KR102294884B1 - 반도체 소자의 검사 장치 및 반도체 소자의 검사 방법 - Google Patents

반도체 소자의 검사 장치 및 반도체 소자의 검사 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자의 검사 장치는, 검사 챔버, 검사 챔버의 상부에 구비되며, 웨이퍼 상의 반도체 소자들에 전기적 신호를 전달하는 프로브 카드를 유지할 수 있도록 구비된 카드 홀더, 검사 챔버 내부에 카드 홀더와 마주보도록 구비되며, 웨이퍼를 지지하는 척, 척을 구동하여, 프로브 카드에 대하여 반도체 소자들을 컨택시키는 척 구동부 및 카드 홀더 및 척 사이에 전자기력을 발생하여, 프로브 카드 및 웨이퍼 간의 하중을 증대시키는 자기력 발생부를 포함한다.

Description

반도체 소자의 검사 장치 및 반도체 소자의 검사 방법{APPARATUS OF TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명의 실시예들은 반도체 소자의 검사 장치 및 반도체 소자의 검사 방법 에 관한 것이다. 보다 상세하게는 프로브 카드를 이용하여 반도체 소자들에 대하여 전기적인 검사를 수행하기 위해 반도체 소자의 검사 장치 및 반도체 소자의 검사 방법 에 관한 것이다.
일반적으로 집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 반도체 웨이퍼 상에 일련의 반도체 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 반도체 회로 소자들이 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.
이러한 일련의 공정들을 통해 반도체 소자들을 형성한 후 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 검사 공정이 수행될 수 있다. 검사 공정은 복수의 니들을 갖는 프로브 카드를 포함하는 프로브 스테이션과 전기적인 신호를 제공하기 위하여 프로브 카드와 연결된 테스터에 의해 수행될 수 있다.
검사 공정을 위해 검사 챔버의 상부에는 프로브 카드가 배치될 수 있으며, 프로브 카드 아래에는 웨이퍼가 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼를 지지하는 척을 구동시키는 척 구동부가 상기 척을 구동하여 상기 프로브 카드와 정렬된다. 이로써, 웨이퍼에 형성된 반도체 소자 및 프로브 카드에 형성된 니들이 상호 접속되어, 테스터가 전기적 신호를 상기 프로브 카드를 통하여 반도체 소자에 전기적 신호를 제공하여 반도체 소자의 전기적 특성을 검사할 수 있다.
한편, 프로브 카드에 형성된 니들의 개수가 증대함에 따라 상기 척 구동부의 강성 및 용량의 증가시킬 필요가 있다. 이를 위하여, 상기 척 구동부에 포함된 모터, 엘엠가이드, 볼스크류 등의 크기를 증가시키는 추세가 있다.
특히, 1,000 kg 이상으로 니들에 인가되는 전체 필요 하중이 증대됨에 따라, 척 구동부의 크기가 증가함으로써 전체 프로브 스테이션이 대형화되는 추세에 있다.
본 발명의 실시예들은 웨이퍼 및 프로브 카드 사이를 견고하게 컨택시키기 위하여 요구되는 필요 하중의 증가에 대응할 수 있는 반도체 소자의 검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들은 웨이퍼 및 프로브 카드 사이를 견고하게 컨택시키기 위하여 요구되는 필요 하중의 증가에 대응할 수 있는 반도체 소자의 검사 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예들에 따른 반도체 소자의 검사 장치는, 검사 챔버, 상기 검사 챔버의 상부에 구비되며, 웨이퍼 상의 반도체 소자들에 전기적 신호를 전달하는 프로브 카드를 유지할 수 있도록 구비된 카드 홀더, 상기 검사 챔버 내부에 상기 카드 홀더와 마주보도록 구비되며, 상기 웨이퍼를 지지하는 척, 상기 척을 구동하여, 상기 프로브 카드에 대하여 상기 반도체 소자들을 컨택시키는 척 구동부 및 상기 카드 홀더 및 상기 척 사이에 전자기력을 발생하여, 상기 프로브 카드 및 상기 웨이퍼 간의 하중을 증대시키는 자기력 발생부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자기력 발생부는, 상기 척의 외주부를 둘러싸도록 구비되며, 전원을 이용하여 자기장을 발생하는 전자석 부재를 포함한다.
여기서, 상기 자기력 발생부는, 상기 전자석 부재와 마주보도록 상기 카드 홀더에 인접하게 배치되며, 상기 전자기장을 증대시킬 수 있도록 구비된 마그네틱 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 자기력 발생부는, 상기 전자석에 전원을 공급하는 전원 소스 및 상기 전원의 크기를 조절하는 전원 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자기력 발생부 및 상기 카드 홀더 사이에 배치되며, 상기 프로브 카드의 니들 및 상기 반도체 소자들과 연결된 패드 간의 발생하는 하중을 완충하는 완충 부재이 추가적으로 구비될 수 있다.
여기서, 상기 완충 부재는, 댐퍼, 스프링 및 탄성 플레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 완충 부재는, 상기 자기력 발생부 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 검사 챔버의 상부 벽에는 상기 프로브 카드를 수용하는 수용홈이 구비되고, 상기 수용홈에 인접하도록 배치된 전자파 차단 부재가 추가적으로 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 전자파 차단 부재는 상기 수용홈의 내측벽을 따라 배치될 수 있다. 여기서, 상기 전자파 차단 부재는 금속 박막을 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예들에 따른 반도체 소자의 검사 방법에 있어서, 카드 홀더에 웨이퍼 상의 반도체 소자들에 전기적 신호를 전달하는 프로브 카드를 장착하고, 상기 카드 홀더와 마주보도록 구비된 척에 웨이퍼를 장착한다. 상기 척을 구동하여, 상기 프로브 카드에 대하여 상기 반도체 소자들을 1차로 컨택시킨 후, 상기 프로브 카드 및 상기 웨이퍼 간의 하중을 전자기력으로 증대시킨다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 프로브 카드 및 상기 웨이퍼 간의 하중을 전자기력으로 증대시킬 때, 상기 척에 인접하게 배치된 전자석 부재에 인가되는 전원 값이 조절될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 소자의 검사 장치가 카드 홀더 및 상기 척 사이에 전자기력을 발생시키는 전자기력 발생부를 포함한다. 이로써, 프로브 카드에 형성된 니들의 개수가 증가함에 따라 프로브 카드 및 웨이퍼 간에 필요 하중이 증가될 경우, 상기 전자기력 발생부는 상기 필요 하중의 증가에 대응할 수 있다. 나아가, 상기 전자기력 발생부는 수직 구동 모듈(의 용량을 부분적으로 분담함으로써, 상기 수직 구동 모듈을 소형화 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 검사 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 척 및 척 구동부를 설명하기 위한 단면도다.
도 3은 도 1에 도시된 카드 홀더를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 검사 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 척 및 척 구동부를 설명하기 위한 단면도다. 도 3은 도 1에 도시된 카드 홀더를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 검사 장치(100)은, 프로브 카드(20)를 이용하여 웨이퍼(10)에 형성된 반도체 소자들에 대한 전기적인 특성 검사를 수행할 수 있다.
상기 반도체 소자의 검사 장치(100)은, 검사 챔버(105), 척(130), 척 구동부(120) 및 카드 홀더(110)를 포함한다.
상기 검사 챔버(105)는 상기 웨이퍼(10)에 형성된 반도체 소자들에 대하여 전기적인 특성 검사를 수행하기 위한 공정 공간을 제공한다.
상기 척(130)은 상기 공정 공간 내에 배치된다. 상기 척(130)은 상기 웨이퍼(10)를 지지할 수 있다. 상기 척(130)은 정전기력 또는 진공력을 이용하여 웨이퍼(10)을 그 상면에 고정할 수 있다.
상기 척 구동부(120)은 척(130)의 하부에 배치된다. 척 구동부(120)는 상기 척(130)을 구동함으로써, 웨이퍼(10)를 이동시켜 상기 프로브 카드(20)에 형성된 니들(22)에 대하여 상기 반도체 소자들을 컨택시킨다.
보다 상세하게는, 상기 척 구동부(120)는, 회전 모듈(121), 수직 구동 모듈(123), 제1 수평 구동 모듈(124) 및 제2 수평 구동 모듈(125)을 포함한다.
회전 모듈(121)은 상기 척(130)을 회전시킬 수 있도록 한다. 이로써, 웨이퍼(10)가 회전되어 프로브 카드(20)와 r방향으로 정렬할 수 잇다.
수직 구동 모듈(123)은, 상기 척(130)의 수직 위치를 조절한다. 이로써, 척(130)에 안착된 웨이퍼가 프로브 카드와 컨택할 수 있다.
한편, 제1 및 제2 수평 구동 모듈(124, 125)는 상기 척(130)을 제1 수평 방향 및 제1 수평 방향에 수직한 제2 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 이로써, 제1 및 제2 수평 구동 모듈(124, 125)은 척(130)의 수평 위치를 조절한다.
상기 카드 홀더(110)는 상기 검사 챔버(105)의 상부에 구비된다. 상기 카드 홀더(110)는 상기 프로브 카드(20)를 유지할 수 있다. 상기 카드 홀더(110)는 클램핑 방식, 또는 래치 방식으로 상기 프로브 카드를 유지할 수 있다.
상기 전자기력 발생부(150)는 상기 카드 홀더(110) 및 상기 척(130) 사이에 전자기력을 발생한다. 이로써, 상기 카드 홀더(110) 상에 유지된 프로브 카드(20) 및 상기 척(130) 상에 지지된 상기 웨이퍼(10) 사이에 인가되는 하중이 증대된다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 반도체 소자의 검사 장치(100)는 상기 카드 홀더(110) 및 상기 척(130) 사이에 전자기력을 발생시키는 전자기력 발생부(150)를 포함한다. 이로써, 프로브 카드(20)에 형성된 니들(22)의 개수가 증가함에 따라 프로브 카드(20) 및 웨이퍼(10) 간에 필요 하중이 증대될 경우, 상기 전자기력 발생부(150)는 상기 필요 하중의 증가에 대응할 수 있다.
한편, 상기 전자기력 발생부(150)는 증가된 필요 하중에 대하여 요구되는 수직 구동 모듈(123)의 용량을 부분적으로 분담함으로써, 상기 수직 구동 모듈(123)를 소형화 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자기력 발생부(150)는, 상기 척(130)의 외주부를 둘러싸도록 구비된다. 상기 자기력 발생부(150) 전원을 이용하여 자기장을 발생하는 전자석 부재(151)를 포함할 수 있다.
상기 전자석 부재(151)는 자성체 및 상기 자성체를 둘러싸며 전류가 흐르는 코일을 포함한다. 이 경우, 상기 전자석 부재(151)는 상기 코일로 흐르는 전류의 크기를 조절하여 상기 전자기력의 크기를 제어할 수 있다. 이로써, 웨이퍼(10) 및 프로브 카드(20) 간의 콘택시 요구되는 오버 드라이버 값이 조절될 수 있다. 여기서 오버 드라이버 값은 웨이퍼(10)를 지지하는 척(130)을 기준값보다 크게 상승시킴으로써, 프로브 카드(20) 및 웨이퍼(10)가 보다 견고하게 접속하여 반도체 소자의 전기적 접속을 견고하게 할 수 있도록 하는 값에 해당한다.
결과적으로, 반도체 소자별 다양하게 요구되는 오버 드라이버 값이 용이하게 제어될 수 있다.
나아가, 상기 전류의 온/오프 제어를 통하여, 상기 웨이퍼(10) 및 프로브 카드(20) 사이에 전자기력의 발생이 온/오프될 수 있다.
한편, 상기 전자석 부재(151)가 테스터(30) 와는 상대적으로 이격된 위치인 척(130)의 외주부에 구비된다. 따라서, 상기 전자석 부재(151)로부터 발생하는 전자기파가 상기 테스터(30)의 검사 공정을 방해하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자기력 발생부(150)는, 마그네틱 부재(155)를 더 포함할 수 있다. 상기 마그네틱 부재(155)는 상기 전자석 부재(151)와 마주보도록 상기 카드 홀더(110)에 인접하게 배치된다. 상기 마그네틱 부재(155)는 상기 전자기장을 증대시킬 수 있도록 구비된다. 결과적으로 상기 전자석 부재(151) 및 마그네틱 부재(155)는 전자기력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자기력 발생부(150)는 전원 소스(153) 및 전원 컨트롤러(154)를 더 포함할 수 있다. 상기 전원 소스(153)는 상기 전자석 부재(151)에 포함된 코일에 전원을 공급한다. 상기 전원 컨트롤러(154)는 전원 소스(153)가 공급하는 전원의 크기를 조절한다. 이로써, 전자석 부재(151)에 흐르는 전류의 크기가 제어됨에 따라, 상기 전자석 부재(151)가 발생하는 전자기력의 크기가 조절될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 반도체 소자의 검사 장치(100)은 완충 부재(170)를 더 포함한다.
상기 완충 부재(170)는 상기 자기력 발생부(150) 및 상기 카드 홀더(110) 사이에 배치된다. 예를 들면, 상기 완충 부재(170)은 전자석 부재(151) 및 마그네틱 부재(155) 사이에 개재될 수 있다. 이로써, 상기 전자기력에 의하여 높은 하중으로 상기 프로브 카드(20) 및 웨이퍼(10)가 컨택할 경우, 상기 프로브 카드(20)에 포함된 니들(22)에 대한 충격이 완화되어, 결과적으로 프로브 카드(20)의 손상이 억제될 수 있다.
상기 완충 부재(170)는 댐퍼, 스프링 및 탄성 플레이트 중 적어도 하나를 포함한다. 즉, 상기 완충 부재(170)는, 프로브 카드(20) 및 웨이퍼(10)가 컨택할 경우, 상기 프로브 카드(20)에 포함된 니들(22)에 대한 충격이 완화할 수 있는 부재이면 충분하다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 검사 챔버(105)의 상부 벽에는 상기 프로브 카드(20)를 수용하는 수용홈(105a)이 구비된다. 이때, 상기 수용홈(105a)에 인접하여 전자파 차단 부재(180)이 추가적으로 구비될 수 있다.
여기서, 상기 전자파 차단 부재(180)는 상기 수용홈(105a)의 내측벽을 따라 배치될 수 있다. 즉, 상기 전자파 차단 부재(180)은, 자기력 발생부(150)가 구동할 때 발생하는 전자기파가 상기 수용홈(105a)을 통하여 테스터(30)로 전파되는 것을 억제할 수 있다. 결과적으로 반도체 소자의 검사 공정 진행 중, 상기 전자파 차단 부재(180)는 자기력 발생부(150)로부터 발생하는 전자기파를 차단함으로써 상기 검사 공정 중 오류가 억제될 수 있다.
여기서, 상기 전자파 차단 부재(180)는 상기 수용홈(105a)의 내측벽을 따라 배치될 수 있다. 또한, 상기 전자파 차단 부재(180)는 금속 박막을 포함할 수 있다. 상기 전자파 차단 부재(180)는 스퍼터링 공정, 스프레이 공정을 통하여 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 카드 홀더(110)에 웨이퍼 상의 반도체 소자들에 전기적 신호를 전달하는 프로브 카드(20)를 장착한다(S110). 한편, 상기 카드 홀더와 마주보도록 구비된 척에 웨이퍼를 장착한다(S130).
상기 웨이퍼(10)와 상기 프로브 카드(20)의 정렬이 완료한 후, 척(120)을 구동하여 상기 프로브 카드(20)에 대하여 상기 반도체 소자(10)를 컨택시킨다(S150).
이후, 전자기력을 이용하여 프로브 카드(20) 및 반도체 소자들 간의 하중을 증대시킨다(S170). 이로써, 프로브 카드(20)에 형성된 니들(22)이 보다 확실하게 반도체 소자와 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 상기 프로브 카드(20) 및 상기 웨이퍼(10) 간의 하중을 전자기력으로 증대시킬 때, 상기 척(130)에 인접하게 배치된 전자석 부재(151)에 인가되는 전원 값을 조절할 수 있다. 이로써, 전자석 부재(151)에 흐르는 전류의 크기가 제어됨에 따라, 상기 전자석 부재(151)가 발생하는 전자기력의 크기가 조절될 수 있다.
이후, 검사 신호를 프로브 카드(20)을 통하여 웨이퍼(10)에 형성된 반도체 소자에 인가한다. 여기서, 상기 반도체 소자의 검사 장치(100)은 상기 웨이퍼(10)의 전기적인 특성을 검사하기 위한 테스터(30)와 연결될 수 있다. 상기 테스터(30)는 상기 프로브 카드(20)를 통해 상기 검사 신호를 상기 웨이퍼(10)에 형성된 상기 반도체 소자들에 인가하며, 상기 반도체 소자들로부터 출력되는 신호들을 통해 상기 웨이퍼(10)의 전기적인 특성을 검사한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 반도체 소자의 검사 장치 105 : 검사 챔버
105a : 수용홈 103 : 상부 정렬 카메라
110 : 카드 홀더 120 : 척 구동부
121 : 회전 모듈 123 : 수직 구동 모듈
124 : 제1 수평 구동 모듈 125 : 제2 수평 구동 모듈
130 : 척 150 : 자기력 발생부
151 : 전자석 부재 153 : 전원 소스
154 : 전원 컨트롤러 155 : 마그네틱 부재
170 : 완충 부재 180 : 전자파 차단 부재

Claims (12)

  1. 검사 챔버;
    상기 검사 챔버의 상부에 구비되며, 웨이퍼 상의 반도체 소자들에 전기적 신호를 전달하는 프로브 카드를 유지할 수 있도록 구비된 카드 홀더;
    상기 검사 챔버 내부에 상기 카드 홀더와 마주보도록 구비되며, 상기 웨이퍼를 지지하는 척;
    상기 척을 구동하여, 상기 프로브 카드에 대하여 상기 반도체 소자들을 컨택시키는 척 구동부; 및
    상기 카드 홀더 및 상기 척 사이에 전자기력을 발생하여, 상기 프로브 카드 및 상기 웨이퍼 간의 하중을 증대시키는 자기력 발생부를 포함하는 반도체 소자의 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자기력 발생부는, 상기 척의 외주부를 둘러싸도록 구비되며, 전원을 이용하여 자기장을 발생하는 전자석 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 자기력 발생부는, 상기 전자석 부재와 마주보도록 상기 카드 홀더에 인접하게 배치되며, 상기 자기장을 증대시킬 수 있도록 구비된 마그네틱 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 자기력 발생부는,
    상기 전자석에 전원을 공급하는 전원 소스; 및
    상기 전원의 크기를 조절하는 전원 컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 자기력 발생부 및 상기 카드 홀더 사이에 배치되며, 상기 프로브 카드의 니들 및 상기 반도체 소자들과 연결된 패드 간의 발생하는 하중을 완충하는 완충 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 완충 부재는, 댐퍼, 스프링 및 탄성 플레이트 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 완충 부재는, 상기 자기력 발생부 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 검사 챔버의 상부 벽에는 상기 프로브 카드를 수용하는 수용홈이 구비되고, 상기 수용홈에 인접하도록 배치된 전자파 차단 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전자파 차단 부재는 상기 수용홈의 내측벽을 따라 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 전자파 차단 부재는 금속 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치.
  11. 카드 홀더에 웨이퍼 상의 반도체 소자들에 전기적 신호를 전달하는 프로브 카드를 장착하는 단계;
    상기 카드 홀더와 마주보도록 구비된 척에 웨이퍼를 장착하는 단계;
    상기 척을 구동하여, 상기 프로브 카드에 대하여 상기 반도체 소자들을 1차로 컨택시키는 단계; 및
    상기 프로브 카드 및 상기 웨이퍼 간의 하중을 전자기력으로 증대시키는 단계를 포함하는 반도체 소자의 검사 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 프로브 카드 및 상기 웨이퍼 간의 하중을 전자기력으로 증대시키는 단계는, 상기 척에 인접하게 배치된 전자석 부재에 인가되는 전원 값을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법.
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