KR100545125B1 - 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막 및 그제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
년도 | 2000 | 2001 | 2002 | 2003 | 2004 | 2005 | 2008 | 2011 | 2014 | |
1/2 피치(nm) | DRAM MPU | 165 210 | 150 180 | 130 160 | 120 145 | 110 130 | 100 115 | 70 80 | 50 55 | 35 40 |
세대 | INTRO PRODUCTION | 1G 256M | 2G (512M) | - - | 4G 1G | - - | 8G 2G | - - | 64G 16G | - - |
주파수 (MHz) | on-chip clock | 1,486 | 1,767 | 2,100 | 2,490 | 2,952 | 3,500 | 6,000 | 10,000 | 13,500 |
실시예 2 | 실시예 3 | 실시예 4 | 실시예 5 | |
[무기물]/[고분자] (중량%) | 5 | 10 | 20 | 40 |
유전율 | 2.92 | 2.83 | 2.68 | 2.40 |
Claims (6)
- 2 내지 50 나노미터 크기의 기공을 가지는 메조포러스 실리카가 유기고분자 내에 분산되어 있는 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막.
- 제1항에 있어서, 상기 유기고분자는 폴리이미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리퀴녹살린, 폴리벤즈옥사졸, 방향족 폴리에테르케톤, 및 폴리페닐렌에테르로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막.
- 제2항에 있어서, 상기 메조포러스 실리카의 양은 상기 폴리이미드의 1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막.
- 폴리아믹산을 용매에 용해시키는 공정;상기 폴리아믹산이 용해되어 있는 용매에 메조포러스 실리카 무기물이 용해되어 있는 용액을 첨가하는 공정;상기 폴리아믹산과 메조포러스 실리카 혼합 용액을 균일상이 될 때까지 교반하는 공정;얻어진 균일상의 용액을 반도체 소자 및/또는 금속 배선 상에 코팅하는 공정; 및코팅된 용액을 경화시켜 절연막을 형성하는 공정을 포함하는 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 메조포러스 실리카 무기물이 용해되어 있는 용액은 친수성기와 소수성기를 모두 가지고 있는 계면활성제 용액에 규소(Si)가 포함된 물질을 첨가하고 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 규소(Si)가 포함된 물질은 테트라에틸오르쏘실리케이트, 테트라메틸오르쏘실리케이트 및 콜로이드 실리카로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000056276A KR100545125B1 (ko) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막 및 그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020000056276A KR100545125B1 (ko) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막 및 그제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020024495A KR20020024495A (ko) | 2002-03-30 |
KR100545125B1 true KR100545125B1 (ko) | 2006-01-24 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000056276A KR100545125B1 (ko) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 유기-무기 복합체로 이루어진 반도체용 절연막 및 그제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100545125B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100533538B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-12-05 | 삼성전자주식회사 | 새로운 기공형성물질을 포함하는 다공성 층간 절연막을형성하기 위한 조성물 |
KR100695620B1 (ko) | 2005-08-30 | 2007-03-16 | 호서대학교 산학협력단 | 유기금속화합물을 이용한 유기박막트랜지스터의 제조방법 |
KR100750293B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2007-08-20 | 한국화학연구원 | 친유기화 무기 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된나노복합재 |
US8871637B2 (en) | 2010-11-02 | 2014-10-28 | Empire Technology Development Llc | Semiconductor structure with insulated through silicon via |
KR101728100B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2017-04-18 | 에스케이씨코오롱피아이 주식회사 | 기공을 갖는 입자를 이용한 폴리이미드 필름의 제조방법 및 저유전율의 폴리이미드 필름 |
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-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|
KR20020024495A (ko) | 2002-03-30 |
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