JP2014148724A - 薄膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】減圧チャンバー内で帯状基材Sの表面に薄膜を形成する薄膜形成装置1であって、薄膜形成前の帯状基材が巻き付けられた第1ロール4と、帯状基材を搬送する搬送部3と、帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部2と、薄膜形成後の帯状基材を巻き付ける第2ロール5と、薄膜形成部を収容するメインチャンバ10と、第1ロールを収容する第1サブチャンバ6と、第2ロールを収容する第2サブチャンバ7と、メインチャンバ内の圧力を減圧状態に維持しつつ第1サブチャンバ及び第2サブチャンバの圧力を個別に減圧状態又は大気開放状態に切り替えるサブチャンバ圧力切替制御部と、帯状基材の搬送方向及び搬送速度を制御して当該帯状基材を一方向に搬送させ又は停止させ、一方向とは逆の方向に搬送させる、搬送制御部とを備えた薄膜形成装置である。
【選択図】図1
Description
減圧チャンバー内で帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の帯状基材が巻き付けられた第1ロールと、
帯状基材を搬送する搬送部と、
帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の帯状基材を巻き付ける第2ロールと、
薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
第1ロールを収容する第1サブチャンバと、
第2ロールを収容する第2サブチャンバと、
メインチャンバ内の圧力を減圧状態に維持しつつ第1サブチャンバ及び第2サブチャンバの圧力を個別に減圧状態又は大気開放状態に切り替えるサブチャンバ圧力切替制御部と、
前記帯状基材の搬送方向及び搬送速度を制御して当該帯状基材を一方向に搬送させ又は停止させ、前記一方向とは逆の方向に搬送させる、搬送制御部と
を備えた薄膜形成装置である。
前記搬送制御部は、前記帯状基材を一方向に搬送して薄膜形成を終えた後に前記帯状基材の搬送を停止させ、
前記サブチャンバ圧力切替制御部は、
前記第2ロールが満杯となれば前記第2サブチャンバを大気開放状態に切り替え、
薄膜形成後の帯状基材で満杯となった第2ロールが薄膜形成前の帯状基材が巻き付けられた新しい第2ロールに取り替えられれば再び当該第2サブチャンバを減圧状態に切り替え、
前記搬送制御部は、前記取り替えられた薄膜形成前の帯状基材を前記一方向とは逆の方向に搬送させることを特徴とする、第1の発明に係る薄膜形成装置である。
前記薄膜形成部には、
第1成膜チャンバと、第2成膜チャンバと、
前記第1成膜チャンバと前記第2成膜チャンバに導入する成膜用ガスを切り替える成膜用ガス切替部とをさらに備え、
前記成膜用ガス切替部は、
前記帯状基材を一方向に搬送して薄膜形成するときに、前記第1成膜チャンバに第1の成膜用ガスを導入し、前記第2成膜チャンバには第2の成膜用ガスを導入し、
前記帯状基材を前記一方向とは逆の方向に搬送して薄膜形成するときに、前記第2成膜チャンバに第1の成膜用ガスを導入し、前記第1成膜チャンバには第2の成膜用ガスを導入することを特徴とする、第1の発明又は第2の発明に係る薄膜形成装置である。
前記搬送部には、前記帯状基材をドラム状の外周面に巻き付けて搬送するメインロールを備え、
前記薄膜形成部は、前記帯状基材を挟んで前記メインロールの外周面と対向する位置に配置されており、
前記メインロールの表面温度が薄膜形成部で薄膜が形成されるときの温度よりも低く設定されており、
当該メインロールに巻き付けられた帯状基材は前記薄膜形成部の上流側及び下流側に均等に配分して巻き付けられている
ことを特徴とする、第1〜3の発明のいずれかに係る薄膜形成装置である。
前記帯状基材の搬送経路中であって前記薄膜形成部の上流側及び下流側には、前記帯状基材と接触しつつ帯状基材の搬送に追従して回転する、上流側サブロール及び下流側サブロールが備えられ、
上流側サブロール及び下流側サブロールの内、前記帯状基材が搬送されるときに前記薄膜形成部の下流側となる方のサブロールを冷却する
ことを特徴とする、第1〜3の発明のいずれかに係る薄膜形成装置である。
前記薄膜形成部及びメインロールを2組み備え、
第1の薄膜形成部では薄膜形成前の帯状基材の片面に薄膜を形成し、
第2の薄膜形成部では薄膜を形成した当該片面とは反対側の面に薄膜を形成する
ことを特徴とする、第1〜5の発明のいずれかに係る薄膜形成装置である。
本発明に係る薄膜形成装置1は、薄膜形成部2と、搬送部3と、第1ロール4と、第2ロール5と、第1サブチャンバ6と、第2サブチャンバ7と、サブチャンバ圧力切替制御部8と、搬送制御部と、メインチャンバ10とを備えている。メインチャンバ10は、薄膜形成部2とメインロール3とを収容しており、減圧調節弁を介して真空ポンプと接続されている。
回転軸41は、長尺のシートSをロール状に巻き付けておくための円筒軸である。
モータ42は、メインロール31の回転に同期させて回転軸41を矢印43の方向に回転させるものである。或いは、回転軸41とモータ42との間にパウダークラッチ(図示せず)を備え、モータ42を矢印43と逆方向に回転させつつ、パウダークラッチの伝達トルクを調節することにより、シートSに所定の張力を付与しつつ、回転軸41を矢印43の方向に回転可能な状態にしても良い。
回転軸51は、長尺のシートSをロール状に巻き付けておくための円筒軸である。
モータ52は、メインロール31の回転に同期させて回転軸51を矢印53の方向に回転させるものである。或いは、回転軸51とモータ52との間にパウダークラッチ(図示せず)を備え、モータ52を矢印53の方向により速く回転させつつ、パウダークラッチの伝達トルクを調節することにより、シートSに所定の張力を付与しつつ、回転軸51を矢印53の方向に回転可能な状態にしても良い。
サブチャンバ圧力切替制御部8は、真空ポンプ81と、切替弁82と、排気ポート83a,83bとを備えている。第1サブチャンバ6には排気ポート83aが接続されており、第2サブチャンバ7には排気ポート83bが接続されている。それぞれの排気ポート83a,83bは、切替弁82を介して、真空ポンプ81と接続されている。切替弁82は、排気ポート83a,83bのいずれを真空ポンプ81と連通状態とするか、外部からの切替信号85に基づいて切り替えを行うものである。さらに、排気ポート83a,83bの経路中には、同様の切替弁を配置し、切替弁82側と連通状態にするか、大気と連通状態にするかを切り替えできるようにしておく。
上述の薄膜形成装置1において、さらに別の形態として、下記構成を付加することが好ましい。
1)搬送制御部は、シートSを一方向(図中の矢印Svに示す方向)に搬送して薄膜形成を終えた後に、シートSの搬送を停止させる。このとき、第1ロールは空状態となり、第2ロールは満杯状態となっている。
2)第2ロール5が満杯となれば、サブチャンバ圧力切替制御部8は、第2サブチャンバ7を大気開放状態に切り替える。
3)そして、薄膜形成後の帯状基材で満杯となった第2ロールが、薄膜形成前のシートSが巻き付けられた新しい第2ロールに取り替えられれば、サブチャンバ圧力切替制御部8は、再び第2サブチャンバ7を減圧状態に切り替える。
4)そして、搬送制御部は、取り替えられた薄膜形成前のシートSを上記一方向とは逆の方向(図中の矢印Svに示す方向とは逆の方向)に搬送させる。
上述の薄膜形成装置1及びその別形態において、さらに別の形態として、下記構成としても良い。
1)薄膜形成部2は、第1成膜チャンバ20aと第2成膜チャンバ20bとを備え、
第1成膜チャンバ20aと第2成膜チャンバ20bに導入する成膜用原料ガスを切り替える成膜用原料ガス切替部をさらに備えている。
2)成膜用原料ガス切替部は、
シートSを一方向(図中の矢印Svに示す方向)に搬送して薄膜形成するときに、第1成膜チャンバ20aに原料ガス導入部21aを通して第1の成膜用原料ガスを導入し、第2成膜チャンバ20bには原料ガス導入部21bを通して第2の成膜用原料ガスを導入する。一方、シートSを前記一方向とは逆の方向(図中の矢印Svに示す方向とは逆の方向)に搬送して薄膜形成するときに、第2成膜チャンバ20bに原料ガス導入部21bを通して第1の成膜用原料ガスを導入し、第1成膜チャンバ20aには原料ガス導入部21aを通して第2の成膜用原料ガスを導入する。
1)正転搬送時
シートSを一方向(図中の矢印Svに示す方向)に搬送させ、上流側となる成膜チャンバ20aに、原料ガス導入部21aから第1の成膜用原料ガスとして酸素(O2)を導入してプラズマ状態にし、反応用ガスとしてHMDS(ヘキサメチルジシラザン)を導入する。そして、成膜チャンバ20aの下流側となる成膜チャンバ20bに、原料ガス導入部21bから第2の成膜用原料ガスとして窒素(N2)を導入してプラズマ状態にし、反応用ガスとしてHMDS(ヘキサメチルジシラザン)を導入する。
2)逆転搬送時
シートSを一方向(図中の矢印Svに示す方向)とは逆の方向に搬送させ、上流側となる成膜チャンバ20bに、原料ガス導入部21bから第1の成膜用原料ガスとして酸素(O2)を導入してプラズマ状態にし、反応用ガスとしてHMDS(ヘキサメチルジシラザン)を導入する。そして、成膜チャンバ20bの下流側となる成膜チャンバ20aに、原料ガス導入部21aから第2の成膜用原料ガスとして窒素(N2)を導入してプラズマ状態にし、反応用ガスとしてHMDS(ヘキサメチルジシラザン)を導入する。
3)導入する原料ガスの切替
上記の原料ガス導入部21a、原料ガス導入部21bに、第1の成膜用原料ガス、第2の成膜用原料ガスのいずれを導入するかは、予め設定しておき、自動的に切り替えを行う。
上述の薄膜形成装置1及びその別形態において、さらに別の形態として、下記構成としても良い。
1)搬送部3には、シートSをドラム状の外周面に巻き付けて搬送するメインロール31を備えている。
2)薄膜形成部2は、シートSを挟んでメインロール31の外周面と対向する位置に配置されている。
3)メインロール31の表面温度が薄膜形成部で薄膜が形成されるときの温度よりも低く設定されている。
4)メインロール31に巻き付けられたシートSは、薄膜形成部2の上流側及び下流側に均等に配分して巻き付けられている。
上述の薄膜形成装置1及びその別形態において、さらに別の形態として、下記の様な構成の薄膜形成装置1bとしても良い。
つまり、薄膜形成装置1bは、上述の薄膜形成装置1の各部について下記の様な構成をしている点を特徴としている。
1)シートSの搬送経路中であって薄膜形成部2の上流側及び下流側には、シートSと接触しつつシートSの搬送に追従して回転する、上流側サブロール及び下流側サブロールが備えられている。
2)上流側サブロール及び下流側サブロールの内、シートSが搬送されるときに薄膜形成部2の下流側となる方のサブロール(つまり、図中のサブロールR5)を冷却する。
上述の薄膜形成装置1及びその別形態において、さらに別の形態として、下記の様な構成の薄膜形成装置1cとしても良い。
つまり、薄膜形成装置1cは、薄膜形成装置1に対して下記の様な構成をしている点を特徴としている。
1)薄膜形成部2とメインロールとを2組み備えている(第1の薄膜形成部2A、第2の薄膜形成部2B、メインロール31,36)。
2)第1の薄膜形成部2Aでは薄膜形成前のシートSの片面に薄膜を形成する。
3)第2の薄膜形成部2Bでは薄膜を形成した当該片面とは反対側の面に薄膜を形成する。
1b 薄膜形成装置
1c 薄膜形成装置
2 薄膜形成部
2A 第1薄膜形成部
2B 第2薄膜形成部
3 搬送部
4 第1ロール(巻出/巻取)
5 第2ロール(巻取/巻出)
6 第1サブチャンバ
7 第2サブチャンバ
8 サブチャンバ圧力切替制御部
10 メインチャンバ
20 成膜チャンバ
21 原料ガス導入部
22 高周波発生部
25 成膜チャンバ
26 原料ガス導入部
27 高周波発生部
31 メインロール(第1メインロール)
31f 外周面
31v 矢印(回転方向)
32 回転軸
33 駆動モータ
34 冷却区間
36 メインロール(第2メインロール)
36f 外周面
36v 矢印(回転方向)
37 回転軸
38 駆動モータ
39 冷却区間
41 回転軸
42 モータ
43 矢印
51 回転軸
52 モータ
53 矢印
61 開口部
62 ゲート開閉部
71 開口部
72 ゲート開閉部
81 真空ポンプ
82 切替弁
83a 排気ポート
83b 排気ポート
85 切替信号
S シート(帯状基材,長尺のフィルムシート)
Sv 矢印(シート搬送方向)
R1〜R7 サブロール
R11〜R19 サブロール
Claims (6)
- 減圧チャンバー内で帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
薄膜形成前の帯状基材が巻き付けられた第1ロールと、
帯状基材を搬送する搬送部と、
帯状基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成部と、
薄膜形成後の帯状基材を巻き付ける第2ロールと、
薄膜形成部を収容するメインチャンバと、
第1ロールを収容する第1サブチャンバと、
第2ロールを収容する第2サブチャンバと、
メインチャンバ内の圧力を減圧状態に維持しつつ第1サブチャンバ及び第2サブチャンバの圧力を個別に減圧状態又は大気開放状態に切り替えるサブチャンバ圧力切替制御部と、
前記帯状基材の搬送方向及び搬送速度を制御して当該帯状基材を一方向に搬送させ又は停止させ、前記一方向とは逆の方向に搬送させる、搬送制御部と
を備えた薄膜形成装置。 - 前記搬送制御部は、前記帯状基材を一方向に搬送して薄膜形成を終えた後に前記帯状基材の搬送を停止させ、
前記サブチャンバ圧力切替制御部は、
前記第2ロールが満杯となれば前記第2サブチャンバを大気開放状態に切り替え、
薄膜形成後の帯状基材で満杯となった第2ロールが薄膜形成前の帯状基材が巻き付けられた新しい第2ロールに取り替えられれば再び当該第2サブチャンバを減圧状態に切り替え、
前記搬送制御部は、前記取り替えられた薄膜形成前の帯状基材を前記一方向とは逆の方向に搬送させることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜形成装置。 - 前記薄膜形成部には、
第1成膜チャンバと、第2成膜チャンバと、
前記第1成膜チャンバと前記第2成膜チャンバに導入する成膜用ガスを切り替える成膜用ガス切替部とをさらに備え、
前記成膜用ガス切替部は、
前記帯状基材を一方向に搬送して薄膜形成するときに、前記第1成膜チャンバに第1の成膜用ガスを導入し、前記第2成膜チャンバには第2の成膜用ガスを導入し、
前記帯状基材を前記一方向とは逆の方向に搬送して薄膜形成するときに、前記第2成膜チャンバに第1の成膜用ガスを導入し、前記第1成膜チャンバには第2の成膜用ガスを導入することを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の薄膜形成装置。 - 前記搬送部には、前記帯状基材をドラム状の外周面に巻き付けて搬送するメインロールを備え、
前記薄膜形成部は、前記帯状基材を挟んで前記メインロールの外周面と対向する位置に配置されており、
前記メインロールの表面温度が薄膜形成部で薄膜が形成されるときの温度よりも低く設定されており、
当該メインロールに巻き付けられた帯状基材は前記薄膜形成部の上流側及び下流側に均等に配分して巻き付けられている
ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜形成装置。 - 前記帯状基材の搬送経路中であって前記薄膜形成部の上流側及び下流側には、前記帯状基材と接触しつつ帯状基材の搬送に追従して回転する、上流側サブロール及び下流側サブロールが備えられ、
上流側サブロール及び下流側サブロールの内、前記帯状基材が搬送されるときに前記薄膜形成部の下流側となる方のサブロールを冷却する
ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜形成装置。 - 前記薄膜形成部及びメインロールを2組み備え、
第1の薄膜形成部では薄膜形成前の帯状基材の片面に薄膜を形成し、
第2の薄膜形成部では薄膜を形成した当該片面とは反対側の面に薄膜を形成する
ことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の薄膜形成装置。
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Cited By (1)
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- 2013-02-01 JP JP2013018781A patent/JP6249606B2/ja active Active
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