KR102282219B1 - 전이 금속 디칼코게나이드를 사용한 전계 효과 트랜지스터 및 그 형성 방법 - Google Patents

전이 금속 디칼코게나이드를 사용한 전계 효과 트랜지스터 및 그 형성 방법 Download PDF

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Abstract

2차원 재료층을 형성하는 방법에 있어서, 핵생성 패턴이 기판 위에 형성되고, 핵생성 패턴으로부터 측방으로 성장하도록 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)층이 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, TMD층은 단결정이다.

Description

전이 금속 디칼코게나이드를 사용한 전계 효과 트랜지스터 및 그 형성 방법{A FIELD EFFECT TRANSISTOR USING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE AND A METHOD FOR FORMING THE SAME}
본 출원은 2018년 9월 25일자로 출원되고 그 전체 내용이 여기에 참조로 포함된 미국 특허 가출원 제62/736,335호의 우선권을 주장한다.
2차원(two-dimensional; 2-D) 재료로서 그래핀은 10 nm 이하의 기술 노드에서 트랜지스터 응용을 위한 가능한 재료로 부상하고 있다. 그러나, 제로 밴드갭 특성으로 인해, 그래핀 트랜지스터의 낮은 ON/OFF 비율은 그 실용적 응용을 제한하고 있다. 전이 금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide; TMD)와 같은 밴드갭을 갖는 다른 2D 물질이 트랜지스터 용도로 주목을 받고 있다.
본 개시 내용은 첨부 도면을 함께 파악시 다음의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 산업계에서의 표준 관행에 따라 다양한 특징부들은 비율대로 작성된 것은 아님을 강조한다. 실제, 다양한 특징부의 치수는 논의의 명확성을 위해 임의로 증감될 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정(single crystalline) TMD층을 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 2a 및 도 2b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다. 도 2c는 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 3a 및 도 3b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 5는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 TMD층을 형성하는 제조 방법 및 장치의 개략도이다.
도 6은 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 TMD층의 핵생성(nucleation)을 예시한다.
도 7a 및 도 7b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 8a, 도 8b 및 도 8c는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 FET를 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 9a 및 도 9b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 FET를 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 10a 및 도 10b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 FET를 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 11a 및 도 11b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 FET를 제조하는 순차적인 공정의 단계 중 하나를 예시한다.
도 12a, 도 12b, 도 12c, 도 12d 및 도 12e는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정의 여러 단계를 예시한다.
도 13a, 도 13b 및 도 13c는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정 TMD층을 사용하여 FET를 제조하는 순차적인 공정의 여러 단계를 예시한다.
도 14a, 도 14b 및 도 14c는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 FET를 제조하는 순차적인 공정의 여러 단계를 예시한다.
도 15는 Si(110) 기판 상의 MoS2 단일층의 2개의 배향(0° 및 180°)을 예시한다.
다음의 개시 내용은 발명의 여러 가지 다른 특징부의 구현을 위한 다수의 상이한 실시예 또는 실례를 제공함을 이해하여야 한다. 본 개시 내용을 단순화하기 위해 구성 성분 및 배열의 특정 예들을 아래에 설명한다. 이들은 물론 단지 여러 가지 예일 뿐이고 한정하고자 의도된 것이 아니다. 예를 들어, 요소의 치수는 개시된 범위 또는 값으로 제한되지 않지만, 장치의 공정 조건 및/또는 원하는 특성에 의존할 수 있다. 또한, 이어지는 설명에서 제2 특징부 상에 제1 특징부의 형성은 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉되게 형성되는 실시예를 포함할 수 있고 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉되지 않을 수 있게 추가의 특징부가 제1 및 제2 특징부 사이에 형성될 수 있는 실시예도 포함할 수 있다. 다양한 특징부는 단순 및 명료를 위해 다른 비율로 임의로 작성될 수 있다.
또한, "아래"(예, beneath, below, lower), "위"(예, above, upper) 등의 공간 관계 용어는 여기서 도면에 예시되는 바와 같이 다른 요소(들) 또는 특징부(들)에 대한 하나의 요소 또는 특징부의 관계를 기술하는 설명의 용이성을 위해 사용될 수 있다. 공간 관계 용어는 도면에 표현된 배향 외에도 사용 중 또는 동작 중인 소자의 다른 배향을 포함하도록 의도된 것이다. 소자/장치는 달리 배향될 수 있으며(90도 회전 또는 다른 배향), 여기 사용되는 공간 관계 기술어도 그에 따라 유사하게 해석될 수 있다. 또한, "형성되는"이라는 용어는 "포함하는" 또는 "구성되는" 중 어느 하나를 의미할 수 있다. 본 개시 내용에서, "A, B 및 C 중 하나"라는 표현은 달리 기술되지 않으면, "A, B 및/또는 C"(A, B, C, A와 B, A와 C, B와 C, 또는 A, B 및 C)를 의미하고, A에서 하나의 요소, B에서 하나의 요소, C에서 하나의 요소를 의미하지는 않는다.
MX2(M = Mo, W, Pd, Pt 및/또는 Hf이고, X = S, Se 및/또는 Te)로 표현되는 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)의 단층(monolayer)은 능동 트랜지스터 채널로서 사용될 수있는 2차원(2D) 반도체층으로 알려져 있다. 여기서, "2D"층은 일반적으로 일부 실시예에서 약 0.1 nm 내지 5 nm의 범위 내의 두께를 갖는 하나 또는 몇개의 층의 원자 매트릭스 또는 네트워크를 지칭한다.
TMD의 단층은 화학적 기상 증착(CVD) 또는 기상 성장을 사용하여 기판 상에 형성될 수 있다. 그러나, 이렇게 성장된 TMD층은 각 도메인의 배향이 무작위로 배열되고 오배향된 인접한 도메인의 계면에 결정립계(grain boundaries)가 형성되는 다결정 막을 형성한다. 이러한 결정립계 결함은 고성능 트랜지스터 응용에 불리한 많은 갭내(in-gap) 포착 상태를 야기할 수 있다. 본 개시 내용에서, 더 큰 면적의 단결정 TMD 단층을 얻기 위한 제조 방법이 개시된다.
본 개시 내용의 일부 실시예에서, 성장된 TMD 단층의 결정성을 조절하기 위한 핵생성 패턴(핵생성 사이트)이 적용된다. 예를 들어, 성장 기판 상에 금속 또는 금속 산화물 박층의 라인형 패턴 또는 라인형 결함(예컨대, 스크래치, 그루브(groove) 또는 리세스)이 생성된다. 이들 패턴의 모서리는 TMD 단층의 성장을 개시시키는 핵생성 사이트로서 기능할 수 있다.
또한, 본 발명의 일부 실시예에서, TMD 단층이 형성되는 기판의 표면의 적절한 배향은 기판과 TMD 단층의 격자 구조 사이의 대칭을 조절하도록 선택된다. 적절한 기판의 선택은 실질적으로 완벽하게 정렬된 결정립의 성장을 허용하여, 결정립계가 없는 단결정층이 형성된다.
도 1a 내지 도 4b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따른 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정을 나타낸다. 도 1a 내지 도 4b에 의해 예시된 공정의 이전, 도중 및 이후에 추가의 동작이 제공될 수 있으며, 후술되는 동작 중 일부는 본 방법의 추가의 실시예에서 대체되거나 제거될 수 있음을 이해하여야 한다. 동작/공정의 순서는 호환적일 수 있다. 도 1a 내지 도 4b에서, "A" 도면은 횡단면도이고, "B" 도면은 평면도(상면도)이다.
도 1a 및 도 1b에 예시된 바와 같이, 핵생성 패턴(15)이 기판(10) 위에 형성된다. 일부 실시예에서, 기판(10) 상에 금속층 또는 금속 산화물층이 형성되고, 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작을 사용하는 것에 의해, 라인 패턴(15)이 형성된다. 일부 실시예에서, 금속은 Mo이고 금속 산화물은 MoO3이다. 다른 실시예에서, W, Pd, Pt, Hf 또는 이들의 산화물은 라인 패턴(15)을 위한 금속층 또는 금속 산화물층으로 사용된다. 특정 실시예에서, 금속(M) 또는 금속(M)의 산화물은 MX2의 성장에 사용된다. 다른 재료가 사용될 수 있다.
금속층 또는 금속 산화물층은 CVD, 물리적 기상 증착(physical vapor deposition; PVD) 또는 임의의 다른 적절한 성막 방법에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 금속층 또는 금속 산화물층의 두께는 약 20 nm 내지 약 200 nm의 범위이고, 다른 실시예에서는 약 50 nm 내지 약 100 nm의 범위이다. 일부 실시예에서, 핵생성 패턴(15)의 폭은 약 50 nm 내지 약 500 nm의 범위이고, 다른 실시예에서 약 100 nm 내지 약 200 nm의 범위이다. 다른 실시예에서, 핵생성 패턴(15)은 직사각형 또는 정사각형 형상이다. 핵생성 패턴의 길이는 TMD층의 원하는 크기에 의존한다. 일부 실시예에서, 핵생성 패턴(15)의 길이는 약 1 ㎛ 내지 약 100 nm의 범위이고, 다른 실시예에서 약 100 ㎛ 내지 약 10 nm의 범위이다.
이후, 소스 가스와 같은 소스 물질이 핵생성 패턴(15)을 갖는 기판(10) 위에 제공된다. MoS2층을 형성하기 위한 CVD의 경우, 일부 실시예에서, Mo 소스로서 Mo(CO)6 가스, MoCl5 가스, 및/또는 MoOCl4 가스가 사용되고, S 소스로서 H2S 가스 및/또는 디메틸설파이드 가스(dimethylsulfide gas)가 사용된다. 다른 실시예에서, 도 5에 예시된 바와 같이, 고체 MO3 또는 MoCl5 소스로부터 승화된 MO3 가스, 또는 고체 S 소스로부터 승화된 S 가스가 사용될 수 있다. 도 5에 예시된 바와 같이, Mo 및 S의 고체 소스가 반응 챔버에 배치되고, Ar, N2 및/또는 He과 같은 불활성 가스를 함유하는 캐리어 가스가 반응 챔버 내로 유동된다. 고체 소스는 가열되어 승화에 의해 기체 소스를 생성하고, 생성된 기체 소스는 반응을 통해 MoS2 분자를 형성한다. MoS2 분자는 이후 기판 상에 부착된다. 기판은 일부 실시예에서 적절하게 가열된다. 다른 실시예에서, 전체 반응 챔버는 유도 가열에 의해 가열된다. 다른 TMD층은 또한 적절한 소스 가스를 사용하는 CVD에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어 WO3, PdO2 및 PtO2와 같은 금속 산화물이 W, Pd 및 Pt 각각에 대한 승화 소스로서 사용될 수 있고, W(CO)6, WF6, WOCl4, PtCl2 및 PdCl2와 같은 금속 화합물이 금속 소스로서 사용될 수 있다.
핵생성 패턴(15)의 에지에서의 보다 낮은 핵생성 에너지로 인해, TMD(MX2) 결정의 삼각형 형상층(20T)이 도 2a 및 도 2b에 예시된 바와 같이 핵생성 패턴(15)의 에지에서 핵생성되기 시작한다. 특히, 기판(10)(예, Si)의 주 표면(상면)이 (110) 배향을 가질 때, TMD의 삼각형 형상층(20T)은 기판(10)의 배향에 정렬된다. 이에 대해, 기판(10)이 예를 들어 실리콘 산화물인 경우, TMD의 삼각형 형상층(20T)은 랜덤하게 배향되어, 도 2c에 예시된 바와 같이 다결정층을 형성한다.
TMD 단결정층(20)의 두께는 일부 실시예에서 약 0.6 nm 내지 약 2 nm의 범위이다. TMD층을 계속 형성하는 것에 의해 도 3a 및 도 3b에 예시된 바와 같이 대면적 단결정 구조체(20)가 얻어진다. 일부 실시예에서, 원하는 크기의 TMD 단결정층(20)이 얻어진 후에, 도 4a 및 도 4b에 예시된 바와 같이, 습식 에칭과 같은 적절한 에칭 동작을 사용하는 것에 의해 핵생성 패턴(15)이 제거된다. TMD 단결정층(20)의 두께는 일부 실시에에서 약 0.5 nm 내지 약 2 nm의 범위이다.
본 개시 내용의 일부 실시예에서, 전술한 바와 같이, TMD층의 성장을 조절하도록 적절한 기판이 선택된다. 상이한 격자 대칭을 갖는 기판의 사용은 TMD 물질의 성장 배향을 제한할 수 있다. 예를 들어, C2 대칭 그룹의 기판은 TMD층의 배향을 C3 대칭 그룹으로 안내하여 제한할 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(10)은 주 표면이 C2 대칭을 갖는 결정질 기판이다. 특정 실시예에서, Si (110), γ-Al2O3 (110), Ga2O3 (010) 및 MgO (110) 중 하나가 기판(10)으로 사용된다. 그 효과를 추가로 예시하기 위해, 도 15는 Si (110) 기판 상의 MoS2 단층의 2가지 가능한 배향(0°및 180°)을 예시한다. 밀도 함수 이론을 기반으로 한 시뮬레이션 결과는 MoS2층이 독립적으로 존재하거나 비정질 기판 상에 있을 때 이들 2가지 배향에 에너지 차이를 없음을 보여준다. MoS2 단층이 Si (110) 기판 상에서 성장한 후에, 0°및 180°상분리를 위한 면적 당 에너지 장벽은 약 4 meV/Å2(LDA 교환 함수를 가짐)이며, 이는 성장 중에 바람직한 단일 배향(0°)을 유도할 정도로 충분히 높다.
다른 실시예에서, 육방정 붕소 질화물(hexagonal boron nitride; h-BN) 또는 그래핀의 층이 기판(10) 위에 형성된다. MX2 결정은 측방 성장시 육방정 붕소 질화물(h-BN) 또는 그래핀과 격자 정합이 양호한 육방 격자 구조를 가진다. h-BN 또는 그래핀의 중간층이 사용될 때, h-BN 또는 그래핀의 얇은 원자층은 매우 얇기 때문에, MX22D 재료는 여전히 하부의 기판(10)에 의해 영향을 받을 수 있다.
일부 실시예에서, 기판은 SiC(0001) 또는 Ge(111) 또는 Si(111), Cu(111) 또는 Pt(111)과 같은 C3 대칭 기판의 최상부 상에 배치된 h-BN 또는 그래핀 기판의 층과 같은 복합 기판이다. h-BN 또는 그래핀은 하부 기판과 강하게 상호 작용하여 모아레(Moire) 패턴을 형성하기 때문에, h-BN/SiC(0001) 또는 h-BN/Si(111), 그래핀/SiC(0001), 그래핀/Ge(111) 등과 같은 복합 기판의 전체적인 대칭이 감소된다. 이 경우, 복합 기판은 2D층의 배향을 단일 배향으로 유도할 수 있다.
도 6은 TMD(MX2)층의 핵생성을 예시한다. 도 6에 예시된 바와 같이, 기판(예, Si)의 주 표면(상면)은 (110) 배향을 갖는다. 핵생성 패턴(15)은 Si 기판(10)의 (100)면에 대응하는 방향으로 연장된다. 도 6에 예시된 바와 같이, MX2 단층의 작은 삼각형들이 핵생성 패턴(15)의 에지로부터 성장하기 시작한다. Si (110) 기판의 표면 격자 구조는 MX2 삼각형 플레이크(20T)(작은 결정질 단층 조각)를 도 3a 및 도 3b에 예시된 바와 같이 최저 시스템 에너지를 제공하는 동일 방향으로 배향되도록 조절할 수 있다. 이렇게 잘 정렬된 플레이크는 결국 도 3a 및 도 3b에 예시된 바와 같이 결정립계가 없는 큰 면적의 단결정 막(20)으로 합쳐진다. 일부 실시예에서, 1 mm×1 mm보다 큰 면적(예, 최대 10 mm×10 mm)이 얻어질 수 있다.
기판(10) 상에 핵생성 패턴이 없다면, 삼각형 형상층은 상이한 위치에서 무작위로 생성된다. 한편, 핵생성 패턴의 에지는 결정 배향을 안내하는 것을 더 돕는다. 그러나, 예를 들어 SiO2와 같은 적절한 기판이 없는 경우, 핵생성이 핵생성 패턴의 에지에서 시작되더라도, 삼각형 플레이크의 배향이 랜덤하기 때문에 도 3c에 예시된 바와 같이 단결정층이 배향되지 않는다.
도 7a 및 도 7b는 기판(10)의 표면 상에 형성된 라인 결함(16)을 예시한다. 일부 실시예에서, 라인 결함(16)은 그루브이다. 그루브의 형상은 V-형 또는 U-형일 수 있다. 라인 결함(16)은 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작, 다이아몬드 팁에 의한 기계적 스크래칭 또는 레이저 에칭에 의해 형성될 수 있다. 라인 결함의 깊이는 약 20 nm 내지 약 1000 nm의 범위에 있고, 다른 실시예에서 약 100 nm 내지 약 500 nm의 범위에 있다. 라인 결함(16)은 실질적으로 도 1a 내지 도 3b 및 도 6에 예시된 패턴(15)과 유사한 핵생성 패턴으로서 기능한다.
도 2a, 도 2b, 도 3a 및 도 3b에서, 단결정 TMD층(20)은 핵생성 패턴(15)의 일측에만 형성된다. 그러나, 다른 실시예에서, 단결정 TMD층(20)은 도 8a 및 도 8b에 예시된 바와 같이 핵생성 패턴(15)의 양측에 형성된다. 일부 실시예에서, TMD층은 핵생성 패턴(15) 위에도 형성된다.
또한, 일부 실시예에서, 도 8c에 예시된 바와 같이, 복수(2개 이상)의 핵생성 패턴(15)이 기판(10) 위에 형성되고, 단결정 TMD층(20)의 다수의 영역이 형성된다.
도 9a 내지 도 11b는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor; FET)를 제조하는 순차적인 공정을 나타낸다. 도 9a 내지 도 11b에 의해 예시된 공정의 이전, 도중 및 이후에 추가의 동작이 제공될 수 있으며, 후술되는 동작 중 일부는 본 방법의 추가의 실시예에서 대체되거나 제거될 수 있음을 이해하여야 한다. 동작/공정의 순서는 호환적일 수 있다. 도 9a 내지 도 11b에서, "A" 도면은 횡단면도이고, "B" 도면은 평면도(상면도)이다. 상기 실시예와 동일하거나 유사한 재료, 구성, 구조, 동작 및/또는 공정이 본 실시예에 적용될 수 있으므로 그 상세한 설명은 생략될 수 있다. 다음의 실시예에서, FET는 (110) Si 기판과 같은 반도체 기판 위에 형성된다.
도 4a 및 도 4b에 예시된 바와 같이 넓은 면적의 TMD 단결정층(20)이 형성된 후에, TMD 단결정층(20)은 도 9a 및 도 9b에 예시된 바와 같이 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작을 사용하는 것으로 트리밍된다.
이후, 도 10a 및 도 10b에 예시된 바와 같이, 소스/드레인 전극(25)이 TMD 단결정층(20)의 일부 위에 형성된다. 소스/드레인 전극(25)은 하나 이상의 금속 재료층으로 형성된다. 일부 실시예에서, 소스/드레인 전극(25)은 Ti층 및 해당 Ti층 위에 형성된 Au층의 적층된 금속층에 의해 형성된다. 특정 실시예에서, Au층의 두께는 약 30 nm 내지 약 70 nm의 범위이고, Ti층의 두께는 약 3 nm 내지 약 10 nm의 범위이다. Au 대신에, Ag, Al 또는 Cu와 같은 다른 금속이 사용될 수 있다. 소스/드레인 전극(25)을 위한 하나 이상의 금속층은 PVD, CVD 또는 ALD, 및 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작에 의해 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, W, Ti, Co, Ni, Ta, TiN, TiAl, TiAlN, TaN, NiSi 또는 CoSi와 같은 도전 재료 및 다른 도전 재료가 소스/드레인 전극용으로 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 소스/드레인 전극(25)은 TMD층(20) 위에만 형성되고 기판(10)과는 접촉하지 않는다.
또한, 도 11a 및 도 11b에 예시된 바와 같이, TMD 단결정층(20) 위에 게이트 유전체층(30)이 형성되고, 게이트 유전체층(30) 상에 게이트 전극(35)이 형성된다. 게이트 유전체층(30)은 예를 들어, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, HfO2, ZrO2, SiON 또는 실리콘 질화물로 이루어지고, CVD, ALD 또는 PVD를 사용하는 것에 의해 형성된다. 게이트 유전체층(30)의 두께는 일부 실시예에서 약 5 nm 내지 약 200 nm의 범위이고, 다른 실시예에서 약 10 nm 내지 약 50 nm의 범위이다. 게이트 전극(35)은 예를 들면, 폴리 실리콘, 또는 예컨대, Ti, Ta, Cu, 또는 Al 등의 금속 재료로 이루어진다. CVD, ALD 또는 PVD에 의해 게이트 유전체층(30) 상에 도전 재료의 블랭킷층이 증착되고, 원하는 게이트 전극 패턴을 얻기 위해 패터닝 동작이 수행된다. 이어서, 게이트 전극(35) 및 나머지 구조체 위에 하나 이상의 유전체층이 형성되고, 게이트 전극(35) 및 소스/드레인 전극(25)에 대한 접촉부가 형성된다. 소스-드레인 방향의 게이트 전극(35)의 폭은 일부 실시예에서 약 5 nm 내지 약 50 nm의 범위이고 다른 실시예에서 약 10 nm 내지 약 30 nm의 범위이다.
도 8c에 예시된 바와 같은 TMD층(20)의 다중 영역이 사용되는 경우, 다수의 FET가 해당 다중 영역에 각각 형성된다.
도 12a 내지 도 12e는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 제조하는 순차적인 공정을 나타낸다. 도 12a 내지 도 12e에 의해 예시된 공정의 이전, 도중 및 이후에 추가의 동작이 제공될 수 있으며, 후술되는 동작 중 일부는 본 방법의 추가의 실시예에서 대체되거나 제거될 수 있음을 이해하여야 한다. 동작/공정의 순서는 호환적일 수 있다. 상기 실시예와 동일하거나 유사한 재료, 구성, 구조, 동작 및/또는 공정이 본 실시예에 적용될 수 있으므로 그 상세한 설명은 생략될 수 있다.
다음의 실시예에서, 단결정 TMD층이 더미(제1) 기판 위에 형성되고, FET 제조를 위한 디바이스 기판으로 전사된다. 도 1a 내지 도 4b와 관련하여 설명된 동작에 따라, 도 12a에 예시된 바와 같이, 단결정 TMD층(20)이 제1 기판(10) 위에 형성된다. 제1 기판은 일부 실시예에서 γ-Al2O3 (110), Ga2O3 (110) 및 MgO (110) 중 하나이다. 다른 실시예에서, (110) Si 기판이 사용된다.
다음으로, 도 12b에 예시된 바와 같이, 스탬프층(40)이 PDMS 대신에 TMD층(20) 및 제1 기판(10) 위에 형성된다. 일부 실시예에서, 스탬프층(40)은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane; PDMS)으로 형성된다. PDMS층이 TMD층(20)에 가압된 후, 도 12c에 예시된 바와 같이 PDMS 스탬프층(40)이 박리된다. TMD층(20)과 PDMS 스탬프층(40) 사이의 강한 접착으로 인해, TMD층(20)도 역시 PDMS 스탬프층(40)과 함께 제1 기판(10)으로부터 박리된다. 일부 실시예에서, 도 12b의 구조체를 탈염수에 침지하여 제1 기판(10)을 분리한다. 초음파 진동이 탈염수에 적용될 수 있다.
다른 실시예에서, 도 12b에 예시된 바와 같이, 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate; PMMA)를 함유하는 중합체 용액이 TMD층(20) 및 제1 기판(10) 위에 스핀 코팅된다. 그 다음, 일부 실시예에서 PMMA 스탬프층(40)이 건조되고 경화된다. 경화 공정은 열 경화, UV 경화, 전자빔 경화 또는 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시예에서, PMMA 스탬프층(40)은 TMD층(20)과 함께 제1 기판 (10)으로부터 기계적으로 박리된다. 다른 실시예에서, 기판(10)은 습식 에칭되어 PMD 스탬프층(40)을 TMD층(20)과 함께 해제한다. 기판(10)이 두꺼운 경우, 기판(10)의 후면으로부터 기판(10)의 벌크부를 제거하는 연삭 작업을 수행한 후에 습식 에칭 동작을 수행하여 기판(10)의 나머지 층을 제거한다. 일부 실시예에서, TMD층(20)과 스탬프층(40) 사이에는 Cu층과 같은 금속층이 형성된다. 이 경우, Cu층의 두께는 약 200 nm 내지 약 400 nm의 범위이고, 스탬프층(40)은 약 400 nm 내지 약 600 nm의 범위에 있다.
다음으로, 도 12e에 예시된 바와 같이, 스탬프층(40)에 의해 지지된 분리된 TMD층(20)이 제2 기판(45)으로 전사된다. 또한, 도 12e에 예시된 바와 같이 스탬프층(40)이 제거된다. 예를 들어, 스탬프층(40)이 PMMA 및 PDMS와 같은 유기 재료로 제조될 때, 아세톤과 같은 유기 용매가 유기 재료를 용해시켜, 스탬프층(40)을 제거할 수 있다. Cu층을 사용하는 경우, Cu층은 FeNO3 용액을 사용하는 것에 의해 제거된다.
이어서, 전사된 TMD층(20)을 원하는 크기 및 형상으로 트리밍하기 위해 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작이 수행된다.
TMD층(20)이 제2 기판(45)에 전사되고, 선택적인 트리밍 공정이 수행된 후에, 도 9a 내지 도 11a와 관련하여 설명된 동작에 의해 FET가 형성된다.
도 13a 내지 도 13c는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 전계 효과 트랜지스터(FET)를 제조하는 순차적인 공정을 나타낸다. 도 13a 내지 도 13c에 의해 예시된 공정의 이전, 도중 및 이후에 추가의 동작이 제공될 수 있으며, 후술되는 동작 중 일부는 본 방법의 추가의 실시예에서 대체되거나 제거될 수 있음을 이해하여야 한다. 동작/공정의 순서는 호환적일 수 있다. 상기 실시예와 동일하거나 유사한 재료, 구성, 구조, 동작 및/또는 공정이 본 실시예에 적용될 수 있으므로 그 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 13a에 예시된 바와 같이, 유전체 재료의 하나 이상의 층(12)이 기판(11) 위에 형성된다. 일부 실시예에서, 기판(11)은 적어도 표면 일부 상에 단결정 반도체층을 포함한다. 기판(11)은 한정되는 것은 아니지만, Si, Ge, SiGe, GaAs, InSb, GaP, GaSb, InAlAs, InGaAs, GaSbP, GaAsSb 및 InP와 같은 단결정 반도체 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(11)은 결정질 Si로 제조된다. 기판(11)은 그 표면 영역에 하나 이상의 버퍼층(미도시)을 포함할 수 있다. 버퍼층은 기판의 격자 상수로부터 소스/드레인 영역의 격자 상수로 점진적으로 격자 상수를 변화시키는 역할을 할 수 있다. 버퍼층은 한정되는 것은 아니지만, Si, Ge, GeSn, SiGe, GaAs, InSb, GaP, GaSb, InAlAs, InGaAs, GaSbP, GaAsSb, GaN, GaP 및 InP와 같은 에피택셜 성장된 단결정 반도체 재료로 형성될 수 있다. 특정 실시예에서, 기판(10)은 실리콘 기판(11) 상에 에피택셜 성장된 실리콘 게르마늄(SiGe) 버퍼층을 포함한다. SiGe 버퍼층의 게르마늄 농도는 최하층 버퍼층의 30 원자% 게르마늄으로부터 최상층 버퍼층의 70 원자% 게르마늄까지 증가될 수 있다. 기판(11)은 적절하게 불순물(예, p-형 또는 n-형 도전형)로 도핑된 다양한 영역을 포함할 수 있다.
유전체층(12)은 LPCVD(저압 화학적 기상 증착), 플라즈마-CVD, 또는 유동 CVD에 의해 형성된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물(SiON), SiOCN, SiCN, 불소-도핑된 실리케이트 유리(FSG) 또는 로우-k 유전체 물질 중 일종 이상을 포함한다. 일부 실시예에서, 화학적 기계적 폴리싱(chemical mechanical polishing; CMP) 방법 및/또는 에치백 방법과 같은 평탄화 공정이 수행된다.
이후, 소스/드레인 전극(26)이 유전체층(12) 위에 형성된다. 소스/드레인 전극(26)은 Au, Ag, Al, Cu, W, Co, Ni, Ti, Ta, TiN, TiAl, TiAlN, TaN, NiSi, CoSi 또는 다른 적절한 도전 재료 등의 도전 재료의 하나 이상의 층을 포함한다. 일부 실시예에서, 소스/드레인 전극(26)은 다마신 기술을 사용함으로써 유전체층(12)에 매립된다. 상기 유전체층(12)의 표면에 그루브가 형성되고, 상기 그루브 및 상기 유전체층(12)의 상부면에 하나 이상의 도전 재료층이 형성된다. 이후, 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 공정을 수행하여 도전 재료층의 과잉의 부분을 제거함으로써 도전 재료층이 그루브 내에 남겨진다.
이어서, 도 13b에 예시된 바와 같이, 도 12a 내지 도 12e와 관련하여 설명된 전사 동작에 따라, TMD 단결정층(20)이 소스/드레인 전극(20) 및 유전체층(12) 위에 전사된다. 일부 실시예에서, TMD층(20)이 전사 된 후, TMD층(20)을 원하는 형상으로 패터닝하기 위해 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작이 수행된다.
다음에, 도 13c에 예시된 바와 같이, 게이트 유전체층(31)이 TMD층(20) 위에 형성되고, 게이트 전극(36)이 게이트 유전체층(31) 위에 형성된다. 일부 실시예에서, 게이트 유전체층(31)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 또는 하이-k 유전체 재료의 하나 이상의 층을 포함한다. 하이-k 유전체 재료는 금속 산화물을 포함한다. 하이-k 유전체 재료용으로 사용되는 금속 산화물의 예는 Li, Be, Mg, Ca, Sr, Sc, Y, Zr, Hf, Al, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및/또는 이들의 혼합물의 산화물을 포함한다. 일부 실시예에서, 게이트 유전체층(31)의 두께는 약 1 nm 내지 약 20 nm의 범위에 있고, 다른 실시예에서 약 2 nm 내지 약 10 nm의 범위에 있다. 일부 실시예에서, 게이트 유전체층(31)은 단일층 또는 다층 구조를 포함한다. 게이트 유전체층(31)을 위한 재료는 CVD, PVD, 원자층 증착(ALD) 또는 이들의 조합과 같은 적절한 공정을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(36)은 일부 실시예에서 균일하거나 불균일한 도핑 농도로 도핑된 폴리 실리콘을 포함한다. 다른 실시예에서, 게이트 전극(36)은 Al, Cu, W, Ti, CO, Ni, Ta, TiN, TiAl, TiAlN, TaN, NiSi, CoSi와 같은 금속 및 기판 재료와 양립 가능한 일함수를 갖는 다른 도전 재료, 또는 이들의 조합을 포함한다. 게이트 전극(36)을 위한 전극층은 CVD, PVD, ALD, 도금 또는 이들의 조합과 같은 적절한 공정을 사용하여 형성될 수 있으며, 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작을 사용함으로써 게이트 전극(36)이 패터닝된다.
도 14a 내지 도 14c는 본 개시 내용의 일 실시예에 따라 단결정 TMD층을 사용하여 전계 효과 트랜지스터(FET)를 제조하는 순차적인 공정을 나타낸다. 도 14a 내지 도 14c에 의해 예시된 공정의 이전, 도중 및 이후에 추가의 동작이 제공될 수 있으며, 후술되는 동작 중 일부는 본 방법의 추가의 실시예에서 대체되거나 제거될 수 있음을 이해하여야 한다. 동작/공정의 순서는 호환적일 수 있다. 상기 실시예와 동일하거나 유사한 재료, 구성, 구조, 동작 및/또는 공정이 본 실시예에 적용될 수 있으므로 그 상세한 설명은 생략될 수 있다. 아래의 실시예에서, 후면 게이트형 FET가 제조된다.
도 14a에 예시된 바와 같이, 게이트 전극(37)이 기판(13) 위에 형성되고, 게이트 유전체층(32)이 게이트 전극(37) 및 기판(13) 위에 추가로 형성된다. 일부 실시예에서, 기판(13)은 유리판과 같은 절연 재료로 형성된다. 다른 실시예에서, 기판(13)은 도전 기판, 또는 하나 이상의 절연 재료층이 상부에 형성되고 절연 재료층 위에 게이트 전극(37)이 형성된 반도체 기판이다.
게이트 전극(37)은 일부 실시예에서 균일하거나 불균일한 도핑 농도로 도핑된 폴리 실리콘을 포함한다. 다른 실시예에서, 게이트 전극(37)은 Al, Cu, W, Ti, CO, Ni, Ta, TiN, TiAl, TiAlN, TaN, NiSi, CoSi와 같은 금속 및 기판 재료와 양립 가능한 일함수를 갖는 다른 도전 재료, 또는 이들의 조합을 포함한다. 게이트 전극(37)을 위한 전극층은 CVD, PVD, ALD, 도금 또는 이들의 조합과 같은 적절한 공정을 사용하여 형성될 수 있으며, 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작을 사용함으로써 게이트 전극(37)이 패터닝된다.
일부 실시예에서, 게이트 유전체층(32)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 실리콘 산질화물, 또는 하이-k 유전체 재료의 하나 이상의 층을 포함한다. 하이-k 유전체 재료는 금속 산화물을 포함한다. 하이-k 유전체 재료용으로 사용되는 금속 산화물의 예는 Li, Be, Mg, Ca, Sr, Sc, Y, Zr, Hf, Al, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 및/또는 이들의 혼합물의 산화물을 포함한다. 일부 실시예에서, 게이트 유전체층(32)의 두께는 약 1 nm 내지 약 20 nm의 범위에 있고, 다른 실시예에서 약 2 nm 내지 약 10 nm의 범위에 있다. 일부 실시예에서, 게이트 유전체층(32)은 단일층 또는 다층 구조를 포함한다. 게이트 유전체층(32)을 위한 재료는 CVD, PVD, 원자층 증착(ALD) 또는 이들의 조합과 같은 적절한 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 게이트 전극(37)은 다마신 기술을 사용함으로써 절연 기판(13) 또는 하부 절연층에 매립된다. 상기 절연 기판(13) 또는 하부 절연층의 표면에 그루브가 형성되고, 상기 그루브 및 상기 절연 기판 또는 하부 절연층의 상부면에 하나 이상의 도전 재료층이 형성된다. 이후, 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 공정을 수행하여 도전 재료층의 과잉의 부분을 제거함으로써 도전 재료층이 그루브 내에 남겨진다.
이어서, 도 14b에 예시된 바와 같이, 도 12a 내지 도 12e와 관련하여 설명된 전사 동작에 따라, TMD 단결정층(20)이 소스/드레인 전극(20) 및 유전체층(12) 위에 전사된다. 일부 실시예에서, TMD층(20)이 전사된 후, TMD층(20)을 원하는 형상으로 패터닝하기 위해 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작이 수행된다.
계속해서, 도 14b에 예시된 바와 같이, 도 12a 내지 도 12e와 관련하여 설명된 전사 동작에 따라, TMD 단결정층(20)이 게이트 유전체층(32) 위에 전사된다. 일부 실시예에서, TMD층(20)이 전사된 후, TMD층(20)을 원하는 형상으로 패터닝하기 위해 하나 이상의 리소그래피 및 에칭 동작이 수행된다.
이후, 도 14c에 예시된 바와 같이, 소스/드레인 전극(27)이 TMD층(20) 위에 형성된다. 소스/드레인 전극(27)은 Au, Ag, Al, Cu, W, Co, Ni, Ti, Ta, TiN, TiAl, TiAlN, TaN, NiSi, CoSi 또는 다른 적절한 도전 재료 등의 도전 재료의 하나 이상의 층을 포함한다.
본 명세서에 기술된 다양한 실시예 또는 예는 종래의 기술에 비해 몇 가지 장점을 제공한다. 예를 들어, 본 개시 내용에서는 핵생성 패턴과 C-2 대칭 결정질 기판을 사용하는 것에 의해, TMD 재료로 된 넓은 면적의 단결정층을 얻을 수 있다. 또한, 핵생성의 위치는 핵생성 패턴에 의해 조절되기 때문에, 원하는 위치에서 TMD의 단결정층을 선택적으로 성장시킬 수 있다. 기판이 (110) Si인 경우, 막 전사 동작을 사용하지 않고 FET와 같은 전자 소자를 제조할 수 있으므로 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 명세서에서 모든 장점을 반드시 논의할 필요는 없으며, 모든 실시예 또는 예에 특별한 장점을 요구하는 것은 않으며, 다른 실시예 또는 예는 상이한 장점을 제공할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 개시 내용의 일 양태에 따르면, 2차원 재료층을 형성하는 방법에있어서, 핵생성 패턴이 기판 위에 형성되고, 핵생성 패턴으로부터 측방으로(laterally) 성장하도록 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)층이 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, TMD층은 단결정이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 핵생성 패턴은 기판 위에 막을 형성하고 해당 막을 라인 패턴으로 패터닝하는 것에 의해 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 막은 금속 또는 금속 산화물로 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 막은 Mo 또는 MoO3로 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 기판은 단결정이며, 핵생성 패턴이 형성된 기판의 상면은 TMD층에 비대칭이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 기판은 상면이 C2 대칭 핵생성 패턴을 갖는 Si, γ-Al2O3, Ga2O3 및 MgO 중 하나이거나, 또는 SiC(0001), Ge(111), Si(111), Cu(111) 또는 Pt(111)을 포함하는 C3 대칭 기판의 최상부 상에 배치된 h-BN 또는 그래핀 기판의 층을 포함하는 복합 기판이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 기판은 (110) Si이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 핵생성 패턴은 (001)에 대응하는 방향을 따라 연장된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 핵생성 패턴은 그루브이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서,TMD층은 MX2를 포함하며, 여기서 M은 Mo, W, Pd, Pt 및 Hf 중 하나이고, X는 S, Se 및 Te 중 하나이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, TMD층은 MoS2를 포함한다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, MoS2층은 화학적 기상 증착 방법에 의해 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 중간층이 기판 위에 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 중간층은 BN층 또는 그래핀층이다.
본원의 다른 양태에 따르면, 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법에서, 핵생성 패턴이 기판 위에 형성된다. 핵생성 패턴으로부터 측방으로 성장하도록 TMD층이 형성된다. TMD층이 형성된 후, 핵생성 패턴이 제거된다. 소스 및 드레인 전극이 TMD층 상에 형성된다. 게이트 유전체층이 형성된다. 게이트 전극이 게이트 유전체층 위에 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, TMD층은 MoS2 단결정층이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 기판은 (110) 실리콘이고, 핵생성 패턴은 (001)에 대응하는 방향을 따라 연장된다.
본원의 다른 양태에 따르면, 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법에서, 복수의 핵생성 패턴이 기판 위에 형성된다. 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)층의 복수의 영역이 복수의 핵생성 패턴의 에지로부터 각각 형성된다. 소스 및 드레인 전극이 TMD층의 복수의 영역 각각의 위에 형성된다. 게이트 유전체층이 TMD층의 복수의 영역 위에 형성된다. 게이트 전극이 TMD층의 복수의 영역 각각의 위의 게이트 유전체층 위에 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 기판은 (110) 실리콘이고, 복수의 핵생성 패턴은 (001)에 대응하는 방향을 따라 연장된다.
본원의 다른 양태에 따르면, 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법에서, 핵생성 패턴이 제1 기판 위에 형성된다. 핵생성 패턴으로부터 측방으로 성장하도록 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)층이 형성된다. TMD층이 제1 기판으로부터 분리되고, 분리된 TMD층이 제2 기판에 부착된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, TMD층은 단결정이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 핵생성 패턴은 제1 기판 위에 막을 형성하고, 해당 막을 라인 패턴으로 패터닝하는 것에 의해 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 기판은 상면이 (110)이거나 C2 대칭 핵생성 패턴을 가지는 Si, γ-Al2O3, Ga2O3 및 MgO 중 하나이다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 소스/드레인 전극이 제2 기판 위에 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 소스/드레인 전극은 제2 기판 위에 형성된 절연층에 매립된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 분리된 TMD층이 제2 기판에 부착된 후, 게이트 유전체층이 TMD층 위에 형성되고, 게이트 전극이 게이트 유전체층 위에 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 게이트 유전체층에 의해 피복된 게이트 전극이 제2 기판 위에 형성된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 게이트 전극은 절연 물질에 매립된다. 전술한 실시예 및 후속 실시예 중 하나 이상에서, 분리된 TMD층이 제2 기판에 부착된 후, 게이트 유전체층이 게이트 전극 위에 형성되고, 소스/드레인 전극이 게이트 유전체층 위에 형성된다.
본 개시 내용의 일 양태에 따르면, 전계 효과 트랜지스터(FET)는 채널로서의 2차원 전이 금속 디칼코게나이드(2D-TMD)층, 소스/드레인 전극, 게이트 유전체층 및 게이트 전극을 포함한다. 2D-TMD층은 결정립계가 없는 단결정이다. 일부 실시예에서, TMD층은 MoS2를 포함한다.
이상의 설명은 당업자가 본 개시 내용의 여러 측면들을 잘 이해할 수 있도록 여러 실시예의 특징부들의 개요를 설명한 것이다. 당업자들은 자신들이 여기 도입된 실시예와 동일한 목적을 수행하거나 및/또는 동일한 장점을 달성하기 위해 다른 공정 또는 구조를 설계 또는 변형하기 위한 기초로서 본 개시 내용을 용이하게 사용할 수 있음을 알아야 한다. 또한, 당업자들은 균등적인 구성이 본 개시 내용의 취지 및 범위를 벗어나지 않으며 그리고 본 개시 내용의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화, 대체 및 변경을 이룰 수 있음을 알아야 한다.
실시예들
실시예 1. 2차원 재료층을 형성하는 방법에 있어서,
기판 위에 핵생성 패턴(nucleation pattern)을 형성하는 단계; 및
전이 금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide; TMD)층을, 상기 TMD층이 상기 핵생성 패턴으로부터 측방으로(laterally) 성장하도록 형성하는 단계를 포함하는 방법.
실시예 2. 실시예 1에 있어서, 상기 TMD층은 단결정(single crystalline)인 것인 방법.
실시예 3. 실시예 1에 있어서, 상기 핵생성 패턴은,
상기 기판 위에 막을 형성함으로써; 그리고
상기 막을 라인 패턴으로 패터닝함으로써 형성되는 것인 방법.
실시예 4. 실시예 3에 있어서, 상기 막은 금속 또는 금속 산화물로 형성되는 것인 방법.
실시예 5. 실시예 3에 있어서, 상기 막은 Mo 또는 MoO3로 형성되는 것인 방법.
실시예 6. 실시예 1에 있어서,
상기 기판은 단결정이고,
상기 핵생성 패턴이 위에 형성된 상기 기판의 상면은 상기 TMD층에 비대칭인 것인 방법.
실시예 7. 실시예 6에 있어서, 상기 기판은 상면이 C2 대칭 핵생성 패턴을 갖는 Si, γ2O3, Ga2O3 및 MgO 중 하나이거나, 또는 SiC(0001), Ge(111), Si(111), Cu(111) 또는 Pt(111)을 포함하는 C3 대칭 기판의 최상부 상에 배치된 h-BN 또는 그래핀 기판의 층을 포함하는 복합 기판인 것인 방법.
실시예 8. 실시예 6에 있어서, 상기 기판은 (110) Si인 것인 방법.
실시예 9. 실시예 6에 있어서, 상기 핵생성 패턴은 (001)에 대응하는 방향을 따라 연장되는 것인 방법.
실시예 10. 실시예 1에 있어서, 상기 핵생성 패턴은 그루브(groove)인 것인 방법.
실시예 11. 실시예 1에 있어서, 상기 TMD층은 MX2를 포함하며, 여기서 M은 Mo, W, Pd, Pt 및 Hf 중 하나이고, X는 S, Se 및 Te 중 하나인 것인 방법.
실시예 12. 실시예 1에 있어서, 상기 TMD층은 MoS2를 포함하는 것인 방법.
실시예 13. 실시예 12에 있어서, 상기 MoS2층은 화학적 기상 증착에 의해 형성되는 것인 방법.
실시예 14. 실시예 13에 있어서, 상기 기판 위에 중간층이 형성되는 것인 방법.
실시예 15. 실시예 14에 있어서, 상기 중간층은 BN층 또는 그래핀층인 것인 방법.
실시예 16. 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,
기판 위에 핵생성 패턴을 형성하는 단계;
전이 금속 디칼코게나이드(TMD)층을, 상기 TMD층이 상기 핵생성 패턴으로부터 측방으로 성장하도록 형성하는 단계;
상기 TMD층이 형성된 후, 상기 핵생성 패턴을 제거하는 단계;
상기 TMD층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
게이트 유전체층을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 유전체층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
실시예 17. 실시예 16에 있어서, 상기 TMD층은 MoS2 단결정층인 것인 방법.
실시예 18. 실시예 16에 있어서,
상기 기판은 (110) 실리콘이고,
상기 핵생성 패턴은 (001)에 대응하는 방향을 따라 연장되는 것인 방법.
실시예 19. 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor; FET)에 있어서,
채널로서의 2차원 전이 금속 디칼코게나이드(two-dimensional transition metal dichalcogenide; 2D-TMD)층;
소스/드레인 전극;
게이트 유전체층; 및
게이트 전극을 포함하고,
상기 2D-TMD층은 결정립계(grain boundaries)가 없는 단결정인 것인 전계 효과 트랜지스터.
실시예 20. 실시예 19에 있어서, 상기 TMD층은 MoS2를 포함하는 것인 전계 효과 트랜지스터.

Claims (10)

  1. 2차원 재료층을 형성하는 방법에 있어서,
    기판 위에 핵생성 패턴(nucleation pattern)을 형성하는 단계; 및
    전이 금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide; TMD)층을, 상기 TMD층이 상기 핵생성 패턴으로부터 측방으로(laterally) 성장하도록 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 기판은 상면이 C2 대칭 핵생성 패턴을 갖는 Si, γ-Al2O3, Ga2O3 및 MgO 중 하나이거나, 또는 SiC(0001), Ge(111), Si(111), Cu(111) 또는 Pt(111)을 포함하는 C3 대칭 기판의 최상부 상에 배치된 h-BN 또는 그래핀 기판의 층을 포함하는 복합 기판인 것인 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 TMD층은 단결정(single crystalline)인 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 핵생성 패턴은,
    상기 기판 위에 막을 형성함으로써; 그리고
    상기 막을 라인 패턴으로 패터닝함으로써 형성되는 것인 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 단결정이고,
    상기 핵생성 패턴이 위에 형성된 상기 기판의 상면은 상기 TMD층에 비대칭인 것인 방법.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 핵생성 패턴은 그루브(groove)인 것인 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 TMD층은 MX2를 포함하며, 여기서 M은 Mo, W, Pd, Pt 및 Hf 중 하나이고, X는 S, Se 및 Te 중 하나인 것인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 TMD층은 MoS2를 포함하는 것인 방법.
  9. 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 위에 핵생성 패턴을 형성하는 단계;
    전이 금속 디칼코게나이드(TMD)층을, 상기 TMD층이 상기 핵생성 패턴으로부터 측방으로 성장하도록 형성하는 단계;
    상기 TMD층이 형성된 후, 상기 핵생성 패턴을 제거하는 단계;
    상기 TMD층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    게이트 유전체층을 형성하는 단계; 및
    상기 게이트 유전체층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 기판은 (110) 실리콘이고,
    상기 핵생성 패턴은 (001)에 대응하는 방향을 따라 연장되는 것인 방법.
  10. 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor; FET)에 있어서,
    기판;
    채널로서의 2차원 전이 금속 디칼코게나이드(two-dimensional transition metal dichalcogenide; 2D-TMD)층;
    소스/드레인 전극;
    게이트 유전체층; 및
    게이트 전극을 포함하고,
    상기 2D-TMD층은 결정립계(grain boundaries)가 없는 단결정이고,
    상기 기판은 상면이 C2 대칭 핵생성 패턴을 갖는 Si, γ-Al2O3, Ga2O3 및 MgO 중 하나이거나, 또는 SiC(0001), Ge(111), Si(111), Cu(111) 또는 Pt(111)을 포함하는 C3 대칭 기판의 최상부 상에 배치된 h-BN 또는 그래핀 기판의 층을 포함하는 복합 기판인 것인 전계 효과 트랜지스터.
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