KR101983009B1 - Evaporating source and vacuum depositing equipment including the evaporating source - Google Patents

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Abstract

증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치가 개시된다. 일 실시예에 따른 증발원은 증착 재료를 수용하기 위한 도가니, 도가니를 직접 또는 간접으로 가열하여 증착 재료를 증발시키기 위한 제1 가열 수단, 도가니의 유출구와 연결되어 있으며, 증발된 증착 재료가 분사되는 복수의 분사 홀들이 배치되어 있는 분사 노즐, 및 복수의 영역으로 구획되는 분사 노즐의 각 영역에 설치되어 있고 또한 독립적으로 온도 제어가 가능한 복수의 제2 가열 수단을 포함한다.An evaporation source and a vacuum deposition apparatus having the evaporation source are disclosed. The evaporation source according to an embodiment includes a crucible for accommodating an evaporation material, a first heating means for directly or indirectly heating the crucible to evaporate the evaporation material, a second heating means connected to the outlet of the crucible, And a plurality of second heating means provided in each region of the jetting nozzles divided into a plurality of regions and capable of independently controlling the temperature.

Description

증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치{ Evaporating source and vacuum depositing equipment including the evaporating source}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an evaporation source and a vacuum deposition apparatus having the evaporation source,

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 증발원과 이를 구비한 진공 증착 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an evaporation source and a vacuum deposition apparatus having the same.

유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)는 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 유기물로 형성된 발광층에서 결합하면서 특정 파장의 빛이 발생하는 발광 소자이다. OLED는 유기물의 종류에 따라서 발생하는 광의 파장이 달라질 수 있다. 유기 발광 디스플레이 장치는 이러한 OLED의 어레이를 광원으로 이용하는 자체 발광형 디스플레이 장치의 하나이다. 유기 발광 디스플레이 장치는 발광 효율이 우수하여 저전압으로 구동이 가능하고, 경량의 박형이며, 시야각이 넓을 뿐만 아니라 응답 속도도 빠르기 때문에, 차세대 디스플레이 장치로 큰 주목을 받고 있다.An organic light emitting diode (OLED) is a light emitting device in which electrons injected through a cathode and an anode are combined in a light emitting layer formed of an organic material, and light of a specific wavelength is generated. In OLED, the wavelength of light generated depending on the type of organic material may be changed. The organic light emitting display device is one of the self-luminous display devices using such an array of OLEDs as a light source. The organic light emitting display device has been attracting attention as a next generation display device because it has excellent luminous efficiency and can be driven at a low voltage, is lightweight, thin, has a wide viewing angle and has a high response speed.

유기 발광 디스플레이 장치를 제조하는 과정은 글래스 기판 상에 유기물 및 무기물을 증착하여 OLED의 어레이를 형성하기 위한 소자 제조 공정과 제조된 OLED를 밀봉하기 위한 봉지(encapsulation) 공정을 포함한다. 소자 제조 공정은 애노드(anode)가 형성되어 있는 글래스 기판 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(Hole Transfer Layer), RGB 발광층(RGB EMission Layer, EML), 전자 수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL), 캐소드(cathode) 등의 다층 박막을 형성하는 공정을 포함한다. 그리고 봉지 공정은 습기에 취약한 유기물을 보호하기 위한 것으로서, 최근에는 플렉시블하고 투명하며 또는 얇은 패널의 제조에 적합한 박막 봉지(Thin Film Encapsulation, TFE) 기술이 주목을 받고 있다. The manufacturing process of the organic light emitting display device includes a device manufacturing process for forming an array of OLEDs by depositing organic and inorganic materials on a glass substrate, and an encapsulation process for sealing the OLEDs manufactured. In the device manufacturing process, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (Hole Transfer Layer), an RGB emission layer (EML), and an electron transport layer (EML) are formed on a glass substrate on which an anode is formed. Layer ETL, an electron injection layer (EIL), and a cathode. In addition, the sealing process is intended to protect organic materials which are vulnerable to moisture. Recently, thin film encapsulation (TFE) technology suitable for the manufacture of flexible, transparent or thin panels has been attracting attention.

이와 같이, 유기 발광 디스플레이 장치를 제조하기 위해서는 소자 제조 공정및/또는 봉지 공정에서 유기물 및 무기물의 박막을 형성하기 위한 다수의 증착 공정을 수행해야 한다. 증착 공정은 진공 증착법, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법 등과 같은 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)법과 둘 이상의 공정 가스들의 반응에 의한 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)법이 있다. 이 중에서 유기 발광 디스플레이 장치, 특히 유기물로 형성되는 발광층이나 모노머(monomer)로 형성되는 봉지층 등을 제조하는데 있어서는 진공 증착법이 주로 이용되고 있다.In order to manufacture an organic light emitting display device, a plurality of deposition processes for forming a thin film of organic and inorganic materials in the device manufacturing process and / or the encapsulation process must be performed. The deposition process includes a physical vapor deposition (PVD) method such as a vacuum deposition method, an ion plating method, a sputtering method, and a chemical vapor deposition (CVD) method by reaction of two or more process gases. Among them, a vacuum evaporation method is mainly used for manufacturing an organic light emitting display device, in particular, a sealing layer formed of a light emitting layer or a monomer formed of an organic material.

진공 증착 공정을 수행하기 위한 진공 증착 장치는 진공 챔버의 내부에 증발원이 글래스 기판에 대향하도록 배치되어 있다. 글래스 기판은 수평 또는 수직으로 배치되어 지지될 수 있다. 그리고 증발원은 유기물이나 모노머 등과 같은 증착 재료의 기체(vapor)를 발생시키기 위한 장치로서, 광의로는 기상의 증착 재료를 기판 쪽으로 안내 또는 분사시키기 위한 분사 노즐도 증발원에 포함된다. 예를 들어, 증발원은 원료 물질이 수용되는 도가니와 이 도가니를 가열하기 위한 가열 부재를 적어도 포함한다. 그리고 도가니의 일 단부에는 증발된 원료 가스가 배출되는 통로인 분사 노즐이 구비되어 있는데, 분사 노즐은 하나 또는 그 이상의 분사 홀을 포함한다.In a vacuum vapor deposition apparatus for performing a vacuum vapor deposition process, an evaporation source is disposed inside a vacuum chamber so as to face a glass substrate. The glass substrate can be supported horizontally or vertically. The evaporation source is an apparatus for generating a vapor of an evaporation material such as an organic material or a monomer. In the light of the above, an evaporation source includes an injection nozzle for guiding or vaporizing the vapor deposition material toward the substrate. For example, the evaporation source includes at least a crucible in which the raw material is accommodated and a heating member for heating the crucible. At one end of the crucible, there is provided a spray nozzle which is a passage through which the evaporated raw material gas is discharged. The spray nozzle includes one or more spray holes.

증발원은 분사 홀의 개수 및/또는 배열 등에 따라서 포인트 소스(point source), 선형 증발원(리니어 소스, linear source), 면 증발원(area source) 등으로 구분될 수 있다. 최근에는 기판이 대면적화됨에 따라서 포인트 소스보다는 선형 증발원이 주목을 받고 있으며, 리니어 소스의 길이는 점차 증가하고 있다. 리니어 소스는 포인트 소스에 비하여 증착 재료의 효율이 높을 뿐만 아니라 높은 증착 속도의 구현이 가능하기 때문이다. 다만, 리니어 소스는 통상적으로 증발원을 좌우 또는 상하로 스캔하기 위한 스캔 수단이 필요하다. 그리고 리니어 소스는 증착 온도 및 증착 속도의 제어가 어려울 뿐만 아니라 증착 균일성을 얻기가 어려운 단점이 있다. 특히, 대면적의 기판에 대응할 수 있도록 리니어 소스의 길이가 길어질수록 전체적으로 증착 균일성을 달성하기가 더욱 어려워진다. 그리고 면 증발원도 현재는 위치에 따른 증착율의 제어가 쉽지 않아서 증발원으로 널리 사용되고 있지는 않다.
The evaporation source may be classified into a point source, a linear source, a surface source, and the like depending on the number and / or arrangement of the injection holes. In recent years, linear evaporation sources have attracted more attention than point sources due to the large size of substrates, and the length of linear sources is gradually increasing. This is because the linear source has a higher efficiency of the evaporation material as compared with the point source and can realize a high deposition rate. However, a linear source typically requires a scanning means for scanning the evaporation source left or right or up and down. In addition, in the linear source, it is difficult to control the deposition temperature and the deposition rate, and it is difficult to obtain the uniformity of the deposition. In particular, as the length of the linear source becomes longer so as to be able to cope with a large-area substrate, it becomes more difficult to achieve the uniformity of the deposition as a whole. In addition, the evaporation source is not widely used as an evaporation source because it is not easy to control the deposition rate according to the position at present.

본 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 기판의 대면적화에 대응할 수 있도록 증발원의 크기 또는 길이가 증가하는 경우에도 전체적으로 증착 균일성을 달성할 수 있는 증발원과 이를 포함하는 진공 증착 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an evaporation source and a vacuum deposition apparatus including the evaporation source that can achieve uniform deposition uniformity even when the size or length of the evaporation source increases in order to cope with the large-

본 발명이 해결하고자 하는 다른 하나의 과제는 선형 증발원의 길이가 증가하는 것과 같이 증발원의 크기가 증가라도 증착 속도 및 증착 온도의 제어가 용이하며, 하드웨어의 변경 없이 소프트웨어의 변경을 통해 증착 균일성을 달성하는 것이 가능한 증발원과 이를 포함하는 진공 증착 장치를 제공하는 것이다.
Another problem to be solved by the present invention is to control the deposition rate and the deposition temperature easily, even when the size of the evaporation source is increased, such as the length of the linear evaporation source increases, and the deposition uniformity And to provide a vacuum evaporation apparatus including the evaporation source.

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 증발원은 증착 재료를 수용하기 위한 도가니, 상기 도가니를 직접 또는 간접으로 가열하여 상기 증착 재료를 증발시키기 위한 제1 가열 수단, 상기 도가니의 유출구와 연결되어 있으며, 증발된 상기 증착 재료가 분사되는 복수의 분사 홀들이 배치되어 있는 분사 노즐, 및 복수의 영역으로 구획되는 상기 분사 노즐의 각 영역에 설치되어 있고 또한 독립적으로 온도 제어가 가능한 복수의 제2 가열 수단을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an evaporation source including a crucible for containing an evaporation material, a first heating means for directly or indirectly heating the crucible to evaporate the evaporation material, And a plurality of spray nozzles which are provided in respective regions of the spray nozzles which are divided into a plurality of regions and which are capable of independently controlling the temperature, And a second heating means.

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 진공 증착 장치는 진공 챔버, 기판 지지부, 증발원, 및 분사 노즐 온도 제어부를 포함한다. 상기 기판 지지부는 상기 진공 챔버 내에 설치되어 피처리 기판을 지지하기 위한 것이다. 상기 증발원은 상기 기판 지지부에 지지되는 피처리 기판에 대향하게 기체 상태의 증착 재료를 분사하도록 상기 진공 챔버 내에 설치되어 있는 것으로서, 증착 재료를 수용하기 위한 도가니, 상기 도가니를 직접 또는 간접으로 가열하여 상기 증착 재료를 증발시키기 위한 제1 가열 수단, 상기 도가니의 유출구와 연결되어 있으며, 증발된 상기 증착 재료가 분사되는 복수의 분사 홀들이 배치되어 있는 분사 노즐, 및 복수의 영역으로 구획되는 상기 분사 노즐의 각 영역에 설치되어 있고 또한 독립적으로 온도 제어가 가능한 복수의 제2 가열 수단을 포함한다. 그리고 분사 노즐 온도 제어부는 상기 증발원의 복수의 제2 가열 수단의 온도를 독립적으로 제어하기 위한 것이다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a vacuum deposition apparatus including a vacuum chamber, a substrate support, an evaporation source, and a nozzle temperature controller. The substrate supporting portion is provided in the vacuum chamber to support the substrate to be processed. Wherein the evaporation source is installed in the vacuum chamber so as to eject an evaporation material in a gaseous state opposite to the substrate to be processed supported by the substrate support, the evaporation source comprising: a crucible for containing an evaporation material; A first heating means for evaporating the evaporation material, an injection nozzle connected to an outlet of the crucible and having a plurality of injection holes through which the vaporized evaporation material is injected, and a plurality of injection nozzles And a plurality of second heating means provided in the respective regions and capable of independently controlling the temperature. The injection nozzle temperature control unit is for controlling the temperature of the plurality of second heating means of the evaporation source independently.

본 발명의 실시예에 의하면 선형 증발원을 구비한 진공 증착 장치의 증착 균일성 수준을 보다 향상시킬 수가 있다. 그리고 증착 균일성이 기대에 못미치더라도 분사 노즐을 다시 설계하여 제조할 필요가 없으며, 그에 따라 분사 노즐을 설계하는데 따른 부담도 완화시킬 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, the level of deposition uniformity of a vacuum deposition apparatus having a linear evaporation source can be further improved. Even if the deposition uniformity is less than the expectation, it is not necessary to redesign the injection nozzle, thereby relieving the burden of designing the injection nozzle.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공 증착 장치의 개략적인 구성을 보여 주는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 증발원의 구성을 보여 주는 구성도이다.
도 3은 도 2의 선형 증발원의 분사 노즐에 대한 사시도의 일례이다.
FIG. 1 is a schematic view showing a schematic configuration of a vacuum deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram illustrating a configuration of a linear evaporation source according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is an example of a perspective view of the injection nozzle of the linear evaporation source of Fig. 2;

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 사용되는 용어들은 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 후술하는 실시예들에서 사용된 용어의 의미는, 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우에는 그 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우는 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석되어야 할 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The terms used are terms selected in consideration of the functions in the embodiments, and the meaning of the terms may vary depending on the user, the intention or custom of the operator, and the like. Therefore, the meaning of the terms used in the following embodiments is defined according to the definition when specifically defined in this specification, and unless otherwise defined, it should be interpreted in a sense generally recognized by those skilled in the art.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공 증착 장치의 개략적인 구성을 보여 주는 구성도이다. 진공 증착 장치(100)는 진공 증착 공정을 수행하기 위한 장치로서, 증착 재료의 종류에는 특별한 제한이 없다. 예를 들어, 진공 증착 장치(100)는 유기물을 증착 재료로 사용하여 OLED의 발광층을 형성하기 위한 장치이거나 또는 모노머를 증착 재료로 사용하여 봉지층을 구성하는 박막을 형성하기 위한 장치일 수 있다. 하지만, 본 실시예가 여기에만 한정되는 것은 아니며, 진공 증착 장치(100)는 OLED가 아닌 다른 반도체 소자를 구성하는 박막을 형성하거나 또는 OLED를 구성하는 다른 유기 또는 무기 박막을 형성하기 위한 장치가 될 수도 있다. 도 1을 참조하면, 진공 증착 장치(100)는 진공 챔버(110), 기판 지지부(120), 증발원(130), 및 분사 노즐 온도 제어부(170)를 포함한다. 그리고 진공 증착 장치는 마스크 지지부(140), 증발원 구동부(150), 및 정렬 장치(160)를 더 포함할 수 있다.FIG. 1 is a schematic view showing a schematic configuration of a vacuum deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. The vacuum deposition apparatus 100 is a device for performing a vacuum deposition process, and there is no particular limitation on the type of deposition material. For example, the vacuum deposition apparatus 100 may be an apparatus for forming an emission layer of an OLED using an organic material as an evaporation material, or an apparatus for forming a thin film constituting an encapsulation layer using a monomer as an evaporation material. However, the present embodiment is not limited thereto, and the vacuum deposition apparatus 100 may be a device for forming a thin film constituting a semiconductor element other than an OLED, or for forming another organic or inorganic thin film constituting an OLED have. Referring to FIG. 1, a vacuum deposition apparatus 100 includes a vacuum chamber 110, a substrate support 120, an evaporation source 130, and an injection nozzle temperature control unit 170. The vacuum deposition apparatus may further include a mask support 140, an evaporation source driver 150, and an alignment device 160.

진공 챔버(110)의 내부 공간은 피처리 기판(G)에 대한 박막 증착 공정시에 진공 분위기를 유지한다. 이를 위하여, 진공 챔버(110)의 내부 공간을 진공으로 만들기 위한 배기 펌프(도시하지 않음)가 진공 챔버(110)에 연결되어 설치되어 있을 수 있다. 그리고 진공 챔버(110)에는 기판(G)을 지지하기 위한 기판 지지부(120)와 새도우 마스크(M)를 지지하기 위한 마스크 지지부(140)가 각각 설치되어 있을 수 있다.The inner space of the vacuum chamber 110 maintains a vacuum atmosphere during the thin film deposition process for the substrate G to be processed. For this purpose, an evacuation pump (not shown) for evacuating the internal space of the vacuum chamber 110 may be connected to the vacuum chamber 110. The vacuum chamber 110 may be provided with a substrate supporting part 120 for supporting the substrate G and a mask supporting part 140 for supporting the shadow mask M, respectively.

진공 챔버(110)의 내부 공간에서 기판(G)에 대한 증착 공정은 다양하게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(120)에 의하여 기판(G)이 진공 챔버(110) 내에서 수직으로 세워지거나 또는 전방 또는 후방으로 약간 기울어진 상태에서 선형 증발원(130)이 좌우 및/또는 상하로 선형 이동하면서 기판(G)으로 기체 상태의 증착 물질을 공급하여 기판(G)의 표면에 박막을 증착할 수 있다. 이 때, 기판(G)의 표면에 소정 패턴의 박막을 형성하고자 할 경우에는 마스크 지지부(140)에 의하여 지지되는 소정 패턴을 갖는 새도우 마스크(M)가 기판(G)의 증착되는 면에 배치될 수 있다. 증착 공정을 수행하기 이전에, 새도우 마스크(M)와 기판(G)은 정렬 장치(160)에 의해 정렬될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(120)를 이용하여 기판(G)을 위치 고정한 상태에서 정렬 장치(160)를 이용하여 마스크 지지부(140)에 의하여 지지되고 있는 새도우 마스크(M)를 병진 및/또는 회전시켜서 새도우 마스크(M)를 기판(G)에 대하여 설정 위치로 정렬시킬 수 있다.The deposition process for the substrate G in the inner space of the vacuum chamber 110 can be variously performed. For example, when the substrate G is vertically erected in the vacuum chamber 110 by the substrate supporting part 120, or the linear evaporating source 130 is linearly and / A thin film can be deposited on the surface of the substrate G by supplying the gaseous deposition material to the substrate G while moving. In this case, when a thin film of a predetermined pattern is to be formed on the surface of the substrate G, a shadow mask M having a predetermined pattern supported by the mask supporting unit 140 is disposed on the deposition side of the substrate G . The shadow mask M and the substrate G may be aligned by the alignment device 160 before performing the deposition process. The shadow mask M supported by the mask support 140 may be rotated and / or rotated using the aligning device 160 while the substrate G is fixed by using the substrate support 120. [ To align the shadow mask M with respect to the substrate G at a set position.

증발원(130)에는 복수의 분사 홀(133a, 도 2 및 도 3 참조)들이 형성되어 있다. 증발원(130)은 복수의 분사 홀(133a, 도 2 및 도 3 참조)들이 어레이로 배치되어 있는 면 증발원 또는 선형으로 배치되어 있는 선형 증발원일 수 있다. 최근에는 증발원(130)으로서 선형 증발원이 널리 사용되고 있으므로, 이하에서는 증발원(130)이 선형 증발원인 경우에 대해서만 설명한다. 하지만, 본 실시예가 선형 증발원인 경우에만 한정되는 것이 아니다.A plurality of ejection holes 133a (see FIGS. 2 and 3) are formed in the evaporation source 130. The evaporation source 130 may be a surface evaporation source in which a plurality of injection holes 133a (see FIGS. 2 and 3) are arranged in an array, or a linear evaporation source arranged in a linear manner. In recent years, since the linear evaporation source is widely used as the evaporation source 130, only the case where the evaporation source 130 is linearly evaporated will be described below. However, this embodiment is not limited to the case of linear evaporation.

선형 증발원 또는 리니어 소스(130)는 증착 재료를 기화 또는 승화시켜서 기체 상태로 만들고 또한 만들어진 기체 상태의 증착 재료를 분사 홀을 통해 기판(G)쪽으로 분사한다. 선형 증발원(130)의 구체적인 구성에 관해서는 도 2 및 도 3을 참조하여 후술한다. 선형 증발원(130)은 기판(G)의 전면을 커버할 수 있도록 기판(G)에 대하여 좌우 및/또는 상하 방향으로 선형으로 스캔될 수 있다. 증발원 구동부(150)는 선형 증발원(130)을 선형으로 구동시키기 위한 구동 장치의 일례이다. 증발원 구동부(150)는, 예를 들어, 선형 증발원(130)을 선형 이동시키기 위한 구동력을 제공하는 리니어 액츄에이터(도시하지 않음)와 선형 이동을 안내하는 리니어 가이드(도시하지 않음)를 포함할 수 있다. 이와는 달리, 별도의 구동원에 의하여 구동되는 동력 전달 장치(예컨대, 일 단부가 선형 증발원(130)에 연결되고 타 단부에 구동원이 연결되어 있는 가이드 암)에 의하여 선형 증발원(130)이 종속적으로 구동될 수도 있다.The linear evaporation source or linear source 130 vaporizes or sublimates the evaporation material to make it into a gaseous state and also injects the produced gaseous evaporation material into the substrate G through the injection hole. The specific configuration of the linear evaporation source 130 will be described later with reference to FIG. 2 and FIG. The linear evaporation source 130 may be linearly scanned in the left and / or the right / up / down direction with respect to the substrate G so as to cover the entire surface of the substrate G. [ The evaporation source driving unit 150 is an example of a driving device for linearly driving the linear evaporation source 130. The evaporation source driving unit 150 may include, for example, a linear actuator (not shown) for providing a driving force for linearly moving the linear evaporating source 130 and a linear guide (not shown) for guiding the linear movement . Alternatively, the linear evaporating source 130 may be driven by a power transmitting device driven by a separate driving source (for example, a guide arm whose one end is connected to the linear evaporating source 130 and the driving source is connected to the other end) It is possible.

도면에 도시되어 있지는 않지만, 선형 증발원(130)의 선형 이동에 종속하여 구동되며 내부에 유틸리티 라인이 배치되어 있는 가이드 암의 일 단부가 선형 증발원(130)과 연결되어 있을 수 있다. 그리고 가이드 암의 타 단부는 진공 챔버(110)의 외부로 인출되어 있을 수 있다. 가이드 암은 선형 증발원(130)의 선형 이동에 종속하여 피벗 동작하거나 또는 다중 관절 동작을 함과 동시에 길이 방향으로 슬라이드 이동하는데, 이 경우에 가이드 암의 움직임에도 불구하고 진공 챔버(110)의 진공은 유지된다. 가이드 암의 내부에 배치되어 있는 유틸리티 라인은 진공 챔버(110)의 외부로부터 선형 증발원(130)에 전기, 제어신호 등을 공급하기 위한 배선, 냉각 가스나 캐리어 가스 등을 공급하기 위한 배관 등일 수 있다. Although not shown in the drawing, one end of the guide arm, which is driven in accordance with the linear movement of the linear evaporating source 130 and in which a utility line is disposed, may be connected to the linear evaporating source 130. The other end of the guide arm may be drawn out of the vacuum chamber 110. In this case, the vacuum of the vacuum chamber 110 is not transmitted to the vacuum chamber 110, even though the guide arm moves in the longitudinal direction while pivoting or performing multiple joint operations depending on the linear movement of the linear evaporation source 130. [ maintain. The utility line disposed inside the guide arm may be a line for supplying electricity, a control signal or the like from the outside of the vacuum chamber 110, piping for supplying a cooling gas, a carrier gas, or the like to the linear evaporation source 130 .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 증발원(130)의 구성을 보여 주는 구성도이고, 도 3은 도 2의 선형 증발원(130)의 분사 노즐에 대한 사시도의 일례이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 선형 증발원(130)은 도가니(131), 제1 가열 수단(132), 분사 노즐(133), 제2 가열 수단(135), 및 유도로(136)를 포함한다. 그리고 선형 증발원(130)은 분사 노즐(133)의 온도를 측정하기 위한 하나 또는 그 이상의 온도 센서(137) 및/또는 분사 노즐(133)을 통해 분사되는 증착 재료의 증착률을 측정하기 위한 증착율 센서(138)를 더 포함할 수 있다.FIG. 2 is a view showing a configuration of a linear evaporation source 130 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an example of a perspective view of an injection nozzle of the linear evaporation source 130 of FIG. 2 and 3, the linear evaporation source 130 includes a crucible 131, a first heating means 132, an injection nozzle 133, a second heating means 135, and an induction furnace 136 do. The linear evaporation source 130 is connected to one or more temperature sensors 137 for measuring the temperature of the injection nozzle 133 and / or a deposition rate sensor for measuring the deposition rate of the deposition material injected through the injection nozzle 133. [ (138).

도가니(131)는 증착 재료(S)인 유기물, 모노머, 무기물 등을 수용하기 위한 수단이다. 증착 재료(S)는 고상이거나 또는 액상일 수도 있다. 도가니(131)에 수용되는 증착 재료(S)는 공정이 진행되지 않는 동안에 많은 양이 채워져서 상대적으로 긴 시간 동안 공정이 진행될 수 있도록 하는 구조를 갖거나 또는 공정이 진행되는 도중에 도가니(131)의 외부로부터 연속적 또는 단속적으로 조금씩 도가니(131)로 공급이 될 수도 있다. 전자의 경우에, 도가니(131)의 구성이 간단한 장점이 있지만 증착 재료를 새로 채우는 동안에 공정을 진행할 수 없고 또는 많은 양이 일시에 담기기 때문에 증착 재료가 변성될 가능성이 높다. 반면, 후자의 경우에는 증착 공정을 연속적으로 장시간 진행할 수 있고 또는 증착 재료가 변성될 가능성이 낮지만, 도가니(131)에 증착 재료를 공급하기 위한 공급 장치가 연결되어야 하므로 증발원의 구조가 복잡해지는 단점이 있다.The crucible 131 is a means for accommodating an organic material, a monomer, an inorganic material, etc., which is an evaporation material (S). The evaporation material S may be solid or liquid. The deposition material S accommodated in the crucible 131 may have a structure that allows a process to be performed for a relatively long time since a large amount of the deposition material S is filled in the crucible 131, And may be supplied to the crucible 131 little by little from the outside continuously or intermittently. In the case of the former, although the structure of the crucible 131 has a simple advantage, the process can not proceed while the deposition material is newly filled, or the deposition material is likely to be denatured because a large amount of the material is temporarily deposited. On the other hand, in the latter case, although the deposition process can be continuously performed for a long time or the possibility that the evaporation material is denatured is low, the supply device for supplying the evaporation material to the crucible 131 must be connected, .

제1 가열 수단(132)는 도가니(131)를 가열하여 내부에 담겨 있는 증착 재료(S)를 증발시키기 위한 수단이다. 제1 가열 수단(132)의 종류에는 특별한 제한이 없다. 예를 들어, 제1 가열 수단(132)은 열선 코일이거나 발열 시트일 수 있다. 그리고 제1 가열 수단(132)은 도가니(131)의 외벽에 부착되어 있거나 또는 내설되어 있을 수도 있다. 또는, 제1 가열 수단(132)은 도가니(131)와 소정의 간격으로 이격되도록 배치되어 있으며, 열 복사를 통해 도가니(131)를 간접적으로 가열하는 수단일 수 있다. 그리고 제1 가열 수단(132)은 도가니(131)를 국부적으로 가열할 수 있도록 높이에 따라서 복수의 영역으로 구분되어 가열되는 구성을 갖거나 또는 제1 가열 수단(132)과 도가니(131)가 상대적으로 운동을 하는 구성을 가질 수도 있다.The first heating means 132 is a means for heating the crucible 131 to evaporate the evaporation material S contained therein. The kind of the first heating means 132 is not particularly limited. For example, the first heating means 132 may be a heat coil or a heating sheet. Further, the first heating means 132 may be attached to the outer wall of the crucible 131 or may be installed in the furnace. Alternatively, the first heating means 132 may be spaced apart from the crucible 131 by a predetermined distance, and may indirectly heat the crucible 131 through thermal radiation. The first heating means 132 may be divided into a plurality of regions depending on the height so that the crucible 131 can be locally heated or the first heating means 132 and the crucible 131 are relatively heated As shown in FIG.

분사 노즐(133)은 유도로(136)를 통해 도가니(131)의 유출구와 연결되어 있으며, 일면에는 증발된 증착 재료(S)가 분사되는 분사 홀(133a)이 선형으로 배치되어 있다. 여기서, 분사 홀(133a)이 선형으로 배치되어 있다는 것은 다수의 분사 홀(133a)이 전체적으로 분사 노즐(133)의 길이 방향으로 배치되어 있다는 것을 의미할 뿐이며 모든 분사 홀(133a)이 반드시 일렬로 배치되어 있다는 것을 의미하지는 않는다. 예를 들어, 분사 홀(133a)은 전체가 2열 이상으로 배치되어 있거나 또는 가장자리 영역(예컨대, 영역 I 및 VI의 전부 또는 일부)만 2열 또는 그 이상의 열로 배치되어 있을 수 있다. 그리고 분사 홀(133a)의 크기 및/또는 간격은 분사 노즐(133)의 위치에 상관없이 균일하거나 또는 위치에 따라서 달라질 수도 있다. 그리고 도면에서는 분사 홀(133a)이 분사 노즐(133)의 일면에 형성되어 있는 개구(opening)인 것으로 도시되어 있지만, 여기에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 분사 홀(133a)은 미세 크기의 관이 분사 노즐(133)의 일면(보다 정확하게는 분사 노즐(133)에 형성되어 있는 개구에 결합되어 있는 관)에 결합되어 있는 노즐 형상일 수도 있다.The injection nozzle 133 is connected to the outlet of the crucible 131 through an induction furnace 136 and a spray hole 133a through which evaporated evaporation material S is injected is linearly arranged on one surface. Here, the fact that the injection holes 133a are arranged linearly means that the plurality of injection holes 133a are arranged in the longitudinal direction of the injection nozzle 133 as a whole, and all of the injection holes 133a are arranged in a line It does not mean that it is. For example, the injection holes 133a may be arranged in two or more rows, or only two or more edge regions (e.g., all or a portion of the regions I and VI) may be arranged in two or more columns. The size and / or the interval of the ejection holes 133a may be uniform or vary depending on the position regardless of the position of the ejection nozzles 133. [ Although the injection holes 133a are shown as being openings formed on one surface of the injection nozzle 133 in the drawing, the present invention is not limited thereto. For example, the injection hole 133a may be a nozzle shape in which a fine-sized tube is coupled to one surface of the injection nozzle 133 (more precisely, a tube coupled to an opening formed in the injection nozzle 133) have.

분사 노즐(133)은 복수의 영역으로 구분될 수 있다. 여기서, 각 영역의 구분은 독립적으로 제어될 수 있는 복수의 제2 가열 수단(135)이 각 영역에 구비되어 있다는 사실, 즉 각 영역이 열적으로 구분되어 있다는 것에 기초한 것이다. 따라서 분사 노즐(133)의 이러한 구분은 단순히 분사 노즐(133) 자체의 외형만으로는 식별이 되지 않을 수도 있다. 도 2 및 도 3에는 분사 노즐(133)이 6개의 영역(영역 I 내지 영역 VI)으로 구분되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이것은 단지 예시적인 것이다. 분사 노즐(133)은 예컨대, 3개 이상 내지 10개 이하의 영역을 구분될 수 있으며, 실시예에 따라서는 10개 이상의 영역으로 구분될 수도 있다. 그리고 본 명세서에서, 복수의 영역(예컨대, 영역 I 내지 영역 VI) 중에서 분사 노즐(133)의 단부에 인접한 하나 또는 그 이상의 영역, 예컨대 1 또는 2개의 영역(예컨대, 본 실시예의 경우에 영역 I과 영역 VI)은 분사 노즐(133)의 가장자리 영역에 해당되며, 분사 노즐(133)의 양 단부 사이의 중앙 부분에 해당하는 하나 또는 그 이상의 영역, 예컨대 1 내지 3개의 영역(예컨대, 본 실시예의 경우에 영역 III 및 영역 IV)은 분사 노즐(133)의 중앙 영역에 해당될 수 있다.The injection nozzle 133 may be divided into a plurality of regions. Here, the division of each region is based on the fact that a plurality of second heating means 135, which can be independently controlled, is provided in each region, that is, each region is thermally divided. Accordingly, this division of the injection nozzle 133 may not be identified merely by the external shape of the injection nozzle 133 itself. 2 and 3, the injection nozzle 133 is shown divided into six regions (regions I to VI), but this is only an example. The injection nozzle 133 may be divided into, for example, three or more to ten or less regions, and may be divided into ten or more regions depending on the embodiment. In this specification, one or more regions, for example, one or two regions (for example, regions I and II in the case of the present embodiment) adjacent to the end of the injection nozzle 133 among a plurality of regions Area VI corresponds to the edge area of the spray nozzle 133 and corresponds to one or more areas corresponding to the center part between both ends of the spray nozzle 133, for example, one to three areas (for example, in the case of this embodiment Region III and region IV) may correspond to the central region of the injection nozzle 133. [

전술한 바와 같이, 분사 노즐(133)의 각 영역에는 제2 가열 수단(135)이 구비되어 있다. 제1 가열 수단(132)과 마찬가지로 제2 가열 수단(135)의 종류에도 제한이 없다. 예를 들어, 제2 가열 수단(135)은 분사 노즐(133)의 본체에 설치되거나 내장되어 있는 열선 코일이나 발열 시트일 수 있다. 제2 가열 수단(135)은 기본적으로 분사 노즐(133)의 소정의 온도 이상으로 가열함으로써 증발된 증착 재료가 분사 노즐(135)의 내벽이나 분사 홀(133a)의 입구에 퇴적이 되는 것을 방지하거나 또는 최소화하는 기능을 수행한다. 제2 가열 수단(135)은 분사 노즐(133)의 각 영역에 따라서 독립적으로 제어가 가능하다는 것은 전술한 바와 같다.As described above, the second heating means 135 is provided in each region of the injection nozzle 133. As with the first heating means 132, there is no limitation to the type of the second heating means 135. [ For example, the second heating means 135 may be a heating wire coil or a heating sheet installed or built in the main body of the injection nozzle 133. The second heating means 135 basically prevents the evaporated evaporation material from being deposited on the inner wall of the injection nozzle 135 or the entrance of the injection hole 133a by heating to a temperature higher than a predetermined temperature of the injection nozzle 133 Or minimizes it. The second heating means 135 can be independently controlled according to each region of the injection nozzle 133 as described above.

분사 노즐(133)의 각 영역 마다 배치되어 있는 제2 가열 수단(135)들은 분사 노즐 온도 제어부(170)에 의하여 독립적으로 제어될 수 있다. 분사 노즐 온도 제어부(170)는 도 1의 진공 증착 장치(100)의 동작을 제어하기 위한 장치 제어부의 일 기능을 담당하는 구성 요소이거나 또는 분사 노즐(133)의 각 영역의 온도를 제어할 수 있도록 도 1의 진공 증착 장치(100)에 추가로 설치된 구성 요소일 수 있다.The second heating means 135 disposed in each region of the injection nozzle 133 can be independently controlled by the injection nozzle temperature control unit 170. [ The injection nozzle temperature control unit 170 is a component for performing a function of the apparatus control unit for controlling the operation of the vacuum deposition apparatus 100 of FIG. 1 or may be a component for controlling the temperature of each region of the injection nozzle 133 May be a component additionally installed in the vacuum vapor deposition apparatus 100 of FIG.

분사 노즐 온도 제어부(170)는 증착 공정이 진행되는 초기에는 미리 설정된 방식에 따라서 각 영역의 제2 가열 수단(135)을 제어할 수 있다. 예를 들어, 분사 노즐 온도 제어부(170)는 초기에는 분사 노즐(133)의 전체 영역이 같은 온도가 되도록 제2 가열 수단(135)을 제어하거나 또는 중앙 영역을 기준으로 각 영역의 온도가 대칭이 되도록 제2 가열 수단(135)을 제어할 수도 있다. 후자의 경우에, 분사 노즐(133)의 각 영역의 온도는 달라질 수 있다. The injection nozzle temperature control unit 170 may control the second heating means 135 in each region according to a predetermined method at the beginning of the deposition process. For example, the injection nozzle temperature control unit 170 controls the second heating unit 135 so that the entire area of the injection nozzle 133 becomes the same temperature in the initial stage, or the temperature of each zone is symmetric with respect to the center area The second heating means 135 may be controlled. In the latter case, the temperature of each region of the injection nozzle 133 may be varied.

또는, 분사 노즐 온도 제어부(170)는 중앙 영역(예컨대, 영역 III 및 영역 IV)보다는 가장자리 영역(예컨대, 영역 I 및 영역 VI)의 온도가 더 높게 되도록 제2 가열 수단(135)을 제어할 수 있다. 통상적으로, 분사 노즐(133)은 중앙 영역보다는 가장자리 영역이 증착율이 낮고 또는 기류가 정체됨에 의하여 분사 노즐(133)의 내부에 증착 재료의 퇴적이 많이 발생하므로, 가장자리 영역의 온도를 중앙 영역보다 더 높게 할 경우에 증착 균일성을 달성할 수가 있다. 이와는 달리, 분사 노즐 온도 제어부(170)는 이전의 공정 조건을 반영하여(예컨대, 이전의 공정에서 증착율이 상대적으로 낮은 영역은 이전보다 더 높은 온도로 설정) 각 영역의 제2 가열 수단(135)을 독립적으로 제어할 수도 있다. Alternatively, the injection nozzle temperature control 170 may control the second heating means 135 such that the temperature of the edge regions (e.g., region I and region VI) is higher than the central region (e.g., region III and region IV) have. Generally, the deposition area of the spray nozzle 133 is lower than that of the central area, or deposition of the evaporation material in the spray nozzle 133 is much generated due to stagnation of the airflow, The deposition uniformity can be achieved. Alternatively, the injection nozzle temperature controller 170 may control the second heating means 135 of each zone to reflect the previous process conditions (e.g., the zone where the deposition rate is relatively low in the previous process is set to a temperature higher than before) May be independently controlled.

그리고 분사 노즐 온도 제어부(170)는 공정이 진행되는 동안에 제2 가열 수단(135)을 적응적으로 제어할 수도 있다. 보다 구체적으로, 분사 노즐 온도 제어부(170)는 분사 노즐(133)의 각 영역의 온도 및/또는 증착율을 측정한 다음 이 측정 결과에 기초하여 제2 가열 수단(135)을 제어할 수 있다. 예를 들어, 특정 영역의 온도 및/또는 증착율이 다른 영역들에 비하여 낮은 경우에는, 분사 노즐 온도 제어부(170)는 해당 영역의 분사 노즐(133)의 온도가 더 높게 되도록 제2 가열 수단(135)을 제어할 수 있다.The spray nozzle temperature controller 170 may adaptively control the second heating means 135 during the course of the process. More specifically, the injection nozzle temperature control unit 170 may measure the temperature and / or the deposition rate of each region of the injection nozzle 133 and then control the second heating means 135 based on the measurement result. For example, when the temperature and / or the deposition rate of the specific region is lower than those of the other regions, the injection nozzle temperature control unit 170 controls the second heating means 135 (135) so that the temperature of the injection nozzle 133 of the corresponding region is higher Can be controlled.

이를 위하여, 분사 노즐(133)의 온도를 영역별로 측정할 수 있는 온도 센서(137)가 선형 증발원(130)에 구비되어 있을 수 있다. 또한, 분사 노즐(133)을 통해 분사되는 기체 상태의 증착 물질의 증착율을 영역별로 측정할 수 있는 증착율 센서(138)가 선형 증발원(130)에 구비되어 있을 수 있다. 온도 센서(137)와 증착율 센서(138)는 각각 하나 또는 각 영역에 적어도 하나씩 복수 개가 구비될 수 있다. 온도 센서(137) 또는 증착율 센서(138)가 하나만 설치되는 경우에, 온도 센서(137) 또는 증착율 센서(138)는 이동이 가능하도록 설치되어 각 영역에 대하여 온도 또는 증착율을 측정할 수 있다. 반면, 온도 센서(137) 또는 증착율 센서(138)가 각 영역에 적어도 하나씩 복수 개가 설치되는 경우에는 이동될 필요가 없으므로, 그 구조가 보다 단순해질 수 있다. To this end, the linear evaporation source 130 may be provided with a temperature sensor 137 capable of measuring the temperature of the injection nozzle 133 by region. In addition, the deposition rate sensor 138 may be provided in the linear evaporation source 130 to measure the deposition rate of the deposition material in the gaseous state injected through the injection nozzle 133 by region. The temperature sensor 137 and the deposition rate sensor 138 may be provided individually or in a plurality of at least one in each region. In the case where only one temperature sensor 137 or deposition rate sensor 138 is installed, the temperature sensor 137 or the deposition rate sensor 138 can be installed so as to be able to measure the temperature or the deposition rate for each region. On the other hand, in the case where a plurality of temperature sensors 137 or deposition rate sensors 138 are provided in at least one area in each area, it is not necessary to move them, so that the structure can be simplified.

한편, 온도 센서(137) 및/또는 증착율 센서(138)는 선형 증발원(130)이 아닌 도 1의 진공 증착 장치(100)의 다른 구성 요소에 설치가 될 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(137)는 진공 챔버(110, 도 1 참조)에 설치되어 있을 수 있으며, 이 경우에 분사 노즐(133)의 온도는 간접적으로 측정될 수 있다. 그리고 증착율 센서(138)는 분사 노즐(133)에 인접한 진공 챔버(110, 도 1 참조) 내부의 소정의 위치에 배치될 수 있다. 이하, 온도 센서(137) 및 증착율 센서(138)가 분사 노즐(133)에 설치되는 경우을 중심으로 설명한다.Meanwhile, the temperature sensor 137 and / or the deposition rate sensor 138 may be installed in other components of the vacuum deposition apparatus 100 of FIG. 1 instead of the linear evaporation source 130. For example, the temperature sensor 137 may be installed in the vacuum chamber 110 (see FIG. 1), in which case the temperature of the injection nozzle 133 may be indirectly measured. The deposition rate sensor 138 may be disposed at a predetermined position inside the vacuum chamber 110 (see FIG. 1) adjacent to the injection nozzle 133. Hereinafter, the case where the temperature sensor 137 and the deposition rate sensor 138 are provided in the injection nozzle 133 will be mainly described.

온도 센서(137)가 설치되는 분사 노즐(133)의 위치에는 특별한 제한이 없다. 예를 들어, 다수의 온도 센서(137)가 분사 노즐(133)의 각 영역 상에 설치되어 분사 노즐(133)의 일면을 직접 접촉하여 온도를 측정할 수 있다. 이와는 달리, 분사 노즐(133)에 설치되는 온도 센서(137)라도 분사 노즐(133)과는 접촉하지 않고서도 온도를 측정할 수 있는 비접촉식일 수도 있다. There is no particular limitation on the position of the injection nozzle 133 on which the temperature sensor 137 is installed. For example, a plurality of temperature sensors 137 may be provided on each area of the spray nozzle 133 to directly contact one surface of the spray nozzle 133 to measure the temperature. Alternatively, the temperature sensor 137 provided in the injection nozzle 133 may be a non-contact type in which the temperature can be measured without being in contact with the injection nozzle 133.

또한, 전술한 바와 같이, 분사 노즐(133)의 각 영역을 통해 분사되는 증착 재료의 증착율을 영역별로 측정할 수 있는 하나 또는 그 이상의 증착율 센서(138)가 선형 증발원(130)에 구비되어 있을 수 있다. 증착율 센서(138)는 증착 재료가 분사 홀(133a)을 통해 분사되는 방향(기판 지지부(120)와 선형 증발원(130)의 분사 노즐(133) 사이)에 설치되어 있을 수 있다. 이 경우에, 분사 노즐(133)에는 증착율을 측정하기 위한 별도의 측정용 홀이 구비되어 있을 필요가 없다. Also, as described above, one or more deposition rate sensors 138 may be provided in the linear evaporation source 130, which can measure the deposition rates of the deposition materials injected through the respective regions of the injection nozzles 133 by region have. The deposition rate sensor 138 may be provided in a direction in which the deposition material is injected through the injection hole 133a (between the substrate support 120 and the injection nozzle 133 of the linear evaporation source 130). In this case, the injection nozzle 133 need not have a separate measurement hole for measuring the deposition rate.

이와는 달리, 증착율 측정을 위하여, 분사 노즐(133)에는 별도의 측정용 홀(133b)이 구비되어 있을 수도 있다. 측정용 홀(133b)도 반드시 분사 노즐(133)에 형성되어 있는 개구일 필요는 없으며, 노즐 타입일 수도 있다. 측정용 홀(133b)은 분사 노즐(133)에서 분사 홀(133a)이 형성된 면과 다른 면에 구비되어 있을 수 있으나, 여기에만 한정되는 것은 아니다. 별도의 측정용 홀(133b)이 형성되어 있지 않고 또한 증착율 센서(138)가 분사 노즐(133)과 기판 지지부(120) 사이에 배치되어 있는 경우에는, 증발 경로의 중간에 배치되어 있는 증착율 센서(138)로 인하여 증착 균일성이 떨어질 가능성이 있다. 하지만, 별도의 측정용 홀(133b), 바람직하게는 분사 홀(133a)이 형성되어 있는 분사면과는 다른 면에 별도의 측정용 홀(133b)을 두어서 증착율을 측정하면, 증착율 센서(138)로 인하여 증착 균일도가 저하되는 문제는 발생하지 않는다.Alternatively, for measuring the deposition rate, the injection nozzle 133 may be provided with a separate measurement hole 133b. The measurement hole 133b is not necessarily an opening formed in the injection nozzle 133, and may be a nozzle type. The measurement hole 133b may be provided on a surface different from the surface on which the injection hole 133a is formed in the injection nozzle 133, but is not limited thereto. When the deposition rate sensor 138 is disposed between the injection nozzle 133 and the substrate support 120 in a state where no separate measurement hole 133b is formed and the deposition rate sensor 138 disposed in the middle of the evaporation path 138), there is a possibility that the deposition uniformity is lowered. However, if the deposition rate is measured by disposing a separate measurement hole 133b on the surface different from the deposition surface on which the injection hole 133a is formed, the deposition rate sensor 138 ), There is no problem that the uniformity of deposition is lowered.

유도로(136)는 도가니(131)의 유출구와 분사 노즐(133)을 연결하도록 도가니(131)와 분사 노즐(133) 사이에 배치되어 있다. 즉, 유도로(136)는 도가니(131)에서 증발된 기체 상태의 증착 재료(S)가 분사 노즐(133)로 흐르는 통로이다. 유도로(136)에는 독립적으로 온도 제어가 가능한 제3 가열 수단(136a)이 설치되어 있을 수 있다. 제3 가열 수단(136a)은 유도로(136)의 내부에 증착 재료가 퇴적되는 것을 방지하고 기체 상태의 증착 재료가 도가니(131)로부터 분사 노즐(133)로 원활하게 공급될 수 있도록 한다. 제3 가열 수단(136a)의 종류나 설치 방법 등도 제1 및 제2 가열 수단(132, 135)과 마찬가지로 특별한 제한이 없다.
The induction furnace 136 is disposed between the crucible 131 and the jetting nozzle 133 so as to connect the jetting nozzle 133 to the outlet of the crucible 131. That is, the induction furnace 136 is a passage through which the evaporation material S in a gaseous state evaporated in the crucible 131 flows to the spray nozzle 133. The induction furnace 136 may be provided with a third heating means 136a capable of independently controlling the temperature. The third heating means 136a prevents the evaporation material from being deposited inside the induction furnace 136 and allows the evaporation material in the gaseous state to be smoothly supplied from the crucible 131 to the spray nozzle 133. [ The kind and installation method of the third heating means 136a are not particularly limited as in the case of the first and second heating means 132 and 135.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의하면 분사 노즐은 복수의 영역으로 구분될 수 있으며, 각 영역에는 독립적으로 온도 제어가 가능한 가열 수단이 구비되어 있다. 즉, 분사 노즐의 온도 제어는 분사 노즐 전체가 하나의 채널로 이루어지는 것이 아니라 서로 독립적인 다채널을 통해서 개별적으로 이루어진다. 이에 의하면, 기판의 크기 증가에 대응하여 그 크기가 증가하는 증발원(예컨대, 길이가 증가하는 선형 증발원의 분사 노즐)을 구비한 진공 증착 장치의 증착 균일성 수준을 보다 향상시킬 수가 있다. 왜냐하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 증발원은 증착율이 상대적으로 낮거나 높은 영역만을 개별적으로 관리할 수가 있기 때문이다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 증착 균일성이 기대에 못미치더라도 분사 노즐을 다시 설계하여 제조할 필요가 없으며, 그에 따라 분사 노즐을 설계하는데 따른 부담도 완화시킬 수 있다.
As described in detail above, according to the embodiment of the present invention, the injection nozzle can be divided into a plurality of regions, and each region is provided with heating means capable of independently controlling the temperature. That is, the temperature control of the injection nozzles is not made entirely of one channel but is performed individually through multiple channels which are independent of each other. According to this, it is possible to further improve the deposition uniformity level of a vacuum deposition apparatus having an evaporation source (for example, an injection nozzle of a linear evaporation source whose length increases) corresponding to an increase in the size of the substrate. This is because the linear evaporation source according to the embodiment of the present invention can individually manage the regions where the deposition rate is relatively low or high. In addition, according to an embodiment of the present invention, it is not necessary to design and manufacture the injection nozzle again even if the deposition uniformity is less than the expectation, thereby relieving the burden of designing the injection nozzle.

100 : 진공 증착 장치
110 : 진공 챔버
120 : 기판 지지부
130 : 선형 증발원
140 : 마스크 지지부
150 : 증발원 구동부
160 : 정렬 장치
170 : 분사 노즐 온도 제어부
131 : 도가니
132, 135, 137 : 가열 수단
133 : 분사 노즐
133a : 분사 홀
133b : 측정용 홀
136 : 유도로
G : 기판, M : 새도우 마스크, S : 증착 재료
137 : 온도 센서
138 : 증착율 센서
100: vacuum deposition apparatus
110: vacuum chamber
120:
130: Linear evaporation source
140: mask support
150: evaporation source driver
160: Alignment device
170: injection nozzle temperature control section
131: Crucible
132, 135, 137: Heating means
133: injection nozzle
133a: injection hole
133b: Measurement hole
136: induction furnace
G: Substrate, M: Shadow mask, S: Deposition material
137: Temperature sensor
138: deposition rate sensor

Claims (13)

증착 재료를 수용하기 위한 도가니;
상기 도가니를 직접 또는 간접으로 가열하여 상기 증착 재료를 증발시키기 위한 제1 가열 수단;
상기 도가니의 유출구와 연결되어 있으며, 증발된 상기 증착 재료가 분사되는 복수의 분사 홀들이 배치되어 있고 또한 복수의 영역으로 구획되는 분사 노즐; 및
상기 분사 노즐의 복수의 영역 각각에 설치되어 있는 복수의 제2 가열 수단을 포함하고,
상기 복수의 제2 가열 수단 각각은 독립적으로 온도 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 증발원.
A crucible for containing an evaporation material;
First heating means for directly or indirectly heating the crucible to evaporate the evaporation material;
An injection nozzle connected to an outlet of the crucible and having a plurality of injection holes through which the evaporated evaporation material is injected, the injection nozzle being divided into a plurality of regions; And
And a plurality of second heating means provided in each of the plurality of regions of the injection nozzle,
Wherein each of the plurality of second heating means is independently temperature controllable.
제1항에 있어서,
상기 증발원은 상기 복수의 분사 홀들이 선형으로 배치되어 있는 선형 증발원인 것을 특징으로 하는 증발원.
The method according to claim 1,
Wherein the evaporation source is linear evaporation in which the plurality of ejection holes are linearly arranged.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분사 노즐의 복수의 영역 각각에 대한 온도를 측정하기 위한 온도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증발원.
3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a temperature sensor for measuring the temperature of each of the plurality of regions of the injection nozzle.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분사 노즐의 복수의 영역 각각에 대한 증착율을 측정하기 위한 증착율 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증발원.
3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a deposition rate sensor for measuring a deposition rate for each of the plurality of areas of the injection nozzle.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 분사 노즐의 각 영역에는 증착율 센서를 이용하여 증착율을 측정할 수 있도록 측정용 홀이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 증발원.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein an evaporation source is provided in each region of the injection nozzle so that a deposition rate can be measured using a deposition rate sensor.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도가니의 유출구와 상기 분사 노즐을 연결하도록 그 사이에 배치되어 있으며 독립적으로 온도 제어가 가능한 제3 가열 수단이 구비되어 있는 유도로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증발원.
3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising an induction furnace disposed between the outlet of the crucible and the spray nozzle to provide a third heating means capable of temperature control independently.
진공 챔버;
상기 진공 챔버 내에 설치되어 피처리 기판을 지지하기 위한 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 지지되는 피처리 기판에 대향하게 기체 상태의 증착 재료를 분사하도록 상기 진공 챔버 내에 설치되어 있는 상기 청구항 1항의 증발원; 및
상기 증발원의 복수의 제2 가열 수단의 온도를 독립적으로 제어하기 위한 분사 노즐 온도 제어부를 포함하는 진공 증착 장치.
A vacuum chamber;
A substrate support installed in the vacuum chamber to support a substrate to be processed;
An evaporation source according to claim 1 installed in the vacuum chamber so as to eject an evaporation material in a gaseous state opposite to a target substrate supported on the substrate supporter; And
And an injection nozzle temperature control unit for independently controlling a temperature of the plurality of second heating means of the evaporation source.
제7항에 있어서,
상기 증발원의 복수의 분사 홀들은 선형으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the plurality of ejection holes of the evaporation source are linearly arranged.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 진공 증착 장치는 상기 증발원의 분사 노즐의 복수의 영역 각각에 대하여 온도를 측정하기 위한 온도 센서를 더 포함하고,
상기 분사 노즐 온도 제어부는 상기 온도 센서를 이용하여 측정한 상기 복수의 영역 각각의 온도에 기초하여 상기 복수의 제2 가열 수단을 독립적으로 제어하는 진공 증착 장치.
9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the vacuum deposition apparatus further comprises a temperature sensor for measuring a temperature for each of a plurality of regions of the injection nozzle of the evaporation source,
Wherein the injection nozzle temperature control unit independently controls the plurality of second heating means based on the temperature of each of the plurality of areas measured using the temperature sensor.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 진공 증착 장치는 상기 증발원의 분사 노즐의 복수의 영역 각각에 대하여 증착율을 측정하기 위한 증착율 센서를 더 포함하고,
상기 분사 노즐 온도 제어부는 증착율 센서를 이용하여 측정한 상기 복수의 영역 각각의 증착율에 기초하여 상기 복수의 제2 가열 수단을 독립적으로 제어하는 진공 증착 장치.
9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the vacuum deposition apparatus further comprises a deposition rate sensor for measuring a deposition rate for each of a plurality of regions of the injection nozzle of the evaporation source,
Wherein the injection nozzle temperature control unit independently controls the plurality of second heating means based on the deposition rates of the plurality of regions measured using the deposition rate sensor.
제10항에 있어서,
상기 증착율 센서를 이용하여 증착율을 측정할 수 있도록 상기 분사 노즐의 각 영역에는 측정용 홀이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein a measurement hole is provided in each region of the injection nozzle so that the deposition rate can be measured using the deposition rate sensor.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 분사 노즐 온도 제어부는 상기 분사 노즐의 중앙 영역을 기준으로 분사 노즐의 온도가 대칭이 되도록 상기 복수의 제2 가열 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the injection nozzle temperature control unit controls the plurality of second heating means so that the temperature of the injection nozzle is symmetrical with respect to a central region of the injection nozzle.
제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 분사 노즐 온도 제어부는 상기 분사 노즐의 중앙 영역보다 상기 분사 노즐의 가장자리 영역의 온도가 더 높도록 상기 복수의 제2 가열 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.
9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the injection nozzle temperature control unit controls the plurality of second heating means such that the temperature of the edge region of the injection nozzle is higher than the central region of the injection nozzle.
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