KR20150064497A - Nozzle unit, substrate treating apparatus and nozzle cleaning method - Google Patents

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KR20150064497A KR1020130149296A KR20130149296A KR20150064497A KR 20150064497 A KR20150064497 A KR 20150064497A KR 1020130149296 A KR1020130149296 A KR 1020130149296A KR 20130149296 A KR20130149296 A KR 20130149296A KR 20150064497 A KR20150064497 A KR 20150064497A
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    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Abstract

The present invention provides a substrate treating apparatus. The substrate treating apparatus includes: a housing; a transfer unit which is located in the housing and transfers a substrate in a first direction; and a nozzle unit which supplies liquid to the substrate loaded on the transfer unit. The nozzle unit includes: a body which includes a buffer space storing the liquid inside and a discharge line extended from the buffer space to the lower side thereof, sprays the liquid on the substrate, and is formed with a rod shape; a supply line which supplies the liquid to the body; a first plate which is detachably combined to one end of the longitudinal direction of the body and is provided to a first sidewall of the buffer space; and a second plate which is detachably combined to the other end of the longitudinal direction of the body and is provided to a second sidewall of the buffer space.

Description

노즐 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법{NOZZLE UNIT, SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND NOZZLE CLEANING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a nozzle unit, a substrate processing apparatus, and a nozzle cleaning method.

본 발명은 노즐 유닛, 노즐 유닛을 이용하여 기판에 액을 공급하는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 유닛을 세정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle unit, a substrate processing apparatus for supplying a liquid to a substrate using the nozzle unit, and a method for cleaning the nozzle unit.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 세척 공정, 그리고 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다. Contaminants such as particles, organic contaminants, and metallic contaminants on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of semiconductor devices and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. In general, cleaning of a substrate is performed by a chemical treatment process for removing metal foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate by using a chemical, a cleaning process for removing chemicals remaining on the substrate by using pure water, And the like.

일반적으로, 세척 공정에서 케미컬을 제거하기 위해 순수를 공급하면, 기판 상에 잔류하는 케미컬과 순수가 혼합되어 기판 상에 두껍게 쌓이게 된다. 따라서 기판이 계속적으로 식각되고, 순수를 공급하는 노즐의 타력이 효과적으로 전달되지 않는다. 이로 인해, 세척 공정에서 순수를 공급하기 전에 인샤워 나이프로 액을 분사한다. 도 1은 종래의 일반적인 인샤워 나이프를 보여준다. 이 때, 인샤워 나이프 내부에 파티클 등이 들어가면, 슬릿 형태의 분사구에서 액의 공급에 영향을 받게 된다. 이러한 경우, 인샤워 나이프 자체를 분리하여 파티클을 제거하여야 한다.Generally, when pure water is supplied to remove the chemical in the cleaning process, residual chemical and pure water on the substrate are mixed and thickly accumulated on the substrate. Accordingly, the substrate is continuously etched, and the force of the nozzle for supplying pure water is not effectively transmitted. As a result, the liquid is sprayed with the shower knife before the pure water is supplied in the washing process. Figure 1 shows a conventional conventional shower knife. At this time, when particles or the like enter the inside of the shower knife, the supply of the liquid is influenced by the slit-shaped nozzle. In this case, the shower knife itself must be removed to remove the particles.

본 발명은 노즐 내부에 파티클 등이 반입되어도 이를 제거하고 액을 균일하게 공급할 수 있는 노즐 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a nozzle unit and a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying a liquid while removing particles even if they are carried into the nozzle.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징, 상기 하우징 내에 위치하고, 기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛, 그리고 상기 반송 유닛에 놓인 상기 기판으로 액을 공급하는 노즐 유닛을 포함하되, 상기 노즐 유닛은, 내부에 상기 액이 저장되는 버퍼 공간 및 상기 버퍼 공간으로부터 그 하단으로 연장된 토출라인을 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 분사하고 로드 형상으로 제공되는 바디, 상기 바디로 상기 액이 공급되는 공급라인, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 일단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 1 측벽으로 제공되는 제 1 플레이트, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 타단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 2 측벽으로 제공되는 제 2 플레이트를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing, a transfer unit located in the housing, for transferring the substrate in a first direction, and a nozzle unit for supplying a liquid to the substrate placed on the transfer unit, Wherein the nozzle unit comprises: a body having a buffer space in which the liquid is stored and a discharge line extending from the buffer space to a lower end thereof, the body being provided in a rod shape by spraying the liquid onto the substrate; A first plate that is detachably coupled to one end of the body in the longitudinal direction and is provided to a first side wall of the buffer space, a second plate that is detachably coupled to the other end of the body in the longitudinal direction, And a second plate provided to a second side wall of the buffer space.

상기 액은 세정액일 수 있다.The liquid may be a cleaning liquid.

상기 토출라인은 서로 이격되는 복수 개로 제공될 수 있다.The discharge lines may be provided at a plurality of spaced apart from each other.

상기 노즐 유닛은 그 길이 방향이 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 제공될 수 있다.The nozzle unit may be provided along a second direction perpendicular to the first direction when the longitudinal direction is viewed from above.

또한, 본 발명은 노즐 유닛을 제공한다. Further, the present invention provides a nozzle unit.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 노즐 유닛에 있어서, 내부에 상기 액이 저장되는 버퍼 공간 및 상기 버퍼 공간으로부터 그 하단으로 연장된 토출라인을 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 분사하고 로드 형상으로 제공되는 바디, 상기 바디로 상기 액이 공급되는 공급라인, 상기 바디의 상기 길이 방향의 그 일단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 1 측벽으로 제공되는 제 1 플레이트, In the nozzle unit according to the preferred embodiment of the present invention, the nozzle unit has a buffer space in which the liquid is stored, and a discharge line extending from the buffer space to a lower end thereof, and the liquid is sprayed onto the substrate, A first plate provided to the first side wall of the buffer space, the first plate being detachably connected to one end of the body in the longitudinal direction thereof,

상기 바디의 상기 길이 방향의 그 타단에 탈착 가능하게 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 2 측벽으로 제공되는 제 2 플레이트를 포함할 수 있다. And a second plate detachably coupled to the other end of the body in the longitudinal direction and provided to a second side wall of the buffer space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐 내부에 파티클 등이 반입되어도 이를 제거하고 액을 균일하게 공급할 수 있는 노즐 유닛 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a nozzle unit and a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying liquid even when particles are loaded into the nozzle.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 종래의 일반적인 노즐 유닛을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 보여주는 정면도이다.
도 3은 도 2의 세정 챔버를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 노즐 유닛을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 노즐 유닛의 사시도이다.
도 6은 도 4의 노즐 유닛의 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 노즐 유닛의 단면도이다.
도 8은 도 4의 노즐 유닛을 세정하는 공정의 플로우차트이다.
도 9 내지 도 13은 도 8에 따른 노즐 세정 공정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.1 is a view showing a conventional general nozzle unit.
2 is a front view schematically showing an example of a substrate processing apparatus provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a view showing the cleaning chamber of Figure 2;
FIG. 4 is a view showing the nozzle unit of FIG. 3. FIG.
Fig. 5 is a perspective view of the nozzle unit of Fig. 4;
6 is a cross-sectional view of the nozzle unit of Fig.
7 is a cross-sectional view of a nozzle unit according to another embodiment.
Fig. 8 is a flowchart of a process of cleaning the nozzle unit of Fig. 4;
FIGS. 9 to 13 are views sequentially illustrating the nozzle cleaning process according to FIG.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the present invention and not to limit the scope of the invention. Should be interpreted to include modifications or variations that do not depart from the spirit of the invention. In addition, the terms used in the present specification and the accompanying drawings are for explaining the present invention easily, and thus the present invention is not limited by the terms used in the present specification and the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described more fully with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the invention are shown.

본 실시예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.In this embodiment, the substrate S is described by taking a substrate S used for manufacturing a flat panel display panel as an example. Alternatively, however, the substrate S may be a wafer used for semiconductor chip fabrication.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 보여주는 도면이다. 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)는 다양한 공정을 수행할 수 있으나, 이하에서는 에칭 공정으로 한정하여 설명한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. 2 is a view showing a substrate processing apparatus 1000 according to a preferred embodiment of the present invention. The first chamber 100 and the second chamber 200 may perform various processes, but the following description is limited to the etching process.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)를 가진다. 여기서, 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)가 배열된 방향을 제1방향(X)으로 칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 칭하기로 한다. 각각의 챔버(100, 200, 300) 내에는 유입구(12)와 유출구(14)가 제공된다. 유입구(12)는 하우징(110, 210, 310)의 일측면에 형성된다. 기판(S)은 유입구(12)를 통해 하우징(110, 210, 310) 내로 유입된다. 이와 마주보는 타측면에는 유출구(14)가 제공된다. 기판(S)은 유출구(14)를 통해 하우징(110, 210, 310)으로부터 유출된다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1000 has a first chamber 100, a second chamber 200, and a cleaning chamber 300. Here, the direction in which the first chamber 100, the second chamber 200, and the cleaning chamber 300 are arranged is referred to as a first direction X. [ A direction perpendicular to the first direction X is referred to as a second direction Y and a direction perpendicular to the first direction X and the second direction Y is referred to as a third direction Z ). An inlet (12) and an outlet (14) are provided in each of the chambers (100, 200, 300). The inlet 12 is formed on one side of the housing 110, 210, 310. The substrate S is introduced into the housings 110, 210, and 310 through the inlet 12. And an outlet 14 is provided on the other side opposite thereto. The substrate S flows out of the housings 110, 210, and 310 through the outlet 14.

제 1 챔버(100)는 제 1 에칭 공정을 수행한다. 제 1 챔버(100)는 제 1 하우징(110), 제 1 노즐 유닛(120), 그리고 제 1 반송 유닛(150)을 가진다. 제 1 하우징(110)은 제 1 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 1 노즐 유닛(120)은 기판(S) 상에 제 1 처리액을 공급한다. 제 1 노즐 유닛(120)은 각각 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공된다. 제 1 노즐 유닛(120)은 샤프트들의 상부에 배치된다. 제 1 노즐 유닛(120)은 복수 개의 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)로 제공될 수 있다. 일 예로, 제 1 처리액은 케미컬일 수 있다. The first chamber 100 performs a first etching process. The first chamber 100 has a first housing 110, a first nozzle unit 120, and a first transfer unit 150. The first housing 110 provides a space for performing the first etching process. The first nozzle unit 120 supplies the first processing solution onto the substrate S. Each of the first nozzle units 120 is provided in a first direction X in the longitudinal direction thereof. The first nozzle unit 120 is disposed on top of the shafts. The first nozzle unit 120 may be provided as a plurality of first nozzles 120a, 120b, and 120c. In one example, the first treatment liquid may be a chemical.

제 2 챔버(200)는 제 1 챔버(100)에 인접한 후방에 배치된다. 제 2 챔버(200)는 제 2 에칭 공정을 수행한다. 제 2 챔버(200)는 제 2 하우징(210), 제 2 반송 유닛(250), 그리고 제 2 노즐 유닛(220)을 가진다. 제 2 하우징(210)은 제 2 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 2 노즐 유닛(220)은 상술한 제 1 노즐 유닛(120)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 이와 달리, 선택적으로 제 2 노즐 유닛(220)과 제 1 노즐 유닛(120)은 일직선상에서 서로 어긋나게 배치될 수 있다. The second chamber 200 is disposed at a rear side adjacent to the first chamber 100. The second chamber 200 performs a second etching process. The second chamber 200 has a second housing 210, a second transfer unit 250, and a second nozzle unit 220. The second housing 210 provides a space for performing the second etching process. The second nozzle unit 220 has substantially the same or similar structure and function as the first nozzle unit 120 described above. Alternatively, the second nozzle unit 220 and the first nozzle unit 120 may be arranged so as to be offset from each other in a straight line.

반송유닛(400)은 기판(S)을 제 1 방향(X)으로 반송한다. 반송유닛(400)은 공정 챔버(100, 200, 300) 내에 연속적으로 배치된다. 반송 유닛(200)은 공정 챔버들(100, 200, 300) 간에, 그리고 챔버(100, 200, 300) 내에서 기판(S)을 제1방향(X)으로 이동시킨다.The transfer unit 400 transfers the substrate S in the first direction X. [ The transfer unit 400 is continuously disposed in the process chambers 100, 200, and 300. The transfer unit 200 moves the substrate S in the first direction X between the process chambers 100, 200 and 300 and in the chambers 100, 200 and 300.

도 3은 도 2의 세척 챔버(300)의 내부를 바라본 평면도이다. 세척 챔버(300)는 제 2 챔버(200)에 인접한 후방에 배치된다. 세척 챔버(300)에서는 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬을 세척한다. 3 is a plan view of the interior of the cleaning chamber 300 of FIG. The cleaning chamber 300 is disposed at a rear side adjacent to the second chamber 200. In the cleaning chamber 300, the chemical remaining on the substrate S is cleaned.

세척 챔버(300)는 하우징(310), 노즐 유닛(320), 그리고 액 공급 유닛(340)을 갖는다. The cleaning chamber 300 has a housing 310, a nozzle unit 320, and a liquid supply unit 340.

도 4는 노즐 유닛(320)을 보여주는 도면이다. 도 5는 노즐 유닛(320)의 내부를 보여주는 사시도이다. 도 6은 노즐 유닛(320)의 단면도이다. 도 7은 다른 실시예에 따른 노즐 유닛(320)의 단면도이다. 노즐 유닛(320)는 기판(S) 상으로 액을 분사한다. 일 예로, 액은 세정액일 수 있다. 노즐 유닛(320)은 바디(322), 제 1 플레이트(324), 제 2 플레이트(326), 그리고 공급라인(328)을 포함한다. Fig. 4 is a view showing the nozzle unit 320. Fig. Fig. 5 is a perspective view showing the inside of the nozzle unit 320. Fig. 6 is a cross-sectional view of the nozzle unit 320. Fig. 7 is a cross-sectional view of a nozzle unit 320 according to another embodiment. The nozzle unit 320 ejects the liquid onto the substrate S. As an example, the liquid may be a cleaning liquid. The nozzle unit 320 includes a body 322, a first plate 324, a second plate 326, and a supply line 328.

바디(322)는 로드 형상으로 제공된다. 바디(322)는 기판(S) 상으로 액을 분사한다. 바디(322)는 버퍼 공간(330)과 토출라인(332)을 갖는다. 버퍼 공간(330)은 바디(322) 내부에 액을 저장하는 공간이다. 도 5와 도 6을 참조하면, 토출라인(332)은 바디(322) 내부에서, 버퍼 공간(330)으로부터 그 하단으로 연장된다. 토출라인(332)은 얇은 슬릿 형태로 제공될 수 있다. 선택적으로, 토출라인(332)은 그 하단으로 갈수록 점점 두께가 얇아지는 구조로 제공될 수 있다. 또한, 도 7과 같이, 토출라인(332)은 서로 이격되는 복수 개의 토출라인(332)으로 제공될 수 있다. The body 322 is provided in a rod shape. The body 322 ejects the liquid onto the substrate S. [ The body 322 has a buffer space 330 and a discharge line 332. The buffer space 330 is a space for storing the liquid in the body 322. Referring to FIGS. 5 and 6, the discharge line 332 extends from the buffer space 330 to the lower end thereof within the body 322. The discharge line 332 may be provided in the form of a thin slit. Alternatively, the discharge line 332 may be provided with a structure that gradually becomes thinner toward the lower end thereof. 7, the discharge line 332 may be provided as a plurality of discharge lines 332 spaced from each other.

제 1 플레이트(324)는 바디(322)의 일단에 탈착 가능하게 결합된다. 도 5를 참조하면, 제 1 플레이트(324)는 버퍼 공간(330)의 제 1 측벽으로 제공된다. 제 2 플레이트(326)는 바디(322)의 타단에 탈착 가능하게 결합된다. 제 2 플레이트(326)는 버퍼 공간(330)의 제 2 측벽으로 제공된다. 공급라인(328)은 바디(322)로 액을 공급한다. 도 6에서는 바디(322) 내에 공급라인(328)이 3개 제공되는 것으로 도시하였으나, 이와 달리 하나 또는 3개가 아닌 복수 개 제공될 수 있다. 또한, 선택적으로, 바디(322) 내에는 기포 배출 부재가 공급될 수 있다. The first plate 324 is detachably coupled to one end of the body 322. Referring to FIG. 5, a first plate 324 is provided in a first side wall of the buffer space 330. The second plate 326 is detachably coupled to the other end of the body 322. A second plate (326) is provided in the second sidewall of the buffer space (330). The supply line 328 supplies liquid to the body 322. In FIG. 6, three supply lines 328 are shown as being provided in the body 322, however, a plurality of supply lines 328 may be provided instead of one or three. Further, optionally, a bubble discharging member may be supplied in the body 322. [

노즐 유닛(320)는 세척 챔버(300) 내에서 유입구(12)에 인접하게 배치될 수 있다. 노즐 유닛(320)는 그 길이 방향이 제 2 방향(Y)을 따라 제공될 수 있다. 선택적으로, 노즐 유닛(320)은 제 2 방향(Y)과 경사지게 제공될 수 있다. 또한, 노즐 유닛(320)는 제 2 하우징(200)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 가질 수 있다. 노즐 유닛(320)는 기판(S) 상에 순수를 공급하여, 기판(S) 상에 잔존하는 케미컬을 제 1 방향(X)으로 밀어낸다. 제 1 공급라인(325)는 액 탱크(305)와 노즐 유닛(320)을 연결한다.The nozzle unit 320 may be disposed adjacent the inlet 12 within the cleaning chamber 300. The nozzle unit 320 may be provided along the second direction Y in the longitudinal direction. Alternatively, the nozzle unit 320 may be provided inclined with respect to the second direction Y. [ In addition, the nozzle unit 320 may have a discharge port provided to be inclined downward in a direction away from the second housing 200. The nozzle unit 320 supplies pure water onto the substrate S to push out the chemical remaining on the substrate S in the first direction X. [ The first supply line 325 connects the liquid tank 305 and the nozzle unit 320.

액 공급 유닛(340)는 노즐 유닛(320)보다 하류에 배치된다. 액 공급 유닛(340)은 노즐 유닛(320)의 후방에 배치될 수 있다. 제 2 노즐(330)는 그 길이 방향이 제 1 방향(X)을 따라 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(340)은 기판(S) 상으로 세척액을 분사한다. 일 예로, 세척액은 약액 또는 순수일 수 있다. 액 공급 유닛(340)은 스프레이 방식으로 세척액을 분사할 수 있다. The liquid supply unit 340 is disposed downstream of the nozzle unit 320. The liquid supply unit 340 may be disposed behind the nozzle unit 320. The second nozzle 330 may be provided along the first direction X in the longitudinal direction thereof. The liquid supply unit 340 ejects the cleaning liquid onto the substrate S. In one example, the wash liquid may be a chemical liquid or pure water. The liquid supply unit 340 can spray the cleaning liquid in a spray manner.

도 8은 도 4의 노즐 유닛(320)을 세정하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 9 내지 도 13은 도 8에 따른 노즐 유닛(320) 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 이하, 도 9 내지 도 13을 참조하여, 노즐 유닛(320)을 세정하는 과정을 설명한다. 먼저, 노즐 유닛(320)의 내부에 파티클 등의 이물질로 인해 막히게 되면, 노즐 유닛(320)의 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 개방한다(S10). 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 개방한 후, 버퍼 공간(330)으로 액을 공급한다(S20). 이 때, 액은 공급라인(328)을 통해서 공급될 수 있다. 선택적으로, 액은 제 1 플레이트(324) 또는 제 2 플레이트(326) 중 어느 하나를 통해서 외부에서 공급될 수 있다. 액을 공급하여, 버퍼 공간(330) 내를 세정한다(S30). 이로 인해, 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 통해 노즐 유닛(320) 내부의 파티클 등의 이물질이 제거될 수 있다. 세정이 완료되면, 제 1 플레이트(324)와 제 2 플레이트(326)를 다시 닫고, 노즐 유닛(320)은 정상적으로 액을 공급할 수 있다. FIG. 8 is a flow chart showing a process of cleaning the nozzle unit 320 of FIG. 9 to 13 are views sequentially illustrating the cleaning process of the nozzle unit 320 according to FIG. Hereinafter, the process of cleaning the nozzle unit 320 will be described with reference to FIGS. 9 to 13. FIG. First, when the inside of the nozzle unit 320 is clogged by foreign substances such as particles, the first plate 324 and the second plate 326 of the nozzle unit 320 are opened (S10). After the first plate 324 and the second plate 326 are opened, the liquid is supplied to the buffer space 330 (S20). At this time, the liquid may be supplied through the supply line 328. Optionally, the liquid may be supplied externally through either the first plate 324 or the second plate 326. And the buffer space 330 is cleaned (S30). Accordingly, foreign matter such as particles in the nozzle unit 320 can be removed through the first plate 324 and the second plate 326. When the cleaning is completed, the first plate 324 and the second plate 326 are closed again, and the nozzle unit 320 can normally supply the liquid.

상술한 예에서는, 노즐 유닛이 세정 공정을 진행하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 도포 공정, 현상 공정, 또는 식각 공정 등에도 적용될 수 있다. 상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 에칭 공정 후 세척 공정이 이루어지도록 설명하였다. 그러나 이와 달리 공정의 시기와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 상술한 예들에서는 노즐 유닛이 계속적으로 이루어지는 장치 내에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판(S)에 대해 스팀 부재 또는 브러쉬 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above-described example, it is described that the nozzle unit proceeds the cleaning process. Alternatively, however, it may be applied to a coating process, a developing process, or an etching process. In the above-described examples, the cleaning process is performed after the etching process for the substrate S has been described. However, the timing of the process and the number of process chambers may be different. Further, in the above-described examples, it has been described that the nozzle unit is provided in a continuous apparatus. Alternatively, however, a steam member, a brush member, or the like may be further provided for the substrate S. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

100 : 제 1 챔버 200 : 제 2 챔버
300 : 세척 챔버 400 : 반송 유닛
320 : 노즐 유닛 322 : 바디
324 : 제 1 플레이트 326 : 제 2 플레이트
328 : 공급라인 330 : 버퍼 공간
332 : 토출라인100: first chamber 200: second chamber
300: Cleaning chamber 400: Transfer unit
320: nozzle unit 322: body
324: first plate 326: second plate
328: supply line 330: buffer space
332: Discharge line

Claims (2)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
하우징;
상기 하우징 내에 위치하고, 기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛; 그리고
상기 반송 유닛에 놓인 상기 기판으로 액을 공급하는 노즐 유닛을 포함하되,
상기 노즐 유닛은,
내부에 상기 액이 저장되는 버퍼 공간 및 상기 버퍼 공간으로부터 그 하단으로 연장된 토출라인을 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 분사하고 로드 형상으로 제공되는 바디;
상기 바디로 상기 액이 공급되는 공급라인;
상기 바디의 상기 길이 방향의 그 일단에 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 1 측벽으로 제공되는 제 1 플레이트;
상기 바디의 상기 길이 방향의 그 타단에 결합되고, 상기 버퍼 공간의 제 2 측벽으로 제공되는 제 2 플레이트를 포함하되,
상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측벽에 탈착 가능하게 제공되는 기판 처리 장치. An apparatus for processing a substrate,
housing;
A transporting unit located in the housing and transporting the substrate in a first direction; And
And a nozzle unit for supplying a liquid to the substrate placed in the transfer unit,
Wherein the nozzle unit comprises:
A body having a buffer space in which the liquid is stored and a discharge line extending from the buffer space to a lower end thereof, the liquid being sprayed onto the substrate and provided in a rod shape;
A supply line through which the liquid is supplied to the body;
A first plate coupled to one end of the body in the longitudinal direction and provided to a first side wall of the buffer space;
A second plate coupled to the other end of the body in the longitudinal direction and provided to a second side wall of the buffer space,
Wherein the first plate is detachably provided to the first side wall. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 플레이트는 상기 제 1 측벽에 탈착 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second plate is detachably provided to the first side wall.
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