KR102137428B1 - 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치 - Google Patents

노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102137428B1
KR102137428B1 KR1020157022119A KR20157022119A KR102137428B1 KR 102137428 B1 KR102137428 B1 KR 102137428B1 KR 1020157022119 A KR1020157022119 A KR 1020157022119A KR 20157022119 A KR20157022119 A KR 20157022119A KR 102137428 B1 KR102137428 B1 KR 102137428B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical system
micro lens
exposure
imaging optical
micro
Prior art date
Application number
KR1020157022119A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150120981A (ko
Inventor
카즈키 코모리
Original Assignee
가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 filed Critical 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링
Publication of KR20150120981A publication Critical patent/KR20150120981A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102137428B1 publication Critical patent/KR102137428B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/18—Optical objectives specially designed for the purposes specified below with lenses having one or more non-spherical faces, e.g. for reducing geometrical aberration
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/24—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for reproducing or copying at short object distances
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/18—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical projection, e.g. combination of mirror and condenser and objective
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/02—Simple or compound lenses with non-spherical faces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

결상 광학계의 수차를 보정하는 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치를 제공한다. 광원으로부터의 광(B)을 변조하는 화소부(74)가 배열된 공간 광변조 소자(34)와, 상기 공간 광변조 소자(34)로 변조된 광을 집광하는 마이크로 렌즈(64a)가 평면 상에 배열된 마이크로 렌즈 어레이(64)와, 상기 공간 광변조 소자(34)에 의해 변조된 광(B)을 상기 마이크로 렌즈 어레이(64)에 결상하는 제 1 결상 광학계(52)와, 상기 마이크로 렌즈 어레이(64)로 집광된 광(B)을 감광 재료(P) 상에 결상하는 제 2 결상 광학계(58)를 구비하고, 상기 마이크로 렌즈 어레이(64)는 상기 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58c)으로부터의 거리에 따라서 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈(64a)가 배열된 노광 광학계(100).

Description

노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치{EXPOSURE OPTICS, EXPOSURE HEAD, AND EXPOSURE DEVICE}
본 발명은 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치에 관한 것이다.
노광 헤드를 구비하고, 그 노광 헤드에 의해 소망의 패턴을 감광 재료 상에 노광하는 화상 노광 장치가 알려져 있다. 이 종류의 화상 노광 장치의 노광 헤드는 기본적으로 광원과, 그 광원으로부터 조사된 광을 제어 신호에 따라서 각각 독립적으로 변조하는 다수의 화소부가 배열되어 이루어지는 공간 광변조 소자와, 그 공간 광변조 소자에 의해 변조된 광에 의한 상을 감광 재료 상에 결상하는 결상 광학계를 구비하고 있다.
상기 화상 노광 장치의 노광 헤드의 구성예로서 광원과 다수의 마이크로 미러를 구비한 광변조 소자로서의 디지털·마이크로 미러·디바이스(이하, 「DMD」라 칭함)와, 그 다수의 마이크로 미러에 의해 변조된 다수의 광선 다발을 각각 개별적으로 집광하는 다수의 마이크로 렌즈가 배열된 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 구성이 나타내어져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
이러한 마이크로 렌즈 어레이를 사용한 구성에 의하면 감광 재료 상에 노광되는 화상의 사이즈를 확대하는 등 해도 공간 광변조 소자의 각 화소부로부터의 광선 다발은 마이크로 렌즈 어레이의 각 마이크로 렌즈에 의해 집광되므로 감광 재료 상에 있어서의 노광 화상의 화소 사이즈(=각 광선의 스팟 사이즈)는 압축되어 작게 유지되어 화상의 선예도를 높게 유지할 수 있다는 이점이 있다.
일본 특허 공개 2007-33973호 공보에 나타내어져 있는 노광 헤드는 상기 마이크로 렌즈 어레이의 사출측에 결상 광학계를 더 구비하고, 감광 재료의 표면(노광면)에 공간 광변조 소자의 각 화소부로부터의 광선 다발을 스팟으로서 결상시키고 있다.
그러나, 화상 노광 장치에 있어서 마이크로 렌즈 어레이의 사출측에 형성된 결상 광학계의 모든 수차가 감광면 상의 스팟 형상에 영향을 주어 스팟의 확대나 변형에 의해 초점을 열화시키고 있는 요인도 되어 있다.
상기 일본 특허 공개 2007-33973호 공보에 기재되어 있는 예에서는 특히 화상 주변부에 있어서 현저한 결상 광학계의 축외 수차가 스팟 형상에 부여하는 영향을 면할 수는 없다.
본 발명은 상기 사실을 고려하여 결상 광학계의 수차를 보정하는 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 제 1 실시형태는 광원으로부터의 광을 변조하는 화소부가 배열된 공간 광변조 소자와, 상기 공간 광변조 소자로 변조된 광을 집광하는 마이크로 렌즈가 평면 상에 배열된 마이크로 렌즈 어레이와, 상기 공간 광변조 소자에 의해 변조된 광을 상기 마이크로 렌즈 어레이에 결상하는 제 1 결상 광학계와, 상기 마이크로 렌즈 어레이로 집광된 광을 감광 재료 상에 결상하는 제 2 결상 광학계를 구비하고, 상기 마이크로 렌즈 어레이는 상기 제 2 결상 광학계의 광축으로부터의 거리에 따라서 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈가 배열된다.
상기 발명에 의하면 노광 광학계에 존재하는 수차를 형상이 다른 마이크로 렌즈를 배치한 마이크로 렌즈 어레이로 보정할 수 있다. 이 구성에서는 어떤 보정 광학계를 광로 중에 삽입하지 않고 마이크로 렌즈 자체의 형상을 광축으로부터의 거리에서 변화시켜 결상 광학계의 축외 수차를 보정하고 있으므로 노광 광학계 전체의 성능(명도, 콘트라스트 등)을 열화시키지 않고 수차를 보정할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시형태는 상기 제 2 결상 광학계에서의 좌표를 나타내는 극좌표를 ρL2, φL2, Zernike 표준 함수를 Zi(ρ,φ), 상기 제 2 결상 광학계의 제 i 항의 Zernike 표준 계수를 Δi로 했을 때, 상기 제 2 결상 광학계의 어느 상 위치에서 식 1로 나타내어지는 수차가 존재할 때, 상기 마이크로 렌즈 표면에서의 좌표를 나타내는 파라미터를 r, φML, 상기 마이크로 렌즈의 개구부의 최대 반경을 rmax, 보정 전의 상기 마이크로 렌즈의 면 형상의 곡률을 c, 상기 광의 파장을 λ, 상기 마이크로 렌즈 어레이의 소재의 굴절률을 n, Zernike 표준 함수를 Zi(r/rmax, φ)로 하면 상기 마이크로 렌즈의 일부는 상기 제 2 결상 광학계의 상기 수차를 보정하는 식 2, 3(후술)으로 기술되는 면 형상이다.
상기 발명에 의하면 제 2 결상 광학계에 존재하는 축외 수차를 제 2 결상 광학계의 광축으로부터의 거리에 따라서 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈를 배치한 마이크로 렌즈 어레이에 의해 보정함으로써 보정 광학계를 사용하지 않고 간단한 구조로 축외 수차 보정을 할 수 있다.
본 발명의 제 3 실시형태는 상기 마이크로 렌즈 어레이가 i≥4를 만족시키는 i의 일부에 관해서 상기 식 3을 만족시키고, 그 이외의 i에 관해서는 ΔM(i)=0을 만족시킨다.
상기 발명에 의하면 비점 수차나 3차 코마 수차 등 빔의 대칭성을 잃는 4차 이상의 고차 수차를 특별히 선택하여 보정함으로써 감광 재료 표면에 있어서의 빔 스팟의 형상을 유지할 수 있다.
본 발명의 제 4 실시형태는 제 1~제 3 실시형태 중 어느 한 항에 기재된 노광 광학계를 포함한다.
상기 발명에 의하면 노광 광학계에 존재하는 수차를 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈를 배치함으로써 마이크로 렌즈 어레이로 보정할 수 있다. 이 구성에서는 어떤 보정 광학계를 광로 중에 삽입하지 않고 마이크로 렌즈 자체의 형상을 광축으로부터의 거리에서 변화시켜 축외 수차를 보정하고 있으므로 노광 광학계의 성능을 열화시키지 않고 수차를 보정할 수 있다.
본 발명의 제 5 실시형태는 본 발명의 제 4 실시형태에 기재된 노광 헤드를 포함한다.
상기 발명에 의하면 노광 광학계에 존재하는 수차를 형상이 다른 복수 종류의 마이크로 렌즈를 배치함으로써 마이크로 렌즈 어레이로 보정할 수 있다. 이 구성에서는 어떤 보정 광학계를 광로 중에 삽입하지 않고 마이크로 렌즈 자체의 형상을 광축으로부터의 거리에서 변화시켜 축외 수차를 보정하고 있으므로 노광 광학계의 성능을 열화시키지 않고 수차를 보정할 수 있다.
(발명의 효과)
본 발명은 상기 구성으로 했으므로 결상 광학계의 수차를 보정하는 마이크로 렌즈 어레이를 구비한 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치로 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 노광 장치의 주요부를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 노광 헤드의 주요부를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 의한 광학계에 사용되는 DMD의 구조예를 나타내는 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 실시형태에 사용되는 DMD의 온 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4b는 본 발명의 실시형태에 사용되는 DMD의 오프 상태를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 의한 광학계의 DMD 이후의 광학 엘리먼트 배치를 나타내는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 의한 광학계에 사용되는 마이크로 렌즈 어레이의 제 2 결상 광학계 광축에 대한 복수 종류의 마이크로 렌즈의 배열을 나타내는 개념도이다.
도 7a는 본 발명의 실시형태에 의한 광학계의 마이크로 미러로 변조된 빔이 감광 재료(P) 상에서 빔 스팟(PB)으로서 결상될 때, 마이크로 렌즈, 제 2 결상 광학계, 감광 재료(P)에 있어서의 각 좌표계에서의 빔의 위치를 나타내는 광로도이다.
도 7b는 마이크로 렌즈의 면 형상에 있어서의 광축으로부터의 거리(동경 방향)와 방사 방향을 나타내는 도면이다.
도 7c는 마이크로 렌즈 표면에 있어서의 극좌표를 나타내는 도면이다.
도 7d는 제 2 결상 광학계에 있어서의 수차를 나타내는 동좌표계이다.
도 8a는 Zernike 표준 계수의 정의를 나타내는 수표이다.
도 8b는 도 8a를 사용한 표준 Zernike 다항식의 예이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 의한 광학계에 사용되는 마이크로 렌즈 어레이의 제 2 결상 광학계 광축으로부터의 거리에 대한 고차 수차의 증감에 의한 빔 스팟 형상의 변화를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에 의한 마이크로 렌즈의 면 형상을 나타내는 개념도이다. 도 10a는 광축으로부터 묘화 범위까지의 상 위치(거리) 70%에 있어서의 수차를 보정하기 위한 면 형상이다.
도 10b는 상 위치(거리) 100%, 즉 묘화 범위 한계에 있어서의 수차를 보정하기 위한 면 형상이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 의한 마이크로 렌즈의 면 형상에 있어서의 광축으로부터의 거리(동경 방향)와 방사 방향으로 기술되는 좌표계와 이것에 대응하는 감광 재료 표면(초점면)에 있어서의 좌표계의 관계를 나타내는 개념도이다.
도 12는 종래의 광학계에 있어서의 물체 위치와, 결상 광학계의 축외 수차의 스팟 형상으로의 영향을 나타내는 개념도이다.
도 13a는 본원 발명의 실시형태에 의한 상 위치(상고) 70%에서의 결상면에 있어서의 보정 전후의 수차 계수값(임의 단위)의 비교표이다.
도 13b는 본원 발명의 실시형태에 의한 상 위치(상고) 100%에서의 결상면에 있어서의 보정 전후의 수차 계수값(임의 단위)의 비교표이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시형태의 일례에 대해서 설명한다.
<전체 구성>
도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 노광 광학계(100)를 포함하는 노광 장치(10)는 시트 형상의 감광 재료(P)를 표면에 흡착하여 유지하는 평판 형상의 이동 스테이지(14)를 구비하고 있다. 복수(예를 들면, 4개)의 다리부(16)에 지지된 후판 형상의 설치대(18)의 상면에는 스테이지 이동 방향을 따라 연장된 2개의 가이드(20)가 설치되어 있다. 이동 스테이지(14)는 그 길이 방향이 스테이지 이동 방향을 향하도록 배치됨과 아울러 가이드(20)를 따라 왕복 이동 가능하게 지지되어 있다. 또한, 이 노광 장치(10)에는 부주사 수단으로서의 이동 스테이지(14)를 가이드(20)를 따라 구동하는 스테이지 구동 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
설치대(18)의 중앙부에는 이동 스테이지(14)의 이동 경로에 걸치도록 과선교 형상의 게이트(22)가 설치되어 있다. 게이트(22)의 단부의 각각은 설치대(18)의 양측 각 면에 고정되어 있다. 이 게이트(22)를 사이에 두고 한쪽측에는 스캐너(24)가 설치되고, 다른쪽측에는 감광 재료(P)의 선단 및 후단을 검지하는 복수(예를 들면, 2개)의 센서(26)가 설치되어 있다. 스캐너(24) 및 센서(26)는 게이트(22)에 각각 부착되어 이동 스테이지(14)의 이동 경로의 상류에 고정 배치되어 있다. 또한, 스캐너(24) 및 센서(26)는 이들을 제어하는 도시하지 않는 컨트롤러에 접속되어 있다.
스캐너(24)는, 예로서 m행 n열의 대략 매트릭스 형상으로 배열된 복수(도면에서는 14개)의 노광 헤드(28)를 구비하고 있다. 각 노광 헤드(28)에 의한 노광 에리어(30)는 부주사 방향을 단변으로 하는 직사각형상이다. 따라서, 이동 스테이지(14)의 이동에 따라 감광 재료(P)에는 노광 헤드(28)마다 띠상의 노광 완료 영역(31)이 형성된다.
복수의 노광 헤드(28)는, 예를 들면 파장 400㎚의 레이저광을 사출하는 도시하지 않는 광원(예로서, 반도체 레이저(LD) 등)과, 광원으로부터 사출된 레이저광을 화상 데이터에 따라서 각 화소부마다 변조하는 공간 광변조 소자로서, 예를 들면 도 3에 나타내는 DMD(34)를 구비하고 있다. 이 DMD(34)는 데이터 처리부와 미러 구동 제어부를 구비한 도시하지 않는 컨트롤러에 접속되어 있다. 컨트롤러의 데이터 처리부에서는 입력된 상 데이터에 의거하여 각 노광 헤드(28)마다 DMD(34) 상의 사용 영역 내의 각 마이크로 미러(74)(후술)를 구동 제어하는 제어 신호를 생성한다. 또한, 미러 구동 제어부에서는 화상 데이터 처리부에서 생성한 제어 신호에 의거하여 각 노광 헤드(28)마다 DMD(34)의 각 마이크로 미러(74)의 반사면의 각도를 제어한다.
도 5에 DMD(34) 이후의 광학계를 개념도로 나타낸다. DMD(34)의 광반사측(출사측, 사출측)에는 DMD(34)에서 반사된 레이저광(B)을 감광 재료(P) 상에 결상하는 주광학계가 배치되어 있다. 이 주광학계는 DMD(34)로 변조된 빔을 확대하는 제 1 결상 광학계(52)와, 감광 재료(P) 상에 빔을 결상시키는 제 2 결상 광학계(58)와, 이들 결상 광학계 사이에 삽입된 마이크로 렌즈 어레이(64)와, 마이크로 렌즈 어레이(64)의 출사측 바로 근방에 배치된 제 1 개구 어레이(66)와, 마이크로 렌즈 어레이(64)의 초점 위치에 배치된 제 2 개구 어레이(68)로 구성되어 있다.
제 1 결상 광학계(52)는, 예를 들면 입사측의 렌즈(52A), 출사측의 렌즈(52B)로 이루어지고, DMD(34)는 렌즈(52A)의 초점면 상에 배치되어 있다. 렌즈(52A)와 렌즈(52B)는 초점면이 일치하고, 또한 렌즈(52B)의 출사측의 초점면 상에 마이크로 렌즈 어레이(64)가 배치되어 있다. 제 2 결상 광학계(58)도 또한, 예를 들면 입사측의 렌즈(58A), 출사측의 렌즈(58B)로 이루어지고, 렌즈(58A)와 렌즈(58B)는 초점면이 일치하고, 또한 제 2 개구 어레이(68)가 배치된 마이크로 렌즈 어레이(64)의 초점 위치는 렌즈(58A)의 초점면이다. 렌즈(58B)의 출사측의 초점면에 감광 재료(P)가 배치되어 있다.
상기 제 1 결상 광학계(52)는 DMD(34)에 의한 상을 확대하여 마이크로 렌즈 어레이(64) 상에 결상된다. 또한, 제 2 결상 광학계(58)는 마이크로 렌즈 어레이(64)를 거친 상을 감광 재료(P) 상에 결상, 투영한다. 또한, 제 1 결상 광학계(52) 및 제 2 결상 광학계(58)는 모두 DMD(34)로부터의 다수의 광선 다발을 서로 대략 평행한 광선 다발로서 출사시킨다.
본 실시형태에 사용되는 DMD(34)는 도 3에 나타내는 바와 같이 SRAM셀(메모리셀)(72) 상에 각각 화소(픽셀)를 구성하는 다수(예를 들면, 1024개×768개)의 미소 미러(마이크로 미러(74))가 격자 형상으로 배열되는 미러 디바이스이다. 각 픽셀에 있어서 최상부에는 지주에 지지된 직사각형의 마이크로 미러(74)가 설치되어 있고, 마이크로 미러(74)의 표면에는, 예를 들면 알루미늄 등의 반사율이 높은 재료가 증착되어 있다.
DMD(34)의 SRAM셀(72)에 디지털 신호가 입력되면 지주에 지지된 각 마이크로 미러(74)가 대각선을 중심으로 하여 DMD(34)가 배치된 기판측에 대하여 ±α° 중 어느 하나로 기울어진다. 도 4a는 마이크로 미러(74)가 온 상태인 +α°로 기운 상태를 나타내고, 도 4b는 마이크로 미러(74)가 오프 상태인 -α°로 기운 상태를 나타낸다. 따라서, 화상 신호에 따라서 DMD(34)의 각 픽셀에 있어서의 마이크로 미러(74)의 경사를 도 4a, 도 4b에 나타내는 바와 같이 제어함으로써 DMD(34)에 입사된 레이저광(B)은 각각의 마이크로 미러(74)의 경사 방향으로 반사된다.
또한, 도 4a, 도 4b에는 DMD(34)의 일부(1매의 마이크로 미러 부분)를 확대하여 마이크로 미러(74)가 +α° 또는 -α°로 제어되어 있는 상태의 일례를 나타낸다. 각각의 마이크로 미러(74)의 온오프 제어는 DMD(34)에 접속된 도시하지 않는 컨트롤러에 의해 행해진다.
<마이크로 렌즈 어레이>
마이크로 렌즈 어레이(64)는 DMD(34) 상의 각 마이크로 미러(74)에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈(64a)가, 예를 들면 1024개×768개 정도의 2차원 형상으로 배열되어 있다. 본 실시형태에서는 석영 유리로 형성된 평철 렌즈를 사용하고 있다. 각 마이크로 렌즈(64a)는 후술하는 바와 같이 제 2 결상 광학계의 수차를 보정하는 면 형상으로 되어 있다.
또한, 상기 예에 한정되지 않고 양철 렌즈 등을 기본 형태로서 사용해도 좋다. 또한, 각 마이크로 렌즈(64a)와, 그들을 어레이 형상으로 연결하는 연결 부분을 동일한 재료에 의해 일체 성형하여 마이크로 렌즈 어레이(64)로 해도 좋고, 또는 마이크로 미러(74)의 각각에 대응시킨 다수의 개구를 형성한 기반의 개구의 각각에 각 마이크로 렌즈(64a)를 끼워 넣어도 좋다. 또한, 렌즈 파워를 갖는 2층의 마이크로 렌즈 어레이를 포개어 마이크로 렌즈 어레이(64)로 해도 좋다.
또한, 각 마이크로 렌즈(64a)에 대응하는 다수의 개구가 형성된 개구 어레이(68)가 마이크로 렌즈 어레이(64)의 출사측에 설치되어 있다.
개구 어레이(68)는 마이크로 렌즈(64a)의 출사측면의 개구부 이외의 개소에 크롬 마스크(크롬으로 이루어지는 차광막)를 형성한 것 또는 투과성/반투과성 코팅을 실시하여 마스크로 한 것이어도 좋고, 또는 직접 마이크로 렌즈(64a)에 접촉시키지 않고 출사면의 근방에 투명한 마스크판에 차광막을 형성한 것을 배치해도 좋다.
<마이크로 렌즈의 형상과 배치>
상술한 바와 같이 마이크로 렌즈 어레이(64)를 통과한 빔(레이저광(B))은 제 2 결상 광학계(58)에 의해 감광 재료(P) 상에 빔 스팟(PB)으로서 결상된다. 이 때, 특히 제 2 결상 광학계(58)에 존재하는 축외 수차에 의해 도 12에 나타내는 바와 같이 빔 스팟(PB)의 형상이 변형되어 스팟 지름이 확대되어 소망의 해상력이 얻어지지 않을 우려가 있다.
즉, 도 12와 같이 단순히 동일 형상의 물체(164a)를 광축(58C)으로부터의 거리가 다른 위치에 배열했을 경우, 제 2 결상 광학계(58)의 수차(축외 수차)가 상(=빔 스팟(PB))의 형상에 영향을 주고, 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터 멀어지면 상(빔 스팟(PB))의 형상이 변형될 우려가 있다. 이것에 의해 결상면에서 소망의 해상도가 얻어지지 않을 가능성이 있다.
그래서, 본 실시형태에서는 도 5에 나타내는 마이크로 렌즈 어레이(64)를 구성하는 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터의 거리에 따라서 변화시켜 제 2 결상 광학계(58)의 축외 수차를 보정한다. 이것에 의해 감광 재료(P) 상에 결상되는 빔 스팟(PB)의 형상의 변형을 방지하고, 빔 스팟(PB)의 확대를 억제함으로써 화상 주변부의 해상력을 높인다.
구체적으로는, 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같이 마이크로 렌즈 어레이(64)를 형상이 다른 3종류의 마이크로 렌즈(64a~64c)로 구성한다. 마이크로 렌즈(64)는 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터의 거리에 따라서 3종류의 마이크로 렌즈(64a1~64a3)로부터 선택되어 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)에 대하여 소정의 방향성을 갖고 배치된다. 즉, 후술하는 바와 같이 마이크로 렌즈(64a2, 64a3)는 비구면 렌즈이며, 또한 형상에 방향성을 갖고 있기 때문에 소정의 방향을 광축(58)을 향해서 배치할 필요가 있다.
도 6의 예에서는 광축(58C)의 바로 근방에서는 축외 수차 보정을 위한 면 형상 가공을 행하고 있지 않는 (구면의) 마이크로 렌즈(64a1)를 사용한다. 이어서, 광축(58C)으로부터의 거리에 의해 축외 수차 보정을 위한 면 형상을 갖는 마이크로 렌즈(64a2, 64a3)를 방사 형상으로 배치하여 마이크로 렌즈 어레이(64)로서 구성한다.
도 7a에 나타내는 광학계에 있어서 어떤 마이크로 렌즈(64a)를 통과하는 빔(B)이 제 2 결상 광학계(58)에 의해 감광 재료(P) 상에 빔 스팟(PB)으로서 결상되는 것으로 한다. 이 때, 마이크로 렌즈(64a)는 직경(rMAX)의 원 형상을 한 평철 렌즈로 하고, 도 7b와 같이 광축(58C)으로부터의 거리를 ξML, 이것과 직교하는 좌표를 ηML로 했을 때, 마이크로 렌즈(64a)의 면 상에서의 극좌표를 도 7c와 같이 중심으로부터의 거리(r), 각도(φML)로 기술할 수 있다.
마찬가지로 제 2 결상 광학계(58)에 있어서 동좌표계로서 (ξL2, ηL2)의 좌표값에 있어서의 수차를 기술할 때에 도 7d와 같이 극좌표를 사용하여 ρL2, φL2로 나타낼 수 있다. 또한, 감광 재료(P) 상에 빔 스팟(PB)이 결상되었을 때, 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)으로부터의 거리를 Y_end, 이것과 직교하는 좌표를 X_end로 하여 마찬가지로 기술할 수 있다.
또한, 도 11에 나타내는 바와 같이 마이크로 렌즈 어레이(64)를 구성하는 마이크로 렌즈(64a)의 각각에 대하여 좌표계(ξML, ηML), 그것에 대응하는 감광 재료(P) 표면에서의 좌표계(X_end, Y_end)는 일정하지는 않고, 변화된다. 광학계 전체를 DMD(34)측으로부터 보았을 때, 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)에 대하여 각각의 광학계의 대응은 ηML축 및 Y_end축은 동경 방향(광축(58C)으로부터의 접리 방향), ξML 및 X_end는 동경 방향과 직교하는 방사 방향이 된다. 이 때문에 감광 재료(P)의 특정 개소에 있어서의 빔 스팟(PB)에 대해서 대응할 경우 등은 마이크로 렌즈(64a)측에서 상당하는 위치를 고려할 필요가 있다.
상기 점을 근거로 하여 마이크로 렌즈(64a)의 형상에 대해서 설명한다. 수차를 기술하는데 사용되는 표준 Zernike 다항식은 도 8b와 같이 기술된다.
Zernike 표준 계수란 도 8a와 같이 여러 가지 수차를 각 차수마다 분해하여 파악하는 것이며, 예를 들면 제 4 항은 초점 위치의 어긋남을 나타내지만, 빔 스팟(PB)의 형상에 관계되는 것은 제 4 항(Z4) 이상의 고차 수차이다.
제 2 결상 광학계(58)의 어떤 상 위치에서는 하기와 같은 함수로 나타내어지는 수차가 존재한 것으로 한다.
(식 1)
ΣΔi×λ×Zi(ρL2, φL2)
i
ρL2, φL2: 제 2 결상 광학계(58)의 동좌표를 나타내는 파라미터
Zi(ρ, φ): Zernike 표준 함수
Δi: 제 2 결상 광학계(58)의 수차 계수
(제 i 항의 Zernike 표준 계수, 단위는 λ: 광파장)
마이크로 렌즈(64a)가 평철 렌즈이었을 때에는 이것을 보정하기 위해서 대응하는 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상을 변경하고, Δi의 수차를 보정할 경우에 있어서 필요한 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상은 통상의 구면 형상(제 1 항, 마이크로 렌즈(64a1))에 추가하여 제 2 항을 추가한 식 2로 기술되는 면 형상으로 된다.
(식 2)
SagZ(r, φ)=(c×r^2)/(1＋√(1-c^2×r^2))
+(Δi×λ)/(n-1)×Zi(r/rmax, φML)
r, φML: 마이크로 렌즈(64a) 표면에서의 좌표를 나타내는 파라미터
rmax: 마이크로 렌즈(64a) 개구부의 최대 반경
c: 마이크로 렌즈(64a) 보정 전의 곡률
λ: 광파장
n: 마이크로 렌즈 어레이(64)의 소재의 굴절률
Zi(r/rmax, φ): Zernike 표준 함수
여기서, 마이크로 렌즈 어레이(64)을 구성하는 개개의 마이크로 렌즈(64a)에 대해서 상기 방법으로 표면 형상을 구하고, 빔 스팟 형상에 관계되는 제 4 항(Z4) 이상의 모든 i에 관해서 마이크로 렌즈 어레이(64)의 전체면에 걸쳐서 제 2 결상 광학계(58)의 수차를 보정하는 것이 이상적이다.
마이크로 렌즈 어레이(64)를 광리소그래피에 의해 제작할 경우에는 개개의 마이크로 렌즈(64a)마다 그 형상을 변경하는 것은 비교적 용이하게 실현 가능하다. 또한, 저차원이며(i의 숫자가 작으며), Δ의 수치가 크고, 감광 재료로의 영향이 큰 항만 선택적으로 보정하면 마이크로 렌즈 어레이(64)의 형상이 복잡화되지 않기 때문에 저비용으로 큰 효과를 기대할 수 있다.
이하, 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상에 대해서 구체적인 예를 사용하여 설명한다. 제 2 결상 광학계(58)의 광학적 특성은 용도에 따라서 여러 가지 고려된다. 감광 재료(P) 상에 결상된 빔 스팟(PB)의 광축(58C)으로부터의 거리에 의한 Zernike 표준 계수 저차항의 증감에 대해서 대표예를 도 9에 나타낸다. 좌표축의 선택의 방법에 의해 Z5, Z8, Z10은 원리적으로 제로가 되므로 표시하고 있지 않다.
도 9의 세로축에서 나타내는 Zernike 표준 계수의 각 항마다의 계수값은 절대값이 클수록 수차가 크고, 빔 스팟(PB)의 형상이 무너지는 관계에 있다. 즉, 도 9에 나타내는 바와 같이 감광 재료(P) 상에 제 2 결상 광학계(58)에 의해 빔 스팟(PB)이 결상되었을 때, 광축(58C)으로부터의 거리에 의해 Zernike 표준 계수의 각 항마다의 계수값도 다르게 된다.
여기서, 감광 재료(P)의 종류에 따라 빔 스팟(PB)의 비대칭성(진원(眞円)으로부터의 괴리)을 꺼리므로 도 9에 나타내는 Z6, Z7, Z9 등의 수차를 우선적으로 보정하는 것이 노광 시의 해상도를 유지하기 위해서 효과적이다. 이후, 이 절대값이 0.25(임의 단위, arbitrary unit: 도면 중에서는 a. u.로 표기)를 초과하는 것과 같은 개소에 대해서 마이크로 렌즈(64a)의 형상으로 보정을 행하는 것으로서 설명을 진행한다.
도 9에 나타내는 예에서는 Z4(초점 어긋남)를 제외하고 가로축의 상 위치 70% 부근(광축(58C)으로부터의 거리)에서 Z6, 상 위치 100% 부근에서 Z7, Z9의 영향이 큰 것을 알 수 있다. 이후, 상 위치 70% 위치 및 상 위치 100% 위치를 대표예로서 Z6, Z9를 마이크로 렌즈(64a)의 형상에 의해 보정하는 방법에 대해서 설명한다.
도 10a에는 도 9의 상 위치 70%에 상당하는 개소의 Z6, Z9 수차를 보정하기 위한 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)의 구면으로부터의 어긋남량이 퍼센테이지로 나타내어져 있다. 도면 중 우측이 광축으로부터 멀어지는 ηML이며, 즉 도면 중 좌측 방향이 광축(58C)측으로 되어 있다.
Z6, Z9를 보정하기 위한 면 형상은 이하의 식으로 규정된다. 사용 파장을 400㎚, 이 파장에 있어서의 마이크로 렌즈 어레이(64)의 소재의 굴절률을 1.47로 했을 경우, 면 형상은 이하의 식 3으로 기술된다.
(식 3)
+4.5×10^-4×Z6(r/rmax, φML)-1.7×10^-4×Z9(r/rmax, φML)
이러한 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)를 사용했을 때의 Z4~Z11의 수차의 보정 상황을 구면과의 비교로 표 1로서 도 13a에 나타낸다.
동일하게 도 10b에는 도 9의 상 위치 100%에 상당하는 개소의 Z6, Z9 수차를 보정하기 위한 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)의 구면으로부터의 편차량이 퍼센테이지로 나타내어져 있다. 도면 중 우측이 광축으로부터 멀어지는 ηML이며, 즉 도면 중 좌측 방향이 광축측으로 되어 있는 점은 도 10a와 마찬가지이다.
Z6, Z9을 보정하기 위한 면 형상은 이하의 식 4로 규정된다.
(식 4)
-4.4×10^-4×Z6(r/rmax, φML)-5.0×10^-4×Z9(r/rmax, φML)
이 면 형상을 구비한 마이크로 렌즈(64a)를 사용했을 때의 Z4~Z11의 수차의 보정 상황을 구면과의 비교로 표 2로서 도 13b에 나타낸다.
상기와 같은 마이크로 렌즈(64a)를 각각 상 위치 70%, 100%의 위치에 배치함으로써 각각의 위치에 있어서 각 수차 중 수치가 큰 것을 양호하게 보정할 수 있다. 또한, 상기 설명에 있어서는 상고 70% 위치와 상고 100% 위치를 구체예에 나타냈지만, 이 위치와 다른 개소에 관해서도 마찬가지의 검토에 의해 개별적으로 수차를 보정하는 것이 가능하다.
또한, 요구되는 정밀도에 따라서는 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 개별적으로 변경할 필요는 없다. 결상 광학계(2)의 수차의 분포에 따라서 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 단계적으로 변경해도 좋다. 예를 들면, 결상 광학계(2)의 수차량이 비교적 작은 영역에 있어서는 구면 형상 그대로 할 수 있다. 또한, 인접하는 마이크로 렌즈(64a) 중 몇개에 관해서 대응하는 범위 내에 있어서의 결상 광학계(2)의 대표적인 수차값을 보정하는 형상으로 통일해도 좋다.
결상 광학계(2)의 광축으로부터의 거리에 따라서 마이크로 렌즈(64a)의 형상을 3단계로 변경한 예를 도 6에 나타낸다. 되도록 상 위치마다 상세하게 면 형상의 종류 분류를 행한 편이 정밀도가 높은 보정을 행할 수 있는 것은 말할 필요도 없다. 이 때, 도 9에 나타내는 바와 같이 각 상 위치에 있어서의 Zernike 표준 계수의 변화를 확인하면서 빔 스팟 형상에 강하게 영향을 주는 수차에 관해서 우선적으로 보정을 행하는 것이 효율적인 수차의 보정에 필요해진다. 특히, Zernike 표준 계수가 심하게 변동하는 상 위치의 근방에 있어서 마이크로 렌즈(64a)의 면 형상을 변화시킴으로써 효율이 좋은 보정을 행할 수 있다.
<기타>
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 기술했지만, 본 발명은 상기 실시예에 조금도 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지 실시형태로 실시할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 레이저광으로 노광하는 노광 장치의 구성을 예로 들었지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 통상의 가시광 또는 자외선 등을 사용해도 좋다. 또는 노광 장치 이외에도 스팟광을 사용하는 여러 가지 구성에 응용할 수도 있다.
또는 감광 재료(P) 상에 형성되는 이미지의 주변 광량 저하를 보정하기 위해서 제 2 결상 광학계(58)의 광축(58C)에 가까울수록 농도가 높은 센터 필터를 병용하거나 또는 광축(58C)에 가까운 마이크로 렌즈(64a)일수록 투과 농도를 높게 하는 등의 대책을 실시해도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는 반사형 공간 변조 소자인 DMD(34)를 사용하여 설명했지만, 이것 대신에 예를 들면 액정을 사용한 투과형 공간 변조 소자를 사용해도 좋다.
일본 특허 출원 2013-033344의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 원용된다. 본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원 및 기술 규격은 개개의 문헌, 특허출원 및 기술 규격이 참조에 의해 원용되는 것이 구체적이고, 또한 개개로 기재된 경우와 동일한 정도로 본 명세서 중에 참조에 의해 원용된다.

Claims (5)

  1. 광원으로부터의 광을 변조하는 화소부가 배열된 공간 광변조 소자와,
    상기 공간 광변조 소자로 변조된 광을 집광하는 마이크로 렌즈가 평면 상에 배열된 마이크로 렌즈 어레이와,
    상기 공간 광변조 소자에 의해 변조된 광을 상기 마이크로 렌즈 어레이에 결상하는 제 1 결상 광학계와,
    상기 마이크로 렌즈 어레이로 집광된 광을 감광 재료 상에 결상하는 제 2 결상 광학계를 구비하고,
    상기 마이크로 렌즈 어레이는 상기 제 2 결상 광학계의 광축으로부터의 거리에 따라서 형상이 상이한 복수 종류의 마이크로 렌즈가 배열되고, 상기 마이크로 렌즈의 면형상은 상기 마이크로 렌즈의 면 상에서의 극좌표의 함수로서 변화하고,
    상기 제 2 결상 광학계의 동좌표를 ρL2, φL2, Zernike 표준 함수를 Zi(ρ, φ), 상기 제 2 결상 광학계의 제 i 항의 Zernike 표준 계수를 Δ(i)로 했을 때, 상기 제 2 결상 광학계의 어떤 상 위치에서 이하의 식 1로 나타내어지는 수차가 존재할 때,
    (식 1)
    ΣΔ(i)×λ×Zi(ρL2, φL2)
    상기 상 위치에 대응하는 상기 마이크로 렌즈의 형상은 상기 제 2 결상 광학계의 상기 수차를 보정하도록 마이크로 렌즈 표면에서의 좌표를 나타내는 파라미터를 r, φML, 상기 마이크로 렌즈의 개구부의 최대 반경을 rmax, 보정 전의 상기 마이크로 렌즈의 면 형상의 곡률을 c, 상기 광의 파장을 λ, 상기 마이크로 렌즈 어레이의 소재의 굴절률을 n, Zernike 표준 함수를 Zi(r/rmax, φ)로 하고, 상기 마이크로 렌즈의 일부는 이하의 식 2 및 식 3으로 기술되는 면 형상인 것을 특징으로 하는 노광 광학계.
    (식 2)
    SagZ(r, φ)=(c×r^2)/(1＋√(1-c^2×r^2))
    +Σ(ΔM(i)×λ)/(n-1)×Zi(r/rmax, φML),
    i≥4
    (식 3)
    ΔM(i)=Δ(i)(i≥4)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈 어레이는 i≥4를 만족시키는 i 중, 보정의 대상으로서 선택된 Zernike 표준 계수에 대응하는 i에 대해서는 상기 식 3을 만족시키고,
    그 이외의 i에 관해서는 ΔM(i)=0을 만족시키는 것을 특징으로 하는 노광 광학계.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 노광 광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 헤드.
  4. 제 3 항에 기재된 노광 헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 삭제
KR1020157022119A 2013-02-22 2014-02-19 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치 KR102137428B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-033344 2013-02-22
JP2013033344A JP2014164027A (ja) 2013-02-22 2013-02-22 露光光学系、露光ヘッドおよび露光装置
PCT/JP2014/053951 WO2014129514A1 (ja) 2013-02-22 2014-02-19 露光光学系、露光ヘッドおよび露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150120981A KR20150120981A (ko) 2015-10-28
KR102137428B1 true KR102137428B1 (ko) 2020-07-24

Family

ID=51391300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157022119A KR102137428B1 (ko) 2013-02-22 2014-02-19 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2014164027A (ko)
KR (1) KR102137428B1 (ko)
CN (1) CN105074573B (ko)
TW (1) TWI623817B (ko)
WO (1) WO2014129514A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6651124B2 (ja) * 2015-03-28 2020-02-19 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
CN114211748A (zh) * 2015-10-30 2022-03-22 速尔特技术有限公司 增材制造系统和方法
JP6717719B2 (ja) * 2016-09-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン露光装置、露光ヘッドおよびパターン露光方法
JP7465636B2 (ja) * 2019-07-08 2024-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置
JP2020074031A (ja) * 2020-01-21 2020-05-14 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222039A (ja) 2003-12-26 2005-08-18 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光方法および装置
JP2006337528A (ja) 2005-05-31 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 画像露光装置
JP2010152388A (ja) 2002-11-29 2010-07-08 Amo Groningen Bv 多焦点眼科レンズの設計方法
JP2010162850A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Seiko Epson Corp ラインヘッドおよび画像形成装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0735999A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光学装置
US7508491B2 (en) * 2006-04-12 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity
KR101698150B1 (ko) * 2010-01-29 2017-02-02 삼성전자 주식회사 기준마크를 포함하는 마이크로 렌즈 어레이와 이를 포함하는 마스크리스 노광장치 및 그 교정방법
CN101833124A (zh) * 2010-03-29 2010-09-15 南昌航空大学 基于数字无掩模光刻技术的微透镜及其制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010152388A (ja) 2002-11-29 2010-07-08 Amo Groningen Bv 多焦点眼科レンズの設計方法
JP2005222039A (ja) 2003-12-26 2005-08-18 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光方法および装置
JP2006337528A (ja) 2005-05-31 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 画像露光装置
JP2010162850A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Seiko Epson Corp ラインヘッドおよび画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105074573B (zh) 2018-01-02
CN105074573A (zh) 2015-11-18
TW201443576A (zh) 2014-11-16
TWI623817B (zh) 2018-05-11
KR20150120981A (ko) 2015-10-28
WO2014129514A1 (ja) 2014-08-28
JP2014164027A (ja) 2014-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102137428B1 (ko) 노광 광학계, 노광 헤드 및 노광 장치
TWI430042B (zh) 具有光瞳鏡（ｐｕｐｉｌ ｍｉｒｒｏｒ）之反射折射投影物鏡、投影曝光裝置、及投影曝光方法
US7187399B2 (en) Exposure head with spatial light modulator
KR101659391B1 (ko) 노광 헤드 및 노광 장치
WO2006129864A1 (en) Image exposure apparatus
KR20100000758A (ko) 아나모픽 이미지 렌즈
US7009778B2 (en) Imaging optical system, image display apparatus and imaging optical apparatus
JP2006337528A (ja) 画像露光装置
JP2006337475A (ja) パターン描画装置
JP5700272B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009237321A (ja) 画像露光装置
US9517637B2 (en) Imaging optical element and optical scanning apparatus including the same
TWI567505B (zh) 曝光光學系統、曝光裝置以及曝光方法
JP4524213B2 (ja) 露光装置及び方法
JP2005275325A (ja) 画像露光装置
JP4708785B2 (ja) 画像露光方法および装置
JP2011023603A (ja) 露光装置
JP4208141B2 (ja) 画像露光方法および装置
JP2007004075A (ja) 画像露光装置
JP7465636B2 (ja) 描画装置
JP6341367B2 (ja) 投射装置、および投射システム
JP2006337530A (ja) 画像露光装置
JP2006337529A (ja) 画像露光装置
JP2006349957A (ja) 画像露光装置
JP2005217338A (ja) 画像露光方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant