KR102247989B1 - Resistance measuring apparatus, substrate test apparatus, test method and method of maintaining jig for test - Google Patents

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KR102247989B1 KR1020150040630A KR20150040630A KR102247989B1 KR 102247989 B1 KR102247989 B1 KR 102247989B1 KR 1020150040630 A KR1020150040630 A KR 1020150040630A KR 20150040630 A KR20150040630 A KR 20150040630A KR 102247989 B1 KR102247989 B1 KR 102247989B1
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Abstract

(과제) 프로브의 양부를 판정하는 것이 용이한 저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 제공한다.
(해결 수단) 도체 패턴 (M) 에 전류 프로브 (Pc1, Pc2), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 접촉시키고, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 의해 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 1 전압 (Vp) 을 취득하고, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 의해 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 와는 역방향의 제 2 전류 (Im) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 2 전압 (Vm) 을 취득하고, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 의해 도체 패턴 (M) 에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 3 전압 (Vo) 을 취득하고, 제 1 전압 (Vp), 제 2 전압 (Vm) 및 제 3 전압 (Vo) 에 기초하여 프로브에 관한 양부를 판정하도록 하였다.
(Problem) A resistance measuring apparatus, a substrate inspection apparatus, an inspection method, and a maintenance method of an inspection jig are provided in which it is easy to determine whether a probe is good or bad.
(Solution means) Current probes Pc1 and Pc2 and voltage probes Pv1 and Pv2 are brought into contact with the conductor pattern M, and the first current Ip is applied to the conductor pattern M by the current probes Pc1 and Pc2. When is allowed to flow, the first voltage Vp measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 is obtained, and the current probes Pc1 and Pc2 provide the conductor pattern M in a direction opposite to the first current Ip. 2 When the current Im is made to flow, the second voltage Vm measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 is acquired, and the current is not allowed to flow through the conductor pattern M by the current probes Pc1 and Pc2. In the state, a third voltage Vo measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 is obtained, and the probe is related to the first voltage Vp, the second voltage Vm, and the third voltage Vo. It was made to judge good or bad.

Figure R1020150040630
Figure R1020150040630

Description

저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법{RESISTANCE MEASURING APPARATUS, SUBSTRATE TEST APPARATUS, TEST METHOD AND METHOD OF MAINTAINING JIG FOR TEST}Resistance measuring apparatus, board inspection apparatus, inspection method, and maintenance method of inspection jig {RESISTANCE MEASURING APPARATUS, SUBSTRATE TEST APPARATUS, TEST METHOD AND METHOD OF MAINTAINING JIG FOR TEST}

본 발명은, 저항 측정을 실시하는 저항 측정 장치, 이 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치, 이들 장치에 사용되는 프로브에 관련된 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resistance measurement device that performs resistance measurement, a substrate inspection device using the resistance measurement device, an inspection method related to a probe used in these devices, and a maintenance method of an inspection jig.

종래부터, 프린트 배선 기판 등의 기판에 형성된 배선 패턴을 검사하기 위해, 배선 패턴의 저항값을 측정하는 것이 실시되고 있다. 배선 패턴의 검사로는, 단선의 유무의 검사는 물론이거니와, 배선 패턴의 폭이 가늘어지거나, 두께가 얇아지거나 하고 있는 단선에 이르지 않은 불량도 검출할 필요가 있다. 이와 같은 단선에 이르지 않은 불량을 검출하기 위해서는, 고정밀도의 저항 측정을 실시할 필요가 있다. 이와 같은 고정밀도의 저항 측정 방법으로서, 4 단자 측정법을 사용한 기판 검사 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Conventionally, in order to inspect a wiring pattern formed on a substrate such as a printed wiring board, measuring the resistance value of the wiring pattern has been performed. In the inspection of the wiring pattern, it is necessary to detect not only the presence or absence of a disconnection, but also a defect that does not lead to a disconnection, such as a thinner wiring pattern or a thinner wiring pattern. In order to detect a defect that has not reached such a disconnection, it is necessary to perform resistance measurement with high accuracy. As such a high-precision resistance measurement method, a substrate inspection apparatus using a four-terminal measurement method is known (see, for example, Patent Document 1).

4 단자 측정법에서는, 저항 측정 지점에 저항 측정용 전류를 흐르게 하기 위한 2 개의 전류 프로브와, 저항 측정 지점의 전압을 측정하기 위한 2 개의 전압 프로브가 사용된다. 이로써, 저항 측정용 전류가 전압 프로브에 흐르지 않으므로, 전압 프로브 자체의 저항에 의한 전압 강하가 저감되어, 고정밀도의 저항 측정이 가능해진다.In the four-terminal measurement method, two current probes for flowing a resistance measurement current to a resistance measurement point and two voltage probes for measuring a voltage at the resistance measurement point are used. Thereby, since the current for resistance measurement does not flow through the voltage probe, the voltage drop due to the resistance of the voltage probe itself is reduced, and high-precision resistance measurement is possible.

일본 공개특허공보 2012-013590호Japanese Patent Application Publication No. 2012-013590

그런데, 시간의 경과와 함께, 상기 서술한 전압 프로브의 프로브 침이나, 프로브 침을 전압계에 접속시키기 위한 전극 등에 산화막이 형성되는 경우가 있다. 프로브 침이나 전극 등에 산화막이 형성되면, 정류 작용과 저항 성분이 발생한다. 그 때문에, 산화막이 형성된 전압 프로브를 사용하여 저항 측정을 실시하면, 저항값의 측정 정밀도가 저하된다. 그리고, 정밀도가 저하된 저항 측정값에 기초하여 기판 검사를 실시하면, 기판의 검사 정밀도가 저하된다. 그 때문에, 산화막이 형성된 전압 프로브는, 클리닝에 의해 산화막을 제거할 필요가 있다.However, with the passage of time, an oxide film may be formed on the probe needle of the above-described voltage probe or the electrode for connecting the probe needle to the voltmeter. When an oxide film is formed on a probe needle or electrode, a rectifying action and a resistance component occur. Therefore, when resistance measurement is performed using a voltage probe having an oxide film formed thereon, the measurement accuracy of the resistance value is lowered. And, if the board|substrate inspection is performed based on the resistance measurement value of which the precision was reduced, the inspection precision of a board|substrate is deteriorated. Therefore, it is necessary to remove the oxide film by cleaning the voltage probe on which the oxide film is formed.

또, 전압 프로브에 발생하는 오차 요인으로는, 산화막 외에 제벡 효과에 의해 발생하는 기전력이 있다. 이 제벡 효과에 의한 기전력과 산화막에 의한 정류 작용은, 모두 극성을 갖고 있기 때문에 이들을 구별하는 것이 어렵다. 그 때문에, 전압 프로브에 산화막이 형성되는 불량이 발생하고 있는 것을 검지하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.Further, as an error factor generated in the voltage probe, there is an electromotive force generated by the Seebeck effect in addition to the oxide film. Since the electromotive force due to the Seebeck effect and the rectifying action due to the oxide film both have polarities, it is difficult to distinguish them. Therefore, there is a problem in that it is difficult to detect that a defect in which an oxide film is formed in the voltage probe has occurred.

본 발명의 목적은, 프로브의 양부를 판정하는 것이 용이한 저항 측정 장치, 이 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치, 프로브에 관련된 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a resistance measuring device in which it is easy to determine whether a probe is good or bad, a substrate inspection device using the resistance measuring device, an inspection method related to a probe, and a maintenance method for an inspection jig.

본 발명에 관련된 저항 측정 장치는, 도체의 저항값을 측정하기 위한 저항 측정 장치로서, 상기 도체에 접촉시키기 위한 제 1 및 제 2 프로브와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득부와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득부와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 도체에 발생하는 제 3 전압을 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 취득하는 제 3 전압 취득부와, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정부를 구비한다.A resistance measuring device according to the present invention is a resistance measuring device for measuring a resistance value of a conductor, and a first and second probe for contacting the conductor, and a predetermined value for the conductor by the first and second probes. A first voltage acquisition unit that acquires a first voltage generated in the conductor when a first current flows, and a second current in a direction opposite to the first current flows through the conductor through the first and second probes. A second voltage acquisition unit that acquires a second voltage generated in the conductor at the time of operation, and a third voltage generated in the conductor in a state in which no current flows through the conductor by the first and second probes. And a third voltage acquisition unit acquired by the first and second probes, and a determination unit that determines whether or not the first and second probes are good or bad based on the first, second, and third voltages.

또, 본 발명에 관련된 검사 방법은, 도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량을 검사하기 위한 검사 방법으로서, 상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정 공정을 포함한다.In addition, the inspection method according to the present invention is an inspection method for inspecting defects related to the first and second probes for contacting a conductor, wherein the first and second probes are brought into contact with the conductor, and a predetermined value is applied to the conductor. A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when the first current of is flowed, and the first current in the conductor by the first and second probes A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when flowing a second current in the reverse direction, and not allowing a current to flow through the conductor by the first and second probes. In a state, a third voltage acquisition process of acquiring a third voltage measured by the first and second probes, and on the first and second voltage probes based on the first, second and third voltages. It includes a judgment step of determining good or bad.

또, 본 발명에 관련된 검사용 지그의 메인터넌스 방법은, 도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그의 메인터넌스 방법으로서, 상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정하는 판정 공정을 포함한다.In addition, the maintenance method for an inspection jig according to the present invention is a maintenance method for an inspection jig including first and second probes for contacting a conductor, wherein the first and second probes are brought into contact with the conductor, A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when a predetermined first current is passed through the conductor, and the second voltage is applied to the conductor by the first and second probes. A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current in a direction opposite to that of the first current flows, and a current to the conductor by the first and second probes. A third voltage acquisition process of acquiring a third voltage measured by the first and second probes while not flowing, and cleaning of the inspection jig based on the first, second and third voltages It includes a determination process to determine whether or not it is necessary.

이들 저항 측정 장치, 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법에 의하면, 저항을 측정하고자 하는 도체에 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 도체에 발생하는 제 1 전압과, 도체에 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 도체에 발생하는 제 2 전압과, 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서 도체에 발생하는 제 3 전압이 제 1 및 제 2 프로브를 사용하여 취득된다. 이 제 1, 제 2 및 제 3 전압은, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 있지 않으면, 제 1 전압과 제 3 전압 사이의 관계와, 제 2 전압과 제 3 전압 사이의 관계가 대칭적인 특성을 나타낸다. 한편, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 되면, 산화막의 정류 작용에 의해 제 1 전압과 제 3 전압 사이의 관계와, 제 2 전압과 제 3 전압 사이의 관계의 대칭성이 흐트러진다. 따라서, 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 용이하게 판정할 수 있다. 또, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 된 경우, 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그를 클리닝할 필요가 있는 것으로 생각된다. 그래서, 판정부는, 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정할 수 있다.According to these resistance measuring devices, inspection methods, and maintenance methods of inspection jigs, the first voltage generated in the conductor when the first current is passed through the conductor to be measured resistance and the first current in the conductor are reversed. A second voltage generated in the conductor when the second current is passed and a third voltage generated in the conductor in a state in which no current flows through the conductor are obtained using the first and second probes. The first, second, and third voltages are symmetrical in relation between the first voltage and the third voltage, and the relationship between the second voltage and the third voltage, unless an oxide film is formed on the first and second probes. Exhibits a characteristic characteristic. On the other hand, when an oxide film is formed on the first and second probes and becomes a defective state, the symmetry of the relationship between the first voltage and the third voltage and the relationship between the second voltage and the third voltage is disturbed by the rectifying action of the oxide film. All. Therefore, it is possible to easily determine whether the first and second probes are good or bad based on the first, second, and third voltages. In addition, when an oxide film is formed on the first and second probes, resulting in a defective state, it is considered that it is necessary to clean the inspection jig including the first and second probes. Thus, the determination unit can determine whether or not cleaning of the inspection jig is necessary based on the first, second, and third voltages.

또, 상기 제 1 프로브는, 상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 전류 프로브와, 상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 전압 프로브를 포함하고, 상기 제 2 프로브는, 상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 2 전류 프로브와, 상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 2 전압 프로브를 포함하고, 상기 제 1 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 1 전압을 취득하고, 상기 제 2 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 2 전압을 취득하고, 상기 제 3 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 3 전압을 취득하는 것이 바람직하다.In addition, the first probe includes a first current probe for flowing a current through the conductor, and a first voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current, and the second probe includes the A second current probe for flowing a current through a conductor, and a second voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current, and the first voltage acquisition unit comprises: between the first and second current probes The first voltage measured by the first and second voltage probes is acquired when the first current is passed to, and the second voltage acquisition unit includes the first current between the first and second current probes. Acquires the second voltage measured by the first and second voltage probes when a second current in a direction opposite to and flows, and the third voltage acquisition unit receives a current between the first and second current probes. It is preferable to acquire the third voltage measured by the first and second voltage probes in a state in which no flow is made.

이 구성에 의하면, 제 1 및 제 2 전류 프로브와, 제 1 및 제 2 전압 프로브를 구비하고, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정이 가능한 저항 측정 장치에 있어서, 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 용이하게 판정할 수 있다.According to this configuration, in a resistance measuring device comprising the first and second current probes, and the first and second voltage probes, and capable of measuring resistance by a four-terminal measurement method, the quality of the first and second voltage probes Can be easily determined.

또, 상기 판정부는, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면 상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는 것이 바람직하다.Further, the determination unit includes a first point represented by the first current and the first voltage, and a second point represented by the second current and the second voltage on a two-dimensional plane using the current and the voltage as parameters. When the point and the third point indicated by the current value of zero and the third voltage are not disposed on a substantially straight line, it is preferable to determine that there is a defect relating to the first and second probes.

이 구성에 의하면, 제 1, 제 2 및 제 3 전압은, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 있지 않으면, 전류와 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면 상에서 직선 상에 배치된다. 한편, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 되면, 산화막의 정류 작용에 의해 제 1, 제 2 및 제 3 점은 직선 상에 배치되지 않게 된다. 그래서, 판정부는, 제 1, 제 2 및 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 용이하게 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정할 수 있다.According to this configuration, the first, second, and third voltages are arranged on a straight line on a two-dimensional plane with current and voltage as parameters, unless an oxide film is formed on the first and second probes. On the other hand, when an oxide film is formed on the first and second probes and becomes a defective state, the first, second and third points are not disposed on a straight line due to the rectifying action of the oxide film. Thus, when the first, second, and third points are not disposed on a substantially straight line, the determination unit can easily determine that there is a defect relating to the first and second probes.

또, 상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등한 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the first current and the second current have an absolute value equal to each other.

이 구성에 의하면, 판정부에 의한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부의 판정 처리를 간소화하는 것이 용이해진다.According to this configuration, it becomes easy to simplify the determination process of the good or bad with respect to the first and second probes by the determination unit.

또, 상기 판정부는, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정해도 된다.In addition, the determination unit, a difference between a first difference value, which is a difference between the first voltage and the third voltage, and a second difference value, which is a difference between the second voltage and the third voltage, exceeds a preset determination threshold value. If so, it may be determined that there is a defect relating to the first and second probes.

이 구성에 의하면, 제 1 전류와 제 2 전류는, 절대값이 서로 동등하고 방향이 반대인 전류가 된다. 이 경우, 제 1, 제 2 및 제 3 점이 직선 상에 배치되어 있으면, 제 1 차분값과 제 2 차분값은 동등해진다. 따라서, 제 1 차분값과 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하여 커졌을 때, 용이하게 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정할 수 있다.According to this configuration, the first current and the second current are currents whose absolute values are equal to each other and whose directions are opposite. In this case, if the first, second, and third points are arranged on a straight line, the first difference value and the second difference value become equal. Accordingly, when the difference between the first difference value and the second difference value becomes larger than the preset determination threshold value, it can be easily determined that there is a defect relating to the first and second probes.

또, 본 발명에 관련된 기판 검사 장치는, 상기 서술한 저항 측정 장치와, 기판에 형성된 배선 패턴을 상기 도체로 하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정된 전압에 기초하여, 상기 기판의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비한다.Further, the substrate inspection apparatus according to the present invention performs inspection of the substrate based on the voltage measured by the first and second probes using the above-described resistance measuring apparatus and a wiring pattern formed on the substrate as the conductor. It has a board|substrate inspection part to perform.

이 구성에 의하면, 기판 검사에 사용하는 프로브의 양부를 용이하게 판정할 수 있다.According to this configuration, it is possible to easily determine whether or not the probe used for inspection of the substrate is good or bad.

이와 같은 구성의 저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 및 검사 방법은, 프로브의 양부를 용이하게 판정할 수 있다.The resistance measuring apparatus, the substrate inspection apparatus, and the inspection method having such a configuration can easily determine whether the probe is good or bad.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 구비한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법을 사용한 기판 검사 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트.
도 3 은, 전압 프로브에 발생하는 산화막을 설명하기 위한 등가 회로도.
도 4 는, 검사 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트. (a) 는 전압 프로브 (P) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다.
도 5 는, 판정부에 의한 판정 방법을 설명하기 위한 설명도. (a) 는 전압 프로브 (P) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다.
도 6 은, 기판 검사 장치의 다른 예를 나타내는 블록도.
1 is a block diagram showing an example of a configuration of a substrate inspection device including a resistance measuring device according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus using the inspection method according to the embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram for explaining an oxide film generated in a voltage probe.
4 is a timing chart for explaining an inspection method. (a) shows a case where the voltage probe P is a good product (no oxide film is formed), and (b) shows a case where the voltage probe is defective (an oxide film is formed).
5 is an explanatory diagram for explaining a determination method by a determination unit. (a) shows a case where the voltage probe P is a good product (no oxide film is formed), and (b) shows a case where the voltage probe is defective (an oxide film is formed).
6 is a block diagram showing another example of the substrate inspection apparatus.

이하, 본 발명에 관련된 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 부호를 부여한 구성은 동일한 구성인 것을 나타내고, 그 설명을 생략한다. 도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 구비한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described based on the drawings. In addition, configurations denoted by the same reference numerals in each drawing indicate the same configuration, and the description thereof is omitted. 1 is a block diagram showing an example of a configuration of a substrate inspection apparatus including a resistance measuring device according to an embodiment of the present invention.

도 1 에 나타내는 기판 검사 장치 (1) 는, 정전류원 (2), 전류계 (3), 전압계 (4), 전류 프로브 (Pc1 (제 1 전류 프로브)), 전류 프로브 (Pc2 (제 2 전류 프로브)), 전압 프로브 (Pv1 (제 1 전압 프로브)), 전압 프로브 (Pv2 (제 2 전압 프로브)), 스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 및 제어부 (5) 를 구비하고 있다. 기판 검사 장치 (1) 는, 4 단자 측정법에 의해 저항 측정을 실시하도록 되어 있다.The substrate inspection apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a constant current source 2, an ammeter 3, a voltmeter 4, a current probe (Pc1 (first current probe)), and a current probe (Pc2 (second current probe)). ), a voltage probe (Pv1 (first voltage probe)), a voltage probe (Pv2 (second voltage probe)), a switch (A1, A2, B1, B2, C1, C2), and a control unit 5. The board inspection apparatus 1 is adapted to measure resistance by a four-terminal measurement method.

전류 프로브 (Pc1) 는, 프로브 침 (11), 접속 전극 (12) 및 케이블 (13) 을 구비하고 있다. 전류 프로브 (Pc2) 는, 프로브 침 (21), 접속 전극 (22) 및 케이블 (23) 을 구비하고 있다. 전압 프로브 (Pv1) 는, 프로브 침 (31), 접속 전극 (32) 및 케이블 (33) 을 구비하고 있다. 전압 프로브 (Pv2) 는, 프로브 침 (41), 접속 전극 (42) 및 케이블 (43) 을 구비하고 있다. 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 및 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는, 예를 들어 기판 검사 장치 (1) 나 저항 측정 장치에 대해 탈착 가능한 검사용 지그로서 구성되어 있다.The current probe Pc1 includes a probe needle 11, a connection electrode 12, and a cable 13. The current probe Pc2 is provided with the probe needle 21, the connection electrode 22, and the cable 23. The voltage probe Pv1 includes a probe needle 31, a connection electrode 32, and a cable 33. The voltage probe Pv2 includes a probe needle 41, a connection electrode 42, and a cable 43. The current probes Pc1 and Pc2 and the voltage probes Pv1 and Pv2 are configured as inspection jigs that can be detachable from the substrate inspection apparatus 1 or the resistance measurement apparatus, for example.

프로브 침 (11, 21, 31, 41) 은, 예를 들어 직경이 100 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도인 탄성 (가요성) 을 갖는 와이어상의 접촉자이다. 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 은, 예를 들어 텅스텐, 하이스 강 (SKH), 베릴륨구리 (Be-Cu) 등의 금속과 그 밖의 도전체로 형성되어 있다.The probe needles 11, 21, 31, 41 are, for example, wire-shaped contacts having elasticity (flexibility) having a diameter of about 100 µm to 200 µm. The probe needles 11, 21, 31, 41 are formed of, for example, tungsten, hight steel (SKH), beryllium copper (Be-Cu), and other metals and other conductors.

프로브 침 (11, 31) 의 선단부는, 도체 패턴 (M) 의 일방 단부 (M1) 에 접촉된다. 프로브 침 (21, 41) 의 선단부는, 도체 패턴 (M) 의 타방 단부 (M2) 에 접촉된다. 도 1 에 있어서는, 도체 패턴 (M) 을 개념적으로 기재하고 있다. 도체 패턴 (M) 은, 검사 대상이 되는 기판의 배선 패턴이어도 되고, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 검사하기 위한 검사용 도체여도 된다.The tip portions of the probe needles 11 and 31 are in contact with one end portion M1 of the conductor pattern M. The tip ends of the probe needles 21 and 41 are in contact with the other end portion M2 of the conductor pattern M. In Fig. 1, the conductor pattern M is conceptually described. The conductor pattern M may be a wiring pattern of a substrate to be inspected, or may be an inspection conductor for inspecting the voltage probes Pv1 and Pv2.

접속 전극 (12, 22, 32, 42) 은, 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 을 케이블 (13, 23, 33, 43) 에 접속시키기 위한 전극이다. 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 의 후단부는, 접속 전극 (12, 22, 32, 42) 에 맞닿아 접속 전극 (12, 22, 32, 42) 과 접촉하도록 되어 있다.The connection electrodes 12, 22, 32, 42 are electrodes for connecting the probe needles 11, 21, 31, 41 to the cables 13, 23, 33, 43. The rear end portions of the probe needles 11, 21, 31, 41 come into contact with the connection electrodes 12, 22, 32, 42 and come into contact with the connection electrodes 12, 22, 32, 42.

스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 는, 예를 들어 트랜지스터 등의 반도체 스위치나, 릴레이 스위치 등, 여러 가지 스위칭 소자이다. 스위치 (A1, A2, B1, B2) 는, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 흐르게 하는 전류의 방향을 전환하기 위한 전환 스위치이다. 스위치 (C1, C2) 는, 프로브 침 (31, 41) 의 전압계 (4) 에 대한 접속의 유무를 전환한다. 스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 는, 제어부 (5) 로부터의 제어 신호에 따라 온, 오프가 된다.The switches A1, A2, B1, B2, C1, C2 are various switching elements such as semiconductor switches such as transistors and relay switches. The switches A1, A2, B1, and B2 are changeover switches for switching the direction of the current flowing through the conductor pattern M through the current probes Pc1 and Pc2. The switches C1 and C2 switch the presence or absence of connection of the probe needles 31 and 41 to the voltmeter 4. The switches A1, A2, B1, B2, C1, C2 are turned on and off according to a control signal from the control unit 5.

정전류원 (2) 은, 도체 패턴 (M) 에 일정한 전류를 흐르게 하는 정전류 회로이다. 전류계 (3) 는, 정전류원 (2) 으로부터 도체 패턴 (M) 에 공급되는 전류값을 측정한다. 정전류원 (2) 은, 예를 들어 전류계 (3) 에 의해 측정되는 전류값이 미리 설정된 측정용 전류값 (Is) 이 되도록 출력 전류를 조절함으로써, 일정한 측정용 전류값 (Is) 의 측정용 전류를 출력한다. 측정용 전류값 (Is) 은, 예를 들어 20 ㎃ 로 되어 있다.The constant current source 2 is a constant current circuit that causes a constant current to flow through the conductor pattern M. The ammeter 3 measures a current value supplied from the constant current source 2 to the conductor pattern M. The constant current source 2 adjusts the output current so that the current value measured by the ammeter 3 becomes a preset measurement current value Is, for example, so that the measurement current of a constant measurement current value Is Prints. The measurement current value Is is, for example, 20 mA.

프로브 침 (11) 은, 접속 전극 (12), 케이블 (13) 및 스위치 (A1) 를 통하여 정전류원 (2) 의 일방의 출력 단자에 접속됨과 함께, 접속 전극 (12), 케이블 (13), 스위치 (B1) 및 전류계 (3) 를 통하여 정전류원 (2) 의 타방의 출력 단자에 접속되어 있다. 프로브 침 (21) 은, 접속 전극 (22), 케이블 (23) 및 스위치 (B2) 를 통하여 정전류원 (2) 의 일방의 출력 단자에 접속됨과 함께, 접속 전극 (22), 케이블 (23), 스위치 (A2) 및 전류계 (3) 를 통하여 정전류원 (2) 의 타방의 출력 단자에 접속되어 있다.The probe needle 11 is connected to one output terminal of the constant current source 2 through the connection electrode 12, the cable 13, and the switch A1, and the connection electrode 12, the cable 13, It is connected to the other output terminal of the constant current source 2 through the switch B1 and the ammeter 3. The probe needle 21 is connected to one output terminal of the constant current source 2 through a connection electrode 22, a cable 23, and a switch B2, and the connection electrode 22, the cable 23, and It is connected to the other output terminal of the constant current source 2 through the switch A2 and the ammeter 3.

프로브 침 (31) 은, 접속 전극 (32), 케이블 (33) 및 스위치 (C1) 를 통하여 전압계 (4) 의 일방의 입력 단자에 접속되어 있다. 프로브 침 (41) 은, 접속 전극 (42), 케이블 (43) 및 스위치 (C2) 를 통하여 전압계 (4) 의 타방의 입력 단자에 접속되어 있다.The probe needle 31 is connected to one input terminal of the voltmeter 4 via a connection electrode 32, a cable 33, and a switch C1. The probe needle 41 is connected to the other input terminal of the voltmeter 4 via a connection electrode 42, a cable 43, and a switch C2.

전압계 (4) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 검출된 전압을 측정하고, 그 측정값을 제어부 (5) 에 출력한다.The voltmeter 4 measures the voltage detected by the voltage probes Pv1 and Pv2, and outputs the measured value to the control unit 5.

제어부 (5) 는, 예를 들어, 소정의 연산 처리를 실행하는 CPU (Central Processing Unit), 데이터를 일시적으로 기억하는 RAM (Random Access Memory), 소정의 제어 프로그램을 기억하는 ROM (Read Only Memory) 이나 HDD (Hard Disk Drive) 등의 기억부, 및 이들의 주변 회로 등으로 구성되어 있다. 그리고, 제어부 (5) 는, 예를 들어 기억부에 기억된 제어 프로그램을 실행함으로써, 제 1 전압 취득부 (51), 제 2 전압 취득부 (52), 제 3 전압 취득부 (53), 판정부 (54), 저항 산출부 (55) 및 기판 검사부 (56) 로서 기능한다.The control unit 5 includes, for example, a CPU (Central Processing Unit) that executes predetermined arithmetic processing, a RAM (Random Access Memory) that temporarily stores data, and a ROM (Read Only Memory) that stores a predetermined control program. Or a storage unit such as a hard disk drive (HDD), and peripheral circuits thereof. Then, the control unit 5, for example, by executing a control program stored in the storage unit, the first voltage acquisition unit 51, the second voltage acquisition unit 52, the third voltage acquisition unit 53, the plate It functions as the positive and negative 54, the resistance calculating part 55, and the board|substrate inspection part 56.

제 1 전압 취득부 (51) 는, 도체 패턴 (M) 에 전류 프로브 (Pc1) 로부터 전류 프로브 (Pc2) 로 향하는 방향의 제 1 전류 (Ip) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 1 전압 (Vp) 을 취득한다. 제 1 전류 (Ip) 는, 예를 들어 20 ㎃ 로 할 수 있다.The first voltage acquisition unit 51 flows the first current Ip in the direction from the current probe Pc1 to the current probe Pc2 through the conductor pattern M by the voltage probes Pv1 and Pv2. The measured first voltage Vp is obtained. The first current Ip can be, for example, 20 mA.

제 2 전압 취득부 (52) 는, 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 와는 역방향의 전류 프로브 (Pc2) 로부터 전류 프로브 (Pc1) 로 향하는 방향으로, 제 2 전류 (Im) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 2 전압 (Vm) 를 취득한다. 제 2 전류 (Im) 는, 예를 들어 제 1 전류 (Ip) 와 절대값이 동등하고, 극성이 반대인 -20 ㎃ 로 할 수 있다.The second voltage acquisition unit 52 may have caused the second current Im to flow in a direction from the current probe Pc2 in a direction opposite to the first current Ip to the current probe Pc1 in the conductor pattern M. At this time, the second voltage Vm measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 is obtained. The second current Im can be, for example, -20 mA whose absolute value is the same as that of the first current Ip and has an opposite polarity.

제 3 전압 취득부 (53) 는, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 사이에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 3 전압 (Vo) 을 취득한다.The third voltage acquisition unit 53 acquires the third voltage Vo measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 in a state in which no current flows between the current probes Pc1 and Pc2.

판정부 (54) 는, 제 1 전압 (Vp) 과 제 3 전압 (Vo) 의 차이의 절대값인 제 1 차분값 (Vd1) 과, 제 2 전압 (Vm) 과 제 3 전압 (Vo) 의 차이의 절대값인 제 2 차분값 (Vd2) 의 차이인 차분값 (Vd (= Vd1 - Vd2)) 이 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 초과하였을 때, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 관한 불량이 있는 것으로 판정한다.The determination unit 54 includes a first difference value Vd1, which is an absolute value of the difference between the first voltage Vp and the third voltage Vo, and the difference between the second voltage Vm and the third voltage Vo. When the difference value (Vd (= Vd1-Vd2)), which is the difference between the second difference value (Vd2), which is the absolute value of, exceeds the preset determination threshold value (Vth), a defect with respect to the voltage probes Pv1, Pv2 It is determined that there is.

또한, 판정부 (54) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 포함하는 검사 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정해도 된다.Further, the determination unit 54 may determine whether or not cleaning of the inspection jig including the voltage probes Pv1 and Pv2 is necessary.

저항 산출부 (55) 는, 도체 패턴 (M) 의 저항값 (Rx) 을 제 1 전압 (Vp), 제 2 전압 (Vm), 제 1 전류 (Ip) 및 제 2 전압 (Vm) 에 기초하여 산출한다. 구체적으로는, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값이 동등할 때, 그 전류값을 Ia 로 하면, 저항 산출부 (55) 는, 하기의 식 (1) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 산출할 수 있다.The resistance calculator 55 calculates the resistance value Rx of the conductor pattern M based on the first voltage Vp, the second voltage Vm, the first current Ip, and the second voltage Vm. Calculate. Specifically, when the absolute values of the first current Ip and the second current Im are equal, if the current value is Ia, the resistance calculation unit 55 is based on the following equation (1). The resistance value Rx can be calculated.

Rx = (Vp - Vm)/(Ia × 2) = (Vp - Vm)/(20 ㎃ × 2)…(1)Rx = (Vp-Vm)/(Ia × 2) = (Vp-Vm)/(20 ㎃ × 2)... (One)

또, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 의 내부 저항 (Ri) 을 미리 정밀하게 측정해 두어, 저항 산출부 (55) 는 내부 저항 (Ri) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 보정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 저항 산출부 (55) 는, 하기의 식 (2) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 산출해도 된다. 식 (2) 에 의하면, 저항값 (Rx) 의 산출 정밀도를 향상시킬 수 있다.Further, it is preferable that the internal resistance Ri of the voltage probes Pv1 and Pv2 is accurately measured in advance, and the resistance calculating unit 55 corrects the resistance value Rx based on the internal resistance Ri. Specifically, the resistance calculation unit 55 may calculate the resistance value Rx based on the following equation (2). According to the formula (2), the calculation accuracy of the resistance value Rx can be improved.

Rx = {(Vp - Vm)/(Ia × 2)} - Ri…(2)Rx = {(Vp-Vm)/(Ia × 2)}-Ri... (2)

기판 검사부 (56) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정된 제 1 전압 (Vp), 제 2 전압 (Vm) 에 기초하여 저항 산출부 (55) 가 산출한 저항값 (Rx) 에 기초하여, 도체 패턴 (M) 이 형성된 기판의 검사를 실시한다. 구체적으로는, 기판 검사부 (56) 는, 예를 들어, 저항값 (Rx) 과 미리 기억부에 기억된 기준값을 비교하여, 저항값 (Rx) 이 기준값을 초과하였을 때, 그 기판을 불량인 것으로 판정한다.The substrate inspection unit 56 is based on the resistance value Rx calculated by the resistance calculating unit 55 based on the first voltage Vp and the second voltage Vm measured by the voltage probes Pv1 and Pv2. Thus, the substrate on which the conductor pattern M is formed is inspected. Specifically, the substrate inspection unit 56 compares the resistance value Rx with a reference value stored in advance in the storage unit, for example, and when the resistance value Rx exceeds the reference value, the substrate is regarded as defective. Judge.

다음으로, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법 또는 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 실행하는 기판 검사 장치 (1) 의 동작에 대해 설명한다. 도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법을 사용한 기판 검사 장치 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 3 은, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 발생하는 산화막을 설명하기 위한 등가 회로이다. 도 3 에 나타내는 등가 회로는, 예를 들어 프로브 침 (31) 의 프로브 후단부 (X1) 와 접속 전극 (32) 의 전극 표면 (X2) 의 접촉부에 산화막이 형성된 경우의 그 접촉 부분을 개념적으로 나타낸 등가 회로이다.Next, the operation of the board|substrate inspection apparatus 1 which implements the inspection method or the maintenance method of the inspection jig concerning one embodiment of the present invention will be described. 2 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus 1 using the inspection method according to the embodiment of the present invention. 3 is an equivalent circuit for explaining an oxide film generated in the voltage probes Pv1 and Pv2. The equivalent circuit shown in FIG. 3 conceptually shows the contact portion when an oxide film is formed in the contact portion between the probe rear end X1 of the probe needle 31 and the electrode surface X2 of the connection electrode 32, for example. It is an equivalent circuit.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 프로브 후단부 (X1) 와 전극 표면 (X2) 의 접촉부에 산화막이 형성되는 불량이 발생하면, 통상적인 접촉 저항 (Rc) 과, 제벡 효과에 의한 열기전력을 일으키는 전원 (Vc) 과 저항 (Rvc) 의 직렬 회로와, 산화막의 정류 작용에 의해 발생하는 다이오드 (Dc) 와 저항 (Rdc) 의 직렬 회로가 병렬로 접속된 등가 회로가 형성된다.As shown in Fig. 3, when a defect occurs in which an oxide film is formed in the contact portion between the rear end of the probe X1 and the electrode surface X2, the power supply for generating thermoelectric power due to the Seebeck effect ( An equivalent circuit in which the series circuit of Vc and the resistor Rvc and the series circuit of the diode Dc and the resistor Rdc generated by the rectifying action of the oxide film are connected in parallel is formed.

이와 같이, 산화막이 형성됨으로써 발생한 정류 작용은, 상기 서술한 식 (1), 식 (2) 에 의해서도 상쇄할 수 없기 때문에, 저항값 (Rx) 의 측정 정밀도가 저하된다. 또, 산화막은, 사후적으로 시간의 경과에 수반하여 형성되기 때문에, 산화막에 의해 발생한 저항 성분은, 미리 측정된 내부 저항 (Ri) 에는 포함되어 있지 않다. 따라서, 저항 산출부 (55) 는, 식 (2) 에 의해서도 산화막의 영향을 배제할 수 없다.In this way, the rectification action generated by the formation of the oxide film cannot be canceled even by the above-described equations (1) and (2), so the measurement accuracy of the resistance value Rx is lowered. Moreover, since the oxide film is formed with the passage of time afterwards, the resistance component generated by the oxide film is not included in the internal resistance Ri measured in advance. Therefore, the resistance calculation unit 55 cannot exclude the influence of the oxide film even by equation (2).

그래서, 기판 검사 장치 (1) 는, 이하의 검사 방법에 의해 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 산화막이 형성되는 불량이 발생하고 있는지의 여부를 검사한다. 이로써, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 산화막이 형성되어 있는 것을 알면, 클리닝에 의해 산화막을 제거하는 것이 가능해진다.Thus, the substrate inspection apparatus 1 inspects whether or not a defect in which an oxide film is formed in the voltage probes Pv1 and Pv2 has occurred by the following inspection method. Thereby, if it is known that the oxide film is formed on the voltage probes Pv1 and Pv2, it becomes possible to remove the oxide film by cleaning.

도 4 는, 이 검사 방법 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다. (a) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다. 실선은 프로브 침 (31) 의 전위를 나타내고, 점선은 프로브 침 (41) 의 전위를 나타내고 있다. 이하, 도 4 를 참조하면서 도 2 에 나타내는 플로우 차트에 대해 설명한다.4 is a timing chart for explaining the inspection method and the maintenance method of the inspection jig. (a) shows the case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are good products (no oxide film is formed), and (b) shows the case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (oxide film is formed). have. The solid line represents the potential of the probe needle 31 and the dotted line represents the potential of the probe needle 41. Hereinafter, the flowchart shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG. 4.

먼저, 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 가 도체 패턴 (M) 의 일방 단부 (M1) 에 접촉되고, 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 가 도체 패턴 (M) 의 타방 단부 (M2) 에 접촉되어 있다.First, the current probe Pc1 and the voltage probe Pv1 are in contact with one end M1 of the conductor pattern M, and the current probe Pc2 and the voltage probe Pv2 are the other end of the conductor pattern M. M2) is in contact.

그리고, 제 3 전압 취득부 (53) 는, 스위치 (A1, A2, B1, B2) 를 오프로 하여 정전류원 (2) 을 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 로부터 떼어내고, 도체 패턴 (M) 에 전류가 흐르지 않도록 한다. 또한, 제 3 전압 취득부 (53) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 전압계 (4) 에 접속시키고, 전압계 (4) 에 의해 제 3 전압 (Vo) 을 측정하게 한다 (스텝 S1 : 타이밍 T1). 이 때, 제 3 전압 (Vo) 으로서 제벡 효과에 의한 기전력이 측정되게 된다.Then, the third voltage acquisition unit 53 turns off the switches A1, A2, B1, B2, removes the constant current source 2 from the current probes Pc1, Pc2, and provides a current to the conductor pattern M. Do not flow. Further, the third voltage acquisition unit 53 turns on the switches C1 and C2 to connect the voltage probes Pv1 and Pv2 to the voltmeter 4, and the third voltage Vo by the voltmeter 4 Is measured (step S1: timing T1). At this time, the electromotive force due to the Seebeck effect is measured as the third voltage Vo.

다음으로, 제 1 전압 취득부 (51) 는, 스위치 (A1, A2) 를 온, 스위치 (B1, B2) 를 오프로 하여 정전류원 (2) 을 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 접속시키고, 정전류원 (2) 으로부터 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 를 흐르게 한다 (타이밍 T2). 그리고, 제 1 전압 취득부 (51) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압계 (4) 에 의해 제 1 전압 (Vp) 을 측정하게 한다 (스텝 S2 : 타이밍 T3).Next, the first voltage acquisition unit 51 turns on the switches A1 and A2 and turns off the switches B1 and B2 to connect the constant current source 2 to the current probes Pc1 and Pc2, and The first current Ip is made to flow from the circle 2 to the conductor pattern M through the current probes Pc1 and Pc2 (timing T2). And the 1st voltage acquisition part 51 makes the 1st voltage Vp measure by the voltmeter 4 by turning on the switches C1 and C2 (step S2: timing T3).

다음으로, 제 2 전압 취득부 (52) 는, 스위치 (A1, A2) 를 오프, 스위치 (B1, B2) 를 온으로 하여 정전류원 (2) 를 역방향으로 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 접속시키고, 정전류원 (2) 으로부터 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 와는 역방향의 제 2 전류 (Im) 를 흐르게 한다 (타이밍 T4). 그리고, 제 2 전압 취득부 (52) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압계 (4) 에 의해 제 2 전압 (Vm) 을 측정하게 한다 (스텝 S3 : 타이밍 T5).Next, the second voltage acquisition unit 52 turns off the switches A1 and A2 and turns on the switches B1 and B2 to connect the constant current source 2 to the current probes Pc1 and Pc2 in the reverse direction. , From the constant current source 2, through the current probes Pc1 and Pc2, a second current Im in a direction opposite to the first current Ip is made to flow through the conductor pattern M (timing T4). Then, the second voltage acquisition unit 52 turns on the switches C1 and C2 to measure the second voltage Vm with the voltmeter 4 (step S3: timing T5).

다음으로, 판정부 (54) 는, 하기의 식 (3), (4), (5) 에 기초하여 차분값 (Vd) 을 산출한다 (스텝 S4).Next, the determination unit 54 calculates the difference value Vd based on the following equations (3), (4), and (5) (step S4).

Vd1 = Vp - Vo …(3)Vd1 = Vp-Vo… (3)

Vd2 = Vo - Vm …(4)Vd2 = Vo - Vm… (4)

Vd =|Vd1 - Vd2| …(5)Vd =|Vd1 - Vd2|… (5)

도 5 는, 판정부 (54) 에 의한 판정 방법을 설명하기 위한 설명도이다. (a) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다. 도 5 에서는, 전류 (I) 를 가로축, 전압 (V) 을 세로축으로 하는 이차원 평면 상에, 제 1 전류 (Ip) 및 제 1 전압 (Vp) 에 의해 나타내는 제 1 점 (P1) 과, 제 2 전류 (Im) 및 제 2 전압 (Vm) 에 의해 나타내는 제 2 점 (P2) 과, 전류값 제로 및 제 3 전압 (Vo) 에 의해 나타내는 제 3 점 (P3) 이 플롯되어 있다.5 is an explanatory diagram for explaining the determination method by the determination unit 54. (a) shows the case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are good products (no oxide film is formed), and (b) shows the case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (oxide film is formed). have. In FIG. 5, on a two-dimensional plane with the current I as the horizontal axis and the voltage V as the vertical axis, the first point P1 represented by the first current Ip and the first voltage Vp, and the second The second point P2 represented by the current Im and the second voltage Vm, and the third point P3 represented by the current value zero and the third voltage Vo are plotted.

전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 일 때에는, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 (L) 상에 배치된다. 한편, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 일 때에는, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되지 않는다.When the voltage probes Pv1 and Pv2 are good products (no oxide film is formed), as shown in Fig. 5(a), the first point P1, the second point P2, and the third point P3 It is disposed on an approximately straight line L. On the other hand, when the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (the oxide film is formed), as shown in Fig. 5(b), the first point P1, the second point P2, and the third point P3 ) Is not placed on a straight line.

따라서, 판정부 (54) 는, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 상에 배치되는지의 여부를 확인하여, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되지 않는 경우에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가, 산화막이 형성된 불량 상태인 것으로 판정할 수 있다.Accordingly, the determination unit 54 checks whether the first point P1, the second point P2, and the third point P3 are arranged on a substantially straight line, and the first point P1, the first point P1, When the two points P2 and the third point P3 are not arranged on a straight line, it can be determined that the voltage probes Pv1 and Pv2 are in a defective state in which an oxide film is formed.

여기서, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값이 서로 동등한 값인 경우, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되면, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 차분값 (Vd1) 과 제 2 차분값 (Vd2) 이 동등해진다. 제 1 차분값 (Vd1) 과 제 2 차분값 (Vd2) 이 동등하면, 식 (5) 로부터 차분값 (Vd) 은 제로가 된다.Here, when the absolute values of the first current Ip and the second current Im are equal to each other, the first point P1, the second point P2, and the third point P3 are arranged on a straight line. , As shown in Fig. 5(a), the first difference value Vd1 and the second difference value Vd2 become equal. If the first difference value Vd1 and the second difference value Vd2 are equal, the difference value Vd becomes zero from the equation (5).

그래서, 판정부 (54) 는, 차분값 (Vd) 과 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 비교하여 (스텝 S5), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 에 이르지 못하면 (스텝 S5 에서 예), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는 양품인 것으로 판정하고 (스텝 S6), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 이상이면 (스텝 S5 에서 아니오), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는 불량인 것으로 판정한다 (스텝 S7). 판정 임계값 (Vth) 은, 전압계 (4) 에 의한 전압 측정 정밀도나 정전류원 (2) 에 의한 출력 전류 정밀도를 고려하여 적절히 설정된다.Therefore, the determination unit 54 compares the difference value Vd with the preset determination threshold value Vth (step S5), and if the difference value Vd does not reach the determination threshold value Vth (at step S5) Yes), the voltage probes Pv1, Pv2 are determined to be good products (step S6), and if the difference value (Vd) is equal to or greater than the determination threshold value (Vth) (No in step S5), the voltage probes Pv1, Pv2 are It is determined that it is defective (step S7). The determination threshold Vth is appropriately set in consideration of the accuracy of voltage measurement by the voltmeter 4 and the accuracy of the output current by the constant current source 2.

또한, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량인 것으로 판정된 경우, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝하여 산화막을 제거할 필요가 있는 것으로 생각된다. 그래서, 판정부 (54) 는, 차분값 (Vd) 과 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 비교하여 (스텝 S5), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 에 이르지 못하면 (스텝 S5 에서 예), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 포함하는 검사 지그를 클리닝할 필요는 없는 것으로 판정하고 (스텝 S6), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 이상이면 (스텝 S5 에서 아니오), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정해도 된다.Further, when it is determined that the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective, it is considered that it is necessary to clean the voltage probes Pv1 and Pv2 to remove the oxide film. Therefore, the determination unit 54 compares the difference value Vd with the preset determination threshold value Vth (step S5), and if the difference value Vd does not reach the determination threshold value Vth (at step S5) Yes), it is determined that it is not necessary to clean the inspection jig including the voltage probes Pv1 and Pv2 (step S6), and if the difference value Vd is equal to or greater than the determination threshold value Vth (No in step S5), You may determine that the voltage probes Pv1 and Pv2 need to be cleaned.

그리고, 판정부 (54) 는, 그 판정 결과를 도시 생략한 표시 장치에 표시함으로써, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량인 것으로 판정된 경우, 혹은 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정된 경우, 사용자는 그 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝하여 산화막을 제거할 수 있으므로, 산화막에 의한 저항 측정 정밀도의 저하나 기판 검사 정밀도의 저하를 해소하는 것이 가능해진다.Then, the determination unit 54 displays the determination result on a display device not shown, so that when it is determined that the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective, it is necessary to clean the voltage probes Pv1 and Pv2. When it is determined that there is, the user can remove the oxide film by cleaning the voltage probes Pv1 and Pv2, so that a decrease in resistance measurement accuracy and a decrease in substrate inspection accuracy due to the oxide film can be eliminated.

또한, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값은 서로 동등한 값이 아니어도 되며, 판정부 (54) 는, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 상에 배치되는지의 여부에 기초하여, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가, 산화막이 형성된 불량 상태인지의 여부를 판정하는 구성으로 해도 된다.In addition, the absolute values of the first current Ip and the second current Im need not be equal to each other, and the determination unit 54 includes the first point P1, the second point P2, and the third Based on whether or not the point P3 is disposed on a substantially straight line, the voltage probes Pv1 and Pv2 may be configured to determine whether or not the oxide film is in a defective state.

또한, 제 1 프로브로서 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 를 구비하고, 제 2 프로브로서 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 를 구비한 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 장치의 예를 나타냈지만, 예를 들어 도 6 에 나타내는 바와 같이, 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 대신에 전류 공급과 전압 측정에 공용되는 제 1 프로브 (Pr1) 를 구비하고, 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 대신에 전류 공급과 전압 측정에 공용되는 제 2 프로브 (Pr2) 를 구비하는 구성으로 해도 된다.In addition, an example of a resistance measuring apparatus according to a four-terminal measurement method including a current probe Pc1 and a voltage probe Pv1 as a first probe, and a current probe Pc2 and a voltage probe Pv2 as a second probe is described. Although shown, for example, as shown in FIG. 6, instead of the current probe Pc1 and the voltage probe Pv1, a first probe Pr1 shared for current supply and voltage measurement is provided, and a current probe Pc2 and Instead of the voltage probe Pv2, it may be configured to include a second probe Pr2 that is used for current supply and voltage measurement.

또, 기판 검사 장치 (1, 1a) 는, 기판 검사부 (56) 를 구비하지 않고, 예를 들어 테스터 등의 저항 측정 장치로서 구성되어 있어도 된다. 또, 반드시 기판 검사 장치 (1, 1a) 나 저항 측정 장치에 제 1 전압 취득부 (51), 제 2 전압 취득부 (52), 제 3 전압 취득부 (53) 및 판정부 (54) 가 내장되는 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 나 이들 프로브를 유지하는 검사 지그를 장치 본체로부터 떼어낼 수 있게 구성하여, 장치 본체로부터 떼어낸 프로브나 검사 지그를 상기 서술한 검사 방법에 의해 검사하도록 해도 된다.Moreover, the board|substrate inspection apparatus 1, 1a may not include the board|substrate inspection part 56, and may be comprised as a resistance measuring apparatus, such as a tester, for example. In addition, the first voltage acquisition unit 51, the second voltage acquisition unit 52, the third voltage acquisition unit 53, and the determination unit 54 are built-in in the substrate inspection apparatus 1, 1a or the resistance measurement apparatus. It is not limited to this example. For example, a voltage probe (Pv1, Pv2) or an inspection jig holding these probes may be configured to be detachable from the device body, and the probe or test jig removed from the device body may be inspected by the above-described inspection method. do.

1, 1a : 기판 검사 장치 (저항 측정 장치)
2 : 정전류원
3 : 전류계
4 : 전압계
5 : 제어부
11, 21, 31, 41 : 프로브 침
12, 22, 32, 42 : 접속 전극
13, 23, 33, 43 : 케이블
51 : 제 1 전압 취득부
52 : 제 2 전압 취득부
53 : 제 3 전압 취득부
54 : 판정부
55 : 저항 산출부
56 : 기판 검사부
A1, A2, B1, B2, C1, C2 : 스위치
Im : 제 2 전류
Ip : 제 1 전류
M : 도체 패턴 (도체)
M1 : 일방 단부
M2 : 타방 단부
P1 : 제 1 점
P2 : 제 2 점
P3 : 제 3 점
Pc1 : 전류 프로브 (제 1 전류 프로브)
Pc2 : 전류 프로브 (제 2 전류 프로브)
Pr1 : 제 1 프로브
Pr2 : 제 2 프로브
Pv1 : 전압 프로브 (제 1 전압 프로브)
Pv2 : 전압 프로브 (제 2 전압 프로브)
Rx : 저항값
Vd : 차분값
Vd1 : 제 1 차분값
Vd2 : 제 2 차분값
Vm : 제 2 전압
Vo : 제 3 전압
Vp : 제 1 전압
Vth : 판정 임계값
1, 1a: board inspection device (resistance measuring device)
2: constant current source
3: ammeter
4: Voltmeter
5: control unit
11, 21, 31, 41: probe needle
12, 22, 32, 42: connection electrode
13, 23, 33, 43: cable
51: first voltage acquisition unit
52: second voltage acquisition unit
53: third voltage acquisition unit
54: judgment unit
55: resistance calculation unit
56: board inspection unit
A1, A2, B1, B2, C1, C2: switch
Im: second current
Ip: first current
M: Conductor pattern (conductor)
M1: one end
M2: the other end
P1: 1st point
P2: 2nd point
P3: 3rd point
Pc1: current probe (first current probe)
Pc2: current probe (second current probe)
Pr1: first probe
Pr2: second probe
Pv1: voltage probe (first voltage probe)
Pv2: voltage probe (second voltage probe)
Rx: resistance value
Vd: difference value
Vd1: first difference value
Vd2: second difference value
Vm: second voltage
Vo: third voltage
Vp: first voltage
Vth: judgment threshold

Claims (8)

도체의 저항값을 측정하기 위한 저항 측정 장치로서,
상기 도체에 접촉시키기 위한 제 1 및 제 2 프로브와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 도체에 발생하는 제 3 전압을 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 취득하는 제 3 전압 취득부와,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정부를 구비하고,
상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등하고,
상기 판정부는, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 저항 측정 장치.
As a resistance measuring device for measuring the resistance value of a conductor,
First and second probes for contacting the conductor,
A first voltage acquisition unit that acquires a first voltage generated in the conductor when a predetermined first current is passed through the conductor by the first and second probes;
A second voltage acquisition unit that acquires a second voltage generated in the conductor when a second current in a direction opposite to the first current flows through the conductor by the first and second probes;
A third voltage acquisition unit for acquiring a third voltage generated in the conductor by the first and second probes in a state in which no current flows through the conductor by the first and second probes;
And a determination unit that determines whether or not the first and second probes are good or bad based on the first, second and third voltages,
The first current and the second current are equal to each other in absolute values of current values,
When a difference between a first difference value, which is a difference between the first voltage and the third voltage, and a second difference value, which is a difference between the second voltage and the third voltage, exceeds a preset determination threshold value. And it is determined that there is a defect with respect to the first and second probes.
도체의 저항값을 측정하기 위한 저항 측정 장치로서,
상기 도체에 접촉시키기 위한 제 1 및 제 2 프로브와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 도체에 발생하는 제 3 전압을 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 취득하는 제 3 전압 취득부와,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정부를 구비하고,
상기 판정부는, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 저항 측정 장치.
As a resistance measuring device for measuring the resistance value of a conductor,
First and second probes for contacting the conductor,
A first voltage acquisition unit that acquires a first voltage generated in the conductor when a predetermined first current is passed through the conductor by the first and second probes;
A second voltage acquisition unit that acquires a second voltage generated in the conductor when a second current in a direction opposite to the first current flows through the conductor by the first and second probes;
A third voltage acquisition unit for acquiring a third voltage generated in the conductor by the first and second probes in a state in which no current flows through the conductor by the first and second probes;
And a determination unit that determines whether or not the first and second probes are good or bad based on the first, second and third voltages,
The determination unit includes a first point represented by the first current and the first voltage, a second point represented by the second current and the second voltage, on a two-dimensional plane using the current and the voltage as parameters, , When a current value of zero and a third point indicated by the third voltage are not arranged on a straight line, it is determined that there is a defect relating to the first and second probes.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 프로브는,
상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 전류 프로브와,
상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 전압 프로브를 포함하고,
상기 제 2 프로브는,
상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 2 전류 프로브와,
상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 2 전압 프로브를 포함하고,
상기 제 1 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 1 전압을 취득하고,
상기 제 2 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 2 전압을 취득하고,
상기 제 3 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 3 전압을 취득하는, 저항 측정 장치.
The method of claim 2,
The first probe,
A first current probe for flowing a current through the conductor,
A first voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current,
The second probe,
A second current probe for flowing a current through the conductor,
A second voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current,
The first voltage acquisition unit acquires the first voltage measured by the first and second voltage probes when the first current flows between the first and second current probes,
The second voltage acquisition unit acquires the second voltage measured by the first and second voltage probes when a second current in a direction opposite to the first current flows between the first and second current probes. and,
The third voltage acquisition unit acquires the third voltage measured by the first and second voltage probes in a state in which no current flows between the first and second current probes.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 저항 측정 장치와,
기판에 형성된 배선 패턴을 상기 도체로 하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정된 전압에 기초하여, 상기 기판의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비한, 기판 검사 장치.
The resistance measuring device according to any one of claims 1 to 3, and
A substrate inspection apparatus comprising a substrate inspection unit that inspects the substrate based on a voltage measured by the first and second probes using a wiring pattern formed on the substrate as the conductor.
도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량을 검사하기 위한 검사 방법으로서,
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정 공정을 포함하고,
상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등하고,
상기 판정 공정은, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 검사 방법.
As an inspection method for inspecting defects related to the first and second probes for contacting a conductor,
A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when the first and second probes are brought into contact with the conductor and a predetermined first current is passed through the conductor; and
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current in a direction opposite to the first current flows through the conductor by the first and second probes; and ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which no current flows through the conductor by the first and second probes; and
A determination step of determining good or bad with respect to the first and second probes based on the first, second and third voltages,
The first current and the second current are equal to each other in absolute values of current values,
In the determination process, a difference between a first difference value, which is a difference between the first voltage and the third voltage, and a second difference value, which is a difference between the second voltage and the third voltage, exceeds a preset determination threshold. In this case, it is determined that there is a defect with respect to the first and second probes.
도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량을 검사하기 위한 검사 방법으로서,
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정 공정을 포함하고,
상기 판정 공정은, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 검사 방법.
As an inspection method for inspecting defects related to the first and second probes for contacting a conductor,
A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when the first and second probes are brought into contact with the conductor and a predetermined first current is passed through the conductor; and
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current in a direction opposite to the first current flows through the conductor by the first and second probes; and ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which no current flows through the conductor by the first and second probes; and
A determination step of determining good or bad with respect to the first and second probes based on the first, second and third voltages,
The determination step includes a first point represented by the first current and the first voltage, and a second point represented by the second current and the second voltage on a two-dimensional plane using the current and the voltage as parameters. And, when the third point indicated by the current value of zero and the third voltage is not disposed on a straight line, it is determined that there is a defect relating to the first and second probes.
도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그의 메인터넌스 방법으로서,
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정하는 판정 공정을 포함하고,
상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등하고,
상기 판정 공정은, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 검사용 지그를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정하는, 검사용 지그의 메인터넌스 방법.
As a maintenance method of a jig for inspection comprising first and second probes for contacting a conductor,
A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when the first and second probes are brought into contact with the conductor and a predetermined first current is passed through the conductor; and
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current in a direction opposite to the first current flows through the conductor by the first and second probes; and ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which no current flows through the conductor by the first and second probes; and
A determination step of determining whether or not cleaning of the inspection jig is necessary based on the first, second and third voltages,
The first current and the second current are equal to each other in absolute values of current values,
In the determination process, a difference between a first difference value, which is a difference between the first voltage and the third voltage, and a second difference value, which is a difference between the second voltage and the third voltage, exceeds a preset determination threshold. In this case, the maintenance method of the inspection jig is determined that the inspection jig needs to be cleaned.
도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그의 메인터넌스 방법으로서,
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정하는 판정 공정을 포함하고,
상기 판정 공정은, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 검사용 지그를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정하는, 검사용 지그의 메인터넌스 방법.
As a maintenance method of a jig for inspection comprising first and second probes for contacting a conductor,
A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when the first and second probes are brought into contact with the conductor and a predetermined first current is passed through the conductor; and
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current in a direction opposite to the first current flows through the conductor by the first and second probes; and ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which no current flows through the conductor by the first and second probes; and
A determination step of determining whether or not cleaning of the inspection jig is necessary based on the first, second and third voltages,
The determination step includes a first point represented by the first current and the first voltage, and a second point represented by the second current and the second voltage on a two-dimensional plane using the current and the voltage as parameters. And, when the third point indicated by the current value of zero and the third voltage is not arranged on a straight line, it is determined that the inspection jig needs to be cleaned.
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