KR102068368B1 - 기판 수용 용기의 퍼지 장치 및 퍼지 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 수용 용기의 개구의 위쪽에 마련되고, 기판 수용 용기와 반대측에 아래쪽을 향해 경사지게, 또한 개구의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급하는 상부 노즐과, 기판 수용 용기의 개구의 좌우의 측방에 각각 마련되며, 이 개구의 외측으로부터 기판 수용 용기의 내부를 향해 건조 가스를 공급하는 복수의 측부 노즐을 갖고 있다. 측부 노즐은 개구의 높이 이상의 길이를 가지며, 또한 상하 방향에 걸쳐 정해진 간격으로 건조 가스를 공급하는 공급 구멍이 복수 형성되어 있다. 한쪽의 측부 노즐에 형성된 각 공급 구멍과, 다른 쪽의 측부 노즐에 형성되는 각 공급 구멍은, 동일한 높이에 위치하지 않도록 번갈아 배치되어 있다.

Description

기판 수용 용기의 퍼지 장치 및 퍼지 방법{PURGING DEVICE AND PURGING METHOD FOR SUBSTRATE-CONTAINING VESSEL}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 수용하는 수용 용기의 퍼지 장치 및 퍼지 방법에 관한 것이다.
본 출원은 2012년 2월 3일에 일본에 출원된 특허 출원 제2012-22157호에 기초하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
종래, 반도체 디바이스의 제조 프로세스는, 청정도를 높게 유지할 수 있는 이른바 클린룸 내에서 행해지고 있었다. 그러나, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 및 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 장치가 대형화됨에 따라 클린룸의 운전비용이 상승해 왔다. 그 때문에, 최근에는, 처리 장치 내부의 청정도 및 처리 장치간의 웨이퍼의 전달에 이용되는 이른바 FOUP(Front-Opening Unified Pod)라고 불리는 기판 수용 용기 내부의 청정도만을 높게 유지하는 수법이 채용되고 있다.
전술한 기판 수용 용기는, 복수의 웨이퍼를 서로 평행한 상태에서 다단(多段)으로 수용 가능하고, 이 기판 수용 용기의 일면에 형성된 개구부로부터 웨이퍼를 반입출하도록 구성되어 있다. 이 기판 수용 용기의 내부에는 청정도가 높은 질소 가스 등이 봉입되어 있고, 이 기판 수용 용기 내로의 파티클 등의 오염 물질의 침입을 방지하고 있다.
그러나, 기판 수용 용기에는 미처리의 웨이퍼뿐만 아니라, 처리 장치에서 처리를 끝낸 웨이퍼도 수용된다. 그 때문에, 처리 장치 내에서 웨이퍼에 부착된 파티클 등이 그대로 기판 수용 용기에 반입되는 경우가 있다. 그러면, 이 파티클에 의해 다른 웨이퍼가 오염되고, 이것에 따라 제품의 수율이 저하되어 버릴 우려가 있다.
웨이퍼에 부착된 파티클을 제거하는 방법으로는, 예컨대 특허문헌 1에는, 기판 수용 용기에 다단으로 수용된 각 웨이퍼의 표면에 대하여 청정도가 높은 퍼지 가스를 분사하는 수법이 제안되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2006-128153호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시된 수법을 이용하여도, 여전히 웨이퍼에 파티클이 부착되어 버리는 경우가 있었다. 이 점에 대해서 본 발명자들이 예의 조사한 결과, 웨이퍼에 퍼지 가스를 분사함으로써 이 웨이퍼에 부착된 파티클의 제거는 가능한 것이 확인되었다.
그래서, 파티클의 부착원에 대해서 더 조사한 결과, 이 파티클은, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 플라즈마 에칭 공정 후에 발생하고 있는 것이 확인되었다. 발명자들의 고찰에 따르면, 이 파티클은 플라즈마 에칭 후의 웨이퍼로부터 방출되는 가스에 기인하여 발생하는 것이다.
추정되는 파티클의 발생 원인에 대해서 설명한다. 플라즈마 에칭 공정에서는, 예컨대, 수소 가스(H2), 질소 가스(N2) 및 CxFy 가스가 고주파 전력에 의해 플라즈마화되지만, 플라즈마 중의 반응에 의해, 부생성물로서 NH4F가 생성된다. 그리고, 실리콘 웨이퍼 상에 이 NH4F가 퇴적된 상태에서 기판 수용 용기 내의 대기와 반응하면, (NH4)2SiF6가 생성된다. 그리고, (NH4)2SiF6가 기판 수용 용기 내의 대기 중의 수분과 더 반응하면 SiO2가 생성되며, 이것이 파티클로서 기판 수용 용기 내의 웨이퍼에 부착된다고 생각된다.
또한, (NH4)2SiF6와 수분과의 반응에 의해, SiO2 이외에 불산(HF)이 생성되며, 이에 따라 웨이퍼 상에 플라즈마 에칭으로 형성된 트렌치의 측면 등이 에칭(불필요한 에칭)되어 버린다고 하는 문제도 확인되고 있다.
따라서, 플라즈마 에칭 종료 후의 웨이퍼로부터 방출되는 가스가 기판 수용 용기 내에서 수분과 반응하는 것을 방지하기 위해서는, 기판 수용 용기 내의 습도를 낮은 상태로 유지하는 것이 바람직하다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 수용 용기 내부를 저습도의 상태로 유지하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판 처리 장치에서 처리되는 복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하는 기판 수용 용기의 외부로부터, 이 기판 수용 용기의 내부를 퍼지하는 장치로서, 상기 기판 수용 용기의 개구의 위쪽에 마련되고, 상기 기판 수용 용기와 반대측에 아래쪽을 향해 경사지게, 또한 상기 개구의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급하는 상부 노즐과, 상기 기판 수용 용기의 개구의 좌우의 측방에 각각 마련되며, 이 개구의 외측으로부터 기판 수용 용기의 내부를 향해 건조 가스를 공급하는 복수의 측부 노즐을 가지며, 상기 측부 노즐은 상기 개구의 높이 이상의 길이를 가지며, 또한 상하 방향에 걸쳐 정해진 간격으로 건조 가스를 공급하는 공급 구멍이 복수 형성되고, 상기 기판 수용 용기의 개구의 측방의 한쪽에 마련되는 상기 측부 노즐에 형성된 각 공급 구멍과, 다른 쪽에 마련되는 상기 측부 노즐에 형성된 각 공급 구멍은, 동일한 높이에 위치하지 않도록 번갈아 배치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 상부 노즐에 의해 기판 수용 용기와 반대측에 아래쪽을 향해 경사지게, 또한 상기 개구의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급함으로써, 기판 수용 용기의 개구 전면(前面)에 이른바 에어 커튼을 형성할 수 있다. 이에 따라, 기판 수용 용기의 개구로부터 기판 수용 용기 내로 외부의 대기가 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 수용 용기의 개구의 좌우의 측방에 각각 마련된 측부 노즐의 공급 구멍은, 동일한 높이에 위치하지 않도록 번갈아 형성되어 있기 때문에, 좌우의 측부 노즐로부터 공급되는 건조 가스가 서로 간섭하여 체류하는 일이 없다. 이에 따라 기판 수용 용기의 내부에 구석구석까지 건조 가스를 골고루 퍼지게 하여, 기판 수용 용기 내부를 건조 상태로 유지할 수 있다. 그 결과, 플라즈마 에칭 종료 후의 웨이퍼로부터, 파티클이나 불필요한 에칭의 원인이 되는 가스가 방출되더라도, 기판 수용 용기 내에서 수분과 반응하여 SiO2나 불산이 생성되지 않게 된다. 이에 따라, 기판 수용 용기 내의 기판을 양호한 상태로 유지할 수 있다.
상기 측부 노즐의 각 공급 구멍은, 상기 기판 수용 용기 내에 수용되는 기판과 기판 사이의 높이에 각각 형성되어 있어도 좋다.
상기 공급 구멍은, 상기 측부 노즐의 상하 방향으로 적어도 2개 이상 인접하여 연속으로 형성되어 있어도 좋다.
상기 복수의 측부 노즐에는, 이 복수의 측부 노즐 중 어느 것으로부터도 상기 기판 수용 용기 내에 수용되는 기판과 기판 사이에 건조 가스가 공급되지 않도록 상기 공급 구멍을 형성하지 않는 결함부가 형성되어 있어도 좋다.
상기 복수의 측부 노즐은, 상기 기판 수용 용기의 대각선을 따라 건조 가스를 공급하여도 좋다.
상기 복수의 측부 노즐은, 상기 기판 수용 용기를 향해 수평 방향으로 건조 가스를 공급하여도 좋다.
상기 상부 노즐은, 연직 방향에 대하여 5°∼ 15° 아래쪽을 향해 경사지게 건조 가스를 공급하여도 좋다.
다른 관점에 따른 본 발명은, 상기 퍼지 장치에 의한 기판 수용 용기의 퍼지 방법으로서, 상기 기판 수용 용기를 배치부에 배치하고, 기판 수용 용기의 덮개를 개방한 후에 상기 상부 노즐 및 측부 노즐로부터 건조 가스의 공급을 시작하며, 상기 기판 수용 용기 내의 기판의 처리가 종료된 후에 이 기판 수용 용기의 덮개를 닫고, 상기 기판 수용 용기의 도어를 닫은 후에 상기 건조 가스의 공급을 정지하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판 수용 용기 내부를 저습도의 상태로 유지할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 퍼지 장치의 구성의 일례를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 퍼지 장치와 기판 수용 용기 근방의 구성의 개략을 도시한 정면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 퍼지 장치와 기판 수용 용기 근방의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 퍼지 장치와 기판 수용 용기 근방의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 퍼지 방법의 일례를 도시한 타임 차트이다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 퍼지 장치와 기판 수용 용기 근방의 구성의 개략을 도시한 정면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태의 일례에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 퍼지 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 사시도이다. 도 2 및 도 3은 퍼지 장치(1)와 기판 수용 용기(10)의 위치 관계를 도시한 정면도 및 종단면도이다. 또한, 도 4는, 퍼지 장치(1)와 기판 수용 용기(10)와의 위치 관계를 도시한 횡단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 퍼지 장치(1)는, 수평 방향으로 연신하는 상부 노즐(2)과, 이 상부 노즐(2)로 연통되고, 상부 노즐(2)의 양단부로부터 아래쪽으로 연신하여 마련된 복수의 측부 노즐(3, 4)을 갖고 있다.
상부 노즐(2)은, 상자형의 형상을 가지며 그 내부에 복수의 웨이퍼(W)를 수평 또한 등간격으로 다단으로 수용하는 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)의 위쪽에 배치되어 있고, 이 개구(10a)의 폭 이상의 길이를 갖고 있다. 상부 노즐(2)에는, 후술하는 가스 공급원(20)으로부터의 건조 가스를, 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)와 반대측에 예컨대 연직 방향에 대하여 정해진 각도(θ), 본 실시형태에 있어서는 15°의 각도로 아래쪽을 향해 경사지게 공급하는 공급 구멍(5)이, 정해진 간격으로 복수 형성되어 있다. 공급 구멍(5)은 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)의 폭에 걸쳐 건조 가스를 공급하도록, 적어도 개구(10a)의 폭 이상의 영역에 형성되어 있다.
측부 노즐(3, 4)은, 예컨대 도 2에 도시된 바와 같이, 각각 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)의 좌우의 측방에 배치되어 있고, 이 개구(10a)의 높이, 즉 이 개구(10a)의 연직 방향의 길이 이상의 길이를 갖고 있다. 측부 노즐(3, 4)에는, 개구(10a)의 외측으로부터 기판 수용 용기(10)의 내부를 향해 건조 가스를 공급하는 공급 구멍(6)이, 각각 복수 형성되어 있다.
공급 구멍(6)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 수용 용기(10) 내에 수용되는 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W) 사이의 높이에 각각 배치되어 있다. 여기서, 측부 노즐(3)에 형성된 각 공급 구멍(6)과, 측부 노즐(4)에 형성된 각 공급 구멍(6)은 동일한 높이에 위치하지 않도록, 측부 노즐(3)과 측부 노즐(4)에 각각 번갈아 형성되어 있다. 또한, 번갈아 형성되어 있다고 하는 것은, 반드시 공급 구멍(6)이 측부 노즐(3)과 측부 노즐(4)에 공급 구멍(6)이 1개씩 교대로 형성되어 있는 것만을 의미하는 것은 아니며, 예컨대 측부 노즐(3, 4) 중 어느 한쪽 노즐에, 복수의 공급 구멍(6)을 상하 방향으로 인접하여 연속하여 형성하고, 다른 쪽 노즐에, 한쪽 노즐의 공급 구멍(6)과 중복되지 않는 높이에 복수의 공급 구멍(6)을 동일하게 연속하여 형성하는 것도 포함한다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 도 2에 도시된 바와 같이, 측부 노즐(3)에 적어도 2개 이상의 공급 구멍(6)이 상하 방향으로 인접하여 연속하여 형성되고, 측부 노즐(4)에, 측부 노즐(3)에 형성된 공급 구멍(6)과 중복되지 않는 높이에 동일하게 2개 이상의 공급 구멍(6)을 상하 방향으로 인접하여 연속하여 형성하고 있다.
또한, 측부 노즐(3, 4)에는, 도 2, 도 3에 도시된 바와 같이, 예컨대 이 측부 노즐(3, 4) 중 어느 것에도, 공급 구멍(6)이 형성되어 있지 않은 결함부(7)가 형성되어 있다. 이 결함부(7)가 형성됨으로써, 기판 수용 용기(10) 내에 수용되는 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W) 사이에는, 공급 구멍(6)으로부터 건조 가스가 직접 공급되지 않는 영역(G)이 형성된다. 또한, 도 3에 있어서는, 이해를 쉽게 하기 위해서, 측부 노즐(3)에 형성된 공급 구멍(6)과, 측부 노즐(4)에 형성된 공급 구멍(6)을, 측부 노즐(4)에 중첩시켜 도시하고 있다.
또한, 공급 구멍(6)은, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 수용 용기(10)의 대각선을 따라, 덮개(30)와 포트 도어(40)를 연 상태의 개구(10a)로부터 기판 수용 용기(10) 내부를 향해 수평 방향으로 건조 가스를 공급할 수 있도록, 평면에서 보아 정해진 각도로 경사 방향으로 형성되어 있다. 이 정해진 각도는, 예컨대 30°∼ 60°가 바람직하고, 본 실시형태에 있어서는 예컨대 45°로 설정되어 있다.
상부 노즐(2)에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스로서 예컨대 건조 질소를 공급하는 가스 공급원(20)이, 급기관(21)을 통해 접속되어 있다. 급기관(21)으로부터 상부 노즐(2)에 공급된 건조 가스는, 이 상부 노즐(2)로 연통되는 측부 노즐(3, 4)에도 각각 공급된다. 급기관(21)에는, 가스 공급원(20)으로부터의 가스의 공급 및 정지를 제어하는 차단 밸브(22)가 마련되어 있다. 급기관(21)에 있어서의 차단 밸브(22)의 하류에는, 유량계(23)와 유량 조절 기구(24)가 마련되고, 가스 공급원(20)으로부터의 건조 가스의 공급량을 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 본 실시형태에서, 건조 가스는 예컨대 200 ㎖/min로 공급되고, 상부 노즐(2)과 측부 노즐(3, 4)의 각각에, 1/3씩의 유량이 흐르도록 각 공급 구멍(5, 6)의 크기가 형성되어 있다. 또한, 본 실시형태의 퍼지 장치(1)에서는, 측부 노즐(3, 4)을 상부 노즐(2)에 연통시킨 일체 구성으로 하고 있지만, 예컨대 상부 노즐(2)과 측부 노즐(3, 4)을 각각 독립된 구성으로 하여도 좋다. 이러한 경우, 급기관(21)을 상부 노즐, 측부 노즐(3, 4)에 대하여 각각 개별로 마련하여도 좋다. 그 경우, 급기관(21)을, 예컨대 차단 밸브(22)의 하류측에서 예컨대 3개로 분기시키고, 분기 후의 각 급기관(21)에 각각 다른 차단 밸브를 마련하여, 다른 차단 밸브의 하류측에 유량계(23)와 유량 조절 기구(24)를 각각 마련함으로써, 각 노즐(2, 3, 4)에 공급하는 건조 가스를 독립적으로 제어하여도 좋다.
전술한 기판 수용 용기(10)에는, 개구(10a)를 밀폐하는 덮개(30)가 마련되어 있다. 기판 수용 용기(10)의 하면은, 웨이퍼 처리 장치의 반송실(31)을 형성하는 격벽(32)의 바깥쪽에 마련된, 배치부로서의 배치대(33)에 의해 지지되도록 구성되어 있다. 기판 수용 용기(10)는, 예컨대 도시하지 않은 반송 기구에 의해 웨이퍼 처리 장치의 외부로부터 반송되고, 배치대(33)의 상면에 배치된다. 또한, 반송실(31) 내에는, 위쪽으로부터 아래쪽을 향하는 대기의 흐름, 이른바 다운플로우가 형성되어 있다.
배치대(33)는 격벽(32)의 외면에 마련된 지지 부재(34)에 의해 지지되어 있다. 배치대(33)는, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 지지 부재(34) 위를 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 배치대(33)를 기판 수용 용기(10)와 함께 격벽(32)측에 대하여 전후로 이동시킬 수 있다.
배치대(33)의 후방에는, 계지(係止) 부재(35)가 마련되어 있고, 이 계지 부재(35)에 의해, 배치대(33)와 기판 수용 용기(10)를 정해진 위치에서 계지(클램프)할 수 있다.
덮개(30)는 도시하지 않은 감합(嵌合) 부재를 구비하고 있고, 이 감합 부재에 의해 덮개(30)와 기판 수용 용기(10)를 감합(래치)할 수 있다. 또한, 격벽(32)에 있어서의 덮개(30)에 대향하는 위치에는 포트 도어(40)가 마련되어 있다. 포트 도어(40)는, 배치대(33)를 이동시켜 덮개(30)를 포트 도어(40)에 접촉(도킹)시킴으로써, 덮개(30)를 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 포트 도어(40)는 도시하지 않은 구동 기구에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 그 때문에, 포트 도어(40)와 덮개(30)를 접촉시킨 상태에서 포트 도어(40)를 개폐 조작함으로써 덮개(30)를 개폐할 수 있다.
전술한 각 차단 밸브(22)나 유량 조절 기구(24) 등은, 제어 장치(50)에 의해 제어된다. 제어 장치(50)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 예컨대 메모리에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 기판 수용 용기(10)의 퍼지 등을 행할 수 있다. 또한, 이러한 조작을 실현하기 위한 각종 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체(H)에 기억되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(50)에 인스톨된 것이 이용되고 있다.
본 실시형태에 따른 퍼지 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 다음에, 이 퍼지 장치(1)에 의한 기판 수용 용기(10) 내의 퍼지 방법에 대해서 설명한다. 도 5는, 퍼지 방법의 공정의 예를 도시한 타임 차트로서, 횡축은 시간, 종축은 각 기기의 상태를 나타내고 있다.
기판 수용 용기(10)의 퍼지에 있어서는, 우선 기판 수용 용기(10)가 배치대(33)에 배치된다(도 5의 시간 t0). 계속해서, 계지 부재(35)에 의해 기판 수용 용기(10)가 배치대(33)에 계지(클램프)된다(도 5의 시간 t1). 그 후, 배치대(33)를 격벽(32)측으로 이동시켜, 기판 수용 용기(10)의 덮개(30)와 포트 도어(40)를 접촉(도킹)시킨다(도 5의 시간 t2).
계속해서, 덮개(30)의 래치가 해제(언래치)된다(도 5의 시간 t3). 그 후, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 덮개(30)가 반송실(31)측을 향해 수평으로 이동하여 기판 수용 용기(10)가 개방된다(도 5의 시간 t4). 수평 방향으로 이동한 덮개(30)는, 그 후 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)의 아래쪽으로 이동하고(도 5의 시간 t5), 반송실(31) 내에 마련된 반송 기구(도시하지 않음)가 기판 수용 용기(10) 내의 각 웨이퍼(W)에 액세스할 수 있게 된다. 그리고, 덮개(30)가 개방되고, 차단 밸브(22)가 개방 조작되며(도 5의 시간 t5), 퍼지 장치(1)의 상부 노즐(2)로부터는, 개구(10a)와 반대측에 아래쪽을 향해 경사지게 건조 가스가 공급되어 에어 커튼이 형성된다. 그리고, 이 에어 커튼에 의해, 반송실(31) 내의 다운플로우가 기판 수용 용기(10) 내로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 차단 밸브(22)의 개방 조작에 의해 측부 노즐(3, 4)로부터는 기판 수용 용기(10) 내에 건조 가스가 공급된다. 그 때, 측부 노즐(3, 4)에 번갈아 형성된 공급 구멍(6)으로부터 공급된 건조 가스는, 도 3에 도시된 바와 같이, 다른 공급 구멍(6)으로부터 공급된 건조 가스와 간섭하여 체류하지 않고, 기판 수용 용기(10)의 후방, 즉 개구(10a)의 반대측의 단부까지 도달한다. 즉, 측부 노즐(3, 4)의 공급 구멍(6)이 동일한 높이에 형성된 경우, 각각의 공급 구멍(6)으로부터 공급된 건조 가스는 동일한 웨이퍼(W) 사이에서 흘러 서로 간섭하여 체류하기 때문에, 이것에 따라 기판 수용 용기(10) 내에서 건조 가스의 흐름이 흐트러져, 기판 수용 용기(10)의 후방 단부까지 건조 가스가 도달하지 않는 것을 생각할 수 있지만, 본 실시형태와 같이, 공급 구멍(6)을 측부 노즐(3, 4)에 번갈아 형성함으로써, 그러한 간섭을 방지할 수 있다.
그리고, 기판 수용 용기(10)의 후방 단부에 도달한 건조 가스는, 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W)의 사이로서, 측부 노즐(3, 4)의 결함부(7)에 대응하는 영역으로부터 기판 수용 용기(10)의 개구(a)를 향해 흘러, 기판 수용 용기(10)로부터 배출된다. 이와 같이, 측방 노즐(3, 4)에 결함부(7)를 형성함으로써, 측부 노즐(3, 4)의 공급 구멍(6)으로부터 공급된 건조 가스가, 기판 수용 용기(10)의 후방 단부로부터 개구(10a)를 향해 되돌아가는 건조 가스와 간섭하여 체류하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판 수용 용기(10) 내부를 효율적으로 건조 가스의 분위기로 치환하고, 이 기판 수용 용기(10) 내의 습도를 낮은 상태로 유지할 수 있다. 또한, 덮개(30)가 개방된 상태에 있어서는, 기판 수용 용기(10) 내의 습도는 예컨대 35% 이하로 유지된다. 또한, 공급되는 건조 가스의 유량은, 미리 행해지는 시험 등에 기초하여 결정된다.
그 후, 각 웨이퍼(W)가 웨이퍼 처리 장치에서 순차 플라즈마 에칭 처리되고, 모든 웨이퍼(W)의 처리가 완료되어 기판 수용 용기(10)에 재차 수용되면, 우선 덮개(30)가 포트 도어(40)와 함께 위쪽으로 이동한다(도 5의 시간 t6). 계속해서 덮개(30)를 상승시켜, 퍼지 장치(1)로부터의 건조 가스의 공급을 유지한 상태로, 덮개(30)를 개구(10a)의 전방에서 정해진 시간 동안 유지한다. 이와 같이, 개구(10a)의 전방에 덮개(30)를 위치시킴으로써, 개구(10a)로부터 반송실(31)의 대기가 기판 수용 용기(10) 내로 유입되는 것을 방지하면서, 측부 노즐(3, 4)로부터는 개구(10a)로부터 건조 가스의 공급을 계속할 수 있다. 그 결과, 덮개(30)를 개구(10a)의 아래쪽으로 하강시킨 상태와 비교하여, 기판 수용 용기(10) 내의 습도를 더 저하시킬 수 있다.
그리고, 정해진 시간 경과 후, 덮개(30)를 기판 수용 용기(10)측을 향해 수평 이동시킨다(도 5의 시간 t7). 그 후, 차단 밸브(22)를 폐쇄하고, 건조 가스의 공급을 정지시킨다(도 4의 시간 t8).
그 후, 덮개(30)가 래치되고, 덮개(30)에 의해 기판 수용 용기(10)가 밀폐된다(도 5의 시간 t9). 기판 수용 용기(10)가 밀폐되면, 배치대(33)를 격벽(32)과 반대측으로 이동시켜, 기판 수용 용기(10)의 덮개(30)와 포트 도어(40)의 분리(언도킹)가 행해진다(도 5의 시간 t10). 계속해서, 기판 수용 용기(10)와 배치대(33)의 계지를 해제(언클램프)한다(도 5의 시간 t11). 그 후, 기판 수용 용기(10)가 배치대(33)로부터 제거되고(도 5의 시간 t12), 웨이퍼(W)에 다른 처리 공정을 실시하는 다른 처리 장치로 반송되어, 일련의 퍼지 작업이 종료된다.
이상의 실시형태에 따르면, 상부 노즐(2)에 의해 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)와 반대측에 아래쪽을 향해 경사지게, 또한 개구(10a)의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급하기 때문에, 기판 수용 용기(10)의 개구(10a) 전면에, 이른바 에어 커튼을 형성할 수 있다. 이에 따라, 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)로부터, 반송실(31) 내의 대기가 기판 수용 용기(10) 내로 유입되어 기판 수용 용기(10) 내의 습도가 상승하는 것을 억제할 수 있다. 특히, 에어 커튼을 아래쪽을 향해 연직으로 형성한 경우는, 이 에어 커튼으로 반송실(31)에 형성된 다운플로우가 휩쓸려 들어가, 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)의 하부에서 반송실(31) 내의 대기가 유입되어 버리는 결과, 본 실시형태와 같이, 에어 커튼을 정해진 각도로 형성함으로써, 반송실(31)에 형성된 다운플로우가 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)로부터 이 기판 수용 용기(10) 내로 유입되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 측부 노즐(3, 4)의 공급 구멍(6)이, 동일한 높이에 위치하지 않도록 번갈아 형성되어 있기 때문에, 좌우의 측부 노즐로부터 공급되는 건조 가스 기판 수용 용기(10) 내에서 서로 간섭하여 체류하는 일이 없다. 이에 따라 기판 수용 용기(10)의 내부에 구석구석까지 건조 가스를 골고루 퍼지게 하여, 기판 수용 용기(10)의 내부를 건조 상태로 유지할 수 있다. 특히, 이 측부 노즐(3, 4) 중 어느 것에도, 공급 구멍(6)이 형성되어 있지 않은 결함부(7)를 형성함으로써, 기판 수용 용기(10) 내에 수용되는 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W) 사이에, 공급 구멍(6)으로부터 건조 가스가 직접 공급되지 않는 영역을 확보하고, 이 영역으로부터 기판 수용 용기(10) 내로 공급된 건조 가스를 배출할 수 있기 때문에, 효율적으로 기판 수용 용기(10) 내부를 건조 가스 분위기로 치환할 수 있다. 그 결과, 플라즈마 에칭 종료 후의 웨이퍼(W)로부터, 파티클이나 불필요한 에칭의 원인이 되는 가스가 방출되더라도, 기판 수용 용기(10) 내에서 수분과 반응하여 SiO2나 불산이 생성되지 않게 된다. 이에 따라, 기판 수용 용기(10) 내의 웨이퍼(W)를 양호한 상태로 유지할 수 있다.
또한, 이상의 실시형태에서는, 퍼지 장치(1)를 기판 수용 용기(10)와는 별개로 독립적으로 마련하였기 때문에, 기판 수용 용기(10)의 형상이 변한 경우에도, 동일한 퍼지 장치(1)를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대 기판 수용 용기(10)를 관통하여 건조 가스를 공급하는 접속 기구를 마련하면, 기판 수용 용기(10)의 형상이 변화되었을 때에, 이 기구와 기판 수용 용기(10)와의 접속에 어긋남이 생겨 정상적으로 퍼지 장치(1)를 사용할 수 없게 되어 버리는 경우가 있다. 그 경우, 그 때마다 기판 수용 용기(10)에 대응하여 건조 가스의 공급 기구를 마련할 필요가 있기 때문에, 설비 비용이 증가해 버린다. 이것에 대하여 본 실시형태에서는, 퍼지 장치(1)를 기판 수용 용기(10)의 외부에 마련하고 있기 때문에, 기판 수용 용기(10)의 형상에 상관없이 사용이 가능하다.
이상의 실시형태에서는, 공급 구멍(6)을 기판 수용 용기(10) 내의 웨이퍼(W) 사이에 대응하는 높이에 형성하여 건조 가스를 각 웨이퍼(W) 사이에 분배하여 공급하기 때문에, 기판 수용 용기(10) 내로 반송실(31)의 대기가 유입되더라도, 즉시 웨이퍼(W)의 표면을 건조 가스 분위기로 치환할 수 있다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 표면을 건조 가스 분위기로 유지할 수 있다. 또한, 이상의 실시형태에서는, 건조 가스를 수평 방향으로 공급하도록 공급 구멍(6)을 형성하였지만, 건조 가스의 공급 방향은 반드시 수평 방향으로 할 필요는 없고, 예컨대 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 수용 용기(10) 내의 각 웨이퍼(W)의 사이에 대하여 비스듬하게 위쪽에서 공급하도록 하여도 좋다.
또한, 공급 구멍(6)을 동일한 크기로 형성한 경우, 예컨대 상부 노즐(2)로부터 가까운 공급 구멍(6)은 건조 가스의 공급량이 많아지는 것을, 먼 공급 구멍(6)은 건조 가스의 공급량이 적어지는 것을 생각할 수 있다. 따라서, 공급 구멍(6)의 크기는 반드시 동일하게 할 필요는 없고, 예컨대 상부 노즐(2)에 가까운 위치의 공급 구멍(6)의 크기를, 상부 노즐(2)보다 먼 위치의 공급 구멍(6)보다 작게 하거나 하여도 좋다. 또한, 측부 노즐(3)과 측부 노즐(4)에서 공급 구멍(6)을 상이한 크기로 하여도 좋고, 기판 수용 용기(10) 내부를 구석구석까지 건조 가스 분위기로 치환할 수 있으면, 그 형상이나 크기는 임의로 설정이 가능하다. 또한, 상부 노즐(2)에 형성된 공급 구멍(5)의 크기에 대해서도, 마찬가지로, 임의로 설정이 가능하다.
이상의 실시형태에서는, 덮개(30)를 하강시킨 후에 건조 가스의 공급을 시작하였지만, 그 이전에 건조 가스의 공급을 시작하여도 좋다.
이상의 실시형태에서는, 상부 노즐(2)의 공급 구멍(5)을, 기판 수용 용기(10)의 개구(10a)와 반대측에 15°의 각도로 아래쪽을 향해 경사지게 건조 가스를 공급하도록 형성하였지만, 개구(10a)에 대한 각도, 즉 연직 방향과 이루는 각에 대해서는, 5 °∼ 15 ° 사이에서 임의로 설정이 가능하다. 본 발명자들에 따르면, 각도를 5°보다 작게 한 경우, 이미 설명한 바와 같이, 상부 노즐(2)에 의해 형성되는 건조 가스에 반송실(31)의 다운플로우가 휩쓸려 들어가 버려, 에어 커튼으로서의 기능을 충분히 확보할 수 없고, 덮개(30)가 열린 상태에 있어서, 기판 수용 용기(10) 내의 습도를 35% 이하로 유지할 수 없는 것이 확인되고 있다. 또한, 각도를 15°보다 크게 한 경우도, 기판 수용 용기(35) 내의 습도를 35% 이하로 확보할 수 없는 것이 확인되고 있다. 각도를 크게 한 경우, 반송실(31)의 다운플로우가 에어 커튼을 관통하여 기판 수용 용기(10) 내로 유입되어 버리는 것으로 생각된다.
이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
1 : 퍼지 장치 2 : 상부 노즐
3, 4 : 측부 노즐 5 : 공급 구멍
6 : 공급 구멍 7 : 결함부
10 : 기판 수용 용기 20 : 가스 공급원
21 : 급기관 22 : 차단 밸브
23 : 유량계 24 : 유량 조절 기구
30 : 덮개
31 : 반송실 32 : 격벽
33 : 배치대 34 : 지지 부재
35 : 계지 부재 40 : 포트 도어
50 : 제어 장치 W : 웨이퍼

Claims (10)

  1. 기판 처리 장치에서 처리되는 복수의 기판을 상하 방향으로 다단(多段)으로 수용하는 기판 수용 용기의 외부로부터, 이 기판 수용 용기의 내부를 퍼지하는 기판 수용 용기의 퍼지 장치로서,
    상기 기판 수용 용기의 개구의 위쪽에 마련되고, 상기 기판 수용 용기와 반대측에 아래쪽을 향해 경사지게, 또한 상기 개구의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급하는 상부 노즐과,
    상기 기판 수용 용기의 개구의 좌우의 측방에 각각 마련되며, 이 개구의 외측으로부터 기판 수용 용기의 내부를 향해 건조 가스를 공급하는 복수의 측부 노즐을 가지며,
    상기 측부 노즐은 상기 개구의 높이 이상의 길이를 가지며, 또한 상하 방향에 걸쳐 정해진 간격으로 건조 가스를 공급하는 공급 구멍이 복수 형성되고,
    상기 기판 수용 용기의 개구의 측방의 한쪽에 마련되는 상기 측부 노즐에 형성된 각 공급 구멍과, 다른 쪽에 마련되는 상기 측부 노즐에 형성된 각 공급 구멍은, 동일한 높이에 위치하지 않도록 번갈아 배치되어 있고,
    상기 상부 노즐은, 상기 기판 수용 용기의 측부에 마련되는 개구의 위쪽에 마련되고, 상기 기판 수용 용기의 개구와 반대측에 비스듬히 아래쪽을 향해, 또한 상기 기판 수용 용기의 개구의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급하지만, 아래쪽을 향해 건조 가스를 공급하지 않고, 상기 기판 수용 용기의 개구측에 비스듬히 아래쪽을 향해 건조 가스를 공급하지 않아, 상기 기판 수용 용기의 개구 옆에 위치한 반송실 내의 대기가 상기 기판 수용 용기의 개구를 통해 상기 기판 수용 용기 내로 유입되는 것이 억제되어, 상기 기판 수용 용기 내의 습도가 상승하는 것을 억제하는 것인 기판 수용 용기의 퍼지 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 측부 노즐의 각 공급 구멍은, 상기 기판 수용 용기 내에 수용되는 기판과 기판 사이의 높이에 각각 형성되어 있는 것인 기판 수용 용기의 퍼지 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 공급 구멍은, 상기 측부 노즐의 상하 방향으로 적어도 2개 이상 인접하여 연속으로 형성되어 있는 것인 기판 수용 용기의 퍼지 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 측부 노즐에는, 이 복수의 측부 노즐 중 어느것으로부터도 상기 기판 수용 용기 내에 수용되는 기판과 기판 사이에 건조 가스가 공급되지 않도록 상기 공급 구멍을 형성하지 않는 결함부가 형성되어 있는 것인 기판 수용 용기의 퍼지 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 측부 노즐은, 상기 기판 수용 용기의 대각선을 따라 건조 가스를 공급하는 것인 기판 수용 용기의 퍼지 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 측부 노즐은, 상기 기판 수용 용기를 향해 수평 방향으로 건조 가스를 공급하는 것인 기판 수용 용기의 퍼지 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 상부 노즐은, 연직 방향에 대하여 5°∼ 15° 아래쪽을 향해 경사지게 건조 가스를 공급하는 기판 수용 용기의 퍼지 장치.
  8. 기판 처리 장치에서 처리되는 복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하는 기판 수용 용기의 외부로부터, 이 기판 수용 용기의 내부를 퍼지하는 장치에 의한 기판 수용 용기의 퍼지 방법으로서,
    상기 기판 수용 용기의 퍼지 장치는,
    상기 기판 수용 용기의 개구의 위쪽에 마련되고, 상기 기판 수용 용기와 반대측에 아래쪽을 향해 경사지게, 또한 상기 개구의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급하는 상부 노즐과,
    상기 기판 수용 용기의 개구의 좌우의 측방에 각각 마련되며, 이 개구의 외측으로부터 기판 수용 용기의 내부를 향해 건조 가스를 공급하는 복수의 측부 노즐을 가지며,
    상기 측부 노즐은 상기 개구의 높이 이상의 길이를 가지며, 또한 상하 방향에 걸쳐 정해진 간격으로 건조 가스를 공급하는 공급 구멍이 복수 형성되고,
    상기 기판 수용 용기의 개구의 측방의 한쪽에 마련되는 상기 측부 노즐에 형성된 각 공급 구멍과, 다른 쪽에 마련되는 상기 측부 노즐에 형성된 각 공급 구멍은, 동일한 높이에 위치하지 않도록 번갈아 배치되며,
    상기 기판 수용 용기의 퍼지 방법은,
    상기 기판 수용 용기를 배치부에 배치하고,
    기판 수용 용기의 덮개를 개방한 후에 상기 상부 노즐 및 측부 노즐로부터 건조 가스의 공급을 시작하며,
    상기 기판 수용 용기 내의 기판의 처리가 종료된 후에 이 기판 수용 용기의 덮개를 닫고,
    상기 기판 수용 용기의 도어를 닫은 후에 상기 건조 가스의 공급을 정지하고,
    상기 상부 노즐은, 상기 기판 수용 용기의 측부에 마련되는 개구의 위쪽에 마련되고, 상기 기판 수용 용기의 개구와 반대측에 비스듬히 아래쪽을 향해, 또한 상기 기판 수용 용기의 개구의 폭의 전체면에 걸쳐 건조 가스를 공급하지만, 아래쪽을 향해 건조 가스를 공급하지 않고, 상기 기판 수용 용기의 개구측에 비스듬히 아래쪽을 향해 건조 가스를 공급하지 않아, 상기 기판 수용 용기의 개구 옆에 위치한 반송실 내의 대기가 상기 기판 수용 용기의 개구를 통해 상기 기판 수용 용기 내로 유입되는 것이 억제되어, 상기 기판 수용 용기 내의 습도가 상승하는 것을 억제하는 것인 기판 수용 용기의 퍼지 방법.
  9. 삭제
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6280837B2 (ja) * 2014-08-12 2018-02-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の基板載置部の雰囲気制御方法
JP6686014B2 (ja) 2014-10-24 2020-04-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ファクトリインターフェースで基板キャリアをパージするシステム、装置及び方法
JP6511783B2 (ja) 2014-11-21 2019-05-15 Tdk株式会社 ガスパージユニットおよびガスパージ装置
JP6429015B2 (ja) * 2014-12-26 2018-11-28 Tdk株式会社 ガスパージユニットおよびガスパージ装置
JP6380754B2 (ja) * 2014-12-26 2018-08-29 Tdk株式会社 ガスパージユニットおよびガスパージ装置
JP5967509B1 (ja) * 2015-02-27 2016-08-10 株式会社東京精密 搬送ユニット及びプローバ
JP6492884B2 (ja) * 2015-03-31 2019-04-03 Tdk株式会社 ロードポート装置
TWI653103B (zh) 2016-06-08 2019-03-11 錫宬國際有限公司 晶圓盒清洗裝置
KR101865636B1 (ko) 2016-07-06 2018-06-08 우범제 웨이퍼 수납용기
CN107968038B (zh) * 2017-11-20 2020-01-21 上海华力微电子有限公司 一种改善hcd氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置
KR102401082B1 (ko) * 2018-03-13 2022-05-23 우범제 웨이퍼 수납용기
KR102080015B1 (ko) * 2018-07-16 2020-02-21 주식회사 에이케이테크 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 가스 분지 유로 구조
US11194259B2 (en) * 2018-08-30 2021-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Equipment module with enhanced protection from airborne contaminants, and method of operation
KR102089464B1 (ko) * 2018-11-09 2020-03-16 주식회사 저스템 사이드 스토리지 퍼지 장치
KR102146517B1 (ko) * 2018-11-14 2020-08-21 주식회사 저스템 웨이퍼 용기로의 외기 유입을 차단하는 외기 차단 장치 및 이를 포함하는 반도체 장치
CN109317487A (zh) * 2018-11-30 2019-02-12 云南昆船电子设备有限公司 一种烟丝箱吹扫装置
US10964570B2 (en) 2018-12-03 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor wafer storage system and method of supplying fluid for semiconductor wafer storage
JP6597875B2 (ja) * 2018-12-07 2019-10-30 Ｔｄｋ株式会社 ガスパージユニットおよびガスパージ装置
KR102291801B1 (ko) * 2020-02-11 2021-08-24 두산중공업 주식회사 링 세그먼트 및 이를 포함하는 가스터빈
US11315816B2 (en) * 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
JP7070606B2 (ja) * 2020-06-17 2022-05-18 Tdk株式会社 ガスパージユニット及びロードポート装置
KR102479895B1 (ko) * 2020-07-03 2022-12-21 우범제 웨이퍼 수납용기
CN114313543A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 长鑫存储技术有限公司 传送盒及物料传送系统
KR102315216B1 (ko) * 2021-05-13 2021-10-20 주식회사 엘에스텍 반도체 제조 설비용 에어 커튼 장치
TW202341328A (zh) * 2022-04-07 2023-10-16 嘉鼎科技股份有限公司 前開式運載容器
CN114505312B (zh) * 2022-04-19 2022-06-24 烟台科优生物科技有限公司 基于教育教学用试管清洗装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319912A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
US20090035099A1 (en) 2007-07-31 2009-02-05 Tdk Corporation Lid opening/closing system for closed container and substrate processing method using same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE397943B (sv) * 1975-09-26 1977-11-28 Svenska Flaektfabriken Ab Sett och anordning for att forma en materialbana genom avsettning av i en fordelningskammare instrommande i gasformigt medium fordelad strom av partiklar, exempelvis fibrer, pa en i fordelningskammaren anordnad ...
JP3110218B2 (ja) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
US7156927B2 (en) * 2002-04-03 2007-01-02 Fsi International, Inc. Transition flow treatment process and apparatus
JP2004235516A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Trecenti Technologies Inc ウエハ収納治具のパージ方法、ロードポートおよび半導体装置の製造方法
TWI228750B (en) * 2003-02-25 2005-03-01 Samsung Electronics Co Ltd Apparatus and method for processing wafers
WO2005124853A1 (ja) 2004-06-21 2005-12-29 Right Mfg,Co.,Ltd. ロードポート
JP4012190B2 (ja) 2004-10-26 2007-11-21 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法
JP4541232B2 (ja) 2005-06-16 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
JP4790326B2 (ja) 2005-06-16 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
JP4278676B2 (ja) * 2005-11-30 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム
JP4301456B2 (ja) 2005-11-30 2009-07-22 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム
KR20070049138A (ko) * 2007-01-16 2007-05-10 가부시키가이샤 라이트세이사쿠쇼 로드 포트
JP4264115B2 (ja) 2007-07-31 2009-05-13 Ｔｄｋ株式会社 被収容物の処理方法及び当該方法に用いられる蓋開閉システム
JP4577663B2 (ja) 2008-03-04 2010-11-10 Ｔｄｋ株式会社 パージ制御装置及びそれを備えるロードボート装置
JP5048590B2 (ja) 2008-05-30 2012-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2010165943A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法およびウェハ処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319912A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
US20090035099A1 (en) 2007-07-31 2009-02-05 Tdk Corporation Lid opening/closing system for closed container and substrate processing method using same
KR101030884B1 (ko) * 2007-07-31 2011-04-22 티디케이가부시기가이샤 닫힘 용기용 덮개 개폐 시스템 및 이를 이용한 기재 처리방법

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