KR102141465B1 - 첨가제 유기폴리실록산 조성물, 경화성 조성물, 및 필름 - Google Patents

첨가제 유기폴리실록산 조성물, 경화성 조성물, 및 필름 Download PDF

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Abstract

(A1) M, D 및 Q 실록시 단위를 포함하는 분지형 오가노폴리실록산 중합체 및 (A2) 실리콘 수지를 포함하는 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물이 개시된다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 1.5 내지 7.0 중량%의 지방족 불포화기의 함량을 갖는다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물, (B) 분자당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 유기규소 화합물, 및 (C) 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 경화성 조성물이 또한 개시된다. 상기 경화성 조성물의 제조 방법 및 상기 경화성 조성물로 필름을 형성하는 방법이 또한 개시된다.

Description

첨가제 오가노폴리실록산 조성물, 경화성 조성물 및 필름
관련 출원에 대한 교차 참조
본 출원은 2018 년 1 월 12 일에 출원된 미국 특허 출원 제 62 / 616,701호의 우선권 및 모든 장점을 주장하며, 상기의 내용은 여기에 참조로 포함되었다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 첨가제 오가노폴리실록산 조성물에 관한 것이고, 보다 상세하게는 첨가제 오가노폴리실록산 조성물 및, 이를 포함하고, 이형 특성이 우수한 필름을 형성하는 경화성 조성물에 관한 것이다.
실리콘 조성물은 당 업계에 공지되어 있으며 무수한 산업 및 최종 용도에 사용된다. 이러한 최종 용도 적용의 하나는 접착제가 제거될 수 있는 이형 라이너를 형성하는 것이다. 예를 들어, 실리콘 조성물은 종이와 같은 다양한 기재를 코팅하여 감압 접착제(예를 들어, 테이프)를 라미네이팅하기위한 이형 라이너를 제공하는데 사용될 수 있다. 이러한 실리콘 조성물은 전형적으로 부가-경화성이다.
종래의 이형 라이너는 통상적으로 하이드로실릴화 반응 촉매의 존재 하에 불포화 탄화수소 작용기를 포함하는 오가노폴리실록산과 오가노하이드로겐폴리실록산을 부가 반응시킴으로써 형성된다. 그러나, 종래의 이형 라이너의 방출력(release force)은 바람직하지 않게 낮은 경우가 종종 있다. 예를 들어, 수 작업 필링 적용에서, 낮은 방출력은 종종 바람직하지 않은 라벨의 분배(dispensing)를 초래한다.
본 발명은 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 제공한다. (A) 첨가제 오가노폴리실록산은 (A1) 하기 화학식을 갖는 분지형 오가노폴리실록산 중합체를 포함한다:
(R1 3-xR2 xSiO1/2)a(R1 2-yR2 ySiO2/2)b(SiO4/2)c,
여기서 각각의 R1은 독립적으로 치환 또는 비치환된 하이드로카르빌기이고; 각각의 R2는 독립적으로 지방족 불포화기이고; x는 0 내지 3이고, y는 0 내지 2이며, 단 x 및 y는 동시에 0이 아니며; 0 <a≤0.3, 0.4≤b≤0.97 및 0 <c≤0.3이며, 단 a + b + c = 1이다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 분자당 평균 3 개 이상의 R2기를 갖는다.
상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 하기 화학식을 갖는 (A2) 실리콘 수지를 추가로 포함한다 :
(R1 3-zR2 zSiO1/2)d(SiO4/2)e
여기서 각각의 R1 및 R2는 독립적으로 상기에서 선택 및 정의되고; 0.2≤d≤0.7, 0.3≤e≤0.8이되, 단, d + e = 1이고; z는 0 내지 3이되, 단, (A2) 실리콘 수지는 상기 (A2) 실리콘 수지의 총 중량을 기준으로, 1.5 내지 7.0 중량% (wt.%)의 R2 함량을 포함한다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 지방족 불포화기의 함량이 1.5 내지 7.0 중량%이다.
본 발명은 또한 경화성 조성물을 제공한다. 경화성 조성물은 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 포함한다. 상기 경화성 조성물은 (B) 분자당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 유기규소 화합물을 추가로 포함한다. 또한, 상기 경화성 조성물은 (C) 하이드로실릴화 촉매를 포함한다.
상기 경화성 조성물의 제조 방법이 또한 제공된다. 상기 방법은 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산, 상기 (B) 분자당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 유기규소 화합물 및 (C) 하이드로실릴화 촉매를 조합하여 상기 경화성 조성물을 제공하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 경화성 조성물로 필름을 형성하는 방법이 본 발명에 의해 제공된다. 상기 필름을 형성하는 방법은 기재 상에 상기 경화성 조성물을 도포하여 증착물을 제공하는 단계를 포함한다. 이 방법은 증착물로부터 상기 기재 상에 필름을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
본 발명은 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 제공한다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 경화성 조성물, 예를 들어 하이드로실릴화-반응 경화성인 조성물에 특히 적합하다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물 및, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 포함하는 경화성 조성물은 우수한 물리적 특성을 가지며 다양한 최종 용도 용도에 매우 적합하다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 포함하는 경화성 조성물은 이형 특성을 포함하여 바람직한 특성을 갖는 필름을 형성한다. 예를 들어, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 포함하는 경화성 조성물은 낮은 박리 속도에서의 높은 방출력 및 높은 박리 속도에서의 낮은 방출력을 포함하여 우수한 방출 특성을 갖는 필름을 형성한다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물, 상기 경화성 조성물 및 관련 방법은 하기에 보다 상세히 기재되어 있다.
상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 (A1) 하기 화학식을 갖는 분지형 오가노폴리실록산 중합체를 포함한다 :
(R1 3-xR2 xSiO1/2)a(R1 2-yR2 ySiO2/2)b(SiO4/2)c,
여기서 각각의 R1은 독립적으로 치환 또는 비치환된 하이드로카르빌기고; 각각의 R2는 독립적으로 지방족 불포화기이고; x는 0 내지 3이고, y는 0 내지 2이되, 단 x 및 y는 동시에 0이 아니며; 0 <a≤ 0.3, 0.4≤b≤0.97 및 0 <c≤0.3이되, 단 a + b + c = 1이다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 분자당 평균 3 개 이상의 R2기를 갖는다.
상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 일반적으로 M 실록시 단위 (즉, (R1 3-xR2 xSiO1/2) 실록시 단위), D 실록시 단위 (즉, (R1 2-yR2 ySiO2/2) 실록시 단위) 및 Q 실록시 단위(즉, (SiO4/2) 실록시 단위)를 포함한다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체가 하나 이상의 Q 실록시 단위를 포함하지만, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체 중의 중합도(DP) 및 거기에 존재하는 Q 실록시 단위의 몰 분율 때문에, 당해기술의 숙련가에 의해, 실리콘 수지라기 보다, 분지형 실리콘 중합체로 간주된다.
상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 일반식은 M, D 및 Q 실록시 단위의 평균 화학식으로 나타낸다. 예를 들어, M 실록시 단위는 화학식 (R1 3-xR2 xSiO1/2) 내에서 독립적으로 선택될 수 있고, D 실록시 단위는 화학식 (R1 2-yR2 ySiO2/2) 내에서 독립적으로 선택될 수 있다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체에서 M, D 및 Q 실록시 단위의 첨자 또는 몰 분율은 각각 모든 M 실록시 단위, 모든 D 실록시 단위 및 모든 Q 실록시 단위에 기초하여 집합된다. 예로서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 아래 첨자 x가 0, 1, 2 또는 3인지에 따라 (R1 3SiO1/2), (R1 2R2SiO1/2), (R1R2 2SiO1/2), 및/또는 (R2 3SiO1/2)에 대응하는 M 단위를 포함할 수 있다. 이와 유사하게, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 아래 첨자 y가 0, 1 또는 2인지에 따라 (R1 2SiO2/2), (R1R2SiO2/2), 및/또는 (R2 2SiO2/2)에 상응하는 D 단위를 포함할 수 있다.
각각의 R1은 독립적으로 선택된 하이드로카르빌기며, 이는 치환 또는 비치환될 수 있다. 각각의 R1은 독립적으로 선형, 분지형, 환형 또는 이들의 조합일 수 있다. 환형 하이드로카르빌기는 포화된 또는 비컨쥬게이션된(non-conjugated) 환형 작용기 뿐만 아니라 아릴기를 아우른다. 아릴기는 단일환형 또는 다중환형일 수 있다. 선형 및 환형 하이드로카르빌기의 조합의 하나의 예는, 아르알킬기이다. "치환된"은 하나 이상의 수소 원자가 수소 이외의 원자(예를 들어, 염소, 불소, 브롬 등과 같은 할로겐 원자)로 대체될 수 있거나, 또는 R1의 사슬 내의 탄소 원자가 탄소 이외의 원자로 대체 될 수 있는, 즉 R1이 상기 사슬 내에 산소, 황, 질소 등과 같은 하나 이상의 헤테로 원자를 포함할 수 있음을 의미한다. 하이드로카르빌기는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실, 사이클로헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실 또는 유사한 알킬기; 페닐, 톨릴, 자일릴, 나프틸 또는 유사한 아릴기; 벤질, 펜에틸 또는 유사한 아르알킬기; 및 3-클로로프로필, 2-브로모에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필 또는 유사한 치환된(예를 들어, 할로겐화된) 알킬기로 예시될 수 있다. R1이 아릴기가 아닌 경우, 각각의 R1은 전형적으로 포화되고, 알케닐 또는 알키닐기가 아니다.
각각의 R2는 독립적으로 선택된 지방족 불포화기이며, 대안적으로 에틸렌성 불포화로 지칭될 수 있다. 특정 구현예에서, R2에서의 에틸렌성 불포화는 말단이다. 전형적으로, 각각의 R2는 독립적으로 알케닐기 및 알키닐기에서 선택된다. "알케닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 비환식, 분지형 또는 비분지형 1가 탄화수소기를 의미한다. 알케닐 기는 2 내지 30개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 24개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 20개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 10개의 탄소 원자, 및 대안적으로 2 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 이것의 구체적인 예에는 비닐기, 알릴기 및 헥세닐기가 포함된다. "알키닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 비환식, 분지형 또는 비분지형 1가 탄화수소기를 의미한다. 알키닐 기는 2 내지 30개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 24개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 20개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 2 내지 10개의 탄소 원자, 및 대안적으로 2 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 이의 구체적인 예에는 에티닐, 프로피닐 및 부티닐기가 포함된다. R2의 다양한 예에는 CH2=CH―, CH2=CHCH2―, CH2=CH(CH2)4―, CH2=C(CH3)CH2―H2C=C(CH3)―, H2C=C(CH3)―, H2C=C(CH3)CH2―H2C=CHCH2CH2―, H2C=CHCH2CH2CH2―, HC≡C―, HC≡CCH2―, HC≡CCH(CH3)―, HC≡CC(CH3)2―, 및 HC≡CC(CH3)2CH2―가 포함된다. 다양한 구현예에서, 각각의 R2는 비닐기이다.
특정 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 하나의 Q 실록시 단위를 갖는다. 다른 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 2 개의 Q 실록시 단위, 대안적으로 3 개의 Q 실록시 단위를 갖는다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 중합도(DP)가 5 내지 400, 대안적으로 10 내지 200, 대안적으로 14 내지 160이다.
이들 또는 다른 구현예에서, R2가 M 실록시 단위(예를 들어 비닐디메틸 실록시 단위, 디비닐메틸 실록시 단위 및/또는 트리비닐 실록시 단위)로 존재하도록 x ≥1 및 y는 0이다. 대안적으로, R2가 D 실록시 단위(예를 들어 메틸비닐 실록시기 및/또는 디비닐 실록시기)로 존재하도록 x는 0 및 y≥1이다. 대안적으로, R2가 M 실록시 단위 및 D 실록시 단위로 존재하도록 x ≥1 및 y ≥ 1이다.
상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체가 단일 Q 실록시 단위를 포함하는 특정 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 다음 일반식을 갖는다:
Si-[[OSiR2 yR1 2-y]b'[OSiR2 xR1 3-x]]4
여기서 각각의 R1 및 R2는 독립적으로 상기에서 선택 및 정의되고, x 및 y는 상기에서 정의되고, 각각의 b '는 독립적으로 0 내지 100이다. x 및 y에 관한 상기 설명과, R2가 D 실록시 단위 및/또는 M 실록시 단위로 존재하는지 여부가 이들 특정 구현예에도 적용된다. 예를 들어, R2는 펜던트(즉, D 실록시 단위로) 및/또는 말단(즉, M 실록시 단위로)일 수 있다. R2가 M 실록시 단위로 존재하는 경우, R2는 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산이 선형이 아닌 분지형이지만(즉, 2 개의 말단을 갖지 않음), 말단으로 지칭된다.
그러나, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체에 D 실록시 단위가 포함되기 때문에, b'의 모든 경우(즉, 4 개의 경우 모두)는 동시에 0일 수 없다. 이들 구현예에서 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 DP는 b'의 총량 또는 종합량을 기준으로 한다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 Q 단위의 규소 원자로부터 연장되는 하나 이상, 대안적으로 2개 이상, 대안적으로 3개 이상, 대안적으로 4개, 실질적으로 선형, 대안적으로 선형인 사슬을 포함한다. 이들 실질적으로 선형, 대안적으로 선형인 사슬은 b'의 임의의 반복이 0보다 클 때, 반복하는 D 실록시 단위에 상응한다.
이들 특정 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 단일 Q 실록시 단위를 포함하고, T 실록시 단위는 포함하지 않는다. 당업계에 이해되는 바와 같이, T 실록시 단위는 R1SiO3/2 또는 R2SiO3/2로 표시될 수 있고, 하나의 규소-결합 치환기(R1, R2, 또는, R1 또는 R2 이외의 치환기일 수 있음)를 포함한다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 아래첨자 b'의 각 반복에 대응하는 D 실록시 단위를 포함한다. b'가 독립적으로 선택되기 때문에, 아래 첨자 b'로 표시된 D 실록시 단위의 각각의 선형 사슬은 변할 수 있는데, 즉 각각의 b'는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. b'의 하나 이상의 예는, 비록 전형적으로 각각의 M 실록시 단위는 적어도 하나의 D 실록시 단위만큼 Q 실록시 단위에서 이격되지만, M 실록시 단위가 상기 단일 Q 실록시 단위에 직접 결합되도록, 0일 수 있다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 또한 일반적으로 대칭일 수 있는데, 즉 b '의 모든 예가 동일한 경우이다. 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체에서 D 실록시 단위의 선형 사슬 각각은 M 실록시 단위로 종결된다.
특정 구현예에서, 각각의 R1은 메틸(Me)이고, 각 R2는 비닐(Vi)이고, y는 0이며, x는 1이다. 이들 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 하기 일반식을 갖는다:
Si-[[OSiMe2]b'[OSiMe2Vi]]4
여기서 b'는 독립적으로 상기 선택 및 정의된다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상기 M 실록시 단위 및/또는 D 실록시 단위는 서로 상이할 수 있다.
다른 특정 구현예에서, 각각의 R1은 메틸(Me)이고, 각각의 R2는 비닐(Vi)이고, y는 1이며, x는 0이다. 이들 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 하기 화학식을 갖는다 :
Si-[[OSiViMe]b'[OSiMe3]]4
여기서 b'는 독립적으로 상기 선택 및 정의된다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상기 M 실록시 단위는 서로 상이할 수 있다.
또 다른 특정 구현예에서, 각각의 R1은 메틸(Me)이고, 각 R2는 비닐(Vi)이고, y는 1이며, x는 1이다. 이들 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 하기 일반식을 갖는다 :
Si-[[OSiViMe]b'[OSiMe2Vi]]4
여기서 b'는 독립적으로 상기 선택 및 정의된다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상기 M 실록시 단위는 서로 상이할 수 있다.
상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 선택에 관계없이, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 R2로 지정된 3 개 이상의 작용기를 갖는다. 특정 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 함량은, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 총 중량을 기준으로, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 R2 함량이 2.0 내지 7.0, 대안적으로 2.0 내지 6.0, 대안적으로 2.0 내지 5.5, 중량%이다. 이는 전형적으로 각각의 R2가 비닐이고 각각의 R1이 메틸인 경우이다. 그러나, 당해 기술 분야에서 이해되는 바와 같이, R1이 메틸 이외의 것(예를 들어, 에틸, 아릴)일 경우 및/또는 R2가 비닐 이외의 것(예를 들어 알릴, 헥세닐)인 경우(상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 분자량에 영향을 미침), 동일한 수의 R2 기가 R2의 전체 중량%를 작게 할 수 있다. R2의 함량은, 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 규소 29 핵 자기 공명 분광법(29Si NMR)을 사용하여 해석 및 계산될 수 있다.
상이한 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 조합은 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체로서 함께 사용될 수 있다. 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 제조 방법은 당 업계에 공지되어 있다.
특정 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 점도가 25℃에서 0 초과 내지 400 미만, 대안적으로 0 초과 내지 300 미만, 대안적으로 0 초과 내지 200 미만의 센티스토크(cSt)이다. 이들 또는 다른 구현예에서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체는 중량 평균 분자량 분자량(MW)이 0 내지 15,000 초과, 대안적으로 1,000 내지 3,000, 대안적으로 1,500 내지 2,500이다.
상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 하기 일반식을 갖는 (A2) 실리콘 수지를 추가로 포함한다:
(R1 3-zR2 zSiO1/2)d(SiO4/2)e
여기서 각각의 R1 및 R2는 독립적으로 상기에서 선택 및 정의되고; 0.2≤d≤0.7, 0.3≤e≤0.8이되, 단, d + e = 1이고; z는 0 내지 3이다. 그러나, 후술하는 바와 같이, 상기 (A2) 실리콘 수지는 z로 표시되는 R2의 적어도 일부 함량을 포함한다.
상기 (A2) 실리콘 수지는 MQ 실리콘 수지이다. 상기 (A2) 실리콘 수지에서 M 실록시 단위의 아래첨자 또는 몰 분율은 모든 M 실록시 단위를 기준으로 총괄된다. 예로서, 상기 (A2) 실리콘 수지는 아래첨자 z가 0, 1, 2 또는 3인지에 따라, (R1 3SiO1/2), (R1 2R2SiO1/2), (R1R2 2SiO1/2), 및/또는 (R2 3SiO1/2)에 상응하는 M 단위를 포함할 수 있다. 추가의 예로서, 상기 (A2) 실리콘 수지의 일반식은 대안적으로 다음과 같이 쓸 수 있다 :
(R1 3SiO1/2)d'(R1 2R2SiO1/2)d''(R1R2 2SiO1/2)d'''(R2 3SiO1/2)d''''(SiO4/2)e
여기서 d'내지 d''''의 총합은 상기 처음 도입된 일반식에서의 d와 동등하다.
특정 구현예에서, 아래첨자 d 및 e는 상기 (A2) 실리콘 수지에서 d 대 e의 비가 0.6 : 1 내지 1.1 : 1이되도록 선택된다. 당업계에 알려진 바와 같이, MQ 수지는 전형적으로 (실라놀기 형태로) 적어도 일부 잔류 하이드록실 함량을 포함한다. 예를 들어, 특정 구현예에서, 상기 (A2) 실리콘 수지는 실라놀기의 함량이 0 내지 3.5, 대안적으로 0 내지 2.0 중량%일 수 있다. 실라놀기의 함량은 일반적으로 고체를 기준으로 하며, 규소 29 핵 자기 공명 분광법 (29Si NMR)을 사용하여 해석 및 계산될 수 있다.
상기 (A2) 실리콘 수지는, 상기 (A2) 실리콘 수지의 총 중량을 기준으로, 1.5 내지 7.0, 대안적으로 2.0 내지 7.0, 대안적으로 2.0 내지 6.0, 대안적으로 2.5 내지 6.0, 대안적으로 3.6 내지 6.0, 대안적으로 4.0 내지 5.5 중량%의 R2의 함량을 포함한다. 이는 전형적으로 각각의 R2가 비닐이고 각각의 R1이 메틸인 경우이다. 그러나, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체에서와 같이, R1이 메틸 이외의 것(예를 들어, 에틸, 아릴)일 때 및/또는 R2가 비닐 이외의 것(예를 들어, 알릴, 헥세닐)일 때, 동일한 수의 R2 기가 R2의 전체 중량%보다 적은 양을 구성할 수 있는데, 이것은 상기 (A2) 실리콘 수지의 분자량에 영향을 미친다. 상기 (A2) 실리콘 수지에서 R2의 함량은, 당 업계에 이해되는 바와 같이, 규소 29 핵자기 공명 분광법 (29Si NMR)을 사용하여 해석되고 계산될 수 있다. 대안적으로, 상기 (A2) 실리콘 수지에서 R2의 함량은 탄소 13 핵자기 공명 분광법(13 C NMR), 수소 1 핵 자기 공명 분광법(1H NMR), 푸리에 변환 적외선 분광법(FTIR), 또는 당 업계에서 이해되는 적정을 사용하여 해석 및 계산될 수 있다.
MQ 수지의 제조 방법은 당 업계에 공지되어 있다. 상기 (A2) 실리콘 수지는 상이한 MQ 수지의 조합을 함께 포함할 수 있다. 특정 구현예에서, 상기 (A2) 실리콘 수지가 상이한 MQ 수지의 조합을 함께 포함하는 경우, 각 MQ 수지의 평균은 상기 (A2) 실리콘 수지의 일반식 내에 있다.
특정 구현예에서, 상기 (A2) 실리콘 수지는 중량 평균 분자량(MW)이 1,000 내지 50,000, 대안적으로 2,000 내지 30,000, 대안적으로 3,000 내지 25,000의 달톤이다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 상기 (A2) 실리콘 수지의 MW는 폴리스티렌 표준을 사용하면서 광산란 검출기, 굴절률 검출기 및 점도 검출기를 사용하는 겔 투과 크로마토 그래피를 통해 측정될 수 있다. 상기 (A2) 실리콘 수지는 비히클 내에 배치 또는 분산될 수 있으며, 이는 상기 (A2) 실리콘 수지의 담체로서 작용한다.
특정 구현예에서, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 본질적으로 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 및 상기 (A2) 실리콘 수지로 구성된다. "본질적으로 구성됨"은 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물이 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 및 상기 (A2) 실리콘 수지와 반응하거나 반응성인 임의의 성분이 없음을 의미한다. 그러나, 희석제, 비히클, 억제제 또는 다른 임의 성분이 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물에 선택적으로 존재할 수 있다. 특정 구현예에서, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산은 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 및 상기 (A2) 실리콘 수지로 구성된다.
특정 구현예에서, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체를 30 내지 70 중량%의 양으로 포함한다. 이들 또는 다른 구현예에서, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 (A2) 실리콘 수지를 70 내지 30 중량%의 양으로 포함한다.
상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 임의의 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체 및 상기 (A2) 실리콘 수지는 임의의 방식으로, 선택적으로 혼합으로 및/또는 희석제 또는 용매의 존재 하에, 별도로 제조 및 배합될 수 있다. 그러나, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 전형적으로 무용 매이다.
상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 전형적으로 불포화 작용기(즉, 지방족 불포화기)의 전체 함량이, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 총 중량을 기준으로, 1.5 초과, 대안적으로 2.0 초과, 대안적으로 2.5 초과, 대안적으로 3.0 초과, 대안적으로 3.1 초과, 대안적으로 3.2 초과, 대안적으로 3.3 초과, 대안적으로 3.4 중량% 초과이다. 예를 들어, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 불포화 기의 전체 함량이, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 총 중량을 기준으로, 1.5 내지 7.0, 대안적으로 2.5 내지 7.0, 대안적으로 3.0 내지 7.0, 대안적으로 3.1 내지 7.0, 대안적으로 3.2 내지 7.0, 대안적으로 3.3 내지 7.0, 대안적으로 3.4 내지 7.0 중량%일 수 있다. 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 성분과 관련하여 상기 언급된 바와 같이, 불포화 기의 중량%는 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 성분에서 불포화기를 포함하는 치환기의 선택에 의해 영향을 받을 수 있다. 이러한 범위는 일반적으로 R1이 메틸이고 R2가 비닐인 경우에 적용된다.
본 발명은 또한 경화성 조성물을 제공한다. 상기 경화성 조성물은 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 포함한다. 상기 경화성 조성물은 (B) 유기 규소 화합물 및 (C) 하이드로실릴화 반응 촉매를 추가로 포함한다. 특정 구현예에서, 상기 경화성 조성물은 이형 코팅 조성물로 지칭될 수 있다.
상기 경화성 조성물은 전형적으로 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을, 상기 경화성 조성물의 총 중량을 기준으로, 1 내지 99, 대안적으로 5 내지 60, 대안적으로 5 내지 40 중량%의 양으로 포함한다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 다양한 선택적 성분의 존재 또는 부재는 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 함량에 영향을 미칠 수 있다.
상기 (B) 유기 규소 화합물은 분자당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 포함한다. 상기 (B) 유기규소 화합물은 대안적으로, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 성분과 반응성이고 가교되기 때문에, 가교제 또는 가교 제제로 지칭될 수 있다.
상기 (B) 유기 규소 화합물은 전형적으로 유기 수소 폴리실록산이다. 그러나, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 실록산 (Si-O-Si) 결합이 없는 실리콘-수소 결합을 갖는 유기 화합물 또는 실리콘-유기 하이브리드(예를 들어 실록산 및 유기 모이어티 모두 포함)일 수 있다.
예를 들어, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 화학식 : HmR1 3-mSi-R'-SiR1 3-m'Hm'일 수 있으며, 여기서 각각의 R1은 독립적으로 상기에서 선택 및 정의되고, 아래 첨자 m 및 m'는 독립적으로 0, 1 또는 2이다. 단, m + m'≥2이고, R'는 2가 탄화수소기이다. 전형적으로, 상기 2가 탄화수소기는 지방족 불포화가 없다. 상기 2가 탄화수소기는 선형, 환형, 분지형, 방향족 등일 수 있거나, 이러한 구조의 조합을 가질 수 있다. 대안적으로, 상기 (B) 유기 규소 화합물이 유기 화합물 또는 실리콘-유기 하이브리드인 경우, 상기 규소-결합 수소 원자는 또한 대안적으로 펜던트형일 수 있다.
상기 (B) 유기 규소 화합물은 오가노하이드로겐폴리실록산을 포함하는 경우 상기 (B) 유기 규소 화합물은 분자 당 둘 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 임의의 오가노하이드로겐폴리실록산 일 수 있다. 규소-결합 수소 원자는, 이러한 구현예에서, 말단, 펜던트형이거나, 또는 상기 (B) 유기 규소 화합물의 말단 및 펜던트 위치에 있을 수 있다.
상기 (B) 유기 규소 화합물은, 상기(B) 유기 규소 화합물이 둘 이상의 규소-결합 수소 원자를 포함하는 한, M, D, T 및/또는 Q 실록시 단위의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 이들 실록시 단위는 다양한 방식으로 조합되어, 환형, 선형, 분지형 및/또는 수지(3 차원 네트워크) 구조를 형성할 수 있다. 상기 (B) 유기 규소 화합물은, M, D, T 및/또는 Q 단위의 선택에 따라, 단량체, 중합체, 올리고머, 선형, 분지형, 환형 및/또는 수지일 수 있다.
상기 (B) 유기 규소 화합물이 분자당 평균 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 포함하기 때문에, 상기 기재된 실록시 단위와 관련하여, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 선택적으로 임의의 규소-결합 수소 원자를 포함하지 않는 실록시 단위와 조합하여, 규소-결합 수소 원자를 포함하는 하기 실록시 단위 중 임의의 것을 포함할 수 있다: (R1 2HSiO1/2), (R1H2SiO1/2), (H3SiO1/2), (R1HSiO2/2), (H2SiO2/2), 및/또는 (HSiO3/2)(여기서, R1은 독립적으로 상기 선택 및 정의됨).
특정 구현예에서, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 평균 화학식을 갖는다 :
(R0 3SiO1/2)p(R0 2SiO2/2)q
여기서 R0 중 2 개 이상이 수소 원자인 한, 각 R0은 독립적으로 수소 또는 R1이고, p≤2 및 q≥1이다. 특정 구현예에서, p는 2 내지 10, 대안적으로 2 내지 8, 대안적으로 2 내지 6이다. 이들 또는 다른 구현예에서, q는 0 내지 1,000, 대안적으로 1 내지 500, 대안적으로 1 내지 200이다.
일 구현예에서, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 선형이고, 펜던트 규소-결합 수소 원자를 포함한다. 이들 구현예에서, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 평균 화학식을 갖는 디메틸, 메틸-수소 폴리실록산일 수 있다;
(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]f[(CH3)HSiO]gSi(CH3)3
여기서 f는 0에서 1,000이고 g는 2에서 1,000이다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 상기 평균 화학식은 단지 예시적인 것이며 메틸 이외의 하이드로카르빌기를 포함하고 T 실록시 및/또는 Q 실록시 단위를 포함하도록 변형될 수 있다. 특정 구현예에서, 상기 (B) 유기 규소 화합물에서 모든 D 실록시 단위의 20 몰% 이상이 아래첨자 g로 표시된다. 이들 또는 다른 구현예에서, f + g는 10 내지 500이다. 또한, 이들 또는 다른 구현예에서, f 및 g는 각각 독립적으로 5 내지 100이다.
이들 또는 다른 구현예에서, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 선형이며 말단 규소-결합 수소 원자를 포함한다. 이들 구현예에서, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 평균 화학식을 갖는 SiH 말단 디메틸 폴리실록산일 수 있다 :
H(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]fSi(CH3)2H
여기서 f는 위에서 정의한 바와 같다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 상기 평균 화학식은 단지 예시적인 것이며 메틸 이외의 하이드로카르빌기를 포함하고 T 실록시 및/또는 Q 실록시 단위를 포함하도록 변형될 수 있다.
대안적으로, 상기 (B) 유기 규소 화합물은 선형일 수 있으며, 펜던트 및 말단 규소-결합 수소 원자 모두를 포함할 수 있다.
적합한 유기 규소 화합물의 다른 예는 하나의 분자 내에 2 개 이상의 SiH 함유 사이클로실록산 고리를 갖는 것들이다. 이러한 유기 규소 화합물은 각각의 실록산 고리 상에 하나 이상의 규소-결합 수소(SiH) 원자를 갖는 2개 이상의 사이클로실록산 고리를 갖는 임의의 유기 폴리실록산일 수 있다. 사이클로실록산 고리는 3 개 이상의 실록시 단위 (실록산 고리를 형성하기 위해 필요한 최소량)를 함유하고, 고리 구조를 형성하는 M, D, T 및/또는 Q 실록시 단위의 임의의 조합일 수 있되, 단 각각의 실록산 고리상의 시클릭실록시 단위 중 하나 이상은 하나의 SiH 단위를 함유하며, 이는 M 실록시 단위, D 실록시 단위 및/또는 T 실록시 단,위일 수 있다. 이들 실록시 단위는 다른 치환기가 메틸인 경우, 각각 MH, DH 및 TH 실록시 단위로 나타낼 수 있다.
상기 (B) 유기 규소 화합물은 둘 이상의 상이한 유기 규소 화합물의 조합물을 포함할 수 있다. 상기 경화성 조성물 중 (B) 유기 규소 화합물의 양은 전형적으로 규소-결합 수소 원자 대 규소-결합 불포화기(즉, R2로 표시되는 것)의 몰비가 0.5 : 1 내지 4 : 1, 대안적으로 1 : 1 내지 3 : 1, 대안적으로 1.5 : 1 내지 2.5 : 1이 되도록 선택된다. 이러한 몰비는 상기 경화성 조성물에 존재하는 너무 규소-결합 수소 원자 및 규소-결합 불포화기이다.
상기 (C) 하이드로실릴화 촉매는 임의의 공지된 하이드로실릴화 촉매일 수 있다. 당 업계에 공지된 바와 같이, 하이드로실릴화 촉매는 전형적으로 백금족 금속 또는 백금족 금속을 함유하는 화합물을 포함한다. 그러나, 백금족 금속 이외의 금속(예를 들어 철, 니켈, 코발트 등)에 기초한 대안적인 하이드로실릴화 촉매가 또한 사용될 수 있다.
백금족 금속은 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐 및 백금뿐만 아니라 이들의 임의의 복합체를 의미한다. 전형적으로, 백금족 금속은 하이드로실릴화 반응에서의 높은 활성에 기초하여 백금이다. 하이드로실릴화 촉매에 유용한 백금족 금속-함유 촉매는 미국 특허 제 3,419,593 호(Willing) 및 미국 특허 제 5,175,325 호(Brown et al)(이들 각각은 이러한 복합체 및 그의 제조를 보여주기 위해 본원에 참고로 포함됨)에 의해 기술된 바와 같이 제조 된 백금 착물을 포함한다. 유용한 백금족 금속 함유 촉매의 다른 예는 Lee et al., U.S. Pat. No. 3,989,668; Chang et al., U.S. Pat. No. 5,036,117; Ashby, U.S. Pat. No. 3,159,601; Larnoreaux, U.S. Pat. No. 3,220,972; Chalk et al., U.S. Pat. No. 3,296,291; Modic, U.S. Pat. No. 3,516,946; Karstedt, U.S. Pan No. 3,814,730; and Chandra et al., U.S. Pat. No. 3,928,629 에서 찾을 수 있고, 이들 모두는 백금족 금속 함유 촉매 및 이들의 제조 방법을 개시하기 위해 본원에 참고로 포함된다. 백금족 함유 촉매는 실리카 겔 또는 분말 숯과 같은 담체 상에 증착된 백금족 금속 백금족 금속일 수 있고; 또는 백금족 금속의 화합물 또는 착물일 수 있다. 백금-함유 촉매의 특정 예에는 헥사하이드레이트 형태 또는 무수물 형태의 클로로백금산, 또는 클로로백금산을 디비닐테트라메틸디실록산과 같은 지방족 불포화 유기 규소 화합물과 반응시키는 방법에 의해 얻어지는 백금-함유 촉매, 또는 Roy, U.S. Pat. No. 6,605,734(이는 또한 참고로 포함됨)에 기술된 바와 같은 알켄-백금-실릴 복합체가 포함된다. 이들 알켄-백금-실릴 복합체는, 예를 들어 0.015 몰의 (COD)PtCl2를 0.045 몰의 COD 및 0.0612 몰의 HMeSiCl2와 혼합하여 제조될 수 있다.
상기 (C) 하이드로실릴화 촉매는 또한 표면에 백금족 금속을 갖는 고체 지지체를 포함하는 지지된 하이드로실릴화 촉매일 수 있다. 지지된 촉매의 예에는, 비제한적으로, 탄소상의 백금, 탄소상의 팔라듐, 탄소상의 루테늄, 탄소상의 로듐, 실리카상의 백금, 실리카상의 팔라듐, 알루미나상의 백금, 알루미나상의 팔라듐 및 알루미나상의 루테늄이 포함된다.
상기 하이드로실릴화 촉매는 또한 또는 대안적으로, 방사선 조사 및/또는 열을 통해 경화를 개시할 수 있는 광활성화 가능한 하이드로실릴화 촉매일 수 있다. 상기 광활성화 가능한 하이드로실릴화 촉매는 특히 150 내지 800 나노미터(nm)의 파장을 갖는 방사선에 노출될 때, 하이드로실릴화 반응을 촉진시킬 수 있는 임의의 하이드로실릴화 촉매일 수 있다. 본 발명의 조성물에 사용하기 위한 특정 광활성화 가능한 하이드로실릴화 촉매의 적합성은 일상적인 실험에 의해 쉽게 결정될 수 있다.
상기 (C) 하이드로실릴화 촉매의 목적에 적합한 광활성화 가능한 하이드로실릴화 촉매의 특정 예에는, 비제한적으로, 백금 (II) β-디케토네이트 착물, 예컨대 백금 (II) 비스(2,4-펜탄디오에이트), 백금(II) 비스(2,4-헥산디오에이트), 백금(II) 비스(2,4-헵탄디오에이트), 백금(II) 비스 (1-페닐-1,3-부탄디오에이트, 백금(II) 비스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오 에이트), 백금(II) 비스(1,1,1,5,5,5-헥사 플루오로-2,4-펜탄디오에이트); (h-사이클로펜타디에 닐) 트리알킬백금 착물, 예컨대 (Cp) 트리메틸백금 , (Cp) 에틸디메틸백금, (Cp) 트리에틸백금, (클로로-Cp)트리메틸 백금 및 (트리메틸실릴-Cp) 트리메틸 백금 (여기서, Cp는 사이클로펜타디에닐; 트리아젠 옥사이드-전이 금속 착물, 예컨대 Pt[C6H5NNNOCH3]4, Pt[p-CN-C6H4NNNOC6H11]4, Pt[p-H3COC6H4NNNOC6H11]4, Pt[p-CH3(CH2)x-C6H4NNNOCH3]4, 1,5-사이클로옥타디엔. Pt[p-CN-C6H4NNNOC6H11]2, 1,5-사이클로 옥타디엔. Pt[p-CH3O-C6H4NNNOCH3]2, [(C6H5)3P]3Rh[p-CN-C6H4NNNOC6H11], 및 Pd[p-CH3(CH2)x―C6H4NNNOCH3]2(여기서 x는 1, 3, 5, 11 또는 17 임); h(-디올레핀) (s-아릴)백금 착물, 예컨대 (h4-1,5-사이클로 옥타디에닐)디페닐백금, (h4-1,3,5,7-사이클로옥타테트라에닐)디페닐백금, (h4-2,5-노보라디에닐)디페닐백금, (h4-1,5-사이클로 옥타 디에닐)비스-(4-디메틸아미노페닐)백금, (h4-1,5-사이클로옥타디에닐)비스-(4-아세틸 페닐) 백금, 및 (h4-1,5-사이클로옥타디에닐)비스-(4-트리플루오로메틸페닐)백금이 포함된다. 전형적으로, 상기 광활성화 가능한 하이드로실릴화 촉매는 Pt(II) β-디케토네이트 착물이고, 보다 전형적으로는 백금 (II) 비스 (2,4-펜탄디오에이트)이다. 상기 (C) 하이드로실릴화 촉매는 단일 광활성화 가능한 하이드로실릴화 촉매 또는 둘 이상의 상이한 광활성화 가능한 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 혼합물일 수 있다.
상기 (C) 하이드로실릴화 촉매는 전형적으로 경화성 조성물에 촉매량으로 존재하는데, 이는 쉽게 계산될 수 있다. 특정 구현예에서, 상기 (C) 하이드로실릴화 촉매는 경화성 조성물에 1 내지 1000, 대안적으로 1 내지 500, 대안적으로 1 내지 300, 백만부 (ppm) 금속, 예를 들어 백금족 금속을 제공하는 양으로 존재한다 .
특정 구현예에서, 상기 경화성 조성물은 (D) 분자 당 2개 이상의 규소-결합 지방족 불포화기를 갖는 오가노폴리실록산을 포함한다. 상기 (D) 오가노폴리실록산은 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체 및 (A2) 실리콘 수지와 구별된다. 다양한 구현예에서, 상기 (D) 오가노폴리실록산이 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체와 상이한 한, 상기 (D) 오가노폴리실록산은 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체와 관련하여 상기 기재된 것들 중 임의의 것일 수 있다. 그러나, 상기 (A) 오가노폴리실록산 중합체와는 달리, 상기 (D) 오가노폴리실록산은 선형일 수 있다.
상기 규소-결합 지방족 불포화기는 이러한 구현예에서 상기 (D) 오가노폴리실록산의 말단 및 펜던트이거나 또는 그것의 말단 및 펜던트 위치 둘 다에 있을 수 있다.
상기 (D) 오가노폴리실록산은, 상기 (D) 오가노폴리실록산이 둘 이상의 규소-결합 지방족 불포화기를 포함하는 한, M, D, T 및/또는 Q 실록시 단위의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 이들 실록시 단위는 다양한 방식으로 결합되어 환형, 선형, 분지형 및/또는 수지(3 차원 네트워크) 구조를 형성할 수 있다. 상기 (D) 오가노폴리실록산은 M, D, T 및/또는 Q 단위의 선택에 따라, 단량체, 중합체, 올리고머, 선형, 분지형, 환형 및/또는 수지일 수 있다.
상기 (D) 유기 폴리실록산에는 앞서 명시된 실록시 단위와 관련하여, 분자당 평균 2개 이상의 규소-결합 지방족 불포화기를 포함하기 때문에, 상기 (D) 유기 폴리실록산은, 선택적으로 임의의 규소-결합 지방족 불포화기를 포함하지 않는 실록시 단위와 조합하여, 실리콘-결합 지방족 불포화기를 비롯한 하기의 실록시 단위 중 임의의 것을 포함할 수 있다: (R1 2R2SiO1/2), (R1R2 2SiO1/2), (R2 3SiO1/2), (R1R2SiO2/2), (R2 2SiO2/2), 및/또는 (R2SiO3/2)(여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 선택 및 정의됨).
특정 구현예에서, 상기 (D) 오가노폴리실록산은 하기 평균 화학식을 갖는다 :
(R1 3-x'R2 x'SiO1/2)p'(R1 2-y' R2 y'SiO2/2)q'
여기서 각각의 R1 및 R2는 독립적으로 상기와 같이 선택 및 정의되고, x'는 0, 1, 2 또는 3이고, y'는 0, 1 또는 2이며, 단 x '+ y'≥2, p'≥2 및 q'≥1이다. 특정 구현예에서, p'는 2 내지 10, 대안적으로 2 내지 8, 대안적으로 2 내지 6이다. 이들 또는 다른 구현예에서, q'는 0 내지 1,000, 대안적으로 1 내지 500, 대안적으로 1 내지 200이다.
일 구현예에서, 상기 (D) 유기 폴리실록산은 선형이며, 펜던트형 규소-결합 지방족 불포화기를 포함한다. 이들 구현예에서, 상기 (D) 유기 폴리실록산은 하기 평균 화학식을 갖는 디메틸, 메틸비닐 폴리실록산일 수 있고;
(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]f'[(CH3)ViSiO]g'Si(CH3)3
여기서 f'는 ≥0이고 g'는 ≥2이며, f'+ g'는 1에서 10,000까지, 또는 2에서 5,000까지이며, Vi는 비닐을 나타낸다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 상기 평균 화학식은 단지 예시일 뿐이며, 메틸 이외의 하이드로카르빌기, 비닐 이외의 지방족 불포화기를 포함하고, T 실록시 및/또는 Q 실록시 단위를 포함하도록 변형될 수 있다.
이들 또는 다른 구현예에서, 상기 (D) 오가노폴리실록산은 선형이며 말단 규소-결합 지방족 불포화기를 포함한다. 이들 구현예에서, 상기 (D) 오가노폴리실록산은 하기 평균 화학식을 갖는 디메틸 비닐 말단 디메틸 폴리실록산일 수 있다 :
Vi(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]f''Si(CH3)2Vi
여기서 f''는 1에서 10,000 사이이다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 상기 평균 화학식은 단지 예시일 뿐이며, 메틸 이외의 하이드로카르빌기, 비닐 이외의 지방족 불포화기를 포함하고 T 실록시 및/또는 Q 실록시 단위를 포함하도록 변형될 수 있다.
대안적으로, 상기 (D) 오가노폴리실록산은 펜던트형 및 말단 규소-결합 지방족 불포화기를 모두 포함할 수 있다. 이들 구현예에서, 상기 (D) 유기 폴리실록산은 하기 평균 화학식을 갖는 디메틸비닐 말단 디메틸, 메틸비닐 폴리실록산일 수 있다;
Vi(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]f'[(CH3)ViSiO]g'Si(CH3)2Vi
여기서 f', g'및 Vi는 위에 정의되어 있다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 상기 평균 화학식은 단지 예시일 뿐이며, 메틸 이외의 하이드로카르빌기, 비닐 이외의 지방족 불포화기를 포함하고 T 실록시 및/또는 Q 실록시 단위를 포함하도록 변형될 수 있다.
상기 (D) 오가노폴리실록산은, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산이 상기 (B) 유기규소 화합물의 규소-결합 수소 원자와 반응성인 규소-결합 지방족 불포화기를 포함하기 때문에, 선택적이다. 그러나, 상기 (D) 오가노폴리실록산은 전형적으로 상기 경화성 조성물이 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물이 없는 경우에도 경화될 수 있도록 존재하며, 이는 그것의 경화물의 특성을 선택적으로 변형시킨다.
상기 경화성 조성,물은 사용되는 경우, 전형적으로 상기 (D) 오가노폴리실록산을, 상기 경화성 조성물의 총 중량을 기준으로, 1 내지 99 중량%, 대안적으로 40 내지 90 중량%의 양으로 포함한다. 당 업계에서 이해되는 바와 같이, 다양한 선택적인 성분의 존재 또는 부재는, 그 안에서 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 상대적인 양과 마찬가지로, 상기 경화성 조성물에서 상기 (D) 오가노폴리실록산의 함량에 영향을 미칠 수 있다.
상기 경화성 조성물은 전형적으로 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제를 추가로 포함한다. 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 주위 조건에서 경화성 조성물의 저장 수명 및 안정성을 향상시키는 역할을 하며, 일반적으로 (C) 하이드로실릴화 반응 촉매의 존재 하에 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물과 상기 (B) 유기규소 화합물의 구성성분들 사이, 및 존재하는 경우, 상기 (C) 하이드로실릴화 반응 촉매의 존재 하에 상기 (D) 오가노폴리실록산 및 상기 (B) 유기규소 화합물의 구성성분들 사이에서 조기 반응을 방지한다. 상기 경화성 조성물에 상기 (D) 오가노폴리실록산이 포함되는 경우, 상기 경화성 조성물은 일반적으로 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제를 포함한다.
상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 알킨 알코올(또는 아세틸렌 알코올), 사이클로알케닐실록산, 케톤, 엔-인 화합물, 트리아졸, 포스핀, 메르캅탄, 히드라진, 설폭사이드, 포스페이트, 니트릴, 하이드로퍼옥사이드, 아민, 에틸렌 차원의 불포화 이소시아네이트, 푸마레이트(예 : 디알킬 푸마레이트, 디알케닐 푸마레이트, 디알콕시 알킬 푸마레이트), 말레에이트 (예 : 디알릴 말레에이트), 알켄 및 이들의 조합으로 예시될 수 있다.
적합한 사이클로알케닐 실록산에는 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥실사이클로테트라 실록산으로 예시된 메틸비닐사이클로실록산 및 이들의 조합이 포함되고; 적합한 엔-인 화합물에는 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인이 포함되고; 적합한 트리아졸에는 벤조트리아졸; 포스핀; 메르캅탄; 히드라진이 포함되고; 적합한 아민에는 테트라메틸 에틸렌디아민이 포함된다. 아세틸렌계 알코올 억제제의 예에는 1-부틴-3-올, 1-프로핀-3-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3-페닐-1-부틴-3-올, 4-에틸-1-옥틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 및 1-에티닐-1-사이클로헥산올이 포함된다. 대안적으로, 상기 경화성 조성물에서 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 실릴화된 아세틸렌계 억제제일 수 있다.
특정 구현예에서, 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 (i) 알켄기; (ii) 알킨기; (iii) 불포화 에스테르, 대안적으로 말레에이트기; (iv) 푸마레이트; 또는 (v) (i) 내지 (iv)의 임의의 조합물을 포함한다.
특정 구현예에서, 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 알킨기를 포함한다. 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 하나 이상의 알킨기뿐만 아니라 다른 작용기를 포함할 수 있고, 유기 화합물 및/또는 유기 규소 화합물일 수 있다.
상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제로서 사용하기에 적합한 화합물의 하나의 특정 예는 디카르복시아세틸렌 에스테르이다. 디카르복시아세틸렌 에스테르는 다음 구조를 갖는다 :
Figure 112020015697295-pct00001
여기서 각각의 R3은 예를 들어 1 내지 22, 대안적으로 1 내지 10, 대안적으로 1 내지 6, 대안적으로 1 내지 4의 탄소 원자를 갖는 독립적으로 선택된 알킬기이다. R3으로 표시되는 알킬기는 선택적으로 독립적으로 치환될 수 있다.
상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제로서 적합한 화합물의 다른 특정 예는 알코올 또는 디올을 포함한다. 이러한 화합물은 광범위하게 알킨 알코올로 지칭될 수 있으며, 하나 이상의 알킨기 및 하나 이상의 알코올기를 포함한다. 알킨 알콜은 1가 알콜, 디올, 트리올 등일 수 있다. 알킨 알콜은 대안적으로 아세틸렌계 알콜로 지칭될 수 있다. 알킨 1수산기 알콜은 다음 구조를 가질 수 있다 :
Figure 112020015697295-pct00002
여기서 R4는 알키닐기를 포함하고, R5는 알코올기를 포함하고, 각각의 R6은 독립적으로 선택된 치환 또는 비치환된 하이드로카르빌기다. 적합한 하이드로카르빌기는 상기 정의되어 있고, 분지형, 환형, 선형, 아릴 등일 수 있다. 이러한 알킨 1수산기 알콜의 예시적인 종은 다음을 포함한다 :
Figure 112020015697295-pct00003
Figure 112020015697295-pct00004
및
Figure 112020015697295-pct00005
여기서 Ph는 페닐기를 나타낸다. 적합한 알킨 디올의 구체적인 예는 다음을 포함한다 :
Figure 112020015697295-pct00006
및
Figure 112020015697295-pct00007
여기서 각각의 R6은 상기 정의되고 독립적으로 선택되고, 각 R7은 H 및 NO2로부터 독립적으로 선택된다. 당업자는 이들 특정 예가 단지 예시일 뿐이며 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제로서 사용하기에 적합한 알킨 디올의 범위를 제한하지 않는다는 것을 이해한다. 적합한 알킨 화합물의 추가의 예에는, 단지 예시의 목적으로, 하기 알킨이 포함된다 :
Figure 112020015697295-pct00008
(여기서, 각 R6은 독립적으로 상기에 선택 및 정의되어 있고, 각각의 R8은 독립적으로 H 및 치환 또는 비치환된 하이드로카르빌기에서 선택되며, 각각의 R9는 독립적으로 선택된 치환 또는 비치환된 하이드로카르빌기이다. 치환 및 비치환된 하이드로카르빌기의 구현예는 상기 정의되어 있다.
실릴화된 아세틸렌계 화합물은 (3-메틸-1-부틴-3-옥시) 트리메틸실란, ((1,1-디메틸-2-프로피닐) 옥시) 트리메틸실란, 비스((3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸실란, 비스((3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란메틸비닐실란, 비스((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)디메틸실란, 메틸(트리스(1,1-디메틸-2-프로피닐옥시)실란, 메틸(트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸페닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)디메틸헥세닐실란, (3-메틸-1-부틴-3-옥시)트리에틸실란, 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)메틸트리플루오로프로필실란, (3,5-디메틸(3-페닐-1-헥신-3-옥시)트리메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디페닐메틸실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸페닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸비닐실란, (3-페닐-1-부틴-3-옥시)디메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)디메틸헥세닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시) 디메틸비닐실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시) 디페닐메틸 실란, (사이클로헥실-1-에틴-1-옥시)트리메틸실란 및 이들의 조합물을 포함한다. 대안적으로, 상기 (E) 하이드로실릴화 반응-억제제는 메틸(트리스(1,1-디메틸-2-프로피닐옥시))실란, ((1,1-디메틸-2-프로피닐)옥시)트리메틸실란 또는 이들의 조합물로 예를 나타낸다. 상기 (E) 하이드로실릴화 반응 억제제에 적합한-종의 구체적인 예에는, 비제한적으로, 트랜스-스틸벤, 시스-스틸벤, 디페닐아세틸렌, 3,3-디메틸-1-부틴, 바이사이클로[2.2.1] 헵트-2-엔, 바이사이클로[2.2.1] 헵타-2,5-디엔, 사이클로헥실아세틸렌, 1-에티닐사이클로헥센, 벤질 알코올, 아세틸아세톤, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올, 2-부틴-1-올, 4-펜틴-1-올, 2-부틴-1,4-디올, 메틸 프로파질 에테르, 3-부틴-1-올, 프로파질 알코올, 3-부틴-2-올, 3-메틸-1-펜텐-4-인-3-올, 3,3-디에톡시-1-프로핀, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐사이클로펜탄올, 1-에티닐-1-사이클로헥산올, 1-페닐-2-프로핀-1-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 1,1-다이페닐-2-프로핀-1-올, 테트라에틸 에틸렌테트라 카르복실레이트, 에틸 시나메이트, 에틸 소르베이트, 1,4-나프토퀴논, 말레산 무수물, 디에틸 푸마레이트, 디에틸 말레에이트, 디알릴 푸마레이트, 디알릴 말레에이트, 2-부틴-1,4-디올 디아세테이트, 메틸 프로피올레이트, 에틸 프로피올레이트, 에틸 페닐프로피올레이트, 디메틸 아세틸렌디카르복실레이트, 디에틸 아세틸렌디카르복실레이트, 디-tert-부틸 아세틸렌 디카르복실레이트, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐사이클로테트라실록산, 테트라시아노에틸렌, 1,3,5-트리알릴-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H, 3H, 5H)-트리온, 3-디메틸아미노-1-프로핀, n-메틸프로파질아민, 프로파질아민 및 1-에티닐사이클로헥실 아민이 포함된다.
상이한 화합물의 조합물들이 함께 사용되거나, 또는 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제로서 조합하여 사용될 수 있다. 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 전형적으로, 주변 조건에서, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물, 상기 (B) 유기규소 화합물, 및 존재하는 경우, 상기 (D) 오가노폴리실록산의 반응을 방지하기에 충분한 양으로 상기 경화성 조성물에 존재한다. 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제의 존재에도 불구하고 적어도 일부 반응이 일어날 수 있지만, 상기 경화성 조성물은 경화 조건이 적용될 때까지 경화성으로 유지된다. 상기 경화성 조성물은 추가로 1 성분 (1k), 2 성분 (2k) 또는 다성분 시스템 일 수 있다. 전형적으로, 상기 (C) 하이드로실릴화 촉매는 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제가 혼입된 후까지, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물, (B) 유기규소 화합물 또는 (D) 오가노폴리실록산과 배합되지 않는다.
특정 구현예에서, 상기 경화성 조성물은, 상기 경화성 조성물의 총 중량을 기준으로, 0 내지 15 중량%, 대안적으로 0.01 내지 10 중량%의 양으로 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제를 포함한다. 이들 또는 다른 구현예에서, 상기 경화성 조성물은 상기 (C) 하이드로실릴화-반응 촉매에 대한 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제의 몰비가 20 : 1 이상, 대안적으로 25 : 1 이상, 대안적으로 30 : 1 이상으로 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제를 포함한다.
다양한 구현예에서, 상기 경화성 조성물은 (F) 고정 첨가제를 추가로 포함한다.
적합한 고정 첨가제에는 전이 금속 킬레이트, 알콕시 실란과 같은 탄화수소 옥시 실란, 알콕시실란과 하이드록시-작용성 폴리오가노실록산의 조합물, 또는 이들의 조합물들이 포함된다. 고정 첨가제는 당 업계에 공지되어 있으며, 에폭시, 아세톡시 또는 아크릴레이트기와 같은 접착 촉진 작용기를 갖는 하나 이상의 SiC-결합 치환기를 포함하는 실란을 포함할 수 있다. 상기 접착-촉진 작용기는 추가로 또는 대안적으로 상기 (C) 하이드로실릴화 촉매에 영향을 미치지 않는 임의의 가수분해성 작용기일 수 있다. 대안적으로, 상기 (F) 고정 첨가제는 이러한 실란, 예를 들어 접착-촉진 작용기를 갖는 오가노폴리실록산의 부분 축합물을 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 (F) 고정 첨가제는 알콕시실란과 하이드록시-작용성 폴리오가노실록산의 조합을 포함할 수 있다.
대안적으로, 상기 (F) 고정 첨가제는 불포화 또는 에폭시-작용성 화합물을 포함할 수 있다. 상기 (F) 고정 첨가제는 불포화 또는 에폭시-작용성 알콕시실란을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 작용성 알콕시실란은 하나 이상의 불포화 유기 작용기 또는 에폭시 작용성 유기 작용기를 포함할 수 있다. 에폭시-작용성 유기 작용기는 3-글리시독시프로필 및 (에폭시사이클로헥실)에틸로 예시된다. 불포화 유기 작용기는 3-메타크릴로일옥시프로필, 3-아크릴로일옥시프로필, 및 비닐, 알릴, 헥세닐, 운데실레닐과 같은 불포화 1가 탄화수소기로 예시된다. 불포화 화합물의 하나의 구체적인 예는 비닐트리아세톡시 실란이다.
적합한 에폭시-작용성 알콕시실란의 특정예에는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디메톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디에톡시실란 및 이들의 조합물이 포함된다. 적합한 불포화 알콕시실란의 예에는, 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 헥세닐트리메톡시실란, 운데실레닐트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란 및 이들의 조합물이 포함된다.
상기 (F) 고정 첨가제는 또한 하나 이상의 이들 화합물의 반응 생성물 또는 부분 반응 생성물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 특정 구현예에서, 상기 (F) 고정 첨가제는 비닐트리아세톡시실란 및 3-글리시독시프로필트리메톡시실란의 반응 생성물 또는 부분 반응 생성물을 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가로, 상기 (F) 고정 첨가제는 알콕시 또는 알케닐 작용성 실록산을 포함할 수 있다.
일부 구현예에서, 상기 (F) 고정 첨가제는, 상기 기술된 바와 같이, 히드록시-말단화 폴리오가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란의 반응 생성물, 또는 상기 히드록시-말단화 폴리오가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란의 물리적 혼합물과 같은 에폭시-작용성 실록산을 포함할 수 있다. 상기 (F) 고정 첨가제는 에폭시-작용성 알콕시실란 및 에폭시-작용성 실록산의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, (F) 고정 첨가제는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 히드록시-말단화 메틸비닐실록산과 3-글리시독시프로필트리메톡시실란의 반응 생성물의 혼합물, 또는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 히드록시-말단화 메틸비닐실록산의 혼합물, 또는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 히드록시-말단화 메틸비닐/디메틸실록산 공중합체의 혼합물로 예시된다.
대안적으로, 상기 (F) 고정 첨가제는 전이 금속 킬레이트를 포함할 수 있다. 적합한 전이 금속 킬레이트에는 티타네이트, 지르코네이트, 예컨대 지르코늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 킬레이트, 예컨대 알루미늄 아세틸아세토 네이트, 및 이들의 조합이 포함될 수 있다. 대안적으로, 상기 (F) 고정 첨가제는 전이 금속 킬레이트와 알콕시 실란의 조합, 예컨대 글리시독시프로필트리메톡시실란과 알루미늄 킬레이트 또는 지르코늄 킬레이트의 조합을 포함할 수 있다.
다양한 구현예에서, 상기 경화성 조성물은 (G) 김서림 방지(anti-mist) 첨가제를 추가로 포함한다. 상기 (G) 김서림 방지 첨가제는 상기 경화성 조성물의 도포 동안 김서림을 감소, 최소화 또는 제거하기에 적합한 임의의 화합물 또는 성분일 수 있다. 상기 경화성 조성물이 전형적으로 무용매이기 때문에, 코팅 헤드 또는 도포도구를 통해 경화성 조성물을 기재에 고속으로 도포하면 경화성 조성물로부터 김서림이 생성될 수 있다.
특정 구현예에서, 상기 (G) 김서림 방지 첨가제는 김서림 방지 오가노폴리실록산을 포함한다. 김서림 방지 오가노폴리실록산은, 경화성 조성물에 존재하는 경우, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물 및 상기 (D) 오가노폴리실록산의 성분과 상이하다. 특정 구현예에서, 상기 (G) 김서림 방지 첨가제는 Q-분지형 디메틸비닐 말단 오가노폴리실록산을 포함한다. 상기 (G) 김서림 방지 첨가제는 25℃에서 점도가 30,000 내지 50,000, 대안적으로 35,000 내지 45,000의 센티포이즈일 수 있다.
상기 경화성 조성물은 착색제, 염료, 안료, 비반응성 실리콘 유체, 보존제 및/또는 방향제와 같은 다른 선택적인 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 특정 구현예에서, 상기 경화성 조성물은 성분 (A)~(C)만을, 또는 성분 (A)~(D)만을, 또는 성분 (A)~(E)만을, 또는 대안적으로 성분 (A)~(E)와 선택적으로 (F) 및/또는 (G) 중 임의의 것을 포함한다.
경화성 조성물의 제조 방법이 또한 제공된다. 상기 방법은 (A) 첨가제 오가노폴리실록산, 분자 당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 (B) 유기규소 화합물 및 (C) 하이드로실릴화 촉매를 조합하여 경화성 조성물을 제공하는 단계를 포함한다. 성분 (D), (E), (F) 및/또는 (G)가 또한 경화성 조성물에 존재하는 경우, 방법은 이러한 성분을 성분 (A), (B) 및 (C)와 조합하는 단계를 포함한다.
상기 성분들은 임의의 적합한 기술을 통해 그리고 임의의 첨가 순서로 배합될 수 있다. 특정 구현예에서, 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제는 상기 (C) 하이드로실릴화 촉매의 혼입 전에 이용되고 다른 성분과 조합된다. 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제의 분재 하에, 상기 경화성 조성물의 성분은 일단 결합되면 (C) 하이드로실릴화 촉매의 존재 하에 반응하기 시작할 수 있다.
대안적으로, 상기 경화성 조성물은 예를 들어 성분 (A) 및 (C)를 제 1 혼합물로서 조합하고 성분 (B)를 성분 (C)의 나머지와 제 2 혼합물로서 혼합함으로써 제조될 수 있다. 제 1 및 제 2 혼합물은 조합되어 경화성 조성물을 제공할 때까지 반응성이 없다. 대안적으로, 각 구성 요소는 개별적으로 저장 및 공급될 수 있다. 상기 경화성 조성물이 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제를 포함하지 않는 경우, 상기 경화성 조성물은 전형적으로 최종 사용 적용 직전에 제조된다. 대조적으로, 상기 (E) 하이드로실릴화-반응 억제제의 포함은 상기 경화성 조성물의 저장 수명 및 안정성을 연장시킨다.
본 발명은 또한 필름을 형성하는 방법을 제공한다. 필름은 기재 상에 형성되기 때문에 대안적으로 코팅으로 지칭될 수 있다. 상기 필름은 또한 최종 용도에 따라 이형 라이너 또는 라이너로 지칭될 수 있다. 상기 필름은 기재에서 박리가능할 수 있거나, 기재에 화학적 및/또는 물리적으로 접착될 수 있다.
상기 방법은 기재 상에 상기 경화성 조성물을 도포하여 증착물을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 증착물로 기재 상에 필름을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
상기 기재는 제한되지 않으며, 필름의 최종 용도 적용에 따라 임의의 기재일 수 있다. 적합한 기재의 예에는 종이, 판지 및 목재와 같은 셀룰로오스 물질; 알루미늄, 철, 강철 또는 이들의 합금과 같은 금속; 세라믹, 유리 및 콘크리트와 같은 규산질 물질이 포함된다. 상기 기재는 또한 플라스틱 기재일 수 있다. 적합한 플라스틱 기재의 구체적인 예에는 폴리 아미드(PA); 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트(PTT), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 액정 폴리 에스테르 등과 같은 폴리에스테르; 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리부틸렌 등과 같은 폴리올레핀; 스타이렌계 수지; 폴리옥시메틸렌(POM); 폴리카보네이트(PC); 폴리메틸렌메타크릴레이트(PMMA); 폴리염화비닐(PVC); 폴리페닐렌설파이드(PPS); 폴리페닐렌 에테르(PPE); 폴리이미드(PI); 폴리아마이드이미드(PAI); 폴리에테르이미드(PEI); 폴리설폰(PSU); 폴리에테르설폰; 폴리케톤(PK); 폴리에테르케톤(PEK); 폴리비닐 알코올(PVA); 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리에테르케톤케톤(PEKK); 폴리아릴레이트(PAR); 폴리에테르니트릴(PEN); 페놀 수지; 페녹시 수지; 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스, 셀로판 등과 같은 셀룰로오스; 폴리테트라플루오로에틸렌과 같은 플루오르화된 수지; 폴리스타이렌계, 폴리올레핀 계, 폴리우레탄계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 폴리부타디엔계, 폴리이소프렌계, 플루오로계 등의 열가소성 엘라스토머; 및 이들의 공중 합체, 변형 및 조합이 포함된다.
상기 필름의 우수한 제어 방출 특성을 고려하여, 상기 기재는 감압 접착제를 포함하는 원하는 최종 용도 용도에 기초하여 선택될 수 있다. 예를 들어, 감압 접착제는 상기 필름에서 제어 가능하게 방출될 수 있고, 따라서 상기 필름은 감압 접착제를 위한 테이프 또는 다른 기재를 형성하는데 이용될 수 있다. 이들 구현예에서, 상기 기재는 가요성일 수 있다. 그러나, 상기 기재는 대안적으로 강성이거나 강성 및 가요성의 조합물일 수 있다. 상기 기재는 임의의 특성 또는 치수에서 연속적이거나 불연속적일 수 있다.
전형적으로, 상기 경화성 조성물은 습식 코팅 기술을 통해 습식 형태로 기재에 도포된다. 특정 구현예에서, 상기 조성물은 i) 스핀 코팅; ii) 브러시 코팅; iii) 드롭 코팅; iv) 스프레이 코팅; v) 딥 코팅; vi) 롤 코팅; vii) 흐름 코팅; viii) 슬롯 코팅; ix) 그라비아 코팅; 또는 x) i) 내지 ix) 중 임의의 조합에 의해 도포된다. 상기 기재가 가요성인 구체적인 구현예, 예를 들어 종이에서, 상기 습식 코팅 기술은 후미 블레이드 코팅기, 키스 롤, 그라비아 롤 및/또는 오프셋 인쇄 롤을 이용할 수 있다.
특정 구현예에서, 상기 기재에 도포된 경화성 조성물의 양은 상기 기재 표면의 제곱미터 당 0.1 내지 2.0 그램의 양이다.
상기 경화성 조성물을 도포함으로써 형성된 증착물은 전형적으로 미경화된 필름이다. 상기 미경화된 필름은 적어도 부분 경화를 겪을 수 있지만, 경화 조건(예를 들어 열)의 적용시 경화성으로 남아있는다.
상기 증착물로부터 필름을 형성하는 것은 일반적으로 증착물을 경화시키는 단계를 포함한다.
상기 증착물은 전형적으로 일정 시간 동안 고온에서 경화된다. 상기 상승된 온도는 전형적으로 50 내지 300, 대안적으로 100 내지 250, 대안적으로 150 내지 200℃이다. 상기 기간은 전형적으로 상기 경화성 조성물을 포함하는 증착물의 경화, 즉 가교를 시행하기에 충분하다. 특정 구현예에서, 상기 기간은 증착물의 치수의 함수이다. 특정 구현예에서, 상기 기간은 1 분 미만, 대안적으로 30 초 미만, 대안적으로 15 초 미만, 대안적으로 10 초 미만, 대안적으로 5 초 미만이다. 상기 열 공급원은 임의의 적합한 공급원일 수 있다. 예를 들어, 상기 증착물이 기재와 접촉할 때 경화되도록 상기 기재가 가열될 수 있다. 대안적으로, 상기 기재 및 증착물은 오븐 내에 배치되거나 오븐을 통과할 수 있다.
상기 증착물 및 필름의 두께 및 다른 치수에 따라, 상기 필름은 또한 반복 공정을 통해 형성될 수 있다.
특정 구현예에서, 접착제가 증착물로 형성된 필름 상에 적층된다. 상기 접착제는 임의의 접착제, 예를 들어 아크릴레이트계 접착제, 실리콘계 접착제 등일 수 있다. 본 발명의 필름은 유리하게는 낮은 박리 속도에서 높은 방출력을, 그리고 높은 박리 속도에서 낮은 방출력을 전달한다. 손 박리 적용에서, 낮은 방출력은 바람직하지 않은 라벨의 분배를 야기 할 수 있으며, 이는 본 발명의 필름에 의해 제공된 낮은 박리 속도에서 높은 방출력을 통해 회피된다.
첨부된 청구범위는 상세한 설명에 기재된 특정한 화합물, 조성물 또는 방법을 표현하는 데 제한되지 않으며, 이는 첨부된 청구범위의 범위에 속하는 특정한 구현예들 사이에서 달라질 수 있다고 이해되어야 한다. 다양한 구현예의 특정한 특징 또는 양태를 설명하기 위해 본원에서 사용되는 임의의 마쿠시(Markush) 그룹과 관련하여, 상이한, 특수한 및/또는 예상치 못한 결과는 모든 다른 마쿠시 구성원으로부터 독립적인 각각의 마쿠시 그룹의 각각의 구성원으로부터 수득될 수 있다. 마쿠시 그룹의 각각의 구성원은 개별적으로 및/또는 조합으로 사용될 수 있으며, 첨부된 청구범위의 범위에 속하는 특정한 구현예에 대한 적절한 뒷받침을 제공한다.
나아가, 본 발명의 다양한 구현예를 설명하는데 사용되는 임의의 범위 및 하위범위는 독립적으로 및 집합적으로 첨부된 청구범위의 범위에 속하며, 이러한 값이 본원에 명백하게 기재되지 않은 경우에도 그 안의 전체 및/또는 단편적인 값을 포함하는 모든 범위를 설명하고 고려한다고 이해된다. 당업자는, 열거된 범위 및 하위범위가 본 발명의 다양한 구현예를 충분히 설명하고 가능하게 하며, 이러한 범위 및 하위범위가 관련된 1/2, 1/3, 1/4, 1/5 등으로 추가로 기술될 수 있다는 것을 용이하게 인식한다. 단지 하나의 예로서, "0.1 내지 0.9"의 범위는 하위 1/3, 즉, 0.1 내지 0.3, 중간 1/3, 즉, 0.4 내지 0.6, 및 상위 1/3, 즉, 0.7 내지 0.9로 추가로 기술될 수 있으며, 이는 개별적으로 및 집합적으로 첨부된 청구범위의 범위 내에 속하며, 개별적으로 및/또는 집합적으로 사용될 수 있고, 첨부된 청구범위의 범위 내 특정한 구현예에 대한 적절한 뒷받침을 제공할 수 있다. 또한, "적어도", "~보다 큰", "~보다 작은", "이하" 등과 같이 범위를 정의하거나 변형시키는 언어와 관련하여, 이러한 언어는 하위범위 및/또는 상한 또는 하한을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또 다른 예로서, "적어도 10"의 범위는 본질적으로 적어도 10 내지 35의 하위범위, 적어도 10 내지 25의 하위범위, 25 내지 35의 하위범위 등을 포함하고, 각각의 하위범위는 개별적으로 및/또는 집합적으로 사용될 수 있으며, 첨부된 청구범위의 범위 내 특정한 구현예에 대한 적절한 뒷받침을 제공한다. 최종적으로, 개시된 범위 내 개별적인 숫자는 첨부된 청구범위의 범위 내 특정한 구현예에 따라 사용될 수 있고, 이에 대한 적절한 뒷받침을 제공한다. 예를 들어, "1 내지 9"의 범위는 3과 같은 다양한 개별 정수뿐 아니라, 4.1과 같은 소수점 (또는 분수)을 포함하는 개별 숫자를 포함하며, 이는 첨부된 청구범위의 범위 내 특정한 구현예에 따라 사용될 수 있고, 이에 대한 적절한 뒷받침을 제공한다.
하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 어떠한 방식으로든 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것으로 여겨서는 안된다.
다양한 첨가제 오가노폴리실록산 조성물이 본 개시 내용에 따라 제조된다. 좀 더 구체적으로, 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 본 개시 내용에 따라 경화성 조성물을 제조하기 위해 제조되고 이용된다. 다른 첨가제 오가노폴리실록산 조성물, 및 이로부터 제조 된 경화성 조성물이 또한 제조되오, 본 발명의 첨가제 오가노폴리실록산 조성물 및 경화성 조성물과 비교된다.
제조 실시예 1 : 첨가제 오가노폴리실록산 조성물
일반적으로, 상기 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 오가노폴리실록산 중합체(오가노폴리실록산 중합체 1)와 실리콘 수지를 주위 온도의 병에서 함께 배합하여 혼합물을 형성함으로써 제조하였다. 이어서 혼합물을 필름 증발기(120~150℃; <1 토르)를 사용하여 제거하였고, 선택적으로 오가노폴리실록산 중합체(폴리실록산 중합체 2)의 추가적인 양과 조합하여 특정 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 제공하였다.
실행예 1~11 및 비교예 1 및 2
특히, 13 개의 상이한 첨가제 오가노폴리실록산 조성물(실제 실시예 1~11 및 비교예 1 및 2)을 상기 제조 실시예 1에 기재된 일반적인 절차에 따라 제조 하였다. 13 개의 상이한 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 이들의 각각의 양과 함께 제조하는데 사용된 특정 오가노폴리실록산 중합체 및 실리콘 수지를 하기 표 1에 제시하였다.
Figure 112020015697295-pct00009
오가노폴리실록산 중합체 P-1은 M, D 및 Q 실록시 단위로 구성되고 약 3% 비닐 함량(중량%) 및 28의 중합도(DP)를 갖는 분지형 비닐디메틸실록시-작용성 폴리실록산이다.
오간폴리실록산 중합체 P-2는 M, Q 및 D 실록시 단위로 구성되고 약 5.8% 비닐 함량 및 12의 DP를 갖는 분지형 비닐디메틸실록시-작용성 폴리실록산이다.
오가노폴리실록산 중합체 P-3은 비닐 함량이 3% 인 선형 비닐디메틸실록시 작용성 폴리실록산이다.
오가노폴리실록산 중합체 P-4는 비닐 함량이 2.7%이고 DP가 25 인 선형 비닐디메틸실록시-작용성 폴리실록산이다.
실리콘 수지 SR-1은 M:Q 비율이 0.88:1.00이고, 비닐 함량이 2.1%이고, OH 함량이 1.8%이고 크실렌 중 고형분 76.84 중량%로 활용되는 비닐디메틸실록시-작용성 MQ 수지이다.
실리콘 수지 SR-2는 M:Q 비율이 0.99:1.00이고, 비닐 함량이 3.2%이고, OH 함량이 0.9%이고 크실렌 중 고형분 77.72 중량%로 활용되는 비닐디메틸실록시-작용성 MQ 수지이다.
실리콘 수지 SR-3은 M:Q 비율이 0.88:1.00이고, 비닐 함량이 5.0%이고, OH 함량이 1.0%이고 크실렌 중 고형분 73.88 중량%로 활용되는 비닐디메틸실록시-작용성 MQ 수지이다.
실리콘 수지 SR-4는 M:Q 비율이 94:1.00이고, 비닐 함량이 4.1%이고, OH 함량이 1.5%이고 크실렌 중 고형분 63.97 중량%로 활용되는 비닐디메틸실록시-작용성 MQ 수지이다.
실리콘 수지 SR-5는 비닐 함량이 2%(94중량%)인 비닐디메틸실록시-작용성 MQ 수지와 비닐 함량이0%(6 중량%)인 MQ 수진의 조합물이다.
상기 제조된 각각의 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 샘플을 29Si NMR을 통해 분석하여 비닐 함량(중량%)을 결정하였다. 실행예 1~11 및 비교예 1 및 2의 각각의 첨가제 오가노폴리실록산 조성물에 대한 실리콘 수지 대 오가노폴리실록산 중합체의 비닐 함량 및 비율(중량/중량, calc.)은 하기 표 2에 도시되어 있다.
Figure 112020015697295-pct00010
제조예 2 : 경화성 조성물
상기 경화성 조성물은 유기규소 화합물, 첨가제 오가노폴리실록산 조성물, 반응 억제제, 김서림 방지 첨가제, 가교제 및 하이드로실릴화 촉매를 순서대로 함께 (오버 헤드 믹서를 통해, ~ 1400 rpm으로) 혼합함으로써 제조하였다.
실행예 12~20 및 비교예 3~5
실행예 1~9 및 비교예 1 및 2의 첨가제 오가노폴리실록산 조성물을 사용하여 상기 제조예 2에 기재된 일반적인 절차에 따라 12 개의 상이한 경화성 조성물을 제조하였다. 실행예 12 및 비교예 3~4는 상기 경화성 조성물 중 상기 상응하는 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 50 중량%의 농도를 기준으로하며, 하기 표 3에 도시되어 있다. 실행예 13~20 및 비교예 5는 상기 경화성 조성물 중 상기 상응하는 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 30 중량%의 농도를 기준으로하며, 하기 표 4에 도시되어 있다. 표 3 및 4에서 P.E.는 실용예, C.E.는 비교예를 나타낸다.
Figure 112020015697295-pct00011
Figure 112020015697295-pct00012
성분 (D)는 분지형 비닐디메틸실록시-작용성 폴리실록산으로 비닐 함량은 1.2%이고, DP는 160이다.
성분 (E)는 에티닐 사이클로헥산올(EtCH)을 포함하는 하이드로실릴화 반응 억제제이다.
성분 (G)는 25℃에서 40,000 cP의 점도를 갖는 비닐디메틸실록시-작용성 폴리실록산을 포함하는 김서림 방지 첨가제이다.
성분 (B)는 수소 함량이 1.19%인 Si-H 작용성 유기 폴리실록산을 포함하는 유기 규소 화합물이다.
성분 (C)는 비닐디메틸 실록시-작용성 폴리실록산에 백금의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물을 포함하는 하이드로실릴화 촉매이다.
실행예 12~20 및 비교예 3~5의 각각의 경화성 조성물은, 하기에 기술된 바와 같이, 제조 후 1 시간 이내에, 라이너에 코팅된다.
제조 예 3 : 필름 형성
형성 1 시간 이내에, 실용예 12~20 및 비교예 3~5의 각각의 경화성 조성물의 샘플을 기재(라이너) 상에 도포하여(3 개의 롤 그라비아 코팅 헤드; 코팅 중량 0.8~0.9 #/rm), 증착물을 생성하였다. 이어서, 상,기 증착물을 가열하여(오븐을 통해 4 초 통과, 360℉ 경화를 통해 기재 상에 필름(즉, 경화 된 조성물)을 형성하였다.
제조예 4 : 라미네이트 형성
상기 제조예 3에서 형성된 필름을 각각 접착제(코팅 중량 11~12 #/rm)로 코팅하고, 2 개의 가열 구역(110℉에서 제 1 구역; 220℉에서 제 2 구역)을 갖는 오븐을 18 초 동안 통과시켜, 접착제를 건조하여 상기 경화된 조성물에 인접하여 접착제 층을 제공하였다. 이어서, 제 2 기재 (페이스 스톡)를 접착제층 상에 적층하여, 상기 제 2 기재, 상기 접착제층, 상기 경화된 조성물 및 상기 기재를 순차적으로 포함하는 최종 라미네이트를 제공하였다.
라미네이트 분석
상기 제조예 4에서 제조한 각 라미네이트의 시험 샘플을 7일 동안 숙성(70℉; 상대 습도 50%)하여 숙성된 라미네이트를 수득하였다. 상기 숙성된 라미네이트를 박리하기 위해 요구되는 기계적 박리력은 the FINAT Technical Handbook 6th Edition (2001)에 명시된 FTM 3 : 저속 방출력(0.3M / 분) 및 FTM 4 : 고속 방출력 (10, 300MPM) 기법에 따라 180도 박리각에서 측정하였다. 특히, 상기 경화된 접착제층은 각각의 속도에서 상기 경화된 조성물에서 박리하였고, 각 속도에서의 방출력을 기록하여 기준 제형과 비교하였다(비교예 1). 기준 제형에 대한 고속(300 MPM)에서의 방출력의 개선은 다음 수학식 1을 사용하여 정량화하였다:
% Delta(고속) = 100 x [(300MPM에서 방출력) - (10MPM에서 방출력)] / (10MPM에서 방출력)
델타 값%가 작을수록, 기준 제형(즉, 비교예 1)에 비해 고속에서 방출력의 증가를 최소화하는데 상기 경화된 조성물이 더 효과적이었다.
비교예 3 및 4에서 얻어진 것과 비교하여, 실행예 12의 경화성 조성물로 제조된 라미네이트의 기계적 박리력 분석 결과는 하기 표 5에 명시하였다.
Figure 112020015697295-pct00013
비교예 5에서 수득된 것과 비교하여, 실행예 13~20의 경화성 조성물로 제조된 라미네이트의 기계적 박리력 분석 결과는 하기 표 6에 명시되어 있다.
Figure 112020015697295-pct00014
결과
상기에 나타낸 바와 같이, 실행예 12 및 비교예 3 및 4의 경화성 조성물로 제조된 라미네이트의 기계적 박리력 분석 결과를 비교한 결과, 실행예 12의 비닐 함량이 그의 분지형 구조와 함께, 수동 필링 작업에 중요한 저속 기계적 방출력에 상당한 영향을 미침이 입증되었다. 낮은 방출력은 예를 들어, 라벨의 부주의한 분배를 초래할 수 있으므로 바람직하지 않다. 또한, 실행예 12는 방출 속도의 증가에 따른 기계적 방출력의 비정형적인 감소를 보여준다. 박리 속도의 증가와 정상적으로 관련된 박리력이 너무 크면 웹 파손을 일으킬 수 있기 때문에 이 특성이 바람직하다. 또한, 실행예 3~9의 첨가제 오가노폴리실록산 조성물로 제제화된 실행예 13~20은 선형 오가노폴리실록산 중합체로 제제화된 비교예 5의 것보다 더 높은 저속 기계적 방출력을 나타내는 것으로 관찰하였다.
본 발명은 예시적인 방식으로 기재되었으며, 사용된 용어는 제한이 아니라 설명의 특성으로 의도된 것으로 이해되어야 한다. 명백하게, 상기 교시를 고려하여 본 발명의 다수의 변경 및 변화가 가능하다. 본 발명은 구체적으로 기재된 것과 다르게 실행될 수 있다.

Claims (15)

  1. (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물로서,
    (A1) 하기 일반식을 갖는 분지형 오가노폴리실록산 중합체:
    (R1 3-xR2 xSiO1/2)a(R1 2-yR2 ySiO2/2)b(SiO4/2)c
    (여기서, 각각의 R1은 독립적으로 치환 또는 비치환된 하이드로카르빌기이고; 각각의 R2는 독립적으로 지방족 불포화기이고; x는 0 내지 3이고, y는 0 내지 2이되, 단 x 및 y는 동시에 0이 아니며; a + b + c = 1 인 경우 0 <a ≤ 0.3, 0.4 ≤ b ≤ 0.97 및 0 < c ≤ 0.3이고; 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체가 분자당 평균 3 개 이상의 R2기를 가짐); 및
    (A2) 하기 화학식을 갖는 실리콘 수지:
    (R1 3-zR2 zSiO1/2)d(SiO4/2)e
    (여기서, 각각의 R1 및 R2는 독립적으로 상기에서 선택 및 정의되고; 0.2≤d≤0.7, 0.3≤e≤0.8이되, 단, d + e = 1이고; z는 0 내지 3이되, 단, 상기 (A2) 실리콘 수지는 R2의 함량이, 상기 (A2) 실리콘 수지의 총 중량을 기준으로, 1.5 내지 7.0 중량%임)을 포함하되;
    상기 첨가제 오가노폴리실록산 조성물은 1.5 내지 7.0 중량%의 지방족 불포화 기의 함량을 갖는, (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (i) 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체가 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체의 총 중량을 기준으로, 2.0 내지 7.0 중량%의 R2의 함량을 가지거나;
    (ii) 상기 (A2) 실리콘 수지에서 d:e의 비율이 0.6 : 1 내지 1.1 : 1이거나; 또는
    (iii) (i) 및 (ii) 둘 모두인 것인 첨가제 오가노폴리실록산 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체가 하기 일반식을 갖는 것인 첨가제 오가노폴리실록산 조성물:
    Si-[[OSiR2 yR1 2-y]b'[OSiR2 xR1 3-x]]4
    (여기서, 각 R1 및 R2는 독립적으로 상기에서 선택 및 정의되고, x 및 y는 상기에서 정의되며, 각 b'는 독립적으로 0 내지 100임).
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, (i) 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 첨가제 조성물이 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체 및 상기 (A2) 실리콘 수지로 구성되거나;
    (ii) 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물이, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 (A1) 분지형 오가노폴리실록산 중합체를 30 내지 70중량%의 양으로, 그리고 상기 (A2) 실리콘 수지를 70 내지 30중량%의 양으로 포함하거나; 또는
    (iii) (i) 및 (ii) 둘 모두인 것인 첨가제 오가노폴리실록산 조성물.
  5. 경화성 조성물로서,
    (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물로서, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산은 제1항 또는 제2항의 것인, 첨가제 오가노폴리실록산 조성물;
    (B) 분자당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 유기 규소 화합물; 및
    (C) 하이드로실릴화 촉매를 포함하는, 경화성 조성물.
  6. 제5항에 있어서, (i) (D) 분자당 2 개 이상의 규소-결합 지방족 불포화기를 갖는 오가노폴리실록산;
    (ii) (E) 하이드로실릴화-반응 억제제;
    (iii) (F) 고정 첨가제;
    (iv) (G) 김서림 방지 첨가제; 또는
    (v) (i)~(iv)의 조합물 중 임의의 것을 추가로 포함하는, 경화성 조성물.
  7. 삭제
  8. 제5항의 경화성 조성물을 제조하는 방법으로서,
    상기 방법이 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산, 상기 (B) 분자당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 유기규소 화합물, 및 상기 (C) 하이드로실릴화 촉매를 배합하여 상기 경화성 조성물을 제공하는 단계를 포함하는, 방법.
  9. 필름을 형성하는 방법으로서,
    기재 상에 경화성 조성물을 도포하여 증착물을 제공하는 단계; 및
    상기 증착물로부터 상기 기재 상에 필름을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 경화성 조성물이 제5항의 경화성 조성물인 것인, 방법.
  10. 이형 코팅 조성물로서,
    (A) 첨가제 오가노폴리실록산 조성물로서, 상기 (A) 첨가제 오가노폴리실록산은 제1항 또는 제2항의 것인, 첨가제 오가노폴리실록산 조성물;
    (B) 분자당 2 개 이상의 규소-결합 수소 원자를 갖는 유기 규소 화합물;
    (C) 하이드로실릴화 촉매;
    (D) 분자당 2 이상의 규소-결합 지방족 불포화기를 갖는 오가노폴리실록산; 및
    (E) 하이드로실릴화 반응 억제제를 포함하는, 이형 코팅 조성물.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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