KR102157838B1 - Nozzle unit, substrate treating apparatus and nozzle cleaning method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 하우징, 상기 하우징 내에 위치하고, 기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛, 그리고 상기 반송 유닛에 놓인 상기 기판으로 액을 공급하는 노즐 유닛을 포함하되, 상기 노즐 유닛은, 내부에 상기 액이 저장되는 버퍼 공간 및 상기 버퍼 공간으로부터 그 하단으로 연장된 토출라인을 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 분사하고 로드 형상으로 제공되는 바디, 상기 바디로 상기 액이 공급되는 공급라인, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 일단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 1 측벽으로 제공되는 제 1 플레이트, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 타단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 2 측벽으로 제공되는 제 2 플레이트를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A housing, a transfer unit positioned in the housing and transferring a substrate in a first direction, and a nozzle unit supplying a liquid to the substrate placed on the transfer unit, wherein the nozzle unit is a buffer in which the liquid is stored A body having a space and a discharge line extending from the buffer space to a lower end thereof, and spraying the liquid onto the substrate and provided in a rod shape, a supply line supplying the liquid to the body, and in the longitudinal direction of the body. A first plate detachably coupled to one end thereof and provided as a first sidewall of the buffer space, a first plate detachably coupled to the other end of the body in the longitudinal direction, and provided as a second sidewall of the buffer space It may contain 2 plates.

Description

노즐 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법{NOZZLE UNIT, SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND NOZZLE CLEANING METHOD}Nozzle unit, substrate processing device, and nozzle cleaning method {NOZZLE UNIT, SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND NOZZLE CLEANING METHOD}

본 발명은 노즐 유닛, 노즐 유닛을 이용하여 기판에 액을 공급하는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 유닛을 세정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle unit, a substrate processing apparatus for supplying a liquid to a substrate using the nozzle unit, and a method for cleaning the nozzle unit.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 세척 공정, 그리고 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다. Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate have a great influence on the characteristics and production yield of semiconductor devices. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed in steps before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. In general, substrate cleaning is a chemical treatment process that removes metallic foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate using chemicals, a cleaning process that removes chemicals remaining on the substrate using pure water, and nitrogen gas. It includes a drying process of drying the substrate by using or the like.

일반적으로, 세척 공정에서 케미컬을 제거하기 위해 순수를 공급하면, 기판 상에 잔류하는 케미컬과 순수가 혼합되어 기판 상에 두껍게 쌓이게 된다. 따라서 기판이 계속적으로 식각되고, 순수를 공급하는 노즐의 타력이 효과적으로 전달되지 않는다. 이로 인해, 세척 공정에서 순수를 공급하기 전에 인샤워 나이프로 액을 분사한다. 도 1은 종래의 일반적인 인샤워 나이프를 보여준다. 이 때, 인샤워 나이프 내부에 파티클 등이 들어가면, 슬릿 형태의 분사구에서 액의 공급에 영향을 받게 된다. 이러한 경우, 인샤워 나이프 자체를 분리하여 파티클을 제거하여야 한다.In general, when pure water is supplied to remove chemicals in the cleaning process, chemicals remaining on the substrate and pure water are mixed and thickly accumulated on the substrate. Accordingly, the substrate is continuously etched, and the force of the nozzle supplying pure water is not effectively transmitted. For this reason, before supplying pure water in the washing process, the liquid is sprayed with an in-shower knife. 1 shows a conventional general in-shower knife. At this time, when particles or the like enter the inside of the in-shower knife, the supply of the liquid is affected from the slit-shaped injection port. In this case, the in-shower knife itself must be separated to remove particles.

본 발명은 노즐 내부에 파티클 등이 반입되어도 이를 제거하고 액을 균일하게 공급할 수 있는 노즐 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a nozzle unit and a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying liquid and removing particles even when particles or the like are carried into the nozzle.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-described problems, and the problems that are not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에 위치하고, 기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛, 그리고 상기 반송 유닛에 놓인 상기 기판으로 액을 공급하는 노즐 유닛을 포함하되, 상기 노즐 유닛은, 내부에 상기 액이 저장되는 버퍼 공간 및 상기 버퍼 공간으로부터 그 하단으로 연장된 토출라인을 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 분사하고 로드 형상으로 제공되는 바디, 상기 바디로 상기 액이 공급되는 공급라인, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 일단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 1 측벽으로 제공되는 제 1 플레이트, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 타단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 2 측벽으로 제공되는 제 2 플레이트를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing, a transfer unit positioned in the housing and transferring a substrate in a first direction, and a nozzle unit supplying a liquid to the substrate placed on the transfer unit, The nozzle unit has a buffer space in which the liquid is stored and a discharge line extending from the buffer space to a lower end thereof, and a body provided in a rod shape by spraying the liquid onto the substrate, and the liquid to the body. The supply line to be supplied, a first plate detachably coupled to one end of the body in the longitudinal direction and provided as a first sidewall of the buffer space, and detachably coupled to the other end of the body in the longitudinal direction And a second plate provided as a second sidewall of the buffer space.

상기 액은 세정액일 수 있다.The liquid may be a cleaning liquid.

상기 토출라인은 서로 이격되는 복수 개로 제공될 수 있다.The discharge lines may be provided in plural spaced apart from each other.

상기 노즐 유닛은 그 길이 방향이 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 제공될 수 있다.The nozzle unit may be provided along a second direction perpendicular to the first direction when its longitudinal direction is viewed from above.

또한, 본 발명은 노즐 유닛을 제공한다. Further, the present invention provides a nozzle unit.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 노즐 유닛에 있어서, 내부에 상기 액이 저장되는 버퍼 공간 및 상기 버퍼 공간으로부터 그 하단으로 연장된 토출라인을 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 분사하고 로드 형상으로 제공되는 바디, 상기 바디로 상기 액이 공급되는 공급라인, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 일단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 1 측벽으로 제공되는 제 1 플레이트, A nozzle unit according to a preferred embodiment of the present invention has a buffer space in which the liquid is stored and a discharge line extending from the buffer space to a lower end thereof, and sprays the liquid onto the substrate and provides a rod shape. A first plate detachably coupled to one end of the body, a supply line through which the liquid is supplied to the body, and one end of the body in the longitudinal direction, and provided as a first sidewall of the buffer space,

상기 바디의 상기 길이 방향의 그 타단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 2 측벽으로 제공되는 제 2 플레이트를 포함할 수 있다. It may include a second plate detachably coupled to the other end of the body in the longitudinal direction and provided as a second sidewall of the buffer space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐 내부에 파티클 등이 반입되어도 이를 제거하고 액을 균일하게 공급할 수 있는 노즐 유닛 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a nozzle unit and a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying liquid and removing particles, etc., even when particles are carried into the nozzle may be provided.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 종래의 일반적인 노즐 유닛을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 보여주는 정면도이다.
도 3은 도 2의 세정 챔버를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 노즐 유닛을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 노즐 유닛의 사시도이다.
도 6은 도 4의 노즐 유닛의 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 노즐 유닛의 단면도이다.
도 8은 도 4의 노즐 유닛을 세정하는 공정의 플로우차트이다.
도 9 내지 도 13은 도 8에 따른 노즐 세정 공정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.1 is a view showing a conventional conventional nozzle unit.
2 is a front view schematically showing an example of a substrate processing facility provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing the cleaning chamber of FIG. 2.
4 is a view showing the nozzle unit of FIG. 3.
5 is a perspective view of the nozzle unit of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view of the nozzle unit of FIG. 4.
7 is a cross-sectional view of a nozzle unit according to another embodiment.
8 is a flowchart of a process of cleaning the nozzle unit of FIG. 4.
9 to 13 are views sequentially showing a nozzle cleaning process according to FIG. 8.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Since the embodiments described in the present specification are intended to clearly explain the spirit of the present invention to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, the present invention is not limited by the embodiments described herein, and the present invention The scope of should be construed as including modifications or variations that do not depart from the spirit of the present invention. In addition, the terms used in the present specification and the accompanying drawings are for easily explaining the present invention, so the present invention is not limited by the terms used in the present specification and the accompanying drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

본 실시예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.In the present embodiment, the substrate S will be described taking the substrate S used for manufacturing the flat panel display as an example. However, unlike this, the substrate S may be a wafer used for manufacturing a semiconductor chip.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 보여주는 도면이다. 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)는 다양한 공정을 수행할 수 있으나, 이하에서는 에칭 공정으로 한정하여 설명한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. 2 is a diagram showing a substrate processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention. The first chamber 100 and the second chamber 200 may perform various processes, but will be described below by limited to an etching process.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)를 가진다. 여기서, 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)가 배열된 방향을 제1방향(X)으로 칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 칭하기로 한다. 각각의 챔버(100, 200, 300) 내에는 유입구(12)와 유출구(14)가 제공된다. 유입구(12)는 하우징(110, 210, 310)의 일측면에 형성된다. 기판(S)은 유입구(12)를 통해 하우징(110, 210, 310) 내로 유입된다. 이와 마주보는 타측면에는 유출구(14)가 제공된다. 기판(S)은 유출구(14)를 통해 하우징(110, 210, 310)으로부터 유출된다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1000 includes a first chamber 100, a second chamber 200, and a cleaning chamber 300. Here, a direction in which the first chamber 100, the second chamber 200, and the washing chamber 300 are arranged is referred to as a first direction X. Also, when viewed from above, the direction perpendicular to the first direction (X) is referred to as the second direction (Y), and the direction perpendicular to the first direction (X) and the second direction (Y) is referred to as the third direction (Z). ). In each of the chambers 100, 200, 300, an inlet 12 and an outlet 14 are provided. The inlet 12 is formed on one side of the housings 110, 210 and 310. The substrate S flows into the housings 110, 210, and 310 through the inlet 12. An outlet 14 is provided on the other side facing this. The substrate S flows out from the housings 110, 210 and 310 through the outlet 14.

제 1 챔버(100)는 제 1 에칭 공정을 수행한다. 제 1 챔버(100)는 제 1 하우징(110), 제 1 노즐 유닛(120), 그리고 제 1 반송 유닛(150)을 가진다. 제 1 하우징(110)은 제 1 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 1 노즐 유닛(120)은 기판(S) 상에 제 1 처리액을 공급한다. 제 1 노즐 유닛(120)은 각각 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공된다. 제 1 노즐 유닛(120)은 샤프트들의 상부에 배치된다. 제 1 노즐 유닛(120)은 복수 개의 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)로 제공될 수 있다. 일 예로, 제 1 처리액은 케미컬일 수 있다. The first chamber 100 performs a first etching process. The first chamber 100 has a first housing 110, a first nozzle unit 120, and a first conveying unit 150. The first housing 110 provides a space for performing a first etching process. The first nozzle unit 120 supplies the first processing liquid onto the substrate S. Each of the first nozzle units 120 is provided in a first direction X in its longitudinal direction. The first nozzle unit 120 is disposed on the shafts. The first nozzle unit 120 may be provided with a plurality of first nozzles 120a, 120b, and 120c. For example, the first treatment liquid may be a chemical.

제 2 챔버(200)는 제 1 챔버(100)에 인접한 후방에 배치된다. 제 2 챔버(200)는 제 2 에칭 공정을 수행한다. 제 2 챔버(200)는 제 2 하우징(210), 제 2 반송 유닛(250), 그리고 제 2 노즐 유닛(220)을 가진다. 제 2 하우징(210)은 제 2 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 2 노즐 유닛(220)은 상술한 제 1 노즐 유닛(120)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 이와 달리, 선택적으로 제 2 노즐 유닛(220)과 제 1 노즐 유닛(120)은 일직선상에서 서로 어긋나게 배치될 수 있다. The second chamber 200 is disposed behind the first chamber 100. The second chamber 200 performs a second etching process. The second chamber 200 has a second housing 210, a second conveyance unit 250, and a second nozzle unit 220. The second housing 210 provides a space for performing a second etching process. The second nozzle unit 220 has substantially the same or similar structure and function as the first nozzle unit 120 described above. Alternatively, the second nozzle unit 220 and the first nozzle unit 120 may be selectively disposed to be offset from each other in a straight line.

반송유닛(400)은 기판(S)을 제 1 방향(X)으로 반송한다. 반송유닛(400)은 공정 챔버(100, 200, 300) 내에 연속적으로 배치된다. 반송 유닛(200)은 공정 챔버들(100, 200, 300) 간에, 그리고 챔버(100, 200, 300) 내에서 기판(S)을 제1방향(X)으로 이동시킨다.The transfer unit 400 transfers the substrate S in the first direction X. The transfer unit 400 is continuously disposed in the process chambers 100, 200, and 300. The transfer unit 200 moves the substrate S in the first direction X between the process chambers 100, 200, 300 and within the chambers 100, 200, 300.

도 3은 도 2의 세척 챔버(300)의 내부를 바라본 평면도이다. 세척 챔버(300)는 제 2 챔버(200)에 인접한 후방에 배치된다. 세척 챔버(300)에서는 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬을 세척한다. FIG. 3 is a plan view as viewed from the inside of the cleaning chamber 300 of FIG. 2. The cleaning chamber 300 is disposed at the rear adjacent to the second chamber 200. The cleaning chamber 300 cleans the chemical remaining on the substrate S.

세척 챔버(300)는 하우징(310), 노즐 유닛(320), 그리고 액 공급 유닛(340)을 갖는다. The cleaning chamber 300 has a housing 310, a nozzle unit 320, and a liquid supply unit 340.

도 4는 노즐 유닛(320)을 보여주는 도면이다. 도 5는 노즐 유닛(320)의 내부를 보여주는 사시도이다. 도 6은 노즐 유닛(320)의 단면도이다. 도 7은 다른 실시예에 따른 노즐 유닛(320)의 단면도이다. 노즐 유닛(320)는 기판(S) 상으로 액을 분사한다. 일 예로, 액은 세정액일 수 있다. 노즐 유닛(320)은 바디(322), 제 1 플레이트(324), 제 2 플레이트(326), 그리고 공급라인(328)을 포함한다. 4 is a view showing the nozzle unit 320. 5 is a perspective view showing the inside of the nozzle unit 320. 6 is a cross-sectional view of the nozzle unit 320. 7 is a cross-sectional view of a nozzle unit 320 according to another embodiment. The nozzle unit 320 sprays the liquid onto the substrate S. For example, the liquid may be a cleaning liquid. The nozzle unit 320 includes a body 322, a first plate 324, a second plate 326, and a supply line 328.

바디(322)는 로드 형상으로 제공된다. 바디(322)는 기판(S) 상으로 액을 분사한다. 바디(322)는 버퍼 공간(330)과 토출라인(332)을 갖는다. 버퍼 공간(330)은 바디(322) 내부에 액을 저장하는 공간이다. 도 5와 도 6을 참조하면, 토출라인(332)은 바디(322) 내부에서, 버퍼 공간(330)으로부터 그 하단으로 연장된다. 토출라인(332)은 얇은 슬릿 형태로 제공될 수 있다. 선택적으로, 토출라인(332)은 그 하단으로 갈수록 점점 두께가 얇아지는 구조로 제공될 수 있다. 또한, 도 7과 같이, 토출라인(332)은 서로 이격되는 복수 개의 토출라인(332)으로 제공될 수 있다. The body 322 is provided in a rod shape. The body 322 sprays the liquid onto the substrate S. The body 322 has a buffer space 330 and a discharge line 332. The buffer space 330 is a space for storing liquid in the body 322. 5 and 6, the discharge line 332 extends from the buffer space 330 to the lower end of the body 322. The discharge line 332 may be provided in a thin slit shape. Optionally, the discharge line 332 may be provided in a structure whose thickness gradually decreases toward the bottom thereof. In addition, as shown in FIG. 7, the discharge lines 332 may be provided as a plurality of discharge lines 332 spaced apart from each other.

제 1 플레이트(324)는 바디(322)의 일단에 탈착 가능하게 결합된다. 도 5를 참조하면, 제 1 플레이트(324)는 버퍼 공간(330)의 제 1 측벽으로 제공된다. 제 2 플레이트(326)는 바디(322)의 타단에 탈착 가능하게 결합된다. 제 2 플레이트(326)는 버퍼 공간(330)의 제 2 측벽으로 제공된다. 공급라인(328)은 바디(322)로 액을 공급한다. 도 6에서는 바디(322) 내에 공급라인(328)이 3개 제공되는 것으로 도시하였으나, 이와 달리 하나 또는 3개가 아닌 복수 개 제공될 수 있다. 또한, 선택적으로, 바디(322) 내에는 기포 배출 부재가 공급될 수 있다. The first plate 324 is detachably coupled to one end of the body 322. Referring to FIG. 5, the first plate 324 is provided as a first sidewall of the buffer space 330. The second plate 326 is detachably coupled to the other end of the body 322. The second plate 326 is provided as a second sidewall of the buffer space 330. The supply line 328 supplies liquid to the body 322. In FIG. 6, it is shown that three supply lines 328 are provided in the body 322, but unlike this, a plurality of supply lines 328 may be provided instead of one or three. Also, optionally, a bubble discharge member may be supplied into the body 322.

노즐 유닛(320)는 세척 챔버(300) 내에서 유입구(12)에 인접하게 배치될 수 있다. 노즐 유닛(320)는 그 길이 방향이 제 2 방향(Y)을 따라 제공될 수 있다. 선택적으로, 노즐 유닛(320)은 제 2 방향(Y)과 경사지게 제공될 수 있다. 또한, 노즐 유닛(320)는 제 2 하우징(200)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 가질 수 있다. 노즐 유닛(320)는 기판(S) 상에 순수를 공급하여, 기판(S) 상에 잔존하는 케미컬을 제 1 방향(X)으로 밀어낸다. 제 1 공급라인(325)는 액 탱크(305)와 노즐 유닛(320)을 연결한다.The nozzle unit 320 may be disposed adjacent to the inlet 12 in the washing chamber 300. The nozzle unit 320 may be provided in its longitudinal direction along the second direction Y. Optionally, the nozzle unit 320 may be provided to be inclined in the second direction Y. In addition, the nozzle unit 320 may have a discharge port provided to be inclined downward in a direction away from the second housing 200. The nozzle unit 320 supplies pure water on the substrate S and pushes the chemical remaining on the substrate S in the first direction X. The first supply line 325 connects the liquid tank 305 and the nozzle unit 320.

액 공급 유닛(340)는 노즐 유닛(320)보다 하류에 배치된다. 액 공급 유닛(340)은 노즐 유닛(320)의 후방에 배치될 수 있다. 제 2 노즐(330)는 그 길이 방향이 제 1 방향(X)을 따라 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(340)은 기판(S) 상으로 세척액을 분사한다. 일 예로, 세척액은 약액 또는 순수일 수 있다. 액 공급 유닛(340)은 스프레이 방식으로 세척액을 분사할 수 있다. The liquid supply unit 340 is disposed downstream from the nozzle unit 320. The liquid supply unit 340 may be disposed behind the nozzle unit 320. The second nozzle 330 may be provided in a longitudinal direction along the first direction X. The liquid supply unit 340 sprays the cleaning liquid onto the substrate S. For example, the washing liquid may be a chemical solution or pure water. The liquid supply unit 340 may spray the cleaning liquid in a spray method.

도 8은 도 4의 노즐 유닛(320)을 세정하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 9 내지 도 13은 도 8에 따른 노즐 유닛(320) 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 이하, 도 9 내지 도 13을 참조하여, 노즐 유닛(320)을 세정하는 과정을 설명한다. 먼저, 노즐 유닛(320)의 내부에 파티클 등의 이물질로 인해 막히게 되면, 노즐 유닛(320)의 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 개방한다(S10). 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 개방한 후, 버퍼 공간(330)으로 액을 공급한다(S20). 이 때, 액은 공급라인(328)을 통해서 공급될 수 있다. 선택적으로, 액은 제 1 플레이트(324) 또는 제 2 플레이트(326) 중 어느 하나를 통해서 외부에서 공급될 수 있다. 액을 공급하여, 버퍼 공간(330) 내를 세정한다(S30). 이로 인해, 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 통해 노즐 유닛(320) 내부의 파티클 등의 이물질이 제거될 수 있다. 세정이 완료되면, 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 다시 닫고, 노즐 유닛(320)은 정상적으로 액을 공급할 수 있다. 8 is a flowchart showing a process of cleaning the nozzle unit 320 of FIG. 4. 9 to 13 are views sequentially showing a cleaning process of the nozzle unit 320 according to FIG. 8. Hereinafter, a process of cleaning the nozzle unit 320 will be described with reference to FIGS. 9 to 13. First, when the inside of the nozzle unit 320 is clogged by foreign substances such as particles, the first plate 324 and the second plate 326 of the nozzle unit 320 are opened (S10). After opening the first plate 324 and the second plate 326, the liquid is supplied to the buffer space 330 (S20). At this time, the liquid may be supplied through the supply line 328. Optionally, the liquid may be supplied from the outside through either the first plate 324 or the second plate 326. The liquid is supplied to clean the buffer space 330 (S30). Accordingly, foreign substances such as particles inside the nozzle unit 320 may be removed through the first plate 324 and the second plate 326. When cleaning is completed, the first plate 324 and the second plate 326 are closed again, and the nozzle unit 320 may supply the liquid normally.

상술한 예에서는, 노즐 유닛이 세정 공정을 진행하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 도포 공정, 현상 공정, 또는 식각 공정 등에도 적용될 수 있다. 상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 에칭 공정 후 세척 공정이 이루어지도록 설명하였다. 그러나 이와 달리 공정의 시기와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 상술한 예들에서는 노즐 유닛이 계속적으로 이루어지는 장치 내에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판(S)에 대해 스팀 부재 또는 브러쉬 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above-described example, it has been described that the nozzle unit proceeds the cleaning process. However, unlike this, it may be applied to a coating process, a developing process, or an etching process. In the above-described examples, it has been described that the cleaning process is performed after the etching process for the substrate S. However, unlike this, the timing of the process and the number of process chambers may be different. In addition, in the above-described examples, it has been described that the nozzle unit is provided in a continuous apparatus. However, unlike this, a steam member or a brush member may be further provided for the substrate S. The present invention described above is capable of various modifications, substitutions, and modifications without departing from the technical spirit of the present invention to those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs. It is not limited by the drawings. In addition, the embodiments described in the present specification are not limitedly applicable, and all or part of each of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made.

100 : 제 1 챔버 200 : 제 2 챔버
300 : 세척 챔버 400 : 반송 유닛
320 : 노즐 유닛 322 : 바디
324 : 제 1 플레이트 326 : 제 2 플레이트
328 : 공급라인 330 : 버퍼 공간
332 : 토출라인100: first chamber 200: second chamber
300: washing chamber 400: conveying unit
320: nozzle unit 322: body
324: first plate 326: second plate
328: supply line 330: buffer space
332: discharge line

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 내부에 액이 저장되는 버퍼 공간 및 상기 버퍼 공간으로부터 그 하단으로 연장된 토출라인을 갖고, 기판 상으로 상기 액을 분사하고 로드 형상으로 제공되는 바디;
상기 바디로 상기 액이 공급되는 공급라인;
상기 바디의 길이 방향의 그 일단에 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 1 측벽으로 제공되는 제 1 플레이트;
상기 바디의 상기 길이 방향의 그 타단에 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 2 측벽으로 제공되는 제 2 플레이트를 포함하되,
상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측벽에 탈착 가능하게 제공되는 노즐 유닛을 이용하여 상기 노즐 유닛을 세정하는 방법에 있어서,
상기 노즐 유닛의 내부가 막혔을 때, 상기 제 1 플레이트와 상기 제 2 플레이트를 여는 개방 단계; 및
상기 버퍼 공간으로 상기 액을 공급하는 액 공급 단계;
상기 액으로 상기 버퍼 공간을 세정하는 세정 단계;를 포함하는 노즐 세정 방법. A body having a buffer space in which liquid is stored and a discharge line extending from the buffer space to a lower end thereof, and spraying the liquid onto a substrate and provided in a rod shape;
A supply line through which the liquid is supplied to the body;
A first plate coupled to one end of the body in the longitudinal direction and provided as a first sidewall of the buffer space;
And a second plate coupled to the other end of the body in the longitudinal direction and provided as a second sidewall of the buffer space,
In the method of cleaning the nozzle unit using a nozzle unit detachably provided on the first sidewall of the first plate,
An opening step of opening the first plate and the second plate when the inside of the nozzle unit is blocked; And
A liquid supply step of supplying the liquid to the buffer space;
Nozzle cleaning method comprising a; cleaning step of cleaning the buffer space with the liquid. 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 플레이트는 상기 제 1 측벽에 탈착 가능하게 제공되는 노즐 세정 방법.The method of claim 6,
The nozzle cleaning method wherein the second plate is detachably provided on the first sidewall. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 액은 세정액인 노즐 세정 방법.The method according to claim 6 or 7,
The nozzle cleaning method wherein the liquid is a cleaning liquid. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 토출라인은 복수 개가 서로 이격되게 제공되는 노즐 세정 방법.The method according to claim 6 or 7,
A nozzle cleaning method in which a plurality of discharge lines are provided to be spaced apart from each other. 삭제delete 제 6 항에 있어서,
상기 액은 상기 공급라인으로 공급되고, 상기 제 1 플레이트와 상기 제 2 플레이트로 배출되는 노즐 세정 방법. The method of claim 6,
The nozzle cleaning method in which the liquid is supplied to the supply line and discharged to the first plate and the second plate. 제 6 항에 있어서,
상기 액은 상기 제 1 플레이트로 공급되고, 상기 제 2 플레이트로 배출되는 노즐 세정 방법.
The method of claim 6,
The nozzle cleaning method in which the liquid is supplied to the first plate and discharged to the second plate.
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