KR100876377B1 - Nozzle cleaning mechanism and substrate processing apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

노즐 세정 기구가 제공된다. 상기 노즐 세정 기구는 슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 진행하면서 슬릿 노즐의 팁(tip)을 세정하는 노즐 세정 기구에 있어서, 길이 방향을 따라 정의된 제1 및 제2 노즐 형성 영역을 포함하는 바디로, 제1 노즐 형성 영역은 진행 방향에 배치되고, 제2 노즐 형성 영역은 진행 방향의 반대편에 배치된 바디, 제1 노즐 형성 영역에 형성되어, 슬릿 노즐의 팁으로 세정액을 분사하는 제1 노즐, 및 제2 노즐 형성 영역에 형성되어, 슬릿 노즐의 팁으로 건조 가스를 분사하는 제2 노즐을 포함한다.A nozzle cleaning mechanism is provided. The nozzle cleaning mechanism is a nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle while traveling along the longitudinal direction of the slit nozzle, the body including a first and second nozzle forming region defined along the longitudinal direction, The first nozzle forming region is disposed in the advancing direction, the second nozzle forming region is formed in the body disposed opposite to the advancing direction, the first nozzle is formed in the first nozzle forming region, and sprays the cleaning liquid to the tip of the slit nozzle, and And a second nozzle formed in the second nozzle formation region, for injecting dry gas into the tip of the slit nozzle.

Description

노즐 세정 기구 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Nozzle cleaning device and substrate processing apparatus comprising the same}Nozzle cleaning device and substrate processing apparatus comprising the same

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 노즐 세정 기구가 사용되는 기판 처리 장치를 도시하는 사시도이다. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus in which a nozzle cleaning mechanism according to embodiments of the present invention is used.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서의 도포 처리에 관한 주된 구성을 도시하는 측면도이다. It is a side view which shows the main structure regarding the coating process in the substrate processing apparatus of FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 구성을 도시하는 도면이다. 3 is a diagram illustrating a configuration of a nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 바디의 대향면의 정면도이다. 4 is a front view of an opposing face of a body of a nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining the operation of the nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 공급 라인을 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a supply line of the nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐 세정 기구를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a nozzle cleaning mechanism according to another embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1 : 기판 처리 장치 2 : 본체1 substrate processing apparatus 2 main body

3 : 스테이지 5 : 주행 기구3: stage 5: driving mechanism

6 : 레지스트 공급기구 7 : 노즐 초기화 기구6: resist supply mechanism 7: nozzle initialization mechanism

30 : 지지면 41 : 슬릿 노즐30: support surface 41: slit nozzle

43, 44 : 승강 기구 70 : 노즐 세정 기구 43, 44: lifting mechanism 70: nozzle cleaning mechanism

71 : 건조 가스 공급 기구 72 : 흡인 기구71: dry gas supply mechanism 72: suction mechanism

74 : 세정부 75 : 세정액 공급 기구74: cleaning unit 75: cleaning liquid supply mechanism

76 : 구동 기구 742 : 바디76: drive mechanism 742: body

742a : 대향면 761, 762, 763 : 제1 내지 제3 노즐742a: opposing surfaces 761, 762, 763: first to third nozzles

771, 772 : 파티션771, 772: Partition

본 발명은 노즐 세정 기구 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노즐 세정 공정 시간이 줄어든 노즐 세정 기구 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle cleaning mechanism and a substrate processing apparatus including the same, and more particularly, to a nozzle cleaning mechanism having a reduced nozzle cleaning process time and a substrate processing apparatus including the same.

최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 지금까지는 디스플레이 장치로 브라운관(cathode ray tube) 모니터가 주로 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속 한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 장치의 사용이 급격히 증대하고 있다. 평판 디스플레이로는 다양한 종류가 있으며, 이들 중 전력 소모와 부피가 작으며 저전압 구동형인 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)가 널리 사용되고 있다.Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display device for displaying the operated information. Until now, cathode ray tube monitors have been mainly used as display devices, but recently, with the rapid development of semiconductor technology, the use of light and small flat panel display devices is rapidly increasing. There are various types of flat panel displays. Among them, liquid crystal displays, which are small in power consumption and small in volume, and low voltage driven, are widely used.

이러한 액정 디스플레이를 제조하기 위해 패턴의 형성을 위해서는 기판 의 표면에 포토 레지스트와 같은 처리액을 도포하는 공정이 필요하다. In order to form such a liquid crystal display, in order to form a pattern, a process of applying a processing liquid such as a photoresist to a surface of a substrate is required.

이러한 처리액을 도포하는 기판 처리 장치에는, 기판의 표면에 처리액을 도포하는 슬릿 노즐의 팁(tip)을 세정하기 위한 노즐 세정 기구가 설치된다. 왜냐 하면, 수십 내지 수백 매의 기판에 처리액을 도포하는 공정이 반복되면, 슬릿 노즐의 팁에는 처리액이 잔류할 수 있고, 이와 같이 처리액이 잔류하는 슬릿 노즐을 이용하여 도포하면, 기판에 줄무늬 형상의 도포 얼룩이 발생하게 되기 때문이다. In the substrate processing apparatus which apply | coats this process liquid, the nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle which apply | coats a process liquid to the surface of a board | substrate is provided. Because, if the process of applying the treatment liquid to the dozens or hundreds of substrates is repeated, the treatment liquid may remain at the tip of the slit nozzle, and if applied using the slit nozzle in which the treatment liquid remains, This is because stripe coating unevenness occurs.

종래의 노즐 세정 기구는 먼저 슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 첫번째 왕복 진행하면서 먼저 세정액을 분사하여 슬릿 노즐의 팁에 있는 처리액을 제거하고, 두번째 왕복 진행하면서 건조 가스를 분사하여 슬릿 노즐을 건조시켰다. 종래에는 왕복 진행 회수가 다수회였기 때문에 노즐 세정 시간이 길었고, 긴 노즐 세정 시간은 스루풋(throughput)에 영향을 주었다.In the conventional nozzle cleaning mechanism, the cleaning liquid is first sprayed by first reciprocating along the longitudinal direction of the slit nozzle to remove the treatment liquid at the tip of the slit nozzle, and the drying gas is sprayed while the second reciprocating is dried to dry the slit nozzle. Conventionally, the nozzle cleaning time was long because the number of reciprocating progressions was many times, and the long nozzle cleaning time influenced the throughput.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 노즐 세정 공정 시간이 줄어든 노즐 세정 기구를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a nozzle cleaning mechanism with a reduced nozzle cleaning process time.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 노즐 세정 기구를 포함 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including the nozzle cleaning mechanism.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따른 노즐 세정 기구는 슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 진행하면서 슬릿 노즐의 팁(tip)을 세정하는 노즐 세정 기구에 있어서, 길이 방향을 따라 정의된 제1 및 제2 노즐 형성 영역을 포함하는 바디로, 제1 노즐 형성 영역은 진행 방향에 배치되고, 제2 노즐 형성 영역은 진행 방향의 반대편에 배치된 바디, 제1 노즐 형성 영역에 형성되어, 슬릿 노즐의 팁으로 세정액을 분사하는 제1 노즐, 및 제2 노즐 형성 영역에 형성되어, 슬릿 노즐의 팁으로 건조 가스를 분사하는 제2 노즐을 포함한다.The nozzle cleaning mechanism according to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem is a nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle while traveling along the longitudinal direction of the slit nozzle, A body including first and second nozzle forming regions, wherein the first nozzle forming region is disposed in the travel direction, and the second nozzle forming region is formed in the body disposed on the opposite side of the travel direction, the first nozzle forming region, And a first nozzle for injecting the cleaning liquid into the tip of the nozzle, and a second nozzle formed in the second nozzle formation region, for injecting dry gas into the tip of the slit nozzle.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 태양에 따른 노즐 세정 기구는 슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 왕복 진행하면서 슬릿 노즐의 팁(tip)을 세정하는 노즐 세정 기구에 있어서, 길이 방향을 따라 정의된 제1 내지 제3 노즐 형성 영역을 포함하는 바디, 및 제1 내지 제3 노즐 형성 영역에 각각 형성되어, 슬릿 노즐의 팁으로 세정액 또는 건조 가스를 분사하는 제1 내지 제3 노즐을 포함하고, 노즐 세정 기구가 제1 방향으로 진행할 때에는 제1 및 제2 노즐은 세정액을 분사하고 제3 노즐은 건조 가스를 분사하고, 노즐 세정 기구가 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 진행할 때에는 제3 및 제2 노즐은 세정액을 분사하고 제1 노즐은 건 조 가스를 분사한다.The nozzle cleaning mechanism according to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem is a nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle while reciprocating along the longitudinal direction of the slit nozzle, defined along the longitudinal direction A body including first to third nozzle forming regions, and first to third nozzles respectively formed in the first to third nozzle forming regions to spray cleaning liquid or dry gas to the tips of the slit nozzles, and the nozzles When the cleaning mechanism proceeds in the first direction, the first and second nozzles inject the cleaning liquid, the third nozzle injects dry gas, and when the nozzle cleaning mechanism proceeds in the second direction opposite to the first direction, the third and The second nozzle injects the cleaning liquid and the first nozzle injects the dry gas.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스테이지, 스테이지에 지지된 기판의 표면에, 소정의 처리액을 공급하는 슬릿 노즐, 및 슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 왕복 진행하면서 슬릿 노즐의 팁을 세정하는 노즐 세정 기구를 포함하되, 노즐 세정 기구는 길이 방향을 따라 정의된 제1 내지 제3 노즐 형성 영역을 포함하는 바디와, 제1 내지 제3 노즐 형성 영역에 각각 형성되어 슬릿 노즐의 팁으로 세정액 또는 건조 가스를 분사하는 제1 내지 제3 노즐을 포함하고, 노즐 세정 기구가 제1 방향으로 진행할 때에는 제1 및 제2 노즐은 세정액을 분사하고 제3 노즐은 건조 가스를 분사하고, 노즐 세정 기구가 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 진행할 때에는 제3 및 제2 노즐은 세정액을 분사하고 제1 노즐은 건조 가스를 분사한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a stage for supporting a substrate, a slit nozzle for supplying a predetermined processing liquid to a surface of the substrate supported by the stage, and a length direction of the slit nozzle. And a nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle while reciprocating along the nozzle cleaning mechanism, wherein the nozzle cleaning mechanism includes a body including first to third nozzle formation regions defined along a length direction, and first to third nozzle formation. And first to third nozzles respectively formed in the region to spray cleaning liquid or dry gas to the tip of the slit nozzle, and when the nozzle cleaning mechanism proceeds in the first direction, the first and second nozzles spray the cleaning liquid and the third nozzle. The nozzle injects dry gas, and when the nozzle cleaning mechanism proceeds in the second direction opposite to the first direction, the third and second nozzles inject the cleaning liquid and the first furnace. Zle injects dry gas.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 발명에서 "기판"은 액정용 유리 기판, 반도체 웨이퍼, 필름 액정용 플렉 서블 기판, 포토 마스크용 기판, 컬러 필터용 기판 등을 모두 포함할 수 있다. In the present invention, the "substrate" may include both a liquid crystal glass substrate, a semiconductor wafer, a film liquid crystal flexible substrate, a photo mask substrate, a color filter substrate, and the like.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 노즐 세정 기구가 사용되는 기판 처리 장치를 도시하는 사시도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서의 도포 처리에 관한 주된 구성을 도시하는 측면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 구성을 도시하는 도면이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 바디의 대향면의 정면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 기구의 공급 라인을 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus in which a nozzle cleaning mechanism according to embodiments of the present invention is used. It is a side view which shows the main structure regarding the coating process in the substrate processing apparatus of FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention. 4 is a front view of an opposing face of a body of a nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention. 5 is a view for explaining the operation of the nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention. 6 is a view for explaining a supply line of the nozzle cleaning mechanism according to an embodiment of the present invention.

도 1에서, Z축 방향이 연직 방향을 나타내고, XY 평면이 수평면을 나타내는 것으로 정의하는데, 이들은 위치 관계를 파악하기 위해서 편의상 정의하는 것으로, 이하에 설명하는 각 방향을 한정하는 것은 아니다. 이하의 도면에 대해서도 동일하다.In FIG. 1, it is defined that the Z-axis direction represents the vertical direction and the XY plane represents the horizontal plane, which is defined for convenience in order to grasp the positional relationship, and does not limit each direction described below. The same applies to the following drawings.

우선, 도 1 및 도 2을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 본체(2)와 제어부(8)로 크게 나뉘어지고, 액정 표시 장치의 화면 패널을 제조하기 위한 유리 기판을 피처리 기판(이하, "기판"이라 함)(90)으로 하고, 기판(90)의 표면에 형성된 전극층 등을 선택적으로 에칭하기 위한 포토리소그래피 공정에 있어서 기판(90)의 표면에 처리액으로서의 레지스트액을 도포하는 도포 처리 장치로 구성되어 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 액정 표시 장치용의 유리 기판뿐만 아니라, 일반적으로, 플랫 패널 디스플레이용의 다양한 기판에 처리액을 도포하는 장치로서 변형 이용할 수 있다.First, referring to FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 1 is divided into a main body 2 and a control unit 8, and a glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device is referred to as a substrate to be processed (hereinafter, referred to as a substrate). Is a " substrate " (90), and is applied to apply a resist liquid as a processing liquid to the surface of the substrate 90 in a photolithography step for selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90. It consists of a processing apparatus. In addition, the substrate processing apparatus 1 can be used not only as a glass substrate for liquid crystal display devices, but also as a device which apply | coats a processing liquid to various board | substrates for flat panel displays generally.

본체(2)는 기판(90)을 얹어 지지하기 위한 지지대로서 기능함과 동시에, 부속하는 각 기구의 기대(基臺)로서도 기능하는 스테이지(3)를 구비한다. 스테이지(3)는 직방체 형상을 갖는, 예를 들면 일체의 석(石)제이고, 그 상면(지지면(30)) 및 측면은 평탄면으로 가공되어 있다.The main body 2 is provided with a stage 3 which functions as a support for mounting and supporting the substrate 90 and also serves as a base of the attached mechanisms. The stage 3 has a rectangular parallelepiped shape, for example, is made of integral stone, and the upper surface (supporting surface 30) and the side surface are processed into a flat surface.

스테이지(3)의 상면은 수평면으로 되어 있고, 기판(90)의 지지면(30)으로 되어 있다. 지지면(30)에는 도시하지 않은 다수의 진공 흡착구가 분포하여 형성되어 있고, 진공 흡착구는 기판 처리 장치(1)에서 기판(90)을 처리하는 동안, 기판(90)을 흡착함으로써 기판(90)을 소정의 수평 위치로 지지한다. 또한, 지지면(30)에는 도시하지 않은 구동 수단에 의해서 상하로 승강 자유로운 복수의 리프트 핀(LP)이 적절한 간격을 두고 설치된다. 리프트 핀(LP)은 기판(90)을 제거할 때에 기판(90)을 밀어 올리기 위해서 이용된다.The upper surface of the stage 3 is a horizontal plane, and is a support surface 30 of the substrate 90. A plurality of vacuum suction holes (not shown) are distributed and formed on the support surface 30, and the vacuum suction holes suck the substrate 90 while the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 90. ) To a predetermined horizontal position. In addition, a plurality of lift pins LP freely lifting up and down by driving means (not shown) are provided on the support surface 30 at appropriate intervals. The lift pin LP is used to push up the substrate 90 when removing the substrate 90.

지지면(30) 중 기판(90)의 지지 영역(기판(90)이 지지되는 영역)을 사이에 두고 양단부에는, 대략 수평 방향으로 평행하게 뻗는 한 쌍의 주행 레일(31)이 고정된다. 주행 레일(31)은 가교 구조(4)의 양단부의 최하방에 고정되는 도시하지 않은 지지 블록과 함께, 가교 구조(4)의 이동을 안내하고, 가교 구조(4)를 지지면(30)의 윗쪽에 지지하는 리니어 가이드를 구성한다.A pair of traveling rails 31 extending substantially parallel in the horizontal direction are fixed to both ends of the supporting surface 30 with a supporting region (the region on which the substrate 90 is supported) of the substrate 90 interposed therebetween. The traveling rail 31 guides the movement of the crosslinked structure 4 together with the support block (not shown) fixed to the lowermost ends of the crosslinked structure 4, and the crosslinked structure 4 is connected to the support surface 30. Configure the linear guides that are supported on the top.

스테이지(3)의 윗쪽에는 스테이지(3)의 양측 부분으로부터 대략 수평으로 걸쳐진 가교 구조(4)가 형성되어 있다. 가교 구조(4)는 예를 들어, 탄소 섬유(carbon fiber) 보강 수지를 골재(骨材)로 하는 노즐 지지부(40)와, 그 양단을 지지하는 승강 기구(43, 44)로 주로 구성된다.In the upper part of the stage 3, the bridge | crosslinking structure 4 extended substantially horizontally from the both sides part of the stage 3 is formed. The crosslinked structure 4 mainly consists of the nozzle support part 40 which uses carbon fiber reinforced resin as an aggregate, and the elevating mechanisms 43 and 44 which support both ends, for example.

노즐 지지부(40)에는 슬릿 노즐(41)이 부착되어 있다. 도 1에서 슬릿 노즐(41)은 Y축 방향으로 길이 방향을 갖고, 슬릿 노즐(41)에 레지스트액을 공급하는 배관이나 레지스트용 펌프 등을 포함하는 레지스트 공급 기구(도 2의 6 참조)가 접속되어 있다. 슬릿 노즐(41)은 레지스트용 펌프에 의해 공급된 레지스트액을 기판(90) 표면의 소정 영역(이하, "레지스트 도포 영역"이라 함)에 공급하여 레지스트액을 도포하게 된다. 여기서, 레지스트 도포 영역이란, 기판(90)의 표면 중에 레지스트액을 도포하고자 하는 영역으로, 통상, 기판(90)의 전체 면적에서 가장자리로부터 소정 폭의 영역을 제외한 영역이다.The slit nozzle 41 is attached to the nozzle support part 40. In FIG. 1, the slit nozzle 41 has a longitudinal direction in the Y-axis direction, and is connected to a resist supply mechanism (see 6 in FIG. 2) including a pipe for supplying a resist liquid to the slit nozzle 41, a pump for resist, and the like. It is. The slit nozzle 41 supplies the resist liquid supplied by the resist pump to a predetermined region (hereinafter referred to as a "resist coating region") on the surface of the substrate 90 to apply the resist liquid. Here, the resist coating area is an area to which the resist liquid is to be applied onto the surface of the substrate 90, and is usually an area excluding a region of a predetermined width from the edge of the entire area of the substrate 90.

승강 기구(43, 44)는 슬릿 노즐(41)의 양 측으로 나뉘어지고, 노즐 지지부(40)에 의해 슬릿 노즐(41)과 연결되어 있다. 승강 기구(43, 44)는 주로 AC 서보 모터(43a, 44a) 및 도시하지 않은 볼 나사(Ball Screw)로 이루어지고, 제어부(8)로부터의 제어 신호에 따라 가교 구조(4)의 승강 구동력을 생성한다. 이에 따라, 승강 기구(43, 44)는 슬릿 노즐(41)을 병진적으로 승강시킨다. 또한, 승강 기구(43, 44)는 슬릿 노즐(41)의 YZ 평면 내에서의 자세를 조정하기 위해서도 이용된다.The lifting mechanisms 43 and 44 are divided into both sides of the slit nozzle 41, and are connected to the slit nozzle 41 by the nozzle support 40. The lifting mechanisms 43 and 44 mainly consist of AC servomotors 43a and 44a and ball screws (not shown), and the lifting mechanisms of the cross-linked structure 4 are controlled by the control signals from the control unit 8. Create As a result, the lifting mechanisms 43 and 44 raise and lower the slit nozzle 41 in translation. The lifting mechanisms 43 and 44 are also used to adjust the posture in the YZ plane of the slit nozzle 41.

가교 구조(4)의 양단부에는 스테이지(3)의 양 측의 가장자리측에 따라, 각각 고정자(스테이터)(50a)와 이동자(50b) 및 고정자(51a)와 이동자(51b)를 구비하는 한쌍의 AC 코어리스 리니어 모터(이하, "리니어 모터"라 함)(50,51)가, 각각 고정된다. 또한, 가교 구조(4)의 양단부에는 각각 스케일부와 검출자를 구비한 리니어 인코더(52, 53)가 각각 고정된다. 리니어 인코더(52, 53)는 리니어 모터(50, 51)의 위치를 검출한다. 이들 리니어 모터(50, 51)와 리니어 인코더(52, 53)는 가교 구 조(4)를 스테이지(3) 상으로 이동시키기 위한 주행 기구(5)를 구성한다. 제어부(8)는 리니어 인코더(52, 53)로부터의 검출 결과에 따라서 리니어 모터(50)의 동작을 제어하고, 스테이지(3) 상의 가교 구조(4)의 이동, 즉 슬릿 노즐(41)에 의한 기판(90)의 주사를 제어한다.At both ends of the cross-linked structure 4, a pair of ACs includes a stator (stator) 50a, a mover 50b, a stator 51a, and a mover 51b, respectively, along the edges of both sides of the stage 3. Coreless linear motors (hereinafter, referred to as "linear motors") 50 and 51 are respectively fixed. In addition, the linear encoders 52 and 53 which have a scale part and a detector are respectively fixed to the both ends of bridge | crosslinking structure 4, respectively. The linear encoders 52 and 53 detect the positions of the linear motors 50 and 51. These linear motors 50 and 51 and linear encoders 52 and 53 constitute a traveling mechanism 5 for moving the bridge structure 4 onto the stage 3. The control part 8 controls the operation of the linear motor 50 according to the detection result from the linear encoders 52 and 53, and the movement of the bridge | crosslinking structure 4 on the stage 3, ie, by the slit nozzle 41, is carried out. Scanning of the substrate 90 is controlled.

본체(2)의 지지면(30)에서 -X축 방향에는 개구(32)가 형성된다. 개구(32)는 슬릿 노즐(41)과 마찬가지로 Y축 방향으로 길이 방향을 가지고, 상기 길이 방향의 길이는 슬릿 노즐(41)의 길이 방향의 길이와 거의 같다. 또한, 개구(32) 아래쪽의 본체(2)의 내부에는 노즐 초기화 기구(7)가 설치되어 있다. 노즐 초기화 기구(7)는, 기판(90)으로의 레지스트액의 도포(이하, "도포 처리"라 함)에 앞서 행해지는, 예비 처리시에 이용된다.The opening 32 is formed in the -X axis direction at the support surface 30 of the main body 2. The opening 32 has a longitudinal direction in the Y-axis direction similarly to the slit nozzle 41, and the length in the longitudinal direction is almost equal to the length in the longitudinal direction of the slit nozzle 41. In addition, a nozzle initialization mechanism 7 is provided inside the main body 2 below the opening 32. The nozzle initialization mechanism 7 is used at the time of preliminary processing performed prior to the application of the resist liquid to the substrate 90 (hereinafter referred to as "application process").

개구(32) 내에 설치된 노즐 초기화 기구(7)는 예비 도포 기구(73)를 구비한다. 예비 도포 기구(73)는 회전 구동력을 생성하는 회전 기구(730), 회전 기구(730)에 의해 회전하는 롤러(731), 롤러(731)를 내부에 수용하는 대략 상자 형상의 통체(732) 및 롤러(731)의 부착물을 긁어내는 탈액(용제를 빼내는 것) 블레이드(733)를 구비한다.The nozzle initialization mechanism 7 provided in the opening 32 has a preliminary application mechanism 73. The preliminary application mechanism 73 includes a rotation mechanism 730 that generates a rotational driving force, a roller 731 that is rotated by the rotation mechanism 730, a substantially box-shaped cylinder 732 that accommodates the roller 731 therein, and The liquid removal (solvent extraction) blade 733 which scrapes off the deposit of the roller 731 is provided.

롤러(731)는 통체(732)의 상면 개구부로부터 일부가 노출하도록 배치되고, 그 원통 측면은 레지스트액이 도포되는 도포면으로 되어 있다. 기판 처리 장치(1)에서는, 예비 도포 처리에 있어서 슬릿 노즐(41)로부터 롤러(731)에 대해 레지스트액이 공급된다. 또한, 예비 도포 처리란, 본 도포 처리 전에, 롤러(731)의 윗쪽으로 이동한 슬릿 노즐(41)로부터 소량의 레지스트액을 공급함으로써, 롤러(731)에 레지스트액을 예비적으로 도포하는 처리이다. 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)는, 예비 도포 처리에 의해, 슬릿 노즐(41)의 상태를 Y축 방향으로 균일화시킨다.The roller 731 is arrange | positioned so that a part may expose from the upper surface opening part of the cylinder 732, and the cylindrical side surface becomes a coating surface to which resist liquid is apply | coated. In the substrate processing apparatus 1, the resist liquid is supplied from the slit nozzle 41 to the roller 731 in the preliminary coating process. In addition, the preliminary coating process is a process of preliminarily applying a resist liquid to the roller 731 by supplying a small amount of resist liquid from the slit nozzle 41 which moved above the roller 731 before this coating process. . The substrate processing apparatus 1 in this embodiment makes the state of the slit nozzle 41 uniform in the Y-axis direction by the preliminary coating process.

롤러(731)의 도포면은, 통체(732) 내부의 아래쪽에서 저류된 세정액에 침지되게 되어 있다. 즉, 예비 도포 처리에서 레지스트액이 도포된 도포면은, 회전 기구(730)에 의해 아래쪽으로 이동하고, 세정액에 의해서 세정된다. 또한, 세정 후 세정액으로부터 끌어올려진 도포면에 부착해 있는 오염물은, 탈액 블레이드(733)에 의해서 긁어진다. 이렇게 하여 도포면은 롤러(731)가 1회전하는 동안에 청정한 상태로 회복되어, 슬릿 노즐(41)에 의해서 예비 도포 처리가 행해질 때, 슬릿 노즐(41)을 오염시키지 않도록 되어 있다.The application surface of the roller 731 is immersed in the washing | cleaning liquid stored below the inside of the cylinder 732. As shown in FIG. In other words, the coated surface to which the resist liquid is applied in the preliminary coating process is moved downward by the rotating mechanism 730 and washed by the cleaning liquid. In addition, the contaminants adhering to the coated surface drawn up from the cleaning liquid after cleaning are scratched by the dewatering blade 733. In this way, the coating surface is restored to a clean state during the rotation of the roller 731, and the slit nozzle 41 is not contaminated when the preliminary coating process is performed by the slit nozzle 41.

또한, 노즐 초기화 기구(7)는 노즐 세정 기구(70)를 구비한다. 노즐 세정 기구(70)는 슬릿 노즐(41)의 길이 방향을 따라 진행하면서 슬릿 노즐(41)의 팁(tip)을 세정한다. The nozzle initialization mechanism 7 also includes a nozzle cleaning mechanism 70. The nozzle cleaning mechanism 70 cleans the tip of the slit nozzle 41 while traveling along the longitudinal direction of the slit nozzle 41.

여기서, 도 3을 참조하면, 노즐 세정 기구(70)는 건조 가스 공급 기구(71), 흡인 기구(72), 세정부(74), 세정액 공급 기구(75) 및 구동 기구(76)를 구비한다. 또한, 도 3에서 도시를 생략하지만, 건조 가스 공급 기구(71), 흡인 기구(72), 세정액 공급 기구(75) 및 구동 기구(76)는 각각 제어부(8)와 신호의 송수신이 가능한 상태로 접속되어 있고, 이들 각 기구는 제어부(8)로부터의 제어 신호에 의해 제어된다.  Here, referring to FIG. 3, the nozzle cleaning mechanism 70 includes a dry gas supply mechanism 71, a suction mechanism 72, a cleaning portion 74, a cleaning liquid supply mechanism 75, and a driving mechanism 76. . In addition, although illustration is abbreviate | omitted in FIG. 3, the dry gas supply mechanism 71, the suction mechanism 72, the washing | cleaning liquid supply mechanism 75, and the drive mechanism 76 are each in the state which can transmit and receive a signal with the control part 8, respectively. Each mechanism is controlled by the control signal from the control part 8.

건조 가스 공급 기구(71)는 도시하지 않은 봄베로부터 공급 배관을 통해 세 정부(74)에 질소 가스를 공급하는 기구이다. 또한, 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)에서는, 불활성 가스로서 질소 가스를 이용하는데, 불활성 가스는 질소 가스에 한정되지 않는다. 또한, 청정한 기체이면, 공기(압공: 가압된 공기)라도 된다.The dry gas supply mechanism 71 is a mechanism for supplying nitrogen gas to the three governments 74 through a supply pipe from a cylinder (not shown). In addition, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, although nitrogen gas is used as an inert gas, an inert gas is not limited to nitrogen gas. Moreover, as long as it is a clean gas, it may be air (pressure hole: pressurized air).

흡인 기구(72)는 폐기 배관을 통해 세정부(74)에 형성되는 흡인구(미도시) 로부터, 세정액이나 세정액에 의해서 제거된 레지스트액 등의 흡인을 행하는 기구이다. 또한, 흡인 기구(72)로는, 종래부터 일반적으로 알려져 있는 기구를 채용할 수 있다. 예를 들면, 진공 발생 장치나 컴프레서(compressor)를 이용해 흡인하는 기구라도 좋고, 흡인 펌프와 기액 분리 박스로 이루어지는 기구 등이라도 좋다. 또한, 예를 들어, 필요한 용력(用力)이 얻어지는 것이면 공장 내에 설치되어 있는 배기 설비를 이용해도 된다.The suction mechanism 72 is a mechanism that sucks a cleaning liquid, a resist liquid removed by the cleaning liquid, or the like from a suction port (not shown) formed in the cleaning portion 74 through a waste pipe. Moreover, as the suction mechanism 72, the mechanism generally known conventionally can be employ | adopted. For example, a mechanism may be used for suction using a vacuum generator or a compressor, or a mechanism including a suction pump and a gas-liquid separation box may be used. In addition, you may use the exhaust installation installed in a factory, for example, as long as required power is obtained.

여기서, 도 3 내지 도 6을 참조하면, 세정부(74)는 주로 베이스(740), 스페이서(741), 바디(742), 지지 부재(744)로 구성되고, 본 도포 처리를 반복함으로써 슬릿 노즐(41)의 팁에 부착된 레지스트액을 세정 제거한다.3 to 6, the cleaning unit 74 is mainly composed of a base 740, a spacer 741, a body 742, a support member 744, and the slit nozzle by repeating the main coating process. The resist liquid attached to the tip of (41) is cleaned and removed.

세정부(74)의 각 구성의 기대(基臺)로서 기능하는 베이스(740)는, 구동 기구(76)와 연결되어 있어, 구동 기구(76)에 의해서 Y축 방향으로 왕복 이동하는 것이 가능하게 되어 있다.The base 740 which functions as the base of each structure of the washing | cleaning part 74 is connected with the drive mechanism 76, and can be reciprocated to the Y-axis direction by the drive mechanism 76. It is.

스페이서(741)는 소정의 두께를 갖는 판 형상의 부재로서, 베이스(740)와 바디(742)와의 사이에 탈착 가능한 상태로 삽입된다. 본 실시의 형태에서 스페이서(741)는 베이스(740)의 이면으로부터 바디(742)를 향해 삽입되는 볼트에 의해서 고정되어 있어, 해당 볼트를 느슨하게 함으로써 제거할 수 있다.The spacer 741 is a plate-shaped member having a predetermined thickness and is inserted in a detachable state between the base 740 and the body 742. In this embodiment, the spacer 741 is fixed by the bolt inserted into the body 742 from the back surface of the base 740, and can remove it by loosening the said bolt.

바디(742)는 제1 내지 제3 노즐(761, 762, 763)이 소정의 위치 관계로 배치되도록 규정하는 부재이다. 슬릿 노즐(41)의 팁(tip)에 대향하도록 배치되는 대향면(742a)은, 슬릿 노즐(41)의 팁의 경사에 따라, YZ 평면에 대해 소정 각도의 경사를 갖는 경사면으로 되어 있다. The body 742 is a member that defines the first to third nozzles 761, 762, and 763 to be disposed in a predetermined positional relationship. The opposing surface 742a disposed to face the tip of the slit nozzle 41 is an inclined surface having an inclination of a predetermined angle with respect to the YZ plane in accordance with the inclination of the tip of the slit nozzle 41.

구체적으로, 바디(742a)는 슬릿 노즐(41)의 길이 방향을 따라 정의된 제1 내지 제3 노즐 형성 영역(I, II, III)을 포함하고, 제1 내지 제3 노즐 형성 영역(I, II, III)에는 슬릿 노즐(41)의 팁으로 세정액 또는 건조 가스를 분사하는 제1 내지 제3 노즐(761, 762, 763)이 배치되고, 또한, 제1 및 제2 노즐 형성 영역(I, II) 사이와, 제2 및 제3 노즐 형성 영역(II, III) 사이에는 파티션(partition)(771, 772)이 각각 형성된다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 내지 제3 노즐(761, 762, 763)은 등간격으로 배치되어 있는 것을 예로 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the body 742a includes first to third nozzle forming regions I, II, and III defined along the length direction of the slit nozzle 41, and includes the first to third nozzle forming regions I, II and III are provided with first to third nozzles 761, 762, and 763 for injecting a cleaning liquid or dry gas into the tip of the slit nozzle 41, and further, the first and second nozzle forming regions I, Partitions 771 and 772 are formed between II) and between the second and third nozzle formation regions II and III, respectively. In an embodiment of the present invention, the first to third nozzles 761, 762, and 763 are exemplarily disposed at equal intervals, but are not limited thereto.

특히, 본 발명의 일 실시예에서, 제1 및 제3 노즐(761, 763)은 세정액과 건조 가스를 선택적으로 분사할 수 있도록, 세정액 공급 기구(75)와 건조 가스 공급 기구(71)와 밸브(v1, v2, v4, v5)를 통해서 연결된다. 반면, 제2 노즐(762)은 세정액을 분사할 수 있도록 세정액 공급 기구(75)와 밸브(v3)를 통해서 연결된다.In particular, in one embodiment of the present invention, the first and third nozzles 761 and 763 are provided with a cleaning liquid supply mechanism 75, a dry gas supply mechanism 71, and a valve so as to selectively spray the cleaning liquid and dry gas. It is connected via (v1, v2, v4, v5). On the other hand, the second nozzle 762 is connected through the cleaning liquid supply mechanism 75 and the valve v3 to inject the cleaning liquid.

이러한 연결 관계를 통해서 노즐 세정 기구(70)는 다음과 같이 동작할 수 있다. 노즐 세정 기구(70)가 제1 방향(Y 방향)으로 진행할 때에는 제1 및 제2 노즐(761, 762)은 세정액을 분사하고 제3 노즐(763)은 건조 가스를 분사한다. 노즐 세정 기구(70)가 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향(-Y 방향)으로 진행할 때에는 제 3 및 제2 노즐(763, 762)은 세정액을 분사하고 제1 노즐(761)은 건조 가스를 분사한다. 즉, 노즐 세정 기구(70)가 제1 방향으로 진행할 때에는 밸브(v1, v3, v4)가 열리고, 밸브(v2, v5)는 닫히게 된다. 노즐 세정 기구(70)가 제2 방향으로 진행할 때에는 밸브(v2, v3, v5)가 열리고, 밸브(v1, v4)는 닫히게 된다.Through such a connection relationship, the nozzle cleaning mechanism 70 can operate as follows. When the nozzle cleaning mechanism 70 proceeds in the first direction (Y direction), the first and second nozzles 761 and 762 spray the cleaning liquid, and the third nozzle 763 injects the drying gas. When the nozzle cleaning mechanism 70 proceeds in the second direction (-Y direction) opposite to the first direction, the third and second nozzles 763 and 762 spray the cleaning liquid and the first nozzle 761 uses the dry gas. Spray it. That is, when the nozzle cleaning mechanism 70 advances in the first direction, the valves v1, v3, and v4 are opened, and the valves v2 and v5 are closed. When the nozzle cleaning mechanism 70 advances in the second direction, the valves v2, v3, v5 are opened, and the valves v1, v4 are closed.

즉, 진행하면서 앞에서는 세정액을 분사하여 슬릿 노즐(41)의 팁에 잔류된 처리액(레지스트액)을 제거하고, 뒤에서는 건조 가스를 분사하여 슬릿 노즐(41)을 건조시키게 된다.That is, while proceeding, the cleaning liquid is sprayed at the front to remove the treatment liquid (resist liquid) remaining at the tip of the slit nozzle 41, and the dry gas is sprayed at the rear to dry the slit nozzle 41. FIG.

따라서, 종래와 같이 첫번째 왕복 진행하면서 먼저 슬릿 노즐(41)의 팁에 잔류된 처리액을 제거하고, 두번째 왕복 진행하면서 슬릿 노즐(41)을 건조시키는 등의 다수회의 왕복 진행이 불필요하다. 1회의 왕복 진행시 슬릿 노즐(41)의 팁에 잔류된 처리액 제거와, 슬릿 노즐(41)의 건조를 해결할 수 있다. 따라서, 노즐 세정 공정 시간을 최소화할 수 있다.Therefore, as in the prior art, a plurality of reciprocating processes such as first removing the processing liquid remaining at the tip of the slit nozzle 41 and drying the slit nozzle 41 during the second reciprocating process are unnecessary. It is possible to solve the removal of the treatment liquid remaining at the tip of the slit nozzle 41 and the drying of the slit nozzle 41 during one round trip. Therefore, the nozzle cleaning process time can be minimized.

또한, 전술한 바와 같이, 제1 및 제2 노즐 형성 영역(I, II) 사이, 제2 및 제3 노즐 형성 영역(II, III) 사이에 파티션이 형성되어 있으므로, 처리액과 건조 가스를 동시에 분사하더라도 처리액이 비산되는 정도를 최소화할 수 있다. As described above, since partitions are formed between the first and second nozzle formation regions I and II and between the second and third nozzle formation regions II and III, the treatment liquid and the drying gas are simultaneously Even when spraying, the degree of scattering of the processing liquid can be minimized.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노즐 세정 기구를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a nozzle cleaning mechanism according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 바디(742a)는 길이 방향을 따라 정의된 제1 및 제2 노즐 형성 영역(I', II'), 즉 2개의 영역으로 구분되는 것이 일 실시예와 차이가 있고, 나머지 구성 요소는 일 실시예와 실질적으로 동일하다. 제1 노즐 형성 영역(I')에 는 제1 노즐(764)이, 제2 노즐 형성 영역(II')에는 제2 노즐(765)이 형성된다.Referring to FIG. 7, the body 742a is divided into first and second nozzle forming regions I ′ and II ′ defined in the length direction, that is, two regions, which is different from the exemplary embodiment. The components are substantially the same as in one embodiment. The first nozzle 764 is formed in the first nozzle formation region I ', and the second nozzle 765 is formed in the second nozzle formation region II'.

제1 방향(Y방향)으로 진행할 때에는 밸브(v7, v8)가 열리고, 밸브(v6, v9)는 닫힌다. 제2 방향(-Y방향)으로 진행할 때에는 밸브(v6, v9)가 열리고, 밸브(v7, v8)는 닫힌다.When traveling to the first direction (Y direction), the valves v7 and v8 are opened, and the valves v6 and v9 are closed. When traveling to the second direction (-Y direction), the valves v6 and v9 are opened, and the valves v7 and v8 are closed.

본 발명의 실시예들에 따른 노즐 세정 기구는 노즐 형성 영역이 2개 또는 3개로 형성되어 있는 경우만을 예시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 노즐 형성 영역은 4개 이상이 형성될 수 있으며, 이와 같은 구성도 본 발명의 권리 범위 내에 포함된다.The nozzle cleaning mechanism according to embodiments of the present invention exemplifies only a case in which two or three nozzle formation regions are formed, but is not limited thereto. That is, four or more nozzle formation regions may be formed, and such a configuration is also included within the scope of the present invention.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같은 노즐 세정 기구 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 따르면, 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다. According to the nozzle cleaning mechanism and the substrate processing apparatus including the same as described above, there are one or more of the following effects.

첫째, 1회의 왕복 진행시 슬릿 노즐의 팁에 잔류된 처리액 제거와, 슬릿 노즐의 건조를 해결할 수 있다. 따라서, 노즐 세정 공정 시간을 최소화할 수 있다.First, the treatment liquid remaining at the tip of the slit nozzle and the drying of the slit nozzle can be solved during one reciprocation. Therefore, the nozzle cleaning process time can be minimized.

둘째, 각 노즐 형성 영역 사이에 파티션이 형성되어 잇으므로, 처리액과 건조 가스를 동시에 분사하더라도 처리액이 비산되는 정도를 최소화할 수 있다.Second, since partitions are formed between the nozzle formation regions, the degree to which the treatment liquid is scattered can be minimized even when the treatment liquid and the drying gas are simultaneously sprayed.

Claims (7)

슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 진행하면서 상기 슬릿 노즐의 팁(tip)을 세정하는 노즐 세정 기구에 있어서,In the nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle while advancing along the longitudinal direction of the slit nozzle, 상기 길이 방향을 따라 정의된 제1 노즐 형성 영역 및 제2 노즐 형성 영역을 포함하는 바디로, 상기 제1 노즐 형성 영역은 상기 진행 방향에 배치되고, 상기 제2 노즐 형성 영역은 상기 진행 방향의 반대편에 배치된 바디;A body including a first nozzle formation region and a second nozzle formation region defined along the length direction, wherein the first nozzle formation region is disposed in the travel direction, and the second nozzle formation region is opposite to the travel direction. A body disposed in the body; 상기 제1 노즐 형성 영역에 형성되어, 상기 슬릿 노즐의 팁으로 세정액 또는 건조 가스를 분사하는 제1 노즐; 및A first nozzle formed in the first nozzle formation region and spraying a cleaning liquid or a dry gas to the tip of the slit nozzle; And 상기 제2 노즐 형성 영역에 형성되어, 상기 슬릿 노즐의 팁으로 세정액 또는 건조 가스를 분사하는 제2 노즐을 포함하고,A second nozzle formed in the second nozzle formation region and injecting a cleaning liquid or a dry gas to the tip of the slit nozzle, 상기 노즐 세정 기구가 제 1 방향으로 진행할 때에는 상기 제 1 노즐은 상기 세정액을 분사하고 상기 제 2 노즐은 건조 가스를 분사하며, 상기 노즐 세정 기구가 상기 제 1 방향과 반대 방향인 제 2 방향으로 진행할 때에는 상기 제 2 노즐은 세정액을 분사하고 상기 제 1 노즐은 건조 가스를 분사하는 노즐 세정 기구. When the nozzle cleaning mechanism proceeds in the first direction, the first nozzle injects the cleaning liquid, the second nozzle injects dry gas, and the nozzle cleaning mechanism proceeds in the second direction opposite to the first direction. And the second nozzle sprays the cleaning liquid and the first nozzle sprays the dry gas. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 노즐과 상기 제 2 노즐에서 세정액을 분사하는 것과 건조 가스를 분사하는 것은 동시에 이루어지는 노즐 세정 기구.A nozzle cleaning mechanism comprising simultaneously spraying a cleaning liquid and spraying a dry gas from the first nozzle and the second nozzle. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 노즐 형성 영역 및 제2 노즐 형성 영역 사이에는 파티션(patition)이 형성된 노즐 세정 기구.And a partition formed between the first nozzle formation region and the second nozzle formation region. 슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 왕복 진행하면서 상기 슬릿 노즐의 팁(tip)을 세정하는 노즐 세정 기구에 있어서,In the nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle while reciprocating along the longitudinal direction of the slit nozzle, 상기 길이 방향을 따라 정의된 제1 노즐 형성 영역, 제 2 노즐 형성 영역, 및 제3 노즐 형성 영역을 포함하는 바디; 및A body including a first nozzle formation region, a second nozzle formation region, and a third nozzle formation region defined along the length direction; And 상기 제1 노즐 형성 영역, 제2 노즐 형성영역, 및 제3 노즐 형성 영역에 각각 형성되어, 상기 슬릿 노즐의 팁으로 세정액 또는 건조 가스를 분사하는 제1 노즐, 제2 노즐, 및 제3 노즐을 포함하고,A first nozzle, a second nozzle, and a third nozzle formed in the first nozzle formation region, the second nozzle formation region, and the third nozzle formation region, respectively, for spraying a cleaning liquid or dry gas to the tip of the slit nozzle; Including, 상기 노즐 세정 기구가 제1 방향으로 진행할 때에는 상기 제1 노즐 및 제2 노즐은 상기 세정액을 분사하고 상기 제3 노즐은 건조 가스를 분사하고, 상기 노즐 세정 기구가 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 진행할 때에는 상기 제3 노즐 및 제2 노즐은 상기 세정액을 분사하고 상기 제1 노즐은 건조 가스를 분사하는 노즐 세정 기구.When the nozzle cleaning mechanism proceeds in the first direction, the first nozzle and the second nozzle inject the cleaning liquid, the third nozzle injects dry gas, and the nozzle cleaning mechanism is in a direction opposite to the first direction. And the third nozzle and the second nozzle inject the cleaning liquid, and the first nozzle injects dry gas when advancing in two directions. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 노즐 형성 영역 및 제2 노즐 형성 영역 사이와, 제2 노즐 형성 영역 및 제3 노즐 형성 영역 사이에는 파티션(patition)이 각각 형성된 노즐 세정 기구.And a partition is formed between the first nozzle formation region and the second nozzle formation region, and between the second nozzle formation region and the third nozzle formation region, respectively. 기판을 지지하는 스테이지;A stage for supporting the substrate; 상기 스테이지에 지지된 기판의 표면에, 소정의 처리액을 공급하는 슬릿 노즐; 및A slit nozzle for supplying a predetermined treatment liquid to a surface of the substrate supported by the stage; And 상기 슬릿 노즐의 길이 방향을 따라 왕복 진행하면서 상기 슬릿 노즐의 팁을 세정하는 노즐 세정 기구를 포함하되,A nozzle cleaning mechanism for cleaning the tip of the slit nozzle while reciprocating along the longitudinal direction of the slit nozzle, 상기 노즐 세정 기구는 상기 길이 방향을 따라 정의된 제1 노즐 형성 영역, 제2 노즐 형성 영역, 및 제3 노즐 형성 영역을 포함하는 바디와, 상기 제1 노즐 형성 영역, 제2 노즐 형성 영역, 및 제3 노즐 형성 영역에 각각 형성되어 상기 슬릿 노즐의 팁으로 세정액 또는 건조 가스를 분사하는 제1 노즐, 제2 노즐, 및 제3 노즐을 포함하고,The nozzle cleaning mechanism includes a body including a first nozzle forming region, a second nozzle forming region, and a third nozzle forming region defined along the longitudinal direction, the first nozzle forming region, a second nozzle forming region, and A first nozzle, a second nozzle, and a third nozzle which are respectively formed in a third nozzle formation region and inject a cleaning liquid or a dry gas to the tip of the slit nozzle, 상기 노즐 세정 기구가 제1 방향으로 진행할 때에는 상기 제1 노즐 및 제2 노즐은 상기 세정액을 분사하고 상기 제3 노즐은 건조 가스를 분사하고, 상기 노즐 세정 기구가 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 진행할 때에는 상기 제3 노즐 및 제2 노즐은 상기 세정액을 분사하고 상기 제1 노즐은 건조 가스를 분사하는 기판 처리 장치.When the nozzle cleaning mechanism proceeds in the first direction, the first nozzle and the second nozzle inject the cleaning liquid, the third nozzle injects dry gas, and the nozzle cleaning mechanism is in a direction opposite to the first direction. And the third nozzle and the second nozzle inject the cleaning liquid and the first nozzle inject the dry gas when advancing in two directions. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 노즐 형성 영역 및 제2 노즐 형성 영역 사이와, 제2 노즐 형성 영역 및 제3 노즐 형성 영역 사이에는 파티션(patition)이 각각 형성된 기판 처리 장치.And a partition is formed between the first nozzle formation region and the second nozzle formation region, and between the second nozzle formation region and the third nozzle formation region, respectively.
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