KR102081734B1 - 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents

멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102081734B1
KR102081734B1 KR1020180061593A KR20180061593A KR102081734B1 KR 102081734 B1 KR102081734 B1 KR 102081734B1 KR 1020180061593 A KR1020180061593 A KR 1020180061593A KR 20180061593 A KR20180061593 A KR 20180061593A KR 102081734 B1 KR102081734 B1 KR 102081734B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aperture array
charged particle
particle beam
openings
blanking
Prior art date
Application number
KR1020180061593A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180132532A (ko
Inventor
히로후미 모리타
오사무 이즈카
츠바사 나나오
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20180132532A publication Critical patent/KR20180132532A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102081734B1 publication Critical patent/KR102081734B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/024—Moving components not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
    • H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0456—Supports
    • H01J2237/0458—Supports movable, i.e. for changing between differently sized apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
    • H01J2237/31754—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques using electron beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 일 형태에 의한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치는, 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와, 복수의 제1 개구가 형성되고, 상기 복수의 제1 개구가 포함되는 영역에 상기 하전 입자 빔의 조사를 받고, 상기 복수의 제1 개구를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 멀티 빔을 형성하는 성형 애퍼쳐 어레이와, 상기 복수의 제1 개구를 통과한 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔이 통과하는 복수의 제2 개구가 형성되고, 각 제2 개구에 빔의 블랭킹 편향을 행하는 블랭커가 설치된 블랭킹 애퍼쳐 어레이와, 상기 성형 애퍼쳐 어레이 또는 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 이동시켜서, 상기 성형 애퍼쳐 어레이와 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 간격을 조정하는 이동부를 구비하는 것이다.

Description

멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법{MULTI CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS AND MULTI CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD}
본 발명은 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이다.
LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로선 폭은 해마다 미세화되고 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 축소 투영형 노광 장치를 사용하여, 석영 상에 형성된 고정밀도의 원화 패턴(마스크, 또는 특히 스테퍼나 스캐너에서 사용되는 것은 레티클이라고도 한다.)을 웨이퍼 상에 축소 전사하는 방법이 채용되고 있다. 고정밀도의 원화 패턴은, 전자 빔 묘화 장치에 의해 묘화되어, 소위, 전자 빔 리소그래피 기술이 사용되고 있다.
멀티 빔을 사용한 묘화 장치는, 하나의 전자 빔으로 묘화하는 경우에 비하여, 한번에 많은 빔을 조사할 수 있으므로, 스루풋을 대폭으로 향상시킬 수 있다. 멀티 빔 묘화 장치의 일 형태인 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 사용한 멀티 빔 묘화 장치에서는, 예를 들어, 하나의 전자총으로부터 방출된 전자 빔을 복수의 개구를 가진 성형 애퍼쳐 어레이에 통과시켜서 멀티 빔(복수의 전자 빔)을 형성한다. 멀티 빔은, 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 각각 대응하는 블랭커 내를 통과한다.
블랭킹 애퍼쳐 어레이는 빔을 개별로 편향시키기 위한 전극쌍과, 그 사이에 빔 통과용의 개구를 구비하고 있고, 전극쌍(블랭커)의 한쪽을 접지 전위로 고정하고 다른 쪽을 접지 전위와 그 이외의 전위로 전환함으로써, 각각 개별로, 통과하는 전자 빔의 블랭킹 편향을 행한다. 블랭커에 의해 편향된 전자 빔은 차폐되고, 편향되지 않은 전자 빔은 시료 상에 조사된다.
성형 애퍼쳐 어레이는, 빔 조사에 수반하여 온도가 높아지고, 열팽창에 의해 개구 피치가 변화한다. 성형 애퍼쳐 어레이의 개구 피치가 변화하면, 멀티 빔의 빔 피치가 변화하여, 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 개구를 통과하지 않게 되는 빔이 발생하여, 시료면 상에 결상해야 할 빔 어레이의 일부가 결손된다는 문제가 있었다.
본 발명은 성형 애퍼쳐 어레이의 개구 피치가 변화한 경우에도, 멀티 빔이 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 개구를 통과하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법을 제공한다.
본 발명의 일 형태에 의한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치는, 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와, 복수의 제1 개구가 형성되고, 상기 복수의 제1 개구가 포함되는 영역에 상기 하전 입자 빔의 조사를 받고, 상기 복수의 제1 개구를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 멀티 빔을 형성하는 성형 애퍼쳐 어레이와, 상기 복수의 제1 개구를 통과한 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔이 통과하는 복수의 제2 개구가 형성되고, 각 제2 개구에 빔의 블랭킹 편향을 행하는 블랭커가 설치된 블랭킹 애퍼쳐 어레이와, 상기 성형 애퍼쳐 어레이 또는 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 이동시켜서, 상기 성형 애퍼쳐 어레이와 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 간격을 조정하는 이동부를 구비하는 것이다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 의한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 개략도이다.
도 2는, 성형 애퍼쳐 어레이의 모식도이다.
도 3의 (a)는 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 위치 조정 전의 빔 통과를 도시하는 모식도이며, 도 3의 (b)는 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 위치 조정 후의 빔 통과를 도시하는 모식도이다.
도 4는, 변형예에 의한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 개략도이다.
도 5는, 변형예에 의한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
실시 형태에서는, 하전 입자 빔의 일례로서, 전자 빔을 사용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자 빔은 전자 빔에 한정하는 것이 아니고, 이온 빔 등이어도 된다.
도 1에 도시하는 묘화 장치(1)는 마스크나 웨이퍼 등의 대상물에 전자 빔을 조사하여 원하는 패턴을 묘화하는 묘화부(10)와, 묘화부(10)에 의한 묘화 동작을 제어하는 제어부(60)를 구비한다. 묘화부(10)는 전자 빔 경통(12) 및 묘화실(30)을 가진, 멀티 빔 묘화 장치의 일례이다.
전자 빔 경통(12) 내에는, 전자총(14), 조명 렌즈(16), 성형 애퍼쳐 어레이(18), 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20), 편향기(22), 제한 애퍼쳐 부재(24), 및 대물 렌즈(26)가 배치되어 있다. 묘화실(30) 내에는, XY 스테이지(32)가 배치된다. XY 스테이지(32) 상에는, 묘화 대상인 기판(34)인 마스크 블랭크가 적재되어 있다.
묘화 대상인 기판(34)에는, 예를 들어, 웨이퍼나, 웨이퍼에 엑시머 레이저를 광원으로 한 스테퍼나 스캐너 등의 축소 투영형 노광 장치나 극단 자외선 노광 장치를 사용하여 패턴을 전사하는 노광용의 마스크가 포함된다. 또한, 묘화 대상 기판에는, 이미 패턴이 형성되어 있는 마스크도 포함된다. 예를 들어, 레벤슨형 마스크는 2회의 묘화를 필요로 하기 때문에, 한번 묘화되어 마스크로 가공된 것에 2번째의 패턴을 묘화하기도 한다.
블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)는 실장 기판(40)에 실장(탑재)되어 있다. 실장 기판(40)의 중앙부에는, 전자 빔(멀티 빔(MB))이 통과하기 위한 개구(42)가 형성되어 있다.
실장 기판(40)은 상하 이동 가능한 스테이지 등의 이동부(승강 기구)(50)에 설치되어 있다. 이동부(50)를 상하 이동시킴으로써, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 상하 방향(빔 진행 방향)의 위치를 조정할 수 있다. 즉, 이동부(50)는 빔 진행 방향에 있어서의 성형 애퍼쳐 어레이(18)와 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20) 간의 거리를 조정할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 성형 애퍼쳐 어레이(18)에는, 세로 m열×가로 n열(m, n≥2)의 개구(제1 개구)(18A)가 소정의 배열 피치로 형성되어 있다. 각 개구(18A)는 모두 동일 치수 형상의 직사각형으로 형성된다. 개구(18A)의 형상은, 원형이어도 상관없다. 이들 복수의 개구(18A)를 전자 빔(B)의 일부가 각각 통과함으로써, 멀티 빔(MB)이 형성된다.
블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)는, 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 하방에 설치되고, 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 각 개구(18A)에 대응하는 통과 구멍(제2 개구)(20A)이 형성되어 있다. 통과 구멍(20A)의 배열 피치는, 개구(18A)의 배열 피치보다도 좁게 되어 있다. 각 통과 구멍(20A)에는, 쌍이 되는 2개의 전극의 조를 포함하는 블랭커(도시 생략)가 배치된다. 블랭커의 한쪽은 접지 전위로 고정되어 있고, 다른 쪽을 접지 전위와 다른 전위로 전환한다. 각 통과 구멍(20A)을 통과하는 전자 빔은, 블랭커에 인가되는 전압에 의해 각각 독립적으로 편향된다. 이와 같이, 복수의 블랭커가, 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 복수의 개구(18A)를 통과한 멀티 빔(MB) 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다.
제어부(60)는 제어 계산기(62), 편향 제어 회로(64), 및 이동 제어 회로(66)를 갖고 있다. 편향 제어 회로(64)는 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20) 및 편향기(22)에 접속되어 있다. 이동 제어 회로(66)는 이동부(50)에 접속되어 있다.
묘화부(10)에서는, 조명 렌즈(16) 및 대물 렌즈(26)에 의해 전자 광학계가 구성되어 있다. 전자총(14)(방출부)으로부터 방출된 전자 빔(B)은, 제한 애퍼쳐 부재(24)에 형성된 중심의 구멍에서 크로스오버를 형성하도록, 조명 렌즈(16)에 의해 수렴되어, 성형 애퍼쳐 어레이(18) 전체를 조명한다.
전자 빔(B)이 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 복수의 개구(18A)를 통과함으로써, 멀티 빔(MB)이 형성된다. 멀티 빔(MB)은, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 각각 대응하는 블랭커 내를 통과한다. 멀티 빔(MB)의 각 빔은, 제한 애퍼쳐 부재(24)에 형성된 중심의 구멍을 향하여 각도를 갖고서 진행한다. 따라서, 멀티 빔(MB) 전체의 빔 직경 및 멀티 빔(MB)의 빔 피치는, 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 통과 시부터 점점 작아져 간다.
멀티 빔(MB)은, 성형 애퍼쳐 어레이(18)에 의해 형성되는 빔 피치보다도 좁게 된 피치로 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 통과한다. 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 통과한 멀티 빔(MB)은, 제한 애퍼쳐 부재(24)에 형성된 중심의 구멍을 향하여 진행한다. 여기서, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 블랭커에 의해 편향된 전자 빔은, 제한 애퍼쳐 부재(24)의 중심 구멍으로부터 위치가 어긋나, 제한 애퍼쳐 부재(24)에 의해 차폐된다. 한편, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 블랭커에 의해 편향되지 않은 전자 빔은, 제한 애퍼쳐 부재(24)의 중심 구멍을 통과한다.
이와 같이, 제한 애퍼쳐 부재(24)는 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 블랭커에 의해 빔 OFF의 상태로 되도록 편향된 각 빔을 차폐한다. 그리고, 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 될때까지 제한 애퍼쳐 부재(24)를 통과한 빔이, 1회분의 샷 빔이 된다.
제한 애퍼쳐 부재(24)를 통과한 멀티 빔(MB)은, 대물 렌즈(26)에 의해 초점이 맞춰져서, 원하는 축소율의 패턴상이 된다. 제한 애퍼쳐 부재(24)를 통과한 각 빔(멀티 빔 전체)은 편향기(22)에 의해 동일 방향으로 통합하여 편향되고, 각 빔의 기판(34) 상의 각각의 조사 위치에 조사된다.
또한, 도 1의 예에서는, 편향기(22)가 제한 애퍼쳐 부재(24)보다도 광로의 상류측에 배치되지만, 하류측에 배치되어도 된다. 편향기(22)가 제한 애퍼쳐 부재(24)보다도 광로의 상류측에 배치되는 경우, 편향량은 ON 빔이 제한 애퍼쳐 부재(24)의 중심 구멍을 통과 가능한 양으로 제한된다. 또한, 편향기(22)가 제한 애퍼쳐 부재(24)보다도 광로의 상류측에 배치되는 경우에는, 또한, 편향기(22)를 2단으로 하여, 제한 애퍼쳐 부재(24)의 위치를 소위 지지점으로 하는 편향 궤도를 형성시키면, 기판(34)의 보다 넓은 영역에서 빔을 주사시킬 수 있다.
XY 스테이지(32)가 연속 이동하고 있을 때, 빔의 조사 위치가 XY 스테이지(32)의 이동에 추종하도록 편향기(22)에 의해 제어된다. XY 스테이지(32)의 이동은 도시하지 않은 스테이지 제어부에 의해 행하여진다.
제어 계산기(62)는 기억 장치로부터 묘화 데이터를 판독하고, 복수단의 데이터 변환 처리를 행하여 장치 고유의 샷 데이터를 생성한다. 샷 데이터에는, 각 샷의 조사량 및 조사 위치 좌표 등이 정의된다.
제어 계산기(62)는 샷 데이터에 기초하여 각 샷의 조사량을 편향 제어 회로(64)로 출력한다. 편향 제어 회로(64)는 입력된 조사량을 전류 밀도로 나누어서 조사 시간 t를 구한다. 그리고, 편향 제어 회로(64)는 대응하는 샷을 행할 때, 조사 시간 t만큼 블랭커가 빔 ON하도록, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 대응하는 블랭커에 편향 전압을 인가한다.
또한, 제어 계산기(62)는 샷 데이터가 나타내는 위치(좌표)로 각 빔이 편향되도록, 편향 위치 데이터를 편향 제어 회로(64)로 출력한다. 편향 제어 회로(64)는 편향량을 연산하고, 편향기(22)에 편향 전압을 인가한다. 이에 의해, 그 회에 샷되는 멀티 빔(MB)이 통합하여 편향된다.
성형 애퍼쳐 어레이(18)는 멀티 빔(MB)을 성형할 때에, 전자 빔(B)의 대부분을 저지하기 위하여 발열하여 열팽창한다. 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 열팽창에 의해 개구(18A)의 배열 피치가 변화하면, 멀티 빔(MB)의 빔 피치도 변화한다. 이동부(50)는 멀티 빔(MB)의 빔 피치의 변화에 맞춰서 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 상하 방향 위치를 바꾼다.
상술한 바와 같이, 멀티 빔(MB)은, 빔 피치를 좁히면서 제한 애퍼쳐 부재(24)의 중심 구멍을 향하여 진행한다. 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 열팽창에 의해 멀티 빔(MB)의 빔 피치가 변화한 경우에도, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 통과 구멍(20A)의 배열 피치에 대응한 빔 피치가 되는 개소가 존재한다. 이러한 위치에 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 이동시킴으로써, 빔 피치가 변화한 경우에도, 멀티 빔(MB)이 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 각 통과 구멍(20A)을 통과하는 것이 가능하게 된다.
예를 들어, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 성형 애퍼쳐 어레이(18)가 열팽창하고, 빔 피치가 넓어지면, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 통과 구멍(20A)을 통과하지 않는 빔이 발생한다. 이 경우, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 하강시켜, 성형 애퍼쳐 어레이(18)와 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 간격을 크게 하고, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 위치에 있어서의 멀티 빔(MB)의 빔 피치를 좁게 한다. 이에 의해, 멀티 빔(MB)의 빔 피치와, 통과 구멍(20A)의 배열 피치가 맞아서, 모든 빔이 통과 구멍(20A)을 통과한다. 또한, 도 3의 (a), (b)에서는, 이동부(50) 등의 도시를 생략하였다.
제어 계산기(62)는 멀티 빔(MB)이 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 각 통과 구멍(20A)을 통과하도록, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 위치 정보를 이동 제어 회로(66)로 출력한다. 이동 제어 회로(66)는 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 이동량을 연산하고, 이동부(50)에 제어 신호를 출력한다. 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)가 아랫쪽으로 이동하고, 멀티 빔(MB)의 빔 피치와, 통과 구멍(20A)의 배열 피치가 맞춰진다.
예를 들어, 제어 계산기(62)는 전자 빔(B)의 강도, 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 구성하는 재료의 열팽창 계수 등을 사용하여, 멀티 빔(MB)의 빔 피치의 경시 변화를 구해 두고, 전자 빔(B)의 방출을 개시하고 나서의 경과 시간으로부터 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 바람직한 위치를 산출하고, 이동 제어 회로(66)에 위치 정보를 출력한다. 묘화 개시 후, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)는 서서히(단계적으로) 하강한다.
이러한 계산이 아니라, 측정에 의해 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 바람직한 위치를 구해도 된다. 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 통과하는 총 빔 전류를, XY 스테이지(32)에 설치한 전류 검출기(36)에 의해 측정하면서, 이동 제어 회로(66)에 위치를 상하로 미동시키는 신호를 보내고, 가장 전류량이 커지는 위치를 검출하고, 그 위치에 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 이동시켜도 된다. 전류 검출을 행하는 장소로서는, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)보다도 하류측이라면 어디여도 되고, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 제한 애퍼쳐 부재(24)를 검출 전극으로서 이용하여, 그 흡수 전류를 전류 검출기(38)에 의해 검출해도 된다.
이와 같이, 빔 진행 방향에 있어서의 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 위치를 조정함으로써, 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 개구 피치가 변화한 경우에도, 멀티 빔(MB)이 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 통과 구멍(20A)을 통과 가능하게 되어, 기판(34)에 결상하는 빔 어레이에 결손이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 이동부(50)에 의해 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 상하로 이동시키는 예에 대하여 설명했지만, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 위치는 고정하고, 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 상하로 이동하게 해도 된다.
예를 들어, 성형 애퍼쳐 어레이(18)가 열팽창하여, 멀티 빔(MB)의 빔 피치가 넓어진 경우, 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 상승시킨다. 성형 애퍼쳐 어레이(18)와 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 간격이 커지고, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 위치에 있어서의 멀티 빔(MB)의 빔 피치가 좁아진다. 이에 의해, 멀티 빔(MB)의 빔 피치와, 통과 구멍(20A)의 배열 피치가 맞아서, 모든 빔이 통과 구멍(20A)을 통과한다.
성형 애퍼쳐 어레이(18)를 상하 이동시킴으로써, 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 통과하는 빔 치수나 전류량이 변화하는 경우가 있지만, 그 변화량은 매우 근소하다. 예를 들어, 성형 애퍼쳐 어레이(18)가 열팽창률 2.5×10-6 정도의 실리콘으로 만들어져 있는 경우, 100℃의 온도 상승이 있었을 경우에도 빔 치수의 변화율은 1/4000 정도이다. 기판(34)에 결상하는 빔 어레이 폭도 이 비율로 변화하는데, 이 정도의 변화라면, 묘화 시에 샷 위치를 미세 조정함으로써 대응 가능하다. 혹은, 대물 렌즈(26)를 2단 이상으로 구성하는 광학계로서, 배율을 조정함으로써도, 빔 어레이 폭의 변화에 대응할 수 있다.
블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)에는, 각종 전자 회로가 탑재되어 있어, 이 전자 회로의 동작 발열량이 큰 경우, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)가 열팽창하고, 통과 구멍(20A)의 배열 피치가 넓어질 수 있다. 이러한 경우에는, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 상승시키거나, 또는 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 하강시켜, 성형 애퍼쳐 어레이(18)와 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 간격을 작게 함으로써, 멀티 빔(MB)의 빔 피치와, 통과 구멍(20A)의 배열 피치를 맞출 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 상방에 조명 렌즈(16)를 설치하고, 조명 렌즈(16)에 의해 수렴된 전자 빔(B)이 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 조명하고, 멀티 빔(MB) 전체의 빔 직경은, 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 통과 시부터 서서히 작아져 가는 구성에 대하여 설명했지만, 전자총(14)으로부터 방출되어서 확산된 전자 빔(B)이 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 조명하고, 멀티 빔(MB) 전체의 빔 직경이, 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 통과 시부터 점점 커지고, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 하방에 설치한 조명 렌즈에 의해 멀티 빔(MB)을 수렴하게 해도 된다. 이 경우, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 통과 구멍(20A)의 배열 피치는, 성형 애퍼쳐 어레이(18)의 개구(18A)의 배열 피치보다도 넓게 된다.
이와 같은 구성에 있어서는, 성형 애퍼쳐 어레이(18)가 열팽창하여, 멀티 빔(MB)의 빔 피치가 넓어진 경우, 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)를 상승시키거나, 또는 성형 애퍼쳐 어레이(18)를 하강시켜, 성형 애퍼쳐 어레이(18)와 블랭킹 애퍼쳐 어레이(20)의 간격을 작게 함으로써, 멀티 빔(MB)의 빔 피치와, 통과 구멍(20A)의 배열 피치를 맞출 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로에 한정되는 것은 아니며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적당한 조합에 의해, 여러가지 발명을 형성할 수 있다. 예를 들어, 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 가지의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 다른 실시 형태에 걸치는 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.

Claims (11)

  1. 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와,
    복수의 제1 개구가 형성되고, 상기 복수의 제1 개구가 포함되는 영역에 상기 하전 입자 빔의 조사를 받고, 상기 복수의 제1 개구를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 멀티 빔을 형성하는 성형 애퍼쳐 어레이와,
    상기 복수의 제1 개구를 통과한 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔이 통과하는 복수의 제2 개구가 형성되고, 각 제2 개구에 빔의 블랭킹 편향을 행하는 블랭커가 설치된 블랭킹 애퍼쳐 어레이와,
    상기 성형 애퍼쳐 어레이 또는 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 빔 진행 방향으로 이동시켜서, 상기 성형 애퍼쳐 어레이와 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 간격을 조정하는 이동부
    를 구비하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 개구의 배열 피치와 상기 제2 개구의 배열 피치는 상이한 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2 개구의 배열 피치는, 상기 제1 개구의 배열 피치보다도 좁은 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 방출부로부터 방출되는 상기 하전 입자 빔의 강도, 상기 성형 애퍼쳐 어레이를 구성하는 재료의 열팽창 계수, 및 상기 하전 입자 빔의 방출을 개시하고 나서의 경과 시간에 기초하여, 상기 멀티 빔이 상기 제2 개구를 통과하는 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 빔 진행 방향의 위치를 산출하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 이동부는, 산출된 상기 위치에 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 이동시키는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 통과하는 빔의 전류를 검출하는 전류 검출기를 더 구비하고,
    상기 이동부는, 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를, 상기 전류 검출기의 검출 결과가 최대가 되는 빔 진행 방향의 위치로 이동시키는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전류 검출기는, 묘화 대상 기판이 적재되는 스테이지 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 블랭커에 의해 편향된 빔을 차폐하는 제한 애퍼쳐 부재를 더 구비하고,
    상기 전류 검출기는 상기 제한 애퍼쳐 부재에 있어서의 흡수 전류를 검출하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  8. 하전 입자 빔을 방출하는 공정과,
    복수의 제1 개구가 형성된 성형 애퍼쳐 어레이를 사용하여, 상기 복수의 제1 개구가 포함되는 영역에 상기 하전 입자 빔의 조사를 받고, 상기 복수의 제1 개구를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 멀티 빔을 형성하는 공정과,
    상기 복수의 제1 개구를 통과한 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔이 통과하는 복수의 제2 개구가 형성된 블랭킹 애퍼쳐 어레이의, 각 제2 개구에 각각 배치된 복수의 블랭커를 사용하여, 상기 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 공정과,
    상기 성형 애퍼쳐 어레이 또는 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 빔 진행 방향으로 이동시켜서, 상기 성형 애퍼쳐 어레이와 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 간격을 조정하는 공정
    을 구비하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2 개구의 배열 피치는, 상기 제1 개구의 배열 피치보다도 좁은 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  10. 제8항에 있어서, 방출되는 상기 하전 입자 빔의 강도, 상기 성형 애퍼쳐 어레이를 구성하는 재료의 열팽창 계수, 및 상기 하전 입자 빔의 방출을 개시하고 나서의 경과 시간에 기초하여, 상기 멀티 빔이 상기 제2 개구를 통과하는 블랭킹 애퍼쳐 어레이의 빔 진행 방향의 위치를 산출하고,
    산출된 상기 위치로 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 이동시키는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를 통과하는 빔의 전류를 검출하고,
    상기 블랭킹 애퍼쳐 어레이를, 검출된 상기 전류가 최대가 되는 빔 진행 방향의 위치로 이동시키는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
KR1020180061593A 2017-06-02 2018-05-30 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 KR102081734B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017110175A JP6772962B2 (ja) 2017-06-02 2017-06-02 マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JPJP-P-2017-110175 2017-06-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180132532A KR20180132532A (ko) 2018-12-12
KR102081734B1 true KR102081734B1 (ko) 2020-02-26

Family

ID=64460849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180061593A KR102081734B1 (ko) 2017-06-02 2018-05-30 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10388488B2 (ko)
JP (1) JP6772962B2 (ko)
KR (1) KR102081734B1 (ko)
TW (1) TWI681434B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6930431B2 (ja) * 2018-01-10 2021-09-01 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2019220559A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法
JP2020181902A (ja) * 2019-04-25 2020-11-05 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2022081185A (ja) * 2020-11-19 2022-05-31 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子放出源の動作制御方法、電子ビーム描画方法、及び電子ビーム描画装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013197467A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Nuflare Technology Inc マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2017098429A (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57122521A (en) * 1981-01-22 1982-07-30 Toshiba Corp Electro-optical body tube
JPH11288864A (ja) * 1998-04-01 1999-10-19 Hitachi Ltd アパーチャおよびそれを用いた電子線描画装置の描画方法ならびに半導体装置の製造方法
JP4947841B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
EP1296351A4 (en) 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE
US6768125B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Ims Nanofabrication, Gmbh Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
WO2004038508A1 (ja) * 2002-10-28 2004-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子線露光方法及び電子線露光装置
WO2007112465A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-11 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
DE102008010123A1 (de) 2007-02-28 2008-09-04 Ims Nanofabrication Ag Vielstrahl-Ablenkarray-Einrichtung für maskenlose Teilchenstrahl-Bearbeitung
DE102008062450B4 (de) 2008-12-13 2012-05-03 Vistec Electron Beam Gmbh Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern
US8546767B2 (en) * 2010-02-22 2013-10-01 Ims Nanofabrication Ag Pattern definition device with multiple multibeam array
CN103238202B (zh) * 2010-09-28 2016-11-09 以色列实用材料有限公司 粒子光学系统及布置，以及用于这种系统及布置的粒子光学组件
JP5836646B2 (ja) * 2011-05-31 2015-12-24 キヤノン株式会社 描画装置、および、物品の製造方法
WO2012143541A1 (en) * 2011-04-20 2012-10-26 Mapper Lithography Ip B.V. Arrangement of optical fibers, and a method of forming such arrangement
JP5826566B2 (ja) * 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2013069813A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Canon Inc 描画装置、および、物品の製造方法
JP6293435B2 (ja) * 2013-08-08 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
JP2016082106A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2016207926A (ja) * 2015-04-27 2016-12-08 株式会社アドバンテスト 露光装置および露光方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013197467A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Nuflare Technology Inc マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2017098429A (ja) * 2015-11-25 2017-06-01 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10388488B2 (en) 2019-08-20
US20180350552A1 (en) 2018-12-06
KR20180132532A (ko) 2018-12-12
TWI681434B (zh) 2020-01-01
TW201903811A (zh) 2019-01-16
JP2018206918A (ja) 2018-12-27
JP6772962B2 (ja) 2020-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102081734B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
US9437396B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus, and multi charged particle beam writing method
US11037759B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
KR102115923B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 그 조정 방법
KR20220078689A (ko) 멀티 하전 입자 빔 조정 방법, 멀티 하전 입자 빔 조사 방법 및 멀티 하전 입자 빔 조사 장치
KR101570362B1 (ko) 캐소드의 동작 온도 조정 방법 및 전자빔 묘화 장치
KR102468349B1 (ko) 멀티 빔용 애퍼처 기판 세트 및 멀티 하전 입자 빔 장치
KR102214984B1 (ko) 애퍼처의 얼라이먼트 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치
JP2020181902A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2002289517A (ja) 電子ビーム近接露光装置及び方法
KR20190046635A (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치
JP7110831B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
KR102153655B1 (ko) 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 조정 방법
JP7411521B2 (ja) 荷電粒子ビーム調整方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム照射装置
US10460909B2 (en) Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus
JP2000164488A (ja) 電子線描画装置および電子線描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant