KR102205248B1 - 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법 및 장치 - Google Patents

반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법 및 장치 Download PDF

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미힐 헨드리커스 안토니우스 빌헬무스 루텐
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마이크 루이스 테오도어 후더마커
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Abstract

반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법은, 다수의 반도체 다이를 보유하고 제1 툴부 상에 반도체 다이를 제공하기 위한 제1 툴부를 제공하는 단계; 제2 툴부를 제공하는 단계로서, 상기 제1 및 제2 툴부 중 하나는 변위가능한 인서트 부재를 포함하며, 상기 변위가능한 인서트 부재는 상기 제1 툴부 상에 제공된 반도체 다이의 표면 영역 상에 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의한 압력을 인가 허용하도록 구성 및 배치되고, 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치 각각은 하나 이상의 변위가능한 인서트 부재와 관련되는, 상기 제2 툴부의 제공 단계; 및 상기 제1 및 제2 툴부들 사이에 스페이스를 형성하도록 상기 제1 및 제2 툴부를 합치시키는 단계로서, 상기 반도체 다이는 상기 스페이스 내에 배치되는, 상기 제1 및 제2 툴부의 합치 단계를 포함한다. 상기 변위가능한 인서트 부재는 상기 반도체 다이의 상기 표면 영역 상에 힘을 인가한다. 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 압력이 모니터링되어 사전결정된 압력으로 조정된다. 그 후, 상기 제1 및 제2 툴부가 분리되고, 처리된 반도체 다이가 제거된다.

Description

반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법 및 장치{SEMICONDUCTOR DIE ENCAPSULATION OR CARRIER-MOUNTING METHOD, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DIE ENCAPSULATION OR CARRIER-MOUNTING APPARATUS}
본 발명은, 제1 툴부를 제공하는 단계로서, 상기 제1 툴부와 관련된 위치에 다수의 반도체 다이를 보유하도록 구성 및 배치되는, 상기 제1 툴부의 제공 단계; 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치에 반도체 다이를 제공하는 단계; 제2 툴부를 제공하는 단계로서, 상기 제1 및 제2 툴부 중 하나는 변위가능한 인서트 부재를 포함하며, 상기 변위가능한 인서트 부재는 상기 제1 툴부 상에 제공된 반도체 다이의 표면 영역 상에 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의한 압력을 인가 허용하도록 구성 및 배치되고, 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치 각각은 하나 이상의 변위가능한 인서트 부재와 관련되는, 상기 제2 툴부의 제공 단계; 상기 제1 및 제2 툴부들 사이에 스페이스를 형성하도록 상기 제1 및 제2 툴부를 합치시키는 단계로서, 상기 반도체 다이는 상기 스페이스 내에 배치되는, 상기 제1 및 제2 툴부의 합치 단계; 상기 변위가능한 인서트 부재가 상기 반도체 다이의 상기 표면 영역 상에 힘을 인가하게 하는 단계; 상기 제1 및 제2 툴부를 분리하는 단계; 및 처리된 반도체 다이를 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 다이 봉지(semiconductor die encapsulation) 또는 캐리어 실장(carrier-mounting) 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 대응하는 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치에 관한 것이다.
상기 방법은, 예컨대 상기 변위가능한 인서트 부재가 상기 반도체 다이의 상기 표면 영역 상에 힘을 인가하게 한 후에 상기 스페이스 내에 액체 상태의 봉지 물질을 도입하는 단계; 및 상기 봉지 물질을 상기 액체 상태로부터 고체 상태로 고형화하게 하는 단계를 더 포함하는 반도체 다이 봉지 방법일 수 있다. 상기 방법은, 예컨대 상기 반도체 다이와 캐리어 사이에 본딩 물질을 갖는 캐리어 상에 상기 반도체 다이를 제공하는 단계; 상기 제1 툴부 상에 상기 반도체 다이를 제공하는 단계에서 상기 반도체 다이를 갖는 상기 캐리어를 상기 제1 툴부 상에 제공하는 단계; 및 상기 본딩 물질을 경화시키는 단계를 더 포함하는 반도체 다이 캐리어 실장 방법일 수 있다. 이와 같은 방법과, 그에 대응하는 장치는 이와 같이 공지되어 있으며, 일반적으로 부재를 갖는 반도체 다이의 표면 상에 압력을 제공하는 것에 관심사가 있다. 상기 반도체 다이 봉지 방법의 경우에는, 상기 반도체 다이를 보호하는 몇 가지의 물질에 의해 반도체 제품이 봉지된다.
반도체 다이 자체는 다른 방법을 통해 웨이퍼, 예컨대 실리콘 웨이퍼 상에 제조되며, 집적 회로(ICs)를 일반적으로 포함할 것이다. 다른 반도체 다이는 유리 기판 상에 제조될 수 있다. 이러한 반도체 다이의 예에는, 칩, 센서, 파워 ICs, 플립 칩 MEMs, 접촉 패드(예컨대, 솔라용) 패시브, 디스크리트(discrete), LED, 마이크로플루이딕스, 바이오센서 등과, 그 조합이 있다. 이러한 반도체 제품은 본 설명을 위해 일반적으로 반도체 다이로 지칭될 것이다. 마무리된 반도체 웨이퍼로부터 다이는 분리될 수 있다. 제1 툴부 상에는 미가공 다이가 제공될 수 있지만, 상기 다이는 반도체 다이를 제공하도록 캐리어 상에 배치될 수도 있다. 상기 다이의 접촉 패드는 개방 유지되어야 하므로, 봉지되지 않아야 한다. 센서를 위해, 센서 영역은 일반적으로 개방 유지되고, 파워 IC를 위해, 그 히트 싱크 상의 윈도우는 개방 유지되어 파워 IC에 연결된 히트 싱크를 환경에 양호하게 열접촉하게 할 수 있다. 다수의 개방 영역 또는 윈도우는 봉지 시에 다이를 위해 요구될 수 있다. 봉지부 내에 개방된 윈도우를 형성하기 위해, 본 봉지 방법에서 제1 및 제2 몰드 인서트 부재인 제1 및 제2 툴부들 사이의 스페이스 내에 반도체 제품이 유지될 때 부재가 반도체 다이와 접촉한다. 상기 부재 또는 인서트 부재(인서트로도 지칭됨)는 제2 툴부에 고정식으로 부착되거나, 또는 공지된 방법으로 압력을 가하기 위해 스프링 장전될 수 있다. 양자의 예에서, 상기 인서트와 접촉하는 상기 다이(반도체 제품)의 표면의 높이는 양호한 접촉을 제공하는 것으로 잘 알려져 있다. "너무 높은" 다이 표면은 다이 상의 인서트 부재에 의해 가해지는 너무 높은 압력을 초래하여, 다이를 손상시킬 수 있다. "너무 낮은" 다이 표면은 표면 상의 인서트 부재에 의해 가해지는 압력이 충분하지 않아, 개방된 윈도우 상에 봉지 물질의 플래시(flash)와 블리드(bleed)를 야기할 것이다. 이와 같은 높이 제한은 봉지 공정의 프로세스 윈도우를 극심하게 제한한다.
또한, (변위가능한) 인서트 부재에 의해 가해지는 힘은 일정할 것이지만, 인서트 부재가 다이보다 넓다면 스페이스 내의 봉지 물질에 의해 대항될 수 있다. 봉지 물질은 다이를 "오버슈트"하는 인서트 부재의 부분 아래에 제공되어, 힘에 대항하는 또 다른 힘과, 그에 따른 다이 상의 인서트 부재에 의해 가해지는 압력을 야기할 것이다. 제1 및 제2 몰드 부재들 사이의 스페이스 내의 다이의 구성은 인서트 부재에 의해 가해지는 힘에 반대하는 힘이 다이 상에 가해지도록 다이 아래로 나온다. 그 결과, 다이 상에 가해지는 총 압력은 증가하므로, 다이를 손상시킬 수 있다. 이와 같은 현상은 봉지 공정의 프로세스 윈도우를 더욱 제한할 것이다.
반도체 다이 캐리어 실장 방법의 경우에, 반도체 다이와 캐리어 사이에 양호한 본드를 제공하도록 반도체 다이와 본딩 물질 상에 압력이 가해지는 한편, 본딩 물질이 경화한다. 또한, 상기 방법은 소결 방법(sintering method)으로 지칭되고 있다. 또한, 상기 방법에서, 인서트 부재와 접촉하는 다이의 표면에서의 높인 변동이 일반적으로 존재할 것이므로, 다이 상에 가해지는 압력이 이를 위해 너무 높거나 너무 낮게 될 것이다. 너무 높은 압력은 다이에 손상을 야기할 수 있고, 너무 낮은 압력은 다이와 캐리어 사이에 불충분한 본딩 및/또는 접촉을 초래할 수 있다. 또한, 이 경우, 프로세스 윈도우는 반도체 제품에 대한 높이 제한에 의해 극심하게 제한된다.
본 발명의 목적은 인서트 부재에 의해 대항되는 반도체 다이의 표면에서의 높이 변동에 의해 제한되지 않는 프로세스 윈도우를 제공하는 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적 또는 변형 목적은 프로세스 변수와는 적어도 크게 무관하게 반도체 다이 상에 잘 규정된 압력을 제공할 수 있는 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적 또는 변형 목적은, 특히 높이의 큰 변동을 나타내는 제품을 위해 봉지 공정에서 노출 영역을 깨끗하게 유지하기 위한 신뢰성 있는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적 또는 변형 목적은, 공정의 개시에서 반도체 다이의 표면 상에 인서트 부재에 의해 가해지는 압력이 낮은 값으로 설정될 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적 또는 변형 목적은, 비용을 감소시키는 또 다른 프로세스를 위해 지지 기판(리드 프레임) 또는 툴부 상의 높이 변동에 대한 높은 공차를 반도체 다이가 구비하게 하는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적 중 하나 이상은
- 제1 툴부를 제공하는 단계로서, 상기 제1 툴부와 관련된 위치에 다수(2개 이상)의 반도체 다이를 보유하도록 구성 및 배치되는, 상기 제1 툴부의 제공 단계;
- 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치에 반도체 다이를 제공하는 단계;
- 제2 툴부를 제공하는 단계로서, 상기 제1 및 제2 툴부 중 하나는 변위가능한 인서트 부재를 포함하며, 상기 변위가능한 인서트 부재는 상기 제1 툴부 상에 제공된 반도체 다이의 표면 영역 상에 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의한 압력을 인가 허용하도록 구성 및 배치되고, 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치 각각은 하나 이상의 변위가능한 인서트 부재와 관련되는, 상기 제2 툴부의 제공 단계;
- 상기 제1 및 제2 툴부들 사이에 스페이스를 형성하도록 상기 제1 및 제2 툴부를 합치시키는 단계로서, 상기 반도체 다이는 상기 스페이스 내에 배치되는, 상기 제1 및 제2 툴부의 합치 단계;
- 상기 변위가능한 인서트 부재가 상기 반도체 다이의 상기 표면 영역 상에 힘을 인가하게 하는 단계;
- 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 모니터링하는 단계;
- 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 사전결정된 힘으로 조절하는 단계;
- 상기 제1 및 제2 툴부를 분리하는 단계; 및
- 처리된 반도체 다이를 제거하는 단계
를 포함하는, 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법에 의해 성취된다.
일 실시예에서, 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘이 상기 사전결정된 힘을 위한 설정점을 구비한 PID 제어 하에서 조절됨으로써, 인서트에 의한 힘을 설정하고 제어하기 위한 효율적인 방법이 된다.
바람직한 실시예에서, 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘은 각각의 변위가능한 인서트 부재에 작용하는 팽창가능한 구성체 내의 유체 압력에 의해 제공되고, 일 실시예에서, 각각의 변위가능한 인서트 부재에는 동일한 유체 압력이 작용한다. 인서트 부재에 의한 압력의 매우 양호한 조절을 위해 공기 압력이 정확하고 신속하며 효율적으로 제어될 수 있다. 유리하게, 상기 팽창가능한 구성체는 피스톤, 벨로우즈 및 멤브레인 중 적어도 하나를 포함함으로써, 팽창가능한 인서트 부재를 제공하는 신뢰성 있는 방식이 된다.
또 다른 바람직한 실시예에서, 상기 변위가능한 인서트 부재의 접촉면이 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 힘이 발휘되어야 하는 상기 반도체 다이의 표면과 평행하게 정렬되도록 변위가능한 인서트 부재가 경사진다. 이는 상기 인서트 부재가 경사진 방식으로 제1 툴 부재 상에 제공된 반도체 다이에 조절하게 하거나, 또는 또 다른 이유로 인해 경사지는 반도체 다이의 표면에 조절하게 한다. 반도체 다이의 경사진 표면에 대한 이와 같은 조절은 표면을 가로질러 고른 압력을 제공하게 한다. 이는 경사가 큰 변동을 갖는 다이에 적합하게 한다. 이와는 달리, 너무 높은 압력은 표면의 "더욱 높은" 부분에 가해짐으로써, 반도체 다이에 손상을 야기할 것이고, 너무 낮은 압력은 반도체 다이 표면의 "더욱 낮은" 부분에 가해질 것이다. 일 실시예에서, 상기 방법은 반도체 다이와 변위가능한 인서트 부재 사이에 플라스틱 필름을 제공하는 단계를 더 포함한다. 상기 플라스틱 필름은 반도체 다이의 표면 영역을 깨끗하게 유지하는데 개선한다.
또 다른 실시예에서, 상기 팽창가능한 구성체의 변형가능한 부재는 적어도 하나의 변위가능한 인서트 부재에 작용함으로써, 특정한 적용에서 하나의 팽창가능한 구성체에 의해 다수의 인서트를 활성화하게 한다. 실제로, 이는 반도체 제품의 또 다른 구성체를 처리하는 방법을 매우 신속하게 한다. 상기 변형가능한 부재는 실리콘 물질과 같은 가요성 물질을 포함한다.
또 다른 실시예에서, 상기 팽창가능한 구성체의 플레이트는 중앙 지점 주위를 경사지게 함으로써 2개 또는 3개의 변위가능한 인서트 부재 상에 실질적으로 동일한 힘을 작용하여 발휘함으로써, 작은 반도체 제품의 구성체를 취급할 때 효율적이게 될 수 있다.
또한, 본 발명은,
- 상기 변위가능한 인서트 부재가 상기 반도체 다이의 상기 표면 영역 상에 힘을 인가하게 한 후에 상기 스페이스 내에 액체 상태의 봉지 물질을 도입하는 단계;
- 상기 스페이스 내의 압력을 모니터링하는 단계;
- 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 상기 스페이스 내의 압력에 따른 상기 사전결정된 힘으로 조절하는 단계; 및
- 상기 봉지 물질을 상기 액체 상태로부터 고체 상태로 고형화하게 하는 단계
를 더 포함하는, 반도체 다이 봉지 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은,
- 상기 반도체 다이와 캐리어 사이에 본딩 물질을 갖는 캐리어 상에 상기 반도체 다이를 제공하는 단계;
- 상기 제1 툴부 상에 상기 반도체 다이를 제공하는 단계에서 상기 반도체 다이를 갖는 상기 캐리어를 상기 제1 툴부 상에 제공하는 단계; 및
- 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 상기 사전결정된 힘으로 조절하는 동안에, 상기 본딩 물질을 경화시키는 단계
를 포함하는, 반도체 다이 봉지 방법에 관한 것이다.
또 다른 관점에서, 본 발명은 대응하는 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치에 있어서,
- 제1 툴부로서, 상기 제1 툴부와 관련된 위치에 다수의(2개 이상) 반도체 다이를 보유하도록 구성 및 배치되는, 상기 제1 툴부;
- 제2 툴부로서, 상기 제1 및 제2 툴부는 상기 제1 및 제2 툴부들 사이에 스페이스를 형성하기 위해 상기 제1 및 제2 툴부를 합치하게 하도록 배치되고, 상기 반도체 다이는 상기 제1 툴부 상에 보유시에 상기 스페이스 내에 배치되고, 상기 제1 및 제2 툴부 중 하나는 상기 변위가능한 인서트 부재를 포함하며, 상기 변위가능한 인서트 부재는 상기 제1 툴부 상에 제공된 반도체 다이의 표면 영역 상에 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의한 압력을 인가 허용하도록 구성 및 배치되고, 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치 각각은 하나 이상의 변위가능한 인서트 부재와 관련되는, 상기 제2 툴부;
- 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 모니터링하도록 구성 및 배치되는 인서트 부재 힘 모니터링 구성체; 및
- 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 사전결정된 힘으로 조절하도록 구성 및 배치되는 조절 구성체
를 포함하는, 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치에 관한 것이다.
일 실시예에서, 상기 반도체 다이 봉지 장치는
- 상기 스페이스 내에 액체 상태의 봉지 물질을 도입하도록 구성 및 배치되는 충전 구성체; 및
- 상기 스페이스 내의 압력을 모니터링하도록 구성 및 배치되는 스페이스 압력 모니터링 구성체를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 상기 장치는 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 상기 사전결정된 힘을 위한 설정점을 구비한 PID 제어 하에서 조절하도록 구성된 힘 제어기를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 상기 장치는 상기 변위가능한 인서트 부재에 작용하는 팽창가능한 구성체와, 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 제공하기 위해 상기 팽창가능한 구성체 내의 유체 압력을 제공하도록 구성된 유체 흐름 구성체를 포함한다. 상기 팽창가능한 구성체는 피스톤, 벨로우즈 및 멤브레인 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 상기 변위가능한 인서트 부재는, 각각의 변위가능한 인서트 부재의 접촉면이 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 압력이 발휘되는 상기 반도체 다이의 표면과 평행하게 정렬되도록 경사가능(tiltable)하게 구성 및 배치된다.
일 실시예에서, 상기 팽창가능한 구성체는 적어도 하나의 변위가능한 인서트 부재에 작용하도록 구성 및 배치된 변형가능한 부재를 포함한다. 상기 변형가능한 부재는 실리콘 물질을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 상기 팽창가능한 구성체는 2개 또는 3개의 변위가능한 인서트 부재 상에 작용하도록 구성 및 배치되는 플레이트를 포함하며, 상기 플레이트는 각각의 인서트 부재에 실질적으로 동일한 힘을 인가하도록 중앙 지점 주위에서 경사가능하다.
또한, 본 발명은, 본 발명에 따른 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법을 이용하여 제조된 반도체 제품에 관한 것이다.
WO 2007/150012 A 및 EP 1 939 926 A는 반도체 기판을 본딩하기 위한 장치를 개시할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 너무 큰 영역의 기판인 2개의 단일 반도체 웨이퍼의 서로에 본딩하는 것에 관한 것이다. 반도체 웨이퍼에 대한 본 문헌과 관련된 문제점 및 그에서 제안된 해결책은 본 발명에 따른 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법 및 장치와 관련된 문제점 및 그에 의해 제공된 해결책과는 매우 상이하며 관련이 없다.
본 발명의 또 다른 특징 및 이점은 비제한적이고 비배타적인 실시예로서 본 발명의 설명으로부터 명백해질 것이다. 이러한 실시예는 보호 범위를 제한하는 것으로 고려되지 않아야 한다. 본 발명의 범위 내에서 각종 다른 실시예가 고안될 수 있다. 본 발명의 실시예는 첨부한 도면을 참조하여 기술될 것이며, 유사 또는 동일 참조부호는 유사, 동일 또는 대응하는 부품을 지칭한다.
도 1은 반도체 다이의 봉지를 위해 제1 및 제2 몰드부들 사이의 스페이스 내에 제공된 반도체 다이, 변위가능한 인서트 부재를 갖는 몰드를 도시한 도면,
도 2a 및 2b는 도 1의 변위가능한 인서트 부재의 리트랙트 위치와 인서트 위치에서의 상세도,
도 3은 변위가능한 인서트 부재에 작용하는 팽창가능한 부재와 함께 도 1 및 2의 인서트 부재에 대한 상세도,
도 4a, 4b 및 4c는 캐리어를 구비하는 반도체 다이로서, 반도체 다이의 상부면은 경사(도 4b 및 4c) 또는 경사지지 않은(도 4a) 상태를 도시한 도면,
도 5는 인서트 부재에 압력을 인가하기 위한 유체 흐름 구성체에 대한 개략도,
도 6a, 6b 및 6c는 반도체 다이 봉지 방법에 대한 적용례를 도시한 도면,
도 7은 양자의 툴부들 사이에 다수의 반도체 다이를 갖는 캐리어-본딩 방법을 위한 2-부분 툴을 도시한 도면,
도 8a 및 8b는 본 발명에 따른 다른 실시예에 대한 개략도,
도 9a 및 9b는 본 발명에 따른 또 다른 실시예에에 대한 측면 및 상면으로부터의 개략도.
반도체 다이이거나 또는 이를 포함하는 반도체 제품(10)의 봉지 방법에 이용되는 몰드(100)는 도 1에 도시된다. 도면은 제1 툴(몰드)부(110)와 제2 툴(몰드)부(120) 사이의 스페이스(130) 내에 제공되는 반도체 제품 또는 다이를 도시한다. 도시한 예에서, 반도체 캐리어-다이 제품(10)은 캐리어(20) 상에 배치된 다이(11)를 포함하고, 접촉 와이어(12)는 캐리어 상의 전기 접점(미도시)과 다이(11) 사이에 제공되어 있다. 액체 상태에 있는 봉지 물질은 다이, 전기 와이어, 캐리어의 부분인 반도체 제품의 봉지를 위해 몰드부(110, 120)들, 캐리어(20) 및 반도체 제품(10) 사이의 개방 스페이스(130) 내에 제공되어야 한다. 액체 봉지 물질의 도입 후에, 반도체 제품 및/또는 다이의 최종 봉지를 제공하도록 고형화되게 한다. 봉지 방법 및 그에 대응하는 장치는 이와 같이 공지되어 있으며, 더 개시하지 않는다. 도 1은 제2 몰드(툴)부(120)와 반도체 제품과 캐리어 사이에 제공되어 있음으로써 몰드에 봉지 물질이 고착하는 것을 방지하는 필름(121)을 더 도시한다. 반도체 제품이 제공되기 전에 하나 또는 양자의 툴부(110, 120)에는 필름이 인가될 수 있다. 바람직하게, 필름은 테프론 필름과 같은 스트레치가능한 필름이다.
반도체 제품은 반도체 제조 기술을 이용하여 일반적으로 제조되는 각종 유형의 제품을 포함할 수 있다. 이는 칩, 파워 ICs, 센서, MEMs, LEDs 등과, 그 조합을 포함할 수 있다. 반도체 제품은 미가공 다이일 수 있지만, 반도체 제품을 제공하도록 기판 또는 캐리어 상에 제공되는 다이일 수도 있다. 일반적으로, 반도체 제품은, 예컨대 주입법, 화학적 증착법, 리소그래피 프로젝션 등과 같은 반도체 제조 기술을 이용하여 웨이퍼 등 내에 제조되어 그 외부로 분리되는 다이를 포함한다.
도 1은 제2 툴부(120) 상에 제공된 인서트 부재(200)를 더 도시한다. 인서트 부재는 그 사이에 필름(121)을 갖는 반도체 제품(10)의 다이(11)와 접촉하는 것으로 도시되어, 반도체 제품 상에 개방된 영역 또는 윈도우를 유지하는 기능을 한다. 인서트 부재는 반도체 제품 상에 압력을 가하며, 그 압력은 주의 깊게 선택되어야 한다. 너무 높은 압력은 반도체 제품을 손상시킬 수 있고, 너무 낮은 압력은 봉지 물질이 반도체 제품과 인서트 부재(필름) 사이에서 나오게 할 수 있다(소위 플래시 및 블리드).
인서트 부재(또는 인서트로도 지칭됨)는 인서트(200)에 의해 접촉되는 반도체 다이의 표면에 실질적으로 수직인 방향(도 1에서의 수직방향)으로 변위가능하고, 인서트에 의해 가해지는 힘과 압력(단위 표면 영역당 힘)을 허용한다. 도 2a는 제1 및 제2 툴부(110, 120)가 합치되기 전의 인서트(200)의 위치를 도시한다. 인서트(200)는 제2 툴부(120) 내의 리트랙트 위치에 있다. 도 2b는 도 1에 도시한 바와 같이 제1 및 제2 툴부의 합치를 도시한다. 인서트(200)는 그 사이에 필름(121)을 갖는 반도체 다이(11)와 접촉한다. 기본적으로 2가지 방식으로 도 2a의 상황으로부터 도 2b의 상황으로 도달할 수 있다. 하나의 방식은 제1 및 제2 툴부를 합치한 다음, 제2 툴부에 대해 인서트를 변위시킴으로써 반도체 다이와 인서트가 접촉하게 하는 것이다. 제2 방식은 제2 툴부 외부로 돌출하도록 제2 툴부에 대해 인서트를 우선 변위시키는 것이다. 그 후, 제1 및 제2 툴부가 합치된다. 인서트는 제1 및 제2 툴부가 접촉하는 것보다 반도체 다이와 먼저 접촉할 것이다. 따라서, 인서트는 제1 및 제2 툴부가 접촉할 때 제2 툴부 내로 다시 이동될 것이다.
그 구성은 반도체 다이의 표면과 접촉하는 인서트의 표면이 반도체 다이의 표면과 정렬되도록 변위가능한 인서트 부재(200)가 경사 운동을 할 수 있다는 것이다. 이를 위해, 중간 부재(300)가 인서트 부재와 접촉하는 볼록하고, 만곡하며 그리고/또는 뾰족한 단부를 구비함으로써, 중간 부재(300)와의 접촉 지점을 중심으로 인서트(200)의 경사를 허용한다. 인서트(200)와 중간 부재(300)의 운동은 도 4에 도시한 바와 같이 제2 툴부(120)와 중간 플레이트(320)에 의해 제공되는 캐비티(310)에 의해 구속된다.
중간 부재(300)의 변위는 도 3에 도시한 팽창가능한 구성체(400)에 의해 구동된다. 팽창가능한 구성체는 피스톤 블록(420) 내에서 이동할 수 있는 피스톤(410)을 포함한다. X-링(430)의 형태를 취하는 시일은 피스톤 블록(420)과 피스톤(410) 사이에 제공된다. 피스톤 상에 유체 압력을 인가하기 위해 피스톤 블록 내의 피스톤 위에는 유체 챔버(440)가 배치된다. 유체 압력은 인서트(200) 및 그에 따른 반도체 제품(10) 상에 가해지는 중간 부재(300)를 거친다. 유체는 유체 흐름 구성체(500)의 유체 채널(510)을 통해 유체 챔버(440)로 공급되는 공기일 수 있다. 또한, 팽창가능한 구성체는 벨로우즈에 인가되는 유체 압력의 결과로서 팽창 또는 대항하는 벨로우즈를 포함할 수 있다.
도 3은 반도체 다이의 위치설정을 위해 제1 툴부와 관련된 위치와 관련된 다수의 변위가능한 인서트 부재를 도시한다. 제1 툴부는 몇 가지의 보다 큰 반도체 제품에 내장될 수 있는 수 백개의 반도체 다이일 수 있는 다수의 반도체 다이를 보유하기에 적합하다. 이에 따라, 상기 방법 및 그에 대응하는 장치는 샷(shot)당 처리되는 다이의 개수에서 매우 높은 생산성을 허용한다. 인서트에 의해 개방 유지되는 다이의 표면 영역은 0.2 내지 20 mm2의 차순(order)일 수 있다. 변위가능한 인서트에 의해 인가되는 압력은 1 바아, 예컨대 5 바아 내지 수십 또는 수백 바아, 예컨대 100 바아의 차순일 수 있다. 온도는 수십 ℃ 내지 수백 ℃의 범위, 예컨대 300℃일 수 있다.
도 4a, 4b 및 4c는 실제로 발생할 수 있는 캐리어(20)를 구비하는 반도체 다이(10)의 각종 구성을 도시한다. 도 4a는 반도체 제품 내에 포함되는 다이(11)의 상부면이 하부면에 평행함으로써 상부면이 제1 툴 부재(110)의 접촉면에 평행한 다소 이상적인 상황을 도시한다. 반도체 다이의 상부면의 높이(Ha)는 제1 툴 부재의 접촉면 위의 소정 레벨에 있다. 도 4b는 다르지만 비교가능한 반도체 제품에 대한 구성을 도시한다. 그 상부면은 경사지고, 높은 측부에 있는 그 높이(Hb1)와, 하측부에 있는 그 높이(Hb2)는 기준 높이(Ha)와 동일하지 않다. 도 4c는 본딩 물질(30)에 의해 기판(20)에 본딩되지 않는 또 다른 다이(11)의 구성을 도시한다. 본딩 물질이 동질하게 제공되어 있지 않기 때문에, 반도체 제품(10)의 상부면은 제1 툴부(110)의 접촉면에 평행하지 않고, 양자의 높이(Hc1, Hc2)는 기준 높이(Ha)와 동일하지 않다. 인서트 부재(200)는 반도체 제품의 상부면 상에 사전결정된 균일한 압력을 인가하도록 도 4a, 4b 및 4c에 도시한 구성을 조절할 것이다. 반도체 제품의 100㎛ 차순의 높이 및 경사 공차가 허용가능하다.
유체 흐름 구성체(500)의 개략도는 도 5에 도시된다. 공장 공기 공급부가 공장 공기 레귤레이터(540)에 공급된 후에, 예컨대 공장 공기 압력의 약 8배로 부스터(550)에 의해 더욱 높은 압력으로 제공된다. 그 다음, 유체(공기)는 유체 채널(520)을 통해 메인 밸브(565)와 PID 압력 제어기(560)(메인 밸브(560)를 제어함)로 통과한다. 제1 및 제2 몰드부들 사이의 스페이스 내에는 복합 압력 센서(590)가 제공됨으로써 스페이스 내의 봉지제 또는 복합 물질의 압력을 모니터링한다. 압력 센서(590)의 신호는 시스템 제어기(580)로 통과된다. 시스템 제어기(580)는 유체 채널(510)과 유체 챔버(440) 내의 유체(공기) 압력을 위한 설정점을 PID 압력 제어기(560)로 제공한다.
유체 채널(510)과 유체 챔버(440) 내의 압력은 PID 압력 제어기(560)(압력 센서를 포함함)에 의해 모니터링되며, 또한 시스템 제어기로 다시 통과된다. 시스템 제어기(580)는 PID 압력 제어기(560)의 비례, 적분 및 미분 변수를 설정하도록 채용되며, 그 변수들은 유체의 유량을 설정하기 위해 메인 밸브(565)를 조절하는데 이용된다. 일부 유체는 조절가능한 니들 밸브(570)를 통해 유체 채널(510)로부터 배출되게 허용됨으로써, 유체 챔버로부터 유체가 배출될 수 있기 때문에 유체 챔버(440) 내의 압력이 감소하도록 설정되게 한다.
유체 챔버(440) 내의 유체 압력은 인서트 부재(200)에 의해 가해지는 힘을 결정한다. 인서트 부재에 의해 가해지는 힘은 유체 챔버(440) 내의 압력에 비례한다. 따라서, 유체 챔버(440) 내의 압력을 모니터링하는 것은 인서트 부재에 의해 가해지는 힘 및 그에 따른 반도체 제품에 가해지는 압력을 모니터링하는 것이다. 따라서, PID 압력 제어기(560)는 PID 제어 하에서 인서트(200)에 의해 가해지는 힘을 제어하기 위한 PID 힘 제어기이어도 좋다. 유체 챔버 내의 압력 및 그에 따른 변위가능한 인서트에 의해 가해지는 힘은 적절한 대역폭으로 실시간으로 모니터링되어 조절되며, 그 대역폭은 수백 헤르츠, 예컨대 200 Hz이지만, 소망한다면 보다 낮거나 높은 대역폭의 차순일 수 있다.
적용례는 도 6a에 도시된다. 다이를 포함하는 반도체 제품(10)은 제1 몰드부(110) 상에 제공되고, 인서트(200)가 반도체 제품 상에 힘(F1)을 가하여, 반도체 제품 상에 가해진 압력을 산출한다. 그 후, 제1 및 제2 몰드부(110, 120)와 인서트(200) 사이의 스페이스(130)는 액체 봉지제 또는 복합 물질(미도시)로 충전된다. 봉지 물질은 스페이스(130) 내에 도입되기 전에 용융되는 필(pills)로서 일반적으로 제공된다. 힘(F1)에 의해 제공되는 사전결정된 압력은 제품(10)의 다이의 상측부를 개방하고 깨끗하게 유지하도록 요구된다. 복합 물질로 스페이스(130)를 충전하는 동안에, 복합력(FC)에서 초래되는 증가하는 압력은 힘(F1)에 대항하는 인서트(200) 상의 복합제에 의해 가해질 것이다. 따라서, 제품(10) 상에 가해지는 일정한 압력을 갖도록 인서트에 의해 추가적인 힘(F2)이 가해져야 한다. 또한, 복합(봉지) 물질의 경화 동안에, 복합 압력은 일반적으로 변할 것이다. 따라서, 복합제의 압력은 복합 압력 센서(590)(도 6a에 도시되지 않고, 도 5에 도시됨)에 의해 측정되어 시스템 제어기(580)로 통과됨으로써, 조절된 설정점 압력을 PID 압력 제어기(560)에 제공한다. 또한, 압력 센서(590)에 의한 스페이스 내의 압력은 유체 챔버(440) 내의 압력을 측정하는 대역폭과 비교할만한 대역폭으로 실시간 모니터링된다. 반도체 제품의 다이 상의 인서트(200)에 의해 가해지는 힘은 제품 상의 인서트에 의해 가해지는 압력이 스페이스 내의 복합 압력을 초과, 예컨대 스페이스 내의 복합 압력의 1-20% 초과하도록 설정된다.
또 다른 적용례는 도 6b에 도시된다. 히트 싱크(50) 상에 실장된 파워 IC를 포함하는 반도체 제품(10)은 스페이스(130) 내의 제1 몰드부(110) 상에 제공된다. 인서트(200)는 히트 싱크(50)를 갖는 제품(10) 상에 사전결정된 압력(복합 물질 없이 힘(F1)에 의해 제공됨)을 가하는 것이다. 스페이스(130)를 충전하는 복합 물질에 의한 압력의 영향에 대항하기 위해, 인서트에 의한 추가적인 힘(F2)이 요구되어, 팽창가능한 구성체(400) 내의 유체의 압력을 조절함으로써 다시 영향을 받는다.
도 6c는 본딩 물질에 의해 캐리어(20)에 본딩되는 센서 다이(11)를 포함하는 반도체 제품을 도시한다. 상기 제품은 제1 몰드부(110) 상에 다시 제공되고, 인서트(200)는 봉지 공정 동안에 제품 상에 압력을 가한다. 본딩 물질은 복합 물질이 도입될 수 있는 개방 스페이스를 제공한다. 본 예에서, 복합제는 반도체 제품(10)의 다이 상의 인서트에 의해 가해지는 일정한 네트 압력을 제공하도록 인서트에 의한 힘(F1)과 더불어, 힘(F2)에 의해 대항되는 복합 압력을 제공한다.
도 7은 본딩 물질(30)을 이용하여 리드 프레임과 같은 캐리어(20) 상에 다이(11)를 실장하기 위한 2-부분 툴을 도시한다. 이는 상술한 바와 같은 방법 및 장치에서 봉지(패키지)될 수 있는 또 다른 반도체 제품을 산출할 것이다. 본딩 공정은 캐리어(20)와 다이(11) 사이에 소결 페이스트가 제공되는 소결 공정일 수 있다. 소결 페이스트는 사전결정된 시간 간격 동안에 사전결정된 압력 하에서 사전결정된 온도로 가열될 때 순수 Ag 층으로 변환되는 순수 은(Ag) 입자를 포함할 수 있다. 상호연결된 Ag 입자의 다공성 구조는 반도체 제품의 다이 및 기판에 상호연결될 것이다. 일반적으로, 소결 페이스트는 구리(Cu)와 같은 또 다른 금속 등의 다른 전도체를 포함할 수 있다. 본딩 물질은, 예컨대 (국부) 전기 전도성 및/또는 열 전도성을 제공하기 위해 기판 또는 선택적인 영역에 면하는 다이의 표면의 큰 영역 또는 전체 영역을 가로질러 제공될 수 있다. 본딩 또는 소결 공정에서, 인서트 부재에 의해 인가되는 압력은 변위가능한 인서트 부재에 의해 힘이 가해지는 반도체 제품 또는 다이의 온도에 따라 다르게 제조될 수 있다. 예컨대, 다이의 온도가 130℃에 도달하기 전에 최대 설정 압력이 인가되게 하는 반도체 제품 또는 다이의 온도에 따라 압력 프로파일을 설정할 수 있다.
사전결정된 압력을 제공하기 위해, 다이를 포함하는 반도체 제품은 제1 툴부(110) 상에 제공된다. 변위가능한 인서트(200)를 갖는 제2 툴부(120)는 제1 툴부 위에 제공된다. 그 다음, 인서트(200)는 봉지 방법을 위해 상술한 바와 동등한 방식으로 사전결정된 압력으로 다이에 대해 강제된다. 소결 페이스트의 가열 동안에, 인서트에 의해 가해지는 압력은 요구되는 바와 같이 모니터링 및 조절된다. 인서트에 의한 압력은 1-150 바아의 범위에 있고, 예컨대 특정한 적용에 의해 요구되는 바와 같은 40 바아이다. 도 7에서는 다이를 갖는 다수의 반도체 제품이 배치(batch)로 처리되기 위해 제1 및 제2 툴부(110, 120)들 사이의 스페이스 내에 제공되는 것을 도시한다. 각각의 반도체 제품은 단일의 관련된 인서트를 갖는다. 각각의 인서트에 의해 가해지는 압력은 집합적으로 유지 및 모니터링된다. 도 1 내지 6을 참조하여 상술한 바와 같이, 각각의 인서트는 반도체 다이의 높이 및 경사에 그 자체를 조절한다. 다이를 갖는 3가지 예의 반도체 제품은 모두 상이한 높이 및 경사를 도시한다. 100㎛ 크기의 차순, 예컨대 400㎛ 의 높이 및/또는 경사의 차이가 수용될 수 있다.
또 다른 실시예는 도 8a에 개략적으로 도시된다. 도면에서는 제1 툴부(110) 상에 배치된 다이를 갖는 다수의 반도체 제품(10)을 도시한다. 각각의 반도체 제품은 관련된 변위가능한 인서트(200)를 갖는다. 하나의 인서트만이 반도체 제품당 도시되는 한편, 제품당 2개 이상의 인서트가 채용될 수 있다. 전술한 실시예에 개시된 바와 같이 피스톤형 요소(410)에 의해 인서트(200) 상에 힘이 인가된다. 실리콘 물질의 변형가능한 시트와 같은 가요성 및/또는 변형가능한 부재(250)는 피스톤형 요소(410)와 다수의 변위가능한 인서트(200) 사이에 배치된다. 또한, 그 구성은 유체 챔버 내의 압력이 피스톤형 요소 상에 실장되지 않고서 가요성/변형가능한 부재(350)에 직접 작용하는 것일 수 있다. 그 다음, 이와 같은 가요성/변형가능한 부재는 피스톤형 요소로서 작용할 수 있다. 또 다른 구성에서, 가요성/변형가능한 부재(350)는 도 8b에 도시된 바와 같이 그 외주가 제2 툴부(120)에 (직접 또는 간접) 부착되는 멤브레인으로서 배치된다. 가요성 및/또는 변형가능한 부재는 각각의 인서트가 반도체 제품의 관련된 다이의 개별적인 높이 및 경사로 조절하게 함으로써, 그 관련된 제품 상의 각각의 인서트에 의해 실질적으로 동일한 힘과, 고른 압력이 인가된다. 팽창가능한 구성체의 가요성/변형가능한 부재(350)와 조합하여 개별적인 인서트(200)는 개별적인 반도체 제품의 높이 및 경사 변동으로의 조절을 허용한다. 도 8a 및 8b는 인서트 상에 가해지는 힘의 결과로서 덴트를 갖는 가요성/변형가능한 부재를 도시한다. 인서트(200)는 가요성/변형가능한 부재(350)에 부착되고, 가요성/변형가능한 부재는 도면에 도시하지 않지만 이와 같이 공지된 방식으로 피스톤(410)에 부착된다.
또 다른 실시예는 도 9a 및 9b에 개략적으로 도시된다. 도면은 제1 툴부110) 상에 다이를 갖는 반도체 제품(10)을 도시하며, 각각의 제품은 관련된 팽창가능한 인서트(200)를 갖는다. 인서트는 플레이트(360)에 결합됨으로써 인서트에 대해 경사질 수 있다. 따라서, 인서트는 만곡된 상부를 가지지만, 이러한 경사는 또 다른 방식으로 성취될 수도 있다. 플레이트(360)는 피스톤(410)에 달리 결합된다. 또한, 피스톤으로의 결합은 플레이트(360)가 피스톤에 대해 경사질 수 있도록 한다. 실제의 실시예에서, 이는 도 2a, 2b 및 3에 도시한 바와 같이 비교할만한 방식으로 성취될 수 있다. 이와 같은 실제의 실시예에서, 플레이트(360)(및 인서트(200))는 중간 부재(300)에 비교할만한 제1 툴부(120) 내에 봉입될 것이다. 피스톤은 중앙 위치에서 플레이트에 결합된다. 플레이트로의 인서트 및 피스톤의 결합은 도시되지 않지만, 이와 같이 공지되어 있다. 플레이트(360)를 인서트 및 피스톤에 결합하는 구성에 의해, 플레이트는 반도체 제품의 높이 변동을 조절하고, 반도체 제품 각각에 대한 실질적으로 동일한 힘을 가하도록 사용시에 경사질 것이다. 또한, 플레이트에 대한 인서트의 결합은 사용시에 인서트의 경사가 반도체 제품의 경사 변동을 조절하게 한다.
제1 툴부가 반도체 다이 또는 반도체 다이를 포함하는 반도체 제품을 배치하는 하측 툴부이고, 제2 툴부가 변위가능한 인서트 부재를 갖는 상측 툴부인 실시예가 개시되었다. 그러나, 다이를 제공하는 제1 툴부가 상측 툴부일 수 있는 한편, 하측 툴부가 변위가능한 인서트 부재를 갖는 제2 툴부이다. 또 다른 실시예에서, 제1 툴부 양자는 변위가능한 인서트 부재를 포함하고, 반도체 다이를 갖는 (반도체 제품)을 보유하도록 구성된다. 일반적으로, 제2 툴부는 이와 같은 실시예에서 하측 툴부일 것이며, 그 다이는 하측방향에 면하는 캐리어 상에 배치된다. 그 다음, 제2 툴부는 양자의 툴부가 합치되어 있을 때 다이를 배치하는 스페이스를 제공하도록 폐쇄하는 툴부이다. 본 발명의 각종 다른 실시예는 도면과 함게 상술한 개시내용을 읽을 때 당업자에게 명백할 것이며, 그 모두는 본 발명의 범위 및 첨부한 특허청구범위 내에 있을 것이다.

Claims (22)

  1. 반도체 다이 봉지(semiconductor die encapsulation) 또는 캐리어 실장(carrier-mounting) 방법에 있어서,
    - 제1 툴부(110)를 제공하는 단계로서, 상기 제1 툴부와 관련된 위치에 다수의 반도체 다이(10)를 보유하도록 구성 및 배치되는, 상기 제1 툴부(110)의 제공 단계;
    - 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치에 반도체 다이를 제공하는 단계;
    - 제2 툴부(120)를 제공하는 단계로서, 상기 제1 및 제2 툴부 중 하나는 변위가능한 인서트 부재(200)를 포함하며, 상기 변위가능한 인서트 부재(200)는 상기 제1 툴부 상에 제공된 반도체 다이의 표면 영역 상에 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의한 압력을 인가 허용하도록 구성 및 배치되고, 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치 각각은 하나 이상의 변위가능한 인서트 부재와 관련되는, 상기 제2 툴부(120)의 제공 단계;
    - 상기 제1 및 제2 툴부들 사이에 스페이스(130)를 형성하도록 상기 제1 및 제2 툴부(110, 120)를 합치시키는 단계로서, 상기 반도체 다이는 상기 스페이스 내에 배치되는, 상기 제1 및 제2 툴부(110, 120)의 합치 단계;
    - 상기 변위가능한 인서트 부재(200)가 상기 반도체 다이(10)의 상기 표면 영역 상에 힘을 인가하게 하는 단계;
    - 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 모니터링하는 단계;
    - 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 사전결정된 힘으로 조절하는 단계;
    - 상기 제1 및 제2 툴부를 분리하는 단계; 및
    - 처리된 반도체 다이를 제거하는 단계
    를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 변위가능한 인서트 부재(200)에 의해 인가된 힘이 상기 사전결정된 힘을 위한 설정점을 구비한 PID 제어 하에서 조절되는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    각각의 변위가능한 인서트 부재(200)에 의해 인가된 힘은 각각의 변위가능한 인서트 부재에 작용하는 팽창가능한 구성체(400) 내의 유체 압력에 의해 제공되는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    각각의 변위가능한 인서트 부재(200)에는 동일한 유체 압력이 작용하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 팽창가능한 구성체(400)는 피스톤(410), 벨로우즈 및 멤브레인(350) 중 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 변위가능한 인서트 부재의 접촉면이 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 힘이 발휘되어야 하는 상기 반도체 다이(10)의 표면과 평행하게 정렬되도록 변위가능한 인서트 부재(200)가 경사지는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 다이(10)와 변위가능한 인서트 부재(200) 사이에 플라스틱 필름을 제공하는 단계를 더 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 팽창가능한 구성체(400)의 변형가능한 부재(350)는 적어도 하나의 변위가능한 인서트 부재(200)에 작용하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 변형가능한 부재(350)는 가요성 물질 및 실리콘 물질로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 팽창가능한 구성체(400)의 플레이트(360)는 중앙 지점 주위를 경사지게 함으로써 2개 또는 3개의 변위가능한 인서트 부재(200) 상에 실질적으로 동일한 힘을 작용하여 발휘하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    - 상기 변위가능한 인서트 부재(200)가 상기 반도체 다이(10)의 상기 표면 영역 상에 힘을 인가하게 한 후에 상기 스페이스(130) 내에 액체 상태의 봉지 물질을 도입하는 단계;
    - 상기 스페이스 내의 압력을 모니터링하는 단계;
    - 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 상기 스페이스 내의 압력에 따른 상기 사전결정된 힘으로 조절하는 단계; 및
    - 상기 봉지 물질을 상기 액체 상태로부터 고체 상태로 고형화하게 하는 단계
    를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    - 상기 반도체 다이와 캐리어 사이에 본딩 물질(30)을 갖는 캐리어(20) 상에 상기 반도체 다이(10)를 제공하는 단계;
    - 상기 제1 툴부 상에 상기 반도체 다이를 제공하는 단계에서 상기 반도체 다이를 갖는 상기 캐리어를 상기 제1 툴부(110) 상에 제공하는 단계; 및
    - 상기 변위가능한 인서트 부재(200)에 의해 인가된 힘을 상기 사전결정된 힘으로 조절하는 동안에, 상기 본딩 물질을 경화시키는 단계
    를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법.
  13. 반도체 다이 봉지(semiconductor die encapsulation) 또는 캐리어 실장(carrier-mounting) 장치에 있어서,
    - 제1 툴부(110)로서, 상기 제1 툴부와 관련된 위치에 다수의 반도체 다이(10)를 보유하도록 구성 및 배치되는, 상기 제1 툴부(110);
    - 제2 툴부(120)로서, 상기 제1 및 제2 툴부는 상기 제1 및 제2 툴부들 사이에 스페이스(130)를 형성하기 위해 상기 제1 및 제2 툴부를 합치하게 하도록 배치되고, 상기 반도체 다이는 상기 제1 툴부 상에 보유시에 상기 스페이스 내에 배치되고, 상기 제1 및 제2 툴부 중 하나는 변위가능한 인서트 부재(200)를 포함하며, 상기 변위가능한 인서트 부재(200)는 상기 제1 툴부 상에 제공된 반도체 다이의 표면 영역 상에 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의한 압력을 인가 허용하도록 구성 및 배치되고, 상기 제1 툴부와 관련된 상기 위치 각각은 하나 이상의 변위가능한 인서트 부재와 관련되는, 상기 제2 툴부(120);
    - 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 모니터링하도록 구성 및 배치되는 인서트 부재 힘 모니터링 구성체(560); 및
    - 각각의 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 사전결정된 힘으로 조절하도록 구성 및 배치되는 조절 구성체(500)
    를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    - 상기 스페이스 내에 액체 상태의 봉지 물질을 도입하도록 구성 및 배치되는 충전 구성체; 및
    - 상기 스페이스(130) 내의 압력을 모니터링하도록 구성 및 배치되는 스페이스 압력 모니터링 구성체(590)
    를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 변위가능한 인서트 부재(200)에 의해 인가된 힘을 상기 사전결정된 힘을 위한 설정점을 구비한 PID 제어 하에서 조절하도록 구성된 힘 제어기(560)를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 변위가능한 인서트 부재(200)에 작용하는 팽창가능한 구성체(400)와, 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 인가된 힘을 제공하기 위해 상기 팽창가능한 구성체 내의 유체 압력을 제공하도록 구성된 유체 흐름 구성체(500)를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 팽창가능한 구성체(400)는 피스톤(410), 벨로우즈 및 멤브레인(350) 중 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 변위가능한 인서트 부재(200)는, 각각의 변위가능한 인서트 부재의 접촉면이 상기 변위가능한 인서트 부재에 의해 압력이 발휘되는 상기 반도체 다이(10)의 표면과 평행하게 정렬되도록 경사가능하게 구성 및 배치되는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 팽창가능한 구성체(400)는 적어도 하나의 변위가능한 인서트 부재(200)에 작용하도록 구성 및 배치된 변형가능한 부재(350)를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 변형가능한 부재(350)는 가요성 물질 및 실리콘 물질로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 팽창가능한 구성체(400)는 2개 또는 3개의 변위가능한 인서트 부재(200) 상에 작용하도록 구성 및 배치되는 플레이트(360)를 포함하며, 상기 플레이트는 각각의 인서트 부재에 실질적으로 동일한 힘을 인가하도록 중앙 지점 주위에서 경사가능한,
    반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 장치.
  22. 제1항에 따른 반도체 다이 봉지 또는 캐리어 실장 방법을 이용하여 제조된 반도체 제품.
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