KR102262617B1 - Deposition control device and method for manufacturing display using thereof - Google Patents

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KR102262617B1
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문일권
한성관
김희철
황병천
이성희
차수영
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(주)알파플러스
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Abstract

Provided are a deposition control device for effectively measuring a deposition rate, and a display manufacturing method using the same. According to some embodiments, the deposition control device comprises: a first deposition source spraying a deposition material along a first spraying path; a second deposition source spraying the deposition material along a second spraying path; a deposition sensor for measuring deposition thickness of the deposition material; and a first deposition measurement position control mechanism having a first opening and a second opening, wherein the first deposition position control mechanism is moved so that the first spraying path passes the first opening to meet the deposition sensor.

Description

증착 제어 장치 및 이를 이용하는 디스플레이 제조 방법{Deposition control device and method for manufacturing display using thereof}A deposition control device and a display manufacturing method using the same

본 발명은 증착 제어 장치 및 이를 이용하는 디스플레이 제조 방법에 관한 것이다. 더 자세히는 증착 레이트를 측정하는 센싱부의 증착 센서 및 센서 구동 장치는 움직이지 않고, 증착 측정 위치 제어 기구만을 이동하여, 특정 노즐로부터 분사되는 증착 물질에 대한 레이트만을 측정하는 증착 제어 장치 및 이를 이용하는 디스플레이 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition control apparatus and a display manufacturing method using the same. In more detail, the deposition sensor and the sensor driving device of the sensing unit for measuring the deposition rate do not move, but only the deposition measurement position control mechanism moves, and the deposition control device and the display using the same measure only the rate of the deposition material sprayed from a specific nozzle It relates to a manufacturing method.

최근 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원부를 요구하지 않는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)가 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다. 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원을 필요로 하지 않아, 경량화 및 박형으로 제작될 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 특성을 갖는다.Recently, an organic light emitting diode display (OLED), which has excellent luminance characteristics and viewing angle characteristics, and does not require a separate light source unlike a liquid crystal display device, is attracting attention as a next-generation flat panel display device. Since the organic light emitting diode display does not require a separate light source, it can be manufactured to be lightweight and thin. In addition, the organic light emitting diode display has characteristics such as low power consumption, high luminance, and high response speed.

유기 발광 표시 장치는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 애노드와 캐소드로부터 각각 정공 및 전자가 주입되어 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 발광 된다.An organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode including an anode, an organic light emitting layer, and a cathode. In the organic light-emitting device, holes and electrons are respectively injected from the anode and the cathode to form excitons, and light is emitted while the excitons transition to a ground state.

유기 발광 표시 장치를 제조하기 위한 증착 장치는 기판상에 증착 물질을 제공하는 증착원 및 기판에 증착되는 증착 물질의 두께를 측정하기 위한 센싱부를 포함한다. 센싱부는 증착 센서를 포함하며, 증착 센서는 증착원에서 증발되는 증착 물질의 증발량 및 증착 속도를 측정한다. 증착 센서에서 측정된 증발량 및 증착 속도(혹은 레이트)에 따라서 기판에 증착되는 증착 물질의 두께가 결정된다. 따라서, 기판에 형성되는 증착 두께를 균일하게 만들기 위해, 정확한 증착 레이트의 측정이 필요하다. 이때, 대면적 기판에서 기판 내 증착 두께의 균일도를 높이기 위하여 복수의 증착원들이 증착에 사용될 경우, 증착 센서는 측정 대상 증착원에서 분사되는 증착 물질의 증발량 및 증착 레이트를 독립적으로 측정한다.A deposition apparatus for manufacturing an organic light emitting display device includes a deposition source for providing a deposition material on a substrate and a sensing unit for measuring a thickness of the deposition material deposited on the substrate. The sensing unit includes a deposition sensor, and the deposition sensor measures an evaporation amount and a deposition rate of a deposition material evaporated from an deposition source. The thickness of the deposition material deposited on the substrate is determined according to the evaporation rate and the deposition rate (or rate) measured by the deposition sensor. Therefore, in order to make the deposition thickness formed on the substrate uniform, it is necessary to accurately measure the deposition rate. In this case, when a plurality of deposition sources are used for deposition in order to increase the uniformity of the deposition thickness in the substrate on a large-area substrate, the deposition sensor independently measures the evaporation amount and deposition rate of the deposition material sprayed from the measurement target deposition source.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 측정 센서가 아닌, 측정 센서 외측의 적어도 일부를 둘러싼 증착 측정 위치 제어 기구의 이동을 통해, 측정 대상 증착원으로부터 분사된 증착 물질만을 선택하여 해당 증착 물질 레이트를 효율적으로 측정하고 제어하는 증착 제어 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to select only the deposition material sprayed from the deposition source to be measured through the movement of the deposition measurement position control mechanism surrounding at least a part of the outside of the measurement sensor, not the measurement sensor to efficiently select the deposition material rate It is to provide a deposition control device that measures and controls.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 측정 센서가 아닌, 측정 센서 외측의 적어도 일부를 둘러싼 증착 측정 위치 제어 기구의 이동을 통해, 측정 대상 증착원으로부터 분사된 증착 물질만을 선택하여 해당 증착 물질 레이트를 효율적으로 측정하고 제어하는 증착 제어 장치를 이용한 디스플레이 제조 방법을 제공하는 것이다.Another technical problem to be solved by the present invention is to select only the deposition material sprayed from the deposition source to be measured through the movement of the deposition measurement position control mechanism surrounding at least a part of the outside of the measurement sensor, not the measurement sensor, to determine the deposition material rate An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a display using a deposition control device that efficiently measures and controls.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원, 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원; 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서, 및 제1 개구부와 제2 개구부를 포함하는 제1 증착 측정 위치 제어 기구를 포함하되, 제1 증착 위치 제어 기구를 이동하여, 제1 분사 경로가 제1 개구부를 통과하여 증착 센서와 만난다.A deposition control apparatus according to some embodiments of the present invention for achieving the above technical problem includes a first deposition source for spraying a deposition material along a first injection path, and a second deposition for spraying a deposition material along a second injection path won; a deposition sensor for measuring a deposition thickness of the deposition material, and a first deposition measurement position control mechanism including a first opening and a second opening, wherein the first deposition position control mechanism is moved so that the first jetting path is changed to a first It passes through the opening and meets the deposition sensor.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착 위치 제어 기구를 이동하여, 제2 분사 경로가 제2 개구부를 통과하여 증착 센서와 만난다.In the deposition control apparatus according to some embodiments, the first deposition position control mechanism is moved so that the second jetting path passes through the second opening to meet the deposition sensor.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착 위치 제어 기구를 이동시키는 모터 구동축, 및 모터 구동축의 위치를 감지하는 구동축 위치 센서를 더 포함한다.The deposition control apparatus according to some embodiments further includes a motor drive shaft for moving the first deposition position control mechanism, and a drive shaft position sensor for sensing a position of the motor drive shaft.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 증착 센서를 구동하는 센서 구동 장치, 센서 구동 장치와 구동축 위치 센서를 제어하여, 증착 레이트를 계산하는 컨트롤러, 증착 레이트를 PID 연산하여 PID 연산값을 생성하는 PID 연산기, 및 PID 연산값을 이용하여 전원을 생산하는 전원 공급기를 더 포함한다.A deposition control device according to some embodiments includes a sensor driving device for driving a deposition sensor, a controller for calculating a deposition rate by controlling the sensor driving device and a driving shaft position sensor, and a PID for generating a PID calculation value by performing a PID calculation on the deposition rate It further includes an operator and a power supply for generating power using the PID calculation value.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 전원 공급기는 제1 전원 공급기와 제2 전원 공급기를 포함하며, 제1 전원 공급기는 제1 증착원에 제1 전원을 공급하고, 제2 전원 공급기는 제2 증착원에 제2 전원을 공급한다.In an apparatus for controlling deposition according to some embodiments, the power supply includes a first power supply and a second power supply, the first power supply supplies the first power to the first deposition source, and the second power supply is the second power supply. A second power is supplied to the deposition source.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원과 제2 증착원은 증착 물질을 가열하는 각각의 제1 히터와 제2 히터를 포함한다.In the deposition control apparatus according to some embodiments, the first deposition source and the second deposition source include first and second heaters, respectively, for heating a deposition material.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원은 증착 물질을 가열하는 제3 히터를 더 포함한다.In the deposition control apparatus according to some embodiments, the first deposition source further includes a third heater configured to heat the deposition material.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원과 연결되어, 증착 물질을 제1 분사 경로로 분사하는 제1 노즐, 및 제2 증착원과 연결되어, 증착 물질을 제2 분사 경로로 분사하는 제2 노즐을 더 포함한다.A deposition control apparatus according to some embodiments may include a first nozzle connected to a first deposition source to spray a deposition material to a first injection path, and a second deposition source to spray a deposition material to a second injection path. It further includes a second nozzle.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원과 연결되어, 증착 물질을 제3 분사 경로로 분사하는 제3 노즐을 더 포함한다.The deposition control apparatus according to some embodiments may further include a third nozzle connected to the first deposition source and configured to spray the deposition material into the third injection path.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제3 개구부와 제4 개구부를 포함하는 제2 증착 측정 위치 제어 기구를 더 포함하되, 제2 증착 위치 제어 기구가 이동하여, 제1 분사 경로가 제1 개구부와 제3 개구부를 모두 통과하여 증착 센서와 만나거나, 제2 분사 경로가 제2 개구부와 제4 개구부를 모두 통과하여 증착 센서와 만난다.A deposition control apparatus according to some embodiments further includes a second deposition measurement position control mechanism including a third opening and a fourth opening, wherein the second deposition position control mechanism is moved so that the first injection path is changed to the first opening and the third opening to meet the deposition sensor, or the second injection path passes through both the second opening and the fourth opening to meet the deposition sensor.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원, 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원, 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서, 및 파이프와 연결된 증착 측정 위치 제어 기구를 포함하되, 증착 위치 제어 기구를 이동하여, 제1 분사 경로가 파이프를 통과하여 증착 센서와 만난다.A deposition control apparatus according to some embodiments of the present invention for achieving the above technical problem includes a first deposition source for spraying a deposition material along a first injection path, and a second deposition for spraying a deposition material along a second injection path A circle, a deposition sensor for measuring the deposition thickness of the deposition material, and a deposition measurement position control mechanism connected to the pipe, wherein the deposition position control mechanism is moved so that the first jetting path passes through the pipe and meets the deposition sensor.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 증착 위치 제어 기구를 이동하여, 제2 분사 경로가 파이프를 통과하여 증착 센서와 만난다.The deposition control apparatus according to some embodiments moves the deposition position control mechanism so that the second injection path passes through the pipe and meets the deposition sensor.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 증착 위치 제어 기구를 이동시키는 모터 구동축, 및 모터 구동축의 위치를 감지하는 구동축 위치 센서를 더 포함한다.The deposition control apparatus according to some embodiments further includes a motor drive shaft for moving the deposition position control mechanism, and a drive shaft position sensor for sensing a position of the motor drive shaft.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 증착 센서를 구동하는 센서 구동 장치, 센서 구동 장치와 구동축 위치 센서를 제어하여, 증착 레이트를 계산하는 컨트롤러, 증착 레이트를 PID 연산하여 PID 연산값을 생성하는 PID 연산기, 및 PID 연산값을 이용하여 전원을 생산하는 전원 공급기를 더 포함한다.A deposition control device according to some embodiments includes a sensor driving device for driving a deposition sensor, a controller for calculating a deposition rate by controlling the sensor driving device and a driving shaft position sensor, and a PID for generating a PID calculation value by performing a PID calculation on the deposition rate It further includes an operator and a power supply for generating power using the PID calculation value.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 전원 공급기는 제1 전원 공급기와 제2 전원 공급기를 포함하며, 제1 전원 공급기는 제1 증착원에 제1 전원을 공급하고, 제2 전원 공급기는 제2 증착원에 제2 전원을 공급한다.In an apparatus for controlling deposition according to some embodiments, the power supply includes a first power supply and a second power supply, the first power supply supplies the first power to the first deposition source, and the second power supply is the second power supply. A second power is supplied to the deposition source.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원과 제2 증착원은 증착 물질을 가열하는 각각의 제1 히터와 제2 히터를 포함한다.In the deposition control apparatus according to some embodiments, the first deposition source and the second deposition source include first and second heaters, respectively, for heating a deposition material.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원은 증착 물질을 가열하는 제3 히터를 더 포함한다.In the deposition control apparatus according to some embodiments, the first deposition source further includes a third heater configured to heat the deposition material.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원과 연결되어, 증착 물질을 제1 분사 경로로 분사하는 제1 노즐, 및 제2 증착원과 연결되어, 증착 물질을 제2 분사 경로로 분사하는 제2 노즐을 더 포함한다.A deposition control apparatus according to some embodiments may include a first nozzle connected to a first deposition source to spray a deposition material to a first injection path, and a second deposition source to spray a deposition material to a second injection path. It further includes a second nozzle.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치는, 제1 증착원과 연결되어, 증착 물질을 제3 분사 경로로 분사하는 제3 노즐을 더 포함한다.The deposition control apparatus according to some embodiments may further include a third nozzle connected to the first deposition source and configured to spray the deposition material into the third injection path.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 디스플레이 제조 방법은, 증착 제어 장치를 이용하여 기판에 증착 물질을 증착하는 디스플레이 제조 방법에 있어서, 기판을 이송하고, 증착 제어 장치와 기판이 소정 간격으로 이격된 상태에서, 증착 제어 장치에 의해 증발된 증착 물질을 기판 상에 증착하고, 증착 물질이 증착된 기판을 회송하는 것을 포함하되, 증착 물질을 증착하는 것은 증착 제어 장치를 통해 증착 물질의 증착 레이트를 주기적으로 측정하는 것을 포함하고, 증착 제어 장치는, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원, 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원, 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서, 및 제1 개구부와 제2 개구부를 포함하는 증착 측정 위치 제어 기구를 포함하되, 증착 위치 제어 기구를 이동하여, 제1 분사 경로가 제1 개구부를 통과하여 증착 센서와 만난다.In a display manufacturing method for depositing a deposition material on a substrate using a deposition control device, the display manufacturing method according to some embodiments of the present invention for achieving the above technical problem includes transferring the substrate, and the deposition control device and the substrate Depositing a deposition material evaporated by a deposition control device on a substrate in a state spaced apart by a predetermined interval, and returning the substrate on which the deposition material is deposited, wherein depositing the deposition material is performed through a deposition control device and periodically measuring the deposition rate of the deposition control device, comprising: a first deposition source for jetting a deposition material along a first jetting path; a second deposition source for jetting a deposition material along a second jetting path; a deposition sensor for measuring a deposition thickness of the material, and a deposition measurement position control mechanism comprising a first opening and a second opening, wherein the deposition position control mechanism is moved so that the first jet path passes through the first opening for depositing the material. meets the sensor.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 디스플레이 제조 방법은, 증착 제어 장치를 이용하여 기판에 증착 물질을 증착하는 디스플레이 제조 방법에 있어서, 기판을 이송하고, 증착 제어 장치와 기판이 소정 간격으로 이격된 상태에서, 증착 제어 장치에 의해 증발된 증착 물질을 기판 상에 증착하고, 증착 물질이 증착된 기판을 회송하는 것을 포함하되, 증착 물질을 증착하는 것은 증착 제어 장치를 통해 증착 물질의 증착 레이트를 주기적으로 측정하는 것을 포함하고, 증착 제어 장치는, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원, 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원, 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서, 및 파이프와 연결된 증착 측정 위치 제어 기구를 포함하되, 증착 위치 제어 기구를 이동하여, 제1 분사 경로가 파이프를 통과하여 증착 센서와 만난다.In a display manufacturing method for depositing a deposition material on a substrate using a deposition control device, the display manufacturing method according to some embodiments of the present invention for achieving the above technical problem includes transferring the substrate, and the deposition control device and the substrate Depositing a deposition material evaporated by a deposition control device on a substrate in a state spaced apart by a predetermined interval, and returning the substrate on which the deposition material is deposited, wherein depositing the deposition material is performed through a deposition control device and periodically measuring the deposition rate of the deposition control device, comprising: a first deposition source for jetting a deposition material along a first jetting path; a second deposition source for jetting a deposition material along a second jetting path; a deposition sensor for measuring a deposition thickness of the material, and a deposition measurement position control mechanism connected to the pipe, wherein the deposition position control mechanism is moved so that a first jet path passes through the pipe and meets the deposition sensor.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 증착 제어 장치 및 증착 제어 장치 동작 방법은 센싱부의 증착 측정 위치 제어 기구를 효율적으로 이동하여, 복수의 증착원으로부터 증발되는 증착 물질의 증착 레이트를 위치가 고정된 1개의 증착 센서로부터 독립적으로 측정하고 제어할 수 있다. 또한 복수의 증착원으로부터 증발되는 증착 물질의 증착 레이트를 독립적으로 제어하여 대면적 기판에서 기판 내 증착 두께의 균일도를 향상시킬 수 있다.The deposition control apparatus and the method of operating the deposition control apparatus of the present invention efficiently move the deposition measurement position control mechanism of the sensing unit to independently determine the deposition rate of deposition materials evaporated from a plurality of deposition sources from one deposition sensor having a fixed position. can be measured and controlled. In addition, by independently controlling the deposition rate of the deposition material evaporated from the plurality of deposition sources, it is possible to improve the uniformity of the deposition thickness in the substrate on a large area substrate.

도 1은 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 포함하는 디스플레이 제조 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.
도 2는 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.
도 3은 몇몇 실시예에 따른 센싱부(300)를 도시하는 예시적인 도면이다.
도 4는 몇몇 실시예에 따른 다른 센싱부(300-2)를 도시하는 다른 예시적인 도면이다.
도 5는 몇몇 실시예에 따른 도 4의 증착 측정 위치 제어 기구(310-2)의 예시적인 분해도이다.
도 6은 몇몇 실시예에 따른 도 2의 증착 제어 장치를 통해, 증착 레이트가 독립적으로 측정되는 원리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 7은 몇몇 실시예에 따른 제어부(200)가 증착 레이트를 측정하는 예시적인 그래프이다.
도 8은 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.
도 9는 몇몇 실시예에 따른 도 8의 증착 제어 장치를 통해, 증착 레이트를 측정하는 원리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 10은 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치 동작 방법을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.
도 11는 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.
도 12는 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치의 센싱부(300-3)를 도시하는 예시적인 도면이다.
도 13은 몇몇 실시예에 따른 도 12의 센싱부(300-3)의 예시적인 분해도이다.
도 14는 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.
도 15는 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치 동작 방법을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.
도 16은 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치에 의해, 기판에 증착된 증착 물질의 두께를 측정한 예시적인 그래프이다.
도 17은 종래 증착 제어 장치에 의해, 기판에 증착된 증착 물질의 두께를 측정한 다른 예시적인 그래프이다.
1 is an exemplary diagram illustrating an apparatus for manufacturing a display including a deposition control apparatus according to some embodiments.
2 is an exemplary diagram illustrating a deposition control apparatus according to some embodiments.
3 is an exemplary diagram illustrating a sensing unit 300 according to some embodiments.
4 is another exemplary diagram illustrating another sensing unit 300 - 2 according to some embodiments.
5 is an exemplary exploded view of the deposition measurement position control mechanism 310 - 2 of FIG. 4 in accordance with some embodiments.
FIG. 6 is an exemplary view for explaining a principle in which a deposition rate is independently measured through the deposition control apparatus of FIG. 2 according to some embodiments.
7 is an exemplary graph in which the controller 200 measures a deposition rate according to some embodiments.
8 is an exemplary diagram illustrating another deposition control apparatus according to some embodiments.
9 is an exemplary view for explaining a principle of measuring a deposition rate through the deposition control apparatus of FIG. 8 according to some embodiments.
10 is an exemplary flowchart for describing a method of operating a deposition control apparatus according to some embodiments.
11 is an exemplary diagram illustrating a deposition control apparatus according to some embodiments.
12 is an exemplary diagram illustrating a sensing unit 300 - 3 of another deposition control apparatus according to some embodiments.
13 is an exemplary exploded view of the sensing unit 300 - 3 of FIG. 12 according to some embodiments.
14 is an exemplary diagram illustrating another deposition control apparatus according to some embodiments.
15 is an exemplary flowchart illustrating another method of operating a deposition control apparatus according to some embodiments.
16 is an exemplary graph in which a thickness of a deposition material deposited on a substrate is measured by a deposition control apparatus according to some embodiments.
17 is another exemplary graph in which a thickness of a deposition material deposited on a substrate is measured by a conventional deposition control apparatus.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Relative sizes of layers and regions in the drawings may be exaggerated for clarity of description. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. When an element is referred to as being “connected to” or “coupled to” another element with another element, it means that it is directly connected or coupled to another element, or with the other element intervening. including all cases. On the other hand, when one element is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another element, it indicates that another element is not interposed therebetween.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. Like reference numerals refer to like elements throughout. “and/or” includes each and every combination of one or more of the recited items.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. Reference to an element or layer “on” or “on” another element or layer includes not only directly on the other element or layer, but also with intervening other layers or elements. include all On the other hand, reference to an element "directly on" or "immediately on" indicates that no intervening element or layer is interposed.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다. Although first, second, etc. are used to describe various elements, components, and/or sections, it should be understood that these elements, components, and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component, or sections from another. Accordingly, it goes without saying that the first element, the first element, or the first section mentioned below may be the second element, the second element, or the second section within the spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. As used herein, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements mentioned. or addition is not excluded.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly defined in particular.

도 1은 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 포함하는 디스플레이 제조 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.1 is an exemplary diagram illustrating an apparatus for manufacturing a display including a deposition control apparatus according to some embodiments.

도 1을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 포함하는 디스플레이 제조 장치는 진공 챔버(30) 내에 배치된 기판(S), 증착부(100), 및 센싱부(300)와 제어부(200)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a display manufacturing apparatus including a deposition control device according to some embodiments includes a substrate S disposed in a vacuum chamber 30 , a deposition unit 100 , a sensing unit 300 , and a control unit 200 . ) is included.

진공 챔버(30)는 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 막아줄 수 있다. 또한, 진공 챔버(30)는 기판(S) 상에 형성되는 증착 물질이 증착부(100)로부터 분사 될 때, 분사 경로(예를 들어, R1 내지 R3)의 직진성을 확보시켜 주기 위해 진공 챔버(30) 내부를 고진공 상태로 유지시켜줄 수 있다. 참고적으로, 분사 경로는 본 도면에 제한되지 않고 더 많은 분사 경로를 가질 수 있다.The vacuum chamber 30 may prevent foreign substances from being introduced from the outside. In addition, when the deposition material formed on the substrate S is sprayed from the deposition unit 100, the vacuum chamber 30 is a vacuum chamber (for example, R1 to R3) in order to ensure straightness of the injection path (eg, R1 to R3). 30) It can keep the inside in a high vacuum state. For reference, the injection path is not limited to this figure and may have more injection paths.

증착부(100)는 디스플레이를 제조하기 위해 증착 물질을 가열하여 박막 제조 대상 물질을 기화시킬 수 있다. 이때, 증착부(100)는 각 시작점이 x축 방향으로 기판(S)과 평행하게 일렬로 배치되는 제1 분사 경로(R1), 제2 분사 경로(R2), 또는 제3 분사 경로(R3)를 통해 기판(S)으로 분사할 수 있다.기판(S)은 도시되지 않았지만 지지 수단에 의해 고정될 수 있다. 또한 기판(S)은 도시되지 않았지만 이송 수단에 의해 y축 방향으로 이송될 수도 있다.The deposition unit 100 may vaporize the thin film manufacturing target material by heating the deposition material in order to manufacture a display. In this case, the deposition unit 100 includes a first jetting path R1 , a second jetting path R2 , or a third jetting path R3 in which each starting point is arranged in a line parallel to the substrate S in the x-axis direction. may be injected to the substrate S through the . The substrate S may be fixed by a supporting means although not shown. Also, although not shown, the substrate S may be transferred in the y-axis direction by a transfer means.

증착 영역(20, deposition area)은 증착 물질이 각각의 제1 분사 경로(R1), 제2 분사 경로(R2), 또는 제3 분사 경로(R3)를 통해 분사되어 기판(S) 상에 생성되는 영역일 수 있다.The deposition area 20 is formed on the substrate S by spraying the deposition material through each of the first jetting path R1, the second jetting path R2, or the third jetting path R3. It can be an area.

제1 내지 제3 분사 경로(R1, R2, R3)에 대응되는 증착 영역(20)은 서로 간에 이격되어 있는 것으로 도시되었지만, 설명의 편의성을 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 분사 경로(R1) 및 제2 분사 경로(R2)의 적어도 일부는 중첩될 수 있다. 이를 통해, 기판(S) 상의 증착 영역(20)의 적어도 일부는 제1 분사 경로(R1) 및 제2 분사 경로(R2)를 통해 이동한 증착 물질을 포함할 수 있다. Although the deposition regions 20 corresponding to the first to third injection paths R1 , R2 , and R3 are shown to be spaced apart from each other, this is only for convenience of description and is not limited thereto. For example, at least a portion of the first injection path R1 and the second injection path R2 may overlap. Through this, at least a portion of the deposition region 20 on the substrate S may include the deposition material that has moved through the first jetting path R1 and the second jetting path R2 .

디스플레이 제조 장치의 동작 신뢰성을 향상시키기 위해선, 증착 영역(20)을 형성하는 증착 물질의 두께의 균일도가 향상되어야 한다. 증착 영역(20)을 형성하는 증착 물질의 두께의 균일도를 향상시키기 위해서, 증착부(100)로부터 분사되는 증착 물질의 레이트(혹은, 속도)를 센싱부(300)를 통해 각 분사 경로 별로 독립적으로 측정하고, 제어할 필요가 있다. In order to improve the operation reliability of the display manufacturing apparatus, the uniformity of the thickness of the deposition material forming the deposition region 20 should be improved. In order to improve the uniformity of the thickness of the deposition material forming the deposition region 20 , the rate (or speed) of the deposition material sprayed from the deposition unit 100 is independently measured for each injection path through the sensing unit 300 . It needs to be measured and controlled.

센싱부(300)는 증착부(100)로부터 분사되는 증착 물질들의 레이트를 측정하기 위해, 제1 분사 경로(R1) 내지 제3 분사 경로(R3)를 통해 분사되는 각각의 증착 물질에 대해 독립적으로 레이트를 측정한다.In order to measure the rate of the deposition materials sprayed from the deposition unit 100 , the sensing unit 300 is independently configured for each deposition material injected through the first injection path R1 to the third injection path R3 . measure the rate.

예를 들어, 센싱부(300)는 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질의 레이트 측정 정확도를 높이기 위해, 제2 분사 경로(R2) 및 제3 분사 경로(R3)를 통해 분사되는 증착 물질의 유입을 막아야한다. 또는, 센싱부(300)는 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질의 레이트 측정 정확도를 높이기 위해, 제1 분사 경로(R1) 및 제3 분사 경로(R3)를 통해 분사되는 증착 물질의 유입을 막아야한다. 또는, 센싱부(300)는 제3 분사 경로(R3)를 통해 분사되는 증착 물질의 레이트 측정 정확도를 높이기 위해, 제1 분사 경로(R1) 및 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질의 유입을 막아야한다For example, the sensing unit 300 may be sprayed through the second injection path R2 and the third injection path R3 in order to increase accuracy of rate measurement of the deposition material injected through the first injection path R1. The ingress of the deposition material must be prevented. Alternatively, the sensing unit 300 may include the deposition material injected through the first injection path R1 and the third injection path R3 in order to increase the accuracy of rate measurement of the deposition material injected through the second injection path R2 . should prevent the influx of Alternatively, the sensing unit 300 may include the deposition material injected through the first injection path R1 and the second injection path R2 in order to increase the accuracy of rate measurement of the deposition material injected through the third injection path R3 . should prevent the influx of

이때, 센싱부(300) 내의 측정 센서 및 센서 구동 장치를 이동하여 해당 분사 경로의 증착 물질 레이트를 측정하는 경우를 예를 들면, 무거운 측정 센서 및 센서 구동 장치의 무게의 이동으로 인해, 디스플레이 제조 장치에 가중되는 부하가 높아질 수 있다.At this time, in the case of measuring the deposition material rate of the corresponding injection path by moving the measuring sensor and the sensor driving device in the sensing unit 300 , for example, due to the movement of the weight of the heavy measuring sensor and the sensor driving device, the display manufacturing apparatus The load on the can be increased.

따라서, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 포함하는 디스플레이 제조 장치는 센싱부(300) 내의 측정 센서 및 센서 구동 장치는 고정되고, 측정 센서의 적어도 일부를 둘러싼 증착 측정 위치 제어 기구의 이동을 통해서, 측정 대상 증착 물질의 분사 경로만을 선별하여 측정할 수 있다. 이를 통해, 디스플레이 제조 장치의 동작 주기가 신속해질 수 있으며, 제어부(200)를 통한 제어가 더욱 더 정밀해 질 수 있다. 또한, 큰 무게의 증착 센서(340) 및 센서 구동 장치(350)가 이동하지 않으므로, 디스플레이 제조 장치에 가중되는 부하가 감소될 수 있다.Accordingly, in the display manufacturing apparatus including the deposition control device according to some embodiments, the measurement sensor and the sensor driving device in the sensing unit 300 are fixed, and through the movement of the deposition measurement position control mechanism surrounding at least a portion of the measurement sensor, Only the injection path of the deposition material to be measured can be selected and measured. Through this, an operation cycle of the display manufacturing apparatus may be accelerated, and control through the controller 200 may be more precise. In addition, since the heavy deposition sensor 340 and the sensor driving device 350 do not move, a load on the display manufacturing device may be reduced.

이하에서, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치의 구성 및 동작에 대해 자세히 살펴본다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 기판(S), 증착 영역(20), 및 챔버(30)는 도면에서 생략하고 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the deposition control apparatus according to some embodiments will be described in detail. Hereinafter, for convenience of description, the substrate S, the deposition region 20 , and the chamber 30 will be omitted from the drawings.

도 2는 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다. 참고적으로, 도 2는 2개의 증착원(112, 122)만을 도시하였다.2 is an exemplary diagram illustrating a deposition control apparatus according to some embodiments. For reference, FIG. 2 shows only two deposition sources 112 and 122 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치(1)는 증착부(100), 제어부(200), 및 센싱부(300)를 포함한다.1 and 2 , the deposition control apparatus 1 according to some embodiments includes a deposition unit 100 , a control unit 200 , and a sensing unit 300 .

몇몇 실시예에 따른 증착부(100)는 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)을 포함한다. 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)은 유기 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.The deposition unit 100 according to some embodiments includes a first deposition source 112 and a second deposition source 122 . The first deposition source 112 and the second deposition source 122 may include organic or inorganic materials.

제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)은 기판(S)에 증착되는 증착용 박막의 특성에 따라 세라믹 등 비금속성 재질 또는 금속성 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)은 소정의 직경을 가지는 원통 형상의 통 형태이거나, 소정의 단면적을 가지는 다각형 형태를 가질 수도 있다. 이에 더하여, 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)은 모서리 부분에서 발생하는 응력을 최소화하기 위해 모서리 부분이 둥근 형상을 가질 수 있다.The first deposition source 112 and the second deposition source 122 may be formed of a non-metallic material such as ceramic or a metallic material according to the characteristics of the deposition thin film deposited on the substrate S. In addition, the first deposition source 112 and the second deposition source 122 may have a cylindrical shape having a predetermined diameter or a polygonal shape having a predetermined cross-sectional area. In addition, the first deposition source 112 and the second deposition source 122 may have rounded corners in order to minimize stress generated at the corners.

제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)은 각각 제1 히터(114)와 제2 히터(124)를 포함한다. 제1 히터(114)와 제2 히터(124) 각각은, 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122) 각각에 포함된 증착 물질을 가열시킬 수 있다. 제1 히터(114)와 제2 히터(124)는 제어부(200)로부터 수신한 신호를 통해 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122) 각각에 포함된 증발 물질을 일정 온도로 가열할 수 있다. The first deposition source 112 and the second deposition source 122 include a first heater 114 and a second heater 124 , respectively. Each of the first heater 114 and the second heater 124 may heat a deposition material included in each of the first deposition source 112 and the second deposition source 122 . The first heater 114 and the second heater 124 heat the evaporation material included in each of the first deposition source 112 and the second deposition source 122 to a predetermined temperature through a signal received from the controller 200 . can do.

또한, 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122) 각각은 증착 물질을 제1 분사 경로(R1)로 분사하는 제1 노즐(116)과 증착 물질을 제2 분사 경로(R2)로 분사하는 제2 노즐(126)과 연결된다. 제1 노즐(116)과 제2 노즐(126)은 각각 제1 증착원(112) 및 제2 증착원(122)과 일 구성으로 포함될 수도 있으며, 별도의 구성으로 탈착 가능하도록 결합될 수도 있다.In addition, each of the first deposition source 112 and the second deposition source 122 includes a first nozzle 116 for spraying the deposition material through the first jetting path R1 and the deposition material through the second jetting path R2 , respectively. It is connected to the second nozzle 126 for spraying. The first nozzle 116 and the second nozzle 126 may be included in one configuration with the first deposition source 112 and the second deposition source 122 , respectively, or may be detachably coupled as separate configurations.

제1 노즐(116)과 제2 노즐(126)은 제1 증착원(112) 및 제2 증착원(122)이 증착 물질을 수용한 수용 공간과 연동되도록 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 증착되는 증착용 박막의 특성에 따라 연직 방향으로의 단면 형상이 본 도면에 제한되지 않고, 다양한 형상을 가질 수 있다. 몇몇 실시예에 따르면 제1 노즐(116)과 제2 노즐(126)은 높이 방향으로 출구로 갈수록 직경이 작아지는 벤츄리(venturi) 노즐일 수 있다. 다른 몇몇 실시예에 따르면, 제1 노즐(116)과 제2 노즐(126)의 관로 중간이 관로 단부의 단면적보다 작은 직경인 오리피스(orifice) 노즐일 수 있다. 각각의 증착 경로(R1, R2)는 각각의 노즐(116, 126)에 대응될 수 있다. In the first nozzle 116 and the second nozzle 126 , injection holes may be formed so that the first deposition source 112 and the second deposition source 122 are interlocked with an accommodating space containing the deposition material. A cross-sectional shape of the injection hole in the vertical direction is not limited to this drawing according to the characteristics of the deposition thin film to be deposited, and may have various shapes. According to some embodiments, the first nozzle 116 and the second nozzle 126 may be venturi nozzles whose diameters decrease toward the exit in the height direction. According to some other embodiments, the middle of the conduit between the first nozzle 116 and the second nozzle 126 may be an orifice nozzle having a smaller diameter than the cross-sectional area of the end of the conduit. Each of the deposition paths R1 and R2 may correspond to each of the nozzles 116 and 126 .

증착 물질은 제1 분사 경로(R1) 혹은 제2 분사 경로(R2) 중 어느 하나의 경로를 통해 센싱부(300) 내의 증착 센서(340)로 전달될 수 있다. 예를 들어, 제1 노즐(116)로부터 분사된 증착 물질이 제1 분사 경로(R1)를 따라 증착 센서(340)로 전달되면, 제2 노즐(126)로부터 분사된 증착 물질은 증착 센서(340)로 전달되지 않는다. 반대로, 제2 노즐(126)로부터 분사된 증착 물질이 제2 분사 경로(R2)를 따라 증착 센서(340)로 전달되면, 제1 노즐(116)로부터 분사된 증착 물질은 증착 센서(340)로 전달되지 않는다.The deposition material may be delivered to the deposition sensor 340 in the sensing unit 300 through any one of the first jetting path R1 and the second jetting path R2 . For example, when the deposition material injected from the first nozzle 116 is transferred to the deposition sensor 340 along the first injection path R1 , the deposition material injected from the second nozzle 126 is transferred to the deposition sensor 340 . ) is not transmitted. Conversely, when the deposition material injected from the second nozzle 126 is transferred to the deposition sensor 340 along the second injection path R2 , the deposition material injected from the first nozzle 116 is transferred to the deposition sensor 340 . not transmitted

즉, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치(1)는 측정하고자 하는 증착 물질의 레이트를 정확히 측정하기 위해, 측정 대상인 노즐에서 분사된 측정 대상 증착 물질에 대해서만 센싱부(300)를 통해 전달받고, 측정 대상이 아닌 노즐에서 분사된 증착 물질은 센싱부(300)에 전달되지 않도록 제어될 수 있다. 이때, 증착 제어 장치(1)의 센싱부(300)의 증착 센서(340) 및 센서 구동 장치(350)가 측정 대상 증발 물질의 경로를 따라 이동하지 않고, 증착 측정 위치 제어 기구(310)가 이동함으로써, 증착 제어 장치(1)의 작동 주기가 빨라질 수 있다. 또한, 상대적으로 무거운 무게를 갖는 증착 센서(340) 및 센서 구동 장치(350)가 이동하지 않기 때문에, 증착 제어 장치(1)에 부하가 적게 형성되어 증착 제어 장치(1)의 내구성이 증대될 수 있다. 증착 측정 위치 제어 기구(310)의 이동은 이후의 센싱부(300)에 대한 설명을 통해 자세히 기술한다.That is, in order to accurately measure the rate of the deposition material to be measured, the deposition control apparatus 1 according to some embodiments receives only the measurement target deposition material injected from the measurement target nozzle through the sensing unit 300, and measures The deposition material injected from the nozzle other than the target may be controlled not to be transmitted to the sensing unit 300 . In this case, the deposition sensor 340 and the sensor driving device 350 of the sensing unit 300 of the deposition control device 1 do not move along the path of the measurement target evaporation material, but the deposition measurement position control device 310 moves. By doing so, the operation cycle of the deposition control device 1 can be accelerated. In addition, since the deposition sensor 340 and the sensor driving device 350 having a relatively heavy weight do not move, a load is formed on the deposition control device 1 to be small, so that the durability of the deposition control device 1 can be increased. have. The movement of the deposition measuring position control mechanism 310 will be described in detail through the description of the sensing unit 300 .

본 도면의 증착부(100)는 예시적으로 도시된 것이며, 증착부(100) 내의 증착원의 형태와 개수 등은 본 도면에 제한되지 않는다.The deposition unit 100 in this figure is illustrated by way of example, and the shape and number of deposition sources in the deposition unit 100 are not limited thereto.

몇몇 실시예에 따른 센싱부(300)는 증착 물질의 레이트 혹은 두께를 측정하는 증착 센서(340), 증착 센서(340)를 구동하는 센서 구동 장치(350)를 포함한다. 또한, 몇몇 실시예에 따른 센싱부(300)는 증착 센서(340)로 분사되는 증착 물질을 선별하여 통과시키는 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 포함한다. 또한, 몇몇 실시예에 따른 센싱부(300)는 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 이동시키는 모터 구동축(370), 모터 구동축(370)의 위치 변화를 감지하는 구동축 위치 센서(330)를 포함한다.The sensing unit 300 according to some embodiments includes a deposition sensor 340 measuring a rate or thickness of a deposition material, and a sensor driving device 350 driving the deposition sensor 340 . In addition, the sensing unit 300 according to some embodiments includes a deposition measurement position control mechanism 310 that selects and passes the deposition material sprayed to the deposition sensor 340 . In addition, the sensing unit 300 according to some embodiments includes a motor driving shaft 370 for moving the deposition measurement position control mechanism 310 , and a driving shaft position sensor 330 for detecting a change in the position of the motor driving shaft 370 . .

증착 센서(340)는 예를 들어, QCM(Quartz Crystal Microbalance) 센서일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. QCM 센서의 경우, QCM 센서 내 수정자(도시되지 않음)가 압전 효과에 의해 일정 주파수로 진동할 수 있다. 이때, 증착 물질이 수정자에 증착됨에 따라, 수정자의 주파수에 변화가 생길 수 있다. 이러한 주파수 변화를 통해 증착 물질의 레이트(혹은 속도), 및/또는 증착 물질이 증착 영역에 증착되는 증착 두께를 측정할 수 있다.The deposition sensor 340 may be, for example, a Quartz Crystal Microbalance (QCM) sensor, but is not limited thereto. In the case of a QCM sensor, a modifier (not shown) in the QCM sensor may vibrate at a constant frequency due to the piezoelectric effect. In this case, as the deposition material is deposited on the modifier, a frequency of the modifier may be changed. Through this frequency change, the rate (or velocity) of the deposition material and/or the deposition thickness at which the deposition material is deposited on the deposition region may be measured.

센서 구동 장치(350)는 증착 센서(340)를 포함하거나, 증착 센서(340)와 연결되어 증착 센서(340)를 교체해줄 수 있다.The sensor driving device 350 may include the deposition sensor 340 or may be connected to the deposition sensor 340 to replace the deposition sensor 340 .

증착 측정 위치 제어 기구(310)는 증착 센서(340)의 측정 대상 증착 물질만을 증착 센서(340)에 전달시키기 위해, 복수의 개구부를 포함할 수 있다. 이에 대해, 도 3을 통해 자세히 살펴본다.The deposition measurement position control mechanism 310 may include a plurality of openings to transmit only the deposition material to be measured by the deposition sensor 340 to the deposition sensor 340 . This will be described in detail with reference to FIG. 3 .

도 3은 몇몇 실시예에 따른 센싱부(300)를 도시하는 예시적인 도면이다.3 is an exemplary diagram illustrating a sensing unit 300 according to some embodiments.

도 2 및 도 3을 참조하면, 증착 측정 위치 제어 기구(310)는 제1 개구부(322)와 제2 개구부(324)를 포함할 수 있다. 개구부의 개수 및 형태가 본 도면에 의해 제한되는 것은 아니고, 증착 측정 위치 제어 기구(310)는 다양한 형태 및 개수를 포함할 수 있다.2 and 3 , the deposition measurement position control mechanism 310 may include a first opening 322 and a second opening 324 . The number and shape of the openings are not limited by this drawing, and the deposition measurement position control mechanism 310 may include various shapes and numbers.

증착 측정 위치 제어 기구(310)는 모터 구동축(370)와 연결되어, 모터 구동축(370)의 회전과 함께 회전될 수 있다. 이때, 증착 측정 위치 제어 기구(310)는 증착 센서(340)가 측정하고자 하는 대상 증착 물질만이 증착 센서(340)에 도달하도록, 개구부와 증착 센서(340)를 일정 방향으로 나열할 수 있다.The deposition measurement position control mechanism 310 may be connected to the motor driving shaft 370 and rotate together with the rotation of the motor driving shaft 370 . In this case, the deposition measurement position control mechanism 310 may arrange the opening and the deposition sensor 340 in a predetermined direction so that only the target deposition material to be measured by the deposition sensor 340 reaches the deposition sensor 340 .

예를 들어, 증착 센서(340)를 통해 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트 혹은 증착 두께를 측정하는 경우를 가정한다. 이때, 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 모터 구동축(370)을 통해 회전시켜 제1 개구부(322)와 증착 센서(340)를 나란히 정렬시킨다. 제1 개구부(322)와 증착 센서(340)가 정렬되면, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 제1 분사 경로(R1)를 통해 이동하여, 제1 개구부(322)를 통과하고 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이때, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제2 분사 경로(R2)는 제1 개구부(322)를 통과하지 못하여, 증착 센서(340)와 만날 수 없다. For example, it is assumed that the rate or the deposition thickness of the deposition material sprayed from the first deposition source 112 through the deposition sensor 340 is measured. At this time, the deposition measuring position control mechanism 310 is rotated through the motor driving shaft 370 to align the first opening 322 and the deposition sensor 340 side by side. When the first opening 322 and the deposition sensor 340 are aligned, the deposition material injected from the first deposition source 112 moves through the first injection path R1 and passes through the first opening 322 and It may meet the deposition sensor 340 . In this case, the second injection path R2 through which the deposition material injected from the second deposition source 122 is injected does not pass through the first opening 322 , and thus cannot meet the deposition sensor 340 .

즉, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제2 분사 경로(R2)는 증착 측정 위치 제어 기구(310)의 제1 개구부(322)를 제외한 나머지 영역과 만날 수 있다.That is, the second injection path R2 through which the deposition material injected from the second deposition source 122 is injected may meet the remaining area except for the first opening 322 of the deposition measurement position control mechanism 310 .

다른 예를 들어, 증착 센서(340)를 통해 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트 혹은 증착 두께를 측정하는 경우를 가정한다. 이때, 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 모터 구동축(370)을 통해 회전시켜 제2 개구부(324)와 증착 센서(340)를 나란히 정렬시킨다. 제2 개구부(324)와 증착 센서(340)가 정렬되면, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 제2 분사 경로(R2)를 통해 이동하여, 제2 개구부(324)를 통과하고 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이때, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제1 분사 경로(R1)는 제2 개구부(324)를 통과하지 못하여, 증착 센서(340)와 만날 수 없다. As another example, it is assumed that the rate or the deposition thickness of the deposition material sprayed from the second deposition source 122 through the deposition sensor 340 is measured. At this time, the deposition measuring position control mechanism 310 is rotated through the motor driving shaft 370 to align the second opening 324 and the deposition sensor 340 side by side. When the second opening 324 and the deposition sensor 340 are aligned, the deposition material injected from the second deposition source 122 moves through the second injection path R2 and passes through the second opening 324 and It may meet the deposition sensor 340 . In this case, the first injection path R1 through which the deposition material injected from the first deposition source 112 is injected does not pass through the second opening 324 , and thus cannot meet the deposition sensor 340 .

즉, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제1 분사 경로(R1)는 증착 측정 위치 제어 기구(310)의 제2 개구부(324)를 제외한 나머지 영역과 만날 수 있다.That is, the first injection path R1 through which the deposition material injected from the first deposition source 112 is injected may meet the remaining area except for the second opening 324 of the deposition measurement position control mechanism 310 .

몇몇 실시예에 따른, 증착 측정 위치 제어 기구(310)는 증착 센서(340)가 측정하고자 하는 대상 증착 물질만이 증착 센서(340)에 도달하는 정확성을 높이기 위해, 복수의 증착 위치 제어 기구를 사용할 수 있다. 복수의 증착 위치 제어 기구를 사용한 예를 도 4를 통해 설명한다.According to some embodiments, the deposition measurement position control mechanism 310 may use a plurality of deposition position control mechanisms in order to increase the accuracy that only the target deposition material to be measured by the deposition sensor 340 reaches the deposition sensor 340 . can An example using a plurality of deposition position control mechanisms will be described with reference to FIG. 4 .

도 4는 몇몇 실시예에 따른 다른 센싱부(300-2)를 도시하는 다른 예시적인 도면이다.4 is another exemplary diagram illustrating another sensing unit 300 - 2 according to some embodiments.

도 4를 참조하면, 증착 측정 위치 제어 기구(310-2)는 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)를 포함한다. 증착 측정 위치 제어 기구(310-2)가 포함하는 서브 증착 측정 위치 제어 기구의 개수는 이에 제한되지 않는다.Referring to FIG. 4 , the deposition measurement position control mechanism 310 - 2 includes a first deposition measurement position control mechanism 312 and a second deposition measurement position control mechanism 314 . The number of sub-deposition measurement position control mechanisms included in the deposition measurement position control mechanism 310 - 2 is not limited thereto.

제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)는 제1 개구부(322)와 제2 개구부(324)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)는 제3 개구부(326)와 제4 개구부(328)를 포함할 수 있다. 개구부의 개수 및 형태가 본 도면에 의해 제한되는 것은 아니고, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312) 및 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)는 다양한 형태 및 개수의 개구부를 포함할 수 있다.The first deposition measurement position control mechanism 312 may include a first opening 322 and a second opening 324 . In addition, the second deposition measurement position control mechanism 314 may include a third opening 326 and a fourth opening 328 . The number and shape of the openings are not limited by this figure, and the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 may include various shapes and numbers of openings.

제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)는 모터 구동축(370)와 연결되어, 모터 구동축(370)의 회전과 함께 회전될 수 있다. 이때, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)는 제1 거리(D1)로 연결될 수 있다. 따라서, 모터 구동축(370)의 회전을 통해, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)가 함께 회전할 수 있다. 몇몇 실시예에 따른, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)는 제1 개구부(322)와 제3 개구부(326)가 평행하도록 연결될 수 있다. 또한, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)는 제2 개구부(324)와 제4 개구부(328)가 평행하도록 연결될 수 있다. The first deposition measurement position control mechanism 312 may be connected to the motor driving shaft 370 and rotate together with the rotation of the motor driving shaft 370 . In this case, the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 may be connected by a first distance D1 . Accordingly, through the rotation of the motor drive shaft 370 , the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 may rotate together. According to some embodiments, the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 may be connected such that the first opening 322 and the third opening 326 are parallel to each other. Also, the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 may be connected such that the second opening 324 and the fourth opening 328 are parallel to each other.

이때, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)는 증착 센서(340)가 측정하고자 하는 대상 증착 물질만이 증착 센서(340)에 도달하도록, 개구부와 증착 센서(340)를 일정 방향으로 나열할 수 있다.In this case, the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 operate with the opening and deposition so that only the target deposition material to be measured by the deposition sensor 340 reaches the deposition sensor 340 . The sensors 340 may be arranged in a predetermined direction.

예를 들어, 증착 센서(340)를 통해 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트 혹은 증착 두께를 측정하는 경우를 가정한다. 이때, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)를 모터 구동축(370)을 통해 회전시켜 제1 개구부(322) 및 제3 개구부(326)를 증착 센서(340)와 나란히 정렬시킨다. 제1 개구부(322) 및 제3 개구부(326)가 증착 센서(340)와 정렬되면, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되어, 제1 개구부(322) 및 제3 개구부(326)를 통과하고 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이때, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제2 분사 경로(R2)는 제1 개구부(322) 및/또는 제3 개구부(326)를 통과하지 못하여, 증착 센서(340)와 만날 수 없다. For example, it is assumed that the rate or the deposition thickness of the deposition material sprayed from the first deposition source 112 through the deposition sensor 340 is measured. At this time, the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 are rotated through the motor driving shaft 370 to connect the first opening 322 and the third opening 326 to the deposition sensor ( 340) and aligned side by side. When the first opening 322 and the third opening 326 are aligned with the deposition sensor 340 , the deposition material injected from the first deposition source 112 is injected through the first injection path R1 , It may pass through the opening 322 and the third opening 326 and may meet the deposition sensor 340 . In this case, the second injection path R2 through which the deposition material injected from the second deposition source 122 is injected does not pass through the first opening 322 and/or the third opening 326 , so that the deposition sensor 340 . can't meet

즉, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제2 분사 경로(R2)는 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)의 제1 개구부(322)를 제외한 나머지 영역 및/또는 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)의 제3 개구부(326)를 제외한 나머지 영역과 만날 수 있다.That is, the second injection path R2 through which the deposition material injected from the second deposition source 122 is injected is a region other than the first opening 322 of the first deposition measurement position control mechanism 312 and/or the second injection path R2 . 2 may meet the remaining regions except for the third opening 326 of the deposition measurement position control mechanism 314 .

다른 예를 들어, 증착 센서(340)를 통해 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트 혹은 증착 두께를 측정하는 경우를 가정한다. 이때, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)를 모터 구동축(370)을 통해 회전시켜 제2 개구부(324) 및 제4 개구부(328)를 증착 센서(340)와 나란히 정렬시킨다. 제2 개구부(324) 및 제4 개구부(328)가 증착 센서(340)와 정렬되면, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되어, 제2 개구부(324) 및 제4 개구부(328)를 통과하고 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이때, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제1 분사 경로(R1)는 제2 개구부(324) 및/또는 제4 개구부(328)를 통과하지 못하여, 증착 센서(340)와 만날 수 없다. As another example, it is assumed that the rate or the deposition thickness of the deposition material sprayed from the second deposition source 122 through the deposition sensor 340 is measured. At this time, the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 are rotated through the motor driving shaft 370 to connect the second opening 324 and the fourth opening 328 to the deposition sensor ( 340) and aligned side by side. When the second opening 324 and the fourth opening 328 are aligned with the deposition sensor 340 , the deposition material injected from the second deposition source 122 is injected through the second injection path R2 , and the second It may pass through the opening 324 and the fourth opening 328 and may meet the deposition sensor 340 . At this time, the first injection path R1 through which the deposition material injected from the first deposition source 112 is injected does not pass through the second opening 324 and/or the fourth opening 328 , so that the deposition sensor 340 . can't meet

즉, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제1 분사 경로(R1)는 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)의 제2 개구부(324)를 제외한 나머지 영역 및/또는 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)의 제4 개구부(328)를 제외한 나머지 영역과 만날 수 있다.That is, the first injection path R1 through which the deposition material injected from the first deposition source 112 is injected is a region other than the second opening 324 of the first deposition measurement position control mechanism 312 and/or the second injection path R1 . 2 It may meet the remaining regions except for the fourth opening 328 of the deposition measurement position control mechanism 314 .

도 5는 몇몇 실시예에 따른 도 4의 증착 측정 위치 제어 기구(310-2)의 예시적인 분해도이다.5 is an exemplary exploded view of the deposition measurement position control mechanism 310 - 2 of FIG. 4 in accordance with some embodiments.

도 5를 참조하면, 제1 증착 측정 위치 제어 기구(312)와 제2 증착 측정 위치 제어 기구(314)는 제1 거리(D1)로 서로 이격하여 연결될 수 있으며, 제1 거리(D1)는 임의로 설정될 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에 따른 증착 측정 위치 제어 기구는 상술한 두 개의 증착 측정 위치 제어 기구에 제한되지 않고 세 개, 네 개, 그 이상일 수 있다.Referring to FIG. 5 , the first deposition measurement position control mechanism 312 and the second deposition measurement position control mechanism 314 may be connected to be spaced apart from each other by a first distance D1 , and the first distance D1 may be arbitrarily selected. can be set. Further, the deposition measurement position control mechanism according to some embodiments is not limited to the two deposition measurement position control mechanisms described above, but may be three, four, or more.

다시 도 2를 참조하면, 센싱부(300)가 증착 센서(340)를 통해 측정하고자 하는 분사 경로를 통해 분사된 측정 물질을 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 이동시켜 조절하여 정확히 선택할 수 있다. 이때, 증착 측정 위치 제어 기구(310)는 구동축 위치 센서(330)를 통하여, 현재 모터 구동축(370)의 위치를 파악할 수 있다. 구동축 위치 센서(330)가 파악한 현재 모터 구동축(370)의 위치를 바탕으로, 현재 측정 대상 증착 물질이 어떤 분사 경로를 통해 들어오는 지 확인할 수 있다. 또한, 측정 대상 증착 물질을 변경할 필요가 발생하면, 구동축 위치 센서(330)를 통하여 모터 구동축(370)을 이동시켜, 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 이동시킬 수 있다.Referring back to FIG. 2 , the sensing unit 300 may accurately select the measurement material injected through the injection path to be measured through the deposition sensor 340 by moving the deposition measurement position control mechanism 310 and adjusting it. In this case, the deposition measurement position control mechanism 310 may determine the current position of the motor driving shaft 370 through the driving shaft position sensor 330 . Based on the current position of the motor driving shaft 370 detected by the driving shaft position sensor 330 , it may be confirmed through which injection path the deposition material to be measured currently enters. Also, when it is necessary to change the deposition material to be measured, the motor driving shaft 370 may be moved through the driving shaft position sensor 330 to move the deposition measurement position control mechanism 310 .

센싱부(300)의 동작은 제어부(200)를 통해 제어될 수 있다. 더 자세히는, 센싱부(300)의 컨트롤러(202)가 구동축 위치 센서(330)로부터 측정 대상 증착 물질을 판단하여, 구동축(370)의 위치를 제어할 수 있다. 또한, 센싱부(300)의 컨트롤러(202)가 측정 대상 증착 물질을 판단하여, 측정 대상 증착 물질을 측정하기 위한 측정 시간을 설정할 수 있다. The operation of the sensing unit 300 may be controlled through the control unit 200 . In more detail, the controller 202 of the sensing unit 300 may control the position of the driving shaft 370 by determining the deposition material to be measured from the driving shaft position sensor 330 . Also, the controller 202 of the sensing unit 300 may determine the deposition material to be measured, and set a measurement time for measuring the deposition material to be measured.

컨트롤러(202)는 증착 센서(340)의 교체 여부를 판단하여, 센서 구동 장치(350)에 증착 센서(340)의 교체 명령을 전달할 수 있다. 컨트롤러(202)는 또한, 증착 센서(340)를 통해 수신 받은 증착 물질의 정보를 이용하여, 증착 레이트를 산출할 수 있다. 도 6을 통해, 컨트롤러(202)가 증착 레이트를 독립적으로 측정하는 원리를 구체적으로 살펴본다.The controller 202 may determine whether to replace the deposition sensor 340 and transmit a replacement command for the deposition sensor 340 to the sensor driving device 350 . The controller 202 may also calculate the deposition rate by using the information on the deposition material received through the deposition sensor 340 . Referring to FIG. 6 , the principle of independently measuring the deposition rate by the controller 202 will be described in detail.

도 6은 몇몇 실시예에 따른 도 2의 증착 제어 장치를 통해, 증착 레이트가 독립적으로 측정되는 원리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.FIG. 6 is an exemplary view for explaining a principle in which a deposition rate is independently measured through the deposition control apparatus of FIG. 2 according to some embodiments.

도 6을 참조하여, 증착 센서(340)가 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사된 증착 물질의 레이트를 측정하는 원리와 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사된 증착 물질의 레이트를 측정하는 원리를 설명한다.Referring to FIG. 6 , the deposition sensor 340 measures the rate of the deposition material injected through the first injection path R1 and the principle of measuring the rate of the deposition material injected through the second injection path R2. Explain the principle.

설명의 편의를 위해, 증착 측정 위치 기구는 도면 상에서 생략하였으며, 각각의 분사 경로를 통해 분사된 증착 물질은 증착 측정 위치 기구의 이동을 통해 증착 센서(340)에 도달한 증착 물질임을 가정하여 설명한다.For convenience of description, the deposition measurement position mechanism is omitted from the drawings, and it is assumed that the deposition material injected through each injection path is the deposition material that reached the deposition sensor 340 through the movement of the deposition measurement position mechanism. .

여기서, 제1 가상선(L1)은 제1 증착원(112) 및 제1 노즐(116)이 기판을 향해 세워진 방향과 나란한 가상선이다. 제2 가상선(L2)은 제2 증착원(122) 및 제2 노즐(126)이 기판을 향해 세워진 방향과 나란한 가상선이다. 제3 가상선(L3)은 증착 물질이 증착 센서(340)와 만나는 면과 수직한 가상선이다.Here, the first imaginary line L1 is an imaginary line parallel to the direction in which the first deposition source 112 and the first nozzle 116 are erected toward the substrate. The second imaginary line L2 is an imaginary line parallel to the direction in which the second deposition source 122 and the second nozzle 126 are erected toward the substrate. The third imaginary line L3 is a imaginary line perpendicular to a surface where the deposition material meets the deposition sensor 340 .

먼저, 증착 센서(340)가 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트를 측정하는 원리를 설명한다.First, a principle in which the deposition sensor 340 measures the rate of the deposition material injected from the first deposition source 112 will be described.

제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질은 제1 가상선(L1)과 제1 분사각(

Figure 112020033378460-pat00001
1)을 형성하여 증착 센서(340)로 분사될 수 있다. 이때, 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사된 증착 물질은 제3 가상선(L3)과 제1 수신각(φ1)을 형성하여 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이를 통해, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트(G1)는 아래의 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.The deposition material sprayed through the first injection path R1 has a first imaginary line L1 and a first injection angle (
Figure 112020033378460-pat00001
1) may be formed and sprayed to the deposition sensor 340 . In this case, the deposition material sprayed through the first injection path R1 may form a third virtual line L3 and a first reception angle φ1 to meet the deposition sensor 340 . Through this, the rate G1 of the deposition material injected from the first deposition source 112 may be expressed as Equation 1 below.

Figure 112020033378460-pat00002
수학식 1
Figure 112020033378460-pat00002
Equation 1

수학식 1에서, K1은 비례 계수로서, 제1 노즐(116)의 중심에서 제1 가상선(L1) 방향으로 1미터 떨어진 기판 상 지점(r1 = 1m)에서의 제1 노즐(116)에 의한 증착 레이트에 해당하며, 제1 히터(114)의 온도가 높아질수록 큰 값을 갖게 된다. n1은 제1 노즐(116)로부터 분사되는 증착 물질의 증발 분포 지수이다.In Equation 1, K 1 is a proportional coefficient, and the first nozzle 116 at a point on the substrate (r 1 = 1m) that is 1 meter away from the center of the first nozzle 116 in the direction of the first imaginary line L1. corresponds to the deposition rate by , and has a larger value as the temperature of the first heater 114 increases. n 1 is an evaporation distribution index of the deposition material injected from the first nozzle 116 .

다음으로, 증착 센서(340)가 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트를 측정하는 원리를 설명한다.Next, a principle in which the deposition sensor 340 measures the rate of the deposition material sprayed from the second deposition source 122 will be described.

제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질은 제2 가상선(L2)과 제2 분사각(

Figure 112020033378460-pat00003
2)을 형성하여 증착 센서(340)로 분사될 수 있다. 이때, 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사된 증착 물질은 제3 가상선(L3)과 제2 수신각(φ2)을 형성하여 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이를 통해, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트(G2)는 아래의 수학식 2와 같이 표현될 수 있다.The deposition material sprayed through the second injection path R2 may have a second imaginary line L2 and a second injection angle (
Figure 112020033378460-pat00003
2) may be formed and sprayed to the deposition sensor 340 . In this case, the deposition material injected through the second injection path R2 may form a third virtual line L3 and a second reception angle φ2 to meet the deposition sensor 340 . Through this, the rate G2 of the deposition material injected from the second deposition source 122 may be expressed as Equation 2 below.

Figure 112020033378460-pat00004
수학식 2
Figure 112020033378460-pat00004
Equation 2

수학식 2에서, K2는 비례 계수로서, 제2 노즐(126)의 중심에서 제2 가상선(L2) 방향으로 1미터 떨어진 기판 상 지점(r2 = 1m)에서의 제2 노즐(126)에 의한 증착 레이트에 해당하며, 제2 히터(124)의 온도가 높아질수록 큰 값을 갖게 된다. n2는 제2 노즐(126)로부터 분사되는 증착 물질의 증발 분포 지수이다.In Equation 2, K 2 is a proportional coefficient, and the second nozzle 126 at a point on the substrate (r 2 = 1m) that is 1 meter away from the center of the second nozzle 126 in the direction of the second imaginary line L2. corresponds to the deposition rate by , and has a larger value as the temperature of the second heater 124 increases. n 2 is an evaporation distribution index of the deposition material injected from the second nozzle 126 .

도 7은 몇몇 실시예에 따른 제어부(200)가 증착 레이트를 측정하는 예시적인 그래프이다.7 is an exemplary graph in which the controller 200 measures a deposition rate according to some embodiments.

도 2 및 도 7을 참조하면, 제1 구간(P1) 동안 증착 센서(340)가 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트(예를 들어, 수학식 1의 G1)를 구하고, 제2 구간(P2) 동안 증착 센서(340)가 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트(예를 들어, 수학식 2의 G2)를 구할 수 있다.2 and 7, the deposition sensor 340 obtains the rate (eg, G1 in Equation 1) of the deposition material sprayed from the first deposition source 112 during the first period P1, During the second period P2 , the deposition sensor 340 may obtain a rate (eg, G2 in Equation 2) of the deposition material injected from the second deposition source 122 .

제1 구간(P1) 및 제2 구간(P2)은 컨트롤러(202)가 설정하는 측정 시간에 따라 달라질 수 있다.The first section P1 and the second section P2 may vary according to a measurement time set by the controller 202 .

컨트롤러(202)는 제1 구간(P1) 및 제2 구간(P2) 각각에서의 증착 레이트 평균을 구할 수 있다.The controller 202 may obtain an average deposition rate in each of the first period P1 and the second period P2 .

참고적으로, 도 2의 컨트롤러(200)는 이에 제한되지 않고, 제1 구간(P1)에서 증착 레이트 평균을 구하는 컨트롤러와, 제2 구간(P2)에서 증착 레이트 평균을 구하는 컨트롤러로 구분되어 구성될 수 있다.For reference, the controller 200 of FIG. 2 is not limited thereto, and is divided into a controller that obtains an average deposition rate in the first section P1 and a controller that obtains an average deposition rate in the second section P2. can

증착 센서(340)로 각기 측정되는 증착 물질의 레이트(예를 들어, 수학식 1의 G1, 수학식 2의 G2)와 별도의 측정을 통해 얻을 수 있는 제1 분사각(

Figure 112020033378460-pat00005
1), 제1 수신각(φ1), 제1 노즐(116)의 증발 분포 지수(n1), 제2 분사각(
Figure 112020033378460-pat00006
2), 제2 수신각(φ2), 제2 노즐(136)의 증발 분포 지수(n2) 등의 상수값을 상술한 수학식 1과 수학식 2에 대입하면, 비례 계수 K1과 K2가 산출된다.The rate of deposition material measured by the deposition sensor 340 (eg, G1 in Equation 1, G2 in Equation 2) and the first injection angle (eg, G2 in Equation 2) obtained through separate measurement
Figure 112020033378460-pat00005
1), the first reception angle (φ1), the evaporation distribution index of the first nozzle 116 (n 1 ), the second injection angle (
Figure 112020033378460-pat00006
2), when constant values such as the second reception angle φ2 and the evaporation distribution index (n 2 ) of the second nozzle 136 are substituted into the above-mentioned Equations 1 and 2, the proportional coefficients K 1 and K 2 is calculated

도 1 및 도6을 참조하면, 통상의 디스플레이 제조 장치에서 기판은 제1 가상선(L1)과 제2 가상선(L2)에 수직으로 배치되므로, 기판 상에 증착되는 증착 물질의 두께 균일도는 비례 계수 K1과 K2가 결정하게 된다. 따라서 기판 상 두께 균일도를 최소화하는 K1, K2 값이 되도록, 증착 센서(340)를 통해 각기 측정되는 증착 물질의 레이트(예를 들어, 수학식 1의 G1, 수학식 2의 G2) 값을 제어하면, 기판(S) 상에 증착되는 증착 물질의 두께 균일도를 향상시킬 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 6 , in a conventional display manufacturing apparatus, since the substrate is disposed perpendicular to the first imaginary line L1 and the second imaginary line L2, the uniformity of the thickness of the deposition material deposited on the substrate is proportional The coefficients K 1 and K 2 are determined. Therefore, the rate (eg, G1 of Equation 1, G2 of Equation 2) measured through the deposition sensor 340 is calculated so that K 1 and K 2 values that minimize the thickness uniformity on the substrate are obtained. When controlled, the thickness uniformity of the deposition material deposited on the substrate S may be improved.

다시 도 2를 참조하면, 컨트롤러(202)를 통해 계산된 증착 레이트를 각각의 제1 PID 연산기(212)와 제2 PID 연산기(222)로 전송할 수 있다.Referring back to FIG. 2 , the deposition rate calculated through the controller 202 may be transmitted to each of the first PID operator 212 and the second PID operator 222 .

제1 PID 연산기(212)는 컨트롤러(202)로부터 수신한 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사된 증착 물질의 레이트를 이용하여, PID 연산을 수행하여 제1 PID 연산값을 생성할 수 있다. 이후, 제1 PID 연산기(212)는 제1 PID 연산값을 제1 전원 공급기(214)에 전달하여, 제1 증착원(112)에 전달되는 전력을 조절할 수 있다.The first PID operator 212 may generate a first PID operation value by performing a PID operation using the rate of the deposition material injected through the first injection path R1 received from the controller 202 . Thereafter, the first PID operator 212 may transmit the first PID operation value to the first power supply 214 to adjust the power delivered to the first deposition source 112 .

마찬가지로, 제2 PID 연산기(222)는 컨트롤러(202)로부터 수신한 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사된 증착 물질의 레이트를 이용하여, PID 연산을 수행하여 제2 PID 연산값을 생성할 수 있다. 이후, 제2 PID 연산기(222)는 제2 PID 연산값을 제2 전원 공급기(224)에 전달하여, 제2 증착원(122)에 전달되는 전력을 조절할 수 있다.Similarly, the second PID operator 222 may generate a second PID operation value by performing a PID operation using the rate of the deposition material injected through the second injection path R2 received from the controller 202 . have. Thereafter, the second PID operator 222 may transmit the second PID operation value to the second power supply 224 to control the power delivered to the second deposition source 122 .

이후, 각각의 제1 PID 연산기(212) 및 제2 PID 연산기(222)로부터 제1 PID 연산값 및 제2 PID 연산값을 수신 받은 제1 전원 공급기(214)와 제2 전원 공급기(224)는 각각 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)에 공급될 전원을 전달할 수 있다.Thereafter, the first power supply 214 and the second power supply 224 receiving the first PID operation value and the second PID operation value from each of the first PID operator 212 and the second PID operator 222 are Power to be supplied to the first deposition source 112 and the second deposition source 122 may be transmitted, respectively.

참고적으로, 도 2의 제1 PID 연산기(212)와 제2 PID 연산기(222)는 이에 제한되지 않고, 제1 PID 연산기(212)와 제2 PID 연산기(222)가 하나의 PID 연산기로 머지(merge)될 수 있다. 즉, 하나의 PID 연산기 내에서 각각의 분사 경로를 통해 분사된 증착 물질의 레이트를 이용하여 각각의 PID 연산이 수행될 수 있다. For reference, the first PID operator 212 and the second PID operator 222 of FIG. 2 are not limited thereto, and the first PID operator 212 and the second PID operator 222 are merged into one PID operator. can be merged. That is, each PID operation may be performed using the rate of the deposition material injected through each injection path within one PID operator.

제1 전원 공급기(214)와 제2 전원 공급기(224) 각각으로부터 전원을 공급받은 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)은 각각 제1 히터(114)와 제2 히터(124)를 통해 증착 물질을 가열하여, 다시 증착 물질을 제1 노즐(116) 및 제2 노즐(126)을 통해 분사할 수 있다.The first deposition source 112 and the second deposition source 122 supplied with power from the first power supply 214 and the second power supply 224, respectively, have a first heater 114 and a second heater 124, respectively. ) by heating the deposition material, the deposition material may be sprayed again through the first nozzle 116 and the second nozzle 126 .

참고적으로, 도 2의 전원 공급기(214)와 전원 공급기(224)는 이에 제한되지 않고, 하나의 전원 공급기로 머지(merge)될 수 있다. 즉, 하나의 전원 공급기를 통해 각각 제1 증착원(112)과 제2 증착원(122)에 공급될 전원을 전달할 수 있다.For reference, the power supply 214 and the power supply 224 of FIG. 2 are not limited thereto, and may be merged into one power supply. That is, power to be supplied to the first deposition source 112 and the second deposition source 122 may be transmitted through one power supply, respectively.

이하의 도 8에서는 몇몇 실시예에 따른 도 1의 증착 제어 장치와 다른 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 설명한다. 증착 물질의 레이트 측정 방법은 상술한 바와 동일하므로, 상술된 설명과 중복되는 설명은 이하에서 생략하고 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, the deposition control apparatus of FIG. 1 according to some exemplary embodiments and the deposition control apparatus according to some other exemplary embodiments will be described with reference to FIG. 8 . Since the method of measuring the rate of the deposition material is the same as that described above, a description overlapping with the above description will be omitted and the differences will be mainly described.

도 8은 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.8 is an exemplary diagram illustrating another deposition control apparatus according to some embodiments.

도 8을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치(2)의 증착부(100-2)가 도 2의 증착부(100)과 다르다. 즉, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치(2)는 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질과 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질이 하나의 증착원(112)으로부터 분사될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the deposition unit 100 - 2 of the deposition control apparatus 2 according to some embodiments is different from the deposition unit 100 of FIG. 2 . That is, in the deposition control apparatus 2 according to some embodiments, the deposition material injected through the first injection path R1 and the deposition material injected through the second injection path R2 are separated from one deposition source 112 . can be sprayed.

몇몇 실시예에 따른 증착원(112) 내에는 복수의 히터들을 포함한다. 예를 들어, 증착원(112)은 제1 히터(114)와 제2 히터(124)를 포함하여, 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질과 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질 각각을 가열시킨다.A plurality of heaters are included in the deposition source 112 according to some embodiments. For example, the deposition source 112 includes a first heater 114 and a second heater 124 , and includes a deposition material sprayed through the first injection path R1 and a second injection path R2 . Each of the sprayed deposition materials is heated.

몇몇 실시예에 따른 증착원(112)은 제1 노즐(116) 및 제2 노즐(126)과 연결되고, 각각의 제1 노즐(116) 및 제2 노즐(126)은 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질과 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질을 증착 센서(340)로 분사할 수 있다.The deposition source 112 according to some embodiments is connected to the first nozzle 116 and the second nozzle 126 , and each of the first nozzle 116 and the second nozzle 126 is connected to the first injection path R1 . ) and the deposition material injected through the second injection path R2 may be injected to the deposition sensor 340 .

도 9는 몇몇 실시예에 따른 도 8의 증착 제어 장치를 통해, 증착 레이트를 측정하는 원리를 설명하기 위한 예시적인 도면이다.9 is an exemplary view for explaining a principle of measuring a deposition rate through the deposition control apparatus of FIG. 8 according to some embodiments.

도 9를 참조하면, 하나의 증착원(112)을 통해 복수의 분사 경로로 증착 물질을 분사하는 경우의 증착 레이트 측정 원리를 설명한다. 도 6에서는 복수의 증착원으로부터 분사되는 증착 물질의 증착 레이트 측정 원리를 설명하였으나, 증착원의 형태만 다를 뿐, 도 9의 증착 레이트의 측정 원리는 도 6과 동일하므로 설명을 생략한다.Referring to FIG. 9 , a deposition rate measurement principle in the case of spraying a deposition material through a plurality of injection paths through a single deposition source 112 will be described. Although the principle of measuring the deposition rate of the deposition material sprayed from the plurality of deposition sources has been described in FIG. 6 , the deposition rate measurement principle of FIG. 9 is the same as that of FIG. 6 except that the shape of the deposition source is different, and thus a description thereof will be omitted.

도 10는 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치 동작 방법을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.10 is an exemplary flowchart for describing a method of operating a deposition control apparatus according to some embodiments.

참고적으로, 몇몇 실시예에 따른 디스플레이 제조 방법에는 도 10에서 설명된 증착 제어 장치의 동작 전에 기판을 이송하고, 증착 제어 장치의 동작 후에 기판을 회송하는 동작이 포함될 수 있다.For reference, the display manufacturing method according to some embodiments may include an operation of transferring the substrate before the operation of the deposition control apparatus described in FIG. 10 and transferring the substrate after the operation of the deposition control apparatus.

도 2 및 도 10을 참조하면, 먼저, 구동축 위치 센서(330)를 통해, 모터 구동축(370)의 위치를 파악하여(S100) 측정 대상 증착 물질의 증착 레이트를 주기적으로 측정한다. Referring to FIGS. 2 and 10 , first, the position of the motor driving shaft 370 is determined through the driving shaft position sensor 330 ( S100 ), and the deposition rate of the deposition material to be measured is periodically measured.

이후, 모터 구동축(370)의 위치를 바탕으로, 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 통과하여 증착 센서(340)에 전달될 측정 대상 증착 물질을 분사하는 측정 대상 노즐을 정하고, 측정 대상 증착 물질을 측정하기 위한 측정 시간을 설정한다(S110). Thereafter, based on the position of the motor drive shaft 370 , a measurement target nozzle for spraying a measurement target deposition material to be transmitted to the deposition sensor 340 through the deposition measurement position control mechanism 310 is determined, and the measurement target deposition material is selected A measurement time for measurement is set (S110).

앞서 설정된 측정 시간 동안 측정 대상 노즐로부터 분사되는 증착 물질의 증착 레이트를 컨트롤러(202)를 통해 계산한다(S120).The deposition rate of the deposition material sprayed from the nozzle to be measured during the previously set measurement time is calculated through the controller 202 ( S120 ).

컨트롤러(202)를 통해, 설정 측정 시간동안 계산된 증착 물질의 증착 레이트를 바탕으로, PID 연산기(212 및/또는 222)가 PID 연산값을 생성한다(S130).Through the controller 202, the PID calculators 212 and/or 222 generate a PID calculation value based on the deposition rate of the deposition material calculated for the set measurement time (S130).

전원 공급기(214 및/또는 224)는 PID 연산값을 수신하여, 전원을 생성한다(S140).The power supply 214 and/or 224 receives the PID operation value and generates power (S140).

전원 공급기(214 및/또는 224)에 의해 생성된 전원은 증발원(112 및/또는 122) 또는 히터(114 및/또는 124)로 전달되어 각각에 전원을 공급할 수 있다.Power generated by power supply 214 and/or 224 may be delivered to evaporation source 112 and/or 122 or heater 114 and/or 124 to power each.

도 11는 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.11 is an exemplary diagram illustrating a deposition control apparatus according to some embodiments.

도 11를 참조하면, 도 2의 센싱부(300)와는 달리, 센싱부(300-3)의 증착 측정 위치 기구(310-3)에 파이프(360)가 연결된다. 또한, 증착 측정 위치 기구(310-3) 내에 증착 센서(340) 및 센서 구동 장치(350)가 배치된다.Referring to FIG. 11 , unlike the sensing unit 300 of FIG. 2 , a pipe 360 is connected to the deposition measuring position device 310 - 3 of the sensing unit 300 - 3 . Further, a deposition sensor 340 and a sensor driving device 350 are disposed in the deposition measurement position mechanism 310 - 3 .

몇몇 실시예에 따른 도 2, 도 8의 증착 제어 장치가 증착 측정 위치 제어 기구 내 개구부를 통하여, 측정 대상 증착 물질을 선별적으로 증착 센서(340)에 통과시켰다면, 몇몇 실시예에 따른 도 11의 증착 제어 장치(6)는 증착 측정 위치 기구(310-3)에 연결된 파이프(360)를 통하여, 측정 대상 증착 물질을 선별적으로 증착 센서(340)에 통과시킬 수 있다.If the deposition control apparatus of FIGS. 2 and 8 according to some embodiments selectively passes the deposition material to be measured through the deposition sensor 340 through the opening in the deposition measurement position control mechanism, the deposition control apparatus of FIG. 11 according to some embodiments The deposition control device 6 may selectively pass the deposition material to be measured through the deposition sensor 340 through the pipe 360 connected to the deposition measurement location device 310 - 3 .

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치(6)가 파이프(360)를 통해 측정 대상 증착 물질을 선별적으로 증착 센서(340)에 통과시키는 동작을 도 12를 통해 자세히 살펴본다.An operation of selectively passing the deposition material to be measured through the pipe 360 by the deposition control device 6 according to some embodiments to the deposition sensor 340 will be described in detail with reference to FIG. 12 .

도 12는 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치의 센싱부(300-3)를 도시하는 예시적인 도면이다.12 is an exemplary diagram illustrating a sensing unit 300 - 3 of another deposition control apparatus according to some embodiments.

도 11 및 도 12를 참조하면, 증착 센서(340)와 센서 구동 장치(350)는 고정되고, 증착 측정 위치 제어 기구(310-3)가 M1 및 M2 방향으로 움직일 수 있다. 참고적으로, 도면에는 180도로 회전하는 모습만 도시되었으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로 증착 측정 위치 제어 기구(310-3)는 360도 회전 가능할 수 있다.11 and 12 , the deposition sensor 340 and the sensor driving device 350 are fixed, and the deposition measurement position control mechanism 310 - 3 may move in M1 and M2 directions. For reference, although only a 180 degree rotation is illustrated in the drawings, this is for convenience of description and the deposition measuring position control mechanism 310 - 3 may be rotatable by 360 degrees.

증착 측정 위치 제어 기구(310-3)가 M1 및 M2 방향으로 움직임에 따라, 파이프(360) 역시 M1 및 M2 방향으로 움직일 수 있다. 즉, 증착 측정 위치 제어 기구(310-3)의 움직임을 통해, 파이프(360)의 위치를 변화시켜, 측정 대상 증착 물질만을 파이프(360) 내에 입사시킬 수 있다. 파이프(360)의 형태는 본 도면에 제한되지 않는다.As the deposition measurement position control mechanism 310 - 3 moves in the M1 and M2 directions, the pipe 360 may also move in the M1 and M2 directions. That is, only the deposition material to be measured may be incident into the pipe 360 by changing the position of the pipe 360 through the movement of the deposition measurement position control mechanism 310 - 3 . The shape of the pipe 360 is not limited to this figure.

예를 들어, 증착 센서(340)를 통해 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트 혹은 증착 두께를 측정하고자 한다면, 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 모터 구동축(370)을 통해 회전시켜 제1 분사 경로(R1)가 파이프(360)를 통과하도록 만든다. 이후, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되어, 파이프(360)를 통과하고 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이때, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제2 분사 경로(R2)는 파이프(360)를 통과하지 못하여, 증착 센서(340)와 만날 수 없다. For example, to measure the rate or thickness of the deposition material injected from the first deposition source 112 through the deposition sensor 340 , the deposition measurement position control mechanism 310 is rotated through the motor driving shaft 370 . to make the first injection path (R1) pass through the pipe (360). Thereafter, the deposition material injected from the first deposition source 112 may be injected through the first injection path R1 , pass through the pipe 360 , and may meet the deposition sensor 340 . In this case, the second injection path R2 through which the deposition material injected from the second deposition source 122 is injected does not pass through the pipe 360 , and thus cannot meet the deposition sensor 340 .

즉, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제2 분사 경로(R2)는 증착 측정 위치 제어 기구(310-3)의 파이프(360)를 제외한 나머지 영역과 만날 수 있다.That is, the second injection path R2 through which the deposition material injected from the second deposition source 122 is injected may meet the remaining area except for the pipe 360 of the deposition measurement position control mechanism 310 - 3 .

다른 예를 들어, 증착 센서(340)를 통해 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질의 레이트 혹은 증착 두께를 측정하고자 한다면, 증착 측정 위치 제어 기구(310)를 모터 구동축(370)을 통해 회전시켜 제2 분사 경로(R2)가 파이프(360)를 통과하도록 만든다. 이후, 제2 증착원(122)으로부터 분사된 증착 물질이 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되어, 파이프(360)를 통과하고 증착 센서(340)와 만날 수 있다. 이때, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제1 분사 경로(R1)는 파이프(360)를 통과하지 못하여, 증착 센서(340)와 만날 수 없다. For another example, if it is desired to measure the rate or the deposition thickness of the deposition material sprayed from the second deposition source 122 through the deposition sensor 340 , the deposition measurement position control mechanism 310 is operated through the motor driving shaft 370 . Rotate to make the second injection path (R2) pass through the pipe (360). Thereafter, the deposition material injected from the second deposition source 122 may be injected through the second injection path R2 , may pass through the pipe 360 , and may meet the deposition sensor 340 . In this case, the first injection path R1 through which the deposition material injected from the first deposition source 112 is injected does not pass through the pipe 360 , and thus cannot meet the deposition sensor 340 .

즉, 제1 증착원(112)으로부터 분사된 증착 물질이 분사되는 제1 분사 경로(R1)는 증착 측정 위치 제어 기구(310-3)의 파이프(360)를 제외한 나머지 영역과 만날 수 있다.That is, the first injection path R1 through which the deposition material injected from the first deposition source 112 is injected may meet the remaining area except for the pipe 360 of the deposition measurement position control mechanism 310 - 3 .

도 13은 몇몇 실시예에 따른 도 12의 센싱부(300-3)의 예시적인 분해도이다.13 is an exemplary exploded view of the sensing unit 300 - 3 of FIG. 12 according to some embodiments.

도 13을 참조하면, 모터 구동축(370)의 회전을 통해, 증착 측정 위치 제어 기구(310-3)가 이동할 수 있다.Referring to FIG. 13 , the deposition measurement position control mechanism 310 - 3 may move through the rotation of the motor driving shaft 370 .

이하의 도 14 에서는 증착 제어 장치의 서로 다른 몇몇 실시예들을 설명한다. 증착 물질의 레이트 측정 방법은 상술한 바와 동일하므로, 상술된 설명과 중복되는 설명은 이하에서 생략하고 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, some different embodiments of the deposition control apparatus will be described with reference to FIG. 14 . Since the method of measuring the rate of the deposition material is the same as that described above, a description overlapping with the above description will be omitted and the differences will be mainly described.

도 14 는 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치를 도시하는 예시적인 도면이다.14 is an exemplary diagram illustrating another deposition control apparatus according to some embodiments.

도 14를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치(7)의 증착부(100-2)가 도 11의 증착부(100)과 다르다. 즉, 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치(7)는 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질과 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질이 하나의 증착원(112)으로부터 분사될 수 있다.Referring to FIG. 14 , the deposition unit 100 - 2 of the deposition control apparatus 7 according to some embodiments is different from the deposition unit 100 of FIG. 11 . That is, in the deposition control apparatus 7 according to some embodiments, the deposition material injected through the first injection path R1 and the deposition material injected through the second injection path R2 are separated from one deposition source 112 . can be sprayed.

몇몇 실시예에 따른 증착원(112) 내에는 복수의 히터들을 포함한다. 예를 들어, 증착원(112)은 제1 히터(114)와 제2 히터(124)를 포함하여, 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질과 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질 각각을 가열시킨다.A plurality of heaters are included in the deposition source 112 according to some embodiments. For example, the deposition source 112 includes a first heater 114 and a second heater 124 , and includes a deposition material sprayed through the first injection path R1 and a second injection path R2 . Each of the sprayed deposition materials is heated.

몇몇 실시예에 따른 증착원(112)은 제1 노즐(116) 및 제2 노즐(126)과 연결되고, 각각의 제1 노즐(116) 및 제2 노즐(126)은 제1 분사 경로(R1)를 통해 분사되는 증착 물질과 제2 분사 경로(R2)를 통해 분사되는 증착 물질을 증착 센서(340)로 분사할 수 있다.The deposition source 112 according to some embodiments is connected to the first nozzle 116 and the second nozzle 126 , and each of the first nozzle 116 and the second nozzle 126 is connected to the first injection path R1 . ) and the deposition material injected through the second injection path R2 may be injected to the deposition sensor 340 .

도 15는 몇몇 실시예에 따른 다른 증착 제어 장치 동작 방법을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다. 15 is an exemplary flowchart illustrating another method of operating a deposition control apparatus according to some embodiments.

참고적으로, 몇몇 실시예에 따른 디스플레이 제조 방법에는 도 10에서 설명된 증착 제어 장치의 동작 전에 기판을 이송하고, 증착 제어 장치의 동작 후에 기판을 회송하는 동작이 포함될 수 있다.For reference, the display manufacturing method according to some embodiments may include an operation of transferring the substrate before the operation of the deposition control apparatus described in FIG. 10 and transferring the substrate after the operation of the deposition control apparatus.

도 11 및 도 15를 참조하면, 먼저, 파이프(360)의 위치를 파악하여(S200) 측정 대상 증착 물질의 증착 레이트를 주기적으로 측정한다.11 and 15 , first, the position of the pipe 360 is determined ( S200 ) and the deposition rate of the deposition material to be measured is periodically measured.

이후, 파이프(360)의 위치를 바탕으로, 증착 측정 위치 제어 기구(310-3)를 통과하여 증착 센서(340)에 전달될 측정 대상 증착 물질을 분사하는 측정 대상 노즐을 정하고, 측정 대상 증착 물질을 측정하기 위한 측정 시간을 설정한다(S210). Thereafter, based on the position of the pipe 360 , a measurement target nozzle for spraying a measurement target deposition material to be transmitted to the deposition sensor 340 through the deposition measurement position control mechanism 310 - 3 is determined, and the measurement target deposition material A measurement time is set for measuring (S210).

앞서 설정된 측정 시간 동안 측정 대상 노즐로부터 분사되는 증착 물질의 증착 레이트를 컨트롤러(202)를 통해 계산한다(S220).The deposition rate of the deposition material injected from the measurement target nozzle during the previously set measurement time is calculated through the controller 202 ( S220 ).

컨트롤러(202)를 통해, 설정 측정 시간동안 계산된 증착 물질의 증착 레이트를 바탕으로, PID 연산기(212 및/또는 222)가 PID 연산값을 생성한다(S230).Through the controller 202, the PID calculators 212 and/or 222 generate a PID calculation value based on the deposition rate of the deposition material calculated for the set measurement time (S230).

전원 공급기(214 및/또는 224)는 PID 연산값을 수신하여, 전원을 생성한다(S240).The power supply 214 and/or 224 receives the PID operation value and generates power (S240).

전원 공급기(214 및/또는 224)에 의해 생성된 전원은 증발원(112 및/또는 122) 또는 히터(114 및/또는 124)로 전달되어 각각에 전원을 공급할 수 있다.Power generated by power supply 214 and/or 224 may be delivered to evaporation source 112 and/or 122 or heater 114 and/or 124 to power each.

도 16은 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치에 의해, 기판에 증착된 증착 물질의 두께를 측정한 예시적인 그래프이다.16 is an exemplary graph in which a thickness of a deposition material deposited on a substrate is measured by a deposition control apparatus according to some embodiments.

도 1, 도 11 및 도 16을 참조하여, 기판(S)이 x축 방향의 폭 1100mm를 갖는 것을 가정한다. 또한, 기판(S) 하부의 증착부(100) 내에 4개의 증착원이 x축 방향으로 나란하게 이격되어 배치된 것을 가정한다.1, 11 and 16 , it is assumed that the substrate S has a width of 1100 mm in the x-axis direction. In addition, it is assumed that four deposition sources are spaced apart from each other in the x-axis direction in the deposition part 100 under the substrate S.

몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 통해, 증착부(100) 내에 포함된 4개의 증착원에서 분사되는 각각의 증착 물질의 레이트를 측정하고 제어할 수 있다.Through the deposition control apparatus according to some embodiments, the rate of each deposition material sprayed from the four deposition sources included in the deposition unit 100 may be measured and controlled.

이때, 도 16의 그래프는 기판 상에 증착된 증착 물질의 두께(도 16의 그래프의 세로축)를 기판(S)의 x 축 방향(도 16의 그래프의 가로축)을 따라 측정한 예시적인 그래프이다.In this case, the graph of FIG. 16 is an exemplary graph in which the thickness of the deposition material deposited on the substrate (the vertical axis of the graph of FIG. 16 ) is measured along the x-axis direction (the horizontal axis of the graph of FIG. 16 ) of the substrate S.

상술된 수학식 1과 수학식 2를 참고하면, 4개의 증착원 각각에 해당하는 비례 계수 K1, K2, K3, K4가 존재한다. 이때, 4개의 증착원 각각에 해당하는 비례 계수들의 비율이 K1 : K2 : K3 : K4 = 2 : 1 : 1 : 2이 되도록 만들 수 있다. 즉, 4개의 증착원 각각에서 분사되는 증착 물질의 레이트를 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 통해 독립적으로 측정하고 제어함으로써, 증착 두께의 균일도가 두께의 평균값 기준으로 ±2% 이내의 결과를 가질 수 있다.Referring to Equations 1 and 2 described above, proportional coefficients K 1 , K 2 , K 3 , and K 4 corresponding to each of the four deposition sources exist. In this case, the ratio of proportional coefficients corresponding to each of the four deposition sources may be K 1 : K 2 : K 3 : K 4 = 2 : 1 : 1 : 2 . That is, by independently measuring and controlling the rate of the deposition material sprayed from each of the four deposition sources through the deposition control device according to some embodiments, the uniformity of the deposition thickness has a result within ±2% based on the average value of the thickness. can

도 17은 종래 증착 제어 장치에 의해, 기판에 증착된 증착 물질의 두께를 측정한 다른 예시적인 그래프이다.17 is another exemplary graph in which a thickness of a deposition material deposited on a substrate is measured by a conventional deposition control apparatus.

도 17을 참조하면, 기판은 x축 방향의 폭 1100mm를 갖는다. 또한, 기판 하부의 증착부 내에 4개의 증착원이 x축 방향으로 나란하게 이격되어 배치된 것을 가정한다.Referring to FIG. 17 , the substrate has a width of 1100 mm in the x-axis direction. In addition, it is assumed that four deposition sources are spaced apart from each other in the x-axis direction in the deposition part under the substrate.

종래 증착 제어 장치를 통해, 증착부 내에 포함된 4개의 증착원에서 분사되는 각각의 증착 물질의 레이트를 측정하고 제어할 수 있다.Through the conventional deposition control apparatus, it is possible to measure and control the rate of each deposition material sprayed from the four deposition sources included in the deposition unit.

이때, 도 17의 그래프는 네 개의 증착원 중 어느 하나의 증착원의 증착 레이트를 측정하며 제어한다. 또한, 나머지 세 개의 증착원에는 상기 어느 하나의 증착원에 인가되는 전력값에 일정하게 비례되는 전력값이 인가될 수 있다.At this time, the graph of FIG. 17 measures and controls the deposition rate of any one of the four deposition sources. Also, a power value that is uniformly proportional to a power value applied to one of the deposition sources may be applied to the remaining three deposition sources.

도 17의 그래프는 상기와 같은 조건에서 기판에 증착 물질을 증착한 경우, 기판 상에 증착된 증착 물질의 두께(도 17의 그래프의 세로축)를 기판의 x 축 방향(도 17의 그래프의 가로축)을 따라 측정한 예시적인 그래프이다.The graph of FIG. 17 shows the thickness of the deposition material deposited on the substrate (vertical axis of the graph of FIG. 17) in the x-axis direction (horizontal axis of the graph of FIG. 17) of the substrate when the deposition material is deposited on the substrate under the conditions as described above. It is an exemplary graph measured along.

4개의 증착원 각각에서 분사되는 증착 물질의 레이트를 종래 증착 제어 장치를 통해 측정하고 제어함으로써, 증착 두께의 균일도가 두께의 평균값 기준으로 ±5% 이내의 결과를 가질 수 있다. By measuring and controlling the rate of the deposition material sprayed from each of the four deposition sources through a conventional deposition control device, the uniformity of the deposition thickness may be within ±5% based on the average value of the thickness.

이를 통해, 도 16을 통해 살펴본 몇몇 실시예에 따른 증착 제어 장치를 통해 측정된 증착 두께의 균일도가 도 17을 통해 살펴본 종래 증착 제어 장치를 통해 측정된 증착 두께의 균일도보다 더 균일함을 알 수 있다.Through this, it can be seen that the uniformity of the deposition thickness measured by the deposition control apparatus according to some embodiments shown in FIG. 16 is more uniform than the uniformity in the deposition thickness measured by the conventional deposition control apparatus illustrated in FIG. 17 . .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various different forms, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

S: 기판 20: 증착 영역 30: 진공 챔버 100: 증착부 112: 제1 증착원 114: 제1 히터 116: 제1 노즐 122: 제2 증착원 124: 제2 히터 126: 제2 노즐 200: 제어부 212: 제1 PID 연산기 214: 제1 전원 공급기 222: 제2 PID 연산기 224: 제2 전원 공급기 R1: 제1 분사 경로 R2: 제2 분사 경로 300: 센싱부 310: 증착 측정 위치 제어 기구 312: 제1 증착 측정 위치 제어 기구 314: 제2 증착 측정 위치 제어 기구 322: 제1 개구부 324: 제2 개구부 326: 제3 개구부 328: 제4 개구부 330: 구동축 위치 센서 340: 증착 센서 350: 센서 구동 장치 360: 파이프 370: 모터 구동축 D1: 제1 거리 L1: 제1 가상선 L2: 제2 가상선 L3: 제3 가상선 P1: 제1 구간 P2: 제2 구간S: substrate 20: deposition region 30: vacuum chamber 100: deposition unit 112: first deposition source 114: first heater 116: first nozzle 122: second deposition source 124: second heater 126: second nozzle 200: controller 212: first PID operator 214: first power supply 222: second PID operator 224: second power supply R1: first injection path R2: second injection path 300: sensing unit 310: deposition measurement position control mechanism 312: second DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 deposition measurement position control mechanism 314: second deposition measurement position control mechanism 322: first opening 324: second opening 326: third opening 328: fourth opening 330: drive shaft position sensor 340: deposition sensor 350: sensor driving device 360 : pipe 370: motor drive shaft D1: first distance L1: first virtual line L2: second virtual line L3: third virtual line P1: first section P2: second section

Claims (21)

기판 상에, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원;
상기 기판 상에, 상기 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원;
상기 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서;
제1 개구부와 제2 개구부를 포함하는 제1 증착 측정 위치 제어 기구;
상기 제1 증착 측정 위치 제어 기구를 이동시키는 모터 구동축;
상기 모터 구동축의 위치를 감지하는 구동축 위치 센서;
상기 증착 센서를 구동하는 센서 구동 장치;
상기 센서 구동 장치와 상기 구동축 위치 센서를 제어하여, 설정된 시간동안 측정되는 상기 증착 센서의 신호값으로부터 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 의한 각각의 증착 레이트를 계산하는 컨트롤러;
상기 증착 레이트를 PID 연산하여 PID 연산값을 생성하는 PID 연산기; 및
상기 PID 연산값을 이용하여, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 각각 공급될 전원을 생산하는 전원 공급기를 포함하되,
상기 증착 물질이 상기 제1 분사 경로 및 상기 제2 분사 경로를 따라 상기 기판 상에 동시에 분사되는 동안, 상기 제1 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제1 분사 경로가 상기 제1 개구부를 통과하여 상기 증착 센서와 만나고,
상기 제1 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제2 분사 경로가 상기 제2 개구부를 통과하여 상기 증착 센서와 만나는 증착 제어 장치.
a first deposition source for jetting a deposition material along a first jetting path on the substrate;
a second deposition source configured to spray the deposition material along a second injection path on the substrate;
a deposition sensor for measuring a deposition thickness of the deposition material;
a first deposition measurement position control mechanism comprising a first opening and a second opening;
a motor drive shaft for moving the first deposition measurement position control mechanism;
a drive shaft position sensor for detecting a position of the motor drive shaft;
a sensor driving device for driving the deposition sensor;
a controller controlling the sensor driving device and the driving shaft position sensor to calculate respective deposition rates by the first deposition source and the second deposition source from signal values of the deposition sensor measured for a set time;
a PID calculator for generating a PID calculated value by performing a PID operation on the deposition rate; and
a power supply for generating power to be respectively supplied to the first deposition source and the second deposition source by using the PID calculation value;
while the deposition material is simultaneously jetted onto the substrate along the first jetting path and the second jetting path, moving the first deposition measuring position control mechanism so that the first jetting path passes through the first opening to meet the deposition sensor,
The deposition control apparatus moves the first deposition measurement position control mechanism so that the second injection path passes through the second opening and meets the deposition sensor.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 전원 공급기는 제1 전원 공급기와 제2 전원 공급기를 포함하며,
상기 제1 전원 공급기는 상기 제1 증착원에 제1 전원을 공급하고,
상기 제2 전원 공급기는 상기 제2 증착원에 제2 전원을 공급하는 증착 제어 장치.
The method of claim 1,
The power supply includes a first power supply and a second power supply,
The first power supply supplies a first power to the first deposition source,
The second power supply is a deposition control device for supplying a second power to the second deposition source.
제 1항에 있어서,
상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원은 상기 증착 물질을 가열하는 각각의 제1 히터와 제2 히터를 포함하는 증착 제어 장치.
The method of claim 1,
and the first deposition source and the second deposition source include first and second heaters respectively configured to heat the deposition material.
제 6항에 있어서,
상기 제1 증착원은 상기 증착 물질을 가열하는 제3 히터를 더 포함하는 증착 제어 장치.
7. The method of claim 6,
The first deposition source may further include a third heater configured to heat the deposition material.
제 1항에 있어서,
상기 제1 증착원과 연결되어, 상기 증착 물질을 상기 제1 분사 경로로 분사하는 제1 노즐; 및
상기 제2 증착원과 연결되어, 상기 증착 물질을 상기 제2 분사 경로로 분사하는 제2 노즐을 더 포함하는 증착 제어 장치.
The method of claim 1,
a first nozzle connected to the first deposition source and configured to spray the deposition material into the first injection path; and
and a second nozzle connected to the second deposition source and configured to spray the deposition material into the second injection path.
제 8항에 있어서,
상기 제1 증착원과 연결되어, 상기 증착 물질을 제3 분사 경로로 분사하는 제3 노즐을 더 포함하는 증착 제어 장치.
9. The method of claim 8,
and a third nozzle connected to the first deposition source and configured to spray the deposition material through a third injection path.
제 1항에 있어서,
제3 개구부와 제4 개구부를 포함하는 제2 증착 측정 위치 제어 기구를 더 포함하되,
상기 제2 증착 측정 위치 제어 기구가 이동하여,
상기 제1 분사 경로가 상기 제1 개구부와 상기 제3 개구부를 모두 통과하여 상기 증착 센서와 만나거나, 상기 제2 분사 경로가 상기 제2 개구부와 상기 제4 개구부를 모두 통과하여 상기 증착 센서와 만나는 증착 제어 장치.
The method of claim 1,
a second deposition measurement position control mechanism comprising a third opening and a fourth opening;
The second deposition measurement position control mechanism moves,
The first injection path passes through both the first opening and the third opening to meet the deposition sensor, or the second injection path passes through both the second opening and the fourth opening to meet the deposition sensor Deposition control device.
기판 상에, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원;
상기 기판 상에, 상기 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원;
상기 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서;
파이프와 연결된 증착 측정 위치 제어 기구;
상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동시키는 모터 구동축;
상기 모터 구동축의 위치를 감지하는 구동축 위치 센서;
상기 증착 센서를 구동하는 센서 구동 장치;
상기 센서 구동 장치와 상기 구동축 위치 센서를 제어하여, 설정된 시간동안 측정되는 상기 증착 센서의 신호값으로부터 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 의한 각각의 증착 레이트를 계산하는 컨트롤러;
상기 증착 레이트를 PID 연산하여 PID 연산값을 생성하는 PID 연산기; 및
상기 PID 연산값을 이용하여, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 각각 공급될 전원을 생산하는 전원 공급기를 포함하되,
상기 증착 물질이 상기 제1 분사 경로 및 상기 제2 분사 경로를 따라 상기 기판 상에 동시에 분사되는 동안, 상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제1 분사 경로가 상기 파이프를 통과하여 상기 증착 센서와 만나고,
상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제2 분사 경로가 상기 파이프를 통과하여 상기 증착 센서와 만나는 증착 제어 장치.
a first deposition source for jetting a deposition material along a first jetting path on the substrate;
a second deposition source configured to spray the deposition material along a second injection path on the substrate;
a deposition sensor for measuring a deposition thickness of the deposition material;
a deposition measurement position control mechanism connected to the pipe;
a motor drive shaft for moving the deposition measurement position control mechanism;
a drive shaft position sensor for detecting a position of the motor drive shaft;
a sensor driving device for driving the deposition sensor;
a controller controlling the sensor driving device and the driving shaft position sensor to calculate respective deposition rates by the first deposition source and the second deposition source from signal values of the deposition sensor measured for a set time;
a PID calculator for generating a PID calculated value by performing a PID operation on the deposition rate; and
a power supply for generating power to be respectively supplied to the first deposition source and the second deposition source by using the PID calculation value;
while the deposition material is simultaneously jetted onto the substrate along the first jetting path and the second jetting path, moving the deposition measuring position control mechanism so that the first jetting path passes through the pipe to the deposition sensor meet with,
The deposition control device moves the deposition measurement position control mechanism so that the second injection path passes through the pipe and meets the deposition sensor.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 11항에 있어서,
상기 전원 공급기는 제1 전원 공급기와 제2 전원 공급기를 포함하며,
상기 제1 전원 공급기는 상기 제1 증착원에 제1 전원을 공급하고,
상기 제2 전원 공급기는 상기 제2 증착원에 제2 전원을 공급하는 증착 제어 장치.
12. The method of claim 11,
The power supply includes a first power supply and a second power supply,
The first power supply supplies a first power to the first deposition source,
The second power supply is a deposition control device for supplying a second power to the second deposition source.
제 11항에 있어서,
상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원은 상기 증착 물질을 가열하는 각각의 제1 히터와 제2 히터를 포함하는 증착 제어 장치.
12. The method of claim 11,
and the first deposition source and the second deposition source include first and second heaters respectively configured to heat the deposition material.
제 16항에 있어서,
상기 제1 증착원은 상기 증착 물질을 가열하는 제3 히터를 더 포함하는 증착 제어 장치.
17. The method of claim 16,
The first deposition source may further include a third heater configured to heat the deposition material.
제 11항에 있어서,
상기 제1 증착원과 연결되어, 상기 증착 물질을 상기 제1 분사 경로로 분사하는 제1 노즐; 및
상기 제2 증착원과 연결되어, 상기 증착 물질을 상기 제2 분사 경로로 분사하는 제2 노즐을 더 포함하는 증착 제어 장치.
12. The method of claim 11,
a first nozzle connected to the first deposition source and configured to spray the deposition material into the first injection path; and
and a second nozzle connected to the second deposition source and configured to spray the deposition material into the second injection path.
제 18항에 있어서,
상기 제1 증착원과 연결되어, 상기 증착 물질을 제3 분사 경로로 분사하는 제3 노즐을 더 포함하는 증착 제어 장치.
19. The method of claim 18,
and a third nozzle connected to the first deposition source and configured to spray the deposition material through a third injection path.
증착 제어 장치를 이용하여 기판에 증착 물질을 증착하는 디스플레이 제조 방법에 있어서,
상기 기판을 이송하고,
상기 증착 제어 장치와 상기 기판이 소정 간격으로 이격된 상태에서, 상기 증착 제어 장치에 의해 증발된 상기 증착 물질을 상기 기판 상에 증착하고,
상기 증착 물질이 증착된 상기 기판을 회송하는 것을 포함하되,
상기 증착 물질을 증착하는 것은 상기 증착 제어 장치를 통해 상기 증착 물질의 증착 레이트를 주기적으로 측정하는 것을 포함하고,
상기 증착 제어 장치는,
상기 기판 상에, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원;
상기 기판 상에, 상기 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원;
상기 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서;
제1 개구부와 제2 개구부를 포함하는 증착 측정 위치 제어 기구;
상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동시키는 모터 구동축;
상기 모터 구동축의 위치를 감지하는 구동축 위치 센서;
상기 증착 센서를 구동하는 센서 구동 장치;
상기 센서 구동 장치와 상기 구동축 위치 센서를 제어하여, 설정된 시간동안 측정되는 상기 증착 센서의 신호값으로부터 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 의한 각각의 증착 레이트를 계산하는 컨트롤러;
상기 증착 레이트를 PID 연산하여 PID 연산값을 생성하는 PID 연산기; 및
상기 PID 연산값을 이용하여, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 각각 공급될 전원을 생산하는 전원 공급기를 포함하되,
상기 증착 물질이 상기 제1 분사 경로 및 상기 제2 분사 경로를 따라 상기 기판 상에 동시에 분사되는 동안, 상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제1 분사 경로가 상기 제1 개구부를 통과하여 상기 증착 센서와 만나고,
상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제2 분사 경로가 상기 제2 개구부를 통과하여 상기 증착 센서와 만나는 디스플레이 제조 방법.
A method of manufacturing a display for depositing a deposition material on a substrate using a deposition control device, the method comprising:
transferring the substrate;
depositing the deposition material evaporated by the deposition control device on the substrate while the deposition control device and the substrate are spaced apart by a predetermined distance;
returning the substrate on which the deposition material is deposited;
depositing the deposition material comprises periodically measuring a deposition rate of the deposition material via the deposition control device;
The deposition control device,
a first deposition source for spraying a deposition material along a first injection path on the substrate;
a second deposition source configured to spray the deposition material along a second injection path on the substrate;
a deposition sensor for measuring a deposition thickness of the deposition material;
a deposition measurement position control mechanism comprising a first opening and a second opening;
a motor drive shaft for moving the deposition measurement position control mechanism;
a drive shaft position sensor for detecting a position of the motor drive shaft;
a sensor driving device for driving the deposition sensor;
a controller controlling the sensor driving device and the driving shaft position sensor to calculate respective deposition rates by the first deposition source and the second deposition source from signal values of the deposition sensor measured for a set time;
a PID calculator for generating a PID calculated value by performing a PID operation on the deposition rate; and
a power supply for generating power to be respectively supplied to the first deposition source and the second deposition source by using the PID calculation value;
while the deposition material is simultaneously jetted onto the substrate along the first jetting path and the second jetting path, moving the deposition measuring position control mechanism so that the first jetting path passes through the first opening meet the deposition sensor,
The method for manufacturing a display by moving the deposition measurement position control mechanism so that the second jetting path passes through the second opening and meets the deposition sensor.
증착 제어 장치를 이용하여 기판에 증착 물질을 증착하는 디스플레이 제조 방법에 있어서,
상기 기판을 이송하고,
상기 증착 제어 장치와 상기 기판이 소정 간격으로 이격된 상태에서, 상기 증착 제어 장치에 의해 증발된 상기 증착 물질을 상기 기판 상에 증착하고,
상기 증착 물질이 증착된 상기 기판을 회송하는 것을 포함하되,
상기 증착 물질을 증착하는 것은 상기 증착 제어 장치를 통해 상기 증착 물질의 증착 레이트를 주기적으로 측정하는 것을 포함하고,
상기 증착 제어 장치는,
상기 기판 상에, 증착 물질을 제1 분사 경로를 따라 분사하는 제1 증착원;
상기 기판 상에, 상기 증착 물질을 제2 분사 경로를 따라 분사하는 제2 증착원;
상기 증착 물질의 증착 두께를 측정하는 증착 센서;
파이프와 연결된 증착 측정 위치 제어 기구;
상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동시키는 모터 구동축;
상기 모터 구동축의 위치를 감지하는 구동축 위치 센서;
상기 증착 센서를 구동하는 센서 구동 장치;
상기 센서 구동 장치와 상기 구동축 위치 센서를 제어하여, 설정된 시간동안 측정되는 상기 증착 센서의 신호값으로부터 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 의한 각각의 증착 레이트를 계산하는 컨트롤러;
상기 증착 레이트를 PID 연산하여 PID 연산값을 생성하는 PID 연산기; 및
상기 PID 연산값을 이용하여, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원에 각각 공급될 전원을 생산하는 전원 공급기를 포함하되,
상기 증착 물질이 상기 제1 분사 경로 및 상기 제2 분사 경로를 따라 상기 기판 상에 동시에 분사되는 동안, 상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제1 분사 경로가 상기 파이프를 통과하여 상기 증착 센서와 만나고,
상기 증착 측정 위치 제어 기구를 이동하여, 상기 제2 분사 경로가 상기 파이프를 통과하여 상기 증착 센서와 만나는 디스플레이 제조 방법.
A method of manufacturing a display for depositing a deposition material on a substrate using a deposition control device, the method comprising:
transferring the substrate;
depositing the deposition material evaporated by the deposition control device on the substrate while the deposition control device and the substrate are spaced apart by a predetermined distance;
returning the substrate on which the deposition material is deposited;
depositing the deposition material comprises periodically measuring a deposition rate of the deposition material via the deposition control device;
The deposition control device,
a first deposition source for spraying a deposition material along a first injection path on the substrate;
a second deposition source configured to spray the deposition material along a second injection path on the substrate;
a deposition sensor for measuring a deposition thickness of the deposition material;
a deposition measurement position control mechanism connected to the pipe;
a motor drive shaft for moving the deposition measurement position control mechanism;
a drive shaft position sensor for detecting a position of the motor drive shaft;
a sensor driving device for driving the deposition sensor;
a controller controlling the sensor driving device and the driving shaft position sensor to calculate respective deposition rates by the first deposition source and the second deposition source from signal values of the deposition sensor measured for a set time;
a PID calculator for generating a PID calculated value by performing a PID operation on the deposition rate; and
a power supply for generating power to be respectively supplied to the first deposition source and the second deposition source by using the PID calculation value;
while the deposition material is simultaneously jetted onto the substrate along the first jetting path and the second jetting path, moving the deposition measuring position control mechanism so that the first jetting path passes through the pipe to the deposition sensor meet with,
The method for manufacturing a display by moving the deposition measurement position control mechanism so that the second injection path passes through the pipe and meets the deposition sensor.
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