JP2000164488A - 電子線描画装置および電子線描画方法 - Google Patents

電子線描画装置および電子線描画方法

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JP2000164488A
JP2000164488A JP10334381A JP33438198A JP2000164488A JP 2000164488 A JP2000164488 A JP 2000164488A JP 10334381 A JP10334381 A JP 10334381A JP 33438198 A JP33438198 A JP 33438198A JP 2000164488 A JP2000164488 A JP 2000164488A
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JP
Japan
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axis
astigmatism correction
electron beam
astigmatism
shot
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JP10334381A
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Ken Nakajima
謙 中島
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 隣接パターンを描画するための部分一括EB
ショット間のショット接続を向上させ、及び、寸法精度
を向上させる部分一括電子線描画方法およびその装置を
提供する。 【解決手段】 電子ビームの部分一括ショットを接続す
るショット接続方向の非点を、任意に調整する非点補正
回路を有する。非点補正回路は、パターンデータ(部分
一括マスクのマスク情報と描画位置情報)に基づいてシ
ョット接続方向を判断するパターン分割方向信号処理回
路9と、ショット接続方向情報に基づいて、電子ビーム
の進行方向に垂直な面内のX軸方向およびY軸方向の非
点補正を制御する非点補正制御装置8を有する。非点補
正コントローラ5は、非点補正制御装置8の制御に基づ
いてX軸非点補正コイル41、Y軸非点補正コイル42
を駆動して非点補正を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光しようとする
パターンを複数の部分に分割し、分割された部分パター
ンを一括露光する部分一括露光方法およびその装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年半導体ウェハや半導体基板等の試料
上に微細パターンを形成するために電子線(EB)描画
方法が用いられている。そしてEB描画のスループット
を高めるために、試料を照射するEBのサイズや形状を
任意に変更することができる可変成形電子線を用いた電
子線描画方法が用いられている。
【0003】この可変成形EB方式においては、第1の
ビーム成形アパーチャを電子ビームで照射して、第1の
ビーム成形アパーチャの像を第2のビーム成形アパーチ
ャ上に投影し、その第2のビーム成形アパーチャの像を
試料面上に投影して試料面上に所望パターンを描画する
方法である。
【0004】近年、特に、繰り返しパターンの描画スル
ープットを向上させるために、予めマスクパターンが制
作されたマスクを第2アパーチャとして用いた部分一括
露光法が採用されるようになっている。この方法におい
ては、形成しようとするパターンを複数の部分パターン
に分割し、該部分パターンを描画するためのマスクパタ
ーンを制作し、そのマスクを第2アパーチャとして一括
露光する。
【0005】図3は、部分一括露光装置の要部を示す斜
視図である。電子銃1から放射された電子ビーム2は第
1アパーチャ31を通って矩形に成形される。第1のア
パーチャ31によって成形されたEBは、成形偏向器3
2によってその断面積の大きさを変更されながら第2ア
パーチャに入射する。前記したように、第2アパーチャ
33はマスクパターンが形成された部分一括EBマスク
である。したがって、第2アパーチャ33(部分一括ア
パーチャ)を通ったEBによってウェハ16上にはマス
クパターンに対応するパターンが描画される。成形偏向
器32は、矩形電子線の断面積の大きさを任意に変える
電極板で、部分一括露光装置の場合には、第1アパーチ
ャ31を通過したEBが第2アパーチャの部分一括EB
マスクの開口全面を照射するように、EBの断面積を変
更する働きをする。
【0006】第2のアパーチャ33を通った矩形EB3
4は試料(ウェハ16)上に入射され、所望のパターン
を描画する。ポジションデフレクター7は電子線の位置
設計情報に基づいて偏向させる。図3では、矩形電子線
は、ポジションデフレクター7によって向かって左側に
偏向されている様子が示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前掲のように、EB直
描の描画スループットを向上させるために、マスクを用
いた部分一括露光法が不可欠になっている。しかし、使
用する部分一括マスクの作製精度のバラツキによって、
部分一括EBショット接続方向のサイズが設計値からず
れ、接続精度、及び、寸法精度の劣化が生じるという問
題がある。この問題を解決するためには部分一括EBシ
ョット接続方向のゲイン調整が必要になる。
【0008】通常、部分一括EB露光法においては、予
めパターンが作製(開口)された電子線露光用マスクを
用いるので、試料面上におけるマスクパターンの像を歪
ませないためには、ショット接続方向のゲイン調整は縮
小レンズによる倍率調整で対応しなければならなかっ
た。しかし、倍率調整によるゲイン調整は接続方向だけ
でなく、パターン全体のゲイン(大きさ)を変えてしま
い、得られるレジストパターン寸法が設計から大きく外
れてしまうという結果になる。このような理由で、簡易
な接続調整方法が求められている。
【0009】本発明の目的は、隣接パターンを描画する
ための部分一括EBショット間のショット接続を向上さ
せ、及び、寸法精度を向上させる部分一括電子線描画方
法およびその装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の電子線の描画装置および電子線の描画方
法においては、部分一括マスクを用いた電子線露光を行
う際に、電子ビームの部分一括ショットを接続するショ
ット接続方向の非点を、任意に調整する。すなわち、シ
ョット接続方向の非点を任意にぼかして、入射電子線の
ビームプロファイルの幅を広げ、ショット接続境界近傍
における電子線強度分布を均一にする。
【0011】上記の非点の調整は、部分一括マスクのマ
スク情報と描画位置情報とを含むパターンデータに基づ
いてショット接続方向を判断し、電子ビームの進行方向
に垂直な面内のX軸方向およびY軸方向の非点補正を制
御することによって行われる。また、非点の調整は、接
続させるパターンの寸法、または、部分一括マスクの開
口面積に依存して行われる。
【0012】このようにして、部分一括EBショット間
の接続、及び、寸法精度を向上させることができるの
で、その結果、得られるレジストパターンの接続、及
び、寸法精度を向上させることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図1は本発明の電子線描画方法を実
施するための電子線描画装置の一実施形態のブロック図
である。
【0014】本実施形態の電子線描画装置は、図3の装
置と同様に、部分一括電子線描画装置である。電子銃1
から放射されたEB(電子ビーム)2は、第1アパーチ
ャ31を通って矩形に成形される。第1アパーチャ31
によって成形されたEBは、成形偏向器32によってそ
の断面積の大きさを変更されながら第2アパーチャに入
射する。成形ビーム制御装置10は、後述のパターン分
割装置13から入力したパターン分割情報に基づき、第
1アパーチャ31を通過したEBが第2アパーチャの部
分一括EBマスクの開口全面を照射するように、成形偏
向器32の電界を制御する。成形偏向器32は、成形ビ
ーム制御装置10の制御に応答して第1アパーチャを通
過したEBの断面積の大きさを変更する。
【0015】パターンデータ転送装置13は、EB装置
本体にある設計データを格納するデータメモリから露光
時に必要な処理(矩形分割やポジションデフレクターの
位置決め)を行う装置にEBパターンデータを転送す
る。EBパターンデータは、従来の可変成形露光法の場
合には矩形パターンの大きさと描画位置情報であり、部
分一括露光法の場合には、使用するマスク情報と描画位
置情報である。
【0016】パターン分割装置12は、可変成形EB露
光の場合には、1ショットで露光できる矩形電子線の大
きさは有限であるので、このこの有限の大きさ以下に所
望パターンを分割する装置である。パターン分割装置1
2は、繰り返しパターンを部分一括露光の場合には、所
望のパターンを、繰り返される単位パターンに分割す
る。
【0017】パターン分割方向信号処理手段9は、転送
されてくるパターンデータの位置情報(現露光パターン
情報と次露光パターン情報)からショット接続情報を判
断する。
【0018】ポジション制御装置11は、設計情報に基
づいてポジションデフレクター7を制御してEBの位置
を偏向させる。
【0019】非点補正コイル4は、X軸非点補正コイル
41、Y軸非点補正コイル42を備え、それぞれX軸非
点補正コントローラ51、Y軸非点補正コントローラ5
2による駆動に従ってEBのX軸方向、Y軸方向の非点
補正を行う。ここで、非点補正とは、接続方向にEBを
発散させる処理で、図2を参照して後述するように、接
続部近傍において重ね合わされたビーム強度分布(接続
部におけるビーム強度分布の和)が接続部近傍以外の平
坦なビーム強度分布と同じ(または所望の)ビーム強度
を得ることができるようにEBを発散させる。非点補正
制御装置8は、パターン分割方向信号処理手段9から入
力したショット接続情報に基づいて非点補正方向と非点
補正量を演算して、必要な非点補正をするためのX軸非
点補正量、Y軸非点補正量をX軸非点補正コントローラ
51およびY軸非点補正コントローラ52のそれぞれに
指令する。
【0020】第2のアパーチャ33を通った矩形EB3
4は、非点補正コイル4によって非点補正されたのち、
対物レンズ6によって収束される。次に、EBは、ポジ
ションディフレクター7によってビーム位置調整された
のち、試料(ウェハ16)上に入射され、所望のパター
ンを描画する。ポジションデフレクター7はポジション
制御装置11の制御にしたがって、設計情報に基づいて
電子線の位置を偏向させる。
【0021】このように、本実施形態の電子線描画装置
は、部分一括EBショット接続方向信号処理手段をEB
描画装置装置内に持たせ、実際の露光時に接続方向の非
点を任意に変えて部分一括EBショットを行う。また、
この際の非点調整量は予め、部分一括用電子線露光用マ
スクを作製した際の寸法や開口面積を用いて決定され
る。
【0022】所望設計パターン描画時には、図1に示さ
れている部分一括EBショット接続方向信号処理手段に
よって、可変成形EBによる露光か部分一括EBによる
露光かを判断し、部分一括EBによる露光の場合には、
接続方向の非点を所望値に調整し、EB露光を行う。ま
た、従来の可変成形EBを用いた露光の場合は、非点の
調整は行わない。
【0023】図2は本発明の実施例を説明する図で、
(A)は部分一括EBマスクの一例を示す図で、この部
分一括EBマスクが第2アパーチャとして用いられ、第
1アパーチャから照射された電子ビームが部分一括アパ
ーチャの全面を照射する様子を示す上面図である。
【0024】図2(B)は、非点補正が施されない場合
の入射ビームプロファイル(EB強度分布曲線)と、そ
のEBによって描画されたレジストパターンを示してい
る。同図に示されているように、使用する部分一括マス
クの作製精度のバラツキにより、部分一括EBショット
接続方向(図では上下方向)のサイズが設計値からず
れ、接続精度、及び、寸法精度の劣化が生じ(図では入
射ビームプロファイルにEB強度分布曲線の途切れがで
きている)ている。この問題を解決するためには部分一
括EBショット接続方向のゲイン調整が必要になる。
【0025】図2(C)は本発明の電子線描画方法の一
実施例の入射ビームプロファイルと、該プロファイルを
もつ入射ビームによって作成されたレジストパターンを
示す図である。図(C)の入射ビームプロファイルの立
ち上がり部分および立ち下がり部分の傾斜が、図(B)
のそれらに比較して緩やかになって重なっているのは、
非点補正の結果である。このようにして、入射ビーム強
度分布の和が、接続点の近傍で一様になるので、途切れ
のないレジストパターンが得られている。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、電子ビームの部分
一括ショットを接続するショット接続方向の非点を、そ
の接続部近傍において一様な電子線強度分布が得られる
ように調整するすることによって、部分一括EBショッ
ト間のショット接続の向上、及び、寸法精度の向上が達
成され、接続精度を0.02μm以下に抑えることが出
来る。その結果、得られるレジストパターンの接続、及
び、寸法精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子線描画方法を実施するための電子
線描画装置の一実施形態のブロック図である。
【図2】本発明の実施例を説明する図で、(A)は部分
一括EBマスクの一例を示す図、(B)は、非点補正が
施されない場合の入射ビームプロファイルとその電子ビ
ームによって描画されたレジストパターンを示し、
(C)は、非点補正が施された場合の入射ビームプロフ
ァイルと、その電子ビームによって描画されたレジスト
パターンを示す図である。
【図3】従来の部分一括露光装置の要部を示す斜視図で
ある。
【符号の説明】
1 電子銃 2 電子ビーム 3 成形レンズ 4 非点補正コイル 5 非点補正コントローラ 6 対物レンズ 7 ポジションデフレクター 8 非点補正制御装置 9 パターン分割方向信号処理手段 10 成型ビーム制御装置 11 ポジション制御装置 12 パターン分割装置 13 パターンデータ転送装置 14 つなぎ部 15 レジスト 16 ウェハ 17 所望パターン 31 第1アパーチャ 32 成形偏向器 33 第2アパーチャ 41 X軸非点補正コイル 42 Y軸非点補正コイル 51 X軸非点補正コントローラ 52 Y軸非点補正コントローラ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 部分一括マスクを用いた電子線露光によ
    って試料表面に描画を行う電子線描画装置において、電
    子ビームの部分一括ショットを接続するショット接続方
    向の非点を、任意に調整する非点補正手段を有すること
    を特徴とする電子線描画装置。
  2. 【請求項2】 前記非点補正手段は、前記部分一括マス
    クのマスク情報と描画位置情報とを含むパターンデータ
    に基づいてショット接続方向を判断し、電子ビームの進
    行方向に垂直な平面内のX軸方向およびY軸方向の非点
    補正を制御するショット接続制御手段を有する、請求項
    1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 ショット接続制御手段はパターン分割方
    向信号処理手段と非点補正制御装置と非点補正コントロ
    ーラとを有し、パターン分割方向信号処理手段はパター
    ンデータを入力して該パターンデータに基づいてショッ
    ト接続方向を判断し、非点補正制御装置は、前記ショッ
    ト接続方向を入力して前記X軸方向およびY軸方向の非
    点補正量を演算してそれぞれX軸非点補正指令、Y軸非
    点補正指令として出力し、非点補正コントローラは、X
    軸非点補正コントローラおよびY軸非点補正コントロー
    ラを有し、X軸非点補正コントローラおよびY軸非点補
    正コントローラはそれぞれX軸非点補正指令、Y軸非点
    補正指令に対応するX軸補正電流およびY軸補正電流を
    出力する、請求項2に記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記非点補正手段は、さらに、非点補正
    コイル手段を有し、該非点補正コイル手段はX軸非点補
    正コイルおよびY軸非点補正コイルを有し、X軸非点補
    正コイルおよびY軸非点補正コイルはそれぞれX軸補正
    電流およびY軸補正電流によって駆動されて電子ビーム
    をX軸方向、Y軸方向に偏倚する、請求項3に記載の装
    置。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の電子線描画装置を用い
    た高集積電子回路製造装置。
  6. 【請求項6】 部分一括マスクを用いた電子線露光によ
    って試料表面に描画をを行う電子線描画方法において、
    電子ビームの部分一括ショットを接続するショット接続
    方向における非点を、任意に調整することを特徴とする
    電子線描画方法。
  7. 【請求項7】 前記非点の調整は、接続させるパターン
    の寸法、または、部分一括マスクの開口面積に依存して
    行う、請求項6に記載の方法。
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