KR102096456B1 - Adhesive composition for semiconductor device, adhesive film for semiconductor device, adhesive film with dicing film, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 보이드가 적고, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있는 반도체 장치용 접착제 조성물, 반도체 장치용 접착 필름 및 다이싱 필름을 갖는 접착 필름을 제공한다.
본 발명은 175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)이 0.2 내지 0.6인 반도체 장치용 접착제 조성물에 관한 것이다.The present invention provides an adhesive composition having an adhesive composition for a semiconductor device, an adhesive film for a semiconductor device, and a dicing film capable of manufacturing a semiconductor device with low voids and high reliability.
The present invention relates to an adhesive composition for a semiconductor device having a loss tangent (tanδ) of 175 ° C. in a dynamic viscoelasticity measurement after heating at 175 ° C. for 1 hour.

Description

반도체 장치용 접착제 조성물, 반도체 장치용 접착 필름, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{ADHESIVE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ADHESIVE FILM WITH DICING FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}Adhesive composition for semiconductor devices, adhesive film for semiconductor devices, adhesive film with dicing film, manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device TECHNICAL FIELD [ADHESIVE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ADHESIVE FILM WITH DICING FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 장치용 접착제 조성물, 반도체 장치용 접착 필름, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive composition for a semiconductor device, an adhesive film for a semiconductor device, an adhesive film having a dicing film, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.

최근의 반도체 패키지에서는 패키지의 소형화, 기능의 고밀도 실장화를 목적으로, DIP(Dual Inline ㎩ckage)로 대표되는 삽입 실장 타입으로부터 BGA(Ball grid array)로 대표되는 표면 실장 타입으로 변천하고 있다.In recent semiconductor packages, for the purpose of miniaturization of packages and high-density mounting of functions, they have shifted from an insertion mounting type represented by DIP (Dual Inline Dockage) to a surface mounting type represented by BGA (Ball grid array).

이들 반도체 패키지의 제조에 있어서는, 리드 프레임이나 인터포저 등의 피착체에 반도체 칩을 접착 고정할 때에, 다이 어태치(다이 본드)재가 사용되는 경우가 있다. 또한, 고용량화를 목적으로, 반도체 칩을 스택(적층)할 때도, 다이 어태치재가 사용되는 경우가 있다.In the manufacture of these semiconductor packages, a die attach (die bond) material may be used when the semiconductor chip is adhesively fixed to an adherend such as a lead frame or an interposer. Further, for the purpose of increasing the capacity, a die attach material is sometimes used when stacking (stacking) semiconductor chips.

그런데, 인터포저 등의 피착체 표면에는 수㎛의 요철이 있지만, 다이 어태치재를 사용해도 피착체 표면의 요철을 충분히 매립할 수 없어, 피착체와 다이 어태치재 사이에 보이드가 발생하여, 반도체 패키지의 신뢰성이 저하한다는 문제가 있었다(예를 들어, 특허문헌 1).By the way, there are irregularities of several µm on the surface of the adherend such as an interposer, but even if a die attach material is used, unevenness on the surface of the adherend cannot be sufficiently filled, and voids are generated between the adherend and the die attach material, resulting in a semiconductor package. There was a problem that the reliability of the product was lowered (for example, Patent Document 1).

일본 특허 공개 제2008-231366호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-231366

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 보이드가 적고, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있는 반도체 장치용 접착제 조성물, 반도체 장치용 접착 필름 및 다이싱 필름을 갖는 접착 필름을 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and provides an adhesive composition having an adhesive composition for a semiconductor device, an adhesive film for a semiconductor device, and a dicing film capable of manufacturing a semiconductor device with low voids and high reliability.

본원 발명자는, 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 검토한 결과, 수지 밀봉 공정 시의 일반적인 온도(175℃)에 있어서의 손실 정접(tanδ)을 특정한 값으로 조정함으로써, 밀봉 수지의 주입 압력에 의해 반도체 장치용 접착제 조성물이 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.As a result of examining to solve the above-mentioned conventional problems, the inventor of the present application adjusts the loss tangent (tanδ) at a general temperature (175 ° C) during the resin sealing process to a specific value, thereby allowing the semiconductor to be injected by the injection pressure of the sealing resin. It was found that the adhesive composition for a device can embed unevenness on the surface of an adherend satisfactorily, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은 175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)이 0.2 내지 0.6인 반도체 장치용 접착제 조성물에 관한 것이다.That is, the present invention relates to an adhesive composition for a semiconductor device having a loss tangent (tanδ) of 175 ° C in 0.2 to 0.6 in a dynamic viscoelasticity measurement after heating at 175 ° C for 1 hour.

수지 밀봉 공정 시의 일반적인 온도(175℃)에 있어서의 손실 정접(tanδ)을 특정한 값으로 조정함으로써, 밀봉 수지의 주입 압력에 의해 반도체 장치용 접착제 조성물이 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있어, 보이드의 발생을 억제할 수 있으며, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있다.By adjusting the loss tangent (tanδ) at a general temperature (175 ° C) during the resin sealing process to a specific value, the adhesive composition for a semiconductor device can embed the unevenness of the adherend surface satisfactorily by the injection pressure of the sealing resin. Therefore, generation of voids can be suppressed, and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.

본 발명에서는, 175℃에서 1시간 가열한 후의 손실 정접(tanδ)을 규정하고 있다. 이것은 반도체 칩을 스택하는 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 어태치 공정 및 와이어 본딩 공정에 의해 반도체 장치용 접착제 조성물에 가해지는 열 이력을 상정하고 있다. 최근, 고용량화를 목적으로 칩의 스택수가 증가하고 있기 때문에, 다이 어태치 공정 및 와이어 본딩 공정이 증가하고 있다. 본 발명에서는, 이들 열 이력을 상정하고 있기 때문에, 다이 어태치 공정 및 와이어 본딩 공정 후에 행해지는 수지 밀봉 공정에 있어서, 반도체 장치용 접착제 조성물이 오랜 시간 고온에 노출되어도 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있어, 보이드의 발생을 억제할 수 있으며, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있다.In the present invention, the loss tangent (tanδ) after heating at 175 ° C. for 1 hour is defined. This assumes a heat history applied to the adhesive composition for a semiconductor device by a die attach process and a wire bonding process in the manufacture of a semiconductor device stacking semiconductor chips. Recently, since the number of stacks of chips has been increased for the purpose of increasing the capacity, the die attach process and the wire bonding process have been increasing. In the present invention, since these heat histories are assumed, in the resin sealing process performed after the die attach process and the wire bonding process, the unevenness of the adherend surface is satisfactorily maintained even when the adhesive composition for semiconductor devices is exposed to high temperatures for a long time. Since it can be buried, generation of voids can be suppressed, and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.

손실 정접(tanδ)은 주파수 1㎐의 전단 왜곡을 주면서, 10℃/분의 승온 온도로 측정되는 것이 바람직하다.The loss tangent (tanδ) is preferably measured at an elevated temperature of 10 ° C./minute while giving shear distortion at a frequency of 1 Hz.

175℃에서 5시간 가열한 후에 있어서, 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접(tanδ)이 최대로 되는 온도가 -30 내지 75℃인 것이 바람직하다.After heating at 175 ° C for 5 hours, the temperature at which the loss tangent (tanδ) in the dynamic viscoelasticity measurement is maximized is preferably -30 to 75 ° C.

175℃에서 5시간 가열이라고 하는 조건은, 반도체 칩을 스택하는 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 어태치 공정, 와이어 본딩 공정 및 수지 밀봉 공정의 열 이력을 상정하고, 상기 구성은 이들 공정 후에 있어서의 반도체 장치용 접착제 조성물의 손실 정접(tanδ)이 최대로 되는 온도 범위를 규정하고 있다. 상기 구성에 따르면, 반도체 장치의 일상 사용 온도 범위인 -30 내지 75℃에 있어서, 양호한 진동 완화성이 얻어지며, 얻어지는 반도체 장치의 고장을 저감할 수 있다.The condition of heating at 175 ° C for 5 hours assumes the thermal history of the die attach process, the wire bonding process, and the resin sealing process in the manufacture of a semiconductor device stacking semiconductor chips, and the configuration is after these steps. The temperature range in which the loss tangent (tanδ) of the adhesive composition for semiconductor devices is maximized is defined. According to the above structure, in the daily use temperature range of -30 to 75 ° C of the semiconductor device, good vibration damping properties are obtained, and failure of the obtained semiconductor device can be reduced.

열 활성형 잠재성 경화 촉매의 함유량이 유기 수지 성분 100 중량부에 대해 0.05 중량부 이하인 것이 바람직하다. 0.05 중량부 이하이면, 다이 어태치 공정 및 와이어 본딩 공정에 의해, 반도체 장치용 접착제 조성물의 경화가 과도하게 진행되지 않고, 175℃의 손실 정접(tanδ)을 0.2 내지 0.6의 범위로 적절하게 조정할 수 있어, 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다.It is preferable that the content of the thermally active latent curing catalyst is 0.05 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. If it is 0.05 parts by weight or less, the curing of the adhesive composition for a semiconductor device does not proceed excessively by the die attach process and the wire bonding process, and the loss tangent (tanδ) at 175 ° C can be appropriately adjusted in the range of 0.2 to 0.6. Thereby, the unevenness | corrugation on the surface of an adherend can be favorably embedded.

유기 수지 성분 100중량％ 중 아크릴 수지의 함유량이 60 내지 100중량％인 것이 바람직하다. 이에 의해, 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있어, 보이드의 발생을 억제할 수 있으며, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있다.It is preferable that the content of the acrylic resin in 100% by weight of the organic resin component is 60 to 100% by weight. Thereby, unevenness | corrugation on the surface of an adherend can be favorably embedded, generation | occurrence | production of a void can be suppressed, and a highly reliable semiconductor device can be manufactured.

본 발명은 또한, 175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)이 0.2 내지 0.6인 반도체 장치용 접착 필름에 관한 것이다.The present invention also relates to an adhesive film for a semiconductor device having a loss tangent (tanδ) of 175 ° C. in 0.2 to 0.6 in a dynamic viscoelasticity measurement after heating at 175 ° C. for 1 hour.

반도체 장치용 접착 필름은 다이 어태치 필름으로서 사용되는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive film for semiconductor devices is used as a die attach film.

본 발명은 또한 반도체 장치용 접착 필름이 다이싱 필름 위에 적층되어 있는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름에 관한 것이다.The present invention also relates to an adhesive film having a dicing film in which the adhesive film for semiconductor devices is laminated on the dicing film.

본 발명은 또한 반도체 장치용 접착 필름을 사용해서 반도체 칩을 피착체에 다이 어태치하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of attaching a semiconductor chip to an adherend using an adhesive film for a semiconductor device.

본 발명은 또한 상기 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention also relates to a semiconductor device obtained by the above manufacturing method.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 단면 모식도이다.
도 3은 본 발명의 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of an adhesive film having a dicing film according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of an adhesive film having a dicing film according to another embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a manufacturing method of a semiconductor device of the present invention.

본 발명의 접착제 조성물은, 175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)이 0.2 이상이며, 바람직하게는 0.25 이상이다. 0.2 이상이면 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다.The adhesive composition of the present invention has a loss tangent (tanδ) of 175 ° C. of 0.2 or more in a dynamic viscoelasticity measurement after heating at 175 ° C. for 1 hour, preferably 0.25 or more. If it is 0.2 or more, unevenness | corrugation on the surface of an adherend can be favorably embedded.

175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)은 0.6 이하이고, 바람직하게는 0.55 이하이다. 0.6 이하이면, 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다. 또한, 와이어 본딩을 양호하게 행할 수 있다.The loss tangent (tanδ) of 175 ° C in the dynamic viscoelasticity measurement after heating at 175 ° C for 1 hour is 0.6 or less, preferably 0.55 or less. When it is 0.6 or less, the unevenness | corrugation on the surface of an adherend can be favorably embedded. Moreover, wire bonding can be performed favorably.

상기 손실 정접(tanδ)은 열 활성형 잠재성 경화 촉매의 함유량, 가교제의 함유량, 아크릴 수지의 함유량, 아크릴 수지의 중량 평균 분자량, 아크릴 수지의 유리 전이 온도 등에 의해 컨트롤할 수 있다.The loss tangent (tanδ) can be controlled by the content of the thermally active latent curing catalyst, the content of the crosslinking agent, the content of the acrylic resin, the weight average molecular weight of the acrylic resin, and the glass transition temperature of the acrylic resin.

또한, 175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)은 접착제 조성물에 주파수 1㎐의 전단 왜곡을 주면서, 10℃/분의 승온 온도로 측정할 수 있다. 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.In addition, the loss tangent (tanδ) of 175 ° C. in dynamic viscoelasticity measurement after heating at 175 ° C. for 1 hour can be measured at an elevated temperature of 10 ° C./minute while giving a shear distortion of a frequency of 1 Hz to the adhesive composition. Specifically, it can be measured by the method described in Examples.

본 발명의 접착제 조성물은 통상 유기 수지 성분을 포함한다. 유기 수지 성분으로서는, 아크릴 수지 등의 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다.The adhesive composition of the present invention usually contains an organic resin component. Examples of the organic resin component include thermoplastic resins such as acrylic resins and thermosetting resins.

본 발명의 접착제 조성물은 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다고 하는 점에서, 아크릴 수지를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive composition of the present invention contains an acrylic resin in that it has little ionic impurities and high heat resistance, and can secure the reliability of the semiconductor device.

상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 또는 도데실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, and is a polymer composed of one or two or more types of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a straight or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms (acrylic copolymer) Coalescence) and the like. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2 -Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group or dodecyl group And the like.

또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.Further, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and contains, for example, carboxyl groups such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, or crotonic acid. Monomers, acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth) acrylic acid 6 -Hydroxyhexyl, (meth) acrylic acid 8-hydroxyoctyl, (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methylacrylate, etc. Same hydroxyl group-containing monomer, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) And sulfonic acid group-containing monomers such as acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, or phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

상기 아크릴 수지 중에서도 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 내지 300만인 것이 보다 바람직하고, 50만 내지 200만인 것이 더욱 바람직하다. 상기 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한, 중량 평균 분자량은 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.Among the acrylic resins, the weight average molecular weight is preferably 100,000 or more, more preferably 300,000 to 3,000,000, and even more preferably 500,000 to 2,000,000. It is because adhesiveness and heat resistance are excellent if it is in the said numerical range. In addition, the weight average molecular weight is a value calculated by GPC (gel permeation chromatography) and calculated by polystyrene conversion.

아크릴 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -50℃ 이상, 보다 바람직하게는 -30℃ 이상이다. 또한, 아크릴 수지의 유리 전이 온도는 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 30℃ 이하이다. 아크릴 수지의 유리 전이 온도가 상기 범위 내이면, 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다.The glass transition temperature of the acrylic resin is preferably -50 ° C or higher, and more preferably -30 ° C or higher. In addition, the glass transition temperature of the acrylic resin is preferably 50 ° C or less, more preferably 30 ° C or less. When the glass transition temperature of the acrylic resin is within the above range, irregularities on the surface of the adherend can be satisfactorily embedded.

아크릴 수지의 유리 전이 온도는 시차 주사 열량계(DSC)에 의해 측정되는 최대 열흡수 피크 시의 온도에 의해 얻어진다. 구체적으로는, 측정하는 시료를 시차 주사 열량계(티 에이 인스트루먼트사 제조의 「Q-2000」)를 사용해서, 예측되는 시료의 유리 전이 온도(예측 온도)보다 약 50℃ 높은 온도에서 10분 가열한 후, 예측 온도보다 50℃ 낮은 온도까지 냉각하여 전처리하고, 그 후 질소 분위기 하에서, 승온 속도 5℃/분으로 승온하여 흡열 개시점 온도를 측정하여, 이를 유리 전이 온도라 한다.The glass transition temperature of the acrylic resin is obtained by the temperature at the maximum heat absorption peak measured by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, the sample to be measured was heated for 10 minutes at a temperature approximately 50 ° C higher than the glass transition temperature (predicted temperature) of the predicted sample using a differential scanning calorimeter ("Q-2000" manufactured by T Instruments Inc.). Thereafter, it is pre-treated by cooling to a temperature lower than the predicted temperature by 50 ° C., and then heated under a nitrogen atmosphere at a heating rate of 5 ° C./min to measure the endothermic starting point temperature, which is called the glass transition temperature.

본 발명의 접착제 조성물에 있어서, 유기 수지 성분 100중량％ 중 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 60중량％ 이상, 보다 바람직하게는 70중량％ 이상이다. 60중량％ 이상이면 접착제 조성물이 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다. 아크릴 수지의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 95중량％ 이하, 보다 바람직하게는 90중량％ 이하이다. 95중량％ 이하이면, 아크릴 수지 성분의 특성과 아크릴 수지 성분을 제외한 유기 수지 성분의 특성을 양립할 수 있다.In the adhesive composition of the present invention, the content of the acrylic resin in 100% by weight of the organic resin component is preferably 60% by weight or more, and more preferably 70% by weight or more. If it is 60% by weight or more, the adhesive composition can fill the unevenness of the adherend surface satisfactorily. Although the upper limit of content of acrylic resin is not specifically limited, Preferably it is 95 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less. When it is 95 weight% or less, the properties of the acrylic resin component and the properties of the organic resin component excluding the acrylic resin component can be compatible.

본 발명의 접착제 조성물은 열경화성 수지를 포함하고 있어도 된다. 열경화성 수지를 사용함으로써, 접착제 조성물의 내열성을 향상시킬 수 있다.The adhesive composition of the present invention may contain a thermosetting resin. By using a thermosetting resin, the heat resistance of the adhesive composition can be improved.

상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.Examples of the thermosetting resin include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, or thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin having a low content of ionic impurities or the like that corrodes semiconductor devices is preferable. Moreover, a phenol resin is preferable as a curing agent for the epoxy resin.

상기 에폭시 수지는 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없으며, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루올렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, brominated bisphenol A, hydrogenated bisphenol A, bisphenol AF, biphenyl , Bifunctional epoxy resins or polyfunctional epoxy resins such as naphthalene type, fluoleene type, phenol novolac type, orthocresol novolac type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, or hydantoin type, trisglycine Epoxy resins such as a cydyl isocyanurate type or a glycidyl amine type are used. These can be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolac-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane-type resins, or tetraphenylolethane-type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent, and are excellent in heat resistance and the like.

또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.Further, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, such as phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin, etc. And polyoxystyrenes such as novolac type phenol resins, resol type phenol resins, and polyparaoxystyrenes. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolak resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

상기 에폭시 수지와 페놀 수지와의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably blended such that the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. 0.8-1.2 equivalent is more suitable. That is, when the blending ratio of both is outside the above range, a sufficient curing reaction does not proceed, and the properties of the cured epoxy resin are liable to deteriorate.

본 발명의 접착제 조성물에 있어서, 유기 수지 성분 100중량％ 중 열경화성 수지의 함유량은, 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 10중량％ 이상이다. 5중량％ 이상이면 열경화성이 양호하게 얻어진다. 열경화성 수지의 함유량은 바람직하게는 40중량％ 이하, 보다 바람직하게는 30중량％ 이하이다. 40중량％ 이하이면, 접착제 조성물이 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다.In the adhesive composition of the present invention, the content of the thermosetting resin in 100% by weight of the organic resin component is preferably 5% by weight or more, and more preferably 10% by weight or more. If it is 5 weight% or more, thermosetting property is obtained favorably. The content of the thermosetting resin is preferably 40% by weight or less, more preferably 30% by weight or less. If it is 40% by weight or less, the adhesive composition can fill up the unevenness of the adherend surface satisfactorily.

본 발명의 접착제 조성물은, 열 활성형 잠재성 경화 촉매를 포함하고 있어도 된다. 열 활성형 잠재성 경화 촉매로서는, 2-페닐이미다졸, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 디에틸렌트리아민, m-페닐렌디아민 등의 아민류; 디알킬포스핀, 트리알킬포스핀, 페닐포스핀 등의 포스핀류; 1,3-디알킬이미다졸륨염 등의 이미다졸륨염류; 그 외, 오늄염류, 제4 포스포늄화합물류, 오늄 보레이트류 등을 들 수 있다.The adhesive composition of the present invention may contain a thermally active latent curing catalyst. Examples of the thermally active latent curing catalyst include imidazoles such as 2-phenylimidazole and 2-methylimidazole; Amines such as diethylenetriamine and m-phenylenediamine; Phosphines such as dialkylphosphine, trialkylphosphine, and phenylphosphine; Imidazolium salts such as 1,3-dialkylimidazolium salts; Other examples include onium salts, fourth phosphonium compounds, and onium borates.

본 발명의 접착제 조성물에 있어서, 열 활성형 잠재성 경화 촉매의 함유량은 적을수록 바람직하고, 유기 수지 성분 100 중량부에 대해, 바람직하게는 0.05 중량부 이하, 보다 바람직하게는 0.01 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0 중량부이다. 0.05 중량부 이하이면, 다이 어태치 공정 및 와이어 본딩 공정에 의해, 반도체 장치용 접착제 조성물의 경화가 과도하게 진행되지 않고, 175℃의 손실 정접(tanδ)을 0.2 내지 0.6의 범위로 적절하게 조정할 수 있으며, 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다.In the adhesive composition of the present invention, the smaller the content of the thermally active latent curing catalyst is, the more preferable it is, based on 100 parts by weight of the organic resin component, preferably 0.05 parts by weight or less, more preferably 0.01 parts by weight or less, and further It is preferably 0 parts by weight. If it is 0.05 parts by weight or less, the curing of the adhesive composition for a semiconductor device does not proceed excessively by the die attach process and the wire bonding process, and the loss tangent (tanδ) at 175 ° C can be appropriately adjusted in the range of 0.2 to 0.6. Thereby, the unevenness of the surface of the adherend can be satisfactorily embedded.

본 발명의 접착제 조성물은 가교제를 포함하고 있어도 된다. 가교제로서는 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 적절하게 사용할 수 있으며, 에폭시계 가교제를 보다 적합하게 사용할 수 있다.The adhesive composition of the present invention may contain a crosslinking agent. As the crosslinking agent, a polyfunctional compound that reacts with a functional group at the molecular chain end of the polymer or the like can be suitably used, and an epoxy-based crosslinking agent can be more suitably used.

본 발명의 접착제 조성물에 있어서, 가교제의 함유량은 적을수록 바람직하고, 유기 수지 성분 100 중량부에 대해, 바람직하게는 0.1 중량부 이하, 보다 바람직하게는 0 중량부이다. 0.1 중량부 이하이면, 접착제 조성물이 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다.In the adhesive composition of the present invention, the smaller the content of the crosslinking agent, the more preferable it is, and preferably 100 parts by weight or less, and more preferably 0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. If it is 0.1 parts by weight or less, the adhesive composition can embed the irregularities on the adherend surface satisfactorily.

본 발명의 접착제 조성물은, 충전제를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 요철에 대한 매립성이 양호하게 얻어진다. 충전제로서는, 무기 충전제가 바람직하다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화 규소, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 그 외 카본 등을 포함해서 이루어지는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 요철에 대한 매립성이 양호하게 얻어진다고 하는 이유에서, 실리카, 특히 용융 실리카가 적절하게 사용된다.It is preferable that the adhesive composition of this invention contains a filler. Thereby, the embedding property with respect to unevenness is obtained favorably. As the filler, inorganic fillers are preferred. Examples of the inorganic filler include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, and silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead, tin, And various inorganic powders including metals such as zinc, palladium, and solder, or alloys, and other carbons. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, silica, in particular fused silica, is suitably used for the reason that the embedding property with respect to unevenness is obtained satisfactorily.

본 발명의 접착제 조성물에 있어서, 충전제의 함유량은 유기 수지 성분 100 중량부에 대해, 바람직하게는 1 중량부 이상, 보다 바람직하게는 5 중량부 이상이다. 1 중량부 이상이면 내열성이 양호하게 얻어지고, 요철에 대한 매립성이 양호하게 얻어진다. 충전제의 함유량은, 바람직하게는 80 중량부 이하, 보다 바람직하게는 70 중량부 이하이다. 80 중량부 이하이면, 요철에 대한 매립성이 양호하게 얻어진다.In the adhesive composition of the present invention, the content of the filler is preferably 1 part by weight or more, more preferably 5 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. If it is 1 part by weight or more, heat resistance is satisfactorily obtained, and embedding resistance to irregularities is satisfactorily obtained. The content of the filler is preferably 80 parts by weight or less, and more preferably 70 parts by weight or less. If it is 80 parts by weight or less, the embedding property for unevenness is satisfactorily obtained.

본 발명의 접착제 조성물은, 양호하게 부식 방지할 수 있다고 하는 점에서, (벤조)트리아졸류를 포함하고 있어도 된다.The adhesive composition of the present invention may contain (benzo) triazoles in that corrosion can be satisfactorily prevented.

본 발명의 접착제 조성물에 있어서, (벤조)트리아졸류의 함유량은 유기 수지 성분 100 중량부에 대해, 바람직하게는 0.01 내지 15 중량부, 보다 바람직하게는 0.05 내지 10 중량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부이다. 0.01 중량부 미만에서는, 부식 방지 작용이 적절하게 발휘되지 못할 우려가 있다. 15 중량부를 초과하면, 접착성을 저해할 우려가 있다.In the adhesive composition of the present invention, the content of (benzo) triazoles is preferably from 0.01 to 15 parts by weight, more preferably from 0.05 to 10 parts by weight, and even more preferably from 0.1 to 100 parts by weight of the organic resin component. 5 parts by weight. If it is less than 0.01 part by weight, there is a fear that the corrosion preventing action cannot be adequately exhibited. If it exceeds 15 parts by weight, there is a fear that adhesion is inhibited.

본 발명의 접착제 조성물의 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 상기 각 성분을 용기에 투입하여, 유기 용매에 용해시키고, 균일해지도록 교반함으로써 접착제 조성물 용액으로서 얻을 수 있다.The method for producing the adhesive composition of the present invention is not particularly limited, and, for example, each component may be introduced into a container, dissolved in an organic solvent, and stirred to be uniform to obtain an adhesive composition solution.

유기 용매로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 것을 사용할 수 있지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이 바람직하다. 이러한 유기 용매로서는, 예를 들어 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 저렴하게 입수할 수 있는 점에서 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as an organic solvent and can use what is conventionally known, it is preferable that each said component can be melt | dissolved, kneaded, or dispersed uniformly. Examples of such organic solvents include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methylethylketone, and cyclohexanone, toluene, xylene, and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc., since the drying rate is fast and can be obtained at low cost.

본 발명의 접착제 조성물은 175℃에서 5시간 가열한 후에 있어서, 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접(tanδ)이 최대로 되는 온도가 특정한 값인 것이 바람직하다.It is preferable that the temperature at which the loss tangent (tanδ) in the dynamic viscoelasticity measurement is maximized after heating the adhesive composition of the present invention at 175 ° C. for 5 hours is a specific value.

상기 온도는, 바람직하게는 -30℃ 이상, 보다 바람직하게는 -25℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -20℃ 이상, 특히 바람직하게는 -15℃ 이상이다. 한편, 상기 온도는, 바람직하게는 75℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이하, 더욱 바람직하게는 60℃ 이하, 특히 바람직하게는 50℃ 이하이다. 상기 온도가 상기 범위이면, 반도체 장치의 일상 사용 온도 범위에 있어서, 양호한 진동 완화성이 얻어지며, 얻어지는 반도체 장치의 고장을 저감할 수 있다. 또한, 상기 온도는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The temperature is preferably -30 ° C or higher, more preferably -25 ° C or higher, even more preferably -20 ° C or higher, particularly preferably -15 ° C or higher. On the other hand, the temperature is preferably 75 ° C. or less, more preferably 70 ° C. or less, more preferably 60 ° C. or less, particularly preferably 50 ° C. or less. When the temperature is in the above range, in the daily use temperature range of the semiconductor device, good vibration damping properties are obtained, and failure of the obtained semiconductor device can be reduced. In addition, the temperature can be measured by the method described in Examples.

상기 온도는 유기 수지 성분의 유리 전이 온도나 충전제의 유리 전이 온도 등에 의해, 컨트롤할 수 있다.The temperature can be controlled by the glass transition temperature of the organic resin component, the glass transition temperature of the filler, and the like.

본 발명의 접착제 조성물은 반도체 장치에 사용된다. 본 발명의 접착제 조성물은 반도체 장치에 사용되는 한 특별히 한정되지 않지만, 인터포저 등의 피착체와, 반도체 칩을 접착(다이 어태치)하기 위해 사용하는 것이 바람직하다. 피착체로서는, 인터포저, 리드 프레임, 반도체 칩 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 표면에 요철을 갖는 피착체에 적절하게 사용할 수 있고, 편면 밀봉의 BGA나 LGA(Land grid array) 용도의 인터포저에 특히 적절하게 사용할 수 있다.The adhesive composition of the present invention is used in semiconductor devices. The adhesive composition of the present invention is not particularly limited as long as it is used in a semiconductor device, but is preferably used to adhere (die attach) an adherend such as an interposer to a semiconductor chip. As an adherend, an interposer, a lead frame, a semiconductor chip, etc. are mentioned. Among them, it can be suitably used for adherends having irregularities on the surface, and can be particularly suitably used for interposers for single-side sealing BGA or LGA (Land grid array) applications.

또한, 반도체 장치로서는 복수의 반도체 칩을 적층한 3차원 실장의 반도체 장치에 적절하게 사용할 수 있다.Moreover, as a semiconductor device, it can be suitably used for a three-dimensional mounting semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are stacked.

본 발명의 접착 필름은 상기 접착제 조성물을 사용해서 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 상기 접착제 조성물 용액을 제작하여, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시킴으로써, 접착 필름을 제조할 수 있다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용가능하다.The adhesive film of the present invention can be produced by a conventional method using the adhesive composition. For example, an adhesive film may be prepared by preparing the adhesive composition solution, applying the adhesive composition solution to a substrate separator to have a predetermined thickness, and then forming the coating film, followed by drying the coating film under predetermined conditions. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, and gravure coating. Moreover, as drying conditions, it is performed in the range of 70-160 degreeC of drying temperature, and 1-5 minutes of drying time, for example. As the substrate separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used.

본 발명의 접착 필름은 175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)이 0.2 내지 0.6이다. 상기 손실 정접(tanδ)의 바람직한 범위는 접착제 조성물의 경우와 마찬가지이다.The adhesive film of the present invention has a loss tangent (tanδ) of 175 ° C. in a dynamic viscoelasticity measurement after heating at 175 ° C. for 1 hour, 0.2 to 0.6. The preferred range of the loss tangent (tanδ) is the same as that of the adhesive composition.

또한, 본 발명의 접착 필름은 175℃에서 5시간 가열한 후에 있어서, 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접(tanδ)이 최대로 되는 온도가 -30 내지 75℃인 것이 바람직하다. 상기 온도의 바람직한 범위는 접착제 조성물의 경우와 마찬가지이다.In addition, after heating the adhesive film of the present invention at 175 ° C for 5 hours, the temperature at which the loss tangent (tanδ) in the dynamic viscoelasticity measurement is maximized is preferably -30 to 75 ° C. The preferred range of the temperature is the same as for the adhesive composition.

본 발명의 접착 필름은 반도체 장치에 사용되는 것이라면 특별히 한정되지 않고 다이 어태치 필름, 웨이퍼 이면 보호 필름 등으로서 적절하게 사용할 수 있다. 여기서, 웨이퍼 이면 보호 필름은, 반도체 칩을 플립 칩 본딩에 의해 기판에 실장할 때에 반도체 칩의 이면(기판과는 반대측의 노출되어 있는 면)을 보호하기 위해 사용되는 것이다. 그 중에서도, 다이 어태치 필름으로서 사용하는 것이 바람직하다.The adhesive film of the present invention is not particularly limited as long as it is used for a semiconductor device, and can be suitably used as a die attach film, a wafer back surface protective film, or the like. Here, the wafer back surface protection film is used to protect the back surface of the semiconductor chip (the exposed side on the opposite side to the substrate) when the semiconductor chip is mounted on the substrate by flip chip bonding. Especially, it is preferable to use it as a die attach film.

또한, 본 발명의 접착 필름은 상기 접착 필름이 다이싱 필름 위에 적층되어 있는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름으로서 적절하게 사용할 수 있다.Moreover, the adhesive film of this invention can be used suitably as an adhesive film which has the dicing film in which the said adhesive film is laminated | stacked on the dicing film.

이하, 본 발명의 다이싱 필름을 갖는 접착 필름에 대해서, 접착 필름이 다이 어태치 필름으로서 사용되는 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the adhesive film which has the dicing film of this invention is demonstrated using the case where an adhesive film is used as a die attach film as an example.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 단면 모식도이다. 도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 단면 모식도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an adhesive film having a dicing film according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic cross-sectional view of an adhesive film having a dicing film according to another embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)은 다이싱 필름(11) 위에 접착 필름(3)이 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 필름(11)은 기재(1) 위에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 접착 필름(3)은 그 점착제층(2) 위에 설치되어 있다. 또한 본 발명은 도 2에 도시하는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(12)과 같이, 워크 부착 부분에만 접착 필름(3')을 형성한 구성이어도 된다.As shown in FIG. 1, the adhesive film 10 having a dicing film has a configuration in which the adhesive film 3 is laminated on the dicing film 11. The dicing film 11 is constituted by laminating the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the substrate 1, and the adhesive film 3 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. Further, the present invention may be configured such that the adhesive film 3 'is formed only on the work attachment portion, such as the adhesive film 12 having the dicing film shown in FIG. 2.

상기 기재(1)는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10, 12)의 강도 모체로 되는 것으로, 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.The base material 1 is a strength matrix of the adhesive films 10 and 12 having a dicing film, and it is preferable to have UV transmittance. For example, low-density polyethylene, straight-chain polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, polyolefins such as homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, polyurethane, polyethylene terephthalate , Polyesters such as polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, total aromatic polyamide, polyphenyl sulfide, aramid (paper), glass, glass fiber, Fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silly There may be mentioned a resin, metal (foil), paper or the like.

또한 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 무연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라서 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 접착 필름(3, 3')의 접착 면적을 저하시켜서, 반도체 칩(반도체 소자)의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.Moreover, as a material of the base material 1, polymers, such as the crosslinked body of the said resin, are mentioned. The plastic film may be used without stretching, or, if necessary, a uniaxial or biaxial stretching treatment may be used. According to the resin sheet provided with heat-shrinkability by stretching treatment or the like, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive films 3 and 3 'is reduced by heat-shrinking the substrate 1 after dicing, thereby reducing the semiconductor chip (semiconductor element). ) Can be facilitated.

기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. 상기 기재(1)는 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있으며, 필요에 따라서 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다.The surface of the base material 1 is chemically or physically treated such as conventional surface treatment, for example, chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, ionizing radiation treatment, etc., in order to improve adhesion, retention, and the like with adjacent layers. A coating treatment with a treatment or a primer (for example, an adhesive substance described later) can be performed. The substrate (1) can be used by appropriately selecting a homogeneous or heterogeneous one, and a blend of several species can be used as necessary.

기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.Although the thickness of the base material 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, it is generally about 5 to 200 µm.

점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, and for example, a general pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferred from the viewpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol of electronic components that do not like contamination of semiconductor wafers or glass.

상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 마찬가지의 의미이다.Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (eg, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl) Ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester , Linear or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon atoms of alkyl groups such as hexadecyl ester, octadecyl ester, and ecosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., Cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.) As there may be mentioned acrylic polymers used. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of this invention has the same meaning.

상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 해서, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산무수물 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may include units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, for the purpose of modification such as cohesion and heat resistance. Examples of the monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Contains sulfonic acid groups such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomer; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components can be used singly or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers is preferably 40% by weight or less of the total monomer components.

또한, 상기 아크릴계 중합체는, 가교시키기 위해서, 다관능성 단량체 등도, 필요에 따라서 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.Moreover, in order to crosslink, the said acrylic polymer can also contain a polyfunctional monomer etc. as a monomer component for copolymerization as needed. As such a polyfunctional monomer, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylic Rate, pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, Polyester (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, and the like. One or two or more of these polyfunctional monomers can also be used. The use amount of the polyfunctional monomer is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합에 붙임으로써 얻을 수 있다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등 중 어느 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이러한 점에서, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.The acrylic polymer can be obtained by attaching a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed in any of solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. It is preferable that the content of the low-molecular-weight substance is small in view of preventing contamination of the clean adherend. In this respect, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 의해, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100 중량부에 대해 5중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1 내지 5 중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라서, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.In addition, in order to increase the number average molecular weight of the base polymer, an acrylic polymer or the like, an external crosslinking agent may be appropriately employed. As a specific means of the external crosslinking method, there may be mentioned a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, and a melamine-based crosslinking agent to react. When an external crosslinking agent is used, the amount used is appropriately determined by the balance with the base polymer to be crosslinked, and further depending on the use purpose as the pressure-sensitive adhesive. In general, it is preferable to blend up to about 5 parts by weight or less, and more preferably, 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer. In addition, additives, such as various conventionally known tackifiers and anti-aging agents, may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary.

점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있고, 도 2에 도시하는 점착제층(2)의 워크 부착 부분에 대응하는 부분(2a)만을 방사선 조사함으로써 다른 부분(2b)과의 점착력의 차를 둘 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The radiation curable pressure-sensitive adhesive can easily decrease its adhesive strength by increasing the degree of crosslinking by irradiation of radiation such as ultraviolet rays, and irradiates only the portion 2a corresponding to the work attachment portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. 2. By doing so, the difference in adhesion between the other portions 2b can be made.

또한, 도 2에 도시하는 접착 필름(3')에 맞춰서 방사선 경화형의 점착제층(2)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 상기 부분(2a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하고, 점착력이 저하한 상기 부분(2a)에 접착 필름(3')이 부착되기 때문에, 점착제층(2)의 상기 부분(2a)과 접착 필름(3')의 계면은, 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 상기 부분(2b)을 형성한다.In addition, by curing the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 in conformity with the adhesive film 3 'shown in FIG. 2, the portion 2a in which the adhesive force is significantly reduced can be easily formed. Since the adhesive film 3 'is attached to the portion 2a, which has been cured and the adhesive strength has decreased, the interface between the portion 2a of the adhesive layer 2 and the adhesive film 3' is easily picked up. It has the property of peeling off. On the other hand, the portion not irradiated with radiation has sufficient adhesive force, and forms the portion 2b.

전술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)은 접착 필름(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 방사선 경화형 점착제는 칩 형상 워크(반도체 칩 등)를 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 접착 필름(3)을 접착·박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(12)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2b)이 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the adhesive film 10 having the dicing film shown in FIG. 1, the portion 2b formed by an uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive is an adhesive film 3 ), And retaining force when dicing can be secured. In this way, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can support the adhesive film 3 for fixing the chip-shaped workpiece (semiconductor chip, etc.) to an adherend such as a substrate with good balance between adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the adhesive film 12 having the dicing film shown in Fig. 2, the portion 2b can fix the wafer ring.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive has a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond, and can be used without particular limitation. As the radiation-curing pressure-sensitive adhesive, for example, an additive-type radiation-curing pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive or rubber-based pressure-sensitive adhesive can be exemplified.

배합하는 방사선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을, 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100 중량부에 대해, 예를 들어 5 내지 500 중량부, 바람직하게는 40 내지 150 중량부 정도이다.Examples of the radiation-curable monomer components to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, and pentaerythritol tri (meth). Acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, etc. Can be mentioned. In addition, the radiation-curable oligomer component may include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based, and the molecular weight is preferably in the range of about 100 to 30,000. The amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component to be blended can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, it is about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of a base polymer such as an acrylic polymer constituting an adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제재 내를 이동하지 않고, 안정된 층구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.In addition, as the radiation-curing pressure-sensitive adhesive, in addition to the above-described addition-type radiation-curing pressure-sensitive adhesives, examples of the base polymer include an intrinsic radiation-curing pressure-sensitive adhesive using a carbon-carbon double bond having a polymer side chain or a main chain or at a main chain terminal. Since the internal radiation-curing pressure-sensitive adhesive does not need to contain an oligomer component or the like, which is a low-molecular component, or does not contain mostly, the oligomer component or the like does not move in the pressure-sensitive adhesive material over time, and a stable layered pressure-sensitive adhesive layer is formed. It is preferable because it can form.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.The base polymer having a carbon-carbon double bond, which has a carbon-carbon double bond, and has tackiness can be used without particular limitation. As such a base polymer, it is preferable to use an acrylic polymer as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

상기 아크릴계 중합체에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method of introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be employed, but it is easy to design the molecule by introducing the carbon-carbon double bond into the polymer side chain. For example, after copolymerizing a monomer having a functional group with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is condensed while maintaining radiation curability of the carbon-carbon double bond. Or the method of adding reaction is mentioned.

이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 되지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시된 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of the combination of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups. Among these combinations of functional groups, a combination of hydroxyl groups and isocyanate groups is suitable because of easy tracking of the reaction. In addition, the combination of these functional groups may be any combination of the acrylic polymer and the compound as long as it is a combination that produces the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond. In the preferred combination, the acrylic polymer is a hydroxyl group. It is suitable that the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. have. Moreover, as an acrylic polymer, the thing which copolymerized the hydroxy group containing monomer illustrated above, the ether type compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, etc. is used.

상기 내재형 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100 중량부에 대해 30 중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10 중량부의 범위이다.The intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesive may use the base polymer (especially acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond alone, but may also blend the radiation-curable monomer component or oligomer component so as not to deteriorate the properties. . The radiation-curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer, and preferably in the range of 0 to 10 parts by weight.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100 중량부에 대해, 예를 들어 0.05 내지 20 중량부 정도이다.The radiation-curing pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet light or the like. As a photopolymerization initiator, for example, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2- Α-ketol compounds such as hydroxypropiophenone and 1-hydroxycyclohexylphenylketone; Methoxy acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane Acetophenone compounds such as -1; Benzoin ether-based compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; Photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxone Thioxanthone compounds such as xanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; Campoquinone; Halogenated ketone; Acylphosphine oxide; And acyl phosphonates. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.Moreover, as a radiation-curable adhesive, the photopolymerizable compound, such as the addition polymerizable compound which has 2 or more unsaturated bonds and an alkoxysilane which has an epoxy group, and a carbonyl compound, disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 60-196956, for example. , Rubber-based pressure-sensitive adhesives containing an organic sulfur compound, peroxides, amines, onium salt-based compounds and the like, acrylic pressure-sensitive adhesives, and the like.

상기 방사선 경화형의 점착제층(2) 중에는, 필요에 따라서, 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 점착제층(2)에 포함시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 즉, 도 1에 도시하는 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)을 착색할 수 있다. 따라서, 점착제층(2)에 방사선이 조사되었는지의 여부가 육안에 의해 즉시 판명될 수 있으며, 워크 부착 부분(3a)을 인식하기 쉬워, 워크의 접합이 용이하다. 또한 광센서 등에 의해 반도체 소자를 검출할 때에, 그 검출 정밀도가 높아져서, 반도체 소자의 픽업 시에 오동작이 발생하는 일이 없다.If necessary, the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain a compound colored by irradiation with radiation. By including the compound colored by irradiation with the pressure-sensitive adhesive layer 2, only the portion irradiated with radiation can be colored. That is, the part 2a corresponding to the work attachment part 3a shown in FIG. 1 can be colored. Therefore, whether or not radiation is irradiated to the pressure-sensitive adhesive layer 2 can be determined immediately by the naked eye, it is easy to recognize the work attachment portion 3a, and bonding of the work is easy. Moreover, when a semiconductor element is detected by an optical sensor or the like, the detection accuracy is increased, so that a malfunction does not occur when the semiconductor element is picked up.

방사선 조사에 의해 착색하는 화합물은 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색으로 되는 화합물이다. 이러한 화합물의 바람직한 구체예로서는 류코 염료를 들 수 있다. 류코 염료로서는, 관용 트리페닐메탄계, 플루오란계, 페노티아진계, 아우라민계, 스피로피란계의 것이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 3-[N-(p-톨릴아미노)]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-메틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-에틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-디에틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 크리스탈바이올렛락톤, 4,4',4"-트리스디메틸아미노트리페닐메탄올, 4,4',4"-트리스디메틸아미노트리페닐메탄 등을 들 수 있다.The compound colored by irradiation is a colorless or pale color before irradiation, but is a compound colored by irradiation. A leuco dye is mentioned as a preferable specific example of such a compound. As the leuco dye, conventional triphenylmethane-based, fluoran-based, phenothiazine-based, auramin-based, and spiropyran-based ones are preferably used. Specifically, 3- [N- (p-tolylamino)]-7-anilinofluoran, 3- [N- (p-tolyl) -N-methylamino] -7-anilinofluoran, 3- [ N- (p-tolyl) -N-ethylamino] -7-anilinofluoran, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluoran, crystal violet lactone, 4,4 ', 4 "- And trisdimethylaminotriphenylmethanol, 4,4 ', 4 "-trisdimethylaminotriphenylmethane, and the like.

이들 류코 염료와 함께 바람직하게 사용되는 현색제로서는, 종래부터 사용되고 있는 페놀포르말린 수지의 초기 중합체, 방향족 카르복실산 유도체, 활성 백토 등의 전자 수용체를 들 수 있으며, 또한 색조를 변화시키는 경우에는 여러가지 공지된 발색제를 조합해서 사용할 수도 있다.Examples of the colorant preferably used together with these leuco dyes include electron acceptors such as an initial polymer of a phenol formalin resin, an aromatic carboxylic acid derivative, and activated clay, which are conventionally used, and also various known when changing color tone. You can also use a combination of colorants.

이러한 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물은, 일단 유기 용매 등에 용해된 후에 방사선 경화형 접착제 중에 포함시켜도 되고, 또한 미분말 형상으로 해서 그 점착제 중에 포함시켜도 된다. 이 화합물의 사용 비율은, 점착제층(2) 중에 10중량％ 이하, 바람직하게는 0.01 내지 10중량％, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5중량％인 것이 바람직하다. 상기 화합물의 비율이 10중량％를 초과하면, 점착제층(2)에 조사되는 방사선이 이 화합물에 지나치게 흡수되어 버리기 때문에, 점착제층(2)의 상기 부분(2a)의 경화가 불충분해져서, 충분히 점착력이 저하하지 못하는 경우가 있다. 한편, 충분히 착색시키기 위해서는, 상기 화합물의 비율을 0.01중량％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.The compound colored by such irradiation may be included in a radiation curable adhesive once dissolved in an organic solvent or the like, or may be included in the adhesive in the form of a fine powder. The use ratio of this compound is preferably 10% by weight or less, preferably 0.01 to 10% by weight, and more preferably 0.5 to 5% by weight in the pressure-sensitive adhesive layer 2. When the proportion of the compound exceeds 10% by weight, the radiation irradiated on the pressure-sensitive adhesive layer 2 is excessively absorbed by this compound, so that curing of the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 becomes insufficient, resulting in sufficient adhesion. There may be cases where this does not decrease. On the other hand, in order to sufficiently color, it is preferable to set the proportion of the compound to 0.01% by weight or more.

점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 점착제층(2)에 있어서의 상기 부분(2a)의 점착력 ＜ 그 밖의 부분(2b)의 점착력으로 되도록 점착제층(2)의 일부를 방사선 조사해도 된다.In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is set such that the pressure-sensitive adhesive force of the portion 2a in the pressure-sensitive adhesive layer 2 is <adhesion of the other portion 2b. You may irradiate.

상기 점착제층(2)에 상기 부분(2a)을 형성하는 방법으로서는, 기재(1)에 방사선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후, 상기 부분(2a)에 부분적으로 방사선을 조사해 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는, 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 통해서 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형의 점착제층(2)의 형성은 세퍼레이터 상에 설치한 것을 기재(1) 위에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터 위에 형성한 방사선 경화형의 점착제층(2)에 행할 수도 있다.As a method of forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2, after the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the substrate 1, the portion 2a is partially irradiated with radiation to cure. Can be mentioned. Partial radiation can be performed through a photomask formed with a pattern corresponding to a part 3b or the like other than the work attachment part 3a. In addition, a method of irradiating ultraviolet rays with spots to cure them may be mentioned. The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring what is provided on the separator onto the substrate 1. Partial radiation curing may be performed on the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 formed on the separator.

또한, 점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 기재(1) 중 적어도 편면의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하고, 여기에 방사선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후에 방사선 조사하여, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분을 경화시키고, 점착력을 저하시킨 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이러한 제조 방법에 따르면, 효율적으로 본 발명의 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)을 제조할 수 있다.In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, a light shielding part or all of at least one portion of the substrate 1 other than the portion corresponding to the work attachment portion 3a on one side is used. After forming the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 thereon, radiation is irradiated to cure the portion corresponding to the work attachment portion 3a, and the above-mentioned portion 2a with reduced adhesive strength can be formed. As a light-shielding material, what can become a photomask on a support film can be produced by printing, vapor deposition, or the like. According to this manufacturing method, it is possible to efficiently produce the adhesive film 10 having the dicing film of the present invention.

또한, 방사선 조사 시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 방사선 경화형 점착제층(2)의 표면으로부터 임의의 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.In addition, when curing inhibition by oxygen occurs during irradiation, it is preferable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 by any method. For example, a method of coating the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 with a separator, a method of irradiating radiation such as ultraviolet rays in a nitrogen gas atmosphere, and the like can be mentioned.

점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 점으로부터는, 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가서는 5 내지 25㎛가 바람직하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 µm from the viewpoint of preventing chip breakage and compatibility between fixing and holding the adhesive layer. Preferably 2 to 30 µm, and more preferably 5 to 25 µm.

접착 필름(3, 3')의 두께(적층체의 경우에는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 내지 50㎛이며, 보다 바람직하게는 10 내지 40㎛이다.The thickness of the adhesive films 3 and 3 '(total thickness in the case of a laminate) is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 µm, more preferably 10 to 40 µm.

상기 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10, 12)의 접착 필름(3, 3')은 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는 실용에 쓰이도록 할 때까지 접착 필름(3, 3')을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는 점착제층(2)에 접착 필름(3, 3')을 전사할 때의 지지 기재로서 더 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 접착 필름(3, 3') 위에 워크를 부착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.It is preferable that the adhesive films 3 and 3 'of the adhesive films 10 and 12 having the dicing film are protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the adhesive films 3 and 3 'until they are put to practical use. In addition, the separator can be further used as a supporting substrate when transferring the adhesive films 3 and 3 'to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The separator is peeled off when the work is attached onto the adhesive films 3 and 3 'of the adhesive film having the dicing film. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, or a fluorine-based release agent or a long-chain alkylacrylate-based release agent can also be used.

본 실시 형태에 따른 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10, 12)은, 예를 들어 다음과 같이 해서 제작된다.The adhesive films 10 and 12 having the dicing film according to the present embodiment are produced, for example, as follows.

우선, 기재(1)는 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 상기 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.First, the base material 1 can be formed by a conventionally known film-forming method. Examples of the film forming method include a calender film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T die extrusion method, a coextrusion method, and a dry laminate method.

이어서, 기재(1) 위에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라서 가열 가교시켜) 점착제층(2)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건으로 도포막을 건조시켜서 점착제층(2)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(1) 위에 점착제층(2)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 다이싱 필름(11)이 제작된다.Subsequently, a coating film is formed by applying a pressure-sensitive adhesive composition solution on the substrate 1, and then the coating film is dried under predetermined conditions (heat-crosslinked if necessary) to form the pressure-sensitive adhesive layer 2. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, and gravure coating. Moreover, as drying conditions, it is performed in the range of 80-150 degreeC of drying temperature, and 0.5-5 minutes of drying time, for example. Further, after applying the pressure-sensitive adhesive composition on the separator to form a coating film, the coating film may be dried under the above drying conditions to form the pressure-sensitive adhesive layer 2. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is bonded to the substrate 1 together with the separator. Thereby, the dicing film 11 is produced.

계속해서, 다이싱 필름(11)으로부터 세퍼레이터를 박리하고, 점착제층(2)과 접착 필름(3, 3')을 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 35 내지 45℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝가 바람직하고, 1 내지 10kgf/㎝가 보다 바람직하다. 이와 같이 해서, 본 실시 형태에 따른 다이싱 필름을 갖는 접착 필름이 얻어진다.Subsequently, the separator is peeled from the dicing film 11, and the adhesive layer 2 and the adhesive films 3 and 3 'are bonded. Bonding can be performed, for example, by pressing. At this time, the lamination temperature is not particularly limited, for example, 30 to 50 ° C is preferable, and 35 to 45 ° C is more preferable. In addition, the line pressure is not particularly limited, for example, 0.1 to 20 kgf / cm is preferable, and 1 to 10 kgf / cm is more preferable. In this way, an adhesive film having the dicing film according to the present embodiment is obtained.

(반도체 장치의 제조 방법) (Method of manufacturing a semiconductor device)

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 접착 필름을 사용해서 반도체 칩을 피착체에 다이 어태치하는 공정을 포함한다.The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a step of attaching a semiconductor chip to an adherend using an adhesive film.

이하, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 대해서, 도 3을 참조하면서, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)을 사용해서 반도체 장치를 제조하는 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive film 10 having a dicing film will be described as an example, with reference to FIG. 3, with respect to the method for manufacturing the semiconductor device of the present invention.

우선, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)에 있어서의 접착 필름(3)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a) 위에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 유지시켜서 고정한다(부착 공정). 본 공정은 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다. 이때, 부착 온도는 35 내지 80℃인 것이 바람직하고, 40 내지 75℃인 것이 보다 바람직하다. 또한, 압력은 1×105 내지 1×107㎩인 것이 바람직하고, 2×105 내지 8×106㎩인 것이 보다 바람직하다. 또한, 부착 시간으로서는, 1.5 내지 60초인 것이 바람직하고, 2 내지 50초인 것이 보다 바람직하다.First, the semiconductor wafer 4 is pressed onto the semiconductor wafer attaching portion 3a of the adhesive film 3 in the adhesive film 10 having the dicing film, and the adhesive is held and fixed (adhering process). This step is performed while pressing with a pressing means such as a pressing roll. At this time, the adhesion temperature is preferably 35 to 80 ° C, more preferably 40 to 75 ° C. Further, the pressure is preferably 1 × 10 5 to 1 × 10 7 MPa, and more preferably 2 × 10 5 to 8 × 10 6 MPa. Moreover, as attachment time, it is preferable that it is 1.5-60 second, and it is more preferable that it is 2-50 second.

이어서, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 크기로 절단하여 개별 조각화하여, 반도체 칩(5)을 제조한다. 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상방법에 따라 행해진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)까지 절입을 행하는 풀컷이라 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼는 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.Subsequently, the semiconductor wafer 4 is diced. Thereby, the semiconductor wafer 4 is cut into pieces of a predetermined size, and individually sliced to manufacture the semiconductor chip 5. Dicing is performed according to a normal method from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4, for example. Further, in this step, for example, a cutting method called a full cut for cutting the adhesive film 10 having a dicing film or the like can be adopted. The dicing apparatus used in this step is not particularly limited, and a conventionally known one can be used. In addition, since the semiconductor wafer is adhesively fixed by the adhesive film 10 having a dicing film, chip breakage and chip scattering can be suppressed and damage to the semiconductor wafer 4 can also be suppressed.

다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩을 박리하기 위해서, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱 필름을 갖는 접착 필름(10)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.In order to peel the semiconductor chip adhesively fixed to the adhesive film 10 having a dicing film, the semiconductor chip 5 is picked up. The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up the individual semiconductor chips 5 with a needle from the side of the adhesive film 10 having a dicing film, and picking up the raised semiconductor chips 5 with a pick-up device, etc. have.

여기에서 픽업은 점착제층(2)이 자외선 경화형인 경우, 상기 점착제층(2)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(2)의 접착 필름(3)에 대한 점착력이 저하하고, 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩(5)을 손상시키지 않고 픽업이 가능해진다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고 적절히 필요에 따라서 설정하면 된다. 또한, 자외선 조사에 사용하는 광원으로서는, 전술한 것을 사용할 수 있다.Here, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is of ultraviolet curing type, pick-up is performed after irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 2 with ultraviolet light. Thereby, the adhesive force of the adhesive layer 2 with respect to the adhesive film 3 falls, and peeling of the semiconductor chip 5 becomes easy. As a result, pickup is possible without damaging the semiconductor chip 5. Conditions such as irradiation intensity and irradiation time during ultraviolet irradiation are not particularly limited and may be appropriately set as necessary. Moreover, the above-mentioned thing can be used as a light source used for ultraviolet irradiation.

픽업한 반도체 칩(5)은 접착 필름(3)을 개재해서 피착체(6)에 접착 고정한다(다이 어태치).The picked-up semiconductor chip 5 is adhesively fixed to the adherend 6 via an adhesive film 3 (die attach).

이때, 다이 어태치 온도는 80 내지 150℃인 것이 바람직하고, 85 내지 140℃인 것이 보다 바람직하고, 90 내지 130℃인 것이 더욱 바람직하다. 80℃ 이상으로 함으로써, 접착 필름(3)의 인장 저장 탄성률이 지나치게 높아지는 것을 방지하고, 적절하게 접착 가능하게 할 수 있다. 또한, 150℃ 이하로 함으로써, 다이 어태치후의 휨의 발생을 방지하고, 파손을 발생하기 어렵게 할 수 있다.At this time, the die attach temperature is preferably 80 to 150 ° C, more preferably 85 to 140 ° C, and even more preferably 90 to 130 ° C. By setting it as 80 degreeC or more, the tensile storage elastic modulus of the adhesive film 3 can be prevented from being excessively high, and it can be made to adhere suitably. Moreover, by setting it as 150 degreeC or less, the generation | occurrence | production of the bending after die attach can be prevented and damage can hardly be produced.

또한, 다이 어태치 압력은, 0.05㎫ 내지 5㎫인 것이 바람직하고, 0.06㎫ 내지 4.5㎫인 것이 보다 바람직하고, 0.07㎫ 내지 4㎫인 것이 더욱 바람직하다. 0.05㎫ 이상으로 함으로써, 접착에 불균일이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 5㎫ 이하로 함으로써, 압력에 의한 반도체 칩(5)의 파손을 발생하기 어렵게 할 수 있다.Further, the die attach pressure is preferably 0.05 kPa to 5 kPa, more preferably 0.06 kPa to 4.5 kPa, and even more preferably 0.07 kPa to 4 kPa. By setting it as 0.05 Mpa or more, it is possible to prevent unevenness in adhesion. Moreover, by setting it as 5 Mpa or less, it can make it difficult to generate | occur | produce damage of the semiconductor chip 5 by pressure.

또한, 상기 다이 어태치 압력을 인가하는 다이 어태치 시간은 0.1 내지 5초인 것이 바람직하고, 0.15 내지 4.5초인 것이 보다 바람직하고, 0.2 내지 4초인 것이 더욱 바람직하다. 0.1초 이상으로 함으로써, 압력을 균일하게 가할 수 있고, 접착에 불균일이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 5초 이하로 함으로써, 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, the die attach time for applying the die attach pressure is preferably 0.1 to 5 seconds, more preferably 0.15 to 4.5 seconds, and even more preferably 0.2 to 4 seconds. By setting it to 0.1 second or more, pressure can be uniformly applied and it is possible to prevent the occurrence of unevenness in adhesion. Moreover, the yield can be improved by setting it to 5 seconds or less.

계속해서, 접착 필름(3)을 가열 처리함으로써, 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 접착시킨다.Subsequently, the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are adhered by heating the adhesive film 3.

가열 처리의 온도는 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이다. 가열 처리의 온도는 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 또한, 가열 처리의 시간은 바람직하게는 0.1시간 이상, 보다 바람직하게는 0.5시간 이상이다. 가열 처리의 시간은 바람직하게는 24시간 이하, 보다 바람직하게는 4시간 이하, 더욱 바람직하게는 2시간 이하이다. 가열 처리의 온도, 시간이 상기 범위이면, 양호하게 접착할 수 있다.The temperature of the heat treatment is preferably 80 ° C or higher, more preferably 170 ° C or higher. The temperature of the heat treatment is preferably 200 ° C. or less, more preferably 180 ° C. or less. In addition, the time of the heat treatment is preferably 0.1 hours or more, and more preferably 0.5 hours or more. The time of the heat treatment is preferably 24 hours or less, more preferably 4 hours or less, and even more preferably 2 hours or less. If the temperature and time of the heat treatment are within the above range, adhesion can be satisfactorily achieved.

이어서, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 위의 전극 패드(도시 생략)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 상기 본딩 와이어(7)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이고, 상기 온도는 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 175℃ 이하이다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분간(예를 들어, 1초 내지 1분간) 행해진다. 결선은 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다.Subsequently, a wire bonding process is performed in which the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 are electrically connected with a bonding wire 7. As the bonding wire 7, a gold wire, an aluminum wire or a copper wire is used, for example. The temperature at the time of wire bonding is preferably 80 ° C or higher, more preferably 120 ° C or higher, and the temperature is preferably 250 ° C or lower, more preferably 175 ° C or lower. Moreover, the heating time is performed for several seconds to several minutes (for example, 1 second to 1 minute). The wiring is carried out by using a combination of vibration energy by ultrasonic waves and compression energy by applied pressurization while being heated to be within the temperature range.

계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 밀봉 공정을 행한다. 본 공정은 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해 행해진다. 본 공정은 밀봉용 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉재지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이고, 상기 가열 온도는 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 상기 가열 온도가 상기 범위 내이면, 밀봉 수지(8)의 주입 압력에 의해, 접착 필름(3)이 피착체 표면의 요철을 양호하게 매립할 수 있다.Subsequently, a sealing step of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed to protect the semiconductor chip 5 or bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This step is performed by molding the resin for sealing into a mold. As the sealing material 8, an epoxy resin is used, for example. The heating temperature at the time of resin sealing is preferably 165 ° C or higher, more preferably 170 ° C or higher, and the heating temperature is preferably 185 ° C or lower, more preferably 180 ° C or lower. When the heating temperature is within the above range, the unevenness of the surface of the adherend can be satisfactorily embedded in the adhesive film 3 by the injection pressure of the sealing resin 8.

가열 시간은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1분 이상, 보다 바람직하게는 2분 이상이며, 가열 시간의 상한은 바람직하게는 10분 이하, 보다 바람직하게는 5분 이하이다.The heating time is not particularly limited, but is preferably 1 minute or more, more preferably 2 minutes or more, and the upper limit of the heating time is preferably 10 minutes or less, more preferably 5 minutes or less.

또한, 수지 밀봉 시의 트랜스퍼 압력은, 바람직하게는 1KN 이상, 보다 바람직하게는 3KN 이상이며, 트랜스퍼 압력의 상한은 바람직하게는 10KN 이하, 보다 바람직하게는 7KN 이하이다.Moreover, the transfer pressure at the time of resin sealing is preferably 1 KN or more, more preferably 3 KN or more, and the upper limit of the transfer pressure is preferably 10 KN or less, more preferably 7 KN or less.

이에 의해, 밀봉 수지를 경화시킴과 함께, 접착 필름(3)을 개재해서 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 고착시킨다. 즉, 본 발명에 있어서는, 후술하는 후경화 공정이 행해지지 않은 경우에 있어서도, 본 공정에 있어서 접착 필름(3)에 의한 고착이 가능하며, 제조 공정수의 감소 및 반도체 장치의 제조 기간의 단축에 기여할 수 있다.Thereby, the sealing resin is cured, and the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are fixed through the adhesive film 3. That is, in the present invention, even in the case where the post-curing process described later is not performed, the adhesion by the adhesive film 3 is possible in this process, and the number of manufacturing steps is reduced and the manufacturing period of the semiconductor device is shortened. Can contribute.

계속해서, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킨다(후경화 공정). 이에 의해, 접착 필름(3)이 열경화성 수지를 포함하는 접착제 조성물에 의해 제조되는 경우에는, 밀봉 공정에 있어서 접착 필름(3)이 완전히 열경화하지 않은 경우에도, 본 공정에 있어서 밀봉 수지(8)와 함께 접착 필름(3)의 완전한 열경화가 가능해진다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는 밀봉 수지의 종류에 따라 다르지만, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다.Subsequently, the sealing resin 8 lacking curing is completely cured in the sealing step (post-curing step). Thereby, when the adhesive film 3 is manufactured with the adhesive composition containing a thermosetting resin, even if the adhesive film 3 is not completely thermoset in the sealing process, the sealing resin 8 in this process With this, complete thermal curing of the adhesive film 3 becomes possible. The heating temperature in this step varies depending on the type of the sealing resin, but is, for example, in the range of 165 to 185 ° C, and the heating time is about 0.5 to 8 hours.

이러한 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는 피착체 표면의 요철이 양호하게 매립되어, 보이드의 발생이 억제되고 있어, 신뢰성이 높다.In the semiconductor device obtained by such a method, unevenness on the surface of the adherend is well embedded, voids are suppressed, and reliability is high.

<실시예><Example>

이하, 본 발명에 대해서 실시예를 사용해서 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 예 중, 부는 특기가 없는 한 모두 중량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples, but the present invention is not limited to the following examples unless the gist is exceeded. In addition, in each case, parts are all based on weight, unless otherwise specified.

실시예에서 사용한 성분에 대해서 설명한다.The components used in the examples will be described.

아크릴 공중합체 SG-P3 : 나가세켐텍스(주) 제조의 테이산레진 SG-P3(Mw:85만, 유리 전이 온도 : 12℃)Acrylic copolymer SG-P3: Teisan resin SG-P3 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd. (Mw: 850,000, glass transition temperature: 12 ° C)

아크릴 공중합체 SG-600TEA : 나가세켐텍스(주) 제조의 테이산레진 SG-600TEA(Mw:120만, 유리 전이 온도 : -37℃)Acrylic copolymer SG-600TEA: Teisan resin SG-600TEA manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd. (Mw: 1.2 million, glass transition temperature: -37 ° C)

아크릴 공중합체 S-2060 : 도아고세(주) 제조의 아론태크 S-2060(Mw:55만, 유리 전이 온도: -22℃)Acrylic copolymer S-2060: Aaron Tack S-2060 manufactured by Toagose Co., Ltd. (Mw: 550,000, glass transition temperature: -22 ° C)

에폭시 수지 HP-4700 : DIC(주) 제조의 HP-4700(나프탈렌형 에폭시 수지)Epoxy resin HP-4700: HP-4700 (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation

에폭시 수지 EPPN501HY : 닛본가야꾸(주) 제조의 EPPN501HYEpoxy resin EPPN501HY: EPPN501HY manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

페놀 수지 MEH-7851H : 메이와가세이사 제조의 MEH-7851HPhenolic resin MEH-7851H: MEH-7851H manufactured by Meiwa Kasei

페놀 수지 MEH-7851SS : 메이와가세이사 제조의 MEH-7851SS(페놀비페닐렌)Phenolic resin MEH-7851SS: MEH-7851SS (phenol biphenylene) manufactured by Meiwa Chemical Co., Ltd.

페놀 수지 MEH-7800H : 메이와가세이사 제조의 MEH-7800HPhenolic resin MEH-7800H: MEH-7800H manufactured by Meiwa Kasei

가교제 테트래드C : 미쯔비시가스가가꾸사 제조의 테트래드 C(에폭시계 가교제)Cross-linking agent Tetrad C: Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. Tetrad C (epoxy cross-linking agent)

필러 SO-E2 : 애드마텍스(주) 제조의 SO-E2(구상 실리카)Filler SO-E2: SO-E2 (spherical silica) manufactured by Admatex Co., Ltd.

필러 MEK-ST : 닛산가가꾸고교사 제조의 MEK-ST(메틸에틸케톤 분산 실리카졸, 입자 직경 10 내지 20㎚, 고형분농도 30질량%)Filler MEK-ST: MEK-ST manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. (Methyl ethyl ketone-dispersed silica sol, particle diameter 10 to 20 nm, solid content concentration 30 mass%)

필러 MEK-ST-L : 닛산가가꾸고교사 제조의 MEK-ST-L(메틸에틸케톤 분산 실리카졸, 입자 직경 40 내지 50㎚, 고형분 농도 30질량%)Filler MEK-ST-L: Nissan Chemical Industries, Ltd. MEK-ST-L (methyl ethyl ketone dispersion silica sol, particle diameter 40 to 50 nm, solid content concentration 30 mass%)

열 활성형 잠재성 경화제(경화 촉매) 2PZ : 시꼬꾸가세사 제조의 큐어졸(2-페닐이미다졸)Thermally active latent curing agent (curing catalyst) 2PZ: Curesol (2-phenylimidazole) manufactured by Shikoku Chemical Co., Ltd.

실시예에서 사용한 BGA용 기판에 대해서 설명한다.The substrate for BGA used in Examples will be described.

BGA용 기판 : 니혼사키토고교 가부시끼가이샤제의 TFBGA(표면 요철 10㎛) Substrate for BGA: TFBGA (surface irregularities 10 µm) manufactured by Nippon High School, Ltd.

<접착 필름의 제작><Preparation of adhesive film>

표 1에 기재된 배합비에 따라, 각 성분을 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.According to the compounding ratio shown in Table 1, each component was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition solution having a concentration of 23.6% by weight.

이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함해서 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 위에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 25㎛의 접착 필름을 제작하였다.The adhesive composition solution was applied onto a release treatment film (peel liner) comprising a polyethylene terephthalate film having a silicone release treatment of 38 µm in thickness, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thus, an adhesive film having a thickness of 25 µm was produced.

<다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 제작><Preparation of an adhesive film having a dicing film>

얻어진 접착 필름을 다이싱 필름(닛토덴코가부시키가이샤 제조의 DU-300)의 점착제층 위에, 핸드 롤러를 사용해서 접합하고, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름을 제작하였다.The obtained adhesive film was bonded on the pressure-sensitive adhesive layer of a dicing film (DU-300 manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) using a hand roller, and an adhesive film having a dicing film was produced.

<접착 필름을 갖는 반도체 칩의 제작><Preparation of a semiconductor chip having an adhesive film>

반도체 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6㎜)를 이면 연마 처리하여, 두께 100㎛의 미러 웨이퍼를 얻었다. 다이싱 필름을 갖는 접착 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 그 접착 필름 위에 미러 웨이퍼를 40℃에서 롤 압착하여 접합하고, 다이싱을 더 행하였다. 또한, 다이싱은 한변이 10㎜인 사각형의 칩 사이즈가 되도록 풀컷하였다.A semiconductor wafer (8 inches in diameter and 0.6 mm in thickness) was polished on the back surface to obtain a mirror wafer having a thickness of 100 µm. After the separator was peeled off from the adhesive film having the dicing film, the mirror wafer was roll-bonded onto the adhesive film at 40 ° C to bond, and dicing was further performed. In addition, the dicing was pull-cut to a square chip size of 10 mm on one side.

이어서, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름을 잡아늘려서, 각 칩 사이를 소정의 간격으로 하는 익스팬드 공정을 행하였다. 또한, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어 올리기 방식으로 반도체 칩을 픽업하여, 접착 필름을 갖는 반도체 칩을 얻었다.Subsequently, the adhesive film having the dicing film was stretched, and an expanding step was performed in which the chips were spaced at predetermined intervals. Further, a semiconductor chip was picked up by a push-up method with a needle from the substrate side of the adhesive film having a dicing film, thereby obtaining a semiconductor chip having an adhesive film.

또한, 웨이퍼 연삭 조건, 접합 조건, 다이싱 조건, 익스팬드 조건, 픽업 조건은, 이하와 같다.In addition, wafer grinding conditions, bonding conditions, dicing conditions, expand conditions, and pickup conditions are as follows.

<웨이퍼 연삭 조건><Wafer grinding conditions>

연삭 장치 : 디스코사 제조 DFG-8560Grinding device: DFG-8560 manufactured by Disco

반도체 웨이퍼 : 8인치 직경Semiconductor wafer: 8 inch diameter

<접합 조건><Joint condition>

부착 장치 : 닛토세이끼 제조 MA-3000Ⅱ Attachment device: Nitto Seiki Co., Ltd. MA-3000Ⅱ

부착 속도계 : 10㎜/minAttachment speedometer: 10㎜ / min

부착 압력 : 0.15㎫Attachment pressure: 0.15㎫

부착 시의 스테이지 온도 : 40℃Stage temperature when attached: 40 ℃

<다이싱 조건><Dicing conditions>

다이싱 장치 : 디스코사 제조 DFD-6361Dicing device: DFD-6361 manufactured by Disco

다이싱 링 : 2-8-1(디스코사 제조)Dicing ring: 2-8-1 (manufactured by Disco)

다이싱 속도 : 30㎜/secDicing speed: 30㎜ / sec

다이싱 블레이드 : 디스코사 제조 NBC-ZH226J27HAAADicing Blade: NBC-ZH226J27HAAA manufactured by Disco

다이싱 블레이드 회전수 : 30,000rpmDicing blade rotation speed: 30,000rpm

블레이드 높이 : 0.085㎜Blade height: 0.085㎜

커트 방식 : 싱글 스텝 커트 Cut method: Single step cut

웨이퍼칩 사이즈 : 한변이 10.0㎜인 사각형Wafer chip size: square with 10.0mm on one side

<익스팬드 조건><Expand condition>

다이 본더 : 신가와(주) 제조 장치명 : SPA-300Die Bonder: Shingawa Co., Ltd. Manufacturing name: SPA-300

내측 링에 대한 외측 링의 후퇴량 : 3㎜Retraction amount of the outer ring relative to the inner ring: 3 mm

<픽업 조건><Pickup conditions>

다이 본드 장치 : 신가와(주) 제조Die bond device: manufactured by Shingawa Co., Ltd.

니들 개수 : 9개Number of needles: 9

니들 밀어올림양 : 300㎛Needle pushing up amount: 300㎛

니들 밀어올림 속도: 5㎜/초 Needle pushing speed: 5㎜ / sec

콜릿 유지 시간 : 1초 Collet hold time: 1 second

<반도체 칩을 갖는 기판의 제작><Preparation of a substrate having a semiconductor chip>

다이 본더를 사용해서, 접착 필름을 갖는 반도체 칩의 접착 필름을 BGA용 기판에 접착시켜, 175℃에서 1시간 가열하였다. 이에 의해, 반도체 칩을 갖는 기판을 얻었다.Using a die bonder, an adhesive film of a semiconductor chip having an adhesive film was adhered to a substrate for BGA and heated at 175 ° C for 1 hour. Thus, a substrate having a semiconductor chip was obtained.

얻어진 접착 필름, 반도체 칩을 갖는 기판을 사용해서 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The following evaluation was performed using the obtained adhesive film and the board | substrate which has a semiconductor chip. Table 1 shows the results.

<175℃에서 1시간 가열한 후의 175℃ 손실 정접(tanδ)><Wet loss at 175 ° C after heating at 175 ° C for 1 hour (tanδ)>

접착 필름을 두께 100㎛가 되도록 중첩, 폭 10㎜, 길이 40㎜가 되도록 잘라내었다. 그 후, 175℃에서 1시간 가열하여 샘플 1을 제작하였다.The adhesive film was cut out so as to have a thickness of 100 µm, overlapping, width 10 mm, and length 40 mm. Thereafter, the sample 1 was produced by heating at 175 ° C. for 1 hour.

샘플 1에 대해서, 티·에이·인스트루먼트사 제조의 동적 점탄성 측정 장치(DMA)RSA3를 사용해서, 이하의 조건으로 점탄성을 측정하였다.About sample 1, viscoelasticity was measured on condition of the following using the dynamic viscoelasticity measuring apparatus (DMA) RSA3 manufactured by T-A Instruments.

주파수: 1㎐Frequency: 1 kHz

측정 모드 : 인장Measurement mode: tensile

척간 거리 : 22㎜Interchuck distance: 22㎜

측정 온도 : -50℃ 내지 300℃Measurement temperature: -50 ℃ to 300 ℃

승온 속도 : 10℃/분Heating rate: 10 ℃ / min

데이터 취득 : 10초 간격Data acquisition: every 10 seconds

얻어진 각 온도의 손실 정접(tanδ)(=손실 탄성률(E")/저장 탄성률(E')) 데이터를, 10구간 이동 평균으로 근사하여(이동 평균 근사 곡선을 구하여), 175℃의 근사값을 구하였다.The loss tangent (tanδ) (= loss elastic modulus (E ") / storage elastic modulus (E ')) of each temperature obtained is approximated by a moving average of 10 sections (a moving average approximation curve is obtained) to obtain an approximate value of 175 ° C. Did.

또한, 10구간 이동 평균으로 근사하여, 175℃의 근사값을 구한 이유는, 175℃의 손실 탄성률은 일정치 못한 경우가 있어, 정확한 값을 판독하는 것이 어렵기 때문이다.In addition, the approximate value of 175 ° C was approximated by a moving average of 10 sections, because the loss elastic modulus of 175 ° C may be inconsistent, and it is difficult to read an accurate value.

<175℃에서 5시간 가열한 후에 있어서의 손실 정접(tanδ)의 피크 온도(℃)><Peak temperature (° C) of loss tangent (tanδ) after heating at 175 ° C for 5 hours>

접착 필름을 두께 100㎛가 되도록 중첩하여, 폭 10㎜, 길이 40㎜가 되도록 잘라냈다. 그 후 175℃에서 5시간 가열하여, 샘플 2를 제작하였다.The adhesive film was superimposed so as to have a thickness of 100 µm, and was cut to a width of 10 mm and a length of 40 mm. Then, it was heated at 175 ° C for 5 hours to prepare Sample 2.

샘플 2에 대해서, 샘플 1과 마찬가지로, 점탄성을 측정하여 이동 평균 근사 곡선을 구하였다. 구한 이동 평균 근사 곡선으로부터, 손실 정접(tanδ)의 피크 온도를 판독하였다.For Sample 2, similar to Sample 1, viscoelasticity was measured to obtain a moving average approximation curve. The peak temperature of the loss tangent (tanδ) was read from the obtained moving average approximation curve.

<와이어 본딩성><Wire bonding property>

반도체 칩을 갖는 기판을 사용해서, 시간 8밀리초, 하중 25gf, 온도 170℃에서, 와이어 본드를 행하였다.Using a substrate having a semiconductor chip, wire bonding was performed at a time of 8 milliseconds, a load of 25 gf, and a temperature of 170 ° C.

와이어 본드 중에 에러가 발생하지 않은 경우를 ○로 하고, 에러가 발생한 경우를 ×로 하였다.The case where an error did not occur in the wire bond was set to ○, and the case where an error occurred was set to ×.

<공극의 매립><Void reclamation>

와이어 본드 후에, 온도 175℃, 시간 90초, 트랜스퍼 압력 5KN이라고 하는 조건에서, 수지 밀봉을 행하였다.After wire bonding, resin sealing was performed under conditions of a temperature of 175 ° C, a time of 90 seconds, and a transfer pressure of 5KN.

수지 밀봉 후, 초음파 탐상 장치(SAT : Scanning Acoustic Tomograph)를 사용해서, 화상 취득하고, 접착 필름과 기판 사이에 공극이 관찰되지 않은 경우를 ○로 하고, 관찰된 경우를 ×로 하였다.After the resin was sealed, an image was acquired using an ultrasonic flaw detector (SAT: Scanning Acoustic Tomograph), and the case where no voids were observed between the adhesive film and the substrate was set to ○, and the case observed was set to ×.

<종합 판정><Comprehensive judgment>

(1) 175℃ 손실 정접(tanδ)이 0.2 내지 0.6이다, (2) 와이어 본딩성이 ○이다, (3) 공극의 매립이 ○이다, (4) 피크 온도가 -30 내지 75℃이다라고 하는 (1) 내지 (4) 모든 요건을 충족시키는 경우를 ○, 어느 하나라도 요건을 충족시키지 못하는 경우를 ×로 하였다.(1) 175 ° C loss tangent (tanδ) is 0.2 to 0.6, (2) wire bonding property is ○, (3) void filling is ○, and (4) peak temperature is -30 to 75 ° C. (1) to (4) A case where all the requirements are satisfied was designated as ○, and a case where none of them meets the requirements was designated as ×.

Figure 112013060204167-pat00001
Figure 112013060204167-pat00001

1 : 기재
2 : 점착제층
3, 3' : 접착 필름(열경화형 접착 필름)
4 : 반도체 웨이퍼
5 : 반도체 칩
6 : 피착체
7 : 본딩 와이어
8 : 밀봉 수지
10, 12 : 다이싱 필름을 갖는 접착 필름
11 : 다이싱 필름1: description
2: Adhesive layer
3, 3 ': adhesive film (thermosetting adhesive film)
4: semiconductor wafer
5: semiconductor chip
6: adherend
7: bonding wire
8: sealing resin
10, 12: adhesive film having a dicing film
11: dicing film

Claims (10)

필름 형태의 반도체 장치용 접착제 조성물이 다이싱 필름 위에 적층되어 있는, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름이며,
상기 반도체 장치용 접착제 조성물은 열경화성을 가지고,
상기 반도체 장치용 접착제 조성물에 대하여, 상기 반도체 장치용 접착제 조성물을 175℃에서 1시간 가열한 후의 동적 점탄성 측정에 있어서의 175℃의 손실 정접(tanδ)이 0.2 내지 0.6이며,
상기 다이싱 필름이 기재와 상기 기재상에 적층된 점착제층을 갖고,
상기 반도체 장치용 접착제 조성물이 상기 점착제 층 위에 설치되어 있는,
다이싱 필름을 갖는 접착 필름.It is an adhesive film which has a dicing film in which the adhesive composition for semiconductor devices of a film form is laminated | stacked on the dicing film,
The adhesive composition for semiconductor devices has a thermosetting property,
With respect to the adhesive composition for semiconductor devices, the loss tangent (tanδ) of 175 ° C. in the dynamic viscoelasticity measurement after heating the adhesive composition for semiconductor devices at 175 ° C. for 1 hour is 0.2 to 0.6,
The dicing film has a substrate and an adhesive layer laminated on the substrate,
The adhesive composition for semiconductor devices is provided on the adhesive layer,
An adhesive film having a dicing film. 제1항에 있어서,
손실 정접(tanδ)은 주파수 1㎐의 전단 왜곡을 주면서, 10℃/분의 승온 온도로 측정되는, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름.According to claim 1,
The loss tangent (tanδ) is an adhesive film having a dicing film, which is measured at an elevated temperature of 10 ° C./min while giving shear distortion at a frequency of 1 Hz. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반도체 장치용 접착제 조성물에 대하여, 상기 반도체 장치용 접착제 조성물을 175℃에서 5시간 가열한 후에 있어서,
동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접(tanδ)이 최대가 되는 온도가 -30 내지 75℃인, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름.The method according to claim 1 or 2,
About the adhesive composition for semiconductor devices, after heating the adhesive composition for semiconductor devices at 175 ° C for 5 hours,
An adhesive film having a dicing film having a temperature at which the loss tangent (tanδ) in the dynamic viscoelasticity measurement becomes maximum is -30 to 75 ° C. 제1항에 있어서,
상기 반도체 장치용 접착제 조성물에 있어서, 열 활성형 잠재성 경화 촉매의 함유량이 유기 수지 성분 100 중량부에 대해 0.05 중량부 이하인, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름.According to claim 1,
In the adhesive composition for semiconductor devices, the adhesive film having a dicing film, wherein the content of the thermally active latent curing catalyst is 0.05 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. 제1항에 있어서,
상기 반도체 장치용 접착제 조성물에 있어서, 유기 수지 성분 100중량％ 중 아크릴 수지의 함유량이 60 내지 100중량％인, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름.According to claim 1,
In the adhesive composition for semiconductor devices, the adhesive film having a dicing film, wherein the content of the acrylic resin in 100% by weight of the organic resin component is 60 to 100% by weight. 제1항에 있어서,
상기 반도체 장치용 접착제 조성물이 다이 어태치 필름으로서 사용되는, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름.According to claim 1,
An adhesive film having a dicing film, wherein the adhesive composition for semiconductor devices is used as a die attach film. 제1항에 기재된 다이싱 필름을 갖는 접착 필름의 상기 반도체 장치용 접착제 조성물을 사용해서 반도체 칩을 피착체에 다이 어태치하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of attaching a semiconductor chip to an adherend using the adhesive composition for a semiconductor device of the adhesive film having the dicing film according to claim 1. 제7항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치.A semiconductor device obtained by the manufacturing method according to claim 7. 삭제delete 삭제delete
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