KR20130114872A - Light emitting device package - Google Patents

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이광희
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package is provided to enhance the moldability of a body by improving the flowage of epoxy resins in an injection process. CONSTITUTION: A body has a cavity. A first lead frame (210) and a second lead frame (220) are arranged on a body. A light emitting device electrically connects the first lead frame to the second lead frame. The first and second lead frames include exposed regions and contact regions. At least one groove part (250) is located on the upper surface of at least one contact region.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as a light emitting diode (LD) or a laser diode using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors are widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광 다이오드와 같은 발광소자는 일반적으로 리드 프레임 상에 컵 형상의 몸체를 에폭시 수지 등으로 사출 성형하여 제작된 패키지 형태로 사용된다. 상기 몸체는 일면에 위치한 주입구를 통해 에폭시 수지를 주입한 후 경화시켜 형성되는데, 주입된 에폭시 수지가 통과하는 부분의 폭이 좁거나 구조가 복잡한 경우, 에폭시 수지의 흐름성이 좋지 못해 몸체의 일부분이 성형되지 않는 문제가 빈번히 발생하였다.A light emitting device such as a light emitting diode is generally used in the form of a package manufactured by injection molding a cup-shaped body with an epoxy resin on a lead frame. The body is formed by injecting and curing the epoxy resin through an injection hole located on one surface. If the width of the portion through which the injected epoxy resin passes or the structure is complicated, the flow of the epoxy resin is not good, so that a part of the body The problem of not forming frequently occurred.

실시예는 발광소자 패키지의 제작시 에폭시 수지의 흐름성을 개선하여 패키지 몸체의 성형성을 개선하고자 한다.The embodiment is intended to improve the formability of the package body by improving the flowability of the epoxy resin when manufacturing the light emitting device package.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 갖는 몸체; 상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하고, 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임은 상기 캐비티를 통해 노출되는 노출 영역과, 상기 몸체와 접하는 접촉 영역을 각각 포함하고, 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 중 적어도 하나의 접촉 영역의 상면에 적어도 하나의 홈부가 위치한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body having a cavity; A first lead frame and a second lead frame disposed on the body; And a light emitting device electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, wherein the first lead frame and the second lead frame are in contact with the body and an exposed area exposed through the cavity. At least one groove is disposed on an upper surface of at least one contact region of the first lead frame or the second lead frame.

상기 홈부는, 상기 접촉 영역 상면의 외곽에서부터 0.05mm 내지 상기 접촉 영역의 상면에서 상기 접촉 영역과 상기 노출 영역의 경계선에서부터 0.05mm 사이의 구간에 위치할 수 있다.The groove may be located in a section between 0.05 mm from an outer surface of the upper surface of the contact area and 0.05 mm from a boundary line between the contact area and the exposed area on the upper surface of the contact area.

상기 홈부의 깊이는 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 두께의 30~60%일 수 있다.The depth of the groove may be 30 to 60% of the thickness of the first lead frame or the second lead frame.

상기 홈부의 상부 단면적은 상기 접촉 영역 상면의 면적의 30~99%일 수 있다.The upper cross-sectional area of the groove may be 30 to 99% of the area of the upper surface of the contact area.

상기 홈부는 복수 개의 부분으로 나뉘어 형성될 수 있다.The groove may be divided into a plurality of parts.

상기 홈부는 일체로서 연속된 라인 형태로 형성될 수 있다.The groove portion may be formed in a continuous line form as a unit.

상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임 상에 위치할 수 있다.The light emitting device may be positioned on the first lead frame.

상기 홈부는 절단면이 라운드 형상을 가질 수 있다.The groove portion may have a rounded surface.

상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상기 접촉 영역의 하부 모서리에 리세스부를 더 포함할 수 있다.At least one of the first lead frame and the second lead frame may further include a recess in a lower edge of the contact area.

상기 리세스부의 폭은 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 두께의 30~60%일 수 있다.A width of the recess may be 30 to 60% of a thickness of the first lead frame or the second lead frame.

상기 리세스부는 절단면이 라운드 형상을 가질 수 있다.The recessed portion may have a rounded shape.

상기 발광소자를 덮는 몰딩부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a molding part covering the light emitting device.

상기 노출영역 상에 위치하는 반사층을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a reflective layer positioned on the exposed area.

실시예에 따르면 패키지 몸체의 사출시 에폭시 수지의 흐름성이 개선되어 미성형된 부분이 발생되는 현상을 개선할 수 있고, 결과적으로 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.According to the embodiment, the flowability of the epoxy resin may be improved during injection of the package body, thereby improving the phenomenon in which the unmolded part is generated, and as a result, the reliability of the light emitting device package may be improved.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 측단면도.
도 2 및 도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면 투시도.
도 4는 도 2 및 도 3의 발광소자 패키지를 AA' 방향에서 절단하여 바라본 측단면도.
도 5는 종래의 경우와 실시예의 경우에 몸체의 미성형 부분의 유무를 비교하여 나타낸 이미지.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면.
도 7은 실시예들에 따른 발광소자 패키지가 배치된 백라이트 유닛을 포함하는 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.
2 and 3 are top perspective views of the light emitting device package according to the embodiment.
Figure 4 is a side cross-sectional view of the light emitting device package of Figures 2 and 3 cut in the AA 'direction.
Figure 5 is an image showing the comparison between the presence of the unformed portion of the body in the case of the conventional case and the embodiment.
6 is a view showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting device package according to the embodiment is arranged.
7 is a view illustrating a display device including a backlight unit in which a light emitting device package according to embodiments is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 측단면도이고, 도 2 및 도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면 투시도이며, 도 4는 도 2 및 도 3의 발광소자 패키지를 AA' 방향에서 절단하여 바라본 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment, Figures 2 and 3 is a top perspective view of the light emitting device package according to the embodiment, Figure 4 is a light emitting device package of Figures 2 and 3 in the AA 'direction Side cross-sectional view cut out.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티(112)를 갖는 몸체(110), 상기 몸체(110)에 배치되는 제1 리드 프레임(210)과 제2 리드 프레임(220), 및 상기 제1 리드 프레임(210) 및 제2 리드 프레임(220)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body 110 having a cavity 112, a first lead frame 210 and a second lead frame 220 disposed on the body 110, and the first lead frame ( 210 and the light emitting device 100 electrically connected to the second lead frame 220.

몸체(110)는 실리콘 재질 또는 합성수지 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 일 예로서 EMC(Epoxy Molding Compound)로 형성될 수 있다. The body 110 may be formed of a silicon material or a synthetic resin material. For example, the body 110 may be formed of an epoxy molding compound (EMC).

몸체(110)에 발광소자(100)가 배치되며, 몸체(110)에 캐비티(112)가 형성된 경우 상기 캐비티(112) 내에 발광소자(100)가 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 110, and when the cavity 112 is formed on the body 110, the light emitting device 100 may be disposed in the cavity 112.

몸체(110)의 캐비티(112)는 경사면으로 이루어진 측벽을 포함하며, 상기 측벽이 반사면의 역할을 하여 발광소자(100)에서 생성된 빛을 반사시켜 패키지의 상면을 향할 수 있도록 한다.The cavity 112 of the body 110 includes a side wall formed of an inclined surface, and the side wall serves as a reflective surface to reflect the light generated by the light emitting device 100 to face the top surface of the package.

발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 백색, 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 100 includes a plurality of compound semiconductor layers, for example, a light emitting diode (LED) using a semiconductor layer of group III-V group elements, and the LED emits light such as white, blue, green, or red. It may be a colored LED or UV LED. The emitted light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

제1 리드 프레임(210) 및 제2 리드 프레임(220)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(210) 및 제2 리드 프레임(220)은 발광소자(100)에서 생성된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 방출할 수도 있다.The first lead frame 210 and the second lead frame 220 are electrically separated from each other, and supply a current to the light emitting device 100. In addition, the first lead frame 210 and the second lead frame 220 may increase the light efficiency by reflecting the light generated by the light emitting device 100, the heat generated from the light emitting device 100 to the outside It may be released.

이하에서는, 제1,2 리드 프레임(210, 220)을 통칭하여 리드 프레임(200)이라 일컬을 수 있다.Hereinafter, the first and second lead frames 210 and 220 may be collectively referred to as a lead frame 200.

발광소자(100)는 몸체(110), 캐비티(112)가 있는 경우에는 캐비티(112)의 바닥면 상에 배치되거나, 상기 제1 리드 프레임(210) 또는 제2 리드 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 실시예에서는, 제1 리드 프레임(210) 상에 발광소자(100)가 위치하여 직접 통전되고, 제2 리드 프레임(220)과 발광소자(100)는 와이어(130)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(100)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 제1,2 리드 프레임(210, 220)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 100 is disposed on the bottom surface of the cavity 112 when the body 110 and the cavity 112 are present, or on the first lead frame 210 or the second lead frame 220. Can be. In the embodiment, the light emitting device 100 is positioned on the first lead frame 210 and is directly energized, and the second lead frame 220 and the light emitting device 100 are connected through a wire 130. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first and second lead frames 210 and 220 by a flip chip method or a die bonding method in addition to the wire bonding method.

발광소자(100)는 도전성 접착제(120)에 의해 제1 리드 프레임(210) 상에 부착될 수 있다. 도전성 접착제(120)는 전기 전도성과 열 전도성을 갖는 은(Ag)을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The light emitting device 100 may be attached onto the first lead frame 210 by the conductive adhesive 120. The conductive adhesive 120 may include silver (Ag) having electrical conductivity and thermal conductivity, but is not limited thereto.

몸체(100)에는 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부(140)가 형성될 수 있다. 몸체(100)에 캐비티(112)가 형성된 경우, 상기 캐비티(112)를 채우도록 몰딩부(140)가 형성될 수 있다.The body 100 may have a molding part 140 surrounding the light emitting device 100. When the cavity 112 is formed in the body 100, the molding part 140 may be formed to fill the cavity 112.

몰딩부(140)는 발광소자(100) 및 이의 연결 수단 등을 보호하며, 발광소자(100)의 분리 또는 이탈을 방지할 수 있다. 몰딩부(140)는 투광성을 가지며, 투명 실리콘 수지 등으로 형성될 수 있다.The molding part 140 may protect the light emitting device 100 and its connecting means, and may prevent the light emitting device 100 from being separated or separated. The molding part 140 has a light transmitting property and may be formed of a transparent silicone resin or the like.

몰딩부(140)에는 형광체가 포함되어, 발광소자(100)에서 생성된 빛의 파장을 변환할 수 있다.The molding part 140 may include a phosphor to convert wavelengths of light generated by the light emitting device 100.

형광체는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor may include a garnet-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, or an oxynitride-based phosphor.

예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.For example, the garnet-base phosphor is YAG (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3 +) or TAG: may be a (Tb 3 Al 5 O 12 Ce 3 +), wherein the silicate-based phosphor is (Sr, Ba, Mg, Ca) 2 SiO 4 : Eu 2 + , and the nitride phosphor may be CaAlSiN 3 : Eu 2 + containing SiN, and the oxynitride phosphor may be Si 6 - x Al x O x N 8 -x: Eu may be a 2 + (0 <x <6 ), but not always limited thereto.

발광소자(100)에서 발생된 제1 파장 영역의 광이 형광체를 여기시켜 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광이 렌즈(미도시)를 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다.The light of the first wavelength range generated by the light emitting device 100 excites the phosphor and is converted into light of the second wavelength range and the light of the second wavelength range passes through the lens (not shown) .

제1 리드 프레임(210) 및 제2 리드 프레임(220)은 상기 캐비티(112)를 통해 노출되는 노출 영역(230)과, 상기 몸체(110)와 접하는 접촉 영역(240)을 각각 포함하고, 상기 제1 리드 프레임(210) 또는 상기 제2 리드 프레임(220)의 접촉 영역(240)의 상면에 적어도 하나의 홈부(250)가 위치한다.The first lead frame 210 and the second lead frame 220 respectively include an exposed area 230 exposed through the cavity 112 and a contact area 240 in contact with the body 110. At least one groove 250 is positioned on an upper surface of the contact region 240 of the first lead frame 210 or the second lead frame 220.

리드 프레임(200)은 몸체(110)에 형성된 캐비티(112)의 바닥면 상에서 노출되며, 노출 영역(230)에 발광소자(100)가 배치된다.The lead frame 200 is exposed on the bottom surface of the cavity 112 formed in the body 110, and the light emitting device 100 is disposed in the exposed area 230.

리드 프레임(200)의 노출 영역(230) 상에는 발광소자(100)에서 생성된 빛을 발광소자 패키지 밖으로 반사시키기 위한 반사층(미도시)이 형성될 수 있다.A reflective layer (not shown) may be formed on the exposed region 230 of the lead frame 200 to reflect the light generated by the light emitting device 100 out of the light emitting device package.

발광소자(100)에서 생성된 빛이 발광소자(100)의 하부로 진행하거나, 몸체(110)의 캐비티(112) 측벽에서 반사된 후 발광소자(100)의 하부로 진행할 수 있는데, 상기 반사층이 구비되어 빛을 반사시킴으로써 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light generated by the light emitting device 100 may proceed to the bottom of the light emitting device 100 or may be reflected from the side wall of the cavity 112 of the body 110 and then proceed to the bottom of the light emitting device 100. The light extraction efficiency of the light emitting device package may be improved by reflecting light.

반사층은 반사율이 우수한 물질로 이루어지며, 일 예로서 은(Ag)이 제1,2 리드 프레임(210, 220) 상에 코팅될 수 있다. 반사층은 은(Ag) 외에 알루미늄(Al), 은을 포함한 합금, 또는 알루미늄을 포함한 합금으로 이루어질 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The reflective layer is made of a material having excellent reflectivity. For example, silver (Ag) may be coated on the first and second lead frames 210 and 220. The reflective layer may include, but is not limited to, aluminum (Al), an alloy containing silver, or an alloy including aluminum in addition to silver (Ag).

제1,2 리드 프레임(210, 220) 중 적어도 하나의 접촉 영역(240)의 상면에 적어도 하나의 홈부(250)가 위치한다. 상기 홈부(250)는 몸체(110)의 사출 성형시 몸체(110)를 구성하는 재질의 흐름성을 향상시키기 위한 것으로, 리드 프레임(200)의 일부를 하프 에칭(half etching)함으로써 형성할 수 있다.At least one groove 250 is positioned on an upper surface of at least one contact region 240 of the first and second lead frames 210 and 220. The groove 250 is to improve the flowability of the material constituting the body 110 during the injection molding of the body 110, it may be formed by half etching a portion of the lead frame 200. .

종래에는, 리드 프레임(200)의 측면과 몸체(110) 사이 또는 제1,2 리드 프레임(210, 220) 사이의 전극 분리 영역(150)과 같이 폭이 좁은 부분에서 몸체(110)를 구성하는 재질인 실리콘 수지의 흐름성이 좋지 못해 미성형된 부분이 존재하는 문제가 종종 발생하였다.In the related art, the body 110 may be formed at a narrow portion such as an electrode isolation region 150 between the side of the lead frame 200 and the body 110 or between the first and second lead frames 210 and 220. Due to the poor flowability of the silicone resin, a problem arises in that an unmolded part exists.

실시예에 따르면, 몸체(110)와 접하는 리드 프레임(200)의 접촉 영역(230)의 상면에 적어도 하나의 홈부(250)를 형성하여 실리콘 수지의 흐름성을 개선함으로써, 미성형된 부분이 발생하는 문제를 해결할 수 있다.According to the embodiment, by forming at least one groove 250 on the upper surface of the contact region 230 of the lead frame 200 in contact with the body 110 to improve the flowability of the silicone resin, an unmolded portion occurs Can solve the problem.

실시예에 따라, 상기 홈부(250)는 경사면으로 이루어진 캐비티(112)의 측벽과 대응하여 위치할 수 있다.In some embodiments, the groove 250 may be positioned to correspond to the sidewall of the cavity 112 formed of an inclined surface.

실시예에 따라, 상기 홈부(250)는 접촉 영역(240) 상면의 외곽(240a)에서부터 0.05mm 내지 상기 접촉 영역(240)의 상면에서 접촉 영역(240)과 노출 영역(230)의 경계선(240b)에서부터 0.05mm 사이의 구간에 위치할 수 있다. 즉, 상기 홈부(250)는 접촉 영역(240) 상면의 외곽(240a)에서부터 최소한 d1의 거리만큼 이격되어 위치하고, 접촉 영역(240)과 노출 영역(230)의 경계선(240b)에서부터 최소한 d2의 거리만큼 이격되어 위치하며, 상기 d1과 d2는 각각 0.05mm일 수 있다.According to an exemplary embodiment, the groove part 250 may have a boundary line 240b between the contact area 240 and the exposed area 230 from 0.05 mm to an upper surface of the contact area 240 from an outer portion 240a of the upper surface of the contact area 240. ) And 0.05mm. That is, the groove 250 is positioned at a distance of at least d 1 from the outer side 240a of the upper surface of the contact area 240, and at least d 2 from the boundary line 240b of the contact area 240 and the exposed area 230. Located apart from each other by a distance of, and d 1 and d 2 may each be 0.05mm.

접촉 영역(240) 상면의 외곽(240a)에서부터의 거리 d1이 너무 짧은 경우, 즉, 홈부(250)가 리드 프레임(200)의 가장자리에 너무 치우쳐서 형성되는 경우, 홈부(250)가 형성된 리드 프레임(200)의 부분에서 두께가 얇아져 휘어짐이 발생할 수 있다.When the distance d 1 from the outer side 240a of the upper surface of the contact area 240 is too short, that is, when the groove 250 is formed so as to be inclined to the edge of the lead frame 200, the lead frame on which the groove 250 is formed. At the portion of the 200, the thickness may become thin and warpage may occur.

또한, 접촉 영역(240)의 상면에서 접촉 영역(240)과 노출 영역(230)의 경계선(240b)에서부터의 거리 d2가 너무 짧은 경우, 즉, 홈부(250)가 캐비티(112)의 바닥면에 너무 가깝게 형성되는 경우, 몸체(110)를 구성하는 실리콘 수지의 흐름성을 개선한다는 홈부(240)의 효과가 미미할 수 있다.In addition, when the distance d 2 from the boundary line 240b between the contact area 240 and the exposed area 230 is too short on the upper surface of the contact area 240, that is, the groove 250 is the bottom surface of the cavity 112. When formed so close to the, the effect of the groove 240 to improve the flow of the silicone resin constituting the body 110 may be insignificant.

실시예에 따라, 상기 홈부(250)는, 상부에서 바라봤을 때 리드 프레임(200)의 접촉 영역(240) 상면의 전체 면적 중 홈부(250)가 차지하는 면적이 30~99%일 수 있다.According to an embodiment, the groove portion 250 may have an area occupied by the groove portion 250 of the entire area of the upper surface of the contact area 240 of the lead frame 200 when viewed from the top.

실시예에 따라, 상기 홈부(250)의 깊이 h는 리드 프레임(200) 두께의 30~60%일 수 있다. 홈부(250)의 깊이 h가 너무 얕은 경우 실리콘 수지의 흐름성 개선 효과가 미미할 수 있고, 너무 깊은 경우 홈부(250)가 형성된 리드 프레임(200)의 부분에서 두께가 얇아져 휘어짐이 발생할 수 있다.According to an embodiment, the depth h of the groove 250 may be 30 to 60% of the thickness of the lead frame 200. If the depth h of the groove 250 is too shallow, the flow improvement effect of the silicone resin may be insignificant, and if it is too deep, the thickness may be thinned at the portion of the lead frame 200 in which the groove 250 is formed, which may cause warpage.

홈부(250)는 도 2에 도시된 바와 같이 일체로서 연속된 라인 형태로 형성될 수도 있고, 도 3에 도시된 바와 같이 복수 개의 부분으로 나뉘어 형성될 수도 있다.As shown in FIG. 2, the groove 250 may be integrally formed in a continuous line shape or may be divided into a plurality of parts as shown in FIG. 3.

홈부(250)는 몸체(110)를 구성하는 재질인 실리콘 수지의 흐름성을 개선하기 위한 것이므로, 복수 개의 부분으로 나뉘어 형성되는 것보다 일체로서 연속된 라인 형태로 형성되는 경우 실리콘 수지의 흐름성 개선 효과가 더 클 수 있다.Since the groove part 250 is for improving the flowability of the silicone resin, which is a material constituting the body 110, the flowability of the silicone resin is improved when the groove portion 250 is formed in a continuous line shape as a unit rather than being divided into a plurality of parts. The effect may be greater.

홈부(250)는 절단면이 라운드 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어, 원형, 타원형 또는 U자 형상을 가질 수 있다. 홈부(250)가 각이 지도록 형성되는 것보다 라운드 형상으로 형성되는 것이 실리콘 수지의 흐름성 개선에 효과적일 수 있다.The groove 250 may have a rounded surface, for example, may have a circular, elliptical or U-shape. It is more effective to improve the flowability of the silicone resin that is formed in a round shape than the groove 250 is formed to be angled.

제1 리드 프레임(210) 또는 제2 리드 프레임(220) 중 적어도 하나는 상기 접촉 영역(240)의 하부 모서리에 리세스부(260)를 더 포함할 수 있다.At least one of the first lead frame 210 and the second lead frame 220 may further include a recess 260 in the lower edge of the contact area 240.

리세스부(260) 역시 몸체(110)를 구성하는 재질인 실리콘 수지의 흐름성을 개선하는 역할을 하며, 리세스부(260)의 굴곡으로 인해 외부에서 발광소자 패키지의 내부로 습기 등이 유입되는 것을 차단하여, 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The recess 260 also improves the flowability of the silicone resin, which is a material constituting the body 110, and moisture is introduced into the light emitting device package from the outside due to the bending of the recess 260. It can be blocked to improve the reliability of the light emitting device package.

접촉 영역(240)의 측면 중 리세스부(260)가 형성된 지점에서부터 리드 프레임(220)의 바닥면까지의 수직 거리를 리세스부(260)의 폭 w라 정의할 때, 리세스부(260)의 폭 w는 리드 프레임(200) 두께의 30~60%일 수 있다.When the vertical distance from the point where the recess 260 is formed among the side surfaces of the contact area 240 to the bottom surface of the lead frame 220 is defined as the width w of the recess 260, the recess 260 is defined. ), The width w may be 30 to 60% of the thickness of the lead frame 200.

리세스부(260)는 절단면이 라운드 형상을 가질 수 있으며, 각이 지도록 형성되는 것보다 라운드 형상으로 형성되는 것이 실리콘 수지의 흐름성 개선에 효과적일 수 있다.The recess 260 may have a rounded shape, and a round shape may be more effective than an angled shape to improve flowability of the silicone resin.

리세스부(260)는 일체로서 연속된 라인 형태로 형성되거나, 복수 개의 부분으로 나뉘어 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The recess 260 may be integrally formed in a continuous line shape or divided into a plurality of parts, but is not limited thereto.

도 5는 종래의 경우와 실시예의 경우에 몸체의 미성형 부분의 유무를 비교하여 나타낸 이미지이다.5 is an image showing a comparison between the presence of the unformed portion of the body in the case of the conventional case and the embodiment.

도 5를 참조하면, 종래(a)의 경우, 몸체(110)를 구성하는 재질인 실리콘 수지의 흐름성이 좋지 않아 몸체(110)의 일부가 미성형되어 불량이 발생하였음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5, in the conventional case (a), since the flowability of the silicone resin which is a material constituting the body 110 is not good, a part of the body 110 may be unmolded, thereby confirming that a failure occurs.

그러나, 실시예(b)의 경우를 보면, 리드 프레임(200)에 형성된 홈부(250)로 인해 실리콘 수지의 흐름성이 개선되어 몸체(110)가 미성형된 부분이 없이 매끄럽게 사출되었음을 확인할 수 있다.However, in the case of the embodiment (b), it can be confirmed that the flowability of the silicone resin is improved by the groove 250 formed in the lead frame 200, so that the body 110 is smoothly injected without the unmolded part. .

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일 실시예로서, 조명 장치와 백라이트 유닛을 설명한다.Hereinafter, the lighting device and the backlight unit will be described as an embodiment of the lighting system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting device package according to the embodiment is disposed.

실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(600)과 상기 광원(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 광원(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 광원(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.The lighting apparatus according to the embodiment includes a light source 600 for projecting light, a housing 400 in which the light source 600 is embedded, a heat dissipation part 500 for dissipating heat from the light source 600, and the light source 600. And a holder 700 for coupling the heat dissipation part 500 to the housing 400.

상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 400 includes a socket coupling part 410 coupled to an electric socket and a body part 420 connected to the socket coupling part 410 and having a light source 600 embedded therein. The body 420 may have one air flow hole 430 formed therethrough.

상기 하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.A plurality of air flow openings 430 are provided on the body portion 420 of the housing 400. The air flow openings 430 may be formed of one air flow openings or a plurality of flow openings may be radially arranged Various other arrangements are also possible.

상기 광원(600)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The light source 600 may include a light emitting device package according to the above embodiments.

상기 광원(600)의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(600)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(600)의 발광소자 패키지에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A holder 700 is provided below the light source 600, and the holder 700 may include a frame and another air flow port. In addition, although not shown, an optical member is provided below the light source 600 to diffuse, scatter, or converge the light projected from the light emitting device package of the light source 600.

도 7은 실시예들에 따른 발광소자 패키지가 배치된 백라이트 유닛을 포함하는 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a display device including a backlight unit in which a light emitting device package is disposed.

실시예에 따른 표시장치(800)는 광원 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.The display device 800 according to the embodiment displays the light source modules 830 and 835, the reflector 820 on the bottom cover 810, and the light emitted from the light source module in front of the reflector 820. A light guide plate 840 guiding in front of the device, a first prism sheet 850 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840, and a front of the second prism sheet 860. And a color filter 880 disposed over the panel 870.

광원 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 상술한 실시예들에서 설명한 바와 같다.The light source module includes the above-described light emitting device package 835 on the circuit board 830. Here, the circuit board 830 may be a PCB and the like, and the light emitting device package 835 is as described in the above embodiments.

상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may house the components in the display device 800. The reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be formed to be coated on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 with a highly reflective material Do.

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). An air guide system is also available in which the light guide plate is omitted and light is transmitted in a space above the reflective sheet 820.

상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 is formed on one side of the support film with a transparent and elastic polymeric material, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be provided in the stripe type and the valley repeatedly as shown.

상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the edges and the valleys on one surface of the support film may be perpendicular to the edges and the valleys on one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to evenly distribute the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 870.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which may be formed of other combinations, for example, a microlens array or a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 870. In addition to the liquid crystal display panel 860, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 870, the liquid crystal is positioned between the glass bodies, and the polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 880 is provided on the front surface of the panel 870 so that light projected from the panel 870 transmits only red, green, and blue light for each pixel.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined not only by the claims below but also by the equivalents of the claims.

100: 발광소자 110: 몸체
120: 도전성 접착제 130: 와이어
140: 몰딩부 150: 전극 분리 영역
200: 리드 프레임 210: 제1 리드 프레임
220: 제2 리드 프레임 230: 노출 영역
240: 접촉 영역 250: 홈부
260: 리세스부 400: 하우징
500: 방열부 600: 광원
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터 100: light emitting element 110: body
120: conductive adhesive 130: wire
140: molding portion 150: electrode separation region
200: lead frame 210: first lead frame
220: second lead frame 230: exposed area
240: contact area 250: groove
260: recess 400: housing
500: radiator 600: light source
800: Display device 810: Bottom cover
820: reflector 840: light guide plate
850: first prism sheet 860: second prism sheet
870: Panel 880: Color filter

Claims (13)

캐비티를 갖는 몸체;
상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하고,
상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임은 상기 캐비티를 통해 노출되는 노출 영역과, 상기 몸체와 접하는 접촉 영역을 각각 포함하고, 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 중 적어도 하나의 접촉 영역의 상면에 적어도 하나의 홈부가 위치하는 발광소자 패키지.A body having a cavity;
A first lead frame and a second lead frame disposed on the body; And
And a light emitting device electrically connected to the first lead frame and the second lead frame.
The first lead frame and the second lead frame each include an exposed area exposed through the cavity and a contact area in contact with the body, and at least one contact area of the first lead frame or the second lead frame. At least one groove is located on the upper surface of the light emitting device package. 제 1 항에 있어서,
상기 홈부는, 상기 접촉 영역 상면의 외곽에서부터 0.05mm 내지 상기 접촉 영역의 상면에서 상기 접촉 영역과 상기 노출 영역의 경계선에서부터 0.05mm 사이의 구간에 위치하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The groove may include a light emitting device package disposed in an interval between 0.05 mm from an outer surface of an upper surface of the contact area and 0.05 mm from a boundary line between the contact area and the exposed area on an upper surface of the contact area. 제 1 항에 있어서,
상기 홈부의 깊이는 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 두께의 30~60%인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The depth of the groove portion is a light emitting device package of 30 ~ 60% of the thickness of the first lead frame or the second lead frame. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 홈부의 상부 단면적은 상기 접촉 영역 상면의 면적의 30~99%인 발광소자 패키지.The method according to any one of claims 1 to 3,
The upper cross-sectional area of the groove portion is 30 to 99% of the area of the upper surface of the contact area. 제 1 항에 있어서,
상기 홈부는 복수 개의 부분으로 나뉘어 형성된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The groove part is divided into a plurality of light emitting device package formed. 제 1 항에 있어서,
상기 홈부는 일체로서 연속된 라인 형태로 형성된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The groove is a light emitting device package formed integrally in a continuous line form. 제 1 항에 있어서,
상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임 상에 위치하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device is a light emitting device package located on the first lead frame. 제 1 항에 있어서,
상기 홈부는 절단면이 라운드 형상을 갖는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The groove portion has a light emitting device package having a rounded cutting surface. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 상기 접촉 영역의 하부 모서리에 리세스부를 더 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
At least one of the first lead frame and the second lead frame further comprises a recess in the lower corner of the contact area. 제 9 항에 있어서,
상기 리세스부의 폭은 상기 제1 리드 프레임 또는 상기 제2 리드 프레임 두께의 30~60%인 발광소자 패키지.The method of claim 9,
The recess portion has a width of the light emitting device package is 30 to 60% of the thickness of the first lead frame or the second lead frame. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 리세스부는 절단면이 라운드 형상을 갖는 발광소자 패키지.11. The method according to claim 9 or 10,
The recess is a light emitting device package having a rounded cutting surface. 제 1 항에 있어서,
상기 발광소자를 덮는 몰딩부를 더 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
A light emitting device package further comprising a molding unit covering the light emitting device. 제 1 항에 있어서,
상기 노출영역 상에 위치하는 반사층을 더 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package further comprises a reflective layer on the exposed area.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150124135A (en) * 2014-04-28 2015-11-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815227B1 (en) * 2006-10-20 2008-03-19 삼성전기주식회사 Surface mounting light emitting diode device
KR20080041794A (en) * 2006-11-08 2008-05-14 삼성전기주식회사 Light emitting diode package
KR20090032869A (en) * 2007-09-28 2009-04-01 서울반도체 주식회사 Moisture proofing type led package
KR20100035754A (en) * 2008-09-29 2010-04-07 주식회사 에피밸리 Semiconductor light emitting device package
JP2011151069A (en) * 2010-01-19 2011-08-04 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame with resin, lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing the lead frame
KR101064084B1 (en) * 2010-03-25 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and fabrication method thereof
KR101110911B1 (en) * 2010-12-24 2012-02-24 엘지이노텍 주식회사 Light-emitting element package

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100815227B1 (en) * 2006-10-20 2008-03-19 삼성전기주식회사 Surface mounting light emitting diode device
KR20080041794A (en) * 2006-11-08 2008-05-14 삼성전기주식회사 Light emitting diode package
KR20090032869A (en) * 2007-09-28 2009-04-01 서울반도체 주식회사 Moisture proofing type led package
KR20100035754A (en) * 2008-09-29 2010-04-07 주식회사 에피밸리 Semiconductor light emitting device package
JP2011151069A (en) * 2010-01-19 2011-08-04 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame with resin, lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing the lead frame
KR101064084B1 (en) * 2010-03-25 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and fabrication method thereof
KR101110911B1 (en) * 2010-12-24 2012-02-24 엘지이노텍 주식회사 Light-emitting element package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150124135A (en) * 2014-04-28 2015-11-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package

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