KR102334428B1 - Display Device and Driving Method therof - Google Patents
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Abstract
본 발명의 표시장치는 게이트라인을 포함하는 표시패널 및 게이트라인에 제공되는 게이트펄스를 출력하는 쉬프트레지스터를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 노드 제어회로, 제1 출력부 및 제2 출력부를 포함한다. 노드 제어회로는 Q 노드 및 QB 노드를 포함한다. 제1 출력부는 제1 저전위전압에서 하이레벨전압 사이를 스윙하는 기수 게이트클럭을 제공받아서, Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 기수 게이트펄스를 생성한다. 제2 출력부는 제1 저전위전압 보다 낮은 전압레벨인 제2 저전위전압에서 하이레벨전압 사이를 스윙하는 우수 게이트클럭을 제공받아서, Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 우수 게이트펄스를 생성하는 제2 출력부를 포함한다. A display device of the present invention includes a display panel including a gate line and a shift register for outputting a gate pulse provided to the gate line. The shift register includes a node control circuit, a first output unit, and a second output unit. The node control circuit includes a Q node and a QB node. The first output unit receives the odd gate clock swinging between the first low potential voltage and the high level voltage, and generates odd gate pulses in response to potentials of the Q node and the QB node. The second output unit receives the even gate clock swinging between the second low potential voltage and the high level voltage, which is a voltage level lower than the first low potential voltage, and generates an even gate pulse in response to the potentials of the Q node and the QB node. and a second output unit.
Description
본 발명은 표시장치 및 이의 구동방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a display device and a driving method thereof.
표시장치는 데이터라인들과 게이트라인들이 직교되도록 배치되고 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된다. 데이터라인들에는 표시하고자 하는 비디오 데이터전압이 공급되고 게이트라인들에는 게이트펄스가 순차적으로 공급된다. 게이트펄스가 공급되는 표시라인의 픽셀들에 비디오 데이터전압이 공급되며, 모든 표시라인들이 게이트펄스에 의해 순차적으로 스캐닝되면서 비디오 데이터를 표시한다. In the display device, data lines and gate lines are arranged to be perpendicular to each other, and pixels are arranged in a matrix form. A video data voltage to be displayed is supplied to the data lines, and a gate pulse is sequentially supplied to the gate lines. A video data voltage is supplied to pixels of a display line to which a gate pulse is supplied, and video data is displayed while all display lines are sequentially scanned by the gate pulse.
평판표시장치의 게이트라인들에 게이트펄스를 공급하기 위한 게이트 구동회로는 통상 다수의 게이트 집적회로(Integrated Circuit, 이하 "IC"라 함)를 포함한다. 게이트 드라이브 IC 각각은 게이트펄스를 순차적으로 출력하여야 하기 때문에 기본적으로 쉬프트 레지스터를 포함하며, 표시패널의 구동특성에 따라 쉬프트 레지스터의 출력 전압을 조정하기 위한 회로들과 출력 버퍼들을 포함할 수 있다.A gate driving circuit for supplying gate pulses to the gate lines of a flat panel display generally includes a plurality of gate integrated circuits (hereinafter referred to as "ICs"). Since each gate drive IC has to sequentially output gate pulses, it basically includes a shift register, and may include circuits and output buffers for adjusting an output voltage of the shift register according to driving characteristics of the display panel.
표시장치에서 스캔신호인 게이트펄스를 생성하는 게이트 구동부는 표시패널에서 비표시영역인 베젤 영역에 박막 트랜지스터들의 조합으로 이루어지는 게이트-인-패널(Gate Ii Paiel, 이하 GIP) 형태로 구현되기도 한다. GIP 형태의 게이트 구동부는 게이트라인의 개수에 대응하는 스테이지를 구비하여, 각 스테이지는 일대일로 대응하는 게이트라인에 게이트펄스를 출력한다. 따라서 게이트라인의 개수 만큼 스테이지가 필요하기 때문에 GIP 구조를 이용하여 베젤 영역이 증가한다.
In the display device, the gate driver generating a gate pulse, which is a scan signal, is sometimes implemented in the form of a gate-in-panel (GIP) formed by a combination of thin film transistors in a bezel region that is a non-display region of a display panel. The GIP type gate driver includes stages corresponding to the number of gate lines, and each stage outputs a gate pulse to a corresponding gate line on a one-to-one basis. Therefore, the bezel area increases by using the GIP structure because as many stages as the number of gate lines are required.
상술한 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은 베젤 영역을 감소시킬 수 있는 표시장치를 제공하기 위한 것이다.
In order to solve the above problems, the present invention is to provide a display device capable of reducing a bezel area.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 표시장치는 게이트라인을 포함하는 표시패널 및 게이트라인에 제공되는 게이트펄스를 출력하는 쉬프트레지스터를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 노드 제어회로, 제1 출력부 및 제2 출력부를 포함한다. 노드 제어회로는 Q 노드 및 QB 노드를 포함한다. 제1 출력부는 제1 저전위전압에서 하이레벨전압 사이를 스윙하는 기수 게이트클럭을 제공받아서, Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 기수 게이트펄스를 생성한다. 제2 출력부는 제1 저전위전압 보다 낮은 전압레벨인 제2 저전위전압에서 하이레벨전압 사이를 스윙하는 우수 게이트클럭을 제공받아서, Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 우수 게이트펄스를 생성하는 제2 출력부를 포함한다. As a means for solving the above problems, the display device of the present invention includes a display panel including a gate line and a shift register for outputting a gate pulse provided to the gate line. The shift register includes a node control circuit, a first output unit, and a second output unit. The node control circuit includes a Q node and a QB node. The first output unit receives the odd gate clock swinging between the first low potential voltage and the high level voltage, and generates odd gate pulses in response to potentials of the Q node and the QB node. The second output unit receives the even gate clock swinging between the second low potential voltage and the high level voltage, which is a voltage level lower than the first low potential voltage, and generates an even gate pulse in response to the potentials of the Q node and the QB node. and a second output unit.
본 발명의 표시장치는 쉬프트 레지스터의 스테이지들이 각각 한 쌍의 게이트펄스를 출력하기 때문에 스테이지의 개수를 줄일 수 있다. 특히, 본 발명은 스테이지에 입력되는 기수 게이트클럭 및 우수 게이트클럭의 저전위전압을 다르게 하여 우수 게이트클럭이 폴링되는 시점이 지연되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라서 본 발명은 우수 게이트클럭의 폴링되는 시점이 지연될 때 발생하는 수평 딤 현상을 개선할 수 있다.
In the display device of the present invention, since the stages of the shift register each output a pair of gate pulses, the number of stages can be reduced. In particular, according to the present invention, the timing at which the even gate clock is polled can be prevented from being delayed by differentiating the low potential voltages of the odd gate clock and the even gate clock input to the stage. Accordingly, the present invention can improve the horizontal dim phenomenon that occurs when the polling time of the even gate clock is delayed.
도 1은 본 발명에 의한 표시장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 실시 예에 의한 쉬프트 레지스터를 나타내는 도면.
도 3은 실시 예에 의한 쉬프트 레지스터의 스테이지를 나타내는 도면.
도 4는 출력부의 실시 예들을 나타내는 도면.
도 5는 스테이지의 입력 및 출력 신호를 나타내는 파형도.
도 6은 수평 딤 현상이 발생하는 원인을 설명하기 위한 도면.
도 7은 제2 실시 예에 의한 스테이지의 입력 신호를 나타내는 도면.
도 8은 제2 실시 예에 표시장치를 나타내는 도면.1 is a diagram showing the configuration of a display device according to the present invention.
2 is a diagram illustrating a shift register according to an embodiment;
3 is a diagram illustrating a stage of a shift register according to an embodiment;
4 is a diagram illustrating embodiments of an output unit;
Fig. 5 is a waveform diagram showing input and output signals of a stage;
6 is a view for explaining the cause of the horizontal dim phenomenon occurs.
7 is a view showing an input signal of a stage according to the second embodiment;
Fig. 8 is a view showing a display device according to a second embodiment;
이하 첨부된 도면을 참조하여 액정표시장치를 중심으로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with a focus on a liquid crystal display device with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. The names of components used in the following description are selected in consideration of the ease of writing the specification, and may be different from the names of the actual products.
도 1은 본 발명의 실시 예에 의한 표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(100), 타이밍 콘트롤러(110), 데이터 구동회로 및 게이트 구동회로(130,140)를 구비한다.1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , the display device of the present invention includes a
표시패널(100)은 서브 픽셀들이 형성되는 표시영역(100A)과 표시영역(100A)의 외측으로 각종 신호라인들이나 패드 등이 형성되는 비표시영역(100B)을 포함한다. 표시영역(100A)은 복수 개의 화소(P)를 포함하고, 각각의 화소(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시한다. 화소(P)들은 수평라인들 각각에 복수 개가 매트릭스 형태로 배치된다. 각각의 화소(P)들은 서로 직교하는 데이터라인(DL) 및 게이트라인(GL)이 교차하는 영역에 형성된다. 게이트라인(GL)은 제1 내지 제m(m은 자연수) 기수 게이트라인(GL_O1~GL_Om) 및 제1 내지 제m 우수 게이트라인(GL_E1~GL_Em)을 포함한다. 제i(i는 m 과 같거나 작은 자연수) 기수 게이트라인(GL_Oi) 및 제i 우수 게이트라인(GL_Ei)은 인접하여 배열된다. The
각 화소(P)는 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL)에 연결된 스위칭 소자(SW)를 통해 공급된 스캔신호에 대응하여 공급된 데이터신호(DATA)에 대응하여 동작하는 픽셀회로(PC)를 포함한다. 픽셀회로(PC) 및 스위칭 소자(SW)는 표시패널의 종류에 따라서 다른 형태로 구현될 수 있다.Each pixel P has a pixel circuit PC operating in response to the data signal DATA supplied in response to the scan signal supplied through the switching element SW connected to the gate line GL and the data line DL. includes The pixel circuit PC and the switching element SW may be implemented in different forms depending on the type of the display panel.
타이밍 콘트롤러(110)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 컴퓨터로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(110)는 호스트 컴퓨터로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC들(120)의 동작 타이밍과 데이터전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.The
스캔 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(VST), 기수 및 우수 게이트클럭(CLK_O,CLK_E), 후단신호(NEXT) 등을 포함한다. 게이트 스타트 펄스(VST)는 쉬프트 레지스터(130)에 입력되어 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 기수 및 우수 게이트클럭(CLK_O,CLK_E)은 레벨 쉬프터(150)를 통해 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터(130)에 입력된다. 후단신호(NEXT)는 쉬프트 레지스터(140)가 한 쌍의 기수 게이트펄스(Gout_O) 및 우수 게이트펄스(Gout_E)를 출력한 이후에 쉬프트 레지스터(140)의 각 노드를 초기화한다.The scan timing control signal includes a gate start pulse VST, odd and even gate clocks CLK_O and CLK_E, a rear end signal NEXT, and the like. The gate start pulse VST is input to the
데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 소스 드라이브 IC들(120)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC들(120) 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. The data timing control signal is a source start pulse (Source Start Pulse, SSP), a source sampling clock (SSC), a polarity control signal (Polarity, POL), and a source output enable signal (Source Output Enable, SOE), etc. includes The source start pulse SSP controls shift start timing of the
데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(120)들을 포함한다. 각 소스 드라이브 IC(120)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력받는다. 소스 드라이브 IC(120)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 게이트펄스에 동기되도록 표시패널(100)의 데이터라인들에 공급한다. The data driving circuit includes a plurality of
게이트 구동회로는 타이밍 콘트롤러(110)와 표시패널(100)의 게이트라인들 사이에 접속된 레벨 쉬프터(level shiftet)(130) 및 쉬프트 레지스터(140)를 구비한다.The gate driving circuit includes a
레벨 쉬프터(130)는 타이밍 콘트롤러(110)로부터 입력되는 기수 및 우수 게이트클럭들(CLK_O,CLK_E)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. The
쉬프트 레지스터(140)는 스타트펄스(VST)를 기수 및 우수 게이트클럭들(CLK_0,CLK_E)에 맞추어 쉬프트시켜 순차적으로 캐리신호와 게이트펄스(Gout)를 출력하는 스테이지들로 구성된다.The shift register 140 shifts the start pulse VST to match the odd and even gate clocks CLK_0 and CLK_E, and includes stages that sequentially output a carry signal and a gate pulse Gout.
게이트 구동회로는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 표시패널(100)의 하부 기판에 형성될 수 있다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(150)는 PCB(140)에 실장되고, 쉬프트 레지스터(130)는 표시패널(100)의 하부기판에 형성될 수 있다. The gate driving circuit may be formed on the lower substrate of the
도 2는 본 발명에 의한 쉬프트레지스터(140)를 나타내는 도면이다. 2 is a view showing the
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 게이트 쉬프트레지스터(140)는 종속적으로 접속된 제1 내지 제m 스테이지들(ST1~STm)을 구비한다. 제i 스테이지(STi)는 제i 기수 게이트펄스(Gout_Oi) 및 제i 우수 게이트펄스(Gout_Ei)를 출력한다. 이처럼 본 발명의 쉬프트 레지스터(140)는 각각의 스테이지들이 한 쌍의 게이트펄스를 출력하기 때문에 전체 게이트라인(GL)의 개수에 대비하여 절반의 스테이지만을 이용한다. 쉬프트 레지스터(140)는 도 1에서 보는 것처럼 표시패널(100)에서 표시영역(100A)의 외부에 형성될 수 있다. 즉, 표시패널(100)에서 소위 베젤 영역에 형성되는 쉬프트 레지스터(140)의 개수를 절반으로 줄일 수 있기 때문에 베젤 영역을 줄일 수 있다. Referring to FIG. 2 , the
게이트펄스는 표시장치의 게이트라인들에 인가됨과 동시에, 전단 스테이지와 후단 스테이지로 전달되는 캐리신호로 이용될 수 있다. The gate pulse may be applied to the gate lines of the display device and used as a carry signal transmitted to the previous stage and the subsequent stage.
이하의 설명에서 "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제i 스테이지(STi)을 기준으로, 전단 스테이지는 제1 스테이지(ST1) 내지 제(i-1) 스테이지(ST[i-1)) 중 어느 하나를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제i 스테이지(STi)을 기준으로, 후단 스테이지는 제(i+1) 스테이지(ST[i+1]) 내지 제m 스테이지 중 어느 하나를 지시한다.In the following description, the term "front stage" refers to being located above the stage as a reference. For example, with respect to the i-th stage STi, the previous stage indicates any one of the first stage ST1 to the (i-1)-th stage ST[i-1). The “rear stage” refers to being located below the stage as a reference. For example, with respect to the i-th stage STi, the subsequent stage indicates any one of the (i+1)-th stage ST[i+1] to the m-th stage.
도 3은 도 2에 i(i는 2<i<n인 자연수)스테이지의 구성을 나타내는 블록도이고, 도 4는 도 3에 도시된 출력부(133)의 실시 예를 나타내는 도면이다. 3 is a block diagram illustrating the configuration of the stage i (i is a natural number where 2 < i < n) in FIG. 2 , and FIG. 4 is a diagram illustrating an embodiment of the
도 3 및 도 4를 참조하면, 제i 스테이지(STi)는 노드 제어회로(NCON) 및 출력부(133)를 포함한다.3 and 4 , the i-th stage STi includes a node control circuit NCON and an
노드 제어회로(NCON)는 게이트 타이밍 제어신호를 입력받아서 Q노드(Q) 및 QB노드(QB)를 제어한다. Q노드(Q)의 전위는 출력부(133)의 풀업 트랜지스터(Tpu_O,Tpu_E)를 동작을 제어하고, QB노드(QB)의 전위는 출력부(133)의 풀다운 트랜지스터(Tpd_O,Tpd_E)의 전위를 제어한다. 노드 제어회로(NCON)는 Q노드(Q) 및 QB노드(QB)를 제어하기 위해서 스타트펄스(VST), 후단신호(NEXT), 고전위전압(VDD)을 제공받는다. 스타트펄스(VST)는 스테이지(ST)의 동작 개시를 제어하고, 후단신호(NEXT)는 스테이지(ST)의 동작 종료를 제어한다. 노드 제어회로(NCON)는 스타트펄스(VST) 및 후단신호(NEXT)의 제어에 의해서 Q노드(Q) 및 QB노드(QB)의 전위를 제어하여, 출력부(133)에 입력되는 기수 게이트클럭(CLK_O) 및 우수 게이트클럭(CLK_E)을 각각 기수 게이트펄스(Gout_O) 및 우수 게이트펄스(Gout_E)로 출력한다. 노드 제어회로(NCON)는 저전위전압(VSS)을 이용하여 각 노드를 초기화할 수 있다. 이때 저전위전압(VSS)은 게이트로우전압을 이용할 수 있고, 또는 회로 내의 쇼트(short) 현상 등을 개선하기 위해서 게이트로우전압 보다 낮은 전압을 이용할 수도 있다. The node control circuit NCON receives the gate timing control signal to control the Q node Q and the QB node QB. The potential of the Q node Q controls the operation of the pull-up transistors Tpu_O and Tpu_E of the
출력부(133)는 제1 및 제2 출력부(135,137)를 포함한다. 제1 출력부(135)는 기수 게이트펄스(Gout_O)를 출력하고, 제2 출력부(137)는 우수 게이트펄스(Gout_E)를 출력한다. The
제1 출력부(135)는 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O) 및 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd_O)를 포함한다. 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트전극은 Q 노드(Q)에 연결되고 제1 전극은 기수 게이트클럭(CLK_O)에 연결되며 제2 전극은 기수 출력단(no_O)에 연결된다. 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd_O)의 게이트전극은 QB 노드(QB)에 연결되고 제1 전극은 기수 출력단(no_O)에 연결되며 제2 전극은 저전위전압원(VSS)에 연결된다. The
제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)는 Q노드(Q)의 하이레벨전압에 응답하여 제1 전극을 통해서 제공받는 기수 게이트클럭(CLK_O)을 기수 게이트펄스(Gout)로 출력한다. 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd_O)는 QB노드(QB)의 하이레벨전압에 응답하여 기수 출력단(no_O)의 전압을 저전위전압(VSS)으로 방전한다.The first pull-up transistor Tpu_O outputs the odd gate clock CLK_O received through the first electrode as an odd gate pulse Gout in response to the high level voltage of the Q node Q. The first pull-down transistor Tpd_O discharges the voltage of the odd output terminal no_O to the low potential voltage VSS in response to the high level voltage of the QB node QB.
제2 출력부(137)는 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E) 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd_E)를 포함한다. 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 게이트전극은 Q 노드(Q)에 연결되고 제1 전극은 우수 게이트클럭(CLK_E)에 연결되며 제2 전극은 저전위전압원(VSS)에 연결된다. 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd_E)의 게이트전극은 QB 노드(QB)에 연결되고 제1 전극은 우수 출력단(no_E)에 연결되며 제2 전극은 저전위전압원(VSS)에 연결된다.The
제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)는 Q노드(Q)의 하이레벨전압에 응답하여 제1 전극을 통해서 제공받는 우수 게이트클럭(CLK_E)을 우수 게이트펄스(Gout_E)로 출력한다. 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd_E)는 QB노드(QB)의 하이레벨전압에 응답하여 우수 출력단(no_E)의 전압을 저전위전압(VSS)으로 방전한다.The second pull-up transistor Tpu_E outputs the even gate clock CLK_E received through the first electrode as an even gate pulse Gout_E in response to the high level voltage of the Q node Q. The second pull-down transistor Tpd_E discharges the voltage of the even output terminal no_E to the low potential voltage VSS in response to the high level voltage of the QB node QB.
도 5는 본 발명의 쉬프트레지스터를 구동하기 위한 파형 및 이에 따른 노드제어회로의 출력 파형을 나타내는 도면이다. 도 5를 참조하여 본 발명의 구동방법을 살펴보면 다음과 같다. 5 is a diagram illustrating a waveform for driving a shift register according to the present invention and an output waveform of the node control circuit according thereto. The driving method of the present invention will be described with reference to FIG. 5 as follows.
제1 기간(t1) 동안, 노드 제어회로(NCON)는 스타트펄스(VST)를 입력받아서 Q 노드(Q)를 충전한다. During the first period t1 , the node control circuit NCON receives the start pulse VST and charges the Q node Q.
제2 기간(t2) 동안, 제1 출력부(135)의 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)는 기수 게이트클럭(CLK_O)을 입력받고, 제2 출력부(137)의 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)는 우수 게이트클럭(CLK_O)을 입력받는다. 제2 기간(t2)은 기수 게이트펄스(Gout_O)의 출력 기간에 대응되기 때문에 1 수평주기(Horizontal Time) 이상으로 설정되고, 예컨대 게이트펄스의 오버랩(overlap) 구동을 위해서 2 수평주기 이상의 기간으로 설정될 수 있다. 기수 게이트클럭(CLK_O)은 제1 저전위전압(VSS1)과 하이레벨전압 간을 스윙한다. 제1 저전위전압(VSS1)은 게이트로우전압(VGL)을 이용할 수 있고, 하이레벨전압은 게이트하이전압(VGH)을 이용할 수 있다. 우수 게이트클럭(CLK_E)은 제2 저전위전압(VSS2)과 하이레벨전압 간을 스윙한다. 제2 저전위전압(VSS2)은 제1 저전위전압(VSS1) 보다 낮은 전압을 이용하고, 하이레벨전압은 게이트하이전압(VGH)을 이용할 수 있다.During the second period t2 , the first pull-up transistor Tpu_O of the
제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 제1 전극은 기수 게이트클럭(CLK_O)에 의해서 전압레벨이 높아지고, 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트전극은 제1 전극의 전압레벨이 높아지는 것에 따라서 부트 스트랩핑(bootstrapping)된다. 이처럼 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트전극이 부트 스트랩핑되는 과정에서 게이트-소스 전위가 문턱전압(Vth)에 도달할 때 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)는 턴-온된다. 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)는 턴-온 됨에 따라서, 제1 전극을 통해서 제공받는 기수 게이트클럭(CLK_O)을 기수 게이트펄스(Gout_O)로 출력한다. The voltage level of the first electrode of the first pull-up transistor Tpu_O is increased by the odd gate clock CLK_O, and the gate electrode of the first pull-up transistor Tpu_O is bootstrapped ( bootstrap). As described above, when the gate-source potential reaches the threshold voltage Vth while the gate electrode of the first pull-up transistor Tpu_O is bootstrapped, the first pull-up transistor Tpu_O is turned on. As the first pull-up transistor Tpu_O is turned on, it outputs the odd gate clock CLK_O provided through the first electrode as an odd gate pulse Gout_O.
제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 제1 전극은 우수 게이트클럭(CLK_E)에 의해서 전압레벨이 높아지고, 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 게이트전극은 제1 전극의 전압레벨이 높아지는 것에 따라서 부트 스트랩핑된다. 이처럼 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 게이트전극이 부트 스트랩핑되는 과정에서 게이트-소스 전위가 문턱전압(Vth)에 도달할 때 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)는 턴-온된다. 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)는 턴-온 됨에 따라서, 제1 전극을 통해서 제공받는 우수 게이트클럭(CLK_E)을 우수 게이트펄스(Gout_E)로 출력한다. The voltage level of the first electrode of the second pull-up transistor Tpu_E is increased by the even gate clock CLK_E, and the gate electrode of the second pull-up transistor Tpu_E is bootstrapped according to the increase of the voltage level of the first electrode. . As such, when the gate-source potential reaches the threshold voltage Vth while the gate electrode of the second pull-up transistor Tpu_E is bootstrapped, the second pull-up transistor Tpu_E is turned on. As the second pull-up transistor Tpu_E is turned on, it outputs the even gate clock CLK_E received through the first electrode as an even gate pulse Gout_E.
제2 기간(t2)의 종료 시점에 기수 게이트클럭(CLK_O)은 저전위로 반전되고, 이에 따라서 제1 출력부(135)는 기수 게이트펄스(Gout_O)를 출력하지 않는다. 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)가 기수 출력단(no_O)의 전위를 방전함에 따라서 부트 스트랩핑 된 게이트전극의 전위는 감소한다. 이에 따라서 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트전극에 연결되는 Q 노드(Q)의 전위 또한 'V1'에서 'V2'로 감소한다.At the end of the second period t2 , the odd gate clock CLK_O is inverted to a low potential, and accordingly, the
제3 기간(t3) 동안에 우수 게이트클럭(CLK_E)은 하이레벨 전압을 유지하여 제2 기간(t2)에 이어서 우수 게이트펄스(Gout_E)를 출력한다. 제3 기간은 우수 게이트펄스(Gout_E)를 이용하여 우수 게이트라인(GL_E)을 스캔하기 위한 기간이기 때문에 1 수평주기로 설정될 수 있다. During the third period t3, the even gate clock CLK_E maintains a high level voltage to output the even gate pulse Gout_E following the second period t2. Since the third period is a period for scanning the even gate line GL_E using the even gate pulse Gout_E, it may be set to one horizontal period.
제3 기간(t3) 종료 시점에 우수 게이트클럭(CLK_E)은 저전위로 반전되고, 제2 출력부(137)는 우수 게이트펄스(Gout_E)를 출력하지 않는다. 그리고 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)가 우수 출력단(no_E)의 전위를 방전함에 따라서 게이트전극의 전위는 감소한다. 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 게이트전위가 감소함에 따라서, 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 게이트전극에 연결되는 Q 노드(Q)의 전위 또한 'V2'에서 'V3'로 감소한다. At the end of the third period t3 , the even gate clock CLK_E is inverted to a low potential, and the
제3 기간(t3)이 종료되어 우수 게이트펄스(Gout_E)가 완전히 방전되도록 소정의 과도기 경과 후에, 제4 기간(t4) 동안에 후단신호(NEXT)는 노드 제어회로(NCON)에 제공되어 Q 노드(Q) 및 QB 노드(QB)를 초기화한다.After a predetermined transition period has elapsed so that the third period t3 ends and the even gate pulse Gout_E is completely discharged, the back-end signal NEXT is provided to the node control circuit NCON during the fourth period t4 to provide the Q node ( Q) and QB node (QB) are initialized.
기수 게이트클럭(CLK_O) 및 우수 게이트클럭(CLK_E)의 전압레벨이 하이레벨에서 로우레벨로 반전되는 타이밍은 게이트펄스의 폴링(falling) 시점을 결정한다. 즉, 기수 게이트클럭(CLK_O) 및 우수 게이트클럭(CLK_E)의 전압레벨이 하이레벨에서 로우레벨로 반전되는 동작이 늦어질수록 게이트펄스의 폴링 시점이 지연된다. 게이트클럭의 전압레벨이 반전되는 타이밍은 풀업 트랜지스터의 게이트-소스 전위에 반비례한다. 다시 말해서, 풀업 트랜지스터의 게이트-소스 전위차가 클수록 게이트클럭은 더 빠르게 하이레벨에서 로우레벨로 반전된다. 즉, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터의 게이트-소스 전위가 클수록 기수 및 우수 게이트펄스(Gout_O, Gout_E)의 폴링 시점이 빨라진다. The timing at which the voltage levels of the odd gate clock CLK_O and the even gate clock CLK_E are inverted from the high level to the low level determines the falling timing of the gate pulse. That is, as the voltage level of the odd gate clock CLK_O and the even gate clock CLK_E is inverted from the high level to the low level is delayed, the falling time of the gate pulse is delayed. The timing at which the voltage level of the gate clock is inverted is inversely proportional to the gate-source potential of the pull-up transistor. In other words, the greater the gate-source potential difference of the pull-up transistor, the faster the gate clock is inverted from the high level to the low level. That is, as the gate-source potentials of the first and second pull-up transistors increase, the odd and even gate pulses Gout_O and Gout_E fall earlier.
본 발명의 쉬프트 레지스터(140)는 우수 게이트클럭(CLK_E)의 제2 저전위전압(VSS2)을 기수 게이트클럭(CLK_O)의 제1 저전위전압(VSS1) 보다 낮은 전압으로 이용한다. 따라서 쉬프트 레지스터(140)는 우수 게이트클럭(CLK_E)의 폴링 시점을 빠르게 할 수 있기 때문에, 우수 게이트클럭(CLK_E)의 폴링 시점이 기수 게이트클럭(CLK_O)의 폴링 시점보다 지연되는 것을 방지한다. The
본 발명의 쉬프트 레지스터(140)가 기수 게이트펄스(Gout_O)의 폴링 시점 및 우수 게이트펄스(Gout_E)의 폴링 시점을 동기시키는 방법을 살펴보면 다음과 같다. A method in which the
기수 게이트클럭(CLK_O)은 제2 기간(t2)의 종료 시점에 하이레벨 전압에서 로우레벨 전압으로 반전된다. 이때, Q 노드(Q)의 전위는 제1 전압레벨(V1)에 해당한다. 즉, 기수 게이트클럭(CLK_O)이 폴링되는 순간의 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트전극의 전위는 제1 전압레벨(V1)이고, 소스전극인 제2 전극의 전위는 기수 게이트클럭(CLK_O)의 하이레벨 전위에 해당한다. 그리고 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 제2 전극의 전압은 기수 게이트클럭(CLK_O)의 전압레벨이 반전됨에 따라서 제1 저전위전압(VSS1)이 된다. The odd gate clock CLK_O is inverted from the high level voltage to the low level voltage at the end of the second period t2 . In this case, the potential of the Q node Q corresponds to the first voltage level V1. That is, the potential of the gate electrode of the first pull-up transistor Tpu_O at the moment when the odd gate clock CLK_O is polled is the first voltage level V1, and the potential of the second electrode serving as the source electrode is the odd gate clock CLK_O. It corresponds to the high-level potential of The voltage of the second electrode of the first pull-up transistor Tpu_O becomes the first low potential voltage VSS1 as the voltage level of the odd gate clock CLK_O is inverted.
이에 반해서, 우수 게이트클럭(CLK_E)은 제3 기간(t3)의 종료 시점에 하이레벨 전압에서 로우레벨 전압으로 반전된다. 이때, Q 노드(Q)의 전위는 제2 전압레벨(V2)에 해당한다. 즉, 우수 게이트클럭(CLK_E)이 폴링되는 순간의 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 게이트전극의 전위는 우수 게이트클럭(CLK_E)의 하이레벨 전위에 해당한다. 그리고 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 제2 전극의 전압은 우수 게이트클럭(CLK_E)의 전압레벨이 반전됨에 따라서 제2 저전위전압(VSS2)이 된다. In contrast, the even gate clock CLK_E is inverted from the high level voltage to the low level voltage at the end of the third period t3 . At this time, the potential of the Q node Q corresponds to the second voltage level V2. That is, the potential of the gate electrode of the second pull-up transistor Tpu_E at the moment when the even gate clock CLK_E is polled corresponds to the high level potential of the even gate clock CLK_E. The voltage of the second electrode of the second pull-up transistor Tpu_E becomes the second low potential voltage VSS2 as the voltage level of the even gate clock CLK_E is inverted.
이처럼 우수 게이트클럭(CLK_E)이 폴링되는 순간 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_E)의 게이트전극 전압은 기수 게이트클럭(CLK_O)이 폴링되는 순간 제1 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트전극 전압의 크기보다 전압레벨이 낮아진다. 본 발명은 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트전극 전압레벨이 낮아져서 게이트전극과 소스전극의 전위차이가 작아지는 것을 보상하기 위해서, 우수 게이트클럭(CLK_E)의 제2 저전위전압(VSS2)의 전압레벨을 제1 저전위전압(VSS1)의 전압레벨 보다 낮춘다. 이때 제2 저전위전압(VSS)의 전압레벨은 제1 저전위전압(VSS1)과 제2 저전위전압(VSS2)의 차이가 제1 전압레벨(VSS1)과 제2 전압레벨(VSS2)의 차이에 대응하도록 설정된다. As such, the gate electrode voltage of the second pull-up transistor Tpu_E at the moment when the even gate clock CLK_E is polled is higher than the gate electrode voltage of the first pull-up transistor Tpu_O at the moment the odd gate clock CLK_O is polled. lowers In the present invention, the voltage level of the second low potential voltage VSS2 of the even gate clock CLK_E is to compensate for the decrease in the potential difference between the gate electrode and the source electrode due to the decrease in the gate electrode voltage level of the second pull-up transistor Tpu_O. is lower than the voltage level of the first low potential voltage VSS1. At this time, the voltage level of the second low potential voltage VSS is the difference between the first low potential voltage VSS1 and the second low potential voltage VSS2 is the difference between the first voltage level VSS1 and the second voltage level VSS2 set to correspond to
이처럼 본 발명은 제2 풀업 트랜지스터(Tpu_O)의 게이트-소스전극 간의 전압레벨이 낮아지는 것을 보상함으로써, 우수 게이트클럭(CLK_E)의 폴링 시점이 지연되는 것을 방지한다. As described above, the present invention compensates for the lowering of the voltage level between the gate-source electrode of the second pull-up transistor Tpu_O, thereby preventing the delay of the falling timing of the even gate clock CLK_E.
본 발명의 쉬프트 레지스터(140)는 기수 게이트클럭(CLK_O)과 우수 게이트클럭(CLK_E)의 폴링 시점이 달라지는 것을 방지하여 인접하는 수평라인 간의 수평 딤 현상이 발생하는 것을 개선할 수 있다. 이를 살펴보면 다음과 같다. The
도 6에서와 같이, 화소(P)에 제공되는 데이터전압(Vdata)이 포화(saturation)될 때까지는 일정한 시간이 소요된다. 데이터전압(Vdata)이 포화되기 이전에 기수 게이트펄스(Gout_O) 및 우수 게이트펄스(Gout_E)가 폴링되면, 각각의 게이트펄스에 의한 데이터 충전 시간이 달라진다. 예컨대, 도면에서와 같이, 기수 게이트펄스(Gout_O) 및 우수 게이트펄스(Gout_E)의 폴링 시점이 '△tf' 만큼 차이난다면, 기수 게이트펄스(Gout_O)를 제공받는 화소와 우수 게이트펄스(Gout_E)를 제공받는 화소들은 '△V1'에 해당하는 만큼 데이터전압 충전량이 달라진다. 결국, 기수 수평라인의 화소들과 우수 수평라인의 화소들 간에는 '△V1'의 전압 차이만큼의 휘도 차이를 나타낸다. 이러한 휘도 차이는 결국 인접하는 수평라인 간에 수평-딤 현상을 야기한다. As shown in FIG. 6 , it takes a certain time until the data voltage Vdata provided to the pixel P is saturated. If the odd gate pulse Gout_O and the even gate pulse Gout_E are polled before the data voltage Vdata is saturated, the data charging time by each gate pulse is different. For example, as shown in the figure, if the falling times of the odd gate pulse Gout_O and the even gate pulse Gout_E are different by 'Δtf', the pixel receiving the odd gate pulse Gout_O and the even gate pulse Gout_E The data voltage charge amount is different for the pixels receiving 'ΔV1'. As a result, a luminance difference equal to the voltage difference of 'ΔV1' is displayed between the pixels on the odd horizontal line and the pixels on the even horizontal line. Such a luminance difference eventually causes a horizontal dim phenomenon between adjacent horizontal lines.
하지만, 본 발명에 의한 쉬프트 레지스터(140)는 우수 게이트펄스(Gout_E)의 폴링 시점이 지연되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 기수 게이트펄스(Gout_O) 및 우수 게이트펄스(Gout_E) 간의 폴링 시점이 달라지는 것을 방지할 수 있다. 따라서 기수 게이트펄스(Gout_O) 및 우수 게이트펄스(Gout_E) 간의 폴링 시점 차이로 인해서 수평 딤 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.However, since the
도 7은 제2 실시 예에 의한 게이트클럭의 파형을 나타내는 도면들이다. 제2 실시 예에서 전술한 실시 예와 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 자세한 설명을 생략하기로 한다. 7 is a diagram illustrating a waveform of a gate clock according to the second embodiment. In the second embodiment, a detailed description of a configuration substantially the same as that of the above-described embodiment will be omitted.
도 7을 참조하면, 기수 게이트클럭(CLK_O)은 제1 저전위전압(VSS)과 게이트하이전압(VGH) 사이를 스윙한다. 그리고 제1 우수 게이트클럭(CLK_E)은 제2 저전위전압(VSS2)과 게이트하이전압(VGH) 사이를 스윙하고, 제2 우수 게이트클럭(CLK_E)은 제3 저전위전압(VSS3)과 게이트하이전압(VGH) 사이를 스윙한다. 제3 저전위전압(VSS3)은 제2 저전위전압(VSS2)의 전압레벨 보다 낮은 전압레벨로 설정된다. Referring to FIG. 7 , the odd gate clock CLK_O swings between the first low potential voltage VSS and the gate high voltage VGH. And the first even gate clock CLK_E swings between the second low potential voltage VSS2 and the gate high voltage VGH, and the second even gate clock CLK_E is the third low potential voltage VSS3 and the gate high voltage. Swings between voltages (VGH). The third low potential voltage VSS3 is set to a voltage level lower than the voltage level of the second low potential voltage VSS2.
제1 우수 게이트클럭(CLK_1E)은 제1 패널블록(PB1)에 제공되고, 제2 우수 게이트클럭(CLK_2E)은 제2 패널블록(PB2)에 제공된다. 제1 패널블록(PB1)은 소스 드라이브 IC(120)와 가까운 위치에 있는 수평라인 그룹이고, 제2 패널블록(PB2)은 소스 드라이브 IC(120)로부터 멀리 위치한 수평라인 그룹이다. 제1 및 제2 패널블록(PB1,PB2) 각각에 포함되는 수평라인의 개수는 동일하지 않아도 무방하다.The first even gate clock CLK_1E is provided to the first panel block PB1 , and the second even gate clock CLK_2E is provided to the second panel block PB2 . The first panel block PB1 is a horizontal line group located close to the source drive
우수 게이트클럭(CLK_E)은 패널 하단부로 갈수록 패널 부하(load)로 인하여 딜레이 현상이 발생한다. 따라서 패널 하단부로 갈수록 우수 게이트클럭(CLK_E)의 폴링 시점이 지연되는 정도가 심해진다. The even gate clock CLK_E is delayed due to the panel load toward the lower end of the panel. Accordingly, the delay in the polling time of the even gate clock CLK_E becomes severe as it goes toward the lower part of the panel.
제2 실시 예는 제1 패널블록(PB1)에 제공되는 제1 우수 게이트클럭(CLK_1E)의 제2 저전위전압(VSS2) 보다 제2 패널블록(PB2)에 제공되는 제2 우수 게이트클럭(CLK_2E)의 제3 저전위전압(VSS3)을 낮게 설정하여, 패널 하단부로 갈수록 폴링 시점 편차가 크게 발생하는 것을 개선한다. In the second embodiment, the second even gate clock CLK_2E provided to the second panel block PB2 is higher than the second low potential voltage VSS2 of the first even gate clock CLK_1E provided to the first panel block PB1. ), the third low potential voltage VSS3 is set low to improve the occurrence of a large deviation in the polling timing toward the lower end of the panel.
도 7 및 도 8을 통해 설명되는 제2 실시 예에서, 패널블록의 개수 및 각 우수 게이트클럭(CLK_E)의 저전위전압은 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.Of course, in the second embodiment described with reference to FIGS. 7 and 8 , the number of panel blocks and the low potential voltage of each even gate clock CLK_E may be variously changed.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention can be changed to other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that this may be practiced. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the above detailed description. In addition, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.
100: 표시패널 110: 타이밍 콘트롤러
120: 데이터 구동부 130: 레벨 쉬프터
140: 쉬프트 레지스터100: display panel 110: timing controller
120: data driver 130: level shifter
140: shift register
Claims (10)
상기 게이트라인에 제공되는 게이트펄스를 출력하는 쉬프트레지스터를 포함하고,
상기 쉬프트레지스터는
Q 노드 및 QB 노드를 포함하는 노드 제어회로;
게이트전극이 상기 Q노드에 연결되고 제1 전극이 기수 게이트클럭을 제공받고 제2 전극이 기수 출력단에 연결되는 기수 풀업 트랜지스터; 및 게이트전극이 상기 QB 노드에 연결되고 제1 전극이 저전위전압원에 연결되며 제2 전극이 상기 기수 출력단에 연결되는 기수 풀다운 트랜지스터를 포함하여, 상기 기수 게이트클럭을 입력받아 상기 Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 기수 게이트펄스를 생성하는 제1 출력부; 및
게이트전극이 상기 Q노드에 연결되고 제1 전극이 우수 게이트클럭을 제공받고 제2 전극이 우수 출력단에 연결되는 우수 풀업 트랜지스터; 및 게이트전극이 상기 QB 노드에 연결되고 제1 전극이 저전위전압원에 연결되며 제2 전극이 상기 우수 출력단에 연결되는 우수 풀다운 트랜지스터를 포함하여 상기 우수 게이트클럭을 입력받아 상기 Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 우수 게이트펄스를 생성하는 제2출력부를 포함하고,
상기 기수 게이트클럭은 제1 저전위전압과 하이레벨전압 사이를 스윙하고,
상기 우수 게이트클럭은 상기 제1 저전위전압 보다 낮은 전압레벨인 제2 저전위전압과 상기 하이레벨전압 사이를 스윙하는 표시장치.
a display panel including a gate line; and
a shift register for outputting a gate pulse provided to the gate line;
The shift register is
a node control circuit including a Q node and a QB node;
an odd pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode receiving an odd gate clock, and a second electrode connected to an odd output terminal; and an odd pull-down transistor having a gate electrode connected to the QB node, a first electrode connected to a low potential voltage source, and a second electrode connected to the odd output terminal, receiving the odd gate clock input to receive the Q node and QB node a first output unit for generating odd gate pulses in response to the potential of ; and
an even pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode receiving an even gate clock, and a second electrode connected to an even output terminal; and an even pull-down transistor having a gate electrode connected to the QB node, a first electrode connected to a low potential voltage source, and a second electrode connected to the even output terminal. a second output unit for generating an even gate pulse in response to an electric potential;
The odd gate clock swings between a first low potential voltage and a high level voltage,
The even gate clock swings between a second low potential voltage that is a voltage level lower than the first low potential voltage and the high level voltage.
상기 노드 제어회로는
고전위전압을 이용하여 상기 Q 노드 및 QB 노드를 충전하며,
상기 제2 저전위전압을 이용하여 상기 Q 노드 및 QB 노드를 방전하는 표시장치.
The method of claim 1,
The node control circuit is
The Q node and the QB node are charged using a high potential voltage,
A display device for discharging the Q node and the QB node using the second low potential voltage.
상기 하이레벨전압은 게이트하이전압을 포함하고,
상기 제1 저전위전압은 게이트로우전압을 포함하고,
상기 제2 저전위전압은 상기 게이트로우전압보다 낮은 표시장치.
The method of claim 1,
The high level voltage includes a gate high voltage,
The first low potential voltage includes a gate low voltage,
The second low potential voltage is lower than the gate low voltage.
상기 게이트라인은 제1 내지 제m(m은 자연수) 기수 게이트라인 및 제1 내지 제m 우수 게이트라인을 포함하고, 상기 쉬프트 레지스터는 제1 내지 제m 쉬프트 레지스터를 포함하며,
상기 제1 내지 제i(i는 m이하의 자연수) 쉬프트 레지스터의 제2 출력부에 입력되는 제1 우수 게이트클럭은 상기 제2 저전위전압에서 상기 하이레벨전압 사이를 스윙하고,
제(i+1) 내지 제m 쉬프트 레지스터의 제2 출력부에 입력되는 제2 우수 게이트클럭은 상기 제2 저전위전압의 전압레벨 보다 낮은 제3 저전위전압에서 상기 하이레벨전압 사이를 스윙하는 표시장치.
The method of claim 1,
The gate lines include first to mth (m is a natural number) odd gate lines and first to mth even gate lines, and the shift register includes first to mth shift resistors,
The first even gate clock input to the second output unit of the first to i-th (i is a natural number less than or equal to m) shift register swings between the second low potential voltage and the high level voltage,
The second even gate clock input to the second output unit of the (i+1)th to mth shift registers swings between the third low potential voltage lower than the voltage level of the second low potential voltage and the high level voltage. display device.
상기 쉬프트 레지스터의 제1 출력부에 하이레벨전압의 기수 게이트클럭을 입력하여 기수 게이트펄스를 출력하는 제2 단계;
상기 쉬프트 레지스터의 제2 출력부에 하이레벨전압의 우수 게이트클럭을 입력하여 우수 게이트펄스를 출력하는 제3 단계;
상기 하이레벨전압의 기수 게이트클럭을 제1 저전위전압으로 방전하는 제4 단계; 및
상기 하이레벨전압의 우수 게이트클럭을 상기 제1 저전위전압 보다 낮은 전압레벨의 제2 저전위전압으로 방전하는 제5 단계를 포함하고,
상기 제1 출력부는,
게이트전극이 상기 Q노드에 연결되고 제1 전극이 상기 기수 게이트클럭을 제공받고 제2 전극이 기수 출력단에 연결되는 기수 풀업 트랜지스터; 및
게이트전극이 QB 노드에 연결되고 제1 전극이 저전위전압원에 연결되며 제2 전극이 상기 기수 출력단에 연결되는 기수 풀다운 트랜지스터를 포함하고,
상기 제2 출력부는,
게이트전극이 상기 Q노드에 연결되고 제1 전극이 상기 우수 게이트클럭을 제공받고 제2 전극이 우수 출력단에 연결되는 우수 풀업 트랜지스터; 및
게이트전극이 상기 QB 노드에 연결되고 제1 전극이 저전위전압원에 연결되며 제2 전극이 상기 우수 출력단에 연결되는 우수 풀다운 트랜지스터를 포함하는 표시장치의 구동방법.
a first step of charging the Q node of the shift register;
a second step of outputting an odd gate pulse by inputting an odd gate clock of a high level voltage to a first output unit of the shift register;
a third step of inputting an even gate clock of a high level voltage to a second output unit of the shift register and outputting an even gate pulse;
a fourth step of discharging the odd gate clock of the high level voltage to a first low potential voltage; and
a fifth step of discharging the even gate clock of the high level voltage to a second low potential voltage of a voltage level lower than the first low potential voltage;
The first output unit,
an odd pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode receiving the odd gate clock, and a second electrode connected to an odd output terminal; and
an odd pull-down transistor having a gate electrode connected to the QB node, a first electrode connected to a low potential voltage source, and a second electrode connected to the odd output terminal,
The second output unit,
an even pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode receiving the even gate clock, and a second electrode connected to an even output terminal; and
and an even pull-down transistor having a gate electrode connected to the QB node, a first electrode connected to a low potential voltage source, and a second electrode connected to the even output terminal.
상기 제2 단계에서 상기 Q 노드는 제1 전압레벨로 부트스트랩핑되고,
상기 제4 단계에서 상기 Q 노드는 제2 전압레벨로 감소될 때,
상기 제5 단계는,
상기 제2 저전위전압과 제3 저전위전압의 전압 차이가 상기 제1 전압레벨과 상기 제2 전압레벨의 전압 차이에 대응하도록 제3 저전위전압레벨을 설정하여 수행되는 표시장치의 구동방법.
8. The method of claim 7,
In the second step, the Q node is bootstrapped to a first voltage level,
When the Q node is reduced to a second voltage level in the fourth step,
The fifth step is
and setting a third low potential voltage level so that the voltage difference between the second low potential voltage and the third low potential voltage corresponds to the voltage difference between the first voltage level and the second voltage level.
상기 게이트라인에 제공되는 게이트펄스를 출력하는 쉬프트레지스터를 포함하고,
상기 쉬프트레지스터는
Q 노드 및 QB 노드를 포함하는 노드 제어회로;
제1 저전위전압에서 하이레벨전압 사이를 스윙하는 기수 게이트클럭을 제공받아서, 상기 Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 기수 게이트펄스를 생성하는 제1 출력부; 및
상기 제1 저전위전압 보다 낮은 전압레벨인 제2 저전위전압에서 상기 하이레벨전압 사이를 스윙하는 우수 게이트클럭을 제공받아서, 상기 Q 노드 및 QB 노드의 전위에 응답하여 우수 게이트펄스를 생성하는 제2 출력부를 포함하고,
상기 게이트라인은 제1 내지 제m(m은 자연수) 기수 게이트라인 및 제1 내지 제m 우수 게이트라인을 포함하고, 상기 쉬프트 레지스터는 제1 내지 제m 쉬프트 레지스터를 포함하며,
상기 제1 내지 제i(i는 m이하의 자연수) 쉬프트 레지스터의 제2 출력부에 입력되는 상기 우수 게이트클럭은 상기 제2 저전위전압에서 상기 하이레벨전압 사이를 스윙하고,
제(i+1) 내지 상기 제m 쉬프트 레지스터 중에서 적어도 어느 하나의 쉬프트 레지스터의 제2 출력부에 입력되는 상기 우수 게이트클럭은 제2 저전위전압의 전압레벨 보다 낮은 제3 저전위전압에서 상기 하이레벨전압 사이를 스윙하는 표시장치.a display panel including a gate line; and
a shift register for outputting a gate pulse provided to the gate line;
The shift register is
a node control circuit including a Q node and a QB node;
a first output unit receiving an odd gate clock swinging between a first low potential voltage and a high level voltage, and generating an odd gate pulse in response to potentials of the Q node and the QB node; and
a second low potential voltage, which is a voltage level lower than the first low potential voltage, which receives an even gate clock swinging between the high level voltage, and generates an even gate pulse in response to potentials of the Q node and QB node 2 comprising an output;
The gate lines include first to mth (m is a natural number) odd gate lines and first to mth even gate lines, and the shift register includes first to mth shift resistors,
The even gate clock input to the second output unit of the first to i-th (i is a natural number less than or equal to m) shift register swings between the second low potential voltage and the high level voltage,
The even gate clock input to the second output unit of at least one of the (i+1)-th to the m-th shift register is the high voltage at a third low potential voltage lower than the voltage level of the second low potential voltage. A display device that swings between level voltages.
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