KR102267650B1

KR102267650B1 - 이방성 도전 필름

Info

Publication number: KR102267650B1
Application number: KR1020197014001A
Authority: KR
Inventors: 레이지 츠카오
Original assignee: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date: 2016-12-01
Filing date: 2017-11-20
Publication date: 2021-06-21
Also published as: US10957462B2; CN109964371B; US20200152351A1; JP7274815B2; WO2018101108A1; JP2019036516A; KR20190064644A; CN109964371A

Abstract

접속 구조체는, 제 1 단자 패턴을 갖는 제 1 전자 부품과, 제 1 단자 패턴과 단자의 크기 및 피치가 상이한 제 2 단자 패턴을 갖는 제 2 전자 부품이, 제 1 단자 패턴과 제 2 단자 패턴의 각각에 대응하는 단자 패턴을 갖는 제 3 전자 부품과 이방성 도전 필름에 의해 이방성 도전 접속되어 있는 것이다. 이방성 도전 필름은, 도전 입자가 규칙적으로 배열된 영역, 및 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역의, 적어도 일방을 갖는다.

Description

이방성 도전 필름

본 발명은, 이방성 도전 필름에 관한 것이다.

예를 들어 액정 표시 소자에 있어서 유리 기판 단부에 IC 칩과 플렉시블 프린트 기판 (FPC) 의 쌍방을 접속하는 등, 1 개의 기판에 복수종의 전자 부품을, 각각 이방성 도전 필름을 사용하여 접속하는 것이 이루어지고 있다. 이 경우, 복수종의 전자 부품의 각각에 적합한 이방성 도전 필름이 사용된다.

이에 반하여, 1 장의 이방성 도전 필름을 사용하여 2 종의 전자 부품을 1 개의 기판에 접속하는 것이 제안되어 있다 (특허문헌 1).

일본 특허 4650050호

1 장의 이방성 도전 필름을 사용하여 2 종의 전자 부품을 1 개의 기판에 접속하면, 접속에 필요로 하는 공정수나 스페이스를 저감시킬 수 있다.

그러나, 종래, 2 종의 전자 부품을 1 개의 기판에 접속하기 위해서 사용되는 이방성 도전 필름은, 절연성 수지층에 도전 입자를 랜덤으로 분산시킨 것이기 때문에, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 분산 상태를 정밀하게 규정할 수 없다. 그래서, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도는, 2 종의 전자 부품 중, 단자의 크기나 피치가 작은 쪽에 적합시킬 필요가 있게 되어, 접속에 관여하지 않는 도전 입자가 불필요하게 많이 존재하게 되어 있었다.

본 발명은, 이와 같은 종래 기술의 문제에 대하여, 1 장의 이방성 도전 필름을 사용하여 IC 칩이나 FPC 등의 복수종의 전자 부품을 1 개의 기판 등의 전자 부품에 접속하는 데에 있어서, 이방성 도전 필름을 각각의 전자 부품에 더욱 적합시켜, 접속에 관여하지 않는 불필요한 도전 입자를 저감시키는 것을 과제로 한다.

본 발명자는, 1 장의 이방성 도전 필름을 사용하여 단자 패턴이 상이한 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품을 제 3 전자 부품에 접속하는 데에 있어서, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자를 규칙적으로 배열시키면 도전 입자의 피치나 배열 방향을 제어할 수 있기 때문에, 도전 입자가 랜덤으로 배치되어 있는 경우에 비하여, 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품의 쌍방을 제 3 전자 부품에 적절히 접속하기 위해서 필요한 도전 입자의 개수 밀도를 저감시킬 수 있고, 또한 이방성 도전 접속한 접속 구조체의 수율을 향상시키기 쉬워지는 것, 또한, 1 장의 이방성 도전 필름에 도전 입자의 개수 밀도, 입자경, 경도 등이 상이한 복수의 영역을 형성함으로써, 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품의 각각에, 보다 적합한 접속을 실시하는 것이 가능해져, 불필요한 도전 입자를 더욱 저감시킬 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 생각하기에 이르렀다.

즉, 제 1 본 발명은, 제 1 단자 패턴을 갖는 제 1 전자 부품과, 제 1 단자 패턴과 단자의 크기 및 피치가 상이한 제 2 단자 패턴을 갖는 제 2 전자 부품이, 제 1 단자 패턴과 제 2 단자 패턴의 각각에 대응하는 단자 패턴을 갖는 제 3 전자 부품과 이방성 도전 필름에 의해 이방성 도전 접속되어 있는 접속 구조체로서, 이방성 도전 필름이, 도전 입자가 규칙적으로 배열된 영역, 및 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역의, 적어도 일방을 갖는 접속 구조체이다.

제 2 본 발명은, 절연성 수지층과, 그 절연성 수지층에 배치된 도전 입자를 갖는 이방성 도전 필름으로서, 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역을 갖는 이방성 도전 필름이다.

제 3 본 발명은, 절연성 수지층의 일방의 표면에 도전 입자를 부착시키고, 그 도전 입자를 절연성 수지층에 압입하는 제 1 압입 공정과,

평면에서 보아, 제 1 압입 공정에서 도전 입자를 압입한 영역의 일부가 되는 영역, 또는 제 1 압입 공정에서 도전 입자를 압입한 영역 전체를 포함하는 영역, 또는 제 1 압입 공정에서 도전 입자를 압입한 영역과 부분적으로 중복되는 영역에 도전 입자를 부착시키고, 그 도전 입자를 절연성 수지층에 압입하는 제 2 압입 공정,

을 갖는 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서,

적어도 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역을 형성하는 이방성 도전 필름의 제조 방법이다.

제 4 본 발명은, 제 1 단자 패턴을 갖는 제 1 전자 부품과, 제 1 단자 패턴과 단자의 크기 및 피치가 상이한 제 2 단자 패턴을 갖는 제 2 전자 부품을, 제 1 단자 패턴과 제 2 단자 패턴의 각각에 대응하는 단자 패턴을 갖는 제 3 전자 부품과 이방성 도전 필름에 의해 이방성 도전 접속하는 접속 구조체의 제조 방법으로서,

이방성 도전 필름으로서, 도전 입자가 규칙적으로 배열된 영역, 및 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역의, 적어도 일방을 갖는 이방성 도전 필름을 사용하는 접속 구조체의 제조 방법이다.

본 발명의 접속 구조체는 1 장의 이방성 도전 필름에 의해 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 제 3 전자 부품에 이방성 도전 접속되어 있기 때문에, 제 3 전자 부품과 접속하는 전자 부품 마다 이방성 도전 필름을 바꾸는 경우에 비하여 제조 공정을 간략화할 수 있고, 저비용으로 제조할 수 있다. 게다가, 이 접속 구조체는, 이방성 도전 필름으로서, 도전 입자가 규칙적으로 배열되어 있거나, 또는 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역을 갖는 것이 사용되는 것에 의해 제조되기 때문에, 1 장의 이방성 도전 필름을 사용하여 제조되어 있음에도 불구하고, 이 이방성 도전 필름은 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품의 각각에 적합하고, 또한 불필요한 도전 입자가 저감되어 있다.

또한, 본 발명의 이방성 도전 필름은, 도전 입자가 규칙적으로 배열되어 있거나, 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역을 갖기 때문에, 이들 영역을, 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품의 각각의 단자 패턴에 따른 것으로 할 수 있다. 따라서, 상기 서술한 바와 같이 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 낭비가 저감된다.

도 1 은 본 발명의 제 1 접속 구조체 (40A) 의 모식적 평면도이다.
도 2 는 본 발명의 제 1 접속 구조체 (40A) 의 모식적 평면도이다.
도 3 은 본 발명의 제 1 접속 구조체 (40A) 의 모식적 평면도이다.
도 4a 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 의 모식적 평면도이다.
도 4b 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 에 사용한 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 4c 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 에 사용한 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 4d 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 에 사용한 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 4e 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 에 사용한 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 5a 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 의 모식적 평면도이다.
도 5b 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 에 사용한 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 5c 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 에 사용한 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 6a 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 의 모식적 평면도이다.
도 6b 는 본 발명의 제 2 접속 구조체 (40B) 에 사용한 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 7 은 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 8 은 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 9 는 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 10 은 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 11 은 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 12 는 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 13 은 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 14 는 이방성 도전 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 15a 는 이방성 도전 필름 (10C) 의 단면도이다.
도 15b 는 이방성 도전 필름 (10C') 의 단면도이다.
도 16 은 이방성 도전 필름 (10D) 의 단면도이다.
도 17 은 이방성 도전 필름 (10E) 의 단면도이다.
도 18 은 실시예의 이방성 도전 필름 (10F) 의 단면도이다.
도 19 는 실시예의 이방성 도전 필름 (10G) 의 단면도이다.
도 20 은 비교 대상용의 이방성 도전 필름 (10X) 의 단면도이다.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면 중, 동일 부호는, 동일 또는 동등한 구성 요소를 나타내고 있다.

[제 1 접속 구조체]

(전체 구성)

도 1 은, 본 발명의 접속 구조체의 양태 중 제 1 접속 구조체 (40A) 의 모식적 평면도이다. 이 접속 구조체 (40A) 에서는, 제 1 단자 패턴을 갖는 제 1 전자 부품 (31) 과, 제 1 단자 패턴과 단자의 크기 및 피치가 상이한 제 2 단자 패턴을 갖는 제 2 전자 부품 (32) 이, 제 1 단자 패턴과 제 2 단자 패턴의 각각에 대응하는 단자 패턴을 갖는 제 3 전자 부품 (33) 과 이방성 도전 필름 (10A) 에 의해 이방성 도전 접속되어 있다. 본 실시예에서는, 제 1 전자 부품 (31) 으로서, 예를 들어, IC 칩, IC 모듈 등의 전자 부품이 접속되어 있고, 제 2 전자 부품 (32) 으로서 FPC 등의 전자 부품이 접속되어 있다. 또한, 이들이 접속되는 제 3 전자 부품 (33) 으로서, 유리 기판, 플라스틱 기판, 리지드 기판, 세라믹 기판 등이 사용되어 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 제 1 전자 부품, 제 2 전자 부품 및 제 3 전자 부품의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품으로서, 복수의 IC 칩, IC 모듈 등이 접속되어 있어도 된다.

또한, 도 1 에는, 이방성 도전 필름 (10A) 의 폭 방향의 일단측에서 제 1 전자 부품 (31) 을 제 3 전자 부품 (33) 에 접속하고, 타단측에서 제 2 전자 부품 (32) 을 제 3 전자 부품 (33) 에 접속하고 있지만, 1 장의 이방성 도전 필름 (10A) 에서 제 1 전자 부품 (31) 과 제 2 전자 부품 (32) 을 제 3 전자 부품 (33) 에 접속하는 데에 있어서, 이들의 배치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이방성 도전 필름 (10A) 의 길이 방향으로 제 1 전자 부품 (31) 과 제 2 전자 부품 (32) 이 나열되도록 해도 된다. 또한, 도 3 에 나타내는 바와 같이 복수개의 제 1 전자 부품 (31) 을 제 3 전자 부품 (33) 에 접속해도 되고, 복수개의 제 2 전자 부품 (32) 을 제 3 전자 부품 (33) 에 접속해도 된다.

(제 1 접속 구조체에 있어서의 이방성 도전 필름)

본 발명의 제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 에서는 절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (1) 가 규칙적으로 배열되어 있다. 그 때문에, 이 이방성 도전 필름 (10A) 을 사용하여 제 1 전자 부품 (31) 과 제 2 전자 부품 (32) 을 이방성 도전 접속한 후의 제 1 접속 구조체 (40A) 도, 적어도 제 1 전자 부품 (31) 도 제 2 전자 부품 (32) 도 접속되어 있지 않은 부분에 도전 입자가 규칙적으로 배열되어 있는 영역을 갖는다.

· 도전 입자의 규칙적인 배열과 개수 밀도

제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 에 관하여, 도전 입자의 규칙적인 배열로는, 정방 격자, 육방 격자, 사방 격자, 장방 격자 등을 들 수 있다. 또한, 이와 같은 격자 배열을 형성하는 일부의 도전 입자를 의도적으로 제외한 것도, 격자 배열에 포함된다. 이 도전 입자의 제외 방법은, 필름의 길이 방향으로 규칙성이 있으면 특별히 제한은 없다. 또한, 도전 입자 전체의 입자 배치로서, 도전 입자 (1) 가 소정 간격으로 직선상으로 나열된 입자열을 소정의 간격으로 병렬시켜도 된다. 도전 입자를 규칙적인 배열로서, 도전 입자의 피치나 배열 방향을 제어함으로써, 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품의 쌍방을 제 3 전자 부품에 접속하기 위해서 필요한 도전 입자의 개수 밀도를 최적화하기 쉬워진다. 종래, 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품의 쌍방을 제 3 전자 부품에 접속하는 이방성 도전 필름에서는, 도전 입자가 랜덤으로 배치되어 있었기 때문에, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도를, 제 1 전자 부품의 접속에 적합한 개수 밀도와, 제 2 전자 부품의 접속에 적합한 개수 밀도 중, 개수 밀도가 높은 쪽에 맞추는 것이 이루어져 있고, 그 때문에 도전 입자가 불필요하게 많이 사용되고 있었지만, 본 발명의 제 1 접속 구조체 (40A) 에서는, 상기 서술한 바와 같이 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자가 규칙적인 배열을 하고 있음으로써, 도전 입자의 개수 밀도의 최적화를 도모하기 쉽기 때문에, 도전 입자의 낭비를 저감시킬 수 있다.

예를 들어, 제 1 전자 부품과 제 3 전자 부품을 COG 접속하고, 제 2 전자 부품과 제 3 전자 부품을 FOG 접속하는 경우, 이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도는, 35000 개/㎟ 미만으로 할 수 있다.

· 면적 점유율

이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도를 정하는 데에 있어서, 도전 입자의 개수 밀도와, 도전 입자 1 개의 평면에서 본 면적의 평균으로부터 다음 식으로 산출되는 면적 점유율은, 이방성 도전 필름을 전자 부품에 열 압착하기 위한 압압 지그에 필요하게 되는 추력의 지표가 된다.

면적 점유율 (％)

= [평면에서 보았을 때의 도전 입자의 개수 밀도 (개/㎟)] × [도전 입자 1 개의 평면에서 본 면적의 평균 (㎟/개)] × 100

이방성 도전 필름을 전자 부품에 열 압착하기 위해서 압압 지그에 필요하게 되는 추력을 낮게 억제하는 점에서, 면적 점유율은 바람직하게는 35 ％ 이하, 보다 바람직하게는 0.3 ∼ 30 ％ 의 범위이다.

· 도전 입자의 입자경

도전 입자의 입자경은, 배선 높이의 편차에 대응할 수 있도록 하고, 또한, 도통 저항의 상승을 억제하고, 또한 쇼트의 발생을 억제하기 위해서, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이상 9 ㎛ 이하이다. 절연성 수지층에 분산시키기 전의 도전 입자의 입자경은, 일반적인 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다. 또한, 절연성 수지층에 분산시킨 후의 도전 입자의 입자경도 입도 분포 측정 장치를 사용하여 구할 수 있다. 화상형이어도 되고 레이저형이어도 된다. 화상형의 측정 장치로는, 일례로서 습식 플로우식 입자경·형상 분석 장치 FPIA-3000 (말번사) 을 들 수 있다. 도전 입자의 평균 입자경 (D) 을 측정하는 샘플수 (도전 입자수) 는 1000 개 이상이 바람직하다. 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 평균 입자경 (D) 은, SEM 등의 전자 현미경 관찰로부터 구할 수 있다. 이 경우, 도전 입자의 평균 입자경 (D) 을 측정하는 샘플수 (도전 입자수) 를 200 개 이상으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 도전 입자로서, 그 표면에 절연성 미립자가 부착되어 있는 것을 사용하는 경우, 본 발명에 있어서의 도전 입자의 입자경은, 표면의 절연성 미립자를 포함하지 않는 입자경을 의미한다.

· 도전 입자가 비접촉으로 존재하는 개수 비율

제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서, 도전 입자 (1) 는, 필름의 평면에서 보아 서로 접촉하지 않고 존재하고 있는 것이 바람직하다. 그 때문에, 도전 입자 전체에 대하여, 도전 입자 (1) 끼리가 서로 비접촉으로 존재하는 개수 비율은 95 ％ 이상, 바람직하게는 98 ％ 이상, 보다 바람직하게는 99.5 ％ 이상이다. 후술하는 바와 같이, 전사형을 사용하여 도전 입자 (1) 를 규칙적으로 배치시키면, 도전 입자 (1) 끼리가 서로 비접촉으로 존재하는 비율을 용이하게 제어할 수 있기 때문에 바람직하다. 도전 입자 (1) 가 평면에서 보아 서로 겹쳐 있는 경우, 각각을 개별적으로 카운트한다.

· 도전 입자의 필름 두께 방향의 위치

제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서, 도전 입자 (1) 가 서로 접촉하지 않고 존재하는 경우에, 그 필름 두께 방향의 위치가 정렬되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 7 에 나타낸 바와 같이, 도전 입자 (1) 의 필름 두께 방향의 매립량 (Lb) 을 정렬할 수 있다. 이에 의해, 제 1 전자 부품 (31) 의 단자와 제 3 전자 부품 (33) 의 단자 사이에 있어서도, 제 2 전자 부품 (32) 의 단자와 제 3 전자 부품 (33) 의 단자 사이에 있어서도, 도전 입자의 포착성이 안정되기 쉽다. 또한, 이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서, 도전 입자 (1) 는, 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있어도 되고, 완전하게 매립되어 있어도 된다.

여기서, 매립량 (Lb) 은, 도전 입자 (1) 가 매립되어 있는 절연성 수지층 (2) 의 표면 (절연성 수지층 (2) 의 표리의 면 중, 도전 입자 (1) 가 노출되어 있는 측의 표면, 또는 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 에 완전하게 매립되어 있는 경우에는, 도전 입자 (1) 와의 거리가 가까운 표면) 으로서, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부에 있어서의 접평면 (2p) 과, 도전 입자 (1) 의 최심부의 거리를 말한다.

· 매립률

도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 에 대한 매립량 (Lb) 의 비율을 매립률 (Lb/D) 이라고 한 경우에, 매립률은 30 ％ 이상 105 ％ 이하가 바람직하다. 매립률 (Lb/D) 을 30 ％ 이상 60 ％ 미만으로 하면, 도전 입자를 유지하는 비교적 고점도의 수지로부터 도전 입자가 노출되어 있는 비율이 높아지는 것으로부터, 보다 저압 실장이 용이해진다. 60 ％ 이상으로 하면, 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 에 의해 소정의 입자 분산 상태 혹은 소정의 배열로 유지하기 쉬워진다. 또한, 105 ％ 이하로 함으로써, 이방성 도전 접속시에 단자 사이의 도전 입자를 불필요하게 유동시키도록 작용하는 절연성 수지층의 수지량을 저감시킬 수 있다. 또한, 도전 입자 (1) 는 절연성 수지층 (2) 을 관통하고 있어도 되고, 그 경우의 매립률 (Lb/D) 은 100 ％ 가 된다.

또한, 매립률 (Lb/D) 의 수치는, 이방성 도전 필름에 포함되는 전체 도전 입자수의 80 ％ 이상, 바람직하게는 90 ％ 이상, 보다 바람직하게는 96 ％ 이상이, 당해 매립률 (Lb/D) 의 수치가 되어 있는 것을 말한다. 따라서, 매립률이 30 ％ 이상 105 ％ 이하란, 이방성 도전 필름에 포함되는 전체 도전 입자수의 80 ％ 이상, 바람직하게는 90 ％ 이상, 보다 바람직하게는 96 ％ 이상의 매립률이 30 ％ 이상 105 ％ 이하인 것을 말한다. 이와 같이 전체 도전 입자의 매립률 (Lb/D) 이 정렬되어 있음으로써, 압압의 가중이 도전 입자에 균일하게 가해지기 때문에, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착 상태가 양호해지고, 도통의 안정성이 향상된다.

(절연성 수지층)

· 절연성 수지층의 점도

제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서, 절연성 수지층 (2) 의 최저 용융 점도는, 특별히 제한은 없고, 이방성 도전 필름의 사용 대상이나, 이방성 도전 필름의 제조 방법 등에 따라 적절히 정할 수 있다. 예를 들어, 후술하는 패임 (2b) (도 8), 패임 (2c) (도 9) 을 형성할 수 있는 한, 이방성 도전 필름의 제조 방법에 따라서는 1000 ㎩·s 정도로 할 수도 있다. 한편, 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 도전 입자를 절연성 수지층의 표면에 소정 배치로 유지시키고, 그 도전 입자를 절연성 수지층에 압입하는 방법을 실시할 때, 절연성 수지층이 필름 형성을 가능하게 하는 점에서 절연성 수지층의 최저 용융 점도를 1100 ㎩·s 이상으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 후술하는 이방성 도전 필름의 제조 방법에서 설명하는 바와 같이, 도 8 에 나타내는 바와 같이 절연성 수지층 (2) 에 압입한 도전 입자 (1) 의 노출 부분의 주위에 패임 (2b) 을 형성하거나, 도 9 에 나타내는 바와 같이 절연성 수지층 (2) 에 압입한 도전 입자 (1) 의 바로 위에 패임 (2c) 을 형성하는 점에서, 바람직하게는 1500 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 2000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 3000 ∼ 15000 ㎩·s, 더욱 보다 바람직하게는 3000 ∼ 10000 ㎩·s 이다. 이 최저 용융 점도는, 일례로서 회전식 레오미터 (TA instruments 사 제조) 를 이용하여, 측정 압력 5 g 으로 일정하게 유지하고, 직경 8 ㎜ 의 측정 플레이트를 사용하여 구할 수 있고, 보다 구체적으로는, 온도 범위 30 ∼ 200 ℃ 에 있어서, 승온 속도 10 ℃／분, 측정 주파수 10 ㎐, 상기 측정 플레이트에 대한 하중 변동 5 g 으로 함으로써 구할 수 있다.

절연성 수지층 (2) 의 최저 용융 점도를 1500 ㎩·s 이상의 고점도로 함으로써, 이방성 도전 필름의 물품에 대한 압착에 도전 입자의 불필요한 이동을 억제할 수 있고, 특히, 이방성 도전 접속시에 단자 사이에서 협지되어야 하는 도전 입자가 수지 유동에 의해 흘러가게 되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (1) 를 압입함으로써 이방성 도전 필름 (10A) 의 도전 입자 분산층 (3) 을 형성하는 경우에 있어서, 도전 입자 (1) 를 압입할 때의 절연성 수지층 (2) 은, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되도록 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 에 압입했을 때에, 절연성 수지층 (2) 이 소성 변형하여 도전 입자 (1) 의 주위의 절연성 수지층 (2) 에 패임 (2b) (도 8) 이 형성되는 것과 같은 고점도의 점성체로 하거나, 혹은, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되지 않고 절연성 수지층 (2) 에 매립되도록 도전 입자 (1) 를 압입했을 때에, 도전 입자 (1) 의 바로 위의 절연성 수지층 (2) 의 표면에 패임 (2c) (도 9) 이 형성되는 것과 같은 고점도의 점성체로 한다. 그 때문에, 절연성 수지층 (2) 의 60 ℃ 에 있어서의 점도는, 하한은 바람직하게는 3000 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 4000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 4500 ㎩·s 이상이고, 상한은, 바람직하게는 20000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 15000 ㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000 ㎩·s 이하이다. 이 측정은 최저 용융 점도와 동일한 측정 방법으로 실시하고, 온도가 60 ℃ 인 값을 추출하여 구할 수 있다.

절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (1) 를 압입할 때의 그 절연성 수지층 (2) 의 구체적인 점도는, 형성하는 패임 (2b, 2c) 의 형상이나 깊이 등에 따라, 하한은 바람직하게는 3000 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 4000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 4500 ㎩·s 이상이고, 상한은, 바람직하게는 20000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 15000 ㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000 ㎩·s 이하이다. 또한, 이와 같은 점도를 바람직하게는 40 ∼ 80 ℃, 보다 바람직하게는 50 ∼ 60 ℃ 에서 얻어지도록 한다.

상기 서술한 바와 같이, 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 도전 입자 (1) 의 주위에 패임 (2b) (도 8) 이 형성되어 있음으로써, 이방성 도전 필름의 물품에 대한 압착시에 발생하는 도전 입자 (1) 의 편평화에 대하여 절연성 수지로부터 받는 저항이, 패임 (2b) 이 없는 경우에 비하여 저감된다. 이 때문에, 이방성 도전 접속시에 단자로 도전 입자가 협지되기 쉬워짐으로써 도통 성능이 향상되고, 또한 포착성이 향상된다.

또한, 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되지 않고 매립되어 있는 도전 입자 (1) 의 바로 위의 절연성 수지층 (2) 의 표면에 패임 (2c) (도 9) 이 형성되어 있음으로써, 패임 (2c) 이 없는 경우에 비하여 이방성 도전 필름의 물품에 대한 압착시의 압력이 도전 입자 (1) 에 집중되기 쉬워진다. 이 때문에, 이방성 도전 접속시에 단자로 도전 입자가 협지되기 쉬워짐으로써 포착성이 향상되고, 도통 성능이 향상된다.

＜패임 대신에 "경사" 혹은 "기복"＞

도 8, 도 9 에 나타내는 바와 같은 이방성 도전 필름의 「패임」 (2b, 2c) 은, 「경사」 혹은 「기복」 이라는 관점에서 설명할 수도 있다. 이하에, 도면 (도 13 ∼ 20) 을 참조하면서 설명한다.

이방성 도전 필름 (10A) 은 도전 입자 분산층 (3) 으로 구성되어 있다 (도 13). 도전 입자 분산층 (3) 에서는, 절연성 수지층 (2) 의 편면에 도전 입자 (1) 가 노출된 상태로 규칙적으로 분산되어 있다. 필름의 평면에서 보아 도전 입자 (1) 는 서로 접촉하고 있지 않고, 필름 두께 방향으로도 도전 입자 (1) 가 서로 겹치지 않고 규칙적으로 분산되어, 도전 입자 (1) 의 필름 두께 방향의 위치가 정렬된 단층의 도전 입자층을 구성하고 있다.

개개의 도전 입자 (1) 의 주위의 절연성 수지층 (2) 의 표면 (2a) 에는, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부에 있어서의 절연성 수지층 (2) 의 접평면 (2p) 에 대하여 경사 (2b) 가 형성되어 있다. 또한 후술하는 바와 같이, 본 발명의 이방성 도전 필름에서는, 절연성 수지층 (2) 에 매립된 도전 입자 (1) 의 바로 위의 절연성 수지층의 표면에 기복 (2c) 이 형성되어 있어도 된다 (도 16, 도 18).

본 발명에 있어서, 「경사」 란, 도전 입자 (1) 의 근방에서 절연성 수지층의 표면의 평탄성이 손상되고, 상기 접평면 (2p) 에 대하여 수지층의 일부가 결락되어 수지량이 저감되어 있는 상태를 의미한다. 다시 말하면, 경사에서는, 도전 입자의 주위의 절연성 수지층의 표면이 접평면에 대하여 결락되어 있게 된다. 한편, 「기복」 이란, 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 표면에 굴곡이 있고, 굴곡과 같이 높낮이차가 있는 부분이 존재함으로써 수지가 저감되어 있는 상태를 의미한다. 다시 말하면, 도전 입자 바로 위의 절연성 수지층의 수지량이, 도전 입자 바로 위의 절연성 수지층의 표면이 접평면에 있다고 했을 때에 비하여 적어진다. 이들은, 도전 입자의 바로 위에 상당하는 부위와 도전 입자 사이의 평탄한 표면 부분 (도 16, 도 18 의 2f) 을 대비하여 인식할 수 있다. 또한, 기복의 개시점이 경사로서 존재하는 경우도 있다.

상기 서술한 바와 같이, 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 도전 입자 (1) 의 주위에 경사 (2b) (도 13) 가 형성되어 있음으로써, 이방성 도전 접속시에 도전 입자 (1) 가 단자 사이에서 협지될 때에 발생하는 도전 입자 (1) 의 편평화에 대하여 절연성 수지로부터 받는 저항이, 경사 (2b) 가 없는 경우에 비하여 저감되기 때문에, 단자에 있어서의 도전 입자의 협지가 되기 쉬워짐으로써 도통 성능이 향상되고, 또한 포착성이 향상된다. 이 경사는, 도전 입자의 외형을 따르고 있는 것이 바람직하다. 접속에 있어서의 효과가 보다 발현하기 쉬워지는 것 이외에, 도전 입자를 인식하기 쉬워짐으로써, 이방성 도전 필름의 제조에 있어서의 검사 등을 실시하기 쉬워지기 때문이다. 또한, 이 경사 및 기복은 절연성 수지층에 히트 프레스하는 등에 의해, 그 일부가 소실되게 되는 경우가 있는데, 본 발명은 이것을 포함한다. 이 경우, 도전 입자는 절연성 수지층의 표면에 1 점에서 노출되는 경우가 있다. 또한, 이방성 도전 필름은, 접속하는 전자 부품이 다양하고, 이들에 맞추어 튜닝하는 이상, 다양한 요건을 만족할 수 있도록 설계의 자유도가 높은 것이 바람직하기 때문에, 경사 혹은 기복을 저감시켜도 부분적으로 소실시켜도 사용할 수 있다.

또한, 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되지 않고 매립되어 있는 도전 입자 (1) 의 바로 위의 절연성 수지층 (2) 의 표면에 기복 (2c) (도 16, 도 18) 이 형성되어 있음으로써, 경사의 경우와 동일하게, 이방성 도전 접속시에 단자로부터의 압압력이 도전 입자에 가해지기 쉬워진다. 또한, 기복이 있음으로써 수지가 평탄하게 퇴적되어 있는 경우보다 도전 입자의 바로 위의 수지량이 저감되어 있기 때문에, 접속시의 도전 입자 바로 위의 수지의 배제가 발생하기 쉬워지고, 단자와 도전 입자가 접촉하기 쉬워지는 것으로부터, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성이 향상되고, 도통 신뢰성이 향상된다.

(절연성 수지층의 두께 방향에 있어서의 도전 입자의 위치)

「경사」 혹은 「기복」 이라는 관점을 고려한 경우의 절연성 수지층 (2) 의 두께 방향에 있어서의 도전 입자 (1) 의 위치는, 전술한 바와 동일하게, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있어도 되고, 노출되지 않고, 절연성 수지층 (2) 내에 매립되어 있어도 되지만, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부에 있어서의 접평면 (2p) 으로부터의 도전 입자의 최심부의 거리 (이하, 매립량이라고 한다) (Lb) 와, 도전 입자의 평균 입자경 (D) 의 비 (Lb/D) (매립률) 가 30 ％ 이상 105 ％ 이하인 것이 바람직하다.

매립률 (Lb/D) 을 30 ％ 이상 60 ％ 미만으로 하면, 도전 입자를 유지하는 비교적 고점도의 수지로부터 입자가 노출되어 있는 비율이 높아지는 것으로부터, 보다 저압 실장이 용이해진다. 60 ％ 이상으로 하면, 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 에 의해 소정의 입자 분산 상태 혹은 소정 배열로 유지하기 쉬워진다. 또한, 105 ％ 이하로 함으로써, 이방성 도전 접속시에 단자 사이의 도전 입자를 불필요하게 유동시키도록 작용하는 절연성 수지층의 수지량을 저감시킬 수 있다.

매립률 (Lb/D) 은, 이방성 도전 필름으로부터 면적 30 ㎟ 이상의 영역을 임의로 10 개 지점 이상 빼내어, 그 필름 단면의 일부를 SEM 화상으로 관찰하고, 합계 50 개 이상의 도전 입자를 계측함으로써 구할 수 있다. 보다 정밀도를 높이기 위해서, 200 개 이상의 도전 입자를 계측하여 구해도 된다.

또한, 매립률 (Lb/D) 의 계측은, 면시야 화상에 있어서 초점 조정함으로써, 어느 정도의 개수에 대하여 일괄하여 구할 수 있다. 혹은 매립률 (Lb/D) 의 계측에 레이저식 판별 변위 센서 ((주) 키엔스 제조 등) 를 사용해도 된다.

(매립률 30 ％ 이상 60 ％ 미만의 양태)

매립률 (Lb/D) 30 ％ 이상 60 ％ 이하의 도전 입자 (1) 의 보다 구체적인 매립 양태로는, 먼저, 도 13 에 나타낸 이방성 도전 필름 (10A) 과 같이, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되도록 매립률 30 ％ 이상 60 ％ 미만으로 매립된 양태를 들 수 있다. 이 이방성 도전 필름 (10A) 은, 절연성 수지층 (2) 의 표면 중 그 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 도전 입자 (1) 와 접하고 있는 부분 및 그 근방이, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부의 절연성 수지층의 표면 (2a) 에 있어서의 접평면 (2p) 에 대하여 도전 입자의 외형을 대체로 따른 능선이 되는 경사 (2b) 를 가지고 있다.

이와 같은 경사 (2b) 혹은 후술하는 기복 (2c) 은, 이방성 도전 필름 (10A) 을, 절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (1) 를 압입함으로써 제조하는 경우에, 도전 입자 (1) 의 압입을, 40 ∼ 80 ℃ 에서 3000 ∼ 20000 ㎩·s, 보다 바람직하게는 4500 ∼ 15000 ㎩·s 로 실시함으로써 형성할 수 있다.

(매립률 60 ％ 이상 100 ％ 미만의 양태)

매립률 (Lb/D) 60 ％ 이상 105 ％ 이하의 도전 입자 (1) 의 보다 구체적인 매립 양태로는, 먼저, 도 13 에 나타낸 이방성 도전 필름 (10A) 과 같이, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되도록 매립률 60 ％ 이상 100 ％ 미만으로 매립된 양태를 들 수 있다. 이 이방성 도전 필름 (10A) 은, 절연성 수지층 (2) 의 표면 중 그 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 도전 입자 (1) 와 접하고 있는 부분 및 그 근방이, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부의 절연성 수지층의 표면 (2a) 에 있어서의 접평면 (2p) 에 대하여 도전 입자의 외형을 대체로 따른 능선이 되는 경사 (2b) 를 가지고 있다.

이와 같은 경사 (2b) 혹은 후술하는 기복 (2c) 은, 이방성 도전 필름 (10A) 을, 절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (1) 를 압입함으로써 제조하는 경우에, 도전 입자 (1) 의 압입시의 점도를, 하한은, 바람직하게는 3000 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 4000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 4500 ㎩·s 이상으로 하고, 상한은, 바람직하게는 20000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 15000 ㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000 ㎩·s 이하로 한다. 또한, 이와 같은 점도를 바람직하게는 40 ∼ 80 ℃, 보다 바람직하게는 50 ∼ 60 ℃ 에서 얻어지도록 한다. 또한, 절연성 수지층을 히트 프레스하는 것 등에 의해 경사 (2b) 나 기복 (2c) 의 일부가 소실해도 되고, 경사 (2b) 가 기복 (2c) 으로 변화해도 되고, 또한, 기복 (2c) 을 갖는 절연성 수지층에 매립된 도전 입자가, 그 정상부의 1 점에서 절연성 수지층 (2) 에 노출되어도 된다.

(매립률 100 ％ 의 양태)

다음으로, 본 발명의 이방성 도전 필름 중, 매립률 (Lb/D) 100 ％ 의 양태로는, 도 14 에 나타내는 이방성 도전 필름 (10B) 과 같이, 도전 입자 (1) 의 주위에 도 13 에 나타낸 이방성 도전 필름 (10A) 과 동일한 도전 입자의 외형을 대체로 따른 능선이 되는 경사 (2b) 를 갖고, 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 도전 입자 (1) 의 노출 직경 (Lc) 이 도전 입자의 평균 입자경 (D) 보다 작은 것, 도 15a 에 나타내는 이방성 도전 필름 (10C) 과 같이, 도전 입자 (1) 의 노출 부분의 주위의 경사 (2b) 가 도전 입자 (1) 근방에서 급격하게 나타나고, 도전 입자 (1) 의 노출 직경 (Lc) 과 도전 입자의 평균 입자경 (D) 이 대략 동등한 것, 도 16 에 나타내는 이방성 도전 필름 (10D) 과 같이, 절연성 수지층 (2) 의 표면에 얕은 기복 (2c) 이 있고, 도전 입자 (1) 가 그 정상부 (1a) 의 1 점에서 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 것을 들 수 있다.

또한, 도전 입자의 노출 부분의 주위의 절연성 수지층 (2) 의 경사 (2b) 나, 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 기복 (2c) 에 인접하여 미소한 돌출 부분 (2q) 이 형성되어 있어도 된다. 이 일례를 도 15b 에 나타낸다.

이들 이방성 도전 필름 (10B, 10C, 10C', 10D) 은 매립률 100 ％ 이기 때문에, 도전 입자 (1) 의 정상부 (1a) 와 절연성 수지층 (2) 의 표면 (2a) 이 면일하게 정렬되어 있다. 도전 입자 (1) 의 정상부 (1a) 와 절연성 수지층 (2) 의 표면 (2a) 이 면일하게 정렬되어 있으면, 도 13 에 나타낸 바와 같이 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 으로부터 돌출되어 있는 경우에 비하여, 이방성 도전 접속시에 개개의 도전 입자의 주변에서 필름 두께 방향의 수지량이 불균일이 되기 어렵고, 수지 유동에 의한 도전 입자의 이동을 저감시킬 수 있다는 효과가 있다. 또한, 매립률이 엄밀하게 100 ％ 가 아니어도, 절연성 수지층 (2) 에 매립된 도전 입자 (1) 의 정상부와 절연성 수지층 (2) 의 표면이 면일해지는 정도로 정렬되어 있으면 이 효과를 얻을 수 있다. 다시 말하면, 매립률 (Lb/D) 이 개략 80 ∼ 105 ％, 특히, 90 ∼ 100 ％ 인 경우에는, 절연성 수지층 (2) 에 매립된 도전 입자 (1) 의 정상부와 절연성 수지층 (2) 의 표면은 면일하다고 할 수 있고, 수지 유동에 의한 도전 입자의 이동을 저감시킬 수 있다.

이들 이방성 도전 필름 (10B, 10C, 10C', 10D) 중에서도, 10D 는 도전 입자 (1) 의 주위의 수지량이 불균일이 되기 어렵기 때문에 수지 유동에 의한 도전 입자의 이동을 해소할 수 있고, 또한 정상부 (1a) 의 1 점이어도 절연성 수지층 (2) 으로부터 도전 입자 (1) 가 노출되어 있기 때문에, 단자에 있어서의 도전 입자 (1) 의 포착성도 양호하고, 도전 입자의 약간의 이동도 잘 일어나지 않는다는 효과를 기대할 수 있다. 따라서, 이 양태는, 특히 파인 피치나 범프간 스페이스가 좁은 경우에 유효하다.

또한, 경사 (2b), 기복 (2c) 의 형상이나 깊이가 상이한 이방성 도전 필름 (10B (도 14), 10C (도 15a), 10C' (도 15b), 10D (도 16)) 은, 후술하는 바와 같이, 도전 입자 (1) 의 압입시의 절연성 수지층 (2) 의 점도 등을 바꿈으로써 제조할 수 있다.

(매립률 100 ％ 초과의 양태)

본 발명의 이방성 도전 필름 중, 매립률 100 ％ 를 초과하는 경우, 도 17 에 나타내는 이방성 도전 필름 (10E) 과 같이 도전 입자 (1) 가 노출되고, 그 노출 부분의 주위의 절연성 수지층 (2) 에 접평면 (2p) 에 대한 경사 (2b) 혹은 도전 입자 (1) 의 바로 위의 절연성 수지층 (2) 의 표면에 접평면 (2p) 에 대한 기복 (2c) (도 18) 이 있는 것을 들 수 있다.

또한, 도전 입자 (1) 의 노출 부분의 주위의 절연성 수지층 (2) 에 경사 (2b) 를 갖는 이방성 도전 필름 (10E) (도 17) 과 도전 입자 (1) 의 바로 위의 절연성 수지층 (2) 에 기복 (2c) 을 갖는 이방성 도전 필름 (10F) (도 18) 은, 그것들을 제조할 때의 도전 입자 (1) 의 압입시의 절연성 수지층 (2) 의 점도 등을 바꿈으로써 제조할 수 있다.

또한, 도 17 에 나타내는 이방성 도전 필름 (10E) 을 이방성 도전 접속에 사용하면, 도전 입자 (1) 가 단자로부터 직접 압압되기 때문에, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성이 향상된다. 또한, 도 18 에 나타내는 이방성 도전 필름 (10F) 을 이방성 도전 접속에 사용하면, 도전 입자 (1) 가 단자를 직접 압압하지 않고, 절연성 수지층 (2) 을 개재하여 압압하게 되는데, 압압 방향으로 존재하는 수지량이 도 20 의 상태 (즉, 도전 입자 (1) 가 매립률 100 ％ 를 초과하여 매립되고, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있지 않고, 또한 절연성 수지층 (2) 의 표면이 평탄한 상태) 에 비하여 적기 때문에, 도전 입자에 압압력이 가해지기 쉬워지고, 또한 이방성 도전 접속시에 단자 사이의 도전 입자 (1) 가 수지 유동에 의해 불필요하게 이동하는 것이 방해된다.

상기 서술한 도전 입자의 노출 부분의 주위의 절연성 수지층 (2) 의 경사 (2b) (도 13, 도 14, 도 15a, 도 15b, 도 17) 나, 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 기복 (2c) (도 16, 도 18) 의 효과를 쉽게 하는 점에서 경사 (2b) 의 최대 깊이 (Le) 와 도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (Le/D) 는, 바람직하게는 50 ％ 미만, 보다 바람직하게는 30 ％ 미만, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 25 ％ 이고, 경사 (2b) 나 기복 (2c) 의 최대 직경 (Ld) 과 도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (Ld/D) 는, 바람직하게는 100 ％ 이상, 보다 바람직하게는 100 ∼ 150 ％ 이고, 기복 (2c) 의 최대 깊이 (Lf) 와 도전 입자 (1) 의 입자경 (D) 의 비 (Lf/D) 는, 0 보다 크고, 바람직하게는 10 ％ 미만, 보다 바람직하게는 5 ％ 이하이다.

또한, 경사 (2b) 나 기복 (2c) 에 있어서의 도전 입자 (1) 의 노출 (바로 위) 부분의 직경 (Lc) 은, 도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 평균 입자경 (D) 의 10 ∼ 90 ％ 이다. 도전 입자 (1) 의 정상부의 1 점에서 노출되도록 해도 되고, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 내에 완전하게 매립되어, 직경 (Lc) 이 제로가 되도록 해도 된다.

또한, 도 19 에 나타내는 바와 같이, 매립률 (Lb/D) 이 60 ％ 미만인 이방성 도전 필름 (10G) 에서는, 절연성 수지층 (2) 상을 도전 입자 (1) 가 구르기 쉬워지기 때문에, 이방성 도전 접속시의 포착률을 향상시키는 점에서는, 매립률 (Lb/D) 을 60 ％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 매립률 (Lb/D) 이 100 ％ 를 초과하는 양태에 있어서, 도 20 에 나타내는 비교예의 이방성 도전 필름 (10X) 과 같이 절연성 수지층 (2) 의 표면이 평탄한 경우에는 도전 입자 (1) 와 단자 사이에 개재하는 수지량이 과도하게 많아진다. 또한, 도전 입자 (1) 가 직접 단자에 접촉하여 단자를 압압하지 않고, 절연성 수지를 개재하여 단자를 압압하기 때문에, 이에 의해서도 도전 입자가 수지 유동에 의해 흘러가기 쉽다.

본 발명에 있어서, 절연성 수지층 (2) 의 표면의 경사 (2b), 기복 (2c) 의 존재는, 이방성 도전 필름의 단면을 주사형 전자 현미경으로 관찰함으로써 확인할 수 있고, 면시야 관찰에 있어서도 확인할 수 있다. 광학 현미경, 금속 현미경으로도 경사 (2b), 기복 (2c) 의 관찰은 가능하다. 또한, 경사 (2b), 기복 (2c) 의 크기는 화상 관찰시의 초점 조정 등으로 확인할 수도 있다. 상기 서술한 바와 같이 히트 프레스에 의해 경사 혹은 기복을 감소시킨 후여도, 동일하다. 흔적이 남는 경우가 있기 때문이다.

(절연성 수지층의 조성)

절연성 수지층 (2) 은, 경화성 수지 조성물로부터 형성할 수 있고, 예를 들어, 열 중합성 화합물과 열 중합 개시제를 함유하는 열 중합성 조성물로부터 형성할 수 있다. 열 중합성 조성물에는 필요에 따라 광 중합 개시제를 함유시켜도 된다.

열 중합 개시제와 광 중합 개시제를 병용하는 경우에, 열 중합성 화합물로도 광 중합성 화합물로도 기능하는 것을 사용해도 되고, 열 중합성 화합물과는 별도로 광 중합성 화합물을 함유시켜도 된다. 바람직하게는, 열 중합성 화합물과는 별도로 광 중합성 화합물을 함유시킨다. 예를 들어, 열 중합 개시제로서 열 카티온계 중합 개시제, 열 중합성 화합물로서 에폭시 화합물을 사용하고, 광 중합 개시제로서 광 라디칼 중합 개시제, 광 중합성 화합물로서 아크릴레이트 화합물을 사용한다.

광 중합 개시제로서, 파장이 상이한 광에 반응하는 복수 종류를 함유시켜도 된다. 이에 의해, 이방성 도전 필름의 제조시에 있어서의, 절연성 수지층을 구성하는 수지의 광 경화와, 이방성 도전 접속시에 전자 부품끼리를 접착하기 위한 수지의 광 경화에서 사용하는 파장을 나누어 사용할 수 있다.

이방성 도전 필름의 제조시의 광 경화에서는, 절연성 수지층에 포함되는 광 중합성 화합물의 전부 또는 일부를 광 경화시킬 수 있다. 이 광 경화에 의해, 절연성 수지층 (2) 에 있어서의 도전 입자 (1) 의 배치가 유지 내지 고정화되어, 쇼트의 억제와 포착성의 향상이 전망된다. 또한, 이 광 경화에 의해, 이방성 도전 필름의 제조 공정에 있어서의 절연성 수지층의 점도를 적절히 조정해도 된다. 특히 이 광 경화는, 절연성 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 와 도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (La/D) 가 0.6 미만인 경우에 실시하는 것이 바람직하다. 도전 입자의 평균 입자경에 대하여 절연성 수지층 (2) 의 층 두께가 얇은 경우에도 절연성 수지층 (2) 에서 도전 입자의 배치의 유지 내지 고정화를 보다 확실하게 실시함과 함께, 절연성 수지층 (2) 의 점도 조정을 실시하여, 이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품끼리의 접속에 있어서 수율의 저하를 억제하기 때문이다.

절연성 수지층에 있어서의 광 중합성 화합물의 배합량은 30 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 2 질량％ 미만이 더욱 바람직하다. 광 중합성 화합물이 지나치게 많으면 접속시의 압입에 가해지는 추력이 증가하기 때문이다.

열 중합성 조성물의 예로는, (메트)아크릴레이트 화합물과 열 라디칼 중합 개시제를 포함하는 열 라디칼 중합성 아크릴레이트계 조성물, 에폭시 화합물과 열 카티온 중합 개시제를 포함하는 열 카티온 중합성 에폭시계 조성물 등을 들 수 있다. 열 카티온 중합 개시제를 포함하는 열 카티온 중합성 에폭시계 조성물 대신에, 열 아니온 중합 개시제를 포함하는 열 아니온 중합성 에폭시계 조성물을 사용해도 된다. 또한, 특별히 지장을 초래하지 않으면, 복수종의 중합성 화합물을 병용해도 된다. 병용예로는, 카티온 중합성 화합물과 라디칼 중합성 화합물의 병용 등을 들 수 있다.

여기서, (메트)아크릴레이트 화합물로는, 종래 공지된 열 중합형 (메트)아크릴레이트 모노머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 단관능 (메트)아크릴레이트계 모노머, 2 관능 이상의 다관능 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용할 수 있다.

열 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 유기 과산화물, 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 특히, 기포의 원인이 되는 질소를 발생하지 않는 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다.

열 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적으면 경화 불량이 되고, 지나치게 많으면 제품 라이프의 저하가 되기 때문에, (메트)아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.

에폭시 화합물로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 그들의 변성 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들의 2 종 이상을 병용할 수 있다. 또한, 에폭시 화합물에 더하여 옥세탄 화합물을 병용해도 된다.

열 카티온 중합 개시제로는, 에폭시 화합물의 열 카티온 중합 개시제로서 공지된 것을 채용할 수 있고, 예를 들어, 열에 의해 산을 발생하는 요오드늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 페로센류 등을 사용할 수 있고, 특히, 온도에 대하여 양호한 잠재성을 나타내는 방향족 술포늄염을 바람직하게 사용할 수 있다.

열 카티온 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적어도 경화 불량이 되는 경향이 있고, 지나치게 많아도 제품 라이프가 저하하는 경향이 있기 때문에, 에폭시 화합물 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.

열 중합성 조성물은, 막 형성 수지나 실란 커플링제를 함유하는 것이 바람직하다. 막 형성 수지로는, 페녹시 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있고, 이들의 2 종 이상을 병용할 수 있다. 이들 중에서도, 제막성, 가공성, 접속 신뢰성의 관점에서, 페녹시 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 중량 평균 분자량은 10000 이상인 것이 바람직하다. 또한, 실란 커플링제로는, 에폭시계 실란 커플링제, 아크릴계 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 실란 커플링제는, 주로 알콕시실란 유도체이다.

열 중합성 조성물에는, 용융 점도 조정을 위하여, 상기 서술한 도전 입자 (1) 와는 별도로 절연성 도전 입자를 함유시켜도 된다. 이것은 실리카 가루나 알루미나 가루 등을 들 수 있다. 절연성 도전 입자 입경 20 ∼ 1000 nm 의 미소한 도전 입자가 바람직하고, 또한, 배합량은 에폭시 화합물 등의 열 중합성 화합물 (광 중합성 화합물) 100 질량부에 대하여 5 ∼ 50 질량부로 하는 것이 바람직하다.

본 발명의 이방성 도전 필름에는, 상기 서술한 절연성 도전 입자와는 별도로 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제 (안료, 염료), 유기 용제, 이온 캐쳐제 등을 함유시켜도 된다.

(절연성 수지층의 층 두께)

제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서, 절연성 수지층 (2) 의 층 두께는 도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 이나 제 1 전자 부품 (31), 제 2 전자 부품 (32), 및 제 3 전자 부품 (33) 의 단자 높이에 따라 변동하기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 일례로서, 평균 입자경 (D) 이 10 ㎛ 미만인 경우에는, 절연성 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 와 도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (La/D) 를 0.3 이상 10 이하로 하는 것이 바람직하고, 3 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 1 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 절연성 수지층 (2) 에 있어서의 도전 입자 (1) 의 배치의 유지의 점에서, 비 (La/D) 를 0.4 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 이방성 도전 접속시의 과도한 수지 유동의 억제 및 저압 실장의 실현의 점에서 1 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 으로부터 노출시키는 것을 용이하게 하고, 저압 실장을 보다 용이하게 하는 점에서는, 이 비 (La/D) 를 1 미만으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.6 미만, 더욱 바람직하게는 0.5 이하이다. 또한, 비 (La/D) 를 3 이하로 하는 경우, 절연성 수지층 (2) 보다 최저 용융 점도가 낮은 제 2 절연성 수지층 (4) 을 형성하는 것이 바람직한 경우가 있다.

한편, 평균 입자경 (D) 이 10 ㎛ 이상인 경우에는, La/D 는, 상한에 관해서는, 3.5 이하, 바람직하게는 2.5 이하, 보다 바람직하게는 2 이하로 하고, 하한에 관해서는 0.8 이상, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 1.3 보다 크게 한다.

또한, 평균 입자경 (D) 의 크기에 상관없이, 절연성 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 가 지나치게 커서 이 비 (La/D) 가 과도하게 커지면, 이방성 도전 접속시에 도전 입자 (1) 가 단자에 잘 가압되지 않게 됨과 함께, 수지 유동에 의해 도전 입자가 흘러가기 쉬워진다. 그 때문에 도전 입자 위치가 어긋나기 쉬워지고, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성이 저하한다. 또한, 도전 입자를 단자에 가압하기 위해서 압압 지그에 필요하게 되는 추력도 증대하여, 저압 실장의 방해가 된다. 반대로 절연성 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 가 지나치게 작아서 이 비가 과도하게 작아지면, 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 에 의해 소정의 위치에 유지하는 것이 곤란해진다.

(제 2 절연성 수지층)

이방성 도전 필름 (10A) 에 있어서는, 절연성 수지층 (2) 에, 그 절연성 수지층 (2) 보다 최저 용융 점도가 낮은 제 2 절연성 수지층 (4) 이 적층되어 있어도 된다 (도 10 ∼ 도 12). 이 제 2 절연성 수지층 (4) 은, 이방성 도전 접속시에 전자 부품의 범프 등의 단자에 의해 형성되는 공간을 충전하고, 대향하는 전자 부품끼리의 접착성을 향상시킬 수 있다. 즉, 이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품의 저압 실장을 가능하게 하기 위해서, 및 이방성 도전 접속시의 절연성 수지층 (2) 의 수지 유동을 억제하여 도전 입자 (1) 의 입자 포착성을 향상시키기 위해서, 절연성 수지층 (2) 의 점도를 높게 함과 함께, 도전 입자 (1) 가 위치 어긋남을 일으키지 않는 범위에서 절연성 수지층 (2) 의 두께는 얇게 하는 것이 바람직하지만, 절연성 수지층 (2) 의 두께를 과도하게 얇게 하면, 대향하는 전자 부품끼리를 접착시키는 수지량의 부족을 초래하는 것으로부터 접착성의 저하가 염려된다. 이에 반하여, 이방성 도전 접속시에 절연성 수지층 (2) 보다 점도가 낮은 제 2 절연성 수지층 (4) 을 형성함으로써, 전자 부품끼리의 접착성도 향상시킬 수 있고, 제 2 절연성 수지층 (4) 의 유동성이 높은 것으로부터 단자에 의한 도전 입자의 협지나 압입을 잘 저해하지 않게 할 수 있다.

도전 입자 분산층 (3) 에 제 2 절연성 수지층 (4) 을 적층하는 경우, 제 2 절연성 수지층 (4) 이 패임 (2b) 의 형성면 상에 있는지 여부에 상관없이, 툴로 가압하는 전자 부품에 제 2 절연성 수지층 (4) 이 첩합되도록 하는 (절연성 수지층 (2) 이 스테이지에 재치 (載置) 되는 전자 부품에 첩합되도록 하는) 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 도전 입자의 불필요한 이동을 피할 수 있고, 포착성을 향상시킬 수 있다.

절연성 수지층 (2) 과 제 2 절연성 수지층 (4) 의 최저 용융 점도비는, 차가 있을수록 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간이 제 2 절연성 수지층 (4) 으로 충전되기 쉬워지고, 전자 부품끼리의 접착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 차가 있을 수록 도전 입자 분산층 (3) 중에 존재하는 절연성 수지의 이동량이 상대적으로 적어지고, 단자 사이의 도전 입자 (1) 가 수지 유동에 의해 잘 흘러가지 않게 됨으로써, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성이 향상되기 때문에 바람직하다. 실용 상은, 절연성 수지층 (2) 과 제 2 절연성 수지층 (4) 의 최저 용융 점도비는, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 8 이상이다. 한편, 이 비가 지나치게 크면 장척의 이방성 도전 필름을 권장체로 한 경우에, 수지의 돌출이나 블로킹의 우려가 있기 때문에, 실용 상은 15 이하가 바람직하다. 제 2 절연성 수지층 (4) 의 바람직한 최저 용융 점도는, 보다 구체적으로는, 상기 서술한 비를 만족하고, 또한 3000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 2000 ㎩·s 이하이고, 특히 바람직하게는 100 ∼ 2000 ㎩·s 이다.

또한, 제 2 절연성 수지층 (4) 은, 절연성 수지층 (2) 과 동일한 수지 조성물에 있어서, 점도를 조정함으로써 형성할 수 있다.

또한, 제 2 절연성 수지층 (4) 의 층 두께는, 바람직하게는 4 ∼ 20 ㎛ 이다. 혹은, 도전 입자경, 구체적으로는 그 평균 입자경에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 8 배이다.

또한, 절연성 수지층 (2) 과 제 2 절연성 수지층 (4) 을 합한 이방성 도전 필름 전체의 최저 용융 점도는, 실용 상은 8000 ㎩·s 이하, 바람직하게는 200 ∼ 7000 ㎩·s, 특히 바람직하게는 200 ∼ 4000 ㎩·s 이다.

제 2 절연성 수지층 (4) 의 구체적인 적층 양태로는, 예를 들어, 도 10 에 나타내는 바와 같이 도전 입자 분산층 (3) 의 편면에 제 2 절연성 수지층 (4) 을 적층할 수 있다. 이 경우, 도전 입자 (1) 의 평균 입자경 (D) 과 절연성 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 의 관계는, 전술한 바와 같이 La/D 를 0.3 이상 10 이하로 한다.

도 11 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (1) 가 절연성 수지층 (2) 의 편면으로부터 돌출되어 있는 경우에, 그 돌출되어 있는 면에 제 2 절연성 수지층 (4) 을 적층하고, 제 2 절연성 수지층 (4) 에 도전 입자 (1) 를 파고들게 해도 된다. 도전 입자 (1) 의 매립률이 0.95 이하인 경우, 이와 같이 제 2 절연성 수지층 (4) 을 적층하는 것이 바람직하고, 0.9 이하인 경우에는 그렇게 하는 것이 보다 바람직하다.

도 12 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (1) 가 매립되어 있는 절연성 수지층 (2) 의 면과 반대측의 면에 제 2 절연성 수지층 (4) 을 적층해도 된다.

(제 3 절연성 수지층)

제 2 절연성 수지층 (4) 과 절연성 수지층 (2) 을 사이에 두고 반대측에 제 3 절연성 수지층이 형성되어 있어도 된다. 제 3 절연성 수지층을 택층으로서 기능시킬 수 있다. 제 2 절연성 수지층 (4) 과 동일하게, 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간을 충전시키기 위해서 형성해도 된다.

제 3 절연성 수지층의 수지 조성, 점도 및 두께는 제 2 절연성 수지층과 동일해도 되고, 상이해도 된다. 절연성 수지층 (2) 과 제 2 절연성 수지층 (4) 과 제 3 절연성 수지층을 합한 이방성 도전 필름의 최저 용융 점도는 특별히 제한은 없지만, 200 ∼ 4000 ㎩·s 로 할 수 있다.

(이방성 도전 필름 (10A) 의 제조 방법)

이방성 도전 필름 (10A) 의 제조 방법으로는, 예를 들어, 절연성 수지층 (2) 의 표면에 도전 입자 (1) 를 소정의 규칙적인 배열로 유지시키고, 그 도전 입자 (1) 를 평판 또는 롤러로 절연성 수지층 (2) 에 압입한다.

여기서, 절연성 수지층 (2) 에 있어서의 도전 입자 (1) 의 매립량 (Lb) 은, 도전 입자 (1) 의 압입시의 압압력, 온도 등에 의해 조정할 수 있고, 또한, 패임 (2b, 2c) 의 유무, 형상 및 깊이는, 압입시의 절연성 수지층 (2) 의 점도, 압입 속도, 온도 등에 의해 조정할 수 있다.

또한, 절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (1) 를 유지시키는 수법으로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 전사형을 사용하여 절연성 수지층 (2) 에 도전 입자 (1) 를 유지시킨다. 전사형으로는, 예를 들어, 실리콘, 각종 세라믹스, 유리, 스테인리스 스틸 등의 금속 등의 무기 재료나, 각종 수지 등의 유기 재료의 전사형 재료에 대하여, 포토리소그래프법 등의 공지된 개구 형성 방법에 의해 개구를 형성한 것을 사용할 수 있다. 또한, 전사형은, 판상, 롤상 등의 형상을 취할 수 있다.

이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품의 접속을 경제적으로 실시하려면, 이방성 도전 필름은 어느 정도의 장척인 것이 바람직하다. 그래서 이방성 도전 필름은 길이를, 바람직하게는 5 m 이상, 보다 바람직하게는 10 m 이상, 더욱 바람직하게는 25 m 이상으로 제조한다. 한편, 이방성 도전 필름을 과도하게 길게 하면, 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품의 제조를 실시하는 경우에 사용하는 종전의 접속 장치를 사용할 수 없게 되고, 취급성도 열등하다. 그래서, 이방성 도전 필름은 길이를 바람직하게는 5000 m 이하, 보다 바람직하게는 1000 m 이하, 더욱 바람직하게는 500 m 이하로 제조한다. 이방성 도전 필름의 이와 같은 장척체는, 권심에 감긴 권장체로 하는 것이 취급성이 우수한 점에서 바람직하다.

(제 1 접속 구조체의 제조 방법)

제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조 방법으로는, 이방성 도전 필름 (10A) 이 도전 입자 분산층 (3) 의 단층으로 이루어지는 경우, 각종 기판 등의 제 3 전자 부품 (33) 에 대하여, 이방성 도전 필름의 도전 입자 (1) 가 표면에 매립되어 있는 측으로부터 임시 첩합되어 임시 압착하고, 임시 압착한 이방성 도전 필름의 도전 입자 (1) 가 표면에 매립되어 있지 않은 측에 IC 칩 등의 제 1 전자 부품 (31) 을 맞추어, 열 압착함과 함께, FPC 등의 제 2 전자 부품 (32) 을 맞추어, 열 압착함으로써 제조할 수 있다. 이 경우, 제 1 전자 부품 (31) 과 제 2 전자 부품 (32) 의 측으로부터 가압 툴로 제 1 전자 부품 (31) 과 제 2 전자 부품 (32) 을 동시에 압착해도 되고, 이들을 따로 따로 가압 툴로 압착해도 된다.

또한, 이방성 도전 필름의 절연성 수지층에 열 중합 개시제와 열 중합성 화합물 뿐만 아니라, 광 중합 개시제와 광 중합성 화합물 (열 중합성 화합물과 동일해도 된다) 이 포함되어 있는 경우, 열 압착 대신에 광과 열을 병용한 압착 방법이어도 된다. 이와 같이 하면, 도전 입자의 불필요한 이동은 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 도전 입자가 매립되어 있지 않은 측을 제 3 전자 부품 (33) 에 임시 첩합하여 사용해도 된다. 제 3 전자 부품이 아니라, 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품에 이방성 도전 필름을 임시 첩합할 수도 있다.

또한, 이방성 도전 필름 (10A) 이, 도전 입자 분산층 (3) 과 제 2 절연성 수지층 (4) 의 적층체로부터 형성되어 있는 경우, 도전 입자 분산층 (3) 을 각종 기판 등의 제 3 전자 부품 (33) 에 임시 첩합하여 임시 압착하고, 임시 압착한 이방성 도전 필름의 제 2 절연성 수지층 (4) 측에 IC 칩 등의 제 1 전자 부품 (31) 이나 FPC 등의 제 2 전자 부품 (32) 을 얼라인먼트하여 재치하고, 열 압착한다. 이방성 도전 필름 (10A) 의 제 2 절연성 수지층 (4) 측을 제 1 전자 부품 (31) 이나 제 2 전자 부품 (32) 에 임시 첩합해도 된다. 또한, 도전 입자 분산층 (3) 측을 제 1 전자 부품 (31) 이나 제 2 전자 부품 (32) 에 임시 첩합하여 사용할 수도 있다.

[제 2 접속 구조체]

(전체 구성)

도 4a 는, 본 발명의 접속 구조체의 양태 중 제 2 접속 구조체 (40B) 의 모식적 평면도이고, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e 는, 제 2 접속 구조체 (40B) 의 이방성 도전 필름 부분의 모식적 단면도의 예이다. 이 제 2 접속 구조체 (40B) 에서도, 제 1 단자 패턴을 갖는 제 1 전자 부품 (31) 과, 제 1 단자 패턴과 단자의 크기 및 피치가 상이한 제 2 단자 패턴을 갖는 제 2 전자 부품 (32) 이, 제 1 단자 패턴과 제 2 단자 패턴의 각각에 대응하는 단자 패턴을 갖는 제 3 전자 부품 (33) 과 이방성 도전 필름 (10B) 에 의해 이방성 도전 접속되어 있지만, 이 제 2 접속 구조체 (40B) 에서는, 제 2 접속 구조체 (40B) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10B) 으로서, 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역 (10p, 10q) 을 갖는 것이 사용되고 있는 점이 제 1 접속 구조체 (40A) 와 상이하다. 이에 의해, 제 1 전자 부품 (31) 및 제 2 전자 부품 (32) 의 각각에, 제 1 접속 구조체 (40A) 보다 더욱 적합한 접속을 실시하는 것이 가능해지고, 불필요한 도전 입자를 더욱 저감시킬 수 있다.

제 2 접속 구조체 (40B) 에 있어서도, 제 1 접속 구조체 (40A) 에 대하여 나타낸 도 2, 도 3 과 동일하게, 제 3 전자 부품 (33) 에 접속하는 제 1 전자 부품 (31) 이나 제 2 전자 부품 (32) 의 개수나 배치에 대하여, 특별히 한정은 없다.

제 2 접속 구조체 (40B) 에 있어서, 이방성 도전 필름 (10B) 이 갖는, 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 영역 (10p, 10q) 은, 도 4a 에 나타낸 바와 같이 서로 인접하고 있어도 되고, 도 5a 에 나타낸 바와 같이 영역 (10p) 과 영역 (10q) 이, 도전 입자가 존재하지 않는 영역 (10r) 을 개재하여 배치되어 있어도 된다. 도 5b, 도 5c 는, 도 5a 에 나타낸 제 2 접속 구조체 (40B) 의 이방성 도전 필름 부분의 모식적 단면도의 예이다. 도 6a 에 나타낸 바와 같이, 영역 (10p) 과 영역 (10q) 이, 이들보다 도전 입자의 개수 밀도가 높은 영역 (10s) 을 개재하여 배치되어 있어도 된다. 도 6b 는, 도 6a 에 나타낸 제 2 접속 구조체 (40B) 의 이방성 도전 필름 부분의 모식적 단면도의 예이다. 또한, 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역은, 상기 서술한 도 4a 등에 나타낸 바와 같이 필름의 폭 방향으로 나열되어 있어도 되고, 길이 방향으로 나열되어 있어도 된다. 이 경우, 이방성 도전 필름은, 절연성 수지층의 두께 방향에 있어서의 도전 입자의 위치가, 절연성 수지층의 일방의 표면 또는 그 근방에서 정렬되어 있는 영역과, 일방의 표면 또는 그 근방과, 타방의 표면 또는 그 근방의 쌍방에서 정렬되어 있는 영역을 갖는 것이 바람직하다.

(제 2 접속 구조체에 있어서의 이방성 도전 필름)

제 2 접속 구조체의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10B) 의 보다 구체적인 구성으로는, 예를 들어, 제 1 전자 부품 (31) 과 제 3 전자 부품 (33) 을 COG 접속하는 경우, 이방성 도전 필름 (10B) 의 영역 (10p) 에서는 도전 입자의 개수 밀도를 7000 개/㎟ 이상 35000 개/㎟ 이하로 하거나, 또는 도전 입자의 입자경을 2 ㎛ 이상 9 ㎛ 이하로 하거나, 또는, 도전 입자의 경도로서, 20 ％ 압축 탄성률 (20 ％ K 값) 을 4000 N/㎟ 이상 28000 N/㎟ 이하, 바람직하게는 4000 N/㎟ 이상 20000 N/㎟ 이하로 한다. 한편, 제 2 전자 부품 (32) 과 제 3 전자 부품 (33) 을 FOG 접속하는 경우, 이방성 도전 필름 (10B) 의 영역 (10q) 에서는 도전 입자의 개수 밀도를 50 개/㎟ 이상 10000 개/㎟ 이하로 하거나, 또는 도전 입자의 입자경을 2 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하로 하거나, 또는, 도전 입자의 경도로서, 20 ％ 압축 탄성률 (20 ％ K 값) 을 2000 N/㎟ 이상 18000 N/㎟ 이하로 한다.

또한, 상기에서는 제 1 전자 부품 (31) 과 제 3 전자 부품 (33) 의 접속 영역과 제 2 전자 부품 (32) 과 제 3 전자 부품 (33) 의 접속 영역에 있어서의 다양한 수치가 중복되어 있지만, 각각에서는 상기 서술하는 범위에서 수치가 중복되지 않도록 설계하여 사용한다. 예를 들어, 제 1 전자 부품 (31) 과 제 3 전자 부품 (33) 을 COG 접속하는 영역의 도전 입자의 개수 밀도가 8000 개/㎟ 이면, 제 2 전자 부품 (32) 과 제 3 전자 부품 (33) 을 FOG 접속하는 영역의 도전 입자의 개수 밀도는 8000 개/㎟ 미만, 바람직하게는 식별하기 쉽게 하기 위해서 20 ％ 이상 차를 형성하여 6000 개/㎟ 이하로 하면 된다. 다른 파라미터에 대해서도 동일하다.

여기서, 20 ％ 압축 탄성률로는, 미소 압축 시험기 (예를 들어, 피셔사 제조, 피셔 스코프 H-100) 를 사용하여 도전 입자에 압축 하중을 가했을 때의 도전 입자의 압축 변량을 측정하고,

20 ％ 압축 탄성률 (K) (N/㎟) = (3/2^1/2)·F·S^-3/2·R^-1/2

에 의해 산출되는 K 값을 사용할 수 있다.

식 중,

F : 도전 입자가 20 ％ 압축 변형했을 때의 하중치 (N)

S : 도전 입자가 20 ％ 압축 변형했을 때의 압축 변위 (㎜)

R : 도전 입자의 반경 (㎜)

이다.

영역 (10p) 과 영역 (10q) 에 있어서, 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 어느 것을 상이하게 할지는 접속하는 제 1 전자 부품 (31) 과 제 2 전자 부품 (32) 에 따라 적절히 정하지만, 개수 밀도에 의해 정하는 것이 바람직하다. 동일한 도전 입자를 이용하면, 설계 상의 콘타미네이션 (별종의 도전 입자가 의도하지 않게 혼입되는 것) 을 회피할 수 있기 때문에, 품질 관리 상 바람직하기 때문이다. 따라서, 적어도 일방의 면측에 존재하는 도전 입자는, 입자경이 동일한 것이 바람직하고, 입자경과 경도가 동일한 것이 보다 바람직하다.

또한, 예를 들어 영역 (10p) 과 영역 (10q) 에 있어서 도전 입자의 개수 밀도를 상이하게 하는 경우에, 도 4b 에 나타낸 바와 같이, 절연성 수지층 (2) 의 편면 근방의 도전 입자 (1) 의 개수 밀도를 상이하게 함으로써 영역 (10p) 과 영역 (10q) 을 형성해도 되고, 도 4c, 도 4d, 도 4e 에 나타낸 바와 같이, 절연성 수지층 (2) 의 표리 양면의 도전 입자 (1) 를 합하여 도전 입자의 개수 밀도가 상이한 영역 (10p) 과 영역 (10q) 을 형성해도 된다. 이 경우에, 도 4d 에 나타낸 바와 같이, 절연성 수지층 (2) 의 표리의 도전 입자 (1) 가 평면에서 보아 서로 겹쳐 도전 입자 유닛 (1u) 을 형성하고, 그 도전 입자 유닛이 규칙적으로 배열하도록 해도 된다.

제 2 접속 구조체 (40B) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10B) 에 있어서, 도전 입자 자체의 구성, 절연성 수지층 (2) 의 구성, 제 2 절연성 수지층 (4) 의 구성 등은 제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 과 동일하게 할 수 있다.

제 2 접속 구조체 (40B) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10B) 의 제조 방법에 대해서도, 제 1 접속 구조체 (40A) 의 제조에 사용하는 이방성 도전 필름 (10A) 에 준하여 제조할 수 있다. 예를 들어, 절연성 수지층 (2) 의 편면에 영역 (10p) 을 형성하는 도전 입자 (1) 를 유지시키고, 그 도전 입자 (1) 를 평판 또는 롤러로 절연성 수지층 (2) 에 압입 (제 1 압입 공정) 하고, 다음으로, 상기 도전 입자를 압입한 절연성 수지층 (2) 의 편면 또는 그 반대면에, 영역 (10p), 또는 영역 (10p) 및 영역 (10q) 을 형성하는 도전 입자 (1) 를 유지시키고, 그 도전 입자를 평판 또는 롤러로 절연성 수지층에 압입한다 (제 2 압입 공정). 이 경우, 제 2 압입 공정에서 압입하는 도전 입자 (1) 가, 평면에서 보아, 제 1 압입 공정에서 도전 입자 (1) 를 압입한 영역의 일부가 되도록 해도 되고 (도 4c, 도 4d), 제 1 압입 공정에서 도전 입자 (1) 를 압입한 영역 전체를 포함하도록 해도 되고 (도 4e), 제 1 압입 공정에서 도전 입자 (1) 를 압입한 영역과 부분적으로 중복되도록 해도 된다 (도 6b). 도전 입자 (1) 의 입자 배치에 따라서는, 제 1 압입 공정에 있어서 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 에 부착시키기 위해서 사용한 전사형을, 제 2 압입 공정에 있어서도 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 에 부착시키기 위해서 사용해도 된다 (도 5c). 이에 의해, 이방성 도전 필름의 제조 비용을 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 이 경우, 도전 입자 (1) 를 절연성 수지층 (2) 의 일방의 표면 또는 타방의 표면에 부착시킬 수 있다.

제 1 압입 공정에서 압입하는 도전 입자와, 제 2 압입 공정에서 압입하는 도전 입자의 입자경이나 경도는, 필요에 따라 동일하게 해도 되고, 상이하게 해도 된다. 또한, 제 1 압입 공정에서 압입하는 도전 입자의 배열과 제 2 압입 공정에서 압입하는 도전 입자의 배열을 상이하게 해도 되고, 제 1 압입 공정에서 압입하는 도전 입자의 개수 밀도와 제 2 압입 공정에서 압입하는 도전 입자의 개수 밀도를 상이하게 해도 된다.

또한, 일반적으로, 이방성 도전 필름을 권장체로 제조하는 경우, 광폭의 이방성 도전 필름을 소정 폭으로 슬릿하여 띠상으로 하고, 그것을 권심에 감는 것이 이루어지지만, 예를 들어, 도 4e 에 나타낸 이방성 도전 필름 (10B) 에서는, 절연성 수지층 (2) 의 표리 양면 근방의 도전 입자의 개수 밀도를, 각각 상이한 개수 밀도로 균일하게 형성해 두고, 그것을 파선의 위치에서 슬릿하여 띠상의 이방성 도전 필름으로 하고, 거기에 영역 (10p) 과 영역 (10q) 을 형성할 수 있다. 이에 의해, 개수 밀도가 상이한 영역 (10p) 과 영역 (10q) 을 간편하게 형성할 수 있다.

상기 동일한 이유로부터, 필름의 길이 방향과 직교하는 방향에 있어서, 일방의 측과 반대의 측에서 도전 입자의 개수 밀도가 상이한 것이 바람직하다. 또한 제조 상의 이유로부터, 필름의 일방의 면과 반대의 면에서 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도가 상이한 것이 바람직하다. 이 때, 필름의 일방의 면과 반대의 면의 어느 일방에서, 도전 입자의 입자간 거리가 상이한 것이 보다 바람직하다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.

실시예 1 ∼ 7, 비교예 1, 2

(1) 이방성 도전 필름의 제조

표 1 에 나타낸 배합으로, 도전 입자 분산층을 형성하는 절연성 수지층 형성용 수지 조성물, 및 제 2 절연성 수지층 형성용 수지 조성물을 각각 조제하였다. 절연성 수지층의 최저 용융 점도는 3000 ㎩·s 이상이고, 이 절연성 수지층의 최저 용융 점도와 제 2 절연성 수지층의 최저 용융 점도의 비는 2 이상이었다.

절연성 수지층 (고점도 수지층) 을 형성하는 수지 조성물을 바 코터로 필름 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에 도포하고, 80 ℃ 의 오븐으로 5 분간 건조시켜, PET 필름 상에 표 2 에 나타내는 두께의 절연성 수지층을 형성하였다. 동일하게 하여, 제 2 절연성 수지층을 표 2 에 나타내는 두께로 PET 필름 상에 형성하였다.

한편, 도전 입자 (평균 입자경 3 ㎛ 또는 4 ㎛) 가 평면에서 보아 육방 격자 배열이 되고, 도전 입자의 평면에서 보았을 때의 개수 밀도 (면밀도) 가 표 2 에 나타내는 수치가 되도록 금형을 제작하였다. 또한, 표 2 에 있어서 FOG 측과 COG 측에서 도전 입자의 면밀도가 상이한 것은, 1 개의 금형에 면밀도가 상이한 2 개의 영역을 형성하였다. 이 금형에, 공지된 투명성 수지의 펠릿을 용융시킨 상태로 흘려 넣고, 냉각시켜 굳힘으로써, 오목부가 육방 격자 배열 패턴인 수지형을 형성하였다.

이 수지형의 오목부에, 표 2 에 나타내는 평균 입자경의 도전 입자 (평균 입자경 3 ㎛ : 세키스이 화학 공업 (주) 제조, AUL703, 및 평균 입자경 4 ㎛ : 세키스이 화학 공업 (주) 제조, AUL704) 를 충전하고, 그 위에 상기 서술한 절연성 수지층을 덮어, 60 ℃, 0.5 ㎫ 로 압압함으로써 첩착시켰다. 그리고, 형으로부터 절연성 수지층을 박리하고, 절연성 수지층 상의 도전 입자를 (압압 조건 : 60 ∼ 70 ℃, 0.5 ㎫) 로 그 절연성 수지층 내에 압입하여, 도전 입자 분산층을 형성하였다 (실시예 1 ∼ 7).

비교예 1, 2 에서는 표 1 에 나타낸 절연성 수지층을 형성하는 수지 조성물에 도전 입자를 혼합하여, 도전 입자가 단층으로 랜덤으로 분산된 도전 입자 분산층을 형성하였다.

또한, 도전 입자 분산층의 표면에 제 2 절연성 수지층을 적층함으로써 2 층 타입의 이방성 도전 필름을 제작하였다 (실시예 1 ∼ 7, 비교예 1, 2)

또한, 사용한 도전 입자의 20 ％ 압축 탄성률 (20 ％ K 값) 을, 미소 압축 시험기 (예를 들어, 피셔사 제조, 피셔 스코프 H-100) 를 사용하여 측정하였다. 이 결과를 표 2 에 나타낸다.

(2) 평가

(1) 에서 제작한 실시예 및 비교예의 이방성 도전 필름을, 이하의 평가용 접속물의 제작에 적용할 수 있도록 충분한 면적으로 재단하고, 재단한 이방성 도전 필름의 일부를 이하에 나타내는 평가용 IC 와 유리 기판 사이에 배치하고, 180 ℃, 60 ㎫, 5 초로 가열 가압하여 이방성 도전 접속하고, 다음으로, 그 유리 기판에, 동일한 이방성 도전 필름의 다른 영역을 사용하여 평가용 FPC 를 툴 폭 1.5 ㎜, 200 ℃, 5 ㎫, 5 초로 가열 가압하여 접속함으로써, 1 장의 이방성 도전 필름에 의해 평가용 IC 와 평가용 FPC 가 유리 기판에 이방성 도전 접속된 평가용 접속물을 얻었다.

평가용 IC :

외형 1.8 × 30 ㎜

두께 0.5 ㎜

범프 사양 사이즈 30 × 85 ㎛, 범프간 거리 10 ㎛, 범프 높이 15 ㎛, 단자 개수 820 개

평가용 FPC :

단자 피치 20 ㎛

단자 폭 : 단자간 스페이스 = 1 : 1

폴리이미드 필름 두께/동박 두께 (PI/Cu) = 38/8, Sn plating

유리 기판 :

(COG 측)

유리 재질 코닝사 제조 1737F

전극 ITO 배선

배선 두께 0.5 ㎜

(FOG 측)

전극 ITO 배선

배선 두께 0.7 ㎜

이렇게 하여 얻은 평가용 접속물에 대하여, 이하와 같이 하여 (a) 도통 저항, (b) 도통 신뢰성, (c) 최저 포착수, (d) 쇼트율을 측정하고, 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.

(a) 도통 저항

평가용 접속물의 COG 측 접속부와 FOG 측 접속부에 있어서의 도통 저항을 4 단자법으로 측정하였다. 실사용 상 2 Ω 이하가 바람직하다.

(b) 도통 신뢰성

평가용 접속물을 온도 85 ℃, 습도 85 ％ RH 의 항온조에 500 시간 두고, 그 후의 COG 측 접속부와 FOG 측 접속부의 도통 저항을, 초기 도통 저항과 동일하게 측정하였다. 실사용 상 5 Ω 이하가 바람직하다.

(c) 최저 포착수

평가용 접속물의 COG 측 접속부와 FOG 측 접속부의 각각의 단자 100 개에 대하여 도전 입자의 포착수를 계측하고, 최저 포착수를 구하여, 다음 기준으로 평가하였다. 실사용 상, B 평가 이상이 바람직하다.

최저 포착수 평가 기준

A : 10 개 이상

B : 5 개 이상 10 개 미만

C : 3 개 이상 5 개 미만

D : 3 개 미만

(d) 쇼트율

평가용 접속물의 COG 측 접속부와 FOG 측 접속부의 각각에 대하여 이하의 수법으로 각각의 쇼트수를 계측하고, 단자수에 대한 계측한 쇼트수의 비율로서 쇼트율을 구하여, 다음의 기준으로 평가하였다. 실사용 상 B 평가 이상이 바람직하다.

COG 측 접속부에 있어서의 쇼트율

다음의 쇼트율의 평가용 IC 를 사용하여 상기 서술과 동일한 접속 조건으로 COG 측의 평가용 접속물을 얻고, 얻어진 평가용 접속물의 쇼트수를 계측하고, 평가용 IC 의 단자수에 대한 계측한 쇼트수의 비율로서 쇼트율을 구하였다.

쇼트율의 평가용 IC (7.5 ㎛ 스페이스의 빗살 TEG (test element group)) :

외형 15 × 13 ㎜

두께 0.5 ㎜

범프 사양 사이즈 25 × 140 ㎛, 범프간 거리 7.5 ㎛, 범프 높이 15 ㎛

FOG 측 접속부에 있어서의 쇼트율

(a) 도통 저항 시험의 평가용 접속물의 제작에 사용한 평가용 FPC 와 동일한 FPC 를 논알칼리 유리 기판 (두께 0.7 ㎜) 에 동일한 접속 조건으로 접속함으로써 FOG 측의 평가용 접속물을 얻고, 얻어진 평가용 접속물의 쇼트수를 계측하고, 계측된 쇼트수와 평가용 접속물의 갭수로부터 쇼트율을 구하였다.

쇼트율 평가 기준

A : 50 ppm 미만

B : 50 ppm 이상 100 ppm 미만

C : 100 ppm 이상 200 ppm 미만

D : 200 ppm 이상

표 2 로부터, 실시예 4, 5, 6, 7 에서는 FOG 측 접속부와 COG 측 접속부에서 도전 입자의 면밀도, 입자경, 경도 모두 동일하지만, 도전 입자가 규칙적으로 배열되어 있기 때문에, 도통 저항, 도통 신뢰성, 포착수, 쇼트율 모두 실사용할 수 있는 결과가 되었다. 또한, 실시예 1, 2, 3 에서는, FOG 측 접속부와 COG 측 접속부에서 도전 입자의 면밀도, 입자경, 경도가 상이하고, 실시예 4, 5, 6, 7 보다 FOG 측 또는 COG 측 접속부의 도통 신뢰성이 향상되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 반하여, 비교예 1, 2 는 FOG 측 접속부와 COG 측 접속부에서 도전 입자의 면밀도, 입자경, 경도가 동일하고, 또한 도전 입자가 랜덤으로 분산되어 있기 때문에, 도전 입자의 개수 밀도가 높은 비교예 1 에서는 FOG 측 접속부의 도통 저항과 도통 신뢰성이 뒤떨어지고, 도전 입자의 개수 밀도가 낮은 비교예 2 에서는 COG 측 접속부의 도통 저항과 도통 신뢰성이 뒤떨어져 있었다.

1 ; 도전 입자
2 ; 절연성 수지층
2b ; 패임 (경사)
2c ; 패임 (기복)
3 ; 도전 입자 분산층
4 ; 제 2 절연성 수지층
10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G ; 이방성 도전 필름
10p, 10q, 10r, 10s ; 이방성 도전 필름의 영역
31 ; 제 1 전자 부품
32 ; 제 2 전자 부품
33 ; 제 3 전자 부품
40A ; 제 1 접속 구조체
40B ; 제 2 접속 구조체
D ; 도전 입자의 평균 입자경
La ; 절연성 수지층의 층 두께
Lb ; 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부에 있어서의 접평면과 도전 입자 최심부의 거리
Lc ; 경사 또는 기복에 있어서의 도전 입자의 노출 (바로 위) 부분의 직경
Ld ; 도전 입자의 주위 또는 바로 위의 절연성 수지층의 경사 또는 기복의 최대 직경
Le ; 도전 입자의 주위의 절연성 수지층에 있어서의 경사의 최대 깊이
Lf ; 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층에 있어서의 기복의 최대 깊이

Claims

제 1 단자 패턴을 갖는 제 1 전자 부품과, 제 1 단자 패턴과 단자의 크기 및 피치가 상이한 제 2 단자 패턴을 갖는 제 2 전자 부품이, 제 1 단자 패턴과 제 2 단자 패턴의 각각에 대응하는 단자 패턴을 갖는 제 3 전자 부품과 이방성 도전 필름에 의해 이방성 도전 접속되어 있는 접속 구조체로서,
이방성 도전 필름이, 단일한 수지층으로서의 절연성 수지층과, 그 절연성 수지층에 배치된 도전 입자를 갖고,
이방성 도전 필름이, 도전 입자가 규칙적으로 배열된 영역, 및 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역의, 적어도 일방을 갖고,
이방성 도전 필름의 도전 입자 근방의 절연성 수지층의 표면이, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부에 있어서의 절연성 수지층의 접평면에 대하여 경사 혹은 기복을 갖고, 상기 경사에서는, 도전 입자의 근방의 절연성 수지층의 표면이, 상기 접평면에 대하여 결락되어 있고, 상기 기복에서는, 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 수지량이, 상기 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 표면이 그 접평면에 있다고 했을 때에 비하여 적은, 접속 구조체.
제 1 항에 있어서,
이방성 도전 필름이, 도전 입자가 규칙적으로 배열되고, 또한 도전 입자의 개수 밀도가 35000 개/㎟ 미만인 영역을 갖는, 접속 구조체.
제 1 항에 있어서,
이방성 도전 필름이, 도전 입자가 규칙적으로 배열되고, 또한 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역을 갖는, 접속 구조체.
단일한 수지층으로서의 절연성 수지층과, 그 절연성 수지층에 배치된 도전 입자를 갖는 이방성 도전 필름으로서,
도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역을 갖고,
도전 입자 근방의 절연성 수지층의 표면이, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부에 있어서의 절연성 수지층의 접평면에 대하여 경사 혹은 기복을 갖고, 상기 경사에서는, 도전 입자의 근방의 절연성 수지층의 표면이, 상기 접평면에 대하여 결락되어 있고, 상기 기복에서는, 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 수지량이, 상기 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 표면이 그 접평면에 있다고 했을 때에 비하여 적은, 이방성 도전 필름.
제 4 항에 있어서,
도전 입자가 규칙적으로 배열되어 있는, 이방성 도전 필름.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
이방성 도전 필름의 폭 방향 또는 길이 방향으로, 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역이 나열되어 있는, 이방성 도전 필름.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
절연성 수지층의 두께 방향에 있어서의 도전 입자의 위치가, 절연성 수지층의 일방의 표면 또는 그 근방에서 정렬되어 있는 영역과, 일방의 표면 또는 그 근방과, 타방의 표면 또는 그 근방의 쌍방에서 정렬되어 있는 영역을 갖는, 이방성 도전 필름.
제 7 항에 있어서,
이방성 도전 필름의 평면에서 보았을 때 2 개의 도전 입자가 서로 겹친 도전 입자 유닛이 규칙적으로 배열된 영역과, 단체 (單體) 의 도전 입자가 규칙적으로 배열된 영역을 갖는, 이방성 도전 필름.
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절연성 수지층의 일방의 표면에 도전 입자를 부착시키고, 그 도전 입자를 절연성 수지층에 압입하는 제 1 압입 공정과,
평면에서 보아, 제 1 압입 공정에서 도전 입자를 압입한 영역의 일부가 되는 영역, 또는 제 1 압입 공정에서 도전 입자를 압입한 영역 전체를 포함하는 영역, 또는 제 1 압입 공정에서 도전 입자를 압입한 영역과 부분적으로 중복되는 영역에 도전 입자를 부착시키고, 그 도전 입자를 절연성 수지층에 압입하는 제 2 압입 공정,
을 갖는 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서,
적어도 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역을 형성하는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
제 12 항에 있어서,
제 1 압입 공정에서 절연성 수지층에 압입하는 도전 입자와, 제 2 압입 공정에서 절연성 수지층에 압입하는 도전 입자의 입자경 및 경도가 동일한, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
제 12 항에 있어서,
제 1 압입 공정에서 절연성 수지층에 압입하는 도전 입자와, 제 2 압입 공정에서 절연성 수지층에 압입하는 도전 입자의 입자경 또는 경도가 상이한, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 1 압입 공정에서 절연성 수지층에 압입하는 도전 입자의 배열 또는 개수 밀도와, 제 2 압입 공정에서 절연성 수지층에 압입하는 도전 입자의 배열 또는 개수 밀도가 상이한, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
제 1 압입 공정에 있어서, 전사형 (轉寫型) 을 사용하여 도전 입자를 절연성 수지층에 부착시키고, 제 2 압입 공정에 있어서, 그 전사형을 사용하여 도전 입자를 절연성 수지층에 부착시키는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 2 압입 공정에 있어서, 도전 입자를 절연성 수지층의 상기 일방의 표면 또는 타방의 표면에 부착시키는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 2 압입 공정 후, 도전 입자를 압입한 절연성 수지층을 슬릿하는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
제 1 단자 패턴을 갖는 제 1 전자 부품과, 제 1 단자 패턴과 단자의 크기 및 피치가 상이한 제 2 단자 패턴을 갖는 제 2 전자 부품을, 제 1 단자 패턴과 제 2 단자 패턴의 각각에 대응하는 단자 패턴을 갖는 제 3 전자 부품과 이방성 도전 필름에 의해 이방성 도전 접속하는 접속 구조체의 제조 방법으로서,
이방성 도전 필름으로서,
단일한 수지층으로서의 절연성 수지층과, 그 절연성 수지층에 배치된 도전 입자를 갖고,
도전 입자가 규칙적으로 배열된 영역을 갖는 영역, 및 도전 입자의 개수 밀도, 입자경 및 경도의 적어도 하나가 상이한 복수의 영역의, 적어도 하나를 갖고,
도전 입자 근방의 절연성 수지층의 표면이, 인접하는 도전 입자 사이의 중앙부에 있어서의 절연성 수지층의 접평면에 대하여 경사 혹은 기복을 갖고, 상기 경사에서는, 도전 입자의 근방의 절연성 수지층의 표면이, 상기 접평면에 대하여 결락되어 있고, 상기 기복에서는, 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 수지량이, 상기 도전 입자의 바로 위의 절연성 수지층의 표면이 그 접평면에 있다고 했을 때에 비하여 적은, 이방성 도전 필름을 사용하는, 접속 구조체의 제조 방법.
제 19 항에 있어서,
제 3 전자 부품 상에 이방성 도전 필름을 개재하여 재치된 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을, 그 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품의 측으로부터 가압 툴로 압착하는, 접속 구조체의 제조 방법.
제 19 항에 있어서,
제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 동시에 압착하는, 접속 구조체의 제조 방법.