KR102157044B1 - 패널에서 파티클을 검출하는 방법 - Google Patents

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Abstract

평면 패널 상의 미립자(particulate) 오염(contamination)의 정도를 검출하는 방법은 조명 필드를 형성하기 위해 광원 모듈(10)을 이용하여 피 검출 평면 패널(to-be-detected flat panel)(40)을 조명하는 단계; 상기 조명 필드의 반 너비(half width)를 조정하는 단계; 상기 조명 필드의 중심에서의 광도(luminous intensity)와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 단계; 검출기(20)의 위치와 함께 상기 광원의 위치 및 광도를 조정하는 단계; 및 상기 검출기(20)를 이용하여 상기 평면 패널 상의 이물질(foreign objects)로부터의 신호를 획득하는 단계 주로 포함한다. 이 방법은 상기 평면 패널의 하부 표면상의 파티클 미러 크로스토크(particle mirror crosstalk) 및 패턴의 크로스토크(crosstalk of patterns)를 크게 완화시키며, SNR을 향상시킴으로써 상기 평면 패널상의 이물질의 검출 정확도를 향상시킨다.

Description

패널에서 파티클을 검출하는 방법
본 발명은 미립자 오염의 정도를 검출하는 기술 분야에 관한 것으로서, 특히 평면 패널에 대한 미립자 오염의 정도를 검출하는 방법에 관한 것이다.
제품 수율을 향상시키기 위해, 오염 제어는 반도체 집적 회로 또는 평면 패널 디스플레이의 제조 과정에서 중요한 링크(link)이다. 빛에 노출되기 전에, 마스크(mask), 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), 유리 기판(glass substrate) 등은 외부 파티클(foreign particles), 지문(fingerprints), 스크래치(scratches), 핀홀(pinholes) 등과 같은 이물질(foreign objects)의 검출을 실시할 필요가 있다.
포토리소그래피 장치(photolithography apparatus) 내부에 집적된 파티클 검출 장치(particle detection device)는 일반적으로 다크 필드 스캐터로메트리 기술(dark-filed scatterometry technique)을 사용하며, 그 검출 원리는 도 1에 도시 되어있다. 방사 광원(radiation light source)(10)으로부터 방사된 광(101)은 피 검출 평면 패널(to-be-detected flat panel)(40)에 특정 각도로 입사한 후, 피 검출 평면 패널(40) 상에서 이물질에 의해 산란된다. 산란된 신호광(scattered signal light)(102)은 피 검출 플랫 패널(40)의 바로 반대측의 검출 유닛(20)으로 들어간다. 그러나, 검출 장치(detection device)는 구조적으로 파티클 미러 크로스토크(particle mirror crosstalk)를 겪게되며, 이는 검출된 평면 패널의 하부 표면이 크롬 마스크(chrome mask) 일 때 심각해진다. 또한, 평면 패널(40)의 하부 표면 상의 패턴의 크로스 토크(crosstalk of patterns)도 검출 신호의 신호대 잡음비(SNR)에 심각한 영향을 미치므로 검출 정밀도에 영향을 미친다. 예를 들어, 마스크의 하부 표면은 크롬 레이어(chrome layer)이고, 빛에 노출되는 패턴은 크롬 레이어에 형성된다. 마스크의 상부 표면에 파티클이 존재할 때, 크롬 레이어는 거울과 동일하며, 이들 파티클은 미러된 파티클이라고 하고 크롬 레이어에 대해 가상 이미지를 형성한다. 결과적으로, 파티클 미러 크로스토크(particle mirror crosstalk)가 발생하여 탐지에 영향을 준다.
본 발명은 기존의 문제점을 해결하기 위해, 평면 패널의 미립자 오염의 정도를 검출하는 방법에 관한 것으로서, 평면 패널의 하부 표면상의 파티클 미러 크로스토크(particle mirror crosstalk) 및 패턴의 크로스토크(crosstalk of patterns)를 크게 완화시키며, SNR을 향상시킴으로써 검출 정확도를 향상시킨다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 기술적 해결 방법은 다음과 같다.
평면 패널 상의 미립자(particulate) 오염(contamination)의 정도를 검출하는 방법에 있어서, 광원(light source)을 이용하여 피 검출 평면 패널(to-be-detected flat panel)을 조명하여 조명 필드(illumination field)를 형성하는 단계; 상기 조명 필드의 반 너비(half width)를 조정하는 단계; 상기 조명 필드의 중심에서의 광도(luminous intensity)와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 단계; 검출기의 위치와 함께 상기 광원의 위치 및 광도를 조정하는 단계; 및 상기 검출기를 이용하여 상기 피 검출 평면 패널 상의 이물질(foreign objects)로부터의 신호를 획득하는 단계를 포함하는 방법.
대안적으로, 상기 조명 필드의 반 너비를 조정하는 단계는, 상기 조명 필드의 상기 반 너비는 다음
Figure 112019036832512-pct00001
을 만족하고, 여기서, s는 상기 조명 필드의 반 너비(the half width of the illumination field)를 나타내고, h는 상기 피 검출 평면 패널의 두께(thickness of the to-be-detected flat panel)를 나타내고, θ는 상기 피 검출 평면 패널에서 상기 검출기의 수신각의 굴절각(refraction angle, in the to-be-detected flat panel, of a receiving angle of the detector)을 나타내고, w는 이미징 필드의 폭(width of an imaging field)을 나타낸다.
대안적으로, 상기 조명 필드의 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 단계는, 상기 조명 필드의 상기 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도는
Figure 112019036832512-pct00002
를 만족하고, 여기서, i_center는 상기 조명 필드의 중심에서의 광 발광(light luminous) 나타내고, i_edge는 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도(luminous intensity at the edge of the half width of the illumination field)를 나타내고, i_min p1은 피 검출 최소 파티클(to-be-detected minimal particle)의 수신 신호(received signal)를 나타내고, i_max p1_mir는 피 검출 최대 파티클(to-be-detected maximal particle)의 미러 크로스토크 신호(mirror crosstalk signal)를 나타내고, snr1은 파티클 크로스토크(particle crosstalk)를 억제하는데 필요한 신호 대 잡음 비율(SNR; signal-to-noise ratio)을 나타낸다.
대안적으로, 상기 조명 필드의 상기 반 너비를 조정하는 단계는, 상기 조명 필드의 상기 반 너비는
Figure 112019036832512-pct00003
을 만족하고, 여기서, s는 상기 조명 필드의 반 너비(half width of the illumination field)를 나타내고, h는 상기 피 검출 평면 패널의 두께(thickness of the to-be-detected flat panel)를 나타내고, θ는 상기 피 검출 평면 패널에서 상기 검출기의 수신각의 굴절각을 나타내고, γ는 상기 피 검출 평면 패널에서 상기 광원의 입사각의 굴절각을 나타낸다.
대안적으로, 상기 조명 필드의 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 단계는, 상기 조명 필드의 상기 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도는
Figure 112019036832512-pct00004
를 만족하고, 여기서, i_center는 상기 조명 필드의 중심에서의 광도 나타내고, i_edge는 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도를 나타내고, i_min p2은 상기 피 검출 평면 패널 상의 피 검출 최소 패턴의 수신 신호(received signal of a to-be-detected minimal pattern on the to-be-detected flat panel)을 나타내고, i_max p2는 피 검출 평면 패널 상의 패턴의 최대 크로스토크 신호(maximal crosstalk signal of a pattern on the to-be-detected flat panel)를 나타내고, snr2는 상기 피 검출 평면 패널 상의 패턴 크로스토크(pattern crosstalk)를 억제하는데 필요한 신호 대 잡음 비율(SNR; signal-to-noise ratio)을 나타낸다.
대안적으로, 상기 검출 유닛(detection unit)은 평면 어레이 카메라(planar-array camera), 선형 어레이 카메라(inear-array camera) 또는 TDI 선형 어레이 카메리(TDI linear-array camera)이다.
대안적으로, 상기 광원은 레이저 소스(laser source) 또는 LED 광원(LED light source)이다.
대안적으로, 상기 방법은 시뮬레이션 소프트웨어를 이용하여 상기 광원의 입사각(incident angle)과 상기 검출기의 수신각(receiving angle)을 선택하는 단계; 및 상기 입사각 및 상기 수신각에 따라 상기 광원 및 상기 검출기를 구성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명은 조명 필드의 반 너비(half width), 상기 조명 필드의 중심에서의 광도(luminous intensity)와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 것에 의해서 검출기의 위치와 함께 상기 광원의 위치 및 광도를 조정하여 평면 패널 상의 미립자(particulate) 오염(contamination)의 정도를 검출하는 방법을 제공한다. 이 방법은 상기 평면 패널의 하부 표면상의 파티클 미러 크로스토크(particle mirror crosstalk) 및 패턴의 크로스토크(crosstalk of patterns)를 크게 완화시키며, SNR을 향상시킴으로써 상기 평면 패널상의 이물질의 검출 정확도를 향상시킨다.
도 1은 종래의 평면 패널의 이물질 검출 시스템의 개략적인 구조 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 이물 검출 시스템의 개략적인 구조 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 파티클 미러 크로스토크의 억압(suppression)을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면 패널 상의 이미지 크로스토크의 억압(suppression)을 나타내는 개략적인 도면이다.
본 발명의 목적 및 기술적 해결책을 명확하게 하기 위하여, 본 발명의 방법은 첨부된 도면과 구체적인 실시 예를 참조하여 이하에서 명확하고 완전하게 설명된다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명은 다음의 과정을 포함하는 평면 패널 상에서 미립자 오염의 정도를 검출하는 방법을 제공한다.
광원 모듈(light source module)(10)로부터 방사된 광(101)은 피 검출 평면 패널(40)에 입사되어 조명 필드를 형성한다. 즉, 광원 모듈(10)은 피 검출 평면 패널(40) 상에 배치되고, 광원 모듈(10)에 의해 생성된 광(101)은 입사각(incident angle) α로 피 검출 평면 패널(40)에 입사된다. 여기서, 입사각이란, 피 검출 평면 패널의 표면에 수직인 라인(도면 중 "법선(normal line)")과의 사이의 각도를 말한다. 검출 유닛(20)은 광원 모듈(10)과 관련하여 피 검출 평면 패널(40)과 반대측 위에 배치되어, 검출 수신각(detection receiving angle) β를 형성한다. 여기서, 검출 수신각은 검출 유닛(20)의 검출면에 수직한 축과 법선 간의 각도를 의미한다. 광(101)은 피 검출 평면 패널(40) 상의 이물질(foreign objects)에 의해 산란되어 검출 유닛(20)에 입사하는 신호 광(signal light)(102)을 생성한다. 검출 유닛(20)은 평면 어레이 카메라(planar-array camera), 선형 어레이 카메라(inear-array camera) 또는 TDI 선형 어레이 카메리(TDI linear-array camera) 일 수 있다. 본 실시 예에서, 검출 유닛(20)은 CCD 카메라 인 것이 바람직하다. 광원 모듈(10)은 레이저 광 또는 LED 광을 생성하는데 사용될 수 있다. 본 실시 예에서, 광원 모듈(10)은 LED 램프인 것이 바람직하다.
그 다음에, 조명 필드의 반 너비 및 대응하는 광도를 조정함으로써 파티클 미러 크로스토크(particle mirror crosstalk)가 억제된다. 구체적으로는, 파티클 미러 크로스토크를 억제하기 위해서, 피 검출 평면 패널의 파라미터(예를 들면, 두께 및 굴절률(index of refraction)) 및 검출 유닛(20)의 파라미터(예를 들면, 이미징 필드의 폭(width of an imaging field))에 따라서 조명 필드의 반 너비가 조정되고, 조명 필드의 반 너비(s1)는 아래의 <수학식 1>을 만족한다.
[수학식 1]
Figure 112019036832512-pct00005
,
도 3에 표시된 바와 같이, 파선(broken line)(400)은 피 검출 평면 패널(40)의 하부 표면(즉, 크롬 레이어)의 위치를 나타내고; h는 피 검출 평면 패널(40)의 두께(thickness of the to-be-detected flat panel)를 나타내고; p1은 크롬 레이어(chrome layer)(파선(400)으로 표시된)에 대한 가상 이미지(p1')를 형성하는 피 검출 평면 패널(40)의 상부 표현 상의 파티클을 나타내고; θ는 평면 패널을 통해 검출된 수신광(수신각(β)에 대응)의 굴절각을 나타내고; w는 검출 유닛(20)의 이미징 필드의 폭(width of an imaging field)을 나타낸다.
그 후, 조명 필드의 반 너비(s1)에 기초하여, 조명 필드의 중심에서의 광도와 조명 필드의 반 너비(s1)의 에지(edge)에서의 광도가 더 조정된다. 구체적으로는, 검출 신호의 세기 및 간섭 신호의 세기에 따라, 조명 필드 중심에서의 광도 대 조명 필드의 반 너비(s1)의 에지(edge)에서의 광도의 비율이 조정되고, 조명 필드의 중심에서의 광도와 조명 필드의 반 너비(s1)의 에지(edge)에서의 광도는 다음의 <수학식 2>를 만족한다.
[수학식 2]
Figure 112019036832512-pct00006
여기서, i_center는 조명 필드 중심에서의 광도(luminous intensity)를 나타내고; i_edge는 조명 필드의 반 너비(s1)의 가장자리에서 광도(luminous intensity at the edge of the half width s1 of the illumination field)를 나타내고; i_min p1은 피 검출 최소 파티클(to-be-detected minimal particle)의 수신 신호(received signal)의 세기, 예를 들어, 계산을 시뮬레이트함으로써 얻어질 수 있는, 검출기에 의해 일정 적분 시간(certain integral time) 내에 수신된 피 검출 최소 파티클의 신호의 세기를 나타내고; i_max p1_mir는 피 검출 최대 파티클(to-be-detected maximal particle)의 미러 크로스토크 신호(mirror crosstalk signal)의 세기, 예를 들어, 계산을 시뮬레이트함으로써 얻어질 수 있는, 검출기에 의해 일정 적분 시간(certain integral time) 내에 수신된 피 검출 최대 파티클의 미러 크로스토크 신호의 세기를 나타내고; snr1은 파티클 미러 크로스토크(particle mirror crosstalk)를 억제하는데 충족되어야 하는 SNR을 나타낸다.
그 후, 평면 패널 상의 이미지 크로스토크(image crosstalk)는 조명 필드의 반 너비와 상응하는 광도를 조정함으로써 더 억제될 수 있다.
구체적으로는, 평면 패널의 이미지 크로스토크(image crosstalk)를 억제하기 위해서, 피 검출 평면 패널에 대한 광원 모듈(10)과 검출 유닛(20)의 배치각(placement angles) 및 피 검출 평면 패널의 두께에 따라 조명 필드의 반 너비(s2)는 조정되고, 조명 필드의 반 너비(s2)은 다음의 <수학식 3>을 만족한다.
[수학식 3]
Figure 112019036832512-pct00007
도 4에 표시된 바와 같이, 일점 쇄선(dot dash line)은 피 검출 평면 패널의 상부 표면을 나타내고; 실선(solid line)(400)은 피 검출 평면 패널의 하부 표면(즉, 크롬 레이어)을 나타내고; h는 피 검출 평면 패널의 두께(thickness of the to-be-detected flat panel)를 나타내고; 4 개의 작은 직사각형은 크롬 레이어 상에 형성된 패턴(30)(피 검출 평면 패널이 마스크일 때, 패턴(30)이 마스크 상에 광이 노출되는 패턴이다)을 개략적으로 나타내고; θ는 평면 패널을 통해서 검출된 수신된 광(수신각 β에 대응)의 굴절각을 나타내고; γ는 평면 패널을 통해서 입사되는 광(입사각 α에 상응)의 굴절각을 나타낸다.
그 후, 조명 필드의 반 너비(s2)에 기초하여, 조명 필드의 중심에서의 광도와 조명 필드의 반 너비(s2)의 에지(edge)에서의 광도가 더 조정된다. 구체적으로는, 검출 신호의 세기 및 간섭 신호의 세기에 따라, 조명 필드 중심에서의 광도 대 조명 필드의 반 너비(s2)의 에지(edge)에서의 광도의 비율이 조정되고, 조명 필드의 중심에서의 광도와 조명 필드의 반 너비(s2)의 에지(edge)에서의 광도는 다음의 <수학식 4>를 만족한다.
[수학식 4]
Figure 112019036832512-pct00008
여기서, i_center는 조명 필드 중심에서의 광도를 나타내고; i_edge는 조명 필드의 반 너비(s2)의 에지(edge)에서의 광도를 나타내고; i_min p2는 피 검출 최소 이미지의 수신 신호( received signal of a to-be-detected minimal image)의 세기를 나타내고; i_max p2는 평면 패널에서 최대 이미지 크로스토크가 있는 신호(signal with the maximal image crosstalk)의 세기를 나타내고; snr2는 평면 패널 상의 이미지 크로스토크(image crosstalk)를 억제하기데 충족되어야 하는 SNR을 나타낸다. 상기에서의 간섭 신호의 세기 및 검출 신호의 세기 각각은, 예를 들어, 검출기(detector)에 의해 일정 적분 시간(certain integral time) 내에 얻어지는 이미지 크로스토크 신호 에너지(image crosstalk signal energy) 및 검출 신호 에너지(detection signal energy)를 나타낸다.
그 후, 검출 유닛(20)의 위치와 광원의 위치 및 광도가 조정된다.
마지막으로, 검출 유닛(20)을 이용하여 피 검출 평면 패널(40) 상의 이물질에 의해 생성된 신호를 획득한다.
본 발명의 평면 패널의 미립자 오염 정도를 검출하는 방법을 아래의 데이터 세트를 참조하여 설명된다. 검출된 파티클(p1)의 동적 범위(dynamic range)는 5㎛ 내지 1000㎛이고, 평면 패널 상의 이미지 간격은 80nm 내지 1㎛이고, 이미징 필드(imaging field)의 폭 (w)은 1 mm이고, 평면 패널의 굴절률(index of refraction)은 1.46이고, 평면 패널의 두께(h)는 3 mm이고, 광원의 입사각(α)은 75 ° 내지 80 °이고, 검출 유닛의 수신각(β)은 55° 내지 60°이고, 파티클 크로스토크를 억제하기 위해 충족되어야 하는 SNR은 5이고, 평면 패널 상의 이미지 크로스토크를 억제하기 위해 충족되어야 하는 SNR은 2이다.
위의 결과는 다음과 같습니다. 평면 패널에서 이미지 크로스토크와 파티컬 미러 크로스토크를 억제하려면 다음 조건을 동시에 만족해야 한다. 7.5mm의 너비에서의 조명 필드의 광도는 조명 필드의 중심에서의 광도(<수학식 1>과 <수학식 2>로부터 알 수 있는)의 1/2000 보다 작을 필요가 있다. 그리고, 8.8 ㎜의 너비에서의 조명 필드의 광도는 조명 필드의 중심에서의 광도(<수학식 3>과 <수학식 4>로부터 알 수 있는)의 1/5000보다 작을 필요가 있다.
상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기 위한 것으로, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 개시된 내용에 따라 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의한 모든 교체 및 수정은 본 발명의 청구범위의 보호 범위 내에 속하는 것이어야 한다.

Claims (8)

  1. 평면 패널 상의 미립자 오염의 정도를 검출하는 방법에 있어서,
    광원을 이용하여 피 검출 평면 패널을 조명하여 조명 필드를 형성하는 단계;
    상기 조명 필드의 반 너비를 조정하는 단계;
    상기 조명 필드의 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 단계;
    검출기의 위치와 함께 상기 광원의 위치 및 광도를 조정하는 단계; 및
    상기 검출기를 이용하여 상기 피 검출 평면 패널 상의 이물질로부터의 신호를 획득하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조명 필드의 상기 반 너비를 조정하는 단계는,
    상기 조명 필드의 상기 반 너비는 다음 <수학식 5>를 만족하고
    [수학식 5]
    Figure 112019036832512-pct00009
    ,
    여기서, s는 상기 조명 필드의 반 너비를 나타내고,
    h는 상기 피 검출 평면 패널의 두께를 나타내고,
    θ는 상기 피 검출 평면 패널에서 상기 검출기의 수신각의 굴절각을 나타내고,
    w는 이미징 필드의 폭을 나타내는
    방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 조명 필드의 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 단계는,
    상기 조명 필드의 상기 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도는 다음의 <수학식 6>을 만족하고
    [수학식 6]
    Figure 112019036832512-pct00010

    여기서, i_center는 상기 조명 필드의 중심에서의 광 발광(light luminous) 나타내고,
    i_edge는 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도(luminous intensity at the edge of the half width of the illumination field)를 나타내고,
    i_min p1은 피 검출 최소 파티클(to-be-detected minimal particle)의 수신 신호(received signal)를 나타내고,
    i_max p1_mir는 피 검출 최대 파티클(to-be-detected maximal particle)의 미러 크로스토크 신호(mirror crosstalk signal)를 나타내고,
    snr1은 파티클 크로스토크(particle crosstalk)를 억제하는데 필요한 신호 대 잡음 비율(SNR; signal-to-noise ratio)을 나타내는
    방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조명 필드의 상기 반 너비를 조정하는 단계는,
    상기 조명 필드의 상기 반 너비는 다음 <수학식 7>을 만족하고
    [수학식 7]
    Figure 112019036832512-pct00011

    여기서, s는 상기 조명 필드의 반 너비를 나타내고,
    h는 상기 피 검출 평면 패널의 두께를 나타내고,
    θ는 상기 피 검출 평면 패널에서 상기 검출기의 수신각의 굴절각을 나타내고,
    γ는 상기 피 검출 평면 패널에서 상기 광원의 입사각의 굴절각을 나타내는
    방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 조명 필드의 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도를 조정하는 단계는,
    상기 조명 필드의 상기 중심에서의 광도와 상기 조명 필드의 상기 반 너비의 에지에서의 광도는 다음의 <수학식 8>을 만족하고
    [수학식 8]
    Figure 112019036832512-pct00012

    여기서, i_center는 상기 조명 필드의 중심에서의 광도 나타내고,
    i_edge는 상기 조명 필드의 반 너비의 에지에서의 광도를 나타내고,
    i_min p2은 상기 피 검출 평면 패널 상의 피 검출 최소 패턴의 수신 신호을 나타내고,
    i_max p2는 피 검출 평면 패널 상의 패턴의 최대 크로스토크 신호를 나타내고,
    snr2는 상기 피 검출 평면 패널 상의 패턴 크로스토크를 억제하는데 필요한 신호 대 잡음 비율을 나타내는
    방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 검출기는,
    평면 어레이 카메라, 선형 어레이 카메라(inear-array camera) 또는 TDI 선형 어레이 카메라(TDI linear-array camera)인
    방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광원은,
    레이저 소스(laser source) 또는 LED 광원(LED light source)인 방법.
  8. 제4항에 있어서,
    시뮬레이션 소프트웨어를 이용하여 상기 광원의 입사각(incident angle)과 상기 검출기의 수신각(receiving angle)을 선택하는 단계; 및
    상기 입사각 및 상기 수신각에 따라 상기 광원 및 상기 검출기를 구성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
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