KR102136782B1 - 리드 프레임을 제조하는 방법 - Google Patents

리드 프레임을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102136782B1
KR102136782B1 KR1020197016537A KR20197016537A KR102136782B1 KR 102136782 B1 KR102136782 B1 KR 102136782B1 KR 1020197016537 A KR1020197016537 A KR 1020197016537A KR 20197016537 A KR20197016537 A KR 20197016537A KR 102136782 B1 KR102136782 B1 KR 102136782B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
stamping
electrode contact
gap width
connecting bar
Prior art date
Application number
KR1020197016537A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190082877A (ko
Inventor
위안 시에
유르겐 메르텐스
제 쿠앙 리
난 천
Original Assignee
루미리즈 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 루미리즈 홀딩 비.브이. filed Critical 루미리즈 홀딩 비.브이.
Publication of KR20190082877A publication Critical patent/KR20190082877A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102136782B1 publication Critical patent/KR102136782B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49544—Deformation absorbing parts in the lead frame plane, e.g. meanderline shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 리드 프레임(1)을 제조하는 방법을 설명하며, 이 방법은, 복수의 전극 접촉 영역(2) - 상보적 접촉 영역들(2)은 초기 갭 폭(GS) 만큼 분리됨 - ; 및 다수의 접속 바(10) - 접속 바(10)는 리드 프레임(1)의 영역들 사이에 연장됨 - 를 포함하는 리드 프레임(1)을 스탬프하기 위해 스탬핑 배열(4)을 준비하는 단계; 스탬핑 배열(4)을 사용하여 리드 프레임(1)을 스탬프하는 단계; 및 상보적 접촉 영역들(2) 간의 갭 폭을 최종 갭 폭(GD)으로 감소시키기 위해 스탬프된 리드 프레임(1)의 적어도 하나의 접속 바(10)를 변형시키는 단계를 포함한다. 본 발명은 이러한 방법을 사용하여 제조되며, 변형 단계 후에 상보적 접촉 영역들(2) 간의 많아야 250㎛의 갭 폭(GD)을 갖는, 복수의 LED 전극 접촉 영역(2)을 포함하는 리드 프레임(1)을 추가로 설명한다. 본 발명은 이러한 리드 프레임(1) 및 리드 프레임(1)의 상보적 전극 접촉 영역들(2) 상에 장착된 적어도 하나의 LED 다이 패키지(6)를 포함하는 LED 조명 디바이스를 추가로 설명한다.

Description

리드 프레임을 제조하는 방법
본 발명은 리드 프레임을 제조하는 방법을 설명한다.
발광 다이오드(LED) 조명 디바이스들의 제조에서, 하나의 방식은 리드 프레임 또는 금속 캐리어 상에 LED 다이 또는 웨이퍼-레벨 패키지를 장착하는 것이다. 리드 프레임은 LED 다이의 애노드 및 캐소드와 전기적 접촉을 하는 접촉 영역들을 포함하고, 전압원이 전극 접촉 영역들에 의해 LED 양단에 접속될 수 있다. 리드 프레임은 또한 주 열 분산기로서 기능하는데, 왜냐하면 그것은 LED 패키지에 직접 접속되기 때문이다. LED 칩 기술의 진보들은 바람직하게 높은 광 출력을 갖는 매우 작은 다이 크기에 이르게 하였다. 작은 다이 크기는 리드 프레임 또는 캐리어의 애노드와 캐소드 접촉 영역들 간의 작은 갭을 요구한다. LED의 동작 중에, 애노드 및 캐소드는 다이가 장착되는 임의의 접촉 영역들이 열적 변형을 받아 뜨거워진다. 미국 특허 4,797,726호는 이러한 열적 응력으로부터 반도체 칩을 보호하는 방법을 설명하고 있다.
리드 프레임은 효과적으로 복수의 리드를 제위치에 유지하는 프레임이다. 리드들은 전기적 컴포넌트들이 나중에 납땝되는 접촉 영역들이다. "프레임" 자체는 전기적 컴포넌트들이 리드들에 장착된 후에 어떤 불필요한 영역들을 절단 제거함으로써 전체적으로 또는 부분적으로 폐기될 수 있다. 리드 프레임은 적절히 형상화된 스탬핑 툴 및 대응하는 다이를 갖는 스탬핑 프레스를 사용하여, 일반적으로 시트 금속 또는 시트 금속 스트립의 조각으로부터 스탬프 또는 펀치된다. 애노드와 캐소드 간의 갭은 단지 밀리미터의 부분을 포함하기 때문에, 매우 작은 LED 다이 패키지들을 위한 리드 프레임들을 제조하는 것은 도전이다. 예를 들어, 단지 150㎛ - 250㎛의 애노드-캐소드 간격을 갖는 LED 다이 패키지들이 현재 제조되고 있고, 이 간격은 기술이 진보함에 따라 더욱 감소할 것으로 예상될 수 있다. 그러나, 특히 리드 프레임은 LED에 의해 발산된 열을 효과적으로 전도할 수 있기 위해서 밀리미터 범위 내의 두께를 가질 수 있기 때문에, 통상적인 스탬핑 툴에 의해 달성될 수 있는 최소 간격에는 제한이 있다. 예를 들어, 실행가능한 시트 금속 두께는 스탬프된 리드 프레임이 열 발산기로서 만족할만하게 기능하기 위해서 0.5 - 3.0㎜ 범위 내에 있을 수 있다. 일반적으로, 통상적인 스탬핑 툴은 인접한 영역들 간의 공간이 시트 금속의 두께보다 적지 않도록 시트 금속을 통해 스탬프하도록 설계된다. 바꾸어 말하면, 시트 두께 대 최소 달성가능한 갭의 비는 1:1이므로, 통상적인 스탬핑 프레스에 의해 달성가능하는 갭 폭이 위에 언급된 LED 다이 패키지들에 대해서 너무 넓다. 이 제약은 스탬핑 절차가 본질적으로 제한되지 않는 수의 횟수들로 중단 없이 수행될 수 있는 것을 보장하여야 할 필요로부터 생긴다.
이 문제는 전극 접촉 영역들 간의 원하는 좁은 간격을 달성할 수 있는 스탬핑 프레스를 개발함으로써 해결될 수 있다. 그러나, 스탬핑 프레스의 재설계는 상당한 비용과 연관되는데, 왜냐하면 특히 전극 접촉 영역들 간의 갭은 매우 정밀하고 균일하여야 하기 때문이다. 작은 갭 폭들을 달성하기 위한 특별한 세공 수정들은 그러므로 일반적으로 리드 프레임 원형들의 제조들로 제한된다. 이 문제를 다루는 또 하나의 방식은 2개, 4개 또는 그 이상의 개개의 전극 접촉 영역으로 절단 또는 밀링함으로써 나중에 세분되는 큰 영역을 갖는 리드 프레임을 스탬프하는 것일 수 있다. 절단 또는 밀링 단계는 그 위에 작은 LED 다이들이 나중에 장착될 수 있는 원하는 좁은 슬릿 또는 갭을 절단 또는 형성할 수 있는 더 미세한 툴들을 사용할 수 있다. 그러나, 접촉 영역들 간의 갭 또는 슬릿을 형성하는 데 요구되는 정밀도의 수준으로 인해, 이러한 추가적인 툴들 및 추가적인 세공 단계는 LED 디바이스들의 전체 비용에 상당히 부가될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 목적은 리드 프레임을 제조하는 보다 경제적인 방식을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 리드 프레임을 제조하는 청구항 1의 방법 및 청구항 12의 리드 프레임에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 리드 프레임 제조 방법은 리드 프레임이 복수의 LED 전극 접촉 영역 또는 타일 - 상보적 애노드/캐소드 접촉 영역들은 초기 갭 폭 만큼 분리됨 - ; 및 또한 다수의 좁은 접속 바, 브리지, 또는 필릿 - 접속 바는 리드 프레임의 2개의 영역 사이에 연장됨 - 을 포함하도록, 시트 금속으로부터 리드 프레임을 스탬프하는 스탬핑 툴을 준비하는 단계들을 포함한다. 방법은 스탬핑 툴을 사용하여 리드 프레임을 스탬프하고; 후속하여 상보적 전극 접촉 영역들 간의 갭 폭을 최종 갭 폭으로 감소시키기 위해 스탬프된 리드 프레임의 적어도 하나의 접속 바를 변형시키는 단계를 추가로 포함한다.
물론, 툴 준비 단계는 단지 한번만 수행될 필요가 있다. 원하는 리드 프레임 형상을 스탬프하기 위해 통상적인 스탬핑 프레스의 툴을 준비한 후에, 툴은 시트 금속으로부터, 예를 들어 적절한 속도로 롤로부터 스탬핑 프레스 내로 공급되는 시트 금속의 연속하는 띠로부터 리드 프레임들을 스탬프하기 위해 반복하여 사용될 수 있다. 이러한 스탬핑 프레스는 시트로부터 하나 이상의 리드 프레임을 스탬프 또는 펀치하기 위해 준비될 수 있다. 동일하게, 스탬핑 프레스는 시트 금속의 연속하는 스트립 내에 일련의 리드 프레임들을 스탬프할 수 있다.
스탬핑 중에, 시트 금속의 부분들은 펀치 아웃되어, 그 대부분이 최종 디바이스에서의 특정 목적을 위해 기능하는 상호접속된 영역들의 원하는 배열을 남겨 놓는다. 구체적으로, 스탬프된 리드 프레임은 여러 개의 전극 접촉 영역들 또는 "타일들" 및 임의 수의 접속 바들을 포함할 것이다. 초기에, 전극 접촉 영역들은 통상적인 스탬핑 프레스에 의해 쉽게 달성가능한 갭 폭들 만큼 분리된다. 위에 나타낸 것과 같이, 이러한 갭 폭들은 단지 수백 ㎛ 이하의 간격을 요구하는 매우 작은 LED 다이 패키지들에 사용하기에는 너무 크다. 본 발명의 방법의 변형 단계는 스탬프된 리드 프레임의 적어도 하나의 접속 바를 변형시키기 위해 스탬프된 리드 프레임에 대해 수행되고, 그 결과 상보적 전극 접촉 영역들 또는 타일들 간의 갭 폭이 원하는 간격 폭으로 감소된다. 본 발명의 방법의 장점은 초기 스탬프된 갭 폭이 시트 금속 두께와 동일하여도, 심지어 비교적 두꺼운 시트 금속에서도, 단지 250㎛ 이하의 최종 갭 폭 또는 간격이 쉽게 달성될 수 있다는 것이다. 본 발명의 방법의 또 하나의 장점은 리드 프레임이 비교적 적은 노력과 낮은 비용으로 제조될 수 있다는 것이다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 제조 방법에 의해 달성된 리드 프레임은 복수의 LED 전극 접촉 영역을 포함하고, 상보적 전극 접촉 영역들은 변형 단계 후에 많아야 250㎛의 갭 폭 만큼 분리된다. 본 발명의 리드 프레임은 제조하기가 저렴하고 매우 작은 LED 다이 패키지들을 위한 캐리어로서 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 리드 프레임을 포함하는 LED 조명 디바이스는 그러므로 리드 프레임의 상보적 애노드 및 캐소드 접촉 영역들 상에 장착된 하나 이상의 LED 다이 패키지를 포함하고, LED 다이 패키지들은 단지 250㎛ 이하의 전극 간격을 가질 수 있다. 본 발명의 리드 프레임을 사용하여 달성될 수 있는 LED 조명 디바이스는 그러므로 제조하기가 바람직하게 경제적인데, 왜냐하면 요구된 좁은 전극 간격을 위한 리드 프레임들의 준비에서 비싼 툴 해결책들의 필요가 없기 때문이다.
종속 청구항들 및 다음의 설명은 본 발명의 특히 유리한 실시예들 및 특징들을 개시한다. 실시예들의 특징들은 적절한 대로 조합될 수 있다. 하나의 청구항의 맥락에서 설명된 특징들은 또 하나의 청구항 카테고리에 동등하게 적용될 수 있다.
스탬프된 리드 프레임은 나중에 폐기되는 다양한 영역들을 일반적으로 포함한다. 그 이유는 스탬핑 공정을 간소화하고 또한 보다 중요하게는 컴포넌트 장착 공정을 간소화하는 것이다. 예를 들어, LED 다이 패키지들은 납땜 단계에서 연속하는 일련의 리드 프레임들의 전극 영역들에 장착될 수 있다. 이 방식으로, 수백 개의 디바이스들이 효율적이고 비용 효과적인 방식으로 준비될 수 있다. 납땜 단계 후에, 개개의 디바이스들은 리드 프레임 스트립 또는 시트로부터 절단될 수 있다. 이런 이유로, 스탬핑 툴은 스탬프된 리드 프레임 내에 이러한 "더 이상 필요치 않을" 또는 "쓸모가 없어지는" 영역들을 포함시키기 위해 일반적으로 준비되고, (전극 접촉 영역들과 같은) 유용한 영역들이 나중에 리드 프레임으로부터 또한 절단되고 폐기되거나 재활용될 수 있는, 접속 바들에 의해 제위치에 초기에 유지된다. 접속 바들은 타일들 주위에 외부 프레임을 형성할 수 있고, 또는 외부 프레임과 타일들 사이에 연장될 수 있다.
본 발명의 방법에서, 전극 접촉 영역들 또는 타일들은 그들이 비교적 큰 갭 만큼 분리되고, 접속 바들에 의해 프레임 내에서 제위치에 유지되도록 초기에 스탬프된다. 본 발명의 한 양호한 실시예에서, 스탬핑 툴은 타일로부터 리드 프레임의 측면 바까지 연장되는 하나 이상의 접속 바를 스탬프하기 위해 준비된다. 바람직하게는, 이러한 접속 바는 타일로부터 리드 프레임의 측면 바까지 대각선으로 연장된다. 접속 바는 바람직하게는 그것이 비교적 적은 노력으로 변형될 수 있도록 좁다. 이 목적을 위해, 스탬핑 툴은 바람직하게는 시트 금속의 두께에 본질적으로 대응하는 폭을 갖는 접속 바를 스탬프하기 위해 준비된다. 밀리미터 범위 내의 접속 바 폭은 시트 금속의 그 두께를 취급하는 가장 통상적인 스탬핑 프레스 배열들에 의해 쉽게 달성가능하다.
본 발명의 한 양호한 실시예에서, 접속 바를 변형시키는 단계는 접속 바의 각도를 조정하는 효과를 갖는, 리드 프레임의 평면 내에 접속 바를 만곡 또는 변위시키는 단계를 포함한다. 이 방식으로, 이 접속 바의 끝에 있는 타일은 다른 타일(들)을 향해 변위됨으로써, 그들 타일 간의 갭 또는 간격을 효과적으로 감소시킨다.
본 발명의 또 하나의 양호한 실시예에서, 접속 바를 변형시키는 단계는 접속 바의 짧은 길이를 리드 프레임의 평면 밖으로 밀어내는 단계를 포함한다. 이것은 그 접속 바의 단면으로부터 작은 "아치"가 형성되게 한다. 변형은 단지 기하학적 변경을 포함하지만 신장을 포함하지 않으므로, 리드 프레임의 평면 밖으로 연장되는 아치는 접속 바의 길이를 효과적으로 짧게 한다. 이 방식으로, 이 접속 바에 의해 연결된 임의의 전극 접촉 영역들은 서로를 향해 변위되어, 그들 간의 갭 또는 간격을 효과적으로 감소시킨다.
본 발명의 방법은 전극 접촉 영역들 간의 매우 좁은 간격을 달성하는 간소하고 간단한 방식을 제공한다. 그러나, 전극 접촉 영역들 간의 갭이 그것의 전체 길이에 걸쳐 균일한 것을 보장하도록 조심하여야 한다. 또한, 달성될 최종 갭 폭 또는 간격은 또한 리드 프레임의 상보적 전극 접촉 영역들 위에 장착될 LED 다이의 유형의 열적 요건들에 의존한다. 최종 갭 폭은 그러므로 과도하게 좁지 않아야 한다. 약 50㎛의 최소 갭 폭은 땜납이 갭을 "브리징"하고 단락 회로를 야기하는 것을 방지하기에 충분할 수 있다. 이 목적을 위해, 본 발명의 양호한 실시예에서, 방법은 접속 바의 변형의 정도를 제한하기 위해 상보적 전극 접촉 영역들 간의 공간 내에 게이지를 삽입하는 단계를 포함한다. 게이지는 바람직하게는 원하는 간격과 동일한 폭을 갖고, 동일하거나 유사한 디바이스로서 실현될 수 있다. 게이지는 변형 단계가 수행되는 동안 제위치에 유지될 수 있다. 이들 기술은 갭이 좁고 대향하는 타일들의 수직 면들이 갭의 전체 길이에 걸쳐 평행한 것을 보장한다.
변형 단계는 스탬핑 후에 그리고 납땜 전에 수행된다. 이들 스테이지 사이에, 타일들은 바람직하게는 그들의 새로운 위치들로부터 벗어나지 않아야 한다. 그러므로, 본 발명의 추가의 양호한 실시예에서, 변형 단계 후에 변형 단계 중에 생기는 응력들이 감소되고/되거나 전극 접촉 영역들의 위치들이 공간적으로 고정되는 안정화 단계가 이어진다. 예를 들어, 리드 프레임이 가열 및 냉각되는 어닐링 절차가 수행될 수 있다. 어닐링은 변형 단계 동안 및/또는 변형 단계 후에 수행될 수 있다. 대안적으로 또는 부가하여, 접속 바들의 (리드 프레임의 평면 밖으로의) 수직 변형은 전극 접촉 영역들의 위치들을 고정시키기 위해 (리드 프레임의 평면 내의) 그들의 수직 변형을 따를 수 있다. 전극 접촉 영역들을 제위치에 고정시키는 또 하나의 방식은 변형 단계 후에, 리드 프레임이 몰딩 툴에서 정렬되고 플라스틱 오버-몰딩에 의해 공간적으로 고정되는 오버-몰딩 기술을 적용함으로써 하는 것일 수 있다. 예를 들어, 리드 프레임의 양 측면 상에 도포되는 플라스틱 오버-몰딩은 전극 접촉 영역들을 제위치에 유지할 수 있다. 몰딩 툴은 바람직하게는 오버-몰드 플라스틱 재료를 도포하는 동안 적어도 타일들을 제위치에 유지하도록 하는 형상으로 된다. 플라스틱 재료는 전기적으로 절연성이어야 하고 납땜 단계가 이어진 후에 바람직한 열적 특성들을 가져야 한다. 전극 접촉 영역들을 상기 단계들 중 하나 이상에 의해 안정화시키면 접속 바들 또는 브리지들 내의 응력들이 감소될 것이고 리드 영역들이 제위치에 공간적으로 고정되는 것이 보장되고 위치가 변경되지 않을 것이다.
나중의 제조 단계에서, 하나 이상의 LED 다이 - 예를 들어 표면 장착 LED 다이들 - 는 전극 접촉 영역들 간의 좁은 슬릿에 걸쳐 리플로우 납땜 공정에서 부착될 수 있다. 이 단계 후에 단락 회로 접속들을 제거하기 위해 리드 프레임으로부터 어떤 쓸모가 없어진 또는 더 이상 필요치 않은 재료를 절단 제거하는 것이 이어질 수 있다. 디바이스는 요구되는 대로 다음에 패키지될 수 있다.
본 발명의 다른 목적들 및 특징들이 첨부 도면과 함께 고려된 다음의 상세한 설명들로부터 분명해질 것이다. 그러나, 도면은 단지 예시의 목적들을 위해 설계된 것이지 본 발명의 제한들의 정의로서 설계된 것은 아니라는 것을 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명의 방법에 의해 획득된 스탬프된 리드 프레임의 제1 실시예를 도시하고;
도 2는 변형 단계 후의 도 1의 리드 프레임을 도시하고;
도 3은 본 발명의 방법에 의해 획득된 스탬프된 리드 프레임의 제2 실시예를 도시하고;
도 4는 변형 단계 후의 도 3의 리드 프레임을 도시하고;
도 5는 도 3 및 도 4의 리드 프레임의 사시도를 도시하고;
도 6은 본 발명의 방법에 의해 사용되는 것과 같은 스탬핑 프레스의 간소화된 개략도를 도시하고;
도 7은 본 발명의 방법의 스테이지들을 도시하고;
도 8은 본 발명의 방법에 의해 획득된 리드 프레임을 포함하는 LED 발광 배열의 부분을 도시하고;
도 9는 본 발명의 방법에 의해 획득된 스탬프된 리드 프레임의 제3 실시예를 도시하고;
도 10 및 도 11은 추가의 제조 스테이지들에서의 도 9의 리드 프레임을 도시하고;
도 12는 본 발명의 LED 조명 디바이스의 실시예를 도시한다.
도면에서, 유사한 번호들은 전체에 걸쳐 유사한 물체들을 참조한다. 도면 내의 물체들은 반드시 축척에 맞게 그려지지 않았다.
도 1은 도면에 도시한 리드 프레임 형상을 스탬프하기 위해 준비된 툴을 사용하는 스탬핑 또는 펀칭에 의해 획득된, 리드 프레임(1)의 제1 실시예를 도시한다. 이 툴은 툴을 통해 공급되는 시트 금속의 스트립으로부터 리드 프레임들을 반복하여 스탬프하기 위해 사용될 수 있다. 스탬핑 중에, 시트 금속 스트립의 부분들이 펀치 아웃되어, 각각이 나중에 계속 특정한 목적을 위해 일반적으로 기능하는, 영역들의 원하는 배열을 남겨 놓는다. 도면에서, 리드 프레임(1)은 스탬프된 리드 프레임들의 더 긴 스트립의 부분이고, 하나 이상의 LED 다이 패키지의 전극들이 나중에 납땜될 4개의 타일(2) 또는 LED 전극 접촉 영역(2)을 갖는 관련 부분을 도시한다. 동작 중에 LED들로부터의 효율적인 열 전달을 위해, 리드 프레임(1)은 일반적으로 약 3.0㎜ 범위 내의 두께를 요구한다. 위에 언급된 것과 같이, 스탬프된 리드 프레임의 부분들 간의 최소 달성가능한 갭 크기는 통상적인 또는 표준 스탬핑 툴들의 제약들에 의해 제한된다. 스탬프된 리드 프레임(1)의 타일들(2) 간의 갭 폭 GS는 그러므로 바람직하지 않게 넓다. 이 제약을 극복하기 위해서, 스탬핑 툴은 접속 바들(10)이 타일들(2)과 리드 프레임(1)의 나머지 사이에 제공되도록 본 발명의 방법을 사용하여 준비된다. 도면은 4개의 타일(2)을 도시하는데, 그 중 3개는 이러한 접속 바들(10)에 의해 리드 프레임(1)의 나머지에 접속된다. 이들 접속 바(2)는 얇고 비교적 길어서, 그들은 적은 노력으로 리드 프레임(1)의 평면 내에(즉, 페이지의 평면 내에) 만곡될 수 있다. 접속 바(10)는 더 긴 "가상" 레그가 길이 XS를 갖도록 리드 프레임(1)의 측면 바에 대한 각에 초기에 마주 대하는 좌하부 타일(2)의 좌측 상의 접속 바(10)를 도시한, 확대도로 표시된 것과 같은, 직각 삼각형의 빗변으로서 간주될 수 있다. 리드 프레임(1)의 평면 내에 이 접속 바(10)를 옆으로 만곡시키면 하나의 레그는 짧아지고 "가상" 레그는 길어질 것이고, 빗변(접속 바(10))의 길이는 고정되게 남는다.
이러한 변형 단계의 결과가 도 2에 도시된다. 스탬핑 후의 초기 "가상 레그" 길이 XS는 변형에 의해 더 긴 길이 XD로 증가되었다. 이것은 그 접속 바(10)의 끝에 있는 타일(2)을 그것의 이웃하는 타일들(2)에 더 가깝게 한다. 도 2에서, 리드 프레임(1)의 나머지에 접속 바들(10)에 의해 접속된 모든 타일들(2)은 접속 바들(10)을 변형시킴으로써 이동되었다. 도면 내의 짧은 화살표들은 접속 바들(10)의 변형의 방향을 표시한다. 도면 내의 우상부 타일(2)은 어떤 접속 바들도 요구하지 않는데, 왜냐하면 다른 3개의 타일(2)을 우상부 타일(2)의 방향으로 이동 또는 변위시키기에 충분하기 때문이다. 리드 프레임(1)의 평면 내에, 이 방식으로 타일들(2)을 변위시키는 결과는 타일들(2) 간의 갭 폭을 감소시키는 것이다. 변형 후에, 갭 폭 GD는 초기 갭 폭 GS보다 상당히 작다. 본 발명의 방법은 3.0㎜ 범위 내의 리드 프레임 두께에서도, 150㎛ 만큼 작은 갭 폭 GD를 달성할 수 있다. 이것은 표준 스탬핑 툴을 사용하여 리드 프레임(1)을 매우 경제적으로 제조할 수 있으면서, 리드 프레임(1)의 상보적 타일들(2)에 걸쳐 매우 작은 표면-장착 LED 패키지들을 배치하는 가능성을 열어준다.
도 3은 시트 금속 스트립으로부터 스탬프된 리드 프레임(1)의 대안적 실시예를 도시한다. 이 도면은 리드 프레임(1)의 평면도, 및 (도면의 상부 부분에서의) 단면도를 도시한다. 초기에, 스탬프된 리드 프레임(1)은 폭 WS 및 길이 LS를 갖고, 4개의 가늘고 긴 타일(2) 및 직사각형 리드 프레임(1)의 4개의 모서리 사이에 연장되는 접속 바들(10)을 형성하도록 스탬프되었다. 타일들(2)은 나중에 계속 LED 패키지들의 애노드들 및 캐소스들을 수용할 것이다. 위에 도 1 및 도 2에서 설명된 실시예와 마찬가지로, 상보적 타일들(2) 간에 작은 갭 폭을 갖는 리드 프레임(1)을 스탬프하는 데 특별한 노력을 들일 필요가 없다. 초기에, 스탬프된 리드 프레임(1)은 상보적 타일들(2) 간에 초기 갭 폭 GS를 갖는다. 스탬프된 리드 프레임(1)은 다음에 변형 단계에 들어간다. 이 실시예에서, 도 4에 도시한 것과 같이, 리드 프레임(1)의 얇은 직선 단면들(10) 또는 접속 바들(10)은 리드 프레임(1)의 평면 밖으로 만곡된다. 각각의 만곡 단면은 (도면의 상부 부분에서의) 단면도에 도시한 것과 같이, 반전된 "아치"로서 보인다. 도 4의 평면도는 리드 프레임(1)의 상부 영역에 있는 3개의 이러한 단면, 및 하부 영역 내의 3개의 이러한 단면을 도시한다. 적합한 툴이 예를 들어, 모든 6개의 "아치"를 동시에 형성하기 위해 사용될 수 있다. 변형 단계의 결과는 리드 프레임(1)의 전체 폭 WD 및 길이 LD를 짧게 하는 것으로, 4개의 타일(2)을 함께 더 가깝게 효과적으로 이동시키므로, 결과적인 갭 폭 GD는 대응하여 짧아진다. 갭 폭이 짧아지는 양은 적절한 치수의 "아치들"을 형성하기 위해 적합한 툴을 사용함으로써 결정될 수 있다. 도 5는 도 3 및 도 4에서 설명된 리드 프레임(1)의 사시도를 도시하고, 바람직하게 작은 갭 폭 GD를 달성하도록 형성된 6개의 반전된 "아치"를 분명히 표시한다. 이 도면은 또한 리드 프레임(1)이 타일들(2) 간의 단락 회로 접속들을 제거하기 위해 절단된 후에 이들을 함께 유지하기 위해 리드 프레임 위와 아래로부터 타일들(2) 및 리드 프레임 측면 바들까지 부착된 오버-몰드 플라스틱 요소들(8)을 도시한다. 예시적인 절단 선들 C가 도면에 표시된다. 리드 프레임(1)의 외부 단부들에 있는 더 이상 필요치 않은 재료는 제거되고 재활용될 수 있다.
도 6은 도 3에서 설명된 것과 같은 리드 프레임을 스탬프하기 위해 준비된 스탬핑 툴(40)을 갖는 스탬핑 프레스(4)의 간소화된 개략도를 도시한다. 시트 금속(3)의 조각이 스탬핑 툴(40)과 스탬핑 다이(41) 사이에 삽입되고, 스탬핑 프레스(4)는 펀칭 또는 스탬핑 동작을 수행하도록 작동된다. 결과적인 스탬프된 리드 프레임(1)은 다음에 프레스(4)로부터 제거된다. 물론, 시트 금속(3)의 연속하는 스트립이 프레스 내로 공급될 수 있고, 결과적인 리드 프레임은 또한 통상의 기술자에게 공지되는 것과 같이, 연속하는 스트립의 형태로 될 수 있다. 분리 툴은 변형 단계를 수행하기 위해 사용될 수 있고, 이것은 동일한 위치에서, 또는 적절한 대로 상이한 위치에서 수행될 수 있다.
도 7은 변형 단계를 나타내고, 두께 H를 갖는 스탬프된 리드 프레임(1)의 상보적 타일들(2) 사이에 삽입된 게이지(5)를 도시한다. 게이지(5)는 LED 다이 패키지의 전극 접촉 영역들 간의 원하는 갭 폭 GD에 대응하는, 100 - 250㎛ 범위 내의 폭 GD를 가질 수 있다. 갭의 폭 GS는 초기에 꽤 넓고, 예를 들어 GS:H의 비는 저비용 스탬핑 절차를 가능하게 하기 위해 1:1일 수 있다. 변형 단계 중에, 예를 들어 리드 프레임(1)의 평면 P 내에 도 1 및 도 2의 접속 바들(10)을 만곡시킴으로써, 갭은 게이지(5)의 폭 GD로 감소된다. 변형은 리드 프레임(1)의 평면 P 내에 도 1 및 도 2의 접속 바들(10)을 만곡시키는 것을 포함할 수 있다. 접속 바(10)가 위에 도 1 및 도 2에서 설명된 것과 같이 직각 삼각형의 빗변으로서 간주될 때, 스탬핑 후의 초기 "가상 레그" 길이 XS가 변형에 의해 더 긴 길이 XD로 증가된다. 이것은 도면의 하부 부분에 도시된 것과 같이, 접속 바(10)의 끝에 있는 타일(2)을 그것의 이웃하는 타일(들)에 더 가깝게 한다.
이 도면에 도시하지 않았지만, 변형 단계는 리드 프레임(1)의 평면 P 바깥에 도 3 내지 도 5에 도시된 것과 같은 "아치들"을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 어느 경우에나, 초기에 넓은 갭은 게이지(5)와 동일한 폭 GD를 갖는 바람직하게 좁은 갭으로 감소된다. 갭 폭을 제어하기 위해 게이지(5)를 사용하면 갭 폭이 너무 좁게 되지 않는 것이 보장될 수 있다. 도면은 또한 예를 들어 오버-몰딩 및 납땜 후에, 폐기될 리드 프레임(1)의 부분들을 표시하는, 절단 선들 C를 표시한다.
도 8은 LED 발광 배열의 부분을 도시한다. 여기서, SMD LED 다이 패키지(6)의 애노드(61) 및 캐소드(62)는 본 발명의 리드 프레임(1)의 상보적 타일들(2) 상에 납땜된다. 상보적 타일들(2) 간의 유리하게 좁은 갭 폭 GD는 바람직하게 작은 SMD LED 다이 패키지(6)의 사용을 가능하게 한다. 도면은 또한 타일들(2)을 제위치에 유지하도록 기능하는 오버-몰드된 플라스틱 요소들(8)을 도시한다.
도 9는 도 1의 리드 프레임과 유사한 방식으로 획득된, 리드 프레임(1)의 추가 실시예를 도시한다. 도면들은 3개의 LED 다이 패키지의 전극들이 나중에 납땜되는, 4개의 타일(2) 또는 LED 전극 접촉 영역(2)을 갖는 리드 프레임을 도시한다. 리드 프레임(1)을 형성하기 위해 사용되는 스탬핑 툴은 타일들(2) 중 3개와 리드 프레임(1)의 나머지 사이에 접속 바들(10)을 남겨 놓았다. 이들 접속 바(2)는 적은 노력으로 리드 프레임(1)의 평면 내에(즉, 페이지의 평면 내에) 만곡될 수 있다. 이것은 3.0㎜ 범위 내의 리드 프레임 두께에서도, 150㎛ 만큼 좁은, 타일들(2) 간의 매우 좁은 갭 폭을 가능하게 한다. 리드 프레임이 이 방식으로 준비된 후에, 표면-장착 LED 패키지(6)는 리드 프레임(1)의 상보적 타일들(2)에 걸쳐 장착될 수 있다.
도 10은 LED들(6)에 대한 윈도우를 제공하고, 리드 프레임(1) 상에 장착된 다른 전자 컴포넌트들을 덮고, 또한 리드 프레임(1)이 조명 디바이스 내에 결합될 때 스페이서들로서 기능하기 위해, 리드 프레임의 다양한 부분들을 함께 유지하도록 배열된 오버-몰드 요소들(8)을 표시한다.
도 11은 조명 디바이스의 제조에서의 추가 스테이지를 도시한다. 여기서, 리드 프레임(1)은 더 이상 필요치 않은 재료를 제거하기 위해 절단 또는 트림되었고, 나머지는 특정한 형상을 달성하기 위해 소정의 미리 결정된 위치들에서 만곡되었다. 접속기들(70)은 리드 프레임(1)의 양의 탬 및 음의 탭에 용접되었다. 최종 오버-몰딩 단계는 요구된다면 다음에 수행될 수 있다. 도 12는 하우징(71)과 히트-싱크(72) 둘 다를 포함하는 유닛 내에 매립된 리드 프레임을 갖는, LED 조명 디바이스(7)의 제조에서의 최종 스테이지를 도시한다. 하우징 및/또는 히트 싱크는 열 전도 플라스틱들로 만들어질 수 있다. 접속기들은 대응하는 플러그 접속기와 결합할 수 있는 소켓 부분(73) 내에 봉입된다.
도 12에 도시한 LED 조명 디바이스(7)의 실시예는 자동차 LED 전방 조명 응용을 위해 특히 적합할 수 있고, 주문자 위탁 생산(OEM) 시장을 위해 특별히 개발될 수 있다. 본 발명의 개념은 이러한 전방 조명 응용들을 위한 통상적인 램프들과 유사한 방식으로 기능할 수 있는 램프 유닛 내에 봉입된 소형 LED 광원을 제공하므로, 조명 디바이스(7)가 쉽게 설치될 수 있다. LED 조명 디바이스의 이 실시예는 능동 냉각 시스템 또는 구동기 박스가 필요하게 되는 것을 요구하지 않는다. LED들의 정밀한 배치 및 오버-몰드된 플라스틱 보호로 인해, 본 발명의 조명 디바이스는 긴 수명 및 바람직한 고도의 기계적 강도를 나타낸다.
본 발명이 양호한 실시예들 및 그것에 대한 변화들의 형태로 개시되었지만, 수많은 추가적인 수정들 및 변화들이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고서 그에 대해 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명의 방법은 리드들 간의 매우 좁은 간격을 요구하는 임의의 전기 디바이스를 보유한 리드 프레임을 제공하기 위해 사용될 수 있다.
명확성을 위해, 본원 전체에 걸친 단수 표현의 사용은 복수를 배제하지 않고, "포함하는"은 다른 단계들 또는 요소들을 배제하지 않는다는 것을 이해하여야 한다.

Claims (15)

  1. 리드 프레임(1)을 제조하는 방법으로서,
    A) 복수의 전극 접촉 영역(2) - 상보적 전극 접촉 영역들(2)은 초기 갭 폭(GS) 만큼 분리됨 - ; 및 다수의 접속 바(10) - 접속 바(10)는 상기 리드 프레임(1)의 영역들 사이에 연장됨 - 를 포함하는 리드 프레임(1)을 스탬프하기 위해 스탬핑 배열(4)을 준비하는 단계;
    B) 상기 스탬핑 배열(4)을 사용하여 상기 리드 프레임(1)을 스탬프하는 단계; 및
    C) 상보적 전극 접촉 영역들(2) 간의 갭 폭을 최종 갭 폭(GD)으로 감소시키기 위해 상기 스탬프된 리드 프레임(1)의 적어도 하나의 접속 바(10)를 변형시키는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스탬핑 배열(4)은 전극 접촉 영역(2)으로부터 상기 리드 프레임(1)의 측면 바(11)까지 연장되는 하나 이상의 접속 바(10)를 스탬프하기 위해 준비되는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 접속 바(10)는 전극 접촉 영역(2)으로부터 상기 리드 프레임(1)의 측면 바(11)까지 대각선으로 연장되는 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 접속 바(10)를 변형시키는 단계는 상기 리드 프레임의 평면(P) 내에 상기 접속 바(10)를 만곡시키는(bending) 단계를 포함하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 접속 바(10)를 변형시키는 단계는 상기 접속 바(10)의 길이를 짧게 하기 위해 상기 리드 프레임(1)의 평면(P) 밖으로 상기 접속 바(10)의 일부를 만곡시키는 단계를 포함하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 스탬핑 배열(4)은 상기 리드 프레임(1)의 두께(H)에 대응하는 폭을 갖는 적어도 하나의 접속 바(10)를 스탬프하기 위해 준비되는 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 접속 바(10)의 변형의 정도를 제한하기 위해 상보적 전극 접촉 영역들(2) 간의 상기 갭 내에 게이지(5)를 삽입하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 최종 갭 폭(GD)은 상기 리드 프레임(1)의 상보적 전극 접촉 영역들(2) 위에 장착될 LED 다이 패키지(6)의 열적 요건들에 기초하여 결정되는 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 변형 단계 후에 상기 접촉 영역들(2)의 최종 위치들을 고정시키기 위해 어닐링 단계가 이어지는 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 변형 단계 후에 상기 접촉 영역들(2)의 최종 위치들을 고정시키기 위해 오버-몰딩 단계가 이어지는 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 스탬핑 툴(stamping tool)이 상기 스탬프된 리드 프레임(1)의 두께(H)에 대응하는 초기 갭 폭(GS)을 달성하기 위해 준비되는 방법.
  12. 리드 프레임(1)으로서,
    복수의 LED 전극 접촉 영역(2); 및
    복수의 접속 바를 포함하고,
    상보적 전극 접촉 영역들(2)은 분리되어 있고,
    복수의 접속 바(10)는 상기 리드 프레임(1)의 영역들 사이에 연장되고,
    스탬핑 배열(4)이 상기 리드 프레임(1)을 스탬프하고,
    상보적 전극 접촉 영역들(2) 간의 갭 폭을 250㎛ 이하로 감소시키도록 상기 스탬프된 리드 프레임(1)의 적어도 하나의 접속 바(10)가 변형되어 있는 리드 프레임(1).
  13. 제12항에 있어서, 상기 갭 폭을 150㎛ 이하로 감소시키도록 상기 적어도 하나의 접속 바(10)는 상기 리드 프레임(1)의 평면 밖으로 만곡되어 있는 리드 프레임.
  14. 제12항에 따른 리드 프레임(1), 및 상기 리드 프레임(1)의 상보적 전극 접촉 영역들(2) 상에 장착된 적어도 하나의 LED 다이 패키지(6)를 포함하는 LED 조명 디바이스(7).
  15. 제14항에 있어서, 상기 LED 다이 패키지(6)는 표면 장착 LED 다이 패키지(6)를 포함하는 LED 조명 디바이스.
KR1020197016537A 2016-11-11 2017-11-06 리드 프레임을 제조하는 방법 KR102136782B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2016105450 2016-11-11
CNPCT/CN2016/105450 2016-11-11
EP16203504 2016-12-12
EP16203504.2 2016-12-12
PCT/EP2017/078293 WO2018087027A1 (en) 2016-11-11 2017-11-06 Method of manufacturing a lead frame

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190082877A KR20190082877A (ko) 2019-07-10
KR102136782B1 true KR102136782B1 (ko) 2020-07-23

Family

ID=60702589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197016537A KR102136782B1 (ko) 2016-11-11 2017-11-06 리드 프레임을 제조하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20190371989A1 (ko)
EP (1) EP3526821B1 (ko)
JP (1) JP6748303B2 (ko)
KR (1) KR102136782B1 (ko)
CN (1) CN109983591B (ko)
WO (1) WO2018087027A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012657A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームとその製造方法
JP2007201233A (ja) 2006-01-27 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
JP2013236005A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用リードフレーム及び当該ｌｅｄ用リードフレームを用いた半導体装置
JP2015144270A (ja) 2013-12-26 2015-08-06 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、ｌｅｄ素子搭載用樹脂付きリードフレーム及び半導体装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3650232A (en) * 1970-09-08 1972-03-21 Amp Inc Method and apparatus for manufacturing lead frames
JPS57133655A (en) 1981-02-10 1982-08-18 Pioneer Electronic Corp Lead frame
JPH05144992A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造に使用されるリードフレームおよびその製造方法
JP3205235B2 (ja) * 1995-01-19 2001-09-04 シャープ株式会社 リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型
US5631192A (en) * 1995-10-02 1997-05-20 Motorola, Inc. Semiconductor device on an opposed leadframe and method for making
JP4388806B2 (ja) * 2001-08-21 2009-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線放出構成部材のためのケーシング及び導体フレーム、放射線放出構成部材、放射線放出構成部材を備えたディスプレイ装置及び／又は照明装置
JP2003204027A (ja) * 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US6996897B2 (en) * 2002-07-31 2006-02-14 Freescale Semiconductor, Inc. Method of making a mount for electronic devices
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
KR100568225B1 (ko) * 2003-11-06 2006-04-07 삼성전자주식회사 리드 프레임 및 이를 적용한 반도체 패키지 제조방법
KR20050083322A (ko) * 2004-02-23 2005-08-26 삼성테크윈 주식회사 반도체 패키지용 리이드 프레임과 이의 제조방법
WO2008057770A2 (en) * 2006-10-27 2008-05-15 Unisem (Mauritius) Holdings Limited Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging
CN101174508B (zh) * 2006-10-31 2011-11-23 Nec东金株式会社 引线框、倒装端子固体电解电容器及用引线框制造其方法
US7683463B2 (en) * 2007-04-19 2010-03-23 Fairchild Semiconductor Corporation Etched leadframe structure including recesses
CN101312177A (zh) * 2007-05-22 2008-11-26 飞思卡尔半导体（中国）有限公司 用于半导体器件的引线框
US9172012B2 (en) * 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
CN102214631A (zh) * 2010-04-09 2011-10-12 飞思卡尔半导体公司 用于半导体装置的引线框
JP5894983B2 (ja) * 2010-07-08 2016-03-30 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． リードフレームｌｅｄ照明アセンブリ
MY165522A (en) * 2011-01-06 2018-04-02 Carsem M Sdn Bhd Leadframe packagewith die mounted on pedetal that isolates leads
TWI397964B (zh) * 2011-01-19 2013-06-01 Unisem Mauritius Holdings Ltd 部分圖案化之引線框架及其在半導體封裝中製作與使用的方法
CN102738024A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 飞思卡尔半导体公司 半导体封装及其引线框
DE102012109159A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmenverbund, Gehäuseverbund, Baugruppenverbund und Verfahren zum Ermitteln mindestens eines Messwerts einer Messgröße einer elektronischen Baugruppe

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012657A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームとその製造方法
JP2007201233A (ja) 2006-01-27 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
JP2013236005A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ用リードフレーム及び当該ｌｅｄ用リードフレームを用いた半導体装置
JP2015144270A (ja) 2013-12-26 2015-08-06 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、ｌｅｄ素子搭載用樹脂付きリードフレーム及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3526821A1 (en) 2019-08-21
JP6748303B2 (ja) 2020-08-26
US20190371989A1 (en) 2019-12-05
CN109983591B (zh) 2022-10-04
EP3526821B1 (en) 2020-09-30
WO2018087027A1 (en) 2018-05-17
JP2019536276A (ja) 2019-12-12
CN109983591A (zh) 2019-07-05
KR20190082877A (ko) 2019-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102714201B (zh) 半导体封装和方法
DE102015114292A1 (de) Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112017003669T5 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US20090011548A1 (en) Hybrid integrated circuit device and manufacturing method thereof
CN1650476A (zh) 焊料保持件及在其上保持焊料块的方法
KR102136782B1 (ko) 리드 프레임을 제조하는 방법
US6586821B1 (en) Lead-frame forming for improved thermal performance
JP2000174203A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR101725221B1 (ko) 발광 다이오드 패키지용 몰드 구조체
CN111725151A (zh) 功率半导体装置及其制造方法
WO2018110104A1 (ja) 回路基板用金属板、回路基板、パワーモジュール、金属板成形品及び、回路基板の製造方法
JP2015041662A (ja) 複合配線板及び複合配線板の製造方法
US11569154B2 (en) Interdigitated outward and inward bent leads for packaged electronic device
US20200161225A1 (en) High Voltage Flip-Chip On Lead (FOL) Package
CN202839587U (zh) 表面安装半导体器件
JP2013069903A (ja) 発光ダイオードの支持フレーム構造およびその製作方法（一）
JP6444273B2 (ja) 大判基板及びその製造方法
JP2005150629A (ja) リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体装置
US20030151120A1 (en) Lead-frame forming for improved thermal performance
JP6622239B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004356545A (ja) ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法
JP4999492B2 (ja) 半導体装置用リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置
JP2022085967A (ja) 電子部品の製造方法
IT202000005767A1 (it) Fabbricazione di prodotti a semiconduttore
KR20070004363A (ko) 리드프레임 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant