KR20190143624A - Multi nozzle for cleaning wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 웨이퍼 세정용 노즐에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 세정공정시 웨이퍼 표면에 동일한 압력으로 둘 이상의 이류체를 균일하게 분사할 수 있는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a nozzle for cleaning wafers, and more particularly to a wafer cleaning multi-nozzle capable of uniformly injecting two or more air bodies at the same pressure onto the wafer surface during a wafer cleaning process.
최근에 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 패턴의 크기 및 패턴들 사이의 간격이 매우 좁아지고 있다. 일반적으로 웨이퍼 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 웨이퍼 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 이에, 웨이퍼 세정 공정의 중요성이 점차로 증가하고 있다.In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices increases, the size of patterns and gaps between patterns become very narrow. In general, wafer processing is a source of contaminants, which directly affects device performance and yield. After each process, contaminants on the wafer surface increase exponentially and the yield of semiconductor devices is drastically reduced by these contaminants. Accordingly, the importance of the wafer cleaning process is gradually increasing.
반도체 소자 공정 중 세정 공정은 웨이퍼 상에 생긴 불순물이나 파티클, 먼지 등을 제거하는 공정으로 반도체 소자 제조 공정의 전 공정 전후에 매우 빈번하게 수행되는 공정이다. 그 이유는 웨이퍼의 표면에 오염입자가 존재할 경우 후속 공정시 패턴 불량이 유발될 수 있기 때문이다.The cleaning process of the semiconductor device process is a process of removing impurities, particles, dust, etc. generated on the wafer, which is frequently performed before and after the entire process of the semiconductor device manufacturing process. This is because the presence of contaminants on the surface of the wafer may cause pattern defects in subsequent processes.
또한, 오염 입자가 미세 패턴들 사이에 존재할 경우 반도체 소자의 오작동을 유발할 수 있기 때문이다. 여기서, 미세 패턴의 크기가 약 1㎛ 이하로 줄어들면서 허용 가능한 오염 입자의 크기가 작아지고 있다.In addition, when contaminant particles are present between the fine patterns, it may cause malfunction of the semiconductor device. Here, as the size of the fine pattern is reduced to about 1 μm or less, the size of acceptable contaminant particles is decreasing.
통상적으로 이렇게 작은 크기의 오염 입자는 기존의 세정 방법으로는 제거하기가 용이하지 않다. 따라서, 세정효율을 높이기 위한 연구가 다각적으로 진행되고 있는데, 이러한 연구의 핵심은 오염 입자의 강한 점착력을 극복할 수 있는 힘을 웨이퍼에 효과적으로 제공하는 데에 달려 있다고 볼 수 있다.Typically, these small contaminant particles are not easy to remove by conventional cleaning methods. Therefore, researches to improve the cleaning efficiency are being conducted in various ways, and the core of such research is to effectively provide the wafer with a force capable of overcoming the strong adhesion of contaminated particles.
이러한 웨이퍼 세정 공정은 웨이퍼 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 비율로 감소시키는 것이 그 주된 목적이다.This wafer cleaning process is almost impossible, although the ideal goal is to completely remove all contaminants from the wafer surface. In fact, the main purpose of the wafer cleaning process is before and after each process to reduce the exponentially increasing contaminants to a minimum rate.
따라서, 웨이퍼 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소자 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 파티클, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다.Therefore, the wafer cleaning process must be performed before and after all the processes. Impurities contaminated on the wafer surface during semiconductor device processing can be largely divided into particles, organic contaminants, metal contaminants and natural oxide film.
한편, 한국 등록특허공보 제10-0930579호(2009년 12월 09일 공고)에는 "세정용 노즐"이 개시되어 있다. 상기 종래의 세정용 노즐을 통한 웨이퍼의 세정공정을 살펴보면, 수평상태의 웨이퍼가 하부의 회전모터에 의해 회전되는 상태에서 웨이퍼 상에 이류체를 분사하되, 노즐이 웨이퍼의 상측에서 웨이퍼를 가로지르며 왕복하면서 이류체를 분사하였다.Meanwhile, Korean Patent Publication No. 10-0930579 (December 09, 2009 publication) discloses a "cleaning nozzle". Looking at the cleaning process of the wafer through the conventional cleaning nozzle, the air is sprayed on the wafer while the wafer in the horizontal state is rotated by the lower rotating motor, the nozzle is reciprocating across the wafer from the upper side of the wafer While spraying the air.
이러한 종래의 웨이퍼 세정용 노즐은, 단일 노즐로 구성되어 있기 때문에 수차례 왕복을 반복해야 하는 단점이 있었다. 즉, 웨이퍼의 세정 시간이 많이 소요되는 문제가 있다.Such a conventional wafer cleaning nozzle has a disadvantage of repeating reciprocation several times because it is composed of a single nozzle. That is, there is a problem that the cleaning time of the wafer is large.
또한, 단 하나의 세정액을 사용할 수 밖에 없는 구조로 이루어져 있기 때문에 다양한 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위해 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정하는 것이 불가능한 문제가 있다.In addition, since only one cleaning solution is used, there is a problem in that various cleaning solutions are not mixed and cleaned in a batch process in order to effectively remove various respective contaminants.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 과제는, 웨이퍼의 세정공정시 웨이퍼 표면에 동일한 압력으로 둘 이상의 이류체를 균일하게 분사하여 웨이퍼에 흡착 및 밀착된 오염물을 제거할 수 있는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention devised to solve the above problems is to clean a wafer that can remove contaminants adsorbed and adhered to a wafer by uniformly injecting two or more air bodies at the same pressure on the wafer surface during the wafer cleaning process. To provide a multi-nozzle.
또한, 본 발명의 부수적인 과제는, 압축가스에 의해 세정액이 이송되어 분사되며, 유입되는 가스를 회전시키고, 그 가스의 회전에 의해 순수의 회전력을 발생시킬 수 있도록 세정용 노즐의 형상을 구성함으로써, 토출 하부의 진공현상에 의한 미립자 부상현상이 발생하여 미세패턴과 복잡한 형태의 패턴에서도 쉽게 오염원을 제거할 수 있는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐을 제공하는 데 있다.In addition, an additional object of the present invention is to form a shape of the cleaning nozzle so that the cleaning liquid is transferred and injected by the compressed gas, the incoming gas is rotated, and the rotational force of the pure water is generated by the rotation of the gas. In addition, the present invention provides a multi-nozzle for wafer cleaning, in which particulate floating phenomenon occurs due to a vacuum phenomenon at the lower part of the discharge, so that the contamination source can be easily removed even in a fine pattern and a complicated pattern.
또한, 본 발명의 부수적인 과제는, 다중 노즐을 통해 서로 다른 성질의 이류체 세정액을 웨이퍼에 분사함으로써 세정시간을 단축할 수 있는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐을 제공하는 데 있다.In addition, an additional object of the present invention is to provide a multi-nozzle for wafer cleaning which can shorten the cleaning time by injecting two-fluid air cleaning liquids onto the wafer through multiple nozzles.
상기 과제를 달성하기 위해 안출된 본 발명은, 웨이퍼 세정용 멀티 노즐로서, 제1 세정액이 유입되는 유입구와, 상기 유입구를 통해 유입되는 제1 세정액이 분사되도록 축방향으로 관통하여 형성된 분사홀이 구비된 제1 필러, 제2 세정액이 유입되는 유입구와, 상기 유입구를 통해 유입되는 제2 세정액이 분사되도록 축방향으로 관통하여 형성된 분사홀이 형성된 제2 필러 및 압축가스가 유입되는 유입구와, 상기 유입구를 통해 유입되는 압축가스가 상기 제1 필러의 분사홀과 상기 제2 필러의 분사홀에 분사되는 제3 필러를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a multi-nozzle for wafer cleaning, comprising: an inlet through which a first cleaning liquid flows in; and an injection hole formed through the axial direction so as to spray the first cleaning liquid flowing through the inlet; The first filler, the inlet through which the second cleaning liquid flows, the inlet through which the second filler and the compressed gas are formed, and the inlet through which the injection hole is formed to penetrate in the axial direction so as to inject the second cleaning liquid flowing through the inlet; Compressed gas flowing through the injection comprises a third filler that is injected into the injection hole of the first filler and the injection hole of the second filler.
상기 제1 필러와 제2 필러는, 외경을 따라 나선형 홈이 형성된 스크류부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first filler and the second filler, characterized in that it comprises a screw portion formed with a spiral groove along the outer diameter.
상기 제3 필러는, 상기 유입구를 통해 유입되는 압축가스가 분기되도록 격벽으로 분리되어 상기 제1 필러의 스크류부가 내부에 수용되는 제1 공간부와 상기 제2 필러의 스크류부가 내부에 수용되는 제2 공간부가 형성되며, 상기 제3 필러 내부로 유입되는 압축가스가 제1 필러의 스크류부와 제2 필러의 스크류부에 각각 분사되어 나선형 홈을 따라 회전하면서 상기 제1 세정액과 제2 세정액이 회전하며 분사되는 것을 특징으로 한다.The third filler may be divided into a partition wall so that the compressed gas introduced through the inlet is branched, and the first space part in which the screw part of the first filler is accommodated and the screw part of the second filler are accommodated therein. The space part is formed, and the first cleaning liquid and the second cleaning liquid rotate while the compressed gas flowing into the third filler is injected into the screw part of the first filler and the screw part of the second filler and rotates along the spiral groove. It is characterized in that the injection.
상기 제3 필러의 제1 공간부와 제2 공간부에는, 고압의 가스로 압축하여 분사되도록 상기 스크류부의 단부 외경에 비접촉되는 고압 토출막이 형성된 것을 특징으로 한다.The first space portion and the second space portion of the third filler is characterized in that a high-pressure discharge film is formed in contact with the outer diameter of the end of the screw portion so as to be compressed and injected with a high-pressure gas.
상기 분사홀은, 상기 유입구에 연통되어 세정액이 유입되는 제1 분사홀 및 상기 제1 분사홀에 연통되며 제1 분사홀 보다 작은 내경으로 이루어져 세정액을 고압으로 압축하는 제2 분사홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.The injection hole may include a first injection hole communicating with the inlet and introduced with a cleaning liquid, and a second injection hole communicating with the first injection hole and having a smaller inner diameter than the first injection hole to compress the cleaning liquid to a high pressure. It features.
상기 분사홀의 하단에 형성되며, 분사되는 세정액을 고압으로 압축하면서 분사방향을 결정하는 노즐부를 포함하는 것을 특징으로 한다.It is formed on the lower end of the injection hole, it characterized in that it comprises a nozzle for determining the injection direction while compressing the cleaning liquid to be injected at high pressure.
상기 노즐부는, 상기 분사홀에 대해 일정 각도로 이루어지며, 서로 이격형성된 복수의 노즐을 구비하는 것을 특징으로 한다.The nozzle unit may be formed at a predetermined angle with respect to the injection hole, and include a plurality of nozzles spaced apart from each other.
상기 일정 각도는, 약 30 내지 40°인 것을 특징으로 한다.The predetermined angle is characterized in that about 30 to 40 °.
본 발명은, 세정하고자 하는 대상에 세정 용액을 빠르고 고르게 분사할 수 있도록 노즐에 유입되는 가스를 회전시키고, 그 회전되는 가스에 의해 세정 용액이 이송되어 분사되도록 노즐 형상을 구성함으로써, 미세패턴과 복잡한 형태의 패턴을 갖는 웨이퍼에 흡착 및 밀착된 오염물을 용이하게 제거하는 효과가 있다.The present invention, by rotating the gas flowing into the nozzle to quickly and evenly spray the cleaning solution to the object to be cleaned, by configuring the nozzle shape so that the cleaning solution is transported and injected by the rotated gas, fine patterns and complex There is an effect of easily removing contaminants adsorbed and adhered to the wafer having the pattern of the shape.
또한, 본 발명은, 노즐로부터 회전하며 분사되는 세정 용액 내외부에 높은 회전력이 발생하며, 내부에서는 가스의 빠른 이송에 따른 벤추리 효과가 발생하여 노즐 내부의 피대상체 접촉부분에 흡입력이 발생하여 세정 대상체의 이물질이나 식각찌꺼기들이 흡착되지 않도록 분리하여 세정공정에 따른 효과를 극대화할 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention, a high rotational force is generated inside and outside the cleaning solution is rotated from the nozzle, the venturi effect due to the rapid transport of the gas occurs inside the suction force is generated in the contact portion of the object inside the nozzle to There is an advantage to maximize the effect of the cleaning process by separating so that foreign matter or etch residues are not adsorbed.
또한, 본 발명은, 웨이퍼의 세정공정시 다중 노즐을 통해 웨이퍼 표면에 동일한 압력으로 둘 이상의 서로 다른 성질의 이류체 세정액을 분사함으로써 세정시간이 단축되는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect that the cleaning time is shortened by spraying two or more different air cleaning liquids having the same property to the wafer surface through the multiple nozzles during the cleaning process of the wafer.
본 명세서에서 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어서 해석되어서는 아니 된다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정용 멀티 노즐을 나타낸 사시도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정용 멀티 노즐에서 스크류부의 상세구성을 나타낸 예시도,
도 4 및 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정용 멀티 노즐을 나타낸 단면도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정용 멀티 노즐에서 노즐부를 나타낸 예시도이다.The following drawings, which are attached in this specification, illustrate the preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description thereof, serve to further understand the technical spirit of the present invention, and therefore, the present invention is limited only to the matters described in the drawings. It should not be interpreted.
1 and 2 are a perspective view showing a multi-nozzle for wafer cleaning according to an embodiment of the present invention,
3 is an exemplary view showing a detailed configuration of a screw unit in a multi-nozzle for wafer cleaning according to an embodiment of the present invention;
4 and 5 are cross-sectional views showing a multi-nozzle for wafer cleaning according to an embodiment of the present invention;
6 is an exemplary view showing a nozzle unit in a multi-nozzle for wafer cleaning according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 세정용 멀티 노즐의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the multi-nozzle for wafer cleaning according to the present invention.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정용 멀티 노즐을 나타낸 사시도이고, 도 3은 웨이퍼 세정용 멀티 노즐에서 스크류부의 상세구성을 나타낸 예시도이고, 도 4 및 5는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐을 나타낸 단면도이고, 도 6은 웨이퍼 세정용 멀티 노즐에서 노즐부를 나타낸 예시도이다.1 and 2 are perspective views showing a multi-nozzle for wafer cleaning according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an exemplary view showing the detailed configuration of the screw portion in the multi-nozzle for wafer cleaning, Figures 4 and 5 are for wafer cleaning 6 is a cross-sectional view illustrating a multi-nozzle, and FIG. 6 is an exemplary view illustrating a nozzle unit in a multi-nozzle for wafer cleaning.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 세정용 멀티 노즐은, 제1 필러(100), 제2 필러(200) 및 제3 필러(300)를 포함하는 구성요소로 이루어지며, 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.1 to 6, a multi-nozzle for wafer cleaning according to a preferred embodiment of the present invention is a component including a
먼저, 본 발명의 웨이퍼 세정용 멀티 노즐은, 웨이퍼에 세정액을 빠르고 고르게 분사할 수 있도록 유입되는 가스를 회전시키고, 그 회전되는 가스에 의해 세정액이 이송되어 분사되도록 노즐 형상을 구성함으로써, 미세패턴과 복잡한 형태의 패턴을 갖는 웨이퍼에 흡착 및 밀착된 오염물을 용이하게 제거할수 있도록 하는 기술적 구성을 제안한다.First, the multi-nozzle for wafer cleaning of the present invention rotates the gas flowing in the wafer so as to spray the cleaning liquid on the wafer quickly and evenly, and configures the nozzle shape so that the cleaning liquid is transferred and injected by the rotated gas. A technical configuration for easily removing contaminants adsorbed and adhered to a wafer having a complex pattern is proposed.
이를 위해 노즐로부터 회전하며 분사되는 세정액 내외부에 높은 회전력이 발생하며, 내부에서는 가스의 빠른 이송에 따른 벤추리 효과가 발생하여 피대상체의 접촉부분에 흡입력이 발생하여 세정 대상체의 이물질이나 식각찌꺼기들이 흡착되지 않도록 분리하여 세정공정을 수행하도록 하는 기술적 구성을 제안한다.To this end, a high rotational force is generated inside and outside the cleaning liquid sprayed from the nozzle, and a venturi effect occurs due to the rapid transport of gas, and suction force is generated at the contact portion of the object, so that foreign substances or etch residues of the cleaning object are not adsorbed. It proposes a technical configuration to perform the cleaning process by separating the separation.
제1 필러(100)는, 일측에 제1 세정액이 유입되는 유입구(110)가 형성된다. 그리고, 외경을 따라 나선형 홈이 형성된 스크류부(120)가 형성된다. 마지막으로, 유입구(110)를 통해 유입되는 제1 세정액이 이송되어 웨이퍼(W)의 표면을 향해 분사되도록 축방향으로 관통한 분사홀(130)이 형성된다.The
이때, 제1 세정액은, 초순수(delonized water) 또는 소정의 케미컬 용액이 함유된 기능성 세정액일 수 있다.In this case, the first cleaning liquid may be a functional cleaning liquid containing ultrapure water or a predetermined chemical solution.
제2 필러(200)는, 상술한 제1 필러(100)와 마찬가지로 일측에 제2 세정액이 유입되는 유입구(210)가 형성된다. 그리고, 외경을 따라 나선형 홈이 형성된 스크류부(220)가 형성된다. 마지막으로, 유입구(210)를 통해 유입되는 제2 세정액이 이송되어 웨이퍼(W)의 표면을 향해 분사되도록 축방향으로 관통한 분사홀(230)이 형성된다.The
이때, 제2 세정액은, 제1 세정액과 마찬가지로 초순수(delonized water) 또는 소정의 케미컬 용액이 함유된 기능성 세정액일 수 있다.At this time, the second cleaning liquid, like the first cleaning liquid may be a functional cleaning liquid containing delonized water or a predetermined chemical solution.
즉, 예를 들어 제1 필러(100)와 제2 필러(200)의 각각의 유입구(110, 210)를 통해 동일한 초순수가 유입되어 웨이퍼(W)를 향해 분사되어 웨이퍼(W)를 세정할 수 있고, 하나의 필러에는 초순수가 유입되고 다른 하나의 필러에는 소정의 세정물질이 함유된 세정액이 유입되어 웨이퍼(W)를 향해 분사되어 웨이퍼(W)를 세정할 수 있는 것이다.That is, for example, the same ultrapure water may be introduced through the
제3 필러(300)는, 일측에 압축가스가 유입되는 유입구(310)가 형성된다. 그리고, 유입구(310)를 통해 유입되는 압축가스가 분기되도록 격벽(340)으로 분리된 제1 공간부(320)와 제2 공간부(330)가 마련된다. 이러한 제1 공간부(320)의 내부에는 제1 필러(100)의 스크류부(120)가 수용되고, 제2 공간부(330)의 내부에는 제2 필러(200)의 스크류부(220)가 각각 수용된다.The
여기서, 제3 필러(300)는 각 스크류부(120, 220)의 외경에 형성된 나선형 홈의 시작 지점에 대응하여 위치하는 것이 바람직하며, 압축가스는 안전한 비활성의 N₂가스인 것이 바람직하다.Here, the
한편, 스크류부(120, 220)는 축방향을 따라 관통하여 형성된 분사홀(130, 230)로 세정액이 유입되어 분사되도록 하고, 유입되는 가스가 외면에 형성된 나선형 홈을 따라 분사되어 세정액이 회전하며 분사되도록 한다.Meanwhile, the
즉, 도 3에 도시된 스크류부의 상세 구성과 같이, 제3 필러(300) 내부로 유입되는 압축가스가 제1 필러(100)의 스크류부(120)와 제2 필러(200)의 스크류부(220)에 각각 분사되어 나선형 홈을 따라 회전하면서 제1 세정액과 제2 세정액이 회전하며 분사되는 것이다.That is, as shown in the detailed configuration of the screw shown in Figure 3, the compressed gas flowing into the
여기서 분사홀(130)은 제1 필러(100)의 유입구(110)와 연통되어 제1 세정액이 유입되는 제1 분사홀(130a)과, 제1 분사홀(130a)과 연통되어 연결되고, 제1 분사홀(130a)의 직경보다 작은 직경을 갖으며, 제1 세정액을 고압으로 압축하는 제2 분사홀(130b)을 포함한다.Here, the
또한, 마찬가지로 분사홀(230)은, 제2 필러(200)의 유입구(210)와 연통되어 제2 세정액이 유입되는 제1 분사홀(230a)과, 제1 분사홀(230a)과 연통되어 연결되고, 제1 분사홀(230a)의 직경보다 작은 직경을 갖으며, 제2 세정액을 고압으로 압축하는 제2 분사홀(230b)을 포함한다.In addition, the
한편, 본 발명의 웨이퍼 세정용 멀티 노즐은, 제3 필러(300)의 제1 공간부(320)와 제2 공간부(330)에는, 고압의 가스로 압축하여 분사되도록 스크류부(120, 220)의 단부 외경에 비접촉되는 고압 토출막(321, 331)이 더 형성될 수 있다. 이는, 이격된 영역을 통해서 고압의 가스로 압축하여 분사할 수 있게 하기 위함이다.On the other hand, the multi-nozzle for wafer cleaning of the present invention, the
고압의 가스를 통해 이송되는 세정액의 분사속도를 빠르게 함과 동시에 회전력이 강하게 발생하고, 가스의 빠른 이송에 따른 벤추리 효과가 발생하여 노즐 내부의 피대상체 접촉부분에 흡입력이 발생하여 세정 대상체의 이물질이나 식각찌꺼기들이 흡착되지 않도록 분리하여 세정공정을 수행할 수 있다.In addition to increasing the injection speed of the cleaning liquid conveyed through the high-pressure gas at the same time, the rotational force is generated strongly, and the Venturi effect occurs due to the rapid delivery of the gas, the suction force is generated in the contacting part of the object inside the nozzle, The etching residues may be separated from the adsorption to perform a cleaning process.
한편, 분사홀(130, 230)의 하단에 형성되며, 분사되는 세정액을 고압으로 압축하면서 분사방향을 결정하는 노즐부(131, 231)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, it is formed on the lower end of the injection holes (130, 230), it may further include a nozzle unit (131, 231) for determining the injection direction while compressing the cleaning liquid to be injected at a high pressure.
여기서, 노즐부(131, 231)는 분사홀(130, 230)에 대해 일정 각도를 갖으며, 분사홀(130, 230)을 기준으로 좌우 대칭이 되게 제1 노즐(131a, 231a) 및 제2 노즐(231a, 231b)로 구비될 수 있다.Here, the
즉, 도 4에 도시된 바와 같이 분사홀(130, 230)에 대해 일정 각도를 갖으며, 동일 간격으로 적어도 2개 이상의 노즐을 구비할 수 있다.That is, as shown in Figure 4 may have a predetermined angle with respect to the injection holes (130, 230), it may be provided with at least two nozzles at equal intervals.
여기서 일정 각도는 세정공정시 본 발명에 따라 가스에 의해 이송되어 분사되는 세정액의 최적 세정 능력을 고려한 실험치가 된다. 이에 약 30 내지 40°사이의 어느 하나의 각도가 되며, 바람직하게는 약 30°가 된다.Here, the predetermined angle is an experimental value in consideration of the optimum cleaning ability of the cleaning liquid is injected by the gas in accordance with the present invention during the cleaning process. This is any angle between about 30 and 40 degrees, preferably about 30 degrees.
예를 들어, 3개의 노즐로 노즐부가 형성되어야 할 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 약 120°의 등간격을 갖으며, 분사홀(130, 230)에 대해 약 30°의 기울기를 갖도록 3개의 노즐을 형성한다.For example, when the nozzle portion is to be formed of three nozzles, as shown in Figure 6 has an equal interval of about 120 °, and three to have an inclination of about 30 ° with respect to the injection holes (130, 230) Form a nozzle.
이상에서는 본 발명을 바람직한 실시예에 의거하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 아니하고 청구항에 기재된 범위 내에서 변형이나 변경 실시가 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 첨부된 특허청구범위에 속한다 할 것이다.In the above, the present invention has been described based on the preferred embodiments, but the technical idea of the present invention is not limited thereto, and modifications or changes can be made within the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art, and such modifications and variations will belong to the appended claims.
100: 제1 필러
110, 210, 310: 유입구
120, 220: 스크류부
130, 230: 분사홀
130a, 230a: 제1 분사홀
130b, 230b: 제2 분사홀
131, 231: 노즐부
131a, 131b, 231a, 231b: 노즐
200: 제2 필러
300: 제3 필러
320: 제1 공간부
321, 331: 고압 토출막
330: 제2 공간부
340: 격벽100: first filler
110, 210, 310: inlet
120, 220: screw part
130, 230: injection hole
130a, 230a: first injection hole
130b, 230b: second injection hole
131, 231: nozzle unit
131a, 131b, 231a, 231b: nozzle
200: second filler
300: third filler
320: first space part
321, 331: high pressure discharge film
330: second space part
340: bulkhead
Claims (8)
제2 세정액이 유입되는 유입구(210)와, 상기 유입구(210)를 통해 유입되는 제2 세정액이 분사되도록 축방향으로 관통하여 형성된 분사홀(230)이 형성된 제2 필러(200); 및
압축가스가 유입되는 유입구(310)와, 상기 유입구(310)를 통해 유입되는 압축가스가 상기 제1 필러(100)의 분사홀(130)과 상기 제2 필러(200)의 분사홀(230)에 분사되는 제3 필러(300);
를 포함하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.A first filler (100) having an inlet (110) through which the first cleaning liquid is introduced and an injection hole (130) formed through the axial direction so as to spray the first cleaning liquid introduced through the inlet (110);
A second filler 200 having an inlet 210 through which a second cleaning liquid is introduced and an injection hole 230 formed therethrough in an axial direction such that the second cleaning liquid flowing through the inlet 210 is injected; And
The inlet 310 through which the compressed gas is introduced and the compressed gas introduced through the inlet 310 are injected into the injection hole 130 of the first filler 100 and the injection hole 230 of the second filler 200. A third filler 300 sprayed on;
Multi-nozzle for wafer cleaning comprising a.
상기 제1 필러(100)와 제2 필러(200)는, 외경을 따라 나선형 홈이 형성된 스크류부(120, 220); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.The method of claim 1,
The first filler 100 and the second filler 200 may include screw parts 120 and 220 having spiral grooves formed along outer diameters thereof; Multi-nozzle for wafer cleaning comprising a.
상기 유입구(310)를 통해 유입되는 압축가스가 분기되도록 격벽(340)으로 분리되어 상기 제1 필러(100)의 스크류부(120)가 내부에 수용되는 제1 공간부(320)와 상기 제2 필러(200)의 스크류부(220)가 내부에 수용되는 제2 공간부(330)가 형성되며,
상기 제3 필러(300) 내부로 유입되는 압축가스가 제1 필러(100)의 스크류부(120)와 제2 필러(200)의 스크류부(220)에 각각 분사되어 나선형 홈을 따라 회전하면서 상기 제1 세정액과 제2 세정액이 회전하며 분사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.The method of claim 2, wherein the third filler 300,
The first space portion 320 and the second space is separated into the partition wall 340 so that the compressed gas flowing through the inlet 310 is branched to accommodate the screw portion 120 of the first filler 100 therein. A second space portion 330 is formed to accommodate the screw portion 220 of the filler 200 therein,
The compressed gas flowing into the third filler 300 is injected into the screw part 120 of the first filler 100 and the screw part 220 of the second filler 200 and rotates along the spiral groove. Multi-nozzle for wafer cleaning, characterized in that the first cleaning liquid and the second cleaning liquid is rotated and sprayed.
상기 제3 필러(300)의 제1 공간부(320)와 제2 공간부(330)에는, 고압의 가스로 압축하여 분사되도록 상기 스크류부(120, 220)의 단부 외경에 비접촉되는 고압 토출막(321, 331); 이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.The method of claim 3,
The high pressure discharge film which is not in contact with the outer diameters of the end portions of the screw parts 120 and 220 in the first space part 320 and the second space part 330 of the third filler 300 so as to be compressed and injected with high pressure gas. 321, 331; Wafer cleaning multi-nozzle, characterized in that formed.
상기 유입구(110, 210)에 연통되어 세정액이 유입되는 제1 분사홀(130a, 230a); 및
상기 제1 분사홀(130a, 230a)에 연통되며 제1 분사홀(130a, 230a) 보다 작은 내경으로 이루어져 세정액을 고압으로 압축하는 제2 분사홀(130b, 230b);
을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.The method of claim 1, wherein the injection holes 130, 230,
First injection holes 130a and 230a communicating with the inlets 110 and 210 to introduce a cleaning liquid; And
Second injection holes (130b, 230b) communicating with the first injection holes (130a, 230a) and having an inner diameter smaller than the first injection holes (130a, 230a) to compress the cleaning liquid at high pressure;
Multi-nozzle for wafer cleaning comprising a.
상기 분사홀(130, 230)의 하단에 형성되며, 분사되는 세정액을 고압으로 압축하면서 분사방향을 결정하는 노즐부(131, 231);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.The method of claim 1,
A nozzle unit (131, 231) formed at a lower end of the injection holes (130, 230) to determine the injection direction while compressing the cleaning liquid to be injected at high pressure;
Multi-nozzle for wafer cleaning comprising a.
상기 분사홀(130, 230)에 대해 일정 각도로 이루어지며, 서로 이격형성된 복수의 노즐(131a, 131b, 231a, 231b)을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.The method of claim 6, wherein the nozzle unit (131, 231),
A plurality of nozzles (131a, 131b, 231a, 231b) are formed at a predetermined angle with respect to the injection hole (130, 230) spaced apart from each other.
상기 일정 각도는, 30 내지 40°인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 멀티 노즐.The method of claim 7, wherein
The said predetermined angle is 30-40 degrees wafer cleaning multi nozzle characterized by the above-mentioned.
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