JP2015026707A - Die-bonding film with dicing tape, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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謙司 大西
悠樹 菅生
Yuki Sugao
悠樹 菅生
雄一郎 宍戸
Yuichiro Shishido
雄一郎 宍戸
木村　雄大
Takehiro Kimura
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die-bonding film with dicing tape which makes possible to suppress the accumulation of an air bubbles (voids) at the boundary between a die-bonding film and an object to stick the film to after a sealing step even on condition that a high-temperature thermal treatment is performed for a long time, and to suppress the occurrence of crack, fracture or chip, or a combination thereof in a film even if the film is transported or stored while remaining refrigerated.SOLUTION: A die-bonding film with dicing tape comprises: a piece of dicing tape; and a die-bonding film. The die-bonding film includes a thermoplastic resin (a), and a thermosetting resin (b) having a viscosity of 0.1-50 Pa sec at 25°C. The thermosetting resin (b) consists of at least one resin selected from a group consisting of an epoxy resin and a phenol resin. The content of the thermosetting resin (b) is 1-50 wt.% to all the resin components. The die-bonding film with dicing tape has a storage elastic modulus of 0.05 MPa or larger at 260°C after having been hardened by one-hour heating at 170°C.

Description

本発明は、ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a die bond film with a dicing tape and a method for manufacturing a semiconductor device.

従来、半導体装置の製造の際に於けるリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行っている。   Conventionally, a silver paste is used for fixing a semiconductor chip to a lead frame or an electrode member in manufacturing a semiconductor device. Such a fixing process is performed by applying a paste-like adhesive on a die pad or the like of the lead frame, mounting a semiconductor chip thereon, and curing the paste-like adhesive layer.

しかしながら、ペースト状接着剤ではその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となる為、半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると、半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、その後のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。その為、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたしている。   However, in the case of a paste-like adhesive, the coating amount, the coating shape, and the like vary greatly due to its viscosity behavior and deterioration. As a result, the thickness of the paste-like adhesive formed is not uniform, and the reliability of the bonding strength related to the semiconductor chip is poor. That is, when the application amount of the paste adhesive is insufficient, the bonding strength between the semiconductor chip and the electrode member is lowered, and the semiconductor chip is peeled off in the subsequent wire bonding process. On the other hand, when the application amount of the paste adhesive is too large, the paste adhesive is cast onto the semiconductor chip, resulting in poor characteristics, and the yield and reliability are lowered. Such a problem in the adhering process becomes particularly remarkable as the semiconductor chip becomes larger. Therefore, it is necessary to frequently control the amount of paste adhesive applied, which hinders workability and productivity.

このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。この為、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングテープ付きダイボンドフィルムが開示されている（例えば、下記特許文献１参照）。   In this paste adhesive application step, there is a method in which the paste adhesive is separately applied to a lead frame or a formed chip. However, in this method, it is difficult to make the paste adhesive layer uniform, and a special apparatus and a long time are required for applying the paste adhesive. For this reason, a die bond film with a dicing tape is disclosed that adheres and holds a semiconductor wafer in the dicing process and also provides an adhesive layer for chip fixation necessary for the mounting process (see, for example, Patent Document 1 below).

この種のダイシングテープ付きダイボンドフィルムは、ダイシングテープ上に接着剤層（ダイボンドフィルム）が積層された構造を有している。また、ダイシングテープは支持基材上に粘着剤層が積層された構造である。このダイシングテープ付きダイボンドフィルムは次のようにして使用される。即ち、ダイボンドフィルムによる保持下に半導体ウェハをダイシングした後、支持基材を延伸して半導体チップをダイボンドフィルムと共に剥離しこれを個々に回収する。更に、半導体チップを、ダイボンドフィルムを介して、ＢＴ基板やリードフレーム等の被着体に接着固定させる。   This type of die bond film with a dicing tape has a structure in which an adhesive layer (die bond film) is laminated on the dicing tape. The dicing tape has a structure in which an adhesive layer is laminated on a support base material. This die-bonding film with a dicing tape is used as follows. That is, after the semiconductor wafer is diced while being held by the die bond film, the support base is stretched, the semiconductor chip is peeled off together with the die bond film, and these are individually collected. Further, the semiconductor chip is bonded and fixed to an adherend such as a BT substrate or a lead frame through a die bond film.

特開昭６０−５７６４２号公報JP-A-60-57642

近年、半導体チップ実装の多段化が進み、ワイヤーボンディング工程やダイボンドフィルムの硬化工程に長時間を要する傾向にある。これらの工程でダイシングテープ付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルムを高温で長時間処理し、以降の工程として封止樹脂による封止工程を行った場合、ダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が溜まった状態となることがある。こうしたボイドが生じた半導体装置を用いて半導体関連部品の信頼性評価として行われる耐湿半田リフロー試験を行うと、前記境界において剥離が発生してしまい、半導体装置の信頼性としては十分と言えない状況になってしまう。
また、このようなダイボンドフィルムは熱硬化性であるため、冷蔵で輸送、保管する必要があるが、その際にダイボンドフィルムにヒビ、割れ、カケが生じるおそれがあり、使用可能なフィルムが減少してしまう課題もあった。 In recent years, semiconductor chips have been mounted in multiple stages, and there is a tendency that a long time is required for the wire bonding process and the die bonding film curing process. When the die bond film of the die bond film with the dicing tape is processed at a high temperature for a long time in these steps and a sealing step with a sealing resin is performed as a subsequent step, bubbles (voids) are formed at the boundary between the die bond film and the adherend. May be accumulated. When performing a moisture-resistant solder reflow test performed as a reliability evaluation of semiconductor-related parts using a semiconductor device in which such voids have occurred, peeling occurs at the boundary, which is not sufficient for the reliability of the semiconductor device Become.
In addition, since such a die bond film is thermosetting, it is necessary to transport and store it in a refrigerator. However, the die bond film may be cracked, cracked or chipped at that time, and the usable film is reduced. There was also a problem that ended up.

本発明は前記の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、高温で長時間熱処理した条件においても、封止工程後にダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が溜まることを抑制でき、且つ、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能なダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、当該ダイシングテープ付きダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and its purpose is that bubbles remain at the boundary between the die-bonding film and the adherend after the sealing process even under the condition of heat treatment at a high temperature for a long time. And a die-bonding film with a dicing tape capable of suppressing the occurrence of cracks, cracks, and chipping in the film even when refrigerated transported and stored, and a semiconductor device using the die-bonding film with the dicing tape It is in providing the manufacturing method of.

本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、ダイシングテープ付きダイボンドフィルムについて検討した。その結果、ダイボンドフィルムに、熱可塑性樹脂と、特定の粘度を有する熱硬化性樹脂とを含有させることにより、高温で長時間熱処理した条件においても、封止工程後にダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が溜まることを抑制でき、且つ、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。   The inventors of the present application have studied a die bond film with a dicing tape in order to solve the conventional problems. As a result, by adding a thermoplastic resin and a thermosetting resin having a specific viscosity to the die bond film, the die bond film and the adherend after the sealing step can be subjected to a heat treatment for a long time at a high temperature. It has been found that bubbles can be prevented from accumulating at the boundary, and that the film can be prevented from cracking, cracking and chipping even during refrigerated transport and storage, and the present invention is completed. It came to.

すなわち、本発明に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムは、
基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、前記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有するダイシングテープ付きダイボンドフィルムであって、
前記ダイボンドフィルムが、熱可塑性樹脂（ａ）と、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）とを含有し、
前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、
前記熱硬化性樹脂（ｂ）の全樹脂成分に対する含有量が１重量％以上５０重量％以下であり、
前記ダイボンドフィルムの１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率が０．０５ＭＰａ以上であることを特徴とする。 That is, the die bond film with a dicing tape according to the present invention is
A dicing tape with a dicing tape having a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on a substrate and a die-bonding film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer,
The die bond film contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec,
The thermosetting resin (b) is one or more selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin,
The content of the thermosetting resin (b) with respect to all resin components is 1% by weight or more and 50% by weight or less,
The storage elastic modulus at 260 ° C. after heat curing at 170 ° C. for 1 hour of the die bond film is 0.05 MPa or more.

前記構成によれば、ダイボンドフィルムは、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）を全樹脂成分に対して１重量％以上５０重量％以下で含有する。前記ダイボンドフィルムが、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）を全樹脂成分に対して１重量％以上含有するため、高温で長時間熱処理した条件においても、反応を適度に抑えることができ、封止工程後にダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が溜まることを抑制することができる。
また、前記ダイボンドフィルムが、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）を全樹脂成分に対して１重量％以上含有するため、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となる。一方、前記熱硬化性樹脂（ｂ）を全樹脂成分に対して５０重量％以下含有するため、過度なタック性を抑制でき、ピックアップ性を良好とすることができる。
また、前記ダイボンドフィルムの１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率が０．０５ＭＰａ以上であるため、耐湿半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができる。 According to the said structure, a die-bonding film contains the thermosetting resin (b) whose viscosity in 25 degreeC is 0.1-50 Pa.sec by 1 to 50 weight% with respect to all the resin components. . Since the die-bonding film contains 1% by weight or more of the thermosetting resin (b) having a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec with respect to all resin components, However, the reaction can be moderately suppressed, and bubbles (voids) can be prevented from accumulating at the boundary between the die bond film and the adherend after the sealing step.
Moreover, since the die-bonding film contains 1% by weight or more of the thermosetting resin (b) having a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec with respect to all resin components, In addition, the film can be prevented from being cracked, cracked, or chipped. On the other hand, since the thermosetting resin (b) is contained in an amount of 50% by weight or less based on the total resin component, excessive tackiness can be suppressed and pick-up property can be improved.
Moreover, since the storage elastic modulus at 260 ° C. after heat curing at 170 ° C. for 1 hour of the die bond film is 0.05 MPa or more, the reliability in the moisture-resistant solder reflow test can be improved.

このように、前記構成によれば、前記ダイボンドフィルムが、熱可塑性樹脂（ａ）と、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）とを含有し、前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、前記熱硬化性樹脂（ｂ）の全樹脂成分に対する含有量が１重量％以上５０重量％以下であり、前記ダイボンドフィルムの１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率が０．０５ＭＰａ以上であるため、高温で長時間熱処理した条件においても、封止工程後にダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が溜まることを抑制でき、耐湿半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができ、さらに、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となる。   Thus, according to the said structure, the said die-bonding film contains a thermoplastic resin (a) and the thermosetting resin (b) whose viscosity in 25 degreeC is 0.1-50 Pa.sec, The thermosetting resin (b) is at least one selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin, and the content of the thermosetting resin (b) with respect to all resin components is 1 wt% or more and 50 wt%. Since the storage elastic modulus at 260 ° C. after heat curing at 170 ° C. for 1 hour of the die bond film is 0.05 MPa or more, the die bond film after the sealing step even under the condition of heat treatment for a long time at high temperature It is possible to suppress the accumulation of air bubbles (voids) at the boundary between the substrate and the adherend, to improve the reliability in the moisture-resistant solder reflow test, and to crack the film during refrigerated transport and storage. It becomes possible to suppress the occurrence of cracks and chipping.

前記構成において、前記熱可塑性樹脂（ａ）が、官能基含有アクリル共重合体であることが好ましい。前記熱可塑性樹脂（ａ）が、官能基含有アクリル共重合体であると、熱硬化時に、この官能基と、熱硬化性樹脂（ｂ）との間で架橋が進行する。その結果、低分子成分が架橋される結果、耐熱半田リフロー試験での信頼性をより良好とすることができる。   The said structure WHEREIN: It is preferable that the said thermoplastic resin (a) is a functional group containing acrylic copolymer. When the thermoplastic resin (a) is a functional group-containing acrylic copolymer, crosslinking proceeds between the functional group and the thermosetting resin (b) during thermosetting. As a result, as a result of the low molecular component being cross-linked, the reliability in the heat-resistant solder reflow test can be improved.

前記構成においては、前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、下記化学式（１）で表される熱硬化性樹脂であることが好ましい。   In the said structure, it is preferable that the said thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by following Chemical formula (1).

Figure 2015026707
（但し、式中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１はそれぞれ独立してアリル基又はＨを示し、少なくとも１つはアリル基であり、ｍは１〜３の整数である。）
Figure 2015026707
 (In the formula, n is an integer of 0 to 10, R 1 independently represents an allyl group or H, at least one is an allyl group, and m is an integer of 1 to 3).

前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、上記化学式（１）で表される熱硬化性樹脂であると、アリル基を有するため、アリル基のかさ高さのために、熱硬化反応の進行速度が抑制される。その結果、輸送、保管時に硬化反応が進行してしまうことを抑制することができる。   When the thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by the above chemical formula (1), since it has an allyl group, the rate of progress of the thermosetting reaction is high due to the bulkiness of the allyl group. It is suppressed. As a result, it is possible to prevent the curing reaction from proceeding during transportation and storage.

前記構成において、前記ダイボンドフィルムの５℃での破断伸度が１０％以上であることが好ましい。前記ダイボンドフィルムの５℃での破断伸度が１０％以上であると、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることをより抑制することが可能となる。   The said structure WHEREIN: It is preferable that the breaking elongation in 5 degreeC of the said die-bonding film is 10% or more. When the breaking elongation at 5 ° C. of the die bond film is 10% or more, it is possible to further suppress the occurrence of cracks, cracks, and chipping in the film even when refrigerated transported and stored.

前記構成において、前記粘着剤層がアクリル酸２−エチルヘキシルを構成単位として含有するアクリルポリマーを含むことが好ましい。本発明では、ダイボンドフィルムが、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）を含有しているため、粘着剤層とダイボンドフィルムとが過度に密着してしまうおそれがある。しかしながら、前記粘着剤層がアクリル酸２−エチルヘキシルを構成単位として含有するアクリルポリマーを含んでいると、ダイボンドフィルムからの剥離性を良好とすることができる。   The said structure WHEREIN: It is preferable that the said adhesive layer contains the acrylic polymer which contains 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit. In this invention, since the die bond film contains the thermosetting resin (b) whose viscosity in 25 degreeC is 0.1-50 Pa.sec, an adhesive layer and a die bond film adhere too much. There is a risk that. However, when the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer containing 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit, the peelability from the die bond film can be improved.

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体素子を形成するダイシング工程と、
前記半導体素子を、前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムから前記ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記ダイボンドフィルムを介して、前記半導体素子を被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子を封止する工程とを有することを特徴とする。 Moreover, the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention includes a bonding step of bonding the die bond film of the die bond film with the dicing tape described above and the back surface of the semiconductor wafer,
Dicing the semiconductor wafer together with the die-bonding film with the dicing tape to form a chip-shaped semiconductor element;
Pickup process for picking up the semiconductor element together with the die bond film from the die bond film with the dicing tape,
A die-bonding step of die-bonding the semiconductor element on an adherend through the die-bonding film;
A wire bonding step of wire bonding to the semiconductor element;
And a step of sealing the semiconductor element.

前記構成によれば、前記ダイボンドフィルムが、熱可塑性樹脂（ａ）と、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）とを含有し、前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、前記熱硬化性樹脂（ｂ）の全樹脂成分に対する含有量が１重量％以上５０重量％以下であり、前記ダイボンドフィルムの１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率が０．０５ＭＰａ以上であるため、高温で長時間熱処理した条件においても、封止工程後にダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が溜まることを抑制でき、耐湿半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができ、さらに、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となる。   According to the said structure, the said die-bonding film contains a thermoplastic resin (a) and the thermosetting resin (b) whose viscosity in 25 degreeC is 0.1-50 Pa.sec, The said thermosetting property The resin (b) is one or more selected from the group consisting of epoxy resins and phenol resins, and the content of the thermosetting resin (b) with respect to all resin components is 1% by weight or more and 50% by weight or less, Since the storage elastic modulus at 260 ° C. after heat curing at 170 ° C. for 1 hour of the die bond film is 0.05 MPa or more, the die bond film and the adherend after the sealing step even under the condition of heat treatment for a long time at high temperature It is possible to suppress the accumulation of air bubbles (voids) at the boundary of the film, and to improve the reliability in the moisture-resistant solder reflow test. Furthermore, the film is cracked, cracked, and cracked during refrigerated transportation and storage. It is possible to suppress the occurrence.

本発明のダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法によれば、高温で長時間熱処理した条件においても、封止工程後にダイボンドフィルムと被着体との境界に気泡（ボイド）が溜まることを抑制でき、耐湿半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができ、さらに、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となる。   According to the die bond film with a dicing tape and the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, even when the heat treatment is performed for a long time at a high temperature, bubbles are accumulated at the boundary between the die bond film and the adherend after the sealing step. It is possible to suppress this, and to improve the reliability in the moisture-resistant solder reflow test. Further, it is possible to prevent the film from being cracked, cracked or chipped even during refrigerated transportation and storage.

本発明の実施の一形態に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the die-bonding film with a dicing tape which concerns on one Embodiment of this invention. 前記実施の形態に係る他のダイシングテープ付きダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the other die-bonding film with a dicing tape which concerns on the said embodiment. 前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which mounted the semiconductor chip through the die-bonding film in the said die-bonding film with a dicing tape. 前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which mounted the semiconductor chip three-dimensionally via the die-bonding film in the said die-bonding film with a dicing tape. 前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which mounted two semiconductor chips with the die-bonding film through the spacer using the die-bonding film with a dicing tape.

本実施の形態に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０は、ダイシングテープ上にダイボンドフィルム３が積層された構造である（図１参照）。前記ダイシングテープは、基材１上に粘着剤層２が積層された構造である。ダイボンドフィルム３はダイシングテープの粘着剤層２上に積層されている。   A die bond film 10 with a dicing tape according to the present embodiment has a structure in which a die bond film 3 is laminated on a dicing tape (see FIG. 1). The dicing tape has a structure in which an adhesive layer 2 is laminated on a substrate 1. The die bond film 3 is laminated on the adhesive layer 2 of the dicing tape.

＜ダイボンドフィルム＞
ダイボンドフィルム３は、熱可塑性樹脂（ａ）と、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）とを含有する。ダイボンドフィルム３の１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率は、０．０５ＭＰａ以上であり、０．０７ＭＰａ以上であることが好ましい。また、ダイボンドフィルム３の１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率は、特に制限されないが、例えば、２０００ＭＰａ以下である。ダイボンドフィルム３の１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率は、０．０５ＭＰａ以上であるため、耐湿半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができる。 <Die bond film>
The die bond film 3 contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec. The storage elastic modulus at 260 ° C. after heat curing at 170 ° C. for 1 hour of the die bond film 3 is 0.05 MPa or more, and preferably 0.07 MPa or more. In addition, the storage elastic modulus at 260 ° C. after heat curing at 170 ° C. for 1 hour of the die bond film 3 is not particularly limited, but is, for example, 2000 MPa or less. Since the storage elastic modulus at 260 ° C. after heat curing at 170 ° C. for 1 hour of the die bond film 3 is 0.05 MPa or more, the reliability in the moisture-resistant solder reflow test can be improved.

（熱可塑性樹脂（ａ））
前記熱可塑性樹脂（ａ）としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、官能基含有アクリル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、官能基含有アクリル共重合体が特に好ましい。熱硬化時に、この官能基と、熱硬化性樹脂（ｂ）との間で架橋が進行する。その結果、低分子成分が架橋される結果、耐熱半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができる。 (Thermoplastic resin (a))
Examples of the thermoplastic resin (a) include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, functional group-containing acrylic copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, and ethylene-acrylic acid ester. Copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, or fluorine Examples thereof include resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these thermoplastic resins, functional group-containing acrylic copolymers are particularly preferred. At the time of thermosetting, crosslinking proceeds between this functional group and the thermosetting resin (b). As a result, the low molecular component is cross-linked, so that the reliability in the heat-resistant solder reflow test can be improved.

前記官能基含有アクリル共重合体としては、官能基を有するアクリル共重合体であれば特に限定されない。前記官能基としては、グリシジル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基等が挙げられる。官能基含有アクリル共重合体への前記官能基の導入方法は特に限定されず、官能基含有モノマーと他のモノマー成分との共重合により導入してもよく、アクリル系モノマーの共重合体を調製した後にこの共重合体と前記官能基を有する化合物とを反応させて導入してもよい。官能基含有アクリル共重合体の調製の容易性等を考慮すると、官能基含有モノマーと他のモノマーとの共重合による導入が好ましい。官能基含有モノマーとしては、前記官能基を有し、かつ共重合可能なエチレン性不飽和結合を有するモノマーを好適に用いることができ、例えばグリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アクリル酸、ヒドロキシエチルアクリレート等が挙げられる。官能基含有アクリル共重合体における官能基含有モノマーの含有量としては、目的とする官能基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）等を考慮して決めればよい。   The functional group-containing acrylic copolymer is not particularly limited as long as it is an acrylic copolymer having a functional group. Examples of the functional group include a glycidyl group, a carboxyl group, and a hydroxyl group. The method for introducing the functional group into the functional group-containing acrylic copolymer is not particularly limited, and may be introduced by copolymerization of the functional group-containing monomer and other monomer components to prepare an acrylic monomer copolymer. Then, this copolymer and the compound having the functional group may be reacted and introduced. In view of the ease of preparation of the functional group-containing acrylic copolymer, introduction by copolymerization of the functional group-containing monomer and another monomer is preferable. As the functional group-containing monomer, a monomer having the functional group and having a copolymerizable ethylenically unsaturated bond can be suitably used. For example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, acrylic acid, hydroxyethyl acrylate, etc. Can be mentioned. The content of the functional group-containing monomer in the functional group-containing acrylic copolymer may be determined in consideration of the glass transition point (Tg) of the target functional group-containing acrylic copolymer.

前記官能基含有アクリル共重合体を構成する他のモノマーとしては、例えばメチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアクリレート、ペンチルアクリレート、ヘキシルアクリレート等の炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、ペンチルアクリレート、ヘキシルアクリレート等の炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルメタクリレート、アクリロニトリル、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー等が挙げられる。これらの他のモノマーは１種又は２種以上組み合わせて用いてもよい。前記他のモノマーの中でも、エチルアクリレート、エチルメタアクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタアクリレート、アクリロ二トリル、のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。混合比率は、共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）等を考慮して調整することが好ましい。   Examples of other monomers constituting the functional group-containing acrylic copolymer include alkyl acrylates having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, pentyl acrylate, and hexyl acrylate, Alkyl methacrylate having 1 to 8 carbon atoms such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, pentyl acrylate, hexyl acrylate, acrylonitrile, styrene, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, Carboxyl group-containing monomers such as itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid, maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxy (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as hexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methyl acrylate , Styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, etc. Sulfonic acid group-containing monomer, or 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate phosphoric acid group-containing monomers such as and the like. These other monomers may be used alone or in combination of two or more. Among the other monomers, it is preferable to include at least one of ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, and acrylonitrile. The mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the glass transition point (Tg) of the copolymer.

前記官能基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）は、ダイボンドフィルムとシリコンウェハとの間の適度な接着性が得られる限り特に限定されないものの、−３０℃以上４０℃以下が好ましく、−２０℃以上３０℃以下がより好ましい。ガラス転移点が−３０℃未満であると、前記官能基含有アクリル共重合体に常温でタック性が生じてしまい、ハンドリングしにくくなる場合がある。一方、ガラス転移点が４０℃を超えると、シリコンウェハへの接着力が低下するおそれがある。   The glass transition point (Tg) of the functional group-containing acrylic copolymer is not particularly limited as long as appropriate adhesion between the die bond film and the silicon wafer is obtained, but is preferably −30 ° C. or higher and 40 ° C. or lower, 20 degreeC or more and 30 degrees C or less are more preferable. If the glass transition point is lower than −30 ° C., the functional group-containing acrylic copolymer may have tackiness at room temperature, and may be difficult to handle. On the other hand, when the glass transition point exceeds 40 ° C., the adhesive force to the silicon wafer may be reduced.

（熱硬化性樹脂（ｂ））
前記熱硬化性樹脂（ｂ）は、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃであり、０．５〜４０Ｐａ・ｓｅｃであることがより好ましい。また、前記熱硬化性樹脂（ｂ）の全樹脂成分（ダイボンドフィルムの全樹脂成分）に対する含有量は、１重量％以上５０重量％以下であり、１重量％以上４０重量％以下であることが好ましい。ダイボンドフィルム３が、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）を全樹脂成分に対して１重量％以上含有するため、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となる。一方、前記熱硬化性樹脂（ｂ）を全樹脂成分に対して５０重量％以下含有するため、過度なタック性を抑制でき、ピックアップ性を良好とすることができる。 (Thermosetting resin (b))
The thermosetting resin (b) has a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec, and more preferably 0.5 to 40 Pa · sec. The content of the thermosetting resin (b) with respect to all resin components (all resin components of the die bond film) is 1% by weight or more and 50% by weight or less, and 1% by weight or more and 40% by weight or less. preferable. Since the die-bonding film 3 contains 1% by weight or more of the thermosetting resin (b) having a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec with respect to all resin components, it is also stored when refrigerated and stored. It is possible to prevent the film from being cracked, cracked, or chipped. On the other hand, since the thermosetting resin (b) is contained in an amount of 50% by weight or less based on the total resin component, excessive tackiness can be suppressed and pick-up property can be improved.

前記熱硬化性樹脂（ｂ）は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、前記熱可塑性樹脂（ａ）、特に、前記官能基含有アクリル共重合体の硬化剤として作用するものが好ましい。   The thermosetting resin (b) is at least one selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin, and acts as a curing agent for the thermoplastic resin (a), particularly the functional group-containing acrylic copolymer. Those that do are preferred.

前記熱硬化性樹脂（ｂ）としては、例えば、液状フェノールノボラック樹脂、液状エポキシ樹脂、液状イソシアネート樹脂等が挙げられ、なかでも、液状フェノール樹脂、液状エポキシ樹脂が好ましく、液状フェノール樹脂が特に好ましい。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。なお、液状とは、２５℃での粘度が前記範囲内にあることをいう。   Examples of the thermosetting resin (b) include a liquid phenol novolac resin, a liquid epoxy resin, a liquid isocyanate resin, and the like. Among these, a liquid phenol resin and a liquid epoxy resin are preferable, and a liquid phenol resin is particularly preferable. These can be used alone or in combination of two or more. In addition, liquid state means that the viscosity in 25 degreeC exists in the said range.

前記熱硬化性樹脂（ｂ）のなかでも、下記化学式（１）で表される熱硬化性樹脂が好ましい。   Among the thermosetting resins (b), a thermosetting resin represented by the following chemical formula (1) is preferable.

Figure 2015026707
（但し、式中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１はそれぞれ独立してアリル基又はＨを示し、少なくとも１つはアリル基であり、ｍは１〜３の整数である。）
Figure 2015026707
 (In the formula, n is an integer of 0 to 10, R 1 independently represents an allyl group or H, at least one is an allyl group, and m is an integer of 1 to 3).

前記Ｒ１におけるアリル基の数とＨの数の割合は、適度に粘度を所望の範囲とすることができる観点から、（アリル基の数）：（Ｈの数）で表すと、１：３であることが好ましい。
また、前記熱硬化性樹脂（ｂ）の重量平均分子量は、１００以上５０００以下であることが好ましく、より好ましくは２００以上３０００以下である。前記熱硬化性樹脂（ｂ）の重量平均分子量を１００以上５０００以下とすることにより、他の材料と相溶性良く分散できる。また、ダイシングテープへの移行を防止することができる。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値をいう。 The ratio of the number of allyl groups to the number of H in R 1 is 1: 3 when expressed as (number of allyl groups) :( number of H) from the viewpoint of appropriately setting the viscosity within a desired range. It is preferable that
Moreover, it is preferable that the weight average molecular weights of the said thermosetting resin (b) are 100 or more and 5000 or less, More preferably, they are 200 or more and 3000 or less. By setting the weight average molecular weight of the thermosetting resin (b) to 100 or more and 5000 or less, the thermosetting resin (b) can be dispersed with good compatibility with other materials. Moreover, the shift to the dicing tape can be prevented. The weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated in terms of polystyrene.

前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、上記化学式（１）で表される熱硬化性樹脂であると、アリル基を有するため、アリル基のかさ高さのために、熱硬化反応の進行速度が抑制される。その結果、ダイボンドフィルム３の輸送、保管時に硬化反応が進行してしまうことを抑制することができる。   When the thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by the above chemical formula (1), since it has an allyl group, the rate of progress of the thermosetting reaction is high due to the bulkiness of the allyl group. It is suppressed. As a result, it is possible to prevent the curing reaction from proceeding during transportation and storage of the die bond film 3.

前記熱硬化性樹脂（ｂ）の具体的な製品としては、明和化成社製のＭＥＨ−８０００−４Ｌ、ＭＥＨ−８０００Ｈ、ＭＥＨ−８０１５、ＭＥＨ−８００５、群栄化学工業社製のＸＰＬ−４４３７Ｅ等を挙げることができる。   Specific examples of the thermosetting resin (b) include MEH-8000-4L, MEH-8000H, MEH-8015, MEH-8005 manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. and XPL-4437E manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd. Can be mentioned.

ダイボンドフィルム３には、必要に応じて無機充填剤、添加剤を適宜に配合することができる。前記無機充填剤（無機フィラー）としては例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、アルミナ、酸化亜鉛、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ、酸化亜鉛、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。前記無機充填剤の配合量は、樹脂成分１００重量部に対し０〜９５重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは０〜９０重量部である。ダイボンドフィルム３に無機充填剤が含まれていると、吸湿性をコントロールすることができる。   In the die bond film 3, an inorganic filler and an additive can be appropriately blended as necessary. Examples of the inorganic filler (inorganic filler) include silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, and alumina. Zinc oxide, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Of these, aluminum oxide, aluminum nitride, alumina, zinc oxide, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica, and the like are preferable from the viewpoint of improving thermal conductivity. The blending amount of the inorganic filler is preferably set to 0 to 95 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component. Particularly preferred is 0 to 90 parts by weight. When the die-bonding film 3 contains an inorganic filler, the hygroscopicity can be controlled.

前記添加剤としては、例えば難燃剤、染料、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。   Examples of the additive include a flame retardant, a dye, a silane coupling agent, and an ion trap agent. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.

ダイボンドフィルム３の５℃での破断伸度は、１０％以上であることが好ましく、１５％以上であることがより好ましい。ダイボンドフィルム３の５℃での破断伸度が１０％以上であると、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることをより抑制することが可能となる。また、前記ダイボンドフィルム３の５℃での破断伸度は、ハンドリングの観点から、１５００％以下であることが好ましく、１０００％以下であることがより好ましい。   The breaking elongation at 5 ° C. of the die bond film 3 is preferably 10% or more, and more preferably 15% or more. When the breaking elongation at 5 ° C. of the die bond film 3 is 10% or more, it is possible to further suppress the occurrence of cracks, cracks, and chipping in the film during refrigerated transportation and storage. Further, the elongation at break of the die bond film 3 at 5 ° C. is preferably 1500% or less, and more preferably 1000% or less from the viewpoint of handling.

また、ダイボンドフィルム３の５℃の破断伸度と２５℃の破断伸度との差が１０００％未満であることが好ましく、８００％未満であることがより好ましい。前記破断伸度の差が前記数値範囲内であると、温度変化によるダイボンドフィルムのシワを抑制することができる。   Further, the difference between the breaking elongation at 5 ° C. and the breaking elongation at 25 ° C. of the die bond film 3 is preferably less than 1000%, and more preferably less than 800%. If the difference in elongation at break is within the numerical range, wrinkles of the die bond film due to temperature changes can be suppressed.

なお、ダイボンドフィルムの５℃の破断伸度、及び、２５℃の破断伸度の測定は、実施例記載の方法による。   In addition, the measurement of the breaking elongation of 5 degreeC of a die-bonding film and the breaking elongation of 25 degreeC is based on the method as described in an Example.

ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、３〜２００μｍ程度、好ましくは５〜１５０μｍ程度である。   Although the thickness (in the case of a laminated body) of the die-bonding film 3 is not specifically limited, For example, it is about 3-200 micrometers, Preferably it is about 5-150 micrometers.

また、ダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシングテープにダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。   The die bond film 3 is preferably protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the die bond film until it is put into practical use. Further, the separator can be used as a supporting substrate when transferring the die bond films 3, 3 'to a dicing tape. The separator is peeled off when the workpiece is stuck on the die bond film. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used.

なお、本発明に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムとしては、図１に示すダイボンドフィルム３の他に、図２に示す様に半導体ウェハ貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を積層したダイシングテープ付きダイボンドフィルム１１の構成であってもよい。   In addition, as a die-bonding film with a dicing tape concerning this invention, in addition to the die-bonding film 3 shown in FIG. 1, the die-bonding film with a dicing tape which laminated | stacked die-bonding film 3 'only on the semiconductor wafer affixing part as shown in FIG. 11 configurations may be used.

＜ダイシングテープ＞
ダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０、１１を構成するダイシングテープは、基材１上に粘着剤層２が積層された構造である。以下、基材及び粘着剤層の順で説明する。 <Dicing tape>
The dicing tape constituting the die-bonding films 10 and 11 with the dicing tape has a structure in which the pressure-sensitive adhesive layer 2 is laminated on the substrate 1. Hereinafter, it demonstrates in order of a base material and an adhesive layer.

（基材）
前記基材１は紫外線透過性を有するものを使用することができ、ダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０、１１の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。 (Base material)
The base material 1 may be a material having ultraviolet transparency, and serves as a strength matrix of the die-bonding films 10 and 11 with dicing tape. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyester such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfur De, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like.

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。   Moreover, as a material of the base material 1, polymers, such as the crosslinked body of the said resin, are mentioned. The plastic film may be used unstretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching treatment or the like, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond films 3 and 3 ′ is reduced by thermally shrinking the base material 1 after dicing, so that the semiconductor chip The collection of the (semiconductor element) can be facilitated.

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。   The surface of the substrate 1 is chemically treated by conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. in order to improve adhesion and retention with adjacent layers. Alternatively, a physical treatment or a coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later) can be performed. The base material 1 can be used by appropriately selecting the same kind or different kinds, and a blend of several kinds can be used as necessary.

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。   The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 μm.

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   It does not restrict | limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 2, For example, common pressure sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber adhesive, can be used. The pressure-sensitive adhesive is an acrylic pressure-sensitive adhesive based on an acrylic polymer from the standpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol for electronic components that are difficult to contaminate semiconductor wafers and glass. Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。なかでも、アクリル酸２−エチルヘキシルを構成単位として含有することが好ましい。粘着剤層２がアクリル酸２−エチルヘキシルを構成単位として含有するアクリルポリマーを含んでいると、ダイボンドフィルム３からの剥離性を良好とすることができる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). Especially, it is preferable to contain 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit. When the adhesive layer 2 contains an acrylic polymer containing 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit, the peelability from the die bond film 3 can be improved. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. You may go out. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 5 parts by weight or less, and further 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifier and anti-aging agent, other than the said component as needed to an adhesive.

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive. The radiation curable pressure-sensitive adhesive can increase the degree of cross-linking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, and can easily reduce its adhesive strength, and a portion 2a corresponding to the work pasting portion of the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. The difference in adhesive strength with the other part 2b can be provided by irradiating only with radiation.

また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。   Further, by curing the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 in accordance with the die bond film 3 ′ shown in FIG. 2, the portion 2 a having a significantly reduced adhesive force can be easily formed. Since the die bond film 3 ′ is attached to the portion 2 a that has been cured and has reduced adhesive strength, the interface between the portion 2 a and the die bond film 3 ′ of the pressure-sensitive adhesive layer 2 has a property of being easily peeled off during pick-up. On the other hand, the portion not irradiated with radiation has a sufficient adhesive force, and forms the portion 2b.

前述の通り、図１に示すダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシングテープ付きダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。   As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the die-bonding film 10 with the dicing tape shown in FIG. 1, the portion 2b formed of the uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive adheres to the die-bonding film 3 and is diced. Can be secured. In this way, the radiation curable pressure-sensitive adhesive can support the die bond film 3 for fixing a chip-like work (semiconductor chip or the like) to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the die bond film 11 with the dicing tape shown in FIG. 2, the portion 2b can fix the wafer ring.

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。   As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. As the radiation curable pressure sensitive adhesive, for example, an addition type radiation curable pressure sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure sensitive pressure sensitive adhesive such as an acrylic pressure sensitive adhesive or a rubber pressure sensitive adhesive. An agent can be illustrated.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include stall tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30,000 are suitable. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。   In addition to the additive-type radiation curable adhesive described above, the radiation curable pressure-sensitive adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the main chain terminal as a base polymer. Intrinsic radiation curable pressure sensitive adhesives using Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain many, so they are stable without the oligomer components moving through the adhesive over time. It is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. Moreover, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by a combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。   As the intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the radiation curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The radiation-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenesulfonyl Black Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 1; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。   Examples of radiation curable pressure-sensitive adhesives include photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956. And a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２に於ける前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。   When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 so that the pressure-sensitive adhesive force of the part 2a in the pressure-sensitive adhesive layer 2 <the pressure-sensitive adhesive force of the other part 2b. May be irradiated.

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、支持基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。   Examples of the method for forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2 include a method in which after the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the support substrate 1, the portion 2a is partially irradiated with radiation to be cured. It is done. The partial radiation irradiation can be performed through a photomask in which a pattern corresponding to the portion 3b other than the workpiece pasting portion 3a is formed. Moreover, the method etc. of irradiating and hardening | curing an ultraviolet-ray spotly are mentioned. The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring what is provided on the separator onto the support substrate 1. Partial radiation curing can also be performed on the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０を製造可能である。   In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, all or a part of at least one side of the support substrate 1 other than the part corresponding to the workpiece pasting part 3a is shielded from light. The portion 2a with reduced adhesive strength can be formed by irradiating with radiation after forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 on the substrate and curing the portion corresponding to the workpiece pasting portion 3a. . As a light shielding material, what can become a photomask on a support film can be prepared by printing, vapor deposition, or the like. According to this manufacturing method, the die-bonding film 10 with a dicing tape of this invention can be manufactured efficiently.

尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。   In the case where curing is inhibited by oxygen during irradiation, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 by some method. For example, a method of coating the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 with a separator, a method of irradiating ultraviolet rays or the like in a nitrogen gas atmosphere, and the like can be mentioned.

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoint of preventing chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the adhesive layer. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers is preferable.

＜ダイシングテープ付きダイボンドフィルムの製造方法＞
本実施の形態に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０、１１は、例えばダイシングテープ及びダイボンドフィルムを別々に作製しておき、最後にこれらを貼り合わせることにより作成することができる。具体的には、以下のような手順に従って作製することができる。 <Manufacturing method of die bond film with dicing tape>
The die bond films 10 and 11 with a dicing tape according to the present embodiment can be prepared, for example, by separately preparing a dicing tape and a die bond film and finally bonding them together. Specifically, it can be produced according to the following procedure.

先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。   First, the base material 1 can be formed by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.

次に、粘着剤層形成用の粘着剤組成物を調製する。粘着剤組成物には、粘着剤層の項で説明したような樹脂や添加物等が配合されている。調製した粘着剤組成物を基材１上に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、基材１及び粘着剤層２を備えるダイシングテープが作製される。なお、ダイシングテープとしては、少なくとも基材及び粘着剤層を備えていればよく、セパレータ等の他の要素を有している場合もダイシングテープという。   Next, a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer is prepared. Resin, additive, etc. which were demonstrated by the term of the adhesive layer are mix | blended with the adhesive composition. After the prepared pressure-sensitive adhesive composition is applied onto the substrate 1 to form a coating film, the coating film is dried under predetermined conditions (heat-crosslinked as necessary) to form the pressure-sensitive adhesive layer 2. . It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. As drying conditions, for example, the drying temperature is 80 to 150 ° C. and the drying time is 0.5 to 5 minutes. Moreover, after apply | coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, the coating film may be dried on the said drying conditions, and the adhesive layer 2 may be formed. Then, the adhesive layer 2 is bonded together with the separator on the base material 1. Thereby, the dicing tape provided with the base material 1 and the adhesive layer 2 is produced. In addition, as a dicing tape, what is necessary is just to provide the base material and the adhesive layer at least, and when it has other elements, such as a separator, it is also called a dicing tape.

ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、以下のようにして作製される。先ず、ダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物を作製する。当該接着剤組成物には、ダイボンドフィルムの項で説明した通り、熱可塑性樹脂（ａ）や、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）、各種の添加剤等が配合されている。   The die bond films 3 and 3 ′ are produced, for example, as follows. First, an adhesive composition that is a material for forming the die bond films 3 and 3 ′ is prepared. In the adhesive composition, as described in the section of the die bond film, the thermoplastic resin (a), the thermosetting resin (b) having a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec, various types Additives etc. are blended.

次に、調製した接着剤組成物を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に接着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。なお、本発明には、ダイボンドフィルムが接着剤層単独で形成されている場合だけでなく、接着剤層とセパレータ等の他の要素とで形成されている場合も含まれる。   Next, after applying the prepared adhesive composition on the base separator so as to have a predetermined thickness to form a coating film, the coating film is dried under predetermined conditions to form an adhesive layer. It does not specifically limit as a coating method, For example, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned. As drying conditions, for example, the drying temperature is 70 to 160 ° C. and the drying time is 1 to 5 minutes. Moreover, after apply | coating an adhesive composition on a separator and forming a coating film, you may dry an application film on the said drying conditions, and may form an adhesive bond layer. Then, an adhesive bond layer is bonded together with a separator on a base material separator. The present invention includes not only the case where the die bond film is formed of an adhesive layer alone, but also the case where it is formed of an adhesive layer and other elements such as a separator.

続いて、ダイボンドフィルム３、３’及びダイシングテープからそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムが得られる。   Subsequently, the separator is peeled off from each of the die bond films 3 and 3 ′ and the dicing tape, and the both are bonded so that the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer become the bonding surfaces. Bonding can be performed by, for example, pressure bonding. At this time, the lamination temperature is not particularly limited, and is preferably 30 to 50 ° C., for example, and more preferably 35 to 45 ° C. Moreover, a linear pressure is not specifically limited, For example, 0.1-20 kgf / cm is preferable and 1-10 kgf / cm is more preferable. Next, the base material separator on the adhesive layer is peeled off, and the die bond film with dicing tape according to the present embodiment is obtained.

＜半導体装置の製造方法＞
次に、本実施の形態に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について、以下に説明する。 <Method for Manufacturing Semiconductor Device>
Next, the manufacturing method of the semiconductor device using the die-bonding film 10 with a dicing tape concerning this Embodiment is demonstrated below.

先ず、図１に示すように、ダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０に於ける接着剤層３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り合わせ工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。   First, as shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 4 is pressure-bonded onto the semiconductor wafer bonding portion 3a of the adhesive layer 3 in the die bond film 10 with a dicing tape, and this is bonded and held (fixing step). ). This step is performed while pressing with a pressing means such as a pressure roll.

次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する（ダイシング工程）。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。   Next, dicing of the semiconductor wafer 4 is performed. Thereby, the semiconductor wafer 4 is cut into a predetermined size and separated into individual pieces, and the semiconductor chip 5 is manufactured (dicing step). Dicing is performed according to a conventional method from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4, for example. Moreover, in this process, the cutting method called full cut etc. which cut | disconnect to the die-bonding film 10 with a dicing tape, for example can be employ | adopted. It does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used. Further, since the semiconductor wafer is bonded and fixed by the die bond film 10 with the dicing tape, chip chipping and chip jump can be suppressed, and damage to the semiconductor wafer 4 can also be suppressed.

ダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ付きダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。   In order to peel off the semiconductor chip adhered and fixed to the die bond film 10 with the dicing tape, the semiconductor chip 5 is picked up (pickup process). The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up each semiconductor chip 5 from the die bond film 10 with a dicing tape with a needle and picking up the pushed-up semiconductor chip 5 with a pickup device may be mentioned.

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型の場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２の接着剤層３ａに対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。   Here, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is an ultraviolet curable type, the pickup is performed after the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with ultraviolet rays. Thereby, the adhesive force with respect to the adhesive layer 3a of the adhesive layer 2 falls, and peeling of the semiconductor chip 5 becomes easy. As a result, the pickup can be performed without damaging the semiconductor chip. Conditions such as irradiation intensity and irradiation time at the time of ultraviolet irradiation are not particularly limited, and may be set as necessary. Moreover, the above-mentioned thing can be used as a light source used for ultraviolet irradiation.

次に、図３に示すように、ダイシングにより形成された半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３ａを介して被着体６にダイボンドする（ダイボンド工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。   Next, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip 5 formed by dicing is die-bonded to the adherend 6 through the die-bonding film 3a (die-bonding step). Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform.

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。   A conventionally well-known thing can be used as said board | substrate. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board that can be used by mounting a semiconductor element and electrically connecting the semiconductor element.

ダイボンドは圧着により行われる。ダイボンドの条件としては特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。具体的には、例えば、ダイボンド温度８０〜１６０℃、ボンディング圧力５Ｎ〜１５Ｎ、ボンディング時間１〜１０秒の範囲内で行うことができる。   Die bonding is performed by pressure bonding. The conditions for die bonding are not particularly limited, and can be set as necessary. Specifically, for example, it can be performed within a die bonding temperature of 80 to 160 ° C., a bonding pressure of 5 N to 15 N, and a bonding time of 1 to 10 seconds.

続いて、ダイボンドフィルム３ａを加熱処理することによりこれを熱硬化させ、半導体チップ５と被着体６とを接着させる。加熱処理条件としては、温度８０〜１８０℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜４時間、より好ましくは０．１〜１時間の範囲内であることが好ましい。   Subsequently, the die-bonding film 3a is heat-treated to be thermally cured, and the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are bonded. As the heat treatment conditions, the temperature is in the range of 80 to 180 ° C., and the heating time is 0.1 to 24 hours, preferably 0.1 to 4 hours, more preferably 0.1 to 1 hour. Preferably there is.

次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。   Next, the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 are electrically connected by a bonding wire 7 (wire bonding step). As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire or the like is used. The temperature at the time of wire bonding is 80 to 250 ° C, preferably 80 to 220 ° C. The heating time is several seconds to several minutes. The connection is performed by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and pressure energy by pressurization while being heated so as to be within the temperature range.

なお、ワイヤーボンディング工程は、加熱処理によりダイボンドフィルム３を熱硬化させることなく行ってもよい。この場合、ダイボンドフィルム３ａの２５℃における剪断接着力は、被着体６に対し０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであることがより好ましい。前記剪断接着力を０．２ＭＰａ以上にすることにより、ダイボンドフィルム３ａを熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３ａと半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。   In addition, you may perform a wire bonding process, without thermosetting the die-bonding film 3 by heat processing. In this case, the shear bond strength of the die bond film 3a at 25 ° C. is preferably 0.2 MPa or more, more preferably 0.2 to 10 MPa, with respect to the adherend 6. Even if the wire bonding step is performed without thermosetting the die bond film 3a by setting the shear adhesive force to 0.2 MPa or more, the die bond film 3a and the semiconductor chip 5 are caused by ultrasonic vibration or heating in the step. Alternatively, shear deformation does not occur on the adhesion surface with the adherend 6. That is, the semiconductor element does not move due to ultrasonic vibration during wire bonding, thereby preventing the success rate of wire bonding from decreasing.

また、未硬化のダイボンドフィルム３ａは、ワイヤーボンディング工程を行っても完全に熱硬化することはない。更に、ダイボンドフィルム３ａの剪断接着力は、８０〜２５０℃の温度範囲内であっても、０．２ＭＰａ以上であることが必要である。当該温度範囲内で剪断接着力が０．２ＭＰａ未満であると、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動き、ワイヤーボンディングを行うことができず、歩留まりが低下するからである。   Further, the uncured die bond film 3a is not completely thermally cured even if the wire bonding process is performed. Furthermore, the shear bond strength of the die bond film 3a needs to be 0.2 MPa or more even within the temperature range of 80 to 250 ° C. This is because if the shear adhesive force is less than 0.2 MPa within the temperature range, the semiconductor element moves due to ultrasonic vibration during wire bonding, and wire bonding cannot be performed, resulting in a decrease in yield.

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａが熱硬化されていない場合は当該ダイボンドフィルム３ａも熱硬化させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３ａを熱硬化させて接着させることが可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。   Subsequently, a sealing step for sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This step is performed by molding a sealing resin with a mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. Although the heating temperature at the time of resin sealing is normally performed at 175 degreeC for 60 to 90 second, this invention is not limited to this, For example, it can cure at 165 to 185 degreeC for several minutes. As a result, the sealing resin is cured, and when the die bond film 3a is not thermally cured, the die bond film 3a is also thermally cured. That is, in the present invention, even when the post-curing process described later is not performed, the die-bonding film 3a can be thermally cured and bonded in this process, and the number of manufacturing processes is reduced. And it can contribute to shortening of the manufacturing period of a semiconductor device.

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３ａが熱硬化されない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８の硬化と共にダイボンドフィルム３ａを熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。   In the post-curing step, the sealing resin 8 that is insufficiently cured in the sealing step is completely cured. Even in the case where the die bond film 3a is not thermally cured in the sealing process, the die bond film 3a is thermally cured together with the curing of the sealing resin 8 in this process, thereby allowing the adhesive fixing. Although the heating temperature in this process changes with kinds of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and heating time is about 0.5 to 8 hours.

また、本発明のダイシングテープ付きダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つのダイボンドフィルム３ａを被着体６上に貼り付けた後、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて貼り付ける。更に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。その後、ダイボンドフィルム３ａ、１３を加熱することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内であることが好ましい。   Moreover, as shown in FIG. 4, the die bond film with a dicing tape of this invention can be used suitably also when laminating | stacking a some semiconductor chip and carrying out three-dimensional mounting. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example in which a semiconductor chip is three-dimensionally mounted through a die bond film. In the case of the three-dimensional mounting shown in FIG. 4, first, at least one die bond film 3a cut out to have the same size as the semiconductor chip is pasted on the adherend 6, and then the semiconductor chip 5 is attached via the die bond film 3a. Then, die bonding is performed so that the wire bond surface is on the upper side. Next, the die bond film 13 is pasted while avoiding the electrode pad portion of the semiconductor chip 5. Further, another semiconductor chip 15 is die-bonded on the die-bonding film 13 so that the wire-bonding surface is on the upper side. Thereafter, the die bond films 3a and 13 are heated to be thermoset and bonded and fixed, thereby improving the heat resistance strength. As for the heating conditions, it is preferable that the temperature is in the range of 80 to 200 ° C. and the heating time is in the range of 0.1 to 24 hours, as described above.

また本発明においては、ダイボンドフィルム３ａ、１３を熱硬化させず、単にダイボンドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。   In the present invention, the die bond films 3a and 13 may be simply die bonded without being thermally cured. Thereafter, wire bonding is performed without passing through a heating step, and the semiconductor chip is further sealed with a sealing resin, and the sealing resin can be after-cured.

次に、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。なお、本工程は、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱工程を経ることなく実施される。   Next, a wire bonding process is performed. Thereby, each electrode pad in the semiconductor chip 5 and the other semiconductor chip 15 and the adherend 6 are electrically connected by the bonding wire 7. In addition, this process is implemented without passing through the heating process of die-bonding films 3a and 13.

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、熱硬化が行われていない場合は、ダイボンドフィルム３ａの熱硬化により被着体６と半導体チップ５との間を接着固定する。また、ダイボンドフィルム１３の熱硬化により、半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間も接着固定させる。なお、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。   Subsequently, a sealing process for sealing the semiconductor chip 5 and the like with the sealing resin 8 is performed, and the sealing resin is cured. At the same time, when the thermosetting is not performed, the adherend 6 and the semiconductor chip 5 are bonded and fixed by the thermosetting of the die bond film 3a. Further, the die-bonding film 13 is thermally cured to bond and fix between the semiconductor chip 5 and the other semiconductor chip 15. In addition, you may perform a postcure process after a sealing process.

半導体チップの３次元実装の場合に於いても、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体６に反りが生じたり、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。   Even in the case of three-dimensional mounting of semiconductor chips, since the heat treatment by heating the die bond films 3a and 13 is not performed, the manufacturing process can be simplified and the yield can be improved. In addition, since the adherend 6 is not warped, and the semiconductor chip 5 and other semiconductor chips 15 are not cracked, the semiconductor element can be made thinner.

また、図５に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた３次元実装としてもよい。図５は、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。   Moreover, as shown in FIG. 5, it is good also as three-dimensional mounting which laminated | stacked the spacer via the die-bonding film between the semiconductor chips. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example in which two semiconductor chips are three-dimensionally mounted with a die bond film via a spacer.

図５に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３ａ、半導体チップ５及びダイボンドフィルム２１を順次積層してダイボンドする。更に、ダイボンドフィルム２１上に、スペーサ９、ダイボンドフィルム２１、ダイボンドフィルム３ａ及び半導体チップ５を順次積層してダイボンドする。その後、ダイボンドフィルム３ａ、２１を加熱することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内であることが好ましい。   In the case of the three-dimensional mounting shown in FIG. 5, first, the die bond film 3a, the semiconductor chip 5 and the die bond film 21 are sequentially laminated on the adherend 6 and die bonded. Furthermore, on the die bond film 21, the spacer 9, the die bond film 21, the die bond film 3a, and the semiconductor chip 5 are sequentially laminated and die bonded. Thereafter, the die bond films 3a and 21 are heated to be thermoset and bonded and fixed, thereby improving the heat resistance strength. As for the heating conditions, it is preferable that the temperature is in the range of 80 to 200 ° C. and the heating time is in the range of 0.1 to 24 hours, as described above.

また本発明においては、ダイボンドフィルム３ａ、２１を熱硬化させず、単にダイボンドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。   In the present invention, the die bond films 3a and 21 may be simply die bonded without being thermally cured. Thereafter, wire bonding is performed without passing through a heating step, and the semiconductor chip is further sealed with a sealing resin, and the sealing resin can be after-cured.

次に、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。なお、本工程は、ダイボンドフィルム３ａ、２１の加熱工程を経ることなく実施される。   Next, as shown in FIG. 5, a wire bonding process is performed. Thereby, the electrode pad in the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are electrically connected by the bonding wire 7. In addition, this process is implemented without passing through the heating process of die-bonding films 3a and 21.

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａ、２１が未硬化の場合は、これらを熱硬化させることにより、被着体６と半導体チップ５との間、及び半導体チップ５とスペーサ９との間を接着固定させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。   Subsequently, a sealing step of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed, and the sealing resin 8 is cured, and when the die bond films 3a and 21 are uncured, by thermosetting these, Adhesive fixing is performed between the adherend 6 and the semiconductor chip 5 and between the semiconductor chip 5 and the spacer 9. Thereby, a semiconductor package is obtained. The sealing process is preferably a batch sealing method in which only the semiconductor chip 5 side is sealed on one side. Sealing is performed to protect the semiconductor chip 5 attached on the pressure-sensitive adhesive sheet, and the typical method is molding in a mold using the sealing resin 8. In that case, it is common to perform a sealing process simultaneously using the metal mold | die which consists of an upper metal mold | die and a lower metal mold | die which have a some cavity. The heating temperature at the time of resin sealing is preferably in the range of 170 to 180 ° C, for example. A post-curing step may be performed after the sealing step.

なお、前記スペーサ９としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス被着体を使用できる。   The spacer 9 is not particularly limited, and for example, a conventionally known silicon chip or polyimide film can be used. A core material can be used as the spacer. It does not specifically limit as a core material, A conventionally well-known thing can be used. Specifically, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic non-woven fibers, a mirror silicon wafer, a silicon substrate or A glass adherend can be used.

（その他の事項）
前記被着体上に半導体素子を３次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。 (Other matters)
When a semiconductor element is three-dimensionally mounted on the adherend, a buffer coat film is formed on the surface side where the circuit of the semiconductor element is formed. Examples of the buffer coat film include those made of a heat resistant resin such as a silicon nitride film or a polyimide resin.

また、半導体素子の３次元実装の際に、各段で使用されるダイボンドフィルムは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。   Moreover, the die-bonding film used at each stage when the semiconductor element is three-dimensionally mounted is not limited to the one having the same composition, and can be appropriately changed according to the manufacturing conditions and applications.

また、前記実施の形態において説明した積層方法は単なる例示であって、必要に応じて適宜変更することができる。例えば、図４を参照して説明した半導体装置の製造方法においては、３段目以降の半導体素子を、図５を参照して説明した積層方法で積層することも可能である。   Moreover, the lamination | stacking method demonstrated in the said embodiment is a mere illustration, Comprising: It can change suitably as needed. For example, in the method for manufacturing a semiconductor device described with reference to FIG. 4, it is possible to stack the semiconductor elements in the third and subsequent stages by the stacking method described with reference to FIG.

また、前記実施の形態に於いては、被着体に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を被着体の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。   Further, in the above-described embodiment, the mode in which the wire bonding process is performed collectively after laminating a plurality of semiconductor elements on the adherend has been described, but the present invention is not limited to this. . For example, it is possible to perform a wire bonding process every time a semiconductor element is stacked on an adherend.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、部とあるのは、重量部を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified. The term “parts” means parts by weight.

＜ダイシングテープの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）８２．１部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）１３．２部、過酸化ベンゾイル０．２部及びトルエン６７部を入れ、窒素気流中で６０℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。 <Production of dicing tape>
In a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer and a stirrer, 82.1 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter referred to as “2EHA”), 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter referred to as “HEA”). 13.2 parts, 0.2 parts of benzoyl peroxide and 67 parts of toluene were added and polymerized in a nitrogen stream at 60 ° C. for 6 hours to obtain an acrylic polymer A.

このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」という。）１１部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。   To this acrylic polymer A, 11 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter referred to as “MOI”) was added and subjected to an addition reaction for 48 hours at 50 ° C. in an air stream to obtain acrylic polymer A ′. It was.

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を作製した。   Next, with respect to 100 parts of acrylic polymer A ′, 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”, Ciba Special) 5 parts) (manufactured by T Chemicals) was added to prepare an adhesive solution.

前記で調製した粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、当該粘着剤層面に、厚さ１００μｍのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。その後、５０℃にて２４時間保存をした後、ダイシングテープＡを作製した。   The pressure-sensitive adhesive solution prepared above was applied on the surface of the PET release liner that had been subjected to the silicone treatment, and heat-crosslinked at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. Subsequently, a polyolefin film having a thickness of 100 μm was bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Then, after storing for 24 hours at 50 ° C., a dicing tape A was produced.

（実施例１）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０００−４Ｌ）７０部と、エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、ＨＰ−４７００）１５部と、球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）３０部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。なお、明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０００−４Ｌは、オルト位にアリル基を有する熱硬化性樹脂である。すなわち、ＭＥＨ−８０００−４Ｌは、化学式（１）のＲ１におけるアリル基の数とＨの数の割合（アリル基の数）：（Ｈの数）が１：３の場合に相当する。ＭＥＨ−８０００−４Ｌの重量平均分子量は、４００である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。
このダイボンドフィルムＡを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＡを得た。 Example 1
100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and MEH as a thermosetting resin (b), MEH -8000-4L), 70 parts of epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700), and 30 parts of spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-25R) are dissolved in methyl ethyl ketone to a concentration of 23.6. It adjusted so that it might become weight%. MEH-8000-4L manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. is a thermosetting resin having an allyl group at the ortho position. That is, MEH-8000-4L corresponds to the case where the ratio of the number of allyl groups to the number of H (number of allyl groups) :( number of H) in R 1 of the chemical formula (1) is 1: 3. The weight average molecular weight of MEH-8000-4L is 400.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film A was prepared.
This die bond film A was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film A with a dicing tape according to this example.

（実施例２）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０１５）３０部と、エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、ＨＰ−４７００）１０部と、球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）１５０部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。なお、明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０００Ｈは、オルト位にアリル基を有する熱硬化性樹脂である。すなわち、ＭＥＨ−８０００Ｈは、化学式（１）のＲ１におけるアリル基の数とＨの数の割合（アリル基の数）：（Ｈの数）が１：３の場合に相当する。ＭＥＨ−８０００Ｈの重量平均分子量は、５１０である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＢを作製した。
このダイボンドフィルムＢを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＢを得た。 (Example 2)
100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and MEH as a thermosetting resin (b), MEH -8015) 30 parts, 10 parts of epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700) and 150 parts of spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-25R) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a concentration of 23.6% by weight. It adjusted so that it might become. MEH-8000H manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. is a thermosetting resin having an allyl group at the ortho position. That is, MEH-8000H corresponds to the case where the ratio of the number of allyl groups to the number of H in R 1 of chemical formula (1) (number of allyl groups) :( number of H) is 1: 3. The weight average molecular weight of MEH-8000H is 510.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film B was prepared.
This die bond film B was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film B with a dicing tape according to this example.

（実施例３）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０００−４Ｌ）１．５部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＣを作製した。
このダイボンドフィルムＣを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＣを得た。 Example 3
100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and MEH as a thermosetting resin (b), MEH -8000-4L) 1.5 parts was dissolved in methyl ethyl ketone and adjusted to a concentration of 23.6% by weight.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film C was prepared.
This die bond film C was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film C with a dicing tape according to this example.

（実施例４）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのカルボキシル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０００−４Ｌ）１．５部と、エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、ＨＰ−４７００）１．５部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＤを作製した。
このダイボンドフィルムＤを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＤを得た。 Example 4
100 parts of a carboxyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-708-6) as the thermoplastic resin (a) and (Maywa Kasei Co., Ltd.) as the thermosetting resin (b) , MEH-8000-4L) and 1.5 parts of an epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700) were dissolved in methyl ethyl ketone and adjusted to a concentration of 23.6% by weight.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film D was prepared.
This die bond film D was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film D with a dicing tape according to this example.

（実施例５）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（三菱化学（株）製、８２８ＸＡ）１．５部と、エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、ＨＰ−４７００）１．５部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。なお、三菱化学（株）製、８２８ＸＡは、ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＥを作製した。
このダイボンドフィルムＥを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＥを得た。 (Example 5)
100 parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and 828XA (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as the thermosetting resin (b) ) 1.5 parts and 1.5 parts of epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700) were dissolved in methyl ethyl ketone and adjusted to a concentration of 23.6% by weight. Incidentally, 828XA manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation is a bisphenol A type epoxy resin.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film E was prepared.
This die bond film E was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film E with a dicing tape according to this example.

（比較例１）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＨＦ−１Ｍ）１．５部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。なお、明和化成（株）製、ＨＦ−１Ｍ式は、一般的な固形のノボラック型フェノール樹脂である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＦを作製した。
このダイボンドフィルムＦを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＦを得た。 (Comparative Example 1)
100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and HF (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) as the thermosetting resin (b) -1M) 1.5 parts was dissolved in methyl ethyl ketone and adjusted to a concentration of 23.6% by weight. The HF-1M type manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. is a general solid novolac type phenol resin.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film F was prepared.
This die bond film F was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film F with a dicing tape according to this comparative example.

（比較例２）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＨＦ−１Ｍ）９０部と、エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、ＨＰ−４７００）９０部をメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＧを作製した。 このダイボンドフィルムＧを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＧを得た。 (Comparative Example 2)
100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and HF (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) as the thermosetting resin (b) -1M) and 90 parts of an epoxy resin (manufactured by DIC, HP-4700) were dissolved in methyl ethyl ketone to adjust the concentration to 23.6% by weight.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film G was prepared. This die bond film G was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film G with a dicing tape according to this comparative example.

（比較例３）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０００−４Ｌ）１部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＨを作製した。
このダイボンドフィルムＨを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＨを得た。 (Comparative Example 3)
100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and MEH as a thermosetting resin (b), MEH -8000-4L) 1 part was dissolved in methyl ethyl ketone and adjusted to a concentration of 23.6% by weight.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film H was prepared.
The die bond film H was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film H with a dicing tape according to this comparative example.

（比較例４）
熱可塑性樹脂（ａ）としてのグリシジル基含有アクリル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−Ｐ３）１００部と、熱硬化性樹脂（ｂ）としての（明和化成（株）製、ＭＥＨ−８０００−４Ｌ）１２０部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度２３．６重量％となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムＩを作製した。
このダイボンドフィルムＩを前述のダイシングテープＡにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムＩを得た。 (Comparative Example 4)
100 parts of a glycidyl group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-P3) as the thermoplastic resin (a), and MEH as a thermosetting resin (b), MEH -8000-4L) was dissolved in methyl ethyl ketone and adjusted to a concentration of 23.6% by weight.
The adhesive composition solution was applied onto a release film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to a silicone release treatment as a release liner, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 25 μm. A die bond film I was prepared.
This die bond film I was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape A described above to obtain a die bond film I with a dicing tape according to this comparative example.

（熱硬化性樹脂（ｂ）の２５℃での粘度測定）
実施例、比較例で用いた熱硬化性樹脂（ｂ）について、粘度計（ＲＥ８０Ｕ（東機産業（株）製））を用い、ローターコードＮｏ．１を使用して測定した。測定条件は、下記の通りとした。結果を表１、表２に示す。
測定時間：５分
回転数：実施例１〜４、比較例３、及び、比較例４は２０ｒｐｍ
実施例５は、４ｒｐｍ (Measurement of viscosity of thermosetting resin (b) at 25 ° C.)
About the thermosetting resin (b) used in the examples and comparative examples, a viscometer (RE80U (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.)) was used, and the rotor code No. 1 was measured. The measurement conditions were as follows. The results are shown in Tables 1 and 2.
Measurement time: 5 minutes Number of revolutions: Examples 1 to 4, Comparative Example 3 and Comparative Example 4 are 20 rpm
Example 5 is 4 rpm

（ダイボンドフィルムの５℃での破断伸度測定）
実施例、比較例で作成したダイボンドフィルムを厚さ２００ｕｍ、幅１０ｍｍの短冊状とした。次に引張試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用い、引張り速度０．５ｍｍ／分、チャック間距離２０ｍｍで測定した。破断伸度は下記式により算出した。結果を表１、表２に示す。
破断伸度（％）＝（（（破断時のチャック間長さ（ｍｍ））−２０）／２０）×１００ (Measurement of elongation at break of die bond film at 5 ° C)
The die bond films created in the examples and comparative examples were formed into strips having a thickness of 200 μm and a width of 10 mm. Next, using a tensile tester (Tensilon, manufactured by Shimadzu Corporation), the tensile speed was 0.5 mm / min and the distance between chucks was 20 mm. The breaking elongation was calculated by the following formula. The results are shown in Tables 1 and 2.
Elongation at break (%) = (((length between chucks at break (mm)) − 20) / 20) × 100

（貯蔵弾性率の測定）
実施例、比較例で作成したダイボンドフィルムを、１７０℃で１時間加熱硬化させた。その後、厚さ２００μｍ、幅１０ｍｍの短冊状とした。次に、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡ（ＩＩＩ）、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−５０〜３００℃での貯蔵弾性率を周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。その際の２６０℃での貯蔵弾性率を、表１、表２に示す。 (Measurement of storage modulus)
The die bond films created in the examples and comparative examples were heat cured at 170 ° C. for 1 hour. Thereafter, a strip shape having a thickness of 200 μm and a width of 10 mm was formed. Next, using a solid viscoelasticity measuring device (RSA (III), manufactured by Rheometric Scientific), the storage elastic modulus at −50 to 300 ° C. was set at a frequency of 1 Hz and a heating rate of 10 ° C./min. Measured with Tables 1 and 2 show the storage elastic moduli at 260 ° C. at that time.

（封止工程後の気泡（ボイド）消失性１）
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを６０℃で９．５ｍｍ角のミラーチップに貼り付け、温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１ｓの条件でＢＧＡ基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて１３０℃で２時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒、封止樹脂ＧＥ−１００（日東電工（株）製）の条件下で封止工程を行った。封止工程後のボイドを超音波映像装置（日立ファインテック社製、ＦＳ２００ＩＩ）を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を二値化ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ ｖｅｒ．５．６）を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して１０％未満であった場合を「○」、１０％以上３０％未満であった場合を「△」、３０％以上の場合を「×」として評価した。結果を表１、表２に示す。 (Void disappearance after sealing process 1)
The die-bonding films obtained in each Example and Comparative Example were attached to a 9.5 mm square mirror chip at 60 ° C. and bonded to a BGA substrate under the conditions of a temperature of 120 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further heat-treated at 130 ° C. for 2 hours in a dryer. Next, using a molding machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), a molding temperature of 175 ° C., a clamp pressure of 184 kN, a transfer pressure of 5 kN, a time of 120 seconds, a sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Corporation) The sealing step was performed under the conditions of The voids after the sealing step were observed using an ultrasonic imaging device (manufactured by Hitachi Finetech, FS200II). The area occupied by the voids in the observed image was calculated using binarization software (WinRoof ver. 5.6). When the area occupied by the void is less than 10% with respect to the surface area of the die bond film, it is evaluated as “◯”, when it is 10% or more and less than 30%, “△”, and when it is 30% or more as “x” did. The results are shown in Tables 1 and 2.

（封止工程後の気泡（ボイド）消失性２）
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを６０℃で９．５ｍｍ角のミラーチップに貼り付け、温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１ｓの条件でＢＧＡ基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて１７０℃で１時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒、封止樹脂ＧＥ−１００（日東電工（株）製）の条件下で封止工程を行った。封止工程後のボイドを超音波映像装置（日立ファインテック社製、ＦＳ２００ＩＩ）を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を二値化ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ ｖｅｒ．５．６）を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して１０％未満であった場合を「○」、１０％以上３０％未満であった場合を「△」、３０％以上の場合を「×」として評価した。結果を表１、表２に示す。 (Void disappearance after sealing process 2)
The die-bonding films obtained in each Example and Comparative Example were attached to a 9.5 mm square mirror chip at 60 ° C. and bonded to a BGA substrate under the conditions of a temperature of 120 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further heat-treated at 170 ° C. for 1 hour in a dryer. Next, using a molding machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), a molding temperature of 175 ° C., a clamp pressure of 184 kN, a transfer pressure of 5 kN, a time of 120 seconds, a sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Corporation) The sealing step was performed under the conditions of The voids after the sealing step were observed using an ultrasonic imaging device (manufactured by Hitachi Finetech, FS200II). The area occupied by the voids in the observed image was calculated using binarization software (WinRoof ver. 5.6). When the area occupied by the void is less than 10% with respect to the surface area of the die bond film, it is evaluated as “◯”, when it is 10% or more and less than 30%, “△”, and when it is 30% or more as “x” did. The results are shown in Tables 1 and 2.

（耐湿半田リフロー試験１）
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを６０℃で９．５ｍｍ角のミラーチップに貼り付け、温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１ｓの条件でＢＧＡ基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて１３０℃で２時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒、封止樹脂ＧＥ−１００（日東電工（株）製）の条件下で封止工程を行った。その後、１７５℃×５ｈの熱硬化を行い、温度３０℃、湿度６０％ＲＨ、時間７２ｈの条件で吸湿操作を行い、２６０℃以上の温度を１０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通した。９個のミラーチップについて、ダイボンドフィルムと基板との界面に剥離が発生しているか否かを超音波顕微鏡で観察し、剥離が生じている割合を算出した。結果を表１、表２に示す。 (Moisture-resistant solder reflow test 1)
The die-bonding films obtained in each Example and Comparative Example were attached to a 9.5 mm square mirror chip at 60 ° C. and bonded to a BGA substrate under the conditions of a temperature of 120 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further heat-treated at 130 ° C. for 2 hours in a dryer. Next, using a molding machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), a molding temperature of 175 ° C., a clamp pressure of 184 kN, a transfer pressure of 5 kN, a time of 120 seconds, a sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Corporation) The sealing step was performed under the conditions of After that, heat curing at 175 ° C. × 5 h is performed, moisture absorption operation is performed under the conditions of a temperature of 30 ° C., a humidity of 60% RH, and a time of 72 h, and an IR reflow furnace set to maintain a temperature of 260 ° C. or higher for 10 seconds. Passed the sample. With respect to the nine mirror chips, whether or not peeling occurred at the interface between the die bond film and the substrate was observed with an ultrasonic microscope, and the ratio at which peeling occurred was calculated. The results are shown in Tables 1 and 2.

（耐湿半田リフロー試験２）
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを６０℃で９．５ｍｍ角のミラーチップに貼り付け、温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１ｓの条件でＢＧＡ基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて１７０℃で１時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒、封止樹脂ＧＥ−１００（日東電工（株）製）の条件下で封止工程を行った。その後、175℃×5hの熱硬化を行い、温度３０℃、湿度６０％ＲＨ、時間７２ｈの条件で吸湿操作を行い、２６０℃以上の温度を１０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通した。９個のミラーチップについて、ダイボンドフィルムと基板との界面に剥離が発生しているか否かを超音波顕微鏡で観察し、剥離が生じている割合を算出した。 (Moisture resistant solder reflow test 2)
The die-bonding films obtained in each Example and Comparative Example were attached to a 9.5 mm square mirror chip at 60 ° C. and bonded to a BGA substrate under the conditions of a temperature of 120 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 s. This was further heat-treated at 170 ° C. for 1 hour in a dryer. Next, using a molding machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), a molding temperature of 175 ° C., a clamp pressure of 184 kN, a transfer pressure of 5 kN, a time of 120 seconds, a sealing resin GE-100 (manufactured by Nitto Denko Corporation) The sealing step was performed under the conditions of Thereafter, thermosetting at 175 ° C. × 5 h is performed, moisture absorption operation is performed under conditions of a temperature of 30 ° C., a humidity of 60% RH, and a time of 72 h, and an IR reflow furnace set to maintain a temperature of 260 ° C. or higher for 10 seconds. Passed the sample. With respect to the nine mirror chips, whether or not peeling occurred at the interface between the die bond film and the substrate was observed with an ultrasonic microscope, and the ratio at which peeling occurred was calculated.

（ピックアップ性）
各実施例及び比較例のダイシングテープ付きダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハのダイシングを行った後にピックアップを行い、各ダイシングテープ付きダイボンドフィルムの性能を評価した。 (Pickup property)
Using the die bond film with dicing tape of each Example and Comparative Example, picking was performed after actually dicing the semiconductor wafer in the following manner, and the performance of each die bond film with dicing tape was evaluated.

半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理し、厚さ０．０７５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。裏面研磨処理の条件は、下記の＜ウェハ研削条件＞の通りとした。ダイシングテープ付きダイボンドフィルムからセパレータを剥離した後、そのダイボンドフィルム上にミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせ、更にダイシングを行った。ロール圧着の条件は、下記の＜貼り合わせ条件＞の通りとした。また、ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。ダイシングの条件は、下記の＜ダイシング条件＞の通りとした。   A semiconductor wafer (diameter 8 inches, thickness 0.6 mm) was polished on the back surface, and a mirror wafer having a thickness of 0.075 mm was used as a workpiece. The conditions for the back surface polishing treatment were as shown in the following <Wafer grinding conditions>. After the separator was peeled from the die bond film with the dicing tape, the mirror wafer was roll-bonded onto the die bond film at 40 ° C. and bonded, and further dicing was performed. The conditions for roll pressure bonding were as shown in the following <bonding conditions>. The dicing was fully cut so as to obtain a 10 mm square chip size. The dicing conditions were as follows <Dicing conditions>.

次に、各ダイシングテープ付きダイボンドフィルムに対し紫外線照射を行い、それらを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。紫外線照射の条件は、下記の＜紫外線の照射条件＞の通りとした。更に、各ダイシングテープ付きダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップし、ピックアップ性の評価を行った。ピックアップの条件は、下記の＜ピックアップ条件＞の通りとした。評価は、１００個の半導体チップを連続してピックアップし、成功率が１００％の場合を○とし、１００％未満である場合を×とした。結果を表１、表２に示す。   Next, the die bonding film with each dicing tape was irradiated with ultraviolet rays and stretched to perform an expanding process in which each chip was set at a predetermined interval. The conditions of ultraviolet irradiation were as follows <ultraviolet irradiation conditions>. Further, the semiconductor chip was picked up from the base material side of each dicing tape-attached die bond film by a needle, and the pick-up property was evaluated. The pickup conditions were as follows <Pickup conditions>. In the evaluation, 100 semiconductor chips were picked up continuously, the success rate was 100%, and the case of less than 100% was evaluated as x. The results are shown in Tables 1 and 2.

＜ウェハ研削条件＞
研削装置：ディスコ社製 ＤＦＧ−８５６０
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．０７５ｍｍに裏面研削） <Wafer grinding conditions>
Grinding device: DFG-8560 manufactured by DISCO
Semiconductor wafer: 8 inch diameter (back grinding from 0.6mm to 0.075mm thickness)

＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００ＩＩ
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃ <Bonding conditions>
Pasting device: Nitto Seiki, MA-3000II
Pasting speed meter: 10mm / min
Pasting pressure: 0.15 MPa
Stage temperature at the time of pasting: 40 ° C

＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：８０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製２０５０ＨＥＤＤ
Ｚ２；ディスコ社製２０５０ＨＥＢＢ
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ
Ｚ２；４０，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：
Ｚ１；０．１７０ｍｍ（半導体ウェハの厚みによる（ウェハ厚みが７５μｍの場合、０
１７０ｍｍ））
Ｚ２；０．０８５ｍｍ
カット方式：Ａモード／ステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角 <Dicing conditions>
Dicing machine: DFD-6361, manufactured by Disco Corporation
Dicing ring: 2-8-1 (manufactured by Disco)
Dicing speed: 80mm / sec
Dicing blade:
Z1; 2050HEDD made by Disco Corporation
Z2: Disco 2050HEBB
Dicing blade rotation speed:
Z1; 40,000 rpm
Z2; 40,000 rpm
Blade height:
Z1; 0.170 mm (depending on the thickness of the semiconductor wafer (when the wafer thickness is 75 μm, 0
170mm))
Z2; 0.085mm
Cut method: A mode / step cut Wafer chip size: 10.0mm square

＜紫外線の照射条件＞
紫外線（ＵＶ）照射装置：日東精機（商品名、ＵＭ−８１０製）
紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２
尚、紫外線照射はポリオレフィンフィルム側から行った。 <Ultraviolet irradiation conditions>
Ultraviolet (UV) irradiation device: Nitto Seiki (trade name, manufactured by UM-810)
UV irradiation integrated light quantity: 300 mJ / cm 2
In addition, ultraviolet irradiation was performed from the polyolefin film side.

＜ピックアップ条件＞
ＳＨＩＮＫＡＷＡ社製 ＳＰＡ−３００
ピックアップハイト３５０ｕｍ
ピン数９ <Pickup conditions>
SPA-300 manufactured by SHINKAWA
Pickup height 350um
9 pins

（冷蔵評価）
各実施例及び比較例のそれぞれダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、冷蔵評価を行った。２０ｃｍ角にカットしたダイボンドフィルムを５℃の冷蔵庫内でアルミ板上に置き、１時間放置した後、そのフィルムを半分に折り曲げた。その際、フィルムの割れ、カケが発生するか否かを確認し、割れ、欠けが無いものは○、有るものは×として評価を行った。表１、表２に示す。 (Refrigeration evaluation)
Using each die bond film of each example and comparative example, refrigeration evaluation was performed in the following manner. The die-bonded film cut to 20 cm square was placed on an aluminum plate in a refrigerator at 5 ° C. and left for 1 hour, and then the film was folded in half. At that time, it was confirmed whether or not the film was cracked or chipped, and the evaluation was evaluated as “◯” when there was no crack or chipping, and “X” when there was any crack. Tables 1 and 2 show.

Figure 2015026707
Figure 2015026707

Figure 2015026707
Figure 2015026707

１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’、１３、２１ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ
１０、１１ ダイシングテープ付きダイボンドフィルム
１５ 半導体チップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Adhesive layer 3, 3 ', 13, 21 Die-bonding film 4 Semiconductor wafer 5 Semiconductor chip 6 Adhering body 7 Bonding wire 8 Sealing resin 9 Spacer 10, 11 Die-bonding film with dicing tape 15 Semiconductor chip

Claims (6)

基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、前記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有するダイシングテープ付きダイボンドフィルムであって、
前記ダイボンドフィルムが熱可塑性樹脂（ａ）と、２５℃での粘度が０．１〜５０Ｐａ・ｓｅｃである熱硬化性樹脂（ｂ）とを含有し、
前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、
前記熱硬化性樹脂（ｂ）の全樹脂成分に対する含有量が１重量％以上５０重量％以下であり、
前記ダイボンドフィルムの１７０℃で１時間加熱硬化した後の２６０℃での貯蔵弾性率が０．０５ＭＰａ以上であることを特徴とするダイシングテープ付きダイボンドフィルム。 A dicing tape with a dicing tape having a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on a substrate and a die-bonding film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer,
The die bond film contains a thermoplastic resin (a) and a thermosetting resin (b) having a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 50 Pa · sec,
The thermosetting resin (b) is one or more selected from the group consisting of an epoxy resin and a phenol resin,
The content of the thermosetting resin (b) with respect to all resin components is 1% by weight or more and 50% by weight or less,
A die-bonding film with a dicing tape, wherein the die-bonding film has a storage elastic modulus at 260 ° C of 0.05 MPa or more after being heat-cured at 170 ° C for 1 hour. 前記熱可塑性樹脂（ａ）が、官能基含有アクリル共重合体であることを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルム。   The die-bonding film with a dicing tape according to claim 1, wherein the thermoplastic resin (a) is a functional group-containing acrylic copolymer. 前記熱硬化性樹脂（ｂ）が、下記化学式（１）で表される熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシングシート付きダイボンドフィルム。
Figure 2015026707
 （但し、式中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１はそれぞれ独立してアリル基又はＨを示し、少なくとも１つはアリル基であり、ｍは１〜３の整数である。） The said thermosetting resin (b) is a thermosetting resin represented by following Chemical formula (1), The die-bonding film with a dicing sheet of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 2015026707
 (In the formula, n is an integer of 0 to 10, R 1 independently represents an allyl group or H, at least one is an allyl group, and m is an integer of 1 to 3). 前記ダイボンドフィルムの５℃での破断伸度が１０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルム。   The die bond film with a dicing tape according to any one of claims 1 to 3, wherein the elongation at break of the die bond film at 5 ° C is 10% or more. 前記粘着剤層がアクリル酸２−エチルヘキシルを構成単位として含有するアクリルポリマーを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルム。   The die-bonding film with a dicing tape according to any one of claims 1 to 4, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer containing 2-ethylhexyl acrylate as a structural unit. 請求項１〜５のいずれか１に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体素子を形成するダイシング工程と、
前記半導体素子を、前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムから前記ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記ダイボンドフィルムを介して、前記半導体素子を被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子を封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A bonding step of bonding the die bond film of the die bond film with a dicing tape according to any one of claims 1 to 5 and the back surface of the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer together with the die-bonding film with the dicing tape to form a chip-shaped semiconductor element;
Pickup process for picking up the semiconductor element together with the die bond film from the die bond film with the dicing tape,
A die-bonding step of die-bonding the semiconductor element on an adherend through the die-bonding film;
A wire bonding step of wire bonding to the semiconductor element;
And a step of sealing the semiconductor element.
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