KR100930579B1 - Nozzle for cleaning - Google Patents

Nozzle for cleaning Download PDF

Info

Publication number
KR100930579B1
KR100930579B1 KR1020090029120A KR20090029120A KR100930579B1 KR 100930579 B1 KR100930579 B1 KR 100930579B1 KR 1020090029120 A KR1020090029120 A KR 1020090029120A KR 20090029120 A KR20090029120 A KR 20090029120A KR 100930579 B1 KR100930579 B1 KR 100930579B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
cleaning
injection hole
cleaning solution
gas
Prior art date
Application number
KR1020090029120A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김태경
지현
Original Assignee
엔씨케이(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔씨케이(주) filed Critical 엔씨케이(주)
Priority to KR1020090029120A priority Critical patent/KR100930579B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100930579B1 publication Critical patent/KR100930579B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/005—Nozzles or other outlets specially adapted for discharging one or more gases

Abstract

PURPOSE: A nozzle for cleaning is provided to remove contaminant absorbed on a wafer having a complex micro-pattern by forming a nozzle which is movable to spray a cleaning liquid a rotating body. CONSTITUTION: In a nozzle for cleaning, a first filler(11) is formed on the one side of a nozzle body(10) and receives the cleaning liquid. A second filler(13) is formed on the other side of the nozzle body and receives gas. A screw bar(20) is formed inside of the nozzle body and it sprays the gas and the cleaning liquid along a spiral groove while rotating the cleaning liquid. A high discharge cover(30) is separated from a screw bar head on end part of the screw bar. A spray hole(21) is installed inside the nozzle body and passes through according to an axial direction. A spray hole comprises a first spray hole(21a) and a second spray hole(21b) into which the cleaning liquid flows .

Description

세정용 노즐{NOZZLE FOR CLEANING}Nozzle for Cleaning {NOZZLE FOR CLEANING}

본 발명은 세정용 노즐에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼, 글라스 등의 세정공정시 사용되는 세정용 노즐에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to cleaning nozzles, and more particularly, to cleaning nozzles used in cleaning processes such as wafers and glass.

일반적으로, 웨이퍼 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 웨이퍼 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다.In general, wafer processing is a source of contaminants, which directly affects device performance and yield. After each process, contaminants on the wafer surface increase exponentially and the yield of semiconductor devices is drastically reduced by these contaminants.

이에, 반도체 소자 공정 중 세정 공정은 웨이퍼 상에 생긴 불순물이나 파티클, 먼지 등을 제거하는 공정으로 반도체 소자 제조 공정의 전 공정 전후에 매우 빈번하게 수행되는 공정이다.Therefore, the cleaning process of the semiconductor device process is a process of removing impurities, particles, dust, etc. generated on the wafer and is very frequently performed before and after the entire process of the semiconductor device manufacturing process.

이러한 웨이퍼 세정 공정은 웨이퍼 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 비율로 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서 웨이퍼 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소자 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정된다. This wafer cleaning process is almost impossible, although the ideal goal is to completely remove all contaminants from the wafer surface. In fact, the main purpose of the wafer cleaning process is before and after each process to reduce the exponentially increasing contaminants to a minimum rate. Therefore, the wafer cleaning process must be performed before and after all processes. Impurities contaminated on the wafer surface during semiconductor device processing can be largely divided into particles, organic contaminants, metal contaminants and natural oxide film. To remove these various contaminants, the wafer is cleaned in a batch process by mixing various cleaning solutions to effectively remove the respective contaminants.

이러한 세정 공정시, 종래에는 세정 용액의 분사를 위해 도 1과 같은 분사형태를 갖는 노즐을 적용하여 웨이퍼 혹은 글라스의 자연 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물을 제거하였다.In this cleaning process, conventionally, a nozzle having an injection form as shown in FIG. 1 is applied to spray a cleaning solution to remove metal contaminants contained in a natural oxide film of a wafer or glass.

그러나, 종래의 노즐은 단순히 세정하고자 하는 대상의 웨이퍼나 글라스 등에 수직분사되는 형태로 작용하므로, 미세패턴과 복잡한 형태의 패턴에서 오염원을 쉽게 제거하지 못하는 문제점이 있었다.However, the conventional nozzle simply acts as a vertical spray on the wafer or glass of the object to be cleaned, and thus there is a problem in that the contamination source is not easily removed from the fine pattern and the complex pattern.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 웨이퍼나 글라스에 흡착ㆍ밀착된 오염물을 제거하는 세정작용을 할 수 있도록 한 세정용 노즐을 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a cleaning nozzle capable of performing a cleaning action for removing contaminants adsorbed and adhered to a wafer or glass.

본 발명의 다른 목적은 세정용 노즐로서 기체에 의해 액체가 이송되어 분사될 수 있도록 한 세정용 노즐을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a cleaning nozzle which allows the liquid to be transported and injected by the gas as the cleaning nozzle.

본 발명의 또 다른 목적은 유입되는 기체를 회전시키고, 그 기체의 회전에 의해 순수의 회전력을 발생시킬 수 있도록 세정용 노즐의 형상을 구성함으로써, 토출 하부의 진공현상에 의한 미립자 부상현상이 발생하여 세정작용을 할 수 있도록 한 세정용 노즐을 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to form a shape of the cleaning nozzle so that the incoming gas rotates and the rotational force of the pure water can be generated by the rotation of the gas. It is to provide a cleaning nozzle that can perform the cleaning action.

본 발명의 또 다른 목적은 미세패턴과 복잡한 형태의 패턴에서도 쉽게 오염원을 제거할 수 있도록 한 세정용 노즐을 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a cleaning nozzle which can easily remove a pollutant even in fine patterns and complex patterns.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 세정용 노즐은, 노즐바디; 상기 노즐바디의 일측에 형성되어 세정 용액이 유입되는 제1 필러(pillar); 상기 노즐바디의 타측에 형성되어 기체가 유입되는 제2 필러; 및 상기 노즐바디의 내부에 설치되고, 축방향을 따라 관통하여 형성된 분사홀로 상기 세정 용액이 유입되어 분사되도록 하고, 상기 유입되는 기체가 외면에 형성된 나선형 홈 을 따라 분사되어 세정 용액이 회전하며 분사되도록 하는 스크류바를 포함한다.Cleaning nozzle according to an aspect of the present invention for achieving the above object, the nozzle body; A first pillar formed on one side of the nozzle body and into which a cleaning solution is introduced; A second filler formed on the other side of the nozzle body and into which gas is introduced; And the cleaning solution is introduced into the nozzle body and penetrates along the axial direction so that the cleaning solution flows into the injection hole, and the incoming gas is sprayed along the spiral groove formed on the outer surface to rotate and spray the cleaning solution. It includes a screw bar.

바람직하게, 상기 분사홀은, 상기 제1 필러와 연결되어 상기 세정 용액이 유입되는 제1 분사홀; 및 상기 제1 분사홀에 연장되어 연결되고, 상기 제1 분사홀의 직경보다 작은 직경을 갖으며, 상기 세정 용액을 고압으로 압축하는 제2 분사홀을 포함한다.Preferably, the injection hole, the first injection hole is connected to the first filler and the cleaning solution is introduced; And a second injection hole extending and connected to the first injection hole, having a diameter smaller than the diameter of the first injection hole, and compressing the cleaning solution at a high pressure.

바람직하게, 상기 스크류바의 단부에 구비된 스크류바 헤드와 이격되게 삽입관통되게 형성되는 고압 토출막을 더 포함하되, 고압의 기체로 압축하여 분사하도록 한다.Preferably, the method further includes a high-pressure discharge membrane formed to be inserted through and spaced apart from the screw bar head provided at the end of the screw bar, to be compressed and injected into a gas of high pressure.

바람직하게, 상기 분사홀의 하단에 연결되어, 상기 분사되는 세정 용액을 고압으로 압축하며 분사 방향을 결정하는 노즐부를 더 포함한다.The nozzle unit may further include a nozzle unit connected to a lower end of the injection hole to compress the sprayed cleaning solution at a high pressure and determine a spray direction.

바람직하게, 상기 노즐부는, 상기 분사홀에 대해 일정 각도를 갖으며, 상기 분사홀을 기준으로 좌우 대칭이 되게 제1, 제2 노즐로 구비된다.Preferably, the nozzle unit has a predetermined angle with respect to the injection hole and is provided as first and second nozzles to be symmetrical with respect to the injection hole.

바람직하게, 상기 노즐부는, 상기 분사홀에 대해 일정 각도를 갖으며, 동일 간격으로 적어도 2개 이상의 노즐을 구비한다.Preferably, the nozzle unit has a predetermined angle with respect to the injection hole, and has at least two nozzles at equal intervals.

바람직하게, 상기 일정 각도는, 30°~ 40°사이의 어느 하나가 된다.Preferably, the predetermined angle is any one between 30 ° and 40 °.

전술한 과제해결 수단에 의해 본 발명은 세정하고자 하는 대상에 세정 용액을 빠르고 고르게 분사할 수 있도록 노즐에 유입되는 기체를 회전시키고, 그 회전되는 기체에 의해 세정 용액이 이송되어 분사되도록 노즐 형상을 구성함으로써, 미 세패턴과 복잡한 형태의 패턴을 갖는 웨이퍼나 글라스에 흡착ㆍ밀착된 오염물을 용이하게 제거할 수 있는 효과가 있다.According to the above-mentioned problem solving means, the present invention is configured to rotate the gas flowing into the nozzle so as to spray the cleaning solution to the object to be cleaned quickly and evenly, and to configure the nozzle shape so that the cleaning solution is transported and sprayed by the rotated gas As a result, there is an effect that the contaminants adsorbed and adhered to the wafer or the glass having the fine pattern and the complex pattern can be easily removed.

또한 노즐로부터 회전하며 분사되는 세정 용액 내외부에 높은 회전력이 발생하며, 내부에서는 기체의 빠른 이송에 따른 벤추리효과가 발생하여 노출 내부의 피대상체 접촉부분에 흡입력이 발생하여 세정 대상체의 이물질이나 식각찌꺼기들이 흡착되지 않도록 분리하여 세정공정에 따른 효과를 극대화할 수 있는 효과가 있다.In addition, a high rotational force is generated inside and outside the cleaning solution sprayed from the nozzle, and inside the venturi effect occurs due to the rapid transport of gas, and suction force is generated at the contact portion of the object inside the exposure. Separation so as not to adsorb has the effect of maximizing the effect of the cleaning process.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하되, 본 발명에 따른 동작 및 작용을 이해하는데 필요한 부분을 중심으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail, focusing on the parts necessary to understand the operation and action according to the present invention.

하기의 설명에서 본 발명의 세정용 노즐의 특정 상세들이 본 발명의 보다 전반적인 이해를 제공하기 위해 나타나 있는데, 이들 특정 상세들 없이 또한 이들의 변형에 의해서도 본 발명이 용이하게 실시될 수 있다는 것은 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.In the following description specific details of the cleaning nozzle of the present invention are presented to provide a more general understanding of the present invention. It is to be understood that the present invention may be readily practiced without these specific details and by modification thereof. It will be apparent to those of ordinary skill in the field.

한편 본 발명의 세정용 노즐은 세정하고자 하는 대상에 세정 용액을 빠르고 고르게 분사할 수 있도록 외부로부터 유입되는 기체를 회전시키고, 그 회전되는 기체에 의해 세정 용액이 이송되어 분사되도록 노즐 형상을 구성함으로써, 미세패턴과 복잡한 형태의 패턴을 갖는 웨이퍼나 글라스에 흡착ㆍ밀착된 오염물을 용이하게 제거할 수 있도록 하는 기술적 구성을 제안한다. 이를 위해 노즐로부터 회전하며 분사되는 세정 용액 내외부에 높은 회전력이 발생하며, 내부에서는 기체의 빠른 이송에 따른 벤추리효과가 발생하여 노출 내부의 피대상체 접촉부분에 흡입력이 발생하여 세정 대상체의 이물질이나 식각찌꺼기들이 흡착되지 않도록 분리하여 세정공정을 수행하도록 하는 기술적 구성을 제안한다.On the other hand, the cleaning nozzle of the present invention by rotating the gas flowing from the outside to quickly and evenly spray the cleaning solution to the object to be cleaned, by configuring the nozzle shape so that the cleaning solution is transported and sprayed by the rotated gas, A technical configuration for easily removing contaminants adsorbed and adhered to a wafer or glass having a fine pattern and a complicated pattern is proposed. To this end, a high rotational force is generated inside and outside the cleaning solution sprayed from the nozzle, and inside the venturi effect occurs due to the rapid transport of gas. The present invention proposes a technical configuration that separates them so that they are not adsorbed and performs a cleaning process.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세정용 노즐 형상을 보인 예시도이다.2 is an exemplary view showing a cleaning nozzle shape according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 세정용 노즐(100)은, 노즐바디(10)와, 제1, 제2 필러(11, 13)와, 스크류바(20) 등을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, the cleaning nozzle 100 according to the present invention includes a nozzle body 10, first and second fillers 11 and 13, a screw bar 20, and the like.

노즐바디(10)는 세정용 노즐의 본체로서, 측면에 제1,제2 필러(11, 13)가 구비될 수 있도록 하며, 스크류바(20)가 삽입될 수 있도록 한다. The nozzle body 10 is a main body of the cleaning nozzle, and the first and second fillers 11 and 13 may be provided on the side, and the screw bar 20 may be inserted.

제1 필러(11)는 노즐바디(10)의 일측에 형성되어, 세정 용액이 유입되도록 하는 수단이 된다. 여기서 세정 용액은 세정하고자 하는 대상물을 세정하기 위한 액체로서, 웨이퍼나 글라스인 경우에 순수가 될 수 있다.The first filler 11 is formed on one side of the nozzle body 10 to serve as a means for introducing the cleaning solution. Here, the cleaning solution is a liquid for cleaning the object to be cleaned, and may be pure water in the case of a wafer or glass.

제2 필러(13)는 노즐바디(10)의 타측에 형성되어, 압축기체가 유입되도록 하는 수단이 된다. 여기서 타측은 제1 필러(11)가 형성된 측면과는 다른 측면이 될 수 있으며, 제1 필러(11)가 형성된 측면 지점의 아랫 지점이 될 수 있다. 또한 제2 필러(13)는 후술되는 스크류바(20)의 외면에 형성된 나선형 홈의 시작 지점에 대응하여 형성되는 것이 바람직하다. 이에 대한 구체적인 이유는 하기에서 설명한다.The second filler 13 is formed on the other side of the nozzle body 10 to serve as a means for allowing the compressor body to flow therein. Here, the other side may be a side different from the side on which the first pillar 11 is formed, and may be a lower point of the side point on which the first pillar 11 is formed. In addition, the second filler 13 is preferably formed corresponding to the starting point of the spiral groove formed on the outer surface of the screw bar 20 to be described later. Specific reasons for this will be described below.

스크류바(20)는 노즐바디(10)의 내부에 설치되고, 축방향을 따라 관통하여 형성된 분사홀(21)로 세정 용액이 유입되어 분사되도록 하고, 유입되는 기체가 외면에 형성된 나선형 홈을 따라 분사되어 세정 용액이 회전하며 분사되도록 한다. 이러한 스크류바(20)의 상세구성은 도 3에 도시된 바와 같다.The screw bar 20 is installed inside the nozzle body 10 to allow the cleaning solution to be injected and injected into the injection hole 21 formed through the axial direction, and the incoming gas is along the spiral groove formed on the outer surface. Spray to cause the cleaning solution to rotate and spray. The detailed configuration of such a screw bar 20 is as shown in FIG.

여기서 분사홀(21)은 제1 필러(11)와 연결되어 세정 용액이 유입되는 제1 분사홀(21a)과, 제1 분사홀(21a)에 연장되어 연결되고, 제1 분사홀(21a)의 직경보다 작은 직경을 갖으며, 세정 용액을 고압으로 압축하는 제2 분사홀(21b)을 포함한다.Here, the injection hole 21 is connected to the first filler 11 and the first injection hole 21a into which the cleaning solution flows, extends and is connected to the first injection hole 21a, and the first injection hole 21a. It has a diameter smaller than the diameter of, and includes a second injection hole (21b) for compressing the cleaning solution at a high pressure.

한편, 세정용 노즐(100)은 스크류바(20)의 단부에 구비된 스크류바 헤드와 이격되게 삽입관통되게 형성되는 고압 토출막(30)을 더 포함함으로써, 이격된 영역을 통해서 고압의 기체로 압축하여 분사가능하도록 한다. On the other hand, the cleaning nozzle 100 further includes a high-pressure discharge film 30 is formed to be inserted through and spaced apart from the screw bar head provided at the end of the screw bar 20, the high pressure gas through the spaced area Compressible and sprayable.

이에 의해, 도 4에 도시된 바와 같이, 고압의 기체를 통해 이송되는 세정 용액의 분사속도를 빠르게 함과 동시에 회전력이 강하게 발생하고, 기체의 빠른 이송에 따른 벤추리효과가 발생하여 노출 내부의 피대상체 접촉부분에 흡입력이 발생하여 세정 대상체의 이물질이나 식각찌꺼기들이 흡착되지 않도록 분리하여 세정공정을 수행할 수 있다.As a result, as shown in FIG. 4, while the injection speed of the cleaning solution conveyed through the high-pressure gas is increased, the rotational force is strongly generated, and the Venturi effect is generated due to the rapid transport of the gas, thereby causing the subject to be exposed. Suction force is generated in the contact portion to separate the foreign matter or etch dregs of the cleaning object to be adsorbed to perform the cleaning process.

상기 분사홀의 하단에 연결되어, 상기 분사되는 세정 용액을 고압으로 압축하며 분사 방향을 결정하는 노즐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용 노즐.And a nozzle unit connected to a lower end of the injection hole to compress the sprayed cleaning solution at high pressure and determine a spray direction.

노즐부(23)는 분사홀(21)에 대해 일정 각도를 갖으며, 분사홀(21)을 기준으로 좌우 대칭이 되게 제1, 제2 노즐(23a, 23b)로 구비될 수 있다. 즉, 첨부된 도 5에 도시된 바와 같다. 또한 분사홀(21)에 대해 일정 각도를 갖으며, 동일 간격으로 적어도 2개 이상의 노즐을 구비할 수 있다. 여기서 일정 각도는 세정공정시 본 발명에 따라 기체에 이송되어 분사되는 세정 용액의 최적 세정 능력을 고려한 실험치 가 된다. 이에 30°~ 40°사이의 어느 하나의 각도가 되며, 바람직하게는 30°가 된다.The nozzle unit 23 may have a predetermined angle with respect to the injection hole 21 and may be provided as the first and second nozzles 23a and 23b to be symmetrical with respect to the injection hole 21. That is, as shown in Figure 5 attached. In addition, it has a predetermined angle with respect to the injection hole 21, it may be provided with at least two nozzles at equal intervals. In this case, the predetermined angle becomes an experimental value considering the optimum cleaning ability of the cleaning solution which is transferred to the gas and sprayed according to the present invention during the cleaning process. This is any angle between 30 ° and 40 °, preferably 30 °.

예컨대, 3개의 노즐로 노즐부(23)가 형성되어야 할 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 120°의 등간격을 갖으며, 분사홀(21)에 대해 30°의 기울기를 갖도록 3개의 노즐을 형성한다.For example, when the nozzle unit 23 is to be formed of three nozzles, as shown in FIG. Form.

한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Meanwhile, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the scope of the following claims, but also by the equivalents of the claims.

도 1은 종래의 세정용 노즐의 분사형태를 보인 예시도.1 is an exemplary view showing a spray form of a conventional cleaning nozzle.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세정용 노즐 형상을 보인 예시도.2 is an exemplary view showing a cleaning nozzle shape according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 있어, 스크류바의 상세구성을 보인 예시도.3 is an exemplary view showing a detailed configuration of a screw bar in FIG.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 세정용 노즐의 분사형태를 보인 예시도.Figure 4 is an exemplary view showing a spray form of the cleaning nozzle according to an embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6은 도 2에 있어, 노즐부를 설명하기 위한 예시도.5 and 6 are exemplary views for explaining a nozzle unit in FIG. 2.

Claims (7)

노즐바디;Nozzle body; 상기 노즐바디의 일측에 형성되어 세정 용액이 유입되는 제1 필러(pillar);A first pillar formed on one side of the nozzle body and into which a cleaning solution is introduced; 상기 노즐바디의 타측에 형성되어 기체가 유입되는 제2 필러; A second filler formed on the other side of the nozzle body and into which gas is introduced; 상기 노즐바디의 내부에 설치되고, 축방향을 따라 관통하여 형성된 분사홀로 상기 세정 용액이 유입되어 분사되도록 하고, 상기 유입되는 기체가 외면에 형성된 나선형 홈을 따라 분사되어 세정 용액이 회전하며 분사되도록 하는 스크류바; 및Installed in the nozzle body, the cleaning solution is introduced into the injection hole formed through the axial direction to be injected, and the inlet gas is injected along the spiral groove formed on the outer surface to rotate the cleaning solution is sprayed Screw bars; And 상기 스크류바의 단부에 구비된 스크류바 헤드와 이격되게 삽입관통되게 형성되는 고압 토출막을 포함하되,It includes a high pressure discharge film is formed to be inserted through spaced apart from the screw bar head provided at the end of the screw bar, 고압의 기체로 압축하여 분사하도록 하는 것을 특징으로 하는 세정용 노즐.The cleaning nozzle, characterized in that to pressurize and pressurize with a gas of high pressure. 제1 항에 있어서, 상기 분사홀은,The method of claim 1, wherein the injection hole, 상기 제1 필러와 연결되어 상기 세정 용액이 유입되는 제1 분사홀; 및A first injection hole connected to the first filler and into which the cleaning solution is introduced; And 상기 제1 분사홀에 연장되어 연결되고, 상기 제1 분사홀의 직경보다 작은 직경을 갖으며, 상기 세정 용액을 고압으로 압축하는 제2 분사홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용 노즐.And a second injection hole extending and connected to the first injection hole and having a diameter smaller than the diameter of the first injection hole and compressing the cleaning solution at a high pressure. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 분사홀의 하단에 연결되어, 상기 분사되는 세정 용액을 고압으로 압축하며 분사 방향을 결정하는 노즐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용 노즐.The cleaning nozzle of claim 1, further comprising a nozzle unit connected to a lower end of the injection hole to compress the sprayed cleaning solution at a high pressure and determine a spray direction. 제4 항에 있어서, 상기 노즐부는,The method of claim 4, wherein the nozzle unit, 상기 분사홀에 대해 일정 각도를 갖으며, 상기 분사홀을 기준으로 좌우 대칭이 되게 제1, 제2 노즐로 구비되는 것을 특징으로 하는 세정용 노즐.Washing nozzle having a predetermined angle with respect to the injection hole, characterized in that provided as the first and second nozzles to be symmetrical with respect to the injection hole. 제4 항에 있어서, 상기 노즐부는,The method of claim 4, wherein the nozzle unit, 상기 분사홀에 대해 일정 각도를 갖으며, 동일 간격으로 적어도 2개 이상의 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정용 노즐.Washing nozzle having a predetermined angle with respect to the injection hole, and at least two or more nozzles at equal intervals. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, 상기 일정 각도는, The method according to claim 5 or 6, wherein the predetermined angle is, 30°~ 40°사이의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 세정용 노즐.The nozzle for cleaning, characterized in that any one of 30 ° to 40 °.
KR1020090029120A 2009-04-03 2009-04-03 Nozzle for cleaning KR100930579B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090029120A KR100930579B1 (en) 2009-04-03 2009-04-03 Nozzle for cleaning

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090029120A KR100930579B1 (en) 2009-04-03 2009-04-03 Nozzle for cleaning

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100930579B1 true KR100930579B1 (en) 2009-12-09

Family

ID=41683982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090029120A KR100930579B1 (en) 2009-04-03 2009-04-03 Nozzle for cleaning

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100930579B1 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104138812A (en) * 2014-07-02 2014-11-12 浙江双屿实业有限公司 Rapid cooling spray head
KR20190143624A (en) 2018-06-21 2019-12-31 김태경 Multi nozzle for cleaning wafer
KR102322992B1 (en) * 2020-07-15 2021-11-09 주식회사 위너스에프에이 A Dispenser
KR102401419B1 (en) 2021-08-18 2022-05-24 김은숙 Dispensing nozzle for semiconductor wafer
CN114669409A (en) * 2022-05-31 2022-06-28 佛山市瑞淇环保设备有限公司 Atomization device
WO2022191393A1 (en) * 2021-03-08 2022-09-15 (주)에이피아이 Spray nozzle apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353202A (en) * 2001-05-29 2002-12-06 Hitachi Ltd Method for fabricating semiconductor device
JP2005166792A (en) 2003-12-01 2005-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing equipment
KR100625318B1 (en) 2004-10-08 2006-09-18 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP2008018400A (en) * 2006-07-14 2008-01-31 Ikeuchi:Kk Two fluid nozzle

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353202A (en) * 2001-05-29 2002-12-06 Hitachi Ltd Method for fabricating semiconductor device
JP2005166792A (en) 2003-12-01 2005-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing equipment
KR100625318B1 (en) 2004-10-08 2006-09-18 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP2008018400A (en) * 2006-07-14 2008-01-31 Ikeuchi:Kk Two fluid nozzle

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104138812A (en) * 2014-07-02 2014-11-12 浙江双屿实业有限公司 Rapid cooling spray head
KR20190143624A (en) 2018-06-21 2019-12-31 김태경 Multi nozzle for cleaning wafer
KR102105950B1 (en) * 2018-06-21 2020-04-29 김태경 Multi nozzle for cleaning wafer
KR102322992B1 (en) * 2020-07-15 2021-11-09 주식회사 위너스에프에이 A Dispenser
WO2022191393A1 (en) * 2021-03-08 2022-09-15 (주)에이피아이 Spray nozzle apparatus
KR20220126007A (en) * 2021-03-08 2022-09-15 (주)에이피아이 Nozzle apparatus
KR102491899B1 (en) 2021-03-08 2023-01-26 (주)에이피아이 Nozzle apparatus
KR102401419B1 (en) 2021-08-18 2022-05-24 김은숙 Dispensing nozzle for semiconductor wafer
CN114669409A (en) * 2022-05-31 2022-06-28 佛山市瑞淇环保设备有限公司 Atomization device
CN114669409B (en) * 2022-05-31 2022-08-02 佛山市瑞淇环保设备有限公司 Atomization device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100930579B1 (en) Nozzle for cleaning
KR101790449B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101099612B1 (en) swing nozzle unit and apparatus for treating substrate with the swing nozzle unit
US8888925B2 (en) Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR100987795B1 (en) Single type substrate treating apparatus and method
JP2014175361A (en) Substrate processing device
JP2007158161A (en) Wafer cleaning device, and wafer cleaning method
KR20150122008A (en) Apparatus for cleaning substrate
JP2010177543A (en) Method and apparatus for processing substrate
KR20110077705A (en) The apparatus and method for cleaning single wafer
KR20100013651A (en) Jet unit and wafer cleaning apparatus having the same
KR102105950B1 (en) Multi nozzle for cleaning wafer
KR100987796B1 (en) Single type substrate treating apparatus and method
JP2009021617A (en) Substrate processing method
KR102427398B1 (en) Piping unit and cleaning apparatus having the same
CN208478292U (en) The anti-locking apparatus of liquid leakage
KR20100046793A (en) Single type substrate treating apparatus and method
KR102342472B1 (en) Apparatus for draining chemical and the method thereof
JP5224876B2 (en) Substrate processing equipment
JP6020626B2 (en) Device Ge substrate cleaning method, cleaning water supply device and cleaning device
JP4347765B2 (en) Substrate processing equipment
KR102143432B1 (en) Swing nozzle unit
TWM548887U (en) Substrate processing apparatus and spray head cleaning device
TWI640369B (en) Substrate processing apparatus, spray head cleaing device and method for cleaning spray head
KR102115173B1 (en) Apparatus for Processing Substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121101

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131119

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141126

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151106

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161110

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171020

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181122

Year of fee payment: 10