KR102294588B1 - 표면 처리 장치 - Google Patents

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KR102294588B1
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마사유키 우츠미
마사히토 타니가와
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우에무라 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 불량의 발생을 억제한 표면 처리 장치를 제공한다. 처리액은 베스(4) 하부의 처리액 회수구·공기 배출구(13)를 통과하여, 탱크(15)에 축적된다. 처리액에 의해 따뜻하게 된 공기는 베스(4) 하부의 처리액 회수구·공기 배출구(13)를 통하여 탱크(15)의 상부(처리액이 없는 부분)를 향하고, 배기 덕트(17)를 통하여 배출된다. 이와 같이, 베스(4)에 있어서, 온도가 높아져서 위로 오르려고 하는 공기를 하부에서 배출하고 상부부터 외기로 바꿔 놓으므로, 베스(4)의 공기 온도를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 기판(54)의 상부에서 하부에 이르는 처리액의 온도를, 균일하게 유지할 수 있다. 베스(4)에 있어서, 공기의 흐름을 상부에서 하부를 향하도록 하고 있으므로, 기판(54)이 하측으로 잡아 당겨져, 기판(54)의 흔들림을 작게 할 수 있다. 따라서, 기판(54)이 입구(44)나 출구(46)에 접촉할 우려를 저감할 수 있다.

Description

표면 처리 장치{Surface treatment apparatus}
본 발명은 박판에 도금 등의 표면 처리를 실시하는 기술에 관한 것이다.
기판 등에 도금 등의 표면 처리를 실시할 때, 도금액을 충전한 도금조에 기판을 침지시키는 방법이 일반적이었다. 이 방법에서는 기판을 상하 이동시키기 위한 승강 기구가 필요하여, 장치가 복잡화, 대형화된다는 문제가 있었다. 또, 도금조에 도금액을 충전해야만 하여, 많은 도금액이 필요하다는 문제도 있었다. 이러한 문제는 도금뿐만 아니라, 표면 처리 일반에 대하여 말할 수 있는 것이었다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 발명자들은 상부를 지지한 기판에 대하여, 처리액을 방출하고, 기판에서 떨어진 처리액을 회수하여 다시 방출하는 장치를 발명하고 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2).
도 25에 특허 문헌 1에 기재된 표면 처리 장치의 횡단면을 나타낸다. 지지 부재인 행거(6)에 의해 기판(2)의 상부가 끼워져 있다. 베스(4)의 외측에는 롤러 받이 부재(40, 42)가 형성되어 있다. 행거(6)를 지지하고 있는 이동체(14)를 롤러(16)로 지지하고, 지면에 수직인 방향으로 이동시킨다.
기판(2)은 베스(4) 내에 도입된다. 베스(4) 내에는 처리액 분출구(10)를 갖는 처리액 방출부(8)가, 기판(2)의 양측에 설치되어 있다. 처리액 분출구(10)로부터는 기판(2)에 대하여 처리액이 분출된다. 기판(2)에 도달한 처리액은 기판(2)의 표면을 타고 흘러 떨어진다. 이와 같이 하여, 기판(2)의 표면이 처리액에 의해 처리된다.
흘러 떨어진 처리액은 베스(4)의 하부에 회수되고, 펌프(12)에 의해, 다시 처리액 방출부(8)로부터 방출된다.
도 26에 평면도를 나타낸다. 행거(6)에 의해 지지된 기판(2)은 로드부(22)로부터, 제1 수세부(24), 디스미어부(26), 제2 수세부(28), 전처리부(30), 제3 수세부(32), 무전해 구리 도금부(34), 제4 수세부(36)의 순으로 이송되어, 언로드부(38)에 의해 행거(6)로부터 분리된다.
각 베스에 있어서의 횡단면은 도 25와 같지만, 각 베스에 의해 처리액 분출구(10)로부터 분출되는 처리액이 다르다. 한편, 도 26에 나타낸 바와 같이, 각 베스의 상부는 개방된 상태로 되어 있다.
이렇게 하여, 장치를 대형화, 복잡화하지 않고, 처리액의 사용량을 저감하는 것을 실현하고 있다.
그러나, 상기의 종래 기술에서는 기판의 상부부터 하부를 향하여 처리액을 흘리도록 하고 있으므로, 처리액이 주위 온도와 같지 않은 경우에는 분출된 처리액이 기판의 상부에 도달했을 때의 온도와, 흘러 내려서 하부에 도달했을 때의 온도가 다르게 될 가능성이 있다.
상기 종래 기술의 장치에서는 도 25에 나타낸 바와 같이, 각 베스(4)의 상부가 개방되어 있으므로, 처리액의 온도가 실온보다 높은 경우에는 상부로부터 따뜻한 공기가 배출되어, 도 26의 로드부(22)에 연통하는 연통구(37) 및 언로드부(38)에 연통하는 연통구(37)로부터 흡기가 행해지게 되어 있었다.
그러나, 항상 각 베스(4)의 상부가 고온으로 되어 하부가 저온이 되기 때문에, 온도차가 생기게 되어 있었다.
또, 분진의 혼입을 방지하기 위하여, 각 베스(4)의 상부를 개방하지 않고 가능한 뚜껑을 덮는 구성이 고려되지만, 이러한 구성을 채용할 경우에는 상부에 배기구를 형성했다고 해도, 상부가 고온이 되는 문제는 두드러지게 된다.
이러한 온도차에 의해, 기판(2)의 상부와 하부에 있어서 처리가 같아지지 않아, 문제점이 생기고 있었다. 이러한 문제를, 디스미어 처리를 예로 들어 설명한다.
디스미어 처리는 도금을 실시하기 전에 기판의 표면을 조면화하여, 도금의 밀착성을 높이고, 도금 불량을 배제하기 위한 것으로, 팽윤 공정, 조면화 공정, 중화 공정의 순으로 실시된다. 각각의 공정마다, 처리액 분출구(10)로부터 분출시키는 처리액의 종류를 바꾸고 있다.
팽윤 공정은 팽윤제를 기판에 침투시키는 처리이며, 팽윤제를 40도 정도로 하여 행하는 것이 바람직하다. 도 27a에 나타낸 바와 같이, 기판(2)은 수지(90) 내에 필러(92)가 충전된 상태로 형성되어 있다. 팽윤 공정은 그 후의 조면화 공정에서 과망간액 등으로 필러(92)를 제거하는 처리의 속도를 빠르게 하기 위하여 실시되는 팽윤 공정에 의해, 기판에 대하여 적당한 깊이로 팽윤제가 침투된다. 도 27a에 나타낸 침투층(94)이, 팽윤제가 침투해 있는 층을 나타내고 있다.
조면화 공정은 약 70도의 과망간액에 의해, 기판(2)의 표면을 적당한 깊이까지 조면화하는 처리이다. 도 27b에 나타낸 바와 같이, 대체로 팽윤제가 침투한 부위의 전후 부근까지 필러(92)가 제거되어, 표면이 조면화된다.
중화 공정은 과망간액에 의해 산화된 기판(2)의 표면을 중화제에 의해 중화하는 처리이다.
표면이 도 27b와 같은 조면 상태로 도금을 실시함으로써, 도금과 기판(2)간의 밀착성이 향상된다.
팽윤 공정에 있어서의 팽윤제의 온도가 낮으면, 도 27c에 나타낸 바와 같이, 기판 표면이 얕은 부분에밖에 팽윤제가 침투하지 않게 된다. 따라서, 그 후의 과망간액에 의한 조면화 공정에 있어서, 조면화되는 영역이 얕아지게 된다. 게다가, 과망간액의 온도가 낮으면, 조면화 능력도 저하되므로 더욱 그러하다. 따라서, 도 27d에 나타낸 바와 같이, 얕은 영역까지밖에 조면화되지 않게 된다. 이에 따라, 도금과 기판(2) 간의 밀착성이 저하될 가능성이 있다.
한편으로, 팽윤 공정에 있어서의 팽윤제의 온도가 높으면, 도 27e에 나타낸 바와 같이, 팽윤제가 깊숙이까지 너무 침투하게 된다. 따라서, 도 27f의 조면화층(96)에 나타낸 바와 같이, 기판(2)의 깊숙이까지 조면화가 실시된다. 이 때문에, 도금과 조면화층(96) 간의 밀착성은 좋아지지만, 조면화층(96)의 강도가 팽윤제나 과망간액 등에 의해 저하되고 있으며, 기판(2)으로부터 조면화층(96)이 벗겨지기 쉬워진다는 문제가 생긴다.
따라서, 처리액의 온도가 기판 상부와 기판 하부에서 달라지는 사태는 도금 불량을 생기게 하는 원인도 되고 있었다.
한편, 디스미어 처리는 도금의 밀착성 향상뿐만 아니라, 드릴 가공이나 레이저 가공 후의 수지 잔사를 제거하여, 도금 불량을 방지하는 작용도 갖고 있다. 이러한 경우에 있어서도, 기판 상부와 기판 하부에서 처리액의 온도가 다르면, 기판(2)을 필요 이상으로 녹이지 않고, 상부 또는 하부 중 어느 것에 있어서 수지 잔사만을 녹이는 것이 적절하게 행해지지 않게 될 가능성이 있다.
게다가, 도금 처리에 있어서도, 도금액의 온도에 따라 그 석출량이 다르다. 도 28에, 처리액의 온도와 도금 석출 두께의 관계를 나타낸다. 가로축이 처리액의 온도, 세로축이 10분간 처리한 경우의 석출 두께이다. 따라서, 10분간의 도금 처리를 실시하는 경우, 처리액의 온도가 2도 다르면, 0.1μm의 도금 두께가 생기게 된다. 즉, 기판 상부와 기판 하부에 있어서, 도금 두께가 균일하게 되지 않고, 0.1μm의 도금 두께의 차이가 생기게 된다. 기타 처리에 있어서도, 처리액의 온도차가 생기는 것은 바람직하지 않다.
이상과 같이, 기판 상부와 기판 하부에 있어서의 처리액의 온도차에 의해 처리의 불균일이 발생하여, 품질 저하의 원인이 되고 있었다.
또, 다음과 같은 문제도 발생하고 있었다. 도 26에 나타낸 바와 같이, 각 처리부의 각 베스의 사이에는 행거(6)에 지지된 기판(2)을 이동하기 위한 연통구(37)가 형성되어 있다. 도 25에 나타낸 처리액(Q)의 방출은 이 연통구(37) 근방에서는 행해지지 않도록 하고 있다. 인접하는 베스에, 처리액이 혼입되는 것을 막기 위함이다. 구체적으로는 연통구(37)로부터 50∼200mm 이격하여 처리액(Q)을 방출하고 있다. 50mm보다 가까우면, 처리액(Q)이 혼입될 가능성이 높고, 200mm보다 멀리 이격하면, 장치의 길이가 늘어나서 경제적이지 못하다.
한편, 기판(2)이 박판인 경우에는 도 29의 영역(7)에 나타낸 바와 같이, 위에서 아래로 흘러 내리는 처리액(Q)에 의해 기판(2)이 곧게 유지되어 있다. 그러나, 베스(4)와 베스(4) 사이의 벽(5)에 형성된 연통구(37) 근방에서는 처리액(Q)이 방출되고 있지 않으므로, 박판인 기판(2)이 처리액(Q)에 의해 지지되어 있지 않다.
이 상태로, 상술한 바와 같이, 베스(4)의 상부로부터의 배기가 행해지면, 화살표 9로 나타낸 바와 같이 하부에서 상부로의 공기의 대류가 생기고, 기판(2)이 흔들려 움직이게 된다. 연통구(37)는 인접하는 베스(4)의 처리액이 비산하지 않도록 가능한 좁게 구성되어 있으므로, 흔들려 움직인 기판(2)이 이것에 접촉하여, 행거에 의한 지지가 어긋나거나 깨지거나 할 가능성이 있었다.
특허문헌 1: 일본 특허공개 2014-88600호 공보 특허문헌 2: 일본 특허공개 2014-43613호 공보
본 발명은 상기의 문제를 해결하여, 불량의 발생을 억제한 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 표면 처리 장치의 독립하여 적용 가능한 몇 가지 특징을 이하에 열거한다.
(1)본 발명의 일실시형태에 따른 표면 처리 장치는 처리 대상의 상부를 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재 또는 상기 처리 대상에 대하여 처리액을 방출하고, 상기 지지 부재에 지지된 상기 처리 대상의 표면에 처리액을 흘리는 처리액 방출부; 및 적어도 상기 처리액 방출부와 상기 처리 대상을 그 내부에 수납하는 베스 부재;를 구비한 표면 처리 장치이며, 상기 베스 부재의 상부에 공기 취입구를 형성하고, 베스 부재의 하부에 공기 배출구를 형성한 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 처리액에 의해 따뜻하게 된 공기를 하측의 공기 배출구로부터 배출하고, 상측으로부터 찬 공기를 받아들일 수 있으므로, 베스 내의 공기 온도를 균일화하여, 처리 대상의 상부와 하부에 있어서의 처리액의 온도차를 저감시킬 수 있다.
(2)본 발명의 일실시형태에 따른 표면 처리 장치는 베스 부재를 복수개 연결한 베스 부재 연결체이며, 각 베스 부재에는 인접하는 베스 부재를 연통시키는 연통구가 형성된 베스 부재 연속체; 처리 대상의 상부를 지지하는 지지 부재; 상기 처리 대상을 상기 베스 부재 연속체의 연통구를 통하여 각 베스 부재 내에 이동시키기 위하여, 상기 지지 부재를 이동시키는 반송 기구; 및 각 베스 부재에 형성된 처리액 방출부이며, 상기 지지 부재 또는 상기 처리 대상에 대하여 처리액을 방출하고, 상기 지지 부재에 지지된 상기 처리 대상의 표면에 처리액을 흘리는 처리액 방출부;를 구비한 표면 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 방출부는 상기 연통구를 통하여 인접하는 베스 부재에 대하여 처리액이 비산하지 않도록, 인접하는 베스 부재 근방에 있어서 처리액을 처리 대상에 방출하지 않도록 구성되며, 상기 베스 부재의 상부에 공기 취입구를 형성하고, 각 베스 부재의 인접하는 베스 부재와의 근방 하부에 공기 배출구를 형성한 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 처리액이 낙하하지 않은 부위에 있어서도 공기의 흐름에 의해 처리 대상을 하측으로 끌어당겨서 안정시킬 수 있다.
(3)본 발명에 따른 표면 처리 장치는 공기 취입구가, 처리액 방출부로부터 방출된 처리액이 처리 대상에 접촉하는 부위보다도 상측에 형성되며, 공기 배출구가, 상기 처리 대상보다도 하측에 형성되는 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 더욱 높은 온도 안정 효과 또는 자세 안정 효과를 얻을 수 있다.
(4)본 발명에 따른 표면 처리 장치는 공기 배출구가, 상기 처리액을 회수하기 위한 회수구와 공용되는 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 장치의 구조를 간소화할 수 있다.
(5)본 발명에 따른 표면 처리 장치는 지지 부재를 상측에서 지지하는 상측 지지 부재와, 상측 지지 부재를 이동시키는 반송 기구; 및 적어도 상기 반송 기구의 하측에 형성된 방호 부재;를 더 구비하고, 상기 상측 지지 부재는 방호 부재가 형성되지 않은 부분을 통하여, 상기 지지 부재를 지지하는 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 방호 부재에 의해 처리액에 대한 분진의 혼입을 방지할 수 있다.
(6)본 발명에 따른 표면 처리 장치는 방호 부재가, 상기 반송 기구의 측면에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 분진의 혼입 방지 효과를 더욱 높일 수 있다.
(7)본 발명에 따른 표면 처리 장치는 방호 부재에 의해 둘러싸인 부분에 있어서, 상기 반송 기구의 하측 또는 상기 반송 기구의 적어도 일부를 담그도록 유체를 채운 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 분진의 비산을 방지하여, 분진의 혼입 방지 효과를 더욱 높일 수 있다.
(8)본 발명에 따른 표면 처리 장치는 방호 부재에 의해 둘러싸인 부분에는 급수구와 배수구가 형성되고, 유체가 교체되는 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 분진이 혼입된 유체를 새로운 유체로 교체할 수 있다.
(9)본 발명에 따른 표면 처리 장치는 반송 기구가, 스테인리스, 티탄, 탄소강, 황동 또는 플라스틱에 의해 형성되는 것을 특징으로 하고 있다.
따라서, 유체에 의한 반송 기구의 부식을 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서, "지지 부재"란 적어도 처리 대상의 상부를 지지하는 기능을 갖는 것을 말하고, 실시형태에 있어서는 처리액 받이 부재(82)가 이것에 해당한다.
"처리액 방출부"란 처리 대상에 대하여 직접 또는 간접적으로 처리액을 방출하는 기능을 갖는 것을 말하고, 실시형태에서는, 파이프(56)나 경사판(53)이 이것에 해당한다.
"상측 지지 부재"란 적어도 지지 부재를 상부에서 지지하는 기능을 갖는 것을 말하고, 실시형태에서는 상판(62), 수하판(64), 클립 지지 부재(74), 클립(52)이 이것에 해당한다.
"반송 기구"란 적어도 상측 지지 부재를 이동시키는 기능을 갖는 것을 말하고, 실시형태에서는 롤러(40)와 롤러 가이드(66), 피니언(70), 랙(68)이 이것에 해당한다.
"방호 부재"란 적어도 반송 기구에서 발생하거나, 또는 날아 오른 분진이, 처리 대상에 도달하는 것을 막는 기능을 갖는 것을 말하고, 실시형태에서는 하부 방호벽(47)이나 측방 방호벽(49)이 이것에 해당한다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 표면 처리 시스템의 전체 구성도이다.
도 2는 도 1의 표면 처리 시스템의 측면도이다.
도 3은 표면 처리 장치의 횡단면도이다.
도 4는 행거(50) 근방의 상세도이다.
도 5는 상판(62)의 롤러 가이드(66), 랙(68)을 나타낸 도면이다.
도 6a, 도 6b는 각 베스(4)와 탱크(15) 사이의 처리액과 공기의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 각 베스(4)와 탱크(15) 사이의 처리액과 공기의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 행거(50)를 나타낸 도면이다.
도 9는 클립(52)을 나타낸 도면이다.
도 10a는 파이프(56)로부터의 처리액 방출 상태를 나타낸 도면이다.
도 10b는 처리액 받이 부재(82)에 있어서의 처리액의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 11a, 도 11b는 처리액 받이 부재(82)의 다른 형상을 나타낸 도면이다.
도 12a, 도 12b는 처리액 받이 부재(82)의 다른 형상을 나타낸 도면이다.
도 13a, 도 13b는 처리액 받이 부재(82)의 내측 구조를 나타낸 도면이다.
도 14는 다른 예에 의한 처리액 방출부의 구조를 나타낸 도면이다.
도 15는 연속하는 행거(50)과 지지된 기판(54)을 나타낸 도면이다.
도 16은 도 13에 있어서의 액의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 17은 행거(50)를 돌출시켰을 때의 처리액의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 18은 가이드 부재(79)를 설치한 상태를 나타낸 도면이다.
도 19a, 도 19b, 도 19c는 가이드 부재(79)의 상세를 나타낸 도면이다.
도 20은 가이드 부재(79)의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 21a, 도 21b, 도 21c는 다른 예에 의한 처리액 받이 부재(82)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 22a, 도 22b, 도 22c는 다른 예에 의한 처리액 받이 부재(82)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 23a, 도 23b, 도 23c는 다른 예에 의한 처리액 받이 부재(82)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 24는 배출구의 구조를 나타낸 도면이다.
도 25는 종래의 표면 처리 장치의 예를 나타낸 도면이다.
도 26은 종래의 표면 처리 장치의 예를 나타낸 도면이다.
도 27a, 도 27b, 도 27c, 도 27d, 도 27e, 도 27f는 처리액의 온도 차이에 따른 디스미어 처리의 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 28은 처리액의 온도 차이에 따른 도금 처리의 변화를 설명하기 위한 도 면이다.
도 29는 처리액이 낙하하지 않는 부분에 있어서의 기판(2)의 흔들림을 설명하기 위한 도면이다.
1. 제1 실시형태
도 1에, 본 발명의 일실시형태에 따른 표면 처리 시스템(20)의 평면도를 나타낸다. 이 표면 처리 시스템(20)은 복수개의 표면 처리부를 구비하고 있다. 즉, 제1 수세부(24), 디스미어(desmear)부(26), 제2 수세부(28), 전처리부(30), 제3 수세부(32), 무전해 구리 도금부(34), 제4 수세부(36)를 구비하고 있다. 각 처리부에는 입구(44)와 출구(46)가 형성되어 있고, 이 연통구를 통과하여, 기판이 X 방향으로 이동된다.
도 2에, 도 1의 α 방향에서 본 도면을 나타낸다. 지지 부재인 행거(50)의 클립(52)에 지지된 기판(54)에 대하여, 제1 수세부(24), 디스미어(desmear)부(26), 제2 수세부(28), 전처리부(30), 제3 수세부(32), 무전해 구리 도금부(34), 제4 수세부(36)의 순으로 표면 처리가 실시된다.
도 3에, 도 1의 β-β 단면도를 나타낸다. 행거(50)의 클립(52)에 의해, 기판(54)의 상단부가 끼워져서 수직 상태로 지지되어 있다. 행거(50)에 의해 지지된 기판(54)의 양측에는 처리액 방출부인 파이프(56)가 설치되어 있다. 이 파이프(56)에는 비스듬히 상측을 향하여 처리액을 방출하도록 구멍(58)이 형성되어 있다. 방출된 처리액은 기판(54)의 표면을 흘러서 하부의 처리액 회수구·공기 배출구(13)에 도달하고, 펌프(60)에 의해 순환되어, 다시 파이프(56)로부터 방출된다. 이 실시형태에 있어서는, 어느 표면 처리부에 있어서도, 기판(54)이 처리액에 침지되지 않은 상태에서, 처리액 방출부인 파이프(56)로부터 방출된 처리액이 기판(54)의 표면을 흐름을써 표면 처리가 실시된다.
도 4에, 행거(50) 근방의 상세를 나타낸다. 행거(50)는 상판(62), 이 상판(62)으로부터 하방향으로 연장되는 수하판(垂下板)(64), 및 수하판(64)에 고정된 클립 지지 부재(74)를 구비하고 있다. 클립 지지 부재(74)에는 클립(52)이 설치되어 있다. 이 실시형태에서는 상판(62), 수하판(64), 클립 지지 부재(74), 클립(52)에 의해 상측 지지 부재가 구성되어 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 상판(62)의 이면 하측에는 양단부에 롤러 가이드(66)가 형성되어 있다. 게다가, 한쪽 측에는 랙(68)이 형성되어 있다. 롤러 가이드(66)의 오목부에는 롤러(40)가 회전 가능하게 끼워져 있다. 롤러(40)와 동일한 회전축(72)에 피니언(70)이 형성되고, 랙(68)과 결합되어 있다. 피니언(70)은 모터(도시하지 않음)에 의해 회전 구동되고, 상판(62)을 화살표 X 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 행거(50)에 지지된 기판(54)은 각 처리부를 순차 이동시킬 수 있게 된다. 한편, 롤러(40), 피니언(70)은 소정 간격으로 복수개 형성되어 있다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 롤러(40), 피니언(70)은 측방 방호벽(49)(방호 부재)로부터 돌출하여 형성된 회전축(72)에 고정되고, 회전축(72)의 회전에 따라 회전하도록 되고 있다. 측방 방호벽(49)은 외벽(39)에 고정된 하부 방호벽(47)(방호 부재)에 수직으로 고정되어 있다. 행거(50)의 수하판(64)은 양측의 하부 방호벽(47) 사이의 공간(43)을 통과하여, 클립(52)을 지지하고 있다.
이 실시형태에서는 롤러(40)과 롤러 가이드(66), 피니언(70)과 랙(68)에 의해 구성되는 반송 기구(2 이상의 부품이 서로 마찰하는 부분)의 아래에 하부 방호벽(47)이 형성되고, 측방에 측방 방호벽(49)이 형성되어 있다. 따라서, 반송 기구에 의해 생긴 분진이 클립(52)에 의해 지지된 기판(54)을 향하는 것을 저지할 수 있다.
게다가, 이 실시형태에서는 측방 방호벽(49), 하부 방호벽(47), 외벽(39)에 의해 형성된 공간에 물 등의 액체(41)가 채워져 있다. 액체(41)는 회전축(72)을 절반 정도 덮도록 채워져 있다. 따라서, 액체(41)에 의해, 반송 기구에 의해 발생한 미세한 분진이 포착되고, 공기 중을 떠돌아서 공간(43)으로부터 기판(54)을 향하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 이 실시형태에서는 액체(41)(물)에 의한 부식을 방지하기 위하여, 마모에 의한 치수 변동의 영향이 적은 롤러(40)에는 플라스틱을 채용하고, 마모에 의한 치수 변동의 영향을 작게 할 필요가 있는 피니언(70)에는 스테인리스 재료를 채용하고 있다. 한편, 스테인리스 대신에, 또는 병용하여, 티탄, 탄소강, 황동 등의 금속을 이용해도 무방하다.
이 실시형태에서는 액체(41)는 제1 수세부(24)로부터 제4 수세부(36)(도 1참조)에 걸쳐서 채워져 있다. 제1 수세부(24)의 입구측에 급수구(도시하지 않음)가 형성되고, 제4 수세부(36)의 출구측에 배수구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 배수구의 구성을 도 24에 나타낸다. 베이스 파이프(112)가 하부 방호벽(47)에 고정되어, 배수 파이프(114)에 접속되어 있다. 베이스 파이프(112)에는 상하로 이동하여 그 높이를 조절 가능한 조절 파이프(110)가 삽입되어 있다. 이 조절 파이프(110)의 높이를 바꿈으로써, 액체(41)의 수면을 상하 이동시킬 수 있다.
또, 이 실시형태에서는 오래된 액체(41)(분진을 포함하는 액체(41))가 신속하게 배출되도록, 급수구 부근의 하측 방호벽(47)을, 배수구 부근의 하부 방호벽(47)보다도 높게 되도록 하고 있다.
도 6에, 각 베스(4)에 있어서의 처리액 순환과 공기 배출을 위한 구성을 나타낸다. 도 6a가 측면도, 도 6b가 정면도이다.
각 베스(4)의 전단부와 후단부는 처리액이 방출되는 영역(7)으로부터 떨어져 있다. 상술한 바와 같이, 인접하는 베스(4)에 처리액이 비산하는 것을 막기 위함이다. 각 베스(4)의 전단부와 후단부에는 처리액 회수구·공기 배출구(13)가 형성되어 있다. 기판(54)을 타고 낙하한 처리액은 이 처리액 회수구·공기 배출구(13)로부터, 각 베스(4)의 탱크(15)로 유도된다. 탱크(15)에 축적된 처리액은 탱크(15)에 접속된 순환 파이프(19)를 통하여 회수되어, 펌프(도시하지 않음), 필터(도시하지 않음)를 통하여, 도 3의 파이프(56)로 순환된다. 한편, 탱크(15)의 바닥에는 처리액을 따뜻하게 하기 위한 히터(21)가 설치되어 있다.
각 탱크(15)의 상부에는 선단부에 팬(도시하지 않음)이 설치된 배기 덕트(17)가 형성되어 있다. 따라서, 탱크(15) 내의 공기는 배기 덕트(17)를 통하여 배기된다. 이에 따라서, 베스(4) 내의 공기도 처리액 회수구·공기 배출구(13)로부터 탱크(15) 쪽을 향하게 된다. 베스(4)의 선단부 및 후단부에 있어서는, 그 상부에 공기 취입구(11)가 형성되어 있으므로, 외부의 공기가 베스(4)로 유도되게 된다.
배기 덕트(17)에는 베스(4) 내에서 발생하는 유해한 미스트(처리액이 기화하여 혼합된 공기)를 정화하기 위한 공기 정화 기구로서, 스크러버(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
베스(4) 및 탱크(15)의 상부는 개방하지 않고, 뚜껑을 덮고 있다. 따라서, 베스(4) 및 탱크(15)가 외기와 연통하는 개구는 공기 취입구(11), 입구(44), 출구(46), 배기 덕트(17)에 한정된다. 이들 중에서, 배기 덕트(17)를 제외한 개구는 팬의 움직임에 의해 베스(4) 밖의 공기를 흡인하는 상태로 되어 있다. 따라서, 스크러버에 의해, 미스트를 정화하여 무해한 공기로 한 다음, 장치의 외부로 배출하고, 장치 주변의 환경 오염을 방지할 수 있다.
탱크(15)는 처리액 회수구·공기 배출구(13)보다도 하측에 설치되어 있으며, 베스(4) 및 탱크(15)의 고저 차이와, 팬에 의한 공기의 흡인을 이용하여, 베스(4) 내의 처리액을 탱크(15)로 회수한다.
상기의 처리액과 공기의 흐름을 모식적으로 나타낸 것이 도 7이다. 처리액은 베스(4) 하부의 처리액 회수구·공기 배출구(13)를 통과하여, 탱크(15)에 축적된다. 처리액에 의해 따뜻하게 된 공기는 베스(4) 하부의 처리액 회수구·공기 배출구(13)를 통하여 탱크(15)의 상부(처리액이 없는 부분)를 향하고, 배기 덕트(17)를 통하여 배출된다. 이와 같이, 베스(4)에 있어서, 온도가 높아져서 위로 오르려고 하는 공기를 하부에서 배출하여 상부부터 외기로 바꿔 놓으므로, 베스(4)의 공기 온도를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 기판(54)의 상부에서 하부에 이르는 처리액의 온도를, 균일하게 유지할 수 있다.
또, 베스(4)에 있어서, 공기의 흐름을 상부에서 하부를 향하도록 하고 있으므로, 기판(54)이 하측으로 잡아 당겨져, 기판(54)의 흔들림을 작게 할 수 있다. 따라서, 기판(54)이 입구(44)나 출구(46)에 접촉할 우려를 저감할 수 있다.
도 8에, 행거(50)의 사시도를 나타낸다. 상판(62)으로부터, 수하판(64)이 하방향으로 연장되어 있다. 이 수하판(64)에 대하여, 횡방향으로 클립 지지 부재(74)가 고정되어 있다. 이 클립 지지 부재(74)의 양단부와 중앙부에 클립(52)이 설치되어 있다.
클립(52)의 상세를, 도 9에 나타낸다. 클립(52)은 스프링(76)에 의해 선단부가 닫히는 방향으로 탄성지지되어 있다. 도 9는 이 스프링(76)에 대항하여 스프링(76)을 압압하고, 선단부를 개방한 상태를 나타내고 있다. 클립(52)의 선단부에는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 행거(50)의 폭 전체에 걸치는 처리액 받이 부재(82)가 설치되어 있다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 처리액 받이 부재(82)의 근원 부분은 평판(80)이며, 선단 부분은 외측을 향하여 반원 형상(20mm ~40mm의 반경인 것이 바람직하다)의 볼록부(78)로 되어 있다. 볼록부(78)의 내측 하단에는 기판(54)을 끼워넣어서 파지(把持)하기 위한 파지 돌기(75)가 형성되어 있다.
처리액 받이 부재(82)를 내측에서 본 도면을 도 13a에 나타낸다. 이 실시형태에서는, 파지 돌기(75)를, 좌우단 및 중앙의 3 부위에 형성하고 있다. 또, 파지 돌기(75) 사이에, 밀착 방지 돌기(77)를 형성하고 있다. 도 13b는 도 13a의 저면도이다. 이 도면으로부터 확실한 바와 같이, 파지 돌기(75)보다, 밀착 방지 돌기(77)의 쪽이 낮게 형성되어 있다. 따라서, 기판(54)은 파지 돌기(75)에 의해 그 상단부가 끼워 넣어져 지지된다.
한편, 밀착 방지 돌기(77)는 파지 돌기(75)가 없는 부분에 있어서, 기판(54)이 구부러져서(얇은 기판의 경우 쉽게 구부러진다), 처리액 받이 부재(82)에 밀착되지 않도록 하기 위한 것이다. 기판(54)이 처리액 받이 부재(82)에 밀착되어, 그 밀착 면적이 크면, 처리액이 흘러 들어와도, 기판(54)이 밀착된 채로 되어, 밀착 부분에 있어서는 표면 처리를 할 수 없게 되기 때문이다.
도 4로 돌아가서, 파이프(56)에는 도 3의 펌프(60)에 의해 처리액이 공급된다. 이 처리액은 각 처리부에 따라 상이하다. 이 실시형태에서는, 제1 수세부(24), 제2 수세부(28), 제3 수세부(32), 제4 수세부(36)에 있어서는 세정액을 이용하고 있다. 디스미어(desmear)부(26)에 있어서는 디스미어액을 이용하고 있다. 전처리부(30)에 있어서는 전처리액을 이용하고 있다. 무전해 구리 도금부(34)에 있어서는 도금액을 이용하고 있다.
파이프(56)의 구멍(58)은 소정 각도(예를 들어 45도) 상측을 향해 형성되어 있다. 따라서, 처리액은 파이프(56)로부터 비스듬히 상측을 향하여 방출되고, 클립(52)에 도달하게 된다. 한편, 구멍(58)은 수평 방향에 대하여 5도~85도의 범위의 방향으로 형성하는 것이 바람직하다. 파이프(56)의 구멍(58)은 소정 간격(예를 들어 10cm 간격)으로, 지면에 수직인 방향으로 형성되어 있다.
도 10a에 나타낸 바와 같이, 파이프(56)의 구멍(58)으로부터 분출된 처리액은 처리액 받이 부재(82)의 평판(80)에 접촉하여 하방향으로 흐른다. 이 때의 물의 흐름을 도 10b에 나타낸다. 평판(80)에 접촉한 처리액은 좌우로 퍼지면서, 평판(80)의 표면을 화살표 A의 방향(하방향)으로 흘러간다. 상술한 바와 같이, 파이프(56)로부터는 소정 간격으로 처리액이 방출되고 있지만, 평판(80)에 접촉한 처리액은 좌우로 퍼지므로, 평판(80)의 폭 방향 전면에 걸쳐서 처리액이 하방향으로 흐르게 된다.
평판(80)의 표면을 흘러 떨어진 처리액은 화살표 B에 나타낸 바와 같이, 단면 형상이 반원인 볼록부(78)의 표면을 타고 흐른다. 볼록부(78)의 하단에 도달한 처리액은 기판(54)을 타고 흘러 떨어진다. 따라서, 기판(54)의 표면 전체를 타고 처리액이 흘러, 표면 처리가 실시된다.
한편, 처리액 받이 부재(82)로부터 기판(54)에 처리액이 흐를 때, 도 10b에 나타낸 바와 같이, 표면에 대하여 수직에 가까운 각도로 유입하는 것이 바람직하다. 이것을, 도 11a에 나타낸 바와 같이, 표면에 대하여 수평에 가까운 각도로 유입시키면, 기판(54)의 표면에 도포되어 있는 약제(예를 들어, 도금 시의 바나듐)를 흘려 떨어뜨리게 되어, 적절한 표면 처리를 할 수 없게 되기 때문이다.
따라서, 도 11b에 나타낸 바와 같이, 볼록부(78)를 형성하여, 처리액이 기판(54)의 표면에 대하여 수직에 가까운 각도로 유입시키는 것이 바람직하다. 단지, 도 11b와 같은 구조의 경우, 기판(54)의 상부에 있어서, 처리액이 충분히 돌아 들어가지 않고, 얼룩이 생길 가능성이 있다. 따라서, 상기 실시형태에서는, 볼록부(78)의 형상을 R 형상(곡면 형상)으로 하여 처리액의 돌아 들어감을 확보하면서, 수직에 가까운 각도로 유입시키는 것을 실현하고 있다.
예를 들어, 도 11b의 볼록부(78)의 하단부 외측에 R을 형성함으로써, 마찬가지의 효과를 얻도록 해도 무방하다. 또, 도 12a에 나타낸 바와 같이, 평판(80)을 두껍게 형성하고(20mm ~40mm로 하는 것이 바람직하다), 선단부 외측에 R(R=10mm 이상인 것이 바람직하다)을 형성해도 무방하다.
게다가, 도 12b에 나타낸 바와 같이, 흐름 가이드(81)를 형성해도 무방하다. 이 흐름 가이드(81)에 의해, 처리액은 확실하게 기판(54) 쪽을 향하게 된다. 흐름 가이드(81)를 이용하면, 도 11b와 같은 구조이더라도, 확실하게 처리액을 기판(54)을 향하게 할 수 있다.
또, 볼록부(78)의 하단 부근에서는 흘러들어 온 처리액이, 아주 약간 상방향으로도 이동하므로, 기판(54)의 상단부까지 처리액이 골고루 미치게 된다. 이 때, 도 13b에 나타낸 바와 같이, 밀착 방지 돌기(77)가 형성되어 있으므로, 기판(54)이 구부러져도, 처리액 받이 부재(82)에 밀착되지 않고, 밀착 방지 돌기(77)에서만 접하게 된다. 따라서, 흘러들어 온 처리액이, 기판(54)을 밀착 방지 돌기(77)로부터 떠오르게 하여, 기판(54)의 상단까지 표면 처리를 얼룩 없이 실시할 수 있다.
한편, 도 13a 및 도 13b에 나타낸 밀착 방지 구조는 행거(50)에 처리액을 접촉시켜서 기판(54)에 처리액을 흘리는 방식뿐만 아니라, 기판(54)의 상단부 근방에 처리액을 접촉시켜 처리액을 흘리는 방식에도 적용할 수 있다.
한편, 도 1에 나타낸 바와 같이, 디스미어 처리, 전처리, 무전해 구리 도금 처리의 전(후)에는 수세 처리가 실시된다. 수세 처리에 있어서도, 상기와 마찬가지로, 처리액인 세정수를 흘려서, 기판(54)의 표면을 세정한다. 다만, 수세 처리에 있어서는, 파이프(56)로부터 방출한 처리액을 접촉시키는 위치를, 디스미어 처리, 전처리, 무전해 구리 도금 처리에 있어서의 접촉 위치보다, 위로(높게) 하도록 하고 있다. 이와 같이 함으로써, 수세 처리에 의해, 평판(80)에 부착된 디스미어 처리액, 전처리액, 무전해 구리 도금 처리액을 보다 적절히 세정할 수 있기 때문이다.
또, 상기 실시형태에서는, 파이프(56)로부터 비스듬히 상측에 처리액을 방출했지만, 도 14에 나타낸 바와 같이, 경사판(53)으로부터 처리액을 비스듬히 하측에 방출하도록 해도 무방하다. 저장 베스(55)에는 펌프(60)에 의해 퍼 올려진 처리액이 저장된다. 그 액면이, 경사판(53)의 단부보다 높아지면, 처리액이 경사판(53)에 넘쳐 흐른다. 경사판(53)에 넘쳐 흐른 처리액은 처리액 받이 부재(82)에 접촉하여, 기판(54)에 흘러 떨어진다. 이 경우, 경사판(53)이 처리액 방출부에 해당한다.
또, 상기 실시형태에서는 기판(54)에 대하여 처리액을 방출하는 방식의 처리 베스에 적용한 경우를 설명했다. 그러나, 기판(54)을 처리액에 침지하는 방식의 처리 베스에도 적용할 수 있다. 이 경우에도, 처리액 중에 분진이 혼입되어 불량의 원인이 되는 것을 방지할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 파이프(56)나 저장 베스(55)에 대하여, 행거(50)가 이동하는 구성으로 하고 있다. 그러나, 행거(50)를 고정하고, 파이프(56)나 저장 베스(55)를 이동시키도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 액체(41)를 회전축(72)이 절반 담가지는 정도까지 넣고 있다. 그러나, 적어도 롤러(40)에 접촉하는 정도의 액체(41)가 들어 있으면 충분한 효과를 얻을 수 있다. 또, 가능하면, 반송 기구 전체가 액체(41)에 담가질 때까지 넣도록 해도 무방하다. 게다가, 롤러(40)에 접촉하지 않는 정도의 액체(41)을 넣는 것만으로도, 반송 기구에서 나와서 아래로 떨어진 분진을 포착할 수 있어, 효과를 기대할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 액체(41)를 넣도록 하고 있다. 그러나, 액체(41)를 넣지 않도록 해도 무방하다. 액체(41)를 넣지 않으면, 분진의 방지 효과는 감소하지만, 그래도, 측방 방호벽(49), 하부 방호벽(47)에 의해, 반송 기구에서 발생한(날아 오른) 분진이, 기판(54) 측으로 이동하는 것을 막을 수 있다. 게다가, 측방 방호벽(49)을 없애고, 하부 방호벽(47)만으로 해도 무방하다. 이 경우이더라도, 일정한 방진 효과를 기대할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 롤러(40), 피니언(70)을, 측방 방호벽(49)에 의해 지지하도록 하고 있다. 그러나, 하부 방호벽(47), 외벽(39)에 의해 지지하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 행거(50)에 있어서, 상판(62) 측에, 롤러 가이드(66)를 형성하고, 측방 방호벽(49) 측에 롤러(40)를 형성하고 있다. 그러나, 상판(62) 측에 롤러(40)를 형성하고, 측방 방호벽(49) 측에 롤러 가이드(66)를 형성하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 행거(50)에 있어서, 상판(62) 측에, 랙(68)을 형성하고, 측방 방호벽(49) 측에 피니언(70)을 형성하고 있다. 그러나, 상판(62) 측에, 피니언(70)을 형성하고, 측방 방호벽(49) 측에 랙(68)을 형성하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 액체로서 물을 채용했지만, 윤활유 등을 이용하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 방호 부재로서 방호벽을 이용하고, 물리적으로 분진의 이동을 저지하도록 하고 있다. 그러나, 이온 등을 발생시켜서, 전기적·자기적으로 분진을 흡착하도록 하여 분진의 이동을 저지하도록 해도 무방하다. 또, 분진을 반발시켜서, 분진을 기판(54) 측으로 이동하지 않도록 해도 무방하다. 게다가, 분진을 흡인하는 기구를 형성하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 처리액 회수구·공기 배출구(13)를 형성하고, 처리액 회수구와 배기구를 공용하고 있다. 그러나, 이들을 따로따로 형성하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 흡기구(11)를 하부 방호벽(47)보다 위에 형성하도록 하고 있다. 그러나, 하부 방호벽(47)보다 아래에 형성하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 각 베스(4)에 있어서, 전단부 및 후단부의 양족에 처리액 회수구·공기 배출구(13)를 형성하고 있다. 그러나, 어느 한쪽에만 형성하도록 해도 무방하다. 또, 3개 이상 형성하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는, 방출된 처리액을 행거(50)에 접촉시켜서, 기판(54)에 처리액을 유도하도록 하고 있다. 그러나, 기판(54)에 직접적으로 처리액을 방출하도록 해도 무방하다.
상기 실시형태에서는 방호벽을 형성한 경우에 대하여 설명했지만, 종래와 같이 방호벽을 형성하지 않는 구성에 있어서도, 배기에 의한 온도의 조정이나 기판의 흔들림 방지의 구조를 적용할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 공기 취입구인 흡기구(11)를 베스(4)의 최상부에 형성하고, 공기 배출구인 처리액 회수구·공기 배출구(13)를 베스의 최하부에 형성하고 있다. 그러나, 공기 취입구보다도 공기 배출구를 아래에 형성함으로써, 온도의 불균일을 개선하는 효과를 얻을 수 있다. 이 때, 공기 취입구를 기판(54)의 상단(혹은 기판에 처리액이 접하는 상단)보다도 위에 형성하고, 공기 배출구를 기판(54)의 하단보다도 아래에 형성하는 것이, 온도 불균일 개선을 위하여 바람직하다. 한편, 기판(54)의 흔들림을 방지하기 위해서는, 적어도, 공기 취입구보다도 공기 배출구를 아래에 형성하고, 공기 배출구를 기판(54)의 하단보다도 아래에 형성하는 것이 바람직하다.
상기 실시형태에서는, 각 처리부에, 연통구인 입구(44)와 출구(46)를 형성하고 있지만, 이들에 개폐식의 셔터를 설치함으로써, 유해한 미스트가 베스(4)의 밖으로 배출되는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
2. 제2 실시형태
제1 실시형태에서는, 하나의 행거(50)에 대하여, 처리액을 기판(54)에 적절히 흘리는 구조를 나타냈다. 지금부터 설명하는 제2 실시형태는 복수의 행거(50)에 기판(54)을 지지하고, 이것들을 일련으로 하여 처리액을 흘리는 경우에 관한 것이다.
이하, 설명을 용이하게 하기 위해, 제1 실시형태의 표면 처리 장치에 대하여 적용한 경우에 관하여 설명하지만, 기판(54)의 표면에 처리액을 흘리는 방식의 표면 처리 장치이라면 적용 가능하다.
도 15에, 행거(50)에 지지된 기판(54)을 복수개 나열한 상태를 나타낸다. 행거(50)의 폭에 걸쳐서, 기판(54)이 지지되어 있다. 인접하는 기판(54)의 사이는 가능한 한 좁게 하는 것이 처리 능력이 높아진다. 이 실시형태에서는, 5mm ~ 15mm의 사이를 띄우도록 하고 있다. 그러나, 이 기판(54)의 간격을 0mm로 하는 것은 어렵다. 각 행거(50)의 반송 속도에 오차가 생겼을 때에, 인접하는 기판(54)이 겹쳐 밀착되게 되어, 비틀려서 깨지거나 하기 때문이다.
또, 행거(50)와 행거(50) 사이도, 5mm ~ 15mm 띄우도록 하고 있다. 각 행거(50)의 송출 속도가 완전하게 일치하지 않는 경우, 행거(50)끼리가 접촉하여, 행거(50)가 비스듬하게 되어, 인접하는 기판(54)이 접촉할 우려가 있기 때문이다. 물론, 각 행거(50)의 송출 속도를 정밀하게 일정하게 하면, 이 간격을 작게 할 수 있지만, 복잡하고 고가의 기구가 필요하게 된다.
이와 같이, 인접하는 행거(50) 및 기판(54)은 소정의 간격을 띄울 필요가 있다. 본래, 기판(54)과 기판(54) 사이에서는 처리액을 흘릴 필요는 없다. 그 부분에, 기판(54)은 없고, 처리액에 의한 표면 처리는 불필요하기 때문이다.
그러나, 도 16에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 행거(50)와 행거(50) 사이의 공간(51)에 처리액이 흐르지 않기 때문에, 표면 장력에 의해, 기판(54)의 하부(L)에서는 단부에 흐르는 처리액이 적어지게 된다. 이 때문에, 기판(54)에 대한 표면 처리에 얼룩이 생기게 된다는 문제가 있었다.
따라서, 제2 실시형태에서는 기판(54)의 좌우단의 외측 공간에 있어서도 처리액이 흐르는 구조를 채용했다. 도 17에 그 예를 나타낸다. 이 예에 있어서는 기판(54)보다, 행거(50)의 처리액 받이 부재(82)의 폭을 넓게 하고 있다. 따라서, 도면 중의 화살표에 나타낸 바와 같이, 기판(54)의 외측에 있어서도 처리액이 흐르게 된다. 이 처리액의 층은 아래로 갈수록 기판(54)의 단부에 가까워지고, 마침내 기판(54) 내의 흐름에 흡수되게 된다. 그러나, 처리액 받이 부재(82)의 돌출 정도(F)를 충분히 크게 취함으로써, 기판(54)의 하단부에 이를 때까지, 좌우 단부의 외측에 처리액의 층을 만들 수 있다(파선 참조).
다만, 도 17에 나타낸 구조에서는, 기판(54)과 기판(54) 사이가 크게 벌어지게 되고, 단위 시간당 처리할 수 있는 기판(54)의 매수가 적어지게 된다. 이와 같이, 처리 수율이 문제가 되는 경우에는 처리액 받이 부재(82)를 도 18에 나타낸 구조로 해도 무방하다.
도 18에서는, 처리액 받이 부재(82)의 볼록부(78)의 한쪽 측에, 가이드 부재(79)를 설치하고 있다. 도 19a에 그 정면도, 도 19b에 저면도, 도 19c에 측면도를 나타낸다.
가이드 부재(79)는 볼록부(78)의 외형에 따르도록, 그 외측에 설치되어 있다. 이 실시형태에서는, 볼록부(78)의 하측 절반의 R 부분에 따르도록 설치되어 있다. 가이드 부재(79)는 볼록부(78)의 하측을 완전히 덮는 것이 아니고, 하단부에 있어서 공간(83)이 생기도록 설치되어 있다. 또, 가이드 부재(79)는 볼록부(78)의 폭보다 W 만큼 돌출하여 설치되어 있다.
도 20에, 복수의 행거(50)가 반송되었을 때의, 인접하는 처리액 받이 부재(82) 상태를 나타낸다. 전방(좌측)의 처리액 받이 부재(82)의 후단에 설치된 가이드 부재(79)에, 후방(우측)의 처리액 받이 부재(82)의 전단이 들어가 있다. 게다가, 전방(좌측)의 가이드 부재(79)의 공간(83)(도 19c 참조)에, 후방(우측)의 기판(54)의 전단이 들어가 있다. 이에 따라, 후방(우측)의 기판(54)의 전단은 인접하는 전방(좌측)의 가이드 부재(79)의 일부와 오버랩된다. 이 때, 행거(50)의 처리액 받이 부재(82) 및 기판(54)은 소정의 간격(D)(이 실시형태에서는 5mm ~ 15mm)을 두어 반송된다. 이 때, 파이프(56)로부터 방출된 처리액은 가이드 부재(79)에 의해 받아들여지고, 공간(83)(도 19c 참조)으로부터 간격(D)을 향해 낙하한다. 따라서, 간격(D)의 부분에 있어서도, 처리액의 막이 생기고, 도 16에 나타낸 바와 같은 문제를 억제하여, 얼룩이 적은 표면 처리를 실현할 수 있다.
이상과 같이, 도 20에 나타낸 실시형태이라면, 기판(54)의 간격을 넓히지 않고, 얼룩이 적은 표면 처리를 실시할 수 있다. 한편, 상기에서는 처리액 받이 부재(82)의 한쪽 측에만 가이드 부재(79)를 형성했지만, 양측에 가이드 부재(79)를 형성한 행거(50)와, 가이드 부재(79)를 형성하지 않은 행거(50)를 번갈아 나열하여 이용하도록 해도 무방하다.
또, 도 21에 나타낸 바와 같이, 처리액 받이 부재(82)(볼록부(78))의 한쪽을 선단이 가늘게 뾰족하게 한 볼록부(78a)로 하고, 반대측을 이것에 대응하는 오목부(78b)로 해도 무방하다. 도 21a에 그 정면도, 도 21b에 저면도, 도 19c에 측면도를 나타낸다. 이 경우, 도 21b의 길이(L)에 걸쳐서 기판(54)을 장착해도 무방하다. 행거(50)의 볼록부(78a)는 인접하는 행거(50)의 오목부(78b)에 들어간다(다만, 접촉하지 않도록 5mm~15mm의 간격은 띄워 둔다). 따라서, 기판(54)과 기판(54) 사이에도, 처리액의 흐름 층을 형성할 수 있다.
한편, 도 21에서는, 선단이 가늘게 뾰족하게 한 볼록부(78a)와, 이것에 대응하는 형상의 오목부(78b)를 형성하고 있다. 그러나, 한쪽이 다른쪽에 들어가는 형상의 볼록부와 오목부이라면, 어떠한 형상이어도 무방하다. 예를 들면, 원주상의 볼록부(78a)와, 이것에 대응하는 형상의 오목부(78b) 등을 이용할 수 있다.
또, 도 22에 나타낸 바와 같이, 처리액 받이 부재(82)(볼록부(78))의 양단을 비스듬하게 형성해도 무방하다. 도 22a에 그 정면도, 도 22b에 저면도, 도 22c에 측면도를 나타낸다.
게다가, 도 23에 나타낸 바와 같이, 처리액 받이 부재(82)(볼록부(78))의 양단에, 편류(偏流)를 위한 돌기(78d)를 형성하도록 해도 무방하다. 도 23a에 그 정면도, 도 23b에 저면도, 도 23c에 측면도를 나타낸다. 이에 따라, 양단부에 있어서, 처리액이 외측으로 편류(偏流)되고, 기판(54)과 기판(54) 사이의 공간에도 처리액을 흘릴 수 있다.
상기 실시형태에서는, 처리 대상으로서, 자연 상태로 자립할 수 없는 박판의 기판(수십 μm의 두께)에 대하여 설명했다. 그러나, 두꺼운 판을 처리 대상으로 할 수도 있다.
제2 실시형태는 제1 실시형태와 조합하여 실시하는 것도 가능하지만, 제1 실시형태를 떠나서 그것 단독으로 실시하는 것도 가능하다.
20: 표면 처리 시스템 22: 로드부
24: 제1 수세부 26: 디스미어부
28: 제2 수세부 30: 전처리부
32: 제3 수세부 34: 무전해 구리 도금부
36: 제4 수세부 38: 언로드부
44: 입구 46: 출구
50: 행거

Claims (9)

  1. 박판의 처리 대상의 상부를 지지하는 지지 부재;
    상기 지지 부재를 이동시키는 반송 기구;
    상기 지지 부재 또는 상기 처리 대상에 대하여 처리액을 방출하고, 상기 지지 부재에 지지된 상기 처리 대상의 표면에 처리액을 흘리는 처리액 방출부; 및
    적어도 상기 처리액 방출부, 상기 처리 대상, 상기 지지 부재 및 상기 반송 기구의 주변을 완전히 덮어 수납하는 베스 부재; 를 구비한 표면 처리 장치이며,
    상기 베스 부재의 상부에 공기 취입구를 형성하고, 상기 베스 부재의 하부에 공기 배출구를 형성하고, 상기 공기 취입구에서 상기 공기 배출구로 향하는 공기 흐름에 의해 상기 처리 대상을 안정적으로 유지하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  2. 적어도 처리액 방출부, 박판의 처리 대상, 지지 부재 및 반송 기구의 주변을 완전히 덮어 수납하는 베스 부재를 복수개 연결한 베스 부재 연결체이며, 각 베스 부재에는 인접하는 베스 부재를 연통시키는 연통구가 형성된 베스 부재 연속체;
    상기 처리 대상의 상부를 지지하는 지지 부재;
    상기 처리 대상을 상기 베스 부재 연속체의 연통구를 통하여 각 베스 부재 내에 이동시키기 위하여, 상기 지지 부재를 이동시키는 반송 기구; 및
    각 베스 부재에 형성된 처리액 방출부이며, 상기 지지 부재 또는 상기 처리 대상에 대하여 처리액을 방출하고, 상기 지지 부재에 지지된 상기 처리 대상의 표면에 처리액을 흘리는 처리액 방출부;를 구비한 표면 처리 장치에 있어서,
    상기 처리액 방출부는 상기 연통구를 통하여 인접하는 베스 부재에 대하여 처리액이 비산하지 않도록, 인접하는 베스 부재 근방에 있어서 처리액을 처리 대상에 방출하지 않도록 구성되고,
    상기 베스 부재의 상부에 공기 취입구를 형성하고, 각 베스 부재의 인접하는 베스 부재와의 근방 하부에 공기 배출구를 형성하고, 상기 공기 취입구에서 상기 공기 배출구로 향하는 공기 흐름에 의해 상기 베스 부재 내의 처리액을 상기 공기 배출구로 회수하도록 구성된 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 공기 취입구는 처리액 방출부에서 방출된 처리액이 처리 대상에 접촉하는 부위보다도 상측에 형성되며,
    상기 공기 배출구는 상기 처리 대상보다도 하측에 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공기 배출구는 상기 처리액을 회수하기 위한 회수구와 공용되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지 부재를 상측에서 지지하는 상측 지지 부재;
    상기 상측 지지 부재를 이동시키는 반송 기구; 및
    적어도 상기 반송 기구의 하측에 형성된 방호 부재;를 더 구비하고,
    상기 상측 지지 부재는 방호 부재가 형성되지 않은 부분을 통하여, 상기 지지 부재를 지지하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 방호 부재는 상기 반송 기구의 측면에도 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서
    상기 방호 부재에 의해 둘러싸인 부분에 있어서, 상기 반송 기구의 하측 또는 상기 반송 기구의 적어도 일부를 담그도록 유체를 채운 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 방호 부재에 의해 둘러싸인 부분에는 급수구와 배수구가 형성되고, 유체가 교체되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 반송 기구는 스테인리스, 티탄, 탄소강, 황동 또는 플라스틱에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101916361B1 (ko) 2018-01-15 2018-11-09 (주)탑스 기판 도금 장치
CN108722793A (zh) * 2018-05-23 2018-11-02 麦格纳电子(张家港)有限公司 用于点胶系统的排空气方法
JP6585797B2 (ja) * 2018-09-27 2019-10-02 上村工業株式会社 表面処理装置
JP6793761B2 (ja) * 2019-01-10 2020-12-02 上村工業株式会社 表面処理装置およびその方法
JP6793762B2 (ja) * 2019-01-10 2020-12-02 上村工業株式会社 表面処理装置
US11673158B1 (en) * 2022-02-16 2023-06-13 Jon Kyle Lavender Method and apparatus for coating a drinking straw

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007023348A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 I Plant:Kk 電気メッキ処理システム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3025828A (en) * 1960-05-05 1962-03-20 Du Pont Coating apparatus
US3955532A (en) * 1973-09-10 1976-05-11 Amchem Products, Inc. Agitation of an acidic aqueous coating composition containing dispersed particles of an organic coating-forming material
US4622917A (en) * 1982-09-27 1986-11-18 Etd Technology, Inc. Apparatus and method for electroless plating
US6540830B1 (en) * 2000-09-05 2003-04-01 Xerox Corporation Apparatus for coating the ends of fuser rolls
JP2004281444A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Chuo Seisakusho Ltd プリント配線板のスルーホールめっき装置
US7874260B2 (en) * 2006-10-25 2011-01-25 Lam Research Corporation Apparatus and method for substrate electroless plating
JP4766862B2 (ja) * 2004-10-18 2011-09-07 アルメックスPe株式会社 表面処理装置
DE102007026634B4 (de) * 2007-06-06 2009-04-16 Atotech Deutschland Gmbh Vertikalanlage zur galvanotechnischen Behandlung eines Werkstückes und Verfahren zum Befördern des Werkstückes
JP5121481B2 (ja) 2008-02-01 2013-01-16 上村工業株式会社 表面処理装置
TWI437118B (zh) * 2012-05-22 2014-05-11 薄膜沉積裝置
JP5986848B2 (ja) * 2012-08-27 2016-09-06 上村工業株式会社 表面処理装置
JP2014088600A (ja) 2012-10-31 2014-05-15 C Uyemura & Co Ltd 表面処理装置
JP5938332B2 (ja) * 2012-11-05 2016-06-22 株式会社小野測器 有底筒体の製造方法及び有底筒体
CN104815539A (zh) * 2015-05-11 2015-08-05 王英英 一种应用新能源的化工车间空气净化装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007023348A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 I Plant:Kk 電気メッキ処理システム

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