KR102250366B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판이 반입되는 입구 및 상기 기판이 반출되는 출구가 형성되고, 제 1 배출구 및 상기 제 1 배출구보다 상기 출구에 더 인접한 제 2 배출구가 형성된 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 반송 유닛 상의 기판을 향해 기판을 처리하는 액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 챔버 내에서 기판 처리 후의 액이 수용되는 공간을 상기 제 1 배출구를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 2 배출구를 포함하는 제 2 영역으로 분할하는 격벽을 포함한다.
기판 처리 방법은 제 1 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 1 위치에 고정시키고, 제 2 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 2 위치에 고정시키되,
상기 제 1 위치는 상기 제 2 위치보다 입구에 더 가깝게 위치하는 것을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method. The substrate processing apparatus includes a chamber having an inlet into which a substrate is carried in and an outlet through which the substrate is carried out, and a first outlet and a second outlet closer to the outlet than the first outlet, and disposed in the chamber, wherein the substrate is provided with a first outlet. A first including a transport unit that transports along a direction, a liquid supply unit that supplies a liquid for processing a substrate toward a substrate on the transport unit, and a space in which the liquid after substrate treatment is accommodated in the chamber is provided with the first discharge port. And a partition wall divided into a region and a second region including the second outlet.
The substrate processing method includes fixing the partition wall in a first position when processing a first substrate, and fixing the partition wall in a second position when processing a second substrate,
The first location includes being located closer to the inlet than the second location.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and method for processing substrate}

본 발명은 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method for cleaning a substrate using a cleaning liquid.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 평판 표시 패널의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 평판 표시 패널를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬 처리공정, 린스공정 및 건조공정을 포함한다. 케미컬 처리공정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 것이다. 린스공정은 순수(deionized water)를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 것이다. 건조공정은 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 것이다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on the characteristics and production yield of the flat panel display panel. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in a semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning a substrate is performed in a step before and after each unit process for manufacturing a flat panel display panel. In general, the cleaning of the substrate includes a chemical treatment process, a rinsing process, and a drying process. The chemical treatment process is to remove metallic foreign substances, organic substances, particles, etc. remaining on the substrate by using chemicals. In the rinsing process, deionized water is used to remove chemicals remaining on the substrate. The drying process is to dry the substrate using nitrogen gas or the like.

린스 공정은 일반적으로, 복수의 챔버에서 연속적으로 수행되며, 상류에 배치되는 챔버 내에서 사용된 순수는 모두 폐기되고, 하류에 배치되는 챔버 내에서 사용된 순수는 모두 회수되었다. 이에 따라, 상류에 배치되는 챔버에서 순수가 다량 소비되는 문제가 발생하였다.The rinsing process is generally performed continuously in a plurality of chambers, all pure water used in a chamber disposed upstream is discarded, and all pure water used in a chamber disposed downstream is recovered. Accordingly, there has been a problem that a large amount of pure water is consumed in a chamber disposed upstream.

본 발명의 일 기술적 과제는 세정 처리를 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of efficiently performing a cleaning process.

본 발명의 일 기술적 과제는 세정에 사용된 액의 사용량을 절감할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of reducing the amount of liquid used for cleaning.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 기판이 반입되는 입구 및 상기 기판이 반출되는 출구가 형성되고, 제 1 배출구 및 상기 제 1 배출구보다 상기 출구에 더 인접한 제 2 배출구가 형성된 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 반송 유닛 상의 기판을 향해 기판을 처리하는 액을 공급하는 액 공급 유닛 그리고 상기 챔버 내에서 기판 처리 후의 액이 수용되는 공간을 상기 제 1 배출구를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 2 배출구를 포함하는 제 2 영역으로 분할하는 격벽을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes an inlet into which a substrate is carried in and an outlet through which the substrate is carried out, and a first outlet and a second outlet closer to the outlet than the first outlet. , A transfer unit disposed in the chamber and transferring a substrate along a first direction, a liquid supply unit supplying a liquid for processing a substrate toward a substrate on the transfer unit, and a space in which the liquid after processing the substrate is accommodated in the chamber. And a partition wall divided into a first area including the first outlet and a second area including the second outlet.

일 예에 의하여, 상기 격벽은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 체적이 변경 가능하도록 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에서 그 위치가 조절 가능하게 제공될 수 있다. As an example, the partition wall may be provided so that the position of the partition wall can be adjusted between the first outlet and the second outlet so that the volumes of the first area and the second area can be changed.

일 예에 의하여, 상기 제 1 배출구와 연결되는 폐액라인 및 상기 제 2 배출구와 연결되는 회수라인을 더 포함할 수 있다. For example, a waste liquid line connected to the first discharge port and a recovery line connected to the second discharge port may be further included.

일 예에 의하여, 상기 챔버에는 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에 상기 제 1 방향으로 복수개가 제공되고 상기 격벽의 가장자리부가 삽입되는 슬릿이 형성될 수 있다. As an example, a plurality of slits may be provided in the first direction between the first outlet and the second outlet in the chamber and an edge portion of the partition wall may be inserted.

다른 예에 의하여, 상기 챔버는 그 내부 공간으로 돌출되는 복수의 블럭을 더 구비하고, 상기 슬릿은 상기 블록에 형성될 수 있다. 상기 슬릿은 상기 챔버의 바닥 면에 형성될 수 있다. In another example, the chamber may further include a plurality of blocks protruding into the inner space, and the slit may be formed in the block. The slit may be formed on the bottom surface of the chamber.

일 예에 의하여, 상기 격벽과 상기 슬릿을 형성하는 면 사이에 상기 제 1 공간과 상기 제 2 공간을 실링하는 실링부재가 제공될 수 있다. 상기 실링부재는 고무재질을 포함한다. 상기 실링부재는 상기 격벽과 상기 슬릿 중 어느 하나에 고정설치 될 수 있다. For example, a sealing member may be provided between the partition wall and a surface forming the slit to seal the first space and the second space. The sealing member includes a rubber material. The sealing member may be fixedly installed to one of the partition wall and the slit.

일 예에 의하여, 상기 챔버의 바닥 면은 제 1부분 및 제 2 부분으로 구분되고, 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분은 상부에서 볼 때 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향을 향해 순차적으로 위치하고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 경사도가 더 크고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 높게 위치되고, 상기 제 1 배출구 및 상기 제 2 배출구는 상기 제 1 부분에 형성될 수 있다. 상기 제 1 부분은 수평면으로 제공될 수 있다. 상기 격벽은 상기 제 1 부분에 설치될 수 있다.By way of example, the bottom surface of the chamber is divided into a first part and a second part, and the first part and the second part are sequentially directed toward a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above. And the second portion has a higher inclination than the first portion, the second portion is positioned higher than the first portion, and the first outlet and the second outlet may be formed in the first portion. . The first portion may be provided in a horizontal plane. The partition wall may be installed on the first part.

일 예에 의하여, 상기 반송 유닛은 상기 기판이 상기 제 2 방향을 따라 경사지게 반송하되, 상기 기판에서 상기 제 2 부분과 대향되는 영역을 상기 제 1 부분과 대향되는 영역보다 높게 위치시킬 수 있다.According to an example, the transfer unit may convey the substrate inclinedly along the second direction, and may position a region of the substrate facing the second portion higher than a region facing the first portion.

또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 1 위치에 고정시키고, 제 2 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 2 위치에 고정시키되, 상기 제 1 위치는 상기 제 2 위치보다 입구에 더 가깝게 위치한다. 상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 오염도가 큰 기판일 수 있다. In addition, the present invention provides a substrate processing method. According to the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the partition wall is fixed to a first position when processing a first substrate, and the partition wall is fixed to a second position when processing a second substrate, The first position is located closer to the inlet than the second position. The second substrate may be a substrate having a higher degree of contamination than the first substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 세정시 사용되는 액의 사용량을 절감할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the amount of liquid used for cleaning.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 하나의 챔버에서 기판의 오염도에 따라 회수되는 액의 양을 조절할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the amount of liquid recovered in one chamber may be adjusted according to the degree of contamination of the substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 챔버 내의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 챔버의 내부를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 1의 챔버의 내부를 보여주는 다른 예를 나타낸 사시도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기판 처리 장치를 사용하는 방법을 보여주는 단면도이다.
도 7은 반송 유닛의 다른 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 각각의 격벽이 챔버에 고정되는 구조의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 9은 각각의 격벽이 챔버에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 10은 각각의 격벽이 챔버에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a transfer unit in the chamber of FIG. 1.
3 is a perspective view illustrating the interior of the chamber of FIG. 1.
4 is a perspective view illustrating another example of the interior of the chamber of FIG. 1.
5 and 6 are cross-sectional views showing a method of using the substrate processing apparatus of the present invention.
7 is a perspective view showing another embodiment of a transfer unit.
8 is a perspective view showing an example of a structure in which each partition wall is fixed to the chamber.
9 is a perspective view showing another example of a structure in which each partition wall is fixed to the chamber.
10 is a perspective view showing another example of a structure in which each partition wall is fixed to the chamber.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to embodiments described later in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only this embodiment allows the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same constituent elements throughout the entire specification.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 챔버(100) 내의 반송 유닛(200)을 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 1의 챔버의 내부를 나타낸 사시도이다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a transfer unit 200 in the chamber 100 of FIG. 1, and FIG. 3 is It is a perspective view showing the inside.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 반송 유닛(200), 액 공급 유닛(400) 및 격벽(500)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a process chamber 100, a transfer unit 200, a liquid supply unit 400, and a partition wall 500.

공정 챔버(100)는 기판(S)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)를 포함할 수 있다. 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)는 제 1 방향(12)을 따라 순차적으로 배열된다. 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)는 각각 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 제 1 방향은 기판(S)의 이동방향이다. 에칭 챔버(102)는 기판(S)에 케미컬을 공급하여 식각 공정을 진행한다. 세정 챔버(104)는 에칭 공정이 완료된 기판(S) 상에 순수를 공급하여 케미컬을 제거한다. 건조 챔버(106)는 기판(S) 표면에 잔류하는 케미컬 또는 순수를 건조시킨다. The process chamber 100 provides a space for processing the substrate S. As an example, the process chamber may include an etching chamber 102, a cleaning chamber 104 and a drying chamber 106. The etching chamber 102, the cleaning chamber 104 and the drying chamber 106 are sequentially arranged along the first direction 12. One or more of the etching chamber 102, the cleaning chamber 104, and the drying chamber 106 may be provided. The first direction is the moving direction of the substrate S. The etching chamber 102 performs an etching process by supplying a chemical to the substrate S. The cleaning chamber 104 removes chemicals by supplying pure water on the substrate S on which the etching process has been completed. The drying chamber 106 dries chemicals or pure water remaining on the surface of the substrate S.

공정 챔버(100)들 내에는 반송 유닛(200)이 제공된다. 반송 유닛(200)은 공정 챔버 (100) 들 간에, 그리고 챔버(100) 내에서 기판(S)을 제 1 방향으로 이동시킨다. 도 2를 참조하면, 반송 유닛(200)은 복수의 샤프트들(220), 롤러들(240), 그리고 구동부(260)를 가진다. 복수의 샤프트들(220)은 제1방향(12)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(220)는 그 길이 방향이 제2방향(16)으로 제공된다. 샤프트들(220)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(220)은 기판 유입구(110)와 인접한 위치에서부터 기판 유출구(120)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(220)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(240)이 고정 결합된다. 샤프트들(220)은 그 중심축을 기준으로 구동부(260)에 의해 회전된다. 구동부(260)는 풀리들(262), 벨트들(264), 그리고 모터(266)를 가진다. 풀리들(262)은 각각의 샤프트(220)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(220)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(262)은 벨트(264)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(262) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(266)가 결합된다. 상술한, 풀리(262), 벨트(264), 그리고 모터(266)의 조립체에 의해 샤프트들(220)과 롤러들(240)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러에 접촉된 상태로 샤프트들(220)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(220)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. A transfer unit 200 is provided within the process chambers 100. The transfer unit 200 moves the substrate S between the process chambers 100 and within the chamber 100 in a first direction. Referring to FIG. 2, the conveying unit 200 includes a plurality of shafts 220, rollers 240, and a driving unit 260. The plurality of shafts 220 are arranged along the first direction 12. Each shaft 220 is provided in a second direction 16 in its longitudinal direction. The shafts 220 are arranged parallel to each other. The shafts 220 are provided from a position adjacent to the substrate inlet 110 to a position adjacent to the substrate outlet 120. Each shaft 220 is fixedly coupled to a plurality of rollers 240 along its longitudinal direction. The shafts 220 are rotated by the driving unit 260 based on their central axis. The driving unit 260 has pulleys 262, belts 264, and a motor 266. Pulleys 262 are coupled to both ends of each shaft 220, respectively. The pulleys 262 coupled to different shafts 220 and disposed adjacent to each other are connected to each other by a belt 264. One of the pulleys 262 is coupled to a motor 266 that rotates it. The shafts 220 and the rollers 240 are rotated by the assembly of the pulley 262, the belt 264, and the motor 266 as described above, and the substrate S is in a state in which the lower surface thereof is in contact with the roller. It moves linearly along the furnace shafts 220. Each shaft 220 is disposed horizontally so that the substrate S may be transferred in a horizontal state.

세정 챔버(104)에는 제 1 배출구(810)와 제 2 배출구(820)가 제공된다. 세정 챔버(104)의 양 측벽에는 기판(S)이 유입 또는 유출될 수 있는 기판 출입구(110,120)가 형성된다. 기판(S)은 기판 유출입구(110,120)를 통해 공정 챔버(100)들 간에 이송된다. 세정 챔버(104)의 하면은 제 1부분(152)과 제 2 부분(154)으로 구분될 수 있다. 제 1 부분(152) 및 제 2 부분(154)은 상부에서 볼 때 제 1 방향(12)과 수직하는 제 2 방향(16)을 향해 순차적으로 위치한다. 제 2 부분(154)은 제 1 부분(152)보다 경사도가 더 크다. 제 2 부분(154)은 제 1 부분(152)보다 높게 위치된다. 제 1 배출구(810) 및 제 2 배출구(820)는 제 1 부분(152)에 형성될 수 있다. 제 1 부분(152)은 수평일 수 있다. The cleaning chamber 104 is provided with a first outlet 810 and a second outlet 820. On both sidewalls of the cleaning chamber 104, substrate entrances 110 and 120 through which the substrate S can flow in or out are formed. The substrate S is transferred between the process chambers 100 through the substrate outlets 110 and 120. The lower surface of the cleaning chamber 104 may be divided into a first portion 152 and a second portion 154. The first portion 152 and the second portion 154 are sequentially positioned toward a second direction 16 perpendicular to the first direction 12 when viewed from above. The second portion 154 has a greater inclination than the first portion 152. The second portion 154 is positioned higher than the first portion 152. The first outlet 810 and the second outlet 820 may be formed in the first part 152. The first portion 152 may be horizontal.

제 1 배출구(810)는 제 1 영역(130)에 위치하고, 제 2 배출구(820)는 제 2 영역(140)에 위치한다. 제 1 영역(130)은 제 2 영역(140)보다 입구 쪽에 위치되고, 제 2 영역(140)은 제 1 영역(130)보다 출구 쪽에 위치된다. 제 1 영역(130)과 제 2 영역(140)은 후술되는 격벽(500)에 의해 구분될 수 있다.The first outlet 810 is positioned in the first region 130, and the second outlet 820 is positioned in the second region 140. The first area 130 is located at the entrance side than the second area 140, and the second area 140 is located at the exit side than the first area 130. The first region 130 and the second region 140 may be divided by a partition wall 500 to be described later.

탱크(700)는 제 2 배출구(820)를 통해 배수된 순수를 저장한다. 회수라인(620)은 탱크(700)와 제 2 배출구(820)를 연결한다. 탱크(700)에 저장되는 순수는 상대적으로 오염물의 함유량이 적은 순수일 수 있다. 제 2 배출구(820)를 통해 배수된 순수는 공급 라인(630)을 통해 액 공급 유닛(400)으로 이동된다. 제 1 배출구(810)를 통해 배수된 순수는 폐기될 수 있다. 폐액라인(610)을 통해 배수되는 순수는 상대적으로 오염물의 함유량이 높은 순수일 수 있다.The tank 700 stores pure water drained through the second outlet 820. The recovery line 620 connects the tank 700 and the second outlet 820. The pure water stored in the tank 700 may be pure water having a relatively low content of contaminants. The pure water drained through the second outlet 820 is transferred to the liquid supply unit 400 through the supply line 630. Pure water drained through the first outlet 810 may be discarded. Pure water drained through the waste liquid line 610 may be pure water having a relatively high content of contaminants.

공급 라인(630)은 탱크(700)와 액 공급 유닛(400)을 서로 연결한다. 탱크(700)에 저장된 순수를 재사용하기 위해, 순수가 공급 라인(630)을 통해 액 공급 유닛(400)으로 이동된다. 도면에 도시하지는 않았지만, 공급 라인(630)에는 공급 라인(630)을 통해 이동하는 순수를 필터링하기 위한 필터가 더 설치될 수 있다. 공급 라인(630)에는 순수의 유량을 체크하기 위한 유량계 및 순수를 펌핑하기 위한 펌프 등이 설치될 수 있다.The supply line 630 connects the tank 700 and the liquid supply unit 400 to each other. In order to reuse the pure water stored in the tank 700, pure water is moved to the liquid supply unit 400 through the supply line 630. Although not shown in the drawing, a filter for filtering pure water moving through the supply line 630 may be further installed in the supply line 630. A flow meter for checking the flow rate of pure water and a pump for pumping pure water may be installed in the supply line 630.

액 공급 유닛(400)은 세정 챔버(104) 내에 위치한다. 액 공급 유닛(400)은 반송 유닛(200)의 상부에 위치한다. 예를 들어, 액 공급 유닛(400)은 노즐 등을 포함한다. 노즐에서 공급되는 액은 케미컬, 순수(deionized water, DIW) 또는 건조가스를 포함할 수 있다. 본 발명에서는 일 실시 예로, 액은 순수인 경우로 설명한다. 액 공급 유닛(400)은 기판(S) 상에 순수를 공급하여 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬들을 제거한다. The liquid supply unit 400 is located in the cleaning chamber 104. The liquid supply unit 400 is located above the transfer unit 200. For example, the liquid supply unit 400 includes a nozzle or the like. The liquid supplied from the nozzle may include chemical, deionized water (DIW) or dry gas. In the present invention, as an example, the liquid is described as pure water. The liquid supply unit 400 supplies pure water on the substrate S to remove chemicals remaining on the substrate S.

격벽(500)은 세정 챔버(104)의 바닥 면으로부터 수직하게 연장될 수 있다. 격벽(500)은 제 1 영역(130)과 제 2 영역(140)의 체적이 변경 가능하도록 제 1 배출구(810)와 제 2 배출구(820) 사이에서 그 위치가 조절 가능하게 제공된다. 격벽(500)은 제 1 부분(152)에 설치될 수 있다. 이와 달리, 격벽(1500)은 도 4와 같이 제 1 부분(152)에서 제 2 부분(154)까지 연장되어 형성될 수 있다.
The partition wall 500 may extend vertically from the bottom surface of the cleaning chamber 104. The partition wall 500 is provided in a position adjustable between the first outlet 810 and the second outlet 820 so that the volumes of the first region 130 and the second region 140 can be changed. The partition wall 500 may be installed on the first part 152. Alternatively, the partition wall 1500 may be formed to extend from the first portion 152 to the second portion 154 as shown in FIG. 4.

세정 챔버(104) 내의 격벽(500)은 기판의 상태에 따라 위치가 조절될 수 있다. 일 실시 예로, 격벽(500)은 제 1 위치(310), 제 2 위치(320) 및 제 3 위치(330) 중 선택적으로 어느 하나에 위치할 수 있다. 예를 들어, 격벽(500)이 제 1 위치(310)에 위치하는 경우 제 2 영역(140)이 제 1 영역(130)보다 크다. 격벽(500)이 제 2 위치(320)에 위치하는 경우 제 1 영역(130)과 제 2 영역(140)의 크기는 같다. 격벽(500)이 제 3 위치(330)에 위치하는 경우 제 1 영역(130)이 제 2 영역(140)보다 크다. 격벽(500)의 위치에 따라 회수되는 순수와 폐기되는 순수의 양을 조절할 수 있다. The position of the partition wall 500 in the cleaning chamber 104 may be adjusted according to the state of the substrate. As an example, the partition wall 500 may be selectively positioned at any one of the first position 310, the second position 320, and the third position 330. For example, when the partition wall 500 is located at the first position 310, the second region 140 is larger than the first region 130. When the partition wall 500 is located at the second position 320, the first region 130 and the second region 140 have the same size. When the partition wall 500 is located at the third position 330, the first region 130 is larger than the second region 140. According to the position of the partition wall 500, the amount of pure water to be recovered and pure water to be discarded may be adjusted.

도 5 및 도 6은 본 발명의 기판 처리 장치(도 5의 2,도 6의 3)를 사용하는 방법을 보여주는 단면도이다. 제 1기판(S1)과 같이 기판의 오염도가 낮은 경우, 도 5와 같이 격벽(2500)을 제 1위치(2310)에 위치시킨다. 이 때, 제 2 배출구(820)로 회수되는 순수의 양이 증가한다. 제 1 기판(S1)을 세정한 순수는 케미컬의 농도가 낮아 재사용할 수 있다. 제 1 배출구(810)로 흐르는 순수는 폐기되고, 제 2 배출구(820)로 흐르는 순수는 회수되고, 재사용된다. 제 2 기판(S2)과 같이 기판의 오염도가 높은 경우, 도 6과 같이 격벽(3500)을 제 2 위치(3320)에 위치시킨다. 제 1 배출구(810)로 흘러 폐기되는 순수의 양이 증가한다. 제 2 기판을 세정한 순수는 상대적으로 케미컬의 농도가 높아 재사용할 수 있는 순수의 양이 적다. 제 1 배출구(810)는 폐액라인(3610)과 연결된다. 제 1 배출구(810)로 흐르는 순수는 폐기되고, 제 2 배출구(820)로 흐르는 순수는 회수되고, 재사용된다.
5 and 6 are cross-sectional views showing a method of using the substrate processing apparatus (2 of FIG. 5 and 3 of FIG. 6) of the present invention. When the contamination degree of the substrate is low as in the first substrate S1, the partition wall 2500 is positioned at the first position 2310 as shown in FIG. 5. At this time, the amount of pure water recovered through the second discharge port 820 increases. The pure water after cleaning the first substrate S1 has a low chemical concentration and can be reused. The pure water flowing through the first outlet 810 is discarded, and the pure water flowing through the second outlet 820 is recovered and reused. When the contamination degree of the substrate is high as in the second substrate S2, the partition wall 3500 is positioned at the second position 3320 as shown in FIG. 6. The amount of pure water flowing to the first outlet 810 and discarded is increased. The pure water after cleaning the second substrate has a relatively high chemical concentration, so that the amount of pure water that can be reused is small. The first outlet 810 is connected to the waste liquid line 3610. The pure water flowing through the first outlet 810 is discarded, and the pure water flowing through the second outlet 820 is recovered and reused.

도 7은 반송 유닛(4200)의 다른 실시 예를 나타낸 사시도이다.7 is a perspective view showing another embodiment of the transfer unit 4200.

도 7을 참조하면, 반송 유닛(4200)은 기판이 제 2 방향(16)을 따라 경사지게 반송한다. 기판을 제 2 부분(4154)과 대향되는 영역을 제 1 부분(4152)과 대향되는 영역보다 높게 위치시킨다. 각각의 샤프트(도 2의 220)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.
Referring to FIG. 7, the conveying unit 4200 conveys the substrate obliquely along the second direction 16. The area of the substrate facing the second portion 4154 is positioned higher than the area facing the first portion 4152. One end and the other end of each shaft (220 in FIG. 2) are provided at different heights, so that the substrate S can be transferred in an inclined state.

도 8은 각각의 격벽(500)이 챔버(100)에 고정되는 구조의 일 예를 보여주는 사시도이다.8 is a perspective view showing an example of a structure in which each partition wall 500 is fixed to the chamber 100.

도 8를 참조하면, 복수개의 슬릿(900)이 세정 챔버(104)의 바닥 면에 제공된다. 일 실시 예로, 세정 챔버(104) 바닥 면에서 위로 돌출되는 블록(300)을 가진다. 슬릿(900)은 블록(300)의 상면에 형성된다. 격벽(500) 하부의 옆면에는 격벽(500)을 고정시키기 위한 홀(340)이 생성된다. 홀(340)은 복수개가 제공되고, 세정 챔버(104) 상부에서 볼 때 제 1 방향(12)과 수직인 제 2 방향(16)을 따라 형성된다. 블록(300)에도 제 2 방향(16)으로 홀(340)이 생성된다. 격벽(500)을 슬릿(900)에 끼우고 볼트(350) 등을 이용하여 격벽(500)을 세정 챔버(104) 바닥 면에 고정시킬 수 있다. Referring to FIG. 8, a plurality of slits 900 are provided on the bottom surface of the cleaning chamber 104. In one embodiment, the cleaning chamber 104 has a block 300 protruding upward from the bottom surface. The slit 900 is formed on the upper surface of the block 300. A hole 340 for fixing the partition wall 500 is formed on a side surface of the lower portion of the partition wall 500. A plurality of holes 340 are provided, and are formed along a second direction 16 perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top of the cleaning chamber 104. A hole 340 is also formed in the block 300 in the second direction 16. The partition wall 500 may be inserted into the slit 900 and the partition wall 500 may be fixed to the bottom surface of the cleaning chamber 104 by using a bolt 350 or the like.

도 9은 각각의 격벽(5500)이 세정 챔버(5100)에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.9 is a perspective view showing another example of a structure in which each partition wall 5500 is fixed to the cleaning chamber 5100.

도 9를 참조하면, 복수개의 슬릿(5900)이 세정 챔버(5100)의 하면에 제공된다. 일 실시 예로, 복수개의 슬릿(5900)은 세정 챔버(5100)의 바닥 면을 향해 함몰된 홈(5130)에 의해 형성될 수 있다. 격벽(5500)을 홈(5130)에 의해 형성된 슬릿(5900)에 끼워서 세정 챔버(5100) 바닥 면에 고정할 수 있다. Referring to FIG. 9, a plurality of slits 5900 are provided on the lower surface of the cleaning chamber 5100. As an example, the plurality of slits 5900 may be formed by grooves 5130 recessed toward the bottom surface of the cleaning chamber 5100. The partition wall 5500 may be fitted into the slit 5900 formed by the groove 5130 to be fixed to the bottom surface of the cleaning chamber 5100.

도 10은 각각의 격벽(6500)이 챔버(6100)에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.10 is a perspective view showing another example of a structure in which each partition wall 6500 is fixed to the chamber 6100.

실링부재(6900)는 격벽(6500)과 슬릿(6320)을 형성하는 면 사이에 제 1 영역(도 1의 130)과 제 2 영역(도 1의 140)을 실링하기 위해 제공된다. 예를 들어, 실링부재(6900)는 고무재질을 포함할 수 있다. 격벽(6500)과 슬릿(6320) 중 어느 하나에 실링부재(6900)가 고정설치 될 수 있다.
The sealing member 6900 is provided to seal the first region (130 in FIG. 1) and the second region (140 in FIG. 1) between the partition wall 6500 and the surface forming the slit 6320. For example, the sealing member 6900 may include a rubber material. A sealing member 6900 may be fixedly installed on any one of the partition wall 6500 and the slit 6320.

상술한 예와 달리, 세정 챔버(104)의 측벽에 홈이 형성될 수 있다. 복수개의 슬릿(900)은 세정 챔버(104)의 측벽에 제공될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(104)의 측벽에 슬릿(900)이 형성되어 블록(300)이 제공된다. 형성될 수 있다. 이 경우, 도 8과 같이 볼트(350) 등을 이용하여 격벽(500)을 고정시킬 수 있다.Unlike the above-described example, a groove may be formed in the sidewall of the cleaning chamber 104. A plurality of slits 900 may be provided on a sidewall of the cleaning chamber 104. Optionally, a slit 900 is formed on a sidewall of the cleaning chamber 104 to provide a block 300. Can be formed. In this case, as shown in FIG. 8, the partition wall 500 may be fixed using a bolt 350 or the like.

상술한 예에서는 기판 처리 장치가 위치 조절이 가능한 격벽을 가지는 경우를 설명하였지만, 격벽의 위치는 특정 위치에 고정 설치될 수 있다.In the above-described example, the case where the substrate processing apparatus has a partition wall that can be positioned is described, but the position of the partition wall may be fixedly installed at a specific position.

상술한 예들에서는 세정 챔버에 격벽이 제공되는 경우를 설명하였으나, 에칭 챔버 및 건조 챔버에도 격벽이 제공되어 사용될 수 있다.
In the above-described examples, the case where the partition wall is provided in the cleaning chamber has been described, but the partition wall may be provided and used in the etching chamber and the drying chamber.

Claims (15)

기판 처리 장치에 있어서,
기판이 반입되는 입구 및 상기 기판이 반출되는 출구가 형성되고, 제 1 배출구 및 상기 제 1 배출구보다 상기 출구에 더 인접한 제 2 배출구가 형성된 챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
상기 반송 유닛 상의 기판을 향해 기판을 처리하는 액을 공급하는 액 공급 유닛; 그리고
상기 챔버 내에서 기판 처리 후의 액이 수용되는 공간을 상기 제 1 배출구를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 2 배출구를 포함하는 제 2 영역으로 분할하는 격벽을 가지고,
상기 격벽은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 체적이 변경 가능하도록 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에서 그 위치가 조절 가능하게 제공되고,
상기 챔버에는 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에 상기 제 1 방향으로 복수개가 제공되고 상기 격벽의 가장자리부가 삽입되는 슬릿이 형성되고,
상기 격벽과 상기 슬릿을 형성하는 면 사이 공간을 실링하는 실링부재가 제공되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
A chamber having an inlet into which a substrate is carried in and an outlet through which the substrate is carried out, and a first outlet and a second outlet closer to the outlet than the first outlet;
A transfer unit disposed in the chamber and transferring a substrate along a first direction;
A liquid supply unit for supplying a liquid for processing a substrate toward a substrate on the transfer unit; And
A partition wall dividing a space in which the liquid after substrate treatment is received in the chamber into a first region including the first discharge port and a second region including the second discharge port,
The partition wall is provided to be adjustable in its position between the first outlet and the second outlet so that the volumes of the first and second areas can be changed,
The chamber is provided with a plurality of slits in the first direction between the first discharge port and the second discharge port and into which the edge of the partition wall is inserted,
And a sealing member for sealing a space between the partition wall and a surface forming the slit. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 제 1 배출구와 연결되는 폐액라인 및 상기 제 2 배출구와 연결되는 회수라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a waste liquid line connected to the first discharge port and a recovery line connected to the second discharge port. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 슬릿은 상기 챔버의 바닥 면에 형성되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate processing apparatus comprising the slit formed on the bottom surface of the chamber. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 실링부재는 고무재질을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The sealing member is a substrate processing apparatus comprising a rubber material. 제 8항에 있어서,
상기 실링부재는 상기 격벽과 상기 슬릿 중 어느 하나에 고정설치 되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
And the sealing member is fixedly installed to one of the partition wall and the slit. 제 1항에 있어서,
상기 챔버의 바닥 면은 제 1 부분 및 제 2 부분으로 구분되고, 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분은 상부에서 볼 때 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향을 향해 순차적으로 위치하고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 경사도가 더 크고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 높게 위치되고, 상기 제 1 배출구 및 상기 제 2 배출구는 상기 제 1 부분에 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The bottom surface of the chamber is divided into a first part and a second part, and the first part and the second part are sequentially positioned toward a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above, and the second part A portion has a higher inclination than the first portion, the second portion is positioned higher than the first portion, and the first outlet and the second outlet are formed in the first portion. 제 10항에 있어서,
상기 제 1 부분은 수평면인 것을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
And the first portion is a horizontal plane. 삭제delete 제 10항에 있어서,
상기 반송 유닛은 상기 기판이 상기 제 2 방향을 따라 경사지게 반송하되, 상기 기판을 상기 제 2 부분과 대향되는 영역을 상기 제 1 부분과 대향되는 영역보다 높게 위치시키는 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The transfer unit transports the substrate in an inclined direction along the second direction, and positions the substrate in an area facing the second portion higher than an area facing the first portion. 제 1항의 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
제 1 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 1 위치에 고정시키고, 제 2 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 2 위치에 고정시키되,
상기 제 1 위치는 상기 제 2 위치보다 입구에 더 가깝게 위치하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method of processing the substrate of claim 1,
When processing the first substrate, the partition wall is fixed to the first position, and when processing the second substrate, the partition wall is fixed to the second position,
The first position is located closer to the inlet than the second position. 제 14항에 있어서,
상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 오염도가 큰 기판인 기판 처리 방법.The method of claim 14,
The second substrate is a substrate processing method of a higher degree of contamination than the first substrate.
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