KR101583753B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents
Apparatus and method for processing substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR101583753B1 KR101583753B1 KR1020140065516A KR20140065516A KR101583753B1 KR 101583753 B1 KR101583753 B1 KR 101583753B1 KR 1020140065516 A KR1020140065516 A KR 1020140065516A KR 20140065516 A KR20140065516 A KR 20140065516A KR 101583753 B1 KR101583753 B1 KR 101583753B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- chamber
- nozzles
- nozzle
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
Abstract
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는
챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향으로 반송하는 반송 유닛 및 상기 챔버 내에 배치되며, 기판으로 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되, 상기 분사 부재는 상기 액과 상기 기판이 충돌하는 위치가 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에 경사진 방향에서 형성되도록 제공되는 노즐을 포함한다.
기판 처리 방법은 기판을 제 1 방향을 따라 반송하고, 반송되는 상기 기판에 챔버 상부에 제공된 분사부재를 통해 액을 분사하여 기판을 처리하되, 상기 분사 부재는 상기 액과 상기 기판이 충돌하는 위치가 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에 경사진 방향으로 형성되도록 제공된 노즐을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method. The substrate processing apparatus
And a spraying member disposed in the chamber and spraying a liquid onto the substrate, wherein the position at which the liquid and the substrate collide with each other is located at an upper portion of the chamber, And a nozzle provided so as to be formed in a direction oblique to a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above.
The substrate processing method comprises: transporting a substrate along a first direction; processing the substrate by spraying a liquid through a jetting member provided in an upper portion of the chamber onto the substrate to be transported, wherein the jetting member has a position where the liquid collides with the substrate And a nozzle provided so as to be formed in an inclined direction in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판을 세정하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus for cleaning a substrate.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬 처리 공정, 린스공정 및 건조공정을 포함한다. 케미컬 처리 공정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 것이다. 린스공정은 순수(deionized water)를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 것이다. 건조공정은 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 것이다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metallic contaminants on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of semiconductor devices and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. Cleaning of the substrate generally includes a chemical treatment process, a rinsing process, and a drying process. The chemical treatment process is to remove metallic foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate using a chemical. The rinsing process uses deionized water to remove any residual chemical on the substrate. In the drying process, the substrate is dried using nitrogen gas or the like.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면이고, 도 2는 종래기술에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 측단면도이다. 종래의 기판 처리 장치에 따르면, 기판은 일측이 타측보다 낮게 제공되어 경사진 상태로 반송된다. 노즐은 기판의 반송방향에 따라 복수 개가 제공된다. 각각의 노즐은 그 길이방향이 상부에서 바라볼 때 기판의 반송방향과 수직으로 배치된다. 노즐에서 분사된 액은 기판 상에 수막을 형성한다. 도 2을 참조하면, 수막은 기판의 경사진 방향에서 하측 방향으로 갈수록 두껍게 형성된다. 따라서, 수막이 두껍게 형성된 부분은 노즐에서 토출된 액의 타력이 충분히 전달되지 않아 세정이 어렵다. FIG. 1 is a plan view showing a conventional substrate processing apparatus, and FIG. 2 is a side sectional view showing a conventional substrate processing apparatus. According to the conventional substrate processing apparatus, the substrate is transported in a tilted state, with one side being provided lower than the other. A plurality of nozzles are provided along the transport direction of the substrate. Each of the nozzles is disposed perpendicular to the transport direction of the substrate when viewed from the top in the longitudinal direction. The liquid sprayed from the nozzle forms a water film on the substrate. Referring to FIG. 2, the water film is formed thicker toward the lower side from the inclined direction of the substrate. Therefore, the portion where the water film is thickly formed is not sufficiently transmitted to the liquid discharged from the nozzle, and therefore, cleaning is difficult.
본 발명의 일 기술적 과제는 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and method capable of improving cleaning efficiency.
본 발명의 일 기술적 과제는 경사진 상태로 반송되는 기판에 균일하게 노즐의 타력이 전달되는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and method in which the force of a nozzle is uniformly transferred to a substrate that is transported in a tilted state.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 따라, 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향으로 반송하는 반송 유닛 및 상기 챔버 내에 배치되며, 기판으로 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되, 상기 분사 부재는 상기 액과 상기 기판이 충돌하는 위치가 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에 경사진 방향에서 형성되도록 제공되는 노즐을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, the substrate processing apparatus includes a chamber, a transport unit disposed in the chamber and transported in a first direction, and a jet member disposed in the chamber, for jetting the liquid onto the substrate, And a nozzle provided so as to be formed in a direction oblique to a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above.
일 예에 의하여, 상기 노즐은 복수 개 제공되고, 상기 노즐들은 상기 제 1 방향을 따라 순차적으로 배열된다.According to one example, a plurality of the nozzles are provided, and the nozzles are sequentially arranged along the first direction.
다른 에에 의하여, 상기 반송 유닛은 상기 기판을 수평면에 대해 상기 제 2 방향을 따라 경사진 상태로 반송하도록 제공된다. By another, the transport unit is provided to transport the substrate in a tilted state along the second direction with respect to a horizontal plane.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 따라, 기판 처리 방법은 기판을 제 1 방향을 따라 반송하고, 반송되는 상기 기판에 챔버 상부에 제공된 노즐을 통해 액을 분사하여 기판을 처리하되, 상기 노즐에서 토출되는 상기 액과 상기 기판이 충돌하는 위치가 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에 경사진 방향으로 형성된다.The present invention provides a substrate processing method. According to one embodiment, a substrate processing method comprises: transporting a substrate along a first direction; processing the substrate by spraying a liquid through a nozzle provided in an upper portion of the chamber to the substrate being transported; The position where the substrate collides is formed in an inclined direction in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above.
일 예에 의하여, 상기 노즐을 복수 개 제공하고, 상기 노즐들을 상기 제 1 방향을 따라 순차적으로 배열한다.According to one example, a plurality of the nozzles are provided, and the nozzles are sequentially arranged along the first direction.
다른 예에 의하여, 상기 기판은 수평면에 대해 상기 제 2 방향을 따라 경사진 상태로 반송될 수 있다.According to another example, the substrate can be transported inclined along the second direction with respect to the horizontal plane.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 경사지게 형성된 노즐을 통해 기판의 세정력을 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the detergency of the substrate can be increased through the nozzle formed obliquely.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 경사지게 기판을 이동시켜 기판의 세정력을 높일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the cleaning force of the substrate can be increased by moving the substrate at an inclined angle.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평명도이다.
도 2는 종래기술에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 5 및 도 6는 각각 도 3의 노즐과 기판과의 상대위치를 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plain view showing a conventional substrate processing apparatus.
2 is a side sectional view showing a conventional substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing an example of the transport unit of Fig. 3;
5 and 6 are plan views showing relative positions of the nozzle and the substrate shown in Fig. 3, respectively.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 단면도이다.3 is a sectional view showing a
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 반송 유닛(200) 및 분사 부재(300)를 포함한다. 3, the
공정 챔버(100)는 기판을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버(100)는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)를 포함할 수 있다. 공정 챔버(100)는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)는 제 1 방향을 따라 배열된다. 제 1 방향은 기판(S)의 이동방향으로 정의한다. 에칭 챔버(102)는 기판(S)에 케미컬을 공급하여 식각 공정을 진행한다. 세정 챔버(104)는 에칭 공정이 완료된 기판(S) 상에 순수를 공급하여 케미컬을 제거한다. 건조 챔버(106)는 기판(S) 표면에 잔류하는 케미컬 또는 순수를 건조시킨다. The
공정 챔버(100) 내에는 반송 유닛(200)이 제공될 수 있다. 반송 유닛(200)은 챔버(100)들 간에, 그리고 세정 챔버(104) 내에서 기판(S)을 제 1 방향으로 이동시킨다. A
도 4는 반송 유닛(200)을 보여주는 도면이다. 반송 유닛(200)은 세정 챔버(104) 내부에 배치된다. 반송 유닛(200)은 에칭 챔버(102)와 건조 챔버(104) 내부에도 배치된다. 반송 유닛(200)은 복수의 샤프트들(220), 롤러들(240), 그리고 구동부(260)를 가진다. 복수의 샤프트들(220)은 제1방향(12)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(220)는 그 길이 방향이 제2방향(16)으로 제공된다. 제 2 방향(16)은 세정 챔버(104) 상부에서 볼 때 제 1 방향(14)과 수직하는 방향이다. 샤프트들(220)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(220)은 기판 유입구(110)와 인접한 위치에서부터 기판 유출구(120)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(220)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(240)이 고정 결합된다. 샤프트들(220)은 그 중심축을 기준으로 구동부(260)에 의해 회전된다. 구동부(260)는 풀리들(262), 벨트들(264), 그리고 모터(266)를 가진다. 풀리들(262)은 각각의 샤프트(220)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(220)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(262)은 벨트(264)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(262) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(266)가 결합된다. 상술한, 풀리(262), 벨트(264), 그리고 모터(266)의 조립체에 의해 샤프트들(220)과 롤러들(240)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러에 접촉된 상태로 샤프트들(220)을 따라 직선 이동된다. 본 발명에서는 반송 유닛(200)은 경사 반송 유닛일 수 있다. 반송 유닛(2200)은 기판(S)이 제 2 방향(16)을 따라 경사지게 반송한다. 각각의 샤프트(220)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.
4 is a view showing the
분사 부재(300)는 세정 챔버(104)의 상부에 위치한다. 분사 부재(300)는 기판(S) 상에 액을 공급하는 노즐(310)을 포함한다. 예를 들어, 노즐(310)은 워터 젯 또는 스프레이 등일 수 있다. 액은 순수일 수 있다. 도 5을 참조하면, 노즐(310)은 액과 기판(S)이 충돌하는 위치가 제 2 방향(16)에 경사진 방향으로 형성되도록 제공된다. 각각의 노즐(310)에는 그 길이방향에 따라 액을 토출하는 복수의 토출구가 형성된다. 노즐(310)은 그 길이방향 상부에서 바라볼 때 제 2 방(16)에 경사진 방향으로 제공된다. 노즐(310)은 복수 개가 제공된다. 노즐(310)들은 제 1 방향(12)을 따라 서로 일정한 간격으로 제공된다. 각각의 노즐(310)을 사선으로 배치함으로써 토출구로부터 기판(S)에 분사되는 액이 제 2 방향(16)으로 겹치지 않게 분사된다. 분사된 액이 기판(S) 상의 제 2 방향(16)을 따라 흐른다. 제 2 방향(16)으로 흐르는 기판(S)의 경사진 방향의 하면으로 흐르게 된다. 따라서, 기판(S) 상에 수막의 두께가 일정하게 유지될 수 있다. 노즐(310)의 토출구에서 토출된 액은 기판(S)과 충돌하는 힘이 균일하게 된다. 이에 의해, 기판 세정력이 향상되어 액 사용량을 최소화 할 수 있다. The
선택적으로, 도 6의 경우, 노즐(1310)의 하단 부분을 제 1 방향(12)의 상류에 위치시키고, 노즐(1310)의 상단 부분을 제 1 방향(12)의 하류에 위치시킬 수 있다. 6, the lower end portion of the
노즐(1310)의 배치를 도 5와 달리하여도 동일한 효과를 낼 수 있다.
The same effect can be obtained even when the arrangement of the
상술한 예들에서는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 예를 들어, 에칭 공정에도 적용될 수 있고, 액은 케미컬이 제공될 수 있다. 예를 들어, 건조 공정에도 적용될 수 있고, 액은 건조 가스가 제공될 수 있다.
In the above-described examples, the cleaning process for the substrate has been described. However, the number of process chambers and the type of process may differ. For example, it may be applied to an etching process, and the liquid may be provided with a chemical. For example, it may be applied to a drying process, and the liquid may be provided with a drying gas.
Claims (6)
챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향으로 반송하는 반송 유닛; 및
상기 챔버 내에 배치되며, 기판으로 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되,
상기 분사 부재는 상기 액과 상기 기판이 충돌하는 위치가 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에 경사진 방향에서 형성되도록 제공되는 노즐을 포함하고,
상기 반송 유닛은 상기 기판을 수평면에 대해 상기 제2 방향을 따라 경사진 상태로 반송하며,
상기 노즐은 복수 개 제공되고, 상기 노즐들은 상기 제1 방향을 따라 일정한 간격을 두고 사선으로 배치되어, 상기 복수의 노즐로부터 기판에 분사되는 액이 상기 제2 방향으로 서로 겹치지 않게 분사되는 기판 처리 장치.
In the substrate processing apparatus,
chamber;
A conveying unit disposed in the chamber and conveying in a first direction; And
And a jetting member disposed in the chamber for jetting liquid onto the substrate,
Wherein the jetting member includes a nozzle provided so as to be formed in a direction oblique to a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above the position where the liquid collides with the substrate,
The transport unit transports the substrate in a tilted state along the second direction with respect to a horizontal plane,
Wherein a plurality of the nozzles are provided and the nozzles are arranged diagonally at regular intervals along the first direction so that liquid sprayed onto the substrate from the plurality of nozzles is sprayed so as not to overlap with each other in the second direction, .
상기 액과 상기 기판이 충돌하는 위치가 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에 경사진 방향으로 형성되도록 액을 분사하고,
상기 기판은 수평면에 대해 상기 제2 방향을 따라 경사진 상태로 반송되며,
상기 노즐은 복수 개 제공되고, 상기 노즐들은 상기 제1 방향을 따라 일정한 간격을 두고 사선으로 배치되어, 상기 복수의 노즐로부터 기판에 분사되는 액이 상기 제2 방향으로 서로 겹치지 않게 분사되는 기판 처리 방법.
A substrate is transported along a first direction, and a substrate is processed by jetting a liquid onto a substrate to be transported by a nozzle,
The liquid is sprayed so that a position where the liquid collides with the substrate is formed in a direction oblique to a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above,
The substrate is transported in an inclined state along the second direction with respect to the horizontal plane,
Wherein a plurality of the nozzles are provided and the nozzles are obliquely arranged at regular intervals along the first direction so that liquid sprayed onto the substrate from the plurality of nozzles is sprayed so as not to overlap with each other in the second direction .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140065516A KR101583753B1 (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Apparatus and method for processing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140065516A KR101583753B1 (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Apparatus and method for processing substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150137521A KR20150137521A (en) | 2015-12-09 |
KR101583753B1 true KR101583753B1 (en) | 2016-01-08 |
Family
ID=54873442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140065516A KR101583753B1 (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Apparatus and method for processing substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101583753B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007117994A (en) | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Hitachi High-Technologies Corp | Apparatus and method of cleaning substrate, and method of manufacturing substrate |
JP2013078701A (en) | 2010-02-12 | 2013-05-02 | Sharp Corp | Substrate processing apparatus |
-
2014
- 2014-05-30 KR KR1020140065516A patent/KR101583753B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007117994A (en) | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Hitachi High-Technologies Corp | Apparatus and method of cleaning substrate, and method of manufacturing substrate |
JP2013078701A (en) | 2010-02-12 | 2013-05-02 | Sharp Corp | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150137521A (en) | 2015-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015192141A (en) | Substrate drying apparatus and substrate drying method | |
KR20080090070A (en) | Air knife and apparatus drying substrates having the same | |
TWI443734B (en) | Substrate processing device | |
KR100691473B1 (en) | Air knife module for drying substrate and drying device using thereof | |
KR101583753B1 (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
JP2017154111A (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
JP3622842B2 (en) | Transport type substrate processing equipment | |
JP3881169B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR102223760B1 (en) | Unit for suppying fluid and substrate processing apparatus using the same | |
JP2007317802A (en) | Apparatus and method of dry-processing substrate | |
KR102134439B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR20120015068A (en) | An air knife apparatus for drying a substrate | |
JP2004203668A (en) | Acid treatment equipment for plate | |
KR20160005852A (en) | Apparatus for processing substrate | |
KR102115173B1 (en) | Apparatus for Processing Substrate | |
KR102239520B1 (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
KR102367953B1 (en) | Distribution unit and apparatus for cleaning substrate having distribution unit | |
KR101583750B1 (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
KR101605714B1 (en) | Transfer Unit and Apparatus for treating substrate with the unit | |
WO2017002538A1 (en) | Jet machining device and surface machining method for object to be processed | |
KR102250366B1 (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
KR102278080B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20160138652A (en) | Air knife module for drying substrate and Device for drying substrate comprising the same | |
CN108620371B (en) | Substrate cleaning method and cleaning equipment | |
KR20150001569A (en) | Substrate treating apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191226 Year of fee payment: 5 |