KR102108385B1 - 마이크로 소자의 곡면 전사방법 및 마이크로 소자의 곡면 전사장치 - Google Patents

마이크로 소자의 곡면 전사방법 및 마이크로 소자의 곡면 전사장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일실시예는 튜브의 외주면에 마이크로 소자를 효과적으로 전사할 수 있고, 전사효율을 높일 수 있는 마이크로 소자의 곡면 전사방법 및 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 제공한다. 여기서, 마이크로 소자의 곡면 전사방법은 튜브의 외주면에 접착층을 코팅하는 단계와, 기판의 일면에 마이크로 소자 패턴을 마련하는 단계와, 기판이 튜브의 외주면에 접하도록 위치시키고, 기판 및 튜브 중 하나 이상이 교차하도록 상대 이동시켜 기판 상의 마이크로 소자 패턴을 접착층에 전사시키는 단계와, 접착층을 완전 경화시켜 전사된 마이크로 소자 패턴을 접착층에 고정시키는 단계를 포함한다.

Description

마이크로 소자의 곡면 전사방법 및 마이크로 소자의 곡면 전사장치{METHOD OF TRANSFERRING MICRO DEVICE ON CURVED SURFACE AND APPARATUS FOR TRANSFERRING MICRO DEVICE ON CURVED SURFACE}
본 발명은 마이크로 소자의 곡면 전사방법 및 마이크로 소자의 곡면 전사장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 튜브의 외주면에 마이크로 소자를 효과적으로 전사할 수 있고, 전사효율을 높일 수 있는 마이크로 소자의 곡면 전사방법 및 마이크로 소자의 곡면 전사장치에 관한 것이다.
카테터(Catheter)는 의학 분야에서 다양한 용도로 사용되는 유연하고 얇은 관으로, 병을 다루거나 수술을 할 때에 인체에 삽입하는 의료용 기구이다. 따라서 의료용 소재로 제작되며, 유연하고 가는 관 형태를 지닌다.
한편, 카테터 표면에 유연한 전극이 형성된 것을 전극 카테터(Electrode catheter)라고 하며 이 전극에 전류를 흘려주어 전기장을 발생시키고, 이를 이용하여 인체 조직의 의학적인 시술을 행하고 있다.
따라서, 의료용 카테터와 같이 유연한 튜브의 표면에 전극 패턴을 형성하기 위해서는 튜브 형상의 곡면에 전극을 패터닝 하는 기술이 필요하다.
그런데, 반도체 공정에 사용되는 것과 같이 기존의 전극 패터닝 기술은 평면 기판 위에 평면 마스크를 이용하여 패터닝하는 것이 일반적이다.
물론, 곡면의 기판 위에 패터닝을 하는 방법으로 레이저를 이용하여 곡면에 패턴을 형성하는 방법, 액체 상태의 잉크를 표면에 인쇄하여 패턴을 형성하는 방법 등도 있다.
그러나, 곡면에 패턴을 형성하는 위의 방법 중에서 레이저 또는 잉크를 이용하는 방법은 생산성이 높지 않은 문제점이 있다.
그리고, 원기둥 형상의 곡면에 불연속적인 패턴을 전사하는 방법이 개발되어 있으나, 원기둥의 축을 중심으로 360도 미만의 회전에 해당되는 영역에만 전사가 가능하기 때문에, 원기둥의 표면에 360도 이상의 연속 패턴을 전사하고자 하는 경우에는 적용할 수가 없는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제2017-0011770호(2017.02.02. 공개)
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 튜브의 외주면에 마이크로 소자를 효과적으로 전사할 수 있고, 전사효율을 높일 수 있는 마이크로 소자의 곡면 전사방법 및 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 튜브의 외주면에 접착층을 코팅하는 접착층 코팅단계; 기판의 일면에 마이크로 소자 패턴을 마련하는 소자 패턴 마련단계; 상기 튜브의 외주면이 상기 기판에 접하도록 위치시키되, 상기 소자 패턴의 길이방향과 상기 튜브의 반경방향이 교차되도록 위치시키고, 상기 튜브를 상기 튜브의 축방향을 기준으로 회전시킴과 동시에 상기 튜브 및 상기 기판 중 하나 이상을 직선 이동시켜 상기 기판 상의 마이크로 소자 패턴을 상기 접착층에 전사시키는 전사단계; 그리고 상기 접착층을 완전 경화시켜 전사된 상기 마이크로 소자 패턴을 상기 접착층에 고정시키는 고정단계를 포함하는 마이크로 소자의 곡면 전사방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 접착층 코팅단계는 상기 접착층에 전사될 마이크로 소자 패턴과의 접착력이 조정되도록, 상기 접착층을 예비경화시키는 예비경화단계를 더 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자 패턴 마련단계는 원판의 일면에 희생층을 마련하는 희생층 마련단계와, 상기 희생층 상에 상기 마이크로 소자 패턴을 마련하는 패터닝 단계와, 에칭으로 상기 희생층을 약화시켜 상기 마이크로 소자 패턴과 상기 원판 사이의 접착력을 감소시키는 접착력 감소단계와, 상기 마이크로 소자 패턴을 상기 기판으로 전사시키는 예비전사단계를 가질 수 있다.
한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 일면에 마이크로 소자 패턴이 마련되는 기판을 지지하는 제1지지부; 외주면에 접착층이 코팅된 튜브가 상기 튜브의 축방향을 중심으로 회전되도록 하고, 상기 튜브의 외주면이 상기 기판에 접하도록 위치시키되, 상기 소자 패턴의 길이방향과 상기 튜브의 반경방향이 교차되도록 상기 튜브를 지지하는 제2지지부; 그리고 상기 제1지지부 및 상기 제2지지부 중 하나 이상을 직선 이동시켜 상기 기판 상의 상기 마이크로 소자 패턴이 회전하는 상기 튜브의 외주면에 전사되도록 하는 구동부를 포함하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1지지부는 상기 튜브의 축방향과 교차하는 방향의 양측에 구비되고, 상기 기판에 장력을 인가하는 장력인가부를 더 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 기판은 롤러 형태로 형성되고, 상기 롤러의 축방향과 상기 튜브의 축방향은 평행할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 마이크로 소자 패턴은 상기 기판 상에 복수로 마련되며, 상기 제2지지부 및 상기 튜브는 복수의 상기 마이크로 소자 패턴에 대응되도록 복수로 구비되되, 상기 튜브의 축방향과 교차하는 방향을 따라 상기 마이크로 소자 패턴의 간격에 대응되는 간격으로 이격되어 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 복수의 상기 마이크로 소자 패턴은 상기 튜브의 축방향과 교차하는 방향을 따라 상기 기판에 미리 정해진 간격으로 형성되는 영역 내에만 마련될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 기판은 롤러 형태로 형성되고, 상기 롤러의 축방향과 복수의 상기 튜브의 축방향은 평행하게 배치되며, 각각의 상기 튜브는 외주면이 상기 롤러에 마련되는 상기 마이크로 소자 패턴 중 대응되는 마이크로 소자 패턴 각각에 밀착되도록 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 복수의 상기 마이크로 소자 패턴은 상기 기판에 원주방향을 따라 미리 정해진 각도범위로 형성되는 영역 내에만 마련될 수 있다.
한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 외주면에 복수의 마이크로 소자 패턴이 마련되는 롤러가 상기 롤러의 축방향을 중심으로 회전되도록 지지하는 제1지지부; 외주면에 접착층이 코팅된 복수의 튜브가 각각 상기 튜브의 축방향을 중심으로 회전되도록 하고, 각각의 상기 튜브의 외주면이 상기 롤러의 외주면에 접하도록 위치시키되, 각각의 상기 튜브의 반경방향과 상기 소자 패턴의 길이방향이 교차되도록 각각의 상기 튜브를 지지하는 복수의 제2지지부; 그리고 상기 롤러의 외주면 상의 복수의 상기 마이크로 소자 패턴 각각이 회전하는 상기 튜브 각각의 외주면에 전사되도록, 상기 제1지지부 및 상기 제2지지부를 독립적으로 상대 직선 이동시키는 구동부를 포함하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 각각의 상기 튜브의 축방향은 서로 평행하게 구비되고, 각각의 상기 튜브의 축방향과 상기 롤러의 축방향은 교차할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 구동부는 상기 롤러의 회전 선속도와 이동속도가 동일한 크기가 되도록 하고, 각각의 상기 튜브의 회전 선속도와 이동속도가 동일한 크기가 되도록 구동시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 마이크로 소자 패턴이 튜브의 외주면에 튜브의 길이방향을 따라 360도 이상으로 연속되는 형상으로 전사될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판에 복수의 마이크로 소자 패턴을 마련하고, 각각의 마이크로 소자 패턴에 대응되도록 복수의 튜브를 마련하여 각각의 튜브에 동시에 마이크로 소자 패턴이 각각 전사되도록 할 수 있어 전사효율이 높아질 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 롤러의 축방향과 복수의 튜브의 축방향이 서로 교차되도록 배치함으로써, 복수의 마이크로 소자 패턴이 롤러의 외주면에 원주방향을 따라 미리 정해진 각도범위로 형성되는 영역에 구속되지 않고 마련되도록 할 수 있다. 이를 통해 롤러에 마련되는 마이크로 소자 패턴의 개수를 늘릴 수 있으며, 이를 통해, 전사효율이 더욱 높아질 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사방법에 따른 공정을 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 나타낸 예시도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치의 작동예를 나타낸 예시도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치의 작동예를 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 나타낸 예시도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사방법에 따른 공정을 나타낸 예시도이다.
먼저 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자의 곡면 전사방법은 접착층 코팅단계(S110), 소자 패턴 마련단계(S120), 전사단계(S130) 그리고 고정단계(S140)를 포함할 수 있다.
접착층 코팅단계(S110)는 튜브(210)의 외주면에 접착층(221)을 코팅하는 단계일 수 있다.
여기서, 튜브(210)는 속이 빈 형태로 한정되는 것은 아니며, 속이 찬 형태를 포함할 수 있다. 나아가, 튜브(210)는 곡면의 표면을 가지는 물체를 포함하는 의미로 해석될 수 있다.
접착층(221)은 튜브(210)의 표면에 접착제(220)가 코팅되어 형성될 수 있다. 접착층(221)을 코팅하는 방법으로는, 디핑(Dipping)을 이용하여 코팅하는 방법, 접착층의 두께를 균일하게 하기 위해 중력을 이용하는 방법, 튜브를 회전시켜 원심력을 이용하는 방법 등이 사용될 수 있다(도 2의 (a) 및 (b) 참조).
접착층 코팅단계(S110)는 접착층(221)에 전사될 마이크로 소자 패턴(240)과의 접착력이 조정되도록, 접착층(221)을 예비경화시키는 예비경화단계(S111)를 더 가질 수 있다.
예비경화단계(S111)는 자외선(UV), 플라즈마, 열 등을 이용하여 이루어질 수 있으며, 예비경화단계(S111)를 거치면 튜브(210) 표면에 코팅되는 접착층(221)의 접착력이 전사 가능한 수준으로 조정될 수 있다.
소자 패턴 마련단계(S120)는 기판(250)의 일면에 마이크로 소자 패턴(240)을 마련하는 단계일 수 있다.
소자 패턴 마련단계(S120)는 희생층 마련단계(S121), 패터닝 단계(S122), 접착력 감소단계(S123) 및 예비전사단계(S124)를 가질 수 있다.
도 3에서 보는 바와 같이, 희생층 마련단계(S121)는 원판(230)의 일면에 희생층(231)을 마련하는 단계일 수 있다.
패터닝 단계(S122)는 희생층(231) 상에 마이크로 소자 패턴(240)을 마련하는 단계일 수 있다.
여기서, 마이크로 소자 패턴(240)은 박막 형태의 전기부품이거나, 또는 전극일 수 있다. 예를 들어 마이크로 소자 패턴(240)은 전기 회로에서의 코일, 콘덴서, 저항체 등과, 자성 재료에서는 페라이트 등을 사용하는 자심과, 반도체 장치에서는 트랜지스터, 다이오드, 서미스터 등을 포함할 수 있다.
마이크로 소자 패턴(240)이 전극인 경우, 패터닝 단계(S122)는 증착, 도금, 압연으로 형성된 동박을 합지하는 방법 등을 활용하여 평면 기판 위에 박막을 형성한 후에 리소그래피 등의 종래 기술을 활용함으로써 원하는 전극 형태의 마이크로 소자 패턴(240)을 형성할 수 있다.
그리고, 마이크로 소자 패턴(240)이 전기부품의 형태인 경우, 패터닝 단계(S122)는 종래에 소자를 생성하는 기술 등을 활용함으로써 전기부품 형태의 마이크로 소자 패턴(240)을 생성할 수 있다(도 3의 (a) 참조).
접착력 감소단계(S123)는 에칭으로 희생층(231)을 약화시켜 복수의 마이크로 소자 패턴(240)과 원판(230) 사이의 접착력을 감소시키는 단계일 수 있다. 접착력 감소단계(S123)를 거치면 희생층(231)이 에칭에 의해 약화되어 약화된 희생층(232)으로 변화되고, 이에 따라 마이크로 소자 패턴(240)과 원판(230) 사이의 접착력이 크게 감소될 수 있다(도 3의 (b) 참조).
예비전사단계(S124)는 마이크로 소자 패턴(240)을 기판(250)으로 전사시키는 단계일 수 있다.
여기서, 기판(250)은 리지드(Rigid)한 플레이트 형태 및 유연한(Flexible) 필름 형태를 모두 포함할 수 있다.
원판(230)과의 접착력이 약화된 마이크로 소자 패턴(240)은 기판(250)에 쉽게 전사될 수 있다(도 3의 (c) 참조).
한편, 다른 실시예로, 소자 패턴 마련단계(S120)는 접착력이 낮은 기판에 박막 증착 또는 박막 포일 라미네이션을 이용하여 소자 패턴용 소재층을 전체적으로 마련하고, 마스크 및 리소그래피 공정을 이용하여 소자 패턴을 직접 마련할 수도 있다.
전사단계(S130)는 튜브(210)의 외주면이 기판(250)에 접하도록 위치시키되, 소자 패턴(240)의 길이방향과 튜브(210)의 반경방향이 교차되도록 위치시키고, 튜브(210)를 튜브(210)의 축방향을 기준으로 회전시킴과 동시에 튜브(210) 및 기판(250) 중 하나 이상을 직선 이동시켜 기판(250) 상의 마이크로 소자 패턴(240)을 접착층(221)에 전사시키는 단계일 수 있다.
전사단계(S130)에서 튜브(210)는 튜브(210)의 축방향을 중심으로 회전될 수 있다. 동시에 튜브(210)는 일방향으로 이동될 수 있다. 또는 튜브(210)가 축방향을 중심으로 회전됨과 동시에 기판(250)이 상기 일방방향의 반대방향으로 이동될 수도 있다. 어느 경우에서도, 튜브(210)의 외주면과 마이크로 소자 패턴(240)이 형성되는 기판(250) 사이의 접촉을 제어하여 기판(250)의 마이크로 소자 패턴(240)이 튜브(210)의 외주면에 전사되도록 할 수 있다.
마이크로 소자 패턴(240)은 튜브(210)의 축방향에 비스듬하게 형성될 수 있으며, 이 경우, 마이크로 소자 패턴(240)은 튜브(210)의 외주면에 튜브(210)의 길이방향을 따라 360도 이상으로 연속되는 형상(예를 들면, 나선 형상)으로 전사될 수 있다(도 2의 (e) 및 (f) 참조). 마이크로 소자 패턴(240)은 도시된 바와 같이 단일개가 아니라 복수개가 마련될 수도 있다.
한편, 도 2의 (e’) 및 (f’)에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자 패턴(241)은 튜브(210)의 축방향으로 형성될 수 있으며, 이 경우 마이크로 소자 패턴(241)은 튜브(210)의 외주면에 튜브(210)의 길이방향으로 연장되는 형상으로 전사될 수 있다.
고정단계(S140)는 접착층(221)을 완전 경화시켜 전사된 마이크로 소자 패턴(240)을 접착층(221)에 고정시키는 단계일 수 있다.
이하에서는, 마이크로 소자의 곡면 전사를 구현하기 위한 마이크로 소자의 곡면 전사장치에 대해서 설명한다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 나타낸 예시도이고, 도 5 내지 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치의 작동예를 나타낸 예시도이다.
먼저, 도 4 및 도 5의 (a)에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자의 곡면 전사장치는 제1지지부(310), 제2지지부(320) 그리고 구동부(330)를 포함할 수 있다.
제1지지부(310)는 일면에 마이크로 소자 패턴(240)이 마련되는 기판(250)을 지지할 수 있다.
제1지지부(310)는 튜브(210)의 축방향, 즉 Y축 방향과 교차하는 방향의 양측에 구비될 수 있다. 예를 들면, 제1지지부(310)는 기판(250)의 X축 방향의 양단부에 결합될 수 있다.
제1지지부(310)는 장력인가부(311)를 더 가질 수 있으며, 장력인가부(311)는 기판(250)에 장력을 인가할 수 있다.
제2지지부(320)는 외주면에 접착층(221)이 코팅된 튜브(210)가 튜브(210)의 축방향을 중심으로 회전되도록 지지할 수 있다. 또한, 제2지지부(320)는 튜브(210)의 외주면이 마이크로 소자 패턴(240)이 마련된 기판(250)의 일면에 접하도록 튜브(210)를 지지할 수 있다. 그리고 제2지지부(320)는 튜브(210)의 반경방향이 소자 패턴(240)의 길이방향과 교차되도록 튜브(210)를 위치될 수 있다.
구동부(330)는 기판(250) 상의 마이크로 소자 패턴(240)이 회전하는 튜브(210)의 외주면에 전사되도록 제1지지부(310) 및 제2지지부(320) 중 하나 이상을 직선 이동시킬 수 있다. 이를 통해, 튜브(210) 및 기판(250)은 상대 이동될 수 있다.
예를 들면, 구동부(330)는 제1지지부(310)를 구동시켜 기판(250)이 X축 방향으로 이동되도록 할 수 있다. 그러면, 기판(250)이 이동함에 따라서 기판(250)의 일면에 밀착된 튜브(210)가 마찰력에 의해 회전하게 되고, 기판(250)의 일면에 마련된 마이크로 소자 패턴(240)은 튜브(210)의 표면에 전사될 수 있다.
구동부(330)는 제2지지부(320)를 구동시켜 튜브(210)가 기판(250)의 이송속도와 동일한 크기의 회전 선속도로 회전되도록 할 수도 있다.
또는, 구동부(330)는 제2지지부(320)를 X축 방향으로 이동시켜 튜브(210)가 X축 방향으로 이동되도록 할 수 있다. 이때, 기판(250)의 일면에 밀착된 튜브(210)는 마찰력에 의해 회전하게 되고, 기판(250)의 일면에 마련된 마이크로 소자 패턴(240)은 튜브(210)의 표면에 전사될 수 있다.
여기서도, 구동부(330)는 제2지지부(320)를 구동시켜 튜브(210)가 튜브(210)의 이송속도와 동일한 크기의 회전 선속도로 회전되도록 할 수도 있다.
구동부(330)는 기판(250)의 이동속도, 튜브(210)의 이동속도 및 회전 선속도를 계산하고 이에 따라 제1지지부(310) 및 제2지지부(320)의 작동을 제어하기 위한 제어부를 더 포함할 수 있다.
여기서, 기판(250)에는 복수의 마이크로 소자 패턴이 마련될 수도 있다. 이 경우, 어느 하나의 마이크로 소자 패턴(240)이 제2지지부(320)에 결합된 튜브(210)에 전사가 완료되면, 전사가 완료된 튜브(210)는 제2지지부(320)에서 분리될 수 있다. 그리고 새로운 튜브가 제2지지부(320)에 새로 결합되고 이후 다른 마이크로 소자 패턴(242)이 새로운 튜브에 전사되도록 할 수 있다.
기판(250)이 리지드한 플레이트 형태인 경우, 제1지지부(310)는 기판(250)의 양단부에 결합되어 기판(250)을 고정시킬 수 있다. 그리고, 이 경우 장력인가부(311)는 기판(250)의 양단부를 하측방향으로 가압하여, 기판(250)이 튜브(210)와의 접촉지점을 기준으로 벤딩되도록 함으로써 기판(250)에 장력을 제공할 수 있다.
기판(250)이 벤딩되어 장력이 제공되면 기판(250)이 튜브(210)를 가압하여 튜브(210)와 마이크로 소자 패턴(240) 간의 밀착력이 증가될 수 있으며, 이를 통해 기판(250) 상의 마이크로 소자 패턴(240)은 튜브(210)의 표면에 더욱 잘 전사될 수 있다. 장력인가부(311)는 튜브(210)의 표면에 코팅된 접착층(221)의 접착력의 세기에 따라서 기판(250)의 벤딩 정도를 가감할 수 있다. 예를 들어, 접착층(221)의 접착력이 약한 경우에는 기판(250)의 벤딩 정도를 크게 하여 압력을 높여 마이크로 소자 패턴(240)이 접착층(221)에 잘 전사되도록 할 수 있다.
한편, 도 5의 (b)에서 보는 바와 같이, 기판(250)이 유연한 필름 형태인 경우, 제1지지부(310)는 필름의 양단부가 결합되는 롤러 형태로 구현될 수 있다. 그리고, 이 경우 장력인가부(311)는 롤러를 하측으로 이동시킴과 동시에 기판(250)을 양측으로 잡아당겨 기판(250)에 장력이 발생하도록 할 수 있으며, 이를 통해, 전사가 더욱 잘 이루어지도록 할 수 있다.
이 경우에도, 기판(250)에는 복수의 마이크로 소자 패턴이 마련될 수도 있으며, 어느 하나의 마이크로 소자 패턴(240)이 튜브(210)에 전사되면, 전사가 완료된 튜브(210)는 제2지지부(320)에서 분리되고, 이후 다른 마이크로 소자 패턴(242)이 새로운 튜브에 전사되도록 할 수 있다.
한편, 도 6에서 보는 바와 같이, 기판(251)은 롤러 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 롤러의 축방향과 튜브(210)의 축방향은 평행할 수 있다.
여기서도, 롤러 형태의 기판(251)에는 복수의 마이크로 소자 패턴이 마련될 수도 있다. 그러면, 어느 하나의 마이크로 소자 패턴(240)이 제2지지부(320)에 결합된 튜브(210)에 전사되면, 전사가 완료된 튜브(210)는 제2지지부(320)에서 분리될 수 있다. 그리고 새로운 튜브가 제2지지부(320)에 새로 결합되고 이후 롤러가 회전하여 다른 마이크로 소자 패턴(242)이 새로운 튜브에 전사될 수 있다.
그리고, 도 7에서 보는 바와 같이, 복수의 마이크로 소자 패턴(240a,240b,240c)은 롤러 형태의 기판(251)에 원주방향을 따라 미리 정해진 각도범위로 형성되는 영역(A1,A2,A3) 내에만 마련될 수 있다.
즉, 도 7의 (a)를 참조하면, 롤러 형태의 기판(251)에는 원주방향을 따라 120도 각도범위로 각각 영역(A1,A2,A3)이 형성될 수 있으며, 각각의 마이크로 소자 패턴(240a,240b,240c)은 해당 영역(A1,A2,A3) 내에만 마련될 수 있다.
이 상태에서, 롤러 형태의 기판(251)이 0도에서 120도 사이의 각도로 회전하는 동안에는 제1영역(A1)에 마련되는 마이크로 소자 패턴(240a)이 튜브에 전사될 수 있다.
그리고, 제1영역(A1)에 마련되는 마이크로 소자 패턴(240a)이 전사된 튜브가 분리되고 새로운 튜브가 준비된 상태에서 롤러 형태의 기판(251)이 120도에서 240도 사이의 각도로 회전하는 동안에는 제2영역(A2)에 마련되는 마이크로 소자 패턴(240b)이 새로운 튜브에 전사될 수 있다(도 7의 (b) 참조)
마찬가지로, 제2영역(A2)에 마련되는 마이크로 소자 패턴(240b)이 전사된 튜브가 분리되고 또 다른 새로운 튜브가 준비된 상태에서 롤러 형태의 기판(251)이 240도에서 360도 사이의 각도로 회전하는 동안에는 제3영역(A3)에 마련되는 마이크로 소자 패턴(240c)이 또 다른 새로운 튜브에 전사될 수 있다(도 7의 (c) 참조).
이처럼, 각각의 마이크로 소재 패턴(240a,240b,240c)이 해당 영역(A1,A2,A3) 내에서 마련되도록 함으로써, 하나의 튜브에 복수의 마이크로 소자 패턴이 전사되는 것이 방지될 수 있다.
한편, 도 7에서는 롤러 형태의 기판(251)을 예로 설명하였지만, 이는 도 5를 참조하여 설명한 형태, 즉, 리지드한 플레이트 형태의 기판이나, 유연한 필름 형태의 기판에도 적용될 수 있다.
즉, 도 5에서 보는 바와 같은 플레이트 형태 또는 필름 형태의 기판(250)에는 튜브(210)의 축방향과 교차하는 방향을 따라 기판(250)에 미리 정해진 간격으로 영역이 형성될 수 있다. 그리고, 각각의 영역에는 마이크로 소재 패턴이 형성될 수 있으며, 해당 영역 내에 마련되는 각각의 마이크로 소자 패턴은 하나의 튜브에 함께 전사되는 것이 방지되면서 각각의 튜브별로 전사될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치의 작동예를 나타낸 예시도이다. 본 실시예에서는 하나의 기판에 복수의 마이크로 소자 패턴이 마련되고, 복수의 튜브가 마련되어 각각의 튜브에 대해 동시에 전사가 이루어질 수 있으며, 다른 구성은 전술한 제1실시예와 동일하므로, 반복되는 내용은 가급적 생략한다.
도 8의 (a)에서 보는 바와 같이, 기판(250)은 플레이트 또는 필름 형태일 수 있다. 그리고, 마이크로 소자 패턴(240)은 기판(250) 상에 복수로 마련될 수 있다.
또한, 제2지지부(320) 및 튜브(210)도 복수의 마이크로 소자 패턴(240)에 대응되도록 복수로 구비될 수 있다. 제2지지부(320) 및 튜브(210)는 튜브(210)의 축방향과 교차하는 방향을 따라 마이크로 소자 패턴(240)의 간격에 대응되는 간격으로 이격되어 구비될 수 있다.
본 실시예에서는 기판(250)에 마련되는 각각의 마이크로 소자 패턴(240)이 대응되는 튜브(210)에 동시에 전사될 수 있으며, 이를 통해, 전사효율이 높아질 수 있다.
본 실시예에서도, 기판(250)에는 튜브(210)의 축방향과 교차하는 방향을 따라 기판(250)에 미리 정해진 간격으로 영역이 형성될 수 있고, 각각의 마이크로 소재 패턴은 해당 영역 내에만 마련될 수 있다. 이를 통해, 해당 영역 내에 마련되는 각각의 마이크로 소자 패턴은 어느 하나의 튜브에 함께 전사되는 것이 방지되면서 각각의 튜브별로 전사될 수 있다.
그리고, 도 8의 (b)에서 보는 바와 같이, 기판(251)은 롤러 형태로 형성되고, 마이크로 소자 패턴(240)은 롤러 형태의 기판(251) 상에 복수로 마련될 수 있다.
또한, 제2지지부(320) 및 튜브(210)도 복수의 마이크로 소자 패턴(240)에 대응되도록 복수로 구비될 수 있다. 롤러 형태의 기판(251)의 축방향과 복수의 튜브(210)의 축방향은 평행하게 배치될 수 있으며, 각각의 튜브(210)는 접착층(221)이 롤러 형태의 기판(251)에 마련되는 마이크로 소자 패턴 중 대응되는 마이크로 소자 패턴 각각에 밀착되도록 구비될 수 있다. 이를 통해, 롤러 형태의 기판(251)에 마련되는 각각의 마이크로 소자 패턴(240)은 대응되는 튜브(210)에 동시에 전사될 수 있으며, 이를 통해, 전사효율이 높아질 수 있다.
본 실시예에서도, 롤러 형태의 기판(251)에는 원주방향을 따라 미리 정해진 각도범위로 영역이 형성될 수 있고, 각각의 마이크로 소재 패턴은 해당 영역 내에만 마련될 수 있다. 이를 통해, 해당 영역 내에 마련되는 각각의 마이크로 소자 패턴은 어느 하나의 튜브에 함께 전사되는 것이 방지되면서 각각의 튜브별로 전사될 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 나타낸 예시도이다. 도 9의 (a)는 마이크로 소자의 곡면 전사장치를 사시도로 나타낸 것이고, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)를 평면상에 나타낸 것이다. 본 실시예에서는 롤러와 튜브의 축방향이 서로 교차하도록 마련될 수 있으며, 다른 구성은 전술한 실시예와 동일하므로 반복되는 내용은 가급적 생략한다.
도 9에서 보는 바와 같이, 마이크로 소자의 곡면 전사장치는 제1지지부(310)는 외주면에 복수의 마이크로 소자 패턴(240)이 마련되는 롤러(1251)가 롤러(1251)의 축방향을 중심으로 회전되도록 지지할 수 있다.
제2지지부(320)는 외주면에 접착층(221)이 코팅된 복수의 튜브(210)가 각각 튜브(210)의 축방향을 중심으로 회전되도록 지지할 수 있다. 그리고, 제2지지부(320)는 각각의 튜브(210)의 외주면이 롤러(1251)의 외주면에 접하도록 각각의 튜브(210)를 지지할 수 있다. 제2지지부(320)는 각각의 튜브(210)의 반경방향과 소자 패턴(240)의 길이방향이 교차되도록 튜브(210)를 지지할 수 있으며, 제2지지부(320)는 각각의 튜브(210)에 대응되도록 복수로 구비될 수 있다.
그리고, 각각의 튜브(210)의 축방향은 서로 평행하게 구비되고, 각각의 튜브(210)의 축방향과 롤러(1251)의 축방향은 교차하도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 롤러(1251)의 축방향은 X축 방향으로 배치되고, 튜브(210)의 축방향은 Y축 방향으로 배치될 수 있다.
구동부(330)는 롤러(1251)의 외주면 상의 복수의 마이크로 소자 패턴(240) 각각이 회전하는 튜브(210) 각각의 외주면에 전사되도록, 제1지지부(310) 및 제2지지부(320)를 독립적으로 상대 이동시킬 수 있다.
구동부(330)는 롤러(1251)의 회전 선속도(RS1)와 이동속도(V1)가 동일한 크기가 되도록 할 수 있다. 다시 말해서, 롤러(1251)의 반지름을 R이라 하고, 롤러(1251)의 회전 각속도를 W라 하면, 롤러(1251)의 회전 선속도(RS1)는 RW일 수 있고, 이는 롤러(1251)의 이동속도(V1)와 동일할 수 있다.
또한, 구동부(3300는 각각의 튜브(210)의 회전 선속도(RS2)와 이동속도(V2)가 동일한 크기가 되도록 구동시킬 수 있다. 다시 말해서, 튜브(210)의 반지름을 r이라 하고, 튜브(210)의 회전 각속도를 w라 하면, 튜브(210)의 회전 선속도(RS2)는 rw일 수 있고, 이는 튜브(210)의 이동속도(V2)와 동일할 수 있다.
롤러(1251)의 이동속도(V1) 및 튜브(210)의 이동속도(V2)는 튜브(210)의 회전 중심축(Ax1)과 마이크로 소자 패턴(240)의 각도, 다시 말하면, 마이크로 소자 패턴(240)의 길이방향의 가상의 축(Ax2)과의 각도(θ)에 따라 결정될 수 있다.
즉, (이동속도(V2)/이동속도(V1)) = tanθ일 수 있다.
이를 통해, 롤러(1251)와 튜브(210)는 접촉지점(252)에서 미끌림이 없이 접촉이 유지될 수 있으며, 롤러(1251)의 마이크로 소자 패턴(240)은 각각의 튜브(210)에 안정적으로 전사될 수 있다.
본 실시예에서는, 복수의 마이크로 소자 패턴(240)은 롤러(1251)의 외주면에 원주방향을 따라 미리 정해진 각도범위로 형성되는 영역에 구속되지 않고 마련될 수 있다. 따라서, 전술한 제1실시예 및 제2실시예에서보다 롤러에 마련되는 마이크로 소자 패턴의 개수를 늘릴 수 있으며, 이를 통해, 전사효율이 더욱 높아질 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
210: 튜브
221: 접착층
231: 희생층
240,240a,240b,240c,241,242: 마이크로 소자 패턴
250,251: 기판
310: 제1지지부
311: 장력인가부
320: 제2지지부
330: 구동부
1251: 롤러

Claims (13)

  1. 튜브의 외주면에 접착층을 코팅하는 접착층 코팅단계;
    기판의 일면에 마이크로 소자 패턴을 마련하는 소자 패턴 마련단계;
    상기 튜브의 외주면이 상기 기판에 접하도록 위치시키되, 상기 소자 패턴의 길이방향과 상기 튜브의 반경방향이 교차되도록 위치시키고, 상기 튜브를 상기 튜브의 축방향을 기준으로 회전시킴과 동시에 상기 튜브 및 상기 기판 중 하나 이상을 직선 이동시켜 상기 기판 상의 마이크로 소자 패턴을 상기 접착층에 전사시키는 전사단계; 그리고
    상기 접착층을 완전 경화시켜 전사된 상기 마이크로 소자 패턴을 상기 접착층에 고정시키는 고정단계를 포함하는 마이크로 소자의 곡면 전사방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착층 코팅단계는
    상기 접착층에 전사될 마이크로 소자 패턴과의 접착력이 조정되도록, 상기 접착층을 예비경화시키는 예비경화단계를 더 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소자 패턴 마련단계는
    원판의 일면에 희생층을 마련하는 희생층 마련단계와,
    상기 희생층 상에 상기 마이크로 소자 패턴을 마련하는 패터닝 단계와,
    에칭으로 상기 희생층을 약화시켜 상기 마이크로 소자 패턴과 상기 원판 사이의 접착력을 감소시키는 접착력 감소단계와,
    상기 마이크로 소자 패턴을 상기 기판으로 전사시키는 예비전사단계를 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사방법.
  4. 삭제
  5. 일면에 마이크로 소자 패턴이 마련되는 기판을 지지하는 제1지지부;
    외주면에 접착층이 코팅된 튜브가 상기 튜브의 축방향을 중심으로 회전되도록 하고, 상기 튜브의 외주면이 상기 기판에 접하도록 위치시키되, 상기 소자 패턴의 길이방향과 상기 튜브의 반경방향이 교차되도록 상기 튜브를 지지하는 제2지지부; 그리고
    상기 제1지지부 및 상기 제2지지부 중 하나 이상을 직선 이동시켜 상기 기판 상의 상기 마이크로 소자 패턴이 회전하는 상기 튜브의 외주면에 전사되도록 하는 구동부를 포함하고,
    상기 제1지지부는 상기 튜브의 축방향과 교차하는 방향의 양측에 구비되고, 상기 기판에 장력을 인가하는 장력인가부를 더 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  6. 일면에 마이크로 소자 패턴이 마련되는 기판을 지지하는 제1지지부;
    외주면에 접착층이 코팅된 튜브가 상기 튜브의 축방향을 중심으로 회전되도록 하고, 상기 튜브의 외주면이 상기 기판에 접하도록 위치시키되, 상기 소자 패턴의 길이방향과 상기 튜브의 반경방향이 교차되도록 상기 튜브를 지지하는 제2지지부; 그리고
    상기 제1지지부 및 상기 제2지지부 중 하나 이상을 직선 이동시켜 상기 기판 상의 상기 마이크로 소자 패턴이 회전하는 상기 튜브의 외주면에 전사되도록 하는 구동부를 포함하고,
    상기 기판은 롤러 형태로 형성되고, 상기 롤러의 축방향과 상기 튜브의 축방향은 평행한 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 마이크로 소자 패턴은 상기 기판 상에 복수로 마련되며,
    상기 제2지지부 및 상기 튜브는 복수의 상기 마이크로 소자 패턴에 대응되도록 복수로 구비되되, 상기 튜브의 축방향과 교차하는 방향을 따라 상기 마이크로 소자 패턴의 간격에 대응되는 간격으로 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  8. 제7항에 있어서,
    복수의 상기 마이크로 소자 패턴은 상기 튜브의 축방향과 교차하는 방향을 따라 상기 기판에 미리 정해진 간격으로 형성되는 영역 내에만 마련되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기판은 롤러 형태로 형성되고, 상기 롤러의 축방향과 복수의 상기 튜브의 축방향은 평행하게 배치되며,
    각각의 상기 튜브는 외주면이 상기 롤러에 마련되는 상기 마이크로 소자 패턴 중 대응되는 마이크로 소자 패턴 각각에 밀착되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  10. 제9항에 있어서,
    복수의 상기 마이크로 소자 패턴은 상기 기판에 원주방향을 따라 미리 정해진 각도범위로 형성되는 영역 내에만 마련되는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  11. 외주면에 복수의 마이크로 소자 패턴이 마련되는 롤러가 상기 롤러의 축방향을 중심으로 회전되도록 지지하는 제1지지부;
    외주면에 접착층이 코팅된 복수의 튜브가 각각 상기 튜브의 축방향을 중심으로 회전되도록 하고, 각각의 상기 튜브의 외주면이 상기 롤러의 외주면에 접하도록 위치시키되, 각각의 상기 튜브의 반경방향과 상기 소자 패턴의 길이방향이 교차되도록 각각의 상기 튜브를 지지하는 복수의 제2지지부; 그리고
    상기 롤러의 외주면 상의 복수의 상기 마이크로 소자 패턴 각각이 회전하는 상기 튜브 각각의 외주면에 전사되도록, 상기 제1지지부 및 상기 제2지지부를 독립적으로 상대 직선 이동시키는 구동부를 포함하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  12. 제11항에 있어서,
    각각의 상기 튜브의 축방향은 서로 평행하게 구비되고, 각각의 상기 튜브의 축방향과 상기 롤러의 축방향은 교차하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 구동부는 상기 롤러의 회전 선속도와 이동속도가 동일한 크기가 되도록 하고, 각각의 상기 튜브의 회전 선속도와 이동속도가 동일한 크기가 되도록 구동시키는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 곡면 전사장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100971516B1 (ko) * 2010-02-04 2010-07-21 아이엠센트럼 (주) 파이프 입체인쇄장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8801355A (nl) * 1988-05-26 1989-12-18 Holec Syst & Componenten Zeefdrukinrichting voor cilindrische voorwerpen.
EP2609467A4 (en) * 2010-08-23 2014-07-30 Rolith Inc MASK FOR NEAR FIELD LITHOGRAPHY AND ITS MANUFACTURE
KR101255726B1 (ko) * 2012-03-14 2013-04-17 한국기계연구원 전사를 이용한 나노/마이크로 렌즈몰드 및 렌즈 제작방법
KR101705941B1 (ko) * 2014-02-07 2017-02-10 주식회사 엘지화학 롤 프린팅 장치 및 이를 이용한 롤 프린팅 방법
KR101757404B1 (ko) 2015-07-24 2017-07-12 한국기계연구원 점착력 제어 필름 기반 선택적 연속 전사 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100971516B1 (ko) * 2010-02-04 2010-07-21 아이엠센트럼 (주) 파이프 입체인쇄장치

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