KR102262650B1 - 저유전성 적층 필름 및 이를 이용한 회로 기판 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 절연층 및 절연층의 일면에 형성된 도전층을 포함하되, 절연층은 (a) 고분자 매트릭스; 및 (b) 강도가 3,000~90,000 psi이고, 하기 관계식 1 및 2를 만족하는 중공 미소구;를 포함하는 수지 조성물을 포함하는 저유전성 적층 필름에 관한 것이다. 여기서, Gh는 중공 미소구의 비중이며, Gp는 고분자 매트릭스의 비중이다. 또한, Dh는 중공 미소구의 입경이며, Da는 중공 미소구의 평균입경이다.
[관계식 1]
Gp×0.8 ≤ Gh ≤ Gp×1.2
[관계식 2]
Da×0.7 ≤ Dh ≤ Da×1.3

Description

저유전성 적층 필름 및 이를 이용한 회로 기판 {Multi-layer film for low-dielectric and Circuit board comprising the same}
본 발명은 저유전성 적층 필름 및 이를 이용한 회로 기판에 관한 것이다.
최근 통신기기 및 전자기기 등의 고성능화 및 소형화를 위하여 고밀도의 미세회로를 가진 회로기판이 요구되고 있다. 이로 인해 미세회로 사이의 절연물질을 SiO2(ε=3.9)와 같은 높은 유전상수를 갖는 물질로 형성할 경우, 회로 상호간의 기생 커패시턴스(capacitance)가 증가하게 되어 신호전달이 지연되고, 전기적인 상호 간섭(interference)이 심해지는 문제점이 야기되었다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 미세회로의 저항을 낮추거나, 미세회로 사이에 사용되는 절연물질의 유전율을 낮추려는 노력이 전개되고 있다.
그러나, 기존의 저유전 물질인 불소계 수지는 유전율 감소가 제한적이고, 전기적 특성이 열악하며, 기계적 강도가 약하여 후속하는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정 시 기계적인 영향에 잘 견디지 못하는 등의 단점을 가지며, 이로 인해 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점을 안고 있다. (일본 공개특허 제2007-311732호)
일본 공개특허공보 제2007-311732호 (2007.11.29)
본 발명의 목적은 향상된 저유전 성능을 가지며, 우수한 가공성 및 분산성을 가지는 저유전성 적층 필름을 제공하는 것이다.
본 발명은 절연층 및 절연층의 일면에 형성된 도전층을 포함하되, 절연층은 고분자 매트릭스; 및 강도가 3,000~90,000 psi이고, 하기 관계식 1 및 2를 만족하는 중공 미소구;를 포함하는 수지 조성물을 포함하는 저유전성 적층 필름에 관한 것이다. 이때, Gh는 중공 미소구의 비중이며, Gp는 고분자 매트릭스의 비중이다. 또한, Dh는 중공 미소구의 입경이며, Da는 중공 미소구의 평균입경이다.
[관계식 1]
Gp×0.8 ≤ Gh ≤ Gp×1.2
[관계식 2]
Da×0.7 ≤ Dh ≤ Da×1.3
또한, 본 발명의 또 다른 일 예는 유전율 편차가 10% 이내인 절연층; 및 절연층의 일면에 형성된 도전층;을 포함하는 저유전성 적층 필름에 관한 것이다.
본 발명의 다른 일 예는, 저유전성 적층 필름을 포함하는 저유전성 회로기판 소재에 관한 것이다.
본 발명의 저유전성 적층 필름은 향상된 저유전 성능을 가지며, 우수한 가공성 및 분산성을 가질 수 있다.
또한, 높은 강도를 가지는 중공 미소구를 사용함에 따라 높은 기계적 강도를 가질 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 저유전성 적층 필름은 절연층 및 절연층의 일면에 형성된 도전층을 포함하되, 절연층은 고분자 매트릭스와 강도가 3,000~90,000 psi이고, 하기 관계식 1 및 2를 만족하는 중공 미소구를 포함할 수 있다.
[관계식 1]
Gp×0.8 ≤ Gh ≤ Gp×1.2
[관계식 2]
Da×0.7 ≤ Dh ≤ Da×1.3
이때, Gh는 중공 미소구의 비중이며, Gp는 고분자 매트릭스의 비중이다. 또한, Dh는 중공 미소구의 입경이며, Da는 중공 미소구의 평균입경이다. Da는 구체적으로 예를 들면 1~50 ㎛일 수 있으며, 보다 좋게는 1~20 ㎛, 더욱 좋게는 1~5 ㎛일 수 있다.
이와 같이, 고분자 매트릭스의 비중과 유사한 범위의 비중을 가지며, 균일한 크기를 가지는 중공 미소구를 사용함으로써 중공 미소구를 고분자 매트릭스 내에 고르게 분산시킬 수 있으며, 균일하게 팩킹(packing) 시킬 수 있다. 이로 인해 향상된 저유전율을 가질 수 있으며, 가공성 및 내굴곡성을 높일 수 있다.
특히, 고분자 매트릭스의 비중과 유사한 비중을 가지기 위하여, 속이 비어있는 형태의 중공 미소구의 셀 두께를 조절하여 비중을 조절할 수 있다. 이로 인해 고분자 매트릭스의 종류가 달라져 고분자 매트릭스의 비중이 바뀌더라도 그에 맞춰 중공 미소구가 유사한 비중을 가질 수 있도록 조절할 수 있다. 일 예에 따른 중공 미소구의 셀 두께는 중공 미소구가 적절한 비중을 가질 수 있는 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 구체적으로 예를 들면, 내벽의 반지름(R')과 외벽의 반지름(R)의 비(R'/R)가 0.01~0.3인 것이 좋다. 이러한 범위 내에서 사용하는 것이 유전율을 감소시키는데 있어서 효과적이며, 고분자 매트릭스의 비중과 유사한 범위의 비중을 가지도록 할 수 있다. 또한, 기계적 강도를 높일 수 있어 중공 입자의 형상을 잘 유지할 수 있다.
또한, 중공 미소구는 비중 및 크기의 조절과 함께, 높은 강도를 가짐으로써 보다 낮고 균일한 유전율을 가질 수 있으며, 화학적 기계적 연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing) 공정 시 기계적인 영향에 잘 견딜 수 있다. 이때, 보다 효과적으로 유전율을 낮추고, 기계적 영향에 잘 견디기 위하여, 중공 미소구는 10,000~80,000 psi의 강도를 가지는 것이 좋으며, 더욱 좋게는 30,000~70,000 psi의 강도를 가지는 것이 바람직하다. 이러한 범위를 만족하는 중공 미소구를 사용함으로써 보다 향상된 저유전 성능을 가질 수 있으며, 중공 입자의 형상을 보다 잘 유지할 수 있다. 여기서 psi란 압력의 단위로 1평방 인치 당의 파운드(pound per square inch)이며, 압력을 점점 강하게 가하여 중공 미소구에 금이 가거나 부서졌을 때, 그 압력을 강도로 나타내었다.
본 발명의 일 예에 따른 절연층은 전체 수지 조성물에 대하여 고분자 매트릭스 10~90 중량% 및 중공 미소구 90~10 중량%를 포함하여 제조될 수 있으며, 보다 좋게는 고분자 매트릭스 30~70중량% 및 중공 미소구 70~30 중량%를 포함하여 제조되는 것이 바람직하다. 이러한 범위 내로 사용하는 것이 고분자 매트릭스 내에 중공 미소구가 균일하게 분산될 수 있으며, 향상된 저유전 성능을 얻을 수 있으며, 우수한 가공성 및 내굴곡성을 가질 수 있다.
고분자 매트릭스는 통상 당업계에서 사용되는 것이라면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면, 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 셀룰로오스계 수지, 에폭시계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 멜라민 수지 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 이때, 고분자 수지의 수평균 분자량은 특별히 제한되진 않으나 10,000~300,000인 것을 사용할 수 있다.
보다 구체적으로 예를 들면, 폴리이미드 수지는 디아민 화합물과 디안하이드라이드 화합물을 중합하여 사용할 수 있으며, 더욱 구체적으로, 디아민 화합물은 4,4'-디아미노디페틸 에테르(ODA), p-페닐렌디아민(PDA) 또는 4,4'-옥시비스[N-(4-아미노-2-메톡시페닐)벤자마이드](OBMA) 등을 사용할 수 있으며, 디안하이드라이드 화합물은 피로멜리트산 디안하이드라이드(PMDA), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 디안하이드라이드(BPDA) 또는 벤조페논테트라카르복실산 디안하이드라이드(BTDA) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
중공 미소구는 반도체 산화물, 반도체 질화물, 반도체 탄화물, 금속 산화물, 고분자 수지 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 구체적으로 예를 들면, 반도체 산화물은 SiO2, SiOC 또는 SiOF일 수 있으며, 반도체 질화물은 SiN일 수 있으며, 반도체 탄화물은 SiC일 수 있으며, 금속 산화물은 NiO, ZnO, Al2O3 또는 Fe2O3일 수 있으며, 고분자 수지는 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 셀룰로오스계 수지, 에폭시계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 실리콘계 수지일 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 예에 따른 중공 미소구는 제조 방법이 특정되진 않으나, 예를 들어 더블에멀젼(double-emulsion) 방식 또는 일렉트로스프레이(electro-spraying) 방식으로 제조된 것일 수 있다. 이와 같은 방식을 사용함으로써 중공 미소구의 직경을 균일하게 수득할 수 있으며, 셀 두께의 조절이 가능함에 따라 중공 미소구의 비중을 조절할 수 있다.
이처럼 제조된 중공 미소구는 제조 후 열처리 또는 표면처리 과정을 거친 것일 수 있으며, 구체적으로 500~1,500℃에서 0.1~10시간 동안 열처리된 것일 수 있으며, 또는 산, 염기, 아민 또는 계면 활성제를 이용하여 표면 처리된 것일 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 절연층은 1~5000 ㎛의 두께를 가지는 것이 좋으며, 보다 좋게는 5~1000 ㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 이러한 범위에서 향상된 저유전 성능을 가질 수 있으며, 내굴곡성을 저하시키지 않을 수 있다. 또한, 절연층의 유전율 편차는 10% 이내일 수 있으며, 바람직하게는 5% 이내일 수 있다. 이에 의해, 유전율 값이 작으면서도, 유전율 편차가 작은, 즉 유전율 측정값이 균일한 절연층을 가짐으로써 우수한 저유전성을 가질 수 있다. 본 발명의 일 예에 따른 도전층은 금속박으로 된 것일 수 있으며, 신호전달이 가능한 금속박이라면 제한하지 않고 사용할 수 있다. 보다 구체적으로 예를 들면 동박을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이때, 도전층은 1~500 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
이처럼 저유전 성능이 우수한 저유전성 적층 필름을 포함하여 저유전성 회로기판 소재를 제조할 수 있으며, 또한 저유전성 회로기판 소재를 사용하여 경성(Rigid)용 또는 연성(Flexible)용 회로기판, 또는 전자기기 등을 제조할 수 있다.
이하 하기 실시예를 이용하여 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다. 또한 달리 정의되지 않은 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 또한 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다. 또한 명세서에 특별히 기재하지 않은 첨가물의 단위는 중량%일 수 있다.
하기 실시예 및 비교예를 통해 제조된 저유전성 적층 필름의 물성은 다음과 같이 측정하였다.
(절연층 유전율)
통상적인 방법으로 유전율을 측정하였다. 구체적으로 금속 증착기(metal evaporator)를 이용하여 절연층인 폴리이미드의 일면에 Al 전극을 증착한 다음, 폴리이미드의 다른 일면에 Hg 프로브(probe)를 이용하여 Hg 전극을 형성시켰다.
Hg 전극/폴리이미드/Al 전극의 Metal/Insulator/Metal (MIM) 구조로 제조된 저유전 박막을 CV meter를 이용하여 절연층의 정전용량(capacitance)를 측정하였다. 한편, 다음의 식을 사용하여 유전율을 계산하였다.
Figure 112015008589752-pat00001
(가공성)
가공성은 저유전성 적층 필름의 가공시 또는 가공 후 소재의 상태를 눈으로 관찰하여 외관 및 불량유무를 판단하였으며, 가공성의 평가기준은 이하와 같다.
◎ : 가공시 문제가 없고, 가공 후 외관상태가 양호한 경우 (기포생성 또는 표면변형이 전혀 없음)
○ : 가공시 문제는 없으나, 필름 외관이 불균일한 경우 (기포생성은 없으나 표면 변형이 관찰됨)
Ｘ : 가공시 필름 형성이 잘 안되거나 공정에 문제가 있는 경우, 또는 가공 후 필름의 표면 상태가 불량인 경우 (기포생성 및 표면변형 모두 관찰됨)
(내굴곡성)
내굴곡성은 내굴곡테스트기를 이용하여 측정하였으며, 저유전성 적층 필름 샘플의 양끝단을 테스크기의 상부 및 하부 지그에 물린 후, 상부 지그를 좌우 90°로 70회 왕복운동 시켰다. 그 후 샘플의 크랙 크기를 광학현미경으로 측정하였다. 평가는 절연층에 형성된 크랙(crack)이 샘플의 가로방향 전체에 걸쳐 형성된 경우를 크랙 100%로 하여, 상대적인 크랙 길이를 백분율(%)로 나타내었다. 내굴곡성의 평가기준은 이하와 같다.
◎ : 크랙 0~20 %
○ : 크랙 20~50 %
Ｘ : 크랙 50~100 %
중공 미소구의 제조
[제조예 1]
유리 모세관 미세유체역학장치(glass capillary microfluidic device)를 이용하여 구형상의 중공 미소구를 형성하였다. 구형상의 중공 미소구를 형성하기 위하여 사용되는 세 개의 비혼화성 유체상(fluid phase)은 질소 기체, 폴리비닐알코올[PVA; poly(vinyl alcohol)]을 포함하고 있는 수용액, 및 SiO2 나노입자를 포함하는 톨루엔 현탁액이며, 중공 입자의 안(inner)에 질소 기체가, 중공 입자의 외부(outer)에 수용액이, 그 사이 중간(middle)에 현탁액이 존재하게 되어 버블(bubble) 모양으로 입자가 형성되었다. 이때, 오일상(Oil phase)인 현탁액의 유속은 3 mL/h였으며, 수상(Water phase)인 수용액의 유속은 60 mL/h고, 기체상(gas phase)인 질소 기체의 압력은 14 PSI로 조절하였다.
또한, 이때 사용된 SiO2 나노입자는 평균입경이 15 ㎚이며, 톨루엔 현탁액 전체에 대하여 24 중량%로 첨가하여 사용하였다. 폴리비닐알코올은 평균 분자량이 23,000 g/mol이며, 수용액 전체에 대하여 2 중량%로 첨가하여 사용하였다.
다음으로, 제조된 중공 미소구 전구체를 열처리하였다. 열처리는 두 단계로 진행되었으며, 먼저 700℃에서 3시간 동안 하소(calcinations)처리함으로써 SiO2 쉘 내에 남아 있던 PVA를 제거하여 다공성의 쉘을 형성하였으며, 1200℃에서 1분 동안 소결(sintering)처리함으로써 다공을 제거하고 SiO2 쉘이 단단히 결합되도록 하여 중공 미소구를 수득하였다.
제조된 중공 미소구의 특성은 표 1에 나타내었다.
[제조예 2]
SiO2 나노입자를 톨루엔 현탁액 전체에 대하여 20 중량%로 첨가한 것 외의 모든 공정을 제조예 1과 동일하게 진행하여 중공 미소구를 수득하였다. 제조된 중공 미소구의 특성은 표 1에 나타내었다.
[제조예 3]
SiO2 나노입자를 톨루엔 현탁액 전체에 대하여 28 중량%로 첨가한 것 외의 모든 공정을 제조예 1과 동일하게 진행하여 중공 미소구를 수득하였다. 제조된 중공 미소구의 특성은 표 1에 나타내었다.
[제조예 4]
SiO2 나노입자를 톨루엔 현탁액 전체에 대하여 18 중량%로 첨가한 것 외의 모든 공정을 제조예 1과 동일하게 진행하여 중공 미소구를 수득하였다. 제조된 중공 미소구의 특성은 표 1에 나타내었다.
[제조예 5]
SiO2 나노입자를 톨루엔 현탁액 전체에 대하여 30 중량%로 첨가한 것 외의 모든 공정을 제조예 1과 동일하게 진행하여 중공 미소구를 수득하였다. 제조된 중공 미소구의 특성은 표 1에 나타내었다.
[제조예 6]
세 개의 비혼화성 유체상(fluid phase)의 유속을 조절하여 입경 분포를 달리한 것 외의 모든 공정을 제조예 1과 동일하게 진행하여 중공 미소구를 수득하였다. 제조예 6의 오일상(Oil phase)인 현탁액의 유속은 1, 3 및 4.5 mL/h로 조절하였으며, 수상(Water phase)인 수용액의 유속은 40, 60 및 80 mL/h로 조절하였고, 기체상(gas phase)인 질소 기체의 압력은 12, 14 및 16 PSI로 조절하였다. 제조된 중공 미소구의 특성은 표 1에 나타내었다.
[제조예 7]
하소 공정 3시간, 소결 공정 10초로 열처리 시간을 달리한 것 외의 모든 공정을 제조예 1과 동일하게 진행하여 중공 미소구를 수득하였다. 제조된 중공 미소구의 특성은 표 1에 나타내었다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
비중
(g/㎤)		 0.9 0.72 1.08 0.63 1.17 0.9 0.9
강도
(psi)		 50,000 50,000 50,000 50,000 50,000 50,000 2,000
평균입경
(㎛)		 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5
입경
(㎛)		 1.2~1.8 1.2~1.8 1.2~1.8 1.2~1.8 1.2~1.8 0.7~2.3 1.2~1.8
셀 두께
(㎛)		 0.2 0.17 0.23 0.15 0.25 0.2 0.2
저유전성 적층 필름의 제조
[실시예 1]
전체 용액에 대하여, N,N-디메틸아세트아마이드(DMAc) 38 중량% 및 4,4'-디아미노디페틸 에테르(ODA) 10 중량%를 가하고 상온에서 300rpm으로 균일한 디아민 용액이 형성될 때까지 저어주었다. 질소 분위기에서 반응을 진행시키는 것이 바람직하다. 이 용액에 피로멜리트산 디안하이드라이드(PMDA) 12 중량% 및 제조예 1에서 제조된 중공 미소구를 40 중량% 투입한 후 300rpm으로 저어주면서 3시간 이상 반응시켜 고점도의 저유전용 폴리아믹산 용액을 제조하였다.
수득한 저유전용 폴리아믹산 용액을 반응기로부터 용액을 꺼내어 기포가 제거되는 시간을 충분히 준 다음, 두께 15 ㎛의 동박 위에 코팅하였다. 그리고 80℃에서 185℃까지 1시간 동안 건조과정을 거치고 350℃ 열처리를 하면서 이미드화를 진행하여 두께가 10 ㎛인 폴리이미드 절연층을 제조하였다. 이렇게 코팅된 폴리아믹산으로부터 복층 구조의 저유전 폴리이미드/동박 저유전 FCCL(Flexible Copper Clad Laminate)을 제조하였다.
[실시예 2 내지 3]
표 1에 나타난 바와 같이 중공 미소구를 달리한 것 외의 모든 공정을 실시예 1과 동일하게 진행하였다. 제조된 저유전성 적층 필름의 물성은 표 2에 나타내었다.
[비교예 1 내지 4]
표 1에 나타난 바와 같이 중공 미소구를 달리한 것 외의 모든 공정을 실시예 1과 동일하게 진행하였다. 제조된 저유전성 적층 필름의 물성은 표 2에 나타내었다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
절연층
유전율		 2.1~2.3 2.0~2.2 2.2~2.4 측정불가 측정불가 2.2~3.0 2.3~3.2
가공성 ◎ ◎ ◎ Ｘ Ｘ ◎ ◎
내굴곡성 ◎ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ○
종합 평가 ◎ ◎ ◎ Ｘ Ｘ Ｘ Ｘ
실시예 1 내지 3을 보면, 고분자 매트릭스의 비중(0.9 g/㎤)의 0.8~1.2배 범위 내의 비중을 가진 중공 미소구를 사용함에 따라 유전율이 낮고, 가공성 및 내굴곡성이 우수함을 알 수 있으며, 반면 0.8~1.2배 범위를 벗어는 비교예 1 및 2의 경우, 가공 시 필름 형성이 잘 되지 않거나 공정에 문제가 발생하여 절연층이 잘 형성되지 않았으며, 그에 따라 유전율의 측정이 불가능하고, 가공성이 나쁜 것을 확인할 할 수 있었다.
또한, 비교예 3의 경우, 입경이 균일하지 못한 중공 미소구를 사용함에 따라 분산 및 팩킹이 균일하게 되지 못 하여 유전율이 불균일하게 측정되어 유전율 편차가 큰 것을 확인할 수 있으며,, 비교예 4의 경우 강도가 약한 중공 미소구를 사용함에 따라 중공 구조가 잘 유지 되지 못하여 유전율이 불균일하게 측정 되었으며, 그에 따라 유전율 측정값의 변화폭이 크게 나타났으며, 내굴곡성 또한 상대적으로 나쁜 것을 확인할 수 있었다.

Claims (16)

  1. 절연층; 및
    상기 절연층의 일면에 형성된 도전층;을 포함하되,
    상기 절연층은 고분자 매트릭스;와 강도가 3,000~90,000 psi이고, 하기 관계식 1 및 2를 만족하는 중공 미소구;를 포함하는 저유전성 적층 필름.
    [관계식 1]
    Gp×0.8 ≤ Gh ≤ Gp×1.2
    (Gh는 중공 미소구의 비중이며, Gp는 고분자 매트릭스의 비중이다.)
    [관계식 2]
    Da×0.7 ≤ Dh ≤ Da×1.3
    (Dh는 중공 미소구의 입경이며, Da는 중공 미소구의 평균입경이다.)
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 중공 미소구의 셀 두께는 내벽의 반지름과 외벽의 반지름의 비(R'/R)가 0.01~0.3인 저유전성 적층 필름.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은 전체 수지 조성물에 대하여 상기 고분자 매트릭스 10~90 중량% 및 상기 중공 미소구 90~10 중량%를 포함하는 저유전성 적층 필름.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 고분자 매트릭스는 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 셀룰로오스계 수지, 에폭시계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 멜라민 수지 또는 이들의 혼합물인 저유전성 적층 필름.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 중공 미소구는 반도체 산화물, 반도체 질화물, 반도체 탄화물, 금속 산화물, 고분자 수지 또는 이들의 혼합물인 저유전성 적층 필름.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 반도체 산화물은 SiO2, SiOC 또는 SiOF이며,
    상기 반도체 질화물은 SiN이며,
    상기 반도체 탄화물은 SiC이며,
    상기 금속 산화물은 NiO, ZnO, Al2O3 또는 Fe2O3이며,
    상기 고분자 수지는 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 셀룰로오스계 수지, 에폭시계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 실리콘계 수지인 저유전성 적층 필름.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 중공 미소구는 더블에멀젼 방식 또는 일렉트로스프레이 방식으로 제조된 저유전성 적층 필름.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 중공 미소구는 제조 후 열처리 또는 표면처리된 저유전성 적층 필름.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은 1~5000 ㎛의 두께를 가지는 저유전성 적층 필름.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 도전층은 금속으로 형성되며, 1~500 ㎛의 두께를 가지는 저유전성 적층 필름.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층의 유전율 편차는 10% 이내인 저유전성 적층 필름.
  12. 삭제
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층의 유전율 편차는 5% 이내인 저유전성 적층 필름.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제1항 내지 제11항, 제13항에서 선택되는 어느 한 항의 저유전성 적층 필름을 포함하는 저유전성 회로기판 소재.
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