KR102130428B1 - 방향성 전자 강판의 제조 방법 - Google Patents

방향성 전자 강판의 제조 방법 Download PDF

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제이에프이 스틸 가부시키가이샤
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Abstract

자기 특성의 향상과 안정화를 달성한다. 최종 냉간 압연 전의 어닐링에 있어서, 1000℃ 이상 1120℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고, 그 후, 650℃ 이상 1000℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고, 상기 최종 냉간 압연 전의 어닐링 후에 있어서의 석출물 중의 Al량을, 강 슬래브에 포함되는 전 Al량의 50％ 이상으로 하는, 방향성 전자 강판의 제조 방법을 제공한다.

Description

방향성 전자 강판의 제조 방법{METHOD OF PRODUCING GRAIN-ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET}
본 발명은, 방향성 전자 강판의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 고온에서의 슬래브 가열을 행하지 않고, 코일 내에서의 자기 특성 변동을 억제하는 방향성 전자 강판의 제조 방법에 관한 것이다.
방향성 전자 강판은, 변압기나 발전기의 철심 재료로서 이용되는 연자성 재료로, 철의 자화 용이축인 <001> 방위가 강판의 압연 방향으로 고도로 정돈된 결정 조직을 갖는 것이다. 이러한 집합 조직은, 방향성 전자 강판의 제조 공정 중, 2차 재결정 어닐링시에 소위 고스(Goss) 방위라고 칭해지는 (110)[001] 방위의 결정립을 우선적으로 거대 성장시키는, 2차 재결정을 통하여 형성된다.
종래, 이러한 방향성 전자 강판의 제조에서는, MnS, MnSe, AlN 등의 석출물(인히비터 성분)을 슬래브 단계에서 함유시키고, 1300℃를 초과하는 고온에서의 슬래브 가열에 의해 이들 인히비터 성분을 일단 고용시키고, 후공정에서 미세 석출시킴으로써 2차 재결정을 발현시킨다는 공정이 채용되어 왔다.
그러나, 종래의 방향성 전자 강판의 제조 공정에서는, 1300℃를 초과하는 고온에서의 슬래브 가열이 필요했기 때문에, 그 제조 비용은 매우 비싼 것이 되지 않을 수 없어, 최근의 제조 비용 저감의 요구에 응할 수 없다는 부분에 문제를 남기고 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 예를 들면, 특허문헌 1에서는, 산 가용성 Al(sol.Al)을 0.010∼0.060％ 함유시키고, 슬래브 가열을 저온으로 억제하여 탈탄 어닐링 공정으로 적정한 질화 분위기하에서 질화를 행함으로써, 2차 재결정시에 (Al, Si)N을 석출시켜 인히비터로서 이용하는 방법이 제안되어 있다.
특허문헌 1에서는, (Al, Si)N이 강 중에 미세 분산되어 유효한 인히비터로서 기능하고, 질화 처리 후의 강판에서는, 질화 규소를 주체로 한 석출물(Si3N4 또는 (Si, Mn)N)이 표층에만 형성된다. 그리고, 계속해서 행해지는 2차 재결정 어닐링에 있어서, 질화 규소를 주체로 한 석출물은, 보다 열역학적으로 안정된 Al 함유 질화물((Al, Si)N, 혹은 AlN)로 변화한다. 이때, 비특허문헌 1에 의하면, 표층 근방에 존재한 Si3N4는, 2차 재결정 어닐링의 승온 중에 고용되는 한편, 질소는 강 중으로 확산되고, 900℃를 초과하는 온도가 되면 판두께 방향으로 거의 균일한 Al 함유 질화물로서 석출하고, 전체 판두께에서 입 성장 억제력(인히비션 효과)을 얻을 수 있다고 되어 있다. 또한, 이 수법은, 고온에서의 슬래브 가열을 이용한 석출물의 분산 제어에 비해, 비교적 용이하게 판두께 방향으로 동일한 석출물량과 석출물 입경을 얻을 수 있다는 이점을 갖고 있다.
한편, 최초부터 슬래브에 인히비터 성분을 함유시키지 않고 2차 재결정을 발현시키는 기술에 대해서 검토가 진행되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 2에서는, 인히비터 성분을 함유시키지 않아도 2차 재결정할 수 있는 기술(인히비터리스법)이 나타나 있다.
인히비터리스법은, 보다 고순도화한 강을 이용하여, 텍스처(집합 조직의 제어)에 의해 2차 재결정을 발현시키는 기술이다. 또한, 인히비터리스법은, 고온의 슬래브 가열이 불필요하고, 질화 등의 특수한 공정을 거치는 일 없이 제조가 가능하기 때문에, 보다 저비용으로의 방향성 전자 강판의 제조가 가능하다.
일본특허공보 제2782086호 일본공개특허공보 2000-129356호
그러나, 인히비터리스법에서는, S, N 등의 미량 불순물량의 변동이나 열간 압연 온도, 열연판 어닐링 온도, 1차 재결정 어닐링 온도 등의 조건 변동에 따라, 강판의 자기 특성이 크게 변동된다는 문제점이 있었다. 이러한 자기 특성의 변동은, 주로 인히비터 성분이 미량으로 잔류하는 것에 기인한다. 그러나, 미량 인히비터 성분을 완전하게 제거하는 것은, 현실적으로는 기술적, 경제적인 문제가 있어, 실질상 불가능했다. 또한, 이들 미량 인히비터 성분은 열간 압연 중에 석출하기는 하지만, 코일 압연에서는 폭방향, 길이 방향의 온도 변동이 불가피적으로 발생하는 점에서, 코일 내에 있어서의 자기 특성의 불균일도 불가피적으로 발생하고 있었다.
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여, 고온 슬래브 가열을 필요로 하지 않고, 저비용 또한 고생산성을 갖고, 또한, 강판의 철손 변동을 억제하는 방향성 전자 강판의 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 예의 연구를 진행시켰다.
그 결과, 강 슬래브 성분에 있어서, S 및/또는 Se를 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하를 함유하고, 최종 냉간 압연 전의 어닐링에 있어서, 1000℃ 이상 1120℃ 이하의 온도역(1번째 단계의 균열 온도)에서 200초 이하 균열하고, 그 후, 650℃ 이상 1000℃ 이하의 온도역(2번째 단계의 균열 온도)에서 200초 이하 균열하여, 상기 최종 냉간 압연 전의 어닐링 후에 있어서의 석출물 중의 Al량을, 강 슬래브에 포함되는 전(全) Al량(전체의 Al량)의 50％ 이상으로 함으로써, 1300℃ 이하의 저온역의 슬래브 가열이라도 자기 특성이 안정적으로 향상하는 것을 신규로 인식하기에 이르렀다.
이하, 본 발명을 이끌어내기에 이른 실험 결과에 대해서 설명한다.
(실험)
C: 0.03질량％, Si: 3.2질량％, Mn: 0.08질량％, P: 0.05질량％, Cu: 0.10질량％, Sb: 0.03질량％, sol.Al: 60질량ppm, N: 40질량ppm, S: 5질량ppm, Se: 1질량ppm, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물의 조성으로 이루어지는 강 A의 슬래브 및, C: 0.03질량％, Si: 3.2질량％, Mn: 0.08질량％, P: 0.05질량％, Cu: 0.10질량％, Sb: 0.03질량％, sol.Al: 60질량ppm, N: 40질량ppm, S: 75질량ppm, Se: 1질량ppm, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물의 조성으로 이루어지는 강 B의 슬래브를 1220℃로 가열 후, 열간 압연하여, 판두께: 2.5㎜의 열연판으로 한 후, 도 1에 나타나는 패턴으로 열연판 어닐링을 실시했다. 열연판 어닐링 후 석출물을 추출하여, 석출물 중의 Al량의 분석을 행했다. 석출 Al량의 분석은, 치노 등 「철과 강」, 일본철강협회, 1988년 12월, 제74권, p.2041-2046에 개시되는 방법으로 행했다. 열연판 어닐링 후에, 냉간 압연으로 0.22㎜로 완성했다.
냉간 압연 후, 850℃에서 120초간 균열하는 탈탄을 겸한 1차 재결정 어닐링을, 수소 분압 55％, 질소 분압 45％ 및 노점 55℃의 분위기에서 행했다. 그 후, MgO를 주제(main ingredient)로 하는 어닐링 분리제를, 1차 재결정판에 양면당 15g/㎡로 도포하여 건조했다. 그 후, 질소 분위기 중에서 800℃까지를 15℃/h로 승온하고, 800∼870℃간의 승온 속도를 5℃/h로 하여, 870℃에서 50시간 유지한 후, 수소 분위기로 전환하여, 1180℃에서 10시간 유지하는 조건으로, 2차 재결정 어닐링을 실시했다. 최종 마무리 어닐링 후, 50％의 콜로이달 실리카와 인산 마그네슘으로 이루어지는 약제를 도포 건조하고, 질소와 수소의 혼합 분위기에서, 850℃에서 20초의 평탄화 어닐링을 행하여, 형상 교정했다. 강 A 및 강 B에 대해서, 열연판 어닐링의 2번째 단계의 균열 온도(도 1의 T℃)와 평탄화 어닐링 후에 있어서의 자속 밀도(B8)의 관계를 나타낸 그래프를 도 2에 나타낸다. 도 2에 의하면, S와 Se를 합계로 6ppm 함유하는 강 A와 비교하여, S와 Se를 합계로 76ppm 함유하는 강 B에서는, 2번째 단계의 균열 온도 650∼1000℃의 범위, 특히 700∼900℃의 범위에서 높은 자속 밀도가 얻어지고 있다.
도 3에 상기 강 B에 대해서, 열연판 어닐링의 2번째 단계의 균열 온도와 석출물 중의 Al량의 전체의 Al량에 대한 비율을 나타낸다. 전체의 Al량이란, 강 슬래브에 포함되는 전 Al량을 가리킨다. 도 3에 의하면, 2번째 단계의 균열 온도 650∼1000℃의 범위에서 석출 Al량이 증가하고, 특히 700∼900℃의 범위에서 거의 전량이 석출하고 있는 것을 알 수 있다. 도 4에 석출물 중의 Al량의 전체의 Al량에 대한 비율과 평탄화 어닐링 후의 자속 밀도의 관계를 나타낸다. 석출물 중의 Al량이 높을수록 자속 밀도는 향상하고, 석출 Al량의 범위가 전체의 Al량의 50％ 이상, 특히 90％ 이상인 경우에, 양호한 자속 밀도의 값이 얻어지고 있다.
여기에서, 상기 강 B와 같이 S와 Se의 합계량을 76ppm으로 높인 소재를 이용하여, 최종 냉연 전(前) 어닐링을 2단계 균열하는 패턴으로 행하고, 2번째 단계의 균열 온도가 650∼1000℃의 범위에서 석출 Al량이 증가하여, 자속 밀도가 향상한 이유에 대해서는 반드시 분명하지는 않지만, 본 발명자들은 다음과 같이 생각하고 있다. 우선, 2번째 단계의 균열 처리에 의해 불순물로서의 Al을 석출시킴으로써, 입 성장의 억제력이 일정하게 유지되어, 2차 재결정의 발현이 안정화된다. 또한, 첨가한 S는, MnS 혹은 Cu2S와 같은 석출물을 형성하는 것에 더하여, 고용 S분에 의한 입계 편석 효과가 발휘된다. 그리고, 2번째 단계의 균열 처리 중에, 고용 S에 의한 입계 편석 효과가 높아짐으로써, 자속 밀도가 향상한 것이라고 추정된다. S량이 낮은 경우에는, 2번째 단계의 균열 중에, 석출 Al량의 증가에 의해 2차 재결정의 발현은 안정화하기는 하지만, 고용 S분에 의한 입계 편석 효과가 발휘되지 않기 때문에, 자속 밀도 향상이 불충분해진 것이라고 생각된다. 즉 S를 미량 첨가한 소재에, 최종 냉연 전 어닐링을 2단계 균열하는 패턴으로 실시함으로써, 입 성장 억제력을 일정하게 유지하고, S의 입계 편석 효과를 최대한으로 발휘함으로써 자속 밀도가 향상하는 것이라고 생각하고 있다. Se도 S와 동일하게, MnSe 혹은 Cu2Se와 같은 석출물을 형성함과 동시에, 고용 Se로서 입계 편석 효과를 발휘하여, 자속 밀도를 향상시킨다.
본 기술은, 섬세(Subtle) 억제력(Inhibition) 제어(Control)(SIC법)라고 칭해야 할 방법이다. 이 SIC법은, 저온 슬래브 가열과 코일 내에서의 철손 변동의 억제를 동시에 달성할 수 있는, 종래의 인히비터를 사용하는 기술이나 인히비터리스 기술보다도 우수한 방법이다.
본 발명은, 상기의 인식에 기초하여, 추가로 검토를 더한 끝에 완성된 것이다. 즉, 본 발명의 요지 구성은 다음과 같다.
1. 질량％로,
C: 0.002％ 이상 0.08％ 이하,
Si: 2.0％ 이상 8.0％ 이하,
Mn: 0.02％ 이상 1.00％ 이하,
S 및/또는 Se를 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하
를 함유하고, N을 60질량ppm 미만, 산 가용성 Al을 100질량ppm 미만으로 억제하고, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 성분 조성을 갖는 강 슬래브를 1300℃ 이하로 가열하고,
당해 강 슬래브에 열간 압연을 실시하여 열연 강판으로 하고,
당해 열연 강판에, 열연판 어닐링을 실시하거나 실시하는 일 없이, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간 압연을 실시하여 냉연 강판으로 하고,
당해 냉연 강판에 1차 재결정 어닐링을 실시하고,
당해 1차 재결정 어닐링 후의 냉연 강판의 표면에 어닐링 분리제를 도포하고 나서 2차 재결정 어닐링을 실시하는 방향성 전자 강판의 제조 방법으로서,
상기 중간 어닐링을 실시하지 않는 경우에는, 상기 열연판 어닐링에 있어서, 1000℃ 이상 1120℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고, 그 후, 650℃ 이상 1000℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하며, 상기 중간 어닐링을 실시하는 경우에는, 최후의 중간 어닐링에 있어서, 1000℃ 이상 1120℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고, 그 후, 650℃ 이상 1000℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고,
상기 중간 어닐링을 실시하지 않는 경우에는, 열연판 어닐링 후에 있어서의 석출물 중의 Al량을, 상기 강 슬래브에 포함되는 전 Al량의 50％ 이상으로 하고, 상기 중간 어닐링을 실시하는 경우에는, 최후의 중간 어닐링 후에 있어서의 석출물 중의 Al량을, 상기 강 슬래브에 포함되는 전 Al량의 50％ 이상으로 하는, 방향성 전자 강판의 제조 방법.
2. 상기 성분 조성은, 추가로,
질량％로,
Sn: 0.001％ 이상 0.20％ 이하,
Sb: 0.001％ 이상 0.20％ 이하,
Ni: 0.001％ 이상 1.50％ 이하,
Cu: 0.001％ 이상 1.50％ 이하,
*Cr: 0.001％ 이상 0.50％ 이하,
P: 0.001％ 이상 0.50％ 이하,
Mo: 0.001％ 이상 0.50％ 이하,
Ti: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
Nb: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
V: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
B: 0.0002％ 이상 0.0025％ 이하,
Bi: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
Te: 0.001％ 이상 0.10％ 이하 및
Ta: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하는, 상기 1에 기재된 방향성 전자 강판의 제조 방법.
3. 상기 냉연 강판에 질화 처리를 실시하는, 상기 1 또는 2에 기재된 방향성 전자 강판의 제조 방법.
4. 상기 어닐링 분리제에, 황화물, 황산염, 셀렌화물 및 셀렌산염의 1종 또는 2종 이상을 첨가하는, 상기 1 또는 2에 기재된 방향성 전자 강판의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 미량 석출물과 입계 편석 원소를 병용한, 섬세(Subtle) 억제력(Inhibition) 제어(Control)(SIC법)법에 의해, 고온 슬래브 가열을 필요로 하지 않고, 저비용 또한 고생산성을 갖고, 또한, 강판의 철손 변동을 억제할 수 있다.
도 1은 최종 냉간 압연 전의 어닐링의 패턴을 나타낸 그래프이다.
도 2는 최종 냉간 압연 전의 어닐링의 2번째 단계의 균열 온도와 자속 밀도(B8)의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 최종 냉간 압연 전의 어닐링의 2번째 단계의 균열 온도와 석출물 중의 Al량의 전체의 Al량에 대한 비율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 석출물 중의 Al량의 전체의 Al량에 대한 비율과 자속 밀도의 관계를 나타내는 그래프이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 방향성 전자 강판의 제조 방법에 대해서 설명한다. 우선, 강의 성분 조성의 한정 이유에 대해서 서술한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 각 성분 원소의 함유량을 나타내는 「％」는, 특별히 언급하지 않는 한 「질량％」를 의미하고, 「ppm」은, 특별히 언급하지 않는 한 「질량ppm」을 의미한다.
C: 0.002％ 이상 0.08％ 이하
C는, 1차 재결정 집합 조직을 개선하는 데에 있어서 유용한 원소이지만, 함유량이 0.08％를 초과하면 오히려 1차 재결정 집합 조직의 열화를 초래하기 때문에, 본 발명에서는 0.08％ 이하로 한정했다. 자기 특성의 관점에서, 바람직한 첨가량은, 0.002％ 이상 0.06％ 이하의 범위이다.
Si: 2.0％ 이상 8.0％ 이하
Si는, 전기 저항을 높임으로써 철손을 개선하는 유용 원소이지만, 함유량이 8.0％를 초과하면 2차 가공성이 현저하게 열화하기 때문에, Si는 8.0％ 이하로 한정했다. 철손의 관점에서, 첨가량은 2.0％ 이상 8.0％ 이하의 범위로 한다.
Mn: 0.02％ 이상 1.00％ 이하
Mn은, 제조시에 있어서의 열간 가공성을 향상시키는 효과가 있지만, 함유량이 1.00％를 초과한 경우에는, 1차 재결정 집합 조직이 악화되어 자기 특성의 열화를 초래하기 때문에, Mn은 1.00％ 이하로 한정했다. 자기 특성의 관점에서, 첨가량은 0.02％ 이상 1.00％ 이하의 범위로 한다.
N: 60ppm 미만
N은, 과잉으로 존재하면, 2차 재결정을 곤란하게 한다. 특히, N량이 60ppm 이상이 되면, 2차 재결정이 생기기 어려워져, 자기 특성이 열화한다. 그 때문에, N은 60ppm 미만으로 억제하는 것으로 했다.
산 가용성 Al(sol.Al): 100ppm 미만
Al도 또한, 과잉으로 존재하면 2차 재결정을 곤란하게 한다. 특히, sol.Al량이 100ppm 이상이 되면, 저온 슬래브 가열의 조건에서는 2차 재결정하기 어려워져, 자기 특성이 열화한다. 그 때문에, Al은 sol.Al량으로 100ppm 미만으로 억제하는 것으로 했다.
S 및/또는 Se: 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하
본 발명에 있어서는, S 및/또는 Se가 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하 함유하는 것이 가장 중요하다. Se 및 S는, Mn 화합물이나 Cu 화합물과 같은 석출물을 형성함과 동시에, 고용 Se 및 고용 S로서 입 성장을 억제하여, 자기 특성 안정화 효과를 발휘한다.
S 및/또는 Se가 합계로 0.0015％ 이하이면, 고용 S 및/또는 Se량이 부족하여 자기 특성이 불안정해지고, 0.010％를 초과하면 열간 압연 전의 슬래브 가열에 있어서의 석출물의 고용이 불충분해져, 자기 특성이 불안정해진다. 따라서, S 및/또는 Se는, 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하의 범위로 한다.
이상, 본 발명의 기본 성분에 대해서 설명했다. 상기 성분 이외의 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물이지만, 그 외에도 필요에 따라서, 공업적으로 보다 안정적으로 자기 특성을 개선하는 성분으로서, 이하의 원소를 적절히 함유시킬 수 있다.
Sn: 0.001％ 이상 0.20％ 이하
Sn은, 2차 재결정 어닐링 중의 강판의 질화나 산화를 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성, 특히 철손을 효과적으로 향상시키는 기능이 있고, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, 0.20％를 초과하면 냉간 압연성의 열화를 초래한다. 이 때문에, Sn은 0.001％ 이상 0.20％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Sb: 0.001％ 이상 0.20％ 이하
Sb는, 2차 재결정 어닐링 중의 강판의 질화나 산화를 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 효과적으로 향상시키는 유용한 원소이며, 그 목적을 위해서는 0.001％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, 0.20％를 초과하면 냉간 압연성의 저하를 초래한다. 이 때문에, Sb는 0.001％ 이상 0.20％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Ni: 0.001％ 이상 1.50％ 이하
Ni는, 열연판 조직의 균일성을 높임으로써, 자기 특성을 개선하는 기능이 있고, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 1.50％를 초과하면 2차 재결정이 곤란해져, 자기 특성의 저하를 초래한다. 이 때문에, Ni는 0.001％ 이상 1.50％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Cu: 0.001％ 이상 1.50％ 이하
Cu는, 2차 재결정 어닐링 중의 강판의 산화를 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 효과적으로 향상시키는 기능이 있고, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 Cu가 1.50％를 초과하면, 열간 압연성의 저하를 초래한다. 이 때문에, Cu는 0.001％ 이상 1.50％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Cr: 0.001％ 이상 0.50％ 이하
Cr은, 포스테라이트 하지(base) 피막의 형성을 안정화시키는 기능이 있고, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.50％를 초과하면 2차 재결정이 곤란해져, 자기 특성이 열화한다. 이 때문에, Cr은 0.001％ 이상 0.50％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
P: 0.001％ 이상 0.50％ 이하
P는, 1차 재결정 집합 조직을 개선하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 효과적으로 향상시키는 유용 원소이며, 그 목적을 위해서는 0.001％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.50％를 초과하면 냉간 압연성의 저하를 초래한다. 이 때문에, P는 0.001％ 이상 0.50％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Mo: 0.001％ 이상 0.50％ 이하
Mo는, 고온 산화를 억제하여, 스캡(scap)이라고 불리는 표면 결함의 발생을 감소시키는 기능이 있고, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.50％를 초과하면 냉간 압연성의 저하를 초래한다. 이 때문에, Mo는 0.001％ 이상 0.50％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Ti: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
Ti는 1차 재결정립의 성장을 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 향상시키는 유용 원소이며, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.10％를 초과하면 지철 중에 잔류하여 철손의 증가를 초래한다. 이 때문에, Ti는 0.001％ 이상 0.10％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Nb: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
Nb는 1차 재결정립의 성장을 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 향상시키는 유용 원소이며, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.10％를 초과하면 지철 중에 잔류하여 철손의 증가를 초래한다. 이 때문에, Nb는 0.001％ 이상 0.10％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
V: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
V는 1차 재결정립의 성장을 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 향상시키는 유용 원소이며, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.10％를 초과하면 지철 중에 잔류하여 철손의 증가를 초래한다. 이 때문에, V는 0.001％ 이상 0.10％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
B: 0.0002％ 이상 0.0025％ 이하
*B는 1차 재결정립의 성장을 억제해하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 향상시키는 유용 원소이며, 그를 위해서는 0.0002％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.0025％를 초과하면 지철 중에 잔류하여 철손의 증가를 초래한다. 이 때문에, B는 0.0002％ 이상 0.0025％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Bi: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
Bi는 입계에 편석하여, 1차 재결정립의 성장을 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 향상시키는 유용 원소이며, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.10％를 초과하면 지철 중에 잔류하여 철손의 증가를 초래한다. 이 때문에, Bi는 0.001％ 이상 0.10％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Te: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
Te는 입계에 편석하여, 1차 재결정립의 성장을 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 향상시키는 유용 원소이며, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.10％를 초과하면 지철 중에 잔류하여 철손의 증가를 초래한다. 이 때문에, Te는 0.001％ 이상 0.10％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
Ta: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
Ta는 1차 재결정립의 성장을 억제하고, 양호한 결정 방위를 갖는 결정립의 2차 재결정을 촉진하여 자기 특성을 향상시키는 유용 원소이며, 그를 위해서는 0.001％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 그러나, 함유량이 0.10％를 초과하면 지철 중에 잔류하여 철손의 증가를 초래한다. 이 때문에, Ta는 0.001％ 이상 0.10％ 이하의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명에 따른 방향성 전자 강판의 제조 조건에 대해서 설명한다.
[가열]
상기의 성분 조성으로 조정한 강 슬래브를, 1300℃ 이하에서 가열한다. 가열 온도를 1300℃ 이하로 억제하는 것이, 열간 압연시에 생성되는 스케일량을 저감하는 데에 있어서 특히 유효하기 때문이다. 또한, 가열 온도를 1300℃ 이하로 억제함으로써, 결정 조직의 미세화 및 균일한 정립(uniformly-sized grain) 1차 재결정 조직을 실현할 수 있다.
[열간 압연]
상기 가열 후에, 열간 압연을 행한다. 열간 압연 온도는, 개시 온도를 1100℃ 이상, 종료 온도를 800℃ 이상으로 하는 것이, 결정 조직의 미세화를 위해 바람직하다. 단, 종료 온도는, 결정 조직의 균일화 때문에, 1000℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.
[최종 냉간 압연 전의 어닐링]
다음으로, 필요에 따라서 열연판 어닐링을 실시한다. 그 후에 중간 어닐링을 행하지 않는 경우에는, 당해 열연판 어닐링이 최종 냉간 압연 전의 어닐링이 된다.
그 후, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간 압연을 실시하여 냉연판으로 한다. 열연판 어닐링을 행하지 않는 경우에는 반드시 중간 어닐링을 행하는 것으로 하고, 이 중간 어닐링을 최종 냉간 압연 전의 어닐링으로 한다.
고스 조직을 제품판에 있어서 고도로 발달시키기 위해, 최종 냉간 압연 전의 어닐링은, 1000℃ 이상 1120℃ 이하의 온도역에서의 1번째 단계의 균열 처리와, 1번째 단계보다도 낮은 650℃ 이상 1000℃ 이하의 온도역에서의 2번째 단계의 균열 처리로 이루어지는, 2단계의 히트(heat) 패턴에 의해 행해진다. 여기에서의 1번째 단계 및 2번째 단계의 균열 처리는 온도가 일정할 필요는 없고, 상기의 각 온도 구간에 소정 시간 체류하고 있으면 좋다.
1번째 단계의 균열 온도는 1000℃ 미만이면 재결정이 불충분하여 자기 특성이 열화하고, 1120℃를 초과하면 냉연 전 입경이 지나치게 조대화하여 자기 특성이 열화 한다. 그 때문에, 1번째 단계의 균열 온도는 1000℃ 이상 1120℃ 이하로 한다. 균열 시간은 200초를 초과하면 황화물의 조대화가 진행되고, 억제력이 저하하여 자기 특성이 열화한다. 그 때문에, 1번째 단계의 균열 시간은 200초 이하로 한다.
2번째 단계의 균열 온도가 650℃ 미만이면, 최종 냉간 압연 전의 어닐링 후의 석출 Al량이 저하하고, 고용 S 및/또는 Se의 입계 편석량이 저하하기 때문에, 자기 특성이 저하한다. 2번째 단계의 균열 온도가 1000℃를 초과하면, 상기 어닐링 후의 석출 Al량이 저하하여 2차 재결정이 불안정해져, 자기 특성이 저하한다. 그 때문에, 2번째 단계의 균열 온도는, 650℃ 이상 1000℃ 이하의 범위로 한다. 2번째 단계의 균열 시간이 200초를 초과하면, 탄화물의 입계 석출이 진행되고, 고용 C가 감소하여 자기 특성이 저하한다. 그 때문에, 2번째 단계의 균열 시간은 200초 이하로 한다.
상기 냉간 압연에서는, 압연 온도를 100℃ 이상 250℃ 이하로 상승시켜 압연을 행하는 것이나, 냉간 압연의 도중에서 100℃ 이상 250℃ 이하의 범위에서의 시효 처리를 1회 또는 복수회 행하는 것은, 고스 조직을 발달시키는 데에 있어서 유효하다.
[1차 재결정 어닐링]
얻어진 냉연판에 1차 재결정 어닐링을 실시한다. 이 1차 재결정 어닐링의 목적은, 압연 조직을 갖는 냉간 압연판을 1차 재결정시켜, 2차 재결정에 최적인 1차 재결정 입경으로 조정하는 것이다. 그를 위해서는, 1차 재결정 어닐링의 어닐링 온도는 800℃ 이상 950℃ 미만 정도로 하는 것이 바람직하다. 이때의 어닐링 분위기는, 습수소질소 혹은 습수소아르곤 분위기로 함으로써, 탈탄 어닐링을 겸해도 좋다.
또한, 1차 재결정 어닐링에서는, 500℃ 이상 700℃ 이하의 온도역의 평균 승온 속도를 50℃/s 이상으로 하는 것이 바람직하다. 상기의 온도역이 냉간 압연 후의 조직의 회복에 상당하는 온도역에 해당하기 때문에, 상기 평균 승온 속도로 급속하게 승온하고, 회복 현상을 억제하여 재결정시킴으로써, Goss 방위 결정립의 존재량이 높아져, 2차 재결정 후의 결정 입경을 저감하고, 이에 따라, 철손 특성이 개선된다.
[질화 처리]
1차 재결정 어닐링 중, 또는 어닐링 후, 어닐링 분리제를 도포하기 전에, 질화 처리를 추가로 행하는 것으로 해도 좋다. 질화 처리를 행함으로써, 2차 재결정을 안정화시킬 수 있다.
질화 처리 방법에 대해서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 코일 형태 그대로 NH3 분위기나 가스를 이용하여 가스 질화를 행해도 좋고, 주행하는 스트립에 대하여 연속적인 가스 질화를 행해도 좋다. 또한, 가스 질화에 비해 질화능이 높은 염욕질화를 이용하는 것도 가능하다. 여기에서, 염욕질화를 이용하는 경우의 염욕으로서는, 시안산염을 주성분으로 하는 염욕이 적합하다. 또한, 질화 온도 및 질화 시간에 대해서는, 가스 질화의 경우에는 500℃ 이상 1000℃ 이하에서 20∼600초 정도, 염욕질화의 경우에는 300℃ 이상 600℃ 이하에서 20∼600초 정도로 하는 것이 적합하다.
[어닐링 분리제의 도포]
1차 재결정 어닐링 후로서 2차 재결정 어닐링 전의 강판 표면에 어닐링 분리제를 도포한다.
어닐링 분리제 중에 황화물, 황산염, 셀렌화물 및 셀렌산염 중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 첨가한 경우, 700℃ 정도에서 분해하여, 입 성장 억제력을 높이는 것이 가능해지기 때문에, 자기 특성을 향상시킬 수 있다. 비교적 소량으로도 이 효과는 얻어지지만, MgO: 100질량부에 대하여, 1질량부 미만에서는 효과가 작다. 한편, 30질량부를 초과하여 첨가한 경우에는, 산화성이 지나치게 높아져, 포스테라이트 피막이 과잉으로 두꺼워지기 때문에, 형성된 포스테라이트 피막의 굽힘 박리 특성이 저하한다. 이 때문에, 어닐링 분리제 중에 첨가되는 황화물, 황산염, 셀렌화물 및 셀렌산염 중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것은, MgO: 100질량부에 대하여, 1질량부 이상 30질량부 이하인 것이 바람직하다.
[2차 재결정 어닐링]
그 후, 순화 어닐링을 겸한 2차 재결정 어닐링을 행한다.
2차 재결정 어닐링에 있어서의 순화 온도는 1180℃를 초과하는 온도로 하고, 순화시의 가스 분위기를 H2 가스 분위기, 구체적으로는, H2를 10체적％ 이상으로 함으로써, 극미량이라도 자기 특성에 유해하게 작용하는 C나 N, 나아가서는 Al, S 및 Se와 같은 성분의 철저한 순화가 가능해진다. 또한, 순화 시간은 특별히 제한되는 것이 아니지만, 통상, 2∼20시간 정도이다.
[절연 코팅]
상기의 2차 재결정 어닐링 후, 강판 표면에, 추가로 절연 코팅을 도포하고, 베이킹하여 절연 피막을 형성시키는 것으로 해도 좋다. 이러한 절연 피막의 종류에 대해서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 모든 절연 피막이 적합하다. 예를 들면, 인산염-크롬산염-콜로이달 실리카를 함유하는 도포액을 강판에 도포하고, 800℃ 정도에서 베이킹하는 방법이 적합하다.
[평탄화 어닐링]
그 후, 평탄화 어닐링에 의해, 강판의 형상을 갖추는 것으로 해도 좋고, 추가로 이 평탄화 어닐링을 절연 피막의 베이킹 처리와 겸용시킬 수도 있다. 평탄화 어닐링의 어닐링 온도는 800∼900℃가 바람직하고, 어닐링 시간은 10초 이상 120초 이하가 바람직하다.
그 외의 제조 조건은, 방향성 전자 강판의 일반적인 제조 방법에 따르면 좋다.
실시예
(실시예 1)
C: 0.03％, Si: 3.4％, Mn: 0.10％, Cu: 0.06％, Sb: 0.06％, P: 0.06％, Mo: 0.06％, sol.Al: 60ppm, N: 45ppm, S: 50ppm, Se: 1ppm, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물의 조성이 되는 강 슬래브를, 1250℃로 가열한 후, 열간 압연하여, 판두께: 2.4㎜의 열연판으로 한 후, 표 1에 나타나는 조건으로 열연판 어닐링을 실시했다. 열연판 어닐링 후에 석출물 중의 Al량을 측정했다.
Figure 112018085594228-pct00001
그 후, 200℃에서의 냉간 압연에 의해, 판두께: 0.23㎜로 한 후, 500∼700℃간의 승온 속도를 150℃/s로 하고, 850℃에서 120초간, 분위기 H2: 55％, N2: 45％, 노점 55℃에서의 탈탄을 겸하는 1차 재결정 어닐링을 실시했다.
1차 재결정 어닐링 후, MgO를 주제로 하는 어닐링 분리제를, 1차 재결정판에 양면당 12.5g/㎡ 도포하여 건조한 후, 승온 속도: 15℃/h로 800℃까지, 800℃에서 850℃까지를 2.0℃/h로 승온한 후, 850℃에서 50시간 유지하고, 1160℃까지 5.0℃/h로 승온하고, 5시간 균열하는 조건으로, 2차 재결정 어닐링을 실시했다. 분위기 가스는, 850℃까지는 N2 가스를 사용하고, 850℃ 이상에서는 H2 가스를 사용했다.
상기의 조건에서 얻어진 2차 재결정 어닐링판의 표면에, 인산염-크롬산염-콜로이달 실리카를, 질량비로 3:1:3의 비율로 함유하는 처리액을 도포하고, 평탄화 어닐링을 실시했다. 동시에, 평탄화 어닐링 후에 있어서의 자속 밀도를 측정했다.
표 1로부터 분명한 바와 같이, 강 슬래브에 S 및/또는 Se를 합계로 0.0015％초과 0.010％ 이하 함유시키고, 최종 냉간 압연 전의 어닐링을 소정의 히트 패턴으로 행함으로써, 석출 Al량을 높이고, 고용 S 및/또는 Se의 입계 편석을 촉진시켜 양호한 자기 특성을 얻을 수 있다.
(실시예 2)
표 2에 나타나는 성분으로, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물의 조성이 되는 강 슬래브를, 1250℃로 가열한 후, 열간 압연하여, 판두께: 2.6㎜의 열연판으로 한 후, 열연판 어닐링을 2단계의 히트 패턴으로 실시했다. 1번째 단계의 균열은 1075℃에서 30s, 2번째 단계의 균열은 850℃에서 60s로 했다.
열연판 어닐링 후에 석출물 중의 Al량을 측정했다.
Figure 112018085594228-pct00002
다음으로, 180℃에서의 냉간 압연에 의해, 판두께: 0.27㎜로 한 후, 500∼700℃간의 승온 속도를 100℃/s로 하여, 840℃에서 150초간, 분위기 H2: 55％, N2: 45％, 노점 58℃에서의 탈탄을 겸하는 1차 재결정 어닐링을 실시했다.
1차 재결정 어닐링 후, MgO를 주제로 하는 어닐링 분리제를, 1차 재결정판에 양면당 12.5g/㎡ 도포하여 건조한 후, 승온 속도: 5℃/h로 800℃까지 승온하고, 800℃에서 840℃까지를 2.0℃/h로 승온한 후에, 840℃에서 50시간 유지하고, 1160℃까지 5.0℃/h로 승온하고, 5시간 균열하는 조건으로, 2차 재결정 어닐링을 실시했다. 분위기 가스는, 840℃까지 N2 가스를 사용하고, 840℃ 이상은 H2 가스를 사용했다.
상기의 조건으로 얻어진 2차 재결정 어닐링판의 표면에, 인산염-크롬산염-콜로이달 실리카를, 질량비로 3:1:3의 비율로 함유하는 처리액을 도포하고, 평탄화 어닐링을 실시했다. 평탄화 어닐링 후의 자속 밀도(B8)와 철손(W17/50)을 측정한 결과를 표 2에 나타낸다.
표 2로부터 분명한 바와 같이, 강 슬래브에 S 및/또는 Se를 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하 함유시키고, 최종 냉간 압연 전의 어닐링을 소정의 히트 패턴으로 행함으로써, 석출 Al량을 높이고, 고용 S 및/또는 Se의 입계 편석을 촉진시켜 양호한 자기 특성을 얻을 수 있다.
(실시예 3)
표 3에 나타나는 성분으로, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물의 조성이 되는 강 슬래브를 1260℃로 가열하고, 열간 압연하여 판두께: 2.8㎜의 열연판으로 한 후, 1025℃에서 30초의 열연판 어닐링을 실시했다. 다음으로, 120℃에서의 냉간 압연에 의해 1.8㎜로 했다. 그 후, 중간 어닐링을 2단계의 히트 패턴으로 실시했다. 1번째 단계의 균열은 1050℃에서 30s, 2번째 단계의 균열은 800℃에서 90s로 했다. 중간 어닐링 후에 석출물 중의 Al량을 측정했다.
Figure 112018085594228-pct00003
그 후, 180℃에서의 냉간 압연에 의해, 판두께를 0.20㎜로 한 후, 500∼700℃간의 승온 속도를 50℃/s로 하여, 840℃에서 100초간, 분위기 H2: 55％, N2: 45％, 노점 53℃에서의 탈탄을 겸하는 1차 재결정 어닐링을 실시했다.
1차 재결정 어닐링 후, MgO에 대하여, MgSO4를 중량비로 10％ 첨가한 어닐링분리제를, 1차 재결정판에 양면당 12.5g/㎡ 도포하여 건조한 후, 승온 속도: 5℃/h로 800℃까지 승온하고, 800℃에서 880℃까지 2.0℃/h로 승온한 후, 880℃에서 50시간 유지하고, 1160℃까지 5.0℃/h로 승온하고, 5시간 균열하는 조건으로, 2차 재결정 어닐링을 실시했다. 분위기 가스는, 840℃까지는 N2 가스를 사용하고, 840℃ 이상에서는 H2 가스를 사용했다.
상기의 조건으로 얻어진 2차 재결정 어닐링판의 표면에, 인산염-크롬산염-콜로이달 실리카를, 질량비로 3:1:3의 비율로 함유하는 처리액을 도포하고, 평탄화 어닐링을 실시했다. 평탄화 어닐링 후의 자속 밀도(B8)와 철손(W17/50)을 측정한 결과를 표 3에 나타낸다.
표 3으로부터 분명한 바와 같이, 강 슬래브에 S 및/또는 Se를 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하 함유시키고, 최종 냉간 압연 전의 어닐링을 소정의 히트 패턴으로 행함으로써, 석출 Al량을 높이고, 고용 S 및/또는 Se의 입계 편석을 촉진시켜 양호한 자기 특성을 얻을 수 있다.
(실시예 4)
C: 0.02％, Si: 3.1％, Mn: 0.10％, Cu: 0.06％, Sb: 0.06％, P: 0.06％, Mo: 0.06％, Cr: 0.06％, sol.Al: 50ppm, N: 45ppm, S: 70ppm, Se: 10ppm을 포함하고, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물의 조성이 되는 강 슬래브를, 1240℃로 가열하고, 열간 압연하여, 판두께: 2.4㎜의 열연판으로 한 후, 열연판 어닐링을 실시했다. 열연판 어닐링은 2단계의 히트 패턴으로 실시했다. 1번째 단계의 균열은 1100℃에서 20s, 2번째 단계의 균열은 800℃에서 60s로 했다. 열연판 어닐링 후에 석출물 중의 Al량을 측정했다.
다음으로, 180℃에서의 냉간 압연에 의해, 판두께: 0.22㎜로 한 후, 500∼700℃간의 승온 속도를 100℃/s로 하여, 840℃에서 150초간, 분위기 H2: 55％, N2: 45％, 노점 55℃에서의 탈탄을 겸하는 1차 재결정 어닐링을 실시했다. 그 후, 표 4에 나타나는 조건으로 질화 처리를 행했다.
Figure 112018085594228-pct00004
1차 재결정 어닐링 후, 표 4에 나타나는 약제를 첨가한 MgO를 주제로 하는 어닐링 분리제를, 1차 재결정판에 양면당 12.5g/㎡ 도포하여 건조한 후, 승온 속도: 5℃/h로 800℃까지, 800℃에서 880℃까지를 2.0℃/h로 승온한 후, 880℃에서 50시간 유지하고, 1160℃까지 5.0℃/h로 승온하고, 5시간 균열하는 조건으로, 2차 재결정 어닐링을 실시했다. 분위기 가스는: 880℃까지는 N2 가스를 사용하고, 880℃ 이상에서는 H2 가스를 사용했다.
표 4로부터 분명한 바와 같이, 강 슬래브에 S 및/또는 Se를 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하 함유시키고, 최종 냉간 압연 전의 어닐링을 소정의 히트 패턴으로 행하는 것에 더하여, 질화 처리를 실시하고 및/또는 2차 재결정 어닐링 전에 강판에 도포하는 어닐링 분리제 중에 황화물, 황산염, 셀렌화물 및 셀렌산염 중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 첨가함으로써, 더욱 안정적으로 자기 특성을 향상시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 질량％로,
    C: 0.002％ 이상 0.08％ 이하,
    Si: 2.0％ 이상 8.0％ 이하,
    Mn: 0.02％ 이상 1.00％ 이하,
    S 및 Se 중 어느 일방 또는 양방을 합계로 0.0015％ 초과 0.010％ 이하
    를 함유하고, N을 60질량ppm 미만, 산 가용성 Al을 100질량ppm 미만으로 억제하고, 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 성분 조성을 갖는 강 슬래브를 1300℃ 이하로 가열하고,
    당해 강 슬래브에 열간 압연을 실시하여 열연 강판으로 하고,
    당해 열연 강판에, 열연판 어닐링을 실시하거나 실시하는 일 없이, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간 압연을 실시하여 냉연 강판으로 하고,
    당해 냉연 강판에 1차 재결정 어닐링을 실시하고,
    당해 1차 재결정 어닐링 후의 냉연 강판의 표면에 어닐링 분리제를 도포하고 나서 2차 재결정 어닐링을 실시하는 방향성 전자 강판의 제조 방법으로서,
    상기 중간 어닐링을 실시하지 않는 경우에는, 상기 열연판 어닐링에 있어서, 1000℃ 이상 1120℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고, 그 후, 650℃ 이상 900℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고, 상기 중간 어닐링을 실시하는 경우에는, 최후의 중간 어닐링에 있어서, 1000℃ 이상 1120℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고, 그 후, 650℃ 이상 900℃ 이하의 온도역에서 200초 이하 균열하고,
    상기 중간 어닐링을 실시하지 않는 경우에는, 열연판 어닐링 후에 있어서의 석출물 중의 Al량을, 상기 강 슬래브에 포함되는 전 Al량의 50％ 이상으로 하고, 상기 중간 어닐링을 실시하는 경우에는, 최후의 중간 어닐링 후에 있어서의 석출물 중의 Al량을, 상기 강 슬래브에 포함되는 전 Al량의 50％ 이상으로 하는, 방향성 전자 강판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 성분 조성은, 추가로,
    질량％로,
    Sn: 0.001％ 이상 0.20％ 이하,
    Sb: 0.001％ 이상 0.20％ 이하,
    Ni: 0.001％ 이상 1.50％ 이하,
    Cu: 0.001％ 이상 1.50％ 이하,
    Cr: 0.001％ 이상 0.50％ 이하,
    P: 0.001％ 이상 0.50％ 이하,
    Mo: 0.001％ 이상 0.50％ 이하,
    Ti: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
    Nb: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
    V: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
    B: 0.0002％ 이상 0.0025％ 이하,
    Bi: 0.001％ 이상 0.10％ 이하,
    Te: 0.001％ 이상 0.10％ 이하 및
    Ta: 0.001％ 이상 0.10％ 이하
    중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하는, 방향성 전자 강판의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 냉연 강판에 질화 처리를 실시하는, 방향성 전자 강판의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 어닐링 분리제에, 황화물, 황산염, 셀렌화물 및 셀렌산염의 1종 또는 2종 이상을 첨가하는, 방향성 전자 강판의 제조 방법.
KR1020187024842A 2016-02-22 2017-02-16 방향성 전자 강판의 제조 방법 KR102130428B1 (ko)

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