KR102273038B1 - 감광성 열경화성 수지 조성물 및 플렉시블 프린트 배선판 - Google Patents

감광성 열경화성 수지 조성물 및 플렉시블 프린트 배선판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 난연성, 절연 신뢰성 및 내절성이 우수한 감광성 열경화성 수지 조성물, 드라이 필름, 및 당해 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비한 플렉시블 프린트 배선판을 제공한다. 본 발명은 (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지, (B) 광 염기 발생제, (C) 열경화 성분 및 (D) 난연제를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 열경화성 수지 조성물이다. 본 발명의 조성물은 (메트)아크릴레이트 단량체를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다.

Description

감광성 열경화성 수지 조성물 및 플렉시블 프린트 배선판{PHOTOSENSITIVE HEAT-CURABLE RESIN COMPOSITION AND FLEXIBLE PRINTED WIRING BOARD}
본 발명은, 감광성 열경화성 수지 조성물 및 플렉시블 프린트 배선판에 관한 것으로, 상세하게는, 알칼리에 의한 현상이 가능하고, 난연성 및 내절성이 우수한 감광성 열경화성 수지 조성물, 및 당해 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비한 플렉시블 프린트 배선판에 관한 것이다.
최근, 스마트폰이나 태블릿 단말기의 보급과 성능의 향상이 급속하게 진행되고 있다. 이들로 대표되는 정보 기기 단말기는, 소형화, 박형화에의 소비자의 요구가 높고, 그 요구에 부응하기 위해, 제품 내부의 회로 기판의 고밀도화, 공간 절약화가 필요해지고 있다. 그로 인해, 절곡하여 수납이 가능하고, 회로 배치의 자유도를 높일 수 있는 플렉시블 프린트 배선판의 용도가 확대되고 있어, 플렉시블 프린트 배선판에 대한 신뢰성도 훨씬 더 높은 것이 요구되고 있다.
현재, 플렉시블 프린트 배선판의 절연 신뢰성을 확보하기 위한 절연막으로서, 절곡부(굴곡부)에는, 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이가 사용되고, 실장부(비굴곡부)에는, 감광성 수지 조성물을 사용한 혼재 프로세스가 널리 채용되고 있다(특허문헌 1, 2 참조). 폴리이미드는, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성이 우수하고, 한편 실장부에 사용되는 감광성 수지 조성물은, 전기 절연성이나 땜납 내열성 등이 우수하여 미세 가공이 가능하다고 하는 특성을 갖는다.
프린트 배선판, 특히 플렉시블 프린트 배선판(이하, FPC라 약칭함)에는 높은 난연성이 요구되고 있고, 그들의 주요한 구성 요소 중 하나인 절연막도 난연성이 우수한 것이 요구되고 있다. 폴리이미드 기판 등을 기판으로서 사용하는 FPC는, 유리 에폭시 기판의 프린트 배선판과 비교하면 박막이다. 한편으로, 필요한 절연막의 막 두께는 프린트 배선판도 FPC도 마찬가지이기 때문에, 박막의 FPC인 경우, 상대적으로 절연막에의 난연화의 부담이 커진다.
그로 인해, 종래부터 절연막의 난연화에 대해서 다양한 제안이 이루어지고 있고, 예를 들어 수지 조성물에 난연성을 부여할 수 있는 인 함유 화합물이나 내열성이 우수한 에폭시 수지를, 절연막을 얻기 위한 경화성 수지 조성물에 배합하는 것이 행해졌다. 예를 들어, 특허문헌 3에는, (a) 에폭시 수지 등의 결합제 중합체, (b) 브로모페닐기 등의 할로겐화 방향환과, (메트)아크릴로일기 등의 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 분자 중에 갖는 광중합성 화합물, (c) 광중합 개시제, (d) 블록 이소시아네이트 화합물 및 (e) 분자 중에 인 원자를 갖는 인 화합물을 함유하는 FPC용 난연성 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다.
일본특허공개 소62-263692호 공보 일본특허공개 소63-110224호 공보 일본특허공개 제2007-10794호 공보
지금까지의 감광성 수지 조성물에는, 점도 조절이나 경화 도막의 물성 개선, 감도의 향상을 위해, (메트)아크릴레이트 단량체가 배합되어 있다. (메트)아크릴레이트 단량체는, 비교적 이연성이며, 감광성 수지 조성물의 난연성이 손상되기 때문에, 그것을 보충하기 위해 인 함유 화합물 등의 난연제를 다량으로 배합할 필요가 있었다.
그러나, 인 함유 화합물을 감광성 수지 조성물에 배합하면, 내절성이 악화되어, 배선판의 절단 가공 시나 열충격 시험 시 등에 있어서 경화 도막에 크랙이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 또한, 인 함유 화합물은, 인산 에스테르 골격을 갖는 것이 많고, 그들의 배합에 의해 이온성 불순물이 증가하여, 감광성 수지 조성물의 절연 신뢰성이 저하한다는 문제도 있었다.
따라서 본 발명의 목적은, 난연성 및 내절성이 우수한 감광성 열경화성 수지 조성물, 및 당해 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비한 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지, 광 염기 발생제, 열경화 성분, 및 난연제를 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물로 함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.
즉, 광 조사에 의해 광 염기 발생제가 활성화되고, 발생한 염기를 촉매로 해서 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지와 열경화 성분을, 가열에 의해 부가 반응시킴으로써, 미노광 부분만을 알칼리 용액에 의해 제거하는 것이 가능해진다는 것이 발견되었다. 이에 의해, 알칼리 현상에 의한 미세 가공이 가능해지는 한편, 신뢰성이 우수한 경화물을 얻는 것을 기대할 수 있다. 그리고, (메트)아크릴레이트 단량체를 배합하지 않아도 충분한 경화물 물성이 얻어지고, 또한 이미드환을 갖는 수지는 그 자체로 난연성이 우수한 점에서, 다량의 난연제를 첨가할 필요가 없게 되어, 난연제에서 유래하는 내절성, 절연 신뢰성의 악화를 피할 수 있다.
본 발명은, 다음의 [1] 내지 [8]이다.
[1] (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지, (B) 광 염기 발생제, (C) 열경화 성분 및 (D) 난연제를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 열경화성 수지 조성물.
[2] 상기 (D) 난연제가 인 화합물인 [1]의 감광성 열경화성 수지 조성물.
[3] (메트)아크릴레이트 단량체를 실질적으로 포함하지 않는 [1]의 감광성 열경화성 수지 조성물.
[4] 상기 (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지가 페놀성 수산기를 갖는 [1]의 감광성 열경화성 수지 조성물.
[5] 상기 (C) 열경화 성분이 환상 에테르 화합물인 [1]의 감광성 열경화성 수지 조성물.
[6] 플렉시블 배선판용인 [1]의 감광성 열경화성 수지 조성물.
[7] [1]의 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.
[8] [1]의 감광성 열경화성 수지 조성물, 또는 [7]의 드라이 필름을 사용해서 형성되는 경화물을 구비한 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
본 발명에 의해, 알칼리에 의한 현상이 가능하고, 난연성 및 내절성이 우수한 감광성 열경화성 수지 조성물, 및 당해 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비한 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 것이 가능해진다. 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 플렉시블 프린트 배선판의 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합하다. 또한, 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 다층 구조의 커버레이의 커버층용 수지 조성물로서도 적합하다. 여기서, 커버층이란, 2층 이상의 적층 구조를 갖는 커버레이의, 플렉시블 프린트 기판과는 접하지 않는 외측의 수지층을 가리킨다.
도 1은 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시하는 공정도이다.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지, (B) 광 염기 발생제, (C) 열경화 성분 및 (D) 난연제를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다. 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, (메트)아크릴레이트 단량체를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 광 염기 발생제로부터 발생하는 염기를 촉매로 해서, 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지와 열경화 성분을 노광 후의 가열에 의해 부가 반응시키고, 미노광 부분을 알칼리 용액에 의해 제거함으로써 현상이 가능해지는 수지 조성물이다. 이에 의해, 종래의 광 라디칼 중합 개시제로부터 발생하는 라디칼에 의한 중합 반응을 이용한 감광성 수지 조성물에 있어서는 필요한 (메트)아크릴레이트 단량체를 배합할 필요가 없게 된다.
여기서, (메트)아크릴레이트 단량체를 실질적으로 포함하지 않는다란, 구성 성분으로서 적극적으로 배합되어 있지 않은 것이며, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 소량 포함되는 것은 배제되지 않는다. 예를 들어, (메트)아크릴레이트 단량체는, 그의 배합 효과를 얻기 위해서는 통상, 감광성 수지 100질량부에 대하여 20 내지 50질량부 정도 배합되지만, 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물에 있어서는, (A) 성분인 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 15질량부 이하, 보다 바람직하게는 10질량부 이하이다. 물론, 상기한 바와 같이, (메트)아크릴레이트 단량체가 포함되지 않는 조성으로 해도 된다. (메트)아크릴레이트 단량체에 대해서는 아래에 기재한다.
(메트)아크릴레이트 단량체는 이연성이며, 그것을 실질적으로 포함하지 않음으로써, 감광성 열경화성 수지 조성물의 난연성의 저하를 피할 수 있다. 그 때문에, 인 함유 화합물로 대표되는 난연제를 대량으로 배합할 필요가 없게 되어, 인 함유 화합물에 기인하는 내절성의 저하, 절연 신뢰성의 저하를 억제하는 것이 가능해진다.
상기 (메트)아크릴레이트 단량체란, 감광성 단량체로서, 절연막 형성용 감광성 수지 조성물에 있어서, 점도 조정, 광경화성의 촉진이나 현상성의 향상을 위해 사용되는 (메트)아크릴레이트의 단량체이며, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 카르보네이트(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 구체적 화합물로서는, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트 등의 히드록시알킬아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 디아크릴레이트류; N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, N,N-디메틸아미노프로필아크릴아미드 등의 아크릴아미드류; N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트, N,N-디메틸아미노프로필아크릴레이트 등의 아미노알킬아크릴레이트류; 헥산디올, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리스-히드록시에틸이소시아누레이트 등의 다가 알코올 또는 이들의 에틸렌옥시드 부가물, 프로필렌옥시드 부가물, 또는 ε-카프로락톤 부가물 등의 다가 아크릴레이트류; 페녹시아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 및 이들 페놀류의 에틸렌옥시드 부가물 또는 프로필렌옥시드 부가물 등의 다가 아크릴레이트류; 글리세린디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 글리시딜에테르의 다가 아크릴레이트류; 상기에 한하지 않고, 폴리에테르폴리올, 폴리카르보네이트디올, 수산기 말단 폴리부타디엔, 폴리에스테르폴리올 등의 폴리올을 직접 아크릴레이트화, 또는 디이소시아네이트를 통해서 우레탄 아크릴레이트화한 아크릴레이트류 및 멜라민아크릴레이트, 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류 중 적어도 어느 1종을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 플렉시블 프린트 배선판의 수지 절연층, 예를 들어 커버레이, 솔더 레지스트에 적합하다.
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 사용해서 플렉시블 프린트 배선판의 수지 절연층을 형성하는 경우, 적합한 제조 방법은, 하기와 같이 된다. 즉, 플렉시블 프린트 배선판 위에 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 형성하는 공정, 패턴상으로 광을 수지층에 조사하는 공정, 수지층을 가열하는 공정(포스트 익스포저 베이크(Post Exposure Bake); PEB라고도 칭함), 및 수지층을 알칼리 현상하여 패턴을 갖는 수지 절연층을 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법이다. 필요에 따라서, 알칼리 현상 후, 한층 더 광 조사나 가열 경화(후경화)를 행하여, 수지 조성물을 완전 경화시켜서 신뢰성이 높은 수지 절연층을 얻는다.
이와 같이, 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 적합하게는, 선택적인 광 조사 후의 가열 처리에 의해, 카르복실기와 열경화 성분이 부가 반응함으로써, 알칼리 현상에 의한 네가티브형 패턴 형성이 가능하게 되는 것이다.
얻어지는 경화물이 내열성 및 굴곡성이 우수하고, 또한 알칼리 현상에 의해 미세 가공이 가능한 점에서, 폴리이미드에 대하여 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물을 부분적으로 병용할 필요가 없고, 플렉시블 프린트 배선판의 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 어디에든 사용할 수 있어, 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합하다.
이하, 각 성분에 대해서 상세하게 설명한다.
[(A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지]
본 발명에 있어서, (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지는, 카르복실기와 이미드환을 갖는 수지이다.
(A) 성분인 폴리이미드 수지는, 이미드환으로서 하기 식 (1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 것이 바람직하다. 식 (1) 중, R이 방향환을 포함하는 것임이 바람직하다.
Figure 112016050109499-pct00001
상기 식 (1)로 표시되는 부분 구조는, 하기 식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 것임이 보다 바람직하다.
Figure 112016050109499-pct00002
카르복실기의 위치는 특별히 한정되지 않는다. 상기 이미드환 또는 그것과 결합하는 기의 치환기로서 카르복실기가 존재해도 되고, 아민 성분이나 이소시아네이트 성분으로서, 카르복실기를 갖는 것을 사용해서 합성함으로써 카르복실기를 폴리이미드 수지에 도입해도 된다.
또한, 상기 (A) 성분의 폴리이미드 수지로서, 페놀성 수산기를 갖는 것이 바람직하다. 페놀성 수산기가 존재하면, 존재하지 않는 경우에 비해, 노광 후의 가열 경화 반응 시(하기 PEB 공정 시)에 있어서 동일한 가열 온도 하에서의, 부가 반응에 의해 알칼리 내성이 될 때까지의 시간을 길게 할 수 있다. 또한, 가열 경화 반응 시(하기 PEB 공정 시)의 가열 온도의 선택폭을 넓힐 수 있다. 이러한 점에서, 수지 조성물의 작업성, 취급성이 향상된다. 미노광부가 알칼리 내성이 되는, 소위 흐려짐의 발생을 억제할 수도 있다.
(A) 성분인 폴리이미드 수지의 합성에는 공지 관용의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 카르복실산 무수물 성분과, 아민 성분 및/또는 이소시아네이트 성분을 반응시켜서 얻어지는 수지를 들 수 있다. 이미드화는 열 이미드화로 행해도 되고, 화학 이미드화로 행해도 되고, 또한 이들을 병용해서 제조해도 된다.
카르복실산 무수물 성분으로서는, 테트라카르복실산 무수물이나 트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있지만, 이들 산 무수물에 한정되는 것은 아니고, 아미노기나 이소시아네이트기와 반응하는 산 무수물기 및 카르복실기를 갖는 화합물이면, 그의 유도체를 포함시켜 사용할 수 있다. 또한, 이들 카르복실산 무수물 성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
테트라카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물, 3-플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-디플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-비스(트리플루오로메틸)피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 2,2'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 및 2,2',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 3,3",4,4"-테르페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3'",4,4'"-쿼터페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3"",4,4""-퀸퀴페닐테트라카르복실산 이무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 디플루오로메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2-테트라플루오로-1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로-1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로-1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 티오-4,4'-디프탈산 이무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸실록산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 이무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산 이무수물, 카르보닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 메틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 옥시-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 티오-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 술포닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 3,3'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 9-페닐-9-(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스[4-(3,4-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 9,9-비스[4-(2,3-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트 이무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물) 등을 들 수 있다.
트리카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 트리멜리트산 무수물이나 핵 수소 첨가 트리멜리트산 무수물 등을 들 수 있다.
아민 성분으로서는, 지방족 디아민이나 방향족 디아민 등의 디아민, 지방족 폴리에테르 아민 등의 다가 아민을 사용할 수 있지만, 이들 아민에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 아민 성분은, 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.
디아민으로서는, 예를 들어 p-페닐렌디아민(PPD), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-톨루엔디아민, 2,5-톨루엔디아민, 2,6-톨루엔디아민 등의 벤젠핵 1개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르류, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스(4-아미노페닐)술피드, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘(o-톨리딘), 2,2'-디메틸벤지딘(m-톨리딘), 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄 등의 벤젠핵 2개의 디아민, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트리플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(3-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠 등의 벤젠핵 3개의 디아민, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등의 벤젠핵 4개의 디아민 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산 등의 지방족 디아민을 들 수 있고, 지방족 폴리에테르 아민으로서는, 에틸렌글리콜 및/또는 프로필렌글리콜계의 다가 아민 등을 들 수 있다. 또한, 하기와 같이, 카르복실기를 갖는 아민을 사용할 수도 있다.
카르복실기를 갖는 아민으로서는, 3,5-디아미노벤조산, 2,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산 등의 디아미노벤조산류, 3,5-비스(3-아미노페녹시)벤조산, 3,5-비스(4-아미노페녹시)벤조산 등의 아미노페녹시벤조산류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시비페닐 등의 카르복시비페닐 화합물류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스[3-아미노-4-카르복시페닐]프로판, 2,2-비스[4-아미노-3-카르복시페닐]프로판, 2,2-비스[3-아미노-4-카르복시페닐]헥사플루오로프로판, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐메탄 등의 카르복시디페닐메탄 등의 카르복시디페닐알칸류, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐에테르 등의 카르복시디페닐에테르 화합물, 3,3'-디아미노-4,4'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2'-디카르복시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카르복시디페닐술폰 등의 디페닐술폰 화합물, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-카르복시페녹시)페닐]프로판 등의 비스[(카르복시페닐)페닐]알칸 화합물류, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-카르복시페녹시)페닐]술폰 등의 비스[(카르복시페녹시)페닐]술폰 화합물 등을 들 수 있다.
폴리이미드 수지에 페놀성 수산기를 도입하기 위해서는, 페놀성 수산기를 갖는 디아민을 병용해서 합성하는 방법에 따를 수 있다. 페놀성 수산기를 갖는 디아민으로서는, 예를 들어 2,4-디아미노페놀 등의 디아미노페놀류, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라히드록시비페닐 등의 히드록시비페닐 화합물류, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디아미노-2,2'-디히드록시디페닐메탄, 2,2-비스[3-아미노-4-히드록시페닐]프로판, 2,2-비스[4-아미노-3-히드록시페닐]프로판, 2,2-비스[3-아미노-4-히드록시페닐]헥사플루오로프로판, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라히드록시디페닐메탄 등의 히드록시디페닐메탄 등의 히드록시디페닐알칸류, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2'-디히드록시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라히드록시디페닐에테르 등의 히드록시디페닐에테르 화합물, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라히드록시디페닐술폰 등의 디페닐술폰 화합물, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-히드록시페녹시)페닐]프로판 등의 비스[(히드록시페닐)페닐]알칸 화합물류, 4,4'-비스(4-아미노-3-히드록시 페녹시)비페닐 등의 비스(히드록시페녹시)비페닐 화합물류, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-히드록시페녹시)페닐]술폰 등의 비스[(히드록시페녹시)페닐]술폰 화합물, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디아미노-2,2'-디히드록시디페닐메탄 등의 카르복시디페닐알칸류, 4,4'-디아미노-2,2'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-비스(4-아미노-3-히드록시페녹시)비페닐 등의 비스(히드록시페녹시)비페닐 화합물류, 1,3-비스(3-아미노-4-히드록시페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노-3-히드록시페녹시)벤젠 등의 비스(히드록시페녹시)벤젠 화합물류 등을 들 수 있다.
이소시아네이트 성분으로서는, 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체나 다량체, 지방족 디이소시아네이트류, 지환식 디이소시아네이트류 및 그의 이성체 등의 디이소시아네이트나 그 외 범용의 디이소시아네이트류를 사용할 수 있지만, 이들 이소시아네이트에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 이소시아네이트 성분은, 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다.
디이소시아네이트로서는, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 비페닐디이소시아네이트, 디페닐술폰디이소시아네이트, 디페닐에테르디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체, 다량체, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트류, 또는 상기 방향족 디이소시아네이트를 수소 첨가한 지환식 디이소시아네이트류 및 이성체, 또는 그 외 범용의 디이소시아네이트류를 들 수 있다.
(A) 성분인 폴리이미드 수지는 아미드 결합을 갖고 있어도 된다. 이것은 이소시아네이트와 카르복실산을 반응시켜서 얻어지는 아미드 결합이어도 되고, 그 이외의 반응에 의한 것이어도 된다. 또한 그 외의 부가 및 축합을 포함하는 결합을 갖고 있어도 된다.
(A) 성분인 폴리이미드 수지의 합성에는, 공지 관용의 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 갖는 알칼리 용해성 중합체, 올리고머, 단량체를 사용해도 되고, 예를 들어 이들 공지 관용의 알칼리 용해성 수지류를 단독으로 또는 상기 카르복실산 무수물 성분과 조합하여, 상기 아민/이소시아네이트류와 반응시켜서 얻어지는 수지여도 된다.
(A) 성분인 폴리이미드 수지는, 알칼리 현상 공정에 대응하기 위해서, 그 산가가 20 내지 200mgKOH/g인 것이 바람직하고, 60 내지 150mgKOH/g인 것이 보다 바람직하다. 이 산가가 20mgKOH/g 이상인 경우, 알칼리에 대한 용해성이 증가하여, 현상성이 양호해지고, 나아가, 광 조사 후의 열경화 성분과의 가교도가 높아지기 때문에, 충분한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 또한, 이 산가가 200mgKOH/g 이하인 경우에는, 후술하는 광 조사 후의 PEB 공정에서의 소위 열 흐려짐을 억제할 수 있어, 프로세스 마진이 커진다.
또한, (A) 성분인 폴리이미드 수지의 분자량은, 현상성과 경화 도막 특성을 고려하면, 질량 평균 분자량 1,000 내지 100,000이 바람직하고, 더욱 2,000 내지 50,000이 보다 바람직하다.
이 분자량이 1,000 이상인 경우, 노광·PEB 후에 충분한 내현상성과 경화물성을 얻을 수 있다. 또한, 분자량이 100,000 이하인 경우, 알칼리 용해성이 증가하여, 현상성이 향상된다.
[(B) 광 염기 발생제]
(B) 광 염기 발생제는, 자외선이나 가시광 등의 광 조사에 의해 분자 구조가 변화하거나, 또는 분자가 개열함으로써, 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지와 열경화 성분의 부가 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 1종 이상의 염기성 물질을 생성하는 화합물이다. 염기성 물질로서는, 예를 들어 2급 아민, 3급 아민을 들 수 있다.
광 염기 발생제로서는, 예를 들어 α-아미노아세토페논 화합물, 옥심에스테르 화합물이나, 아실옥시이미노기, N-포르밀화 방향족 아미노기, N-아실화 방향족 아미노기, 니트로벤질카르바메이트기, 알콕시벤질카르바메이트기 등의 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논 화합물이 바람직하다. α-아미노아세토페논 화합물로서는, 특히 2개 이상의 질소 원자를 갖는 것이 바람직하다.
그 외의 광 염기 발생제로서, WPBG-018(상품명: 9-안트릴메틸N,N'-디에틸카르바메이트), WPBG-027(상품명: (E)-1-[3-(2-히드록시페닐)-2-프로페노일]피페리딘), WPBG-082(상품명: 구아니디늄2-(3-벤조일페닐)프로피오네이트), WPBG-140(상품명: 1-(안트라퀴논-2-일)에틸 이미다졸카르복실레이트) 등을 사용할 수도 있다.
α-아미노아세토페논 화합물은, 분자 중에 벤조인에테르 결합을 갖고, 광 조사를 받으면 분자 내에서 개열이 일어나서, 경화 촉매 작용을 발휘하는 염기성 물질(아민)이 생성된다. α-아미노아세토페논 화합물의 구체예로서는, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판(이르가큐어 369, 상품명, BASF 재팬사 제조)이나 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄(이르가큐어 907, 상품명, BASF 재팬사 제조), 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논(이르가큐어 379, 상품명, BASF 재팬사 제조) 등의 시판되는 화합물 또는 그의 용액을 사용할 수 있다.
옥심에스테르 화합물로서는, 광 조사에 의해 염기성 물질을 생성하는 화합물이면 어느 것이든 사용할 수 있다. 이러한 옥심에스테르 화합물로서는, 하기 일반식 (4)로 표시되는 기를 갖는 옥심에스테르계 광 염기 발생제가 바람직하다.
Figure 112016050109499-pct00003
(식 중, R1은 수소 원자, 비치환 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환된 페닐기, 비치환 또는 1개 이상의 수산기로 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 1개 이상의 산소 원자로 중단된 해당 알킬기, 비치환 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환된 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 비치환 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환된 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기를 나타내고,
R2는 비치환 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환된 페닐기, 비치환 또는 1개 이상의 수산기로 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 1개 이상의 산소 원자로 중단된 해당 알킬기, 비치환 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환된 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 비치환 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환된 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기를 나타낸다)
옥심에스테르계 광 염기 발생제의 시판품으로서, BASF 재팬사 제조의 CGI-325, 이르가큐어-OXE01, 이르가큐어-OXE02, 아데카(ADEKA)사 제조 N-1919, NCI-831 등을 들 수 있다. 또한, 일본특허 제4344400호 공보에 기재된, 분자 내에 2개의 옥심에스테르기를 갖는 화합물도 적절하게 사용할 수 있다.
그 외, 일본특허공개 제2004-359639호 공보, 일본특허공개 제2005-097141호 공보, 일본특허공개 제2005-220097호 공보, 일본특허공개 제2006-160634호 공보, 일본특허공개 제2008-094770호 공보, 일본특허공표 제2008-509967호 공보, 일본특허공표 제2009-040762호 공보, 일본특허공개 제2011-80036호 공보에 기재된 카르바졸옥심에스테르 화합물 등을 들 수 있다.
이러한 광 염기 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 감광성 열경화성 수지 조성물 중의 광 염기 발생제의 배합량은, 바람직하게는 열경화 성분 100질량부에 대하여 0.1 내지 40질량부이고, 더욱 바람직하게는, 0.1 내지 30질량부이다. 0.1질량부 이상인 경우, 광 조사부/미조사부의 내현상성의 콘트라스트를 양호하게 얻을 수 있다. 또한, 40질량부 이하인 경우, 경화물 특성이 향상된다.
[(C) 열경화 성분]
(C) 열경화 성분은, 열에 의해, 카르복실기 또는 페놀성 수산기와 부가 반응이 가능한 관능기를 갖는 것이다. 열경화 성분으로서는, 예를 들어 환상(티오)에테르기를 갖는 화합물이 바람직하고, 에폭시 수지, 다관능 옥세탄 화합물 등을 들 수 있다.
상기 에폭시 수지는, 에폭시기를 갖는 수지이며, 공지된 것을 모두 사용할 수 있다. 분자 중에 에폭시기를 2개 갖는 2관능성 에폭시 수지, 분자 중에 에폭시기를 다수 갖는 다관능 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수소 첨가된 2관능 에폭시 화합물이어도 된다.
상기 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 비크실레놀형 또는 비페놀형 에폭시 수지 또는 그들의 혼합물; 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 나프탈렌기 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지, 글리시딜메타크릴레이트 공중합계 에폭시 수지, 시클로헥실말레이미드와 글리시딜메타크릴레이트의 공중합 에폭시 수지, CTBN 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
그 외의 액상 2관능성 에폭시 수지로서는, 비닐시클로헥센디에폭시드, (3',4'-에폭시시클로헥실메틸)-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, (3',4'-에폭시-6'-메틸시클로헥실메틸)-3,4-에폭시-6-메틸시클로헥산카르복실레이트 등의 지환족 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
또한, (C) 열경화 성분으로서, 말레이미드 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물, 아미노 수지, 벤조옥사진 수지, 카르보디이미드 수지, 시클로카르보네이트 화합물, 에피술피드 수지 등의 공지 관용의 화합물을 배합해도 된다.
(C) 열경화 성분의 배합량으로서는, (A) 성분인 폴리이미드 수지와의 당량비 (카르복실기:에폭시기 등의 열 반응성기)가 1:0.1 내지 1:10인 것이 바람직하다. 이러한 배합비의 범위로 함으로써, 현상이 양호해져서, 용이하게 미세 패턴을 형성할 수 있다. 상기 당량비는, 1:0.2 내지 1:5인 것이 더욱 바람직하다.
[(D) 난연제]
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 난연제를 포함한다. 난연제로서는, 인산 에스테르 및 축합 인산 에스테르, 인 원소 함유 (메트)아크릴레이트, 페놀성 수산기를 갖는 인 함유 화합물, 환상 포스파젠 화합물, 포스파젠 올리고머, 포스핀산 금속염 등의 인 함유 화합물, 삼산화안티몬, 오산화안티몬 등의 안티몬 화합물, 펜타브로모디페닐에테르, 옥타브로모디페닐에테르 등의 할로겐화물, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물, 하이드로탈사이트 및 하이드로탈사이트 유사 화합물 등의 층상 복수 산화물을 들 수 있다. 환경면에의 영향이나 난연 효과로부터, 인 함유 화합물이 바람직하고, 포스핀산 금속염이 보다 바람직하다.
상기한 바와 같이 인 함유 화합물은 다량으로 배합하면, 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화물의 내절성, 절연 신뢰성을 악화시키는 점에서, 배합량은, 감광성 열경화성 수지 조성물 중의 인 함유율로서, 바람직하게는 0.01 내지 3.0%, 보다 바람직하게는 0.01 내지 2.5%이다.
포스핀산 금속염을 구성하는 포스핀산의 구체예로서는, 포스핀산, 디메틸포스핀산, 에틸메틸포스핀산, 디에틸포스핀산, 메틸-n-프로필포스핀산, 메탄디(메틸포스핀산), 벤젠-1,4-(디메틸포스핀산), 메틸페닐포스핀산, 페닐포스핀산, 디페닐포스핀산 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
포스핀산염을 구성하는 금속 성분으로서는, 예를 들어 칼슘, 마그네슘, 알루미늄, 아연, 비스무트, 망간, 나트륨, 칼륨을 들 수 있다. 바람직하게는, 칼슘, 마그네슘, 알루미늄, 아연이다.
포스핀산 금속염의 시판품으로서는, 클라리안트사 제조의 EXOLIT OP 930, EXOLIT OP 935 등을 들 수 있다.
(페놀성 수산기를 갖는 수지)
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물은, 페놀성 수산기를 갖는 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 수지가 존재하면, 존재하지 않는 경우에 비해, 노광 후의 가열 경화 반응 시(하기 PEB 공정 시)에 있어서 동일한 가열 온도 하에서의, 부가 반응에 의해 알칼리 내성이 될 때까지의 시간을 길게 할 수 있다. 또한, 가열 경화 반응 시(하기 PEB 공정 시)의 가열 온도의 선택폭을 넓힐 수 있다. 이러한 점에서, 수지 조성물의 작업성, 취급성이 향상된다. 미노광부가 알칼리 내성이 되는, 소위 흐려짐의 발생을 억제할 수도 있다.
페놀성 수산기를 갖는 수지는, 주쇄 또는 측쇄에 페놀성 수산기, 즉 벤젠환에 결합한 수산기를 갖고 있으면, 특별히 제한되지 않는다. 페놀성 수산기도 카르복실기와 마찬가지로, 열경화 성분과 부가 반응할 수 있다.
바람직하게는 1 분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 화합물이다.
1 분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 화합물로서는, 카테콜, 레조르시놀, 히드로퀴논, 디히드록시톨루엔, 나프탈렌디올, t-부틸카테콜, t-부틸히드로퀴논, 피로갈롤, 플로로글루시놀, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 비페놀, 비크실레놀, 노볼락형 페놀 수지, 노볼락형 알킬페놀 수지, 비스페놀 A의 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 자일록(Xylok)형 페놀 수지, 테르펜 변성 페놀 수지, 폴리비닐페놀류, 페놀류와 페놀성 수산기를 갖는 방향족 알데히드와의 축합물, 1-나프톨 또는 2-나프톨과 방향족 알데히드류와의 축합물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다. 이들 페놀성 수산기 함유 화합물은, 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.
상기 페놀성 수산기를 갖는 수지로서는, 이미드환을 갖는 것이 바람직하다. 이미드환은 상기한 것과 마찬가지 것을 들 수 있다. 이미드환, 페놀성 수산기를 갖는 수지로서는, 예를 들어 상기와 같은 카르복실산 무수물에 대해서, 페놀성 수산기를 갖는 디아민을 사용해서 합성한 폴리이미드 수지가 바람직하다.
페놀성 수산기를 갖는 수지의 분자량은, 노광·PEB 후의 현상성, 내현상성 및 경화 도막 특성을 고려하면, 질량 평균 분자량 1,000 내지 100,000이 바람직하고, 더욱 2,000 내지 50,000이 보다 바람직하다.
(고분자 수지)
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물에는, 얻어지는 경화물의 가요성, 지촉 건조성의 향상을 목적으로 관용 공지된 고분자 수지를 배합할 수 있다. 고분자 수지로서는 셀룰로오스계, 폴리에스테르계, 페녹시 수지계 중합체, 폴리비닐아세탈계, 폴리비닐부티랄계, 폴리아미드계, 폴리아미드이미드계 결합제 중합체, 블록 공중합체, 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 고분자 수지는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.
(무기 충전제)
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물에는, 무기 충전제를 배합할 수 있다. 무기 충전제는, 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화물 경화 수축을 억제하고, 밀착성, 경도 등의 특성을 향상시키기 위해서 사용된다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 황산바륨, 무정형 실리카, 용융 실리카, 구상 실리카, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 노이부르그 규조토 등을 들 수 있다. 상기 무기 충전제는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.
(착색제)
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물에는, 착색제를 더 배합할 수 있다. 착색제로서는, 적, 청, 녹, 황, 백, 흑 등의 관용 공지된 착색제를 사용할 수 있고, 안료, 염료, 색소 중 어느 것이든 상관없다.
(유기 용제)
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물에는, 수지 조성물의 제조를 위해서나, 기재나 캐리어 필름에 도포하기 위한 점도 조정을 위해서, 유기 용제를 사용할 수 있다.
이러한 유기 용제로서는, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이러한 유기 용제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 혼합물로서 사용해도 된다.
(그 외의 임의 성분)
본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라서 머캅토 화합물, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 성분을 더 배합할 수 있다. 이들은, 전자 재료의 분야에 있어서 공지된 물질을 사용할 수 있다. 또한, 상기 감광성 열경화성 수지 조성물에는, 미분 실리카, 하이드로탈사이트, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제, 실란 커플링제, 방청제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 배합할 수 있다.
[드라이 필름]
본 발명의 드라이 필름은, 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 갖는 것을 특징으로 한다.
드라이 필름화 시에 있어서는, 예를 들어 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물을 유기 용제로 희석해서 적절한 점도로 조정하고, 콤마 코터 등의 공지된 방법으로 캐리어 필름 위에 균일한 두께로 도포한다. 그 후, 통상, 50 내지 130℃의 온도에서 1 내지 30분간 건조하여, 캐리어 필름 위에 수지층을 형성한다.
캐리어 필름으로서는, 플라스틱 필름이 사용된다. 캐리어 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150㎛의 범위에서 적절히 선택된다. 캐리어 필름 위에 수지층을 형성한 후, 수지층의 표면에 박리 가능한 커버 필름을 더 적층해도 된다.
[플렉시블 프린트 배선판 및 그의 제조 방법]
본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 감광성 열경화성 수지 조성물, 또는 드라이 필름의 수지층을 포함하는 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법은, 플렉시블 프린트 배선판 위에 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 형성하는 공정, 패턴상으로 광을 수지층에 조사하는 공정, 수지층을 가열하는 공정, 및 수지층을 알칼리 현상하고 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성하는 공정을 포함한다.
[수지층 형성 공정]
이 공정에서는, 플렉시블 프린트 배선판 위에 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 적어도 1층 형성한다.
수지층의 형성 방법으로서는, 도포법과, 라미네이트법을 들 수 있다.
도포법의 경우, 스크린 인쇄 등의 방법에 의해, 감광성 열경화성 수지 조성물을 플렉시블 프린트 배선판 위에 도포하고, 건조함으로써 수지층을 형성한다.
라미네이트법의 경우, 우선은, 감광성 열경화성 수지 조성물을 유기 용제로 희석해서 적절한 점도로 조정하여, 캐리어 필름 위에 도포, 건조해서 수지층을 갖는 드라이 필름을 제작한다. 이어서, 라미네이터 등에 의해 수지층이, 플렉시블 프린트 배선판과 접촉하도록 접합한 후, 캐리어 필름을 박리한다.
또한, 수지층과 플렉시블 프린트 배선판 사이에는, 다른 층을 개재시킬 수 있다. 다른 층은, 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물을 포함하는 것이 바람직하다. 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물로서는, 공지된 조성물을 사용할 수 있으며, 예를 들어 커버레이용 또는 솔더 레지스트용의 공지된 조성물을 사용할 수 있다. 이와 같이 다른 층을 포함시킨 적층 구조로 함으로써, 내충격성과 굴곡성이 더욱 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
[광 조사 공정]
이 공정은, 네가티브형 패턴상으로 광 조사로 수지층에 포함되는 광 염기 발생제를 활성화해서 광 조사부를 경화한다. 이 공정에서는, 광 조사부에서 발생한 염기에 의해, 광 염기 발생제가 불안정화하고, 염기가 화학적으로 증식함으로써, 수지층의 심부까지 충분히 경화할 수 있다.
광 조사기로서는, 직접 묘화 장치, 메탈 할라이드 램프를 탑재한 광 조사기등을 사용할 수 있다. 패턴상의 광 조사용 마스크는, 네가티브형 마스크이다.
광 조사에 사용하는 활성 에너지선으로서는, 최대 파장이 350 내지 450㎚의 범위에 있는 레이저광 또는 산란광을 사용하는 것이 바람직하다. 최대 파장을 이 범위로 함으로써, 효율적으로 광 염기 발생제를 활성화시킬 수 있다. 이 범위의 레이저광을 사용하고 있으면 가스 레이저, 고체 레이저의 어느 것이든 상관없다. 또한, 그 광 조사량은 막 두께 등에 따라 다르지만, 일반적으로는 100 내지 1500mJ/㎠로 할 수 있다.
[가열 공정]
이 공정은, 광 조사 후, 수지층을 가열함으로써 광 조사부를 경화한다. 이 공정에 의해, 광 조사 공정에서 발생한 염기에 의해 심부까지 경화할 수 있다. 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 140℃이다. 가열 시간은, 예를 들어 10 내지 100분이다.
본 발명에 있어서의 감광성 열경화성 수지 조성물의 경화는, 예를 들어 열 반응에 의한 에폭시 수지의 개환 반응이기 때문에, 광 라디칼 반응으로 경화가 진행되는 경우와 비교해서 왜곡이나 경화 수축을 억제할 수 있다.
[현상 공정]
현상 공정은, 알칼리 현상에 의해, 미조사부를 제거하여, 네가티브형 패턴상의 절연막, 특히 커버레이 및 솔더 레지스트를 형성한다.
현상 방법으로서는, 디핑 등의 공지된 방법에 따를 수 있다. 또한, 현상액으로서는, 수산화칼륨, 아민류, 수산화테트라메틸암모늄 수용액(TMAH) 등의 알칼리 수용액 또는 이들의 혼합액을 사용할 수 있다.
또한, 현상 공정 후에, 추가로 절연막을 광 조사해도 된다. 또한, 예를 들어 150℃ 이상으로 가열해도 된다.
이어서, 본 발명의 감광성 열경화성 수지 조성물로부터 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판을 제조하는 방법의 일례를 도 1의 공정도에 기초하여 설명한다. 또한, 도 1에서는, 수지층이 적층 구조인 경우를 나타내지만, 1층만으로 이루어진 경우여도 된다.
도 1의 적층 공정은, 수지층(3)과 수지층(4)을 포함하는 적층 구조체를, 구리 회로(2)가 형성된 플렉시블 프린트 배선 기재(1)에 형성한다.
수지층(3)은, 카르복실기 함유 수지 등을 포함하는 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물을 포함한다.
수지층(4)은, 수지층(3) 위에 형성되고, 1 분자 중에 1개 이상의 이미드환과 1개 이상의 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지, 광 염기 발생제 및 열경화 성분을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함한다.
도 1의 광 조사 공정은, 수지층(4) 위에 마스크(5)를 배치하고, 네가티브형의 패턴상으로 광 조사함으로써, 감광성 열경화성 수지 조성물에 포함되는 광 염기 발생제를 활성화하여 광 조사부를 경화하는 공정이다. 도 1의 가열 공정은, 광 조사 공정 후에, 수지층을 가열함으로써, 광 조사부를 경화하는 공정(PEB 공정)이다. 도 1의 현상 공정은, 알칼리성 수용액에 의해 현상함으로써, 미조사부가 제거되어, 네가티브형의 패턴층을 형성하는 공정이다.
또한, 도 1의 제2 광 조사 공정은, 필요에 따라, 남은 광 염기 발생제를 활성화하여 염기를 발생시키기 위한 공정이며, 열경화 공정은, 필요에 따라, 패턴층을 충분히 열경화시키기 위한 공정이다.
실시예
이하, 실시예, 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예, 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다.
<이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지 용액의 합성예>
교반기, 질소 도입관, 분류환, 냉각환을 설치한 세퍼러블 3구 플라스크에, 3,5-디아미노벤조산을 12.5g, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 8.2g, NMP를 30g, γ-부티로락톤을 30g, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 27.9g, 트리멜리트산 무수물을 3.8g 첨가하고, 질소 분위기 하에서, 실온, 100rpm으로 4시간 교반했다. 계속해서, 톨루엔을 20g 첨가하고, 실리콘욕 온도 180℃, 150rpm으로 톨루엔 및 물을 증류 제거하면서 4시간 교반하여, 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지 용액 (PI-1)을 얻었다.
얻어진 수지(고형분)의 산가는 85mgKOH/g, 중량 평균 분자량(Mw)은 10000이었다.
<이미드환, 페놀성 수산기, 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지 용액의 합성예>
교반기, 질소 도입관, 분류환, 냉각환을 설치한 세퍼러블 3구 플라스크에, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰을 22.4g, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 8.2g, NMP를 30g, γ-부티로락톤을 30g, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 27.9g, 트리멜리트산 무수물을 3.8g 첨가하고, 질소 분위기 하에서, 실온, 100rpm으로 4시간 교반했다. 계속해서, 톨루엔을 20g 첨가하고, 실리콘욕 온도 180℃, 150rpm으로 톨루엔 및 물을 증류 제거하면서 4시간 교반해서 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지 용액 (PI-2)를 얻었다.
얻어진 수지(고형분)의 산가는 18mgKOH/g, Mw는 10000, 수산기 당량은 390이었다.
<알칼리 가용성 수지 A-1의 합성예>
크레졸 노볼락형 에폭시 수지(다이닛본잉키가가꾸고교(주) 제조, "에피클론"(등록상표) N-680, 에폭시 당량: 210) 210부를 교반기 및 환류 냉각기가 달린 4구 플라스크에 넣고, 카르비톨아세테이트 96.4부를 첨가하여, 가열 용해하였다. 이어서, 중합 금지제로서 히드로퀴논 0.46부와, 반응 촉매로서 트리페닐포스핀 1.38부를 첨가했다. 이 혼합물을 95 내지 105℃로 가열하고, 아크릴산 72부를 서서히 적하하여, 산가가 3.0mgKOH/g 이하가 될 때까지 약 16시간 반응시켰다. 이 반응 생성물을 80 내지 90℃까지 냉각하고, 테트라히드로프탈산 무수물 76부를 첨가하여, 8시간 반응시키고, 냉각 후, 반응 용액(바니시)(「A-1」이라고 칭함)을 취출하였다. 이와 같이 하여 얻어진 감광성 수지는, 고형물의 산가 78mgKOH/g, 불휘발분 65%였다.
<감광성 열경화성 수지 조성물의 제조>
하기 표 1에 기재된 배합에 따라, 실시예에 기재된 재료를 각각 배합, 교반기로 예비 혼합한 후, 3축 롤 밀로 혼련하여, 감광성 열경화성 수지 조성물을 제조하였다. 표 안의 값은, 특별한 언급이 없는 한 질량부이다.
<저휨성>
후술하는 가요성(내절성)의 평가용 샘플과 마찬가지로 제작한 샘플을 50㎜×50㎜□로 잘라내어, 네 모서리의 휨을 측정하여 평균값을 구하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○: 휨이 4㎜ 미만인 것.
△: 휨이 4㎜ 이상 8㎜ 미만인 것.
×: 휨이 8㎜이상인 것.
<난연성>
상기 각 실시예 및 비교예의 조성물을, 25㎛, 12.5㎛ 두께의 폴리이미드 필름(도레이듀퐁사 제조, 캡톤 100H(25㎛), 캡톤 50H(12.5㎛))에 스크린 인쇄로 전체면 도포하고, 80℃에서 30분 건조해서 실온까지 방냉했다. 추가로, 이면을 마찬가지로 스크린 인쇄로 전체면 도포하고, 80℃에서 30분 건조해서 실온까지 방냉하여 양면 도포 기판을 얻었다. 얻어진 양면 기판에 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용해서 최적 노광량으로 솔더 레지스트를 전체면 노광하고, 30℃의 1wt% Na2CO3 수용액을 스프레이압 2㎏/㎠의 조건에서 60초간 현상을 행하고, 150℃에서 60분간 열경화를 행하여, 평가 샘플로 하였다. 이 난연성 평가용 샘플에 대해서, UL94 규격에 준거한 박재 수직 연소 시험을 행하였다. 평가 결과는, UL94 규격의 VTM-0을 ○, VTM-1을 △, 불합격을 ×로 하였다.
<가요성(내절성)>
상기 각 실시예 및 비교예의 조성물을, 25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(도레이·듀퐁사 제조 캡톤 100H)에 스크린 인쇄로 전체면 도포하고, 80℃에서 30분 건조하고, 실온까지 방냉했다. 얻어진 기판에 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 사용해서 최적 노광량으로 레지스트 패턴을 노광하고, 30℃의 1wt% Na2CO3 수용액을 스프레이압 0.2㎫의 조건에서 60초간 현상을 행하여, 레지스트 패턴을 얻고, 이 기판을, 150℃에서 60분 가열해서 경화하였다.
얻어진 평가 기판에 대하여 심 가공에 의해 180° 절곡을 수회 반복해서 행하고, 그 때의 도막에 있어서의 크랙 발생 상황을 육안 및 200배의 광학 현미경으로 관찰하여, 크랙이 발생할 때까지 행한 절곡 횟수를 측정하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
◎: 절곡 횟수가 6회 이상인 것.
○: 절곡 횟수가 4 내지 5회인 것.
△: 절곡 횟수가 2 내지 3회인 것.
×: 절곡 횟수가 0 내지 1회인 것.
상기 각 평가 시험의 결과를 표 1에 통합해서 나타낸다.
Figure 112016050109499-pct00004
※1: 상기 합성예에 따라서 합성한 이미드환 및 카르복실기를 갖는 수지의 수지 용액이다.
※2: 상기 합성예에 따라서 합성한 이미드환, 페놀성 수산기 및 카르복실기를 갖는 수지의 수지 용액이다.
※3: 상기 합성예에 따라서 합성한 산 변성 크레졸 노볼락 에폭시 수지의 수지 용액이다.
※4: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 닛본가야꾸사 제조
※5: 비스페놀 A형 에폭시 수지, 미쯔비시가가꾸사 제조
※6: 옥심계 광 염기 발생제, BASF사 제조
※7: 광 염기 발생제, 와꼬쥰야꾸사 제조
※8: 포스핀산 금속염, 클라리안트사 제조
상기 표 1에서 명백해진 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 수지 조성물은, 난연제의 배합량이 적음에도 불구하고, 난연성은 양호하고, 저휨성 및 내절성도 우수하였다. 또한, 실시예 5의 수지 조성물은, 아크릴레이트 단량체의 배합량이 많기 때문에, 난연성이 약간 떨어져 있었다. 그에 비해, 본 발명의 (A) 성분을 포함하지 않고, 아크릴레이트 단량체를 포함하는 비교예 1은, 난연성이 불량하였고, 저휨성도 떨어져 있고, 비교예 2는, 난연제를 다량으로 포함함으로써 난연성은 양호해졌지만, 내절성이 악화되었다.
1 : 플렉시블 프린트 배선 기재
2 : 구리 회로
3 : 수지층
4 : 수지층
5 : 마스크

Claims (8)

  1. (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지,
    (B) 광 염기 발생제,
    (C) 열경화 성분, 및
    (D) 난연제
    를 포함하고, (메트)아크릴레이트 단량체를 실질적으로 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 감광성 열경화성 수지 조성물로서,
    여기서 (메트)아크릴레이트 단량체를 실질적으로 포함하지 않는다는 것은, 상기 (메트)아크릴레이트 단량체의 배합량이 상기 (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지 100질량부에 대하여 15질량부 이하인 것을 의미하는, 감광성 열경화성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (D) 난연제가 인 화합물인 감광성 열경화성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 (A) 이미드환 및 카르복실기를 갖는 폴리이미드 수지가 페놀성 수산기를 갖는 감광성 열경화성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 (C) 열경화 성분이 환상 에테르 화합물인 감광성 열경화성 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 플렉시블 배선판용인 감광성 열경화성 수지 조성물.
  6. 제1항에 기재된 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 열경화성 수지 조성물, 또는 제6항에 기재된 드라이 필름을 사용해서 형성되는 경화물을 구비한 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
  8. 삭제
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