JP2005049314A - Probing test method and probe condition detector - Google Patents

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Hiromitsu Kaneko
博光 金子
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To replace a probe before an inspection result gets unsure, in a probing test method for measuring an electric characteristic by bringing the probe into contact with a terminal of an inspection object. <P>SOLUTION: Monitoring probes 4a-4c are prepared to detect a condition of the measuring probe 1, a monitoring terminal 51 is formed to contact therewith, the monitoring probes 4a-4c are brought into contact with the monitoring terminal 51, and the electric characteristic is measured to detect the condition of the measuring probe 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、プロービングテスト法(検査対象の端子にプローブを接触させて電気的特性を測定する方法)に関する。   The present invention relates to a probing test method (a method of measuring electrical characteristics by bringing a probe into contact with a terminal to be inspected).

プロービングテストは、従来より、分割される前の(多数の半導体チップが形成された状態の)ウエハの各半導体チップや、製品である実装基板の回路について、電気的特性を検査する目的で行われている。例えば、実装基板の場合は、多数本のプローブを検査対象となる回路に合わせて配置したプローブヘッドを用意し、プローブを下側に向けて配置して、その下側に配置した実装基板の端子電極にプローブを接触させて電気的特性を測定している。また、この測定は、検査する実装基板を自動で次々に配置することにより、多数の実装基板について連続的に行っている。   Conventionally, the probing test is performed for the purpose of inspecting the electrical characteristics of each semiconductor chip of the wafer (in a state where a large number of semiconductor chips are formed) before being divided and the circuit of the mounting substrate as a product. ing. For example, in the case of a mounting board, a probe head in which a large number of probes are arranged in accordance with the circuit to be inspected is prepared, the probe is arranged facing downward, and terminals of the mounting board arranged on the lower side A probe is brought into contact with the electrode to measure the electrical characteristics. Further, this measurement is continuously performed on a large number of mounting boards by automatically arranging the mounting boards to be inspected one after another.

また、下記の特許文献1には、プロービングテスト法で使用する半導体チップ用のプローブカードが記載されている。特許文献2には、実装基板に対する実装部品の半田付け不良検出方法として、プローブを使用し、4端子法または3端子法による抵抗測定法を適用する方法が記載されている。特許文献3には、4端子法による抵抗測定方法について記載されている。
特開2002−164104号公報 特開平7−104026号公報 特開平11−118850号公報
Patent Document 1 listed below describes a probe card for a semiconductor chip used in the probing test method. Patent Document 2 describes a method of applying a resistance measurement method by a four-terminal method or a three-terminal method using a probe as a method for detecting a soldering failure of a mounted component with respect to a mounting board. Patent Document 3 describes a resistance measurement method using a four-terminal method.
JP 2002-164104 A JP-A-7-104026 Japanese Patent Laid-Open No. 11-118850

従来のプロービングテスト法において、プローブの交換は、例えば、メーカーから提示された所定の使用回数(品質が保証される限度の使用回数)に達した際や、検査結果がほとんどの製品で不良と判定される等のプローブの劣化が疑われる状態になった時点で行っていた。すなわち、連続使用中にプローブが劣化しつつあるかどうかを検出することは行っていなかった。そのため、実際には良品であるにも関わらず、劣化したプローブで測定されたために不良品と判断される場合もある。したがって、従来のプロービングテスト法には、検査の正確性の点で改善の余地がある。   In the conventional probing test method, probe replacement is determined to be defective for most products, for example, when the specified number of times of use (the number of times of use where the quality is guaranteed) as suggested by the manufacturer is reached. This was done when the probe was suspected of being deteriorated. That is, it has not been detected whether the probe is deteriorating during continuous use. Therefore, although it is actually a non-defective product, it may be judged as a defective product because it is measured with a deteriorated probe. Therefore, the conventional probing test method has room for improvement in terms of inspection accuracy.

なお、上記各特許文献においても、プローブが劣化しつつあるかどうかを検出しながらプロービングテストを行うといった提案はなされていない。   In each of the above patent documents, there is no proposal to perform a probing test while detecting whether or not the probe is deteriorating.

本発明の課題は、プローブが劣化しつつあるかどうかを検出しながらプロービングテストを行うことにより、検査結果が不正確なものとなる前にプローブを交換できるようにすることにある。   An object of the present invention is to perform a probing test while detecting whether or not a probe is deteriorating so that the probe can be exchanged before an inspection result becomes inaccurate.

上記課題を解決するために、本発明は、検査対象の端子にプローブを接触させて電気的特性を測定するプロービングテスト法において、前記測定で使用する測定用プローブの状態を検出するためのモニタ用プローブを用意するとともに、これを接触させるモニタ用端子を検査対象の端子と同じ側に形成し、モニタ用端子にモニタ用プローブを接触させて、これらを含む回路の電気的特性を測定し、この測定値に基づいて測定用プローブの状態を検出することを特徴とするプロービングテスト法を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides a monitoring probe for detecting the state of a measurement probe used in the measurement in a probing test method in which a probe is brought into contact with a terminal to be inspected to measure electrical characteristics. Prepare the probe, and form the monitor terminal that contacts it on the same side as the terminal to be inspected, contact the monitor probe to the monitor terminal, and measure the electrical characteristics of the circuit that includes them. Provided is a probing test method characterized by detecting a state of a measurement probe based on a measurement value.

本発明の方法によれば、測定用プローブが劣化しているかどうかをモニタ用プローブで検出しながらプロービングテストを行うため、検査結果が不正確なものとなる前に測定用プローブを交換することができるようになる。   According to the method of the present invention, since the probing test is performed while detecting whether or not the measurement probe is deteriorated, it is possible to replace the measurement probe before the inspection result becomes inaccurate. become able to.

この方法に含まれる具体的な方法としては、以下の構成(1) 〜(5) を有する方法が挙げられる。
(1):測定用プローブと同じに形成されたモニタ用プローブを3本以上用意する。
(2): (1)のモニタ用プローブと同じ数のモニタ用端子と、これらのモニタ用端子を並列に接続する配線と、からなるモニタ用回路を、検査対象の端子が形成されている面と同一面またはこれと同じ位置に配置される面に形成する。
(3): (1)のモニタ用プローブを、対応する各モニタ用端子に、測定用プローブと測定用端子との間と同じ接触圧で接触させ、所定のモニタ用プローブ間に定常電流を導入して、「前記モニタ用プローブおよびこれに対応するモニタ用端子と、それらの間の配線と、で構成される回路」を流れる電流値を測定する。
(4):その一方で、所定のモニタ用プローブ間の電圧を測定する。
(5): (3)および(4) の測定値から、所定のモニタ用プローブとモニタ用端子との接触抵抗値を算出し、この抵抗値に基づいて、測定用プローブの状態を検出する。
Specific methods included in this method include methods having the following configurations (1) to (5).
(1): Prepare three or more monitoring probes formed in the same manner as the measurement probe.
(2): A monitor circuit comprising the same number of monitor terminals as the monitor probe in (1) and wiring connecting these monitor terminals in parallel is a surface on which the terminals to be inspected are formed. It is formed on the same surface or a surface arranged at the same position.
(3): The monitoring probe of (1) is brought into contact with each corresponding monitoring terminal at the same contact pressure as between the measuring probe and the measuring terminal, and a steady current is introduced between the predetermined monitoring probes. Then, the current value flowing through the “circuit configured by the monitoring probe and the monitoring terminal corresponding to the monitoring probe and the wiring between them” is measured.
(4): On the other hand, the voltage between predetermined monitoring probes is measured.
(5): A contact resistance value between a predetermined monitoring probe and a monitoring terminal is calculated from the measured values of (3) and (4), and the state of the measuring probe is detected based on the resistance value.

この方法では、3端子法、4端子法等の精度の高い抵抗測定方法により、所定のモニタ用プローブとモニタ用端子との接触抵抗が測定される。この接触抵抗の変化がモニタ用プローブの状態の変化を示す(例えば、プローブ先端の表面酸化の度合いが高いと抵抗測定値が高くなる)。また、モニタ用プローブおよびモニタ用端子を、測定用プローブと測定用端子との間と同じ接触圧で接触させている。そのため、この方法によれば、測定用プローブの劣化状態を、モニタ用プローブで精度良く、代用特性として検出することができる。   In this method, the contact resistance between a predetermined monitoring probe and the monitoring terminal is measured by a highly accurate resistance measuring method such as a three-terminal method or a four-terminal method. This change in contact resistance indicates a change in the state of the monitoring probe (for example, the resistance measurement value increases when the degree of surface oxidation at the probe tip is high). Further, the monitoring probe and the monitoring terminal are brought into contact with each other with the same contact pressure as that between the measuring probe and the measuring terminal. Therefore, according to this method, the deterioration state of the measurement probe can be accurately detected as a substitute characteristic with the monitor probe.

本発明はまた、検査対象の端子にプローブを接触させて電気的特性を測定するプロービングテスト装置に付属させて使用される、前記プローブの状態を検出するプローブ状態検出装置であり、前記プローブと同じに形成されたプローブからなるモニタ用プローブと、このモニタ用プローブに接触させるモニタ用端子と、を備え、前記モニタ用プローブおよびモニタ用端子は、前記電気特性測定時に、前記プロービングテスト装置を構成する測定用プローブと測定用端子との間と同じ接触圧で接触するように構成されていることを特徴とするプローブ状態検出装置を提供する。   The present invention is also a probe state detection device for detecting the state of the probe, which is used in association with a probing test device for measuring electrical characteristics by bringing a probe into contact with a terminal to be inspected, and is the same as the probe. And a monitoring terminal to be brought into contact with the monitoring probe, and the monitoring probe and the monitoring terminal constitute the probing test apparatus when measuring the electrical characteristics. Provided is a probe state detection device configured to contact at the same contact pressure between a measurement probe and a measurement terminal.

この装置をプロービングテスト装置に付属させて使用することにより、本発明の方法が容易に実施可能となる。   By using this apparatus attached to a probing test apparatus, the method of the present invention can be easily implemented.

以下、本発明の実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

図1は、この実施形態で行ったプロービングテスト法を示す図である。図2は、この実施形態で形成したモニタ用回路を示す平面図である。   FIG. 1 is a diagram showing a probing test method performed in this embodiment. FIG. 2 is a plan view showing the monitor circuit formed in this embodiment.

この実施形態では、実装基板の回路をプロービングテスト法で検査する方法について説明する。   In this embodiment, a method for inspecting a circuit on a mounting substrate by a probing test method will be described.

図1には、プロービングテスト装置のプローブヘッドの部分を示す。このプローブヘッドは、多数本の測定用プローブ1が実装基板2の回路の端子電極(検査対象の端子)21に合わせて配置されている。各測定用プローブ1は、その基端が板状体3に固定されていて、この板状体3の面から垂直に延びている。   FIG. 1 shows a probe head portion of a probing test apparatus. In this probe head, a large number of measurement probes 1 are arranged in accordance with terminal electrodes (terminals to be inspected) 21 of the circuit of the mounting substrate 2. Each measurement probe 1 has a base end fixed to the plate-like body 3 and extends vertically from the surface of the plate-like body 3.

この板状体3を、実装基板2の回路形成面より大きく形成した。そして、板状体3の、実装基板2の回路形成面から外れる部分3aに、3本のモニタ用プローブ4a〜4cを取り付けた。これらのモニタ用プローブ4a〜4cは、測定用プローブ1と同じ材料で同じ形状に同じ方法で形成されたものである。モニタ用プローブ4a〜4cも、測定用プローブ1と同じに、板状体3の面から垂直に延び、測定用プローブ1と同じ長さだけ板状体3の面から突出するように取り付けた。   The plate-like body 3 was formed larger than the circuit formation surface of the mounting substrate 2. Then, three monitoring probes 4 a to 4 c were attached to a portion 3 a of the plate-like body 3 that is removed from the circuit formation surface of the mounting substrate 2. These monitoring probes 4a to 4c are formed of the same material and in the same shape as the measurement probe 1 by the same method. The monitoring probes 4 a to 4 c were also attached so as to extend vertically from the surface of the plate-like body 3 and to protrude from the surface of the plate-like body 3 by the same length as the measurement probe 1, similarly to the measurement probe 1.

全ての測定用プローブ1からの配線31は、所定の電気的特性を測定できる回路にそれぞれ接続されている。モニタ用プローブ4a〜4cからの配線41は、3端子法による抵抗測定が可能な回路42に接続されている。これらの回路は、板状体3とは別の基板に形成されていてもよいし、板状体3のプローブが延びる側の面に、配線31,41を含めた配線パターンとして形成されていてもよい。   The wirings 31 from all the measurement probes 1 are respectively connected to circuits that can measure predetermined electrical characteristics. The wiring 41 from the monitoring probes 4a to 4c is connected to a circuit 42 capable of measuring resistance by a three-terminal method. These circuits may be formed on a substrate different from the plate-like body 3 or may be formed as a wiring pattern including the wires 31 and 41 on the surface of the plate-like body 3 on which the probe extends. Also good.

モニタ用プローブ4a〜4cを接触させるモニタ用端子51は、実装基板2とは別のモニタ用基板5の一面に形成されている。図2に示すように、このモニタ用基板5には、3個のモニタ用端子51と、これらを並列に接続する配線52と、からなるモニタ用回路50が形成されている。このモニタ用端子51は、実装基板2の端子電極21と同じ材料で同じ厚さに形成されている。   The monitor terminal 51 with which the monitor probes 4 a to 4 c are brought into contact is formed on one surface of the monitor substrate 5 different from the mounting substrate 2. As shown in FIG. 2, the monitor substrate 5 is formed with a monitor circuit 50 including three monitor terminals 51 and wirings 52 connecting them in parallel. The monitor terminal 51 is formed of the same material and the same thickness as the terminal electrode 21 of the mounting substrate 2.

回路42は、電源42aと電流計42bと電圧計42cとを備えている。この電源42aは、モニタ用プローブ4aとモニタ用プローブ4bとの間に定常電流を導入するものである。電流計42bは、モニタ用プローブ4a,4bおよびこれに対応するモニタ用端子51と、それらの間の配線52と、で構成される回路を流れる電流値を測定するものである。電圧計42cは、モニタ用プローブ4b,4c間の電圧(変動)を測定するものである。   The circuit 42 includes a power source 42a, an ammeter 42b, and a voltmeter 42c. The power source 42a introduces a steady current between the monitoring probe 4a and the monitoring probe 4b. The ammeter 42b measures the value of current flowing through a circuit constituted by the monitoring probes 4a and 4b, the monitoring terminals 51 corresponding thereto, and the wiring 52 between them. The voltmeter 42c measures the voltage (variation) between the monitoring probes 4b and 4c.

また、このプロービングテスト装置は、抵抗算出装置43と表示装置44を備えている。この抵抗算出装置43は、電流計42bからの電流測定値Iと、電圧計42cからの電圧測定値Vとが入力され、両測定値により抵抗値Rを算出して、得られた抵抗値Rを表示装置44に出力するように構成されている。   In addition, the probing test apparatus includes a resistance calculation device 43 and a display device 44. The resistance calculation device 43 receives the current measurement value I from the ammeter 42b and the voltage measurement value V from the voltmeter 42c, calculates the resistance value R from both measurement values, and obtains the obtained resistance value R Is output to the display device 44.

このプロービングテスト装置を用い、以下の方法でプロービングテストを行う。   Using this probing test apparatus, a probing test is performed by the following method.

先ず、プローブヘッドを、プローブ1,4a〜4cを下側に向けて配置する。そして、その下側に、検査する実装基板2を、その回路形成面を上に向けて配置し、各測定用プローブ1を対応する端子電極21に所定の接触圧で接触させる。これと同時に、モニタ用基板5を、モニタ用回路50が形成されている面を上に向けて実装基板2の隣の所定位置に同じ高さで配置すると、各モニタ用プローブ4a〜4cが、対応する各モニタ用端子51に前記と同じ接触圧で接触される。   First, the probe head is arranged with the probes 1, 4a to 4c facing downward. Then, the mounting board 2 to be inspected is arranged on the lower side with the circuit forming surface thereof facing up, and each measurement probe 1 is brought into contact with the corresponding terminal electrode 21 with a predetermined contact pressure. At the same time, when the monitor substrate 5 is disposed at the same height at a predetermined position next to the mounting substrate 2 with the surface on which the monitor circuit 50 is formed facing upward, the monitor probes 4a to 4c are Each corresponding monitor terminal 51 is brought into contact with the same contact pressure as described above.

これに伴って、モニタ用プローブ4aとモニタ用プローブ4bとの間に電源42aより定常電流が導入され、モニタ用プローブ4a,4bおよびこれに対応するモニタ用端子51と、それらの間の配線52と、で構成される回路を流れる電流値Iが電流計42bで測定される。また、モニタ用プローブ4b,4c間の電圧値Vが電圧計42cで測定される。そして、電流測定値Iと電圧測定値Vが抵抗算出装置43に出力されて、算出された抵抗値Rが表示装置44に出力される。   Along with this, a steady current is introduced from the power source 42a between the monitoring probe 4a and the monitoring probe 4b, the monitoring probes 4a and 4b and the corresponding monitoring terminals 51, and the wiring 52 between them. The current value I flowing through the circuit constituted by the current meter 42b is measured by the ammeter 42b. Further, the voltage value V between the monitoring probes 4b and 4c is measured by the voltmeter 42c. Then, the current measurement value I and the voltage measurement value V are output to the resistance calculation device 43, and the calculated resistance value R is output to the display device 44.

また、実装基板2とモニタ用基板5を同時に、自動で次々に前記各位置に配置し、前述の端子とプローブとを接触させることを繰り返す。その際に、実装基板2は毎回別のものを配置するが、モニタ用基板5は毎回同じものを配置する。   In addition, the mounting substrate 2 and the monitor substrate 5 are automatically and sequentially arranged at the respective positions, and the above-described terminal and probe are brought into contact with each other. At that time, a different mounting substrate 2 is disposed each time, but the same substrate is disposed each time for the monitor substrate 5.

その結果、毎回別の実装基板2についての電気的特性が検査されると同時に、毎回同じモニタ用端子51と接触されたモニタ用プローブ4bの抵抗値Rが検出されて表示装置44に表示される。この抵抗値は、プローブ先端の表面酸化の度合いに応じた値となるため、この抵抗値によりモニタ用プローブ4bの劣化状態が分かる。そして、モニタ用プローブ4bは測定用プローブ1と同じものとし、モニタ用端子51は測定用端子21と同じ材料で同じ厚さに形成されていて、モニタ用プローブ4bは、対応する各モニタ用端子51に、測定用プローブ1と測定用端子21との間と同じ接触圧で接触させているため、このモニタ用プローブ4bの劣化状態は測定用プローブ1の劣化状態と略同じとなる。   As a result, the electrical characteristics of the different mounting substrate 2 are inspected each time, and at the same time, the resistance value R of the monitoring probe 4b in contact with the same monitoring terminal 51 is detected and displayed on the display device 44. . Since this resistance value is a value corresponding to the degree of surface oxidation at the tip of the probe, the deterioration state of the monitoring probe 4b can be known from this resistance value. The monitor probe 4b is the same as the measurement probe 1, the monitor terminal 51 is formed of the same material and the same thickness as the measurement terminal 21, and each of the monitor probes 4b has a corresponding monitor terminal. 51 is in contact with the measurement probe 1 and the measurement terminal 21 with the same contact pressure, so that the deterioration state of the monitor probe 4b is substantially the same as the deterioration state of the measurement probe 1.

したがって、この実施形態の方法によれば、測定用プローブ1の劣化状態をモニタ用プローブ4bで精度良く検出することができる。これにより、測定用プローブが劣化しているかどうかをモニタ用プローブで検出しながらプロービングテストが行われるため、検査結果が不正確なものとなる前に測定用プローブを交換することができるようになる。   Therefore, according to the method of this embodiment, the deterioration state of the measurement probe 1 can be accurately detected by the monitoring probe 4b. As a result, the probing test is performed while detecting whether or not the measurement probe is deteriorated, so that the measurement probe can be replaced before the inspection result becomes inaccurate. .

なお、この実施形態では、測定用プローブ1が取り付けられている板状物3にモニタ用プローブ4a〜4cを取り付けているが、モニタ用プローブ4a〜4cは、測定用プローブ1が取り付けられている部材とは別の部材に取り付けてもよい。その場合、この別の部材を、測定時にモニタ用プローブ4a〜4cが測定用プローブ1と同じ位置に配置されるように構成する必要がある。   In this embodiment, the monitoring probes 4a to 4c are attached to the plate-like object 3 to which the measuring probe 1 is attached. However, the measuring probes 1 are attached to the monitoring probes 4a to 4c. You may attach to the member different from a member. In that case, it is necessary to configure this other member so that the monitoring probes 4a to 4c are arranged at the same position as the measuring probe 1 at the time of measurement.

また、この実施形態では、モニタ用回路52を、実装基板2とは別のモニタ用基板5の面(検査対象の端子が形成されている面と同じ位置に配置される面)に形成しているが、モニタ用回路52は各実装基板2の回路形成面の端部(検査対象の端子が形成されている面と同一面)等に形成されていてもよい。   Further, in this embodiment, the monitor circuit 52 is formed on the surface of the monitor substrate 5 different from the mounting substrate 2 (surface disposed at the same position as the surface on which the terminals to be inspected are formed). However, the monitor circuit 52 may be formed on an end of the circuit formation surface of each mounting substrate 2 (the same surface as the surface on which the terminals to be inspected are formed) or the like.

また、この実施形態では、実装基板の回路を検査する方法について記載されているが、検査対象はこれに限定されず、本発明の方法は、ウエハ上の半導体チップや、ウエハを分割して得られた半導体チップ等の検査にも適用できる。   In this embodiment, a method for inspecting a circuit on a mounting board is described. However, the inspection object is not limited to this, and the method of the present invention is obtained by dividing a semiconductor chip on a wafer or a wafer. It can also be applied to inspection of semiconductor chips and the like.

また、測定用プローブとモニタ用プローブを同じ部材に取り付け、多数本の測定用プローブを前記部材の中央に配置し、その周囲の互いに離れた複数箇所にモニタ用プローブを配置して、測定用プローブによる検査対象の電気的特性の測定と同時に、前記複数箇所でのモニタ用プローブによる電気的特性の測定を行うようにしてもよい。これにより、多数本の測定用プローブと測定用端子との接触状態が、プローブ取り付け面内で均一になっているか否かを検出することもできる。   In addition, the measurement probe and the monitor probe are attached to the same member, a large number of measurement probes are arranged in the center of the member, and the monitor probes are arranged at a plurality of positions around the periphery of the member. At the same time as the measurement of the electrical characteristics of the inspection object, the electrical characteristics may be measured by the monitoring probes at the plurality of locations. Thereby, it can also be detected whether the contact state of many measurement probes and the measurement terminals is uniform within the probe mounting surface.

実施形態のプロービングテスト法を示す図。The figure which shows the probing test method of embodiment. 実施形態で形成したモニタ用回路を示す図。The figure which shows the circuit for a monitor formed in embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…測定用プローブ、2…実装基板、21…回路の端子電極(検査対象の端子)、3…板状体、31…測定用プローブからの配線、4a〜4c…モニタ用プローブ、41…モニタ用プローブからの配線、42…回路、42a…電源、42b…電流計、42c…電圧計、43…抵抗算出装置、44…表示装置、5…モニタ用基板、50…モニタ用回路、51…モニタ用端子、52…モニタ用回路を構成する配線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Measurement probe, 2 ... Mounting board, 21 ... Circuit terminal electrode (terminal to be inspected), 3 ... Plate body, 31 ... Wiring from measurement probe, 4a-4c ... Monitoring probe, 41 ... Monitor Wiring from the probe for use, 42 ... circuit, 42 a ... power supply, 42 b ... ammeter, 42 c ... voltmeter, 43 ... resistance calculation device, 44 ... display device, 5 ... monitor board, 50 ... monitor circuit, 51 ... monitor Terminal, 52... Wiring constituting a monitor circuit.

Claims (3)

検査対象の端子にプローブを接触させて電気的特性を測定するプロービングテスト法において、
前記測定で使用する測定用プローブの状態を検出するためのモニタ用プローブを用意するとともに、これを接触させるモニタ用端子を検査対象の端子と同じ側に形成し、
モニタ用端子にモニタ用プローブを接触させて、これらを含む回路の電気的特性を測定し、この測定値に基づいて測定用プローブの状態を検出することを特徴とするプロービングテスト法。
In the probing test method in which the probe is brought into contact with the terminal to be inspected and the electrical characteristics are measured,
While preparing a monitor probe for detecting the state of the measurement probe used in the measurement, forming a monitor terminal to contact this on the same side as the terminal to be inspected,
A probing test method characterized in that a monitor probe is brought into contact with a monitor terminal, an electrical characteristic of a circuit including them is measured, and a state of the measurement probe is detected based on the measured value.
測定用プローブと同じに形成されたモニタ用プローブを3本以上用意するとともに、
これらのモニタ用プローブと同じ数のモニタ用端子と、これらのモニタ用端子を並列に接続する配線と、からなるモニタ用回路を、検査対象の端子が形成されている面と同一面またはこれと同じ位置に配置される面に形成し、
これらのモニタ用プローブを、対応する各モニタ用端子に、測定用プローブと測定用端子との間と同じ接触圧で接触させ、
所定のモニタ用プローブ間に定常電流を導入して、前記モニタ用プローブおよびこれに対応するモニタ用端子と、それらの間の配線と、で構成される回路を流れる電流値を測定し、
その一方で、所定のモニタ用プローブ間の電圧を測定し、
これらの測定値から所定のモニタ用プローブとモニタ用端子との接触抵抗を算出し、
この抵抗値に基づいて、測定用プローブの状態を検出することを特徴とする請求項1記載のプロービングテスト法。
Prepare three or more monitoring probes formed in the same way as the measurement probe,
The monitoring circuit comprising the same number of monitoring terminals as these monitoring probes and the wiring connecting these monitoring terminals in parallel is arranged on the same surface as the surface on which the terminals to be inspected are formed, or Formed on the same surface,
These monitoring probes are brought into contact with the corresponding monitoring terminals at the same contact pressure as between the measuring probe and the measuring terminal,
A steady current is introduced between predetermined monitoring probes, and a current value flowing through a circuit constituted by the monitoring probe and a monitoring terminal corresponding to the monitoring probe and a wiring between them is measured,
On the other hand, measure the voltage between the predetermined monitoring probes,
Calculate the contact resistance between a given monitor probe and monitor terminal from these measured values,
2. The probing test method according to claim 1, wherein a state of the measurement probe is detected based on the resistance value.
検査対象の端子にプローブを接触させて電気的特性を測定するプロービングテスト装置に付属させて使用される、前記プローブの状態を検出するプローブ状態検出装置であり、 前記プローブと同じに形成されたプローブからなるモニタ用プローブと、このモニタ用プローブに接触させるモニタ用端子と、を備え、
前記モニタ用プローブおよびモニタ用端子は、前記電気特性測定時に、前記プロービングテスト装置を構成する測定用プローブと測定用端子との間と同じ接触圧で接触するように構成されていることを特徴とするプローブ状態検出装置。
A probe state detection device for detecting the state of the probe, which is used in association with a probing test device that measures electrical characteristics by bringing a probe into contact with a terminal to be inspected, and is formed in the same manner as the probe And a monitoring terminal to be brought into contact with the monitoring probe,
The monitoring probe and the monitoring terminal are configured to contact at the same contact pressure between the measurement probe and the measurement terminal constituting the probing test apparatus when the electrical characteristics are measured. Probe state detection device.
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