KR102208048B1 - CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법 - Google Patents

CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 CdSe 양자점의 표면에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 구성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법을 개시한다. 이러한 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체는 그의 합성이 매우 까다로워 본 발명에서 제시하는 특정 조건하에서만 한정되어 성공적으로 합성이 가능함이 판명되었다. 이러한 특정 조건을 만족하지 않을 경우는 CdSe 양자점/ZnSe 나노로드의 헤테로 나노 구조체가 얻어지지 않는다.
따라서, 본 발명은 CdSe 양자점의 표면에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 구성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법에 있어서, 카드뮴(Cd) 전구체와 셀레늄(Se) 전구체를 반응시켜 상기 CdSe 양자점을 합성하는 단계와; 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체와 상기 CdSe 양자점을 알킬아민을 포함한 반응용액 내에서 혼합하되, 상기 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체의 몰비를 1:2 ~ 2:1 범위로 조절하는 단계와; 상기 반응용액을 가열하여 상기 CdSe 양자점의 표면상에서 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계를 포함하는 제조방법을 개시한다. 이때, 상기 알킬아민은 올레일아민일 수 있다. 또한, 상기 반응용액을 가열하는 온도는 180℃보다 크고 330℃ 미만의 범위로 조절할 수 있다.

Description

CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법 {MANUFACTURING METHOD OF CdSe/ZnSe QUANTUM DOT/NANOROD HETERO NANO STRUCTURE}
본 발명은 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체 중에서 특히 정공이 넓게 분포하여 정공 추출이 쉽고 여기된 전자와 정공이 재결합없이 용이하게 분리되어 둘 다 늘어난 수명으로 표면에 노출될 수 있으므로 전자와 정공 모두 광반응에 참여할 수 있는 가능성이 크게 증가되며 광반응 효율이 크게 증대될 수 있는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이다.
콜로이드 반도체 나노입자(즉, 양자점)는 일반적으로 직경 수 내지 수십 ㎚ 범위의 크기를 갖고 대체로 0차원의 구형 또는 타원형인 콜로이드상의 나노입자를 일컫는다.
이러한 양자점은 단위부피당 표면적이 넓어 대부분의 원자들이 표면에 존재하고, 따라서 소위 양자 국한 효과를 나타내어 일반 벌크 반도체와는 달리 전자와 정공이 갖는 에너지 준위가 불연속적으로 나타나게 된다. 그리고, 빛을 흡수하여 여기시 이러한 전자와 정공은 결합하여 좁은 반치폭(FWHM: full width at half maximum)의 형태로 발광하므로, 뛰어난 광학적 특성을 갖는다. 이러한 양자점에서 상기 양자 국한 효과의 정도는 반도체 나노입자의 크기와 형상에 따라 달라지므로, 크기 및 조성을 조절하여 발광파장 대역을 자유로이 조절할 수 있어 디스플레이, 센서, 태양전지 등에 활용가능하다.
특히, 서로 다른 2개 이상의 종류의 양자점을 이종접합(heterojunction)시켜 형성하는 헤테로 나노구조체는 상대적인 밴드 오프셋(offset) 및 밴드 정렬을 조절함에 따라 여기된 전자와 정공의 공간적 분포를 효과적으로 제어할 수 있다(종래기술로서 국내특허공개 제10-2010-0033090호 등).
예컨대, CdSe/CdS 헤테로 나노구조체의 경우, 확산 도중에 여기된 전자와 정공의 재결합이 억제되고 수명이 증가되어 정공은 CdSe에, 전자는 CdSe와 CdS에 넓게 분포한다. 이렇게 전자가 정공과 공간적으로 분리되어 넓게 분포하므로, 전자를 표면으로 추출하여 전자의 흐름을 유도할 수 있고 따라서 광 에너지를 전기 에너지로 변환할 수 있다. 이는 태양전지, 물분해, 광검출기 등의 수광소재로서 적용가능하다.
그러나, 위와 같은 CdSe/CdS 헤테로 나노구조체의 경우 정공의 분포는 오로지 CdSe 영역에만 한정되므로, 정공의 추출이 쉽지않다. 이러한 Cd 기반의 II-V족 화합물에서 정공이 넓게 분포하여 정공 추출이 유리한 나노 구조체가 요청된다.
이에, 본 발명은 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체 중에서 특히 정공이 넓게 분포하여 정공 추출이 쉽고 여기된 전자와 정공이 재결합없이 용이하게 분리되어 둘 다 늘어난 수명으로 표면에 노출될 수 있으므로 전자와 정공 모두 광반응에 참여할 수 있는 가능성이 크게 증가되며 광반응 효율이 크게 증대될 수 있는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 위 과제를 해결함에 있어서 CdSe 양자점의 표면에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 구성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체는 그의 합성이 매우 까다로워 본 발명에서 제시하는 특정 조건하에서만 한정되어 성공적으로 합성이 가능함이 판명되었다. 본 발명의 상기 특정 조건을 만족하지 않을 경우는 CdSe 양자점/ZnSe 나노로드의 헤테로 나노 구조체가 얻어지지 않는다.
따라서, 본 발명은 CdSe 양자점의 표면에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 구성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법에 있어서, 카드뮴(Cd) 전구체와 셀레늄(Se) 전구체를 반응시켜 상기 CdSe 양자점을 합성하는 단계와; 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체와 상기 CdSe 양자점을 알킬아민을 포함한 반응용액 내에서 혼합하되, 상기 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체의 몰비를 1:2 ~ 2:1 범위로 조절하는 단계와; 상기 반응용액을 가열하여 상기 CdSe 양자점의 표면상에서 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계를 포함하는 제조방법을 특징으로 한다.
이때, 상기 알킬아민은 올레일아민일 수 있다. 또한, 상기 반응용액을 가열하는 온도는 180℃보다 크고 330℃ 미만의 범위로 조절할 수 있다.
또한, 상기 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계는 상기 ZnSe 나노로드의 길이를 조절함으로써 상기 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체에서 여기되는 정공의 분포 면적을 조절하고 상기 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 파장, 효율 및 광 강도 중의 하나 이상을 조절할 수 있다. 일 예로서, 상기 ZnSe 나노로드의 길이는 10~60㎚의 범위로 조절할 수 있다.
본 발명은 효과적으로 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체를 제조가능한 제조방법을 제시한다. 이러한 본 발명에 의한 제조방법으로 제조된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체는 특히 여기된 정공이 CdSe 양자점과 특히 넓은 표면적의 ZnSe 나노로드 전 영역에 걸쳐 공간적으로 매우 넓게 분포되어있으므로 정공의 추출이 매우 용이하고, 여기된 전자와 정공은 재결합없이 용이하게 분리되어 둘 다 늘어난 수명으로 표면에 노출될 수 있으므로, 전자와 정공 모두 광반응에 참여할 수 있는 가능성이 크게 증가되며 광반응 효율이 크게 증대될 수 있다.
도 1a~1b는 본 발명에 의한 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체에 관한 것으로, 도 1a는 그의 구조를, 도 1b는 그의 에너지 준위 특성을 각각 도시한다.
도 2a~2b는 코어/쉘 형태의 CdSe/ZnSe 나노 구조체에 관한 것으로, 도 2a는 그의 구조를, 도 2b는 그의 에너지 준위를 각각 도시한다.
도 3a~3e는 본 발명의 실시예들에 따라 Zn:Se 전구체 몰비에 따른 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 TEM 사진들로서, 상기 Zn:Se 전구체 몰비가 각각 도 3a는 1:3, 도 3b는 1:2, 도 3c는 1:1, 도 3d는 2:1, 도 3e는 3:1일 때의 각각의 나노 구조체 입자들을 보인다.
도 4a~4b는 본 발명의 실시예들에서 상기 반응용액에 따른 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 TEM 사진들로서, 상기 반응용액으로서 각각 도 4a는 올레일아민(oleylamine)을, 도 4b는 1-옥타데센(1-octadecene)을 사용할 경우의 각 나노 구조체 입자들을 보인다.
도 5a~5c는 본 발명의 실시예들에 따라 상기 CdSe 양자점과 아연 및 셀레늄 전구체 물질이 혼합된 반응용액의 가열온도에 따른 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 TEM 사진들로서, 상기 가열온도가 각각 도 5a는 260℃, 도 5b는 180℃, 도 5c는 330℃일때의 각 나노 구조체 입자들을 보인다.
본 발명은 Cd 기반의 II-V족 화합물에서 정공이 넓게 분포하여 이의 추출이 용이한 헤테로 나노 구조체로서 특히 CdSe 양자점과 ZnSe 나노 로드가 이종접합(heterojunction)을 이루는 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체에 관한 것이다. 이러한 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체는 특히 여기된 정공이 공간적으로 CdSe 양자점과 특히 넓은 표면적을 갖는 ZnSe 나노로드 전 영역에 걸쳐 넓게 분포된 특징을 가짐으로써 내부 여기된 전자와 정공이 재결합없이 공간적으로 분리되어 둘 다 늘어난 수명을 갖고 표면에 용이하게 노출될 수 있으며 광반응의 효율을 증가시킨다.
도 1a~1b는 본 발명에서의 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체에 관한 것으로, 도 1a는 그의 구조를, 도 1b는 그의 에너지 준위 특성을 각각 도시한다.
도 1a에 보이듯이, 상기 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체는 CdSe 양자점 표면의 일 지점에 ZnSe 나노로드를 성장시켜 합성되는 이른바 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체로 된다.
본 발명에서, 상기 ZnSe 나노로드는 상기 CdSe 양자점 표면의 일 지점에서 성장되어 그의 일 종단이 상기 CdSe 양자점의 표면과 이종접합을 이룬다. 또한, 상기 ZnSe 나노로드는 일 축방향(즉, 일차원)으로 길이연장 가능한 큰 종횡비(일 예로서, 대략 2 이상)를 갖는 막대형상으로서, 그 단면이 원형이나 정방형 또는 직사각형의 형상으로 될 수 있으나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 얼마든지 기타의 형상으로도 될 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 ZnSe 나노로드의 길이가 클수록 표면적이 증가하여 정공의 분포된 면적이 증가되므로, 본 발명의 일 실시예에서 상기 ZnSe 나노로드의 길이를 조절하여 정공의 분포된 면적을 가변시키고 상기 나노 구조체의 에너지 밴드 갭 또는 밴드 오프셋을 변경하여 상기 나노 구조체의 파장, 효율 및 광 강도를 임의로 변경할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 일 실시예에서 상기 ZnSe 나노로드의 길이는 대략 10~60㎚의 범위로 될 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 CdSe 양자점은 0차원의 구형 또는 타원형이다. 또한, 상기 CdSe 양자점의 직경은 상기 ZnSe 나노로드의 직경의 대략 0.5~3배 정도의 범위일 수 있으나 본 발명은 이 범위에 한정되지 아니한다.
또한, 도 1b를 참조하면, 본 발명에서 상기 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체는 여기된 정공이 CdSe 양자점과 특히 넓은 표면적의 ZnSe 나노로드 전 영역에 걸쳐 공간적으로 매우 넓게 분포되어있으므로 정공의 추출이 매우 용이하고, 여기된 전자와 정공은 재결합없이 용이하게 분리되어 둘 다 늘어난 수명으로 표면에 노출될 수 있다. 이리하여 광반응에 참여할 수 있는 가능성이 증가되며 광반응 효율이 크게 증대될 수 있다.
이에 대한 비교예로서, 본 발명과는 달리 코어/쉘 구조로 합성한 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체의 경우는 도 2a~2b와 같다. 도 2a~2b는 코어/쉘 형태의 CdSe/ZnSe 나노 구조체에 관한 것으로, 도 2a는 그의 구조를, 도 2b는 그의 에너지 준위를 각각 도시한다.
도 2a와 같이 CdSe 코어와 이를 에워싸는 ZnSe 쉘로 구성된 코어/쉘 나노 구조체에서는 도 2b에 보이듯이 내부 여기된 정공의 공간적 분포는 거의 대부분이 CdSe에만 한정되어 제한적이고, 전자가 여기되어도 CdSe 코어에서 막혀서 ZnSe 쉘층으로 탈출하지못하며 소량의 정공이 표면에 존재한다하더라도 이는 상기 탈출하지못한 전자와 재결합하여 소멸되어버릴 가능성이 매우 크다. 따라서, 광반응 효율이 낮다.
반면에, 본 발명은 위에서 살폈듯이 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조에서 여기된 정공이 공간적으로 CdSe 양자점과 특히 ZnSe 나노로드 전 영역에 걸쳐 넓게 분포되므로 정공의 추출이 쉽고 내부 여기된 전자와 정공이 재결합없이 공간적으로 분리되어 둘 다 늘어난 수명을 갖고 표면에 노출될 수 있으므로 광반응의 효율이 증대된다.
그런데, 특히 위와 같은 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체는 그의 합성이 매우 까다로워 본 발명에서 아래 개시하는 특정 제한된 조건하에서만 한정되어 성공적으로 합성이 가능함이 판명되었다. 본 발명의 이러한 특정 조건을 만족하지 않을 경우는 CdSe 양자점/ZnSe 나노로드의 헤테로 나노 구조체가 얻어지지 않는다.
따라서, 이러한 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 합성 제조에 관하여 본 발명의 바람직한 실시예들과 비교예들을 아래 상세히 설명하며, 본 발명에서 제시하는 특정 조건들이 아래 상세히 개시된다.
다만, 본 발명이 하술하는 실시예들은 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위하여 제공되는 것이며, 본 발명은 하기 실시예들로만 한정되는 것은 아니다.
(1) CdSe 양자점의 합성
CdSe 코어의 카드뮴(Cd) 전구체 물질로서 2mmol 카드뮴 아세테이트(cadmium acetate)와 스테아릭산(stearic acid) 4mmol, 25mL의 1-옥타데센(1-octadecene)을 100℃ 진공환경에서 1시간동안 교반 가열하였다.
그리고, 질소 환경에서 셀레늄(Se) 전구체인 1mmol의 셀레늄 파우더를 주입하고 230℃로 가열 후 2분 동안 유지하여 CdSe 양자점을 합성하였다.
(2) CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 합성
위와 같이 합성된 CdSe 양자점 용액에 헥산(hexane)과 메탄올(methanol)을 첨가하여 원심분리한 후 헥산에 분산시켰다.
그리고, ZnSe 나노로드를 형성시키기위해 아연(Zinc) 전구체 물질로서 0.2mmol의 아연 아세테이트(zinc acetate)와 셀레늄 전구체 물질로서 0.2mmol 셀레늄 파우더를 반응용액인 6mL 올레일아민(oleylamine)에 넣고 상온에서 상기 합성된 30nmol의 CdSe 양자점을 섞고 100℃ 진공환경에서 1시간 동안 교반 가열하였다.
그리고, 질소환경에서 260℃로 가열하여 1시간 동안 유지하여 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체를 합성하였다.
그리고, 위와 같이 합성한 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 STEM 및 원소분석(elemental mapping) 검사를 하였고, 그 결과 CdZnSe 합금(alloy) 구조는 생성되지 않았으며 상기 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체에서 상기 양자점은 CdSe임을, 그리고 상기 나노로드는 ZnSe임을 확인하였다.
도 3a~3e는 본 발명의 실시예들에 따라 Zn:Se 전구체 몰비에 따른 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 TEM 사진들로서, 상기 Zn:Se 전구체 몰비가 각각 도 3a는 1:3, 도 3b는 1:2, 도 3c는 1:1, 도 3d는 2:1, 도 3e는 3:1일 때의 각각의 나노 구조체 입자들을 보인다.
도 3a~3e를 참조하면, Zn:Se 전구체 몰비가 1:2 ~ 2:1 범위에서는 구형의 CdSe 양자점 표면의 일 지점에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 본 발명에 따른 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체가 성공적으로 형성되지만(도 3b~3d), 상기 범위 외의 몰비에서는 구형의 CdSe/ZnSe 코어/쉘 헤테로 나노 구조체가 형성되어버린다(도 3a 및 도 3e). 이러한 CdSe/ZnSe 코어/쉘 헤테로 나노 구조체는 본 발명과는 달리 앞서 도 2a~2b에서 살폈듯이 내부 여기된 정공의 공간적 분포는 거의 대부분이 CdSe에만 한정되고, 전자가 여기되어도 CdSe 코어에서 막혀서 ZnSe 쉘층으로 탈출하지못하며 소량의 정공이 표면에 존재한다하더라도 이는 상기 탈출하지못한 전자와 재결합하여 소멸되어버릴 가능성이 매우 크므로, 광반응 효율이 낮다. 따라서, 본 발명에서 ZnSe 나노로드의 합성에 있어서 Zn:Se 전구체 몰비는 1:2 ~ 2:1 범위임이 바람직하다.
또한, 도 4a~4b는 본 발명의 실시예들에서 상기 반응용액에 따른 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 TEM 사진들로서, 상기 반응용액으로서 각각 도 4a는 올레일아민(oleylamine)을, 도 4b는 1-옥타데센(1-octadecene)을 사용할 경우의 각 나노 구조체 입자들을 보인다.
도 4a에 보이듯이 상기 반응용액으로서 올레일아민을 사용한 경우에는 구형 CdSe 양자점 표면에 ZnSe 나노로드가 형성된 본 발명의 CdSe/ZnSe 코어/쉘 헤테로 나노 구조체가 얻어지지만, 도 4b와 같이 일반적인 나노입자의 합성에 사용되는 용매인 1-옥타데센을 사용한 경우에는 불균일한 형상의 나노 구조체가 형성되어버린다. 따라서, 본 발명에서 CdSe 양자점과 아연 및 셀레늄 전구체 물질이 혼합되는 반응용액은 올레일아민을 포함한 알킬아민으로 됨이 바람직하다.
또한, 도 5a~5c는 본 발명의 실시예들에 따라 상기 CdSe 양자점과 아연 및 셀레늄 전구체 물질이 혼합된 반응용액의 가열온도에 따른 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 TEM 사진들로서, 상기 가열온도가 각각 도 5a는 260℃, 도 5b는 180℃, 도 5c는 330℃일때의 각 나노 구조체 입자들을 보인다.
도 5a의 경우 구형의 CdSe 양자점에 ZnSe 나노로드가 균일하게 성장하여 본 발명의 CdSe/ZnSe 코어/쉘 헤테로 나노 구조체가 얻어진 반면, 도 5b 및 도 5c에서는 CdSe 양자점 표면에 ZnSe 나노로드가 성장하지 않거나 코어/쉘 구조로 성장하였음이 관찰된다. 본 발명에서 CdSe 양자점과 아연 및 셀레늄 전구체 물질이 혼합된 반응용액의 가열온도 T는 180＜T＜330 (℃)의 범위로 됨이 바람직하다.
위와 같이, 본 발명은 CdSe 양자점과 ZnSe 나노 로드가 이종접합을 이루는 CdSe/ZnSe 헤테로 나노 구조체를 성공적으로 합성할 수 있는 제조방법을 개시한다. 앞서 입증되었듯이, 상기 나노 구조체의 합성시 본 발명에서 제시하는 특정 조건을 만족하지 않는 경우에는 CdSe 양자점/ZnSe 나노로드의 헤테로 나노 구조체가 얻어지지 않는다.
그리고, 본 발명에 따라 합성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체는 특히 여기된 정공이 CdSe 양자점과 특히 넓은 표면적의 ZnSe 나노로드 전 영역에 걸쳐 공간적으로 매우 넓게 분포되어있으므로 정공의 추출이 매우 용이하고, 여기된 전자와 정공은 재결합없이 용이하게 분리되어 둘 다 늘어난 수명으로 표면에 노출될 수 있으므로, 전자와 정공 모두 광반응에 참여할 수 있는 가능성이 크게 증가되며 광반응 효율이 크게 증대될 수 있다.
위에 기술한 본 발명의 실시예에 있어서, 예컨대 선택된 원료의 순도, 불순물 함량 및 열처리 조건 등의 여러 실험조건에 따라 통상적인 오차범위 내에서 다소 변동이 있을 수 있음은 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 지극히 당연하다.
아울러 본 발명의 바람직한 구현예 및 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.

Claims (5)

  1. CdSe 양자점과 상기 CdSe 양자점의 표면에 이종접합되어 상기 CdSe 양자점과 일체로 된 ZnSe 나노로드를 포함한 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법에 있어서,
    카드뮴(Cd) 전구체와 셀레늄(Se) 전구체를 반응시켜 상기 CdSe 양자점을 합성하는 단계와;
    아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체와 상기 CdSe 양자점을 알킬아민을 포함한 반응용액 내에서 혼합하되, 상기 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체의 몰비를 1:2 ~ 2:1 범위로 조절하는 단계와;
    상기 반응용액을 180℃보다 크고 330℃ 미만의 온도범위로 가열하여 상기 CdSe 양자점의 표면상에서 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 알킬아민은 올레일아민인 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계는 상기 ZnSe 나노로드의 길이를 조절함으로써 상기 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체에서 여기되는 정공의 분포 면적을 조절하고 상기 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 파장, 효율 및 광 강도 중의 하나 이상을 조절하는 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 ZnSe 나노로드의 길이는 10~60㎚의 범위 내에서 조절되는 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법.
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