KR102247115B1 - 열처리 장치 - Google Patents

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KR102247115B1
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요리히코 와다
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고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤
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Abstract

온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에서도, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시킬 수 있음과 더불어, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시키기 위한 조정 작업을 자동적으로 행할 수 있는 열처리 장치를 제공한다.
[해결 수단] 열처리 장치(1)는, 피처리물(100)을 수용하기 위한 챔버(4)와, 냉각 공기를 챔버(4)에 공급하기 위한 기준 댐퍼(32) 및 서브 댐퍼(31, 33)를 포함하는 매체 공급부(7)와, 기준 댐퍼(32)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 기준으로 하여 서브 댐퍼(31, 33)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 제어하는 제어부(18)를 갖고 있다.

Description

열처리 장치{HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 기판 등 피처리물에 열처리를 행하기 위한, 열처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 하기의 문헌 1 참조). 열처리 장치의 일례로서, 문헌 1에 기재된 열처리 장치는, 단열재에 둘러싸인 히터와, 히터에 둘러싸인 석영관을 갖고 있다. 또, 단열재를 관통하는 파이프가 접속되어 있으며, 이 파이프에 송풍기가 접속되어 있다.
히터의 가열에 의해 석영관 내의 피처리물이 열처리된 후, 송풍기가 동작함으로써, 냉각 공기가 석영관으로 이끌린다. 이것에 의해, 석영관 및 피처리물이 냉각된다. 이때, 송풍기를 제어하는 제어부는, 석영관의 실제 온도와 목표 온도의 편차를 제로로 하도록, 히터의 출력과 송풍기의 풍량을 제어한다. 이와 같이, 석영관의 강제 냉각에 송풍기를 이용하는 구성이 알려져 있다.
일본국 특허 공개 평1-282619호 공보
그런데, 송풍기를 이용하여 석영관 등의 용기를 강제 냉각하는 구성에 있어서, 복수의 댐퍼를 이용하는 구성을 생각할 수 있다. 예를 들어, 이 구성에서는, 송풍기에 접속된 배관은, 복수로 분기한 분기관을 갖고 있다. 그리고, 각 분기관에, 댐퍼가 접속되어 있다. 복수의 댐퍼는, 예를 들어, 용기의 길이 방향을 따른 복수 개소에 송풍기로부터의 냉각 공기를 공급한다. 각 댐퍼는, 예를 들어, 작업원에 의한 수동 조작에 의해, 개도가 조정된다. 그리고, 냉각 공기는, 송풍기로부터 대응하는 댐퍼를 통과한 후, 용기에 닿음으로써, 상기 용기를 냉각한다. 작업원은, 용기의 냉각 속도가 상기 용기의 각부에 있어서 가급적 균등해지도록 하기 위해, 각 댐퍼의 개도를 수동으로 조정한다.
한편, 용기 내에서 열처리되는 피처리물의 내용 및 수량은, 매회 같다고는 할 수 없다. 즉, 용기 내의 피처리물의 합계의 열용량은, 매회 같다고는 할 수 없다. 또, 용기(피처리물)의 목표 냉각 온도 및 냉각 영역도, 매회 같다고는 할 수 없다. 또한, 송풍기를 구동시키는 송풍기 모터의 주파수(예를 들어, 송풍기 모터의 회전 속도)도, 전원의 조건에 따라 상이한 경우가 있다. 이와 같이, 냉각 조건의 차이가 발생한 경우에, 각 댐퍼의 개도를 조정하지 않는 경우, 용기의 각부의 냉각 속도에 불균일이 발생해 버린다.
한편, 냉각 조건의 차이에 관계없이, 용기 및 복수의 피처리물의 전체가 가급적 균등하게 냉각되는 것이, 균일한 열처리를 행하는 관점으로부터 바람직하다. 이로 인해, 냉각 조건에 따라, 작업원은, 각 댐퍼의 개도를 수작업으로 조정한다. 이것에 의해, 각 댐퍼로부터 용기에 닿는 냉각 공기의 유량이 조정되어, 용기 및 피처리물의 보다 균등한 냉각이 실현된다.
이와 같이, 각 댐퍼의 개도 조정 작업이 수작업으로 행해지는 구성에 대해, 자동적인 조정 작업이 실현되는 것이 바람직하다.
본 발명은, 상기 사정을 감안함으로써, 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에서도, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시킬 수 있음과 더불어, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시키기 위한 조정 작업을 자동적으로 행할 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(1) 상기 과제를 해결하기 위해, 이 발명의 어느 국면에 따르는 열처리 장치는, 피처리물의 열처리시에 상기 피처리물을 수용하는 용기와, 온도 조정용의 매체를 상기 용기에 공급하기 위한 기준 밸브 및 서브 밸브를 포함하는 매체 공급부와, 상기 기준 밸브에 의한 상기 매체의 공급 양태를 기준으로 하여, 상기 서브 밸브에 의한 상기 매체의 공급 양태를 제어하는 제어부를 구비하고 있다.
이 구성에 의하면, 제어부에 의해, 서브 밸브에 의한 매체의 공급 양태가 제어된다. 이것에 의해, 피처리물의 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에, 서브 밸브에 의한 매체의 공급 양태를 변경할 수 있다. 그 결과, 피처리물의 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에서도, 피처리물을 보다 균등하게 냉각할 수 있다. 또, 기준 밸브에 의한 매체의 공급 양태를 기준으로 하여, 서브 밸브에 의한 매체의 공급 양태가 제어되는 결과, 서브 밸브의 제어 연산이 발산하는 것을 보다 확실히 억제할 수 있다. 따라서, 피처리물에 대한 보다 정확한 온도 제어가 실현된다. 또, 제어부에 의해 서브 밸브가 제어되므로, 인력에 의한 서브 밸브의 조정 작업이 불필요하다. 이상의 이유로, 본 발명에 의하면, 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에서도, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시킬 수 있음과 더불어, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시키기 위한 조정 작업을 자동적으로 행할 수 있는 열처리 장치를 실현할 수 있다.
(2) 상기 제어부는, 상기 기준 밸브의 개도가 일정한 상태를 기준으로 하여, 상기 서브 밸브의 개도를 제어하는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 제어부는, 서브 밸브의 개도 제어에 있어서, 기준 밸브의 개도를 변경할 필요가 없는 결과, 서브 밸브의 제어에 필요한 연산을 보다 간소하게 할 수 있다. 또, 서브 밸브의 개도 제어에 있어서, 헌팅이 발생하는 것을 보다 확실히 억제할 수 있다.
(3) 상기 제어부는, 상기 용기 중 상기 기준 밸브로부터 상기 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도를 기준으로 하여, 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 공급되는 상기 매체의 유량을 제어하도록 구성되어 있는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 서브 밸브로부터 용기로 공급되는 매체에 의한 용기의 온도 변화 정도를, 기준 밸브로부터 용기로 공급되는 매체에 의한 용기의 온도 변화 정도와 보다 동일하게 할 수 있다.
(4) 상기 제어부는, 상기 용기 중 상기 기준 밸브로부터 상기 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도와, 상기 용기 중 상기 서브 밸브로부터 상기 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도의 편차를 감소시키도록, 상기 서브 밸브의 개도를 제어하는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 용기 중 기준 밸브로부터 상기 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도와, 용기 중 서브 밸브로부터 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도가 보다 동일해지도록, 제어부가 서브 밸브를 제어할 수 있다.
(5) 상기 서브 밸브는 복수 설치되어 있고, 상기 제어부는, 하나의 상기 서브 밸브와 다른 상기 서브 밸브가 상이한 동작을 행하도록 각 상기 서브 밸브를 제어하는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 복수의 서브 밸브의 동작에 의해, 용기의 보다 넓은 영역을 균등하게 온도 변화시킬 수 있다. 또, 용기의 각 영역을, 보다 세심하게 온도 제어할 수 있다.
(6) 상기 제어부는, 비례 제어를 이용하여 각 상기 서브 밸브를 제어하도록 구성되어 있고, 하나의 상기 서브 밸브의 제어 게인과 다른 상기 서브 밸브의 제어 게인을 상이한 값으로 설정하는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 하나의 상기 서브 밸브는, 목표로 하는 매체의 공급 양태를 실현하기 위한 응답 속도를 보다 높게 할 수 있다. 한편, 다른 상기 서브 밸브는, 목표로 하는 매체의 공급 양태를 실현하기 위한 응답 속도를 보다 낮게 할 수 있다. 이와 같이, 목표에 대한 응답 속도가 상이한 서브 밸브를 조합함으로써, 열의 치우침이 발생하기 쉬운 용기에 대해, 보다 균등한 온도 변화를 발생시키는 것이 가능하다.
(7) 상기 매체는, 상기 용기를 냉각하기 위한 냉각 매체이며, 하나의 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치는, 다른 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치보다 높게 설정되어 있고, 상기 제어부는, 하나의 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인을 다른 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인보다 크게 설정하는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 용기의 열은, 상방으로 향하기 때문에, 용기의 상부의 열량은, 용기의 하부의 열량보다 커지는 경향이 있다. 따라서, 용기의 상부측을 냉각하는 하나의 서브 밸브의 제어 게인을 보다 크게 함으로써, 용기의 상부측을 향해, 보다 신속하게 보다 많은 매체를 공급할 수 있다. 이것에 의해, 열이 가득 차기 쉬운 용기의 상부측을 보다 확실히 냉각할 수 있다. 한편, 용기의 하부측을 냉각하는 다른 서브 밸브의 제어 게인을 보다 작게 함으로써, 용기의 하부측을 향해, 급격하게 과도한 매체가 공급되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 열이 비교적 달아나기 쉬운 용기의 하부측이, 용기의 다른 부분보다 먼저 냉각되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 용기의 각부는, 보다 균등하게 냉각된다.
(8) 상기 용기는, 상기 용기의 외부로 개방된 개구부, 및, 상기 용기의 외부에 대해 닫힌 형상의 안쪽부를 포함하고, 상기 매체는, 상기 용기를 냉각하기 위한 냉각 매체이며, 하나의 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치는 상기 개구부 및 상기 안쪽부 중 상기 안쪽부 근처에 설정되어 있음과 더불어, 다른 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치는 상기 개구부 및 상기 안쪽부 중 상기 개구부 근처에 설정되어 있고, 상기 제어부는, 하나의 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인을 다른 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인보다 크게 설정하는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 용기의 열은, 안쪽부에 가득 차기 쉽기 때문에, 용기의 안쪽부의 열량은, 용기의 개구부의 열량보다 커지는 경향이 있다. 따라서, 용기의 안쪽부측을 냉각하는 하나의 서브 밸브의 제어 게인을 보다 크게 함으로써, 용기의 안쪽부측을 향해, 보다 신속하게 보다 많은 매체를 공급할 수 있다. 이것에 의해, 열이 가득 차기 쉬운 용기의 안쪽부측을 보다 확실히 냉각할 수 있다. 한편, 용기의 개구부측을 냉각하는 다른 서브 밸브의 제어 게인을 보다 작게 함으로써, 용기의 개구부측을 향해, 급격하게 과도한 매체가 공급되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 열이 비교적 달아나기 쉬운 용기의 개구부측이, 용기의 다른 부분보다 먼저 냉각되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 용기의 각부는, 보다 균등하게 냉각된다.
(9) 상기 서브 밸브는 복수 설치되어 있고, 각 상기 서브 밸브로부터의 상기 매체의 출구 위치 사이에 상기 기준 밸브로부터의 상기 매체의 출구 위치가 설정되어 있는 경우가 있다.
이 구성에 의하면, 복수의 밸브에 의해, 용기의 보다 넓은 영역을 매체에 의해 보다 균등하게 온도 변화시킬 수 있다. 또, 용기 중 기준 밸브로부터의 매체가 공급되는 개소 이외의 영역에 대해, 기준 밸브로부터의 매체가 공급되는 개소 근처에 배치되는 비율을, 보다 크게 할 수 있다. 그 결과, 용기의 보다 넓은 영역에 대해, 기준 밸브로부터의 매체가 공급되는 개소와의 온도차를 작게 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에서도, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시킬 수 있음과 더불어, 피처리물을 보다 균등하게 온도 변화시키기 위한 조정 작업을 자동적으로 행할 수 있는 열처리 장치를 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따르는 열처리 장치의 일부를 단면으로 도시하는 모식도이며, 열처리 장치를 측방으로부터 본 상태를 도시하고 있다.
도 2는 도 1의 열처리 장치의 주요부를 확대하여 도시하는 도이다.
도 3은 열처리 장치의 냉매 공급부에 설치된 댐퍼의 단면도이며, 댐퍼를 측방으로부터 본 상태를 도시하고 있다.
도 4는 열처리 장치에 있어서의 냉각 동작의 일례를 설명하기 위한 플로차트이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 발명은, 피처리물을 열처리하기 위한 열처리 장치로서 널리 적용할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 따르는 열처리 장치(1)의 일부를 단면으로 도시하는 모식도이며, 열처리 장치(1)를 측방으로부터 본 상태를 도시하고 있다. 도 2는, 도 1의 열처리 장치(1)의 주요부를 확대하여 도시하는 도이다. 도 3은, 열처리 장치(1)의 매체 공급부(7)에 설치된 댐퍼(30)의 단면도이며, 댐퍼(30)를 측방으로부터 본 상태를 도시하고 있다.
도 1을 참조하여, 열처리 장치(1)는, 피처리물(100)에 열처리를 실시하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 열처리 장치(1)는, 피처리물(100)을 향해 가열된 가스를 공급함으로써, 피처리물(100)의 표면에 열처리를 실시하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 또, 열처리 장치(1)는, 매체로서의 공기를 냉각 공기로서 이용하여 피처리물(100)을 강제적으로 냉각하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
피처리물(100)은, 예를 들어, 유리 기판 또는 반도체 기판 등이다.
열처리 장치(1)는, 베이스판(2)과, 히터(3)와, 용기로서의 챔버(4)와, 보트(5)와, 승강 기구(6)와, 매체 공급부(7)를 갖고 있다.
베이스판(2)은, 히터(3) 및 챔버(4)를 지지하는 부재로서 설치되어 있다. 베이스판(2)의 중앙에는, 관통 구멍(2a)이 형성되어 있다. 이 관통 구멍(2a)을 상방으로부터 막도록 하여, 히터(3)가 배치되어 있다.
히터(3)는, 예를 들어 전열 히터이며, 예를 들어, 600℃ 정도까지 기체를 가열하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 히터(3)는, 전체적으로 상자형상으로 형성되어 있다. 히터(3)는, 상하 방향(연직 방향)으로 연장되는 원통형상의 측벽(3a)과, 측벽(3a)의 상단을 막는 천벽(3b)을 갖고 있다. 측벽(3a)의 하단부에는, 하향으로 개방된 개구부가 형성되어 있다. 히터(3)의 측벽(3a)의 하단부는, 베이스판(2)에 의해 받아들여져 있다. 히터(3)로 둘러싸인 공간에, 챔버(4)가 배치되어 있다.
챔버(4)는, 피처리물(100)의 열처리시에 피처리물(100)을 수용하는 용기로서 구성되어 있다. 챔버(4)는, 전체적으로 원통형상으로 형성되어 있다. 챔버(4)의 상단부는, 막혀 있다. 또, 챔버(4)는, 하향으로 개방되어 있다. 챔버(4)의 하단부는, 베이스판(2)에 받아들여져 있다. 챔버(4) 내의 공간은, 베이스판(2)의 관통 구멍(2a)을 통해, 베이스판(2)의 하방의 공간으로 개방되어 있다. 이와 같이, 챔버(4)는, 챔버(4)의 외부로 개방된 개구부(4d)와, 챔버(4)의 외부에 대해 닫힌 형상의 안쪽부(4e)를 포함하고 있다.
열처리 장치(1)에 있어서의 열처리 동작시, 챔버(4) 내의 공간에는, 피처리물(100)이 배치된다. 피처리물(100)은, 예를 들어, 수평으로 배치된 상태로, 보트(5)에 지지된다.
보트(5)는, 피처리물(100)을 챔버(4) 내에 배치하기 위해 설치되어 있다. 보트(5)는, 예를 들어, 상하로 늘어선 복수의 슬롯을 갖고 있으며, 이들 슬롯에, 복수의 피처리물(100)이 유지되어 있다. 보트(5)는, 승강 기구(6)에 의해 지지되고 있고, 승강 기구(6)의 동작에 의해, 피처리물(100)과 더불어 상하 방향으로 변위 가능하다. 이 승강 기구(6)의 동작에 의해, 피처리물(100) 및 보트(5)는, 챔버(4)에 대해 출납된다.
보트(5) 및 피처리물(100)이 챔버(4) 내에 배치된 상태에 있어서, 챔버(4)의 하단부 및 베이스판(2)의 관통 구멍(2a)은, 보트(5)에 연결된 플랜지(8)에 의해 닫힌다. 이것에 의해, 피처리물(100) 및 보트(5)는, 챔버(4) 내에 밀폐된다. 이 상태로, 히터(3)의 가열에 의한 피처리물(100)의 가열이 행해진다. 그리고, 히터(3)에 의한 피처리물(100)의 가열이 완료한 후, 피처리물(100), 보트(5) 및 챔버(4)는, 매체 공급부(7)로부터 공급되는 냉각 공기에 의해 강제적으로 냉각된다.
매체 공급부(7)는, 히터(3)와 챔버(4) 사이에 형성된 공간(10)에, 온도 조정용의 냉각 매체로서의 냉각 공기를 강제적으로 공급함으로써, 챔버(4), 및, 피처리물(100)을 냉각하도록 구성되어 있다. 공간(10)은, 베이스판(2), 상기 베이스판(2) 상에 배치된 챔버(4) 및 히터(3) 사이에 형성된 공간이다. 이 공간(10)은, 챔버(4)의 외주부를 전체 둘레에 걸쳐 둘러싸고 있다. 또, 이 공간(10)은, 챔버(4)의 상단부를 상방으로부터 덮은 공간이다. 또한, 도 1에서는, 냉각 공기의 흐름을 화살표(A1)로 모식적으로 나타내고 있다. 본 실시 형태에서는, 매체 공급부(7)는, 전자 제어에 의해, 공간(10)에 대한 냉각 공기의 공급 양태를 제어하도록 구성되어 있다.
매체 공급부(7)는, 송풍기 유닛(11)과, 공급관(12)과, 매니폴드(13)와, 댐퍼 유닛(14)과, 배기관(15)과, 배기 쿨러(16)와, 센서 유닛(17)과, 제어부(18)를 갖고 있다.
송풍기 유닛(11)은, 히터(3)의 외부에 존재하는 공기를 안에 넣고 상기 공기를 냉각 공기로서 공급관(12)에 공급하기 위해 설치되어 있다.
송풍기 유닛(11)은, 송풍기(21)와, 이 송풍기(21)를 구동시키기 위한 송풍기 모터(22)를 갖고 있다.
송풍기(21)는, 예를 들어, 원심 송풍기이며, 히터(3)의 외부에 존재하는 공기를 빨아 들임과 더불어 상기 공기를 가압하고, 냉각 공기로서 가압 상태로 출력하도록 구성되어 있다. 이 송풍기(21)는, 날개 바퀴(도시 생략)를 갖고 있다. 이 날개 바퀴는, 송풍기 모터(22)의 출력축에 연결되어 있고, 이 송풍기 모터(22)의 구동에 의해 동작한다. 송풍기 모터(22)는, 본 실시 형태에서는, 전동 모터이다. 이 송풍기 모터(22)는, 부여되는 전력의 주파수에 따른 출력을 발생시킨다.
또한, 송풍기(21)에 빨려 들어가는 공기는, 상온이어도 되고, 미리 쿨러(도시 생략)에 의해 냉각되어 있어도 된다. 송풍기(21)의 토출구에, 공급관(12)의 일단이 접속되어 있다.
공급관(12)은, 대략 곧게 연장되는 배관이다. 공급관(12)은, 강체형상의 금속관이어도 되고, 탄성 변형 가능한 플렉시블관이어도 된다. 공급관(12)의 타단은, 매니폴드(13)에 접속되어 있다.
매니폴드(13)는, 댐퍼 유닛(14)의 후술하는 복수의 댐퍼(30)의 각각에 냉각 공기를 분배하기 위해 설치되어 있다. 매니폴드(13)는, 예를 들어, 소정의 직경을 갖는 원통형상의 금속관을 이용하여 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 매니폴드(13)의 양단부가 막혀 있다. 또, 본 실시 형태에서는, 매니폴드(13)는, 공급관(12)이 연장되는 방향과는 대략 직교하는 방향으로 연장되어 있다.
보다 구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 매니폴드(13)는, 상하 방향으로 연장되어 있고, 챔버(4)의 길이 방향과 평행한 방향을 따라 배치되어 있다. 매니폴드(13)는, 히터(3)의 측방(바꾸어 말하면, 챔버(4)의 측방)에 배치되어 있다.
본 실시 형태에서는, 매니폴드(13)의 상단부의 외주부에, 공급관(12)이 접속되어 있다. 상기의 구성에 의해, 공급관(12)을 통과한 냉각 공기는, 매니폴드(13)에 들어간 후, 매니폴드(13) 내를 하방을 향해 진행한다. 그리고, 이 냉각 공기는, 댐퍼 유닛(14)의 댐퍼(30)에 보내진다.
댐퍼 유닛(14)은, 매니폴드(13)에 보내진 냉각 공기를, 챔버(4)의 상부(4a), 중간부(4b), 및, 하부(4c)의 각각을 향해 공급하기 위해 설치되어 있다. 댐퍼 유닛(14)은, 본 실시 형태에서는, 매니폴드(13)와 히터(3) 사이에 배치되어 있다.
댐퍼 유닛(14)은, 복수의 댐퍼(30)를 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 복수의 댐퍼(30)로서, 기준 댐퍼(32)와, 복수의 서브 댐퍼로서의 제1 서브 댐퍼(31) 및 제2 서브 댐퍼(33)를 갖고 있다. 또한, 댐퍼(31, 32, 33)를 총칭하여 말하는 경우, 댐퍼(30)라고 한다.
기준 댐퍼(32)는, 냉각 공기를 챔버(4)를 향해 공급하기 위한 기준 밸브로서 설치되어 있다. 또, 서브 댐퍼(31, 33)는, 냉각 공기를 챔버(4)를 향해 공급하기 위한 서브 밸브로서 설치되어 있다. 제1 서브 댐퍼(31)는, 본 발명의 「하나의 서브 밸브」의 일례이다. 제2 서브 댐퍼(33)는, 본 발명의 「다른 서브 밸브」의 일례이다. 각 댐퍼(30)는, 개도를 조정 가능하게 구성되어 있다. 즉, 각 댐퍼(30)를 통과하는 냉각 공기의 유량을 조정 가능하게 구성되어 있다.
제1 서브 댐퍼(31)는, 챔버(4)의 상부(4a)를 향해 냉각 공기를 공급하도록 구성되어 있다. 기준 댐퍼(32)는, 챔버(4)의 중간부(4b)를 향해 냉각 공기를 공급하도록 구성되어 있다. 제2 서브 댐퍼(33)는, 챔버(4)의 하부(4c)를 향해 냉각 공기를 공급하도록 구성되어 있다.
제1 서브 댐퍼(31), 기준 댐퍼(32), 및, 제2 서브 댐퍼(33)는, 이 순서대로, 챔버(4)의 길이 방향인 상하 방향을 따라 배열되어 있다. 즉, 제1 서브 댐퍼(31)의 하방에 기준 댐퍼(32)가 배치되어 있다. 또, 기준 댐퍼(32)의 하방에 제2 서브 댐퍼(33)가 배치되어 있다.
도 1~도 3을 참조하여, 댐퍼(30)(즉, 기준 댐퍼(32), 서브 댐퍼(31, 33)의 각각)는, 입구관(41)과, 밸브 상자(42)와, 지지축(43)과, 밸브체(44)와, 댐퍼 모터(45)와, 출구관(46, 47)을 갖고 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 기준 댐퍼(32)가 댐퍼 모터(45)를 포함하는 전동식의 댐퍼인 형태를 예로 설명하는데, 이대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 기준 댐퍼(32)는, 댐퍼 모터(45)가 설치되어 있지 않은, 인력에 의한 수동 개도 조정식이고 또한 밸브체(44)의 개도를 고정 가능한 댐퍼여도 된다.
입구관(41)은, 매니폴드(13)와 밸브 상자(42)에 접속되어 있고, 매니폴드(13)로부터의 냉각 공기를 밸브 상자(42) 내에 도입하도록 구성되어 있다. 입구관(41)의 내경은, 매니폴드(13)의 내경보다 작게 설정되어 있다. 입구관(41)의 일단은, 매니폴드(13)의 외주부에 접속되어 있다.
제1 서브 댐퍼(31)의 입구관(41)은, 매니폴드(13)의 상부에 접속되어 있다. 기준 댐퍼(32)의 입구관(41)은, 매니폴드(13)의 중간부에 접속되어 있다. 제2 서브 댐퍼(33)의 입구관(41)은, 매니폴드(13)의 하부에 접속되어 있다. 입구관(41)은, 매니폴드(13)로부터 대응하는 밸브 상자(42)를 향해 수평으로 연장되어 있다.
밸브 상자(42)는, 예를 들어, 중공의 사각기둥형상으로 형성되어 있다. 밸브 상자(42)의 일측벽에, 입구관(41)의 타단이 접속되어 있다. 입구관(41)을 통과한 냉각 공기는, 밸브 상자(42) 내로 이끌린다. 밸브 상자(42)는, 지지축(43) 및 밸브체(44)를 수용하고 있다.
지지축(43)은, 밸브 상자(42)에 지지되어 있음과 더불어, 밸브체(44)를 상기 지지축(43) 둘레로 요동 가능하게 지지하고 있다. 본 실시 형태에서는, 지지축(43)은, 밸브체(44)와 일체 회전 가능하게 연결되어 있다. 지지축(43)은, 예를 들어, 수평 방향으로 연장되어 있고, 입구관(41)에 인접하여 배치되어 있다. 지지축(43)의 일부는, 밸브 상자(42)를 관통하고 있으며, 댐퍼 모터(45)의 출력축(49)에 연결되어 있다.
댐퍼 모터(45)는, 밸브체(44)를 지지축(43) 둘레로 요동시킴으로써, 댐퍼(30)에 있어서의 밸브 개도를 설정하기 위해 설치되어 있다.
댐퍼 모터(45)는, 모터 하우징(48)과, 이 모터 하우징(48)에 지지된 출력축(49)을 갖고 있다.
댐퍼 모터(45)는, 서보 모터 등의, 회전 위치 제어를 가능하게 구성된 전동 모터이다. 댐퍼 모터(45)는, 제어부(18)로부터의 제어 신호를 받아, 상기 댐퍼 모터(45)의 출력축(49)의 회전 위치를 변경 가능하게 구성되어 있다.
모터 하우징(48)은, 예를 들어, 밸브 상자(42)에 고정되어 있다. 댐퍼 모터(45)의 출력축(49)은, 지지축(43)과 연동 회전 가능하게 연결되어 있다. 이 출력축(49)은, 지지축(43)과 일체 회전 가능하게 연결되어 있어도 되고, 도시 생략한 감속 기구를 개재하여 지지축(43)과 연동 회전 가능하게 연결되어 있어도 된다. 상기의 구성에 의해, 댐퍼 모터(45)의 구동에 의해 출력축(49)의 회전 위치가 설정되고, 이것에 수반하여, 지지축(43) 둘레에 있어서의 밸브체(44)의 회전 위치(즉, 댐퍼(30)의 개도)가 설정된다.
밸브체(44)는, 입구관(41)의 타단을 개폐하도록 구성되어 있다. 밸브체(44)는, 예를 들어, 직사각형의 평판형상 부재를 이용하여 형성되어 있다. 밸브체(44)의 일가장자리부가, 지지축(43)에 연결되어 있다. 밸브체(44)는, 예를 들어, 수직으로 기립한 자세에 있어서, 입구관(41)을 막도록 배치되어 있다.
밸브체(44)는, 수직으로 기립한 자세로부터 지지축(43) 둘레로 예를 들어 수십도 회전함으로써, 전개(全開) 위치(P2)에 배치된다. 즉, 밸브체(44)가 수직 위치인 전폐(全閉) 위치(P1)에 있을 때에는, 댐퍼(30)의 개도가 제로이다. 또, 밸브체(44)가 수직 위치로부터 수십도 회전한 소정의 전개 위치(P2)에 있을 때에는, 댐퍼(30)의 개도가 100%가 된다.
또한, 밸브체(44)의 회전 위치와 댐퍼(30)의 개도의 관계는, 댐퍼(30)의 구조에 따라 정해진다. 따라서, 밸브체(44)의 회전 위치와 댐퍼(30)의 개도의 관계는, 선형적인 경우와, 비선형인 경우가 존재한다. 본 실시 형태에서는, 밸브체(44)의 회전 위치와 댐퍼(30)의 회전 위치의 관계는, 제어부(18)에 미리 기억되어 있다.
밸브체(44)가 입구관(41)의 타단을 열고 있을 때, 입구관(41)으로부터의 냉각 공기는, 밸브체(44) 내에 도입되고, 또한, 출구관(46, 47)으로 이끌린다.
본 실시 형태에서는, 각 댐퍼(31, 32, 33)에 2개의 출구관(즉, 출구관(46, 47))이 설치되어 있다. 각 출구관(46, 47)은, 대응하는 밸브 상자(42) 내의 공간과, 히터(3) 내에 형성된 공간(10)을 접속하기 위해 설치되어 있다. 각 출구관(46, 47)의 일단은, 대응하는 밸브 상자(42)의 일측벽에 접속되어 있다.
또, 각 출구관(46, 47)의 타단은, 히터(3)의 측벽(3a)을 관통하고 있고, 공간(10)에 면하고 있다. 각 댐퍼(31, 32, 33)에 있어서, 출구관(46)의 타단과, 출구관(47)의 타단은, 히터(3)의 측벽(3a)의 둘레 방향에 있어서, 등간격으로(본 실시 형태에서는, 180도 간격으로) 배치되어 있다.
제1 서브 댐퍼(31)의 출구관(46, 47)의 타단은, 챔버(4)의 상부(4a)와 수평으로 마주보도록 배치되어 있다. 기준 댐퍼(32)의 출구관(46, 47)의 타단은, 챔버(4)의 중간부(4b)와 수평으로 마주보도록 배치되어 있다. 제2 서브 댐퍼(33)의 출구관(46, 47)의 타단은, 챔버(4)의 하부(4c)와 수평으로 마주보도록 배치되어 있다.
상기의 구성에 의해, 제1 서브 댐퍼(31)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치(즉, 제1 서브 댐퍼(31)의 출구관(46, 47)의 타단 위치)는, 제2 서브 댐퍼(33)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치(즉, 제2 서브 댐퍼(33)의 출구관(46, 47)의 타단 위치)보다 높게 설정되어 있다.
또, 제1 서브 댐퍼(31)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치는, 개구부(4d) 및 안쪽부(4e) 중 안쪽부(4e) 근처에 설정되어 있다. 또, 제2 서브 댐퍼(33)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치는, 개구부(4d) 및 안쪽부(4e) 중 개구부(4d) 근처에 설정되어 있다.
또, 제1 서브 댐퍼(31)로부터의 냉각 공기의 출구인 출구관(46, 47)의 타단 위치와, 제2 서브 댐퍼(33)로부터의 냉각 공기의 출구인 출구관(46, 47)의 타단 위치 사이에, 기준 댐퍼(32)로부터의 냉각 공기의 출구인 출구관(46, 47)의 타단 위치가 설정되어 있다.
또, 본 실시 형태에서는, 각 댐퍼(31, 32, 33)의 출구관(46)의 타단은, 챔버(4)의 둘레 방향에 있어서의 위치가 맞추어져 있다. 마찬가지로, 각 댐퍼(31, 32, 33)의 출구관(47)의 타단은, 챔버(4)의 둘레 방향에 있어서의 위치가 맞추어져 있다.
상기의 구성에 의해, 제1 서브 댐퍼(31)를 통과한 냉각 공기는, 챔버(4)의 상부(4a)를 향하도록 하여 공간(10)에 공급된다. 또, 기준 댐퍼(32)를 통과한 냉각 공기는, 챔버(4)의 중간부(4b)를 향하도록 하여 공간(10)에 공급된다. 또한, 제2 서브 댐퍼(33)를 통과한 냉각 공기는, 챔버(4)의 하부(4c)를 향하도록 하여 공간(10)에 공급된다. 공간(10)에 공급된 냉각 공기는, 챔버(4)로부터의 열을 흡수하면서, 배기관(15)을 향해 흐른다.
배기관(15)은, 히터(3)의 천벽(3b)를 관통하고 있다. 배기관(15)의 일단은, 공간(10)에 면하고 있다. 배기관(15)은, 공간(10)의 상단에 도달한 냉각 공기를 배기관(15)의 타단측으로 이끈다. 배기관(15)은, 히터(3)의 외측의 공간에 있어서, 배기 쿨러(16)에 접속되어 있다. 배기 쿨러(16)는, 챔버(4)로부터의 열을 흡수한 냉각 공기를 냉각한다. 배기 쿨러(16)를 통과함으로써 냉각된 냉각 공기는, 열처리 장치(1)의 외부의 공간으로 배출된다.
상기의 구성에 의해, 냉각 공기는, 송풍기(21)로부터 공급관(12) 및 매니폴드(13)를 통해 대응하는 댐퍼(31, 32, 33)를 통과함으로써, 공간(10)에 도달하고, 또한, 배기관(15) 및 배기 쿨러(16)를 통해 열처리 장치(1)의 외부로 배출된다. 각 댐퍼(31, 32, 33)의 출구관(46, 47)의 타단에 인접하는 위치에서의 챔버(4)의 온도는, 센서 유닛(17)에 의해 검출된다.
보다 구체적으로는, 센서 유닛(17)은, 제1 서브 댐퍼(31)의 출구관(46)의 타단과 마주보는 위치에서의 챔버(4)의 온도, 기준 댐퍼(32)의 출구관(46)의 타단과 마주보는 위치에서의 챔버(4)의 온도, 및, 제2 서브 댐퍼(33)의 출구관(46)의 타단과 마주보는 위치에서의 챔버(4) 온도의 각각을 검출한다.
센서 유닛(17)은, 온도 센서(51~53)를 갖고 있다.
온도 센서(51~53)는, 예를 들어, 열전대 등의 전기식 온도 센서이며, 검출 온도를 특정하는 전기 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 온도 센서(51~53)는, 예를 들어, 챔버(4)에 인접한 위치에 있어서, 히터(3)에 지지되어 있다.
온도 센서(51)는, 챔버(4)의 상부(4a)의 외주면에 인접하여 배치되어 있고, 제1 서브 댐퍼(31)의 출구관(46)의 타단에 인접하고 있다. 온도 센서(51)는, 제1 서브 댐퍼(31)의 출구관(46)과 수평으로 대향하고 있는 챔버(4)의 상부(4a)의 온도를, 챔버 상부 온도(T1)로서 검출한다.
온도 센서(52)는, 챔버(4)의 중간부(4b)의 외주면에 인접하여 배치되어 있고, 기준 댐퍼(32)의 출구관(46)의 타단에 인접하고 있다. 온도 센서(52)는, 기준 댐퍼(32)의 출구관(46)과 수평으로 대향하고 있는 챔버(4)의 중간부(4b)의 온도를, 챔버 중간부 온도(T2)로서 검출한다.
온도 센서(53)는, 챔버(4)의 하부(4c)의 외주면에 인접하여 배치되어 있고, 제2 서브 댐퍼(33)의 출구관(46)의 타단에 인접하고 있다. 온도 센서(53)는, 제2 서브 댐퍼(33)의 출구관(46)과 수평으로 대향하고 있는 챔버(4)의 하부(4c)의 온도를, 챔버 하부 온도(T3)로서 검출한다. 각 온도 센서(51~53)의 온도 검출 결과는, 제어부(18)에 부여된다.
제어부(18)는, 기준 댐퍼(32)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 기준으로 하여, 서브 댐퍼(31, 33)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 제어하도록 구성되어 있다. 제어부(18)는, PLC(Programmable Logic Controller) 등을 이용하여 형성되어 있다. 또한, 제어부(18)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 포함하는 컴퓨터를 이용하여 형성되어 있어도 되고, 시퀀스 회로 등을 이용하여 형성되어 있어도 된다.
제어부(18)는, 각 온도 센서(51~53)에 접속되어 있고, 이들 온도 센서(51~53)의 온도 검출 결과인 챔버 온도(T1~T3)를 특정하는 전기 신호를 수신한다. 또, 제어부(18)는, 송풍기 모터(22)에 접속되어 있고, 송풍기 모터(22)의 구동을 제어함으로써, 송풍기(21)로부터 공급되는 냉각 공기의 유량을 제어한다.
또, 제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)의 댐퍼 모터(45), 기준 댐퍼(32)의 댐퍼 모터(45), 및, 제2 서브 댐퍼(33)의 댐퍼 모터(45)에 접속되어 있고, 이들 모터(45)의 동작을 개별적으로 제어한다.
본 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 기준 댐퍼(32)의 개도가 일정한 상태를 기준으로 하여, 제1 서브 댐퍼(31) 및 제2 서브 댐퍼(33)의 각각의 개도를 제어한다. 보다 구체적으로는, 매체 공급부(7)가 챔버(4) 및 피처리물(100)을 냉각하는 동작의 개시시, 제어부(18)는, 먼저, 기준 댐퍼(32)의 개도를 설정한다.
이때의 기준 댐퍼(32)의 개도는, 예를 들어, 50%로 설정된다. 이와 같이, 제어부(18)는, 기준 댐퍼(32)의 개도를 50%, 예를 들어, 밸브체(44)를 전폐 위치(P1)와 전개 위치(P2)의 절반의 위치에 배치하도록, 기준 댐퍼(32)의 댐퍼 모터(45)를 구동시킨다. 이와 같이, 기준 댐퍼(32)의 개도를 0%와 100%의 중간인 50%로 함으로써, 기준 댐퍼(32)로부터의 냉각 공기의 유량에 대한 각 서브 댐퍼(31, 33)로부터의 냉각 공기의 유량의 조정폭을 보다 크게 할 수 있다.
또한, 기준 댐퍼(32)의 개도는, 피처리물(100)의 열용량(구체적으로는, 피처리물(100)의 장수, 재질, 체적), 피처리물(100)의 목표 냉각 온도, 송풍기 모터(22)의 동작 주파수 등에 따라, 제어부(18)에 의해 적당히 설정되어도 된다.
또, 제어부(18)는, 챔버(4) 중 기준 댐퍼(32)로부터 냉각 공기가 공급되는 중간부(4b)에 있어서의 챔버 중간부 온도(T2)를 기준으로 하여, 각 서브 댐퍼(31, 33)의 출구관(46, 47)으로부터 챔버(4)로 공급되는 냉각 공기의 유량을 제어하도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 제어부(18)는, 챔버(4) 중 기준 댐퍼(32)로부터 냉각 공기가 공급되는 개소에 있어서의 온도(챔버 중간부 온도(T2))와, 챔버(4) 중 각 서브 댐퍼(31, 33)로부터 냉각 공기가 공급되는 상부(4a) 및 하부(4c)에 있어서의 온도(챔버 상부 온도(T1), 챔버 하부 온도(T3))의 편차를 감소시키도록, 각 서브 댐퍼(31, 33)의 개도를 피드백 제어한다.
제어부(18)는, 각 댐퍼(31, 32, 33)를, 개별적으로, 비례 제어를 이용하여 제어하도록 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제어부(18)는, PID 제어(Proportional Integral Differential Control, 비례 적분 미분 제어)에 의해, 각 댐퍼(31, 32, 33)의 댐퍼 모터(45)를 개별적으로 제어함으로써, 각 댐퍼(31, 32, 33)의 개도를 제어한다. 또한, 제어부(18)는, PI 제어(Proportional Integral Control, 비례 적분 제어) 등, 다른 제어 방법에 의해 각 댐퍼(31, 32, 33)를 제어해도 된다.
제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)와 제2 서브 댐퍼(33)가 상이한 동작을 행하도록 각 서브 댐퍼(31, 33)를 제어한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)의 제어 게인(kp1)과 제2 서브 댐퍼(33)의 제어 게인(kp2)을 상이한 값으로 설정한다. 본 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 챔버(4)의 상부(4a)에 냉각 공기를 공급하는 제1 서브 댐퍼(31)의 제어 게인(kp1)을, 챔버(4)의 하부(4c)에 냉각 공기를 공급하는 제2 서브 댐퍼(33)의 제어 게인(kp2)보다 크게 설정한다(kp1＞kp2).
다음에, 열처리 장치(1)에 있어서의 냉각 동작의 일례를 설명한다. 또한, 열처리 장치(1)에 있어서의 냉각 동작은, 예를 들어, 히터(3)의 가열 동작이 정지된 후에 행해진다. 도 4는, 열처리 장치(1)에 있어서의 냉각 동작의 일례를 설명하기 위한 플로차트이다. 또한, 플로차트를 참조하여 설명하는 경우, 플로차트 이외의 도면도 적당히 참조하면서 설명한다.
도 4를 참조하여, 냉각 동작의 개시시, 제어부(18)는, 우선, 송풍기 모터(22)를 동작시킴으로써, 냉각 공기를 매체 공급부(7)에 도입한다(단계 S1).
다음에, 제어부(18)는, 기준 댐퍼(32)의 개도를 제어한다(단계 S2). 즉, 제어부(18)는, 기준 댐퍼(32)의 목표 개도를 설정하고, 또한, 기준 댐퍼(32)의 댐퍼 모터(45)를 구동시킴으로써, 상기 목표 개도에 상당하는 값으로, 기준 댐퍼(32)의 개도를 설정한다.
다음에, 제어부(18)는, 챔버 중간부 온도(T2)를 참조함으로써, 챔버 중간부 온도(T2)를 측정한다(단계 S3).
다음에, 제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)의 개도를 제어한다(단계 S4). 즉, 제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)의 목표 개도를 설정하고, 또한, 제1 서브 댐퍼(31)의 댐퍼 모터(45)를 구동시킴으로써, 상기 목표 개도에 상당하는 값으로, 제1 서브 댐퍼(31)의 개도를 설정한다. 이때, 제어부(18)는, 검출한 챔버 중간부 온도(T2)에 의거하여 목표 온도(T1t)를 연산한다. 그리고, 제어부(18)는, 목표 온도(T1t)와 챔버 상부 온도(T1)의 편차(T1t－T1)가 감소하도록, 제1 서브 댐퍼(31)의 개도를 제어한다.
또, 제어부(18)는, 제2 서브 댐퍼(33)의 개도를 제어한다(단계 S5). 즉, 제어부(18)는, 제2 서브 댐퍼(33)의 목표 개도를 설정하고, 또한, 제2 서브 댐퍼(33)의 댐퍼 모터(45)를 구동시킴으로써, 상기 목표 개도에 상당하는 값으로, 제2 서브 댐퍼(33)의 개도를 설정한다. 이때, 제어부(18)는, 검출한 챔버 중간부 온도(T2)에 의거하여 목표 온도(T3t)를 연산한다. 그리고, 제어부(18)는, 목표 온도(T3t)와 챔버 하부 온도(T3)의 편차(T3t－T3)가 감소하도록, 제2 서브 댐퍼(33)의 개도를 제어한다.
또한, 제1 서브 댐퍼(31)의 개도 제어(단계 S4)와 제2 서브 댐퍼(33)의 개도 제어(단계 S5)의 순서를 바꿔도 되고, 이들 단계 S4, S5가 병행하여 행해져도 된다.
다음에, 제어부(18)는, 챔버 상부 온도(T1), 챔버 중간부 온도(T2), 및, 챔버 하부 온도(T3)를 측정한다(단계 S6). 그리고, 제어부(18)는, 이들 온도(T1~T3)가, 냉각 동작 완료의 목표 온도(Tft)에 도달했는지의 여부를 판정한다(단계 S7).
온도(T1~T3)가, 목표 온도(Tft)에 도달한 경우(단계 S8에서 YES), 제어부(18)는, 송풍기 모터(22)의 동작을 정지시키고(단계 S8), 챔버(4) 및 피처리물(100)의 냉각 동작을 종료한다.
한편, 온도(T1~T3)가, 냉각 동작 완료의 목표 온도(Tft)에 도달하고 있지 않은 경우(단계 S8에서 NO), 제어부(18)는, 다시, 단계 S3 이후의 제어를 행한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 제어부(18)는, 기준 댐퍼(32)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 기준으로 하여, 서브 댐퍼(31, 33)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 제어한다. 이 구성에 의하면, 제어부(18)에 의해, 서브 댐퍼(31, 33)에 의한 냉각 공기의 공급 양태가 제어된다. 이것에 의해, 피처리물(100)의 장수 등, 피처리물(100)의 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에, 서브 댐퍼(31, 33)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 변경할 수 있다. 그 결과, 피처리물(100)의 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에서도, 피처리물(100)을 보다 균등하게 냉각할 수 있다. 또, 기준 댐퍼(32)에 의한 냉각 공기의 공급 양태를 기준으로 하여, 서브 댐퍼(31, 33)에 의한 냉각 공기의 공급 양태가 제어되는 결과, 서브 댐퍼(31, 33)의 제어 연산이 발산하는 것을 보다 확실히 억제할 수 있다. 따라서, 피처리물(100)에 대한 보다 정확한 온도 제어가 실현된다. 또, 제어부(18)에 의해 서브 댐퍼(31, 33)가 제어되므로, 인력에 의한 서브 댐퍼(31, 33)의 조정 작업이 불필요하다. 이상의 이유로, 온도 제어 조건에 변화가 발생한 경우에서도, 피처리물(100)을 보다 균등하게 온도 변화시킬 수 있음과 더불어, 피처리물(100)을 보다 균등하게 온도 변화시키기 위한 조정 작업을 자동적으로 행할 수 있는 열처리 장치(1)를 실현할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 의하면, 제어부(18)는, 기준 댐퍼(32)의 개도가 일정한 상태를 기준으로 하여, 서브 댐퍼(31, 33)의 개도를 제어한다. 이 구성에 의하면, 제어부(18)는, 서브 댐퍼(30)의 개도 제어에 있어서, 기준 댐퍼(32)의 개도를 변경할 필요가 없는 결과, 서브 댐퍼(31, 33)의 제어에 필요한 연산을 보다 간소하게 할 수 있다. 또, 서브 댐퍼(31, 33)의 개도 제어에 있어서, 헌팅이 발생하는 것을 보다 확실히 억제할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 의하면, 제어부(18)는, 챔버(4) 중 기준 댐퍼(32)로부터 냉각 공기가 공급되는 중간부(4b)에 있어서의 온도(챔버 중간부 온도(T2))를 기준으로 하여, 서브 댐퍼(31, 33)로부터 챔버(4)로 공급되는 냉각 공기의 유량을 제어하도록 구성되어 있다. 이 구성에 의하면, 서브 댐퍼(31, 33)로부터 챔버(4)에 공급되는 냉각 공기에 의한 챔버(4)의 상부(4a) 및 하부(4c)의 온도 변화 정도를, 기준 댐퍼(32)로부터 챔버(4)의 중간부(4b)에 공급되는 냉각 공기에 의한 챔버(4)의 중간부(4b)의 온도 변화 정도와 보다 동일하게 할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 의하면, 제어부(18)는, 챔버 중간부 온도(T2)와 챔버 상부 온도(T1)의 편차(T2－T1), 및, 챔버 중간부 온도(T2)와 챔버 하부 온도(T3)의 편차(T2－T3)의 각각을 감소시키도록, 서브 댐퍼(31, 33)의 개도를 제어한다. 이 구성에 의하면, 챔버(4) 중 기준 댐퍼(32)로부터 냉각 공기가 공급되는 챔버(4)의 중간부(4b)에서의 온도(챔버 중간부 온도(T3))와, 챔버(4) 중 서브 댐퍼(31, 33)로부터 냉각 공기가 공급되는 챔버(4)의 상부(4a) 및 하부(4c)에 있어서의 온도(챔버 상부 온도(T1)와 챔버 하부 온도(T2))가 보다 동일해지도록, 제어부(18)가 서브 댐퍼(31, 33)를 제어할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 의하면, 제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)와 제2 서브 댐퍼(33)가 상이한 동작을 행하도록 각 서브 댐퍼(31, 33)를 제어한다. 이 구성에 의하면, 복수의 서브 댐퍼(31, 33)의 동작에 의해, 챔버(4)의 보다 넓은 영역을 균등하게 온도 변화시킬 수 있다. 또, 챔버(4)의 각 영역을, 보다 세심하게 온도 제어할 수 있다.
또, 본 실시 형태에 의하면, 제어부(18)는, 비례 적분 미분 제어를 이용하여 각 서브 댐퍼(31, 33)를 제어하도록 구성되어 있고, 제1 서브 댐퍼(31)의 제어 게인(kp1)과 제2 서브 댐퍼(33)의 제어 게인(kp2)을 상이한 값으로 설정한다. 이 구성에 의하면, 제1 서브 댐퍼(31)는, 목표로 하는 냉각 공기의 공급 양태(즉, 개도)를 실현하기 위한 응답 속도를 보다 높게 할 수 있다. 한편, 제2 서브 댐퍼(33)는, 목표로 하는 냉각 공기의 공급 양태(즉, 개도)를 실현하기 위한 응답 속도를 보다 낮게 할 수 있다. 이와 같이, 목표 개도에 대한 응답 속도가 상이한 서브 댐퍼(31, 33)를 조합함으로써, 열의 치우침이 발생하기 쉬운 챔버(4)에 대해, 보다 균등한 온도 변화를 발생시키는 것이 가능하다.
보다 상세하게는, 제1 서브 댐퍼(31)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치는, 제2 서브 댐퍼(33)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치보다 높게 설정되어 있다. 그리고, 제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)에 관한 제어 게인(kp1)을 제2 서브 댐퍼(33)에 관한 제어 게인(kp2)보다 크게 설정하고 있다. 이 구성에 의하면, 챔버(4)의 열은, 상방으로 향하기 때문에, 챔버(4)의 상부(4a)의 열량은, 챔버(4)의 하부(4b)의 열량보다 커지는 경향이 있다. 따라서, 챔버(4)의 상부(4a)측을 냉각하는 제1 서브 댐퍼(31)의 제어 게인(kp1)을 보다 크게 함으로써, 챔버(4)의 상부(4a)측을 향해, 보다 신속하게 보다 많은 냉각 공기를 공급할 수 있다. 이것에 의해, 열이 가득차기 쉬운 챔버(4)의 상부(4a)측을 보다 확실히 냉각할 수 있다. 한편, 챔버(4)의 하부(4c)측을 냉각하는 제2 서브 댐퍼(33)의 제어 게인(kp2)을 보다 작게 함으로써, 챔버(4)의 하부(4c)측을 향해, 급격하게 과도한 냉각 공기가 공급되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 열이 비교적 달아나기 쉬운 챔버(4)의 하부(4c)측이, 챔버(4)의 다른 부분보다 먼저 냉각되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 챔버(4)의 각부는, 보다 균등하게 냉각된다.
또, 제1 서브 댐퍼(31)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치는, 개구부(4d) 및 안쪽부(4e) 중 안쪽부(4e) 근처에 설정되어 있다. 또, 제2 서브 댐퍼(33)로부터 챔버(4)로 냉각 공기가 공급되는 위치는, 개구부(4d) 및 안쪽부(4e) 중 개구부(4d) 근처에 설정되어 있다. 그리고, 제어부(18)는, 제1 서브 댐퍼(31)에 관한 제어 게인(kp1)을 제2 서브 댐퍼(33)에 관한 제어 게인(kp2)보다 크게 설정하고 있다. 이 구성에 의하면, 챔버(4)의 열은, 안쪽부(4e)에 가득 차기 쉽기 때문에, 안쪽부(4e)의 열량은, 개구부(4d)의 열량보다 커지는 경향이 있다. 따라서, 안쪽부(4e)측을 냉각하는 제1 서브 댐퍼(31)에 관한 제어 게인(kp1)을 보다 크게 함으로써, 챔버(4)의 안쪽부(4e)측을 향해, 보다 신속하게 보다 많은 냉각 공기를 공급할 수 있다. 이것에 의해, 열이 가득차기 쉬운 챔버(4)의 안쪽부(4e)측을 보다 확실히 냉각할 수 있다. 한편, 챔버(4)의 개구부(4d)측을 냉각하는 제2 서브 댐퍼(33)에 관한 제어 게인(kp2)을 보다 작게 함으로써, 챔버(4)의 개구부(4d)측을 향해, 급격하게 과도한 냉각 공기가 공급되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 열이 비교적 달아나기 쉬운 챔버(4)의 개구부(4d)측이, 챔버(4)의 다른 부분보다 먼저 냉각되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 챔버(4)의 각부는, 보다 균등하게 냉각된다.
또, 제1 서브 댐퍼(31)의 출구관(46, 47)의 타단 위치와, 제2 서브 댐퍼(33)의 출구관(46, 47)의 타단 위치 사이에, 기준 댐퍼(32)의 출구관(46, 47)의 타단 위치가 설정되어 있다. 이 구성에 의하면, 복수의 댐퍼(31, 32, 33)에 의해, 챔버(4)의 보다 넓은 영역을 냉각 공기에 의해 보다 균등하게 온도 변화시킬 수 있다. 또, 챔버(4) 중 기준 댐퍼(32)로부터의 냉각 공기가 공급되는 개소(중간부(4b)) 이외의 영역에 대해, 기준 댐퍼(32)로부터의 냉각 공기가 공급되는 개소 근처에 배치되는 비율을, 보다 크게 할 수 있다. 그 결과, 챔버(4)의 보다 넓은 영역에 대해, 기준 댐퍼(32)로부터의 냉각 공기가 공급되는 중간부(4b)와의 온도차를 작게 할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했는데, 본 발명은 상기 서술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 특허 청구의 범위에 기재되는 한에 있어서 다양한 변경이 가능하다.
(1) 상기의 실시 형태에서는, 각 서브 댐퍼(31, 33)의 개도 제어가 행해지고 있는 동안, 기준 댐퍼(32)의 개도가 일정한 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 각 서브 댐퍼(31, 33)의 개도 제어가 행해지고 있는 동안, 기준 댐퍼(32)의 개도는, 정기적으로 제어부(18) 또는 인력에 의해 변경되어도 된다.
(2) 또, 상기의 실시 형태에서는, 송풍기(21)의 풍량이 일정한 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 송풍기(21)의 풍량은, 챔버(4)의 각부의 온도(T1, T2, T3) 등에 따라, 제어부(18)에 의해 변경되어도 된다.
(3) 또, 상기의 실시 형태에서는, 히터(3)의 가열 동작이 완료한 후에 매체 공급부(7)가 챔버(4) 및 피처리물(100)의 냉각 처리를 개시하는 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 매체 공급부(7)는, 히터(3)와 협조 동작됨으로써, 히터(3)의 정지 동작의 도중에 매체 공급부(7)로부터 챔버(4)를 향해 냉각 공기가 공급되어도 된다.
(4) 또, 상기의 실시 형태에서는, 서브 댐퍼가 2개 설치되는 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 서브 댐퍼는, 1개여도 되고, 3개 이상이어도 된다.
(5) 또, 상기의 실시 형태에서는, 제어부(18)가 각 댐퍼(31, 32, 33)의 개도를 제어하는 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 각 댐퍼(31, 32, 33)를 통과하는 냉각 공기의 압력 등, 다른 요소를 제어 대상으로 해도 된다.
(6) 또, 상기의 실시 형태에서는, 냉각 공기를 제어하는 밸브 부재로서, 댐퍼를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 냉각 공기를 제어하는 밸브 부재로서, 전자 밸브 등, 밸브체의 개도를 조정 가능한 구성을 갖는 다른 밸브 부재가 이용되어도 된다.
(7) 또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 가열 증착 등에 이용되는 로에 본 발명이 적용되는 경우를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 열풍 순환로 등의 다른 로를 갖는 열처리 장치에 본 발명이 적용되어도 된다.
(8) 또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 열처리용 매체로서 공기가 이용되는 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 열처리용 매체로서, 공기 이외의 가스가 이용되어도 되고, 물 등의 액체가 이용되어도 된다. 열처리용 매체로서 액체가 이용되는 경우, 송풍기를 대신하여, 펌프가 이용된다.
(9) 또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 냉매 공급부(7)가 챔버(4) 및 피처리물(100)을 냉각하는 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 챔버(4) 등의 용기, 및, 피처리물(100)을 가열할 때에, 본 발명의 구성이 이용되어도 된다. 이 경우, 각 댐퍼(31, 32, 33)는, 가열된 공기 등의 열처리용 매체를 챔버(4)를 향해 공급하게 된다.
(10) 또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 챔버(4)가 종형로인 형태를 예로 설명했다. 그러나, 이 대로가 아니어도 된다. 예를 들어, 가로 방향으로 배치된 챔버를 갖는 열처리 장치에 본 발명이 적용되어도 된다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명은, 열처리 장치로서, 널리 적용할 수 있다.
1 열처리 장치
4 챔버(용기)
4d 개구부
4e 안쪽부
7 매체 공급부
18 제어부
31 제1 서브 댐퍼(서브 밸브. 하나의 서브 밸브)
32 기준 댐퍼(기준 밸브)
33 제2 서브 댐퍼(서브 밸브. 다른 서브 밸브)
100 피처리물
T1 챔버 상부 온도(용기 중 서브 밸브로부터 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도)
T2 챔버 중간부 온도(용기 중 기준 밸브로부터 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도)
T3 챔버 하부 온도(용기 중 서브 밸브로부터 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도)
kp1, kp2 제어 게인

Claims (9)

  1. 피처리물의 열처리시에 상기 피처리물을 수용하는 용기와,
    온도 조정용의 매체를 상기 용기에 공급하기 위한 기준 밸브 및 서브 밸브를 포함하는 매체 공급부와,
    상기 기준 밸브에 의한 상기 매체의 공급 양태를 기준으로 하여, 상기 서브 밸브에 의한 상기 매체의 공급 양태를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 기준 밸브의 개도가 일정한 상태를 기준으로 하여, 상기 서브 밸브의 개도를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 용기 중 상기 기준 밸브로부터 상기 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도를 기준으로 하여, 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 공급되는 상기 매체의 유량을 제어하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 용기 중 상기 기준 밸브로부터 상기 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도와, 상기 용기 중 상기 서브 밸브로부터 상기 매체가 공급되는 개소에 있어서의 온도의 편차를 감소시키도록, 상기 서브 밸브의 개도를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 서브 밸브는 복수 설치되어 있고,
    상기 제어부는, 하나의 상기 서브 밸브와 다른 상기 서브 밸브가 상이한 동작을 행하도록 각 상기 서브 밸브를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제어부는, 비례 제어를 이용하여 각 상기 서브 밸브를 제어하도록 구성되어 있고, 하나의 상기 서브 밸브의 제어 게인과 다른 상기 서브 밸브의 제어 게인을 상이한 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 매체는, 상기 용기를 냉각하기 위한 냉각 매체이며,
    하나의 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치는, 다른 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치보다 높게 설정되어 있고,
    상기 제어부는, 하나의 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인을 다른 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인보다 크게 설정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 용기는, 상기 용기의 외부로 개방된 개구부, 및, 상기 용기의 외부에 대해 닫힌 형상의 안쪽부를 포함하고,
    상기 매체는, 상기 용기를 냉각하기 위한 냉각 매체이며,
    하나의 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치는 상기 개구부 및 상기 안쪽부 중 상기 안쪽부 근처에 설정되어 있음과 더불어, 다른 상기 서브 밸브로부터 상기 용기로 상기 냉각 매체가 공급되는 위치는 상기 개구부 및 상기 안쪽부 중 상기 개구부 근처에 설정되어 있고,
    상기 제어부는, 하나의 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인을 다른 상기 서브 밸브에 관한 상기 제어 게인보다 크게 설정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 서브 밸브는 복수 설치되어 있고,
    각 상기 서브 밸브로부터의 상기 매체의 출구 위치 사이에 상기 기준 밸브로부터의 상기 매체의 출구 위치가 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  9. 삭제
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019180966A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7055075B2 (ja) * 2018-07-20 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP7101599B2 (ja) * 2018-11-27 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
CN111834247B (zh) * 2019-04-23 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置和半导体处理设备
JP2023016497A (ja) * 2021-07-21 2023-02-02 株式会社ジェイテクトサーモシステム ヒータ端子カバー、ヒータユニット、および、熱処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075890A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
JP2012080081A (ja) 2010-09-09 2012-04-19 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01282619A (ja) * 1988-05-10 1989-11-14 Toshiba Corp 半導体処理装置用温度制御装置
JPH06349753A (ja) * 1993-06-07 1994-12-22 Kokusai Electric Co Ltd ヒータユニット冷却装置
TW266230B (ko) * 1993-09-09 1995-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP3519436B2 (ja) * 1993-09-09 2004-04-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置およびその温度制御方法
JP4551256B2 (ja) * 2005-03-31 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム
JP2008292026A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Ats Japan Corp 恒温維持装置。
KR101509286B1 (ko) * 2010-09-09 2015-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 종형 열처리 장치
JP2013062361A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP6170847B2 (ja) * 2013-03-25 2017-07-26 株式会社日立国際電気 断熱構造体、加熱装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075890A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
JP2012080081A (ja) 2010-09-09 2012-04-19 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置

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