KR102239520B1 - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

Apparatus and method for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102239520B1
KR102239520B1 KR1020140065587A KR20140065587A KR102239520B1 KR 102239520 B1 KR102239520 B1 KR 102239520B1 KR 1020140065587 A KR1020140065587 A KR 1020140065587A KR 20140065587 A KR20140065587 A KR 20140065587A KR 102239520 B1 KR102239520 B1 KR 102239520B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
substrate
chamber
pressure
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020140065587A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150137548A (en
Inventor
김병재
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140065587A priority Critical patent/KR102239520B1/en
Publication of KR20150137548A publication Critical patent/KR20150137548A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102239520B1 publication Critical patent/KR102239520B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 아래에 배치되며 상부를 향해 액을 공급하는 하부 분사 부재 및 상기 하부 분사 부재의 분사압을 조절하는 제어기를 포함한다.
또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하여, 챔버 내에 제공된 반송 유닛에 의해 기판을 반송하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판 세정시 노즐로부터 제 1 압력으로 액을 분사하여 기판을 세정하고,
챔버 세정시 노즐로부터 제 2 압력으로 액을 분사하여 챔버를 세정한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a chamber, a transfer unit disposed in the chamber and transferring a substrate along a first direction, and supplying a liquid toward the upper side while being disposed below the transfer unit in the chamber. And a controller for controlling the injection pressure of the lower injection member and the lower injection member.
In addition, the present invention provides a substrate processing method. According to an embodiment, in a substrate processing method for processing a substrate by conveying a substrate by a conveying unit provided in a chamber, the substrate is cleaned by spraying a liquid at a first pressure from a nozzle during substrate cleaning,
When cleaning the chamber, the chamber is cleaned by spraying a liquid at a second pressure from the nozzle.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and method for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for cleaning a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 평판 표시 패널의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 평판 표시 패널를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬 처리 공정, 린스공정 및 건조공정을 포함한다. 케미컬 처리 공정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 것이다. 린스공정은 순수(deionized water)를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 것이다. 건조공정은 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 것이다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on the characteristics and production yield of the flat panel display panel. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in a semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning a substrate is performed in a step before and after each unit process for manufacturing a flat panel display panel. In general, the cleaning of the substrate includes a chemical treatment process, a rinsing process, and a drying process. The chemical treatment process is to remove foreign metallic substances, organic substances, particles, etc. remaining on the substrate by using chemicals. In the rinsing process, deionized water is used to remove chemicals remaining on the substrate. The drying process is to dry the substrate using nitrogen gas or the like.

세정 공정시 챔버 상부에 액맺힘이 발생하는 문제점이 있다. 액맺힘에 의해 공정 불량이 발생하고, 챔버 내에 박테리아가 발생할 수 있다. 또한, 챔버 상부에 맺힌 액이 세정 공정 중 기판에 떨어져 얼룩이 발생하는 문제가 있다. There is a problem in that liquid condensation occurs on the upper part of the chamber during the cleaning process. Process defects may occur due to condensation of liquid, and bacteria may form in the chamber. In addition, there is a problem that the liquid formed on the upper part of the chamber falls on the substrate during the cleaning process, causing stains.

챔버 세정을 위해 챔버 세정 노즐을 제공한다. 챔버를 세정하기 위한 별도의 노즐이 필요하므로 장비 구조가 복잡해지고, 장비 구조에서 많은 액들이 소모된다. 또한, 챔버 세정을 위해 다량의 세정액이 사용되는 문제점이 있다.A chamber cleaning nozzle is provided for cleaning the chamber. Since a separate nozzle for cleaning the chamber is required, the equipment structure becomes complicated, and a lot of liquid is consumed in the equipment structure. In addition, there is a problem in that a large amount of cleaning liquid is used for cleaning the chamber.

본 발명의 일 기술적 과제는 효율적으로 챔버 세정이 수행될 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of efficiently performing chamber cleaning.

본 발명의 일 기술적 과제는 장비구조가 간단한 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method having a simple equipment structure.

본 발명의 일 기술적 과제는 세정액의 소모를 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of reducing the consumption of a cleaning liquid.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 아래에 배치되며 상부를 향해 액을 공급하는 하부 분사 부재 및 상기 하부 분사 부재의 분사압을 조절하는 제어기를 포함한다. The present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a chamber, a transfer unit disposed in the chamber and transferring a substrate along a first direction, and supplying a liquid toward the upper side while being disposed below the transfer unit in the chamber. And a controller for controlling the injection pressure of the lower injection member and the lower injection member.

일 예에 의하여, 상기 제어기는, 상기 기판 처리시 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 세정시 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하는 것을 포함한다.By way of example, the controller may include controlling the lower injection member to inject the liquid at a first pressure during processing of the substrate and to inject the liquid at a second pressure when cleaning the chamber.

일 예에 의하여, 상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것을 특징으로 한다.By way of example, the second pressure may be greater than the first pressure.

일 예에 의하여, 상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 위에 배치되며 하부를 향해 액을 공급하는 상부 분사 부재를 더 포함할 수 있다.By way of example, it may further include an upper injection member disposed above the transfer unit in the chamber and supplying a liquid toward a lower portion.

일 예에 의하여, 기판 처리시 사용된 액을 회수하고, 회수된 상기 액을 상기 챔버 세정시 상기 하부 분사 부재로 공급하는 액 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.According to an example, a liquid supply unit may further include a liquid supply unit that recovers a liquid used for processing a substrate and supplies the recovered liquid to the lower spray member when cleaning the chamber.

일 예에 의하여, 상기 액 공급 유닛은, 공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관 및 상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함한다.By way of example, the liquid supply unit is branched at a first supply pipe connecting the supply tank and the lower injection member and a third point downstream of the second point of the first supply pipe, and the first supply pipe It includes a bypass pipe connected at a fourth point downstream of the third point.

다른 예에 의하여, 상기 액 공급 유닛은, 공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관, 회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관 및 상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함한다.According to another example, the liquid supply unit includes a first supply pipe connecting a supply tank and the lower injection member, a recovery liquid pipe connecting a recovery tank and a second point downstream of the first point of the first supply pipe, and And a bypass pipe branched at a third point downstream of the second point of the first supply pipe and connected at a fourth point downstream of the third point of the first supply pipe.

다른 예에 의하여, 상기 액 공급 유닛은, 공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관 및 회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관을 포함하되, 상기 제 2 지점과 상기 하부 분사 부재 사이에 인버터 펌프가 설치된다.According to another example, the liquid supply unit includes a first supply pipe connecting the supply tank and the lower injection member, and a recovery liquid pipe connecting the recovery tank and a second point downstream of the first point of the first supply pipe. Including, but an inverter pump is installed between the second point and the lower injection member.

일 예에 의하여, 상기 제어기는, 상기 챔버 내에 기판이 있는 경우 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 기판이 없는 경우 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하는 것을 포함한다.By way of example, the controller may control the lower spray member to spray the liquid at a first pressure when there is a substrate in the chamber and spray the liquid at a second pressure when there is no substrate in the chamber. Includes.

일 예에 의하여, 상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것이 특징이다.According to an example, the second pressure is greater than the first pressure.

일 예에 의하여, 상기 제어기는 상기 챔버 내에 제 1 기판이 있는 경우 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 제 2 기판이 있는 경우 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하되,상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 상대적으로 오염도가 큰 것이 특징이다.By way of example, the controller sprays the liquid at a first pressure when there is a first substrate in the chamber, and configures the lower injection member to spray the liquid at a second pressure when a second substrate is present in the chamber. However, the second substrate is characterized in that the degree of contamination is relatively higher than that of the first substrate.

또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하여, 챔버 내에 제공된 반송 유닛에 의해 기판을 반송하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판 세정시 노즐로부터 제 1 압력으로 액을 분사하여 기판을 세정하고,In addition, the present invention provides a substrate processing method. According to an embodiment, in a substrate processing method for processing a substrate by conveying a substrate by a conveying unit provided in a chamber, the substrate is cleaned by spraying a liquid at a first pressure from a nozzle during substrate cleaning,

챔버 세정시 노즐로부터 제 2 압력으로 액을 분사하여 챔버를 세정한다.When cleaning the chamber, the chamber is cleaned by spraying a liquid at a second pressure from the nozzle.

일 예에 의하여, 상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것이 특징이다.According to an example, the second pressure is greater than the first pressure.

일 예에 의하여, 상기 기판 세정시, 공급탱크에 저장된 미사용된 액으로 상기 기판을 세정하고, 상기 챔버 세정시, 상기 기판 세정 후 회수한 액으로 상기 챔버를 세정한다.By way of example, when the substrate is cleaned, the substrate is cleaned with an unused liquid stored in a supply tank, and when the chamber is cleaned, the chamber is cleaned with a liquid recovered after cleaning the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 하부 분사 부재를 이용하여 챔버를 세정함으로써 챔버 상부의 액맺힘 현상을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, liquid condensation on the upper part of the chamber may be prevented by cleaning the chamber using the lower injection member.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 챔버 세정 노즐을 따로 제공하지 않아도 하나의 노즐을 통해 기판 또는 챔버를 세정할 수 있고, 높은 압력으로 기판 하부를 세정하여 세정력을 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate or a chamber may be cleaned through a single nozzle without a separate chamber cleaning nozzle, and a lower portion of the substrate may be cleaned at a high pressure to increase cleaning power.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판을 세정한 액을 재사용하여 챔버를 세정함으로써 액 사용량을 줄일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the amount of liquid used may be reduced by reusing the liquid from which the substrate was cleaned to clean the chamber.

도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 사용 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 사용 예를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the conveying unit of FIG.
3 is a cross-sectional view showing a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing an example of use of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view showing a liquid supply unit according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing another example of use of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to embodiments described later in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only this embodiment allows the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same constituent elements throughout the entire specification.

도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a transfer unit of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 세정 챔버(104), 반송 유닛(200), 제 1 분사 부재(300) 및 제 2 분사 부재(400)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a cleaning chamber 104, a transfer unit 200, a first spray member 300, and a second spray member 400.

공정 챔버(100)는 기판(S)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버(100)는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)를 포함할 수 있다. 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)는 제 1 방향(12)을 따라 순차적으로 배열된다. 제 1 방향(12)은 기판(S)의 이동방향으로 정의한다. 에칭 챔버(102)는 기판(S)에 케미컬을 공급하여 식각 공정을 진행한다. 세정 챔버(104)는 에칭 공정이 완료된 기판(S) 상에 순수를 공급하여 케미컬을 제거한다. 건조 챔버(106)는 기판(S0에 건조 가스를 분사하여 기판(S) 표면에 잔류하는 케미컬 또는 순수를 건조시킨다. The process chamber 100 provides a space for processing the substrate S. As an example, the process chamber 100 may include an etching chamber 102, a cleaning chamber 104, and a drying chamber 106. The etching chamber 102, the cleaning chamber 104 and the drying chamber 106 are sequentially arranged along the first direction 12. The first direction 12 is defined as the moving direction of the substrate S. The etching chamber 102 performs an etching process by supplying a chemical to the substrate S. The cleaning chamber 104 removes chemicals by supplying pure water on the substrate S on which the etching process has been completed. The drying chamber 106 injects a drying gas onto the substrate SO to dry the chemical or pure water remaining on the surface of the substrate S.

세정 챔버(104)에는 기판 유입구(110) 및 기판 유출구(120)가 제공된다. 세정 챔버(104)의 하면에는 배출구(500)가 제공된다. 세정시 사용된 액은 배출구(500)를 통해 배출된다. The cleaning chamber 104 is provided with a substrate inlet 110 and a substrate outlet 120. An outlet 500 is provided on the lower surface of the cleaning chamber 104. The liquid used for cleaning is discharged through the discharge port 500.

세정 챔버(104) 내에는 반송 유닛(200)이 제공될 수 있다. 반송 유닛(200)은 에칭 챔버(102)와 건조 챔버(104) 내부에도 배치된다. 반송 유닛(200)은 에칭 챔버 (102), 세정 챔버(104) 또는 건조 챔버(106) 간에, 그리고 각각의 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106) 내에서 기판(S)을 제 1 방향(12)으로 이동시킨다. 도 2를 참조하면, 반송 유닛(200)은 복수의 샤프트들 (220), 롤러들(240), 그리고 구동부(260)를 가진다. 복수의 샤프트들(220)은 제1방향(12)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(220)는 그 길이 방향이 제2방향(14)으로 제공된다. 제 2 방향(14)은 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)에 수직인 방향이다. 샤프트들(220)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(220)은 기판 유입구(110)와 인접한 위치에서부터 기판 유출구(120)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(220)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(240)이 고정 결합된다. 샤프트들(220)은 그 중심축을 기준으로 구동부(260)에 의해 회전된다. 구동부(260)는 풀리들(262), 벨트들(264), 그리고 모터(266)를 가진다. 풀리들(262)은 각각의 샤프트(220)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(220)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(262)은 벨트(264)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(262) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(266)가 결합된다. 상술한, 풀리(262), 벨트(264), 그리고 모터(266)의 조립체에 의해 샤프트들(220)과 롤러들(240)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러에 접촉된 상태로 샤프트들(220)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(220)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. 선택적으로 각각의 샤프트(220)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.A transfer unit 200 may be provided in the cleaning chamber 104. The transfer unit 200 is also disposed inside the etching chamber 102 and the drying chamber 104. The transfer unit 200 is a substrate (S) between the etching chamber 102, the cleaning chamber 104 or the drying chamber 106, and within the respective etching chamber 102, the cleaning chamber 104, and the drying chamber 106. ) Moves in the first direction 12. Referring to FIG. 2, the conveying unit 200 includes a plurality of shafts 220, rollers 240, and a driving unit 260. The plurality of shafts 220 are arranged along the first direction 12. Each shaft 220 is provided in the second direction 14 in its longitudinal direction. The second direction 14 is a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above. The shafts 220 are arranged parallel to each other. The shafts 220 are provided from a position adjacent to the substrate inlet 110 to a position adjacent to the substrate outlet 120. Each shaft 220 is fixedly coupled to a plurality of rollers 240 along its longitudinal direction. The shafts 220 are rotated by the driving unit 260 based on their central axis. The driving unit 260 has pulleys 262, belts 264, and a motor 266. Pulleys 262 are coupled to both ends of each shaft 220, respectively. The pulleys 262 coupled to different shafts 220 and disposed adjacent to each other are connected to each other by a belt 264. One of the pulleys 262 is coupled to a motor 266 that rotates it. As described above, the shafts 220 and the rollers 240 are rotated by the assembly of the pulley 262, the belt 264, and the motor 266, and the bottom surface of the substrate S is in contact with the roller. It moves linearly along the furnace shafts 220. Each shaft 220 is disposed horizontally so that the substrate S may be transferred in a horizontal state. Optionally, one end and the other end of each shaft 220 are provided at different heights, so that the substrate S may be transferred in an inclined state.

상부 분사 부재(300)는 세정 챔버(102) 내에 위치한다. 상부 분사 부재(300)은 반송 유닛(200) 위에 배치된다. 상부 분사 부재(300)는 복수개의 노즐(310)을 포함한다. 노즐(310)은 그 길이방향이 제 1 방향(12)으로 일정하게 배치될 수 있다. 노즐(310)은 세정 챔버(104) 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)에 수직인 제 2 방향(14)으로 연장되게 형성된다. 노즐(310)은 하부를 향해 제 1 압력으로 액을 분사한다. 예를 들어, 노즐(310)은 스프레이 방식, 액류 방식 또는 워터 젯(Water jet) 방식 등을 포함한다. 예를 들어, 공급되는 액은 순수일 수 있다. 액을 공급함으로써, 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬 등을 제거할 수 있다. 상술한 예와 달리, 노즐(310)은 제 1 방향(12)으로 연장되게 형성될 수도 있다.The upper injection member 300 is located in the cleaning chamber 102. The upper injection member 300 is disposed on the conveying unit 200. The upper injection member 300 includes a plurality of nozzles 310. The nozzle 310 may be uniformly disposed in the first direction 12 in its longitudinal direction. The nozzle 310 is formed to extend in a second direction 14 perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top of the cleaning chamber 104. The nozzle 310 injects liquid at a first pressure toward the lower side. For example, the nozzle 310 includes a spray method, a liquid flow method, or a water jet method. For example, the liquid supplied may be pure water. By supplying the liquid, chemicals and the like remaining on the substrate S can be removed. Unlike the above-described example, the nozzle 310 may be formed to extend in the first direction 12.

하부 분사 부재(400)는 세정 챔버(104) 내에 위치한다. 하부 분사 부재(400)는 반송 유닛(200) 아래에 배치된다. 하부 분사 부재(400)는 복수개의 노즐(410)을 포함한다. 노즐(410)은 그 길이방향이 제 1 방향(12)으로 일정하게 배치될 수 있다. 노즐(410)은 세정 챔버(104) 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)에 수직인 제 2 방향(14)으로 연장되게 형성된다. 예를 들어, 노즐(410)은 스프레이 방식, 액류 방식 또는 워터 젯(Water jet) 방식 등을 포함한다. 노즐(410)은 상부를 향해 제 1 압력 또는 제 2 압력으로 액을 분사한다. 제 2 압력은 제 1 압력보다 클 수 있다. 노즐(410)은 기판(S)의 하면 및 세정 챔버(104)의 상부를 세정할 수 있다. 세정 챔버(104) 상부를 세정함으로써, 세정 챔버(S) 상부의 액맺힘 현상을 방지한다. 또한, 공정 진행 중 기판(S)에 액이 떨어지는 것을 방지한다. 예를 들어, 액은 케미컬일 수 있다. 상술한 예와 달리, 노즐(410)은 제 1 방향(12)으로 연장되게 형성될 수도 있다.
The lower injection member 400 is located in the cleaning chamber 104. The lower injection member 400 is disposed under the conveying unit 200. The lower injection member 400 includes a plurality of nozzles 410. The nozzle 410 may be uniformly disposed in the first direction 12 in its longitudinal direction. The nozzle 410 is formed to extend in a second direction 14 perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top of the cleaning chamber 104. For example, the nozzle 410 includes a spray method, a liquid flow method, or a water jet method. The nozzle 410 injects a liquid at a first pressure or a second pressure toward the top. The second pressure may be greater than the first pressure. The nozzle 410 may clean the lower surface of the substrate S and the upper part of the cleaning chamber 104. By cleaning the upper part of the cleaning chamber 104, liquid condensation on the upper part of the cleaning chamber S is prevented. In addition, it prevents liquid from falling onto the substrate S during the process. For example, the liquid can be a chemical. Unlike the above-described example, the nozzle 410 may be formed to extend in the first direction 12.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.

도 3를 참조하면, 액 공급 유닛 및 제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절한다. 액 공급 유닛은 제 1 공급배관(1720), 제 2 공급배관(1740), 회수액 배관(1760), 바이패스 배관(1780), 회수탱크(1620), 공급 탱크(1640) 및 회수라인(1550)을 포함한다. 제 1 공급배관(1720)은 공급 탱크(1640)와 하부 분사 부재(1400)를 연결한다. 제 2 공급배관(1740)은 제 1 공급배관(1720)의 제 1 지점(P1)과 상부 분사 부재(1300)를 연결한다. 회수액 배관(1760)은 회수탱크(1620)와 제 1 공급배관(1720)의 제 1 지점(P1)보다 하류인 제 2 지점(P2)를 연결한다. 바이패스 배관(1780)은 제 1 공급배관(1720)의 제 2 지점(P2)보다 하류인 제 3 지점(P3)에서 분기되고, 제 1 공급배관(1720)의 제 3 지점(P3)보다 하류인 제 4 지점(P4)에서 다시 연결된다. 제 1 공급배관(1720), 제 2 공급배관(1740), 회수액 배관(1760) 및 바이패스 배관(1780)에는 각각 밸브(1725,1745,1765,1785)가 설치된다. 바이패스 배관(1780)의 직경은 제 1 공급배관(1720)보다 작다. 따라서, 바이패스 배관(1780)을 통해 공급되는 액은 제 2 압력으로 분사되고, 제 1 공급배관(1720)을 통해 공급되는 액은 제 1 압력으로 분사된다. Referring to FIG. 3, the liquid supply unit and the controller 1800 adjust the injection pressure of the lower injection member 1400. The liquid supply unit includes a first supply pipe 1720, a second supply pipe 1740, a recovery liquid pipe 1760, a bypass pipe 1780, a recovery tank 1620, a supply tank 1640, and a recovery line 1550. Includes. The first supply pipe 1720 connects the supply tank 1640 and the lower injection member 1400. The second supply pipe 1740 connects the first point P1 of the first supply pipe 1720 to the upper injection member 1300. The recovery liquid pipe 1760 connects the recovery tank 1620 and a second point P2 downstream of the first point P1 of the first supply pipe 1720. The bypass pipe 1780 is branched at a third point P3, which is downstream from the second point P2 of the first supply pipe 1720, and is downstream from the third point P3 of the first supply pipe 1720. It is connected again at the fourth point P4. Valves 1725, 1745, 1765, and 1785 are installed in the first supply pipe 1720, the second supply pipe 1740, the recovery liquid pipe 1760, and the bypass pipe 1780, respectively. The diameter of the bypass pipe 1780 is smaller than that of the first supply pipe 1720. Accordingly, the liquid supplied through the bypass pipe 1780 is injected at the second pressure, and the liquid supplied through the first supply pipe 1720 is injected at the first pressure.

제 1 공급배관(1720)은 공급탱크(1640)에 있는 미사용된 액을 공급한다. 제 1 공급배관(1720)을 통해 흐르는 미사용된 액은 상부 분사 부재(1300) 및 하부 분사 부재(1400)로 공급된다. 회수된 액을 사용하여 기판(S) 및 세정 챔버(1100)를 세정하는 경우, 제 1 공급배관의 밸브(1725)는 닫는다. 제 2 공급배관(1740)은 상부 분사 부재(1300)에 액을 공급한다. 공급되는 액은 세정 후 회수된 액 또는 미사용된 액일 수 있다. 제 2 공급배관(1740)은 액을 제 1 압력으로 공급한다. 회수액 배관(1760)은 세정 후 회수된 액을 하부 분사 부재(1400)에 공급한다. 회수액 배관(1760)은 제 1 압력으로 액을 공급한다. 제 1 공급 배관(1720)의 제 3 지점(P2)에서 바이패스 배관(1780)이 분기된다. 바이패스 배관(1780)은 액을 제 2 압력으로 공급한다. 바이패스 배관(1780)의 개폐를 통해 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절할 수 있다. 세정 챔버(1100) 하면에는 배출구(1500)가 제공된다. 회수라인(1550)은 배출구(1500)와 회수탱크(1620)를 연결한다. 배출구(1500)로 흐르는 액은 회수탱크(1620)로 회수된다. 회수탱크(1620)에 회수된 액은 상부 분사 부재(1300) 및 하부 분사 부재(1400)에 공급되어 재사용할 수 있다. 공급탱크(1640)에는 미사용된 액이 저장될 수 있다. The first supply pipe 1720 supplies the unused liquid in the supply tank 1640. The unused liquid flowing through the first supply pipe 1720 is supplied to the upper injection member 1300 and the lower injection member 1400. When the substrate S and the cleaning chamber 1100 are cleaned using the recovered liquid, the valve 1725 of the first supply pipe is closed. The second supply pipe 1740 supplies liquid to the upper injection member 1300. The supplied liquid may be a liquid recovered after washing or an unused liquid. The second supply pipe 1740 supplies the liquid at a first pressure. The recovery liquid pipe 1760 supplies the liquid recovered after cleaning to the lower injection member 1400. The recovery liquid pipe 1760 supplies liquid at a first pressure. The bypass pipe 1780 branches at a third point P2 of the first supply pipe 1720. The bypass pipe 1780 supplies the liquid at a second pressure. The injection pressure of the lower injection member 1400 may be adjusted through opening and closing of the bypass pipe 1780. An outlet 1500 is provided on the lower surface of the cleaning chamber 1100. The recovery line 1550 connects the discharge port 1500 and the recovery tank 1620. The liquid flowing through the discharge port 1500 is recovered to a recovery tank 1620. The liquid recovered in the recovery tank 1620 may be supplied to the upper injection member 1300 and the lower injection member 1400 to be reused. Unused liquid may be stored in the supply tank 1640.

제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절한다. 제어기(1800)는 세정 용도에 따라 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 결정할 수 있다. 도 4를 참조하면, 세정 챔버(2100) 세정시에 제어기(2800)는 하부 분사 부재(2400)가 제 2 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 회수액 배관(2760)은 닫고 바이패스 배관(2780)을 개방한다. 제 1 공급배관(2720)은 닫고, 회수된 액을 하부 분사 부재(2400)에 공급한다. 하부 분사 부재(2400)는 세정 챔버(2100)의 상부를 세정할 수 있다. 세정 챔버(2100) 상부까지 세정하기 위해 기판(S)을 세정할 때보다 상대적으로 높은 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 세정 챔버(2100) 상부를 세정함으로써, 세정 챔버(S) 상부의 액맺힘 현상을 방지한다. 또한, 공정 진행 중 기판(S)에 액이 떨어지는 것을 방지한다. 예를 들어, 액은 케미컬 일수 있다.The controller 1800 adjusts the injection pressure of the lower injection member 1400. The controller 1800 may determine the injection pressure of the lower injection member 1400 according to the cleaning purpose. Referring to FIG. 4, when cleaning the cleaning chamber 2100, the controller 2800 controls the lower injection member 2400 to inject a liquid at a second pressure. The recovery liquid piping 2760 is closed and the bypass piping 2780 is opened. The first supply pipe 2720 is closed, and the recovered liquid is supplied to the lower injection member 2400. The lower injection member 2400 may clean the upper part of the cleaning chamber 2100. In order to clean the upper part of the cleaning chamber 2100, the liquid is sprayed at a relatively higher pressure than when the substrate S is cleaned. By cleaning the upper part of the cleaning chamber 2100, liquid condensation on the upper part of the cleaning chamber S is prevented. In addition, it prevents liquid from falling onto the substrate S during the process. For example, the liquid can be a chemical.

다른 실시 예에 따르면, 제어기(1800)는 기판(S)의 오염도에 따라 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 결정할 수 있다. 세정 챔버(1100) 내로 상대적으로 오염도가 적은 제 1 기판(S1)이 반송될 수 있다. 제 1 기판(S1) 세정시에 제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)가 제 1 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 회수액 배관(1760)은 개방하고 바이패스 배관(1780)은 닫는다. 상부 분사 부재(1300)와 하부 분사 부재(1400)는 같은 압력으로 액을 분사하여 제 1 기판(S1)을 세정한다. According to another embodiment, the controller 1800 may determine the injection pressure of the lower injection member 1400 according to the contamination level of the substrate S. The first substrate S1 having a relatively low contamination degree may be transported into the cleaning chamber 1100. When cleaning the first substrate S1, the controller 1800 controls the lower spray member 1400 to spray the liquid at the first pressure. The recovery liquid pipe 1760 is opened and the bypass pipe 1780 is closed. The upper spray member 1300 and the lower spray member 1400 spray the liquid at the same pressure to clean the first substrate S1.

다른 실시 예에 따르면, 세정 챔버(1100) 내로 상대적으로 오염도가 큰 제 2 기판(S2)이 반송될 수 있다. 제 2 기판(S2) 세정시에 제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)가 제 2 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 회수액 배관(1760)은 닫고 바이패스 배관(1780)은 개방한다. 하부 분사 부재(1400)는 높은 압력으로 기판(S)의 하면을 세정한다. 상부 분사 부재(1300)는 제 2 기판(S2)의 상면을 향해 제 1 압력으로 액을 분사한다. According to another embodiment, the second substrate S2 having a relatively high degree of contamination may be transported into the cleaning chamber 1100. When cleaning the second substrate S2, the controller 1800 controls the lower spray member 1400 to spray the liquid at the second pressure. The recovery liquid pipe 1760 is closed and the bypass pipe 1780 is opened. The lower spray member 1400 cleans the lower surface of the substrate S with a high pressure. The upper spray member 1300 sprays the liquid at a first pressure toward the upper surface of the second substrate S2.

다른 실시 예에 따르면, 제어기(1800)는 기판(S)의 유무에 따라 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절한다. 세정 챔버(1100) 내에 기판(S)이 있는 경우, 제어기(1800)는 제 1 압력으로 액을 분사하도록 하부 분사 부재(1400)를 제어한다. 회수액 배관(1760)은 개방하고 바이패스 배관(1780)은 닫는다. 분사된 액은 기판(S)의 하면을 세정한다. 세정 챔버(1100) 내에 기판(S)이 없는 경우, 제어기(1800)는 제 2 압력으로 액을 분사하도록 하부 분사 부재(1400)를 제어한다. 분사된 액은 세정 챔부(1100) 상부를 세정한다. 세정 챔버(S) 상부를 세정함으로써, 세정 챔버(1100) 상부의 액맺힘 현상을 방지하고, 공정 진행 중 기판(S)에 액이 떨어지는 것을 방지한다.
According to another embodiment, the controller 1800 adjusts the injection pressure of the lower injection member 1400 according to the presence or absence of the substrate S. When there is a substrate S in the cleaning chamber 1100, the controller 1800 controls the lower spray member 1400 to spray the liquid at the first pressure. The recovery liquid pipe 1760 is opened and the bypass pipe 1780 is closed. The sprayed liquid cleans the lower surface of the substrate S. When there is no substrate S in the cleaning chamber 1100, the controller 1800 controls the lower spray member 1400 to spray the liquid at the second pressure. The sprayed liquid cleans the upper part of the cleaning chamber 1100. By cleaning the upper part of the cleaning chamber S, liquid condensation on the upper part of the cleaning chamber 1100 is prevented, and the liquid is prevented from dripping onto the substrate S during the process.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a liquid supply unit according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 액 공급 유닛 및 제어기(3800)은 하부 분사 부재(3400)의 분사압을 조절한다. 액 공급 유닛은 제 1 공급배관(3720), 제 2 공급배관(3740), 회수액 배관(3760), 회수탱크(3620), 공급탱크(3640) 및 회수라인(3550)을 포함한다. 제 1 공급배관(3720)은 공급탱크(3640)와 하부 분사 부재(3400)를 연결한다. 제 2 공급배관(3740)은 제 1 공급배관(3720)의 제 1 지점(P1)과 상부 분사 부재(3300)를 연결한다. 회수액 배관(3760)은 제 1 공급배관(3720)의 제 1 지점(P1)보다 하류인 제 2 지점(P2)와 회수탱크(3620)를 연결한다. 제 1 공급배관(3720)의 제 2 지점(P2)과 하부 분사 부재(3400) 사이에 인버터 펌프(3900)가 설치된다. 인버터 펌프(3900)는 하부 분사 부재(3400)를 통해 분사되는 액의 분사압을 조절한다. Referring to FIG. 5, the liquid supply unit and the controller 3800 adjust the injection pressure of the lower injection member 3400. The liquid supply unit includes a first supply pipe 3720, a second supply pipe 3740, a recovery liquid pipe 3760, a recovery tank 3620, a supply tank 3640, and a recovery line 3550. The first supply pipe 3720 connects the supply tank 3640 and the lower injection member 3400. The second supply pipe 3740 connects the first point P1 of the first supply pipe 3720 to the upper injection member 3300. The recovery liquid pipe 3760 connects the recovery tank 3620 to the second point P2 downstream of the first point P1 of the first supply pipe 3720. An inverter pump 3900 is installed between the second point P2 of the first supply pipe 3720 and the lower injection member 3400. The inverter pump 3900 adjusts the injection pressure of the liquid injected through the lower injection member 3400.

제 1 공급배관(3720)은 공급탱크(3640)에 있는 미사용된 액을 공급한다. 제 1 공급배관(3640)을 통해 흐르는 미사용된 액은 상부 분사 부재(3300) 및 하부 분사 부재(3400)로 공급된다. 회수된 액으로 기판(S) 및 세정 챔버(3100)를 세정하는 경우, 제 1 공급배관(3720)은 닫는다. 제 2 공급배관(3740)은 상부 분사 부재(3300)에 액을 공급한다. 공급되는 액은 세정 후 회수된 액 또는 미사용된 액일 수 있다. 제 2 공급배관(3740)은 액을 제 1 압력으로 공급한다. 인버터 펌프(3900)를 이용하면, 회수액 배관(3760)은 하부 분사 부재(3400)에 제 1 압력 또는 제 2 압력으로 액을 공급한다. 세정 챔버(3100) 하면에는 배출구(3500)가 제공된다. 회수라인(3550)은 배출구(3500)와 회수탱크(3620)를 연결한다. 배출구(3500)로 흐르는 액은 회수탱크(3620)로 회수된다. 회수탱크(3620)에 회수된 액은 상부 분사 부재(3300) 및 하부 분사 부재(3400)에 공급되어 재사용할 수 있다. 공급탱크(3640)에는 미사용된 액이 저장될 수 있다. The first supply pipe 3720 supplies the unused liquid in the supply tank 3640. The unused liquid flowing through the first supply pipe 3640 is supplied to the upper injection member 3300 and the lower injection member 3400. When the substrate S and the cleaning chamber 3100 are cleaned with the recovered liquid, the first supply pipe 3720 is closed. The second supply pipe 3740 supplies liquid to the upper injection member 3300. The supplied liquid may be a liquid recovered after washing or an unused liquid. The second supply pipe 3740 supplies the liquid at a first pressure. When the inverter pump 3900 is used, the recovery liquid pipe 3760 supplies liquid to the lower injection member 3400 at a first pressure or a second pressure. An outlet 3500 is provided on the lower surface of the cleaning chamber 3100. The recovery line 3550 connects the discharge port 3500 and the recovery tank 3620. The liquid flowing through the discharge port 3500 is recovered to a recovery tank 3620. The liquid recovered in the recovery tank 3620 may be supplied to the upper injection member 3300 and the lower injection member 3400 to be reused. Unused liquid may be stored in the supply tank 3640.

제어기(3800)는 인버터 펌프(3900)를 제어하여 하부 분사 부재(3400)의 분사압을 조절한다. 회수액 배관(3760)을 이용하는 경우에도, 도 4와 같이 기판(S)의 유무, 세정 용도 및 기판(S)의 오염도에 따라 하부 분사 부재(3400)의 분사압을 조절할 수 있다.
The controller 3800 controls the inverter pump 3900 to adjust the injection pressure of the lower injection member 3400. Even when the recovery liquid pipe 3760 is used, the injection pressure of the lower injection member 3400 may be adjusted according to the presence or absence of the substrate S, the cleaning purpose, and the degree of contamination of the substrate S, as shown in FIG.

도 6은 도 1의 기판 처리 장치(1)의 다른 사용 예를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing another example of use of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1.

도 6을 참조하면, 액 공급 유닛은 제 1 공급배관(4720), 회수액 배관(4740), 바이패스 배관(4760), 회수탱크(4600) 및 회수라인(4550)을 포함한다. 회수액 배관(4740)은 제 1 탱크(4600)와 하부 분사 부재(4400)를 연결한다. 제 1 공급배관(4720)은 회수액 배관(4740)의 제 1 지점(P1)과 상부 분사 부재(4300)를 연결한다. 바이패스 배관(4760)은 회수액 배관(4740)의 제 2 지점(P2)에서 분기되고, 제 2 지점(P2)보다 하류인 회수액 배관(4740)의 제 3 지점(P3)에서 다시 연결된다. 제 1 공급배관(4720), 회수액 배관(4740) 및 바이패스 배관(4760)에는 각각 밸브(4725,4745,4765)가 설치된다. 도 6의 경우, 기판(S) 및 세정 챔버(4100)의 세정시 회수탱크(4600)에 저장된 회수된 액만을 사용한다. 제어기(4800)는 배관들을 제어하여 하부 분사 부재(4400)의 분사압을 조절한다. 이 경우에도, 도 4와 같이 기판(S)의 유무, 세정 용도 및 기판(S)의 오염도에 따라 하부 분사 부재(4400)의 분사압을 조절할 수 있다.
Referring to FIG. 6, the liquid supply unit includes a first supply pipe 4720, a recovery liquid pipe 4740, a bypass pipe 4760, a recovery tank 4600, and a recovery line 4550. The recovery liquid pipe 4740 connects the first tank 4600 and the lower injection member 4400. The first supply pipe 4720 connects the first point P1 of the recovery liquid pipe 4740 and the upper injection member 4300. The bypass pipe 4760 branches off at a second point P2 of the recovery liquid pipe 4740 and is reconnected at a third point P3 of the recovery liquid pipe 4740 downstream of the second point P2. The first supply pipe 4720, the recovery liquid pipe 4740, and the bypass pipe 4760 are respectively provided with valves 4725, 4745, and 4765. In the case of FIG. 6, only the recovered liquid stored in the recovery tank 4600 is used when cleaning the substrate S and the cleaning chamber 4100. The controller 4800 controls the pipes to adjust the injection pressure of the lower injection member 4400. Even in this case, as shown in FIG. 4, the injection pressure of the lower injection member 4400 may be adjusted according to the presence or absence of the substrate S, the cleaning purpose, and the degree of contamination of the substrate S.

상술한 예들에서는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 예를 들어, 에칭 공정에도 적용될 수 있고, 액은 케미컬로 제공될 수 있다.In the above-described examples, it has been described that the cleaning process is performed on the substrate, but unlike this, the type of process and the number of process chambers may be different. For example, it may be applied to an etching process, and the liquid may be provided as a chemical.

상술한 예들에서는 하부 분사 부재의 압력조절에 대해 설명하였으나, 이와 달리 상부 분사 부재도 압력을 조절하여 액을 분사할 수 있다.
In the above-described examples, the pressure control of the lower injection member has been described, but unlike this, the upper injection member may also control the pressure to inject the liquid.

Claims (14)

기판 처리 장치에 있어서,
챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 아래에 배치되며 상부를 향해 액을 공급하는 하부 분사 부재;
상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 위에 배치되며 하부를 향해 액을 공급하는 상부 분사 부재; 및
상기 하부 분사 부재의 분사압을 조절하는 제어기를 포함하고,
상기 제어기는, 상기 기판 처리시 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 세정시 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하고,
상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
chamber;
A transfer unit disposed in the chamber and transferring a substrate along a first direction;
A lower injection member disposed below the transfer unit in the chamber and supplying a liquid toward an upper portion;
An upper injection member disposed above the transfer unit in the chamber and supplying a liquid toward a lower portion; And
Including a controller for adjusting the injection pressure of the lower injection member,
The controller controls the lower injection member to inject the liquid at a first pressure during processing of the substrate and spray the liquid at a second pressure during cleaning of the chamber,
The second pressure is greater than the first pressure. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
기판 처리시 사용된 액을 회수하고, 회수된 상기 액을 상기 챔버 세정시 상기 하부 분사 부재로 공급하는 액 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a liquid supply unit for recovering a liquid used during substrate processing and supplying the recovered liquid to the lower spray member when cleaning the chamber. 제 5항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관; 및
상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The liquid supply unit,
A first supply pipe connecting the supply tank and the lower injection member; And
And a bypass pipe branched at a third point downstream of the second point of the first supply pipe and connected at a fourth point downstream of the third point of the first supply pipe. 제 5항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관;
회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관; 및
상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The liquid supply unit,
A first supply pipe connecting the supply tank and the lower injection member;
A recovery liquid pipe connecting the recovery tank and a second point downstream of the first point of the first supply pipe; And
And a bypass pipe branched at a third point downstream of the second point of the first supply pipe and connected at a fourth point downstream of the third point of the first supply pipe. 제 5 항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관; 및
회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관을 포함하되,
상기 제 2 지점과 상기 하부 분사 부재 사이에 인버터 펌프가 설치되는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The liquid supply unit,
A first supply pipe connecting the supply tank and the lower injection member; And
A recovery liquid pipe connecting the recovery tank and a second point downstream of the first point of the first supply pipe,
A substrate processing apparatus in which an inverter pump is installed between the second point and the lower injection member. 제 1항에 있어서,
상기 제어기는, 상기 챔버 내에 기판이 있는 경우 상기 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 기판이 없는 경우 상기 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller includes controlling the lower injection member to inject the liquid at the first pressure when there is a substrate in the chamber, and inject the liquid at the second pressure when there is no substrate in the chamber Processing device. 제 9항에 있어서,
상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The second pressure is greater than the first pressure. 기판 처리 장치에 있어서,
챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 아래에 배치되며 상부를 향해 액을 공급하는 하부 분사 부재; 및
상기 하부 분사 부재의 분사압을 조절하는 제어기를 포함하고,
상기 제어기는 상기 챔버 내에 제 1 기판이 있는 경우 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 제 2 기판이 있는 경우 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하되,
상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 상대적으로 오염도가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
chamber;
A transfer unit disposed in the chamber and transferring a substrate along a first direction;
A lower injection member disposed below the transfer unit in the chamber and supplying a liquid toward an upper portion; And
Including a controller for adjusting the injection pressure of the lower injection member,
The controller controls the lower injection member to inject the liquid at a first pressure when there is a first substrate in the chamber, and inject the liquid at a second pressure when there is a second substrate in the chamber,
The second substrate is a substrate processing apparatus, characterized in that the pollution degree is relatively higher than the first substrate. 챔버 내에 제공된 반송 유닛에 의해 기판을 반송하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
기판 세정시 노즐로부터 제 1 압력으로 액을 분사하여 기판을 세정하고,
챔버 세정시 노즐로부터 제 2 압력으로 액을 분사하여 챔버를 세정하고,
상기 기판 세정시, 공급탱크에 저장된 미사용된 액으로 상기 기판을 세정하고,
상기 챔버 세정시, 상기 기판 세정 후 회수한 액으로 상기 챔버를 세정하는 기판 처리방법.In a substrate processing method for processing a substrate by conveying a substrate by a conveying unit provided in a chamber,
When cleaning the substrate, the liquid is sprayed from the nozzle at the first pressure to clean the substrate,
When cleaning the chamber, the chamber is cleaned by spraying a liquid at a second pressure from the nozzle,
When cleaning the substrate, cleaning the substrate with an unused liquid stored in a supply tank,
When cleaning the chamber, a substrate processing method for cleaning the chamber with a liquid recovered after cleaning the substrate. 제 12항에 있어서,
상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 12,
The second pressure is greater than the first pressure. 삭제delete
KR1020140065587A 2014-05-30 2014-05-30 Apparatus and method for processing substrate KR102239520B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140065587A KR102239520B1 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Apparatus and method for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140065587A KR102239520B1 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Apparatus and method for processing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150137548A KR20150137548A (en) 2015-12-09
KR102239520B1 true KR102239520B1 (en) 2021-04-14

Family

ID=54873464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140065587A KR102239520B1 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Apparatus and method for processing substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102239520B1 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070050789A (en) * 2006-07-27 2007-05-16 주식회사 대우일렉트로닉스 Apparatus for drying the substrate
KR200443565Y1 (en) * 2007-04-16 2009-02-24 서형주 Substrate Detect Apparatus
KR101099576B1 (en) * 2009-12-01 2011-12-28 세메스 주식회사 System for supplying and collecting cleaning solution
JP2011198892A (en) * 2010-03-18 2011-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cleaning processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150137548A (en) 2015-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080090070A (en) Air knife and apparatus drying substrates having the same
JP2011200819A (en) Water-saving cleaning system in conveyance system substrate treatment apparatus
CN108453084A (en) Nozzle cleaning and wafer cleaning equipment
JP2014184434A (en) Water-saving cleaning system in conveyance type board processing device
KR100691473B1 (en) Air knife module for drying substrate and drying device using thereof
KR20070119398A (en) Air knife and substrate drying system using it
KR20080047670A (en) Cleaning device and cleaning method using the same
KR102239520B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
WO2013183504A1 (en) Chemical polishing device
KR20090108857A (en) Apparatus for cleaning substrate and cleaning system having thereof
KR102223760B1 (en) Unit for suppying fluid and substrate processing apparatus using the same
KR101099576B1 (en) System for supplying and collecting cleaning solution
KR102292370B1 (en) Substrate treatment apparatus and Substrate treatment method
KR100424913B1 (en) Apparatus for washing substrates
KR20080035123A (en) Decive for cleaning buffer zone in wet station
KR102115170B1 (en) Substrate treating apparatus and chemical supplying method
KR102483378B1 (en) Pocket type nozzle cleaning apparatus
KR20140071651A (en) Cleaning apparatus
KR101856197B1 (en) Apparatus for providing chemical liquid
KR20110062520A (en) Substrates treating apparatus and method for cleaning the same
KR102278073B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102134439B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101598140B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR102250366B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR101583753B1 (en) Apparatus and method for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant