KR102258743B1 - 반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치 - Google Patents

반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102258743B1
KR102258743B1 KR1020140052581A KR20140052581A KR102258743B1 KR 102258743 B1 KR102258743 B1 KR 102258743B1 KR 1020140052581 A KR1020140052581 A KR 1020140052581A KR 20140052581 A KR20140052581 A KR 20140052581A KR 102258743 B1 KR102258743 B1 KR 102258743B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
chip
underfill resin
substrate
resin film
Prior art date
Application number
KR1020140052581A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150125815A (ko
Inventor
정현수
이인영
조태제
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020140052581A priority Critical patent/KR102258743B1/ko
Priority to US14/611,585 priority patent/US9508704B2/en
Publication of KR20150125815A publication Critical patent/KR20150125815A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102258743B1 publication Critical patent/KR102258743B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3178—Coating or filling in grooves made in the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L24/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/171—Disposition
    • H01L2224/1718—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/17181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73259—Bump and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92152—Sequential connecting processes the first connecting process involving a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06541—Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06548—Conductive via connections through the substrate, container, or encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06565—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices having the same size and there being no auxiliary carrier between the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06596—Structural arrangements for testing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/107—Indirect electrical connections, e.g. via an interposer, a flexible substrate, using TAB
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1431—Logic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1432—Central processing unit [CPU]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1434—Memory
    • H01L2924/1435—Random access memory [RAM]
    • H01L2924/1436—Dynamic random-access memory [DRAM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15331—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는 기판 상에 적층된 반도체 칩, 상기 반도체 칩과 상기 기판 사이를 채우고, 상기 반도체 칩의 측면을 덮는 언더필 수지막, 및 상기 언더필 수지막 및 상기 기판의 측면을 덮는 몰딩막을 포함한다.

Description

반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치{Method of fabricating semiconductor package, the semiconductor package formed thereby, and semiconductor device comprising the same}
본 발명의 반도체 패키지 및 이에 제조 방법 그리고 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 HBM(high bandwidth memory) 구조의 반도체 패키지 및 이에 제조 방법 그리고 칩 적층 패키지를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
종래에 와이어 본딩 기술로 구현하던 적층형 패키지에 고성능(high performance) 특성이 요구됨에 따라 실리콘 관통 비아(Through silicon via; TSV) 기술이 접목된 3차원 패키지에 대한 개발이 이루어지고 있다. 3차원 패키지는 다양한 기능들의 소자들을 수직으로 적층한 것으로, 메모리 용량의 확대, 저전력, 높은 전송율 및 고효율을 실현할 수 있다. 그 중, HBM(high bandwidth memory)은 적층 타입의 메모리를 TSV의 인터포저를 써서 중앙처리장치(CPU)나 시스템 온 칩(System on chip; SOC)과 같이 패키징한 구조이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 신뢰성이 보다 향상된 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 신뢰성이 보다 향상된 반도체 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법은 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지고, 상기 일면에 노출된 관통 비아를 포함하는 반도체 웨이퍼를 준비하는 것, 상기 반도체 웨이퍼의 칩 영역들 사이에 위치하는 절단영역 및 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리 영역들에 상기 반도체 웨이퍼의 일면이 리세스된 트렌치들을 형성하는 것, 상기 관통 비아 상에 반도체 칩을 적층하는 것, 상기 반도체 칩과 상기 반도체 웨이퍼 사이를 채우고 상기 반도체 칩의 측면을 덮는 언더필 수지막을 형성하는 것, 및 상기 언더필 수지막을 덮고 상기 트렌치들의 적어도 일부를 채우는 몰딩막을 형성하는 것을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는 기판 상에 적층된 반도체 칩, 상기 반도체 칩과 상기 기판 사이를 채우고, 상기 반도체 칩의 측면을 덮는 언더필 수지막, 및 상기 언더필 수지막 및 상기 기판의 측면을 덮는 몰딩막을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 제 1 반도체 패키지 상에 적층된 인터포저 기판; 및 상기 인터포저 기판 상에 적층된 제 2 반도체 패키지를 포함하되, 상기 제 2 반도체 패키지는, 기판 상에 적층된 반도체 칩, 상기 반도체 칩과 상기 기판 사이를 채우고, 상기 반도체 칩의 측면을 덮는 언더필 수지막, 및 상기 언더필 수지막 및 상기 기판의 측면을 덮는 몰딩막을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법은 반도체 칩이 적층된 반도체 웨이퍼에 트렌치들을 형성하고, 상기 트렌치들에 언더필 수지막 및 몰딩막을 채우는 것을 포함한다. 이에 따라, 상기 반도체 웨이퍼의 연마 공정 후, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리는 상기 언더필 수지막 및 상기 몰딩막에 보호된다. 또한, 상기 반도체 웨이퍼의 절단공정 후에도, 상기 반도체 패키지의 가장자리가 상기 언더필 수지막 및 상기 몰딩막에 보호된다. 따라서, 상기 반도체 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 장치에서 도 1의 A를 확대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 3에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 4에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 5에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다.
도 7 내지 도 17는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 14은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지에서 도 13의 B를 확대한 단면도이다.
도 18 내지 도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지들을 포함하는 전자 장치의 예를 보여주는 블럭도이다.
도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지들을 포함하는 메모리 시스템의 예를 보여주는 블럭도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 장치에서 도 1의 A를 확대한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 장치(1000)는 로직 반도체 패키지(100) 상에 적층된 인터포저 기판(200) 및 상기 인터포저 기판(200) 상에 적층된 칩 적층 반도체 패키지(300)를 포함한다.
상기 칩 적층 반도체 패키지(300)는 반도체 기판(340)과, 상기 반도체 기판(340) 상에 수직으로 적층된 복수개의 제 1 반도체 칩들(309), 및 상기 제 1 반도체 칩들(309)을 덮는 제 1 몰딩막(319)을 포함한다.
상기 반도체 기판(340)은 상기 반도체 기판(340)을 관통하는 제 1 관통 비아(303)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 관통 비아(303)는 상기 반도체 기판(340)의 상면에 배치된 제 1 전도성 패드(305)와 상기 반도체 기판(340)의 하면에 배치된 재배선층(323)과 접촉될 수 있다. 상기 재배선층(323)에 제 1 단자(333)가 부착될 수 있다. 상기 반도체 기판(340)의 하면에 테스트 패드(331)가 더 배치될 수 있다. 상기 재배선층(323)과 상기 테스트 패드(331)는 제 1 패시베이션막(335)에 덮일 수 있다.
상기 제 1 반도체 칩들(309)은 상기 제 1 반도체 칩들(309)을 관통하는 칩 관통 비아들(315)을 포함할 수 있다. 상기 칩 관통 비아들(315)은 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 표면에 배치된 칩 패드들(311)과 접촉되고, 마주보는 상기 칩 패드들(311) 사이에 칩 단자들(313)이 개재된다. 상기 칩 관통 비아들(315)은 상기 제 1 반도체 칩들(309)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제 1 반도체 칩들(309)은 메모리 칩(예를 들어, 디램(DRAM))일 수 있다. 따라서, 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)는 메모리 반도체 패키지일 수 있다.
상기 제 1 반도체 칩들(309) 사이를 채우는 언더필 수지막(317)이 더 포함될 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)은 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 측면을 덮을 수 있다. 상기 반도체 기판(340)의 상면과 측면을 완전히 덮도록 형성될 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)의 하면은 상면보다 더 넓은 측면을 가질 수 있다. 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 언더필 수지막(317) 상에 형성될 수 있다.
상기 인터포저 기판(200)은 상기 인터포저 기판(200)을 관통하는 제 2 관통 비아(201)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 관통 비아(201)는 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)의 상기 제 1 단자(333)와 접촉되어 상기 인터포저 기판(200)과 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 인터포저 기판(200)의 하면에 인터포저 패드(203)와 상기 인터포저 패드(203)에 부착된 제 2 단자(205)가 배치될 수 있다. 상기 제 2 단자(205)를 노출시키고 상기 인터포저 패드(203)를 덮는 제 2 패시베이션막(207)이 더 포함될 수 있다.
상기 인터포저 기판(200) 상에 중앙처리장치(400)(Central Processing Unit; CPU)가 더 장착될 수 있다. 상기 중앙처리장치(400)는 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)와 상기 인터포저 기판(200) 내에 형성된 배선들(209)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
로직 반도체 패키지(100)는 인쇄회로기판(101) 상에 플립 칩 방식으로 적층된 제 2 반도체 칩(103), 상기 인쇄회로기판(101) 상에 상기 제 2 반도체 칩(103)을 덮는 제 2 몰딩막(105) 및 상기 인쇄회로기판(101)의 하면에 부착된 외부단자(107)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 반도체 칩(103)은 로직 칩일 수 있다. 상기 제 2 관통 비아(201)는 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)와 상기 제 2 반도체 칩(103)을 전기적으로 연결할 수 있다. 따라서, 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)는 상기 제 2 관통 비아(201)를 통해 상기 로직 반도체 패키지(100)의 상기 제 2 반도체 칩(103)과 연결될 수 있다. 아울러, 상기 인터포저 기판(200)과 상기 인쇄회로기판(101) 사이에 전도성 연결 단자(109)가 제공되어, 상기 로직 반도체 패키지(100)와 상기 인터포저 기판(200) 사이를 접촉시킬 수 있다.
도 3는 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 제 1 실시예와 차별화되는 구성요소에 대해서만 설명하도록 한다.
도 3을 참조하면, 반도체 장치(2000)에서 상기 언더필 수지막(317)은 상기 반도체 기판(340)의 상면 상에 배치되고, 상기 제 1 반도체 칩들(309) 사이를 채우고, 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 측면을 덮을 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)의 하면은 상기 반도체 기판(340)의 상면보다 좁은 폭을 가지고, 상기 언더필 수지막(317)의 상면보다 넓은 폭을 가질 수 있다. 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 언더필 수지막(317)의 표면, 상기 언더필 수지막(317)에 노출된 상기 반도체 기판(340)의 상면 및 측면을 덮을 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예 3에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 제 1 실시예와 차별화되는 구성요소에 대해서만 설명하도록 한다.
도 4를 참조하면, 반도체 장치(3000)에서 상기 언더필 수지막(317)은 상기 반도체 기판(340)의 상면 상에 배치되고, 상기 제 1 반도체 칩들(309) 사이를 채우고, 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 측면을 덮을 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)의 하면은 상기 반도체 기판(340)의 상면과 동일한 폭을 가지고, 상기 언더필 수지막(317)의 상면보다 넓은 폭을 가질 수 있다. 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 언더필 수지막(317)의 표면 및 상기 반도체 기판(340)의 측면을 덮을 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예 4에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 제 1 실시예와 차별화되는 구성요소에 대해서만 설명하도록 한다.
도 5를 참조하면, 반도체 장치(4000)에서 상기 언더필 수지막(317)은 상기 반도체 기판(340)의 상면 및 측면을 완전히 덮고, 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 제 1 반도체 칩들(309) 중에 최상부에 위치하는 상기 제 1 반도체 칩(309)의 상면이 노출되도록 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예 5에 따른 반도체 패키지를 포함하는 반도체 장치를 나타낸 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 제 1 실시예와 차별화되는 구성요소에 대해서만 설명하도록 한다.
도 6을 참조하면, 반도체 장치(5000)에서 상기 언더필 수지막(317)은 상기 반도체 기판(340)의 상면 및 측면을 완전히 덮고, 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 언더필 수지막(317)의 일부분을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 반도체 칩들(309) 중에 최상부에 위치하는 상기 제 1 반도체 칩(309)의 상면 및 측면이 상기 언더필 수지막(317) 및 상기 제 1 몰딩막(319)에 노출될 수 있다.
도 7 내지 도 17은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 도 14는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 패키지에서 도 13의 B를 확대한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 반도체 웨이퍼(301)를 준비한다. 상기 반도체 웨이퍼(301)는 일면(11) 및 상기 일면(11)에 대향하는 타면(13)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼(301)는 칩 영역들(CR)와 상기 칩 영역들(CR) 사이의 절단영역(SR)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼(301)는 상기 반도체 웨이퍼(301)의 가장자리에 가장자리 영역들(ER)을 더 포함할 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11)에 트랜지스터와 같은 반도체 소자를 형성할 수 있으며, 상기 반도체 소자가 형성된 영역을 활성 영역이라고 정의할 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼(301)는 단결정 실리콘 웨이퍼 또는 다결정 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 상기 다결정 실리콘 웨이퍼는 예를 들어, GaAs, LiTaO3, LiNbO3 또는 사파이어를 포함할 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 칩 영역들(CR)에 제 1 관통 비아들(303)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통 비아들(303)은 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11)으로부터 연장되도록 형성될 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11)에 상기 제 1 관통 비아들(303)과 전기적으로 연결되는 제 1 전도성 패드들(305)이 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 절단 영역들(SR) 및 상기 가장자리 영역들(ER)에 트렌치들(307)을 형성한다. 상기 트렌치들(307)은 상기 트렌치들(307)의 바닥면이 상기 상기 제 1 관통 비아들(303)의 바닥면과 동일한 평면 상이거나 그보다 더 아래에 위치하도록 형성될 수 있다. 상기 트렌치들(307)은 레이저 공정, 기계적 절단 공정, 및 에칭 공정(예를 들어, 건식 에칭 또는 습식 에칭)으로 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11) 상에 복수개의 제 1 반도체 칩들(309)을 적층한다. 상기 제 1 반도체 칩들(309)은 상기 칩 영역들(CR) 상에 상기 반도체 웨이퍼(301)로부터 수직으로 적층될 수 있다. 상기 제 1 반도체 칩들(309) 중 적어도 하나는 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11)에 형성된 상기 제 1 전도성 패드들(305) 상에 배치되어 전기적으로 접촉될 수 있다.
상기 제 1 반도체 칩들(309)은 적층된 최상부 제 1 반도체 칩(309)을 제외하고 상기 제 1 반도체 칩(309)의 양면에 칩 패드들(311)이 형성될 수 있다. 상기 마주보는 칩 패드들(311) 사이에는 칩 단자들(313)이 배치되어 상기 제 1 반도체 칩들(309)을 적층할 수 있다. 상기 제 1 반도체 칩들(309) 내에 그것들을 관통하는 칩 관통 비아들(315)이 형성될 수 있다. 상기 칩 관통 비아들(315)은 마주보는 상기 칩 패드들(311)과 연결될 수 있다. 상기 제 1 반도체 칩들(309)은 메모리 칩(예를 들어, 디램(DRAM))일 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제 1 반도체 칩들(309) 사이에 언더필 수지막(317)을 형성한다. 상세하게, 상기 언더필 수지막(317)은 언더필 형태인 유전체 물질을 상기 반도체 웨이퍼(301)와 상기 제 1 반도체 칩 (309) 사이 및 상기 제 1 반도체 칩들(309) 사이에 주입하고, 경화하여 형성될 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)은 상기 반도체 웨이퍼(310)의 상기 일면(11) 및 상기 트렌치들(307)의 측면을 완전히 덮도록 형성될 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)은 에폭시와 같은 다른 폴리머를 사용하여 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11) 상에 제 1 몰딩막(319)을 형성한다. 상기 제 1 몰딩막(319)은 트렌치들(307)을 완전히 채우도록 형성될 수 있다. 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 가장자리 영역들(ER)에 형성된 상기 트렌치들(307)의 일부분만 채우도록 형성될 수 있다. 상기 제 1 몰딩막(319)는 상기 제 1 반도체 칩들(309)을 완전히 덮도록 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도 5를 참조하면, 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 제 1 반도체 칩들(309) 중 최상부에 위치하는 상기 제 1 반도체 칩(309)의 상면이 노출되도록 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 도 6을 참조하면, 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 언더필 수지막(317)의 상부 일부분이 노출되도록 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 타면(13)을 상기 제 1 관통 비아들(303)이 노출될 때까지 얇게 연마한다. 상기 반도체 웨이퍼(301)는 화학 기계적 폴리싱(CMP) 공정을 수행하여 연마될 수 있다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 제 1 관통 비아들(303)을 노출시킨 후 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 타면(13) 상에 제 1 절연막(321)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통 비아들(303)은 상기 제 1 절연막(321)을 관통할 수 있다. 상기 제 1 절연막(321)은 예를 들어, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막일 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 타면(13) 상에 상기 제 1 관통 비아들(303)과 접촉하는 재배선층들(323)을 형성할 수 있다. 상세하게, 상기 재배선층들(323)은 제 2 전도성 패드들(325) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 전도성 패드들(325)와 상기 재배선층들(323) 사이에 장벽 금속막(327)이 개재될 수 있다. 상기 장벽 금속막(327)은 상기 제 2 전도성 패드들(325)과 상기 재배선층들(323)을 접촉할 수 있다. 상기 재배선층들(323)은 상기 제 2 전도성 패드들(325)을 지나 상기 반도체 웨이퍼(301) 내의 활성 소자들에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 관통 비아들(303)과 상기 반도체 웨이퍼(301) 사이에 절연될 수 있도록 제 2 절연막(329)이 개재될 수 있다.
상기 재배선층들(323)을 형성할 때, 테스트 패드들(331)이 동시에 형성될 수 있다. 테스트 패드들(331)은 상기 제 1 관통 비아들(303)과 상기 칩 관통 비아들(315)과 연결되는 배선들(미도시)을 통해 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 입력 단자 및 출력 단자에 전기적으로 연결된다. 상기 테스트 패드들(331)에 프로브 카드의 프로브 니드가 접촉하여, 웨이퍼 레벨 몰딩 상태에서 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 전기적 특성을 검사하게 된다.
도 15를 참조하면, 상기 재배선층들(323)에 제 1 단자들(333)을 형성한다. 상기 제 1 단자들(333)은 스크린 프린트 기술, 잉크젯 기술 또는 솔더링 기술 등을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 타면(13)에 제 1 패시베이션막(335)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 패시베이션막(335)은 상기 재배선층들(323) 및 상기 테스트 패드들(331)을 완전히 덮고, 상기 제 1 단자들(333)의 일부분이 노출되게 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 절단 영역들(SR)에 절단공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼(301)를 분리시켜 칩 적층 반도체 패키지(300)를 형성할 수 있다. 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)는 메모리 반도체 패키지일 수 있다. 도면과 같이, 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)는 복수개로 적층된 상기 제 1 반도체 칩들(309)을 포함하고, 상기 제 1 반도체 칩들(309)은 반도체 기판(340) 상에 적층될 수 있다. 상기 제 1 반도체 칩들(309)은 그것들을 관통하는 칩 관통 비아들(315)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반도체 기판(340)의 폭은 상기 언더필 수지막(317)의 폭보다 좁으며, 상기 언더필 수지막(317)이 상기 반도체 기판(340)의 측면을 덮을 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)의 하면은 상기 언더필 수지막(317)의 상면보다 넓은 폭을 가질 수 있다. 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)는 상기 반도체 기판(340)의 상기 활성 영역을 포함하는 상기 일면(11) 상에 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 활성면이 적층된 페이스 투 페이스(face to face) 구조일 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 트렌치들(307)에 상기 언더필 수지막(317) 및 상기 몰딩막(319)으로 채워, 연마 공정 후 상기 반도체 웨이퍼(301)의 가장자리는 상기 언더필 수지막(317) 및 상기 몰딩막(319)에 보호된다. 따라서, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 손상 없이 후속공정을 진행할 수 있다. 아울러, 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)를 분리하기 위한 절단공정 후에도, 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)의 상기 반도체 기판(340)의 가장자리가 상기 언더필 수지막(317) 및 상기 몰딩막(319)에 보호될 수 있다. 따라서, 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 17을 참조하면, 인터포저 기판(200)의 하면에 제 2 관통 비아들(201)과 접촉하는 인터포저 패드들(203)과 상기 인터포저 패드들(203) 상에 부착된 제 2 단자들(205)이 배치될 수 있다. 상기 인터포저 기판(200)의 하면 상에 상기 인터포저 패드들(203)을 덮고 상기 제 2 단자들(205)의 일부분을 노출시키는 제 2 패시베이션막(207)이 더 형성될 수 있다.
상기 인터포저 기판(200) 상에 중앙처리장치(Central Processing Unit; CPU 400)가 더 장착될 수 있다.
도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 상기 인터포저 기판(200)은 로직 반도체 패키지(100) 상에 적층될 수 있다. 상기 제 1 단자들(333)은 제 2 반도체 칩(103)과 접촉되어, 제 2 반도체 칩(103)이 상기 제 2 관통 비아들(201)을 통해 제 1 반도체 칩들(309)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 인터포저 기판(200)은 전도성 연결 단자들(109)에 의해 상기 로직 반도체 패키지(100) 상에 적층될 수 있고, 상기 로직 반도체 패키지(100)과 상기 인터포저 기판(200)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 18 내지 도 23은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 설명의 간결함을 위해, 도 7 내지 도 17에 도시된 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 해당 구성 요소에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 18을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301) 상에 적층된 상기 제 1 반도체 칩들(309) 사이에 언더필 수지막(317)을 형성한다. 상기 언더필 수지막(317)은 상기 제 1 반도체 칩들(309) 사이를 채우고, 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 측면 및 상기 반도체 웨이퍼(301)의 일면(11)의 일부분을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 언더필 수지막(317)은 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11)의 일부분을 노출시킬 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도 4를 참조하면, 상기 언더필 수지막(317)은 상기 제 1 반도체 칩들(309)의 측면 및 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 일면(11)을 완전히 덮도록 형성될 수 있다.
도 19를 참조하면, 상기 언더필 수지막(317)이 형성된 상기 반도체 웨이퍼(301) 상에 상기 제 1 몰딩막(319)을 형성한다. 상기 제 1 몰딩막(319)은 상기 트렌치들(307)을 완전히 채우고, 상기 언더필 수지막(317)을 덮도록 형성될 수 있다.
도 20을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 타면(13)에 연마공정을 수행하여, 상기 제 1 관통 비아들(303)을 노출시킨다.
도 21을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 타면(13) 상에 상기 재배선층들(323) 및 상기 테스트 패드들(331)이 형성될 수 있다.
도 22를 참조하면, 상기 재배선층들(323) 상에 상기 제 1 단자들(333)이 부착될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 단자들(333)의 일부분을 노출시키고, 상기 재배선층들(323) 및 상기 테스트 패드들(331)을 덮는 상기 제 1 패시베이션막(335)이 형성될 수 있다.
도 23을 참조하면, 상기 반도체 웨이퍼(301)의 상기 절단 영역들(SR)에 절단공정을 수행하여 상기 반도체 기판(340) 상에 상기 제 1 반도체 칩들(309)이 적층된 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)를 형성할 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)는 상기 인터포저 기판(200) 상에 적층될 수 있다. 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)가 적층된 상기 인터포저 기판(200)은 상기 로직 반도체 패키지(100) 상에 적층되어 상기 칩 적층 반도체 패키지(300)와 상기 로직 반도체 패키지(100)가 연결된 반도체 장치(2000)가 형성될 수 있다.
도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지들을 포함하는 전자 장치의 예를 보여주는 블럭도이다. 도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지들을 포함하는 메모리 시스템의 예를 보여주는 블럭도이다.
도 24를 참조하면, 전자 시스템(6000)은 제어기(6100), 입출력 장치(6200) 및 기억 장치(6300)를 포함할 수 있다. 상기 제어기(6100), 입출력 장치(6200) 및 기억 장치(6300)는 버스(1500, bus)를 통하여 결합될 수 있다. 상기 버스(6500)는 데이터들이 이동하는 통로라 할 수 있다. 예컨대, 상기 제어기(6100)는 적어도 하나의 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서, 마이크로 컨트롤러, 그리고 이들과 동일한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제어기(6100) 및 기억 장치(6300)는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지들을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(6200)는 키패드, 키보드 및 표시 장치(display device) 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기억 장치(6300)는 데이터를 저장하는 장치이다. 상기 기억 장치(6300)는 데이터 및/또는 상기 제어기(6100)에 의해 실행되는 명령어 등을 저장할 수 있다. 상기 기억 장치(6300)는 휘발성 기억 소자 및/또는 비휘발성 기억 소자를 포함할 수 있다. 또는, 상기 기억 장치(6300)는 플래시 메모리로 형성될 수 있다. 예를 들면, 모바일 기기나 데스크 톱 컴퓨터와 같은 정보 처리 시스템에 본 발명의 기술이 적용된 플래시 메모리가 장착될 수 있다. 이러한 플래시 메모리는 반도체 디스크 장치(SSD)로 구성될 수 있다. 이 경우 전자 시스템(6000)은 대용량의 데이터를 상기 플래시 메모리 시스템에 안정적으로 저장할 수 있다. 상기 전자 시스템(6000)은 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하기 위한 인터페이스(6400)를 더 포함할 수 있다. 상기 인터페이스(6400)는 유무선 형태일 수 있다. 예컨대, 상기 인터페이스(6400)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다. 그리고, 도시되지 않았지만, 상기 전자 시스템(6000)에는 응용 칩셋(Application Chipset), 카메라 이미지 프로세서(Camera Image Processor:CIS), 그리고 입출력 장치 등이 더 제공될 수 있음은 이 분야의 통상적인 지식을 습득한 자들에게 자명하다.
상기 전자 시스템(6000)은 모바일 시스템, 개인용 컴퓨터, 산업용 컴퓨터 또는 다양한 기능을 수행하는 로직 시스템 등으로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 모바일 시스템은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA; Personal Digital Assistant), 휴대용 컴퓨터, 웹 타블렛(web tablet), 모바일폰(mobile phone), 무선폰(wireless phone), 랩톱(laptop) 컴퓨터, 메모리 카드, 디지털 뮤직 시스템(digital music system) 그리고 정보 전송/수신 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 상기 전자 시스템(6000)이 무선 통신을 수행할 수 있는 장비인 경우에, 상기 전자 시스템(6000)은 CDMA, GSM, NADC, E-TDMA, WCDAM, CDMA1000과 같은 3세대 통신 시스템 같은 통신 인터페이스 프로토콜에서 사용될 수 있다.
도 25를 참조하면, 메모리 카드(6600)는 비휘발성 기억 소자(6610) 및 메모리 제어기(6620)를 포함할 수 있다. 상기 비휘발성 기억 소자(6610) 및 상기 메모리 제어기(6620)는 데이터를 저장하거나 저장된 데이터를 판독할 수 있다. 상기 비휘발성 기억 장치(6610)는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지들(300)을 포함할 수 있다. 상기 메모리 제어기(6620)는 호스트(6630)의 판독/쓰기 요청에 응답하여 저장된 데이터를 독출하거나, 데이터를 저장하도록 상기 비휘발성 기억 장치(6610)를 제어할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
11: 일면 13: 타면
100: 로직 반도체 패키지 101: 인쇄회로기판
103: 제 2 반도체 칩 105: 제 2 몰딩막
107: 외부단자 109: 전도성 연결 단자
200: 인터포저 기판 201: 제 2 관통 비아
209: 배선 300: 칩 적층 반도체 패키지
301: 반도체 웨이퍼 303: 제 1 관통 비아
305: 제 1 전도성 패드 307: 트렌치
309: 제 1 반도체 칩 315: 칩 관통 비아
317: 언더필 수지막 319: 제 1 몰딩막
323: 재배선층 331: 테스트 패드
CR: 칩 영역 ER: 가장자리 영역
SR: 절단 영역

Claims (10)

  1. 일면과 상기 일면에 대향하는 타면을 가지고, 상기 일면에 노출된 관통 비아를 포함하는 반도체 웨이퍼를 준비하는 것;
    상기 반도체 웨이퍼의 칩 영역들 사이에 위치하는 절단영역 및 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리 영역들에 상기 반도체 웨이퍼의 일면이 리세스된 트렌치들을 형성하는 것;
    상기 관통 비아 상에 반도체 칩을 적층하는 것;
    상기 반도체 칩과 상기 반도체 웨이퍼 사이를 채우고, 상기 반도체 칩의 측면, 상기 반도체 웨이퍼의 상기 일면 및 상기 트렌치들의 측면을 완전히 덮는 언더필 수지막을 형성하는 것; 및
    상기 언더필 수지막을 덮고 상기 트렌치들의 적어도 일부를 채우는 몰딩막을 형성하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 트렌치들은 상기 트렌치들의 바닥면이 상기 관통 비아의 바닥면과 동일한 평면상이거나 더 아래에 위치하도록 형성되는 반도체 패키지의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 칩을 적층하는 것은, 복수개의 반도체 칩들을 수직적으로 적층하는 것을 포함하고,
    상기 언더필 수지막은 상기 반도체 칩들의 사이를 완전히 채우는 반도체 패키지의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 언더필 수지막은 상기 트렌치들의 측벽으로 연장되도록 형성되는 반도체 패키지의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰딩막을 형성한 후에,
    상기 반도체 웨이퍼의 상기 타면에 연마공정을 수행하여 상기 관통 비아를 노출시키는 것;
    상기 반도체 웨이퍼의 상기 타면 상에 재배선층 및 테스트 패드를 동시에 형성하는 것; 및
    상기 반도체 웨이퍼의 상기 절단영역 및 상기 가장자리 영역들에 절단공정을 수행하여 반도체 패키지를 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰딩막은 상기 반도체 칩의 상면을 완전히 덮도록 형성되는 반도체 패키지의 제조 방법.
  7. 기판 상에 적층된 복수개의 반도체 칩들;
    상기 반도체 칩들 중 최하부의 반도체 칩과 상기 기판 사이 및 상기 반도체 칩들의 사이를 완전히 채우고, 상기 반도체 칩들의 하면, 상기 기판의 상면, 및 상기 기판의 측면을 완전히 덮는 언더필 수지막; 및
    상기 언더필 수지막을 덮는 몰딩막을 포함하는 반도체 패키지.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 언더필 수지막은 상기 반도체 칩들 중 최상부의 반도체 칩의 하면 상의 반도체 칩들의 측면을 완전히 덮는 반도체 패키지.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 언더필 수지막의 하면은 상기 언더필 수지막의 상면보다 더 넓은 폭을 갖는 반도체 패키지.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판을 관통하는 기판 관통 비아;
    상기 반도체 칩을 관통하는 칩 관통 비아;
    상기 기판과 상기 반도체 칩 사이에 배치되어 상기 기판 관통 비아와 상기 칩 관통 비아를 전기적으로 연결하는 칩 단자;
    상기 기판의 하면에 배치된 재배선층 및 테스트 패드; 및
    상기 재배선층 상에 부착된 기판 단자를 더 포함하는 반도체 패키지.

KR1020140052581A 2014-04-30 2014-04-30 반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치 KR102258743B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140052581A KR102258743B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치
US14/611,585 US9508704B2 (en) 2014-04-30 2015-02-02 Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140052581A KR102258743B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150125815A KR20150125815A (ko) 2015-11-10
KR102258743B1 true KR102258743B1 (ko) 2021-06-02

Family

ID=54355781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140052581A KR102258743B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9508704B2 (ko)
KR (1) KR102258743B1 (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101394203B1 (ko) * 2011-12-29 2014-05-14 주식회사 네패스 적층형 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US9281254B2 (en) * 2014-02-13 2016-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming integrated circuit package
JP6421083B2 (ja) * 2015-06-15 2018-11-07 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US9607973B1 (en) 2015-11-19 2017-03-28 Globalfoundries Inc. Method for establishing interconnects in packages using thin interposers
KR102420148B1 (ko) * 2016-03-22 2022-07-13 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패키지
KR102521881B1 (ko) 2016-06-15 2023-04-18 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US9984995B1 (en) * 2016-11-13 2018-05-29 Nanya Technology Corporation Semiconductor package and manufacturing method thereof
CN109712966A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片封装结构及其形成方法
CN109755215B (zh) * 2017-11-02 2021-07-27 长鑫存储技术有限公司 半导体封装件及其制造方法
KR102467030B1 (ko) * 2018-01-17 2022-11-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 패키지를 포함한 반도체 장치
EP3531446B1 (en) 2018-02-23 2024-04-03 Infineon Technologies Austria AG Semiconductor module, electronic component and method of manufacturing a semiconductor module
US11171090B2 (en) * 2018-08-30 2021-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of manufacture
US10700041B2 (en) * 2018-09-21 2020-06-30 Facebook Technologies, Llc Stacking of three-dimensional circuits including through-silicon-vias
US11133282B2 (en) * 2019-05-31 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. COWOS structures and methods forming same
CN112151514A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 西部数据技术公司 包括垂直堆叠半导体管芯的半导体器件
US11211378B2 (en) * 2019-07-18 2021-12-28 International Business Machines Corporation Heterogeneous integration structure for artificial intelligence computing
US11064615B2 (en) * 2019-09-30 2021-07-13 Texas Instruments Incorporated Wafer level bump stack for chip scale package
US11404395B2 (en) 2019-11-15 2022-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package including underfill material layer and method of forming the same
KR20210090522A (ko) * 2020-01-10 2021-07-20 에스케이하이닉스 주식회사 인터포즈 브리지를 가진 모듈들이 스택된 반도체 패키지
CN113571494B (zh) * 2020-04-28 2024-08-20 群创光电股份有限公司 电子装置及其制作方法
TWI729955B (zh) * 2020-10-27 2021-06-01 力成科技股份有限公司 模組化堆疊式半導體封裝方法
JP2023045675A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6492196B1 (en) * 2002-01-07 2002-12-10 Picta Technology Inc. Packaging process for wafer level IC device
US6635525B1 (en) 2002-06-03 2003-10-21 International Business Machines Corporation Method of making backside buried strap for SOI DRAM trench capacitor
KR100537892B1 (ko) * 2003-08-26 2005-12-21 삼성전자주식회사 칩 스택 패키지와 그 제조 방법
DE102005022017B3 (de) 2005-05-12 2006-10-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von Chip-Stapeln sowie zugehörige Chip-Stapel
DE102006025671B4 (de) 2006-06-01 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen
TWI331391B (en) 2007-03-20 2010-10-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Stackable semiconductor device and fabrication method thereof
US7932179B2 (en) 2007-07-27 2011-04-26 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor device having backside redistribution layers
US7786584B2 (en) 2007-11-26 2010-08-31 Infineon Technologies Ag Through substrate via semiconductor components
KR101013556B1 (ko) 2008-02-01 2011-02-14 주식회사 하이닉스반도체 스택 패키지의 제조방법
US7863092B1 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Xilinx, Inc. Low cost bumping and bonding method for stacked die
US8426256B2 (en) 2009-03-20 2013-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming stacked-die packages
US8446017B2 (en) 2009-09-18 2013-05-21 Amkor Technology Korea, Inc. Stackable wafer level package and fabricating method thereof
EP2299486B1 (de) * 2009-09-18 2015-02-18 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren zum Bonden von Chips auf Wafer
US8143097B2 (en) * 2009-09-23 2012-03-27 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming open cavity in TSV interposer to contain semiconductor die in WLCSMP
KR101217356B1 (ko) 2009-10-01 2012-12-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 디바이스
US8227839B2 (en) 2010-03-17 2012-07-24 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit having TSVS including hillock suppression
US8507940B2 (en) 2010-04-05 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat dissipation by through silicon plugs
KR101678539B1 (ko) 2010-07-21 2016-11-23 삼성전자 주식회사 적층 패키지, 반도체 패키지 및 적층 패키지의 제조 방법
KR20120057693A (ko) 2010-08-12 2012-06-07 삼성전자주식회사 적층 반도체 장치 및 적층 반도체 장치의 제조 방법
US8288201B2 (en) * 2010-08-25 2012-10-16 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming FO-WLCSP with discrete semiconductor components mounted under and over semiconductor die
TW201241941A (en) 2010-10-21 2012-10-16 Sumitomo Bakelite Co A method for manufacturing an electronic equipment, and the electronic equipment obtained by using the method, as well as a method for manufacturing electronics and electronic parts, and the electronics and the electronic parts obtained using the method
KR101803746B1 (ko) 2010-12-01 2017-12-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 칩, 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
US8486758B2 (en) 2010-12-20 2013-07-16 Tessera, Inc. Simultaneous wafer bonding and interconnect joining
US8551881B2 (en) 2011-04-25 2013-10-08 Nanya Technology Corporation Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device
KR20120123919A (ko) 2011-05-02 2012-11-12 삼성전자주식회사 칩 적층 반도체 패키지 제조 방법 및 이에 의해 제조된 칩 적층 반도체 패키지
KR101069441B1 (ko) 2011-05-12 2011-09-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
KR20130015885A (ko) * 2011-08-05 2013-02-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US8754514B2 (en) 2011-08-10 2014-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-chip wafer level package
KR101283387B1 (ko) 2011-10-05 2013-07-08 파워테크 테크놀로지 인코포레이티드 멀티칩 적층 패키지들의 테스트 방법
US8652939B2 (en) * 2011-10-18 2014-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for die assembly
US8643148B2 (en) * 2011-11-30 2014-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chip-on-Wafer structures and methods for forming the same
KR101343343B1 (ko) 2012-01-02 2013-12-19 한국과학기술원 반도체 칩의 3ｄ 적층 패키지 및 그 제조방법
KR101918608B1 (ko) * 2012-02-28 2018-11-14 삼성전자 주식회사 반도체 패키지
KR101949503B1 (ko) 2012-04-18 2019-02-18 에스케이하이닉스 주식회사 적층형 반도체 장치, 그 제조 방법 및 테스트 방법
US9524942B2 (en) * 2013-12-18 2016-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chip-on-substrate packaging on carrier

Also Published As

Publication number Publication date
US20150318261A1 (en) 2015-11-05
US9508704B2 (en) 2016-11-29
KR20150125815A (ko) 2015-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102258743B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법, 이에 의해 형성된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치
US9406584B2 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
US8637969B2 (en) Stacked chips in a semiconductor package
TWI672787B (zh) 具有中介層的半導體封裝及其製造方法
US9941252B2 (en) Semiconductor package
US11257801B2 (en) Stacked semiconductor package having mold vias and method for manufacturing the same
US9570370B2 (en) Multi chip package and method for manufacturing the same
US9099541B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US8802495B2 (en) Semiconductor packages, methods of manufacturing the same, and semiconductor package structures including the same
US9202767B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US10658332B2 (en) Stack packages including bridge dies
US9899337B2 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
US9905550B2 (en) Semiconductor package and method of fabricating the same
US20160118326A1 (en) Method for fabricating fan-out wafer level package and fan-out wafer level package fabricated thereby
US20140252626A1 (en) Semiconductor package and method of fabricating the same
US9711482B2 (en) Semiconductor package embedded with plurality of chips and method of manufacturing the same
KR20120031811A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20120057693A (ko) 적층 반도체 장치 및 적층 반도체 장치의 제조 방법
US20140138819A1 (en) Semiconductor device including tsv and semiconductor package including the same
KR101840447B1 (ko) 반도체 패키지 및 이를 갖는 적층 반도체 패키지
US9508699B2 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
US20190043833A1 (en) Semiconductor packages including a plurality of stacked dies
US9209161B2 (en) Stacked package and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant