는 반사부를 포함하며,
상기 반사부는 상기 복수의 발광 디바이스 각각을 수용하는 복수의 수용홈을 포함하고,
상기 발광 디바이스는 상기 수용홈에 의해 형성된 상기 반사부의 내측면과 이격되도록 배치된 백라이트 유닛.Light guide plate; And
Including a light source module provided on at least one side of the light guide plate,
The light source module includes a circuit board, a plurality of light emitting devices mounted on the circuit board by flip chip bonding or surface mount technology (SMT), and a reflective part formed on the circuit board to surround the plurality of light emitting devices, ,
The reflective portion includes a plurality of receiving grooves for accommodating each of the plurality of light emitting devices,
The light emitting device is a backlight unit disposed to be spaced apart from an inner surface of the reflective portion formed by the receiving groove. 청구항 14에 있어서,
상기 발광 디바이스는 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함하는 백라이트 유닛.The method of claim 14,
The light emitting device includes a light emitting diode chip, a wavelength converting layer covering the light emitting diode chip, and a reflective layer covering a part of the wavelength converting layer. 청구항 14에 있어서,
상기 발광 디바이스는 적어도 2 이상의 발광 다이오드 칩과, 적어도 2 이상의 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환층 및 상기 파장변환층의 일부를 덮는 반사층을 포함하는 백라이트 유닛.The method of claim 14,
The light-emitting device includes at least two light emitting diode chips, a wavelength conversion layer covering at least two light emitting diode chips, and a reflective layer covering a portion of the wavelength conversion layer. 청구항 15 또는 16에 있어서,
상기 반사층은 상기 파장변환층의 일측면을 노출시키는 백라이트 유닛.The method of claim 15 or 16,
The reflective layer is a backlight unit exposing one side of the wavelength conversion layer. 청구항 15 또는 16에 있어서,
상기 반사층은 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면을 노출시키는 백라이트 유닛.The method of claim 15 or 16,
The reflective layer is a backlight unit exposing three adjacent side surfaces of the wavelength conversion layer. 삭제delete 청구항 14에 있어서,
상기 반사부의 상기 복수의 수용홈은 상기 발광 디바이스의 상부면을 노출시키고,
상기 복수의 수용홈은 상기 도광판과 대면되는 일측이 개방되어 광이 방출되는 광 방출부를 갖는 백라이트 유닛.The method of claim 14,
The plurality of receiving grooves of the reflective portion expose the upper surface of the light emitting device,
The plurality of receiving grooves are a backlight unit having a light emitting portion through which light is emitted by opening one side facing the light guide plate. 청구항 20에 있어서,
상기 내측면은 상기 발광 디바이스의 측면들과 수평 구조를 갖는 백라이트 유닛.The method of claim 20,
The inner side of the backlight unit having a horizontal structure with side surfaces of the light emitting device. 청구항 20에 있어서,
상기 내측면은 경사 구조를 갖는 백라이트 유닛.The method of claim 20,
The inner surface is a backlight unit having an inclined structure. 청구항 20에 있어서,
상기 내측면은 곡면 구조를 갖는 백라이트 유닛.The method of claim 20,
The inner surface is a backlight unit having a curved structure. 청구항 14에 있어서,
상기 발광 디바이스는 상기 반사부와 동일하거나 낮게 높이를 갖는 백라이트 유닛.The method of claim 14,
The light emitting device is a backlight unit having a height equal to or lower than the reflective portion. 청구항 15 또는 16에 있어서,
상기 반사층은 상기 파장변환층의 서로 인접한 3개의 측면 및 상부면을 노출시키는 백라이트 유닛.The method of claim 15 or 16,
The reflective layer is a backlight unit exposing three adjacent side surfaces and upper surfaces of the wavelength conversion layer. 청구항 25에 있어서,
상기 발광 디바이스 상에 위치하고, 상기 반사부를 덮는 반사 덮개를 더 포함하는 백라이트 유닛.The method of claim 25,
The backlight unit further comprises a reflective cover positioned on the light emitting device and covering the reflective portion. 청구항 14에 있어서,
상기 도광판은 광이 입사되는 입사 영역과 광이 출사되는 출사 영역을 포함하고, 상기 도광판의 상부면은 단차구조를 갖고, 상기 입사 영역이 상기 출사 영역보다 두꺼운 두께를 갖고, 상기 단차구조는 경사면을 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 14,
The light guide plate includes an incident area through which light is incident and an emission area through which light is emitted, the upper surface of the light guide plate has a step structure, the incident area has a thickness greater than the emission area, and the step structure has an inclined surface. Backlight unit comprising.
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