KR102157129B1 - 권취식 성막 장치 및 권취식 성막 방법 - Google Patents

권취식 성막 장치 및 권취식 성막 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102157129B1
KR102157129B1 KR1020207010500A KR20207010500A KR102157129B1 KR 102157129 B1 KR102157129 B1 KR 102157129B1 KR 1020207010500 A KR1020207010500 A KR 1020207010500A KR 20207010500 A KR20207010500 A KR 20207010500A KR 102157129 B1 KR102157129 B1 KR 102157129B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
roller
lithium
film
forming apparatus
film forming
Prior art date
Application number
KR1020207010500A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200042544A (ko
Inventor
준이치 사카모토
카즈야 사이토
준야 키요타
마사키 타케이
아키히로 요코야마
Original Assignee
가부시키가이샤 아루박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아루박 filed Critical 가부시키가이샤 아루박
Publication of KR20200042544A publication Critical patent/KR20200042544A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102157129B1 publication Critical patent/KR102157129B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F17/00—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for
    • B41F17/08—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces
    • B41F17/10—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces on articles of indefinite length, e.g. wires, hoses, tubes, yarns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F5/00—Rotary letterpress machines
    • B41F5/04—Rotary letterpress machines for printing on webs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F9/00—Rotary intaglio printing presses
    • B41F9/06—Details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/02—Letterpress printing, e.g. book printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/10—Intaglio printing ; Gravure printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/26—Printing on other surfaces than ordinary paper
    • B41M1/28—Printing on other surfaces than ordinary paper on metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
    • B41M1/26—Printing on other surfaces than ordinary paper
    • B41M1/30—Printing on other surfaces than ordinary paper on organic plastics, horn or similar materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H20/00—Advancing webs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C6/00—Coating by casting molten material on the substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Abstract

권취식 성막 장치는, 진공 용기와, 필름 주행 기구와, 리튬원과, 제1 롤러를 구비한다. 상기 진공 용기는, 감압 상태를 유지할 수 있다. 상기 필름 주행 기구는, 상기 진공 용기 내에서 필름을 주행시킬 수 있다. 상기 리튬원은, 상기 진공 용기 내에서 리튬을 증발시킬 수 있다. 상기 제1 롤러는, 상기 필름의 성막면과 상기 리튬원과의 사이에 배치되어 있다. 상기 제1 롤러는, 상기 리튬원으로부터 증발한 상기 리튬을 수용하는 전사 패턴을 가진다. 상기 제1 롤러는, 상기 전사 패턴에 대응하는 리튬층의 패턴을 상기 성막면에 회전하면서 전사한다.

Description

권취식 성막 장치 및 권취식 성막 방법
본 발명은, 저융점(低融點) 금속의 고속 성막 기술로서의 권취식(卷取式) 성막 장치 및 권취식 성막 방법에 관한 것이다.
권취식 성막 장치 중에, 권출 롤러에 권회(卷回)된 필름을 권출(卷出)하면서, 그 필름에 금속을 증착한 후, 필름을 권취 롤러로 권취(卷取)하는 장치가 있다.
이런 종류의 권취식 성막 장치에서는, 권출 롤러와 권취 롤러와의 도중에, 금속 증착원이 필름에 대향하도록 배치되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 그리고, 금속 증착원으로부터 증발한 금속이 필름에 부착되면, 필름 상(上)에서 금속이 기상(氣相) 상태에서 고상(固相) 상태로 변화해, 필름에 고상 상태의 금속층이 형성된다.
[특허문헌 1] 국제공개 제2008/018297호 공보
그러나, 주행 필름에 금속층을 직접 증착하면, 잠열(潛熱)에 의해 필름이 열 손상을 받기 쉬워진다. 이 잠열은, 필름에 증착하는 금속층의 두께가 두꺼워질수록 커지고, 이 두께가 두꺼워질수록, 필름은 한층 더 열 손상을 받기 쉬워진다.
이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명의 목적은, 필름의 열 손상을 억제하면서 금속층을 성막할 수 있는 권취식 성막 장치 및 권취식 성막 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 권취식 성막 장치는, 진공 용기와, 필름 주행 기구와, 리튬원과, 제1 롤러를 구비한다.
상기 진공 용기는, 감압(減壓) 상태를 유지할 수 있다.
상기 필름 주행 기구는, 상기 진공 용기 내에서 필름을 주행시킬 수 있다.
상기 리튬원은, 상기 진공 용기 내에서 리튬을 증발시킬 수 있다.
상기 제1 롤러는, 상기 필름의 성막면과 상기 리튬원과의 사이에 배치되어 있다. 상기 제1 롤러는, 상기 리튬원으로부터 증발한 상기 리튬을 수용하는 전사 패턴을 가진다. 상기 제1 롤러는, 상기 전사 패턴에 대응하는 리튬층의 패턴을 상기 성막면에 회전하면서 전사(轉寫)한다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 용융(溶融)한 상기 리튬이 상기 전사 패턴을 가지는 상기 제1 롤러에 수용되어, 상기 리튬층의 상기 패턴이 상기 제1 롤러로부터 상기 필름의 상기 성막면에 간접적으로 전사된다. 즉, 상기 제1 롤러를 통한 진공 증착 및 도포에 의해 상기 필름의 상기 성막면에 리튬층이 패터닝 된다. 이에 따라, 상기 필름에의 열 손상이 억제된다.
상기의 권취식 성막 장치는, 상기 제1 롤러에 상기 필름을 통해 대향하는 제2 롤러를 더 구비해도 무방하다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 상기 제1 롤러에 상기 필름을 통해 상기 제2 롤러가 접한다. 이에 따라, 상기 제1 롤러로부터 상기 필름의 상기 성막면에 의해 선명하게 리튬층의 패턴이 전사된다.
상기의 권취식 성막 장치에서는, 상기 리튬원은, 증착 용기와, 독터 블레이드(doctor blade)를 가져도 무방하다. 상기 증착 용기는, 상기 리튬을 수용하고, 상기 리튬이 상기 제1 롤러에 증착되도록 배치된다. 상기 독터 블레이드는, 상기 증착 용기로부터 상기 제1 롤러에 공급된 상기 리튬의 두께를 제어한다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 상기 증착 용기로부터 상기 제1 롤러에 공급된 상기 리튬의 두께가 상기 독터 블레이드에 의해 확실하게 제어된다.
상기의 권취식 성막 장치에서는, 상기 리튬원은, 제3 롤러와, 증착 용기와, 독터 블레이드를 가져도 무방하다. 상기 제3 롤러는, 상기 제1 롤러에 대향한다. 상기 증착 용기는, 상기 리튬을 수용하고, 상기 리튬이 상기 제3 롤러에 증착되도록 배치된다. 상기 리튬의 용융면은, 상기 제3 롤러에 접하고 있다. 상기 독터 블레이드는, 상기 증착 용기로부터 상기 제3 롤러에 공급된 상기 리튬의 두께를 제어한다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 상기 증착 용기로부터 상기 제1 롤러에 공급된 상기 리튬의 두께가 상기 독터 블레이드 및 상기 제3 롤러에 의해 보다 확실하게 제어된다.
상기의 권취식 성막 장치에서는, 상기 리튬원은, 제3 롤러와, 제4 롤러와, 증착 용기를 가져도 무방하다. 상기 제3 롤러는, 상기 제1 롤러에 대향한다. 상기 제4 롤러는, 상기 제3 롤러에 대향한다. 상기 증착 용기는, 상기 리튬을 수용하고, 상기 리튬이 상기 제4 롤러에 증착되도록 배치된다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 상기 증착 용기로부터 상기 제1 롤러에 공급된 상기 리튬의 두께가 상기 제3 롤러 및 상기 제4 롤러에 의해 보다 확실하게 제어된다. 또, 상기 제4 롤러를 개재(介在)시키는 것에 의해서, 상기 필름에의 열 손상이 한층 더 억제된다.
상기의 권취식 성막 장치는, 상기 제1 롤러의 상류(上流)에, 상기 필름의 상기 성막면의 클리닝(Cleaning)을 실시하는 전처리 기구를 더 구비해도 무방하다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 상기 리튬층의 상기 패턴이 상기 제1 롤러로부터 상기 필름의 상기 성막면에 전사되기 전에, 상기 필름의 상기 성막면이 클리닝 된다. 이에 따라, 상기 리튬층과 상기 필름과의 밀착력이 증가한다.
상기의 권취식 성막 장치는, 상기 제1 롤러의 하류(下流)에, 상기 리튬층의 표면에 보호층을 형성하는 보호층 형성 기구를 더 구비해도 무방하다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 상기 리튬층의 상기 패턴이 상기 제1 롤러로부터 상기 필름의 상기 성막면에 전사된 후에, 상기 리튬층이 상기 보호층에 의해 보호된다.
상기의 권취식 성막 장치는, 상기 진공 용기 내에서, 상기 보호층 형성 기구가 격리(隔離)되는 격리판을 더 구비해도 무방하다.
이러한 권취식 성막 장치에 의하면, 상기 보호층 형성 기구가 상기 격리판에 의해 격리되어, 상기 리튬층 내에 보호층의 성분이 혼입(混入)되기 어려워진다.
또, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 권취식 성막 방법은, 감압 상태를 유지 가능한 진공 용기 내에서 필름을 주행시키는 것을 포함한다. 전사 패턴이 형성된 제1 롤러에 리튬이 증착하여 공급된다. 상기 제1 롤러를 회전시키면서, 상기 필름의 성막면에 상기 전사 패턴에 대응하는 리튬층의 패턴을 접촉시켜, 상기 리튬층의 패턴이 상기 성막면에 전사된다.
이러한 권취식 성막 방법에 의하면, 증착한 상기 리튬이 상기 전사 패턴을 가지는 상기 제1 롤러에 공급되어, 상기 리튬층의 상기 패턴이 상기 제1 롤러로부터 상기 필름의 상기 성막면에 간접적으로 전사된다. 즉, 진공 증착 및 도포에 의해 상기 필름의 상기 성막면에 리튬층이 패터닝 된다. 이에 따라, 상기 필름에의 열 손상이 억제된다.
이상 언급한 것처럼, 본 발명에 의하면, 필름의 열 손상을 억제하면서 금속층을 성막할 수 있다.
[도 1]　제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 개략 구성도이다.
[도 2]　제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 방법을 나타내는 개략 플로우도이다.
[도 3]　제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 동작을 나타내는 개략 구성도이다.
[도 4]　제2 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 개략 구성도이다.
[도 5]　제3 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 개략 구성도이다.
[도 6]　제3 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 동작을 나타내는 개략 구성도이다.
[도 7]　제4 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 일부의 개략 구성도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 각 도면에는, XYZ축 좌표가 도입되는 경우가 있다.
[제1 실시 형태]　
도 1은, 제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 개략 구성도이다.
도 1에 도시한 권취식 성막 장치(1)는, 필름(60)을 주행시키면서, 필름(60)에 금속층(예를 들면, 리튬층)을 도포하는 것이 가능한 권취식의 성막 장치이다. 권취식 성막 장치(1)는, 제1 롤러(11A)와, 리튬원(20)과, 필름 주행 기구(30)와, 진공 용기(70)를 구비한다. 게다가, 권취식 성막 장치(1)는, 제2 롤러(12)와, 전처리 기구(40)와, 배기 기구(71)와, 가스 공급 기구(72)를 구비한다.
제1 롤러(11A)는, 스테인리스강(Stainless鋼), 철(鐵), 알루미늄 등의 금속을 포함하는 통상(筒狀) 부재이다. 제1 롤러(11A)는, 필름(60)과 리튬원(20)과의 사이에 배치되어 있다. 제1 롤러(11A)는, 필름(60)의 성막면(60d)에 대향한다. 예를 들면, 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)은, 필름(60)의 성막면(60d)에 접하고 있다. 또, 롤러면(11r)에는, 전사 패턴이 형성되어 있다. 전사 패턴은, 예를 들면, 제방(bank)상, 산(山)상 등의 볼록상(凸狀) 패턴이다. 이에 따라, 제1 롤러(11A)는, 판동(版胴)으로서의 볼록판(凸板)이라고도 불린다.
제1 롤러(11A)는, 그 중심축을 중심으로 회전할 수 있다. 예를 들면, 권취식 성막 장치(1)의 외부에는, 제1 롤러(11A)를 회전 구동시키는 회전 구동 기구가 설치되어도 무방하다. 혹은, 제1 롤러(11A) 자체가 회전 구동 기구를 가져도 무방하다.
예를 들면, 필름(60)이 화살표 A의 방향으로 주행하고 있을 때, 필름(60)에 대향하는 제1 롤러(11A)는, 시계 방향으로 회전한다. 이때, 롤러면(11r)이 움직이는 속도(접선 속도)는, 예를 들면, 필름(60)의 주행 속도와 동일한 속도로 설정된다. 이에 따라, 롤러면(11r)에 리튬의 패턴이 형성된 경우, 이 리튬의 패턴은, 위치 오차(shift)를 일으키지 않고 필름(60)의 성막면(60d)에 전사된다. 혹은, 이 롤러면(11r)이 움직이는 속도는, 필름(60)의 주행 속도와 상이하도록(보다 늦거나 또는 빠른 속도로) 설정되어도 무방하다. 이 속도 차이를 이용해서 리튬(25)의 막 두께 등을 변경해도 무방하다.
또, 본 실시 형태에서는, 제1 롤러(11A)의 내부에, 온조(溫調) 매체 순환계 등의 온조 기구가 설치되어 있다. 이 온조 기구에 의해, 예를 들면, 롤러면(11r)의 온도를 리튬의 융점 이상으로 설정할 수 있도록 적절히 조정된다.
제2 롤러(백업 롤러)(12)는, 스테인리스강, 철, 알루미늄 등의 금속을 포함하는 통상(筒狀) 부재이다. 제2 롤러(12)는, 필름(60)을 통해 제1 롤러(11A)에 대향하고 있다. 제2 롤러(12)의 롤러면(12r)은, 필름(60)의 이면(裏面)(성막면(60d)과는 반대측의 면)에 접하고 있다. 롤러면(12r)에는, 전사 패턴이 형성되어 있지 않다.
제2 롤러(12)는, 그 중심축을 중심으로 회전할 수 있다. 예를 들면, 필름(60)에 접하는 제2 롤러(12)는, 필름(60)의 주행에 의해 반시계 방향으로 회전한다. 또는, 권취식 성막 장치(1)의 외부에는, 제2 롤러(12)를 회전 구동시키는 회전 구동 기구가 설치되어도 무방하다. 혹은, 제2 롤러(12) 자체가 회전 구동 기구를 가져도 무방하다. 이 경우, 제2 롤러(12)는, 회전 구동 기구에 의해 반시계 방향으로 회전한다.
또, 본 실시 형태에서는, 제2 롤러(12)의 내부에, 온조 매체 순환계 등의 온조 기구가 설치되어도 무방하다. 이 온조 기구에 의해, 예를 들면, 롤러면(12r)의 온도를 리튬의 융점 미만으로 설정할 수 있도록 적절히 조정된다.
리튬원(20)은, 증착 용기(21)와, 독터 블레이드(22)와, 제3 롤러(23)를 가진다. 리튬원(20)은, 제1 롤러(11A)에 대향하도록 배치된다.
증착 용기(21)에는, 예를 들면, 벌크상(bulk form), 와이어상(Wire form) 혹은 분체상(powder form)의 리튬(Li)(25)이 수용된다. 예를 들면, 권취식 성막 장치(1)의 동작 시에는, 리튬(25)이 증착 용기(21) 내에서 저항 가열, 유도 가열, 전자빔 가열 등의 수법에 따라 가열되어, 증발한다. 이러한 수법에 따라 증발량을 제어해, 리튬(25)의 막 두께가 조정되어도 무방하다.
리튬(25)의 가열 온도는 특별히 한정되지 않고, 전형적으로는, 리튬의 융점 이상의 온도(예를 들면, 180℃~800℃)로 설정된다. 리튬의 표면에 자연 피막(Li2O 등)이 형성되는 경우는, 리튬(25) 만을 증발시키는(혹은 증류하는) 것이 가능하도록, 목표 가열 온도가 설정된다.
제3 롤러(23)는, 통상 부재이며, 이른바 아닐록스 롤러(Anilox roller)이다. 제3 롤러(23)와 제2 롤러(12)와의 사이에는, 제1 롤러(11A)가 위치하고 있다. 예를 들면, 권취식 성막 장치(1)의 아래에서 위를 향해, 제3 롤러(23), 제1 롤러(11A) 및 제2 롤러(12)의 순으로 늘어서 있다. 제3 롤러(23)는, 제1 롤러(11A)에 대향한다. 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)은, 예를 들면, 복수의 홀(hole)을 가지는 층(예를 들면, 크롬(Cr)층, 세라믹층 등)으로 구성되어 있다.
제3 롤러(23)의 롤러면(23r)은, 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)에 접하고 있다. 게다가, 도 1의 예에서는, 증착 용기(21)는 제3 롤러(23)의 하방에 배치되고, 증착 물질의 증기를, 대향하는 제3 롤러(23)에 부착시킨다. 즉, 증발한 리튬(25)이 롤러면(23r)의 일부에 부착되도록, 증착 용기(21)는 배치되어 있다.
제3 롤러(23)는, 그 중심축을 중심으로 회전할 수 있다. 예를 들면, 제1 롤러(11A)에 접하는 제3 롤러(23)는, 제1 롤러(11A)의 회전에 의해 반시계 방향으로 회전한다. 또는, 권취식 성막 장치(1)의 외부에는, 제3 롤러(23)를 회전 구동시키는 회전 구동 기구가 설치되어도 무방하다. 혹은, 제3 롤러(23) 자체가 회전 구동 기구를 가져도 무방하다. 이 경우, 제3 롤러(23)는, 회전 구동 기구에 의해 반시계 방향으로 회전한다.
또, 본 실시 형태에서는, 권취식 성막 장치(1)의 외부에, 제3 롤러(23)와 증착 용기(21)와의 상대 거리를 바꾸는 거리 조정 기구가 설치되어도 무방하다. 이 거리 조정 기구에 의해, 롤러면(23r)에 증착하는 리튬(25)의 양을 바꿀 수 있다.
제3 롤러(23)에 리튬(25)이 증착된 상태에서, 제3 롤러(23)가 회전함으로써, 증착 용기(21) 내의 리튬(25)이 롤러면(23r)을 통해 들어올려진다. 이에 따라, 증착 용기(21)로부터 증착한 리튬(25)이 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)의 전역에 공급된다. 또, 권취식 성막 장치(1)에서는, 독터 블레이드(22)가 제3 롤러(23)의 롤러면(23r) 근방에 배치되어 있다.
이 독터 블레이드(22)의 배치에 의해, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)의 두께가 정도(精度) 좋게 조정된다. 예를 들면, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)의 두께는, 실질적으로 동일해지도록 조정된다. 이에 따라, 제3 롤러(23)로부터 리튬(25)이 공급되는 제1 롤러(11A)에서는, 리튬(25)의 공급량이 동일해진다.
그리고, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)은, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)에 접하는 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)에 고루 퍼진다. 이와 같이, 증착 용기(21)로부터, 균일한 양의 리튬(25)이 제3 롤러(23)를 통해 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)에 공급된다.
이 경우, 독터 블레이드(22)에 의해 롤러면(23r)에 공급된 리튬(25)의 공급량이 동일해지므로, 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)에 공급되는 리튬(25)의 공급량도 동일해진다. 이에 따라, 롤러면(11r) 상의 리튬(25)의 두께는 전주(全周)에 걸쳐서 동일해진다.
또, 본 실시 형태에서는, 제3 롤러(23)의 내부에, 온조 매체 순환계 등의 온조 기구가 설치되어 있다. 이 온조 기구에 의해, 예를 들면, 롤러면(23r)의 온도를 리튬의 융점 이상으로 설정할 수 있도록 적절히 조정된다.
이에 따라, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)의 롤러면(23r)에의 부착, 및, 제3 롤러(23)에서 용융한 리튬(25)의 제1 롤러(11A)로의 공급이 실현된다.
필름 주행 기구(30)는, 권출 롤러(31), 권취 롤러(32) 및 가이드 롤러(33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 33f, 33g)를 가진다. 권취식 성막 장치(1)의 외부에는, 권출 롤러(31) 및 권취 롤러(32)를 회전 구동시키는 회전 구동 기구가 설치되어 있다. 또는, 권출 롤러(31)및 권취 롤러(32)의 각각이 회전 구동 기구를 가져도 무방하다.
또, 본 실시 형태에서는, 가이드 롤러(33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 33f, 33g)의 내부에, 온조 매체 순환계 등의 온조 기구가 설치되어도 무방하다.
필름(60)은, 제1 롤러(11A)와 제2 롤러(12)와의 사이에 끼워지도록 권취식 성막 장치(1) 내에 설치된다. 필름(60)의 성막면(60d)은, 제1 롤러(11A)에 대향한다. 필름(60)은, 미리 권출 롤러(31)에 감기고, 권출 롤러(31)로부터 풀어내진다.
권출 롤러(31)로부터 풀어내진 필름(60)은, 주행 중에 가이드 롤러(33a, 33b, 33c)에 지지되어, 가이드 롤러(33a, 33b, 33c)의 각각으로 주행 방향을 바꾸면서, 제1 롤러(11A)와 제2 롤러(12)와의 사이를 이동한다.
게다가, 필름(60)은, 주행 중에 가이드 롤러(33d, 33e, 33f, 33g)에 지지되어, 가이드 롤러(33d, 33e, 33f, 33g)의 각각으로 주행 방향을 바꾸면서, 권취 롤러(32)에 연속적으로 권취된다.
필름(60)은, 소정 폭으로 재단(裁斷)된 장척(長尺)의 필름이다. 필름(60)은, 구리, 알루미늄, 니켈, 스테인리스, 수지 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 수지는, 예를 들면, OPP(연신 폴리프로필렌) 필름, PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 필름, PPS(폴리페닐렌 설파이드) 필름 등이 이용된다.
전처리 기구(40)는, 제1 롤러(11A)의 상류에 설치되어 있다. 전처리 기구(40)는, 필름(60)의 성막면(60d)의 클리닝을 실시한다. 예를 들면, 전처리 기구(40)는, 불활성 가스(Ar, He 등), 질소(N2), 산소(O2) 등의 플라즈마를 발생할 수 있다. 이 플라즈마가 필름(60)의 성막면(60d)에 노출되는 것으로, 성막면(60d)에 부착한 유막(油膜), 자연 산화막 등이 제거된다. 이에 따라, 성막면(60d)에 형성되는 리튬층의 밀착력이 향상된다.
상기의 제1 롤러(11A), 제2 롤러(12), 리튬원(20), 필름 주행 기구(30), 전처리 기구(40) 및 필름(60)은, 진공 용기(70) 내에 수용되어 있다. 진공 용기(70)는, 감압 상태를 유지할 수 있다. 예를 들면, 진공 용기(70)는, 진공 펌프 등의 진공 배기계(미도시)에 접속된 배기 기구(71)에 의해, 그 내부가 리튬의 증착이 가능한 소정의 진공도(眞空度)로 유지된다. 이에 따라, 리튬의 노점(露点)이 -30℃ 미만(보다 바람직하게는 -50℃ 미만)이 되는 환경이 간편하게 형성되어, 리튬의 용융 상태를 진공 용기(70) 내에서 안정되게 유지할 수 있다. 게다가 높은 반응성을 가지는 리튬의 반응이 억제된다.
진공 용기(70) 내를 진공 배기할 즈음해서는, 가스 공급 기구(72)에 의해 건조 공기, 불활성 가스(Ar, He 등), 이산화탄소(CO2), 질소 등의 적어도 하나의 가스를 치환용 가스로서 공급하고나서 배기를 실시해도 무방하다. 이러한 가스를 진공 용기(70) 내에 도입함으로써, 높은 반응성을 가지는 리튬의 반응이 억제된다.
또, 본 실시 형태에서는, 리튬 이외에, 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn), 갈륨(Ga), 비스무트(bismuth)(Bi), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 융점이 400°이하인 합금 중 적어도 어느 하나가 증착 용기(21) 내에 수용되어도 무방하다.
증착 용기(21)는 예를 들면, 오스테나이트(austenite)계 스테인리스강으로 이루어진다.
[권취식 성막 장치의 동작]　
도 2는, 제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 방법을 나타내는 개략 플로우도이다.
제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 방법에서는, 예를 들면, 감압 상태를 유지 가능한 진공 용기(70) 내에서, 필름 주행 기구(30)에 의해 필름(60)을 주행시킨다(스텝(S10)).
다음으로, 제3 롤러(23)에, 리튬원(20)(증착 용기(21))으로부터 증발한 리튬(25)이 부착된다(스텝(S20)). 제3 롤러(23)의 온조 기구에 의해, 제3 롤러(23)에 부착된 리튬(25)은 용융 상태로 유지된다.
다음으로, 제3 롤러(23) 상의 용융 상태의 리튬(25)이, 전사 패턴이 형성된 제1 롤러(11A)에 공급된다(스텝(S30)).
그 다음으로, 제1 롤러(11A)를 회전시키면서, 필름(60)의 성막면(60d)에 전사 패턴에 대응하는 리튬층의 패턴을 접촉시켜, 전사 패턴에 대응하는 리튬층의 패턴이 성막면(60d)에 전사된다(스텝(S40)).
이러한 권취식 성막 방법에 의하면, 증발한 리튬(25)이 전사 패턴을 가지는 제1 롤러(11A)에 제3 롤러(23)를 통해 공급되어, 리튬층의 패턴이 제1 롤러(11A)로부터 필름(60)의 성막면(60d)에 전사된다.
즉, 리튬(25)(용융 금속)은, 증착 용기(21)(욕조(浴槽))로부터 제1 롤러(11A)에 직접 증착하지 않고, 일단 제3 롤러(23)에 증착하여, 제3 롤러(23)의 온조 기구에 의해 융해 상태를 유지한 채로 피성막면(60d)에 도포된다.
진공 증착 및 도포에 의해 필름(60)의 성막면(60d)에 리튬층이 패터닝 된다. 이에 따라, 필름(60)에의 열 손상이 억제된다.
권취식 성막 장치(1)의 구체적인 동작에 대해 설명한다.
도 3은, 제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 동작을 나타내는 개략 구성도이다.
도 3에 도시한 것처럼, 필름(60)은, 제1 롤러(11A)와 제2 롤러(12)와의 사이에서 화살표 A의 방향으로 주행한다. 여기서, 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)에는, 볼록상(凸狀)의 전사 패턴(11p)이 형성되어 있다. 전사 패턴(11p)의 재료는, 예를 들면, 고무 등의 탄성체, 유기 또는 무기 수지 등을 포함한다. 진공 용기(70) 내부는, 감압 상태가 유지된다. 진공 용기(70) 내부는, 배기 기구(71)의 진공 배기계(진공 펌프)의 도달(到達) 진공도로서, 예를 들면, 1×10-3 Pa 이하로 설정된다. 진공 용기(70) 내부에는, 건조 공기, 불활성 가스(Ar, He 등), 이산화탄소(CO2), 질소 등의 적어도 하나의 가스가 공급되어도 무방하다. 또, 필름(60)의 성막면(60d)에는, 전처리 기구(40)에 의해 전처리(클리닝)가 행해지고 있다.
다음으로, 제1 롤러(11A)의 전사 패턴(11p) 상에, 증착 용기(21)로부터 제3 롤러(23)에 증착한 액상(液狀)의 리튬(25)이 공급된다.
예를 들면, 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)의 일부에, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)이 부착하도록, 증착 용기(21)는 제3 롤러(23)의 하방에 배치된다. 게다가, 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)의 온도는, 온조 기구에 의해 리튬 융점(180℃) 이상으로 조정되고 있다. 이에 따라, 제3 롤러(23)에 증착한 리튬(25)은, 롤러면(23r)에서 용융한 상태로(제3 롤러(23)가 반시계 방향으로 회전하여), 제1 롤러(11A)에 공급된다. 또, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)의 두께는, 독터 블레이드(22)에 의해 정도 좋게 균일하게 조정된다.
다음으로, 제1 롤러(11A)는, 제3 롤러(23)의 회전과 함께 시계 방향으로 회전한다. 게다가, 제1 롤러(11A)는, 제3 롤러(23)에 접하고 있다. 이에 따라, 제1 롤러(11A)의 전사 패턴(11p)이 용융한 리튬(25)으로 젖고, 롤러면(11r)이 롤러면(23r)으로부터 용융한 리튬(25)을 수용한다. 즉, 전사 패턴(11p) 상에, 용융한 리튬(25)이 형성되고, 전사 패턴(11p)에 대응한 리튬(25)의 패턴(25p)이 롤러면(11r)에 형성된다.
여기서, 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)의 온도는, 온조 기구에 의해 리튬 융점(180℃) 이상으로 조정되고 있다. 이에 따라, 제1 롤러(11A)가 회전하여, 롤러면(11r)이 제3 롤러(23)로부터 멀어져도, 리튬(25)은, 전사 패턴(11p) 상에서 용융한 상태로 계속 젖는다.
필름(60)은, 제1 롤러(11A)와 제2 롤러(12)와의 사이에서 제1 롤러(11A) 및 제2 롤러(12)의 회전과 함께 주행하고 있다. 여기서, 제1 롤러(11A)는, 필름(60)의 성막면(60d)에 접하고 있다. 이에 따라, 패턴(25p)도 필름(60)의 성막면(60d)에 접하고, 패턴(25p)이 전사 패턴(11p)으로부터 필름(60)의 성막면(60d)에 전사된다.
이후, 성막면(60d) 상의 리튬(25)의 패턴(25p)은, 가이드 롤러(33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 33f, 33g)의 온조 기구나 자연 냉각 등에 의해, 필름(60)의 성막면(60d)에 리튬층의 패턴(25p)이 형성된다. 성막면(60d)에 형성된 리튬층의 두께는, 예를 들면, 0.5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하이다. 또한, 리튬층의 패턴(25p)은, 필름(60)의 양면에 형성되어도 무방하다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)이, 용융 상태를 보유(保持)하는 온조 기구를 가지는 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)에 부착된다. 그 후, 용융한 리튬(25)이 전사 패턴(11p)을 가지는 제1 롤러(11A)에 수용된다.
이후, 리튬층의 패턴(25p)이 제1 롤러(11A)로부터 필름(60)의 성막면(60d)에 전사된다.
상기와 같이 본 실시 형태에서는, 리튬(25)은, 제1 및 제3 롤러(11A, 23)를 통해, 증착 용기(21)로부터 성막면(60d)으로 간접적으로 전사된다.
본 실시 형태에서는, 필름(60)의 성막면(60d)에, 리튬(25)(패턴(25p))이 기상(氣相) 상태에서 고상(固相) 상태로 변화해 직접적으로 공급되는 것이 아니라, 액상(液相) 상태를 경유해(기상→액상→고상 상태로 변화해) 간접적으로 공급된다. 이에 따라, 필름(60)이 리튬으로부터 받는 잠열(潛熱)이 보다 작아지고, 필름(60)에의 열 손상이 크게 억제된다. 예를 들면, 필름(60)의 성막면(60d)에, 두께가 0.5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하 라는 비교적 두꺼운 리튬층의 패턴이 형성되어도, 필름(60)은 열 손상을 받기 어려워진다.
또, 본 실시 형태에서는, 제1 롤러(11A)에 전사 패턴(11p)이 설치되어, 제1 롤러(11A)로부터 직접적으로 필름(60)에 리튬의 패턴(25p)이 형성된다. 이에 따라, 필름(60)에 리튬 패턴을 형성하는 전용의 마스크를 필요로 하지 않는다. 이에 따라, 리튬이 부착된 마스크를 정기적으로 교환하는 메인터넌스(maintenance) 작업이 불필요하게 된다. 게다가, 필름(60)과 함께 마스크를 권출(卷出)하거나, 권취(卷取)하는 복잡한 기구 및 마스크의 위치 정렬을 실시하는 복잡한 기구를 필요로 하지 않는다.
또, 본 실시 형태에서는, 필름(60)에의 리튬층의 패터닝이 감압 분위기에서 실시된다. 이에 따라, 리튬의 용융 상태를 증착 용기(21) 내에서 안정되게 유지할 수 있고, 게다가 높은 반응성을 가지는 리튬의 반응이 억제되는 환경이 간편하게 형성된다. 또, 필름(60)에의 리튬층의 패터닝이 불활성 가스 분위기에서 실시된 경우에도, 높은 반응성을 가지는 리튬의 반응이 억제된다.
또, 본 실시 형태에서는, 제1 롤러(11A)와 제2 롤러(12)에 의해, 상하(上下)의 방향으로부터 필름(60)이 끼워지고, 필름(60)이 수평 방향으로 이동하면서, 전사 패턴(11p)이 필름(60)에 전사된다. 이에 따라, 필름(60)에 전사된 직후의 패턴(25p)이 필름(60)의 면내(面內) 방향을 따라 다가가기 어려워진다.
[제2 실시 형태]　
도 4는, 제2 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 개략 구성도이다.
도 4에 도시한 권취식 성막 장치(2)에서는, 리튬원(20)이 증착 용기(21)와, 제3 롤러(23)와, 제3 롤러(23)에 대향하는 제4 롤러(24)를 가진다. 도 4에는, 리튬원(20)으로서, 독터 블레이드(22)가 예시되고 있지만, 독터 블레이드(22)는, 필요에 따라 생략할 수 있다. 이 경우는, 제3 롤러(23)와 제4 롤러(24)와의 사이의 거리(압압력) 및 회전 속도 차이를 이용하여 리튬(25)의 막 두께 제어를 실시해도 무방하다.
제4 롤러(24)는, 통상 부재이며, 이른바 파운틴 롤러(fountain roller)이다. 제4 롤러(24)와 제1 롤러(11A)와의 사이에는, 제3 롤러(23)가 위치하고 있다. 제4 롤러(24)의 롤러면(24r)은 내열성이 있는 공지의 재료가 채용되고, 예를 들면, 금속으로 구성되어 있다. 제4 롤러(24)의 롤러면(24r)은, 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)에 접하고 있다.
게다가, 도 4의 예에서는, 제1 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 제3 롤러와 마찬가지로, 제4 롤러(24)의 롤러면(24r)의 일부에, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)이 부착되도록, 증착 용기(21)는 제4 롤러(24)의 하방에 배치된다.
제4 롤러(24)는, 그 중심축을 중심으로 회전할 수 있다. 예를 들면, 제3 롤러(23)에 접하는 제4 롤러(24)는, 제3 롤러(23)의 회전에 의해 시계 방향으로 회전한다. 또는, 권취식 성막 장치(2)의 외부에는, 제4 롤러(24)를 회전 구동시키는 회전 구동 기구가 설치되어도 무방하다. 혹은, 제4 롤러(24) 자체가 회전 구동 기구를 가져도 무방하다. 이 경우, 제4 롤러(24)는, 회전 구동 기구에 의해 시계 방향으로 회전한다.
또, 본 실시 형태에서는, 권취식 성막 장치(2)의 외부에, 제4 롤러(24)와 증착 용기(21)와의 상대 거리를 바꾸는 거리 조정 기구가 설치되어도 무방하다. 이 거리 조정 기구에 의해, 제4 롤러(24)의 롤러면(24r)에 부착되는 리튬(25)의 양을 바꿀 수 있다.
제4 롤러(24)에 리튬(25)이 증착된 상태에서, 제4 롤러(24)가 회전함으로써, 증착 용기(21) 내의 리튬(25)이 롤러면(24r)을 통해 들어올려진다. 이에 따라, 증착 용기(21)로부터 증착한 리튬(25)이 제4 롤러(24)의 롤러면(24r)의 전역에 공급된다. 게다가, 롤러면(24r) 상의 리튬(25)은, 롤러면(24r) 상의 리튬(25)에 접하는 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)에 고루 퍼진다.
게다가, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)은, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)에 접하는 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)에 고루 퍼진다. 즉, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)이, 제4 롤러(24) 및 제3 롤러(23)를 통해 제1 롤러(11A)의 롤러면(11r)에 공급된다.
여기서, 롤러면(24r)이 움직이는 속도는, 제3 롤러(23)의 롤러면(23r)이 움직이는 속도와 상이한 속도로 설정되어도 무방하고, 동일한 속도로 설정되어도 무방하다. 이러한 속도 제어에 의해, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)의 두께가 정도 좋게 조정된다, 예를 들면, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)의 두께가, 실질적으로 동일(균일)해지도록 조정된다. 또한, 제4 롤러(24)의 회전 방향은, 시계 방향으로 한정하지 않고, 반시계 방향이어도 무방하다.
또, 본 실시 형태에서는, 제4 롤러(24)의 내부에, 온조 매체 순환계 등의 온조 기구가 설치되어 있다. 이 온조 기구에 의해, 예를 들면, 롤러면(24r)의 온도를 리튬의 융점 이상으로 설정할 수 있도록 적절히 조정된다. 또, 독터 블레이드(22)가 제3 롤러(23)의 롤러면(23r) 근방에 배치된 경우, 독터 블레이드(22)의 배치에 의해, 롤러면(23r) 상의 리튬(25)의 두께가 한층 더 정도 좋게 조정된다.
권취식 성막 장치(2)에서도, 권취식 성막 장치(1)와 같은 작용 효과를 나타낸다. 특히 본 실시 형태에 의하면, 리튬(25)이 경유하는 롤러(제4 롤러(24))가 1개 추가되어 있기 때문에, 열 손상을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
[제3 실시 형태]　
도 5는, 제3 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 개략 구성도이다.
도 5에 도시한 권취식 성막 장치(3)는, 제1 롤러(11B)와, 리튬원(20)과, 필름 주행 기구(30)와, 진공 용기(70)를 구비한다. 게다가, 권취식 성막 장치(3)는, 제2 롤러(12)와, 전처리 기구(40)와, 보호층 형성 기구(50)와, 배기 기구(71)와, 가스 공급 기구(72)를 구비한다.
제1 롤러(11B)는, 스테인리스강, 철, 알루미늄 등의 금속을 포함한 통상 부재이다. 제1 롤러(11B)은, 필름(60)과 리튬원(20)과의 사이에 배치되어 있다. 제1 롤러(11B)의 롤러면(11r)는, 필름(60)의 성막면(60d)에 대향하고 있다. 예를 들면, 롤러면(11r)은, 필름(60)의 성막면(60d)에 접하고 있다.
게다가, 도 5의 예에서는, 증착 용기(21)는 제1 롤러(11B)의 하방에 배치되어, 증착 물질의 증기를, 대향하는 제1 롤러(11B)에 부착시킨다. 즉, 증발한 리튬(25)이 제1 롤러(11B)의 롤러면(11r)의 일부에 부착되도록, 증착 용기(21)는 배치되어 있다.
롤러면(11r)에는, 전사 패턴이 형성되어 있다. 전사 패턴은, 예를 들면, 홈(溝)상, 홀(孔)상 등의 오목상(凹狀) 패턴이다. 이에 따라, 제1 롤러(11B)는, 판동으로서의 오목판(凹版)이라고도 불린다.
제1 롤러(11B)는, 그 중심축을 중심으로 회전할 수 있다. 예를 들면, 권취식 성막 장치(3)의 외부에는, 제1 롤러(11B)를 회전 구동시키는 회전 구동 기구가 설치되어 있다. 또는, 제1 롤러(11B) 자체가 회전 구동 기구를 가져도 무방하다. 예를 들면, 필름(60)이 화살표 A의 방향으로 주행하고 있을 때, 필름(60)에 대향하는 제1 롤러(11B)는, 시계 방향으로 회전한다. 이때, 롤러면(11r)이 움직이는 속도는, 예를 들면, 필름(60)의 주행 속도와 동일한 속도로 설정된다. 이에 따라, 롤러면(11r)에 리튬의 패턴이 형성된 경우, 이 리튬의 패턴은, 위치 오차를 일으키지 않고 필름(60)의 성막면(60d)에 전사된다.
또, 본 실시 형태에서는, 권취식 성막 장치(3)의 외부에, 제1 롤러(11B)와 증착 용기(21)와의 상대 거리를 바꾸는 거리 조정 기구가 설치되어도 무방하다. 또, 본 실시 형태에서는, 제1 롤러(11B)의 내부에, 온조 매체 순환계 등의 온조 기구가 설치되어 있다. 이 온조 기구에 의해, 롤러면(11r)의 온도가 적절히 조정된다.
제1 롤러(11B)에 리튬(25)이 증착된 상태에서, 제1 롤러(11B)가 회전함으로써, 증착 용기(21) 내의 리튬(25)이 롤러면(11r)을 통해 들어올려진다. 이에 따라, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)이 제1 롤러(11B)의 롤러면(11r)의 전역에 공급된다.
또, 권취식 성막 장치(3)에서는, 독터 블레이드(22)가 제1 롤러(11B)의 롤러면(11r) 근방에 배치되어 있다. 이 독터 블레이드(22)의 배치에 의해, 전사 패턴 내의 리튬(25)의 두께가 정도 좋게 조정된다. 예를 들면, 전사 패턴 내의 리튬(25)의 두께는, 실질적으로 동일(균일)해지도록 조정된다.
도 6은, 제3 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 동작을 나타내는 개략 구성도이다.
도 6에 도시한 것처럼, 제1 롤러(11B)의 롤러면(11r)에는, 오목상(凹狀)의 전사 패턴(11p)이 형성되어 있다. 또, 필름(60)의 성막면(60d)에는, 전처리 기구(40)에 의해 전처리가 행해지고 있다.
다음으로, 제1 롤러(11B)의 전사 패턴(11p)에, 리튬원(20)으로부터 증발한 리튬(25)이 공급된다. 예를 들면, 제1 롤러(11B)의 롤러면(11r)의 일부에, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)이 부착되도록, 증착 용기(21)는 제1 롤러(11B)의 하방에 배치된다. 게다가, 제1 롤러(11B)의 롤러면(11r)의 온도는, 온조 기구에 의해 리튬 융점 이상으로 조정되고 있다.
이에 따라, 제1 롤러(11B)에 증착한 리튬(25)은, 롤러면(11r)에서 용융한 상태로 계속 젖는다. 또, 롤러면(11r) 상의 리튬(25)의 두께는, 독터 블레이드(22)에 의해 정도 좋게 조정된다.
필름(60)은, 제1 롤러(11B)와 제2 롤러(12)와의 사이에서 제1 롤러(11B) 및 제2 롤러(12)의 회전과 함께 주행하고 있다. 여기서, 제1 롤러(11B)는, 필름(60)의 성막면(60d)에 접하고 있다. 이에 따라, 패턴(25p)도 필름(60)의 성막면(60d)에 접하고, 패턴(25p)이 전사 패턴(11p)으로부터 필름(60)의 성막면(60d)에 전사된다.
이후, 성막면(60d) 상의 리튬(25)의 패턴(25p)은, 자연 냉각하여, 필름(60)의 성막면(60d)에 리튬층의 패턴(25p)이 형성된다. 한층 더 이후, 성막면(60d)에는, 리튬층의 패턴(25p)을 덮는 보호층이 보호층 형성 기구(50)에 의해 형성된다.
권취식 성막 장치(3)에서도, 권취식 성막 장치(1)와 같은 작용 효과를 나타낸다. 게다가, 권취식 성막 장치(3)에서는, 제1 롤러(11B)에 형성된 전사 패턴(11p)이 오목상 패턴이기 때문에, 용융한 리튬(25)이 오목상 패턴 내에 효율적으로 들어간다. 이에 따라, 필름(60)의 성막면(60d)에 형성되는 리튬층의 패턴(25p)이 보다 선명해진다.
[제4 실시 형태]　
도 7은, 제4 실시 형태에 따른 권취식 성막 장치의 일부의 개략 구성도이다. 도 7에는, 권취 롤러(32)의 주변이 도시되어 있다.
도 7에 도시한 권취식 성막 장치(4)는, 리튬층의 패턴(25p)이 형성된 필름(60)의 성막면(60d)에 보호층 또는 보호 필름을 형성하는 보호층 형성 기구(50)를 더 구비한다. 보호층 형성 기구(50)는, 상술한 권취식 성막 장치(1~3)의 어느 것에도, 복합(複合)시킬 수 있다. 보호층은, 예를 들면, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미나 산화물(AlOx) 등의 적어도 어느 하나를 포함한다.
보호층 형성 기구(50)는, 제1 롤러(11A)의 하류에 설치되어 있다. 보호층 형성 기구(50)는, 제1 롤러(11A)에 의해 필름(60)에 리튬층이 형성된 후, 리튬층의 표면에 보호층 또는 보호 필름을 형성할 수 있다.
보호층 형성 기구(50)는, 보호층 형성부(51A)와, 보호층 형성부(51B)와, 보호 필름 형성부(52)와, 가스 공급 기구(57)와, 격리판(58)을 가진다. 보호 필름 형성부(52)는, 권출 롤러(53)와, 보호 필름(54)과, 가이드 롤러(55, 56)를 가진다. 보호층 형성부(51A), 보호층 형성부(51B) 및 보호 필름 형성부(52)의 각각은, 독립적으로 구동시킬 수 있고, 보호층 형성부(51A), 보호층 형성부(51B) 및 보호 필름 형성부(52)의 적어도 하나를 구동시킬 수 있다.
또, 격리판(58)은, 보호층 형성 기구(50)를 진공 용기(70) 내에서 격리한다. 도 7의 예에서는, 격리판(58)은, 보호층 형성부(51A)와, 보호층 형성부(51B)와, 보호 필름 형성부(52)와, 가스 공급 기구(57)를 격리한다. 이에 따라, 보호층 형성 기구(50)가 격리판(58)에 의해 격리되어, 리튬층 내에 보호층의 성분이 혼입되기 어려워진다.
보호층 형성부(51A)는, 예를 들면, 스퍼터링법, CVD(Chemical　Vapor　Deposition)법, 증착법 등의 성막 방법에 따라, 필름(60)의 성막면(60d)에 보호층을 형성할 수 있다. 또, 보호층 형성부(51A)에 설치된 성막원으로부터 필름(60)의 성막면(60d)에 실리콘, 알루미늄 등의 원소를 입사시키면서, 격리판(58)으로 격리된 공간(70s)에 가스 공급 기구(57)로부터 산소, 질소, 물(水), 일산화탄소, 이산화탄소 등의 가스를 도입하여, 반응 생성물(보호층)을 성막면(60d)에 형성해도 무방하다.
보호층 형성부(51B)는, 예를 들면, 플라즈마 처리 또는 가열 처리에 의해 필름(60)의 성막면(60d)에 보호층을 형성할 수 있다. 예를 들면, 격리판(58)으로 격리된 공간(70s)에 가스 공급 기구(57)로부터 산소, 질소, 물, 일산화탄소, 이산화탄소 등의 가스를 도입하여, 이들 가스의 적어도 하나를 리튬층의 표면과 반응시켜서, 리튬층의 표면에 보호층이 형성되어도 무방하다. 또, 이들 가스의 반응성을 높이기 위해, 이들 가스는, 권취 성막 장치(4)에 부설된 플라즈마 발생 수단(미도시)에 의해 플라즈마 가스로 해도 무방하다. 보호층 형성부(51B)에 의하면, 리튬층의 표면에, 예를 들면, 산화 리튬(Li2O), 질화 리튬(Li3N), 탄산 리튬(LiCOx) 등이 형성된다.
또한, 권취 성막 장치(4)는, 공간(70s) 내의 가스가 공간(70s) 외부로 누설되지 않도록, 공간(70s)을 배기하는 배기 기구를 갖추어도 무방하다. 이 경우, 공간(70s) 내의 압력은, 공간(70s) 외부의 압력 보다 낮아지도록 조정된다. 이에 따라, 예를 들면, 증착 용기(21)에 수용된 용융 리튬의 산화 등이 억제된다.
또, 보호 필름 형성부(52)는, 필름(60)의 성막면(60d)에 보호 필름(54)을 첩합(貼合)할 수 있다. 예를 들면, 보호 필름(54)은, 필름(60)의 성막면(60d)에 대향하도록 배치되어 있다. 게다가, 보호 필름(54)은, 가이드 롤러(33g)와 가이드 롤러(56)와의 사이에 끼워지도록 설치된다.
보호 필름(54)은, 권출 롤러(53)에 미리 감기고, 권출 롤러(53)로부터 풀어내진다. 권출 롤러(53)로부터 풀어내진 보호 필름(54)은, 가이드 롤러(55)에 지지되면서, 가이드 롤러(33g)와 가이드 롤러(56)와의 사이에 이동한다. 그리고, 보호 필름(54)이 필름(60)의 성막면(60d)을 피복한 후, 보호 필름(54)은, 필름(60)과 함께, 권취 롤러(32)에 연속적으로 권취된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술의 실시 형태로만 한정되는 것은 아니고 다양한 변경을 더할 수 있음은 물론이다. 예를 들면, 리튬원(20)은, 권취식 성막 장치(1~3)에서, 증착 용기(21)로부터 증발한 리튬(25)이 노즐, 샤워 등을 통해 제1 롤러(11B), 제3 롤러(23) 또는 제4 롤러(24)에 공급되는 기구여도 무방하다.
필름(60)과 증착 용기(21)와의 사이에 개재(介在)시키는 롤러의 개수는 이것들(1~3)로 한정되지 않고, 용도에 따라 4개 이상 개재시켜도 무방하다. 또, 전처리 기구(40) 및 보호층 형성 기구(50)는, 어느 한쪽 또는 양쪽 모두가 선택되어도 무방하다.
또, 리튬(25)의 가열 온도에 따라 증착 레이트(증기량)를 제어할 수 있기 때문에, 독터 블레이드(22)는 생략되어도 무방하다.
게다가, 예를 들면, 제1 실시 형태에서, 제3 롤러(23)에 증착한 리튬(25)을, 그 롤러면(23r)에서 용융한 상태로, 제1 롤러(11A)에 공급되도록 구성되었지만, 이를 대신해서, 제3 롤러의 표면에 고상(固相)의 리튬막을 형성한 후, 상기 리튬막을 제1 롤러의 표면을 통해 필름의 성막면에 전사하도록 해도 무방하다. 이 경우, 제3 롤러의 표면은 제1 롤러의 표면 보다 리튬막과의 밀착성을 낮게 하고, 제1 롤러의 표면은 필름 성막면 보다 리튬막과의 밀착성을 낮게 하는 등의 수법이 채용 가능하다. 이 경우, 제1 롤러 및 제3 롤러의 표면 온도는, 온조 기구에 의해, 리튬의 융점 보다 낮은 온도로 설정된다.
1, 2, 3, 4: 권취식 성막 장치
11A, 11B: 제1 롤러
11r: 롤러면
11p: 전사 패턴
12: 제2 롤러
12r: 롤러면
20: 리튬원
21: 증착 용기
22: 독터 블레이드
23: 제3 롤러
23r: 롤러면
24: 제4 롤러
24r: 롤러면
25: 리튬
25p: 패턴
30: 필름 주행 기구
31: 권출 롤러
32: 권취 롤러
33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 33f, 33g: 가이드 롤러
40: 전처리 기구
50: 보호층 형성 기구
51A: 보호층 형성부
51B: 보호층 형성부
52: 보호 필름 형성부
53: 권출 롤러
54: 보호 필름
55, 56: 가이드 롤러
57: 가스 공급 기구
58: 격리판
60: 필름
60d: 성막면
70: 진공 용기
70s: 공간
71: 배기 기구
72: 가스 공급 기구

Claims (9)

  1. 감압 상태를 유지하는 것이 가능한 진공 용기와,
    상기 진공 용기 내에서 필름을 주행시키는 것이 가능한 필름 주행 기구와,
    상기 진공 용기 내에서 리튬을 증발시키는 것이 가능한 리튬원과,
    상기 필름의 성막면과 상기 리튬원과의 사이에 배치되어, 상기 리튬원으로부터 증발한 상기 리튬을 수용하는 전사 패턴을 가지고, 상기 전사 패턴에 대응하는 리튬층의 패턴을 상기 성막면에 회전하면서 전사하는 제1 롤러와,
    상기 제1 롤러에 상기 필름을 통해 대향하는 제2 롤러
    를 구비하고,
    상기 리튬원은, 상기 리튬을 수용하는 증착 용기와, 상기 제1 롤러에 대향하고, 상기 증착 용기로부터 증발에 의해 공급되는 상기 리튬이 증착되도록 배치된 제3 롤러를 가지고,
    상기 제3 롤러에 증착되는 상기 리튬이 용융 상태로 상기 제1 롤러에 공급되도록, 상기 제3 롤러의 롤러면의 온도를 상기 리튬의 융점 이상으로 조정하는 온조 기구가 설치되는
    권취식 성막 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 리튬원은,
    상기 리튬을 수용하고, 상기 리튬이 상기 제1 롤러에 증착되도록 배치된 증착 용기와,
    상기 증착 용기로부터 상기 제1 롤러에 공급된 상기 리튬의 두께를 제어하는 독터 블레이드
    를 더 가지는 권취식 성막 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 리튬원은,
    상기 증착 용기로부터 상기 제3 롤러에 공급된 상기 리튬의 두께를 제어하는 독터 블레이드
    를 더 가지는 권취식 성막 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 리튬원은,
    상기 제3 롤러에 대향하는 제4 롤러와,
    상기 리튬을 수용하고, 상기 리튬이 상기 제4 롤러에 증착되도록 배치된 증착 용기
    를 더 가지는 권취식 성막 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 롤러의 상류에, 상기 필름의 상기 성막면의 클리닝을 실시하는 전처리 기구
    를 더 구비하는 권취식 성막 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 롤러의 하류에, 상기 리튬층의 표면에 보호층을 형성하는 보호층 형성 기구
    를 더 구비하는 권취식 성막 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 진공 용기 내에서, 상기 보호층 형성 기구가 격리되는 격리판
    을 더 구비하는 권취식 성막 장치.
  9. 감압 상태를 유지 가능한 진공 용기 내에서 필름을 주행시키고,
    상기 진공 용기 내에서, 리튬을 수용하는 증착 용기로부터 증발한 상기 리튬을 제3 롤러에 공급하고,
    상기 공급에 따라 상기 제3 롤러에 증착되는 상기 리튬을 상기 제3 롤러의 내부에 설치된 온조 기구에 의해 용융 상태로, 전사 패턴이 형성된 제1 롤러에 공급하고,
    상기 제1 롤러를 회전시키면서, 상기 필름의 성막면에 상기 전사 패턴에 대응하는 리튬층의 패턴을 접촉시켜, 상기 리튬층의 패턴을 상기 성막면에 전사하는
    권취식 성막 방법.
KR1020207010500A 2018-05-31 2019-05-16 권취식 성막 장치 및 권취식 성막 방법 KR102157129B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-104675 2018-05-31
JP2018104675 2018-05-31
PCT/JP2019/019504 WO2019230421A1 (ja) 2018-05-31 2019-05-16 巻取式成膜装置及び巻取式成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200042544A KR20200042544A (ko) 2020-04-23
KR102157129B1 true KR102157129B1 (ko) 2020-09-18

Family

ID=68697985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207010500A KR102157129B1 (ko) 2018-05-31 2019-05-16 권취식 성막 장치 및 권취식 성막 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210002758A1 (ko)
EP (1) EP3683333B1 (ko)
JP (1) JP6646799B1 (ko)
KR (1) KR102157129B1 (ko)
CN (1) CN111344431B (ko)
WO (1) WO2019230421A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112467084A (zh) * 2020-11-23 2021-03-09 惠州赣锋锂电科技有限公司 一种锂离子电池负极极片补锂装置及其补锂方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000508579A (ja) 1996-04-18 2000-07-11 ベー・テー・ゲー・ケツレ・インヴエンテイング・アクチエボラーグ 物体上に接着剤を塗布するための装置
JP2014171999A (ja) 2013-03-11 2014-09-22 Jfe Steel Corp 塗布装置および塗布方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61133370A (ja) * 1984-12-04 1986-06-20 Kawasaki Steel Corp 溶融金属のめつき方法
US4911995A (en) * 1987-03-11 1990-03-27 Hydro-Quebec Thin electrode supported on electronically conductive sheet and process of manufacture
CA1288473C (fr) * 1987-03-11 1991-09-03 Andre Belanger Electrode mince supportee sur feuillard conducteur electronique et procede de fabrication
US5411764A (en) * 1993-03-30 1995-05-02 Valence Technology, Inc. Method of making lithium electrode
JP2004091805A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空蒸着装置
US20060147636A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Cooprider Terrence E Method and apparatus of forming a coating fluid pattern
JP4516444B2 (ja) * 2005-02-17 2010-08-04 株式会社アルバック 巻取式真空成膜装置
CN101501242B (zh) * 2006-08-08 2011-06-15 株式会社爱发科 卷绕式真空成膜装置
JP5061119B2 (ja) * 2006-11-28 2012-10-31 株式会社アルバック 巻取式真空成膜装置の運転方法および巻取式真空成膜装置
KR20090120034A (ko) * 2008-05-19 2009-11-24 주식회사 디알테크넷 필름상 박막형성장치 및 방법
CN201495283U (zh) * 2009-09-05 2010-06-02 博源科技材料（烟台）有限公司 一种真空镀铝系统
JP2011089160A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Honjo Metal Co Ltd リチウム膜の製造方法およびリチウム膜製造装置
CN101880856B (zh) * 2010-07-30 2012-03-21 汕头万顺包装材料股份有限公司 一种在印材上进行局部真空蒸镀的设备
JP2014107148A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Toyota Industries Corp 蓄電装置の活物質塗布方法及び活物質塗布装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000508579A (ja) 1996-04-18 2000-07-11 ベー・テー・ゲー・ケツレ・インヴエンテイング・アクチエボラーグ 物体上に接着剤を塗布するための装置
JP2014171999A (ja) 2013-03-11 2014-09-22 Jfe Steel Corp 塗布装置および塗布方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3683333B1 (en) 2023-06-28
EP3683333A1 (en) 2020-07-22
US20210002758A1 (en) 2021-01-07
JPWO2019230421A1 (ja) 2020-06-11
KR20200042544A (ko) 2020-04-23
CN111344431A (zh) 2020-06-26
CN111344431B (zh) 2021-04-13
JP6646799B1 (ja) 2020-02-14
EP3683333A4 (en) 2020-10-28
WO2019230421A1 (ja) 2019-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6535816B2 (ja) 巻取式成膜装置及び巻取式成膜方法
JP4336869B2 (ja) 真空成膜装置、真空成膜方法および電池用電極の製造方法
CN107406969B (zh) 卷取式成膜装置、蒸发源单元和卷取式成膜方法
EP0311302B1 (en) Apparatus and method for the production of a coating on a web
KR102157129B1 (ko) 권취식 성막 장치 및 권취식 성막 방법
KR20230048093A (ko) R2r 증착 시스템에서 가요성 기판을 코팅하는 방법, 및 기상 증착 시스템
US20220162747A1 (en) Cleaning materials and processes for lithium processing equipment
US10014433B2 (en) Device for heating a substrate
US20220181599A1 (en) Lithium metal surface modification using carbonate passivation
JP2006043965A (ja) 巻取式表面処理装置および表面処理方法
JP7093684B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
WO2024022578A1 (en) Processing apparatus for processing a flexible substrate and methods therefor
WO2003104520A1 (ja) 有機薄膜の形成方法
JPS6160912B2 (ko)
TW202334472A (zh) 用於將材料沉積到薄膜基板上的真空處理系統、用於在真空條件下傳輸薄膜基板的設備和方法
JP2020172687A (ja) 成膜用フィルム、巻取式成膜装置、及び真空処理方法
JP2022013227A (ja) 成膜装置及び成膜方法
WO2022242879A1 (en) Apparatus and method for manufacturing a composite film
JP2014148724A (ja) 薄膜形成装置
JPH11236668A (ja) 薄膜形成装置及び真空蒸着装置
JP2004066084A (ja) 細管表面成膜装置及びそれを用いた成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right