JP2011151125A - Dicing-die attach film, semiconductor device, and dicing-die attach method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing-die attach film that has the excellent temporal stability of a heat laminate to a wafer and excellent die attach embedding performance without requiring special heat management in a wire bonding process and in a resin sealing process. <P>SOLUTION: The dicing-die attach film is configured as follows. An adhesive layer 15 is composed of a first adhesive sheet 13 and a second adhesive sheet 14. A first adhesive layer composition for forming the first adhesive sheet contains (A) carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber, (B) an epoxy resin whose weight average molecular weight is ≤5,000 and which is in a solid state at 5-40°C, and (C) aromatic polyamine having a diphenyl sulfone skeletal structure. A second adhesive layer composition for forming the second adhesive sheet contains (D) a (meta) acrylic resin having a weight average molecular weight of 50,000 to 1,500,000 and having an epoxy group and a structural unit represented by a chemical formula (1), (B), and (C). <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ダイシングフィルムとダイボンド材とを兼ねたダイシング・ダイアタッチフィルム、該ダイシング・ダイアタッチフィルムを使用して製造された半導体装置、及び該ダイシング・ダイアタッチフィルムを用いたダイシング・ダイアタッチ方法に関するものである。   The present invention relates to a dicing die attach film that serves as both a dicing film and a die bonding material, a semiconductor device manufactured using the dicing die attach film, and a dicing die attach method using the dicing die attach film. It is about.

半導体装置は、例えば、(i)IC回路が形成された大径のシリコンウェハーを粘着フィルム上に固定し、ダイシング(切断)工程で半導体チップに切り分け、(ii)該半導体チップを硬化性の液状接着剤等(ダイボンド材)でリードフレームに熱圧着し、該接着剤を硬化させて該チップを固定(マウント)し、(iii)電極間のワイヤボンディングの後、(iv)ハンドリング性の向上及び外部環境からの保護のため、封止することにより製造される。封止の形態としては、樹脂によるトランスファーモールド法が、量産性に優れかつ安価なため、最も一般的に用いられている。   For example, (i) a large-diameter silicon wafer on which an IC circuit is formed is fixed on an adhesive film and cut into semiconductor chips in a dicing (cutting) process. (Ii) the semiconductor chip is curable liquid. It is thermocompression bonded to the lead frame with an adhesive or the like (die bond material), the adhesive is cured and the chip is fixed (mounted), (iii) after wire bonding between the electrodes, (iv) improvement in handling property and Manufactured by sealing for protection from the external environment. As a form of sealing, a transfer molding method using a resin is most commonly used because it is excellent in mass productivity and inexpensive.

近年、半導体装置の高機能化に伴い、半導体チップ搭載のための支持基板(基板)にも高密度化、微細化が要求されている。このような状況で、上記ダイボンド材として液状の接着剤を使用すると、半導体チップ搭載時に接着剤がチップ端からはみ出して電極の汚染を生じやすく、また、接着剤層の厚みの不均一によるチップの傾斜によりワイヤボンディングの不具合が生じやすい。そこで、これらの欠点を改善すべく、接着剤のフィルム化が望まれている。   In recent years, with the enhancement of functions of semiconductor devices, a support substrate (substrate) for mounting a semiconductor chip is also required to have high density and miniaturization. In such a situation, when a liquid adhesive is used as the die bond material, the adhesive tends to protrude from the end of the chip when the semiconductor chip is mounted, and contamination of the electrode is caused. Inclination tends to cause wire bonding defects. Therefore, in order to improve these drawbacks, it is desired to form an adhesive film.

一方、基板には配線等の回路要素による凹凸部が存在し、そのような基板に半導体チップを熱圧着するときに、ダイボンド材としての接着フィルム、即ち、ダイアタッチフィルムが凹部を完全には埋めることができないと、その埋められなかった部分がボイドとして残り、これがリフロー炉での加熱によって膨張し、接着剤硬化物層を破壊して半導体装置の信頼性を損ねる場合がある。特に、近年、鉛フリーはんだに対応した高温(265℃)において耐リフロー性が要求されるようになっており、ボイドの形成を防止することの重要性が高まっている。   On the other hand, the substrate has uneven portions due to circuit elements such as wiring, and when the semiconductor chip is thermocompression bonded to such a substrate, the adhesive film as a die bond material, that is, the die attach film completely fills the recess. Otherwise, the unfilled portion remains as a void, which expands due to heating in the reflow furnace, and may damage the reliability of the semiconductor device by destroying the cured adhesive layer. In particular, in recent years, reflow resistance is required at a high temperature (265 ° C.) corresponding to lead-free solder, and the importance of preventing the formation of voids is increasing.

上記問題を解決するための第1の方法として、封止樹脂によるモールドが高温高圧で行われることから、残存したボイドを樹脂封止工程で加熱、圧縮して、ボイドの体積を小さくした状態で更にダイアタッチフィルム中に吸収させる、または、ボイドの体積を小さくしたままダイアタッチフィルムを加熱硬化させることによって、ボイドを抜く方法がある。この方法は、特別な工程を必要とせず、製造面で有利である。   As a first method for solving the above problem, since the molding with the sealing resin is performed at a high temperature and high pressure, the remaining void is heated and compressed in the resin sealing step to reduce the volume of the void. Further, there is a method of removing the void by absorbing it in the die attach film or by heating and curing the die attach film while reducing the volume of the void. This method does not require a special process and is advantageous in terms of manufacturing.

ところで、従来、ダイボンドのための上記接着剤として、具体的には、接着性に優れた樹脂であるアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、その硬化剤であるフェノール樹脂及び触媒を含む低弾性率材料が開発されている(例えば、特許文献1〜3)。   By the way, conventionally, as the above-mentioned adhesive for die bonding, specifically, a low elastic modulus material including an acrylic resin, an epoxy resin, which is a resin having excellent adhesiveness, a phenol resin, which is a curing agent thereof, and a catalyst has been developed. (For example, Patent Documents 1 to 3).

しかし、これらの材料は、接着性に優れるものの、該材料を用いた接着フィルムはダイアタッチ工程でボイドを完全に抜き去ることができない。また、該材料は樹脂封止工程でボイドを抜き去るために低弾性率材料となっているにもかかわらず、該材料を用いた接着フィルムは、硬化反応の進行が速いため、樹脂封止工程前のワイヤボンディング工程での加熱によりフィルム溶融粘度の上昇速度が大きくなるので、樹脂封止工程でボイドを抜くことも困難である。即ち、溶融粘度が大きくなる結果、ボイドの体積を十分には小さくできず、また、樹脂中にボイドを吸収させることができない。更に、これらは、低弾性率材料であるため、ワイヤボンディング工程での接合信頼性に悪い影響を与える恐れがある。   However, although these materials are excellent in adhesiveness, the adhesive film using the material cannot completely remove voids in the die attach process. In addition, although the material is a low elastic modulus material for removing voids in the resin sealing step, the adhesive film using the material has a fast curing reaction, so the resin sealing step Since the rate of increase in film melt viscosity is increased by heating in the previous wire bonding step, it is difficult to remove voids in the resin sealing step. That is, as a result of an increase in melt viscosity, the void volume cannot be sufficiently reduced, and the void cannot be absorbed into the resin. Furthermore, since these are low elastic modulus materials, there is a risk of adversely affecting the bonding reliability in the wire bonding process.

特開平10−163391号公報JP-A-10-163391 特開平11−12545号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-12545 特開2000−154361号公報JP 2000-154361 A

従来、粘着フィルム(ダイシングフィルム)とダイボンド材とを兼ねたダイシング・ダイアタッチ用接着フィルムが使用されているが、本発明者らは、このダイシング・ダイアタッチフィルムの接着層として、特願2008−166968において、アクリル系樹脂及びエポキシ樹脂を含む接着剤組成物を用いたダイシング・ダイアタッチフィルムを提案した。この接着剤組成物を用いたダイシング・ダイアタッチフィルムを使用した半導体装置の製造工程においては、ウエハーへの熱ラミネートの経時安定性が非常に優れているが、上記に記したようなボイドの形成の問題があった。   Conventionally, an adhesive film for dicing and die attachment that serves as both a pressure-sensitive adhesive film (dicing film) and a die bonding material has been used. The present inventors have proposed Japanese Patent Application No. 2008- as an adhesive layer for this dicing and die attachment film. 166968 proposed a dicing die attach film using an adhesive composition containing an acrylic resin and an epoxy resin. In the manufacturing process of the semiconductor device using the dicing die attach film using this adhesive composition, the temporal stability of the thermal lamination to the wafer is very excellent, but the void formation as described above is formed. There was a problem.

上記のボイドの形成の問題を解決するための第2の方法として、半導体チップをダイアタッチフィルムで基板に熱圧着するときに、ボイドを極力形成させないようにする方法がある。この方法によれば、ダイアタッチ工程以後の工程で半導体チップと基板との間にボイドが存在せず、また、ワイヤボンディング工程で加熱履歴を監視する必要がないため、この方法は工程管理および製造面で有利である。   As a second method for solving the above-mentioned problem of void formation, there is a method of preventing void formation as much as possible when a semiconductor chip is thermocompression bonded to a substrate with a die attach film. According to this method, there is no void between the semiconductor chip and the substrate in the process after the die attach process, and it is not necessary to monitor the heating history in the wire bonding process. Is advantageous.

また、本発明者らは、この第2の方法に適したダイシング・ダイアタッチフィルムの接着層として、特願2009−258820において、上記提案とは異なったアクリル系樹脂およびエポキシ樹脂を含む接着剤組成物を用いたダイシング・ダイアタッチフィルムを提案した。しかしながら、この接着剤組成物を用いたダイシング・ダイアタッチフィルムは、長期保管後のパッケージ信頼性は優れているが、上記の製造工程のウエハーへの熱ラミネート性の経時安定性に劣る欠点があった。   Further, the present inventors have disclosed an adhesive composition containing an acrylic resin and an epoxy resin different from the above proposal in Japanese Patent Application No. 2009-258820 as an adhesive layer of a dicing die attach film suitable for the second method. We proposed a dicing die attach film using materials. However, a dicing die attach film using this adhesive composition has excellent package reliability after long-term storage, but has a drawback that it is inferior in the stability over time of the heat laminating property to the wafer in the above manufacturing process. It was.

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ダイシング・ダイアタッチフィルムを用いた半導体装置製造工程において、ウエハーへの熱ラミネートの経時安定性に優れ(長期保管においても安定したウェーハへの熱ラミネート性を有する)、即ち、経時保管後も低温で熱ラミネートが可能であり、また、ダイアタッチ工程での半導体チップの基板への加熱圧着時にボイドを抜くことができるため、ダイアタッチ工程において基板上の凹部を埋める性能(以下「ダイアタッチ埋め込み性能」という)に優れると共に、ワイヤボンディング工程および樹脂封止工程で特別な熱管理を必要とせず、信頼性の高い半導体装置を与えるダイシング・ダイアタッチフィルム、該ダイシング・ダイアタッチフィルムを使用して製造された半導体装置、ならびに該ダイシング・ダイアタッチフィルムを使用したダイシング・ダイアタッチ方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a semiconductor device manufacturing process using a dicing die attach film, it is excellent in stability over time of thermal lamination to a wafer (thermal lamination to a wafer that is stable even in long-term storage). In other words, it is possible to heat laminate at low temperature even after storage over time, and because voids can be removed when heat-pressing the semiconductor chip to the substrate in the die attach process, A dicing die attach film that has excellent performance for filling recesses (hereinafter referred to as “die attach embedding performance”) and provides a highly reliable semiconductor device without requiring special heat management in the wire bonding process and the resin sealing process. , Semiconductor devices manufactured using the dicing die attach film, and And to provide a dicing die attach method using the dicing die attach film.

上記課題を解決するために、本発明によれば、少なくとも、基材、該基材上の粘着剤層、該粘着剤層上の接着剤層を含むダイシング・ダイアタッチフィルムであって、前記接着剤層は、第1の接着剤シート、及び該第1の接着剤シート上に積層される第2の接着剤シートからなり、前記第1接着剤シートを形成するための第1接着剤層組成物は、少なくとも、
(A)カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム、
(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂、及び
(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
を含み、前記第2接着剤シートを形成するための第2接着剤層組成物は、少なくとも、
(D)重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基及び下記式(1)

Figure 2011151125
で示される構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂、
(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂、及び
(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
を含むことを特徴とするダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。 In order to solve the above problems, according to the present invention, there is provided a dicing die attach film including at least a base material, a pressure-sensitive adhesive layer on the base material, and an adhesive layer on the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive layer comprises a first adhesive sheet and a second adhesive sheet laminated on the first adhesive sheet, and a first adhesive layer composition for forming the first adhesive sheet The thing is at least
(A) a carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber,
(B) a solid epoxy resin having a weight average molecular weight of 5000 or less at 5 to 40 ° C., and (C) an aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure, and the second adhesive sheet for forming the second adhesive sheet 2 The adhesive layer composition is at least
(D) The weight average molecular weight is 50,000 to 1,500,000, the epoxy group and the following formula (1)
Figure 2011151125
(Meth) acrylic resin having a structural unit represented by
A dicing die attach film comprising (B) an epoxy resin solid at 5 to 40 ° C. having a weight average molecular weight of 5000 or less, and (C) an aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure is provided. .

このようなダイシング・ダイアタッチフィルム中の接着剤層は、半導体装置の製造工程における初期工程、ウエハーへの熱ラミネートの経時安定性に優れ、更に次工程の半導体チップを基板に熱圧着するダイアタッチ工程において、容易にかつ十分にボイドを抜くことができるため、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルム中の接着剤層は優れた熱ラミネート経時安定性と優れたダイアタッチ埋め込み性能の両性能を兼ね備えることができる。
また、このようなダイシング・ダイアタッチフィルム中の接着剤層は、加熱硬化により、各種基材に対して高い接着力を有するとともに耐熱性に優れる接着剤硬化物層を与える。更に、該接着剤層は、加熱硬化されて、ワイヤボンディング工程において十分な弾性率を有する接着剤硬化物層を与える。このため、このような接着剤層を有するダイシング・ダイアタッチフィルムを用いることにより、安定性の高いワイヤボンディングを行うことができる。加えて、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムは、該ダイシング・ダイアタッチフィルム中の接着剤層の特性安定化が図られているため、半導体装置の製造プロセスで、長期にわたって安定した特性を維持したままで好適に用いることができる。
従って、このようなダイシング・ダイアタッチフィルムは、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
The adhesive layer in such a dicing die attach film is excellent in the initial process in the manufacturing process of a semiconductor device, the stability over time of thermal lamination to a wafer, and the die attach that thermocompresses the semiconductor chip in the next process to the substrate. Since the voids can be easily and sufficiently removed in the process, the adhesive layer in the dicing die attach film of the present invention has both excellent thermal laminating stability over time and excellent die attach embedding performance. Can do.
Moreover, the adhesive bond layer in such a dicing die attach film gives the adhesive hardened | cured material layer which is excellent in heat resistance while having high adhesive force with respect to various base materials by heat-hardening. Further, the adhesive layer is cured by heating to give a cured adhesive layer having a sufficient elastic modulus in the wire bonding process. For this reason, highly stable wire bonding can be performed by using a dicing die-attach film having such an adhesive layer. In addition, since the characteristics of the adhesive layer in the dicing die attach film are stabilized, the dicing die attach film of the present invention maintains stable characteristics over a long period in the semiconductor device manufacturing process. It can be suitably used as it is.
Therefore, such a dicing die attach film can manufacture a highly reliable semiconductor device.

また、前記(A)成分であるカルボキシル基含有エチレン−アクリルゴムが、高圧ラジカル重合により合成されたものであることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber as the component (A) is synthesized by high-pressure radical polymerization.

このように、(A)成分を高圧ラジカル重合により合成すれば、副生成物の発生が少なく、乳化剤等の添加の必要がないため、好ましい。   Thus, it is preferable to synthesize the component (A) by high-pressure radical polymerization because there are few by-products and there is no need to add an emulsifier or the like.

また、前記(C)成分が、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、及びこれらの組み合わせのいずれかであることが好ましい。   The component (C) is preferably 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, or a combination thereof.

このように、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、及びこれらの組み合わせのいずれかでれば、工業的に好適に用いることができる。   Thus, any of 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, and combinations thereof can be used industrially.

また、前記第1接着剤層組成物中の前記(B)成分及び前記(C)成分の合計の割合が、前記第1接着剤層組成物中の前記(A)〜(C)成分の合計に対して20質量%以上90質量%未満であることが好ましい。   Further, the total ratio of the component (B) and the component (C) in the first adhesive layer composition is the sum of the components (A) to (C) in the first adhesive layer composition. It is preferable that it is 20 mass% or more and less than 90 mass% with respect to.

このように、前記第1接着剤層組成物中の前記(B)成分及び前記(C)成分の合計の割合が、前記第1接着剤層組成物中の前記(A)〜(C)成分の合計に対して20質量%以上90質量%未満であると、第1接着剤層組成物が良好な塗布性を示し、更に、当該第1接着剤層組成物から得られる第1接着剤シートは、より確実に十分なダイアタッチ埋め込み性能を示すことができるため好ましい。   Thus, the total ratio of the component (B) and the component (C) in the first adhesive layer composition is the ratio of the components (A) to (C) in the first adhesive layer composition. 1st adhesive bond layer composition shows favorable applicability | paintability as it is 20 to 90 mass% with respect to the sum total, Furthermore, the 1st adhesive sheet obtained from the said 1st adhesive bond layer composition Is preferable because sufficient die attach embedding performance can be exhibited.

また、前記第1接着剤層組成物及び/又は前記第2接着剤層組成物は、更に、(E)シリカ系無機充填剤を含むことが好ましい。   The first adhesive layer composition and / or the second adhesive layer composition preferably further includes (E) a silica-based inorganic filler.

このように、第1接着剤層組成物及び/又は第2接着剤層組成物が(E)成分としてシリカ系無機充填剤を含むことにより、接着剤層の溶融粘度を適度に増加させて、樹脂封止工程におけるチップ流れを抑制し、得られる接着剤硬化物層の吸湿率及び線膨張率を低下させることができる。   Thus, the first adhesive layer composition and / or the second adhesive layer composition contains a silica-based inorganic filler as the component (E), thereby appropriately increasing the melt viscosity of the adhesive layer, Chip flow in the resin sealing step can be suppressed, and the moisture absorption rate and linear expansion rate of the resulting cured adhesive layer can be reduced.

また、前記第1接着剤層組成物及び/又は前記第2接着剤層組成物は、更に、(F)接着助剤を含むことが好ましい。   The first adhesive layer composition and / or the second adhesive layer composition preferably further includes (F) an adhesion assistant.

このように、第1接着剤層組成物及び/又は第2接着剤層組成物が(F)成分として接着助剤を含むことにより、得られる接着剤硬化物層の接着性を向上させることができる。   As described above, the first adhesive layer composition and / or the second adhesive layer composition contains an adhesion assistant as the component (F), thereby improving the adhesiveness of the resulting cured adhesive layer. it can.

また、本発明は、前記ダイシング・ダイアタッチフィルムを使用して製造された半導体装置を提供する。   The present invention also provides a semiconductor device manufactured using the dicing die attach film.

本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを使用して半導体装置を製造する場合、ダイアタッチ工程で十分に埋め込みがなされてボイドが残存せず、ダイアタッチ工程以後の半導体チップと基板との間のボイド発生が抑制されるため、得られる半導体装置は優れた信頼性を有するものとなる。   When a semiconductor device is manufactured using the dicing die attach film of the present invention, the void is not sufficiently left after the die attach process is sufficiently embedded, and voids are generated between the semiconductor chip and the substrate after the die attach process. Therefore, the obtained semiconductor device has excellent reliability.

また、本発明は、前記ダイシング・ダイアタッチフィルム上にウェーハをラミネートし、該ラミネートされたウェーハをダイシングし、その後ダイシングされたダイを基板にアタッチすることを特徴とするダイシング・ダイアタッチ方法を提供する。   The present invention also provides a dicing die attach method characterized by laminating a wafer on the dicing die attach film, dicing the laminated wafer, and then attaching the diced die to a substrate. To do.

本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを用いてウェーハのダイシングを行うと、ダイシング・ダイアタッチフィルムの接着剤層とウェーハとの密着力が強く、即ち優れた熱ラミネート性を発揮し、その経時安定性にも優れるために好ましい。更に、ウェーハのダイシング後には、チップの裏面に接着剤層が付着した状態で安定にピックアップすることができるため、良好にダイをマウントすることができる。   When the wafer is diced using the dicing die attach film of the present invention, the adhesive force between the adhesive layer of the dicing die attach film and the wafer is strong, that is, it exhibits excellent thermal laminating properties and its stability over time. It is preferable because it is excellent. Further, after the wafer is diced, it can be picked up stably with the adhesive layer attached to the back surface of the chip, so that the die can be mounted satisfactorily.

本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムの接着剤層は、低温での熱ラミネート性に優れ、また、ダイアタッチ埋め込み性能にも優れ、加熱硬化により、各種基材に対して高い接着力を有するとともに耐熱性に優れる接着剤硬化物層を与える。また、該接着剤層は、加熱硬化されて、ワイヤボンディング工程において十分な弾性率を有する硬化物を与えるので、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを用いることにより、安定性の高いワイヤボンディングを行うことができる。さらに、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムは、長期に保管した後であっても、特性安定性に優れる。   The adhesive layer of the dicing die attach film of the present invention has excellent heat laminating properties at low temperatures, and also has excellent die attach embedding performance, and has high adhesive force to various substrates and heat resistance by heat curing. Gives a cured adhesive layer having excellent properties. Further, since the adhesive layer is cured by heating to give a cured product having a sufficient elastic modulus in the wire bonding step, highly stable wire bonding is performed by using the dicing die attach film of the present invention. be able to. Furthermore, the dicing die attach film of the present invention is excellent in property stability even after being stored for a long time.

本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the dicing die attach film of this invention. 本発明の方法のダイシング工程の説明図である。It is explanatory drawing of the dicing process of the method of this invention. 本発明の方法によって得られたチップをピックアップし、半導体装置樹脂基板にダイアタッチする工程の一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the process of picking up the chip | tip obtained by the method of this invention, and die-attaching to a semiconductor device resin substrate. 埋め込み性能試験におけるシリコンチップの配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the silicon chip in an embedding performance test.

以下、本発明についてより具体的に説明する。なお、本発明において、「重量平均分子量」とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量をいう。また、「軟化温度」はJIS K 7234に規定の環球法で測定される値である。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically. In the present invention, the “weight average molecular weight” means a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC). The “softening temperature” is a value measured by the ring and ball method defined in JIS K 7234.

前述のように、熱ラミネート経時安定性と優れたダイアタッチ埋め込み性能の両性能を兼ね備えることができるダイシング・ダイアタッチフィルムが求められていた。   As described above, there has been a demand for a dicing die attach film that can have both the thermal laminating stability over time and the excellent die attach embedding performance.

本発明者らは、少なくとも、基材、該基材上の粘着剤層、該粘着剤層上の接着剤層を含むダイシング・ダイアタッチフィルムであって、前記接着剤層は、第1の接着剤シート、及び該第1の接着剤シート上に積層される第2の接着剤シートからなり、前記第1接着剤シートを形成するための第1接着剤層組成物は、少なくとも、
(A)カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム、
(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂、及び
(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
を含み、前記第2接着剤シートを形成するための第2接着剤層組成物は、少なくとも、
(D)重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基及び下記式(1)

Figure 2011151125
で示される構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂、
(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂、及び
(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
を含むことを特徴とするダイシング・ダイアタッチフィルムであれば、ダイシング・ダイアタッチフィルムを用いた半導体装置製造工程において、ウエハーへの熱ラミネートの経時安定性に優れ、また、ダイアタッチ工程での半導体チップの基板への加熱圧着時にボイドを抜くことができるため、ダイアタッチ埋め込み性能に優れることを見出した。 The present inventors provide a dicing die attach film including at least a base material, a pressure-sensitive adhesive layer on the base material, and an adhesive layer on the pressure-sensitive adhesive layer, wherein the adhesive layer is a first adhesive. An adhesive sheet and a second adhesive sheet laminated on the first adhesive sheet, and the first adhesive layer composition for forming the first adhesive sheet comprises at least:
(A) a carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber,
(B) a solid epoxy resin having a weight average molecular weight of 5000 or less at 5 to 40 ° C., and (C) an aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure, and the second adhesive sheet for forming the second adhesive sheet 2 The adhesive layer composition is at least
(D) The weight average molecular weight is 50,000 to 1,500,000, the epoxy group and the following formula (1)
Figure 2011151125
(Meth) acrylic resin having a structural unit represented by
A dicing die attach film characterized by comprising (B) a solid epoxy resin having a weight average molecular weight of 5000 or less at 5 to 40 ° C. and (C) an aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure. In the semiconductor device manufacturing process using a dicing die attach film, the thermal lamination to the wafer is excellent in stability over time, and voids can be removed during thermocompression bonding of the semiconductor chip to the substrate in the die attach process. It was found that the die attach performance is excellent.

第1の接着剤シート
本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムの第1の接着剤シートを形成するための第1接着剤層組成物は、少なくとも上記(A)〜(C)を含み、任意成分として(E)シリカ系無機充填剤、(F)接着助剤、その他の成分を含み、室温では形状を保つため、例えば、フィルム状薄膜を形成することができ、一方、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを半導体製造工程に使用した場合、第1の接着剤シートは、ダイアタッチ工程において、ダイアタッチされる基板面に対面し、加熱により可塑状態となり、さらにこの可塑状態でダイアタッチを行うことにより基板に対して優れたダイアタッチ埋め込み性能を発揮する。該ダイシング・ダイアタッチフィルムを用いて半導体装置を製造した場合、ダイアタッチ工程以後の半導体チップと基板との間のボイド発生が抑制される。また、該接着剤層から得られる接着剤硬化物層は、基材に対して高い接着性を有し、かつ、優れた耐熱性を有する。このように、本発明は、背景技術についての説明中で示した第2の方法でボイド形成の問題を解決するものである。
以下に各成分を説明する。
< First adhesive sheet >
The first adhesive layer composition for forming the first adhesive sheet of the dicing die attach film of the present invention contains at least the above (A) to (C), and (E) silica-based inorganic as an optional component Including a filler, (F) adhesion aid, and other components, and maintaining the shape at room temperature, for example, a film-like thin film can be formed, while the dicing die attach film of the present invention is used in a semiconductor manufacturing process. When used, the first adhesive sheet faces the surface of the substrate to be die-attached in the die attach step, and is plasticized by heating, and further excellent for the substrate by performing die attach in this plastic state. Demonstrates die attach embedding performance. When a semiconductor device is manufactured using the dicing die attach film, generation of voids between the semiconductor chip and the substrate after the die attach step is suppressed. Moreover, the adhesive hardened | cured material layer obtained from this adhesive bond layer has high adhesiveness with respect to a base material, and has the outstanding heat resistance. Thus, the present invention solves the problem of void formation by the second method shown in the description of the background art.
Each component will be described below.

(A)カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム
(A)成分は、分子中にカルボキシル基を含有するエチレン−アクリルゴムである。このエチレン−アクリルゴムとしては、高圧ラジカル重合により合成されたもの、乳化重合により合成されたもの等が例示されるが、副生成物の発生が少なく、乳化剤等の添加の必要のない高圧ラジカル重合により合成されたものが好ましい。高圧ラジカル重合の方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。(A)成分は、1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
(A) A carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber (A) component is an ethylene-acrylic rubber containing a carboxyl group in the molecule. Examples of the ethylene-acrylic rubber include those synthesized by high-pressure radical polymerization and those synthesized by emulsion polymerization, but the generation of by-products is small, and there is no need to add an emulsifier or the like. Those synthesized by are preferred. The method of high-pressure radical polymerization is not particularly limited, and a known method can be used. (A) A component may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

(A)成分としては、例えば、エチレン単量体単位と、アクリル酸エステル単量体単位及びメタクリル酸エステル単量体単位のいずれか一方または両方と、カルボキシル基含有単量体単位とを含む、高圧ラジカル重合により合成されたエチレン−アクリルゴムを用いることができる。アクリル酸エステル単量体単位としては、例えば、アクリル酸メチル単量体単位、アクリル酸エチル単量体単位、アクリル酸ブチル単量体単位等が挙げられる。メタクリル酸エステル単量体単位としては、例えば、メタクリル酸メチル単量体単位、メタクリル酸エチル単量体単位、メタクリル酸ブチル単量体単位等が挙げられる。カルボキシル基含有単量体単位としては、例えば、アクリル酸単量体単位、メタクリル酸単量体単位、マレイン酸単量体単位等が挙げられる。   As the component (A), for example, an ethylene monomer unit, one or both of an acrylate monomer unit and a methacrylate monomer unit, and a carboxyl group-containing monomer unit are included. Ethylene-acrylic rubber synthesized by high-pressure radical polymerization can be used. Examples of the acrylate monomer unit include a methyl acrylate monomer unit, an ethyl acrylate monomer unit, and a butyl acrylate monomer unit. Examples of the methacrylate ester monomer unit include a methyl methacrylate monomer unit, an ethyl methacrylate monomer unit, and a butyl methacrylate monomer unit. Examples of the carboxyl group-containing monomer unit include an acrylic acid monomer unit, a methacrylic acid monomer unit, and a maleic acid monomer unit.

(A)成分はカルボキシル基を有するため、得られる第1接着剤層組成物はダイアタッチ埋め込み性能に優れる。また、(A)成分は、後述する(B)成分のエポキシ樹脂および(C)成分の芳香族ポリアミン化合物との反応を考慮して、1分子中に2個以上のカルボキシル基を含有することがより望ましい。   Since the component (A) has a carboxyl group, the obtained first adhesive layer composition is excellent in die attach embedding performance. The component (A) may contain two or more carboxyl groups in one molecule in consideration of the reaction with the epoxy resin as the component (B) and the aromatic polyamine compound as the component (C) described later. More desirable.

更に、(A)成分中におけるカルボキシル基の割合(即ち、(A)成分100g当たりのカルボキシル基のモル数)は、特に限定されないが、(A)成分100g当たり好ましくは0.001〜0.5モル、より好ましくは0.005〜0.1モルである。この割合が0.001〜0.5モルであると、第一に、第1接着剤層組成物の流動性をコントロールしやすいため該第1接着剤層組成物から得られる第1の接着剤シートはより良好なダイアタッチ埋め込み性を発揮し、第二に、(A)成分が室温で徐々に(B)成分及び(C)成分のいずれか一方または両方と反応するのを効果的に抑制することができるため、得られる第1の接着剤シートの保存安定性を良好に維持することが容易である。   Further, the proportion of carboxyl groups in component (A) (that is, the number of moles of carboxyl groups per 100 g of component (A)) is not particularly limited, but is preferably 0.001 to 0.5 per 100 g of component (A). Mol, more preferably 0.005 to 0.1 mol. When this ratio is 0.001 to 0.5 mol, firstly, the fluidity of the first adhesive layer composition is easily controlled, and therefore the first adhesive obtained from the first adhesive layer composition The sheet exhibits better die attach embedding ability, and secondly, the (A) component effectively suppresses gradually reacting with either or both of the (B) component and (C) component at room temperature. Therefore, it is easy to maintain good storage stability of the obtained first adhesive sheet.

(A)成分の重量平均分子量は、特に制限されないが、好ましくは50,000〜1,000,000、より好ましくは80,000〜500,000、特に好ましくは100,000〜400,000である。   The weight average molecular weight of the component (A) is not particularly limited, but is preferably 50,000 to 1,000,000, more preferably 80,000 to 500,000, particularly preferably 100,000 to 400,000. .

(A)成分の具体的な例としては、商品名で、ベイマックG、ベイマックGXF、ベイマックGLS、ベイマックHVG(いずれもデュポンエラストマー社製、高圧ラジカル重合により合成されたカルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム)等が挙げられる。   Specific examples of the component (A) include Baymac G, Baymac GXF, Baymac GLS, and Baymac HVG (all manufactured by DuPont Elastomer Co., Ltd., carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber synthesized by high-pressure radical polymerization). Etc.

(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂
(B)成分は、重量平均分子量が5000以下、好ましくは150〜3000である室温、即ち、通常5〜40℃、特に15〜30℃で固体状のエポキシ樹脂である。また、(B)成分は1分子中にエポキシ基を少なくとも2個有するものが好ましい。(B)成分の重量平均分子量が5000を超えると、(B)成分の(A)成分への溶解および分散のいずれか一方または両方が不十分となり、両成分が分離する恐れがある。(B)成分は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
(B) The epoxy resin (B) component which is solid at 5 to 40 ° C. having a weight average molecular weight of 5000 or less is a room temperature having a weight average molecular weight of 5000 or less, preferably 150 to 3000, ie, usually 5 to 40 ° C. In particular, it is a solid epoxy resin at 15 to 30 ° C. The component (B) preferably has at least two epoxy groups in one molecule. When the weight average molecular weight of the component (B) exceeds 5000, either or both of the dissolution and dispersion of the component (B) in the component (A) are insufficient, and both components may be separated. Component (B) can be used alone or in combination of two or more.

(B)成分としては、例えば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン又はそれらのハロゲン化物のジグリシジルエーテル及びこれらの縮重合物(いわゆるビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等);ブタジエンジエポキシド;ビニルシクロヘキセンジオキシド;1,2−ジヒドロキシベンゼンのジグリシジルエーテル、レゾルシノールのジグリシジルエーテル、1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ジフェニルエーテル、1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)シクロヘキセン等のジグリシジルエーテル;ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)アジペート;多価フェノール又は多価アルコールとエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるポリグリシジルエーテル;フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂又はハロゲン化ノボラック型フェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるエポキシノボラック(即ち、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂);過酸化法によりエポキシ化したエポキシ化ポリオレフィン又はエポキシ化ポリブタジエン;ナフタレン環含有エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;フェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(即ち、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂)などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、1分子中にエポキシ基を少なくとも2個有する化合物である。   Examples of the component (B) include bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2′-bis (4-hydroxyphenyl) propane or diglycidyl ethers of halides thereof, and polycondensates thereof (so-called bisphenol F). Type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, etc.); butadiene diepoxide; vinylcyclohexene dioxide; 1,2-dihydroxybenzene diglycidyl ether, resorcinol diglycidyl ether, 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) ) Diglycidyl ethers such as benzene, 4,4′-bis (2,3-epoxypropoxy) diphenyl ether, 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) cyclohexene; bis (3,4-epoxy-6-methyl) (Cyclohexylmethyl) adipate Polyglycidyl ether obtained by condensing polyphenol or polyhydric alcohol and epichlorohydrin; epoxy novolac obtained by condensing novolac phenol resin such as phenol novolak or cresol novolac or halogenated novolac phenol resin and epichlorohydrin (I.e., novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin); epoxidized polyolefin or epoxidized polybutadiene epoxidized by peroxidation method; naphthalene ring-containing epoxy resin; biphenyl type epoxy resin; phenol aralkyl Type epoxy resin; biphenyl aralkyl type epoxy resin; dicyclopentadiene type epoxy resin (that is, having a dicyclopentadiene skeleton) Epoxy resins). These epoxy resins are compounds having at least two epoxy groups in one molecule.

中でも、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂又はその組み合わせが好ましい。これら好ましいエポキシ樹脂を含む接着剤組成物を第1接着剤層組成物として適用したダイシング・ダイアタッチフィルムは、該第1接着剤層組成物からなる第1の接着剤シートからダイシングフィルム(粘着剤層が形成された基材)への成分の移行が特に少なく、該第1接着剤層組成物からなる第1の接着剤シートはダイアタッチ工程における熱圧着時のダイアタッチ埋め込み性がより良好となりやすい。   Among these, a novolac type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin or a combination thereof is preferable. A dicing die attach film to which an adhesive composition containing these preferable epoxy resins is applied as a first adhesive layer composition is obtained by dicing film (adhesive) from the first adhesive sheet comprising the first adhesive layer composition. The component transfer to the base material on which the layer is formed is particularly small, and the first adhesive sheet made of the first adhesive layer composition has a better die attach embedding property during thermocompression bonding in the die attach step. Cheap.

なお、本発明において「ジシクロペンタジエン骨格」とは、下記式:

Figure 2011151125
で表される骨格、および、上記式で表される骨格から一部または全部の水素原子を除いた残りの骨格をいう。後者の骨格において、除かれる水素原子の数および位置に制限はない。中でも、上記式で表される骨格が好ましい。 In the present invention, the “dicyclopentadiene skeleton” refers to the following formula:
Figure 2011151125
And the remaining skeleton obtained by removing some or all of the hydrogen atoms from the skeleton represented by the above formula. In the latter skeleton, there is no limit to the number and position of hydrogen atoms removed. Among these, a skeleton represented by the above formula is preferable.

また、本発明の特性を損なわない範囲で、(B)成分以外のエポキシ樹脂を(B)成分と組み合わせて用いてもよい。(B)成分以外のエポキシ樹脂としては、例えば、(B)成分に属さない公知のエポキシ樹脂が挙げられ、(B)成分に属さない市販のエポキシ樹脂を使用することができる。(B)成分と組み合わせて用いることができる(B)成分以外のエポキシ樹脂の配合量は、(B)成分100質量部に対して、好ましくは0〜50質量部であり、より好ましくは0〜20質量部である。該配合量が0〜50質量部であると、ダイアタッチ埋め込み性を損なう恐れがないために好ましい。   Moreover, you may use epoxy resins other than (B) component in combination with (B) component in the range which does not impair the characteristic of this invention. Examples of the epoxy resin other than the component (B) include known epoxy resins that do not belong to the component (B), and commercially available epoxy resins that do not belong to the component (B) can be used. The amount of the epoxy resin other than the component (B) that can be used in combination with the component (B) is preferably 0 to 50 parts by mass, more preferably 0 to 100 parts by mass of the component (B). 20 parts by mass. The blending amount of 0 to 50 parts by mass is preferable because there is no possibility of impairing the die attach embedding property.

また、特に、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムに貼り付けるシリコンウェハーが薄いときに、クラックの発生及び反りを防止すべく、接着剤層をより低温及びより低圧で圧着できるように、(B)成分は、5〜40℃(室温)で固体状であるが、更に、軟化温度が100℃以下であることが好ましい。第1接着剤層組成物中のエポキシ樹脂が5〜40℃(室温)で液体状であると(即ち、低分子量体を多く含むと)、該第1接着剤層組成物から形成される第1の接着剤シートはタックを発現しやすく、また、ダイシングフィルム(粘着剤層が形成された基材)と該ダイシングフィルム上に積層された前記接着剤層とを含むダイシング・ダイアタッチフィルムを用いてダイシングを行った後にチップを取り出す(ピックアップする)ことが困難となりやすい。   In particular, when the silicon wafer to be bonded to the dicing die attach film of the present invention is thin, the adhesive layer can be pressure-bonded at a lower temperature and a lower pressure in order to prevent the occurrence of cracks and warpage. The component is solid at 5 to 40 ° C. (room temperature), and preferably has a softening temperature of 100 ° C. or less. When the epoxy resin in the first adhesive layer composition is liquid at 5 to 40 ° C. (room temperature) (that is, when it contains a large amount of low molecular weight substances), the first adhesive layer composition is formed from the first adhesive layer composition. The adhesive sheet of 1 is easy to express tack and uses a dicing die attach film including a dicing film (base material on which an adhesive layer is formed) and the adhesive layer laminated on the dicing film. Therefore, it is difficult to take out (pick up) the chip after dicing.

(B)成分の配合量は、(A)成分100質量部に対して、好ましくは5〜500質量部であり、より好ましくは10〜200質量部である。上記配合量が5〜500質量部の範囲内であると、第1接着剤層組成物から形成される第1の接着剤シートのダイアタッチ埋め込み性が効果的に向上し、該第1接着剤層組成物から形成される第1の接着剤シートの柔軟性が十分となりやすく、該接着剤層組成物から得られる接着剤硬化物層の接着力が特に優れ、接着剤層が裏面に付着したチップをダイシングフィルムから容易にピックアップすることができる。   (B) The compounding quantity of a component becomes like this. Preferably it is 5-500 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component, More preferably, it is 10-200 mass parts. When the blending amount is within the range of 5 to 500 parts by mass, the die attach embedding property of the first adhesive sheet formed from the first adhesive layer composition is effectively improved, and the first adhesive The flexibility of the first adhesive sheet formed from the layer composition is likely to be sufficient, the adhesive strength of the cured adhesive layer obtained from the adhesive layer composition is particularly excellent, and the adhesive layer adheres to the back surface The chip can be easily picked up from the dicing film.

(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
(C)成分のジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミンは、ジフェニルスルホン骨格構造を有し、かつ、芳香環に直結した少なくとも2個のアミノ基を有する化合物であり、エポキシ樹脂用硬化剤及び触媒としての機能を有するものである。(C)成分の芳香族ポリアミンは、ジフェニルスルホン骨格構造中にベンゼン環を有するが、更に他の芳香環を有してもよい。少なくとも2個のアミノ基は、(C)成分中の芳香環がジフェニルスルホン骨格構造中のベンゼン環のみである場合には該ベンゼン環に直結し、(C)成分中の芳香環がジフェニルスルホン骨格構造中のベンゼン環と該ベンゼン環以外の芳香環である場合には該ベンゼン環および該ベンゼン環以外の芳香環のいずれか一方または両方に直結する。
(C) Aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure The aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure as the component (C) has a diphenylsulfone skeleton structure and has at least two amino groups directly bonded to an aromatic ring. It has a function as a curing agent for epoxy resin and a catalyst. The aromatic polyamine of component (C) has a benzene ring in the diphenylsulfone skeleton structure, but may further have another aromatic ring. When the aromatic ring in component (C) is only the benzene ring in the diphenylsulfone skeleton structure, at least two amino groups are directly connected to the benzene ring, and the aromatic ring in component (C) is diphenylsulfone skeleton. When it is a benzene ring in the structure and an aromatic ring other than the benzene ring, it is directly connected to one or both of the benzene ring and the aromatic ring other than the benzene ring.

(C)成分の芳香族ポリアミンは、170℃を超える融点を有し、ワイヤボンディング工程での加熱下では反応性が小さいため、(C)成分を含む組成物では硬化反応が緩やかに進行する。このため、該組成物では加熱硬化による溶融粘度の上昇を有効に抑えることができる。また、(C)成分の芳香族ポリアミンを含む組成物を加熱硬化させて得られる硬化物は耐熱性に優れる。よって、(C)成分の芳香族ポリアミンを含む組成物は、従来のものと比較して、埋め込み性能が改善され、かつ、硬化後の耐熱性に優れたものとなる。(C)成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。   The aromatic polyamine (C) has a melting point exceeding 170 ° C., and has low reactivity under heating in the wire bonding step. Therefore, the curing reaction proceeds slowly in the composition containing the component (C). For this reason, in this composition, the raise of the melt viscosity by heat curing can be suppressed effectively. In addition, a cured product obtained by heat-curing a composition containing the aromatic polyamine (C) has excellent heat resistance. Therefore, the composition containing the aromatic polyamine as the component (C) has improved embedding performance and excellent heat resistance after curing as compared with the conventional composition. Component (C) can be used alone or in combination of two or more.

本発明において「ジフェニルスルホン骨格構造」とは、ジフェニルスルホンから一部または全部の水素原子を除いた残りの構造をいい、除かれる水素原子の数および位置に制限はない。中でも、下記構造式:   In the present invention, the “diphenylsulfone skeleton structure” means a remaining structure obtained by removing a part or all of hydrogen atoms from diphenylsulfone, and there is no limitation on the number and position of hydrogen atoms to be removed. Among them, the following structural formula:

Figure 2011151125
で示されるジフェニルスルホン骨格構造が好ましい。
Figure 2011151125
The diphenylsulfone skeleton structure shown by these is preferable.

(C)成分がジフェニルスルホン骨格構造中のベンゼン環と該ベンゼン環以外の芳香環とを有する場合、該ベンゼン環以外の芳香環は芳香族炭化水素環であっても芳香族複素環であってもよい。芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環等が挙げられる。   When the component (C) has a benzene ring in the diphenylsulfone skeleton structure and an aromatic ring other than the benzene ring, the aromatic ring other than the benzene ring may be an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring. Also good. Examples of the aromatic hydrocarbon ring include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring. As an aromatic heterocyclic ring, a pyridine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring etc. are mentioned, for example.

(C)成分の具体例としては、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン等が挙げられる。これらの中でも、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホンを工業的に好適に用いることができる。これらの芳香族ポリアミンは、エポキシ樹脂硬化剤として公知のものであり、市販品を使用することができる。   Specific examples of the component (C) include 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (3-amino And phenoxy) phenyl) sulfone. Among these, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone and 3,3′-diaminodiphenyl sulfone can be preferably used industrially. These aromatic polyamines are known as epoxy resin curing agents, and commercially available products can be used.

(C)成分の配合量は、第1接着剤層組成物中の全エポキシ基に対する(C)成分中のアミノ基のモル比が0.6〜1.4となる量であることが好ましく、0.8〜1.2となる量であることが更に好ましい。上記モル比が0.6〜1.4となる量の(C)成分を第1接着剤層組成物に配合すると、該組成物は架橋が十分に行われるため、得られる硬化物は、硬化特性が良好となりやすく、接着性および耐半田リフロー性が効果的に向上する。また、(C)成分が該硬化物中に未反応物として残りにくく無駄となりにくいため、省資源化を図りやすく、経済的である。   The amount of component (C) is preferably such that the molar ratio of amino groups in component (C) to all epoxy groups in the first adhesive layer composition is 0.6 to 1.4, The amount is more preferably 0.8 to 1.2. When the component (C) in an amount such that the molar ratio is 0.6 to 1.4 is added to the first adhesive layer composition, the composition is sufficiently cross-linked, and the resulting cured product is cured. Properties are likely to be good, and adhesion and solder reflow resistance are effectively improved. In addition, the component (C) is less likely to remain as an unreacted product in the cured product and is not easily wasted. Therefore, it is easy to save resources and is economical.

第1接着剤層組成物には(B)成分のエポキシ樹脂以外にも、エポキシ基含有成分(例えば、(F)成分の接着助剤として配合しうるエポキシ基含有シランカップリング剤)を配合することができるので、第1接着剤層組成物中の全エポキシ基とは、(B)成分中のエポキシ基と、(B)成分以外のエポキシ基含有成分中のエポキシ基との合計を意味する。第1接着剤層組成物中の全エポキシ基に対する(B)成分中のエポキシ基のモル比は好ましくは0.8〜1.0、より好ましくは0.9〜1.0である。ここで、第1接着剤層組成物中に(B)成分以外のエポキシ基含有成分が含まれない場合には、(C)成分の配合量は、(B)成分中のエポキシ基に対する(C)成分中のアミノ基のモル比が0.2〜2.0となる量であることが好ましく、0.5〜1.5となる量であることが更に好ましい。   In addition to the epoxy resin of component (B), an epoxy group-containing component (for example, an epoxy group-containing silane coupling agent that can be blended as an adhesion aid for component (F)) is blended in the first adhesive layer composition. Therefore, the total epoxy group in the first adhesive layer composition means the total of the epoxy group in the component (B) and the epoxy group in the epoxy group-containing component other than the component (B). . The molar ratio of the epoxy groups in the component (B) to all epoxy groups in the first adhesive layer composition is preferably 0.8 to 1.0, more preferably 0.9 to 1.0. Here, when an epoxy group-containing component other than the component (B) is not included in the first adhesive layer composition, the amount of the component (C) is (C) relative to the epoxy group in the component (B). The molar ratio of amino groups in the component is preferably 0.2 to 2.0, and more preferably 0.5 to 1.5.

第1接着剤層組成物中の(B)成分及び(C)成分の合計の割合が、第1接着剤層組成物中の(A)〜(C)成分の合計に対して20質量%以上90質量%未満の範囲であることが好ましく、50質量%以上90質量%未満の範囲であることがより好ましい。該割合が20質量%以上90質量%未満の範囲であると、得られる第1接着剤層組成物は、良好な塗工性および十分なダイアタッチ埋め込み性を示しやすく、得られる硬化物は十分な接着力を発現しやすい。   The ratio of the sum total of (B) component and (C) component in a 1st adhesive bond layer composition is 20 mass% or more with respect to the sum total of (A)-(C) component in a 1st adhesive bond layer composition. The range is preferably less than 90% by mass, and more preferably in the range of 50% by mass to less than 90% by mass. When the proportion is in the range of 20% by mass or more and less than 90% by mass, the obtained first adhesive layer composition easily exhibits good coating property and sufficient die attach embedding property, and the obtained cured product is sufficient. It is easy to express a strong adhesive force.

(E)シリカ系無機充填剤
(E)成分のシリカ系無機充填剤は第1接着剤層組成物に添加しうる任意成分である。無機充填剤の中でも、(E)成分のシリカ系無機充填剤は汎用であり、工業的に好ましい。(E)成分は、第1接着剤層組成物からなる第1の接着剤シートの溶融粘度を適度に増加させて、樹脂封止工程におけるチップ流れを抑制し、得られる接着剤硬化物層の吸湿率及び線膨張率を低下させる。(E)成分には特に制限はなく、公知のものを使用することができる。(E)成分は、得られる組成物の流動性の点から、オルガノアルコキシシラン、オルガノクロロシラン、オルガノシラザン、低分子量シロキサン等の有機ケイ素化合物などで表面処理されたものが好ましい。(E)成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
(E) Silica-based inorganic filler The silica-based inorganic filler (E) component is an optional component that can be added to the first adhesive layer composition. Among the inorganic fillers, the silica-based inorganic filler of the component (E) is general-purpose and industrially preferable. (E) component moderately increases the melt viscosity of the first adhesive sheet composed of the first adhesive layer composition, suppresses chip flow in the resin sealing step, and provides a cured adhesive layer obtained. Reduces moisture absorption and linear expansion. There is no restriction | limiting in particular in (E) component, A well-known thing can be used. The component (E) is preferably surface-treated with an organosilicon compound such as organoalkoxysilane, organochlorosilane, organosilazane, and low molecular weight siloxane from the viewpoint of the fluidity of the resulting composition. The component (E) can be used alone or in combination of two or more.

(E)成分の平均粒径は、好ましくは10μm以下、より好ましくは5μm以下である。該平均粒径が10μm以下であると、第1接着剤層組成物からなる第1の接着剤シートは表面の平滑性を維持しやすい。また、(E)成分の最大粒径は20μm以下であることが好ましい。なお、本発明において、「平均粒径」とは、レーザー光回折法を用いた粒度分布測定装置により求めた累積分布の50%に相当する体積基準の平均粒径をいう。また、「最大粒径」とは、上記で平均粒径を求めたときに測定された累積分布における粒径の最大値である。     (E) The average particle diameter of a component becomes like this. Preferably it is 10 micrometers or less, More preferably, it is 5 micrometers or less. When the average particle size is 10 μm or less, the first adhesive sheet made of the first adhesive layer composition can easily maintain the smoothness of the surface. Moreover, it is preferable that the maximum particle diameter of (E) component is 20 micrometers or less. In the present invention, the “average particle diameter” means a volume-based average particle diameter corresponding to 50% of the cumulative distribution obtained by a particle size distribution measuring apparatus using a laser light diffraction method. The “maximum particle size” is the maximum value of the particle size in the cumulative distribution measured when the average particle size is obtained as described above.

(E)成分としては、例えば、シリカ微粉末が挙げられ、具体的には、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ等の補強性シリカ;石英等の結晶性シリカが挙げられる。より具体的には、日本アエロジル社製のAerosil R972、R974、R976;(株)アドマテックス社製のSE−2050、SC−2050、SE−1050、SO−E1、SO−C1、SO−E2、SO−C2、SO−E3、SO−C3、SO−E5、SO−C5;信越化学工業社製のMusil120A、Musil130Aなどが例示され、これらの混合物であってもよい。   Examples of the component (E) include fine silica powder, and specifically, reinforcing silica such as fumed silica and precipitated silica; and crystalline silica such as quartz. More specifically, Aerosil R972, R974, R976 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd .; SE-2050, SC-2050, SE-1050, SO-E1, SO-C1, SO-E2, manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-C2, SO-E3, SO-C3, SO-E5, and SO-C5; Musil 120A and Musil 130A manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. are exemplified, and a mixture thereof may be used.

(E)成分を使用する場合、その配合量は、第1接着剤層組成物総質量に対して好ましくは5〜80質量%、特に好ましくは10〜60質量%である。上記配合量が5〜80質量%の範囲であると、得られる接着剤硬化物層の吸湿率及び線膨張率を効果的に低下させることができ、また、該接着剤硬化物層の弾性率が上昇しすぎるのを容易に抑制することができる。   (E) When using a component, the compounding quantity becomes like this. Preferably it is 5-80 mass% with respect to the 1st adhesive bond layer composition total mass, Most preferably, it is 10-60 mass%. When the blending amount is in the range of 5 to 80% by mass, the moisture absorption rate and the linear expansion coefficient of the obtained cured adhesive layer can be effectively reduced, and the elastic modulus of the cured adhesive layer is obtained. Can be easily suppressed.

(F)接着助剤
第1接着剤層組成物には、得られる接着剤硬化物層の接着性を向上させるために、(F)成分の接着助剤を添加してもよい。(F)成分には特に制限はなく、公知の接着助剤を使用することができる。(F)成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。(F)成分としては、例えば、ケイ素を含むカップリング剤(シランカップリング剤)を使用することができる。
(F) Adhesion aid An adhesive aid of component (F) may be added to the first adhesive layer composition in order to improve the adhesion of the resulting cured adhesive layer. There is no restriction | limiting in particular in (F) component, A well-known adhesion aid can be used. Component (F) can be used alone or in combination of two or more. As the component (F), for example, a coupling agent (silane coupling agent) containing silicon can be used.

(F)成分の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等のビニル基含有シランカップリング剤;アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、アクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン等の(メタ)アクリロイル基含有シランカップリング剤;グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のエポキシ基含有シランカップリング剤;メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン等のメルカプト基含有シランカップリング剤等のシランカップリング剤が挙げられる。
商品名で表すと(F)成分の具体例としては、信越化学工業社製のKBM−403、KBM−402、KBM−803、KBM−802、KBM−903、KBM−902、KBM−503、KBM5103もしくはX−12−414またはこれらの部分加水分解物等が挙げられる。
Specific examples of the component (F) include vinyl group-containing silane coupling agents such as vinyltrimethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, and vinyltriethoxysilane; acryloyloxypropyltrimethoxysilane, acryloyloxypropylmethyldimethoxysilane, and acryloyloxy. (Meth) acryloyl group-containing silane coupling agents such as propyltriethoxysilane, methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, methacryloyloxypropylmethyldimethoxysilane, methacryloyloxypropyltriethoxysilane; glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyl Epoxy group-containing silane coupling agents such as triethoxysilane; mercaptopropyltrimethoxysilane, mercaptopropylmethyl Silane, a silane coupling agent such as a mercapto group-containing silane coupling agent such as mercaptopropyl triethoxy silane.
In terms of the product name, specific examples of the component (F) include KBM-403, KBM-402, KBM-803, KBM-802, KBM-903, KBM-902, KBM-503, and KBM5103 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Or X-12-414 or these partial hydrolysates etc. are mentioned.

(F)成分を使用する場合、その配合量は、使用する硬化剤の種類等によって異なるが、第1接着剤層組成物総質量に対して好ましくは0.2〜10質量%、より好ましくは0.5〜5質量%程度である。   (F) When using a component, the compounding quantity changes with kinds etc. of the hardening | curing agent to be used, Preferably it is 0.2-10 mass% with respect to the 1st adhesive bond layer composition total mass, More preferably It is about 0.5-5 mass%.

その他の成分
第1接着剤層組成物には、上記(A)〜(C)、任意成分(E)、(F)成分に加えて、該組成物の特性を損なわない程度にその他の成分を配合してよい。その他の成分としては、例えば、(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒;(E)成分以外の無機充填剤;有機充填剤;顔料、染料等の着色剤;濡れ向上剤;酸化防止剤;熱安定剤;溶媒等が挙げられる。その他の成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
Other components In addition to the components (A) to (C), optional components (E) and (F), the first adhesive layer composition contains other components to the extent that the properties of the composition are not impaired. You may mix. Other components include, for example, curing agents and catalysts for epoxy resins other than component (C); inorganic fillers other than component (E); organic fillers; colorants such as pigments and dyes; wettability improvers; Agents; heat stabilizers; solvents and the like. Other components can be used alone or in combination of two or more.

(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒としては、例えば、エポキシ樹脂用硬化剤または触媒として公知のフェノール系化合物が挙げられる。(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒の量は、(C)成分の芳香族ポリアミン化合物の効果を妨げない程度である。   Examples of the curing agent for epoxy resin other than the component (C) and the catalyst include known phenol compounds as the curing agent or catalyst for epoxy resin. The amount of the epoxy resin curing agent and the catalyst other than the component (C) is such that the effect of the aromatic polyamine compound of the component (C) is not hindered.

(E)成分以外の無機充填剤としては、例えば、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、導電性粒子等が挙げられる。   Examples of the inorganic filler other than the component (E) include alumina, titanium oxide, carbon black, and conductive particles.

第1接着剤層組成物には、各成分の混合のしやすさ、得られる組成物の塗布のしやすさ等の観点から、溶媒を添加してもよい。溶媒は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、トルエン、シクロヘキサノン、N−メチルピロリドン(NMP)などの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。   A solvent may be added to the first adhesive layer composition from the viewpoints of ease of mixing the components and ease of application of the resulting composition. The solvent can be used alone or in combination of two or more. Examples of the solvent include aprotic polar solvents such as methyl ethyl ketone, toluene, cyclohexanone, and N-methylpyrrolidone (NMP).

第1接着剤層組成物の調製
第1接着剤層組成物は、上記(A)〜(C)、任意成分(E)、(F)成分、及び所望によりその他の成分を慣用の混合手段により室温で混合することにより調製することができる。
Preparation of First Adhesive Layer Composition The first adhesive layer composition comprises the above components (A) to (C), optional components (E), (F), and other components as required by conventional mixing means. It can be prepared by mixing at room temperature.

第2の接着剤シート
本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムの第2の接着剤シートを形成するための第2接着剤層組成物は、少なくとも(D)、(B)、(C)成分を含み、任意成分として(E)、(F)、その他の成分を含み、第1接着剤層組成物と同様に室温では形状を保つため、例えば、フィルム状薄膜を形成することができ、一方、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを半導体製造工程に使用した場合、第2の接着剤シートは、ウエハーに熱ラミネートされる面となり、加熱により可塑状態となり、優れた熱ラミネート性を発揮し、その経時安定性にも優れる。また、該接着剤シートの硬化物は、基材に対して高い接着性を有し、かつ、優れた耐熱性を有する。このように、本発明は、従来問題となっていた熱ラミネート性を改善するものである。以下に各成分を説明する。
< Second adhesive sheet >
The second adhesive layer composition for forming the second adhesive sheet of the dicing die attach film of the present invention contains at least (D), (B), and (C) components, and (E ), (F) and other components, and in the same manner as the first adhesive layer composition, the shape is maintained at room temperature, so that, for example, a film-like thin film can be formed, while the dicing die attach of the present invention When the film is used in a semiconductor manufacturing process, the second adhesive sheet becomes a surface to be heat-laminated on the wafer, becomes a plastic state by heating, exhibits excellent thermal laminating properties, and has excellent temporal stability. Moreover, the cured product of the adhesive sheet has high adhesiveness to the substrate and excellent heat resistance. Thus, the present invention improves the heat laminating property that has been a problem in the past. Each component will be described below.

(D)重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基及び下記式(1)

Figure 2011151125
で示される構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂
即ち、(D)成分は、重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基および上記式(1)で表されるアクリロニトリル由来の構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂である。本発明において(メタ)アクリル系樹脂とは、アクリル酸、アクリル酸誘導体、メタクリル酸およびメタクリル酸誘導体からなる(メタ)アクリル系単量体に由来する構造単位を含む重合体をいう。(D)成分は、一種単独で使用しても二種以上を組み合わせて使用してもよい。二種以上を組み合わせて使用する場合、(D)成分は、エポキシ基を有する(メタ)アクリル系樹脂とエポキシ基を有しない(メタ)アクリル系樹脂との混合物であってもよい。 (D) The weight average molecular weight is 50,000 to 1,500,000, the epoxy group and the following formula (1)
Figure 2011151125
The (meth) acrylic resin having the structural unit represented by formula (D), ie, the component (D) has a weight average molecular weight of 50,000 to 1,500,000, an acrylonitrile represented by the epoxy group and the above formula (1) It is a (meth) acrylic resin having a derived structural unit. In the present invention, the (meth) acrylic resin refers to a polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer composed of acrylic acid, an acrylic acid derivative, methacrylic acid and a methacrylic acid derivative. (D) A component may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. When using in combination of 2 or more types, (D) component may be a mixture of (meth) acrylic resin having an epoxy group and (meth) acrylic resin having no epoxy group.

(D)成分としては、例えば、上記(メタ)アクリル系単量体の単独重合体もしくは共重合体または該(メタ)アクリル系単量体とその他の単量体との共重合体であって、重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基および上記式(1)で表される構造単位を有する重合体が挙げられる。(メタ)アクリル系単量体とその他の単量体との共重合体において、その他の単量体に由来する構造単位の含有量は、(D)成分の全構造単位中、好ましくは0〜50モル%、より好ましくは0〜30モル%である。(メタ)アクリル系単量体とその他の単量体との共重合体において、これらの単量体はおのおの、一種単独で使用しても二種以上を組み合わせて使用してもよい。   The component (D) is, for example, a homopolymer or copolymer of the above (meth) acrylic monomer or a copolymer of the (meth) acrylic monomer and other monomers. And a polymer having a weight average molecular weight of 50,000 to 1,500,000 and having an epoxy group and a structural unit represented by the above formula (1). In the copolymer of the (meth) acrylic monomer and the other monomer, the content of the structural unit derived from the other monomer is preferably 0 to 0 in all the structural units of the component (D). It is 50 mol%, More preferably, it is 0-30 mol%. In the copolymer of (meth) acrylic monomers and other monomers, these monomers may be used alone or in combination of two or more.

上記アクリル酸誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸アルキルエステル;ジメチルアクリル酸アミド等のアクリル酸アミド;アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル酸エステル;アクリロニトリルが挙げられる。   Examples of the acrylic acid derivative include acrylic acid alkyl esters such as methyl acrylate, ethyl acrylate and butyl acrylate; acrylic acid amides such as dimethyl acrylic acid amide; epoxy group-containing acrylic acid esters such as glycidyl acrylate; acrylonitrile Is mentioned.

上記メタクリル酸誘導体としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル;ジメチルメタクリル酸アミド等のメタクリル酸アミド;メタクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有メタクリル酸エステルが挙げられる。   Examples of the methacrylic acid derivatives include methacrylic acid alkyl esters such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, and butyl methacrylate; methacrylic acid amides such as dimethyl methacrylate amide; and epoxy group-containing methacrylates such as glycidyl methacrylate. It is done.

上記のその他の単量体としては、例えば、スチレン、ブタジエン、アリル誘導体(アリルアルコール、酢酸アリル等)が挙げられる。   Examples of the other monomers include styrene, butadiene, and allyl derivatives (allyl alcohol, allyl acetate, etc.).

(D)成分は、得られる接着剤硬化物層の接着性の点から、エポキシ基を有する。このエポキシ基は(B)および(C)成分と反応する。エポキシ基は、例えば、(D)成分の原料として用いる単量体の一部として、エポキシ基を含有する単量体を用いて(D)成分を合成することにより、(D)成分中に導入することができる。エポキシ基を含有する単量体としては、例えば、エポキシ基を含有するアクリル酸誘導体、エポキシ基を含有するメタクリル酸誘導体が挙げられ、より具体的には、アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル酸エステル、メタクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有メタクリル酸エステルが挙げられる。   (D) component has an epoxy group from the adhesive point of the adhesive agent hardened | cured material layer obtained. This epoxy group reacts with the (B) and (C) components. The epoxy group is introduced into the component (D) by synthesizing the component (D) using a monomer containing an epoxy group as a part of the monomer used as the raw material of the component (D), for example. can do. Examples of the monomer containing an epoxy group include an acrylic acid derivative containing an epoxy group and a methacrylic acid derivative containing an epoxy group, and more specifically, an epoxy group-containing acrylic acid such as glycidyl acrylate. An epoxy group-containing methacrylate such as an ester or glycidyl methacrylate is exemplified.

(D)成分中のエポキシ基の含有量は、(D)成分100g当たり好ましくは0.002〜0.1モルであり、より好ましくは0.005〜0.05モルである。該含有量が0.002〜0.1モルの範囲内であると、十分な埋め込み性能を有する組成物および十分な接着力を有する接着剤硬化物層を容易に得ることができる。   The content of the epoxy group in the component (D) is preferably 0.002 to 0.1 mol, more preferably 0.005 to 0.05 mol, per 100 g of the component (D). When the content is in the range of 0.002 to 0.1 mol, a composition having sufficient embedding performance and a cured adhesive layer having sufficient adhesive strength can be easily obtained.

上記式(1)で表される構造単位は、例えば、(D)成分の原料として用いる単量体の一部として、アクリロニトリルを用いて(D)成分を合成することにより、(D)成分中に導入することができる。(D)成分において、アクリロニトリル由来の構造単位の含有量(共重合させる全単量体中のアクリロニトリルの割合)は好ましくは5〜50質量%であり、特には10〜40質量%とすることが好ましい。   The structural unit represented by the above formula (1) is obtained by synthesizing the component (D) using acrylonitrile as a part of the monomer used as the raw material of the component (D), for example, in the component (D) Can be introduced. In the component (D), the content of the structural unit derived from acrylonitrile (ratio of acrylonitrile in all monomers to be copolymerized) is preferably 5 to 50% by mass, particularly 10 to 40% by mass. preferable.

(D)成分の重量平均分子量は、50,000〜1,500,000、好ましくは100,000〜1,000,000である。上記分子量が50,000未満であると、得られる接着剤硬化物層の接着性および強度が低下する場合がある。上記分子量が1,500,000を超えると、得られる組成物は粘度が高すぎて取り扱い性に劣る場合がある。   The weight average molecular weight of the component (D) is 50,000 to 1,500,000, preferably 100,000 to 1,000,000. If the molecular weight is less than 50,000, the adhesiveness and strength of the resulting cured adhesive layer may be reduced. If the molecular weight exceeds 1,500,000, the resulting composition may be too viscous to be handled.

また、(D)成分の(メタ)アクリル系樹脂は、熱機械分析(TMA)で測定されたガラス転移点(Tg)が好ましくは−40℃〜100℃であり、より好ましくは−10〜70℃である。   Further, the (meth) acrylic resin of component (D) preferably has a glass transition point (Tg) measured by thermomechanical analysis (TMA) of -40 ° C to 100 ° C, more preferably -10 to 70. ° C.

(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂
(B)成分は、前記第1接着剤層組成物と同様のものを挙げることができる。
第2接着剤層組成物中の(B)成分の配合量は、(D)成分100質量部に対して好ましくは5〜100質量部であり、より好ましくは10〜60質量部である。上記配合量が5〜100質量部の範囲内であると、より確実に経時安定性の良い熱ラミネート性を有する接着剤層を得ることができるため好ましい。
Examples of the (B) epoxy resin (B) component that is solid at 5 to 40 ° C. having a weight average molecular weight of 5000 or less are the same as those in the first adhesive layer composition.
The blending amount of the component (B) in the second adhesive layer composition is preferably 5 to 100 parts by mass, more preferably 10 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (D). It is preferable for the blending amount to be in the range of 5 to 100 parts by mass because an adhesive layer having good heat laminating properties with good temporal stability can be obtained.

(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
(C)成分のジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミンは、前記第1接着剤層組成物と同様のものを挙げることができる。
(C)成分の配合量は、第2接着剤層組成物中の全エポキシ基に対する(C)成分中のアミノ基のモル比が0.6〜1.4となる量であることが好ましく、0.8〜1.2となる量であることが更に好ましい。上記モル比が0.6〜1.4となる量の(C)成分を第2接着剤層組成物に配合すると、該組成物は架橋が十分に行われるため、得られる接着剤硬化物層は、硬化特性が良好となりやすく、接着性および耐半田リフロー性が効果的に向上する。また、(C)成分が該硬化物中に未反応物として残りにくく無駄となりにくいため、省資源化を図りやすく、経済的である。
(C) Aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure The aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure as the component (C) may be the same as the first adhesive layer composition.
The amount of component (C) is preferably such that the molar ratio of amino groups in component (C) to all epoxy groups in the second adhesive layer composition is 0.6 to 1.4, The amount is more preferably 0.8 to 1.2. When the component (C) in such an amount that the molar ratio is 0.6 to 1.4 is added to the second adhesive layer composition, the composition is sufficiently crosslinked, and thus the resulting cured adhesive layer is obtained. , The curing characteristics tend to be good, and the adhesion and solder reflow resistance are effectively improved. In addition, the component (C) is less likely to remain as an unreacted product in the cured product and is not easily wasted. Therefore, it is easy to save resources and is economical.

第2接着剤層組成物には、(B)成分のエポキシ樹脂以外にも、エポキシ基を含有する成分として、(D)成分と、エポキシ基を含有するその他の成分とを配合することができるので、第2接着剤層組成物中の全エポキシ基とは、(B)成分中のエポキシ基と、(D)成分中のエポキシ基と、エポキシ基を含有するその他の成分中のエポキシ基との合計を意味する。第2接着剤層組成物の全エポキシ基に対する(B)成分中のエポキシ基と(D)成分中のエポキシ基との合計のモル比は好ましくは0.5〜1.0、より好ましくは0.7〜1.0である。また、第2接着剤層組成物中の全エポキシ基に対する(B)成分中のエポキシ基のモル比は好ましくは0.5〜1.0、より好ましくは0.6〜0.9である。ここで、第2接着剤層組成物に(B)成分および(D)成分以外にエポキシ基を有する成分が含まれない場合には、(C)成分の配合量は、(B)成分中のエポキシ基と(D)成分中のエポキシ基との合計に対する(C)成分中のアミノ基のモル比が0.6〜1.4となる量であることが好ましく、0.8〜1.2となる量であることが更に好ましい。   In addition to the epoxy resin of component (B), component (D) and other components containing epoxy groups can be blended in the second adhesive layer composition as components containing epoxy groups. Therefore, the total epoxy groups in the second adhesive layer composition are the epoxy groups in the component (B), the epoxy groups in the component (D), and the epoxy groups in the other components containing the epoxy groups. Means the sum of The total molar ratio of the epoxy groups in the component (B) and the epoxy groups in the component (D) to the total epoxy groups of the second adhesive layer composition is preferably 0.5 to 1.0, more preferably 0. .7 to 1.0. Moreover, the molar ratio of the epoxy group in the component (B) to all epoxy groups in the second adhesive layer composition is preferably 0.5 to 1.0, more preferably 0.6 to 0.9. Here, when the second adhesive layer composition contains no component having an epoxy group in addition to the component (B) and the component (D), the compounding amount of the component (C) is the amount in the component (B). The molar ratio of the amino groups in the component (C) to the total of the epoxy groups and the epoxy groups in the component (D) is preferably 0.6 to 1.4, preferably 0.8 to 1.2. It is more preferable that the amount is as follows.

その他の成分
第2接着剤層組成物には、上記(D)、(B)、(C)成分に加えて、該組成物の特性を損なわない範囲でその他の成分を配合してよい。その他の成分としては、例えば、(B)成分以外のエポキシ樹脂;(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒;充填剤;接着助剤;顔料、染料等の着色剤;濡れ向上剤;酸化防止剤;熱安定剤;溶媒等が挙げられる。
Other components In addition to the above components (D), (B), and (C), other components may be added to the second adhesive layer composition as long as the properties of the composition are not impaired. Other components include, for example, epoxy resins other than the component (B); curing agents and catalysts for epoxy resins other than the component (C); fillers; adhesion assistants; colorants such as pigments and dyes; Antioxidants; heat stabilizers; solvents and the like.

(B)成分以外のエポキシ樹脂
第2接着剤層組成物においては、ジシクロペンタジエン骨格構造以外の骨格構造を有するエポキシ樹脂を(B)成分のエポキシ樹脂と組み合わせて用いてもよい。(B)成分以外のこのようなエポキシ樹脂は公知であり、市販品を使用することができる。また、(B)成分のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールF型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂;フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂とエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるノボラック型エポキシ樹脂;ナフタレン環含有エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;フェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などが挙げられ、好ましくはノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。これらの(B)成分は組み合わせて用いることができ、また、(B)成分以外のエポキシ樹脂とも組み合わせて用いても良い。(B)成分以外のエポキシ樹脂の配合量は、(B)成分100質量部に対して、0〜50質量部、好ましくは0〜20質量部である。該配合量が50質量部を超えると、ラミネート性、接着性、パッケージ信頼性が損なわれる場合がある。
(B) Epoxy Resin Other than Component In the second adhesive layer composition, an epoxy resin having a skeleton structure other than the dicyclopentadiene skeleton structure may be used in combination with the (B) component epoxy resin. Such epoxy resins other than the component (B) are known and commercially available products can be used. In addition, as the epoxy resin of component (B), for example, bisphenol F type epoxy resin; bisphenol A type epoxy resin; Naphthalene ring-containing epoxy resin; biphenyl type epoxy resin; phenol aralkyl type epoxy resin; biphenyl aralkyl type epoxy resin, and the like, preferably novolak type epoxy resin. These components (B) can be used in combination, or may be used in combination with an epoxy resin other than the component (B). (B) The compounding quantity of epoxy resins other than a component is 0-50 mass parts with respect to 100 mass parts of (B) component, Preferably it is 0-20 mass parts. If the blending amount exceeds 50 parts by mass, the laminating property, adhesiveness, and package reliability may be impaired.

(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒
(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒としては、例えば、エポキシ樹脂用硬化剤または触媒として公知のフェノール系化合物が挙げられる。(C)成分以外のエポキシ樹脂用硬化剤及び触媒の量は、(C)成分の芳香族ポリアミンの効果を妨げない程度である。
(C) Epoxy resin curing agent and catalyst other than component (C) Examples of the epoxy resin curing agent and catalyst other than component (C) include known phenol compounds as epoxy resin curing agents or catalysts. The amount of the epoxy resin curing agent and the catalyst other than the component (C) is such that the effect of the aromatic polyamine of the component (C) is not hindered.

充填剤
第2接着剤層組成物には充填剤を配合してもよい。充填剤には特に制限はなく、前記第1接着剤層組成物で述べた(E)シリカ系無機充填剤のものを挙げることができる。充填剤は、1種単独で使用しても2種以上を組み合わせて使用してもよい。充填剤の配合量は、(D)、(B)、(C)成分の合計100質量部に対して好ましくは0〜900質量部、より好ましくは0〜500質量部である。
シリカ粒子の配合量は、充填剤全体の配合量を上記の範囲内で調整しつつ、第2接着剤層組成物総質量の5〜80質量%とすることが好ましく、特に10〜60質量%とすることが好ましい。上記配合量が5〜80質量%の範囲であると、得られる接着剤硬化物層は、吸湿率及び線膨張率を効果的に低下させることができ、また、弾性率の上昇を抑制しやすい。
Filler You may mix | blend a filler with a 2nd adhesive bond layer composition. There is no restriction | limiting in particular in a filler, The thing of the (E) silica type inorganic filler described by the said 1st adhesive bond layer composition can be mentioned. A filler may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. The blending amount of the filler is preferably 0 to 900 parts by mass, more preferably 0 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (D), (B), and (C).
The blending amount of the silica particles is preferably 5 to 80% by weight, particularly 10 to 60% by weight, based on the total weight of the second adhesive layer composition, while adjusting the blending amount of the entire filler within the above range. It is preferable that When the blending amount is in the range of 5 to 80% by mass, the obtained cured adhesive layer can effectively reduce the moisture absorption rate and the linear expansion coefficient, and easily suppress the increase in the elastic modulus. .

(F)接着助剤
第2接着剤層組成物には、接着性を向上させるために、接着助剤(F)を添加してもよい。接着助剤は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。接着助剤としては、例えば、ケイ素を含むカップリング剤(シランカップリング剤)を使用することができる。接着助剤の例としては、エポキシ基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、(メタ)アクリル基含有シランカップリング剤等が例示され、商品名で信越化学工業社製のKBM−403、KBM−402、KBM−803、KBM−802、KBM−903、KBM−902、KBM−503、KBM5103もしくはX−12−414またはこれらの部分加水分解物等を挙げることができる。
(F) Adhesion aid An adhesion aid (F) may be added to the second adhesive layer composition in order to improve adhesion. The adhesion assistant can be used alone or in combination of two or more. As an adhesion assistant, for example, a coupling agent (silane coupling agent) containing silicon can be used. Examples of adhesion aids include epoxy group-containing silane coupling agents, mercapto group-containing silane coupling agents, amino group-containing silane coupling agents, (meth) acrylic group-containing silane coupling agents, etc. KBM-403, KBM-402, KBM-803, KBM-802, KBM-903, KBM-902, KBM-503, KBM5103 or X-12-414, or a partial hydrolyzate thereof, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Can be mentioned.

溶媒
第2接着剤層組成物には、各成分の混合のしやすさ、得られる組成物の塗布のしやすさ等の観点から、溶媒を添加してもよい。溶媒は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、N−メチルピロリドン(NMP)などの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
Solvent You may add a solvent to a 2nd adhesive bond layer composition from viewpoints of the ease of mixing of each component, the ease of application | coating of the composition obtained, etc. The solvent can be used alone or in combination of two or more. Examples of the solvent include aprotic polar solvents such as methyl ethyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexanone, and N-methylpyrrolidone (NMP).

第2接着剤層組成物の調製
第2接着剤層組成物は、上記(D)、(B)、(C)、及び所望によりその他の成分を慣用の混合手段により室温で混合することにより調製することができる。
Preparation of second adhesive layer composition The second adhesive layer composition was prepared by mixing the above (D), (B), (C), and optionally other components at room temperature by conventional mixing means. can do.

<第1・第2接着用シートの製造>
第1・第2接着用シートは、それぞれ第1接着剤層組成物、第2接着剤層組成物を溶媒に適当な濃度で溶解して接着剤シート形成用基材上に塗布し乾燥させることにより得ることができる。溶媒としては、上記で例示した溶媒を用いることができる。乾燥の条件は、特に限定されないが、常温〜200℃、特に80〜150℃で1分〜1時間、特に3〜10分間行うことができる。
<Manufacture of first and second adhesive sheets>
For the first and second adhesive sheets, the first adhesive layer composition and the second adhesive layer composition are dissolved in a solvent at an appropriate concentration, applied onto the adhesive sheet forming substrate, and dried. Can be obtained. As the solvent, the solvents exemplified above can be used. The drying conditions are not particularly limited, and the drying can be performed at room temperature to 200 ° C., particularly 80 to 150 ° C. for 1 minute to 1 hour, particularly 3 to 10 minutes.

接着剤層の膜厚は、特に制限がなく、目的に応じ選択することができるが、第1の接着剤シートの膜厚は、5〜100μmであることが好ましく、特に10〜50μmであることが好ましい。また、第2の接着剤シートの膜厚は、1〜10μmであることが好ましく特に3〜7μmであることが好ましい。
特に、第2の接着剤シートが、1〜10μmであると、より確実に熱ラミネート性の経時安定性を得ることができ、ワイヤーボンド不良を招く恐れないために好ましい。
The film thickness of the adhesive layer is not particularly limited and can be selected according to the purpose. The film thickness of the first adhesive sheet is preferably 5 to 100 μm, particularly 10 to 50 μm. Is preferred. The film thickness of the second adhesive sheet is preferably 1 to 10 μm, and particularly preferably 3 to 7 μm.
In particular, it is preferable that the second adhesive sheet has a thickness of 1 to 10 μm because heat laminating stability over time can be obtained more reliably and there is no fear of causing wire bond failure.

前記接着剤シート形成用基材は、通常、フィルム状であり、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、紙、金属箔等の基材、または表面を離型処理した前記接着剤シート形成用基材を用いることができる。接着剤シート形成用基材の厚さは、好ましくは10〜100μm、より好ましくは25〜50μmである。   The base material for forming the adhesive sheet is usually in the form of a film, for example, polyethylene film, polypropylene film, polyester film, polyamide film, polyimide film, polyamideimide film, polyetherimide film, polytetrafluoroethylene film, paper. , A base material such as a metal foil, or the base material for forming an adhesive sheet whose surface has been subjected to mold release treatment can be used. The thickness of the base material for forming an adhesive sheet is preferably 10 to 100 μm, more preferably 25 to 50 μm.

<ダイシング・ダイアタッチフィルム>
以下、上記第1・第2の接着剤シートを用いた本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムについて、図1を参照して詳述する。
本発明のダイシング・ダイアタッチフィルム10は、基材11とその上に設けられた粘着剤層12とを有するダイシングフィルム16上に、第1の接着剤シート13、第2の接着剤シート14から成る接着剤層15が順次設けられたダイシング・ダイアタッチフィルムである。
本発明のダイシング・ダイアタッチフィルム10は、上記の方法等で製造した第1の接着剤シート13及び第2の接着剤シート14を、例えば0〜100℃で積層し、積層した第1の接着剤シート及び第2の接着剤シートを、ダイシングフィルム上に常温、又は低温で積層することにより製造することができる。
<Dicing die attach film>
Hereinafter, the dicing die attach film of the present invention using the first and second adhesive sheets will be described in detail with reference to FIG.
The dicing die attach film 10 of the present invention includes a first adhesive sheet 13 and a second adhesive sheet 14 on a dicing film 16 having a base material 11 and a pressure-sensitive adhesive layer 12 provided thereon. It is a dicing die attach film in which the adhesive layer 15 formed is sequentially provided.
The dicing die attach film 10 of the present invention is formed by laminating the first adhesive sheet 13 and the second adhesive sheet 14 produced by the above method at 0 to 100 ° C., for example, and laminating the first adhesive. The agent sheet and the second adhesive sheet can be produced by laminating on the dicing film at normal temperature or low temperature.

本発明のダイシング・ダイアタッチフィルム10で使用するダイシングフィルム16は、ベースとなるフィルム状の基材11と粘着剤層12の少なくとも2層からなるものであることが好ましい。   The dicing film 16 used in the dicing die attach film 10 of the present invention is preferably composed of at least two layers of a film-like base material 11 and a pressure-sensitive adhesive layer 12 serving as a base.

前記基材11は一般にダイシングフィルムにおいて用いられているものであれば特に限定されない。該基材11としては、例えば、(I)ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体又は共重合体、(II)ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、(III)ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン系共重合体、スチレン−エチレン−ペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマー、等の合成樹脂などを用いることができる。   If the said base material 11 is generally used in the dicing film, it will not be specifically limited. Examples of the substrate 11 include: (I) a single α-olefin such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, and ionomer. Polymer or copolymer, (II) engineering plastics such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, (III) polyurethane, styrene-ethylene-butene copolymer, styrene-ethylene-pentene copolymer, etc. A synthetic resin such as a thermoplastic elastomer can be used.

前記基材11の厚みは、60〜200μmであることが好ましい。該基材11の厚みが60〜200μmの範囲内であると、接着剤層15からダイシングフィルム16へのエポキシ樹脂の移行量が抑制される傾向があるため接着剤層の特性を維持しやすく、また、ダイシングフィルムにウェハーをマウントする作業が容易であり、更に、ダイシング時の切削熱によって該基材がチャックテーブルに融着するのを効果的に防ぐことができる。   The thickness of the substrate 11 is preferably 60 to 200 μm. When the thickness of the substrate 11 is in the range of 60 to 200 μm, the amount of epoxy resin transferred from the adhesive layer 15 to the dicing film 16 tends to be suppressed, so that the characteristics of the adhesive layer can be easily maintained. In addition, it is easy to mount the wafer on the dicing film, and it is possible to effectively prevent the base material from being fused to the chuck table by cutting heat during dicing.

粘着剤層12は、前記基材11の少なくとも一方の面に設けられていればよい。前記粘着剤層12を形成する粘着剤は、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを用いてウェハーをダイシングして個片化したチップを、該チップの裏面に接着剤層が付着したまま、ダイシングフィルムから良好にピックアップすることができるものであれば特に限定されず、通常のダイシングテープとして使用されている、感圧型の粘着剤、紫外線(UV)硬化型の粘着剤を使用することができる。より具体的には、粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、ウレタン系、またはシリコーン系の感圧型粘着剤等が挙げられる。好ましくは、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、シリコーン系粘着剤が使用される。粘着剤層の厚さは、1〜50μmであることが好ましく、より好ましくは5〜10μmである。粘着剤層は、ダイシング工程においてチップ飛びが生じない程度に基材との粘着性が強いことが好ましく、接着剤層との間の180度剥離力が0.01〜0.7N/25mmであることが好ましく、0.1〜0.4N/25mmであることがより好ましい。   The pressure-sensitive adhesive layer 12 may be provided on at least one surface of the substrate 11. The pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 12 is a dicing film obtained by dicing a wafer into pieces by dicing the wafer using the dicing die attach film of the present invention, while the adhesive layer is attached to the back surface of the chip. If it can pick up favorably, it will not specifically limit, The pressure-sensitive adhesive and the ultraviolet-ray (UV) curable adhesive currently used as a normal dicing tape can be used. More specifically, examples of the adhesive include rubber-based, acrylic-based, urethane-based, and silicone-based pressure-sensitive adhesives. Preferably, an acrylic adhesive, a urethane adhesive, or a silicone adhesive is used. It is preferable that the thickness of an adhesive layer is 1-50 micrometers, More preferably, it is 5-10 micrometers. The pressure-sensitive adhesive layer preferably has strong adhesion to the substrate to such an extent that chip skipping does not occur in the dicing process, and the 180-degree peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer is 0.01 to 0.7 N / 25 mm. Is more preferable, and 0.1 to 0.4 N / 25 mm is more preferable.

以下、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを用いて半導体装置を製造する方法について詳述する。
図2のように、上記本発明のダイシング・ダイアタッチフィルム20をシリコンウェーハ等のウェーハ21に貼り合わせ(ラミネート)し(図2(a))、ウェーハ21をダイシングし、チップ22を得る(図2(b))。
この際、ウエハー21へのダイシング・ダイアタッチフィルム20の熱ラミネート温度は、好ましくは40〜80℃、特に50〜70℃が好ましい。
Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die attach film of the present invention will be described in detail.
As shown in FIG. 2, the dicing die attach film 20 of the present invention is bonded (laminated) to a wafer 21 such as a silicon wafer (FIG. 2A), and the wafer 21 is diced to obtain a chip 22 (FIG. 2). 2 (b)).
At this time, the heat laminating temperature of the dicing die attach film 20 on the wafer 21 is preferably 40 to 80 ° C., particularly 50 to 70 ° C.

上記のダイシングにより得られたチップ22を接着剤層がついたまま取り出し(ピックアップ)(図3(a))、半導体装置樹脂基板(基板)32にダイアタッチし(ダイアタッチ工程)(図3(b))、ワイヤボンディング工程および封止工程を経て半導体装置を製造する。   The chip 22 obtained by the above dicing is taken out with the adhesive layer attached (pickup) (FIG. 3A), and die-attached to the semiconductor device resin substrate (substrate) 32 (die attachment step) (FIG. 3 ( b)) A semiconductor device is manufactured through a wire bonding process and a sealing process.

この場合、ダイアタッチ工程で埋め込みされなかった部分がその後もボイドとして残存すると、得られる半導体装置は信頼性の低いものになってしまう。
したがって、得られる半導体装置が信頼性を有するためには、上記ダイアタッチ工程で十分に埋め込みがなされてボイドが残存せず、更に、以後の熱履歴のかかる工程を経ても接着フィルムの内部および該接着フィルムに隣接する領域でボイドが発生も拡大もしないことが必要である。
In this case, if a portion that has not been embedded in the die attach process remains as a void after that, the resulting semiconductor device has low reliability.
Therefore, in order for the obtained semiconductor device to have reliability, the die attach process is sufficiently embedded and voids do not remain, and the adhesive film and the inside of the adhesive film and the process are subjected to a subsequent heat history process. It is necessary that no voids are generated or enlarged in the region adjacent to the adhesive film.

ここで、接着剤層は、ダイアタッチ後にボイドが発生も拡大もしない条件で半硬化ないし完全硬化がなされ、その後、ワイヤボンディング工程の条件下で加熱がなされることが必要である。   Here, the adhesive layer needs to be semi-cured or completely cured under conditions where no voids are generated or expanded after die attachment, and then heated under the conditions of the wire bonding process.

十分なダイアタッチ埋め込み性が発現するためのダイアタッチ条件は、例えば、0.01〜5MPa、特に0.01〜1MPaの圧力で100〜150℃、特に110〜140℃の温度にて0.1秒〜10秒、特に0.1〜1秒である。接着フィルムの半硬化ないし完全硬化の条件は特に定められたものではないが、一般に、100〜200℃、特に110〜150℃の温度で30分〜8時間、特に1〜3時間である。ワイヤボンディング工程での加熱条件は種々あるが、一般的に170℃で30分以上である。   The die attach conditions for exhibiting sufficient die attach embedding property are, for example, 0.01 to 5 MPa, particularly 0.01 to 1 MPa, and a pressure of 100 to 150 ° C., particularly 110 to 140 ° C. Second to 10 seconds, especially 0.1 to 1 second. The conditions for semi-curing or complete curing of the adhesive film are not particularly defined, but are generally 100 to 200 ° C., particularly 110 to 150 ° C., 30 minutes to 8 hours, particularly 1 to 3 hours. Although there are various heating conditions in the wire bonding process, it is generally 30 minutes or more at 170 ° C.

本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムを使用して上述のように半導体装置を製造することができる。このようにして得られる半導体装置は、優れた信頼性を有する。   A semiconductor device can be manufactured as described above using the dicing die attach film of the present invention. The semiconductor device thus obtained has excellent reliability.

尚、本発明のダイシング・ダイアタッチフィルムは、半導体装置などの電子部品の製造においてだけでなく、接着工程及びダイシング工程を含む種々の製品の製造、例えば、LED部品、センサー、液晶部品などの製造においても用いることができる。   The dicing die attach film of the present invention is not only used in the manufacture of electronic parts such as semiconductor devices, but also in the manufacture of various products including an adhesion process and a dicing process, for example, manufacture of LED parts, sensors, liquid crystal parts, etc. Can also be used.

以下、実施例と比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited by these description.

(第1接着剤層組成物の調製)
下記(A)、(B)、(C)、(E)、(F)成分を表1に示す量(各成分の固形分(不揮発分)の量であり、単位は質量部)で自転・公転方式の混合機((株)シンキー社製)に仕込み、更に、これら成分の合計の固形分濃度が20〜45質量%となるようにメチルエチルケトン、トルエンまたはシクロヘキサノンを加え、混合して、第1接着剤組成物溶液を調製した。用いた(A)、(B)、(C)、(E)、(F)成分を以下に示す。
(Preparation of first adhesive layer composition)
The following components (A), (B), (C), (E), and (F) are rotated in the amounts shown in Table 1 (the amount of solid content (nonvolatile content) of each component, and the unit is parts by mass). First, the mixture was charged into a revolving mixer (manufactured by Sinky Co., Ltd.), and methyl ethyl ketone, toluene or cyclohexanone was added and mixed so that the total solid concentration of these components was 20 to 45% by mass. An adhesive composition solution was prepared. The components (A), (B), (C), (E), and (F) used are shown below.

(A)成分のエチレン−アクリルゴム
VAMAC−GLS:高圧ラジカル重合により合成されたカルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム(デュポンエラストマー社製)、0.056モル/100gのカルボキシル基を含有
(B)成分のエポキシ樹脂
HP−7200:ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(大日本インキ社製)、重量平均分子量5000以下、室温で固体状、軟化温度=62℃
EOCN−1020:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製)、重量平均分子量5000以下、室温で固体状、軟化温度=55℃
(C)成分の芳香族ポリアミン化合物
3,3'−DDS:3,3'−ジアミノジフェニルスルホン(小西化学社製)、ジフェニルスルホン骨格を有する芳香族ポリアミン化合物
4,4'−DDS:4,4'−ジアミノジフェニルスルホン(和歌山精化社製)、ジフェニルスルホン骨格を有する芳香族ポリアミン化合物
(E)成分のシリカ系無機充填剤
シリカ粒子:SC−2050(アドマテックス社製)、球状シリカ、平均粒径0.5μm
(F)成分の接着助剤
シランカップリング剤:X−12−414(信越化学工業社製)、メルカプト系シランカップリング剤

Figure 2011151125
(A) Component ethylene-acrylic rubber VAMAC-GLS: carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber (manufactured by DuPont Elastomer Co., Ltd.) synthesized by high-pressure radical polymerization, containing 0.056 mol / 100 g carboxyl group (B) component Epoxy resin HP-7200: dicyclopentadiene type epoxy resin (Dainippon Ink Co., Ltd.), weight average molecular weight 5000 or less, solid at room temperature, softening temperature = 62 ° C.
EOCN-1020: Cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), weight average molecular weight 5000 or less, solid at room temperature, softening temperature = 55 ° C.
(C) Component aromatic polyamine compound 3,3′-DDS: 3,3′-diaminodiphenylsulfone (manufactured by Konishi Chemical Co., Ltd.), aromatic polyamine compound having a diphenylsulfone skeleton 4,4′-DDS: 4,4 '-Diaminodiphenylsulfone (manufactured by Wakayama Seika Co., Ltd.), silica-based inorganic filler of aromatic polyamine compound (E) component having diphenylsulfone skeleton Silica particles: SC-2050 (manufactured by Admatechs), spherical silica, average particle Diameter 0.5μm
(F) Component Adhesion Aid Silane Coupling Agent: X-12-414 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Mercapto Silane Coupling Agent
Figure 2011151125

(第2接着剤層組成物の調製)
下記(D)、上記第1接着剤層組成物の調製で用いたものと同じ(B)、(C)、(E)、(F)成分を表2に示す量(各成分の固形分(不揮発分)の量であり、単位は質量部)で自転・公転方式の混合機((株)シンキー社製)に仕込み、更に、これら成分の合計の固形分濃度が20〜45質量%となるようにメチルエチルケトン、トルエンまたはシクロヘキサノンを加え、混合して、第2接着剤組成物溶液を調製した。用いた(D)成分を以下に示す。
(Preparation of second adhesive layer composition)
The following (D) and the same (B), (C), (E), (F) components used in the preparation of the first adhesive layer composition are shown in Table 2 in amounts (solid content of each component ( The amount of non-volatile content is in units of parts by mass) and charged into a rotating / revolving mixer (manufactured by Sinky Corp.), and the total solid content concentration of these components is 20 to 45% by mass. Then, methyl ethyl ketone, toluene or cyclohexanone was added and mixed to prepare a second adhesive composition solution. The component (D) used is shown below.

(D)(メタ)アクリル系樹脂
SG−P3:エポキシ基を有するアクリロニトリル系樹脂(ナガセケムテックス社製)、0.021モル/100gのエポキシ基を含有、Tg=12℃、重量平均分子量=85万
(D) (Meth) acrylic resin SG-P3: Acrylonitrile resin having an epoxy group (manufactured by Nagase ChemteX Corporation), containing 0.021 mol / 100 g of epoxy group, Tg = 12 ° C., weight average molecular weight = 85 Many

Figure 2011151125
Figure 2011151125

(第1・第2の接着剤シートの作製)
次いで、表1、表2に示す接着剤組成物溶液を離型処理された厚さ38μmのPETフィルム上に塗布し、110℃で10分間加熱乾燥し、厚さ約20μm及び25μmの第1の接着剤シート、厚さ約5μm及び25μmの第2の接着剤シートを作製した。
(Production of first and second adhesive sheets)
Next, the adhesive composition solutions shown in Tables 1 and 2 were applied onto a release-treated PET film having a thickness of 38 μm, dried by heating at 110 ° C. for 10 minutes, and a first film having a thickness of about 20 μm and 25 μm. Adhesive sheets, second adhesive sheets having thicknesses of about 5 μm and 25 μm were prepared.

(ダイシング・ダイアタッチフィルムの作製)
上記で作製した厚さ20μmの第1層の接着用シートと厚さ約5μmの第2層の接着用シートを60℃でラミネートし、総厚25μmの積層された接着シートを作成した。次いで下記のダイシングフィルムとを、第1の接着剤用シートがダイシングフィルムの粘着剤層面と接触するように室温で貼り合わせてダイシング・ダイアタッチフィルムを作製した。
また、上記で作製した厚さ約25μmの第1の接着剤シート単独、第2の接着剤シート単独を同様にして貼り合わせて各層、単層のダイシング・ダイアタッチフィルムを作製した。

ダイシングフィルム
感圧型ダイシングフィルム:SD85TA(電気化学工業社製)、厚さ85μm
(Production of dicing die attach film)
The 20-μm thick first-layer adhesive sheet prepared above and the second-layer adhesive sheet of about 5 μm thickness were laminated at 60 ° C. to prepare a laminated adhesive sheet having a total thickness of 25 μm. Next, the following dicing film was bonded at room temperature so that the first adhesive sheet was in contact with the pressure-sensitive adhesive layer surface of the dicing film to prepare a dicing die attach film.
Further, the first adhesive sheet alone and the second adhesive sheet alone, each having a thickness of about 25 μm, were bonded in the same manner to prepare a dicing die attach film of each layer and single layer.

Dicing film Pressure-sensitive dicing film: SD85TA (manufactured by Denki Kagaku Kogyo), thickness 85μm

(実施例1〜4、比較例1〜3)
得られたダイシング・ダイアタッチフィルムについて、下記試験を行なった。結果を表3に示す。
(Examples 1-4, Comparative Examples 1-3)
The following tests were performed on the obtained dicing die attach film. The results are shown in Table 3.

熱ラミネート性試験
下記、(i)接着剤層(接着剤シート)の剥離力試験及び(ii)ピックアップ性試験から熱ラミネート性を評価した。下記(i)接着剤層の剥離力が2.0N/20mmを超えるものは、接着剤層の剥離力試験結果が○、この値以下は×とした。(ii)ピックアップ性試験で全てのシリコンチップを接着剤層付きで安定して取り出せた場合は○、ピックアップできないシリコンチップが1個でもあった場合は×とした。
Thermal Laminating Test The thermal laminating property was evaluated from the following (i) peel strength test of the adhesive layer (adhesive sheet) and (ii) pick-up property test. When the peel strength of the adhesive layer below (i) exceeds 2.0 N / 20 mm, the peel strength test result of the adhesive layer is ◯, and the value below this value is ×. (Ii) In the pick-up property test, when all the silicon chips were stably taken out with an adhesive layer, it was marked as ◯, and when even one silicon chip that could not be picked up was marked as x.

(i)接着剤層の剥離力試験
上記で得られたダイシング・ダイアタッチフィルムを60℃で接着剤層面を725μmのシリコンウエハーの鏡面側に熱ラミネートし、次いで接着剤層面よりダイシングフイルムを剥離した。残った接着剤層面上に強粘着テープUPH−110B(電気化学工業(株)社製)を張り付け、幅20mmでテープ状にシリコンウエハー面に達するように切り込んだ。この粘着テープと接着剤層が一体となった幅20mmのテープ状サンプルを、ウエハー界面からの180°のピール剥離強度を測定した。剥離速度は、300mm/minである。熱ラミネート性の経時変化の評価として、ダイシング・ダイアタッチフィルム作製直後、及び40℃で1ヶ月保管後のピール剥離強度を測定した。
(I) Peeling force test of adhesive layer The dicing die attach film obtained above was heat laminated at 60 ° C. to the mirror surface side of a 725 μm silicon wafer, and then the dicing film was peeled off from the adhesive layer surface. . A strong adhesive tape UPH-110B (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) was applied onto the remaining adhesive layer surface, and cut into a tape shape with a width of 20 mm so as to reach the silicon wafer surface. The peel peel strength at 180 ° from the wafer interface was measured on a tape-like sample having a width of 20 mm in which the adhesive tape and the adhesive layer were integrated. The peeling speed is 300 mm / min. As an evaluation of the change over time in the heat laminating property, the peel peel strength was measured immediately after the dicing die attach film was produced and after storage at 40 ° C. for 1 month.

(ii)ピックアップ性試験
上記で得られたダイシング・ダイアタッチフィルム(初期・保管後)を60℃で接着シート面を75μmのシリコンウエハーの裏面側に熱ラミネートした。
このシリコンウェハーを、下記ダイシング条件にて、9mm角のチップにダイシングした。次いで、こうして得られた9mm角のシリコンチップ100個を、NECマシナリー社製のダイボンダー装置(BESTEM−D02−TypeB)を用いてダイシングフィルムからピックアップした。
ダイシング条件:
ダイシング装置:DAD−341(ディスコ社製)
切断方式:シングルカット
スピンドル回転数:40000rpm
ダイシングブレード:NBC−ZH 104F 27HEEE(ディスコ社製)
送り速度:50mm/sec
(Ii) Pickup property test The dicing die attach film (initial and after storage) obtained above was thermally laminated at 60 ° C. on the back side of a 75 μm silicon wafer.
This silicon wafer was diced into 9 mm square chips under the following dicing conditions. Subsequently, 100 silicon chips of 9 mm square obtained in this way were picked up from the dicing film using a die bonder device (BESTEM-D02-TypeB) manufactured by NEC Machinery.
Dicing conditions:
Dicing machine: DAD-341 (manufactured by Disco)
Cutting method: Single cut Spindle speed: 40000 rpm
Dicing blade: NBC-ZH 104F 27HEEE (manufactured by Disco)
Feeding speed: 50mm / sec

接着性試験
上記で作製したダイシング・ダイアタッチフィルムに直径8インチ、厚さ725μmのシリコンウェハーを60℃で熱ラミネートし、3mm×3mmのチップにダイシングした。
次いで、接着剤層とダイシングフイルム面の界面から剥離し、接着剤層が付いたシリコンチップを取りだした。次いで、ソルダーレジストAUS308((株)太陽インキ社製)が塗布硬化された10mm×10mmのBT基板上に、得られた接着剤層付きシリコンチップを、接着剤層が付着した面が接触するように載せ、170℃、0.1MPaの条件で2秒間熱圧着して固定させた。このようにしてシリコンチップが固定された基板を175℃で6時間加熱して接着剤層を硬化させて試験片(接着試験片)を作製した。この接着試験片を用いて、ボンドテスター(DAGE社製、4000PXY)により、260℃において接着剤硬化物層と基板との間のせん断接着力を測定した(初期の接着性)。
上記と同じ接着試験片を85℃/60%RHの条件下で168時間保持し、次いで260℃のリフロー炉に3回通した後、上記と同様に260℃においてせん断接着力を測定した(湿熱後の接着性)。
Adhesion Test A silicon wafer having a diameter of 8 inches and a thickness of 725 μm was heat-laminated at 60 ° C. to the dicing die attach film prepared above, and diced into 3 mm × 3 mm chips.
Subsequently, it peeled from the interface of an adhesive bond layer and a dicing film surface, and the silicon chip with the adhesive bond layer was taken out. Next, on the 10 mm × 10 mm BT substrate on which the solder resist AUS308 (manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) has been applied and cured, the obtained silicon chip with an adhesive layer is brought into contact with the surface to which the adhesive layer is attached. And fixed by thermocompression bonding at 170 ° C. and 0.1 MPa for 2 seconds. Thus, the board | substrate with which the silicon chip was fixed was heated at 175 degreeC for 6 hours, the adhesive bond layer was hardened, and the test piece (adhesion test piece) was produced. Using this adhesion test piece, the shear adhesive force between the cured adhesive layer and the substrate was measured at 260 ° C. with a bond tester (manufactured by DAGE, 4000PXY) (initial adhesion).
The same adhesion test piece as above was held at 85 ° C./60% RH for 168 hours, then passed through a 260 ° C. reflow furnace three times, and then the shear adhesive strength was measured at 260 ° C. as described above (wet heat) Later adhesiveness).

ダイアタッチ埋め込み性能試験
上記で作成したダイシング・ダイアタッチフィルムに直径8インチ、厚さ75μmのシリコンウェハーを60℃で熱ラミネートした。このシリコンウェハーを、下記ダイシング条件にて、9mm角のチップにダイシングした。次いで、こうして得られた9mm角のシリコンチップを裏面に接着剤層が付いたまま前記感圧ダイシングフィルムの粘着剤層から剥離させた。このシリコンチップを、NECマシナリー社製のダイボンダー装置(BESTEM−D02−TypeB)により、5〜15μm幅のストライプ状回路パターンが形成された50mm×50mm×厚さ250μmの樹脂基板(ソルダーレジストAUS308が塗布硬化されたBT基板)上に接着剤層が接触するように配置し、130℃、0.1MPaの条件で1秒間熱圧着した。この点を図4(埋め込み性能試験におけるシリコンチップの配置を示す図である。)に基づいて具体的に説明すると、1辺9mmの正方形のシリコンチップ41を1辺50mmの正方形の樹脂基板42上に3mmの間隔で4行4列に16個配置し、最も外側に配置されたシリコンチップ41と樹脂基板42の外縁との間隔を2.5mmとした。このようにしてシリコンチップが熱圧着された樹脂基板を超音波画像測定装置で観察して、該シリコンチップと該樹脂基板との間の領域におけるボイドの有無を調べた(初期ダイアタッチ埋め込み性能)。
ダイシング条件:
ダイシング装置:DAD−341(ディスコ社製)
切断方式:シングルカット
スピンドル回転数:40000rpm
ダイシングブレード:NBC−ZH 104F 27HEEE(ディスコ社製)
送り速度:50mm/sec
Die attach embedding performance test A silicon wafer having a diameter of 8 inches and a thickness of 75 μm was heat-laminated at 60 ° C. on the dicing die attach film prepared above. This silicon wafer was diced into 9 mm square chips under the following dicing conditions. Next, the 9 mm square silicon chip thus obtained was peeled from the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive dicing film with the adhesive layer attached to the back surface. This silicon chip was applied to a 50 mm × 50 mm × 250 μm thick resin substrate (solder resist AUS308 was applied) by using a die bonder device (BESTEM-D02-TypeB) manufactured by NEC Machinery Co., Ltd. The adhesive layer was placed in contact with the cured BT substrate) and thermocompression bonded for 1 second at 130 ° C. and 0.1 MPa. This point will be described in detail with reference to FIG. 4 (the layout of silicon chips in the embedding performance test). A square silicon chip 41 having a side of 9 mm is placed on a square resin substrate 42 having a side of 50 mm. 16 pieces are arranged in 4 rows and 4 columns at intervals of 3 mm, and the distance between the outermost silicon chip 41 and the outer edge of the resin substrate 42 is 2.5 mm. The resin substrate on which the silicon chip was thermocompression bonded in this way was observed with an ultrasonic image measuring device, and the presence or absence of voids in the region between the silicon chip and the resin substrate was examined (initial die attach embedding performance). .
Dicing conditions:
Dicing machine: DAD-341 (manufactured by Disco)
Cutting method: Single cut Spindle speed: 40000 rpm
Dicing blade: NBC-ZH 104F 27HEEE (manufactured by Disco)
Feeding speed: 50mm / sec

接着剤層の加熱硬化中に相分離、発ガス等のいずれによってもボイドが発生していないことを確認するために、以下の観察を行った。即ち、上記のようにしてシリコンチップが熱圧着された樹脂基板を130℃で120分加熱して接着剤層を硬化させ、更に該基板をワイヤボンディング工程での加熱温度に相当する170℃で120分加熱した後、超音波画像測定装置で観察して、該シリコンチップと該樹脂基板との間の領域におけるボイドの有無を調べた(加熱後ダイアタッチ埋め込み性能)。   The following observations were made to confirm that no voids were generated by any of phase separation, gas evolution, and the like during the heat curing of the adhesive layer. That is, the resin substrate to which the silicon chip is thermocompression bonded as described above is heated at 130 ° C. for 120 minutes to cure the adhesive layer, and the substrate is further heated at 170 ° C. corresponding to the heating temperature in the wire bonding step. After heating for a minute, it was observed with an ultrasonic image measuring device to examine the presence or absence of voids in the region between the silicon chip and the resin substrate (die attachment embedding performance after heating).

超音波画像測定装置での上記観察によりにボイドが確認されなかった場合、ダイアタッチ埋め込み性能が十分であると評価した。一方、超音波画像測定装置での上記観察によりボイドが確認された場合、ダイアタッチ埋め込み性能が不十分であると評価した。表1で、「○」は埋め込み性能が十分であったことを、「×」は埋め込み性能が不十分であったことを表す。   When no void was confirmed by the above observation with the ultrasonic image measuring apparatus, it was evaluated that the die attach embedding performance was sufficient. On the other hand, when a void was confirmed by the above observation with an ultrasonic image measuring device, it was evaluated that the die attach embedding performance was insufficient. In Table 1, “◯” represents that the embedding performance was sufficient, and “x” represents that the embedding performance was insufficient.

パッケージの信頼性試験
上記で加熱後ダイアタッチ埋め込み性の試験のために超音波画像測定装置による観察に用いられたのと同様の樹脂基板を該基板表面から600μmの厚さでモールド材KMC2500LM1B(信越化学工業社製)により樹脂封止(175℃、封止圧力6.9MPa、90秒間)し、該モールド材を175℃で4時間加熱硬化させた。このようにして樹脂封止されたシリコンチップを切断して個片化し、得られたパッケージ合計16個を85℃/60%RHの条件下で168時間保持し、次いで最高到達温度260℃の半田リフロー炉に3回通した後、超音波画像測定装置によりシリコンチップと基板との間の剥離の有無を観察した。表1で、「○」は16個のパッケージいずれでも剥離が観察されなかったことを表し、「×」は16個のパッケージ中1個でも剥離が観察されたことを表す。
Package Reliability Test A resin substrate similar to that used for observation by an ultrasonic image measuring device for the die attach embedding test after the heating described above is molded material KMC2500LM1B (Shin-Etsu) with a thickness of 600 μm from the substrate surface. Resin sealing (made by Chemical Industry Co., Ltd.) (175 ° C., sealing pressure 6.9 MPa, 90 seconds), and the mold material was heat-cured at 175 ° C. for 4 hours. The resin-encapsulated silicon chip is cut into individual pieces, and a total of 16 obtained packages are held for 168 hours under the condition of 85 ° C./60% RH, and then the solder having a maximum temperature of 260 ° C. After passing through the reflow furnace three times, the presence or absence of peeling between the silicon chip and the substrate was observed with an ultrasonic image measuring device. In Table 1, “◯” represents that no peeling was observed in any of the 16 packages, and “X” represents that peeling was observed in any one of the 16 packages.

Figure 2011151125
※剥離試験サンプル作製時、接着剤層とウェーハとの密着力が弱過ぎたため、ウェーハから接着剤層が剥離し、測定が不可能であった。
Figure 2011151125
* When the peel test sample was prepared, the adhesive force between the adhesive layer and the wafer was too weak, and the adhesive layer peeled off from the wafer, making measurement impossible.

表3に示すように、本発明の積層した接着剤層(第1の接着剤シート、第2の接着剤シート)を用いたダイシング・ダイアタッチフィルム(実施例1〜4)は、単層の接着シートから成るダイシング・ダイアタッチフィルム(比較例1〜2)に比べ、経時での熱ラミネート性に優れ、また、単層の接着シートから成るダイシング・ダイアタッチフィルム(比較例3)に比べ、加熱後ダイアタッチ埋め込み性能に優れる。更に、本発明の組成物から得られる接着剤硬化物層を含むパッケージは、ボイドを含まないので、吸湿下でのパッケージ信頼性が高い。   As shown in Table 3, the dicing die attach film (Examples 1 to 4) using the laminated adhesive layers (first adhesive sheet and second adhesive sheet) of the present invention is a single layer. Compared to the dicing die attach film (Comparative Examples 1 and 2) consisting of an adhesive sheet, it has excellent thermal laminating properties over time, and compared to the dicing die attach film (Comparative Example 3) consisting of a single-layer adhesive sheet, Excellent die attach embedding performance after heating. Furthermore, since the package containing the cured adhesive layer obtained from the composition of the present invention does not contain voids, the package reliability under moisture absorption is high.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に含有される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. It is contained in the technical range.

10…ダイシング・ダイアタッチフィルム、 11…基材、 12…粘着剤層 13…第1の接着剤シート、 14…第2の接着剤シート、 15…接着剤層、 16…ダイシングフィルム、 20…ダイシング・ダイアタッチフィルム、 21…ウェーハ、 22…チップ、 32…半導体装置樹脂基板(基板)。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Dicing die attach film, 11 ... Base material, 12 ... Adhesive layer 13 ... 1st adhesive sheet, 14 ... 2nd adhesive sheet, 15 ... Adhesive layer, 16 ... Dicing film, 20 ... Dicing Die attach film 21 ... wafer 22 ... chip 32 ... semiconductor device resin substrate (substrate)

Claims (8)

少なくとも、基材、該基材上の粘着剤層、該粘着剤層上の接着剤層を含むダイシング・ダイアタッチフィルムであって、前記接着剤層は、第1の接着剤シート、及び該第1の接着剤シート上に積層される第2の接着剤シートからなり、
前記第1接着剤シートを形成するための第1接着剤層組成物は、少なくとも、
(A)カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム、
(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂、及び
(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
を含み、
前記第2接着剤シートを形成するための第2接着剤層組成物は、少なくとも、
(D)重量平均分子量が50,000〜1,500,000であり、エポキシ基及び下記式(1)
Figure 2011151125
で示される構造単位を有する(メタ)アクリル系樹脂、
(B)重量平均分子量が5000以下である5〜40℃で固体状のエポキシ樹脂、及び
(C)ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミン
を含むことを特徴とするダイシング・ダイアタッチフィルム。
A dicing die attach film including at least a base material, a pressure-sensitive adhesive layer on the base material, and an adhesive layer on the pressure-sensitive adhesive layer, wherein the adhesive layer includes a first adhesive sheet, and the first Comprising a second adhesive sheet laminated on one adhesive sheet,
The first adhesive layer composition for forming the first adhesive sheet is at least:
(A) a carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber,
(B) a solid epoxy resin having a weight average molecular weight of 5000 or less at 5 to 40 ° C., and (C) an aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure,
The second adhesive layer composition for forming the second adhesive sheet is at least:
(D) The weight average molecular weight is 50,000 to 1,500,000, the epoxy group and the following formula (1)
Figure 2011151125
(Meth) acrylic resin having a structural unit represented by
(B) A dicing die attach film comprising an epoxy resin solid at 5 to 40 ° C. having a weight average molecular weight of 5000 or less, and (C) an aromatic polyamine having a diphenylsulfone skeleton structure.
前記(A)成分であるカルボキシル基含有エチレン−アクリルゴムが、高圧ラジカル重合により合成されたものであることを特徴とする請求項1に記載のダイシング・ダイアタッチフィルム。   The dicing die attach film according to claim 1, wherein the carboxyl group-containing ethylene-acrylic rubber as the component (A) is synthesized by high-pressure radical polymerization. 前記(C)成分が、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、及びこれらの組み合わせのいずれかであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のダイシング・ダイアタッチフィルム。   The dicing according to claim 1, wherein the component (C) is any one of 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, and a combination thereof.・ Die attach film. 前記第1接着剤層組成物中の前記(B)成分及び前記(C)成分の合計の割合が、前記第1接着剤層組成物中の前記(A)〜(C)成分の合計に対して20質量%以上90質量%未満であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のダイシング・ダイアタッチフィルム。   The total ratio of the (B) component and the (C) component in the first adhesive layer composition is based on the total of the (A) to (C) components in the first adhesive layer composition. The dicing die attach film according to any one of claims 1 to 3, wherein the content is 20% by mass or more and less than 90% by mass. 前記第1接着剤層組成物及び/又は前記第2接着剤層組成物は、更に、(E)シリカ系無機充填剤を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のダイシング・ダイアタッチフィルム。   The first adhesive layer composition and / or the second adhesive layer composition further includes (E) a silica-based inorganic filler, 5. The dicing die attach film described in 1. 前記第1接着剤層組成物及び/又は前記第2接着剤層組成物は、更に、(F)接着助剤を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のダイシング・ダイアタッチフィルム。   6. The first adhesive layer composition and / or the second adhesive layer composition further includes (F) an adhesion assistant. Dicing die attach film. 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のダイシング・ダイアタッチフィルムを使用して製造された半導体装置。   The semiconductor device manufactured using the dicing die attach film of any one of Claims 1 thru | or 6. 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のダイシング・ダイアタッチフィルム上にウェーハをラミネートし、該ラミネートされたウェーハをダイシングし、その後ダイシングされたダイを基板にアタッチすることを特徴とするダイシング・ダイアタッチ方法。   A wafer is laminated on the dicing die attach film according to any one of claims 1 to 6, the laminated wafer is diced, and then the diced die is attached to a substrate. Dicing die attach method.
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