KR102297750B1 - 고품질 SiC 단결정 성장방법 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 SiC 단결정 성장 방법에 관한 것으로 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계; 상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계; 상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및 상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계를 포함하고, 상기 제2단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0.15 미만으로 하는, SiC 단결정 성장 방법에 관한 것이다.

Description

고품질 SiC 단결정 성장방법 {METHOD OF HIGH QUALITY SILICON CARBIDE CRYSTAL GROWTH}
본 개시는 고품질 SiC 단결정을 성장시키는 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 개시는 고품질 SiC 단결정을 얻기 위하여 성장 단계의 조건을 제어하여 SiC 단결정을 성장시키는 방법에 관한 것이다.
대표적인 반도체 소자 재료로 사용된 규소(Si)가 물리적 한계를 보이게 됨에 따라, 차세대 반도체 소자 재료로서 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 및 질화알루미늄(AlN) 등의 광대역 반도체 재료가 각광을 받고 있다.
여기에서, 질화갈륨, 질화알루미늄에 비해 탄화규소는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한 탄화규소는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 6인치 이상의 대구경 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있어, 질화갈륨, 질화알루미늄등의 가판에 비해 각광을 받고 있다.
한편, 전력반도체 소자에 사용되는 SiC 기판(특히 4H-SiC 기판)의 결함은 소자 수율 및 신뢰성에 직접적으로 영향을 끼치므로 결함이 적은 고품질 기판의 수요가 급증하고 있다.
따라서 이러한 결함을 줄이기 위해 고순도의 소모재를 사용하며, 결함의 생성 메커니즘에 대하여 연구하는 등 다양한 시도가 이루어 지고 있다.
SiC 단결정 초기 성장 단계를 제어하여 SiC 단결정 성장시 생성되는 결함 발생을 최소화 하여 고품질 SiC 단결정 성장방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 구현예에 의한 SiC 단결정은 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향으로 전체 SiC 단결정 길이의 1 내지 3%의 위치에서 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하일 수 있다.
상기 SiC 단결정은 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향의 400 ㎛ 위치에서 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하일 수 있다.
상기 종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛ 위치와 300 ㎛ 위치에서의 하기 식 1에 따른 질소 농도 변화율이 15% 이하일 수 있다.
[식 1]
질소 농도 변화율=(종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛의 질소 농도 - 종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 300 ㎛의 질소 농도)/(종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛의 질소 농도)
상기 SiC 단결정은 SiC 단결정 결함인 TD (treading dislocation)를 20% 이하의 비율로 포함할 수 있다.
상기 종자정과 SiC 단결정 사이의 계면을 기준으로 질소 농도 차이의 절대값이 1.6 X 1019 미만일 수 있다.
본 발명 일 구현예에 의한 SiC 단결정 성장 방법은 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계; 상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계; 상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및 상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계를 포함하고, 상기 제2단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 할 수 있다.
상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계;에서 반응기 내부 온도를 성장 온도까지 완전히 승온시킨 후, 상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계;에서 추가의 승온 없이 성장 압력까지 감압할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 단계 전체에 걸쳐 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 균일하게 유지할 수 있다.
상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서 상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만일 수 있다.
본 개시 일 구현예에 의한 SiC 단결정 성장 방법은 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계; 상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 까지 승온시키는 제1단계; 상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및 상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계를 포함하고, 상기 제2단계는 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0에서 0.15 미만까지 증가시키는 단계일 수 있다.
상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서 상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만일 수 있다.
본 개시 일 구현예에 의한 SiC 단결정 성장 방법은 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계; 상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 미만으로 승온시키는 제1단계; 상기 승온된 반응기를 성장 온도까지 승온시키며 동시에 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및 상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계를 포함하고, 상기 제2단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 할 수 있다.
상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서 상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만일 수 있다.
상기 제1 내지 제3 단계 전체에 걸쳐 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 일정하게 유지하는 것일 수 있다.
상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계;에서 상기 성장 온도는 2000 내지 2300℃일 수 있다.
상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계;에서 상기 성장 압력은 0.2 내지 40 torr일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 초기 성장시의 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 제어함으로써 고품질 SiC 단결정을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 성장 계면의 결함 밀도가 낮은 고품질 SiC 단결정 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명 일 실시예에 의한 고품질 SiC 단결정 성장방법에 이용되는 SiC 단결정 제조장치를 도시한 것이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명 일 실시예의 조건으로 성장한 SiC 단결정의 절단면 이미지와 절단면의 결함 밀도를 측정한 이미지이다.
도 6 내지 도 7은 본 발명 일 비교예의 조건으로 성장한 SiC 단결정의 절단면 이미지와 절단면의 결함 밀도를 측정한 이미지이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명 일 실시예와 비교예의 시간에 따른 성장온도, 압력, 질소가스 주입비의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명 일 비교예의 조건으로 성장한 SiC 단결정의 절단면의 결함을 관찰한 이미지 이다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.
여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 또는 "상에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 또는 상에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.
또한, 특별히 언급하지 않는 한 %는 중량%를 의미하며, 1ppm 은 0.0001중량%이다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
SiC 단결정에 발생할 수 있는 결함은 종자정으로부터 전이되는 것과, 종자정과 SiC 단결정 사이 계면에서 단결정 성장에 따라 신규하게 발생하는 결함이 있다. 본 개시에서 지칭하는 결함은 종자정과 SiC 단결정 사이 계면에서 신규하게 발생하는 결함을 지칭한다.
SiC 단결정의 결함에는 TD (Treading Dislocation)과 BPD (Basal Plane Dislocation)이 있다. TD (Treading Dislocation)는 단결정 성장 방향으로 진행, 즉 종자정 평면방향에 수직으로 성장하는 결함으로, 그 종류로 TSD (Treading Screw Dislocation)과 TED (Treading Edge Dislocation)가 있다. BPD (Basal Plane Dislocation)는 SiC 단결정 성장방향에 수직, 즉 종자정 평면 방향에 수평하게 성장하는 결함이다.
본 개시는 SiC 단결정 제조시 초기 성장 단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))을 제어하여 결함 생성을 저감하고자 하는 것이다. 이때, 본 개시의 초기 성장 단계라 함은, 성장 장치의 반응기(510) 내부의 압력을 성장 압력으로 감압하여 원료 물질을 승화시켜 SiC 단결정 성장을 개시하는 단계이다. 본 개시에서는 SiC 단결정 제조시 초기 성장 단계의 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar)) 제어 확인을 종자정 위로 성장된 SiC 단결정의 위치 별로 질소의 농도를 측정하여 확인하였다. 초기 성장 단계시에 성장된 것으로 볼 수 있는 SiC 단결정은 종자정으로부터 약 400 ㎛ 까지 이다.
또한, SiC 기판은 전력 소자용으로 사용되는데, 이때 SiC 단결정은 비저항 값이 0.015 내지 0.022 Ω-cm인 N-type의 단결정으로 제조될 필요가 있어 도핑 가스와 불활성 가스의 유량을 제어하게 된다. 본 개시에서는 제조 단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 제어할 수 있다.
이하, 각 단계에 대하여 구체적으로 살펴본다.
본 개시 일 구현예의 SiC 단결정 성장 방법은, 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계; 상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계; 상기 승온된 반응기를 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및 상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계를 포함할 수 있다.
상기 제2단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 할 수 있다. 구체적으로, 상기 질소 가스 주입비는 0.01 내지 0.14, 보다 구체적으로 0.0375 내지 0.1, 더욱더 구체적으로 0.0375 내지 0.075로 할 수 있다. 질소 가스 주입비가 0.15 이상인 경우에는 종자정과 성장되는 SiC 단결정 사이 계면에서 고농도 질소가 도핑되어 종자정에 결함이 발생되고 비저항 값이 0.015 Ω-cm 미만이 되는 문제가 있을 수 있다.
상기 제1단계에서 반응기 내부 온도를 성장 온도까지 승온 시킨 후, 상기 제2단계에서 추가의 승온 없이 성장 압력까지 감압시킬 수 있다.
상기 제1 내지 제3 단계 전체에 걸쳐 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.015 미만으로 균일하게 유지할 수 있다. 제1 내지 제3단계에 걸쳐 질소 가스 주입비를 균일하지 않고 중간에 주입비를 늘리는 경우에는 SiC 단결정 내에 짧게 휘어지는 전위와 결함 BPD (Basal Plane Dislocation)가 발생될 우려가 있다.
상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서 상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만일 수 있다. 구체적으로는 3.0X1018 내지 1.0X1019 atoms/cm3, 보다 구체적으로는 5.0X1018 내지 7.0X1018 atoms/cm3 일 수 있다. 종자정 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 를 초과하는 경우에는 종자정과 계면에서의 질소 농도 차이가 크고, 이때 생성된 결함 TD의 밀도가 높게 나타나는 문제가 있을 수 있다.
본 개시 일 구현예의 SiC 단결정 성장 방법은, 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계; 상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 까지 승온시키는 제1단계; 상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및 상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계를 포함할 수 있다.
상기 제2단계는 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0에서 0.15 미만까지 증가시킬 수 있다. 즉, 반응기를 승온시키는 단계에서는 질소 가스를 주입하지 않다가, 이후 초기 성장 단계에 대항하는 감압 단계 제2 단계에서 질소 가스를 주입하기 시작하여 목적하는 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 달성할 수 있다.
상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서 상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만일 수 있다. 구체적인 설명은 상기 설명된 것과 동일하여 생략한다.
본 개시 일 구현예의 SiC 단결정 성장 방법은, 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계; 상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 미만으로 승온시키는 제1단계; 상기 승온된 반응기를 성장 온도까지 승온시키며 동시에 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및 상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계를 포함할 수 있다. 즉, 반응기 내부 온도를 승온시키는 제1단계에서 성장 온도까지 승온시키지 않고 성장온도 미만까지만 승온시킬 수 있다. 이후 초기 성장 단계인 감압 단계 제2단계에서 대기압에서 성장 압력까지 감압함과 동시에 성장온도까지 반응기 내부 온도를 승온시킬 수 있다.
상기 제2단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 할 수 있다. 구체적인 설명은 상기 설명된 것과 동일하여 생략한다.
상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서 상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만일 수 있다. 구체적인 설명은 상기 설명된 것과 동일하여 생략한다.
상기 제1 내지 제3 단계 전체에 걸쳐 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 일정하게 유지시킬 수 있다. 구체적인 설명은 상기 설명된 것과 동일하여 생략한다.
상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계;에서 상기 성장 온도는 2000 내지 2300℃일 수 있다.
상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계;에서 상기 성장 압력은 0.2 내지 40 torr일 수 있다. 구체적으로 상기 성장 압력은 0.2 내지 20 torr일 수 있다.
본 개시 일 구현예에 의하여 성장된 SiC 단결정의 총 길이는 반응기(510)내에 장입된 SiC 분말(A)의 양에 의하며, 내부 온도 변화에 따라 일정 수준까지 성장하여 총 길이를 결정하게 된다. 본 개시의 SiC 단결정의 총 길이는 15 내지 25 mm일 수 있다.
본 개시 일 구현예에 의하여 성장된 SiC 단결정은 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향으로 전체 SiC 단결정 길이의 1 내지 3%의 위치에서 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하일 수 있다. 구체적으로, 전체 SiC 단결정 길이의 1.5 내지 2.7%의 위치에서 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하일 수 있다. 상기 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향으로 전체 SiC 단결정 길이의 1 내지 3%의 위치는 약 400 ㎛의 위치에 해당한다.
또한, 구체적으로 질소 농도는 상기 위치에서 1.0 X 1018 내지 1.0 X 1019 atoms/cm3, 보다 구체적으로, 4.0 X 1018 내지 9.5 X 1018 atoms/cm3, 보다 구체적으로는 5.0 X 1018 내지 9.4 X 1018 atoms/cm3 일 수 있다. 상기 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향으로 전체 SiC 단결정 길이의 1 내지 3%의 위치는 초기 성장 단계에서 성장된 SiC 단결정 부분에 해당하고, 이 부분의 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하로 제어되어야 결함이 작은 SiC 단결정을 얻을 수 있다.
상기 SiC 단결정은, 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향의 400 ㎛ 위치에서 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하일 수 있다. 구체적으로, 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향의 400 ㎛ 위치에서 질소 농도는 1.0 X 1018 내지 1.0 X 1019 atoms/cm3, 보다 구체적으로, 4.0 X 1018 내지 9.5 X 1018 atoms/cm3, 보다 구체적으로는 5.0 X 1018 내지 9.4 X 1018 atoms/cm3 일 수 있다. 종자정 위로 단결정 성장방향의 400 ㎛위치는 초기 성장 단계에서 성장된 SiC 단결정에 해당하고, 이 부분의 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하로 제어되어야 결함이 작은 SiC 단결정을 얻을 수 있다.
구체적으로, 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향의 300 ㎛ 위치에서 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하일 수 있다. 구체적으로, 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향의 300 ㎛ 위치에서 질소 농도는 1.0 X 1018 내지 1.0 X 1019 atoms/cm3, 보다 구체적으로, 4.0 X 1018 내지 9.5 X 1018 atoms/cm3, 보다 구체적으로는 5.0 X 1018 내지 9.4 X 1018 atoms/cm3 일 수 있다.
보다 구체적으로, 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛ 위치에서 질소 농도가 1.0 X 1019 atoms/cm3 이하일 수 있다. 구체적으로, 종자정 위로 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛ 위치에서 질소 농도는 1.0 X 1018 내지 1.0 X 1019 atoms/cm3, 보다 구체적으로, 4.0 X 1018 내지 9.5 X 1018 atoms/cm3, 보다 구체적으로는 5.0 X 1018 내지 9.4 X 1018 atoms/cm3 일 수 있다.
상기 종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛ 위치와 300 ㎛ 위치에서의 하기 식 1에 따른 질소 농도 변화율이 15% 이하일 수 있다. 구체적으로 농도 변화율은 0 내지 15%, 보다 구체적으로 0 내지 13.8%, 보다 구체적으로 0 내지 3.2%일 수 있다. 종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛ 위치와 300 ㎛ 위치에서의 질소 농도 변화율이 작을수록, SiC 초기 생성 단계 부분의 질소 농도 변화가 작아 결함이 작은 SiC 단결정을 얻을 수 있다.
[식 1]
질소 농도 변화율=(종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛의 질소 농도 - 종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 300 ㎛의 질소 농도)/(종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛의 질소 농도)
상기 SiC 단결정은 종자정과 SiC 단결정 사이 계면에서 신규하게 생성되는 결함인 TD(Treading Dislocation)를 20% 이하의 비율로 포함할 수 있다. 구체적으로 결함 TD(Treading Dislocation)는 5% 이하의 비율로 포함될 수 있다.
상기 종자정과 SiC 단결정 사이의 계면을 기준으로 질소 농도 차이의 절대값이 1.6 X 1019 미만일 수 있다. 구체적으로, 종자정과 SiC 단결정 사이의 계면을 기준으로 질소 농도 차이의 절대값은 1.0 X 1018 내지 3.4 X 1018 일 수 있다. 종자정과 계면에서의 질소 농도 차이의 절대값이 작을수록 결함이 작은 SiC 단결정을 얻을 수 있다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
PVT 방법을 이용하여 종자정에 SiC 단결정을 성장시키는 방법
대구경 단결정 성장장치(도 1)는, 원료분말이 장입되는 반응기(510), 상기 반응기를 둘러싸는 단열재(520), 상기 단열재를 감싸며 상, 하부가 개방된 석영관(530), 상기 석영관의 상, 하부를 폐쇄하는 플랜지, 상기 석영관을 감싸는 가열수단(540)을 포함한다.
실시예에서는 PVT(Physical Vapor Transport) 방법을 이용하여 종자정(200)에 단결정을 성장시킨다. 이를 위해 먼저 반응기(510)의 내부에 원료분말인 SiC 분말(A)을 장입한다. 탄화규소로 이루어진 종자정(200)을 마련하고, 종자정이 결합된 종자정 홀더(100)를 반응기(510) 내부 상부에 장착한다.
그리고 1000℃ 미만의 온도와 진공압력으로 2 시간 내지 3시간 동안 가열하여 반응기(510)에 포함된 불순물을 제거한다. 이후, 불활성 가스 예를 들어, 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 반응기(510) 내부 및 반응기(510)와 단열재(520) 사이에 남아있는 공기를 제거한다. 여기서 불활성 가스를 이용한 퍼징(purging) 공정을 2 내지 3회 반복하는 것이 바람직하다.
이어서 압력을 대기압(760torr)으로 높인 후, 가열수단(540)을 이용하여 반응기(510)와 원료물질 SiC를 성장온도(2000℃~ 2300℃)까지 가열한다. 동시에 도핑가스(질소, N2)와 불활성 가스(아르곤, Ar)를 반응기(510) 내부로 주입한다. 이후, 반응기(510) 내부를 대기압에서 성장 압력까지 감압하여 유지시키면서 원료 물질 SiC를 승화시켜 단결정을 성장시킨다. 이때 성장 압력은 0.2 내지 40 torr일 수 있다.
실험예 - 초기 성장 단계의 질소 유량비에 따른 성장계면 결함 밀도 관찰
상기 PVT를 이용하여 SiC 단결정을 성장시킨다. 단, 가열수단 (540)을 이용하여 가열하며 도핑 가스(N2)와 불활성 가스(Ar)를 반응기 내부로 주입하는 단계에서, 하기 표 1과 같이 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 제어하여 초기 성장 단계의 질소 농도를 제어하여 SiC 단결정을 성장시켰다. 성장된 SiC 단결정의 전체 길이는 15 내지 25mm 였다.
각 실시예 및 비교예의 제조 조건을 구체적으로 살펴보면 아래와 같다.
실시예 1, 2 및 비교예 1, 2에 해당하는 성장 온도, 압력 및 질소 가스의 시간에 따른 프로파일을 도시한 도 8을 살펴보면, 해당 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2는 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))가 승온구간인 제1단계, 초기 성장 구간인 감압구간 제2단계 및 성장구간 제3단계 전체에 걸쳐 일정하게 하였다.
실시예 3에 해당하는 성장 온도, 압력 및 질소 가스의 시간에 따른 프로파일을 도시한 도 9를 살펴보면, 승온 구간 제1단계에서 질소가스 주입을 최소화하여 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 낮게 유지하고, 초기 성장 구간인 감압 단계 제2단계에서 질소가스 주입을 늘려 목적하는 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 달성하도록 하였다. 이후 성장단계 제3단계에서는 온도, 압력, 질소가스 유량비를 일정하게 유지하여 성장시켰다.
실시예 4에 해당하는 성장 온도, 압력 및 질소 가스의 시간에 따른 프로파일을 도시한 도 10을 살펴보면, 질소가스 주입비인 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 전체 단계에 걸쳐 일정하게 유지하고, 대신 초기 성장 구간인 제2단계에서 감압과 승온을 동시에 진행하였다.
하기 표에서 종자정 및 종자정 위 위치별 질소 농도는 SIMS를 이용하여 측정하였다. 또한 초기 성장 구간에서 성장한 것으로 볼 수 있는 종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛과 300 ㎛ 위치에서의 질소 농도 변화율을 하기 식 1과 같이 계산하였다.
[식 1]
질소 농도 변화율=(종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛의 질소 농도 - 종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 300 ㎛의 질소 농도)/(종자정 위 SiC 단결정 성장방향의 100 ㎛의 질소 농도)
종자정과 SiC 단결정 사이의 성장 계면에 생성되는 결함의 일종인 TD(Treading Dislocation) 밀도는 SiC 단결정의 절단면에 대하여 X-ray Topography 의 방사광 가속기의 X-ray White beam(백색광)을 활용하여 측정하였고, 이때 관찰 g vector는 (4220)이고, 반사모드로 관할하였다. 주로 결함은 b vector가 (0001)로 관찰되었다.
구분 종자정
질소
농도
(atoms/cm3)		 종자정 위 위치 별 질소농도
(atoms/cm3)		 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar)) (%) 승온
공정		 성장율
(㎛/hr)		 성장
계면에 생성된
결함 밀도
종자정 위 단결정 성장방향의 100㎛ 종자정 위 단결정 성장방향의 300㎛ 종자정 위 단결정 성장방향의
1mm		 감압구간
(초기 성장 구간)		 성장구간
감압시간
실시예 1 6.0E+18 9.4E+18 9.1E+18 6.3E+18 0.075 0.075 승온 후
감압		 120 계면 결함 (TD) 5%이하
종자정과 계면의 질소 농도 차이 절대값 3.4E+18
질소 농도 변화율 3.2% 12hr
실시예 2 6.0E+18 5.0E+18 5.0E+18 5.0E+18 0.0375 0.0375 승온 후
감압		 100 계면 결함 (TD) 5%이하
종자정과 계면의 질소 농도 차이 절대값 1.0E+18
질소 농도 변화율 0%
12hr
실시예 3 6.0E+18 8.7E+18 7.5E+18 6.3E+18 0에서 0.075로 증가 0.075 승온 후
감압		 120 계면 결함 (TD) 5%이하

감압 구간 내 BPD 생성
종자정과 계면의 질소 농도 차이 절대값 1.7 E+18
질소 농도 변화율 13.8% 12hr
실시예 4 2.6E+19 1.0E+19 8.0E+18 6.3E+18 0.075 0.075 승온 중
감압		 120 계면 결함 (TD) 20%이하
종자정과 계면의 질소 농도 차이 절대값 1.6 E+19
6hr
질소 농도 변화율 20%
비교예 1 6.0E+18 1.8E+19 1.5E+19 1.2E+19 0.15 0.15 승온 후
감압		 120 계면 결함 (TD) 50%이상
종자정과 계면의 질소 농도 차이 절대값 1.2 E+19
12hr
질소 농도 변화율 16.7%
비교예 2 8.0E+18 1.9E+19 1.8E+19 1.6E+19 0.5 0.5 승온 후
감압		 120 계면 결함 (TD) 100%이상
종자정과 계면의 질소 농도 차이 절대값 1.1 E+19
10hr
질소 농도 변화율 5.3%
상기 표 1의 조건으로 성장시킨 SiC 단결정을 절단하여 종자정과 성장된 SiC 단결정 사이 계면에서 질소 농도가 변화하는 구간을 관찰하였다. 성장시의 공정에 따라 계면의 질소 농도가 상이하게 변하고 SIMS로 종자정과 초기 성장 구간 및 성장 SiC 단결정의 질소 원자 농도를 측정하였다.
초기 성장 구간에서 원료 물질 SiC의 승화가 개시되며, 초기 성장 조건 (온도, 압력, 감압속도, 도핑 가스 주입비 등)에 따라 질소 농도 변화구간이 발생하고, 이에 따라 생성된 SiC 단결정 계면의 결함 TD(Treading Dislocation)의 밀도가 결정됨을 확인할 수 있었다.
비교예 1의 경우 성장 계면에 고농도 질소가 도핑되는 구간이 존재하고 도 와 같이 결함 TD(Treading Dislocation)가 종자정에 대비하여 50% 이상 생성됨을 확인할 수 있었다. 또한, 성장 초기에 질소가 고농도로 도핑되는 경우에는 결함의 일종인 TSD(Threading Screw Dislocations)가 옆으로 휘어져 발생된다는 것을 도 11로부터 확인할 수 있었다.
비교예 2의 경우 주입되는 질소가스 주입비인 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))가 높고, 이로 인하여 계면에서 생성되는 결함 TD(Treading Dislocation)의 밀도가 100% 이상으로 나타남을 확인하였다.
반면, 실시예 1, 2는 종자정과 SiC 단결정 사이의 계면에서 질소 농도차가 크지 않고, 이에 따라 결함 TD(Treading Dislocation)의 밀도가 낮음을 알 수 있었다.
실시예 3의 경우에는 초기에 질소가스를 주입하지 않다가 추기 성장구간에서 점점 증가시켜 목적하는 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 달성하였다. 생성되는 결함 TD(Treading Dislocation)의 밀도는 낮지만 성장된 SiC 단결정 내에 짧게 휘어지는 전위와 결함 BPD (Basal Plane Dislocation)가 존재함을 확인하였다. 즉, 성장 구간에서 새로운 결함 BPD(Basal Plane Dislocation)의 성장이 활발함을 알 수 있다. 이는, 질소가스 주입비인 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))가 승온구간 및 초기 성장구간 모두에서 일정하게 유지되는 것이 결함 저감에 유리함을 알 수 있다.
실시예 4의 경우에는 질소가 고농도로 도핑된 종자정을 사용하여 종자정과 계면에서의 질소 농도 차이가 크고, 이때 결함 TD(Treading Dislocation)는 20% 이하로 나타났다.
본 발명은 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
A: SiC 분말
100: 종자정 홀더 200: 종자정
510: 반응기 520: 단열재
530: 석영관 540: 가열수단

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;
    상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계;
    상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및
    상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계
    를 포함하고,
    상기 제2단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 하는, SiC 단결정 성장 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계;에서 반응기 내부 온도를 성장 온도까지 완전히 승온시킨 후,
    상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계;에서 추가의 승온 없이 성장 압력까지 감압하는, SiC 단결정 성장 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 단계 전체에 걸쳐 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 균일하게 유지하는 것인, SiC 단결정 성장 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서
    상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만인, SiC 단결정 성장 방법.
  10. 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;
    상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 까지 승온시키는 제1단계;
    상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및
    상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계
    를 포함하고,
    상기 제2단계는 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과에서 0.15 미만까지 증가시키는 단계인, SiC 단결정 성장 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서
    상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만인, SiC 단결정 성장 방법.
  12. 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;
    상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 미만으로 승온시키는 제1단계;
    상기 승온된 반응기를 성장 온도까지 승온시키며 동시에 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계; 및
    상기 반응기의 온도 및 압력을 유지하여 SiC 단결정을 성장시키는 제3단계
    를 포함하고,
    상기 제2단계에서 불활성 가스에 대한 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 하는, SiC 단결정 성장 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 종자정을 반응기 내에 위치시키는 단계;에서
    상기 반응기 내부에 위치된 종자정의 초기 질소 농도가 2.5X1019 atoms/cm3 미만인, SiC 단결정 성장 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 단계 전체에 걸쳐 질소 가스 주입비 (N2/(N2+Ar))를 0 초과 0.15 미만으로 일정하게 유지하는 것인, SiC 단결정 성장 방법.
  15. 제6항, 제7항, 제10항, 및 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 반응기 내부 온도를 성장 온도 이하로 승온시키는 제1단계;에서
    상기 성장 온도는 2000 내지 2300℃인, SiC 단결정 성장 방법.
  16. 제6항, 제7항, 제10항, 및 제12항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 승온된 반응기를 대기압 (760torr)에서 성장 압력까지 감압시켜 SiC 단결정을 초기 성장시키는 제2단계;에서
    상기 성장 압력은 0.2 내지 40 torr인, SiC 단결정 성장 방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2014205593A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶およびその製造方法
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014028736A (ja) 2011-08-29 2014-02-13 Nippon Steel & Sumitomo Metal 炭化珪素単結晶の製造方法およびそれによる基板
JP2014205593A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶およびその製造方法
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