KR102273450B1 - Dicing tape attached die bonding film and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Dicing tape attached die bonding film and method for manufacturing semiconductor device Download PDF

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KR102273450B1
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bonding
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resin
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겐지 오니시
유키 스고
유이치로 시시도
유타 기무라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 고온에서 장시간 열처리한 조건에 있어서도, 밀봉 공정 후에 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름을 제공하기 위한 것으로, 다이싱 테이프와 다이본딩 필름을 갖고, 다이본딩 필름이, 열가소성 수지(a)와, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 함유하고, 열경화성 수지(b)가 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상이며, 열경화성 수지(b)의 전체 수지 성분에 대한 함유량이 1중량％ 이상 50중량% 이하이고, 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률이 0.05㎫ 이상인 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름.The present invention can suppress the accumulation of air bubbles (voids) at the boundary between the die-bonding film and the adherend after the sealing process, even under the conditions of heat treatment at high temperature for a long time, and also cracks and cracks in the film even when transported and stored in refrigeration To provide a die-bonding film with a dicing tape capable of suppressing generation of fragments, the die-bonding film having a dicing tape and a die-bonding film, the die-bonding film having a thermoplastic resin (a) and a viscosity at 25°C contains a thermosetting resin (b) of 0.1 to 50 Pa·sec, the thermosetting resin (b) is at least one selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin, and the content of the thermosetting resin (b) relative to the total resin component is The die-bonding film with a dicing tape is 1 weight% or more and 50 weight% or less, and the storage elastic modulus in 260 degreeC after heat-hardening at 170 degreeC for 1 hour is 0.05 Mpa or more.

Description

다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름 및 반도체 장치의 제조 방법{DICING TAPE ATTACHED DIE BONDING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}Die bonding film with dicing tape and manufacturing method of a semiconductor device TECHNICAL FIELD

본 발명은 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a die-bonding film with a dicing tape and a method for manufacturing a semiconductor device.

종래, 반도체 장치의 제조 시에 있어서의 리드 프레임이나 전극 부재에의 반도체 칩의 고착에는, 은 페이스트가 사용되고 있다. 이러한 고착 처리는, 리드 프레임의 다이패드 등의 위에 페이스트상 접착제를 도포 시공하고, 거기에 반도체 칩을 탑재하여 페이스트상 접착제층을 경화시켜서 행하고 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, a silver paste is used for adhering of the semiconductor chip to the lead frame at the time of manufacture of a semiconductor device, or an electrode member. Such a fixing process is performed by coating a paste-like adhesive on a die pad of a lead frame or the like, mounting a semiconductor chip thereon, and curing the paste-like adhesive layer.

그러나, 페이스트상 접착제에서는 그 점도 거동이나 열화 등에 의해 도포 시공량이나 도포 시공 형상 등에 큰 변동을 일으킨다. 그 결과, 형성되는 페이스트상 접착제 두께는 불균일해지기 때문에, 반도체 칩에 관계되는 고착 강도의 신뢰성이 부족하다. 즉, 페이스트상 접착제의 도포 시공량이 부족하면, 반도체 칩과 전극 부재 사이의 고착 강도가 낮아지고, 그 후의 와이어 본딩 공정에서 반도체 칩이 박리된다. 한편, 페이스트상 접착제의 도포 시공량이 너무 많으면 반도체 칩 위까지 페이스트상 접착제가 유연해서 특성 불량을 발생하여, 수율이나 신뢰성이 저하된다. 이와 같은 고착 처리에 있어서의 문제는, 반도체 칩의 대형화에 수반하여 특별히 현저한 것으로 되어 있다. 그 때문에, 페이스트상 접착제의 도포 시공량의 제어를 빈번히 행할 필요가 있어, 작업성이나 생산성에 지장을 초래하고 있다.However, in the case of a paste-like adhesive, large fluctuations are caused in the amount of coating, the shape of the coating, and the like due to the viscosity behavior, deterioration, and the like. As a result, since the thickness of the paste-like adhesive to be formed becomes non-uniform, the reliability of the fixing strength related to the semiconductor chip is insufficient. That is, when the amount of application of the paste-like adhesive is insufficient, the bonding strength between the semiconductor chip and the electrode member is lowered, and the semiconductor chip is peeled off in the subsequent wire bonding step. On the other hand, if the amount of application of the paste-like adhesive is too large, the paste-like adhesive is flexible up to the top of the semiconductor chip, resulting in defective properties, thereby reducing yield and reliability. The problem in such a sticking process becomes especially remarkable with the enlargement of a semiconductor chip. Therefore, it is necessary to frequently control the amount of application of the paste-like adhesive, which impairs workability and productivity.

이 페이스트상 접착제의 도포 시공 공정에 있어서, 페이스트상 접착제를 리드 프레임이나 형성 칩에 별도로 도포하는 방법이 있다. 그러나, 이 방법에서는, 페이스트상 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또한 페이스트상 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이 때문에, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 보유함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용 접착제층도 부여하는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름이 개시되어 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조).In this application|coating process of this paste-form adhesive agent, there exists a method of apply|coating a paste-form adhesive agent separately to a lead frame or a forming chip. However, in this method, uniformity of the paste-like adhesive layer is difficult, and a special apparatus or a long time is required for application of the paste-like adhesive. For this reason, while adhesively holding a semiconductor wafer in a dicing process, the die-bonding film with a dicing tape which also provides the adhesive bond layer for chip fixing required for a mounting process is disclosed (for example, refer the following patent document 1). .

이러한 종류의 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름은, 다이싱 테이프 상에 접착제층(다이본딩 필름)이 적층된 구조를 갖고 있다. 또한, 다이싱 테이프는 지지 기재 상에 점착제층이 적층된 구조이다. 이 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름은 다음과 같이 하여 사용된다. 즉, 다이본딩 필름에 의한 보유 하에서 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 반도체 칩을 다이본딩 필름과 함께 박리하고 이것을 개별적으로 회수한다. 또한, 반도체 칩을, 다이본딩 필름을 개재하여, BT 기판이나 리드 프레임 등의 피착체에 접착 고정시킨다.This type of die-bonding film with a dicing tape has a structure in which an adhesive layer (die-bonding film) is laminated on a dicing tape. Moreover, the dicing tape has the structure in which the adhesive layer was laminated|stacked on the support base material. This die-bonding film with a dicing tape is used as follows. That is, after dicing a semiconductor wafer under holding by a die-bonding film, a support base material is extended|stretched to peel a semiconductor chip together with a die-bonding film, and this is collect|recovered individually. Moreover, the semiconductor chip is adhesively fixed to to-be-adhered bodies, such as a BT board|substrate and a lead frame, via a die-bonding film.

일본 특허 공개 소화 60-57642호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 60-57642 Gazette

최근 들어, 반도체 칩 실장의 다단화가 진행되고, 와이어 본딩 공정이나 다이본딩 필름의 경화 공정에 장시간을 필요로 하는 경향이 있다. 이들 공정에서 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름의 다이본딩 필름을 고온에서 장시간 처리하고, 이후의 공정으로서 밀봉 수지에 의한 밀봉 공정을 행한 경우, 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류된 상태로 되는 경우가 있다. 이러한 보이드가 발생한 반도체 장치를 사용하여 반도체 관련 부품의 신뢰성 평가로서 행하여지는 내습 땜납 리플로우 시험을 행하면, 상기 경계에 있어서 박리가 발생해버려, 반도체 장치의 신뢰성으로서는 충분하다고 할 수 없는 상황이 되어버린다.In recent years, semiconductor chip mounting has progressed in multiple stages, and there is a tendency that a long time is required for a wire bonding process or a curing process for a die-bonding film. In these steps, when the die-bonding film of the die-bonding film with a dicing tape is treated at high temperature for a long time, and a sealing step with a sealing resin is performed as a subsequent step, air bubbles (voids) are stored at the boundary between the die-bonding film and the adherend. It may be in a state of being. When a moisture-resistant solder reflow test performed as a reliability evaluation of a semiconductor-related component is performed using a semiconductor device having such a void, peeling occurs at the boundary, and the reliability of the semiconductor device cannot be said to be sufficient. .

또한, 이러한 다이본딩 필름은 열경화성이기 때문에, 냉장으로 수송, 보관할 필요가 있지만, 그 때 다이본딩 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생할 우려가 있어, 사용 가능한 필름이 감소해버린다는 과제도 있었다.In addition, since such a die-bonding film is thermosetting, it is necessary to transport and store it by refrigeration, but there is a risk that cracks, cracks, and fragments may occur in the die-bonding film at that time, and there is also a problem that the usable film decreases.

본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 고온에서 장시간 열처리한 조건에 있어서도, 밀봉 공정 후에 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름 및 당해 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to suppress the accumulation of air bubbles (voids) at the boundary between the die-bonding film and the adherend after the sealing process, even under the conditions of heat treatment at high temperature for a long time, In addition, to provide a die-bonding film with a dicing tape capable of suppressing the occurrence of cracks, cracks, and fragments in the film even when transported and stored in a refrigeration, and a method for manufacturing a semiconductor device using the die-bonding film with a dicing tape. have.

본원 발명자들은, 상기 종래의 과제를 해결하도록, 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름에 대하여 검토하였다. 그 결과, 다이본딩 필름에, 열가소성 수지와, 특정한 점도를 갖는 열경 화성수지를 함유시킴으로써, 고온에서 장시간 열처리한 조건에 있어서도, 밀봉 공정 후에 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능하게 되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors examined the die-bonding film with a dicing tape so that the said conventional subject might be solved. As a result, since the die-bonding film contains a thermoplastic resin and a thermosetting resin having a specific viscosity, bubbles (voids) are stored at the boundary between the die-bonding film and the adherend after the sealing process, even under the conditions of heat treatment at high temperature for a long time. It was found that it is possible to suppress the occurrence of cracks, cracks, and fragments on the film even when transported and stored in a refrigerated state, and completed the present invention.

즉, 본 발명에 따른 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름은,That is, the die-bonding film with a dicing tape according to the present invention,

기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와, 상기 점착제층 상에 적층된 다이본딩 필름을 갖는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름이며,A die-bonding film with a dicing tape having a dicing tape laminated with an adhesive layer on a substrate and a die-bonding film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer,

상기 다이본딩 필름이, 열가소성 수지(a)와, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 함유하고,The die-bonding film contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity of 0.1 to 50 Pa·sec at 25°C,

상기 열경화성 수지(b)가 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상이며,The thermosetting resin (b) is at least one selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin,

상기 열경화성 수지(b)의 전체 수지 성분에 대한 함유량이 1중량％ 이상 50중량% 이하이고,The content of the thermosetting resin (b) with respect to the total resin components is 1% by weight or more and 50% by weight or less,

상기 다이본딩 필름의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률이 0.05㎫ 이상인 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the storage elastic modulus at 260 ℃ after heat curing of the die-bonding film at 170 ℃ for 1 hour is 0.05 MPa or more.

상기 구성에 의하면, 다이본딩 필름은, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 전체 수지 성분에 대하여 1중량％ 이상 50중량% 이하로 함유한다. 상기 다이본딩 필름이, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 전체 수지 성분에 대하여 1중량％ 이상 함유하기 때문에, 고온에서 장시간 열처리한 조건에 있어서도, 반응을 적절하게 억제할 수 있고, 밀봉 공정 후에 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류되는 것을 억제할 수 있다.According to the above configuration, the die-bonding film contains the thermosetting resin (b) having a viscosity of 0.1 to 50 Pa·sec at 25°C in an amount of 1 wt% or more and 50 wt% or less with respect to all the resin components. Since the die-bonding film contains 1 wt% or more of the thermosetting resin (b) having a viscosity of 0.1 to 50 Pa·sec at 25°C with respect to the total resin component, even under conditions of heat treatment at high temperature for a long time, the reaction is appropriately performed. It can suppress, and it can suppress that a bubble (void) accumulates at the boundary of a die-bonding film and to-be-adhered body after a sealing process.

또한, 상기 다이본딩 필름이, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 전체 수지 성분에 대하여 1중량％ 이상 함유하기 때문에, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다. 한편, 상기 열경화성 수지(b)를 전체 수지 성분에 대하여 50중량％ 이하 함유하기 때문에, 과도한 점착성을 억제할 수 있어, 픽업성을 양호하게 할 수 있다.In addition, since the die-bonding film contains 1% by weight or more of the thermosetting resin (b) having a viscosity at 25°C of 0.1 to 50 Pa·sec based on the total resin component, cracks and cracks in the film even when transported and stored in a refrigerator , it becomes possible to suppress the occurrence of fragments. On the other hand, in order to contain 50 weight% or less of the said thermosetting resin (b) with respect to all the resin components, excessive adhesiveness can be suppressed and pick-up property can be made favorable.

또한, 상기 다이본딩 필름의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률이 0.05㎫ 이상이기 때문에, 내습 땜납 리플로우 시험에서의 신뢰성을 양호하게 할 수 있다.Moreover, since the storage elastic modulus at 260 degreeC after heat-hardening at 170 degreeC for 1 hour of the said die-bonding film is 0.05 Mpa or more, the reliability in a moisture-resistant solder reflow test can be made favorable.

이와 같이, 상기 구성에 의하면, 상기 다이본딩 필름이, 열가소성 수지(a)와, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 함유하고, 상기 열경화성 수지(b)가 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상이며, 상기 열경화성 수지(b)의 전체 수지 성분에 대한 함유량이 1중량％ 이상 50중량% 이하이고, 상기 다이본딩 필름의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률이 0.05㎫ 이상이기 때문에, 고온에서 장시간 열처리한 조건에 있어서도, 밀봉 공정 후에 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류되는 것을 억제할 수 있고, 내습 땜납 리플로우 시험에서의 신뢰성을 양호하게 할 수 있고, 또한, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다.As described above, according to the above configuration, the die-bonding film contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity at 25°C of 0.1 to 50 Pa·sec, and the thermosetting resin (b) is an epoxy resin. at least one selected from the group consisting of a resin and a phenol resin, the content of the thermosetting resin (b) relative to the total resin component is 1 wt% or more and 50 wt% or less, and the die-bonding film is cured by heating at 170°C for 1 hour Since the storage elastic modulus at 260 ° C. after drying is 0.05 MPa or more, it is possible to suppress the accumulation of bubbles (voids) at the boundary between the die-bonding film and the adherend after the sealing process, even under the condition of heat treatment at high temperature for a long time, and moisture resistance Reliability in a solder reflow test can be made favorable, and it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of cracks, cracks, and fragments in a film even when it is refrigerated transport and storage.

상기 구성에 있어서, 상기 열가소성 수지(a)가, 관능기 함유 아크릴 공중합체인 것이 바람직하다. 상기 열가소성 수지(a)가, 관능기 함유 아크릴 공중합체이면, 열경화 시에, 이 관능기와, 열경화성 수지(b) 사이에서 가교가 진행된다. 그 결과, 저분자 성분이 가교되는 결과, 내열 땜납 리플로우 시험에서의 신뢰성을 보다 양호하게 할 수 있다.Said structure WHEREIN: It is preferable that the said thermoplastic resin (a) is a functional group containing acrylic copolymer. If the said thermoplastic resin (a) is a functional group containing acrylic copolymer, at the time of thermosetting, bridge|crosslinking advances between this functional group and the thermosetting resin (b). As a result, as a result of crosslinking a low molecular component, the reliability in a heat-resistant solder reflow test can be made more favorable.

상기 구성에 있어서는, 상기 열경화성 수지(b)가, 하기 화학식(1)로 표시되는 열경화성 수지인 것이 바람직하다.In the said structure, it is preferable that the said thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by following formula (1).

Figure 112014069299228-pat00001
(1)
Figure 112014069299228-pat00001
(One)

(단, 식 중, n은 0 내지 10의 정수이며, R1은 각각 독립적으로 알릴기 또는 H를 나타내고, 적어도 하나는 알릴기이며, m은 1 내지 3의 정수임)(Wherein, n is an integer of 0 to 10, R 1 each independently represents an allyl group or H, at least one is an allyl group, and m is an integer of 1 to 3)

상기 열경화성 수지(b)가, 상기 화학식(1)로 표시되는 열경화성 수지이면, 알릴기를 갖기 때문에, 알릴기의 부피 때문에, 열경화 반응의 진행 속도가 억제된다. 그 결과, 수송, 보관시에 경화 반응이 진행되어버리는 것을 억제할 수 있다.If the thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by the general formula (1), it has an allyl group, and therefore the progress rate of the thermosetting reaction is suppressed due to the volume of the allyl group. As a result, it can suppress that hardening reaction advances at the time of transportation and storage.

상기 구성에 있어서, 상기 다이본딩 필름의 5℃에서의 파단 신도가 10％ 이상인 것이 바람직하다. 상기 다이본딩 필름의 5℃에서의 파단 신도가 10％ 이상이면 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 보다 억제하는 것이 가능하게 된다.Said structure WHEREIN: It is preferable that the breaking elongation at 5 degreeC of the said die-bonding film is 10 % or more. When the elongation at break at 5°C of the die-bonding film is 10% or more, it becomes possible to further suppress generation of cracks, cracks, and fragments in the film even when transported and stored in refrigeration.

상기 구성에 있어서, 상기 점착제층이 아크릴산2-에틸헥실을 구성 단위로서 함유하는 아크릴 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 다이본딩 필름이, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 함유하고 있기 때문에, 점착제층과 다이본딩 필름이 과도하게 밀착되어버릴 우려가 있다. 그러나, 상기 점착제층이 아크릴산2-에틸헥실을 구성 단위로서 함유하는 아크릴 폴리머를 포함하고 있으면, 다이본딩 필름으로부터의 박리성을 양호하게 할 수 있다.In the said structure, it is preferable that the said adhesive layer contains the acrylic polymer which contains 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit. In this invention, since a die-bonding film contains the thermosetting resin (b) whose viscosity in 25 degreeC is 0.1-50 Pa.sec, there exists a possibility that an adhesive layer and a die-bonding film may adhere|attach excessively. However, when the said adhesive layer contains the acrylic polymer which contains 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit, the peelability from a die-bonding film can be made favorable.

또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기에 기재된 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름의 다이본딩 필름과 반도체 웨이퍼의 이면을 접합하는 접합 공정과,Furthermore, the manufacturing method of the semiconductor device of this invention includes the bonding process of bonding the die-bonding film of the die-bonding film with a dicing tape and the back surface of a semiconductor wafer as described above;

상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름과 함께 다이싱하여 칩 형상의 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정과,a dicing step of dicing the semiconductor wafer together with the die-bonding film with a dicing tape to form a chip-shaped semiconductor element;

상기 반도체 소자를, 상기 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름으로부터 상기 다이본딩 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정과,a pickup step of picking up the semiconductor element together with the die-bonding film from the die-bonding film with a dicing tape;

상기 다이본딩 필름을 개재하여, 상기 반도체 소자를 피착체 상에 다이본딩하는 다이본딩 공정과,a die bonding process of die bonding the semiconductor device on an adherend via the die bonding film;

상기 반도체 소자에 와이어 본딩을 하는 와이어 본딩 공정과,a wire bonding process of wire bonding to the semiconductor device;

상기 반도체 소자를 밀봉하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.It is characterized by having a process of sealing the said semiconductor element.

상기 구성에 의하면, 상기 다이본딩 필름이, 열가소성 수지(a)와, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 함유하고, 상기 열경화성 수지(b)가 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상이며, 상기 열경화성 수지(b)의 전체 수지 성분에 대한 함유량이 1중량％ 이상 50중량％ 이하이고, 상기 다이본딩 필름의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률이 0.05㎫ 이상이기 때문에, 고온에서 장시간 열처리한 조건에 있어서도, 밀봉 공정 후에 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류되는 것을 억제할 수 있고, 내습 땜납 리플로우 시험에서의 신뢰성을 양호하게 할 수 있고, 또한, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다.According to the above configuration, the die-bonding film contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity at 25°C of 0.1 to 50 Pa·sec, and the thermosetting resin (b) is an epoxy resin and phenol at least one selected from the group consisting of resins, the content of the thermosetting resin (b) relative to the total resin component is 1% by weight or more and 50% by weight or less, and 260 after heat curing of the die-bonding film at 170° C. for 1 hour Since the storage modulus at °C is 0.05 MPa or more, it is possible to suppress the accumulation of air bubbles (voids) at the boundary between the die-bonding film and the adherend after the sealing process, even under the condition of heat treatment at high temperature for a long time, and moisture-resistant solder reflow Reliability in the test can be made favorable, and it becomes possible to suppress generation|occurrence|production of cracks, cracks, and fragments in a film even when it is refrigerated transport and storage.

본 발명의 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름 및 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 고온에서 장시간 열처리한 조건에 있어서도, 밀봉 공정 후에 다이본딩 필름과 피착체의 경계에 기포(보이드)가 저류되는 것을 억제할 수 있고, 내습 땜납 리플로우 시험에서의 신뢰성을 양호하게 할 수 있고, 또한, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다.According to the manufacturing method of the die-bonding film with dicing tape and the semiconductor device of the present invention, even under the condition of heat treatment at high temperature for a long time, it is possible to suppress the accumulation of air bubbles (voids) at the boundary between the die-bonding film and the adherend after the sealing process. It is possible to improve reliability in the moisture resistance solder reflow test, and to suppress the occurrence of cracks, cracks, and fragments in the film even when transported and stored in a refrigerator.

도 1은 본 발명의 실시의 일 형태에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 2는 상기 실시 형태에 따른 다른 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 3은 상기 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름에 있어서의 다이본딩 필름을 개재하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.
도 4는 상기 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름에 있어서의 다이본딩 필름을 개재하여 반도체 칩을 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.
도 5는 상기 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름을 사용하여, 2개의 반도체 칩을 스페이서를 개재하여 다이본딩 필름에 의해 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram which shows the die-bonding film with a dicing tape which concerns on one Embodiment of this invention.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing another die-bonding film with a dicing tape according to the embodiment.
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example in which a semiconductor chip is mounted via a die-bonding film in the die-bonding film with a dicing tape.
Fig. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example in which a semiconductor chip is three-dimensionally mounted via a die-bonding film in the die-bonding film with a dicing tape.
Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example in which two semiconductor chips are three-dimensionally mounted with a die-bonding film via a spacer using the die-bonding film with a dicing tape.

본 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)은, 다이싱 테이프 상에 다이본딩 필름(3)이 적층된 구조이다(도 1 참조). 상기 다이싱 테이프는, 기재(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 구조이다. 다이본딩 필름(3)은 다이싱 테이프의 점착제층(2) 상에 적층되어 있다.The die-bonding film 10 with a dicing tape which concerns on this embodiment has the structure in which the die-bonding film 3 was laminated|stacked on the dicing tape (refer FIG. 1). The said dicing tape has the structure in which the adhesive layer 2 was laminated|stacked on the base material 1. The die-bonding film 3 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing tape.

<다이본딩 필름><Die bonding film>

다이본딩 필름(3)은, 열가 소성 수지(a)와, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 함유한다. 다이본딩 필름(3)의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률은, 0.05㎫ 이상이며, 0.07㎫ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 다이본딩 필름(3)의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 2000㎫ 이하이다. 다이본딩 필름(3)의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률은, 0.05㎫ 이상이기 때문에, 내습 땜납 리플로우 시험에서의 신뢰성을 양호하게 할 수 있다.The die-bonding film 3 contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity of 0.1 to 50 Pa·sec at 25°C. The storage elastic modulus in 260 degreeC after heat-hardening at 170 degreeC of the die-bonding film 3 for 1 hour is 0.05 Mpa or more, and it is preferable that it is 0.07 Mpa or more. Moreover, the storage elastic modulus in particular in 260 degreeC after heat-hardening at 170 degreeC of the die-bonding film 3 for 1 hour is although it does not restrict|limit, For example, it is 2000 Mpa or less. Since the storage elastic modulus at 260 degreeC after heat-hardening at 170 degreeC of the die-bonding film 3 for 1 hour is 0.05 Mpa or more, the reliability in a moisture-resistant solder reflow test can be made favorable.

(열가소성 수지(a))(Thermoplastic resin (a))

상기 열가소성 수지(a)로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 관능기 함유 아크릴 공중합체, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이 열가소성 수지 중, 관능기 함유 아크릴 공중합체가 특히 바람직하다. 열경화 시에, 이 관능기와, 열경화성 수지(b) 사이에서 가교가 진행된다. 그 결과, 저분자 성분이 가교되는 결과, 내열 땜납 리플로우 시험에서의 신뢰성을 양호하게 할 수 있다.Examples of the thermoplastic resin (a) include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, functional group-containing acrylic copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, Polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET or PBT, polyamideimide resin, or fluorine resin etc. are mentioned. These thermoplastic resins can be used individually or in combination of 2 or more types. Among these thermoplastic resins, a functional group-containing acrylic copolymer is particularly preferable. During thermosetting, crosslinking proceeds between this functional group and the thermosetting resin (b). As a result, as a result of crosslinking a low molecular component, the reliability in a heat-resistant solder reflow test can be made favorable.

상기 관능기 함유 아크릴 공중합체로서는, 관능기를 갖는 아크릴 공중합체이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 관능기로서는, 글리시딜기, 카르복실기, 히드록실기 등을 들 수 있다. 관능기 함유 아크릴 공중합체에의 상기 관능기의 도입 방법은 특별히 한정되지 않고, 관능기 함유 모노머와 다른 모노머 성분의 공중합에 의해 도입해도 되고, 아크릴계 모노머의 공중합체를 제조한 후에 이 공중합체와 상기 관능기를 갖는 화합물을 반응시켜서 도입해도 된다. 관능기 함유 아크릴 공중합체의 제조 용이성 등을 고려하면, 관능기 함유 모노머와 다른 모노머의 공중합에 의한 도입이 바람직하다. 관능기 함유 모노머로서는, 상기 관능기를 갖고, 또한 공중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머를 적절하게 사용할 수 있지만, 예를 들어 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴산, 히드록시에틸아크릴레이트 등을 들 수 있다. 관능기 함유 아크릴 공중합체에 있어서의 관능기 함유 모노머의 함유량으로서는, 목적으로 하는 관능기 함유 아크릴 공중합체의 유리 전이점(Tg) 등을 고려하여 정하면 된다.As said functional group containing acrylic copolymer, if it is an acrylic copolymer which has a functional group, it will not specifically limit. As said functional group, a glycidyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, etc. are mentioned. The method for introducing the functional group into the functional group-containing acrylic copolymer is not particularly limited, and may be introduced by copolymerization of a functional group-containing monomer with another monomer component, or after the copolymer of the acrylic monomer is prepared, the copolymer and the functional group having You may introduce|transduce a compound by making it react. In consideration of the easiness of production of the functional group-containing acrylic copolymer and the like, introduction by copolymerization of the functional group-containing monomer with another monomer is preferable. As a functional group-containing monomer, although the monomer which has the said functional group and has a copolymerizable ethylenically unsaturated bond can be used suitably, For example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, acrylic acid, hydroxyethyl acrylate and the like. The content of the functional group-containing monomer in the functional group-containing acrylic copolymer may be determined in consideration of the target glass transition point (Tg) or the like of the functional group-containing acrylic copolymer.

상기 관능기 함유 아크릴 공중합체를 구성하는 다른 모노머로서는, 예를 들어 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 프로필아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 펜틸아크릴레이트, 헥실아크릴레이트 등의 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 펜틸아크릴레이트, 헥실아크릴레이트 등의 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬메타크릴레이트, 아크릴로니트릴, 스티렌, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산4-히드록시부틸, (메타)아크릴산6-히드록시헥실, (메타)아크릴산8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산10-히드록시데실, (메타)아크릴산12-히드록시라우릴 또는(4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트 또는 (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들의 다른 모노머는 1종류 또는 2종류 이상 조합하여 사용해도 된다. 상기 다른 모노머 중에서도, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 아크릴로니트릴, 중 적어도 1종류를 포함하는 것이 바람직하다. 혼합 비율은, 공중합체의 유리 전이점(Tg) 등을 고려하여 조정하는 것이 바람직하다.Examples of the other monomer constituting the functional group-containing acrylic copolymer include alkyl having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, pentyl acrylate, and hexyl acrylate. Alkyl methacrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, pentyl acrylate, hexyl acrylate, acrylonitrile, styrene , carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid, acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 6-hydroxyhexyl, (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl, (meth)acrylic acid Hydroxyl group-containing monomers such as 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl)-methyl acrylate, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acryl Sulfonic acid group-containing monomers such as amide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate or (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, or 2-hydroxyethylacryloylphosphate and phosphoric acid group-containing monomers such as the like. You may use these other monomers 1 type or in combination of 2 or more types. It is preferable to contain at least 1 sort(s) of ethyl acrylate, ethyl methacrylate, a butyl acrylate, a butyl methacrylate, and an acrylonitrile among said other monomers. The mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the glass transition point (Tg) of the copolymer.

상기 관능기 함유 아크릴 공중합체의 유리 전이점(Tg)은, 다이본딩 필름과 실리콘 웨이퍼 사이의 적당한 접착성이 얻어지는 한 특별히 한정되지 않지만, -30℃ 이상 40℃ 이하가 바람직하고, -20℃ 이상 30℃ 이하가 보다 바람직하다. 유리 전이점이 -30℃ 미만이면, 상기 관능기 함유 아크릴 공중합체에 상온에서 점착성이 발생해버려, 핸들링하기 어려워지는 경우가 있다. 한편, 유리 전이점이 40℃를 초과하면, 실리콘 웨이퍼에의 접착력이 저하될 우려가 있다.The glass transition point (Tg) of the functional group-containing acrylic copolymer is not particularly limited as long as suitable adhesion between the die-bonding film and the silicon wafer is obtained, but -30°C or more and 40°C or less are preferable, and -20°C or more 30 C or less is more preferable. When a glass transition point is less than -30 degreeC, adhesiveness may generate|occur|produce in the said functional group containing acrylic copolymer at normal temperature, and it may become difficult to handle. On the other hand, when a glass transition point exceeds 40 degreeC, there exists a possibility that the adhesive force to a silicon wafer may fall.

(열경화성 수지(b))(thermosetting resin (b))

상기 열경화성 수지(b)는, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec이며, 0.5 내지 40Pa·sec인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 열경화성 수지(b)의 전체 수지 성분(다이본딩 필름의 전체 수지 성분)에 대한 함유량은, 1중량％ 이상 50중량％ 이하이고, 1중량％ 이상 40중량％ 이하인 것이 바람직하다. 다이본딩 필름(3)이, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 전체 수지 성분에 대하여 1중량％ 이상 함유하기 때문에, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다. 한편, 상기 열경화성 수지(b)를 전체 수지 성분에 대하여 50중량％ 이하 함유하기 때문에, 과도한 점착성을 억제할 수 있어, 픽업성을 양호하게 할 수 있다.The thermosetting resin (b) has a viscosity at 25°C of 0.1 to 50 Pa·sec, more preferably 0.5 to 40 Pa·sec. Further, the content of the thermosetting resin (b) with respect to all the resin components (total resin components of the die-bonding film) is 1% by weight or more and 50% by weight or less, and preferably 1% by weight or more and 40% by weight or less. Since the die-bonding film (3) contains 1 wt% or more of the thermosetting resin (b) having a viscosity at 25°C of 0.1 to 50 Pa·sec based on the total resin component, cracks and cracks in the film even when transported and stored in a refrigerator , it becomes possible to suppress the occurrence of fragments. On the other hand, in order to contain 50 weight% or less of the said thermosetting resin (b) with respect to all the resin components, excessive adhesiveness can be suppressed and pick-up property can be made favorable.

상기 열경화성 수지(b)는, 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상이며, 상기 열가소성 수지(a), 특히, 상기 관능기 함유 아크릴 공중합체의 경화제로서 작용하는 것이 바람직하다.The thermosetting resin (b) is at least one selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin, and preferably acts as a curing agent for the thermoplastic resin (a), in particular, the functional group-containing acrylic copolymer.

상기 열경화성 수지(b)로서는, 예를 들어 액상 페놀노볼락 수지, 액상에폭시 수지, 액상 이소시아네이트 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 액상 페놀 수지, 액상에폭시 수지가 바람직하고, 액상 페놀 수지가 특히 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 또한, 액상이란, 25℃에서의 점도가 상기 범위 내에 있는 것을 말한다.As said thermosetting resin (b), a liquid phenol novolak resin, a liquid epoxy resin, liquid isocyanate resin etc. are mentioned, for example, Among these, a liquid phenol resin and a liquid epoxy resin are preferable, and a liquid phenol resin is especially preferable. Do. These can be used individually or in combination of 2 or more types. In addition, the liquid phase means that the viscosity in 25 degreeC exists in the said range.

상기 열경화성 수지(b) 중에서도, 하기 화학식(1)로 표시되는 열경화성 수지가 바람직하다.Among the thermosetting resins (b), a thermosetting resin represented by the following general formula (1) is preferable.

Figure 112014069299228-pat00002
(1)
Figure 112014069299228-pat00002
(One)

(단, 식 중, n은 0 내지 10의 정수이며, R1은 각각 독립적으로 알릴기 또는 H를 나타내고, 적어도 하나는 알릴기이며, m은 1 내지 3의 정수임)(Wherein, n is an integer of 0 to 10, R 1 each independently represents an allyl group or H, at least one is an allyl group, and m is an integer of 1 to 3)

상기 R1에 있어서의 알릴기의 수와 H의 수의 비율은, 적절하게 점도를 원하는 범위로 할 수 있다는 관점에서, (알릴기의 수): (H의 수)로 나타내면, 1:3인 것이 바람직하다.The ratio of the number of allyl groups to the number of H in R 1 is 1:3 when expressed as (number of allyl groups): (number of H) from the viewpoint that the viscosity can be appropriately set within a desired range. it is preferable

또한, 상기 열경화성 수지(b)의 중량 평균 분자량은, 100 이상 5000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 200 이상 3000 이하이다. 상기 열경화성 수지(b)의 중량 평균 분자량을 100 이상 5000 이하로 함으로써, 다른 재료와 상용성 좋게 분산할 수 있다. 또한, 다이싱 테이프에의 이행을 방지할 수 있다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC(겔·투과·크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값을 말한다.Moreover, it is preferable that the weight average molecular weights of the said thermosetting resin (b) are 100 or more and 5000 or less, More preferably, they are 200 or more and 3000 or less. By making the weight average molecular weight of the said thermosetting resin (b) into 100 or more and 5000 or less, compatibility with another material can be good and can be disperse|distributed. Moreover, transfer to a dicing tape can be prevented. In addition, a weight average molecular weight is measured by GPC (gel permeation chromatography), and says the value computed by polystyrene conversion.

상기 열경화성 수지(b)가, 상기 화학식(1)로 표시되는 열경화성 수지이면, 알릴기를 갖기 때문에, 알릴기의 부피 때문에, 열경화 반응의 진행 속도가 억제된다. 그 결과, 다이본딩 필름(3)의 수송, 보관시에 경화 반응이 진행되어버리는 것을 억제할 수 있다.If the thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by the general formula (1), it has an allyl group, and therefore the progress rate of the thermosetting reaction is suppressed due to the volume of the allyl group. As a result, it can suppress that hardening reaction advances at the time of transport and storage of the die-bonding film 3 .

상기 열경화성 수지(b)의 구체적인 제품으로서는, 메이와 가세이사제의 MEH-8000-4L, MEH-8000H, MEH-8015, MEH-8005, 군에이 가가꾸 고교사제의 XPL-4437E 등을 들 수 있다.Specific examples of the thermosetting resin (b) include MEH-8000-4L, MEH-8000H, MEH-8015, MEH-8005 manufactured by Meiwa Chemical Co., Ltd., and XPL-4437E manufactured by Gunei Chemical Industries, Ltd. .

다이본딩 필름(3)에는, 필요에 따라 무기 충전제, 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 상기 무기 충전제(무기 필러)로서는 예를 들어, 실리카, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 질화알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 알루미나, 산화아연, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 열전도성 향상의 관점에서는, 산화 알루미늄, 질화알루미늄, 알루미나, 산화아연, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정질성 실리카 등이 바람직하다. 상기 무기 충전제의 배합량은, 수지 성분 100중량부에 대하여 0 내지 95중량부로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 0 내지 90중량부이다. 다이본딩 필름(3)에 무기 충전제가 포함되어 있으면, 흡습성을 컨트롤할 수 있다.In the die-bonding film 3, an inorganic filler and an additive can be mix|blended suitably as needed. Examples of the inorganic filler (inorganic filler) include silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, alumina, zinc oxide, and boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica. These can be used individually or in combination of 2 or more types. Among them, aluminum oxide, aluminum nitride, alumina, zinc oxide, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable from the viewpoint of improving thermal conductivity. It is preferable to set the compounding quantity of the said inorganic filler to 0 to 95 weight part with respect to 100 weight part of resin components. Particularly preferably, it is 0 to 90 parts by weight. When the die-bonding film 3 contains an inorganic filler, hygroscopicity can be controlled.

상기 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 염료, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다.As said additive, a flame retardant, dye, a silane coupling agent, an ion trap agent, etc. are mentioned, for example. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin. These can be used individually or in combination of 2 or more types. Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. can These compounds can be used individually or in combination of 2 or more types. As said ion trap agent, hydrotalcites, bismuth hydroxide, etc. are mentioned, for example. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

다이본딩 필름(3)의 5℃에서의 파단 신도는, 10％ 이상인 것이 바람직하고, 15％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 다이본딩 필름(3)의 5℃에서의 파단 신도가 10％ 이상이면, 냉장 수송, 보관했을 때에도 필름에 금, 깨짐, 파편이 발생하는 것을 보다 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 다이본딩 필름(3)의 5℃에서의 파단 신도는, 핸들링의 관점에서, 1500％ 이하인 것이 바람직하고, 1000％ 이하인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 10 % or more, and, as for the breaking elongation in 5 degreeC of the die-bonding film 3, it is more preferable that it is 15 % or more. When the breaking elongation at 5 degreeC of the die-bonding film 3 is 10 % or more, even when it transports and stores refrigerated, it becomes possible to suppress more that a crack, a crack, and a fragment generate|occur|produce in a film. Moreover, from a handling viewpoint, it is preferable that it is 1500 % or less, and, as for the breaking elongation at 5 degreeC of the said die-bonding film 3, it is more preferable that it is 1000 % or less.

또한, 다이본딩 필름(3)의 5℃의 파단 신도와 25℃의 파단 신도의 차가 1000％ 미만인 것이 바람직하고, 800％ 미만인 것이 보다 바람직하다. 상기 파단 신도의 차가 상기 수치 범위 내이면, 온도 변화에 의한 다이본딩 필름의 주름을 억제할 수 있다.Moreover, it is preferable that the difference between the breaking elongation at 5 degreeC and the breaking elongation at 25 degreeC of the die-bonding film 3 is less than 1000 %, and it is more preferable that it is less than 800 %. When the difference in the elongation at break is within the above numerical range, wrinkles of the die-bonding film due to temperature change can be suppressed.

또한, 다이본딩 필름의 5℃의 파단 신도 및 25℃의 파단 신도의 측정은, 실시예에 기재된 방법에 의한다.In addition, the measurement of the elongation at break at 5 degreeC and the elongation at break of 25 degreeC of a die-bonding film is based on the method as described in an Example.

다이본딩 필름(3)의 두께(적층체의 경우에는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 3 내지 200㎛ 정도, 바람직하게는 5 내지 150㎛ 정도이다.Although the thickness (total thickness in the case of a laminated body) of the die-bonding film 3 is not specifically limited, For example, it is about 3-200 micrometers, Preferably it is about 5-150 micrometers.

또한, 다이본딩 필름(3)은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용에 제공될 때까지 다이본딩 필름을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 또한, 다이싱 테이프에 다이본딩 필름(3, 3')을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이본딩 필름 상에 워크를 부착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.In addition, it is preferable that the die-bonding film 3 is protected by the separator (not shown). A separator has a function as a protective material which protects a die-bonding film until it is put to practical use. In addition, the separator can be further used as a support base material at the time of transcribe|transferring the die-bonding films 3 and 3' to a dicing tape. The separator is peeled off when attaching a work to the die-bonding film. As the separator, a plastic film or paper surface coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can also be used.

또한, 본 발명에 따른 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름으로서는, 도 1에 도시하는 다이본딩 필름(3) 이외에, 도 2에 도시하는 바와 같이 반도체 웨이퍼 부착 부분에만 다이본딩 필름(3')을 적층한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(11)의 구성이어도 된다.Further, as the die bonding film with a dicing tape according to the present invention, in addition to the die bonding film 3 shown in Fig. 1, as shown in Fig. 2, a die bonding film 3' is laminated only on the semiconductor wafer attachment portion. The structure of the die-bonding film 11 with a dicing tape may be sufficient.

<다이싱 테이프><Dicing Tape>

다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10, 11)을 구성하는 다이싱 테이프는, 기재(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 구조이다. 이하, 기재 및 점착제층 순으로 설명한다.The dicing tape which comprises the die-bonding film 10 and 11 with a dicing tape has the structure in which the adhesive layer 2 was laminated|stacked on the base material 1 . Hereinafter, the base material and the pressure-sensitive adhesive layer will be described in order.

(기재)(materials)

상기 기재(1)는 자외선 투과성을 갖는 것을 사용할 수 있고, 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10, 11)의 강도 모체로 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.As the base material 1, one having ultraviolet permeability can be used, and it becomes the strength matrix of the die-bonding films 10 and 11 with a dicing tape. For example, polyolefins such as low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homo polypropylene, polybutene, and polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate Copolymer, ionomer resin, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, polyurethane, polyethylene terephthalate, Polyester, such as polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyether ether ketone, polyimide, polyether imide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenyl sulfide, aramid (paper), glass, glass fiber , fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like.

또한 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 폴리머를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이본딩 필름(3, 3')의 접착 면적을 저하시켜서, 반도체 칩(반도체 소자)의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.Moreover, as a material of the base material 1, polymers, such as a crosslinked body of the said resin, are mentioned. The said plastic film may be used by non-stretching, and may use what gave the uniaxial or biaxial extending|stretching process as needed. According to the resin sheet imparted with heat shrinkability by stretching treatment or the like, by heat shrinking the base material 1 after dicing, the adhesion area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bonding films 3 and 3' is reduced, and the semiconductor chip (semiconductor) element) can be easily recovered.

기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 보유성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. 상기 기재(1)는 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 몇종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다.The surface of the base material 1 is subjected to a conventional surface treatment, for example, chemical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, or ionizing radiation treatment, in order to increase adhesion to an adjacent layer, retainability, and the like. Physical treatment or coating treatment with a primer (eg, an adhesive material to be described later) may be performed. The substrate 1 may be used by appropriately selecting the same type or different types, and a mixture of several types may be used as needed.

기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.Although the thickness in particular of the base material 1 is not restrict|limited and it can determine suitably, Generally, it is about 5-200 micrometers.

점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 점착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.It does not restrict|limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 2, For example, general pressure-sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber-type adhesive, can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol for electronic components that do not like contamination of semiconductor wafers and glass.

상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소 수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메타)아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종류 또는 2종류 이상을 모노머 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴산2-에틸헥실을 구성 단위로서 함유하는 것이 바람직하다. 점착제층(2)이 아크릴산2-에틸헥실을 구성 단위로서 함유하는 아크릴 폴리머를 포함하고 있으면, 다이본딩 필름(3)으로부터의 박리성을 양호하게 할 수 있다. 또한, (메타)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메타)와는 모두 마찬가지의 의미이다.As said acrylic polymer, for example, (meth)acrylic acid alkylester (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester) Ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester , hexadecyl ester, octadecyl ester, eicosyl ester, etc. of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, particularly a linear or branched chain alkyl ester having 4 to 18 carbon atoms) and (meth)acrylic acid cycloalkyl ester (for example, , cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.), an acrylic polymer using one or two or more of them as a monomer component; and the like. Especially, it is preferable to contain 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit. When the adhesive layer 2 contains the acrylic polymer containing 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit, the peelability from the die-bonding film 3 can be made favorable. In addition, (meth)acrylic acid ester means an acrylic acid ester and/or a methacrylic acid ester, and all have the same meaning as (meth) of this invention.

상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메타)아크릴산 알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메타)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메타)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산4-히드록시부틸, (메타)아크릴산6-히드록시헥실, (메타)아크릴산8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산10-히드록시데실, (메타)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실) 메틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종류 또는 2종류 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 모노머 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.The said acrylic polymer may contain the unit corresponding to the other monomer component copolymerizable with the said (meth)acrylic-acid alkylester or cycloalkyl ester as needed for the purpose of modification, such as cohesion force and heat resistance. Examples of such a monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 6-hydroxyhexyl, (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl; hydroxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl, and (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate; Containing sulfonic acid groups such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, and (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid monomer; phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, etc. are mentioned. One type or two or more types of these copolymerizable monomer components can be used. As for the usage-amount of these copolymerizable monomers, 40 weight% or less of all the monomer components is preferable.

또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해서, 다관능성 모노머 등도, 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올디(메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이 다관능성 모노머도 1종류 또는 2종류 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.In addition, in order to crosslink the said acrylic polymer, a polyfunctional monomer etc. may be included as a monomer component for copolymerization as needed. As such a polyfunctional monomer, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) Acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate , polyester (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, and the like. One type or two or more types of this polyfunctional monomer can also be used. As for the usage-amount of a polyfunctional monomer, from points, such as an adhesive characteristic, 30 weight% or less of all the monomer components is preferable.

상기 아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2종류 이상의 모노머 혼합물을 중합에 부여함으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떠한 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. Polymerization can also be performed by any method, such as solution polymerization, emulsion polymerization, block polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, it is preferable that the content of the low-molecular-weight substance is small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가서는, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 5중량부 정도 이하, 또한 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.In addition, in order to raise the number average molecular weight of the acrylic polymer etc. which are a base polymer to the said adhesive, an external crosslinking agent may be employ|adopted suitably. As a specific means of an external crosslinking method, the method of adding and reacting so-called crosslinking agents, such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine type crosslinking agent, is mentioned. When using an external crosslinking agent, the usage-amount is suitably determined according to the use use as an adhesive by the balance with the base polymer to be bridge|crosslinked by extension. Generally, it is preferable to mix|blend about 5 weight part or less, and 0.1 to 5 weight part with respect to 100 weight part of said base polymers. In addition, you may use additives, such as a conventionally well-known various tackifiers and antioxidant, other than the said component as needed for an adhesive.

점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있고, 도 2에 도시하는 점착제층(2)의 워크 부착 부분에 대응하는 부분(2a)만을 방사선 조사함으로써 다른 부분(2b)과의 점착력의 차를 설정할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive. The radiation-curing pressure-sensitive adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays to easily lower its adhesive strength, and only the portion 2a corresponding to the work-attached portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. 2 is radiation-cured. By irradiating it, the difference in adhesive force with the other part 2b can be set.

또한, 도 2에 도시하는 다이본딩 필름(3')에 맞춰서 방사선 경화형 점착제층(2)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 상기 부분(2a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하고, 점착력이 저하된 상기 부분(2a)에 다이본딩 필름(3')이 부착되기 때문에, 점착제층(2)의 상기 부분(2a)과 다이본딩 필름(3')의 계면은, 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하고 있지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 상기 부분(2b)을 형성한다.In addition, by curing the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 2 according to the die-bonding film 3' shown in Fig. 2, the portion 2a in which the adhesive force is remarkably reduced can be easily formed. Since the die-bonding film 3' is attached to the portion 2a having reduced adhesive strength after curing, the interface between the portion 2a and the die-bonding film 3' of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is at the time of pickup. It has the property of being easily peeled off. On the other hand, the portion not irradiated with radiation has sufficient adhesive strength and forms the portion 2b.

전술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)은 다이본딩 필름(3)과 점착하고, 다이싱할 때의 보유 지지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 방사선 경화형 점착제는, 칩 형상 워크(반도체 칩 등)를 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 다이본딩 필름(3)을 접착·박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(11)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2b)이 웨이퍼링을 고정할 수 있다.As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the die-bonding film 10 with a dicing tape shown in FIG. 1 , the portion 2b formed of an uncured radiation-curing pressure-sensitive adhesive is a die-bonding film ( It adheres to 3), and the holding force at the time of dicing can be ensured. In this way, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can support the die-bonding film 3 for fixing a chip-shaped work (semiconductor chip, etc.) to an adherend such as a substrate with a good balance between adhesion and peeling. In the adhesive layer 2 of the die-bonding film 11 with a dicing tape shown in FIG. 2, the said part 2b can fix a wafer ring.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.A radiation-curable pressure-sensitive adhesive having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without any particular limitation. Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include an additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure-sensitive adhesive such as the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive or rubber-based pressure-sensitive adhesive.

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을, 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.Examples of the radiation-curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth) Acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, etc. can be heard In addition, the radiation-curable oligomer component includes various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and the molecular weight is suitably in the range of about 100 to 30000. The compounding quantity of a radiation curable monomer component and an oligomer component can determine suitably the quantity which can reduce the adhesive force of an adhesive layer according to the kind of the said adhesive layer. Generally, it is 5-500 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive, Preferably it is about 40-150 weight part.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착 제재 중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.Further, as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive described above, an internal type radiation-curable pressure-sensitive adhesive using a base polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain, in the main chain, or at the end of the main chain can be mentioned. The built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain, or contains most of the oligomer component, which is a low-molecular component, so that the oligomer component does not move in the pressure-sensitive adhesive over time, and the pressure-sensitive adhesive layer with a stable layer structure It is preferable because it can form

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.As the base polymer having a carbon-carbon double bond, a base polymer having a carbon-carbon double bond and adhesiveness may be used without particular limitation. As such a base polymer, it is preferable to use an acrylic polymer as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

상기 아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리 아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 상태로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method of introducing a carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be employed. However, introducing the carbon-carbon double bond into the polymer side chain is easy for molecular design. For example, after copolymerizing a monomer having a functional group with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with this functional group and a carbon-carbon double bond is condensed while maintaining the radiation curability of the carbon-carbon double bond. Or the method of making an addition reaction is mentioned.

이들 관능기의 조합예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시의 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable because of the easiness of tracking the reaction. In addition, if the combination of these functional groups produces the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond, the functional group may be on either the acrylic polymer or the compound. In the above preferred combination, the acrylic polymer is a hydroxyl group. It has a practical group, and the case where the said compound has an isocyanate group is suitable. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. have. Moreover, as an acryl-type polymer, what copolymerized the ether type compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, etc. with the hydroxyl-group containing monomer of the said illustration is used.

상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.In the built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer having a carbon-carbon double bond (especially an acrylic polymer) may be used alone, but the radiation-curable monomer component or oligomer component may be blended to such an extent that the properties are not deteriorated. have. The radiation curable oligomer component is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조 페논계 화합물 티오크산톤, 2-클로로 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α′-dimethylacetophenone, and 2-methyl-2- α-ketol compounds such as hydroxypropiophenone and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2-morpholinopropane acetophenone-based compounds such as -1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyldimethyl ketal Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; Photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime Benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, etc. Phenone compounds thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-di thioxanthone-based compounds such as ethyl thioxanthone and 2,4-diisopropyl thioxanthone; camphorquinone; halogenated ketones; acylphosphine oxide; Acyl phosphonate, etc. are mentioned. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part, for example with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive.

또한 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소화 60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐화합물, 유기 황화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.Further, as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds, a photopolymerizable compound such as an alkoxysilane having an epoxy group, and a carbonyl compound disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-196956 A and a rubber-based pressure-sensitive adhesive or an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, or an onium salt-based compound.

점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 점착제층(2)에 있어서의 상기 부분(2a)의 점착력<그밖의 부분(2b)의 점착력으로 되도록 점착제층(2)의 일부를 방사선 조사해도 된다.When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is removed such that the adhesive force of the portion 2a in the pressure-sensitive adhesive layer 2 < the adhesive force of the other portions 2b. You may be irradiated with radiation.

상기 점착제층(2)에 상기 부분(2a)을 형성하는 방법으로서는, 지지 기재(1)에 방사선 경화형 점착제층(2)을 형성한 후, 상기 부분(2a)에 부분적으로 방사선을 조사하여 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는, 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 개재하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형 점착제층(2)의 형성은, 세퍼레이터 상에 설치한 것을 지지 기재(1) 상에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터 상에 설치한 방사선 경화형 점착제층(2)에 행할 수도 있다.As a method of forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the support substrate 1, and then the portion 2a is partially irradiated with radiation to cure it. method can be found. Partial irradiation with radiation can be performed through a photomask in which a pattern corresponding to a portion 3b or the like other than the work attachment portion 3a is formed. Moreover, the method etc. which irradiate and harden|cure an ultraviolet-ray spotwise are mentioned. Formation of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be performed by transferring what was provided on the separator onto the support base 1 . Partial radiation curing can also be performed on the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

또한, 점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 지지 기재(1)의 적어도 편면의, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하고, 이것에 방사선 경화형 점착제층(2)을 형성한 후에 방사선 조사하고, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이러한 제조 방법에 의하면, 효율적으로 본 발명의 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)을 제조 가능하다.In addition, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, at least one side of the supporting substrate 1 , except for the portion corresponding to the work attachment portion 3a, all or part of which is shielded from light. Then, after forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 thereon, it is irradiated with radiation to cure the portion corresponding to the work-attached portion 3a to form the portion 2a in which the adhesive force is reduced. As a light-shielding material, what can become a photomask on a support film can be produced by printing, vapor deposition, etc. According to such a manufacturing method, the die-bonding film 10 with a dicing tape of this invention can be manufactured efficiently.

또한, 방사선 조사 시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 방사선 경화형 점착제층(2)의 표면으로부터 어떠한 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.In addition, when curing inhibition by oxygen occurs during irradiation with radiation, it is preferable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 by some method. For example, the method of coat|covering the surface of the said adhesive layer 2 with a separator, the method of irradiating radiations, such as an ultraviolet-ray, in nitrogen gas atmosphere, etc. are mentioned.

점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 보유의 양립성 등의 점에서는, 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 또한 5 내지 25㎛가 바람직하다.Although the thickness of the adhesive layer 2 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-50 micrometers from points, such as compatibility of notch prevention of a chip|tip cut surface, and fixed holding of an adhesive layer. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers are preferable.

<다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름의 제조 방법><Method for producing die bonding film with dicing tape>

본 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10, 11)은, 예를 들어 다이싱 테이프 및 다이본딩 필름을 따로따로 제작해 두고, 마지막으로 이들을 접합함으로써 제작할 수 있다. 구체적으로는, 이하와 같은 수순에 따라서 제작할 수 있다.The die-bonding films 10 and 11 with a dicing tape according to the present embodiment can be produced, for example, by separately preparing a dicing tape and a die-bonding film, and finally bonding them together. Specifically, it can be produced according to the following procedures.

우선, 기재(1)는, 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.First, the base material 1 can be formed into a film by a conventionally well-known film forming method. Examples of the film forming method include a calender film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, and a dry lamination method.

이어서, 점착제층 형성용 점착제 조성물을 제조한다. 점착제 조성물에는, 점착제층의 항에서 설명한 바와 같은 수지나 첨가물 등이 배합되어 있다. 제조한 점착제 조성물을 기재(1) 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 해당 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층(2)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 점착제층(2)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(1) 상에 점착제층(2)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 기재(1) 및 점착제층(2)을 구비하는 다이싱 테이프가 제작된다. 또한, 다이싱 테이프로서는, 적어도 기재 및 점착제층을 구비하고 있으면 되고, 세퍼레이터 등의 다른 요소를 갖고 있는 경우도 다이싱 테이프라고 한다.Next, a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer is prepared. The adhesive composition is mix|blended with resin, an additive, etc. which were demonstrated in the term of an adhesive layer. After the prepared pressure-sensitive adhesive composition is applied on the substrate 1 to form a coating film, the coating film is dried under predetermined conditions (heat cross-linked if necessary) to form the pressure-sensitive adhesive layer 2 . It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. In addition, as drying conditions, it is carried out within the range of a drying temperature of 80-150 degreeC, and drying time of 0.5 to 5 minutes, for example. Moreover, after apply|coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, you may dry a coating film on the said drying conditions and form the adhesive layer 2 . Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is bonded together with a separator on the substrate 1 . Thereby, the dicing tape provided with the base material 1 and the adhesive layer 2 is produced. In addition, as a dicing tape, what is necessary is just to be equipped with at least a base material and an adhesive layer, and when it has other elements, such as a separator, it is also called a dicing tape.

다이본딩 필름(3, 3')은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제작된다. 우선, 다이본딩 필름(3, 3')의 형성 재료인 접착제 조성물을 제작한다. 당해 접착제 조성물에는, 다이본딩 필름의 항에서 설명한 바와 같이, 열가소성 수지(a)나, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b), 각종 첨가제 등이 배합되어 있다.The die-bonding films 3 and 3' are produced as follows, for example. First, an adhesive composition, which is a material for forming the die-bonding films 3 and 3', is prepared. In the adhesive composition, as described in the section of the die-bonding film, a thermoplastic resin (a), a thermosetting resin (b) having a viscosity at 25°C of 0.1 to 50 Pa·sec, various additives, and the like are blended.

이어서, 제조한 접착제 조성물을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께로 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 해당 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜, 접착제층을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 접착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 접착제층을 형성해도 된다. 그 후, 기재 세퍼레이터 상에 접착제층을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 또한, 본 발명에는, 다이본딩 필름이 접착제층 단독으로 형성되어 있는 경우뿐만 아니라, 접착제층과 세퍼레이터 등의 다른 요소로 형성되어 있는 경우도 포함된다.Next, the prepared adhesive composition is applied to a predetermined thickness on a substrate separator to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions to form an adhesive layer. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. In addition, as drying conditions, it carries out within the range of 70-160 degreeC drying temperature, and 1 to 5 minutes of drying time, for example. Moreover, after apply|coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, you may dry a coating film on the said drying conditions, and may form an adhesive bond layer. Then, the adhesive bond layer is bonded together with a separator on a base material separator. Further, the present invention includes not only the case in which the die-bonding film is formed by the adhesive layer alone, but also the case in which the die-bonding film is formed by other elements such as an adhesive layer and a separator.

계속해서, 다이본딩 필름(3, 3') 및 다이싱 테이프로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 접착제층과 점착제층이 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 35 내지 45℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝가 바람직하고, 1 내지 10kgf/㎝가 보다 바람직하다. 이어서, 접착제층 상의 기재 세퍼레이터를 박리하고, 본 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름이 얻어진다.Then, a separator is peeled from each of the die-bonding films 3 and 3' and a dicing tape, an adhesive bond layer and an adhesive layer are made to become a bonding surface, and both are bonded together. Bonding can be performed, for example by crimping|compression-bonding. At this time, the lamination temperature is not specifically limited, For example, 30-50 degreeC is preferable and 35-45 degreeC is more preferable. Moreover, the linear pressure is not specifically limited, For example, 0.1-20 kgf/cm is preferable and 1-10 kgf/cm is more preferable. Next, the base material separator on the adhesive bond layer is peeled, and the die-bonding film with a dicing tape which concerns on this embodiment is obtained.

<반도체 장치의 제조 방법><Method for manufacturing semiconductor device>

이어서, 본 실시 형태에 따른 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해서, 이하에 설명한다.Next, the manufacturing method of the semiconductor device using the die-bonding film 10 with a dicing tape which concerns on this embodiment is demonstrated below.

우선, 도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)에 있어서의 접착제층(3)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 보유시켜서 고정한다(접합 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.First, as shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 4 is crimped|bonded on the semiconductor wafer attachment part 3a of the adhesive bond layer 3 in the die-bonding film 10 with a dicing tape, and this is adhesively held. and fix it (joining process). This process is performed, pressurizing with pressure means, such as a crimping|compression-bonding roll.

이어서, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(5)을 제조한다(다이싱 공정). 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(4)의 회로면 측에서 통상법에 따라 행하여진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)까지 절입을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.Next, the semiconductor wafer 4 is diced. Thereby, the semiconductor wafer 4 is cut|disconnected to a predetermined size, it is divided into pieces, and the semiconductor chip 5 is manufactured (dicing process). Dicing is performed according to a conventional method, for example, on the circuit surface side of the semiconductor wafer 4 . In addition, at this process, the cutting method etc. called full cut which cut to the die-bonding film 10 with a dicing tape, etc. are employable, for example. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used. Moreover, since a semiconductor wafer is adhesively fixed by the die-bonding film 10 with a dicing tape, while being able to suppress a chip notch and chip scattering, the breakage of the semiconductor wafer 4 can also be suppressed.

다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩을 박리하기 위해서, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름(10) 측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.In order to peel the semiconductor chip adhesively fixed to the die-bonding film 10 with a dicing tape, the semiconductor chip 5 is picked up (pickup process). It does not specifically limit as a method of pick-up, A conventionally well-known various method is employable. For example, a method in which each semiconductor chip 5 is pushed up by a needle from the die bonding film 10 side with dicing tape, and the pushed up semiconductor chip 5 is picked up by a pickup device, etc. are mentioned. have.

여기서 픽업은, 점착제층(2)이 자외선 경화형인 경우, 해당 점착제층(2)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(2)의 접착제층(3a)에 대한 점착력이 저하되고, 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩을 손상시키지 않고 픽업이 가능하게 된다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다. 또한, 자외선 조사에 사용하는 광원으로서는, 전술한 것을 사용할 수 있다.Pick-up is performed here, after irradiating an ultraviolet-ray to the said adhesive layer 2, when the adhesive layer 2 is an ultraviolet curable type. Thereby, the adhesive force with respect to the adhesive bond layer 3a of the adhesive layer 2 falls, and peeling of the semiconductor chip 5 becomes easy. As a result, pickup becomes possible without damaging the semiconductor chip. Conditions, such as irradiation intensity|strength at the time of ultraviolet irradiation, irradiation time, are not specifically limited, What is necessary is just to set suitably as needed. In addition, as a light source used for ultraviolet irradiation, the thing mentioned above can be used.

이어서, 도 3에 도시하는 바와 같이, 다이싱에 의해 형성된 반도체 칩(5)을 다이본딩 필름(3a)을 개재하여 피착체(6)에 다이본딩한다(다이본딩 공정). 피착체(6)로서는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는, 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체이어도 되고, 변형되는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)이어도 된다.Next, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip 5 formed by dicing is die-bonded to the to-be-adhered body 6 via the die-bonding film 3a (die bonding process). As the to-be-adhered body 6, a lead frame, a TAB film, a board|substrate, or a separately produced semiconductor chip, etc. are mentioned. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend that is easily deformed, or a non-deformable adherend that is difficult to deform (semiconductor wafer, etc.).

상기 기판으로서는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니라, 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.As said board|substrate, a conventionally well-known thing can be used. Further, as the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame and a 42 alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and a circuit board capable of being used by mounting a semiconductor element and electrically connecting to the semiconductor element is also included.

다이본딩은 압착에 의해 행하여진다. 다이본딩의 조건으로서는 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 다이본딩 온도 80 내지 160℃, 본딩 압력 5N 내지 15N, 본딩 시간 1 내지 10초의 범위 내에서 행할 수 있다.Die bonding is performed by crimping. It does not specifically limit as conditions of die bonding, It can set suitably as needed. Specifically, it can carry out within the range of 80-160 degreeC die bonding temperature, 5N-15N bonding pressures, and 1 second for bonding time, for example.

계속해서, 다이본딩 필름(3a)을 가열처리함으로써 이것을 열경화시키고, 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 접착시킨다. 가열처리 조건으로서는, 온도 80 내지 180℃의 범위 내이며, 또한, 가열 시간 0.1 내지 24시간, 바람직하게는 0.1 내지 4시간, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1시간의 범위 내인 것이 바람직하다.Subsequently, the die-bonding film 3a is heat-treated to thermoset it, and the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are adhered. As the heat treatment conditions, the temperature is in the range of 80 to 180°C, and the heating time is preferably in the range of 0.1 to 24 hours, preferably 0.1 to 4 hours, and more preferably in the range of 0.1 to 1 hour.

이어서, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시 생략)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정). 상기 본딩 와이어(7)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 동선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 그 가열 시간은 몇초 내지 몇분간 행하여진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행하여진다.Next, the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 are electrically connected with a bonding wire 7 (wire bonding step). As the said bonding wire 7, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, etc. are used, for example. The temperature at the time of wire bonding is 80-250 degreeC, Preferably it is performed within the range of 80-220 degreeC. In addition, the heating time is performed for several seconds to several minutes. The connection is performed by using both vibration energy by ultrasonic waves and compression energy by applied pressurization in a heated state so as to be within the above temperature range.

또한, 와이어 본딩 공정은, 가열처리에 의해 다이본딩 필름(3)을 열경화시키지 않고 행해도 된다. 이 경우, 다이본딩 필름(3a)의 25℃에 있어서의 전단 접착력은, 피착체(6)에 대하여 0.2㎫ 이상인 것이 바람직하고, 0.2 내지 10㎫인 것이 보다 바람직하다. 상기 전단 접착력을 0.2㎫ 이상으로 함으로써, 다이본딩 필름(3a)을 열경화시키지 않고 와이어 본딩 공정을 행해도, 당해 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 다이본딩 필름(3a)과 반도체 칩(5) 또는 피착체(6)의 접착면에서 전단 변형을 발생하는 일이 없다. 즉, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 반도체 소자가 움직이는 일이 없고, 이에 의해, 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지한다.In addition, you may perform a wire bonding process, without thermosetting the die-bonding film 3 by heat processing. In this case, it is preferable that it is 0.2 Mpa or more with respect to the to-be-adhered body 6, and, as for the shear adhesive force in 25 degreeC of the die-bonding film 3a, it is more preferable that it is 0.2-10 Mpa. By setting the shear adhesive force to 0.2 MPa or more, even if the wire bonding step is performed without thermosetting the die bonding film 3a, the die bonding film 3a and the semiconductor chip ( 5) or shear deformation does not occur on the bonding surface of the adherend 6 . That is, a semiconductor element does not move by the ultrasonic vibration at the time of wire bonding, and it prevents that the success rate of wire bonding falls by this.

또한, 미경화의 다이본딩 필름(3a)은, 와이어 본딩 공정을 행해도 완전히 열경화하는 일은 없다. 또한, 다이본딩 필름(3a)의 전단 접착력은, 80 내지 250℃의 온도 범위 내이어도, 0.2㎫ 이상인 것이 필요하다. 당해 온도 범위 내에서 전단 접착력이 0.2㎫ 미만이면, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 반도체 소자가 움직여, 와이어 본딩을 행할 수 없어, 수율이 저하되기 때문이다.In addition, even if it performs a wire bonding process, the non-hardened die-bonding film 3a does not thermoset completely. Moreover, even if it exists in the temperature range of 80-250 degreeC, the shear adhesive force of the die-bonding film 3a needs to be 0.2 Mpa or more. This is because, when the shear adhesive force is less than 0.2 MPa within the temperature range, the semiconductor element is moved by ultrasonic vibration during wire bonding, wire bonding cannot be performed, and the yield is reduced.

계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 밀봉 공정을 행한다. 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위하여 행하여진다. 본 공정은, 밀봉용 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행하여지지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서 몇분간 큐어할 수 있다. 이에 의해, 밀봉 수지를 경화시킴과 함께, 다이본딩 필름(3a)이 열경화되어 있지 않은 경우에는 당해 다이본딩 필름(3a)도 열경화시킨다. 즉, 본 발명에 있어서는, 후술하는 후경화 공정이 행해지지 않는 경우에 있어서도, 본 공정에 있어서 다이본딩 필름(3a)을 열경화시켜서 접착시키는 것이 가능하여, 제조 공정수의 감소 및 반도체 장치의 제조 기간의 단축에 기여할 수 있다.Then, the sealing process of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed in order to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6 . This process is performed by shape|molding resin for sealing with a metal mold|die. As the sealing resin 8, an epoxy resin is used, for example. Although the heating temperature at the time of resin sealing is normally performed at 175 degreeC for 60 to 90 second, this invention is not limited to this, For example, it can cure at 165-185 degreeC for several minutes. Thereby, while hardening|curing sealing resin, when the die-bonding film 3a is not thermosetting, the said die-bonding film 3a is also thermosetted. That is, in the present invention, even when the post-curing step described later is not performed, it is possible to thermoset and adhere the die-bonding film 3a in this step, thereby reducing the number of manufacturing steps and manufacturing a semiconductor device. This can contribute to shortening the period.

상기 후경화 공정에 있어서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킨다. 밀봉 공정에 있어서 다이본딩 필름(3a)이 열경화되지 않는 경우에도, 본 공정에 있어서 밀봉 수지(8)의 경화와 함께 다이본딩 필름(3a)을 열경화시켜서 접착 고정이 가능해진다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다.In the said post-curing process, the sealing resin 8 whose hardening is insufficient in the said sealing process is completely hardened. Even when the die-bonding film 3a is not thermosetted in the sealing step, the die-bonding film 3a is thermosetted together with the curing of the sealing resin 8 in this step to achieve adhesion and fixation. Although the heating temperature in this process changes with the kind of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and a heating time is about 0.5 to 8 hours.

또한, 본 발명의 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 복수의 반도체 칩을 적층해서 3차원 실장을 하는 경우에도 적절하게 사용할 수 있다. 도 4는, 다이본딩 필름을 개재하여 반도체 칩을 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도이다. 도 4에 도시하는 3차원 실장의 경우, 우선 반도체 칩과 동일 크기로 되도록 잘라낸 적어도 하나의 다이본딩 필름(3a)을 피착체(6) 상에 부착한 후, 다이본딩 필름(3a)을 개재하여 반도체 칩(5)을, 그 와이어 본딩면이 상측이 되도록 하여 다이본딩한다. 이어서, 다이본딩 필름(13)을 반도체 칩(5)의 전극 패드 부분을 피하여 부착한다. 또한, 다른 반도체 칩(15)을 다이본딩 필름(13) 상에, 그 와이어 본딩면이 상측이 되도록 하여 다이본딩한다. 그 후, 다이본딩 필름(3a, 13)을 가열함으로써 열경화시켜서 접착 고정하고, 내열 강도를 향상시킨다. 가열 조건으로서는, 전술한 것과 마찬가지로, 온도 80 내지 200℃의 범위 내이며, 또한, 가열 시간 0.1 내지 24시간의 범위 내인 것이 바람직하다.Moreover, as shown in FIG. 4, the die-bonding film with a dicing tape of this invention can be used suitably also when laminating|stacking a some semiconductor chip and carrying out three-dimensional mounting. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example in which a semiconductor chip is three-dimensionally mounted via a die-bonding film. In the case of three-dimensional mounting shown in Fig. 4, first, at least one die-bonding film 3a cut to have the same size as the semiconductor chip is attached to the adherend 6, and then the die-bonding film 3a is interposed therebetween. The semiconductor chip 5 is die-bonded with the wire bonding surface facing upward. Next, the die-bonding film 13 is attached while avoiding the electrode pad portion of the semiconductor chip 5 . Further, another semiconductor chip 15 is die-bonded on the die-bonding film 13 with the wire bonding surface facing upward. Then, by heating the die-bonding films 3a and 13, they are thermosetted and adhesively fixed, and heat-resistant strength is improved. As heating conditions, it is preferable to exist in the temperature range of 80-200 degreeC similarly to the above-mentioned, and to exist in the range of 0.1-24 hours heating time.

또한 본 발명에 있어서는, 다이본딩 필름(3a, 13)을 열경화시키지 않고, 단순히 다이본딩시켜도 된다. 그 후, 가열 공정을 거치지 않고 와이어 본딩을 행하고, 또한 반도체 칩을 밀봉 수지로 밀봉하여, 당해 밀봉 수지를 후경화할 수도 있다.In addition, in this invention, you may make it die-bonding simply, without thermosetting the die-bonding films 3a, 13. Thereafter, wire bonding may be performed without passing through a heating step, and the semiconductor chip may be sealed with a sealing resin, and the sealing resin may be post-cured.

이어서, 와이어 본딩 공정을 행한다. 이에 의해, 반도체 칩(5) 및 다른 반도체 칩(15)에 있어서의 각각의 전극 패드와, 피착체(6)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속한다. 또한, 본 공정은, 다이본딩 필름(3a, 13)의 가열 공정을 거치지 않고 실시된다.Next, a wire bonding process is performed. Thereby, each electrode pad in the semiconductor chip 5 and the other semiconductor chip 15 and the to-be-adhered body 6 are electrically connected with the bonding wire 7 . In addition, this process is implemented without passing through the heating process of the die-bonding films 3a, 13.

계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5) 등을 밀봉하는 밀봉 공정을 행하고, 밀봉 수지를 경화시킨다. 그와 함께, 열경화가 행해지지 않은 경우에는, 다이본딩 필름(3a)의 열경화에 의해 피착체(6)와 반도체 칩(5) 사이를 접착 고정한다. 또한, 다이본딩 필름(13)의 열경화에 의해, 반도체 칩(5)과 다른 반도체 칩(15) 사이도 접착 고정시킨다. 또한, 밀봉 공정 후, 후경화 공정을 행해도 된다.Then, the sealing process of sealing the semiconductor chip 5 etc. with the sealing resin 8 is performed, and sealing resin is hardened. In addition, when thermosetting is not performed, between the to-be-adhered body 6 and the semiconductor chip 5 is adhesively fixed by thermosetting of the die-bonding film 3a. Further, by thermal curing of the die-bonding film 13 , the semiconductor chip 5 and the other semiconductor chip 15 are also bonded and fixed. Moreover, you may perform a post-hardening process after a sealing process.

반도체 칩의 3차원 실장의 경우에 있어서도, 다이본딩 필름(3a, 13)의 가열에 의한 가열처리를 행하지 않으므로, 제조 공정의 간소화 및 수율의 향상이 도모된다. 또한, 피착체(6)에 휨이 발생하거나, 반도체 칩(5) 및 다른 반도체 칩(15)에 크랙이 발생하거나 하는 일도 없으므로, 반도체 소자의 가일층의 박형화가 가능해진다.Even in the case of three-dimensional mounting of a semiconductor chip, since heat treatment by heating the die-bonding films 3a and 13 is not performed, the manufacturing process is simplified and the yield is improved. Further, since warpage does not occur in the adherend 6 or cracks occur in the semiconductor chip 5 and other semiconductor chips 15, further reduction in thickness of the semiconductor element is possible.

또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩간에 다이본딩 필름을 개재하여 스페이서를 적층시킨 3차원 실장일 수도 있다. 도 5는, 2개의 반도체 칩을 스페이서를 개재하여 다이본딩 필름에 의해 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도이다.Further, as shown in Fig. 5, it may be a three-dimensional mounting in which spacers are laminated between semiconductor chips with a die-bonding film interposed therebetween. Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example in which two semiconductor chips are three-dimensionally mounted with a die-bonding film via a spacer.

도 5에 도시하는 3차원 실장의 경우, 우선 피착체(6) 상에 다이본딩 필름(3a), 반도체 칩(5) 및 다이본딩 필름(21)을 순차 적층하여 다이본딩한다. 또한, 다이본딩 필름(21) 상에 스페이서(9), 다이본딩 필름(21), 다이본딩 필름(3a) 및 반도체 칩(5)을 순차 적층하여 다이본딩한다. 그 후, 다이본딩 필름(3a, 21)을 가열함으로써 열경화시켜서 접착 고정하고, 내열 강도를 향상시킨다. 가열 조건으로서는, 전술한 것과 마찬가지로, 온도 80 내지 200℃의 범위 내이며, 또한, 가열 시간 0.1 내지 24시간의 범위 내인 것이 바람직하다.In the case of the three-dimensional mounting shown in Fig. 5, first, the die-bonding film 3a, the semiconductor chip 5, and the die-bonding film 21 are sequentially laminated on the adherend 6 and die-bonded. In addition, the spacer 9, the die bonding film 21, the die bonding film 3a, and the semiconductor chip 5 are sequentially laminated on the die bonding film 21 to perform die bonding. Thereafter, by heating the die-bonding films 3a and 21, they are thermally cured to adhere and fix, and heat-resistant strength is improved. As heating conditions, it is preferable to exist in the temperature range of 80-200 degreeC similarly to the above-mentioned, and to exist in the range of 0.1-24 hours heating time.

또한 본 발명에 있어서는, 다이본딩 필름(3a, 21)을 열경화시키지 않고, 단순히 다이본딩시켜도 된다. 그 후, 가열 공정을 거치지 않고 와이어 본딩을 행하고, 또한 반도체 칩을 밀봉 수지로 밀봉하여, 당해 밀봉 수지를 후경화할 수도 있다.In addition, in this invention, you may make it die-bonding simply, without thermosetting the die-bonding films 3a, 21. Thereafter, wire bonding may be performed without passing through a heating step, and the semiconductor chip may be sealed with a sealing resin, and the sealing resin may be post-cured.

이어서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 와이어 본딩 공정을 행한다. 이에 의해, 반도체 칩(5)에 있어서의 전극 패드와 피착체(6)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속한다. 또한, 본 공정은, 다이본딩 필름(3a, 21)의 가열 공정을 거치지 않고 실시된다.Next, as shown in FIG. 5, a wire bonding process is performed. Thereby, the electrode pad in the semiconductor chip 5 and the to-be-adhered body 6 are electrically connected with the bonding wire 7 . In addition, this process is implemented without passing through the heating process of the die-bonding films 3a, 21.

계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 밀봉 공정을 행하고, 밀봉 수지(8)을 경화시킴과 함께, 다이본딩 필름(3a, 21)이 미경화인 경우에는, 이들을 열경화시킴으로써, 피착체(6)와 반도체 칩(5) 사이 및 반도체 칩(5)과 스페이서(9) 사이를 접착 고정시킨다. 이에 의해, 반도체 패키지가 얻어진다. 밀봉 공정은, 반도체 칩(5) 측만을 편면 밀봉하는 일괄 밀봉법이 바람직하다. 밀봉은 점착 시트 상에 부착 된 반도체 칩(5)을 보호하기 위하여 행해지고, 그 방법으로서는 밀봉 수지(8)를 사용하여 금형중에서 성형되는 것이 대표적이다. 그 때, 복수의 캐비티를 갖는 상부 금형과 하부 금형을 포함하는 금형을 사용하여, 동시에 밀봉 공정을 행하는 것이 일반적이다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 예를 들어 170 내지 180℃의 범위 내인 것이 바람직하다. 밀봉 공정 후에, 후경화 공정을 행해도 된다.Then, the sealing process of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed, while hardening the sealing resin 8, when the die-bonding films 3a, 21 are uncured, these are heat By curing, the adhesion between the adherend 6 and the semiconductor chip 5 and between the semiconductor chip 5 and the spacer 9 is fixed. Thereby, a semiconductor package is obtained. As for the sealing process, the batch sealing method which seals only the semiconductor chip 5 side on one side is preferable. Sealing is performed in order to protect the semiconductor chip 5 adhered on the pressure-sensitive adhesive sheet, and a typical method thereof is to use the sealing resin 8 and mold it in a mold. In that case, it is common to perform a sealing process simultaneously using the metal mold|die which consists of an upper mold which has a plurality of cavities and a lower mold. It is preferable that the heating temperature at the time of resin sealing exists in the range of 170-180 degreeC, for example. After the sealing step, a post-curing step may be performed.

또한, 상기 스페이서(9)로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 종래 공지된 실리콘 칩, 폴리이미드 필름 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 스페이서로서 코어 재료를 사용할 수 있다. 코어 재료로서는 특별히 한정되는 것이 아니라, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직섬유로 강화된 수지 기판, 미러 실리콘 웨이퍼, 실리콘 기판 또는 유리 피착체를 사용할 수 있다.In addition, it does not specifically limit as said spacer 9, For example, a conventionally well-known silicon chip, a polyimide film, etc. can be used. In addition, a core material may be used as the spacer. It does not specifically limit as a core material, A conventionally well-known thing can be used. Specifically, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fiber or plastic nonwoven fiber, and a mirror silicone A wafer, a silicon substrate, or a glass adherend can be used.

(그 밖의 사항)(Other matters)

상기 피착체 상에 반도체 소자를 3차원 실장하는 경우, 반도체 소자의 회로가 형성되는 면측에는, 버퍼 코팅막이 형성되어 있다. 당해 버퍼 코팅막으로서는, 예를 들어 질화규소막이나 폴리이미드 수지 등의 내열 수지로 이루어지는 것을 들 수 있다.In the case of three-dimensional mounting of a semiconductor element on the adherend, a buffer coating film is formed on the surface side on which the circuit of the semiconductor element is formed. As said buffer coating film, what consists of heat-resistant resin, such as a silicon nitride film and polyimide resin, is mentioned, for example.

또한, 반도체 소자의 3차원 실장 시에, 각 단에서 사용되는 다이본딩 필름은 동일한 조성으로 이루어지는 것에 한정되는 것이 아니라, 제조 조건이나 용도 등에 따라서 적절히 변경가능하다.In addition, at the time of three-dimensional mounting of a semiconductor device, the die-bonding film used in each stage is not limited to being made of the same composition, and can be suitably changed according to manufacturing conditions, a use, etc.

또한, 상기 실시 형태에 있어서 설명한 적층 방법은 단순한 예시이며, 필요에 따라서 적절히 변경할 수 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하여 설명한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 3단째 이후의 반도체 소자를, 도 5를 참조하여 설명한 적층 방법으로 적층하는 것도 가능하다.In addition, the lamination|stacking method demonstrated in the said embodiment is a mere illustration, and can be changed suitably as needed. For example, in the method of manufacturing the semiconductor device described with reference to FIG. 4 , it is also possible to stack the third and subsequent semiconductor elements by the stacking method described with reference to FIG. 5 .

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 피착체에 복수의 반도체 소자를 적층시킨 후에, 일괄하여 와이어 본딩 공정을 행하는 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 반도체 소자를 피착체 상에 적층할 때마다 와이어 본딩 공정을 행하는 것도 가능하다.Moreover, in the said embodiment, after laminating|stacking a plurality of semiconductor elements on an adherend, the form which collectively performs a wire bonding process was demonstrated, but this invention is not limited to this. For example, it is also possible to perform a wire bonding process whenever a semiconductor element is laminated|stacked on a to-be-adhered body.

(실시예)(Example)

이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정한다는 취지의 것이 아니고, 단순한 설명예에 불과하다. 또한, 부라고 되어 있는 것은, 중량부를 의미한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in these examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, unless otherwise limited, and are merely illustrative examples. In addition, what is referred to as a part means a weight part.

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고 함) 82.1부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고 함) 13.2부, 과산화 벤조일 0.2부 및 톨루엔 67부를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 6시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머A를 얻었다.82.1 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter referred to as "2EHA"), 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter referred to as "HEA") in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer and a stirring device ) 13.2 parts, 0.2 parts of benzoyl peroxide, and 67 parts of toluene were put, the polymerization process was performed at 60 degreeC in nitrogen stream for 6 hours, and the acrylic polymer A was obtained.

이 아크릴계 폴리머A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고 함) 11부를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머A'를 얻었다.11 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (henceforth "MOI") was added to this acrylic polymer A, the addition reaction process was performed in air stream at 50 degreeC for 48 hours, and the acrylic polymer A' was obtained.

이어서, 아크릴계 폴리머A' 100부에 대하여 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주)제) 8부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어(651)」, 시바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 첨가하여, 점착제 용액을 제작하였다.Next, with respect to 100 parts of acrylic polymer A', 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photoinitiator (trade name "Irgacure 651", manufactured by Ciba Specialty Chemicals) ) 5 parts were added, and the adhesive solution was produced.

상기에서 제조한 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 계속해서, 당해 점착제층면에, 두께 100㎛의 폴리올레핀 필름을 접합하였다. 그 후, 50℃에서 24시간 보존을 한 후, 다이싱 테이프A를 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive solution prepared above was applied on the silicone-treated surface of a PET release liner, and cross-linked by heating at 120° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. Then, the 100-micrometer-thick polyolefin film was bonded to the said adhesive layer surface. Then, after storing at 50 degreeC for 24 hours, the dicing tape A was produced.

(실시예 1)(Example 1)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, MEH-8000-4L) 70부와, 에폭시 수지(DIC제, HP-4700) 15부와, 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 30부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다. 또한, 메이와 가세이(주)제, MEH-8000-4L은, 오르토위(位)에 알릴기를 갖는 열경화성 수지이다. 즉, MEH-8000-4L은, 화학식(1)의 R1에 있어서의 알릴기의 수와 H의 수의 비율(알릴기의 수):(H의 수)가 1:3인 경우에 상당한다. MEH-8000-4L의 중량 평균 분자량은, 400이다.100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as the thermoplastic resin (a) and (Meiwa Kasei Co., Ltd., MEH-8000-4L) as the thermosetting resin (b) ) 70 parts, 15 parts of epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700), and 30 parts of spherical silica (manufactured by Admatex Co., Ltd., SO-25R) were dissolved in methyl ethyl ketone to adjust the concentration to 23.6 wt% . In addition, MEH-8000-4L manufactured by Meiwa Chemical Co., Ltd. is a thermosetting resin having an allyl group in the ortho position. That is, MEH-8000-4L corresponds to a case where the ratio of the number of allyl groups to the number of H (number of allyl groups): (the number of H ) in R 1 in the formula (1) is 1:3. . The weight average molecular weight of MEH-8000-4L is 400.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름A를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. A was produced.

이 다이본딩 필름A를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 실시예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름A를 얻었다.This die-bonding film A was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side in the above-described dicing tape A to obtain a die-bonding film A with a dicing tape according to the present Example.

(실시예 2)(Example 2)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, MEH-8015) 30부와, 에폭시 수지(DIC제, HP-4700) 10부와, 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 150부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다. 또한, 메이와 가세이(주)제, MEH-8000H는, 오르토위에 알릴기를 갖는 열경화성 수지이다. 즉, MEH-8000H는, 화학식(1)의 R1에 있어서의 알릴기의 수와 H의 수의 비율(알릴기의 수):(H의 수)가 1:3인 경우에 상당한다. MEH-8000H의 중량 평균 분자량은, 510이다.100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as a thermoplastic resin (a), and (Meiwa Kasei Co., Ltd., MEH-8015) 30 as a thermosetting resin (b) Part, 10 parts of epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700), and 150 parts of spherical silica (manufactured by Admatex, Ltd., SO-25R) were dissolved in methyl ethyl ketone to adjust the concentration to 23.6 wt%. In addition, MEH-8000H manufactured by Meiwa Chemicals Co., Ltd. is a thermosetting resin having an allyl group in the ortho position. That is, MEH-8000H corresponds to a case where the ratio of the number of allyl groups to the number of H (number of allyl groups):(the number of H ) in R 1 in the formula (1) is 1:3. The weight average molecular weight of MEH-8000H is 510.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름B를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. B was produced.

이 다이본딩 필름B를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 실시예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름B를 얻었다.This die-bonding film B was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side in the dicing tape A described above to obtain a die-bonding film B with a dicing tape according to the present Example.

(실시예 3)(Example 3)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, MEH-8000-4L) 1.5부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다.100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as a thermoplastic resin (a) and (Meiwa Kasei Co., Ltd., MEH-8000-4L) as a thermosetting resin (b) ) 1.5 parts were dissolved in methyl ethyl ketone, and it adjusted so that it might become a density|concentration of 23.6 weight%.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름C를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. C was produced.

이 다이본딩 필름C를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 실시예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름C를 얻었다.This die-bonding film C was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side in the above-described dicing tape A to obtain a die-bonding film C with a dicing tape according to the present Example.

(실시예 4)(Example 4)

열가소성 수지(a)로서의 카르복실기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-708-6) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, MEH-8000-4L) 1.5부와, 에폭시 수지(DIC제, HP-4700) 1.5부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6 중량％로 되도록 조정하였다.100 parts of a carboxyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-708-6) as a thermoplastic resin (a) and (Meiwa Kasei Co., Ltd., MEH-8000-4L) as a thermosetting resin (b) ) and 1.5 parts of an epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700) were dissolved in methyl ethyl ketone to adjust the concentration to 23.6 wt%.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름D를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. D was produced.

이 다이본딩 필름D를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 실시예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름D를 얻었다.This die-bonding film D was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side in the dicing tape A described above to obtain a die-bonding film D with a dicing tape according to the present Example.

(실시예 5)(Example 5)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (미쯔비시 가가꾸(주)제, 828XA) 1.5부와, 에폭시 수지(DIC제, HP-4700) 1.5부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다. 또한, 미쯔비시 가가꾸(주)제, 828XA는, 비스페놀 A형의 에폭시 수지이다.100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as a thermoplastic resin (a), and 1.5 parts of (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 828XA) as a thermosetting resin (b) , 1.5 parts of an epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700) was dissolved in methyl ethyl ketone to adjust the concentration to 23.6 wt%. In addition, Mitsubishi Chemical Co., Ltd. product 828XA is a bisphenol A type epoxy resin.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름E를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. E was produced.

이 다이본딩 필름E를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 실시예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름E를 얻었다.This die-bonding film E was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side in the above-described dicing tape A to obtain a die-bonding film E with a dicing tape according to the present Example.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, HF-1M) 1.5부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다. 또한, 메이와 가세이(주)제, HF-1M식은, 일반적인 고형의 노볼락형 페놀 수지이다.100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as a thermoplastic resin (a), and (Meiwa Kasei Co., Ltd., HF-1M) 1.5 as a thermosetting resin (b) part was dissolved in methyl ethyl ketone, and it adjusted so that it might become a density|concentration of 23.6 weight%. In addition, Meiwa Chemical Co., Ltd. product, HF-1M type|mold is a general solid novolak-type phenol resin.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름F를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. F was produced.

이 다이본딩 필름F를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 비교예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름F를 얻었다.This die-bonding film F was transcribe|transferred to the adhesive layer side in the dicing tape A mentioned above, and the die-bonding film F with a dicing tape which concerns on this comparative example was obtained.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, HF-1M) 90부와, 에폭시 수지(DIC제, HP-4700) 90부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다.100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as the thermoplastic resin (a) and 90 (Meiwa Kasei Co., Ltd., HF-1M) as the thermosetting resin (b) Parts and 90 parts of epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700) were dissolved in methyl ethyl ketone to adjust the concentration to be 23.6 wt%.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름G를 제작하였다. 이 다이본딩 필름G를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 비교예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름G를 얻었다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. G was produced. This die-bonding film G was transcribe|transferred to the adhesive layer side in the dicing tape A mentioned above, and the die-bonding film G with a dicing tape which concerns on this comparative example was obtained.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, MEH-8000-4L) 1부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다.100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as a thermoplastic resin (a) and (Meiwa Kasei Co., Ltd., MEH-8000-4L) as a thermosetting resin (b) ) 1 part was dissolved in methyl ethyl ketone, and it adjusted so that it might become a density|concentration of 23.6 weight%.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름H를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. H was produced.

이 다이본딩 필름H를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 비교예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름H를 얻었다.This die-bonding film H was transcribe|transferred to the adhesive layer side in the dicing tape A mentioned above, and the die-bonding film H with a dicing tape which concerns on this comparative example was obtained.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

열가소성 수지(a)로서의 글리시딜기 함유 아크릴 공중합체(나가세 켐텍스(주)제, SG-P3) 100부와, 열경화성 수지(b)로서의 (메이와 가세이(주)제, MEH-8000-4L) 120부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 23.6중량％로 되도록 조정하였다.100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (Nagase Chemtex Co., Ltd., SG-P3) as a thermoplastic resin (a) and (Meiwa Kasei Co., Ltd., MEH-8000-4L) as a thermosetting resin (b) ) 120 parts were dissolved in methyl ethyl ketone, and it adjusted so that it might become a density|concentration of 23.6 weight%.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께 25㎛의 다이본딩 필름I를 제작하였다.The solution of this adhesive composition is applied on a release treatment film comprising a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm subjected to silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130° C. for 2 minutes, thereby forming a die-bonding film having a thickness of 25 µm. I was made.

이 다이본딩 필름I를 전술한 다이싱 테이프A에 있어서의 점착제층 측에 전사하고, 본 비교예에 관한 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름I를 얻었다.This die-bonding film I was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side in the above-mentioned dicing tape A to obtain a die-bonding film I with a dicing tape according to this comparative example.

(열경화성 수지(b)의 25℃에서의 점도 측정)(Measurement of viscosity at 25°C of thermosetting resin (b))

실시예, 비교예에서 사용한 열경화성 수지(b)에 대해서, 점도계(RE80U(도끼 산교(주)제))를 사용하고, 로터 코드 No.1을 사용하여 측정하였다. 측정 조건은, 하기와 같이 하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.About the thermosetting resin (b) used by the Example and the comparative example, it measured using the viscometer (RE80U (made by Toki Sangyo Co., Ltd.)) using the rotor cord No. 1. Measurement conditions were as follows. A result is shown in Table 1, Table 2.

측정시간: 5분Measurement time: 5 minutes

회전수: 실시예 1 내지 4, 비교예 3 및 비교예 4는 20rpmRotational speed: Examples 1 to 4, Comparative Examples 3 and 4 were 20rpm

실시예 5는, 4rpm Example 5, 4rpm

(다이본딩 필름의 5℃에서의 파단 신도 측정)(Measurement of elongation at break of die-bonding film at 5°C)

실시예, 비교예에서 제작한 다이본딩 필름을 두께 200um, 폭 10㎜의 직사각형으로 하였다. 다음으로 인장 시험기(텐실론, 시마즈 세이사꾸쇼사제)를 사용하고, 인장 속도 0.5㎜/분, 척간 거리 20㎜로 측정하였다. 파단 신도는 하기 식에 의해 산출하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.The die-bonding films produced in Examples and Comparative Examples were made into a rectangle having a thickness of 200 μm and a width of 10 mm. Next, using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation), it measured at a tensile rate of 0.5 mm/min and a distance between chucks of 20 mm. The elongation at break was calculated by the following formula. A result is shown in Table 1, Table 2.

파단 신도(％)=(((파단 시의 척간 길이(㎜))-20)/20)×100Elongation at break (%) = (((Length between chucks at break (mm))-20)/20) x 100

(저장 탄성률의 측정)(Measurement of storage modulus)

실시예, 비교예에서 제작한 다이본딩 필름을, 170℃에서 1시간 가열 경화시켰다. 그 후, 두께 200㎛, 폭 10㎜의 직사각형으로 하였다. 이어서, 고체 점탄성 측정 장치(RSA(III), 레오메트릭사이언티픽사제)를 사용하여, -50 내지 300℃에서의 저장 탄성률을 주파수 1㎐, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정하였다. 그 때에 260℃에서의 저장 탄성률을, 표 1, 표 2에 나타낸다.The die-bonding films produced in Examples and Comparative Examples were heat-cured at 170°C for 1 hour. Then, it was set as the rectangle of thickness 200 micrometers and width 10mm. Next, using a solid viscoelasticity measuring apparatus (RSA(III), manufactured by Rheometric Scientific), the storage modulus at -50 to 300°C was measured under the conditions of a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 10°C/min. In that case, the storage elastic modulus in 260 degreeC is shown in Table 1 and Table 2.

(밀봉 공정 후의 기포(보이드) 소실성1)(Bubble (void) disappearance after sealing process 1)

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 다이본딩 필름을 60℃에서 한 변이 9.5㎜인 사각형의 미러 칩에 부착하고, 온도 120℃, 압력 0.1㎫, 시간 1s의 조건에서 BGA 기판에 본딩하였다. 이것을 또한 건조기로 130℃에서 2시간의 열처리를 실시하였다. 계속해서, 몰드 머신(TOWA 프레스사제, 매뉴얼 프레스Y-1)을 사용하여, 성형 온도 175℃, 클램프 압력 184kN, 트랜스퍼 압력 5kN, 시간 120초, 밀봉 수지 GE-100(닛토덴코(주)제)의 조건 하에서 밀봉 공정을 행하였다. 밀봉 공정 후의 보이드를 초음파 영상 장치(히타치 파인 테크사제, FS200II)를 사용하여 관찰하였다. 관찰 화상에 있어서 보이드가 차지하는 면적을 2치화 소프트(WinRoof ver.5.6)를 사용하여 산출하였다. 보이드가 차지하는 면적이 다이본딩 필름의 표면적에 대하여 10％ 미만이었던 경우를 「○」, 10％ 이상 30％ 미만이었던 경우를 「△」, 30％ 이상인 경우를 「×」로서 평가하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.The die-bonding films obtained in Examples and Comparative Examples were attached to a square mirror chip having a side of 9.5 mm at 60° C., and were bonded to a BGA substrate at a temperature of 120° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further subjected to heat treatment at 130°C for 2 hours with a dryer. Then, using a mold machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), molding temperature 175°C, clamp pressure 184 kN, transfer pressure 5 kN, time 120 seconds, sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) The sealing process was performed under the conditions of Voids after the sealing process were observed using an ultrasonic imaging device (manufactured by Hitachi Fine Tech, FS200II). The area occupied by the void in the observation image was computed using binarization software (WinRoof ver.5.6). The case where the area occupied by the void was less than 10% with respect to the surface area of the die-bonding film was evaluated as "○", the case where it was 10% or more and less than 30% was evaluated as "Δ", and the case where it was 30% or more was evaluated as "x". A result is shown in Table 1, Table 2.

(밀봉 공정 후의 기포(보이드) 소실성2)(Bubble (void) disappearance after sealing process 2)

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 다이본딩 필름을 60℃에서 한 변이 9.5㎜인 사각형의 미러 칩에 부착하고, 온도 120℃, 압력 0.1㎫, 시간 1s의 조건에서 BGA 기판에 본딩하였다. 이것을 또한 건조기로 170℃에서 1시간의 열처리를 실시하였다. 계속해서, 몰드 머신(TOWA 프레스사제, 매뉴얼 프레스Y-1)을 사용하여, 성형 온도 175℃, 클램프 압력 184kN, 트랜스퍼 압력 5kN, 시간 120초, 밀봉 수지 GE-100(닛토덴코(주)제)의 조건 하에서 밀봉 공정을 행하였다. 밀봉 공정 후의 보이드를 초음파 영상 장치(히타치 파인 테크 사제, FS200II)를 사용하여 관찰하였다. 관찰 화상에 있어서 보이드가 차지하는 면적을 2치화 소프트(WinRoof ver.5.6)를 사용하여 산출하였다. 보이드가 차지하는 면적이 다이본딩 필름의 표면적에 대하여 10％ 미만이었던 경우를 「○」, 10％ 이상 30％ 미만이었던 경우를 「△」, 30％ 이상인 경우를 「×」로서 평가하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.The die-bonding films obtained in Examples and Comparative Examples were attached to a square mirror chip having a side of 9.5 mm at 60° C., and were bonded to a BGA substrate at a temperature of 120° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further subjected to heat treatment at 170° C. for 1 hour with a dryer. Then, using a mold machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), molding temperature 175°C, clamp pressure 184 kN, transfer pressure 5 kN, time 120 seconds, sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) The sealing process was performed under the conditions of The voids after the sealing process were observed using an ultrasonic imaging device (manufactured by Hitachi Fine Tech, FS200II). The area occupied by voids in the observation image was computed using binarization software (WinRoof ver.5.6). The case where the area occupied by the void was less than 10% with respect to the surface area of the die-bonding film was evaluated as "○", the case where it was 10% or more and less than 30% was evaluated as "Δ", and the case where it was 30% or more was evaluated as "x". A result is shown in Table 1, Table 2.

(내습 땜납 리플로우 시험1)(Moisture-resistant solder reflow test 1)

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 다이본딩 필름을 60℃에서 한 변이 9.5㎜인 사각형의 미러 칩에 부착하고, 온도 120℃, 압력 0.1㎫, 시간 1s의 조건에서 BGA 기판에 본딩하였다. 이것을 또한 건조기로 130℃에서 2시간의 열처리를 실시하였다. 계속해서, 몰드 머신(TOWA 프레스사제, 매뉴얼 프레스Y-1)을 사용하여, 성형 온도 175℃, 클램프 압력 184kN, 트랜스퍼 압력 5kN, 시간 120초, 밀봉 수지 GE-100(닛토덴코(주)제)의 조건 하에서 밀봉 공정을 행하였다. 그 후, 175℃×5h의 열경화를 행하고, 온도 30℃, 습도 60％ RH, 시간 72h의 조건에서 흡습 조작을 행하고, 260℃ 이상의 온도를 10초간 유지하도록 온도를 설정한 IR 리플로우로에 샘플을 통과시켰다. 9개의 미러 칩에 대해서, 다이본딩 필름과 기판의 계면에 박리가 발생하고 있는지 여부를 초음파 현미경으로 관찰하고, 박리가 발생한 비율을 산출하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.The die-bonding films obtained in Examples and Comparative Examples were attached to a square mirror chip having a side of 9.5 mm at 60° C., and were bonded to a BGA substrate at a temperature of 120° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further subjected to heat treatment at 130°C for 2 hours with a dryer. Then, using a mold machine (manufactured by TOWA Press, Ltd., manual press Y-1), molding temperature 175°C, clamp pressure 184 kN, transfer pressure 5 kN, time 120 seconds, sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) The sealing process was performed under the conditions of After that, thermosetting at 175 ° C. × 5 h, moisture absorption operation under the conditions of a temperature of 30 ° C., a humidity of 60% RH, and a time of 72 h, and a temperature of 260 ° C. or higher is maintained for 10 seconds in an IR reflow furnace. The sample was passed through. For the nine mirror chips, whether or not peeling had occurred at the interface between the die-bonding film and the substrate was observed with an ultrasonic microscope, and the ratio in which peeling occurred was calculated. A result is shown in Table 1, Table 2.

(내습 땜납 리플로우 시험2)(Moisture-resistant solder reflow test 2)

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 다이본딩 필름을 60℃에서 한 변이 9.5㎜인 사각형의 미러 칩에 부착하고, 온도 120℃, 압력 0.1㎫, 시간 1s의 조건에서 BGA 기판에 본딩하였다. 이것을 또한 건조기로 170℃에서 1시간의 열처리를 실시하였다. 계속해서, 몰드 머신(TOWA 프레스사제, 매뉴얼 프레스Y-1)을 사용하여, 성형 온도 175℃, 클램프 압력 184kN, 트랜스퍼 압력 5kN, 시간 120초, 밀봉 수지 GE-100(닛토덴코(주)제)의 조건 하에서 밀봉 공정을 행하였다. 그 후, 175℃×5h의 열경화를 행하고, 온도 30℃, 습도 60％ RH, 시간 72h의 조건에서 흡습 조작을 행하고, 260℃ 이상의 온도를 10초간 유지하도록 온도를 설정한 IR 리플로우로에 샘플을 통과시켰다. 9개의 미러 칩에 대해서, 다이본딩 필름과 기판의 계면에 박리가 발생하였는지 여부를 초음파 현미경으로 관찰하고, 박리가 발생한 비율을 산출하였다.The die-bonding films obtained in Examples and Comparative Examples were attached to a square mirror chip having a side of 9.5 mm at 60° C., and were bonded to a BGA substrate at a temperature of 120° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further subjected to heat treatment at 170° C. for 1 hour with a dryer. Then, using a mold machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), molding temperature 175°C, clamp pressure 184 kN, transfer pressure 5 kN, time 120 seconds, sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) The sealing process was performed under the conditions of After that, thermosetting at 175 ° C. × 5 h, moisture absorption operation under the conditions of a temperature of 30 ° C., a humidity of 60% RH, and a time of 72 h, and a temperature of 260 ° C. or higher is maintained for 10 seconds in an IR reflow furnace. The sample was passed through. For the nine mirror chips, whether peeling occurred at the interface between the die-bonding film and the substrate was observed with an ultrasonic microscope, and the ratio in which peeling occurred was calculated.

(픽업성)(pick-up)

각 실시예 및 비교예의 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름을 사용하여, 이하의 요령으로, 실제로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후에 픽업을 행하고, 각 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름의 성능을 평가하였다.Using the die-bonding film with a dicing tape of each Example and a comparative example, after actually dicing a semiconductor wafer in the following way, it picked-up and evaluated the performance of each die-bonding film with a dicing tape.

반도체 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6㎜)를 이면 연마 처리하고, 두께 0.075㎜의 미러 웨이퍼를 워크로서 사용하였다. 이면 연마 처리의 조건은, 다음의 <웨이퍼 연삭 조건>과 같이 하였다. 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 그 다이본딩 필름 상에 미러 웨이퍼를 40℃에서 롤 압착하여 접합하고, 또한 다이싱을 행하였다. 롤 압착의 조건은, 다음의 <접합 조건>과 같이 하였다. 또한, 다이싱은 한 변이 10㎜인 사각형의 칩 크기로 되도록 풀컷하였다. 다이싱의 조건은, 다음의 <다이싱 조건>과 같이 하였다.A semiconductor wafer (8 inches in diameter, 0.6 mm in thickness) was polished on the back side, and a mirror wafer having a thickness of 0.075 mm was used as a work piece. The conditions of the back surface polishing treatment were as follows <wafer grinding conditions>. After peeling a separator from the die-bonding film with a dicing tape, the mirror wafer was roll-pressed-bonded at 40 degreeC on the die-bonding film, and was joined, and further dicing was performed. The conditions of the roll crimping|compression-bonding were carried out as the following <joining conditions>. In addition, dicing was carried out so that it might become the size of a square chip|tip with one side of 10 mm. The conditions for dicing were as follows <dicing conditions>.

이어서, 각 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름에 대하여 자외선 조사를 행하고, 그들을 잡아늘여서, 각 칩간을 소정의 간격으로 하는 익스팬드 공정을 행하였다. 자외선 조사의 조건은, 다음의 <자외선의 조사 조건>과 같이 하였다. 또한, 각 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어올림 방식으로 반도체 칩을 픽업하고, 픽업성의 평가를 행하였다. 픽업의 조건은, 다음의 <픽업 조건>과 같이 하였다. 평가는, 100개의 반도체 칩을 연속하여 픽업하고, 성공률이 100％인 경우를 ○로 하고, 100％ 미만인 경우를 ×로 하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.Next, ultraviolet irradiation was performed on each die-bonding film with a dicing tape, they were stretched, and the expand process which makes each chip|tip space|interval is performed was performed. The conditions of ultraviolet irradiation were as follows <ultraviolet-ray irradiation conditions>. Moreover, the semiconductor chip was picked up by the push-up method by a needle from the base material side of each die-bonding film with a dicing tape, and pick-up property was evaluated. The conditions for pickup were as follows <pickup conditions>. Evaluation picked up 100 semiconductor chips continuously, made the case where the success rate is 100% (circle), and made the case less than 100% into x. A result is shown in Table 1, Table 2.

<웨이퍼 연삭 조건><Wafer grinding conditions>

연삭 장치: 디스코사제 DFG-8560Grinding device: DFG-8560 made by Disco

반도체 웨이퍼: 8인치 직경(두께 0.6㎜로부터 0.075㎜로 이면 연삭)Semiconductor wafer: 8 inch diameter (backside grinding from 0.6 mm thick to 0.075 mm)

<접합 조건><Joint condition>

부착 장치: 닛토 정밀기계제, MA-3000IIAttachment device: Made by Nitto Precision Machinery, MA-3000II

부착 속도계: 10㎜/minAttachment speedometer: 10mm/min

부착 압력: 0.15㎫Attachment pressure: 0.15 MPa

부착시의 스테이지 온도: 40℃Stage temperature at the time of attachment: 40°C

<다이싱 조건><Dicing conditions>

다이싱 장치: 디스코사제, DFD-6361Dicing device: Disco Corporation, DFD-6361

다이싱 링: 2-8-1(디스코사제)Dicing ring: 2-8-1 (made by Disco)

다이싱 속도: 80㎜/secDicing speed: 80mm/sec

다이싱 블레이드:Dicing Blade:

Z1; 디스코사제(2050)HEDDZ1; Product made by disco company (2050) HEDD

Z2; 디스코사제(2050)HEBBZ2; Product made by disco company (2050) HEBB

다이싱 블레이드 회전수:Dicing Blade Rotation:

Z1; 40,000rpmZ1; 40,000rpm

Z2; 40,000rpmZ2; 40,000rpm

블레이드 높이:Blade Height:

Z1; 0.170㎜(반도체 웨이퍼의 두께에 의한(웨이퍼 두께가 75㎛인 경우, 0.170㎜))Z1; 0.170 mm (by the thickness of the semiconductor wafer (0.170 mm when the wafer thickness is 75 µm))

Z2; 0.085㎜Z2; 0.085mm

커트 방식: A 모드/스텝 커트Cut method: A mode/step cut

웨이퍼 칩 사이즈 : 한 변이 10.0㎜인 사각형Wafer chip size: a square with a side of 10.0 mm

<자외선의 조사 조건><Irradiation conditions of ultraviolet rays>

자외선(UV) 조사 장치: 닛토 정밀기계(상품명, UM-810제)Ultraviolet (UV) irradiation device: Nitto Precision Machinery (brand name, UM-810)

자외선 조사 적산 광량: 300mJ/㎠Accumulated amount of UV irradiation: 300mJ/cm2

또한, 자외선 조사는 폴리올레핀 필름측부터 행하였다.In addition, ultraviolet irradiation was performed from the polyolefin film side.

<픽업 조건><Pick-up conditions>

SHINKAWA사제 SPA-300SPA-300 made by SHINKAWA

픽업 하이트 350umPickup Height 350um

핀수 9Number of pins 9

(냉장 평가)(refrigerated evaluation)

각 실시예 및 비교예의 각각 다이본딩 필름을 사용하여, 이하의 요령으로, 냉장 평가를 행하였다. 한 변이 20㎝인 사각형으로 커트한 다이본딩 필름을 5℃의 냉장고 내에서 알루미늄판 상에 두고, 1시간 방치한 후, 그 필름을 절반으로 절곡하였다. 그 때, 필름의 깨짐, 파편이 발생하는지 여부를 확인하고, 깨짐, 절결이 없는 것은 ○, 있는 것은 ×로 서 평가를 행하였다. 표 1, 표 2에 나타낸다. Refrigeration evaluation was performed in the following way using the die-bonding film of each Example and a comparative example, respectively. A die-bonding film cut into a rectangle having a side of 20 cm was placed on an aluminum plate in a refrigerator at 5° C., left for 1 hour, and then the film was bent in half. In that case, it was confirmed whether the crack of a film and a fragment generate|occur|produced, and the thing without a crack and a notch evaluated as (circle), and what exists was evaluated as x. It is shown in Table 1, Table 2.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예5Example 5 열가소성 수지(a)(제품명)Thermoplastic resin (a) (product name) SG-P3SG-P3 SG-P3SG-P3 SG-P3SG-P3 SG-708-6SG-708-6 SG-P3SG-P3 열가소성 수지(a)의 함유량(부)Content (parts) of thermoplastic resin (a) 100100 100100 100100 100100 100100 열경화성 수지(b)(제품명)Thermosetting resin (b) (product name) MEH-8000-4L
(페놀 수지)MEH-8000-4L
(phenolic resin) MEH-8000H
(페놀 수지)MEH-8000H
(phenolic resin) MEH-8000-4L
(페놀 수지)MEH-8000-4L
(phenolic resin) MEH-8000-4L
(페놀 수지)MEH-8000-4L
(phenolic resin) 828XA
(에폭시 수지)828XA
(epoxy resin) 열경화성 수지(b)의 함유량(부)Content (parts) of thermosetting resin (b) 7070 3030 1.51.5 1.51.5 1.51.5 에폭시 수지(제품명)Epoxy resin (product name) HP-4700HP-4700 HP-4700HP-4700 -- HP-4700HP-4700 HP-4700HP-4700 에폭시 수지의 함유량(부)Epoxy resin content (parts) 1515 1010 00 1.51.5 1.51.5 무기 필러의 함유량(부)Content (parts) of inorganic filler 3030 150150 00 00 00 열경화성 수지(b)의 25℃ 점도(Pa·sec)25°C viscosity (Pa·sec) of thermosetting resin (b) 1One 2525 1One 1One 1010 열경화 후의 260℃에서의 저장 탄성률(170℃×1h)Storage modulus at 260°C after thermosetting (170°C × 1 h) 0.50.5 2.52.5 0.080.08 0.30.3 0.90.9 열경화성 수지(b)의 함유량(wt%)Content (wt%) of thermosetting resin (b) 37.8037.80 21.421.4 1.51.5 1.51.5 1.51.5 밀봉 공정 후의 기포(보이드) 소실성1(130℃×2h)Air bubble (void) disappearance after sealing process 1 (130℃ × 2h) ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 밀봉 공정 후의 기포(보이드) 소실성2(170℃×1h)Bubble (void) disappearance after sealing process 2 (170°C × 1 h) ○○ ○○ ○○ ○○ △△ 내습 땜납 리플로우 시험1(130℃×2h)(%)Moisture Resistance Solder Reflow Test 1 (130℃×2h)(%) 00 00 00 00 00 내습 땜납 리플로우 시험2(170℃×1h)(%)Moisture Resistance Solder Reflow Test 2 (170℃×1h)(%) 00 00 00 00 2222 다이본딩 필름의 5℃에서의 파단 신도(%)Elongation at break at 5°C of die-bonding film (%) 250250 1919 600600 510510 590590 픽업성pick-up ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 냉장 평가refrigeration evaluation ○○ ○○ ○○ ○○ ○○

비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 비교예4Comparative Example 4 열가소성 수지(a)(제품명)Thermoplastic resin (a) (product name) SG-P3SG-P3 SG-P3SG-P3 SG-P3SG-P3 SG-P3SG-P3 열가소성 수지(a)의 함유량(부)Content (parts) of thermoplastic resin (a) 100100 100100 100100 100100 열경화성 수지(b)(제품명)Thermosetting resin (b) (product name) HF-1M
(페놀 수지)HF-1M
(phenolic resin) HF-1M
(페놀 수지)HF-1M
(phenolic resin) MEH-8000-4L
(페놀 수지)MEH-8000-4L
(phenolic resin) MEH-8000-4L
(페놀 수지)MEH-8000-4L
(phenolic resin) 열경화성 수지(b)의 함유량(부)Content (parts) of thermosetting resin (b) 1.51.5 9090 1One 120120 에폭시 수지(제품명)Epoxy resin (product name) -- HP-4700HP-4700 -- -- 에폭시 수지의 함유량(부)Epoxy resin content (parts) 00 9090 00 00 무기 필러의 함유량(부)Content (parts) of inorganic filler 00 00 00 00 열경화성 수지(b)의 25℃ 점도(Pa·sec)25°C viscosity (Pa·sec) of thermosetting resin (b) 고체(측정 불가)Solid (not measurable) 고체(측정 불가)Solid (not measurable) 1One 1One 열경화 후의 260℃에서의 저장 탄성률(170℃×1h)Storage modulus at 260°C after thermosetting (170°C × 1 h) 0.50.5 1One 0.020.02 0.010.01 열경화성 수지(b)의 함유량(wt%)Content (wt%) of thermosetting resin (b) 1.51.5 32.132.1 1.01.0 54.554.5 밀봉 공정 후의 기포(보이드) 소실성1(130℃×2h)Bubble (void) disappearance after sealing process 1 (130°C × 2 h) ×× ×× ○○ ○○ 밀봉 공정 후의 기포(보이드) 소실성2(170℃×1h)Bubble (void) disappearance after sealing process 2 (170°C × 1 h) ×× ×× ○○ ○○ 내습 땜납 리플로우 시험1(130℃×2h)(%)Moisture Resistance Solder Reflow Test 1 (130℃×2h)(%) 100100 100100 100100 100100 내습 땜납 리플로우 시험2(170℃×1h)(%)Moisture Resistance Solder Reflow Test 2 (170℃×1h)(%) 100100 100100 100100 100100 다이본딩 필름의 5℃에서의 파단 신도(%)Elongation at break at 5°C of die-bonding film (%) 110110 88 610610 230230 픽업성pick-up ○○ ×× ○○ ×× 냉장 평가refrigeration evaluation ○○ ×× ○○ ○○

1 : 기재
2 : 점착제층
3, 3', 13, 21 : 다이본딩 필름
4 : 반도체 웨이퍼
5 : 반도체 칩
6 : 피착체
7 : 본딩 와이어
8 : 밀봉 수지
9 : 스페이서
10, 11 : 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름
15 : 반도체 칩1: description
2: adhesive layer
3, 3', 13, 21: die bonding film
4: semiconductor wafer
5: semiconductor chip
6: adherend
7: bonding wire
8: sealing resin
9: spacer
10, 11: Die bonding film with dicing tape
15: semiconductor chip

Claims (6)

기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와, 상기 점착제층 상에 적층된 다이본딩 필름을 갖는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름이며,
상기 다이본딩 필름이 열가소성 수지(a)와, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 50Pa·sec인 열경화성 수지(b)를 함유하고,
상기 열경화성 수지(b)가 에폭시 수지 및 페놀 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상이며,
상기 열경화성 수지(b)의 전체 수지 성분에 대한 함유량이 1중량％ 이상 50중량% 이하이고,
상기 다이본딩 필름의 170℃에서 1시간 가열 경화한 후의 260℃에서의 저장 탄성률이 0.05㎫ 이상이며,
상기 열경화성 수지(b)가 하기 화학식(1)로 표시되는 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름.
Figure 112021501740486-pat00009
(1)
(단, 식 중, n은 0 내지 10의 정수이며, R1은 각각 독립적으로 알릴기 또는 H를 나타내고, 적어도 하나는 알릴기이며, m은 1 내지 3의 정수임)A die-bonding film with a dicing tape having a dicing tape laminated with an adhesive layer on a substrate and a die-bonding film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer,
The die-bonding film contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity at 25°C of 0.1 to 50 Pa·sec,
The thermosetting resin (b) is at least one selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin,
The content of the thermosetting resin (b) with respect to the total resin components is 1% by weight or more and 50% by weight or less,
The storage modulus at 260°C after heat curing at 170°C for 1 hour of the die-bonding film is 0.05 MPa or more,
The die-bonding film with a dicing tape, characterized in that the thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by the following formula (1).
Figure 112021501740486-pat00009
(One)
(Wherein, n is an integer of 0 to 10, R 1 each independently represents an allyl group or H, at least one is an allyl group, and m is an integer of 1 to 3) 제1항에 있어서,
상기 열가소성 수지(a)가 관능기 함유 아크릴 공중합체인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름.According to claim 1,
The said thermoplastic resin (a) is a functional group containing acrylic copolymer, The die-bonding film with a dicing tape characterized by the above-mentioned. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 다이본딩 필름의 5℃에서의 파단 신도가 10％ 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름.According to claim 1,
The die-bonding film with a dicing tape, characterized in that the elongation at break of the die-bonding film at 5°C is 10% or more. 제1항에 있어서,
상기 점착제층이 아크릴산2-에틸헥실을 구성 단위로서 함유하는 아크릴 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름.According to claim 1,
A die-bonding film with a dicing tape, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer containing 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit. 제1항, 제2항, 제4항, 및 제5항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름의 다이본딩 필름과 반도체 웨이퍼의 이면을 접합하는 접합 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름과 함께 다이싱하여 칩 형상의 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정과,
상기 반도체 소자를, 상기 다이싱 테이프 부착 다이본딩 필름으로부터 상기 다이본딩 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정과,
상기 다이본딩 필름을 개재하여, 상기 반도체 소자를 피착체 상에 다이본딩하는 다이본딩 공정과,
상기 반도체 소자에 와이어 본딩을 하는 와이어 본딩 공정과,
상기 반도체 소자를 밀봉하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.A bonding step of bonding the die bonding film of the die bonding film with a dicing tape according to any one of claims 1, 2, 4, and 5 to the back surface of the semiconductor wafer;
a dicing step of dicing the semiconductor wafer together with the die bonding film with a dicing tape to form a chip-shaped semiconductor element;
a pickup step of picking up the semiconductor element together with the die-bonding film from the die-bonding film with a dicing tape;
a die bonding process of die bonding the semiconductor device on an adherend via the die bonding film;
a wire bonding process of wire bonding to the semiconductor device;
and a step of sealing the semiconductor element.
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