KR102322248B1 - 저분자 형태의 산화규소 제조 방법, 식각 조성물 및 기판 식각 방법 - Google Patents
저분자 형태의 산화규소 제조 방법, 식각 조성물 및 기판 식각 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102322248B1 KR102322248B1 KR1020190099515A KR20190099515A KR102322248B1 KR 102322248 B1 KR102322248 B1 KR 102322248B1 KR 1020190099515 A KR1020190099515 A KR 1020190099515A KR 20190099515 A KR20190099515 A KR 20190099515A KR 102322248 B1 KR102322248 B1 KR 102322248B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon oxide
- low molecular
- etching composition
- degrees celsius
- less
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 56
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title 2
- 150000003384 small molecules Chemical group 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 39
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
본 발명은 저분자 형태의 산화규소 제조 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 저분자 형태의 산화규소 제조 방법은, 규소(Si)를 포함하는 제1 물질과 제2 물질을 혼합하여 혼합물을 생성하는 단계와; 상기 혼합물로부터 반응물을 생성하는 단계와; 상기 반응물을 추출하여 추출물을 생성하는 단계와; 상기 추출물로부터 저분자 형태의 산화규소를 생성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 저분자 형태의 산화규소 제조 방법, 식각 조성물 및 기판 식각 방법에 관한 것이다.
실리콘 질화막의 습식 식각을 위해서는 150 내지 170℃로 가열된 인산을 이용하여 실리콘 질화막을 습식 식각한다. 하지만, 실리콘 질화막과 실리콘 산화막이 교대로 적층되어 있을 경우 가열된 인산은 실리콘 질화막과 실리콘 산화막의 선택비가 낮아 디바이스의 구성에 저해요소가 된다.
상술한 문제를 극복하기 위하여 인산에 규소 포함 물질이 분산된 용액을 인산을 섞으나, 일반적인 규소 포함 물질은 1000℃이상의 온도에서 제조하여 구조가 매우 단단한 특성이 있다. 이렇게 제도된 규소 포함 물질은 200℃ 이상의 인산에서도 거의 녹지 않는다. 규소 포함 물질의 예로는 Si3N4가 있다.
이 외에도 헥사 플루오르 규산을 첨가한 인산이 제안되어 있다. 그러나 헥사 플루오르 규산을 첨가한 경우 식각 조성물로부터 불용성의 규소 화합물의 석출이 빠르기 때문에 산화규소의 데미지를 충분히 줄일 정도로 헥사 플루오르 규산을 첨가할 수 없고, 공업적에 사용하기에는 문제가 있다.
또한, 100℃ 이하의 온도로 질화 규소를 에칭하는 방법으로서, 인산, 불화 수소산, 질산으로 되는 식각 조성물에 플루오르 규산 또는 플루오르 규산염을 첨가하는 방법이 제안되어 있다. 그러나 인산에 불화 수소산 및 질산을 첨가한 식각 조성물에서는 실리콘 산화막의 데미지가 크고, 반도체 프로세스에 이용하기에는 문제가 있다. 특히 인산에 불화 수소산 및 질산을 더한 조성물을 고온으로 이용하는 경우 실리콘 산화막의 데미지가 더욱 현저하다.
본 발명은 석출 현상 없이 높은 농도까지 인산에 산화규소를 녹일 수 있는 저분자 형태의 산화규소 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 실리콘 질화막과 실리콘 산화막이 혼재 또는 교대로 적층되어 있는 경우, 기존 제안된 산화규소를 인산 첨가하여 만든 기능성 인산보다 높은 선택비와 빠른 반응속도를 갖는 식각 조성물 및 기판 식각 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 저분자 형태의 산화규소 제조 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 저분자 형태의 산화규소 제조 방법은, 규소(Si)를 포함하는 제1 물질과 제2 물질을 혼합하여 혼합물을 생성하는 단계와; 상기 혼합물로부터 반응물을 생성하는 단계와; 상기 반응물을 추출하여 추출물을 생성하는 단계와; 상기 추출물로부터 저분자 형태의 산화규소를 생성하는 단계를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 반응물을 생성하는 단계는, 제1 온도로 제1 시간 동안 가열하여 반응물을 생성하는 단계일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 온도는 섭씨 30도 이상 150도 이하일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 시간은 10분 이상 5시간 이하일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 추출물을 생성하는 단계는, 상기 반응물을 상분리시켜 추출물을 생성하는 단계일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 저분자 형태의 산화규소를 생성하는 단계는 제2 온도로 제2 시간 동안 가열하여 저분자 형태의 산화규소를 생성하는 단계일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 온도는 섭씨 70도 이상 250도 이하일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 시간은 10분 이상 10시간 이하일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 물질은 알킬기가 제공되는 규소 화합물일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 물질은 하기 [화학식1]로 표시될 수 있다.
[화학식1]
(R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1개 이상의 탄소를 포함하는 CnH2n+1, n은 1이상의 정수)
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 물질은 Si(CH3(CH2)xOH)y (x는 0 및 1 이상의 정수, y는 1이상의 정수)일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 물질은 TMOS(Tetramethyl orthosilicate) 또는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 중 어느 하나 이상일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 물질은 용매일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 물질은 물일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1 물질과 제2 물질의 혼합비는 1:1 내지 1:10 몰비율인
또한, 본 발명은 식각 조성물을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 식각 조성물은, 상술한 제조 방법에 따라 제조된 저분자 형태의 산화규소와; 인산을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 저분자 형태의 산화규소는 5000 ppm 이상 포함될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 저분자 형태의 산화규소는 500 ppm 이상 포함될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 계면활성제 또는 첨가제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 계면활성제 또는 상기 첨가제 중 어느 하나 이상은 0wt% 초과 10wt%를 이하로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 식각 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 식각 방법은, 상술한 식각 조성물을 섭씨 150도 이상 300도 이하로 가열하는 단계와; 상기 가열된 식각 조성물을 피처리 기판에 공급하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 석출 현상 없이 높은 농도까지 인산에 산화규소를 녹일 수 있는 저분자 형태의 산화규소를 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 실리콘 질화막과 실리콘 산화막이 혼재 또는 교대로 적층되어 있는 경우, 높은 선택비와 빠른 반응속도를 갖는 식각 조성물 및 기판 식각 방법을 얻을 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 저분자 형태의 산화규소의 제조 방법에 따른 플로우 차트를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 저분자 형태의 산화규소의 제조 방법에 따른 플로우 차트를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 저분자 형태의 산화규소의 제조 방법은, 규소(Si)를 포함하는 제1 물질과 제2 물질을 혼합하여 혼합물을 생성하는 단계(S110)와, 혼합물로부터 반응물을 생성하는 단계(S120)와, 반응물을 추출하여 추출물을 생성하는 단계(S130)와, 추출물로부터 저분자 형태의 산화규소를 생성하는 단계(S140)를 포함한다.
규소(Si)를 포함하는 제1 물질과 제2 물질을 혼합하여 혼합물을 생성하는 단계(S110)에 따른 일 실시 예에 있어서, 제1 물질은 알킬기가 제공되는 규소 화합물이다. 일 예로, 제1 물질은 [화학식1]로 표시되는 규소 화합물을 포함한다.
[화학식1]
위 화학식 1에서 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1개 이상의 탄소를 포함하는 알킬기로서, CnH2n+1로 표시되고 n은 1이상의 정수로 표현된다. R1, R2, R3 및 R4는 모두 같은 알킬기로 제공될 수 있다. 제1 물질은 TMOS(Tetramethyl orthosilicate) 또는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 중 어느 하나 이상일 수 있다.
또한, 제1 물질은 Si(CH3(CH2)xOH)y 의 [화합식2]로 표시되는 물질일 수 있다. [화학식2]에서 x는 0 및 1 이상의 정수이고, y는 1이상의 정수일 수 있다.
제2 물질은 용매로 제공될 수 있다. 용매의 일예로서 물이 제공될 수 있다.
제1 물질과 제2 물질의 혼합비는 1:1 내지 1:10 몰비율이다. 보다 바람직하게는 제1 물질과 제2 물질의 혼합비는 1:1 내지 1:8 몰비율이다.
혼합물로부터 반응물을 생성하는 단계(S120)에 따른 일 실시 예에 있어서, 제1 온도로 제1 시간 동안 가열하여 반응물을 생성한다. 반응물을 형성하기 위하여 가열교반 할 수 있다. 일 실시 예에 따른 제1 온도는 섭씨 30도 이상 150도 이하일 수 있다. 보다 바람직하게는 섭씨 50도 이상 120도 이하 일 수 있다. 일 실시 예에 따른 제1 시간은 10분 이상 5시간 이하일 수 있다. 보다 바람직하게는 30분 이상 5시간 이하일 수 있다.
반응물을 추출하여 추출물을 생성하는 단계(S130)에 따른 일 실시 예에 있어서, 반응물을 상분리시켜 추출물을 생성할 수 있다.
추출물로부터 저분자 형태의 산화규소를 생성하는 단계(S140)에 따른 일 실시 예에 있어서, 제2 온도로 제2 시간 동안 가열한다. 일 실시 예에 있어서, 제2 온도는 섭씨 70도 이상 250도 이하이다. 보다 바람직하게 제2 온도는 섭씨 100도 이상 200도 이하이다. 일 실시 예에 있어서, 제2 시간은 10분 이상 10시간 이하이다. 보다 바람직하게 제2 시간은 30분 이상 10시간 이하이다. 일 실시 예에 있어서, 추출물로부터 저분자 형태의 산화규소를 생성하기 위하여 가열 교반한다. 산화규소는 SiO2 일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
상술한 방법에 의해 제조된 산화규소는 저분자 형태로 제공된다.
식각 조성물은 인산과 상술한 방법을 통해 제조된 저분자 형태의 산화규소를 포함한다. 상술한 방법에 의해 제조된 산화규소는 결정이 단단하지 않음에 따라, 고온의 인산에 잘 용해된다.
식각 조성물은 식각 조성물 전체에 대하여 저분자 형태의 산화규소를 500ppm 이상 포함한다. 보다 바람직하게는 식각 조성물은 식각 조성물 전체에 대하여 저분자 형태의 산화규소를 5000 ppm 이상 포함한다. 식각 조성물은 인산 및 저분자 형태의 산화규소 이외에 나머지 함량의 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 용매는 물일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 식각 조성물은 계면활성제 또는 첨가제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 계면활성제 또는 첨가제 중 어느 하나 이상은 식각 조성물 전체에 대하여 0wt% 초과 10wt%를 이하로 포함될 수 있다. 첨가제는 분산제 일 수 있다.
상술한 방법에 따라 제조된 식각 조성물은 실리콘 질화막과 실리콘 산화막이 혼재 또는 교대로 적층된 기판의 처리에 사용된다. 먼저, 인산과 저분자 형태의 산화규소를 혼합한 식각 조성물을 준비하고(S210), 식각 조성물은 섭씨 150도 이상 300도 이하로 가열된다(S220). 가열된 식각 조성물은 피처리 기판에 대하여 공급된다(S230). 식각 조성물은 저분자 형태의 산화규소를 포함함에 따라 고온으로 가열된 인산이 상기 실리콘 산화막을 식각하는 것을 예방할 수 있어 상기 실리콘 질화막을 선택적으로 식각할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 식각 조성물은 매엽식 및 배치식 설비들에서 사용 가능하다.
본 발명의 실시 예에 따른 식각 조성물을 사용한 실리콘 질화막 식각 속도는 200Å/min이상이고, 선택비(실리콘 질화막:실리콘 산화막)는 100:1 이상의 특성을 나타낸다.
본 발명의 실시 예에 따라 제조된 저분자 형태의 산화규소는 결정 구조적 특성으로 인해 고온 인산에 녹일 경우 석출 현상 없이 높은 농도까지 녹일 수 있으며, 높은 농도로 용해된 저분자 형태의 산화규소를 포함하는 식각 조성물은 높은 선택비를 갖는다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (21)
- 규소(Si)를 포함하는 제1 물질과 제2 물질을 혼합하여 혼합물을 생성하는 단계와;
섭씨 30도 이상 150도 이하인 제1 온도로 제1 시간 동안 가열하여 상기 혼합물로부터 반응물을 생성하는 단계와;
상기 반응물을 상분리시켜 추출물을 생성하는 단계와;
섭씨 70도 이상 250도 이하인 제2 온도로 제2 시간 동안 가열하여 상기 추출물로부터 저분자 형태의 산화규소를 생성하는 단계를 포함하는 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 시간은 10분 이상 5시간 이하인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 제2 시간은 10분 이상 10시간 이하인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 물질은 알킬기가 제공되는 규소 화합물인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 물질은 하기 [화학식1]로 표시되는 저분자 형태의 산화규소 제조 방법.
[화학식1]
(R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1개 이상의 탄소를 포함하는 CnH2n+1, n은 1이상의 정수) - 제1 항에 있어서,
상기 제1 물질은 Si(CH3(CH2)xOH)y (x는 0 및 1 이상의 정수, y는 1이상의 정수)인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 물질은 TMOS(Tetramethyl orthosilicate) 또는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate) 중 어느 하나 이상인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 물질은 용매인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 물질은 물인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
제1 물질과 제2 물질의 혼합비는 1:1 내지 1:10 몰비율인 저분자 형태의 산화규소 제조 방법. - 제1 항에 따른 저분자 형태의 산화규소와;
인산을 포함하는 식각 조성물. - 제16 항에 있어서,
저분자 형태의 산화규소는 5000 ppm 이상 포함되는 식각 조성물. - 제16 항에 있어서,
저분자 형태의 산화규소는 500 ppm 이상 포함되는 식각 조성물. - 제16 항에 있어서,
계면활성제 또는 첨가제 중 하나 이상을 더 포함하는 식각 조성물. - 제19 항에 있어서, 상기 계면활성제 또는 상기 첨가제 중 어느 하나 이상은 0wt% 초과 10wt%를 이하로 포함되는 식각 조성물.
- 제16 항에 따른 식각 조성물을 섭씨 150도 이상 300도 이하로 가열하는 단계와;
상기 가열된 식각 조성물을 피처리 기판에 공급하는 단계를 포함하는 기판 식각 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190099515A KR102322248B1 (ko) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 저분자 형태의 산화규소 제조 방법, 식각 조성물 및 기판 식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190099515A KR102322248B1 (ko) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 저분자 형태의 산화규소 제조 방법, 식각 조성물 및 기판 식각 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210021175A KR20210021175A (ko) | 2021-02-25 |
| KR102322248B1 true KR102322248B1 (ko) | 2021-11-09 |
Family
ID=74731273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190099515A KR102322248B1 (ko) | 2019-08-14 | 2019-08-14 | 저분자 형태의 산화규소 제조 방법, 식각 조성물 및 기판 식각 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102322248B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018108903A (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-12 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ粒子分散液及びその製造方法 |
| JP2019116396A (ja) | 2017-12-26 | 2019-07-18 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系粒子分散液及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100400355B1 (ko) * | 2001-03-16 | 2003-10-04 | 한국과학기술연구원 | 역 마이셀과 졸―겔 공정을 이용한 나노 크기 실리카분말의 제조방법 |
| JP6918825B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2021-08-11 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ | 改質沈降シリカの製造方法および改質沈降シリカを含有する組成物 |
| KR102284211B1 (ko) * | 2017-04-18 | 2021-08-03 | 오씨아이 주식회사 | 식각 용액의 제조 방법 |
| KR102495512B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2023-02-06 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
-
2019
- 2019-08-14 KR KR1020190099515A patent/KR102322248B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018108903A (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-12 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ粒子分散液及びその製造方法 |
| JP2019116396A (ja) | 2017-12-26 | 2019-07-18 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系粒子分散液及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210021175A (ko) | 2021-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101097275B1 (ko) | 실리콘질화막에 대한 고선택비 식각용 조성물 | |
| US7989257B2 (en) | Polysilazane, method of synthesizing polysilazane, composition for manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device using the composition | |
| JP2022078087A (ja) | 窒化ケイ素含有基板をエッチングするための組成物および方法 | |
| CN109841511B (zh) | 绝缘层蚀刻剂组合物和使用其形成图案的方法 | |
| JP6059155B2 (ja) | 印刷可能な酸化アルミニウムインクの処方物 | |
| CN110628435B (zh) | 氮化硅膜蚀刻组合物 | |
| CN110551503A (zh) | 用于湿法蚀刻氮化硅的组合物 | |
| TWI794500B (zh) | 蝕刻劑組合物、蝕刻絕緣膜的方法、製造半導體裝置的方法、及矽烷化合物 | |
| JP2003518741A (ja) | 浅いトレンチ（ｓｔｉ）プロセスにおけるトレンチ拡散コーナの丸め | |
| TWI710668B (zh) | 用於氮化矽層的蝕刻組成物及用於蝕刻半導體裝置的方法 | |
| JPWO2020166702A5 (ko) | ||
| KR101243339B1 (ko) | 폴리실라잔 용액의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 폴리실라잔 용액 | |
| TWI792354B (zh) | 用於蝕刻氧化矽的水溶液和方法 | |
| KR102322248B1 (ko) | 저분자 형태의 산화규소 제조 방법, 식각 조성물 및 기판 식각 방법 | |
| US10920142B2 (en) | Polysiloxane-based compound, silicon nitride layer etching composition including the same | |
| US20200017716A1 (en) | Chemical-mechanical polishing solution having high silicon nitride selectivity | |
| KR102084164B1 (ko) | 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정 | |
| JP4839968B2 (ja) | レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 | |
| KR102441238B1 (ko) | 실리콘 질화막에 대한 선택적 에칭을 위한 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 | |
| KR102335965B1 (ko) | 실리콘 질화막 식각 조성물 | |
| KR102194975B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 | |
| KR102629575B1 (ko) | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| JP2020198430A (ja) | エッチング組成物、これを用いた絶縁膜エッチング方法及び半導体素子の製造方法、並びに新規化合物 | |
| TWI837418B (zh) | 蝕刻組合物、使用彼蝕刻半導體元件之絕緣膜的方法、以及製備半導體元件的方法 | |
| KR20200080835A (ko) | 식각 조성물, 이를 이용한 절연막의 식각방법 및 반도체 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |